Preparation of thin coatings of titanium compounds with ion implantation
Priprava tankih prevlek titanovih spojin z ionsko implantacijo

angleški

1999

letnik 29, številka 3

mikroelektronika    tanke plasti   titanov dioksid    površine   implantacija   ioni

Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale
(Obvezni izvod spletne publikacije)

Prikazujemo rezultate teoretične in eksperimentalne preiskave rasti tankih plasti titanovega oksida in nitrida med ionsko implantacijo z ustreznimi ioni. Z uporabo programske opreme IBM SRIM smo določili koncentracijske profile implantiranih ionov, razprševanje titanovih atomov, verjetnost za odboj vpadnega iona od površine in mehanizme izgube kinetične energije ionov. Teoretične rezultate smo primerjali z eksperimentalnimi. Vzorce ploščic iz 5x10sup16, 1x10sup17, 2.5x10sup17, 5x10sup17, 7.5x10sup17,čistega titana smo gladko polirali in izpostavili toku kisikovih in dušikovih ionov s kinetično energijo 100 keV na molekulo (50 keV na atom). Doza ionov je bila 5x10na16, 1x10na17, 2.5x10na17, 5x10na17, 7.5x10na17 in 1x10na18 atomov/cmna2. Globinske profile vzorcev smo določili z metodo AES. Tako teoretični kot eksperimentalni rezultati so pokazali, da je doseg ionov približno 90 nm za dušik in 80 nm za kisik. Globinska porazdelitev elementov je bila značilna za tehniko ionske implantacije. Eksperimentalni rezultati so pokazali, da se formira tanka plast titanove spojine s konstantno sestavo pri dozi, ki je večja od 7x10na17 atomov/cmna2.

18.12.2015