Effect of the nitrogen environment on indium gallium zinc oxide thin film transistors with low temperature ultraviolet annealing - An, Kunsik (Informacije MIDEM, 2025)
Študija raziskuje vpliv pretoka dušikovega plina na električne lastnosti tankoplastnih tranzistorjev (TFT) iz indij-galij-cinkoksida (IGZO), žarjenih pod toplotno podprto UV-osvetlitvijo. Cilj je razumeti, kako pretok dušika vpliva na delovanje IGZO TFT, obdelanih s tekočino in žarjenih pri nizkih temperaturah, kar je ključnega pomena za razvoj visoko zmogljivih naprav za elektroniko naslednje generacije in temperature občutljive aplikacije. IGZO TFT so bili izdelani na steklenih podlagah z uporabo konfiguracije spodnjih vrat in zgornjega kontakta, pri čemer je bil IGZO tanek film nanesen s tiskanjem z inkjet tiskalnikom in žarjen v komori z različnimi pretoki dušika (0,5, 1, 2 in 5 l/min) pri 250 °C 2 uri pod UV-osvetlitvijo. Električne lastnosti so bile izmerjene iz meritev prenosnih lastnosti. Rezultati kažejo, da pretok dušika 1 l/min izboljša električne lastnosti IGZO TFT, verjetno zaradi ustrezne koncentracije kisikovih praznin. Prekomerni pretoki N2 (>1 l/min) negativno vplivajo na lastnosti TFT, medtem ko nižji pretoki (<1 l/min) povzročajo bolj negativne pragovne napetosti in nižja razmerja med vklopnim in izklopnim tokom. Študija zaključuje, da je optimizacija pretoka dušika ključna za doseganje želenih lastnosti TFT, kar ponuja dragoceno orodje za natančno nastavitev IGZO TFT, da izpolnjujejo specifične zahteve aplikacij.
Keywords: IGZO TFTs; low temperature; MEC; nitrogen annealing effect; nizka temperatura; oksidni polprevodnik; oxide semiconductor; tankoplastni tranzistor; thin film transistor; učinek dušikovega žarjenja