ISSN 0351-9716 NASVETI PRIPRAVA ATOMSKO ^ISTIH POVR[IN Rok @itko Institut "Jo`ef Stefan", Jamova 39, 1000 Ljubljana Izpopolnitev tehnik za doseganje ultravisokega vakuuma ter postopkov za pripravo atomsko ~istih povr{in so omogo~ili pravi zagon fizike in kemije povr{in. Povr{ino imamo navadno za atomsko ~isto, ~e je {tevilo povr{inskih ne~isto~ manj{e od nekaj odstotkov monoplasti. Tak{na stopnja ~isto~e je zadovoljiva za {tevilne meritve, saj so lastnosti povr{ine tedaj `e blizu idealnim. V nekaterih primerih pa `e neznatna koli~ina povr{inskih ne~isto~ vodi k bistveno spremenjenimlastnostimpovr{ine. Prav posebno ob~utljive so na primer nekatere metastabilne povr{inske rekonstrukcije. Izredno ~iste podlage so potrebne tudi za pripravo tankih plasti z epitaksijo in pri poizkusih s posameznimi molekulami z uporabo vrsti~nega tunelskega mikroskopa. Najbolj pogoste (in trdovratne) ne~isto~e so ogljik, kisik, `veplo, klor in fosfor, v nekoliko manj{i meri pa {e du{ik, kalcij, silicij, bor in magnezij (1). Vrste ne~isto~, ki jih navadno zaznamo na povr{inah, so seveda odvisne od snovi, iz katere je vzorec. Na primer na povr{inah bakra najve~krat najdemo ogljik, kisik in `veplo, na `elezu pa ogljik, `veplo, kisik, du{ik, fosfor in klor. V~asih so kupljeni materiali ne~isti, ker zanje {e niso poznani u~inkoviti postopki za lo~evanje snovi. V hafniju je tako navadno okoli 3 % kemijsko zelo sorodnega cirkonija (1). Ker cirkonij difundira iz notranjosti vzorca na povr{ino, je ~i{~enje izjemno dolgotrajno. Obstaja veliko postopkov za pripravo atomsko ~istih povr{in, {tirje najbolj u~inkoviti in najpogosteje uporabljani pa so: 1) pregrevanje vzorca v ultravisokemvakuumu ali v atmosferi reaktivnega plina 2) jedkanje povr{ine z ionsko erozijo 3) in-situ lomljenje ali cepljenje kristalov 4) priprava plasti z epitaksijo. V primeru monokristalnih vzorcev je izbira tehnike za izbran material mo~no odvisna tudi od kristalo-grafske orientacije povr{ine, ki jo `elimo dobiti (1). Pogosto moramo zaporedoma uporabiti ve~ razli~nih postopkov, da dobimo zadovoljiv rezultat. Predhodna (ex-situ) obdelava povr{in Vzorce moramo navadno predhodno obdelati, preden jih vstavimo v vakuumski sistem. Pogosto jih VAKUUMIST 23/2-3 (2003) mehansko, kemijsko ali elektrokemijsko poliramo, da dobimo zadosti gladko povr{ino. Pri tem se moramo zavedati, da se lahko med obdelavo vzorec kontaminira. Povr{ine razmastimo z ultrazvo~nim ~i{~enjem v etanolu, trikloretilenu, acetonu ali izopropanolu, ostanke topila pa moramo temeljito odstraniti (na primer s segrevanjem vzorca). ^i{~enje s segrevanjem vzorcev v vakuumski komori Pregravanje vzorcev v vakuumu je navadno prvi korak ~i{~enja. S segrevanjempovzro~imo desorpcijo {ibko vezanih povr{inskih ne~isto~, kot sta na primer voda in ogljikov monoksid. Vzorce lahko pregravamo z omskim gretjem. Polprevodnike (na primer silicij) lahko segrevamo preprosto tako, da tok spustimo skozi sam vzorec. ^e pa vzorec nima primerne upornosti (kovina ali dober izolator), ga