Effect of the antimony thin-film deposition sequence on copper-silicon interdiffusion
Vpliv zaporedja nanosa tankih plasti antimona na interdifuzijo baker-silicij

angleški

2012

letnik 46, številka 2

PVD    tanke plasti   difuzija    baker    antimon    bakrov silicid   vrstična elektronska mikroskopija   difrakcija rentgenskih žarkov

Inštitut za kovinske materiale in tehnologije
(Obvezni izvod spletne publikacije)

V delu predstavljamo študijo vpliva plasti antimona na interdifuzijo in formiranje bakrovih silicidov pri inverziji zaporedja nanosa Cu in Sb na Si(111)-podlago. Nanos plasti Cu/Sb in Sb/Cu je bil izvršen s termičnim izhlapevanjem na Si(111)-substrat pri 100 °C brez prekinitve vakuuma. XRD- in RBS-analize vzorcev, žarjenih pri 200 °C in 400 °C, so pokazale segregacijo treh elementov (Cu, Sb in Si) na površini podlage in difuzijo masivnega materiala s tvorbo plasti zmesi treh elementov na površini podlage. Po žarjenju sistema Cu/Sb/Si pri 200 °C je bil opažen nastanek Cu2Sb, v sistemu Sb/Cu/Si pa nastanek faz Cu3Si in Cu2Sb. Po žarjenju pri 400 °C je bilo ugotovljeno sobivanje silicida Cu3Si in intermetalne spojine Cu2Sb pri vzorcu Cu/Sb/Si in samo Cu2Sb pri vzorcu Sb/Cu/Si. Pri vzorcu Cu/Sb/Si, žarjenem pri 400 °C, SEM-posnetki kažejo nastanek spojin s kristali trapezoidne oblike.

10.07.2013