Oznaka poročila: ARRS-RPROJ-ZP-2015/138 ZAKLJUČNO POROČILO RAZISKOVALNEGA PROJEKTA A. PODATKI O RAZISKOVALNEM PROJEKTU 1.Osnovni podatki o raziskovalnem projektu Šifra projekta J2-4273 Naslov projekta Oksidne pasivne in aktivne komponente za transparentno elektroniko Vodja projekta 4587 Barbara Malič Tip projekta J Temeljni projekt Obseg raziskovalnih ur 7560 Cenovni razred C Trajanje projekta 07.2011 - 06.2014 Nosilna raziskovalna organizacija 106 Institut "Jožef Stefan" Raziskovalne organizacije -soizvajalke 1538 Univerza v Ljubljani, Fakulteta za elektrotehniko Raziskovalno področje po šifrantu ARRS 2 TEHNIKA 2.09 Elektronske komponente in tehnologije 2.09.01 Materiali za elektronske komponente Družbenoekonomski cilj 04. Prevoz, telekomunikacije in druga infrastruktura Raziskovalno področje po šifrantu FOS 2 Tehniške in tehnološke vede 2.02 Elektrotehnika, elektronika in informacijski inženiring B. REZULTATI IN DOSEŽKI RAZISKOVALNEGA PROJEKTA 2.Povzetek raziskovalnega projekta1 SLO Transparentna elektronika za vsakdanjo uporabo naj bi vsebovala prozorna elektronska vezja in povezave na prozornih podlagah. Namen projekta je bil izdelati transparentne elektronske komponente in sicer kondenzatorje in tankoplastne tranzistorje (thin film transistor, TFT) s sintezo iz raztopine pri temperaturah, ki omogočajo uporabo steklenih podlag, to je manj kot 500 oC. Poleg priprave plasti prevodnih oksidov in dielektrikov iz raztopine z metodo vrtenja smo strukture oblikovali tudi brizgalnim tiskanjem. Nadalje je bil naš namen povezati kemijsko sestavo in pogoje priprave, kemijsko in fazno sestavo, mikrostrukturo ter električne in optične lastnosti. Materiali, ki smo jih raziskovali, so bili prevodni oksidi (transparent conductive oxides, TCO) n-tipa, predvsem sestave na osnovi ZnO-SnO2 v različnih molskih razmerjih. Materiali, ki so sestavni del transparentnih komponent, so dielektriki z veliko dielektričnostjo, v našem primeru Ta2O5 in Ta2O5-SiO2-Al2O3 v molskem razmerju Ta:Al: Si = 8:1:1. Plasti izbranih oksidov smo pripravili iz kovinskih alkoksidov ali acetatov v ustreznih alkoholih s sintezo iz raztopine na izbrane podlage (silicij, platinizirani silicij, steklo, steklo s prevodno plastjo indij-kositrovega oksida, ITO). Za oblikovanje struktur z brizgalnim tiskanjem smo pripravili tekočine s primernimi reološkimi lastnostmi, kar smo dosegli z izborom topil z različnimi viskoznostmi v ustreznih volumenskih razmerjih. Pri temperaturah segrevanja, ki niso presegale 400 oC, so bile plasti na osnovi ZnO-SnO2 in dielektrikov rentgensko amorfne, z majhno vertikalno hrapavostjo, plasti na steklu so izkazovale veliko optično prepustnost v vidnem delu spektra. Električna prevodnost plasti in tiskanih struktur na osnovi ZnO-SnO2 je bila prenizka za možno uporabo. Dielektričnost plasti Ta2O5 na platiniziranem siliciju, segretih pri 400 oC je bila ~27, vrednost za Ta2O5-SiO2-Al2O3 pa ~22, tok puščanja je bil pri plasteh iz mešanice oksidov izrazito nižji. Izdelali smo prozorni kondenzator, sestavljen iz dielektrika Ta2O5 na podlagi ITO/steklo in z napršenimi elektrodami Au/Cr. Plast dielektrika debeline približno 100 nm smo pripravili z nanašanjem raztopine na podlago z vrtenjem ali oblikovali v strukturo z dimenzijami 500 x 500 mikrometrov z brizgalnim tiskanjem, ter v obeh primerih segrevali pri 400 oC. Dielektričnost plasti je bila okrog 20. Strukturo TFT smo izdelali tako, da smo na podlago platiniziranega silicija (vrata) natiskali plast dielektrika (1 mm x 1 mm), na to natiskali plast polprevodnika ZnO-SnO2, in v obeh primerih po nanosa segrevali pri 400 oC. Za izvor in ponor smo natiskali komercialno srebrovo črnilo. Z integracijo plasti Ta2O5 in Ta2O5-SiO2-Al2O3, segretih pri 300 in 350 oC, v TFT-je na steklenih podlagah z izkazanim razmerjem vklop/izklop > 10л8, smo potrdili, da imajo plasti dielektrikov, pripravljenih iz raztopine primerne električne lastnosti za uporabo v aktivnih elektronskih komponentah. ANG_ Transparent electronics for everyday applications should contain invisible electronic circuitry deposited on transparent and in some cases also flexible substrates. The goal of the project is to realize transparent electronic components, such as transparent capacitors and thin film transistors (TFTs) from solutions at temperatures that enable use of temperature sensitive substrates, such as glass, i.e. below 500 oC. Beside chemical solution deposition (CSD) of thin films by spin coating also patterning of 2D-structures by inkjet printing was employed. The aim is to correlate the chemical composition and the conditions of the processing, the chemical and phase composition, and microstructure, and the electrical and optical properties. The studied materials included transparent conductive oxides (TCOs), mainly those based on ZnO-SnO2 in different molar ratios, and high-K dielectrics based on Ta2O5 and Ta2O5-SiO2-Al2O3 with Ta:Al:Si atom ratio = 8:1:1. Thin films of selected oxides were deposited by CSD from metal alkoxide- or acetate- containing organic solutions on different substrates: silicon, platinized silicon, borosilicate glass, indium-tin oxide (ITO) covered glass. To formulate the inks for inkjet printing, viscosity and surface tension of coating solution were adjusted by the addition of highly viscous alchols. Upon heating at temperatures not exceeding 400 oC the films of both TCOs and dielectrics were amorphous, with low vetical roughness, and when deposited on glass they exhibited high optical transmittance in the visible range. Conductivity of the films and printed structures based on ZnO-SnO2 was too low for possible use. The dielectric permittivity of Ta2O5 and Ta2O5-SiO2-Al2O3 films was ~27 and ~22, respectively, and the leakage current was lower for the mixed-oxide dielectrics. A transparent capacitor, consisting of a Ta2O5 dielectric on ITO/glass substrate with sputtered Au/Cr electrodes was prepared. The about 100 nm thick dielectric layer was either deposited by spin-coating or by inkjet printing the pattern of 500 x 500 micrometers and heating at 400 oC. In both cases, the dielectric permittivity was about 20. For a TFT structure, a dielectric layer (1 mm x 1 mm) was inkjet printed on platinized silicon (gate), and on top of it a layer of ZnO-SnO2. Each as-deposited layer was heated at 400 oC. Commercial silver ink was inkjet printed as source and drain electrodes. By integrating Ta2O5 and Ta2O5-SiO2-Al2O3, heated at 300 and 350 oC, into TFTS deposited on glass substrates, with the on/off ratio exceeding 10л8, it was confirmed that solution-derived high-K dielectric films are suitable for use in active electronic components. 