Elektronske lastnosti mejnih plasti v heterostrukturah ZnSe/GaAs(001) - Bratina, Gvido (Vakuumist, 1996)
Heterostruktura ZnSe-GaAs(001) je eden od najpomembnejših delov v modernih trdnih laserjih. Elektronske lastnosti na the heterovalenčnih mejnih plasteh so najverjetneje odvisne od sestave v neposredni okolici meje. Pokazali smo, da je mogoče nadzorovano spreminjati zamik valenčnega pasu na meji v območju od 0,4 do 1,2 eV. Te spremembe so dosegljive s spreminjanjem sestave atmosferemed rastjo kristalov. Okolje, bogato s selenom, privede do mejnih plasti s presežkom selena in nizke vrednosti nezveznosti valenčnega pasu. Okolje, bogato s cinkom, pa privede do mejnih plasti s presežkom cinka in nizke vrednosti nezveznosti valenčnega pasu.
Keywords: laserji; mejne plasti; elektronske lastnosti