mehansko pritrdimo na nosilec iz ~istega molibdena ali volframain segrevamo nosilec. Vodniki morajo seveda imeti nizko upornost v primerjavi z nosilcem. Primerne so na primer debele bakrene `ice, pri tem pa moramo biti pozorni na morebitne te`ave z odvajanje toplote, saj so vakuumski skozniki ob~utljivi za visoke temperature in se hitro po{kodujejo. Slika 1: Postavitev pri pregrevanju vzorca z elektronskim curkom. Z ampermetrom merimo tok elektronov, ki padajo na vzorec, in tako lahko ocenimo mo~ segrevanja 43 ISSN 0351-9716 Zelo u~inkovita tehnika segrevanja je obstreljevanje vzorca (ali nosilca vzorca) s hrbtne strani z elektroni. V neposredno bli`ino vzorca postavimo grelno `i~ko, ki jo segrevamo s tokom. Med vzorcem in `i~ko vzpostavimo potencialno razliko okoli 1 kV, tako da pospe{eni elektroni trkajo v vzorec in ga tako segrevajo (slika 1). V komori moramo seveda imeti zadosti dober vakuum, da elektroni nemoteno letijo od izvira do tar~e, torej vsaj 10–3 mbar. Majhen vzorec bakra na dvajsetgramskem nosilcu iz jekla lahko tako brez te`av segrejemo na 800 °C v dveh minutah. Za izvir elektronov uporabimo kar volframovo `i~ko iz avtomobilske `arnice (12 V, 50 W), ki smo ji odbrusili stekleno bu~ko. Med segrevanjem merimo temperaturo povr{ine nekontaktno z opti~nimpirometromskozi okno vakuumskega sistema. Ceneje, vendar manj natan~no, pa se da temperaturo meriti tudi z uporabo termo~lena, ki se dotika vzorca (2). Vzorec lahko ~istimo tudi s pregrevanjem v atmosferi reaktivnega plina ali plazme (3). Tako lahko odstranimo nekatere trdovratne ne~isto~e, na primer ogljik na povr{ini niklja in drugih elementov iz sredine periodnega sistema (1). Ogljik odpravimo v kisikovi atmosferi. Vzorec najprej segrejemo na visoko temperaturo v UHV, tako da ne~isto~e difundirajo na povr{ino, nato pa temperaturo nekoliko zni`amo, da omejimo nadaljnjo difuzijo. V vakuumski sistempotemvpustimo zelo ~ist kisik, ki reagira z ogljikomin tvori la`je odstranljive okside. Na podoben na~in lahko potemkisik in okside odstranimo v vodikovi atmosferi, saj nastanejo hlapni hidridi (1). Vzorec, ki je `e bil o~i{~en, a je v vakuumski komori `e tako dolgo, da so se na povr{ino adsorbirali residualni plini, najla`e pripravimo za meritve tako, da ga za kratek ~as mo~no segrejemo (angl. flashing). Jedkanje z ionsko erozijo Pri jedkanju z ionsko erozijo (angl. ion beam sputtering) povr{ino obstreljujemo z visokoener-gijskimi (okoli 1 keV) ioni `lahtnih plinov, na primer argona ali neona. Tako s povr{ine odstranimo adsorbirane atome ne~isto~ in nekaj povr{inskih plasti podlage. S tem tudi mo~no razbrazdamo povr{ino in poru{imo kristalno ureditev. Zato moramo po jedkanju vzorec mo~no segreti (na temperaturo od 50 do 80 odstotkov temperature tali{~a), s ~imer iz povr{ine odstranimo ujete in adsorbirane atome `lahtnih plinov, nato pa s popu{~anjemdose`emo rekristalizacijo povr{ine. Celoten postopek erozije in popu{~anja moramo ve~krat ponoviti; po vsakem obstreljevanju z ioni povr{ino popu{~amo