3.Poročilo o realizaciji predloženega programa dela na raziskovalnem projektu2 Namen projekta je bil izdelati transparentne elektronske komponente, in sicer kondenzatorje in tankoplastne tranzistorje (TFT) iz raztopin brez dodatnih stopenj litografije, torej z direktnim oblikovanjem struktur. V takem postopku bomo samo spodnjo plast nanesli z metodo vrtenja, ostale bomo tiskali. Plasti posameznih prevodnih oksidov in dielektrikov, ki jih bomo pripravili z metodo vrtenja, bomo analizirali in njihove lastnosti nam bodo služile kot referenčne vrednosti za strukture, ki jih bomo pripravili s tiskanjem. Nadalje je bil naš namen ugotoviti zvezo med kemijsko sestavo, izborom reagentov in pogoji priprave plasti in struktur oksidnih polprevodnikov in dielektrikov in posledično kemijsko, fazno sestavo in mikrostrukturo ter predvsem njihovimi električnimi in optičnimi lastnostmi. Projekt je bil razdeljen v tri delovne sklope. V prvem sklopu DS1: Tekoči prekurzorji in njihova karakterizacija smo raziskovali dve skupini materialov, in sicer prevodne okside n-tipa in dielektrike z veliko dielektričnostjo ('high-K dielectrics'). Med prevodnimi oksidi smo raziskali okside na osnovi In2O3-ZnO (IZO), in glede na to, da v svetu primanjkuje indija in posledično njegova cena narašča, tudi sistem ZnO-SnO2 (ZTO) in sicer okside v molskih razmerjih Zn/Sn = 2/1, 1/1, in 1 /2. Kot dielektrike smo raziskovali tako Ta2O5, za katerega je poleg velike kemijske obstojnosti značilen še relativno velik tok puščanja mešani oksid Ta2O5-Al2O3-SiO2 z molskim razmerjem Ta:Al: Si = 8:1:1 (v nadaljevanju 8:1:1). Kot podlage smo uporabili platinizirani silicij, silicij, borosilikatno steklo in steklo s prevleko prevodnega In2O3-SnO2 (ITO). Tekoče prekurzorje za nanašanje tankih plasti z metodo vrtenja smo sintetizirali iz alkoksidnih in acetatnih reagentov po sol-gel metodi v ustreznih alkoholnih topilih. Pri vzorcih 8:1:1 smo po predhodnih eksperimentih, ki so pokazali nizko reaktivnost reagenta silicijevega etoksida v primerjavi s tantalovim in aluminijevim alkoksidom, prvega predhodno aktivirali s kontrolirano kislinsko katalizirano hidrolizo. Tekočine za tiskanje s piezoelektričnim tiskalnikom Dimatix morajo imeti vrednosti viskoznosti in površinske napetosti v območjih ~10 mPa.s in ~30mN/m. Kot izhodišče smo imeli raztopine za nanos tankih plasti, ki so imele sicer primerno površinsko napetost, vendar predvsem izrazito prenizko viskoznost, okrog 1-2 mPas, zato smo se posvetili povečevanju viskoznosti z dodatkom bolj viskoznih topil. V primeru prevodnih oksidov smo dodali 1,3 propandiol v volumskem razmerju z osnovnim eter-alkoholom (2-metoksitanol) 0.55:0.45. Poleg 1,3 propandiola smo pri pripravi tekočin za tiskanje dielektrikov uporabili še glicerol. Slednji se je namreč izkazal kot primeren dodatek za povečevanje viskoznosti pri pripravi koloidnih disperzij. V sklopu DS2: Nanašanje tankih plasti in diskretnih 2D struktur in njihova karakterizacija smo na osnovi termičnega razpada sušenih prekurzorjev, ki smo ga spremljali s termično analizo, določili program segrevanja tankih plasti in tiskanih struktur. Plasti smo pripravili z metodo vrtenja in segrevali do temperature, ki niso presegale 450 oC (IZO) oziroma 400 oC (ZTO, Ta2O5, 8:1:1). Tanke plasti na osnovi In2O3-ZnO in ZTO smo pripravili na silicijevih in steklenih podlagah, debeline plasti so bile do nekaj 100 nm. Vzorci so bili po segrevanju rentgensko amorfni, po analizi z infrardečo spektroskopijo niso vsebovali organskih nečistoč. Vzorci plasti ZTO na steklu so izkazovali optično prepustnost v vidnem delu spektra, ki je presegala 90 %. Električna prevodnost vzorcev je bila prenizka za možno uporabo, najboljše rezultate smo dosegli pri sestavi ZTO 2:1. Tanke plasti dielektrikov Ta2O5 in 8:1:1 so bile po segrevanju do največ 400 oC rentgensko amorfne. V sodelovanju z dr. Janezom Kovačem, IJS Z rentgensko fotoelektronsko spektroskopijo plasti po globini smo potrdili sledove ogljika kot ostanka razpada organskih spojin, v plasteh, ki so bile segrevane po 2 minuti po vsakem nanosu, medtem ko se delež ogljika izrazito zmanjšal, če smo čas segrevanja podaljšali na 10 oziroma 30 minut. Prisotnost ogljika je potrdila tudi Ramanska spektroskopija izbranih plasti, ki jo je opravil dr. Marco Deluca, Montanuniversitaet Leoben, Avstrija. V sodelovanju s prof. Andreasom Kleinom, Tehniška univerza Darmstadt, Nemčija, smo z in-situ eksperimenti določili prileganje energijskih pasov ('band alignment') na medpovršini dielektrika s prevodnima rutenijevim oksidom in indijevim kositrovim oksidom (ITO). Vertikalna hrapavost plasti je bila pod 0,5 nm. Plasti na steklenih podlagah so izkazovale visoko optično prepustnost v vidnem delu spektra. Dielektričnost plasti Ta2O5 na platiniziranem siliciju je bila ~27, kar je primerljivo z objavljenimi rezultati z literature, vrednost za 8:1:1 pa ustrezno nižja, ~22, zaradi dodatka oksidov z nižjo dielektričnostjo. Z nižjo temperaturo segrevanja se je dielektričnost nižala, vendar bolj izrazito za Ta2O5. Tok puščanja vzorcev 8:1:1 je bil izrazito nižji od vrednosti Ta2O5, padal je tudi z nižjo temperature segrevanja. Vzorci, segreti pri 300 oC, so izkazali tok puščanja ~10A(-6)A/cm2. Pri izvedbi in interpretaciji električnih meritev je bilo izjemnega pomena sodelovanje s projektnim partnerjem, skupino prof. Marka Topiča, Fakulteta za elektrotehniko, UL. Analiza mehanizma prevajanja plasti dielektrikov je pokazala, da je le-ta odvisen tako od sestave kot od temperature segrevanja. Tiskane strukture ZTO 2:1 in 8:1:1 smo pripravili iz tekočin z dodatkom 1,3-propandiola ali glicerola. Za posamezno tekočino smo optimizirali pogoje tiskanja, predvsem obliko signala (waveform), napetost na piezoelektričnem aktuatorju, temperature rezervoarja tekočine, temperature podlage, razdaljo med rezervoarjem in podlago ter razdaljo med kapljami. Tekočine so izkazovale dobro časovno stabilnost. Takoj po tiskanju so imele strukture ZTO dimenzije 1x1 mm2 in 2x2 mm2 , vendar so se po sušenju pri 150 °C in nadalje pri žganju pri 400 °C precej skrčile, robovi pa so se zaoblili. Podobno kot pri tankih plasteh je bila prevodnost tiskanih struktur ZTO nizka. Podobno smo pri tiskanih strukturah dielektrika Ta2O5 zaznali krčenje in zaobljenje robov po sušenju. Za pripravo približno 80 nm debelih struktur smo tekočino tiskali dvakrat. Strukture, segrete pri 350 oC, so imele