SSESD: Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelek-troniko in materiale pri Jugoslovanski zvezi za ETAN .^Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelek-troniku i materijale kod Jugoslavenskog saveza za ETAN LJUBLJANA, SEPT. 1985, LETNIK-GODINA 15, ŠTEVILKA-BROJ 35 INFORMACIJE SSESD Izdaja trimesečno Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale pri Jugoslovanski zvezi za ETAN Izdaje tromjesečno Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materija-le pri Jugoslavenskom savezu za ETAN Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Člani izvršnega odbora SSESD Članovi izvršnog odbora SSESD Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Podpredsednik Tajnik — sekretar Alojzij Keber, dipl. ing. Mag Milan Slokan, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Prof dr Petar Biljanovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar, Zagreb Mag Marko Hrovat, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Dr Sveto Jovičič, dipl. ing. — Beograd Franc Jan, dipl. ing. — Iskra — IEZE, Šentjernej Dr Evgen Kansky, dipl. ing. — IEVT, Ljubljana Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mr Vlado Pantovič, dipl. ing. — €i — IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing, — Mihajlo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra — IEZE, Ljubljana-Stegne Mr Ljubiša Ristič, dipl. ing. — Ei — Tvornica poluvodiča, Niš Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra — Mikroelektronika, Ljubljana-Stegne Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — Iskra — Avtoelektrika, Ljubljana Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mag Drago Škrbinc, dipl. ing. — Iskra — IEZE, Ljubljana-Stegne Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing. — Rade Končar, Zagreb Naslov uredništva Uredništvo Informacije SSESD Adresa redakcije Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886 Člani SSESD prejemajo Informacije SSESD brez- Članovi SSESD primaju Informacije SSESD bes-plačno platno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210—56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 1000 izvodov Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210—56/79 od 2. 2. 1979 je publikacija oslobodena poreza na promet. Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 1000 komada VSE BINA - S A D R 2 A J Rudi Ročak DRAGI ČLANI! Pavle Tepina XXIX. JUGOSLOVANSKA KONFERENCA ETAN-a Miroslav Gojo IX. JUGOSLAVENSKI SIMPOZIJ O ELEKTROKEMIJI Brane Kren 15. EVROPSKA KONFERENCA O POLPREVODNIŠKIH ELEMENTIH ESSDERC 85 Milan Slokan V SPOMIN NA LOVRA REŠKA Miloljub Smiljanič, Zoran Djurič SILICIJUMSKI PIN FOTODETEKTORI Milan H. Florjančič TEHNIČNO STANJE BODOČIH MASOVNIH POMNILNIKOV Peter Stavanja RAČUNALNIŠKO PODPRTO NAČRTOVANJE VEZIJ V ISKRI DO MIKROELEKTRONIKA Drago Škrbinc PERSPEKTIVNI RAZVOJ MEDJUNARODNOG I JUGOSLAVENSKOG TRŽIŠTA OTPORNIKA Miroslav Turina PROŠIRUJE SE PROIZVODNJA POLUVODIČKIH ELEMENATA U JUGOSLAVIJI Herman Vidmar USPEŠNA TEHNIČNA PREDSTAVITEV Marijan Štele KAKO ZAŠČITITI NOVOSTI Pavle Tepina PROGRAM SIMPOZIJA SD-85 Strokovne informacije o proizvodih s področja elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike in materialov SILICI JUMSKE PIN FOTODIODE PRIKAZALNIKI S TEKOČIMI KRISTALI NOVA VEZJA IZ ISKRE MIKROELEKTRONIKE DRAGI C LAN I I Že tretjič so naše Informacije SSESD izšle v svoji novi o-bliki. Uredniški odbor je uspel v tretje držati obljubljeni tempo izdajanja našega glasila, čeprav se še vedno tu pa tam zatika. Potrebuje predvsem vaš večji odziv. Le tako bodo Informacije SSESD z a vso člane dovolj zanimive, le tako lahko pričakujemo zanimivejše in kvalitetnejše prispevke. Razen aktualnih društvenih novic in novic iz delovnega okolja bi želeli doseči tudi zavidljiv tehnični nivo. Apeliram predvsem na naše bolj izkušene člane, predavatelje in profesorje naših univerz, da s preglednimi članki s področja svojega delovanja zainteresirajo in usmerijo mlajše člane v problematiko sestavnih delov, mikroelek-tronike in materialov. Osmega oktobra tega leta bomo imeli občni zbor sekcije za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale pri zvezi ETAN. Pregledali bomo naše delo v zadnjem triletnem obdobju. Po odločitvi seje predsedstva ETAN-a, ki je bila letos junija v Nišu, se bomo v prihodnosti reorganizirali v društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale, ki bo član zveze ETAN. S tem bomo pravno bolje regulirali naš status in omogočili še aktivnejše delovanje društva kot celote in njegovih posameznih članov tako v strokovnih komisijah kot v področnih sekcijah. Društvo bo imelo enake cilje kot sedanja sekcija in bo združevalo strokovnjake iz vse Jugoslavije. Na občnem zboru bomo potrdili ali zavrgli predlagano iniciativo. Zato vas vse vabim dne 8.10.1985 ob 15. uri v čim večjem številu v kinodvorano Gospodarskega razstavišča v Ljubljani. U«p |*>/,(lriiv in mi Nvidenjol Predsednik SSESD: Dr. Rudi Koča k 89 XXIX. JUGOSLOVANSKA KONFERENCA ETAN-a Pavle Tepina Letošnja, XXIX. Jugoslovanska konferenca ETAN-a je bila od 3. do 7. junija v Nišu pod pokroviteljstvom Skupščine občine Niš. Udeležilo se je je okrog 350 strokovnjakov iz vse Jugoslavije. Na otvoritveni plenarni seji sta bila podana dva referata: - Družbeno-ekonomski in kulturni razvoj Niša - Sedanji trenutek in perspektive razvoja elektronike Druga plenarna seja je bila posvečena materialom in tehnologiji mikroelektronike. Na tretji plenarni seji je bil podan referat: - Program razvoja sistema znanstveno-tehničnih informacij v SFRJ do leta 2000 s planskimi elementi do leta 1990. Z zadnjo - četrto plenarno sejo se je XXIX. Konferenca ETAN-a zaključila. Na njej so bili razglašeni tudi najboljši referati in sicer: 1. Z. Stojanovic, EI RO Poluprovodnici, Niš in V. Litovski, Fakulteta za elektroniko, Niš LOGIČNA SIMULACIJA Z UPORABO PROGRAMA LOST 2. B. Reljn, Fakulteta za elektrotehniko, Beograd TOČNO PROJEKTIRANJE SPLOŠNEGA BIKVADRATNEGA FILTRA Z REALNIM OPERACIJSKIM OJAČEVALNIKOM 3. G. Jovanovič, Institut za uporabno matematiko in elektroniko, Beograd ALGORITEM ZA DETEKCIJO OSNOVNE FREKVENCE GOVORA, ZASNOVAN NA SPOZNAVANJU OBLIKE 4. V. Roje, Fakulteta za elektrotehniko, strojništvo in brodogradnjo, Split ANALIZA KARAKTERISTIČNE IMPEDANCE ODVISNE OD FREKVENCE 5. M. Mijič, Fakulteta za elektrotehniko, Beograd D. Ljubisavljevič, G. Sakota, Lola Audio, Beograd B. Pavič, EI-IRI , Beograd VZBUJEVALNI GENERATOR ZA MERJENJE ČASA REVERBERACIJE 6. M. Radenkovič, VTl , Beograd S. Stanlcovič, Fakulteta za elektrotehniko, Beograd ADAPTIVNI REGULATOR ZASNOVAN NA DIREKTNI MINIMIZACIJI SREDNJEKVADTATNEGA KRITERIJA 7. M. Katarandjič, S. Osmanagič, A. Filipovič Fakulteta za elektrotehniko, Sarajevo DIPSY-E, SREDSTVO ZA RAZVOJ EKSPERTNIH SISTEMOV 8. M. Komljenovič, S. Marinkovič, R. Čajavec, Banja Luka S. Širbegovič, Fakulteta za elektrotehniko, Banja Luka IZBIRA IN UNIFIKACIJA KONDENZATORJEV Z RAČUNALNIKOM 9. M. Maležič, A. Goričan, J. Petrovčič, V. Bogataj, Institut Jožef Štefan, Ljubljana SISTEMI ZA MERJENJE ŽIVČNE KONTROLE IN AKTI-VACIJE MIŠIC MED HOJO 10. J. Riznič, D. Spasojevič, Institut B. Kidrič, Vinča M. Studovič, Fakulteta za strojništvo, Beograd MODELIRANJE OBNAŠANJA REAKTORSKEGA KANALA V MOTENIH POGOJIH DELOVANJA 11. S. Božinovski, Fakulteta za elektrotehniko, Skopje PRISTOP FORMIRANJU EVALUACIJSKEGA SISTEMA ZA VZBUJANJE PRIKLADNE AKCIJE V SITUACIJI SREČANJA PRI OBČUTLJIVIH INTELIGENTNIH ROBOTIH 12. Z.S. Nikolič, Fakulteta za elektroniko, Niš MATEMATIČNI FORMALIZEM IN DIAGRAMI SINTRA-NJA Delo same konference se je odvijalo v 13. komisijah, ki so obsegale 278 referatov (številke v oklepajih pomenijo število podanih referatov): - elektronika (28) - telekomunikacije (52) - električna vezja (18) - antene in razprostiranje (22) - akustika (18) - avtomatizacija vodenja (28) - tehnika računalnikov in informatika (28) - vodenje sestavljenih sistemov (3) - nuklearna tehnika in tehnologija (32) - bio-medicinska tehnika (9) - robotika (6) - elektronski sestavni deli in materiali (20) - fizikalna kemija materialov (32) Ob tolikšnem številu referatov in raznovrstnosti komisij res ni možno podati splošno oceno kvalitete le-teh. Če se omejimo le na komisijo za elektronske sestavne dele in materiale, lahko ugotovimo, da je še nekaj referatov zaslužilo, da se jih postavi ob bok proglašenemu najboljšemu. Bogata diskusija je samo še potrjevala zgornjo ugotovitev. XXIX. Konferenca ETAN-a je vsekakor izpolnila in potrdila svoj osnovni namen: prikaz stanja na področju razvoja in raziskav ter dognanj na širokem področju problematik, ki jih zajema ETAN v Jugoslaviji. Pavle Tepina, dipl. ing. SSESD, Ljubljana 90 IX. JUGOSLAVENSKI SIMPOZIJ O ELEKTROKEMIJI Miroslav Gajo Od 3 do 7 lipnja 1985 godine održan je u Dubrovniku u Zavodu za zaštitu materijala od korozije IX. jugoslavenski simpozij o elektrokemiji. Ovo več tradicionalno savjetova-nje jugoslavenskih elektrokemičara okupilo je oko 150 stručnjaka sa fakulteta, instituta a znatan dio i iz industrije. U zadnje doba elektrokemija doživljava svoju renesansu. U posljednjih nekoliko godina svjedoci smo naglog razvoja novih metoda istraživanja elektrokemijskih reakcija, ispi-tivanja na molekularnom nivou, itd. Došlo je do razvoja novih oblasti i proširenja interesa za elektrokemiju kao znanstvene discipline. Tome svakako doprinosi i razvoj mikroelektronike, a kroz nju i razvoj novih uredjaja za is-traživanje i mjerenje. Takvo stanje najbolje se vidi i prema radovima objavljenim na IX. jugoslavenskom simpoziju o elektrokemiji. Na Simpoziju je održano 5 plenarnih predavanja, s tim, da je po tradiciji prvo plenarno predavanje održao predsjed-nik International Society of Electrochemistry, prof. B.E. Conway, pod naslovom: "The State of Adsorption and Coverage by "Overpotential-Deposited" (OPD) Species in Fara-dic Reactions". Drugo plenarno predavanje imao je I. Ru-žic iz Instituta "Rudjer Boškovič" pod naslovom "Razvoj digitalne simulacije elektrodnih procesa". Jedno od jako in-teresantnih predavanja imao je i Akademik M. Sušič s Pri-rodnomatematičkog fakulteta u Beogradu pod naslovom "Elektrohemija čvrstih jonskih provodnika". K. Popov i M. Maksimovič s Tehnološko-metalurškog fakulteta u Beogradu održali su predavanje o elektrokemijskom taloženju metala periodično promjenjivom brzinom, dok je I. Roušar s Instituta za kemijsku tehnologiju, Zavoda za anorgansku tehnologiju iz Praga održao predavanje iz područja elektro- kemijskog inženjerstva: "Matematički modeli elektrokemijskih reaktora stvorenih koristenjem metoda konačnih i graničnih elemenata". Inače na Simpoziju je bilo prikazano oko 140 radova iz raznih oblasti elektrokemije, no kao i do sada največi broj radova bio je iz područja elektrodike, elektrokatalize i e-lektrolita (34 rada). Zatim veliki interes jugoslavenski elektrokemičari pokazuju za koroziju i zaštitu materijala (23 rada), elektrokemijskih izvora struje (18 radova), elektrokemije poluvodiča i oksida te materijala u mikroe-lektronici (17 radova), elektroanalitike i mjernih tehnika (14 radova), taloženja i otapanja metala (19 radova) i e-lektrokemijskog inženjerstva (9 radova). Interesantno je zapaziti da se prvi puta pojavljuje kao posebna sekcija elektrokemija poluvodiča i oksida i materija-li u mikroelektronici, što je svakako i naša zasluga, budu-či da je bilo interesa za ovaj Simpozij i medju elektroke-mičarima čiji je djelokrug rada u poluvodičkoj industriji. Organizator! ovog skupa (Srpsko hemijsko društvo, Srpska akademija nauka i umetnosti, i Zavod za zaštitu materijala od korozije JAZU iz Dubrovnika) prihvatili su sugestiju za osnivanje posebne sekcije za elektrokemiju poluvodiča, te se na kraju Simpozija zaključilo da je to učinjeno s pu-no opravdanja. Takodjer se za vrijeme Simpozija moglo primjetiti da ima dosta referata iz industrije, što je očiti znak da se i u poduzečima radi na istraživanju i razvoju a ovakvi skupovi samo poboljšavaju razmjenu iskustava, kako praktičnih tako i teoretskih, te u svakom slučaju da se obnove stara i uspostave nova poznanstva koja mogu iteka-ko dobro koristiti. Mgr. Miroslav Gojo, dipl.ing. RIZ - Tvornica poluvodiča, Zagreb 15. EVROPSKA KONFERENCA O POLPREVODNIKIH ELEMENTIH ESSDERC 85 Brane Kren V dneh od 9. do 12. septembra 1985 je bila v Zvezni republiki Nemčiji, v mestu Aachen 15. evropska konferenca o polprevodniških elementih - ESSDERC. Mesto Aachen leži okoli 70 km od mesta Koln proti nizozemski meji. To je staro mesto in nekdanja prestolnica Karla Velikega. Mesto konference je bilo v Karman-Auditorium, na Tehnični univerzi - Inštitutu za polprevodniško elektroniko. Konference se je udeležilo okoli 400 udeležencev iz 27 držav. Najbolj so bile zastopane sledeče države: Zvezna republika Nemčija (130), Francija (51), Velika Britanija 91 (45), Nizozemska (34), Belgija (25), Švedska (20), Švica (15), Italija (14) ter ZDA (12). Iz inštitutov in proizvodnje je bilo po 136 udeležencev, iz univerz 66 in iz laboratorijev 52 udeležencev. Referate so prispevale sledeče države: Zvezna republika Nemčija (49), Velika Britanija (40), Francija (28), Nizozemska (17), ZDA (14), Italija (9), Belgija (7), Japonska (6), Švica (4), Švedska (3), Romunija, Poljska in Kanada po dva ter CSSR, Indija, Kitajska, Danska in Španija po enega. Na konferenci je bilo tako predstavljeno 188 referatov v treh različnih sekcijah: 1. Si in ostali elementi: 69 referatov 2. Splošna tehnologija: 61 referatov 3. Elementi in tehnologija III-V skupine: 58 referatov. Sekcije so obravnavale naslednje tematike: Sekcija 1:- poly-Si bipolarni tranzistor - bipolarni elementi - MOSFET (vroči nosilci, majhne dimenzije) - senzorji - modeliranje in simulacija elementov - latch-up v CMOS tehnologiji - močnostni elementi - GaAs in Si za VHS digitalne aplikacije Sekcija 2:- defekti v Si - tehnologija Si elementov - tanki oksidni filmi - silicij na izolatorju - tanki izolacijski filmi - plazma procesi - short time annealing - kontakti in metalizacija Sekcija 3: - rast iz plinaste faze - molecular beam epitaxy - VPE in MBE za rast plasti in struktur III-V - bipolarni tranzistorji, detektorji - laserji - III-V tehnologija in elementi - implantacija, difuzija - fotodetektorji - MESFET Zelo zanimiva so bila tudi uvodna predavanja, kjer je bil prikazan splošni pregled obravnavane teme v svetu. Teh predavanj je bilo 14 z naslednjimi naslovi: 1. H. Beneking, Institute of Semiconductor Electronics, Aachen Technical University, Aachen, ZRN III-V BIPOLAR DEVICES 2. S. Konaka, Atsugi Electrical Communication Laboratories , MTT Konagawa, Japan SUPER SELF-ALIGNED PROCESS TECHNOLOGY (SST) FOR Si BIPOLAR DEVICES 3. C. de