in preverimo ~istost in urejenost povr{ine z meritvijo LEED in spektra AES. ^i{~enje poteka tako, da vakuumsko komoro napolnimo s ~istim`lahtnimplinom, pogosto argonom, do tlaka okoli 10–6 mbar. Povr{ino nato obstreljujemo z ioni argona, ki nastajajo v ionski pu{ki. Ioni nastanejo ob trkih elektronov z atomi plina, nakar jih pospe{imo z napetostjo do 1000 V. Tipi~na gostota ionskega toka je nekaj µA/cm2. Pomembno je, da je ionski curek ~imbolj homogen, da je jedkanje prostorsko enakomerno. Zato imajo ionske pu{ke elektronsko optiko, s katero lahko curek fokusiramo. Hitrost jedkanja povr{ine je odvisna od vrste parametrov: mase in energije ionov, materiala in kristalne orientacije povr{ine, vpadnega kota ionov in temperature povr{ine. Kot primer naj navedemo povr{ino Cu(111), pri kateri z ioni argona odstranimo pribli`no eno monoplast na minuto, ~e je energija ionov 1 keV, gostota toka 10 µA/cm2 in vpad pravokoten. Klju~nega pomena je, da imamo med obstrelje-vanjemv komori ~immanj residualnih plinov (na primer CO), saj se tudi ti plini ionizirajo in trkajo v povr{ino, kjer se adsorbirajo ali celo implantirajo globlje v vzorcu. Priporo~ljivo je, da vzorce mo~no in zadosti dolgo predhodno pregrevamo, tako da odstranimo tudi ne~isto~e iz notranjosti vzorca. Te bi v nasprotnem primeru segregirale na povr{ino med popu{~anjem in ~i{~enje bi morali velikokrat ponoviti, da bi dobili zadosti ~isto povr{ino. Z ionsko erozijo te`je ~istimo elektri~no nepre-vodne povr{ine, ki se nabijejo in ustvarijo odbojno elektri~no polje na povr{ini. V temprimeru lahko hitrost jedkanja pove~amo tako, da so~asno povr{ino obstreljujemo tudi z elektroni. Lomljenje in cepljenje kristalov Pogosto uporabljen postopek je cepljenje kristalov v samem vakuumskem sistemu. Ker se kristali cepijo vzdol` dolo~enih kristalnih ploskev, lahko tako dobimo ~iste in kristalografsko kvalitetne povr{ine, ki so v primeru ve~atomnih kristalov v splo{nem stehiometri~ne. Najbolj pogosti povr{inski defekti, ki nastanejo kot posledica cepljenja, so povr{inske stopnice (4). Cepimo lahko le trdne kristale, ki so krhki, na primer alkalne halide (NaCl, KCl), okside (ZnO, TiO2, SnO2), polprevodnike (Ge, Si, GaAs) in plastne materiale (grafit). Cepljenje ni primerno za pripravo povr{in mehkih vzorcev, lahko pa naredimo tudi tak{ne materiale primerno krhke, ~e jih in-situ ohladimo na zelo nizke, kriogene temperature. Krom lahko na primer zelo lepo cepimo pri temperaturi teko~ega helija (5). ^iste povr{ine nekaterih snovi (kot 44 VAKUUMIST 23/2-3 (2003) ISSN 0351-9716 Slika 2: Cepljenje kristala z dvema no`ema so litij, talij in indij) lahko v vakuumu pripravimo tudi tako, da jih postru`imo (1). Vzorec (monokristal) moramo pred cepljenjem primerno orientirati, tako da ostro rezilo preseka kristal v ravno pravi kristalografski smeri. To najla`e naredimo tako, da na dveh straneh kristal predhodno zare`emo, s ~imer definiramo ploskev cepljenja. V vakuumu kristal stisnemo med dva jeklena no`a (angl. double wedge