dielektričnost primerljivo vrednostim, ki so jih izkazovale primerljivo debele plasti. V okviru sklopa DS3: Elektronske komponente (transparentni kondenzator, TFT) smo najprej izdelali prozorni kondenzator, sestavljen iz dielektrika Ta2O5 na podlagi ITO/steklo in z napršenimi elektrodami Au/Cr. Plast dielektrika smo pripravili s ponavljanjem postopka nanosa raztopine na podlago z vrtenjem, sušenja pri 150 oC, 2 min in segrevanja pri 400 oC, 2 min do debeline ~100 nm. Dielektričnost plasti je bila okrog 20, tok puščanja je bil ~ 4x10A(-7)A/cm2 pri 100 kV/cm2, optična prepustnost v vidnem delu spektra je bila >70 %. Kondenzatorje z lateralnimi dimenzijami 500 x 500 mikrometrov smo oblikovali tudi z dvakratnim tiskanjem tekočine 8:1:1 na ITO /steklo pri optimalnih parametrih (napetost 21 V, razdalja med kapljami 20 mikrometrov), sušenjem pri 150 oC, 10 min in segrevanjem pri 350 ° C, 10 min. Napršili smo zgornje elektrode Cr/Au (premer 0,4 mm). Dielektričnost je bila okrog 20, torej primerljiva z vrednostmi, ki jih izkazujejo plasti, pripravljene z metodo vrtenja. Tanke plasti dielektrikov na osnovi tantalovega oksida so izkazovale primerne električne in optične lastnosti za uporabo v pasivnih komponentah. Poskusili smo pripraviti TFTje s tiskanjem, pri čemer smo kot podlago uporabili platinizirani silicij, torej je platina služila kot vrata (gate). Na podlago smo natiskali plast dielektrika 8:1:1 z dimenzijami 1 mm x 1 mm s tekočino, ki je vsebovala glicerol. Da bi dosegli primerno debelino nekaj 100 nm, smo postopek tiskanja, sušenja in segrevanja pri 400 oC ponavljali. Opazili smo,da z naraščajočo debelino narašča možnost pojava razpok, čemur smo se izognili s tiskanjem plasti iz bolj razredčenih tekočin, s čimer smo zmanjšali debelino posameznega nanosa. Plast polprevodnika ZTO 2:1, ki smog a pripravili sami, ni imela dovolj velike prevodnosti, zato smo uporabili tekočino za tiskanje ZTO 2:1 z drugačno formulacijo organskih topil in dodatkov, ki nam jo je odstopil dr. Gerhard Domann, Fraunhofer Institut fuer Silicatforschung, Wuerzburg, Nemčija. Tudi v tem primeru tiskana struktura po toplotni obdelavi ni obdržala oblike in imela debelejše robove kot sredino. Na površino plasti ZTO smo nadalje natisnili še elektrodi izvor in ponor s komercialnim srebrovim črnilom (SunTronic U5714). Zaključili smo, da bi za tiskanje večplastnih struktur s pravilno geometrijo in z debelinami med nekaj 10 nm in nekaj 100 nm morali še bolje optimirati tako formulacijo tekočin za tiskanje kot pogojev tiskanja. Nadalje smo v sodelovanju z dr. Pedrom Barqinha, Univerza Nova, Lizbona, Portugalska v okviru projekta 7OP ORAMA preverili, če bi dielektrika Ta2O5 in 8:1:1, pripravljena s segrevanjem pri 300 in 350 °C, lahko uporabili kot dielektrični plasti v TFT-jih na steklenih podlagah. TFT s plastjo dielektrika in kanalom polprevodnika galijevega indijevega cinkovega oksida (GIZO), pripravljenega z naprševanjem, ter izvorom in ponorom iz Au/Ti, je izkazoval dobre funkcijske lastnosti: razmerje vklop /izklop večje od 10A8, pragovno napetost delovanja med -1 in 0 V, in mobilnost (angl.: field-effect mobility) večjo od 10 cmA2/Vs. Tako plasti Ta2O5 kot 8:1:1 so imele primerne lastnosti za uporabo v TFT-jih. Precej veliko histerezo prenosne karakteristike v nasprotni smeri urnega kazalca smo povezali s prisotnostjo sledov organskih snovi v plasteh dielektrikov, kot smo predhodno opisali v DS 1. Ko smo povečali čas segrevanja plasti, je histereza skoraj izginila. Posledično smo tako dosegli dobro delovanje TFT-jev, ki vključujejo plasti dielektrikov, pripravljenih s sintezo iz raztopine pri samo 300 °C, s čimer smo potrdili njihovo uporabnost v aktivnih elektronskih komponentah._ 4.Ocena stopnje realizacije programa dela na raziskovalnem projektu in zastavljenih raziskovalnih ciljev3 Namen projekta, ki je bil razdeljen v tri delovne sklope, je bil izdelati transparentne elektronske komponente, in sicer kondenzatorje in tankoplastne tranzistorje (TFT) iz raztopin brez dodatnih stopenj litografije, torej z direktnim oblikovanjem struktur. Nadalje je bil naš namen ugotoviti zvezo med kemijsko sestavo, izborom reagentov in pogoji priprave plasti in struktur oksidnih polprevodnikov in dielektrikov in posledično kemijsko, fazno sestavo in mikrostrukturo ter predvsem njihovimi električnimi in optičnimi lastnostmi. Projekt smo smiselno razdelili na posamezne kazalnike, ki so sledili ciljem posameznih delovnih sklopov, zato jih tu posebej ne navajamo, poleg tega smo si postavili mejnike za posamezne sklope, ki jih s komentarji navajamo v nadaljevanju. M1.1: Tekočine za tiskanje TCO in dielektrikov z dovolj veliko časovno stabilnostjo in ciljnimi lastnostmi, ki so potrebne za tiskanje struktur z majhno hrapavostjo in izbranimi dimenzijami smo dosegli. M2.1: Tiskane strukture dielektrikov s ciljnimi materialnimi in funkcijskimi lastnostmi smo dosegli. Glede na to, da je tiskanje struktur debeline nekaj 10 nm izrazito novo raziskovalno področje z malo objavljenimi članki, ocenjujemo to, da smo pripravili tiskane plasti dielektrikov z debelino okrog 80 nm in dielektričnostjo, ki je primerljiva vrednosti, ki jo imajo tanke plasti, pripravljene s sintezo iz raztopine ali z nanosom iz parne faze, kot dober rezultat. M2.2: Tiskane strukture TCO s ciljnimi materialnimi in funkcijskimi lastnostmi smo delno dosegli. Tiskane strukture na osnovi prevodnih oksidov z majhno relativno hrapavastjo smo pripravili. Na steklenih podlagah so izkazovale veliko optično prepustnost v vidnem delu spektra, vendar je bila električna prevodnost prenizka, zato nadaljujemo s poskusi dopiranja materialov na osnovi ZnO. M3.1: Delujoč transparentni kondenzator smo dosegli, tako s tehnologijo nanašanja plasti iz raztopine z vrtenjem kot z brizgalnim tiskanjem M3.2: Delujoč transparentni TFT smo le delno dosegli. TFT smo izdelali iz raztopin dielektrika in polprevodnika s kombinacijo tehnologij vrtenja in tiskanja, prevodne plasti (vrata, izvor, ponor) so bili kovinski. Problem je premajhna prevodnost plasti ZTO. Smo pa v sodelovanju s kolegi iz Portugalske potrdili primernost naših plasti dielektrikov, pripravljenih pri samo 350 oC, v TFTjih, pri katerih so bile ostale plasti pripravljene z nanosom iz parne faze in oblikovane z litografijo. Rezultate raziskav smo objavili v štirih znanstvenih člankih in treh referatih, objavljenih v zbornikih konferenc. 