Prost, Matra Harris, Nantes, F LIMITS OF OPTICAL LITOGRAPHY 4. M. Poppinger, Siemens AG, Erlangen, ZRN SILICON DIAPHRAGM PRESSURE SENSORS 5. P. Petroff, ATT - Bell Labs, Murray Hill, NY, USA CHARACTERIZATION OF INTERFACES IN III-V HETE-ROSTRUCTURES 6. B. de Cremoux, Thomson - CSF, Orsay, F QUANTUM WELL LASER DIODES 7. S.L. Partridge, Mrs., GEC Research, Wembley, UK SILICON-ON-INSULATORS AND DEVICE APPLICATIONS 8. D. Bimbeng, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Berlin, ZRN LIFETIME REDUCTION IN QUANTUM WELL STRUCTURES 9. R. T. Blunt, Plessey Research, Caswell, UK ION TRANSPLANTATION AND ANNEALING OF GaAs 10. C.L. Claeys, IMEC, Leuven, B PROCESSING RELATED DEFECTS IN SILICON 11. J.G. Wilkes, Mullard, Southampton, UK PLASMA STIMULATED DEPOSITION OF MATERIALS FOR SILICON TECHNOLOGY 12. M.G. Collet, Philips Research Laboratories, Endhoven, NL SOLID STATE IMAGE SENSORS 13. P.D. Scovel, Standard Telecommunication Laboratories, Harlow, UK RAPID THERMAL PROCESSING FOR SILICON VLSI APPLICATIONS 14. F.M.D'Heurle, IBM Research Center, Yorktown Heights, NY, USA SILICIDES: VLSI TECHNOLOGY AND MATERIAL CHARACTERISTICS To je kratka vsebina poteka konference ESSDERC '85. Na konferenci smo dobili abstract vseh referatov, celotni referati pa bodo objavljeni v reviji "Solid State Devices" najverjetneje v začetku naslednjega leta. Abstracts - 15th European Solid State Device Research Conference - ESSDERC '85, Aachen, Germany, 9-12 September 1985 si lahko izposodite v Iskri Mikroelektroniki. Mag. Brane Kren Iskra Mikroelektronika, Ljubljana, Stegne 92 V SPOMIN NA LOVRA REŠKA Milan Slokan Močno nas je prizadela vest, da je letos septembra sredi ustvarjalnega dela preminil Lovro Rešek, dipl.ing. meteorologije, ki smo ga zlasti v Sloveniji poznali po njegovi dejavnosti v Raziskovalni skupnosti Slovenije. Večino svojega strokovnega udejstvovanja je posvetil sestavnim delom za elektroniko, zato obudimo spomin na njegovo osebnost tudi v našem glasilu. Rojen leta 1931 v Kropi, malem mestecu z industrijsko tradicijo, se je po končanem študiju leta 1959 zapisal dejavnosti elektronskih sestavnih delov, ko se je zaposlil v Industriji za elektrozveze (IEV) v Ljubljani. Pričel je kot razvijalec uporovnih elementov, predvsem ogljenih plastnih uporov, katerih proizvodnja je tekla v Šentjerneju. Delal je na raziskavah vpliva površine keramike na uporovne lastnosti, na problemih jedkanja površine, na spiralizaci-ji uporov, na tehnologiji pirolize itd. , pa tudi na izpopolnjevanju proizvodne tehnologije. Pri tem si je ustvaril dobro povezavo s kolegi v proizvodnji. Skupaj s prof. Pavlicem sta tudi prijavila dva patenta za tehnološke izboljšave ogljenih uporov. Leta 1961 je postal Rešek vodja kemijsko fizikalnega laboratorija IEV (ta se je tedaj združila z Iskro), kjer je imel opravka s široko paleto materialov in elektronskih sestavnih delov, ki jih je Iskra že takrat proizvajala v poskusni in redni proizvodnji, vendar je še vedno sodeloval s tovarno uporov v Šentjerneju. Kot ekspert za uporovne elemente je delal nekaj časa tudi v indijski tovarni uporov, ki ji je Iskra prodala "know-how". Leta 1972 je prevzel mesto vodje razvoja v tovarni baterij Zmaj v Ljubljani, kjer so tedaj proizvajali le klasične Leclanche baterije. Na podlagi izkušenj iz kemijskega laboratorija IEV, kjer so osvajali tudi sodobne baterije za elektroniko, je v Zmaju po temeljiti analizi stanja in možnosti začrtal zelo ambiciozen plan razvoja novih vrst baterij. Svojih zamisli mu žal ni uspelo izpeljati, zato je leta 1975 prevzel voljeno mesto strokovnega tajnika tedaj ustanovljene Področne raziskovalne skupnosti za elektrotehniko v Raziskovalni skupnosti Slovenije. Pri tem je kot človek iz industrije lahko ocenil in tudi z osebnim prizadevanjem podprl uvajanje novih tehnologij. Tipičen primer za njegovo zagnanost je bila podpora in svetovanje ob razvojnem projektu za debeloplastna hibridna vezja, ki sta ga sofinancirali Raziskovalna skupnost Slovenije in Ljubljanska banka. Iz te prve investicije v poskusno proizvodnjo je zrasla danes najpomembnejša proizvodnja teh vezij v Jugoslaviji. Po reorganizaciji Raziskovalne skupnosti Slovenije je zadnja leta spremljal vse delo novo ustanovljenih Posebnih raziskovalnih skupnosti, vendar je še vedno našel čas tudi za tipično raziskovalno delo, na primer v zvezi s problematiko inplan-tiranih uporov v monolitnih uporovnih verigah v laboratoriju za mikroelektroniko fakultete za elektrotehniko v Ljubljani. Po svojem bistvu napreden strokovnjak in dober organizator , se je vedno vključil z vsem žarom v dobre nove zamisli, na primer še letos v pripravo in organizacijo jugoslovanskega posvetovanja o robotizaciji JUROB v Opatiji. Reškovo življenje je bilo polno angažirano življenje strokovnjaka in organizatorja razvoja, pri čemer se je vedno zavedal pomena elektronskih sestavnih delov, materialov in tehnologij za rast naše elektronike. Ves čas se je tudi zanimal za naše akcije v SSESD, udeleževal se je naših prireditev in strokovnih potovanj na Salon des composants v Parizu in na Electronico v Munchnu, tudi v zadnjih letih, ko je delal v Raziskovalni skupnosti Slovenije. Lovro Rešek je bil kot človek izredno komunikativen. Zato je zlahka sodeloval z drugimi strokovnjaki in sodelavci ter je veljal za dobrega tovariša. Poleg strokovnega dela je i-mel Rešek še eno veliko ljubezen: petje. Ze od mladih let vnet za zborovsko in solistično petje je nato dolga leta prepeval kot prvi tenorist pri znanem oktetu Gallus ter z njim nastopil razen doma tudi v domala vseh državah Zahodne Evrope in leta 1978 tudi v Ameriki in Kanadi. S petjem, ki ga je spremljalo vse življenje, so se poslovili od njega v Kropi ob odprtem grobu tudi domačini in tovariši iz okteta Gallus. Marsikomu se je orosilo oko, ko smo slišali pesem Lipa zelenela je. Z Lovrom Reškom smo izgubili dobrega strokovnjaka in organizatorja raziskovalnega dela, obenem pa kolega, kakršnih bi zlasti v današnjih časih rabili še in še. Mag. Milan Slokan, dipl.ing. SSESD, Ljubljana 93 SILICIJUMSKI PIN FOTODETEKTORI Miloliub Smilianič, Zoran Durič UVOD Fotodiode su poluprovodnički elementi osetljivi na svetlost (zračenje) i vrše direktnu konverziju upadne svetlo-sne energije u električnu energiju. Fotodiode na bazi Si su "standardno" osetljive na svetlosno zračenje u opsegu talasnih dužina 400-1050 nm (a na si. 1.) a specijalnim izvodjenjima se opseg može proširiti na talasne dužine do 200 nm u ultravioletnom delu spektra (b na si. 1) i 1150 nm u bliskom infracrvenom delu spektra (c na si. l). IHTM-IMTM* standardno proizvodi po sopstvenoj tehnologiji fotodiode tipa a i c. II. FIZIČKI PRINCIPI RADA U principu, fotodiodu čini svaki p-n spoj čiji deo površine (aktivna površina) je "providan" za svetlost (zračenje) koja se detektuje i u čijoj se baznoj oblasti svetlost apsor- Vntn/ SI. 1. buje potpuno ili delim ično. Apsorbovana svetlost generiše parove elektron-šupljina. Pod uticajem ugradjenog polja (nepolarisane diode) ili polarizacijom (inverznom) for-miranog polja dolazi do razdvajanja nosilaca i njihovog "prebacivanja" ka elektrodama. Ako su elektrode spojene spoljnim kolom, kao rezultat gornjeg procesa dolazi do pojave foto struje. U daljem tekstu se opisuju fotodiode projektovane za rad u fotoprovodnom režimu odnosno režimu rada sa priklju-čenom inverznom polarizacijom. Mogučnost primene u fotovoltaičnom režimu rada (bez polarizacije) se daje u posebnom delu. * IHTM-RO Institut za hemiju, tehnologiju i metalurgi ju I MTM - OOIJR Institut za mikroelektronske tehnologije i nioriokristate Nivo apsorbcije, odnosno dubina prodiranja svetlosti zavisi od vrste materijala bazne oblasti i talasne dužine svetlosti. Tako za Si, dubina prodiranja svetlosti talasne dužine 200 nm iznosi svega oko 0, l^um dok na 1060 nm dubina prodiranja je veča od 700^,um. Osetljivost fotodioda je proporcionalna apsorbovanoj svetlosti odnosno generisanom broju parova elektron-šupljina. Medjutim, u osetljivosti "učestvuju" samo oni generisani nosioci ko ji se ne rekombinuju. Tako, aktivni su oni nosi-oci koji se generišu u delu bazne oblasti u kojoj deluje ja-ko polje, tzv. osiromašena oblast p-n spoja. Aktivni su i oni nosioci koji difuzijom uspeju dostiči osiromašenu o-blast pre nego što se rekombinuju. Medjutim, kako je difuzija spor proces ovi nosioci nisu aktivni pri detekciji brzih svetlosnih impulsa ili visoko-frekventno modulisa-nog intenziteta svetlosti. Dakle, Si fotodiode po osetljivošču pokrivaju spektar standardnih svetlosnih izvora (sijalice) kao i zračenje HeNe, GaAs (GaAlAs), Nd - YAG i GalnAs lasera. U sprezi sa ovim izvorima svetlosti Si fotodiode mogu po-služiti kao: - detektorski element u svetlovodnim telekomunikacijama u I optičkom prozoru - detektor brzih svetlosnih impulsa - detektor modulisane svetlosti - detektor intenziteta svetlosti (zračenja) - detektor dima - brojač čestica i komada - merač pro toka i nivoa fluida - detektor boja - merač rastojanja i otklona - element za pozicioniranje i navodjenje - element u automatizaciji mašina i procesa - element u alarmnim uredjajima - element u uredjajima zaštite na radu U zavisnosti od primene postoji niz tipova fotodioda koji se razlikuju po: - dizajnu - geometriji - tehnologiji izrade - kvalitetu polaznog materijala 94 IHTM-IMTM fotodiode su PIN tipa uradjene planarnom tehnologijom i projektovane da imaju veoma brz odziv na svetlosni signal. Uz ostale kvalitetne karakteristike ovo čini da IHTM-IMTM fotodiode zadovoljavaju ceo spektar pomenutih primena. Zbog toga, povišenje osetljivosti a pogotovo osetljivosti na brze signale i veče talasne dužine uslovljava povečanje širine osiromašene oblasti p-n spoja. To se postiže povečanjem inverzne polarizacije (proporcionalno kvad-ratnom korenu) i/ili smanjenjem koncentracije primeša zazne oblasti (obrnuto proporcionalno kvadratnom korenu) . Za brze fotodiode se koristi Si sa vrlo niskom kon-centracijom primeša bliskom besprimesnom-intrinsic, odakle potice i "I" kao oznaka za baznu oblast u PIN nazivu. P i N se odnose na oblasti P i N tipa dobijenih difuzijama primeša pri čemu je jedna "aktivna" a druga služi za poboljšanje kontaktnih svojstava (si. 2 i 3). b) PIN fotodiode na p-tipu podloge Kod PIN fotodiode na P-podlozi, aktivna difuzija je N-tipa, a kontaktna difuzija P -tipa. Debljina antirefleksnog sloja je optimizirana na zračenje talasnih dužina 1060 nm. Kod ovih fotodioda se formira zaštitni prsten koji ima za-datak da smanji površinsku struju curenja. Zaštitni prsten se priključuje na istu polarizaciju kao i aktivni p-n spoj. Povečana osetljivost na 1060 nm se ostvaruje kori- ANTIREFLEt-iSHI S¿03 AN T/i/A/A POI/fíSI/JA W DIFUZIJA P' P0DÍ06A fj OBIAST) METAUZACUft ZA HONTAHre , ,.A . ZA¿r/TA// Pfí3T£/J ■ ■P'OIFÜZIJA QS/ROñA S£fJA OBIAST nmuzAcuA ZA Nom/tr M HUC/ŠTC SI. 3. nem/ZAcm ZA KONTAKT^ AHW/VA POVRŠINA ZAŠT/TAJ/ MS/D P*DIFUZIJA ----------*05/HOmS£MA OBLAST Ñ P0M06AII OdlÁSTl UDIFOZBA mmuiACtfA ZA KourAHT AIA HUCISTS SI. 2. ščenjem sire bazne oblasti (deblje pločice) i ostvariva-njem refleksije svetlosti sa donje površine. Kako je optimalno da u radnom režimu čitava bazna oblast bude osiromašena (veča osetljivost, manja kapacitivnost - brži odziv) to je potrebno imati baznu oblast sa ekstremno ma-lom koncentracijorn primeša. Zbog toga se koristi P-tip Si kod koga se ovaj zahtev uspešnije može ostvariti. IV. EKVIVALENTNA SEMA FOTODIODA III. KONFIGURACIJA PIN FOTODIODA a) PIN fotodioda na N-tipu podloge Kod PIN fotodioda na N podloži aktivna difuzija je P-tipa a kontaktna difuzija N+ -tipa. Aktivna oblast je definisana unutrašnjim prečnikom prstena za metalizaciju. Za sma-njenje refleksije svetlosti od površine Si formira se anti-refleksni sloj optimiziran za odredjenu talasnu dužinu. Kod N-tipa optimizacija se vrši za talasnu dužinu od 900 nm. Kako je na 900 nm dubina prodiranja svetlosti oko 25^um to je i minimalna potrebna dubina bazne oblasti. Praktično se uzimaju deblje pločice iz manipulativnih razloga. Drugi razlog je potreba za smanjenjem kapacitivnost! či-ja je minimalna vrednost odredjena debljinom pločice (osiromašena oblast jednaka debljini pločice). -czm- Sl. 4-. i - struja mraka (curenja) o i - struja signala R - paralelna dinamička otpornost P , C - kapacitivnost p-n spoja (osiromašena oblast) P R - serijska otpornost R ,C -otpornost i kapacitivnost kanala izmedju aktivnog c c p-n spoja i zaštitnog prstena (samo za p-tip podloge) R - otpornost opterečenja 95 Kod standardno kvalitetnih fotodioda ie R , R & R. a p c L C ti. C , pa je napon signala za fotoprovodni režim rada c P dat sa Vs =/l+0,2la;2Tr2/1/2 po o i/o /1+uTC "(r +Rr)"/ /Z i S JL» :d je vreme uspostavljanja prednje ivice strujnog odziva na pravougaonu svetlosnu pobudu. V. ELEKTROOPTIČKE KARAKTERISTIKE Si PIN FOTODIODE ZA FOTOPROVODNI REŽIM RADA 1. Probojni napon V^ Probojni napon zavisi od parametara polaznog materijala, dizajna, strukture i kvaliteta tehnoloških postupaka. Probojni napon se definiše kao napon pri kome struja mraka dostiže utvrdjenu vrednost. To je najčešče 100 puta veča struja od tipične struje mraka pri radnom naponu. 2. Struja mraka I Inverzna struja pri idealno zamračenoj fotodiodi naziva se struja mraka. Struja mraka ima sledeče komponente: - površinsku struju curenja kao rezultat nesavršenosti na površini ali i dizajna. Povečava se povečanjem obima p-n spoja fotodiode. Kod fotodiode na p-tipu se delimič-no smanjuje upotrebom zaštitnog prstena. - zapreminska struja curenja kao rezultat nesavršenosti polaznog materijala i nesavršenosti tehnoloških postupaka. Povečava se sa povečanjem površine p-n spoja. ~ difuziona komponenta zavisna od parametara polaznih materijala, direktno proporcionalna sa površinom p-n spoja. - generaciono-rekombinaciona komponenta zavisna od parametara polaznog materijala, direktno proporcionalna površini p-n spoja i kvadratnom korenu napona inverzne polarizacije. Za odredjeni polazni materijal difuziona i generaciono-rekombinaciona komponenta čine teorijsku granicu ispod ko-je se struja mraka ne može smanjivati. Obe su temperatur-ski jako zavisne, stim da kod Si pri višim temperaturama dominira difuziona a pri nižim (zavisno do napona) generaciono-rekombinaciona komponenta. Tipična temperaturna zavisnost je data na si. 5. Uobičajeno pravilo: struja mraka se duplira na svakih 10°C promene temperature. Smanjenje struje mraka je poželjno iz dva razloga: 1. Smanjuje se tzv. sačminski šum 2. Snižava se granica linearnosti osetljivosti pri slabim "jednosmernim " svetlosnim pobudama koje daju foto I I I M 0.1 O.Of •35 -15 J 25 35 45 T£f1P£RAW#A AMBUiurA fcJ SI. 5. struju reda veličine struje mraka. Kako struja mraka zavisi od napona polarizacije, uvek se specificira napon pri komo se daje vrednost struje mraka. 