technique), slika 2. Udarec prenesemo na kristal preko vakuumskega skoznika ali pa z uporabo kladivca, ki ga spro`i elektromagnet. S cepljenjem lahko dobimo samo nekatere izmed povr{in (4). Kristalov z ionsko vezjo na primer ne moremo cepiti vzdol` polarnih ploskev, saj bi s tem lo~ili pozitivne in negativne ione, med katerimi deluje mo~na vez. Kristal pa se preprosto cepi vzdol` nepolarnih ploskev. Kakovost nastale povr{ine je odvisna od adhezijske energije dane povr{ine: kristal najla`e cepimo vzdol` ploskev, kjer je ta energija nizka. Te`ave lahko nastanejo, ~e obstajajo druge ploskve, ki imajo prav tako nizko energijo in ki so od izbrane ploskve naklonjene za majhen kot. V tem primeru dobljena povr{ina ne bo idealna ploskev, temve~ bo sestavljena iz ve~jega {tevila manj{ih ploskev (4). Rezultat je odvisen tudi od hitrosti cepljenja: nekatere kristale lahko cepimo tako, da postopoma pove~ujemo pritisk nanje, pri drugih pa dobimo lepe ploskve le tedaj, ko udarec spro`imo hitro. Nekatere plastne kristale, ki imajo kemijsko relativno inertne povr{ine, kot so na primer grafit in trihalkogenidi prehodnih kovin, lahko ''olupimo'' kar na zraku. To najla`e storimo z uporabo lepilnega traku, s katerimprelepimo povr{ino. Ko trak odtrgamo, s tem odstranimo nekaj povr{inskih plasti in v idealnem primeru dobimo atomsko ~isto povr{ino. ^e vzorec zadosti hitro (v nekaj minutah) prenesemo v vakuumski sistem, je nova povr{ina sprejemljivo ~ista za povr{inske meritve. Epitaksija Nekaterih povr{in ne moremo pripraviti z nobenim od zgoraj opisanih postopkov. Do tega pride na primer pri kristalih spojin, ~e kristala ne moremo cepiti in ~e pri ionski eroziji hitrosti jedkanja za razli~ne atome niso enake, saj v temprimeru povr{ina ne bi bila VAKUUMIST 23/2-3 (2003) stehiometri~na in imeli bi veliko {tevilo defektov. Za nekatere snovi (polprevodnike III-V, kot so GaAs, GaAlAs) je zato priprava tankih plasti z epitaksijo edini poznani postopek za pripravo velike ~iste povr{ine. Tudi nekatere druge povr{ine, na primer povr{ine redkih zemelj, raje pripravimo v obliki tankih plasti. Pri epitaksiji z molekulskim curkov (angl. molecular beam epitaxy, MBE) na segreto atomsko ~isto podlago usmerimo curek atomov ali molekul (2). Atomi tvorijo kristalno plast, ki se kristalografsko ujema s podlago, torej epitaksijsko plast. Ker postopek poteka v ultravisokemvakuumu, so dobljene tanke plasti atomsko ~iste. Drugi postopki [ibko vezane (fiziadsorbirane) ne~isto~e lahko odstranimo z elektronsko stimulirano desorpcijo: vzorec obstreljujemo z nizkoenergijskimi elektroni (100 eV), ki povzro~ijo desorpcijo adsorbatov (6). Desorpcijo ne~isto~ lahko povzro~imo tudi z laserskim obsevanjem. Povr{ino obsevamo s kratkimi (40 ms) pulzi visoke mo~i. Ker toplota v tako kratkem ~asu ne more disipirati, s povr{ine odletijo povr{inski atomi. Ta postopek je zelo primeren za ~i{~enje izolatorjev in polprevodnikov (6). Preverjanje ~istosti povr{in Kemijsko ~istost povr{ine preverjamo z Augerjevo elektronsko