5.Utemeljitev morebitnih sprememb programa raziskovalnega projekta oziroma sprememb, povečanja ali zmanjšanja sestave projektne skupine4 Odstopanj od programa ni bilo. Do sprememb sestave projektne skupine je prišlo izključno zaradi prenehanja zaposlitve sodelavcev (povečini postdoktorskih) na projektu. Sprememba sestave projektne skupine ni vplivala na potek dela, saj smo delo prerazporedili bodisi na nove sodelavce ali na ostale sodelavce projektne skupine, tako, da so lahko aktivnosti na projektu potekale nemoteno naprej._ 6.Najpomembnejši znanstveni rezultati projektne skupine5 Znanstveni dosežek 1. COBISS ID 27297831 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Tanke plasti na osnovi dielektrika Ta[sub]2O[sub]5 s sintezo iz raztopine, pripravljenepri nizkih temperaturah ANG Ta[sub]2O[sub]5-based high-K dielectric thin films from solution processed at low temperatures Opis SLO Študirali smo tanke plasti dielektrikov na osnovi Ta2O5 in Ta2O5 - Al2O3 -SiO2 z molskim razmerjem Ta:Al: Si = 8:1:1, ki smo jih pripravili pri temperaturah do 400 oC s sintezo iz raztopine na podlagah platiniziranega silicija. Plasti so bile rentgensko amorfne. Hrapavost površin ni presegala 0.5 nm. Dielektričnost plasti na osnovi mešanice oksidov, segretih pri 300 -400 oC, je bila med 19 in 22. Meritve toka v odvisnosti od napetosti so pokazale, da je tok puščanja plasti na osnovi mešanice oksidov pri izbrani temperature vedno nižji kot za sam Ta2O5. ANG The properties of high-K dielectric films of Ta2O5 and the ternary composition Ta2O5 - Al2O3 - SiO2 with the Ta:Al:Si = 8:1:1 atomic ratio prepared by Chemical Solution Deposition on platinized silicon at temperatures not exceeding 400 oC were studied. All thin films were amorphous, and had smooth and flat surfaces with the average roughness of below 0.5 nm. The mixed oxide samples heated between 300 oC and 400 oC showed little difference in the dielectric permittivity with the values ranging from about 19 to 22. The current-voltage measurements revealed considerably improved characteristics of the Ta2O5 - Al2O3 - SiO2 samples within the investigated heating temperature range, with a significant overall decrease of the leakage currents in contrast to that of the pure Ta2O5 thin films. Objavljeno v Pergamon; Materials research bulletin; 2014; Vol. 50; str. 323-328; Impact Factor: 1.968;Srednja vrednost revije / Medium Category Impact Factor: 2.554; WoS: PM; Avtorji / Authors: Frunza Raluca-Camelia, Kmet Brigita, Jankovec Marko, Topič Marko, Malič Barbara Tipologija 1.01 Izvirni znanstveni članek 2. COBISS ID 27169831 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Tanke plasti na osnovi dielektrika Ta[sub]2O[sub]5 s sintezo iz raztopine za transparentne elektronske komponente ANG Solution-derived Ta[sub]2O[sub]5-based dielectric thin films for transparent electronic devices Opis SLO V delu so opisane lastnosti plasti tankoplastnih kondenzatorjev na osnovi Ta2O5 na steklenih podlagah s prevodno plastjo In2O3-SnO2, ki smo jih pripravili s segrevanjem pri 400 oC. Analiza površine z XPS je potrdila prisotnost oksidov. Plasti so bile amorfne. Površina plasti je bila gladka, s hrapavostjo 0,2 nm (rms), medtem ko je bila hrapavost podlage 1 nm. Optična prepustnost struktur v vidnem delu spektra je presegala 70 %. Vrednosti dielektričnosti plasti, debelih okrog 120 nm, so bile med 19 za Ta2O5-Al2O3-SiO2in 25 za Ta2O5. ANG The present study reports on the preparation of solution-derived Ta2O5-based high-K dielectric thin films suitable for transparent electronic devices. Thin films of the ternary composition Ta2O5 - Al2O3 - SiO2 with the Ta:Al:Si = 8:1:1 atomic ratio and pure Ta2O5 were processed at 400 °C. The XPS surface composition analysis showed that the surfaces of both films were fully oxidized. The samples were amorphous, and had smooth and flat surfaces with low average roughness. In the visible range they exhibited optical transparency higher than 70%. Their dielectric permittivity values were in the range from 19 to 25. Objavljeno v MIDEM - Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials; Proceedings; 2013; Str. 239-244; Avtorji / Authors: Frunza Raluca-Camelia, Kmet Brigita, Rachut Karsten, Jankovec Marko, Topič Marko, Klein Andreas, Malič Barbara Tipologija 1.08 Objavljeni znanstveni prispevek na konferenci 3. COBISS ID 24566311 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Brizgalno tiskanje dvodimenzionalnih struktur In[sub]2O[sub]3/ZnO iz raztopine ANG Ink-jet printing of In[sub]2O[sub]3/ZnO two-dimensional structures from solution Opis SLO S piezoelektričnim brizgalnim tiskanjem smo pripravili plastne strukture In2O3-ZnO in jih segrevali pri 150 oC in pri 450 oC. Viskoznost in površinsko napetost raztopine heterometalnega prekurzorja smo prilagodili zahtevam tiskalnika. Optimizirali smo pogoje tiskanja, tako da smo dosegli ločljivost 40 mikrometrov na podlagah stekla in SiOx/Si. Strukture so bile po segrevanju pri 150 oC amorfne, pri 450 oC pa kristalinične. ANG In2O3-ZnO two-dimensional structures were patterned by piezoelectric inkjet printing and heating at 150 oC and 450 oC. Viscosity and surface tension of the ink were adapted to the printer requirements. The printing parameters were optimised to reach the 40 micrometers resolution on glass and SiOx/Si substrates. The patterned structures were amorphous or crystalline upon heating at 150 oC or 450 oC, respectively. Objavljeno v American Ceramic Society; Journal of the American Ceramic Society; 2011; Vol. 94, no. 9; str. 2834-2840; Impact Factor: 2.272;Srednja vrednost revije / Medium Category Impact Factor: 0.774; A'': 1;A': 1; WoS: PK; Avtorji / Authors: Tellier Jenny, Malič Barbara, Kuščer Danjela, Trefalt Gregor, Kosec Marija Tipologija 1.01 Izvirni znanstveni članek 4. COBISS ID 25158439 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Priprava vodne suspenzije titanovega oksida in oblikovanje struktur z brizgalnim tiskanjem ANG Formulation of an aqueous titania suspension and its patterning with ink-jet printing technology Opis SLO V članku je opisan postopek priprave okolju prijaznih vodnih suspenzij nano-strukturnih delcev kovinskih oksidov in v nadaljevanju oblikovanje plastne strukture z metodo brizgalnega tiskanja. Kritične stopnje postopka vključujejo pripravo in stabilizacijo nano-delcev v tekočem mediju in prilagajanje fizikalnih lastnosti suspenzije, ki so nujne za uspešno tiskanje. Za poskuse tiskanja modelnega sistema delcev titanovega oksida sta bili viskoznost in površinska napetost suspenzije modificirani z dodatkom površinsko aktivnih snovi in glicerola. Določeni so bili pogoji tiskanja, ki so omogočili ponovljivo