3. Osetljivost S Osetljivost je odnos foto struje prema snazi upadnog zračenja koje pada pod pravim uglom na aktivnu površinu fotodioda. Izražava se u jedinicama A/W (ili . Osetljivost zavisi od talasne dužine na način prikazan na si. 1. Osetljivost zavisi od napona polarziacije sve dok čitava širina bazne (I) oblasti nije osiromašena. U tom slučaju osetljivosti su iste za brzi i spor svetlosni impuls odnosno za NF i VF modulisanu svetlost. Kada nije čitava I oblast osiromašena, NF osetljivost je veča od VF osetljivosti. Zbog toga se osetljivost daje pri specificiranom naponu i talasnoj dužini. 4. Kapacitivnost C^ Sto se kapacitivnosti tiče, p-n spoj se može predstaviti pločastim kondezatorom čiji je dielektrik Si (relativna dielektrična konstanta 11,7), površina jednaka površini p-n spoja a debljina jednaka širini osiromašene oblasti. Kapacitivnost je direktno proporcionalna površini p-n spoja (nešto veča od aktivne površine fotodiode) , a obr-nuto-proporcionalna kvadratnom korenu napona polarizacije. Poželjno je da je radni napon dovoljan da osiromaši 96 čitavu I oblast, kada kapacitivnost dostiže minimalnu vrednost i koja dalje ne zavisi od napona. Uz vrednosti kapacitivnosti specificira se napon polarizacije. Tipična zavisnost kapacitivnosti od napona polarizacije data je na si. 6. SI. 6. 5. Vreme uspostavljanjaT"^ Vreme uspostavljanja strujnog odziva na svetlosnu pobudu je odredjeno: a) vremenom preleta svetlošču generisanih nosilaca od mesta generisanja do granice osiromašene oblasti b) RC konstantom fotodiodnog strujnog kola Ako su vrednosti pod a) i b) uporedljive ukupno vreme u-spostavljanja je jednako kvadratnom korenu iz zbira kvadrata vrednosti vremena pod a i b. Shodno napomenama kod ekvivalentne šeme fotodiode, RC konstanta kola je data sa C (R + RT ). p s L Vreme preleta ima značajnije vrednosti kod fotodioda pri-logodjenih za zračenje na 1060 nm gde je širina osiromašene oblasti velika. Kako vreme uspostavljanja može biti odredjeno vremenskom konstantom kola, to se obavezno specificira R. (najčešče 50 Ohm) kao i primenjeni napon (zbog Cp). Vreme uspostavljanja se meri na dva načina: a) kao vreme izmedju 10 % i 90 % amplitude prednje ivice odziva na idealno pravougaonu svetlosnu pobudu, b) kao širina na 50 % amplitude na svetlosni impuls u obliku cT- funkcije. 6. Serijska otpornost R^ Serijska otpornost ima dve komponente: a) otpornost dela I oblasti koja nije osiromašena b) otpornost veza, kontakata i kontaktnih površina Otpornost pod a) otpada kada je čitava oblast osiromašena. Maksimalne vrednosti serijske otpornosti se mogu odrediti tako što se meri dinamička otpornost pri struii u direktnom smeru i od toga odbije (na temperaturi 27°C) 26/1 sa I u raA. Serijska otpornost je najčešče manja od 50 Ohm. 7. Dinamička otpornost R -L-p Kako naponsko-strujna karakteristika nije linearna, to dinamička otpornost zavisi od primenjenog napona odnos-no radne tačke. Kod fotoprovodnog režima rada, radna tačka je u "zaravnjenom" delu inverzne karakteristike tako da Rp ima ogromne vrednosti. Zbog toga se kod fotoprovodnog režima rada R^ može "izbaciti" iz ekvivalentne šeme na si. 4. Kod fotonaponskog režima rada bitne su vrednosti Rp pri nultim polarizacijama i jedan je od najpre-sudnijih parametara za "eksploatacioni" kvalitet. O ovom če biti reči kasnije. 8. Otpornost kanala R^ (kod fotodioda na P-tipu) Otpornost kanala izmedju aktivnog p-n spoja i zaštitnog prstena treba da bude što veča da ne bi ograničavala vrednost otpornika opterečenja sa kojim je vezan u paraleli. Specijalnim postupcima (dodatni stop prsten) se ova otpornost povečava. Otpornost kanala se smanjuje sa porastom temperature i osvetljenjem površine izmedju zaštitnog prstena i aktivne oblasti. Ovo drugo se izbegava kon-centrisanjem svetlosti samo na aktivnu površinu. U nekim slučajevima primene može se postiči bolji rezultat kada se isključi zaštitni prsten i kada R£ postaje beskonačno. 9. Struja šuma fotodiode i Nasi. 7. je data uproščena ekvivalenta AC šema fotodio- de na si. 4. sa uključivanjem izvora šuma. 97 i - struja signala i - struja šuma idealne fotodiode e , e , eT - džonsonovski šum na otpornicima K , R i R, s c l ^ c c l (e = V 4kTR a f) (e^, R^ kod fotodioda sa zaštitnim prstenom) Struja šuma i ima sledeče komponente: 1/2 sačminski šum jednak (2qiQ Af) gde je i struja mraka ili uopšte jednosmerna komponenata struje kroz fotodiodu (struja mraka plus fotostruja od pozadine). A f jo propusni opsog u kome se meri šum. b) "1/f" sum, izražen na nizim frekvencijama, ima minimalne vrednosti pri nultim polarizacijama. c) Kvantni šum (signala i pozadine) nastaje kao posledica kvantne prirode svetlosti. Najčešče je maskiran o-stalim komponentama šuma. d) Slučajni (praskvai) šum Pri dovoljno visokim frekvencijama sacminska komponenta struje šuma predstavlja teorijski minimalnu vrednost struje šuma pri odredjenoj i^. Ova vrednost se dostiže kod kvalitetno izvedenih fotodioda. Kako struja šuma može zavisiti od frekvencije, to se mora specificirati frek-vencija pri kojoj se meri, kao i propusni opseg Af. Najčešče se vrednost struje šuma svodi na: 1/2 f=lHz i izražava u A/Hz . Komponente struje šuma a i b zavise od napona, pa je potrebno specificirati i napon pri kome se meri. Najčešče se specificira struja šuma zamračene fotodiode. 10. Napon šuma na otporniku opterecenja v Za primenu fotodioda je potrebno poznavati i napon šuma v^ na otporniku opterecenja. Sa šeme na si. 7 sledi (R' = R II R.) L c L 2 2„2 2 2,, 2 2 2 s .2 D2 1/2 3 to C Rf + et (1+ tu C R ) + i R s p L L_p s n L i + tu2c2 (r; + r )2 1/2 p L s (2) Ovaj izraz važi i t.\ fotodiode bez zaštitnog prstena. Potrebno je samo umc-sto staviti K^ . Pri dovoljno niskim frekvencijama i dovoljno malim R^, napon šuma v^ postaje i . R , pa se pri ovim uslovima može direktno meriti n L i . n 11. N E P - 1/2 ljivosti s i daje se u jedinicama WHz . NEP predstavlja minimalnu snagu upadne svetlost, kojom se postiže da fotostruja bude jednaka struji šuma. Obzirom na rečeno za osetljivost i struju šumu, uz podatke za NEP potrebno je specificirati talasnu dužinu, frekvenciju, propusni opseg i napon polarizacije pri kome se meri. Ovako defini-san NEP se odnosi na idealnu fotodiodu. Za primenu je ko-risno imati u vidu i doprinos otpornika opterecenja u NEP-u. Kombinovanjem izrade (l) i (2) NEP se za ovaj slučaj može dati u obliku: (1+0,210^)1/2 NEP= ■ 2 2 2 2 2 2_2, .2„, 2 e ojC IP +er(l+uiC R )« 8, .s pL L ps nL, 1/2 (A ) K NEP se izračunava kao odnos struje šuma i prema oset- 12. Linearnost odziva Si PIN fotodiode u fotoprovodnom režimu rada imaju veo-ma širok opseg u kome je fotostruja linearna sa snagom upadne svetlosti. Pri niskim nivoima osvetljenosti ograni-čenje je struja mraka fotodiode, odnosno struja šuma. Pri visokim nivoima ograničenje je dozvoljena disipacija snage bilo na samoj fotodiodi bilo na otporniku opterecenja. Odnos gornje i donje granice linearnosti je od 10^ do 9 10 puta, zavisno od konfiguracije i kvaliteta fotodioda. 13. Ugaona raspodela Osetljivost se standardno definiše za upadnu svetlost normalno na aktivnu površinu fotodiode. Osetljivost opada približno sa kosinusom ugla koji čini upadna svetlost sa normalom na površinu. Za uglove 30° do 80° odstupanje od gornjeg zakona je manje od 10 %, a zakon je neprimen-ljiv za uglove veče od 80°. VI. SEME VEZ I VANJA FOTODIODA 1. Fotoprovodni režim rada (FP) Na si. 8 je dat način vezivanja fotodiode u fotoprovodnom režimu rada (si. 8.a) i sa (si. 8.b) operacionim pojača-vačom za N-tip podloge. Pri odredjenom intezitetu detektovanog zračenja, signal je proporcionalan sa R odnosno R do vrlo visokih vredno-L X sti otpornosti. Gornje granične vrednosti R^ i R^ su odre-djene potrebnom brzinom odziva, odr.osno RC konstantam kola. Isti zahtev se rešava i izborom inverzne polarizacije čime se podešava kapacitivnost. 98 Pogodnost primene operacionog pojačavača je u tome što sa tačke gledišta vremenske konstante fotodioda "vidi" otpornost Rf /Aq, gde je A^ pojačanje otvorenog kola. SI. 8. Položaj radne prave u ovom režimu vidi se sa si. 9. (oznaka FP). Vidimo da je linearnost odziva na upadno zračenje nezavisna od izbora R^ (ekvidistantnost radne tačke). 2. Fotonaponski režim rada (FN) Način vezivanja fotodioda u FN režimu prikazan je na si. 10 i to (lO.a) bez i (lO.b) sa operacionim pojačavačem. FN režim rada je pogodan u slučajevima kada nije potre-ban brz odziv ( 1MHz). Superiorar, je nad FP u prime-nama ispod 1 kHz. Naime, kod FN režima rada šum je i- S/SML a) ¿) SI. 10. zuzetno nizak jer je struja curenja mala usled nultih polarizacija. Sum je praktično odredjen džonsonovim šumom na R , odnosno: P 4 kT Af R gde je R^ definisano kao na si. 9. (5) Iz (4) i (5) se vidi da je R^ presudna mera kvaliteta fotodioda za rad u FN režimu rada. STRUJA R 1 Rl» Rp SI. 9. Na si. 9. su prikazane radne prave u dve karajnosti. Kada je otpornost R^ odnosno R^/A znatno manje od R^, onda važi linearnost izlaznog signala sa intezitetom zračenja koje se detektuje. Tada je izlazni signal proporcionalan sa R odnosno sa R . kada je R , R /A5> R , onda signal ra-L f L f p ste nelinearno sa porastom inteziteta zračenja odnosno približno logaritamski. Granica fotostruje pri kojoj je linearnost očuvana je data izrazom: Fm R + Rt s L Rr i-R L s (4) gde je L (%) linearnost koja se zahteva. Vidimo da se ova granična struja može povečavati uz oču-vanje vrednosti signala upotrebom operacionog pojačavača (Bp/A umesto R ). ZAšr/ru/ Mr/MA | o/oda ¥ U j-o -I ■S/SA/Al al SI. 11 Fotodiode PIN konfiguracije se prevashodno izradjuju za detekciju brzig signala i modulisane svetlosti visokih frekvencija za šta je neophodan FP režim rada. Postiza-nje brzog odziva je povezano sa koriščenjem visokootpor-nog (skupog) Si i vrlo oštrim tehnološkim zahtevima pri-likom razvoja i kasnije izrade. Ovako projektovane PIN fotodiode se mogu koristiti i u FN režimu rada. Pri tome je potrebno da je vrednost R^ dovoljno velika. 3. PIN fotodiode na P-tipu sa zaštitnim prstenom Sema veza ovog tipa fotodioda je data na si. 11. Zaštitni prsten se vezuje direktno na polarizaciju, a aktivna dioda preko otpornika opterečenja. Dr Miloljub Smiljanič, dipl. ing. Dr Zoran Djurič, dipl. ing. I HTM - RO Institut za hemiju, tehnologiju i metalurgiju IMTM - OOUR Institut za mikroelektronske tehnologije i monokristale 99 TEHNIČNO STANJE BODOČIH MASOVNIH POMNILNIKOV Milan H. Florjančič Vsebina Digitalni optični diskovni pomnilniki in magnetni diskovni pomnilniki, posebno z navpičnim magnetenjem, obetajo, da bodo zadovoljili nenehne zahteve po shranjevanju vse večjih količin podatkov. Bodoče pomnilniške tehnologije stremijo za vse večjimi gostotami informacije. Obrazložene so fizikalne osnove, zapisni in reprodukcijski postopki, pomnilne plasti in načini shranjevanja, temu slede podatki o površinski gostoti pomnilnika in kratek o-pis pomnilniških sistemov. Primerjava tehnologij na osnovi najpomembnejših značilnosti in možne aplikacije dopolnjujejo izvajanja. Abstract Digital optical disc recorders and hard disc magnetic recorders in particular with perpendicular magnetic recording are promising to meet permanent demand for storage of huge information amount. Advanced storage technologies are aiming at higher areal densities. Physical basics, writing and reading methods, storage film media and storage processes are depicted, afterwards data on areal storage density and a brief description of memory systems follow. Technology comparision based on most important features and potential applications complete the discourse. 1. Uvod V modernih procesnih in komunikacijskih sistemih narašča potreba po shranjevanju vse večjih količin podatkov. Pri raziskavah in razvoju naprav oziroma sistemov naslednje generacije in uvajanju novih tehnologij moramo preudarjati in ocenjevati medsebojne vplive in najti odgovore na naslednja vprašanja: katere lastnosti nam nudi nova tehnologija, kakšno izboljšanje lahko pričakujemo, kakšno je razmerje med ceno in zmogljivostjo, kakšno zrelost je že dosegla tehnologija, je tehnologija že na kri- žišču oziroma kdaj bo uvedba tehnologije in kakšna je tendenca nadaljnjega razvoja tehnologije? Pri masovnih pomnilnikih so fizična velikost, pomnilniška gostota, čas dosega, zanesljivost in cena posebno pomembni kriteriji. Vse kaže, da bodo v naslednjem časovnem obdobju digitalni optični in izpopolnjeni magnetni pomnilniki prevladovali na področju masovnega shranjevanja podatkov. Obe tehnologiji sta v raziskovalnem oziroma razvojnem stadiju in prihajata postopoma na tržišče. Pomembno je, da se ravno v tem stanju seznanimo s tehnologijama in spoznamo fizikalne lastnosti in principe delovanja, tako da lahko kritično ocenimo in primerjamo tehnološke značilnosti. 