LJUBLJANA, JUNIJ 1988, LETNIK-GODINA 18, STEVILKA-BROJ 46 INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelektroniko, Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sestavne dele in materiale elektronske sastavne delove i materijale. Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Tehnični urednik Tehnički urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Člani izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Tajnik-sekretar Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Tajnik-sekretar Podpredsednik Naslov uredništva Adresa redakcije Iztok Sorli, dipl. ing. Janko Čolnar Mag. Rudi Babič, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Mag. Milan Slokan, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodniki, Trbovlje Mr Željko Butkovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. — VTI, Beograd Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl. ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dip. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr. Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra IEZE, Ljubljana Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl. ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. — Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886, (061) 329-955 Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM besplatno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2.1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 700 izvodov Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2.2.1979 publikacija je oslobodena plačanja poreza na promet. Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 700 komada VSEBINA-SADRŽAJ R. Ročak: Raziskave in razvoj v mikroelektroniki potrebujejo proizvodnjo 80 M. Maček: Intrinzično getranje in inženiring defektov 81 L. Tronteij, J. Tronteij, S. Zorman: Komplementarna unipolarna tehnologija na siliciju z najmanjšimi razsežnostmi v mikrometrskem področju 90 J. Benda, M. Cergolj : Metaloksidni varistorji 95 A. Demšar: Merjenje hrapavosti površin, primerjava eiektromehanskih profilometrov Talystep in Alphastep 102 R. Vrlinič, D. Sašek : Razvoj 8 bitnega mikroprocesorskega krmilnika za vodenje procesa navijanja kondenzatorjev in nadzor merilne opreme -106 V. Milutinovič: Microprocessor Architectur and Design for GaAs Technology (povabljeni referat MIEL-88) 108 M. Kevorkijan: Zaključni komentar 112 H. Radonjič: Nastava o materijaiima na Tehnološkom fakultetu u Novom Sadu 112 T. Džekov: Za zastapenosta na fizičkite i tehnološkite osnovi na elektronikata na našite elektrontehnički fakulteti 114 M. Tronteij : Izobraževanje za področje keramike 117 XVI. jugoslavensko savjetovanje o mikroelektronici MIEL-88, Komentar 118 J, Čupurdija: Izvještaj o organizaciji konferencije MIEL-88 118 V. Sriča : Govor na otvorenju MIEL-88 119 S. Ursič -Izvještaj o programskom dijelu konferencije 121 M. Gojo: Izložba ' 121 R. Ročak : Podelitev priznanj društva MIDEM za leto 1988 122 P. Tepina: XXXII. Jugoslovanska konferenca ETAN 123 M. Živanov : Kratak izveštaj sa tribine „Korak u 21 vek sa mikroelektronikom" 123 Predstavljamo sponzorje MIDEM A. Rožaj-Brvar - Iskra Center za elektrooptiko 124 S. Sulčič - MIPOT 124 Obletnice jubileji 125 Novi člani MIDEM 127 Vesti 127 Obvestilo o knjigi CEOK 132 Koledar prireditev 1988-1989 133 Jugoslovanski terminološki standardi 134 0 xi M 5 + OitUUi \ . i VI* N ' f-^ovh O-. Ni V _ - . , A s o> C C ^ C CL? G G (L I r~~* ° / Jfes /¿> o i O / o 1 % 80 RAZISKAVE IN RAZVOJ V MIKROELEKTRONIKI POTREBUJEJO PROIZVODNJO Ob