tiskanje plastnih struktur. ANG The paper describes a protocol for processing cost-beneficial, environmentally benign aqueous-type suspensions containing metal-oxide nanostructured particles, and their patterning with piezoelectric ink-jet printing technology. The critical issues relevant to ink-jet printing are the preparation and stabilization of nanosized particles in a fluid and adjusting its physical properties to the values appropriate for a particular ink-jet printer mechanism. For the ink-jet printing experiments of a model titania system, the surface tension and the viscosity of the suspension were modified by the addition of a small amount of the appropriate non-ionic amphiphiles and glycerol. The printing parameters which allowed reproducible patterning of 2D-structures were determined. Objavljeno v American Ceramic Society; Journal of the American Ceramic Society; 2012; Vol. 95, issue 2; str. 487-493; Impact Factor: 2.107;Srednja vrednost revije / Medium Category Impact Factor: 0.768; A'': 1;A': 1; WoS: PK; Avtorji / Authors: Kuščer Danjela, Stavber Gaj, Trefalt Gregor, Kosec Marija Tipologija 1.01 Izvirni znanstveni članek 7.Najpomembnejši družbeno-ekonomski rezultati projektne skupine6 Družbeno-ekonomski dosežek 1. COBISS ID 26235431 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Električne lastnosti tankih plasti dielektrikov na osnovi tantalovega oksida, pripravljene pri nizkih temperaturah ANG Electrical properties of solution derived tantalum oxide-based dielectric thin films processed at low temperatures Opis SLO Prispevek je na konferenci Transparent Conductive Materials (TCM) 2012 dobil nagrado za najboljši poster. Delo je študija električnih lastnosti tankih plasti Ta2O5 in Ta2O5 - Al2O3 - SiO2 (molsko razmerje Ta:Al:Si = 8:1:1), pripravljenih s sintezo iz raztopine in segretih pri 250 oC, 300 oC, 350 oC in 400 oC. Plasti na osnovi mešanice oksidov so izkazale nižji tok puščanja kot plasti Ta2O5, kar pomeni, da bi bile primerne kot dielektriki v tankoplastnih tranzistorjih. ANG The contribution at the Transparent Conductive Materials (TCM) 2012 obtained the best poster award. The study of electrical properties of Ta2O5 and Ta2O5 - Al2O3 - SiO2 (Ta:Al:Si = 8:1:1 atomic ratio), prepared by Chemical Solution Deposition and heated at 250 oC, 300 oC, 350 oC and 400 oC revealed that the mixed-oxide based thin films exhibited lower leakage currents than the pure Ta2O5 films. Šifra E.02 Mednarodne nagrade Objavljeno v s. n.]; TCM 2012; 2012; Avtorji / Authors: Frunza Raluca-Camelia, Jankovec Marko, Malič Barbara, Strojnik Martin, Stoica Mihai, Kosec Marija Tipologija 1.12 Objavljeni povzetek znanstvenega prispevka na konferenci 2. COBISS ID 28050215 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Tanke plasti večkomponentnih oksidnih dielektrikov za transparentne elektronske komponente s sintezo iz raztopine ANG Multicomponent solution-derived high-K dielectric thin films for transparent electronic devices Tanke plasti dielektrikov Ta2O5 in Ta2O5 - Al2O3 - SiO2 (molsko razmerje Ta:Al:Si = 8:1:1), pripravljene s segrevanjem pri 300 in 350 oC, lahko uporabili kot dielektrični plasti v tankoplastnih tranzisotrjih (TFT). Plasti v Opis SLO konfiguraciji kovina-dielektrik-polprevodnik smo karakterizirali z meritvami kapacitivnosti v odvisnosti od napetosti pri različnih frekvencah. TFT s plastjo dielektrika, pripravljenega iz raztopine, in kanalom polprevodnika galijevega indijevega cinkovega oksida (GIZO), pripravljenega z naprševanjem, je izkazoval dobre funkcijske lastnosti: razmerje vklop /izklop večje od 10л8, pragovno napetost delovanja med -1 in 0 V, in mobilnost (angl.: field-effect mobility) večjo od 10 cm^/Vs. Tako plasti Ta2O5 kot 8:1:1 so imele primerne lastnosti za uporabo v TFT-jih. ANG Ta2O5 and Ta2O5 - Al2O3 - SiO2 (atomic ratio Ta:Al:Si = 8:1:1) thin films processed at 300 and 350 oC were studied for possible use as gate dielectrics in thin-film transistors (TFTs). Metal-insulator-semiconductor structures of the high-K dielectric layers were characterized by analyzing capacitance-voltage curves recorded at different frequencies. TFTs with the solution-derived gate insulators and sputtered gallium indium zinc oxide (GIZO) channel layer rendered good operating properties, such as on-off ratio above 10л8, turn-on voltage between -1 and 0 V and field-effect mobility above 10 cm^/Vs. Therefore, both Ta2O5 and 8:1:1 thin films from solution proved to be suitable for TFT applications. Šifra B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci Objavljeno v s. n.]; IS-TCM 2014; 2014; Avtorji / Authors: Frunza Raluca-Camelia, Barquinha Pedro, Pereira Luis, Fortunato Elvira, Martins Rodrigo, Malič Barbara Tipologija 1.12 Objavljeni povzetek znanstvenega prispevka na konferenci 3. COBISS ID 27755303 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Brizgalno tiskanje struktur dielektrika na osnovi Ta[sub]2O[sub]5 iz raztopine ANG Inkjet printing of Ta[sub]2O[sub]5-based dielectric patterns from solution Opis SLO V prispevku smo predstavili brizgalno tiskanje 2D-struktur dielektrikov na osnovi Ta2O5 za kondenzatorje in izolatorje v tankoplastnih tranzistorjih. Viskoznost in površinsko napetost organske raztopine kovinskega alkoksida, ki je bila sintetizirana za pripravo tankih plasti, smo prilagodili vrednostim, primernim za brizgalno tiskanje. Tekočine za tiskanje so bile stabilne. Nastavitve tiskanja, kot temperatura rezervoarja tekočine, oblika signala, razadalja med kapljami in temperatura podlage, smo prilagodili, da smo lahko natisnili 2D strukture na izbranih podlagah. ANG In the contribution patterning of 2D-structures of Ta2O5-based dielectrics for capacitors or gate insulators in thin-film transistors is presented. Alkoxide-based organic solutions originally designed for chemical solution deposition of thin films were modified in terms of surface tension and viscosity to be suitable for piezoelectric inkjet printing. All inks were stable and jetting even after long periods of time. The printing parameters including the temperatures of the cartridge, waveform, drop spacing, and the substrate temperature were adjusted to allow patterning of 2D structures on selected substrates. Šifra B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci Objavljeno v European Materials Research Society; E-MRS 2014 Spring Meeting, May 26th-30th, Lille, France S; 2014; Str. 55; Avtorji / Authors: Matavž Aleksander, Frunza Raluca-Camelia, Malič Barbara Tipologija 1.12 Objavljeni povzetek