spektroskopijo (AES), rentgensko fotoemisijsko spektroskopijo (XPS) ali z masno spektroskopijo sekundarnih ionov (SIMS). Z AES lahko zaznamo ne~isto~e, ki jih je ve~ kot en promil monoplasti, XPS pa ima prag zaznavanja {e desetkrat ni`ji. Metoda SIMS je sicer veliko bolj ob~utljiva, kot sta predhodni, vendar je destruktivna (7). Kristalno ureditev nadzorujemo z uklonom nizkoenergijskih elektronov (LEED) (4). Namesto sklepa nadaljnje branje Zelo uporaben pregledni ~lanek je vir (1), kjer so podrobno opisani postopki za pripravo atomsko ~istih povr{in za {tiriinsedemdeset elementov. V istem viru najdemo tudi naslednjo strategijo za ~i{~enje raz-se`nih vzorcev, za katere {e ni poznan postopek ~i{~enja. Vzorec najprej razplinjamo (degaziramo) pri temperaturi malo pod tali{~em. Nato ga pri sobni temperaturi jedkamo z ionsko erozijo (Ar, 1 keV, nekaj µA/cm2), dokler s kemijsko specifi~nim merjenjem ne ugotovimo, da je povr{ina atomsko ~ista. Nato vzorec popu{~amo s temperature, enake dvema tretjinama tali{~a, pri tem pa opazujemo sestavo povr{ine. ^e na povr{ino segregira kak{na ne~isto~a, moramo poiskati temperaturo najve~je koncentracije 45 ISSN 0351-9716 te ne~isto~e in pri tej temperaturi nadaljevati ionsko erozijo. LITERATURA 1R. G. Musket, W. McLean, C. A. Colmenares, D. M. Makowiecki, W. J. Siekhaus Preparation of atomically clean surfaces of selected elements: a review, Appl. Surf. Sci. 10 (1982), 143–207 2J. R. Arthur Molecular Beam Epitaxy, Surf. Sci., 500 (2002), 189 DOLO^ANJE DEBELINE TANKIH STOPNICE Miha ^ekada Institut "Jo`ef Stefan", Jamova 39, 1000 Ljubljana UVOD O razli~nih metodah merjenja debeline tankih plasti smo v Vakuumistu (1) `e pisali. Kot eno najbolj uporabnih metod smo opisali tudi merjenje s profilometrom. Pred nanosom tanke plasti del vzorca zastremo s primerno masko, ki prepre~i rast plasti na tem delu. Po kon~anem nanosu masko odstranimo in s profilometrom pomerimo pre~ni profil vzorca. Na profilu se prehod med golo podlago in tanko plastjo ka`e v obliki stopnice. Vi{ina te stopnice je enaka debelini plasti. Soroden na~in priprave stopnice je jedkanje (ali kak{en drug na~in odstranitve) dela plasti. Te`ave V uvodu zapisane trditve seveda dr`ijo, vendar se pogosto pojavijo te`ave, zaradi katerih te`ko natan~no od~itamo vi{ino stopnice. Neredko je stopnica tako slabo izra`ena, da lahko podamo le grobo oceno o debelini plasti. Teh te`av je ve~: 1. Neenakomerna debelina tanke plasti Enakomernost debeline plasti je mo~no odvisna od tehnike nanosa, toda pogosto pride do ve~jih sprememb debeline na robovih vzorca ali kakr{nih koli spremembah geometrije. Primerno mesto za merjenje debeline naj bo ravno, stran od robov in {trle~ih delov, ki bi utegnili povzro~ati sen~enje. 2. Neizrazita stopnica ^e maska ni primerno pri~vr{~ena na podlago (spet so zahteve mo~no odvisne od tehnike nanosa), stopnica ni jasno izra`ena. Namesto ostrega skoka 46 3R. E. Thomas, M. J. Mantini, D. P. Malta, S. V. Hattangady, R. J. Markunas, Carbon and oxygen removal from