2. Digitalni optični diskovni pomnilniki Po večletnem razvoju prihajajo postopoma na tržišče digitalni optični diskovni pomnilniki , , £3] , [4 j , [5] , [6] , ki so v bistvu nadaljnji razvoj video- in avdiodiska. V osnovi temeljijo optični diskovni pomnilniki na reprodukciji in zapisu podatkov s pomočjo koherentnega laserskega snopa. Optična glava, ki vsebuje lasersko diodo, objektiv, prizme, zrcala in servomehanizem, je dovolj oddaljena od diska, tako da je trčenje glave z diskom izključeno. To svojstvo je velika prednost pri optičnih digitalnih diskih, saj omogoča izmenjavanje diskov. Pri reprodukciji oseva fokusiran snop laserskih žarkov majhne moči (okoli 1 mW) s premerom približno l^um do 2yUm površino optičnega diska, v katero so bili poprej zapisani podatki. Podatki so zapisani v mikrodomenah (pegah) , katerih optične lastnosti se razlikujejo od okolice na prvotnem še neuporabljenem disku. Od površine odsevana svetloba vpada na fotodetektor, ki zaznava njeno ja-kost v odvisnosti od zapisanih podatkov in jo pretvarja v električne signale. Pri zapisu povzroči fokusirani snop laserskih žarkov primerne moči (okoli 10 mW) spremembe optičnih lastnosti v mikrodomenah (pegah) s premerom ckoli l^um na prvotni plošči, prevlečeni z optično občutljivo plastjo. Te 100 pege z drugačnimi optičnimi lastnostmi od ostale površine diska so nosilci podatkov. Ločljivost in premer pege sta zaradi uklona žarkov odvisna od valovne dolžine vira svetlobe in numerične aperture uporabljenega objektiva. Pri valovni dolžini laserskega snopa \ = 830 nm in numerični aperturi N.A. = 0,45 objektiva znaša premer pege okoli 1 ^um. 2.1. Načini shranjevanja Glede na postopek zapisa v tanko plast diska obstajajo: - CD - ROM pomnilniki - enkrat vpisljivi neizbrisljivi in - ponovno vpisljivi izbrisljivi digitalni optični diskovni pomnilniki. Pri izdelavi CD-ROM digitalnih diskovnih pomnilnikov, ki so v bistvu podobni gramofonski plošči, morajo v ustrezni ustanovi na magnetnem traku zapisane podatke predelati po standardu in jih najprej zapisati na osnovni disk, s pomočjo katerega izdelajo po posebnem postopku (mastering) matrico. Ta pa potem omogoča tovarniško razmnoževanje odtiskov diska. Mikroskopske vdolbine v disku so nosilci digitalnih podatkov. Laserski snop za predvajanje je voden po zapisani sledi, v amplitudi modulirana odsevana svetloba vpada na fotodetektor, ki pretvarja spremembe jakosti odsevane svetlobe v električne signale. Diskovni pogon, ki omogoča vrtenje diska in odjem podatkov, je opremljen le z glavo za predvajanje. Ta vrsta optičnih diskovnih pomnilnikov, pri katerih je možno le predvajanje, je posebno ugodna, kadar uporaba zahteva veliko število diskov z istimi podatki. Cena zamotanega procesa (mastering) se porazdeli na veliko število razmnoženih kopij in komaj podraži stroške za posamični disk. Avdio diski, video diski, diski s seznami sestavnih delov, z načrti naprav v servisnih delavnicah, z voznimi redi, s telefonskimi imeniki in slično so le nekatera področja, kjer je za CD - ROM diske veliko zanimanje. Enkrat vpisljivi, neizbrisljivi digitalni optični pomnilniki omogočajo zapis podatkov na lastnem diskovnem pogonu. Ti pomnilniki imajo v optični glavi lasersko diodo, katere moč je tako krmiljena, da pri zapisu podatkov znaša okoli 10 mV in se pri predvajanju zmanjša na okoli 1 mW. Na optično občutljivo plast diska fokusirani snop laserskih žarkov povzroči trajne spremembe optičnih lastnosti v mikrodomenah. Podatke lahko zapišemo v optično občutljivo plast na določenem mestu le enkrat. Teh podatkov ni možno izbrisati. Predvajanje poteka slično kot pri CD -ROM disku. Vsak porabnik torej lahko sam naredi zapise svojih lastnih podatkov. Glede na to, da zapisanih podatkov ne moremo izbrisati in da je življenjska doba oziroma življenjsko pričakovanje takih diskov zelo dolgo (proizvajalci navajajo 10 do 30 let [isj ), so taki pomnilniki primerni za arhivske namene kot npr. za shranjevanje bančnih transakcij, knjižnične sezname, rentgenske slike v medicini, geološke in seizmološke slike, arhive dopisov, dokumentov in načrtov v pisarniški komunikaciji. Tudi pri neizbrisljivem enkrat vpisljivem optičnem pomnilniku je možno zapisane podatke prenoviti na ta način, da se novi podatki zapišejo pod novim naslovom in da se podatki pod prejšnjim naslovom preskočijo. S tem pa se zmanjšuje e-fektivna površinska gostota pomnilnika. Ponovno vpisljivi, izbrisljivi digitalni optični diskovni pomnilniki se v bistvu razlikujejo v optično občutljivi plasti in zapisnem postopku. Pri istem naslovu, na istem mestu, se lahko podatki izbrišejo in zapišejo novi podatki, podatki prenovijo, torej slično kot pri magnetnih pomnilnikih, stari podatki nadomestijo z novimi. Vir: Alcatel Thomson Gigadisc Slika 1.: Digitalni optični diskovni pomnilnik 2.2. Sestav Celotni digitalni optični diskovni pomnilnik, kot je prikazan na sliki 1, sestoji iz - zapisno-predvajalne pogonske enote in - optičnega diska. 101 Zapisno-predva.jalna pogonska enota vsebuje, kot je razvidno s slike 2: - optično enoto z lasersko diodo in fotodetektorjem, - v radialni in navpični smeri fino premakljivo optično glavo, - motor za linearni grobi premik glave do zaželene sledi - vrtilni motor s pritrdilnim krožnikom za disk na gredi - elektroniko, ki krmili izhodno moč laserske diode (za zapis oziroma predvajanje), servomehanizem in dostop do podatkov. (14 inch), 300 mm (12 inch), 200 mm (8 inch), 130 mm (5,25 inch) in v zadnjem času tudi 89 mm (3,5 inch) in 50 mm (2 inch). Potrebe po kapacitetah bodo bistveno vplivale na razširjenost diskov z določenimi premeri. Steklo, plastika (PMMA) in aluminij so najbolj razširjeni materiali za osnovno ploščo. Steklo je dobro prosojno in ima najbolj gladko površino, plastika je najbolj cenena, aluminij pa izkazuje odlično planost, veliko trpežnost in trdnost, kar je posebno važno pri pomnilnikih z avtomati- DETEKTOR r LASERSKA DIODA OPTIKA AKTUATOR LINEARNI MOTOR VRTILNI MOTOR Vir: Alcatel Thomson Gigadisc Slika 2.: Principialni sestav digitalnega optičnega diskovnega pomnilnika V optičnem disku so shranjeni podatki, Ker je možnost medsebojne izmenjave diskov tudi na različnih zapisno-predvajalnih enotah nujna, je poenotenje optičnih diskov nadvse važna zahteva. V okviru mednarodne organizacije za standardizacijo ISO in tehniškega komiteja TC 97 je bil ustanovljen podkomite SC 23 z nalogo, da bi pripravil standardizacijo optičnih digitalnih podatkovnih diskov. Optični diski se razlikujejo na splošno v: - geometriji, - materialu za osnovno ploščo oziroma optično občutljivo plast, - postopku zapisa in predvajanja. Kot kaže tabela 1, v kateri so navedeni bistveni karakteristični podatki izbora digitalnih optičnih diskovnih pomnilnikov, obstajajo diski z različnimi premeri: 356 mm čno menjavo diskov (juke box). V novejšem času poročajo o polikarbonatnih osnovnih ploščah [6] . Tanka optično občutljiva plast, s katero je prevlečena o-snovna plošča, mora imeti primerne optične lastnosti: veliko občutljivost na svetlobo in prilagoditev na valovno dolžino vira svetlobe, sposobnost hitre spremembe optičnih parametrov pod vplivom laserskega žarka, dobro odsev-nost in veliko razliko med pego in okolico (signal to carrier ratio), minimalno gostoto napak, stabilnost pri staranju, zanemarljivo občutljivost na okolje in veliko življenjsko dobo oziroma pričakovanje. Precejšnje število (okoli 150) raziskovalnih ustanov po svetu se ukvarja z razvojem optičnih diskov in zapisnim postopkom. Tudi optični pomnilniki v obliki kreditnih kartic prihajajo na tržišče. 102 Pri plasteh, uporabljenih za diske z enkratnim, neizbris-ljivim zapisom, obstajajo materiali, pri katerih povzroči na površino plasti fokusiran snop laserskih žarkov ali morfološko spremembo strukture ali pa topografsko spremembo površine tankoplastnega sloja. Morfološka sprememba je sprememba notranje strukture materiala. Ta ima za posledico spremembo indeksa refrakcije, ki jo zaznava fotodetektor pri odsevani svetlobi. Tej skupini pripadajo dvoplastne prevleke kovine in silicija, ki se pod vplivom toplotne energije laserskega snopa talijo in medsebojno difundirajo v kovinske silicide in subolc-sidi (Te 0 , x^l,l), kjer preide prvotni amorfni material pod vplivom toplote v kristalno obliko. Topografska sprememba, ki se kaže v trajni spremembi površine optično občutljive plasti, je posledica gibanja mase materiala. To so plasti, ki tvorijo luknjice, vdolbine oziroma izbokline. Pri pogosto uporabljeni plasti iz telurjeve zlitine tali laserski snop sloj, tako da se stvori luknjica, obrobljena z očital jenim materialom. Razlika v odsevu na plasti oziroma luknjici zadostuje, da detektor spoznava zapisane podatke. Sloji, pri katerih nastopijo izbokline pod vplivom toplotne energije laserskega snopa, so izdelani iz več plasti: zgornja tanka kovinska plast, vmesna posebna plast iz polimera in spodnja kovinska plast. Fokusirani snop laserskih žarkov omehča zgornjo plast, vmesna plast se pri tem razkro- ji in izloči plin, ki s svojim pritiskom izboči zgornjo metalno plast; tvori torej mehurčke. Nastale trajne izbokline razpršujejo svetlobo in odsevajo svetlobo drugače kot prvotna plošča. Preden zapišemo podatke v tako ploščo, ima disk vtisnjene brazde, ki služijo kot sledi, po katerih se vodi laserski snop s pomočjo servomehanizmov. S slike 3 so dobro razvidni postopek zapisa in brazde pred zapisom podatkov in po njem [3] . Disk je opremljen tudi z naslovnimi in sektorskimi podatki. Optična plast je zaščitena z dodatnim prosojnim slojem proti agresivnemu okolju. Na sliki 4 je prikazan disk drugega proizvajalca [2J , kjer sta dve stekleni osnovni plošči z občutljivo plastjo čeloma nameščeni kot sendvič, tako da se optično občutljiva sloja nahajata med osnovnima ploščama in je vmesni prostor napolnjen z zrakom. PROIZVAJALEC OPTICAL STORAGE IHT'L OPT 1 HEM HITACHI ALCATEL THOMSON GIGABISC MATSUSHITA ST0RAGETEK BODEL LASER^IVE H-6975 GD 1001 0KDR 7600 PREMER DISKA IKCH KM 12 306 12 305 12 305 12 305 8 203 11 356 KAPACITETA GBVTE 1 1 1.3/2.6 1 0,7 1,7 LINEARNA GOSTOTA BIT/MM 550 570 630 570 760 GOSTOTA SLEDI sledi/hm 626 570 768 570 598 POVRŠINSKA GOSTOTA kbit/MM2 »8 325 181 330 1100 KAPACITETA SLED! K!YTE 32 25 31,7 25 32 120 ŠTEVILO SLEDI NA POVRŠINI 32K 10K 11K 10K 35K SREDNJI CAS DOSEGA MS 150 115 250 100 500 85 HITROST. PRENOSA «BIT/S 2 5 3.5 1 1 21 VRTILNA HITROST vrt./min I) SO 1200 600 1200 900 2000 ŠTEVILO LASERJEV 1 1 1 1 1 2 REPRODUKCIJA/ZAPIS KOC m« 1 / 15 1 / 10 2,5 / 18 1,5 / 9 2,5 / 18 POGOSTOST ODPOVED! S KOREKCIJO 10-" M'" M"" M"« 10"? IO-I3 VMESNIK 1SI/SCSI SCSI IEEE 188 SCSI POSEBEN POLNJENJE S KASETO ČELNO ČELNO CELN0 CELN0 CELN0 CELN0 POVPR. CAS MED ODPOVEDIMA UR 12000 5000 10000 1000 MATERIAL DISKA Te-ZLITINA m Te-ZLIT!NA 1! 00 TE 0X Te-ZLITINA SUBSTRAT STEKLO STEKLO STEKLO STEKLO PMMA ALUMINIJ VELIKOST VIŠINA m ŠIRINA mm GLOBINA hm 133 182 650 178 182 610 178 356 581 178 182 630 191 251 508 1100 1320 810 Tabela 1. : Karakteristični podatki izbora digitalnih optičnih diskovnih pomnilnikov 103 Celotne plošče so spravljene v kasete, ki nudijo dodatno zaščito. Ko se kaseta vloži v zapisno- predvajalno pogonsko enoto, poseben mehanizem odpre kaseto in položi disk na vrtilni krožnik, tako da fokusirani snop laserskih žarkov neposredno otipava površino z zapisom podatkov. Pri zapisu podatkov delujeta istočasno fokusirani snop laserskih žarkov in magnetno polje na isto področje, kot kaže slika 5. Laserski snop segreje osevano področje magnetnega sloja preko Curiejeve temperature. Na to segreto področje s prvotno magnetno orientacijo deluje magnetno po- SLEDI PRED ZAPISOM IN PO NJEM OBČUTLJIVA PLAST ZAPISNI NAČIN NASLOV OPTIČNI KODEK Vir: Alcatel Thomson Gigadisc Slika 3. : Optični disk z neizbrisljivim zapisom Šele v zadnjem času so se v raziskovalnih ustanovah pokazali uspehi na področju izbrisljivih ponovno vpisljivih diskov [V] , [5] , [6] . Raziskave so usmerjene na dve glavni skupini: magnetooptične diske in diske z morfološko fazno spremembo. lje, ki vsili novo smer magnetenja in pri ohlajanju to smer vmrzne. Podatki so v mikrodomenah, ki imajo drugačno o-rientacijo magnetenja od ostale površine. Pri predvajanju podatkov je izkoriščen Kerrov efekt. Različne smeri magnetenja vrtijo različno polarizacijsko ravnino polarizira-ne svetlobe. Zaradi spremembe magnetne orientacije na- ZUNANJi SISTANČNIK SVETLjCENO občutljiva plast z vtisnjenimi braziwii ZUNANJI TESNimi CBROt 111WINA STEKLENA OSNOVNA PLOŠČA 1 DO 20 |im 1,3mm Slika 4.: Konstrukcija dvostranskega optičnega diska 2 Trenutno so plasti zemelj. obetajo magnetooptični diski največ uspeha. To amorfnih zlitin prehodnih kovin iz vrste redkih stopi Kerrova rotacija, kot prikazuje slika 6, tako da po-larizirana svetloba za analizatorjem spremeni svojo ja-kost, kar zaznava detektor. Podatek se izbriše kot pri 104 vpisu, le da je magnetno polje obrnjeno v prvotno smer. V osnovi so magnetooptični pomnilniki magnetni pomnilniki, kjer pri zapisu podatkov služi laserski snop za segrevanje mikrodomene, pri predvajanju pa je izkoriščena koherentna svetloba laserja. Iz tega razloga je predloženo za take pomnilnike ime: z laserjem podprti magnetni magnetno polje I I 1 II I I II __. nenamagnetena kovina )» t) 11 11 11 I a ""tri 1111 111 kovinska plast / /0gret\ ■ osnovna plošča 12 stekla / /predel! al' plastike magnetne/ domene laserski 1 žarek Slika 5.: Magnetooptični zapisni način diskovni pomnilniki. Poročajo, da je bilo na eksperimentalnih modelih doseženih več kot milijon zapisov in izbrisov brez zaznavne spremembe pri predvajanju [5] , [6] , kristalno morfološko fazo in nasprotno pa je pri trenutnem stanju razvoja omejeno in posebno kritična veličina. MAGNETOOPTIČNA PLAST ODBOJNA PLAST OSNOVNA PLOŠČA M . [8] • E D R A W Slika 6.: Predvajanje zapisanih podatkov iz magnetooptičnega diska s pomočjo optičnega Kerrovega efekta Bodočnost pripada izbrisljivemu ponovno vpisljivemu optičnemu diskovnemu pomnilniku [6] , posebno še, ker je pod posebnimi pogoji možen tudi neizbrisljivi zapis na istem disku. c i— o h-OO O CD jvjiian h. Florjančič Standard Elektrik Lorenz AG, 2 Rooijmans, C.J.M., J.A. Th. Verhoeven: Charac- Stuttgart, Z.R. Nemčija teristics of the Optical Media Laboratory Disk. Proceedings of SPIE - Optical Storage Media Vol. 420 (1983) Arlington, USA,s. 22 - 25. 109 RAČUNALNIŠKO PODPRTO NAČRTOVANJE VEZIJ V ISKRI DO MIKROELEKTRONIKA Peter Stavanja O računalniško podprtem načrtovanju ali CAD (Computer Aided Design), kot se temu s tujko pravi, slišimo danes že skoraj na vsakem koraku. Ne bi navajal definicij in a-naliz, ampak bom na kratko prikazal, kako je računalniško podprto načrtovanje zastavljeno v Iskri DO Mikroelek-tronika, kakšne rezultate daje in kako je dostopno načrtovalcem in razvojnikom v ostalih Iskrinih delovnih organizacijah in izven njih. Paket programov, ki jih ima Iskra DO Mikroelektronika, omogoča načrtovanje zelo obsežnih integriranih vezij. To je od zasnove sistema do načrtovanja geometrije vezja, priprave podatkov za izdelavo foto mask in izdelavo testnega programa. Torej ni namenjen samo mikroelektroniki in njenim potencialnim uporabnikom, ampak tudi vsem, ki načrtujejo elektronske sisteme in pri tem želijo skrajšati in poceniti njihov razvoj. Kako to? Vsak elektronski sistem, če ne v celoti pa po delih, lahko računalniško obdelamo, ali kakor temu pravimo, simuliramo, kar je prav gotovo hitreje kot klasična izdelava prototipa in ne zahteva, da razpolagamo že v času razvoja sistema z vsemi komponentami, ki jih ta vsebuje. Poleg tega pa pri simulaciji lahko preizkusimo tudi različne pogoje delovanja, ki jim bo bodoči sistem kasneje izpostavljen. Sistem računalniško podprtega načrtovanja v Iskri DO Mikroelektronika lahko razdelimo na več delov: - logičen opis vezja z vnosom logične sheme - simulacija delovanja logične sheme - načrtovanje nestandardnih podsklopov vezja - razporejanje in povezovanje podsklopov vezja - in priprava podatkov za izdelavo foto mask - izdelava testnega programa Za prva dva dela in deloma tudi za tretjega in šestega ne moremo trditi, da spadata v področje mikroelektronike, saj ju lahko definira in preverja samo načrtovalec sistema oziroma naročnik integriranega vezja. LOGIČEN OPIS: Tu gre za logičen opis vezja, kjer načrtovalec uporablja namesto svinčnika in papirja inženirsko postajo (zaslon, tastatura, miška), na kateri izbira z enostavnimi ukazi iz banke podatkov (knjižnice) standardne simbole (logične operatorje), jih razporeja po zaslonu in medsebojno povezuje. Bistvena razlika med klasičnim na- črtovanjem na papir in računalniško podprtim načrtovanjem je v tem, da smo pri klasičnem načinu omejeni na simbole (komponente) v raznih katalogih, pri računalniškem pa na simbole (operatorje) v knjižnici simbolov. Pri tem je potrebno posebej poudariti, da so v knjižnici simbolov, ko gre za načrtovanje integriranega vezja, samo osnovni logični operatorji, iz katerih lahko gradimo posamezne podslclope (macroje) oziroma sestavljamo vezje. Razlika v naborih razpoložljivih simbolov pri obeh načinih načrtovanja ima za posledico različen pristop k načrtovanju. To je tudi edina težava, ki jo imajo načrtovalci pri uvajanju v uporabo računalniško podprtega načrtovanja, medtem ko jim sama uporaba in krmiljenje programov ne povzroča posebnih težav. Primer različnega pristopa k načrtovanju v enem in drugem načinu bi bil lahko naslednji: Potrebujemo 5 bitni binarni števec. 