znanstvenega prispevka na konferenci 4. COBISS ID 26234919 Vir: COBISS.SI Naslov SLO Brizgalno tiskanje funkcijskih materialov ANG Ink-jet printing of functional materials Opis SLO Tema plenarnega predavanja na konferenci Transparent Conductive Materials (TCM) 2012 je bilo direktno oblikovanje plastnih struktur funkcijskih materialov z brizgalnim tiskanjem, ki je aktualno področje raziskav. Strukturo lahko načrtujemo v računalniku, pri tiskanju porabimo malo materiala, saj ga nanašamo le tam, kjer ga potrebujemo. Tehnologijo je mogoče prilagoditi za tiskanje na velikih površinah. Brizgalno tiskanje lahko uporabimo za izdelavo tankoplastnih tranzistorjev, diod, sončnih celic in tako naprej. V tekočini za tiskanje je funkcijski material v obliki suspenzije (disperzije) ali raztopine. Med lastnostmi tekočin, ki kritično vplivajo na proces tiskanja, sta predvsem viskoznost in površinska napetost. ANG The topic of the plenary lecture at the Transparent Conductive Materials (TCM) 2012 meeting was the use of ink-jet printing for patterning the structures of functional materials, which is currently a field of extensive research. The design of the structure is made directly in the computer, it needs low amounts of materials, it reduces wastes and costs, and the scalability to large area manufacturing is possible. Therefore the ink-jet printing technology found its use in a lot of different applications, like thin film transistors, light-emitting diodes, solar cells, and so on. In the printing ink, the functional material is either suspended or dissolved in a carrier liquid. The fluid properties of the ink which influence the drop formation include viscosity and surface tension. Šifra B.04 Vabljeno predavanje Objavljeno v s. n.]; TCM 2012; 2012; Avtorji / Authors: Kosec Marija, Trefalt Gregor, Kuščer Danjela, Frunza Raluca-Camelia, Malič Barbara Tipologija 1.10 Objavljeni povzetek znanstvenega prispevka na konferenci (vabljeno predavanje) 8.Drugi pomembni rezultati projetne skupine7 Vodja projekta Barbara Malič je bila soorganizatorka simpozija konference »E-MRS Spring Meeting - Conference« z naslovom »Solution processing and properties of functional oxide thin films and nanostructures« ki je potekala v Franciji, Lille, od 26. 5. 2014 do 30. 5. 2014. 9.Pomen raziskovalnih rezultatov projektne skupine8 9.1.Pomen za razvoj znanosti9 SLO Transparentna elektronika predstavlja novo področje raziskav in tehnologij, ki temeljijo na prevodnih oksidih s primerno velikim prepovedanim pasom in dovolj veliko mobilnostjo nosilcev naboja in omogočajo izvedbo prozornih elektronskih komponent, na primer tankoplastnih tranzistorjev, česar s silicijevo tehnologijo ne moremo doseči. Tudi dielektriki morajo izkazovati primerno veliko dielektričnost in optično prepustnost. Glede na to, da je običajno podlaga steklo, so procesne temperature nizke, običajno pod 500 oC. Področje je novo in se intenzivno razvija. Projekt je prispeval k znanju o pripravi komponent transparentne elektronike iz raztopin, predvsem plasti in 2D struktur dielektrikov na osnovi tantalovega oksida. Sestava raztopine za pripravo tankih plasti, nanašanje na podlago in program segrevanja so bili načrtovani tako, da so omogočili odstranjevanje funkcionalnih skupin pri nizkih temperaturah, zgoščevanje plasti in primerne električne lastnosti, primerljive z vrednostmi, značilnimi za plasti, pripravljenimi z nanosom iz parne faze. Plasti na osnovi tantalovega oksida, pripravljene pri temperaturah, ki niso presegale 400 oC, so izkazovale dobre funkcijske lastnosti za transparentne pasivne in aktivne komponente. Reološke lastnosti raztopin kovinskih prekurzorjev smo prilagodili pogojem brizgalnega tiskanja s piezoelektričnim tiskalnikom. Parametre tiskanja in pogoje segrevanja pri temperaturah, ki niso presegle 350 oC, smo optimizirali za tisk enakomernih plastnih struktur z dobrimi električnimi lastnostmi. Izdelali smo kondenzatorje na steklenih podlagah z električnimi lastnostmi, primerljivimi lastnostim kondenzatorjev, pripravljenih z metodo vrtenja. Za razvoj transparentnih tankoplastnih tranzistorjev potrebujemo kvalitetne amorfne dielektrike z veliko dielektričnostjo, pripravljene na steklenih podlagah pri nizkih temperaturah. Raziskali smo vpliv temperature segrevanja na strukturo, mikrostrukturo, optične in električne lastnosti tankih plasti na osnovi tantalovega oksida. Z njihov integracijo v tranzistorje, ki so izkazali razmerje vklop /izklop večjim od 10л8, smo potrdili njihovo primernost za uporabo v aktivnih elektronskih komponentah. ANG_ Transparent electronics encompasses a new field of research and technology based on oxide materials with a large enough band-gap and a high enough mobility of charge carriers -transparent conducting oxides (TCOs) which enable transparent electronic components, such as thin film transistors (TFTs), which cannot be realized by silicon technology. Also dielectrics employed in such components should exhibit high dielectric permittivity and high optical transmittance. Substrates, typically glass, require use of low processing temperatures, not exceeding 500 oC. This new research field has encountered extremely fast evolution in the last years. This project contributed to knowledge on solution processing of components for transparent electronic devices, mainly on amorphous high-K dielectric Ta2O5-based thin films and 2D structures. The formulation of the coating solution and the processing were designed to enable the removal of functional groups at low temperatures, to densify the film and to obtain suitable electrical properties, comparable to those obtained by physical vapor deposition. The investigated Ta2O5-based thin films from solution processed at temperatures not exceeding 400 °C, exhibited promising properties for both transparent passive and active electronic devices. The precursor solutions originally designed for CSD of thin films were further adapted for piezoelectric inkjet printing. The printing procedure and the heat treatment not exceeding 350 ° C were optimized in order to pattern uniform structures with high electrical performance (dielectric permittivity, leakage current). The capacitors printed on glass showed an electrical performance comparable with the one of the spin coated thin films, and thus promising for further applications. The development of transparent TFTs requires high-quality amorphous high-K dielectrics processed on glass substrates at low temperatures. The influence of heating temperature upon structural, microstructural, optical and electrical properties of the Ta2O5-based thin films was studied, and gave a proof of concept for their use in TFTs, which exhibited the on/off ratio exceeding 10л8. 