Študij rasti titanovega silicida - Godec, Matjaž (Kovine zlitine tehnologije, 1995)
Silicidi so zadnjih deset let tema intenzivnih raziskav, predvsem zaradi vse pogostejše uporabe v integriranih vezjih. Med njimi je najpomembnejši ?$TiSi_2$? zaradi nizke električne upornosti, velike stabilnosti in kompatibilnosti s procesom izdelave integriranih vezij. Predstavljeni so modeli napovedovanja nastanka prve faze oziroma zaporedja nastanka faz pri pregrevanju Si-Ti sistema. Na primeru večplastne strukture je prikazan študij rasti titanovega silicida. Nastanek posameznih silicidnih faz smo zasledovali z in-situ meritvijo upornosti, s presevno elektronsko mikroskopijo prerezov (XTEM), z rentgensko difraktografijo in z Augerjevo profilno analizo.
Keywords: mikroelektronika; silicidi; večlpastne strukture