1. Pri načrtovanju s standardnimi komponentami ima načrtovalec možnost izbirati med dvema 4 bitnima binarnima števcema, ki ju poveže med seboj in pri tem enega le delno koristi, ali 8 bitnim binarnim števcem, ki ga ravno tako le delno koristi. Pri tej odločitvi bo največkrat odločil "predal" oziroma "skladišče" in manjkrat cena oziroma dobavni rok. 2. Pri računalniško podprtem načrtovanju s knjižnico standardnih simbolov bo načrtovalec vedno vzel osnovni simbol binarne delitve, ga uporabil 5 krat in jih medsebojno povezal. Tako dobljen sklop (5 bitni binarni števec) lahko ponovno shrani v knjižnico simbolov za kasnejšo uporabo. Vsekakor se lahko definira tudi taka knjižnica standardnih simbolov, ki ustreza standardnim komponentam v katalogih, vendar je taka knjižnica smiselna samo takrat, ko se uporablja za računalniško podprto načrtovanje s standardnimi komponentami - tiskana vezja. SIMULACIJA LOGIČNE SHEME zahteva poleg sheme same še časovni opis vhodnega vzorca (vhodni signali) in seznam vozlišč ali izhodov, ki jih želi načrtovalec opazovati in jih simulacijski program izpisuje. Pri definiciji vhodnega vzorca je možno izbirati tudi kombinacije, ki v realnem okolju delovanja ne nastopijo. To pa pomeni, da je 110 možna tudi analiza vezja glede na motnje in se to tudi da upoštevati pri samem načrtovanju. Pri klasičnem načinu načrtovanja z izdelavo prototipa, je vse možne kombinacije vhodnih signalov včasih praktično nemogoče preveriti, saj bi pri današnjih kompleksnejših sistemih rabili množico med seboj odvisno povezanih signalnih generatorjev. Rezultat simulacije je na razpolago praktično takoj, načrtovalec pa lahko dokaj enostavno spreminja logično shemo in opazuje vpliv sprememb na funkcijo vezja. NAČRTOVANJE NESTANDARDNIH PODSKLOPOV VEZJA je že postopek v načrtovanju integriranega vezja, kjer naročnik vezja samo definira funkcijo podsklopa in določi vhodne in izhodne parametre. Vezje samo (dimenzije tranzistorjev in njihovo medsebojno povezavo) izdelajo načrtovalci, ki poznajo mik.roelektronske tehnologije, njihove parametre, omejitve in geometrijska pravila načrtovanja. RAZPOREJANJE IN POVEZOVANJE PODSKLOPOV VEZJA je postopek, ki zahtevata dobro poznavanje omejitev mikroe-lektronskih tehnologij. Pri prvem gre za razporejanje pod-sklopov vezja (simbolov) in povezovanje le-teh med seboj s strogim upoštevanjem geometrijskih pravil načrtovanja s posebnim poudarkom na izkoriščenosti silicijeve površine. Ta postopek se lahko izvede ročno ali z računalniškim programom, ki to naredi avtomatsko. Po tem postopku sledi kontrola, ki je v bistvu inverzni postopek: program ge-nerira iz geometrije vezja logično shemo le-tega in jo primerja s prvotno, ki je bila uporabljena za simulacijo. PRIPRAVA PODATKOV ZA IZDELAVO FOTO MASK je avtomatski postopek, ki sledi zadnji uspešni kontroli in iz geometrijskih podatkov o vezju pripravi podatke za generator maske na magnetnem traku. IZDELAVA TESTNEGA PROGRAMA zahteva sodelovanje načrtovalca sistema in testnega inženirja v mikroelektroniki. Tu se najprej določi vhodni testni vzorec in odziv vezja nanj, sledijo zahteve za vhodno izhodne parametre (časi vzpona in padca impulzov, vhodni/izhodni tokovi in napetosti ...) in končno pisanje testnega programa. Programska orodja v paketu za računalniško podprto načrtovanje precej olajšajo to delo, vendar mora načrtovalec še vedno poskrbeti za tak vhodni testni vzorec, da bo z njim pretesti-ral vsak del vezja (simbole in povezave). Na kratko opisani računalniško podprt postopek za načrtovanje integriranih vezij uporabljamo v Iskri DO Mikroelek-tronika že skoraj leto dni. V tem času smo že načrtali nekaj integriranih vezij in pomagali pri definiciji nekaj sistemov s pomočjo logične simulacije na računalniku. Če smo še nedolgo tega merili čas potreben za načrtovanje integriranega vezja v inženirskih letih, potem danes lahko trdimo, da smo se že približali inženirskim mesecem, naš cilj pa je ta čas še skrajšati. Na vprašanje, kdo in kako lahko uporablja ta programski paket, bom raje kar naštel, kdo se je do sedaj seznanil z njim in ga koristno uporabil, ne glede na to, ali je svoje vezje kasneje realiziral v monolitni izvedbi ali ne. To so bili strokovnjaki iz: - Iskra Avtomatika (5 inženirjev) - Iskra ISEZ (2 inženirja) - Iskra Kibernetika (4 inženirji) - Rade Končar (2 inženirja) - TF, Univerza Maribor - Birostroj, Maribor Morda še informacija: telefonska številka Iskre DO Mikroelektronika je 061 576 311. Peter Stavanja Iskra Mikroelektronika, Ljubljana, Stegne 15d PERSPEKTIVNI RAZVOJ MEBUNARODNOG I JUGOSLAVENSKOG TR2IŠTA OTPORNIKA Drago Škrbinc Predgovor (Miroslav Turina) DRAGO ŠKRBINC , dipl. ekonomist tehničkog smjera zaposlen u ISKRA - IEZE, DSSS, Ljubljana, Stegne 17, na po-slovima i radnim zadacima [»močnika rukovodioca projek- tno tehničkog područja za programske prognoze obranio je na Visokoj ekonomsko-komercijalnoj školi Univerziteta u Mariboru magistarski rad pod naslovom "Perspektivni raz- 111 voj mednarodnega in jugoslovanskega tržišča uporov". Mentor je bio dr Roman Obraz, redovni profesor na Eko-nomskom fakultetu u Zagrebu. Iz te opširne radnje (više od 150 stranica teksta) objavlju-jemo u ovom broju INFORMACIJE SSESD uvod, sažetak i zaključak. Radnja je inače podijeljena u šest dijelova: 1. Uvodno poglavlje 2. Relevantni činioci i smjerovi razvoja neprom jeni ji-vih linearnih otpornika 3. Svjetsko tržište nepromjenijivih otpornika 4. Jugoslavensko tržište nepromjenljivih otpornika 5. Sažetak i zaključci magistarskog rada 6. Priloži. Citaoci, koje ovo područje više zanima, mogu opširnije podatke i više informacija dobiti od autora radnje. 1. Uvod Ciljem magistrske naloge - ocenitvi sedanje in bodoče velikosti uporovnih tržišč v svetu in v Jugoslaviji ter ugotovitvi tržnih in tehnoloških zakonitosti v najpomembnejših potrošnih segmentih elektronike - sta bili prilagojeni zbiranje in obdelava podatkov. Z literaturo, ki mi je bila dostopna, in brez možnosti udeležbe na mednarodnih posvetovanjih ali drugih strokovno znanstvenih posvetih s priznanimi strokovnjaki sem z raziskavo in obdelavo sekundarnih virov, z intervjuji in z anketo opredelil tržne in produktne trende. Obravnavana področja pomenijo večino svetovne proizvodnje in tržišča elektronike, od koder prihaja največ proizvodnih in tehnoloških novosti. Za razliko od sve- 1/ Pod pojmom "svetovno" tržišče so zajeti podatki za področja: - Severna Amerika (ZDA in Kanada) - Zapadna Evropa (13 držav) - Japonska in preostali Daljni vzhod (razen Kitajske in Indije) v nadaljevanju: Japonska in Daljni vzhod - Ostali svet (vključuje Mehiko, Južno Ameriko, države SEV, Avstralijo in Novo Zelandijo) 2/ I/O analiza - input-output analiza - Model in sredstva analize procesa družbene reprodukcije. Nanaša se na analizo medsebojnih odnosov gospodarskih dejavnosti, vej in grupacij v okviru industrije in drugih gospodarskih dejavnosti na nivoju nacionalne ekonomije ali na nivojih ožjih regionalnih gospodarskih enot. Osnovna naloga te analize je v opazovanju zakonitosti medsebojnih ekonomskih in tehnično-tehnoloških odnosov med različnimi sektorji (dejavnosti, veje, grupacije, itd.) ekonomske aktivnosti. Med drugim se uporablja za predvidevanja bodočih vzporednih in med seboj odvisnih sprememb v gospodarski aktivnosti različnih sektorjev in vsega gospodarstva tovnega tržišča, ki je v celoti rezultat sekundarnih vi-2/ rov in I/O analize, je večina informacij za jugoslovansko tržišče pridobljenih z osebnimi stiki, z internimi informacijami v ISKRI, z intervjuji in z navedeno anketo. Drugi viri informacij so zaradi nepopolnosti uporabljeni le kot globalni pokazatelji. Ciljem magistrskega dela je prirejena tudi struktura vsebine. Ker je poudarek na razvoju uporovnega tržišča in uporovnih proizvodih, sem si prizadeval, da bi našel kar največ takih informacij, ki opredeljujejo stanje in verjetni bodoči razvoj tega tržišča. Iz množice različnih informacij so izbrane le bistvene, ki so uporabljene v tem delu. Čeprav bodo večjim uporabnikom uporov in ekspertom s tega področja nekatere navedbe že znane, je zaradi boljše preglednosti in širše uporabnosti dela podanih tudi nekaj splošnih podatkov. Analiza in prognoza razvoja proizvodov vsebujeta dopolnitve k obstoječemu stanju, kot so podane v dostopnih novejših strokovnih revijah, pri čemer so nakazane le glavne smeri razvoja za nekatere pomembnejše tehnične karakteristike. Tehnologije proizvodnje uporov so zaradi obsežnosti, dostopnosti in tehnične tematike podane le na kratko. 2. Cilj magistrskega dela Cilj magistrskega dela je analizirati sedanje in prognozi-rati bodoče velikosti uporovnih tržišč v svetu in v Jugoslaviji ter podati velikosti in trende porabe posameznih vrst uporov v najpomembnejših potrošnih segmentih elektronike. Za posamezne uporovne vrste je potrebno raziskati razvojne trende in tiste dejavnike, ki imajo na to največji vpliv. Pridobljene informacije naj bi bile v pomoč proizvajalcem uporov pri oblikovanju in izvajanju poslovne politike, pri čemer imam v mislih predvsem ISKRO - Industrijo elementov za elektroniko, kjer sem zaposlen, in je največji proizvajalec in edini izvoznik nespremenljivih linearnih uporov v Jugoslaviji. Cilj splošnega pomena je podati enega od možnih modelov za raziskavo tržišča elektronskih elementov, posebno tedaj, ko ni dovolj drugih statističnih podatkov. Posebej želim poudariti na velike možnosti, ki jih imajo nekateri tradicionalni proizvajalci diskretnih elektronskih elementov, ki se vse pogosteje odločajo za osvajanje povsem novih programov, za katere nimajo, razen velikih želja, dovolj drugih pogojev (znanje, kapital, kadri ....), 112 istočasno pa razvojno, tehnološko in proizvodno zanemarjajo obstoječe programe, ki bi jih ob dosti manjših naporih in vlaganjih zmogli modernizirati in za katere obstojajo doma in v svetu velike tržne možnosti. Ne nazadnje je cilj magistrskega dela tudi natančneje opredeliti pogosta mnenja, ki se pojavljajo v strokovnem tisku, namreč da je s pojavom integriranih polprevodniških elementov in vezij prišel čas, ko diskretnih elektronskih elementov ne bomo več potrebovali, ker bodo kot sestavni del vključeni v integriranih vezjih. 3. Metodologija Metode raziskovalnega dela so različne glede na vrsto informacij (kvalitativne, kvantitativne) oziroma glede na tržišča (jugoslovansko, druga). Kvantitativna analiza stanja in prognoza svetovnih tržišč je izvedena z input-output analizo in z uporabo vhodno-izhod-nih (I/O ) koeficientov. Izhodiščni I/O koeficienti so izračunani iz podatkov za tržišče ZDA. Pri analizi stanja in prognoze za jugoslovansko tržišče uporov je uporabljena kombinirana metoda I/O koeficientov, rezultatov pisne ankete in statističnih podatkov. Kvalitativna analiza in prognoza je izvedena pretežno na podlagi podatkov iz sekundarnih virov, izjema je jugoslovansko tržišče elektronike in uporov, kjer so uporabljeni tudi podatki pisne ankete in intervjujev. Podatki o stanju in prognozi tehničnega razvoja uporovnih proizvodov in posameznih segmentov elektronike so črpani in analizirani iz najrazličnejših strokovnih knjig, publikacij in katalogov. Pri vseh proučevanjih in izračunih je bila kot izhodišče u-porabljena segmentacija, ki jo uporabljajo na razvitem tržišču elektronike v ZDA. Zaradi lažje predstave obsega je v točki 1.4. prikazan pregled proizvodov obravnavanih segmentov elektronike. Pri pisni anketi kvantitativne in kvalitativne raziskave tržišča uporov v Jugoslaviji je bila uporabljena posebna metoda s telefonsko prednjavo, z njo je bil dosežen nadpovprečen odziv. Anketni vprašalnik je bil kot opomnik uporabljen tudi pri intervjujih. Pri izračunu velikosti posameznih tržišč uporov je najpomembnejše spoznanje, da je potrebno izhajati iz velikosti proizvodnje elektronskih naprav na obravnavanem področ- ju, ne pa iz velikosti njihovega tržišča ter da so za globalne izračune vhodnih elementov to je števec I/O koeficienta nepomembni podatki o vrednosti zalog, o izvozu oziroma uvozu. V izračunih velikosti tržišča in porabe uporov sploh na posameznih področjih oziroma segmentih elektronike ni upoštevana poraba uporov, ki je potrebna za servisiranje in amatersko rabo. Tudi tiste elektronske elemente, ki imajo kratko življensko dobo glede na naprave, v katere so vgrajeni, je potrebno upoštevati (slikovne cevi za televizijske sprejemnike, potenciometri, ...). Poudarjam, da je I/O metoda zelo primerna za globalne ocene in ocene strukture tržišča, posebej še v primerih, ko so statistični podatki premalo strukturirani, ali pa sploh ne obstojajo. Pri izračunih izhodiščnih I/O koeficientov je potrebno v števcu upoštevati dejansko vrednost, ker so pogosto statistični podatki bistveno manjši od dejanskih v praksi. Del proizvodnje vhodnih elementov proizvajalci končnih proizvodov izdelujejo sami in jih tudi sami porabijo in niso zajeti v statističnih publikacijah. 