9.2. Pomen za razvoj Slovenije10 SLO_ Raziskave na področju transparentne elektronike so v veliki meri odvisne od aplikacij. Upogljive transparentne elektronske komponente in naprave za vsakdanjo uporabo vsebujejo tako pasivne kot aktivne komponente na osnovi prevodnih oksidov in dielektrikov z veliko dielektričnostjo in veliko optično prepustnostjo, ki jih večinoma izdelujejo s fizikalnimi metodami nanosa iz parne faze in oblikujejo z litografijo. Priprava plastnih struktur iz raztopin je v primerjavi z metodami nanosa iz parne faze cenovno ugodna, omogoča hitro spreminjanje kemijske sestave plasti in posledično njihovih lastnosti. V projektu smo raziskali pripravo tankoplastnih komponent transparentne elektronike iz raztopin, pri čemer smo raztopine nanesli na podlage z metodo vrtenja ali pa smo direktno oblikovali izbrane strukture z brizgalnim tiskanjem. Slednje je učinkovita tehnologija oblikovanja struktur skoraj brez ostankov in je po našem mnenju zelo zanimiva za prenos v industrijo. ANG The research in the field of transparent electronics has been mainly application driven. Transparent electronics for everyday applications consisting of both passive and active components based on transparent conductive oxides and high-K dielectrics are usually processed by physical vapor deposition (PVD) and patterned by lithography. In contrast to PVD, chemical solution deposition (CSD) of thin films is cost efficient and it enables quick modifications of chemical composition and thus properties. The project was focused on research of thin-film components of transparent electronics, processed from solutions. The films were prepared by CSD and spin-coating. Inkjet printing of inks with suitable rheological properties allowed direct patterning of 2D structures. The latter proved to be an efficient technology for patterning almost without residues and has got a strong potential for industrial use. 10.Samo za aplikativne projekte in podoktorske projekte iz gospodarstva! Označite, katerega od navedenih ciljev ste si zastavili pri projektu, katere konkretne rezultate ste dosegli in v kakšni meri so doseženi rezultati uporabljeni Cilj F.01 Pridobitev novih praktičnih znanj, informacij in veščin Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.02 Pridobitev novih znanstvenih spoznanj Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 - F.03 Večja usposobljenost raziskovalno-razvojnega osebja Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 - F.04 Dvig tehnološke ravni Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.05 Sposobnost za začetek novega tehnološkega razvoja Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.06 Razvoj novega izdelka Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.07 Izboljšanje obstoječega izdelka Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 - F.08 Razvoj in izdelava prototipa Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 v F.09 Razvoj novega tehnološkega procesa oz. tehnologije Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 v F.10 Izboljšanje obstoječega tehnološkega procesa oz. tehnologije Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 v F.11 Razvoj nove storitve Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 v F.12 Izboljšanje obstoječe storitve Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 v F.13 Razvoj novih proizvodnih metod in instrumentov oz. proizvodnih procesov Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 v F 14 Izboljšanje obstoječih proizvodnih metod in instrumentov oz. proizvodnih procesov Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 v F.15 Razvoj novega informacijskega sistema/podatkovnih baz Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 v F.16 Izboljšanje obstoječega informacijskega sistema/podatkovnih baz Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 v F.17 Prenos obstoječih tehnologij, znanj, metod in postopkov v prakso Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov I v F is Posredovanje novih znanj neposrednim uporabnikom (seminarji, forumi, konference) Zastavljen cilj DA NE Rezultat I v Uporaba rezultatov I v F.19 Znanje, ki vodi k ustanovitvi novega podjetja ("spin off") Zastavljen cilj DA NE Rezultat I v Uporaba rezultatov I v F.20 Ustanovitev novega podjetja ("spin off") Zastavljen cilj DA NE Rezultat I v Uporaba rezultatov I v F.21 Razvoj novih zdravstvenih/diagnostičnih metod/postopkov Zastavljen cilj DA NE Rezultat I v Uporaba rezultatov I v F.22 Izboljšanje obstoječih zdravstvenih/diagnostičnih metod/postopkov Zastavljen cilj DA NE Rezultat I - Uporaba rezultatov I v F.23 Razvoj novih sistemskih, normativnih, programskih in metodoloških rešitev Zastavljen cilj DA NE Rezultat I v Uporaba rezultatov I v F 24 Izboljšanje obstoječih sistemskih, normativnih, programskih in metodoloških rešitev Zastavljen cilj DA NE Rezultat I v Uporaba rezultatov I v F.25 Razvoj novih organizacijskih in upravljavskih rešitev Zastavljen cilj DA NE Rezultat I - Uporaba rezultatov I v F.26 Izboljšanje obstoječih organizacijskih in upravljavskih rešitev Zastavljen cilj DA NE Rezultat I v Uporaba rezultatov I v F.27 Prispevek k ohranjanju/varovanje naravne in kulturne dediščine Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.28 Priprava/organizacija razstave Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 - F.29 Prispevek k razvoju nacionalne kulturne identitete Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.30 Strokovna ocena stanja Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 - F.31 Razvoj standardov Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.32 Mednarodni patent Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.33 Patent v Sloveniji Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.34 Svetovalna dejavnost Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 - Uporaba rezultatov 1 - F.35 Drugo Zastavljen cilj DA NE Rezultat 1 v Uporaba rezultatov 1 - Komentar ll.Samo za aplikativne projekte in podoktorske projekte iz gospodarstva! Označite potencialne vplive oziroma učinke vaših rezultatov na navedena področja Vpliv Ni vpliva Majhen vpliv Srednji vpliv Velik vpliv G.01 Razvoj visokošolskega izobraževanja G.01.01. Razvoj dodiplomskega izobraževanja O o o o G.01.02. Razvoj podiplomskega izobraževanja o o o o G.01.03. Drugo: o o o o G.02 Gospodarski razvoj G.02.01 Razširitev ponudbe