silicon(100) surfaces by remote plasma cleaning techniques, J. Vac. Sci. Tech., 10 (1992), 817 4H. Lüth, Surfaces and Interfaces of Solid Materials, Springer Verlag, Berlin, tretja izdaja, 1995 5O. Y. Kolensnychenko, R. de Kort, H. van Kempen, Atomically flat ultra-clean Cr(001) surfaces produced by cleavage of a single crystal: scanning tunneling microscopy and spectroscopy study, Surf. Sci., 490 (2001), L573 6J. Verhoeven, Techniques to Obtain Atomically Clean Surfaces The Journal of Environmental Sciences 9 (1979) 7L. C. Feldman, J. W. Mayer, Fundamentals of surface and thin film analysis, North-Holland, 1986 IZ MERITVE PROFILA med golo podlago in tanko plastjo dobimo zvezen prehod, kjer ni jasno, kje je prava debelina tanke plasti (slika 1a). Tak{en pojav je pogost pri pripravi stopnice z jedkanjem. 3. Preve~ izrazita stopnica Pri nekaterih postopkih priprave stopnice (npr. sol gel) je velikost stopnice pretirana in je pravilno mesto za od~itek debeline tanke plasti stran od prehoda gola podlaga/tanka plast (slika 1b). Podobno je pri lu{~enju dela povr{ine, kjer sicer dobimo zelo ostre stopnice, a utegne biti plast ob robovih nekoliko upognjena. 4. Hrapavost Tako povr{ina podlage kot tudi povr{ina tanke plasti imata neko kon~no hrapavost. Ta lahko med nanosomostane enaka, se pove~a (npr. nanos s katodnim lokom) ali zmanj{a (npr. breztokovni nanos). Hrapavost ni mote~a, ~e je mnogo manj{a od debeline plasti. Pri zelo tankih plasteh pa je hrapavost ve~krat primerljiva z debelino plasti, zato je te`ko od~itati ni~elno linijo podlage in vi{ino stopnice (slika 1c). 5. Ukrivljenost vzorca Vse prej na{tete te`ave se da relativno enostavno obiti, ~e je podlaga (ni~elna linija) ravna. Ve~inoma pa temu ni tako. @e sama podlaga ni popolnoma ravna, bodisi zaradi nenatan~ne izdelave ali kasnej{e obdelave povr{ine. ^e je debelina tanke plasti 1 µm, bo ukrivljenost 1 µmna razdalji 10 mm(to je le 1:10.000) precej pokvarila meritev (slika 1d). Toda bolj kot nepravilna oblika vzorca je pomembna ukrivljenost vzorca zaradi notranjih ali VAKUUMIST 23/2-3 (2003) ISSN 0351-9716 Slika 1: Zna~ilne te`ave pri od~itavanju vi{ine stopnice: a) neizrazita stopnica, b) preve~ izrazita stopnica, c) prevelika hrapavost povr{ine, d) prevelika ukrivljenost vzorca termi~nih napetosti. Testni vzorci so ponavadi tanki (silicijeve rezine, stekla, kerami~ne plo{~ice itd.), tako da jih napetosti na fazni meji zlahka ukrivijo za nekaj mikrometrov. Posebej neugodno je, ker pride na meji gola podlaga/tanka plast do najve~jih pregibov, tako da izgubimo referen~no linijo. Seveda lahko ve~ teh te`av nastopi skupaj in v takih primerih, npr. neizrazita stopnica na mo~no hrapavi in ukrivljeni podlagi, debeline plasti ne moremo dolo~iti. Re{itve Prej opisane te`ave lahko zreduciramo na naslednji problem: [mm] 3 A^*Ulf¥^^^ 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 -0,5 -1 Slika 2: Od~itavanje vi{ine stopnice s prilagajanjemdveh vzporednih premic. Intervala, na katerih je bilo narejeno