4. Tehnični razvoj nespremenljivih uporov in tehnološki vplivi na uporabo nespremenljivih uporov Razvoj nespremenljivih linearnih uporov poteka vzporedno z razvojem elektronskih elementov in elektronske industrije, pri čemer se v proizvodnji uporov uporabljajo sodobni razvojni dosežki iz različnih področij tehnike. Cilji razvoja na področju nespremenljivih uporov so usmerjeni v zadovoljitev potreb in zahtev uporabnikov. Izboljšave tehničnih karakteristik nespremenljivih uporov so predvsem rezultat uporabe novih proizvodnih postopkov in uporabe novejših materialov, ki omogočajo višjo stabilnost, večjo moč pri enakih dimenzijah, širši obseg uporovnega področja, nižji šum, nižji temperaturni koeficient upornosti in druge karakteristike. Navedene lastnosti omogočajo razne zlitine kovin, kot so nikelj, krom, kobalt, rutenij in druge, ki jih uporabljajo za izdelavo uporovnih plasti ob u-porabi novejših tehnologij, kot sitotisk, vakuumsko napare-vanje, lasersko umerjanje uporov in kemijska depozicija uporovne plasti. Sodobni uporovni nosilci so iz steatita, forsterita, berilija, porcelana ali stekla. Navedeni materiali se odlikujejo po visoki čistoči in dobri toplotni prevodnosti. Uporaba novejših materialov in tehnologij pri proizvodnji uporov je omo- 113 gočila zmanjšati stroške proizvodnje oziroma sploh omogočila proizvodnjo uporov s širšim področjem želenih karakteristik. Vse navedene izboljšave je možno uporabiti le pri proizvodnji kovinskih plastnih uporov (vključno z uporovnimi verigami in čipi). Pri proizvodnji žičnih in ogljikovih plastnih uporov imajo omejene izboljšave vpliv v prvi vrsti na uporovni nosilec. Dosežen napredek v proizvodnji masnih uporov je bolj rezultat prilagajanja potrebam u-porabnikov kot novejših tehnologij in materialov. Med raznimi tehnološkimi izboljšavami v elektroniki najmočneje vplivata na spremembe pri nespremenljivih uporih proces uvajanja avtomatske montaže elektronskih elementov in proces splošne miniaturizacije elektronskih naprav. Zaradi izboljšav montažnih tehnologij so bili razviti posebni načini embaliranja uporov, razviti so bili dimenzijsko manjši upori in povsem novi čip upori, ki so prilagojeni avtomatskim montažnim tehnologijam (za montažo elementov brez priključnih žic ). 5. Tržišče nespremenljivih uporov V obdobju od leta 1982 do leta 1987 se bo svetovno tržišče nespremenljivih uporov predvidoma povečalo od 1.408 milijonov US# na 2.536 US#, kar pomeni povečanje za okoli 80 %. Količinska poraba vseh uporov se bo od 65 milijard kosov povečala na 124 milijard kosov, kar je 91 % več kot leta 1982 (izračunano po poprečnih cenah uporov v ZDA leta 1982). Na koncu obravnavanega obdobja je prognozirana poraba u-porov po področjih naslednja: - Severna Amerika 35 % celotne vrednosti svetovne porabe uporov, - Japonska in Daljni vzhod 35 % celotne vrednosti svetovne porabe uporov, - Zapadna Evropa 17 % celotne vrednosti svetovne porabe uporov, - Ostali svet 13 % celotne vrednosti svetovne porabe uporov, Struktura celotne svetovne porabe uporov po segmentih e-lektronike je naslednja: - naprave za široko potrošnjo 43 %, - industrijska elektronika 19 %, - naprave za posebne namene 18 %, - komunikacijske naprave 11 % in - računalništvo 9 Zaporedje vrednosti porabe po vrstah uporov se v opazovanem obdobju ne bo spremenilo, prav tako ne bo bistve- nih strukturnih sprememb. Največjo stopnjo rasti imajo čipi, katerih vrednost naj bi se poveč la za 3,67 krat, vendar v strukturi celotne porabe leta 1987 še vedno predstavljajo le 6 % celotne vrednosti. Ob predvidljivih gospodarskih gibanjih bodo cene kovinskih plastnih uporov, uporovnih verig in čipov zaradi vse večje uporabe in večje ekonomičnosti proizvodnje še padale, medtem ko cene ogljikovih plastnih in masnih uporov ne bodo doživele omembe vrednih sprememb. Cene žičnih uporov se bodo spreminjale predvsem zaradi sprememb borznih cen uporovne žice. Največja proizvodnja uporov bo na Japonskem in Daljnem vzhodu. Proizvodnja uporov v Severni Ameriki in Zapadni Evropi ne bo zadoščala za lastne potrebe in jih bodo zato pokrili proizvajalci iz Japonske, Daljnega vzhoda in ostalega sveta. Smer razvoja posameznih uporovnih vrst in ceno nespremenljivih uporov bodo določali predvsem proizvajalci iz Japonske in Daljnega vzhoda. V Jugoslaviji je največji proizvajalec uporov za domače in izvozno tržišče ISKRA, drugi jugoslovanski proizvajalci u-porov proizvajajo upore predvsem za lastne potrebe. Celotna vrednost porabe bo na koncu obravnavanega obdobja predvidoma znašala 1.096 milijonov dinarjev. Največji delež porabe uporov je v segmentu naprav za industrijsko elektroniko 53 %, temu sledijo segment komunikacijske naprave 27 %, naprave za široko potrošnjo 15 % in računalništvo 5 %. Ocenjujem, da bo v obdobju po letu 1987 največji porast porabe pri kovinskih plastnih uporovnih verigah in či-pih, medtem ko bo poraba ogljikovih plastnih, masnih in o-stalih plastnih uporov naraščala relativno počasneje. 6. Zaključki Vrednost tržišča nespremenljivih uporov v primerjavi z vrednostjo tržišča elektronike relativno upada, absolutno pa narašča. Tržne potrebe so: bodo tudi v prihodnje še povečevale. Na povečanje porabe uporov bosta v največji meri vplivala naslednja dejavnika: - visoka rast proizvodnje že obstoječih elektronskih naprav in - proizvodnja novorazvitih naprav. Na zmanjšanje porabe uporov delujeta predvsem dejavnika: 114 - vedno večja uporaba integriranih mikroelektronskih vezij in - digitalizacija elektronike. Tehnični razvoj je usmerjen predvsem v izboljšanje tehničnih lastnosti, miniaturizacijo, v izvedbe, ki so primerne za avtomatsko montažo elementov, posebej še v uporovne vrste brez žičnih priključkov. Za prodor na svetovno tržišče se zahteva usklajenost z mednarodnimi standardi, visoka zanesljivost in komercialna konkurenčnost. Bistvo magistrskega dela je v potrditvi teze, da je s tržnega vidika smotrno intenzivirati proizvodnjo nespremenljivih uporov in v zavrnitvi pogostih mnenj, da diskretnih e-lektronskih elementov, predvsem uporov s splošno industrijsko uveljavitvijo integriranih mikroelektronskih vezij v proizvodnji, takorekoč ne bomo več potrebovali, ker bo- do kot sestavni del vključeni v integriranih mikroelektronskih vezjih. Tovrstna mnenja so napačna in ne odražajo dejanskega stanja, kar je bilo dokazano z oceno sedanje in bodoče porabe nespremenljivih uporov v svetu in v Jugoslaviji. Izvedene raziskave o tržišču so le del potrebnih aktivnosti marketinga. Področje nadaljnjih raziskav je primarno povezano predvsem s tehničnimi raziskavami in razvojem, razvojem proizvodne opreme in izračuni optimalnosti proizvodnje. V okviru operativnega izvoznega trženja pa je potrebno opredeliti predvsem ciljna tržišča, potencialne kupce, konkurenco, prodajne kanale in pripraviti programe promocijskih aktivnosti. Mag. Drago Skrbinc ISKRA - IEZE Ljubljana, Stegne 17 PROŠIRUJE SE PROIZVODNJA POLUVODICKIH ELEMENATA U JUGOSLAVIJI Miroslav Turina Več duže vrijeme u krugovima elektroničara u Zagrebu i van Zagreba kolaju vijesti o proširenju asortimana proizvodnje poluvodičkih elemenata u RIZ-u ulaskom u proizvod-nju elemenata u TO-3 kučištu. Nepotpuna informacija iza-zvala je različite komentare i tumačenja. Zeleči svim članovima SSESD-a i ostalim čitaocima INFORMACIJA SSESD osigurati punu informaciju urednički odbor obratio se dru-gu Zoranu Milčiču, potpredsjedniku za razvoj Poslovodnog odbora SOUR-a RIZ s molbom za razgovor. Informacija koju dajemo napisana je na osnovu nedavnog razgovora s drugom Milčičem, posjete novom pogonu i ra-nijih razgovora s drugom Vlatkom Zagarom, predsjedni-kom poslovodnog odbora SOUR-a RIZ. Još krajem 1983. godine RIZ je primio načelnu ponudu ta-lijanske firme SGS-ATES da se na principu zajedničkog u-laganja u Zagrebu izgradi novi industrijski kapacitet za proizvodnju poluvodičkih komponenata. RIZ je prihvatio ponudu i u razgovorima koji su uslijedili razjašnjeni su modaliteti buduče suradnje RIZ-a i SGS-a. U razgovorima su pored predstavnika RIZ-a i SGS-a uče-stvovali predstavnici I ICY (Medjunarodna korporacija za investicije u Jugoslaviji). IICY čiji je posao pomaganje i promoviranje viših oblika privredne suradnje i razvijanje zajedničkih ulaganja inozemnih firmi i jugoslavenskih organizacija udruženog rada angažirana je s ciljem da se raz-radi koncept izvozno orijentirane dugoročne poslovne suradnje izmedju RIZ-a i SGS-a. U razgovorima sa SGS-om utvrdjeno je da postoji obostra-na zainteresiranost za dugoročnost suradnje. Obostrano je prihvačen princip postupnosti u razvijanju suradnje. Du-goročni ciljevi postizat če se u koracima u kojima če svaki prethodni stvarati ekonomske i poslovne uvjete za nare-dni korak. Takodjer je utvrdjeno da suradnja sa SGS-om ne ograničava RIZ u razvijanju suradnje i poslovnih odnosa s bilo kojom drugom firmom na bilo kojem drugom programu. SGS je ponudio više programa za suradnju. Dogovoreno je da se za početak suradnje odabere program montaže i testiranja tranzistora, multičip sklopova i linearnih integriranih sklopova u TO-3 kučištu. Dogovor je postignut na slijedečim osnovama: - SGS isporučuje opremu, tehnologiju, obučava RIZ-ov ka- 115 dar i svojim kadrom asistira pri uhodavanju proizvodnje; - SGS se obavezuje da u toku trajanja ugovora otkupljuje cjelokupnu proizvodnju odredjenu minimalnim i maksimalnim količinama; - SGS se obavezuje da če snabdjevati RIZ repromaterija-lom potrebnim za ugovorenu proizvodnju, ako RIZ ne može potreban materijal nabaviti iz drugih izvora; - RIZ osigurava proizvodni prostor, radnu snagu i rukovo-djenje proizvodnjom. Nakon postignutog sporazuma sa SGS-om u RIZ-u je odlu-čeno da proizvodnju elemenata u TO-3 kučištu preuzme OOUR - Tvornica elemenata. Ta tvornica je jedan od naj-starijih proizvodjača elektroničkih elemenata u zemlji. Proizvodni program obuhvača motane kondenzatore i štam-pane ploče. Proizvodnja elemenata u TO-3 kučištu organizirana je u prostoru gdje se do nedavno nalazila proizvodnja kondenzatora, koja je sada preseljena na drugu loka-ciju. Žanimljlvo je da se u prostoru, gdje sada zapocinje proizvodnja TO-3 tranzistora, svojevremeno prije sedam-naest godina započela i proizvodnja tranzistora u TO-18 i TO-5 kučištu. U vrijeme kada smo posjetili novi pogon sva oprema je bila montirana, svi strojevi ispitani i upravo su proizvedeni prvi probni uzorci. Kapacitet postavljene linije iznosi 9 miliona komada elemenata u TO-3 kučištu godišnje. To je samo polovica kapaciteta dogovorenog sa SGS-om. Radi ne-dostatka prostora nije za sada bilo moguče smjestiti cijelu proizvodnu liniju. U RIZ-u se nadaju da 6e problem prostora biti uskoro riješen, što bi omogučilo da se postavi i drugi dio linije i ukupni godišnji kapacitet poveča na 18 miliona komada. Proizvodni proces obuhvača sve operacije počevši od rezanja silicij pločica do završnog testiranja i označavanja elemenata. Sav rukovodeči stručni kadar i veči dio opera-tora su novi mladi radnici, koji su pičetnu obuku prošli di-jelom u tvornicama SGS-a, a dijelom u Zagrebu pod nadzorom SGS-ovih stručnjaka. Na pitanje da li RIZ namjerava proširiti suradnju sa SGS-om odgovoreno je pozitivno. Posao s TO-3 tranzistorima predstavlja eksperiment s kojim treba testirati mogučnost ovakve suradnje. Ukoliko obadvije strane budu zadovoljne s postignutim posao če se širiti na nova područja, ali o to-me je još prerano govoriti. U stručnoj javnosti čulo se više prigovora na aranžman RIZ-a i SGS-a. Smatra se da RIZ prihvača nepotpunu i za-starjelu tehnologiju, pa cijeli posao ne znači ništa u pogledu tehničko-tehnološkog unapredjenja domače proizvodnje poluvodičkih elemenata. Drugi prigovor odnosi se na naru-šavanje dogovora o pravcima i programima razvoja domače proizvodnje poluvodičkih elemenata. Posao o kojemu je riječ ne predstavlja tehnološku osnovu za razvoj elektroničke industrije. Tu činjenicu RIZ ne os-porava. Medjutim naglašava se, s punim pravom, da ne treba ptcjenjivati montažu i testiranje poluvodičkih elemenata. To su vrlo važni dijelovi cjelokupnog tehnološkog procesa proizvodnje poluvodičkih elemenata. Drugi prigovor takodjer ne stoji, jer je ovo isključivo izvozni posao i ne remeti poslovanje bilo kojem drugom domačem proizvodjaču poluvodičkih elemenata. Što više kroz nabavku repromaterijala na domačem tržištu neto vrijed-nost deviznog priliva može se znatno povečati. U ostvarivanju koncepcije dugoročnog razvoja elektroničke industrije u SR Hrvatskoj i ovakvi poslovi imaju svoju ulo-gu i bilo bi korisno da ih se realizira još mnogo više. Miroslav Turina, dipl.ing. SSESD, Zagreb USPEŠNA TEHNIČNA PREDSTAVITEV Herman Vidmar Spomnite se zadnjega posvetovanja, ki ste se ga udeležili! Kolikokrat se je zgodilo, da je vaš kolega - referent pro-jeciral diapozitiv in se pri tem čudil, da prenekateri poslušalec onstran prve vrste ni mogel prečitati teksta in ga razumeti? Ali še bolj enostavno: koliko predstavitev je bi- lo suhoparno naštevanje teorije, enačb, rezultatov, zaključkov in dejstev, včasih spremljanih z diapozitivi, ki pa so bili predstavljeni le kot nadomestilo za pisani referat in jih je govornik uporabljal zgolj kot kazalo? 116 Kot inženir in strokovnjak zahtevate popolnost na tehničnem in znanstvenem polju, kot poslušalec pričakujete, da bodo predstavitev in diapozitivi jasni, razumljivi in zanimivi. Če ste predavatelj vij zaslužijo vaši poslušalci vsekakor enake pogoje. Preko 80 % človekovih komunikacij se odvija z gledanjem in le okoli 10 % s poslušanjem. Na splošno govori večina ljudi 125 besed na minuto, vendar lahko misli s 500 - 1000 besedami na minuto. Razumljivo je, da se lahko poslušalec v danih primerih podzavestno dolgočasi. Vaša predstavitev ne sme popačevati dejstev, ne sme ji manjkati jasnosti in točnosti, ne sme biti prenasičena z informacijami, sicer boste veliko govorili, a nič sporočili. Vsekakor pa si zapomnite, da naj vi ne predstavite pisanega referata (ki bi ga sicer lahko samo čitali), ampak da izvedete predstavitev na osnovi pisanega referata. Namen vaše predstavitve naj bi bilo dejstvo, da vzbudite pozornost na vaš pisani referat tistim, ki so ga že prečitali. Zato, da bi olajšali delo referentom, kako pripraviti svoj pisani referat in kako ga ustno predstaviti čim bolj efektno, smo sestavili - Priporočila avtorjem za sestavo referatov in za ustno predstavitev na posvetovanjih skupno z - Navodilo avtorjem za oblikovanje referatov, ki smo jih zbrali tudi iz obstoječe literature, predvsem iz priporočil UIT - mednarodne unije za telekomunikacije, ki ga je sestavila za referente zadnjega simpozija FORUM 83 v Ženevi in tudi iz priporočila A. Coloner-ja, ki ga je izdal IEE v Izraelu. PRIPOROČILA AVTORJEM ZA SESTAVO REFERATOV IN ZA USTNO PREDSTAVITEV NA ZASEDANJIH POSVETOVANJ Informacije, ki naj bi jih dobili udeleženci posvetovanj, se prenašajo v dveh oblikah: kot napisani in objavljeni referati v Zbornikih in kot ustna predstavitev ter diskusija na zasedanjih. Za dosezanje maksimalnega uspeha sta potrebna dva povsem različna načina obdelave. Napisani in objavljeni referat naj bo bolj podroben, bolj določen in bolj koncentriran, ustna predstavitev pa mora teči od ideje do logičnega zaključka na način, ki omogoča domala takojšnje razumevanje. Prvi del: Napisan in objavljen referat Kljub temu, da je bil predložen povzetek referata sprejet, se lahko zgodi, da bo referat zavrnjen, če ne odgovarja e-ni od tem razpisa, če je usmerjen preveč komercialno, ali če je preveč specifičen in podroben opis proizvajalčevega izdelka. Referat naj poda tematiko kolikor mogoče novih aplikacij in mora nakazati rezultate, ki so bili doseženi. Sicer naj bo referat, ki se objavi v Zborniku, izdelan na osnovi "Navodila avtorjem za oblikovanje referatov" s priloženim podtiskanim formularjem za izvedbo prve strani referata. Drugi del: Tehnika ustne predstavitve vsebine referata na zasedanju in priporočila avtorjem Napisani referati in tehnika ustne predstavitve so naslovljeni na dve različni vrsti receptorjev. Kadar proučujete napisan referat, se lahko ustavite, se povrnete na mesta, ki vam razčistijo nejasne točke, preskočite odstavke, ki vas ne zanimajo in tako lahko prilagodite hitrost proučevanja vašemu lastnemu sistemu študija. Poslušalec na ustni predstavitvi nima te možnosti; časovna razvrstitev, koncentracija informacije in način podajanja so povsem v rokah predavatelja. Zaradi tega je potrebno uporabiti povsem drugačno tehniko pri ustni predstavitvi snovi kakor pri pisanju referata za objavo. Priprava na vašo predstavitev Pri pripravi vaše ustne predstavitve upoštevajte tale dejstva: 1. Poslušalec je prej zasičen kot predavatelji Poslušalstvo bo poslušalo z razumevanjem le, če bo vaše predavanje skrbno časovno odmerjeno. Uporabljajte kratke stavke, govorite počasi, kakor v razgovoru ter uvajajte kratke odmore, da se lahko prebavijo pomembna dejstva posebno tedaj, če se predstavlja več težko razumljivih konceptov. Izogibajte se skrajšank in kratic razen če ste sigurni, da so te splošno poznane. V kolikor bo vaš referat simultano prevajan v katerega od drugih jezikov simpozija, govorite že zaradi vljudnosti do poslušalcev in do simultanih prevajalcev skrbno, preudarno in v znosno odmerjenem tempu. 