novih izdelkov/storitev na trgu O O O O G.02.02. Širitev obstoječih trgov o o o o G.02.03. Znižanje stroškov proizvodnje o o o o G.02.04. Zmanjšanje porabe materialov in energije O O O O G.02.05. Razširitev področja dejavnosti o o o o G.02.06. Večja konkurenčna sposobnost o o o o G.02.07. Večji delež izvoza o o o o G.02.08. Povečanje dobička o o o o G.02.09. Nova delovna mesta o o o o G.02.10. Dvig izobrazbene strukture zaposlenih O O O O G.02.11. Nov investicijski zagon o o o o G.02.12. Drugo: o o o o G.03 Tehnološki razvoj G.03.01. Tehnološka razširitev/posodobitev dejavnosti O O O O G.03.02. Tehnološko prestrukturiranje dejavnosti O O O O G.03.03. Uvajanje novih tehnologij o o o o G.03.04. Drugo: o o o o G.04 Družbeni razvoj G.04.01 Dvig kvalitete življenja o o o o G.04.02. Izboljšanje vodenja in upravljanja o o o o G.04.03. Izboljšanje delovanja administracije in javne uprave O O O O G.04.04. Razvoj socialnih dejavnosti o o o o G.04.05. Razvoj civilne družbe o o o o G.04.06. Drugo: o o o o G.05. Ohranjanje in razvoj nacionalne naravne in kulturne dediščine in identitete O O O O G.06. Varovanje okolja in trajnostni razvoj O O O O G.07 Razvoj družbene infrastrukture G.07.01. Informacijsko-komunikacijska infrastruktura O O O O G.07.02. Prometna infrastruktura o o o o G.07.03. Energetska infrastruktura o o o o G.07.04. Drugo: o o o o G.08. Varovanje zdravja in razvoj zdravstvenega varstva O O O O G.09. Drugo: o o o o Komentar 12.Pomen raziskovanja za sofinancerje11 Sofinancer 1. Naziv Naslov Vrednost sofinanciranja za celotno obdobje trajanja projekta je znašala: EUR Odstotek od utemeljenih stroškov projekta: % Najpomembnejši rezultati raziskovanja za sofinancerja Šifra 1. 2. 3. 4. 5. Komentar Ocena 13.Izjemni dosežek v letu 201412 13.1. Izjemni znanstveni dosežek V okviru projekta smo izjemni znanstveni dosežek izkazali v letu 2013 in ga vključili v predhodno poročilo. 13.2. Izjemni družbeno-ekonomski dosežek C. IZJAVE Podpisani izjavljam/o, da: • so vsi podatki, ki jih navajamo v poročilu, resnični in točni • se strinjamo z obdelavo podatkov v skladu z zakonodajo o varstvu osebnih podatkov za potrebe ocenjevanja ter obdelavo teh podatkov za evidence ARRS • so vsi podatki v obrazcu v elektronski obliki identični podatkom v obrazcu v pisni obliki • so z vsebino zaključnega poročila seznanjeni in se strinjajo vsi soizvajalci projekta Podpisi: zastopnik oz. pooblaščena oseba raziskovalne organizacije: in vodja raziskovalnega projekta: Institut "Jožef Stefan Barbara Malič ŽIG Kraj in datum: Ljubljana |16.3.2015 Oznaka poročila: ARRS-RPROJ-ZP-2015/138 1 Napišite povzetek raziskovalnega projekta (največ 3.000 znakov v slovenskem in angleškem jeziku) Nazaj 2 Napišite kratko vsebinsko poročilo, kjer boste predstavili raziskovalno hipotezo in opis raziskovanja. Navedite ključne ugotovitve, znanstvena spoznanja, rezultate in učinke raziskovalnega projekta in njihovo uporabo ter sodelovanje s tujimi partnerji. Največ 12.000 znakov vključno s presledki (približno dve strani, velikost pisave 11). Nazaj 3 Realizacija raziskovalne hipoteze. Največ 3.000 znakov vključno s presledki (približno pol strani, velikost pisave 11) Nazaj 4 V primeru bistvenih odstopanj in sprememb od predvidenega programa raziskovalnega projekta, kot je bil zapisan v predlogu raziskovalnega projekta oziroma v primeru sprememb, povečanja ali zmanjšanja sestave projektne skupine v zadnjem letu izvajanja projekta, napišite obrazložitev. V primeru, da sprememb ni bilo, to navedite. Največ 6.000 znakov vključno s presledki (približno ena stran, velikost pisave 11). Nazaj 5 Navedite znanstvene dosežke, ki so nastali v okviru tega projekta. Raziskovalni dosežek iz obdobja izvajanja projekta (do oddaje zaključnega poročila) vpišete tako, da izpolnite COBISS kodo dosežka - sistem nato sam izpolni naslov objave, naziv, IF in srednjo vrednost revije, naziv FOS področja ter podatek, ali je dosežek uvrščen v A'' ali A'. Nazaj 6 Navedite družbeno-ekonomske dosežke, ki so nastali v okviru tega projekta. Družbeno-ekonomski rezultat iz obdobja izvajanja projekta (do oddaje zaključnega poročila) vpišete tako, da izpolnite COBISS kodo dosežka - sistem nato sam izpolni naslov objave, naziv, IF in srednjo vrednost revije, naziv FOS področja ter podatek, ali je dosežek uvrščen v A'' ali A'. Družbeno-ekonomski dosežek je po svoji strukturi drugačen kot znanstveni dosežek. Povzetek znanstvenega dosežka je praviloma povzetek bibliografske enote (članka, knjige), v kateri je dosežek objavljen. Povzetek družbeno-ekonomskega dosežka praviloma ni povzetek bibliografske enote, ki ta dosežek dokumentira, ker je dosežek sklop več rezultatov raziskovanja, ki je lahko dokumentiran v različnih bibliografskih enotah. COBISS ID zato ni enoznačen, izjemoma pa ga lahko tudi ni (npr. prehod mlajših sodelavcev v gospodarstvo na pomembnih raziskovalnih nalogah, ali ustanovitev podjetja kot rezultat projekta ... - v obeh primerih ni COBISS ID). Nazaj 7 Navedite rezultate raziskovalnega projekta iz obdobja izvajanja projekta (do oddaje zaključnega poročila) v primeru, da katerega od rezultatov ni mogoče navesti v točkah 6 in 7 (npr. ni voden v sistemu COBISS). Največ 2.000 znakov, vključno s presledki. Nazaj 8 Pomen raziskovalnih rezultatov za razvoj znanosti in za razvoj Slovenije bo objavljen na spletni strani: http://sicris.izum.si/ za posamezen projekt, ki je predmet poročanja Nazaj 9 Največ 4.000 znakov, vključno s presledki Nazaj 10 Največ 4.000 znakov, vključno s presledki Nazaj 11 Rubrike izpolnite / prepišite skladno z obrazcem "izjava sofinancerja" http://www.arrs.gov.si/sl/progproj/rproj/gradivo/, ki ga mora izpolniti sofinancer. Podpisan obrazec "Izjava sofinancerja" pridobi in hrani nosilna raziskovalna organizacija -izvajalka projekta. Nazaj 12 Navedite en izjemni znanstveni dosežek in/ali en izjemni družbeno-ekonomski dosežek raziskovalnega projekta v letu 2014 (največ 1000 znakov, vključno s presledki). Za dosežek pripravite diapozitiv, ki vsebuje sliko ali drugo slikovno gradivo v zvezi z izjemnim dosežkom (velikost pisave najmanj 16, približno pol strani) in opis izjemnega dosežka (velikost pisave 12, približno pol strani). Diapozitiv/-a priložite kot priponko/-i k temu poročilu. Vzorec diapozitiva je objavljen na spletni strani ARRS http://www.arrs.gov.si/sl/gradivo/, predstavitve dosežkov za pretekla leta pa so objavljena na spletni strani http://www.arrs.gov.si/sl/analize/dosez/. Nazaj Obrazec: ARRS-RPROJ-ZP/2015 v1.00a 6E-58-CC-1C-B6-A4-D1-1A-88-75-B8-DF-69-D5-57-23-AE-D3-40-59