Development of an improved zinc oxide thin film transistor for next-generation smartphone display technologies - Bose, Anindya (Informacije MIDEM, 2025)
Cilj študije je ustvariti prenosni in visoko učinkovit tankoplastni tranzistor iz cinkovega oksida (ZnO) na monokristalni silicijevi podlagi, čemur sledijo potrebne električne karakterizacije. V raziskavi so preučene ustrezne študije z vsega sveta. TFT je po vsem svetu pritegnil pozornost zaradi možnosti uporabe v ploskih zaslonih. Električne in optoelektronske lastnosti TFT na osnovi ZnO so prav tako pritegnile veliko zanimanja. Na kakovost TFT močno vplivajo ključni parametri, kot sta razmerje med vklopnim in izklopnim tokom ter od polja odvisna gibljivost, ki sta odvisna od geometrije tranzistorja, kristaliničnosti aktivne plasti in kakovosti vmesnika (kot je vmesnik polprevodnik-izolator ali vmesnik kovina-polprevodnik). Na te spremenljivke vplivajo tudi pogoji rasti in obdelave različnih plasti. Študija predstavlja razvoj nizkozmogljivega in učinkovitega TFT z vrati iz ZnO na p-tipu monokristalne silicijeve podlage za naslednjo generacijo prenosnih računalnikov in mobilnih zaslonov. Pri tem je bilo z magnetronskim brizganjem RF uporabljeno za izdelavo tankoplastnega tranzistorja na osnovi ZnO (ZnO-TFT) z vrati pri sobni temperaturi. ZnO TFT deluje v načinu ponora z napetostjo praga -1,2 V in izkazuje razmerje vklopnega/izklopnega toka 2 x 108 . Največja nasičena gibljivost 48 cm2 /Vs je bila zabeležena pri VGS = 24,1 V in VDS = 10 V. Ta raziskava je lahko priložnost za prihodnje raziskovalce, ki se ukvarjajo s pogonskimi vezji prilagodljivih pametnih panelnih zaslonov.
Keywords: cinkov oksid; element gonilnika zaslona prihodnosti; future display driver element; litografija brez maske prihodnosti; maskless lithography; RF magnetron sputtering; RF magnetronsko brizganje; tankoplastni tranzistor; thin film transistor; zinc oxide