117 5. Določitev časa z ozirom na prilagajanje sposobnostim poslušalcev, da vam slede in da v s razumejo, bo prišla avtomatično, če boste mislili tako, kakor govorite, to je, če govorite o poglavitnih.mislih v vašem referatu. Izredno važno je, da ponavljate svoj govor vključno z diapozitivi ali prosojnicami tako, da boste zagotovili gladko tekoče podajanje in da se boste držali odmerjenega časa. 6. Matematiki je težko slediti razen, ko se študira detajlno in dovolj ležerno. V kolikor pa morate uporabiti matematične koncepte, jih uporabljajte le za svojske in posebne oblike in rešitve. Prepustite poslušalcem detalj-nejšo obdelavo potem, ko bodo prečitali natisnjen referat. 7. Diapozitivi in prosojnice morajo biti enostavni in razumljivi že ob bežnem pogledu nanje. Tedaj ni časa, da bi se čitalo od strani, ni časa, da bi se odločali, kateri napis spada h kateri krivulji, ni časa, da bi izostrovali sliko z objektivom na skoraj nevidno drobne napise. Noben napis naj ne bo manjši od V20 celotne višine diapozitiva ali prosojnice. Ponavljamo - izogibajte se majhnih črk! 2. Govor ni napisan referat! Dobro napisan referat ni primeren za ustno predstavitev, pa naj bo naučen na pamet ali čitan iz natipkanega materiala. Pri predvajanju bodite čim bolj neformalni in sproščeni. Pot za dosego tega ni_, da bi čitali dobesedno iz rokopisa. Uporabljajte skrbno pripravljene diapozitive ali prosojnice in naj vam služijo te kot osnova za vašo predstavitev. Izogibajte se podrobnostim, ki so sicer bolj primerne za objavo v tisku, a jim poslušalci ne morejo z lahkoto slediti na predavanju. Podajte predvsem bistva. 3. Večina podajanj upošteva tele glavne točke: - Uvod: na kratko orišite predmet in nakažite tri ali štiri glavne teme vašega govora. - Namen: definirajte problem: zakaj ste izdelali to študijo? Zakaj je bil eksperiment izveden? Zakaj je bila naprava izdelana? Kako dobro deluje? Ali dosega rezultate, ki ste jih pričakovali? - Ogis_£_ opišite potek svojega dela izključno z vidika glavnih, pomembnih značilnosti. Preveč podrobnosti bi zbegalo poslušalce in zasenčilo vaše glavne argumente. - Rezultat - Poizkusite odgovoriti na vprašanje "kaj sem hotel doseči" in "kako je bil uporabljen rezultat mojega dela ? " - Aplikacije in razširitve: obrazložite, kako se lahko uporabijo vaši rezultati na drugih področjih in nakažite, kakšno nadaljnje delo naj bi še sledilo. To bo pomagalo, da vzpodbudite vprašanje vašim poslušalcem. Naučite se glavne značilnosti vašega referata na pamet; napišite jih in nato govorite o njih z vašimi sodelavci; govorite o njih sami s seboj; govorite o njih v magnetofon. Preverite sami resničen čas trajanja podajanja. Tedaj in le tedaj ste pripravljeni da lahko govorite o tem vašim poslušalcem. 4. Odmero časa je najbolje ugotoviti s ponavljanjem. Napišite povzetek, ki ga mislite povedati, nato ocenite čas predvajanja. Računajte na eventualno simultano prevajanje, primerna hitrost je okoli 120 do 140 besed na minuto. Uporabite magnetofon za ponavljanje; že po nekaj delnih ponovitvah boste dosegli izboljšanje. Naslov v glavi Ne več kot 6 linij s črkami, Ne več kot 6 besed za vsako linijo ALI ekvivalentno jasnost v risbah, grafih ali diagramih V_J 8. Projecirana slika diapozitivov ali prosojnic naj bo primerna velikosti dvorane, raje večja. Zaradi tega je priporočljivo uporabiti diapozitive z vodoravnim formatom slike. 9. Diapozitivi naj bodo opremljeni z označbo za pravilno o-rientacijo. Priporočljivo je uporabiti belo točko premera 5 do 7 mm, ki jo namestite v levem spodnjem kotu, če držite diapozitiv tako, da lahko napise citate. Slika kaže 118 glavne značilnosti, ki naj jih ima primeren diapozitiv. Odprtina diapozitiva je 36 x 24 mm in to z dolgo stranico v vodoravni legi. Montirani so v ohišju velikosti 50x 50 mm. Priporočljivo je, da prinesete vaše diapozitive v magazinu, po možnosti okroglem. Preizkusite vaše diapozitive ročno. V kolikor jih lahko prečitate brez projektorja ali povečevalnega stekla, lahko pričakujete, da bo projekcija nato tudi dobra. 10. Prosojnice na transparentnih folijah. Za projeciranje z grafoskopom lahko uporabljamo ali gole transparentne folije, na katere predavatelj lahko riše med predavanjem, ali pa prosojnice, ki jih izdelamo na folijah vnaprej. Dimenzija uporabne odprtine je 210 x 290 mm. Na 0,25 mm debelo ocetatno transparent-no folijo se nariše s primernimi raznobarvnimi pisali ali s tušem risbe in napiše napise. Izdelava prosojnic je možna torej tudi brez fotografskega postopka. Prosojnice se lahko tudi obarva. Predavatelj je med predvajanjem obrnjen proti udeležencem zasedanja tudi tedaj, ko razlaga risbo ali riše na folijo sam. Prednost projekcije z grafoskopom je v tem, da se lahko predvaja tudi v manj zatemnjeni dvorani. Vizualni pripomočki - uporaba diapozitivov ali prosojnic Za diapozitive velja važno priporočilo: Z avtomatom za menjavo diapozitivov naj upravlja predavatelj sam! Diapozitivi in prosojnice: V kolikor predstavlja diapozitiv ali prosojnica enostaven in en sam pojem ter je opremljen z dovolj velikimi črkami, ki se dajo lahko citati, bo izredno pripomogel k dobremu uspehu vašega podajanja. Pazite tudi na tale pravila: 1. Dajte udeležencem nekaj sekund časa, da pogledajo in proučijo projecirano sliko, predno začnete o njej govoriti. Vedite, da udeleženci ne morejo proučevati slike in poslušati vašo razlago sočasno. 2. Ne obračajte hrbta poslušalcem. Ne proučujte vašega diapozitiva in predavate hkrati. Koristno je, če izdelate spisek ali skice vaših diapozitivov iz vašega referata tako, da jih na govorilnem pultu zataknete v istem vrstnem redu, kot so nameščeni diapozitivi. Uporabite vsak diapozitiv le enkrat. V kolikor morate govoriti o istem diapozitivu v razi čnih časih vašega predavanja, uporabite posebno kopijo diapozitiva in jo namestite na pravilno mesto. To bo odpravilo tavanje in prikazovanje napačnega diapozitiva. 4. Če ste končali z razlago podrobnosti na vašem diapozitivu ali prosojnici in jih ne potrebujete vec, predvidite ali ponovno projekcijo naslova ali čakalnega diapozitiva ali prosojnice, ki naj bo obarvan s primerno barvo. To bo za udeležence prijeten predah in izognili se boste motnji, ki nastane, če se prižigajo luči v dvorani. 5. Objektiv in risba diapozitiva morata biti čista in jasna, kar se doseže z enostavno, kontrastno risbo. Barva ni vedno nujna. Edini zagovor za razumno uporabo barve je tam, kjer barve očitno povišajo vsebino informacije ali kjer usmerjajo gledalčevo pozornost na bistvo, ki ga želite poudariti. Barve so tudi koristne, če naj bi bolje razločevali na primer posamične krivulje ali če je barva sama del ideje, ki naj bo predstavljena na diapozitivu oziroma na prosojnici. V kolikor ste izdelali vaš govor in vaše diapozitive ali prosojnice po teh priporočilih, potem ste dovolj pripravljeni, da boste imeli lahko, prepričljivo predstavitev. Če boste govorili tako, kakor mislite, se bo vaš govor avtomatsko prilagodil sposobnostim poslušalcev, da ga bodo sprejeli in razumeli. Pomagalo bo tudi, če boste imeli v mislih tale priporočila, kaj storiti in kaj ne: 1. Govorite sproščeno. Na ta način bo vsak poslušalec čutil, da govorite naravnost njemu. Zaupajte mikrofonu in ozvočenju, da vas bodo udeleženci dobro slišali. 2. Ne hitite Govorite počasi. Uvajajte premore med idejami, da boste sigurni, da ste jih zares obdelali - in pustite nekaj časa, da vam bo prevajalec lahko sledil. 3. Zamislite se v vaše poslušalce in predavajte tako, kot da bi sami slišali snov prvič. 4. Pazite na fizične pogoje za dobro predstavitev: Stojte v normalni a živahni drži, dihajte globoko in re- 119 dno glejte na vaš auditorij. Zavedajte se, da so vaši poslušalci porazdeljeni po vsej dvorani in da morate z vašim pogledom kar se da naravno motriti čim bolj pogosto vse predele dvorane. 5. Prinesite vaše diapozitive s seboj v lastnem magazinu že pravilno orientirane in v pravilnem vrstnem redu ter v kaseti, označeni z vašim imenom. NE storite tega: 1. Ne čitajte pusto. Namesto tega povdarite ključne točke, važne diapozitive ali slične izbrane glavne predmete referata. 2. Ne poizkusite obdelati več kot enega ali dva bistvena predmeta. Bolje je obdelati manj bistvenih točk in te bolje, kakor pa izgubiti kontakt s poslušalstvom zaradi tega, če obdelujete preveč predmetov. 3. Ne strmite v "vesolje! ali ne glejte le v en del dvorane. Ne visite togo na govorniškem pultu in ne glejte nepremično v vaš rokopis. 4. NE UPORABITE MAJHNIH ČRK NA DIAPOZITIVIH! 5. Ne govorite "Naslednji diapozitiv prosim" - uporabljajte sami tipko za menjavanje diapozitivov. Herman Vidmar, dipl.ing. Elektrotehniška zveza Slovenije Ljubljana KAKO ZAŠČITITI NOVOSTI Marijan Stele Ker je področje industrijske lastnine, ki obsega tehnične izboljšave, patente, modele in vzorce, blagovne in storitvene znamke in označbe porekla proizvodov, slabo poznano širšemu krogu, želimo z javno objavo v vseh sredstvih obveščanja pomagati vsem bodočim inovatorjem pri njihovi ustvarjalnosti in jim hkrati omogočiti posredovanje osnovnih podatkov o pripravi, zaščiti, možnostih uresničitve in plasmana njihovih dosežkov. Javno posredovanje teh informacij je še toliko pomembnejše, ker naš izobraževalni sistem tja do visokih šol ne nudi niti najosnovnejšega poznavanja tega področja celo tistim, ki končujejo šolanje. Prav tako pa bodo informacije dobrodošle vsem, ki ne vedo, kam bi se lahko obrnili za potrebne podatke, navodila, obrazce, nasvete in pomoč pri uveljavljanju svojih zamisli in rešitev. Organizacije, ki se v Sloveniji ukvarjajo s to dejavnostjo, lahko nudijo potrebne podatke o patentni zaščiti v posameznih domačih in tujih podjetjih v Jugoslaviji in svetu, patentne in druge dokumente, preverijo, ali je novost že zaščitena, in katere rešitve so nove na sorodnem področju. Poznavanje znanih rešitev v ¿adnjem obdobju in načina ter obsega zaščite je največkrat bistveno za uspeh pri pridobitvi zaščitne pravice. Iz analize podatkov na področju industrijske lastnine je moč razbrati razvojne usmeritve, opuščanje posameznih področij proizvodnje in opreme, poslovne in tržne interese, možnosti kopiranja izdelkov in uporabe tujega znanja. Prav zato je danes postalo poznavanje iskanja in analize informacij na področju industrijske lastnine osnova za razvoj novih proizvodov in tehnologij in načrtovanje raziskav ter usmerjanje inovativne dejavnosti na področja, ki so tržno zanimiva in proizvodno uresničljiva v svoji sredini in v delavnem okolju. Oblike zaščite so: KORISTNI PREDLOGI Za vzpodbujanje in kreativno aktiviranje je zelo primerna akcija nagrajevanja vsakega predloga, ki predvideva spremembo obstoječega stanja. Predlogi so lahko pozitivni ali negativni in služijo posameznim službam za analizo in nadaljnje razvijanje dobrih predlogov, ki naj se v praksi dvojno stimulirajo. V praksi se je pokazalo, da je ta način zelo primeren za vzpodbujanje ljudi in prav nikjer niso bili stroški nagrajevanja večji od prihrankov (na primer na Japonskem + 68 %, ZRN + 46 %, Avstrija + 44 %, ZDA + 38 % v korist prihrankov). Zanimivi so poskusi s krožki z ustnimi predlogi, ki se beležijo in se vrednotijo s povečanjem vrednosti točke. Pri nas so v vseh delovnih organizacijah, ki so to uvedle, zaznali dvakratno do petkratno povečanje inventivne dejavnosti. 120 TEHNIČNE IZBOLJŠAVE To so vse oblike racionalizacije dela, ki nastanejo z znanimi delovnimi sredstvi in postopki, vendar s končnim rezultatom v povečanju dohodka, izboljšanju kvalitete, prihranka energije, materialov, časa izdelave, izboljšanje izkoriščenosti opreme, kontrole proizvodov, varstva pri delu in okolja. Tehnične izboljšave ne zajemajo rutinska dela in delovanje opreme in sredstev. Za razlikovanje med delovno dolžnostjo in inovacijo je pomembno, če je bila za načrtovani razvoj odprta delovna naloga, ki je nakazovala rešitev in imela evidentirane stroške za pripravljalna dela pred rešitvijo. V nasprotnem primeru je inovator, če delovna naloga ni bila v okviru njegovega stalnega in rutinskega delokroga, v vsakem primeru upravičen do prijave tehnične izboljšave. Le-to je dolžan pismeno prijaviti svoji DO z opisom, podatki ali risbo ter predlogi za njeno uporabo in opisom prednosti pred obstoječim stanjem. DO mu mora pomagati pri realizaciji priprave nove rešitve in jo v 3. mesecih tudi preiskusiti in avtorja pismeno obvestiti, ali rešitev sprejema ali ne oziroma pojasniti, da ta tehnično ni izvedljiva. Če rešitev sprejme, jo mora uporabiti v roku 1. leta in obvestiti o tem regionalno gospodarsko zbornico, drugače pa je je na razpolago vsem DO v državi, kar velja tudi, če DO re.