BVspodajCEO engineering in SOI LBT structure with top contacted base - Koričić, Marko (Informacije MIDEM, 2011)
Keywords: bipolarni tranzistorji; charge sharing effect; common-emitter breakdown voltage; cutoff frequency; deljenje naboja; ekstrinzična baza; extrinsic base; lateral bipolar transistor; mejna frekvenca; prebojna napetost s skupnim emiterjem; SOI