prilagajanje, sta odebeljena. VAKUUMIST 23/2-3 (2003) ^^wV^fV^I [mm] 01 23 45678 [mm] 012345678 — v^w viMMW^vWr [fafllf C • ö o ? ö • D ° D 'A......fi""" t ' ' * B O ? Ž A A A A A -Av "" A""A'"" \ A A A i----------1----------1----------1----------1---------^--------T —i----------1----------1-----------1 0123456789 10 lega [mm] Slika 5: Meritve debeline konkretnega vzorca, izra~unane z razli~nimi metodami prilagajanja 48 vzporedni, zato bomo pri linearnem prilagajanju dobili napa~en rezultat (slika 3a). Treba je uporabiti kvadratno prilagajanje, kar ima tudi ustrezno fizikalno ozadje. Po Stoneyjevi formuli je namre~ vzorec pod vplivom notranjih napetosti ukrivljen v obliki parabole. Modeliranje poteka podobno kot pri linearnem prilagajanju. Potegnemo dve paraboli (slika 3b): prva gre ~ez obe referen~ni podro~ji gole podlage (y=ax2+bx+c1), druga pa ~ez referen~no podro~je plasti (y=ax2+bx+c2). Ker sta paraboli vzporedni, sta kvadratna ~lena (a) in linearna ~lena (b) enaka. Tokrat imamo {tiri proste parametre (a, b, c1 in c2), debelina pa je enaka razliki prostih ~lenov. Poenostavljeno lahko povemo, da na ta na~in "poravnamo" celoten vzorec, ne da bi popa~ili stopnice (slika 3c). Tak{en na~in dela namda bolj zanesljiv rezultat. Zanesljivost Poglejmo si konkreten primer vzorca (podlaga iz polirane keramike 1 cm × 1 cm), na katerega je bil nanesen pas tanke plasti AlCuFe. V pre~ni smeri smo v razmaku 0,5 mm izmerili profile (slika 4). Na vsakem profilu smo izmerili vi{ino leve stopnice in lo~eno desne stopnice z linearnimprilagajanjem(slika 2). Posebej pa smo na obeh stopnicah skupaj naredili {e analizo s kvadratnimprilagajanjem(slika 3b) in za primerjavo {e z linearnim prilagajanjem (slika 3a). Na sliki 5 so prikazane debeline, izra~unane na {tiri razli~ne na~ine za vsak profil posebej. Na abscisi je vzdol`na smer pasu, na katerem je bila nanesena tanka plast. Takoj lahko opazimo, da je analiza z linearnim prilagajanjemobeh stopnic skupaj obremenjena z veliko sistemati~no napako in zato neprimerna. Linearno prilagajanje na eni stopnici (levi ali desni) namda zadovoljivo ponovljiv rezultat – sipanje je ±0,1 µm, kar ob debelini 2 µm prinese natan~nost v okviru 5 %. Tak{no natan~nost torej lahko pri~aku-jemo tedaj, ko imamo na razpolago le eno stopnico. S kvadratnimprilagajanjemobeh stopnic skupaj pa je sipanje manj{e, {e vedno pa je znatno ob robovih vzorca. Meritev na sredini vzorca in naknadna analiza torej dose`eta natan~nost ±0,04 µmoz. 2 %. Sklep V izjemnih primerih predstavlja merjenje debeline tanke plasti s profilometrom le od~itek na izpisu. Ponavadi pa je zaradi hrapavosti, ukrivljenosti in neenakomerne stopnice potrebno prilagajanje profila s premicami. Ve~krat pa niti to ne zadostuje in je potrebno kvadratno prilagajanje na profilu z dvema stopnicama. To nam pri izrazitej{ih profilih zagotavlja veliko natan~nost, pri neizrazitih pa je edina mo`nost za dosego uporabnega rezultata. Literatura 1M. ^ekada, Vakuumist 20(1) (2000) 16–19 VAKUUMIST 23/2-3 (2003)