Growth of III-nitrides via sublimation and metalorganic vapor phase epitaxy
Rast III-nitridov s sublimacijo in metalorgansko parno fazno epitaksijo

angleški

1997

letnik 31, številka 6

nitridi   kristali    sublimacija    Ramanska spektroskopija    luminiscenca    rast kristalov   mikrostruktura 

Narodna in univerzitetna knjižnica

Kristali GaN < 3 mm dolžine so bili izdelani s sublimacijo/rekondenzacijo GaN pri 760 tor. ?$NH_3$? in 1100°C. Ploščice AlN < 1 mm debeline so bile na podoben način izdelane pri 1950 do 2250°C z uporabo Al kot izvora. Monokristalni filmi GaN in ?$Al_xGa_{1-x}N$?(0001) z (0.05 < x < 0.96) so bili izdelani z MVOPE na ?$\alpha$?(6H)-SiC(0001) vaferjih z in brez 1000 A AlN bufer sloja. Fotoluminiscentni (PL) spektri GaN so pokazali vezi in proste ekscitonske rekombinacije. Selektivna rast združba heksagonalnih piramid nedopiranega GaN in GaN dopiranega s silicijem je bila dosežena na 6H - Si(0001)/AlN/GaN večslojnih substratih z uporabo vzorčastih ?$SiO_2$? mask. Prag polja emisije teh združb je imel jakost 25 V/?$mu$?m za emisijski tok 10.8 nA pri razdalji 27 ?$\mu$?m med anodo in preizkušancem. Lateralna rast in koalescenca GaN je bila dosežena z uporabo lamel orientiranih vzdolž <1100> pri 1100°C in pretoku trietilgalija 26 mmol/min. V GaN, ki je nastal v področju oken je bilo približno ?$10^9 cm^{-2}$? dislokacij, ki so izvirale iz mejne površine GaN/AlN. Področja večje rasti so imela majhno gostoto dislokacij.

22.07.2011