šitev zavrne. Avtor je upravičen do posebnega plačila za njeno uporabo največ za 5 let od začetka njene uporabe. Višina plačila je odvisna od ustvarjenega povečanega dohodka ali zmanjšanja stroškov, ali izgube z njeno uporabo, ki je običajno določena s pogoji v samoupravnem splošnem aktu DO, ne sme pa biti manjša (v praksi je od 0,5 do 3 % povečanega dohodka). Če teh samoupravnih aktov DO nima, jih mora urediti v 6 mesecih po prejemu 1. tehnične izboljšave. Med DO se prodaja tehnične izboljšave uravnava s samoupravnim sporazumom. Pri tem je zelo pomembno, da lahko avtor in DO odpreta delovni nalog in evidentirata stroške pri pripravi in realizaciji, ki ju vključita v svoje zahtevke. To je še posebno pomembno, če pride do spora, ki ga rešuje sodišče združenega dela. Regionalne gospodarske zbornice, ki jim morajo DO javljati vse uporabljene in zavrnjene rešitve, morajo le-te nuditi vsem OZD in delavcem v državi z osnovnimi podatki. Tehnična izboljšava je tudi rešitev, ki ji ni podeljena patentna pravica, ki pa izpolnjuje eneg; od zahtevkov in povečuje dohodek. Pri nas je zabeleženih le majhno število tehničnih izboljšav. Večina regionalnih gospodarskih zbornic nima zbranih podatkov. Na področju trženja deluje organizacija NO-VUM v Ljubljani in posamezne institucije, DO in poslovne skupnosti, ki vključujejo izboljšave v svojo ponudbo. Predvidena je računalniška obdelava in pregled ponudbe in povpraševanja po inovacijah pri ITEO-ju v Ljubljani. Osnovna navodila daje avtorjem Regionalni center za patente v SRS, strokovno pomoč pa Patentna pisarna v Ljubljani. PATENT To je izum, s katerim se zavaruje novo rešitev tehničnega problema, ki je tehnično izvedljiv in se da uporabiti v industrijski proizvodnji ali drugi dejavnosti in če ni zajet v znanem stanju tehnike. To pa pomeni, da pred prijavo ni bil objavljen in prikazan ali uporabljen (razen na sejmu v roku 3 mesecev), če je vsebinsko podoben drugi patentni prijavi. Ne more se patentirati kemičnih proizvodov, zlitin, farmacevtskih in živilskih izdelkov, gnojil in zaščitnih sredstev, jedersko gorivo, naprav in sredstev za varstvo, zmesi več snovi, rastlinskih, živalskih vrst in bioloških postopkov ter izumov, ki nasprotujejo morali in zakonu. Patent velja od dneva priporočene prijave Zveznemu zavodu za patente v Beogradu z vplačano takso 72 din s potrdilom o zaposlitvi v DO ter za študente in upokojence. Po 18 mesecih je javno objavljena prijava in v roku 4 let je treba vložiti zahtevo za preizkus preveritve, če gre resnično za patent in mora pri tem vplačati 1.000.- din. Ob tem mora avtor ali zastopnik plačati še takse za objavo patentne prijave, tiskanje patenta in za trajanje patenta -skupni stroški znašajo povprečno 1.500.- din, za privatnike pa 15.000.- din. Patent traja 7 let od dneva objave (18 mesecev po prijavi). Avtorju pripadajo vse pravice, ko mu je patent podeljen, vendar pa so mu priznane od dneva, ko je patent prijavil. Žal je ta rok pri nas 4-7 let, v tujini pa 2 - 3 leta. Ce se patent uporablja in zadošča za potrebe pri nas, se lahko podaljša ob plačilu takse še za 7 let. 121 Izumitelj je dolžan po zakonu patent najprej prijaviti v SFRJ, nato pa ga lahko prijavi v roku 12 mesecev še v drugih državah. Izumitelj lahko zahteva ob plačilu dodatne takse 12,- din objavo patentne prijave že po 3. mesecih, da tako skrajša postopek podelitve patenta. Zaupni izumi se ne objavljajo, avtor pa dobi zanje enkratno odškodnino. Ce prijavitelj napačno vloži prijavo, mu ZZP določi rok za popravek (običajno 3 mesece). Vsakdo lahko ugovarja podeljeni patentni pravici ves čas trajanja patenta od objave prijave preko pristojnega sodišča. Izumitelj ima pravico do posebne nagrade tudi v primeru, če se v OZD patent ne uporablja, a je bil ustvarjen v njej in tudi, če se izum izkorišča, pa ni mogoče določiti njegovega vpliva na povečanje dohodka. MODEL IN VZOREC Z modelom se zavaruje nova zunanja oblika industrijskega ali obrtnega izdelka ali njegovega dela. Z vzorcem se zaščiti nova slika ali risba, ki jo lahko prenesemo na določen izdelek ali njegov del. S to obliko zaščite ne moremo zavarovati fotografskih in kartografskih del, tehničnih načrtov in skic, grbov ali stvari, ki nasprotujejo zakonu in morali družbe. Zaščita modela in vzorca traja 5 let od dneva prijave z možnostjo podaljšanja še za 5 let, če zadovoljuje;'potrebe domačega trga. Prijavo je treba na izpolnjenem obrazcu s priloženim opisom, sliko, risbo, skico ali fotografijo oblike priporočeno prijaviti pri ZZP v Beogradu in vplačati takso 42.- din za posameznike s potrdilom o zaposlitvi, študente in upokojence. OZD in privatniki plačajo 280.- din. Pri zaščiti je pomembno navesti področja mednarodne klasifikacije vzorcev in modelov, na katerih se ti ščitijo, saj velja zaščita le za navedena področja. Pred zaščito v tujini je potrebna prijava v SFRJ. Izumitelji dobijo osnovna navodila in obrazce pri ZZP, na Regionalnem centru SRS, strokovno pomoč priprave in pri vodenju postopka pa v Patentni pisarni. Pri Regionalnem centru SRS je v pripravi računalniška obdelava podatkov o zaščiti modelov in vzorcev po področjih in predmetih zaščite, državah in podjetjih. BLAGOVNA IN STORITVENA ZNAMKA (ŽIG) Z njo se zavaruje znak, ki je v prometu namenjen za ločevanje blaga in storitev iste ali podobne vrste. Znak je lahko v obliki slike, risbe, besede, izraza, vinjete, šifre, skrajšanke, kombinacije znakov in barv. Enak ali podoben znak lahko uporablja druga organizacija ali oseba, vendar za drugo vrsto proizvodov. Združenja lahko zaščitijo kolektivno znamko, ki jo lahko uporablja več DO. Trajanje žiga ni omejeno, če se uporablja. Prijavo znamke je potrebno priporočeno prijaviti ZZP na izpolnjenem obrazcu ob plačilu takse 420. - din ter predloženem klišeju in odtisku, ob kolektivni znamki pa tudi samoupravni akt o združevanju DO. Pomembno pri prijavi je to-čno navesti vse vrste blaga po mednarodni klasifikaciji blaga in storitev, za katere velja zaščita. Pred zaščitenjem znamke v tujini jo je potrebno najprej zaščititi pri nas, v roku 6 mesecev pa v tujini. S tem se pridobi prednostna pravica. Preko ZZP v Beogradu se lahko znamka zaščiti pri Mednarodnem biroju za zaščito industrijske lastnine v Ženevi, in velja zanjo hkrati zaščita v 23 državah. Osnovna navodila in obrazce dobijo prijavitelji pri ZZP Regionalnem centru SRS, strokovno pomoč pri pripravi in vodenju postopka pridobitve zaščitne pravice pa v Patentni pisarni v Ljubljani. OZNAČBA POREKLA PROIZVODA Označba zavaruje in ščiti zemljepisno poreklo in ime proizvoda, katerega lastnosti so odvisne od kraja ali območja, kjer je izdelan, če so te lastnosti posledica podnebja, tal, naravnih značilnosti ali če je ime nastalo zaradi tradicionalne, dolge uporabe (naravni proizvodi, kmetijski pridelki, domača obrt, industrijski in obrtniški značilni proizvodi). Področja in pogoje, kjer velja ta oblika, določi GZ Jugoslavije na predlog republiških ali pokrajinskih zbornic. Uporabljati jo smejo le proizvajalci in trgovci, ki so vpisani v register pri ZZP. 122 Navodila in osnovne informacije o tem dajejo ZZP, gospodarske zbornice republik in Regionalni center za patente SRS. PRILOGA Pri nas se ukvarjajo s patenti: 1. Zvezni zavod za patente, Uzun Mirkova 1, Beograd (tel. 011 636 466, preiskave o zaščiti, prijavljanje, podeljevanje, dokumentacija). 2, Regionalni center ZZP v SRS, Parmova 33, Ljubljana (tel. 061 316 525, dokumentacija, navodila, svetovanje, preiskave o zaščiti) 3. Patentna pisarna, Čopova 14, Ljubljana (tel. 061 217 012 , prijave in vodenje postopkov zaščite) 4. Informacijski center, Kardeljeva ploščad 17, Ljubljana (tel. 061 344 189, naslovni računalniški podatki, statusne in zaščitne preiskave) Ing. Marijan Štele Poslovna skupnost za svetovanje Ljubljana PROGRAM SIMPOZIJA SD-85 Pavle Tepina Ponedeljek, 7. oktobra 1985 GR 15.00 - 19.00 Dvorana A Predsednik: R. Ročak OTVORITEV F. Jan, Iskra IEZE - TOZD HIPOT Šentjernej TEHNOLOGIJA POVRŠINSKE MONTAŽE ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV E. Kansky, IEVT, Ljubljana ZAKAJ RAZVOJI ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV ZAMUJAJO ODMOR Predsednik: F. Jan D. Ročak, Institut J. Štefan, Ljubljana F. Jan, Iskra IEZE - TOZD HIPOT, Šentjernej PREISKAVE KVALITETE POLIMERNIH ZAŠČIT ZA DEBELO-PLASTNA VEZJA M, Hrovat, D. Ročak, Institut J. Štefan, Ljubljana M. Gorišek, Iskra IEZE - TOZD HIPOT, Šentjernej SPREMEMBE UPORNOSTI DEBELOPLASTNIH UPOROV PO STARANJU G. Prajdič, RO RIZ IETA, Zagreb FOTONAPONSKI PRETVARAČI IZRADJENI TEHNIKOM DE-BELOG FILMA O. Aleksič , D. Djakovič, D. Todorovič, Institut bezbedno-sti, Beograd P. Nikolič, Elektrotehnički fakultet, Beograd PRORAČUN OTPORNIKA U DEBELOM FILMU POMOČU NO-VOG INTEGRALNOG EGET MODELA V. Pantovič , M. Radulovič , EI-IRI, Beograd PROMENE DEBLJINA SLOJEVA U TOKU SINTEROVANJA DEBELIH SREBRNIH SLOJEVA N. Strižak, RO RIZ IETA, Zagreb UTJECAJ HIBRIDNE MIKROELEKTRONIČKE TEHNOLOGIJE NA RAZVOJ TEHNOLOGIJE POVRŠINSKE MONTAŽJi ELEME-N.ATA A. Banovec, K. Požun, M. Kern, IEVT, Ljubljana M. Zgonik, Avtomontaža-TOZD Tovarna grelnih naprav, Ljubljana TANKOPLASTNI VERIŽNI TERMOELEMENT NiCr/Ni T. Sladic, R. Ročak, Iskra-DO Mikroelektronika, Ljubljana NOSILCI TABLETK, MODERNA OHIŠJA MIKROELEKTRONSKI H VEZIJ ZA POVRŠINSKO MONTAŽO Torek, 8. oktobra 1985 GR 08.30 - 12.30 Dvorana C Predsednik: S. Rundič M. Djokič, M. Damjanovič, VTI , Beograd S. Rundič, TOC , Beograd VREDNO VANJE VIŠEPARAMETARSKOG IZBORA POLUPRO-VODNIKA ZA PROFESIONALNE UREDJAJE Z. Žemljic, Iskra IEZE, Ljubljana ELEKTRONSKI ELEMENTI OCENJENE KAKOVOSTI PO SISTEMU IS 9000 M. Komljenovič, R. Cajavec, Banja Luka S. Širbegovič, Elektrotehnički fakultet, Banja Luka TESTIRANJE, IZBORI ODREDJI VANJE EKVIVALENATA TRANZISTORA UZ POMOČ RAČUNARA D. Vučenovič, S. Golubič, N. Tesla, Zagreb FUNKCIONALNO ISPITIVANJE INTEGRIRANIH SKLOPOVA VISOKOG (LSI) I VRLO VISOKOG (VLSI) STUPNJA INTEGRACIJE S. Juras, N. Tesla, Zagreb ISPITI VANJE EPROM-ova S OSVRTOM NA UZROKE KVARO-VA I NJIHOVO OBRAZAVANJE NA RAD INTEGRIRANOG SKLOPA Z.S. Nikolič, Elektronski fakultet, Niš JEDNO REŠENJE INFORMACIONOG SISTEMA KONTROLE KVALITETA POLUPROVODNIČKIH KOMPONENATA ODMOR Predsednik: M. Slokan M. Dvoršek, Iskra IEZE - TOZD Keramika M. Kosec, Institut J. Štefan, Ljubljana 123 DONORSKO SUBSTITUI RANA PZT KERAMIKA - MIKRO-STRUKTURA IN ELEKTROMEHANSKE LASTNOSTI S. Besenič ar5 M, Drofenik, Institut J. Stsfan^ Ljubljana LASTNOSTI NiZn FERITOV PRIPRAVLJENIH S SINTRANJEM POD PRITISKOM W. Wlosinski, Welding Departement, Varšava, Poljska CHARACTERIZATION OF CERAMIC TO METALS SEALS BY INTERFAC ES M. Limpel, Iskra IEZE - TOZD Feriti, Ljubljana Mn-Zn FERITI ZA MOČNOSTNO ELEKTRONIKO B. Navinšek, M. Peternel, Institut J. Štefan, Ljubljana ELEKTRIČNE LASTNOSTI , STABILIZACIJA IN TOPOGRAFSKA ANALIZA NAPRŠENIH ICROMOVIH PLASTI R. Ramovič, D. Tjapkin, V. Obradovič, Elektrotehnički fakultet, Beograd RASPODELA TEMPERATURE U PIN-DIODI IZLOŽENOJ MIK-ROTALASNIM IMPULSIMA M. Radovic, Filozofski fakultet, M. Pejovič, Elektronski fakultet, B. Živkovič, Medicinski fakultet, Niš JED NA APROKSIMATIVNA METODA ZA ODREDJI VANJE STATIČKOG PROBOJNOG NAPONA Torek, 8. oktobra 1985 GR 15.30 Kinodvorana Letna skupščina SSESD Ustanovni občni zbor Društva za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale B. Navinšek, M. Peternel, Institut J. Stefan, Ljubljana UPOROVNE KOMPONENTE V TANTALOVI TEHNOLOGIJI NA RAVNIH KERAMIČNIH SUBSTRATIH F. Friedrich, M. Jakič, S. Pejovnik+, Iskra-Industrij a baterij, Kemijski institut "B. Kidrič", Ljubljana SINTEZA IN KARAKTERIZACIJA KATODNIH NOSILCEV ZA Li/SOCl2 BATERIJE Torek, 8. oktobra 1985 GR 08.30 - 12.30 Dvorana B Predsednik: D. Kolar F. Skripin, I. Ščerba, M. Ristič, Univerzitet Beograd, Centar za multidisciplinarne študije OPTIČESKIJE SVOJSTVA I ENERGITIČESKAJA STRUKTURA OKISI NIKELJA I DUOKISI VANADIJA I. Ščerba, J. Dutčag, M. Koterlin, O. Babič, F. Skripnik L. Anatasoska, M. Ristič, Univerzitet Beograd, Centar za multidisciplinarne študije ELEKTRONOE STROJENJE, FIZIČESKIJE SVOJSTVA I RENT-GENOVSKI JE SPEKTRI SOEDINJENJA TIPA R.E.M Si Z. Nikolič, Elektronski fakultet, Niš M. Ristič, Centar za multidisciplinarne študije, Beograd PRILOG PROUČAVANJU KINETIKE RASTA VRATA TOKOM PROCESA SINTEROVANJA Z. Nikolič, Elektronski fakultet, Niš M.M. Ristič, Centar za multidisciplinarne študije, Beograd PRILOG UOPŠTA VAN JU DIJAGRAMA ODMOR N. Cvetkovič, M. Dragojevič-Nešič, ROGalenika, Beograd M. Ristič, Institut tehničkih nauka SANU, Beograd KINETIKA I MEHANIZAM SINTEROVANJA PMMA N. Novakovič, Filozofski fakultet, Niš S. Stojilkovič, Elektronski fakultet, Niš NEKE TRANSPORTNE OSOBINE PLAZME U SMEŠI KSENONA I CELZIJUMA Z. Pavlovič, S. Djordjevič, RO EI-Poluprovodnici, Niš STRUJNO POJAČANJE DARLINGTON TRANZISTORA SNAGE Sreda, 9. oktobra 1985 GR 08.30 - 12.30 Dvorana C Predsednik: E. Pirtovšek P. Sega, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana SENZORJI - STANJE PRI NAS IN TRENDI M. Hrovat, S. Maček, InstitutJ. Stefan, Ljubljana D. Belavič, Iskra IEZE - TOZD HIPOT, Šentjernej DEBELOPLASTNI SENZOR ZA MERJENJE PRETOKA TOPLOTE M. Tasevski, A. Trčelj, M. Pohl, IEVT, Ljubljana MERITVE POLPREVODNIŠKIH LASTNOSTI HgCdTe SENZORJA B. Lavrenčič, J. Polanec, A. Kandušer, P. Cevc, Institut J. Stefan, Ljubljana PIROELEKTRIČNI DETEKTOR INFRARDEČEGA SEVANJA I. Pečenko, J. Mihelič, Iskra Avtomatika - TOZD Razvojni institut, Ljubljana MINIATURIZACIJA BREZKONTAKTNIH INDUKTIVNIH STIKAL B. Wagner, D. Kohlenbrand, S. Salem, Iskra, Tovarna žarnic, Ljubljana E. Kansky, V. Nemanič, IEVT, Ljubljana ELEKTRO LU MINISC ENTNI PA NEL R. Tavzes, IEVT, Ljubljana HERMETIČNI RELEJI L. Kol 1er, IEVT, Ljubljana TANKOPLASTNI POTENCIOMETERS ŠČETKASTIM DRSNIKOM M. Jenko, IEVT, Ljubljana VAKUUMSKO DIFUZIJSKO KROMIRANJE MEHKEGA ŽELEZA ZA RELEJE T. Korica - SO UR RIZ - RO IETA, Zagreb PROJEKTIRANJE I MJERENJE MA.GNETSKIH MATERIJALA ZA PRI MJENU U ELEKTRONI CI ZAKLJUČEK Pavle tepina ,dipl.ing . SSESD Ljubljana INSTITUT HTM OOUR institut za mikroelektronske tehnologije i monokristale SILICIJUMSKE PIN FOTODIODE < tO TSR DLOGE < < z z — >*/> — CK !— > ÜJ 2 < > o — z z o Q Q- z o z CD O O 0- STRUJA MRAKA OSETLJIVOST (A/W) NEF iiO-12wA/Fte) KAPACI -n VNOST VREME US POSTAVLJANJA 50 A (nS) STEPEN RAZVOJA PRIMEDBA ߣ > o a. M O < a. < a. < < K Z cc < a. z ! n A) 809 n m 10S0nm 900nm 1060 rim ! pF) (mm2) IV) (V) TIP MAX T l P MIN TIP MSN , TIP MAX TIP MÄX TIP MAX FD08N N 0.8 TO-18 45 ioo 10 50 0.80 OSO 0.15 0.10 <0.1 0.5 <0.4 2 2.5 3 3W AS«.Ott"GjiQ t „ '„ „ r'jü *-g '-z.^ •"•■ja FOSN N 5 TO-5 45 100 30 100 0.60 0.50 0.15 0.10 <0.15 0.7 <0.5 3 8 10 fics>SroftG .-.icisoc-rij'jl-a p'o'2-.-: /njn FD 30 N H 80 10-25mm 45 100 300 1200 0.60 0.50 0.15 0.10 1 4 4 16 70 120 10™ Urodjeria pr®404i- pska partija FD5P P 5 TO-5 200 250 30 150 0.60 0.50 045 0.40 <0.15 1.0 <0.25 1.5 2.5 3