zaključku letošnjega posvetovanja MIEL - 88 v Zagrebu sem moral povedati nekaj sklepnih misli. Vedno mi je težko takoj po nekem dogodku opisati vtise o njem. Tako je bilo tudi tokrat v Zagrebu. Po mesecu dni pa ugotavljam, da mi je takratna sprostitev spontanih občutkov pomagala Izraziti misel, ki je ostala v meni do tega uvodnika. Kaj je pokazalo letošnje posvetovanje MIEL? Naši raziskovalci na področju polprevodniških tehnologij in načrtovalci mikro-elektronskih vezij ne zaostajajo za svojimi kolegi iz tujine, niti v metodologiji dela, niti marljivosti, niti v profesionalnosti svojega nastopa. Vendar je v nečem bistvena razlika. Naši jugoslovanski rezultati so ustvarjeni v daleč težjih pogojih dela. Aktualnost rezultatov pa na žalost, vsaj za tiste, ki niso iz silicijeve doline, postaja vprašljiva. Kaže se, da aktualnost dosežkov za JUGOSLOVANSKO POL-PREVODNIŠKO INDUSTRIJO ni več niti blizu aktualnosti dosežkov polprevodnike tehnologije v svetu. Je to morda čudno ob zanemarljivem investiranju v El, RIZ in Iskri in ob upadanju mikroelektronske proizvodnje že ob tako najmanjši instalirani kapaciteti, ki sem jo imel priložnost videti v Evropi? Mnogi so bili presenečeni ob obisku Mihaila Gorbačova v Iskri. Ob, zanj pripravljeni razstavi Iskrinih dosežkov, je predvsem vpraševal in se zanimal za to, kako stojimo z mikroelektroniko (glej glasilo ISKRA). Čuden je ta današnji svet. ko se Američani, znani „moneymakeri" ukvarjajo s tako „ekonomsko nezanimivo stvarjo", kot je mikroelektronska proizvodnja, ko si majhne dežele, take. da jih 4 postaviš na zemljevidu na jugoslovanski del Balkana, zgradijo mikoelektronske proizvodnje za nekaj desetiških potenc večje od naše „sjedinjene poluvodičke zajednice". Alije možno še nadalje na tako trhlo zgradbo „baze" postavljati znanstveno, raziskovalno streho „nadgradnje"? Bo ta streha še kaj podobna ostalim? Ne bo kmalu preveč izmaličena zaradi izgleda zgradbe? Bo kdo našel opravičilo za razvojne milijardne izdatke, ki bodo uporabni samo v inozemstvu? Zato moja misel ob zaključku posveta, da se morajo tudi raziskovalci boriti za čimboljšo polprevodniško industrijo, za proizvodnjo. R. Ročak Predsednik Društva MIDEM 81 M. Maček 1. UVOD Pol prevod niške tehnologije, še zlasti izdelava integralnih vezij (IVj, doživljajo vzadnjih nekaj letih nesluten razmah. Število integriranih aktivnih elementov se je v drugI polovici 80. let povzpelo še do nedavno komaj slutenega obsega in znaša pri spominskih vezjih že krepko prek 1 miljona. Tudi vezja po naročilu sledijo temu trendu, seveda v nekoliko manjši meri; po drugi strani pa se postavljajo za ta vezja, zlasti še za analogna, vedno hujše omejitve glede nekaterih drugih parametrov. Vzporedno z zniževanjem dimenzije načrtovanih elementov so se ustrezno nižale debeline diele-ktričnih plasti in globine spojev, kar je postavilo oblikovalce procesov pred nove, do nedavnega slabo poznane probleme zanesljivosti tankih oksidov in p-n spojev. ,Že iz zgodovinskih časov ^ je dobro poznan vpliv kristalnih defektov v substratu in to tako onih prisotnih v startnem materialu (pri današnji kvaliteti Si rezin skoraj nepomembno), kakor tudi tistih, ki nukleirajo in rastejo med termičnim procesiranjem, na izplen vezij ^ ter na kvaliteto in zanesljivost tankih dielektričnih plasti p-n spojev in na življenjske čase nosilcev nabojev Škodljivi so seveda samo tisti defekti, ki leže v osiromašenem področju aktivnih gradnikov integriranega vezja, to je na določenem delu površine rezine. Shematično je pozicija neškodljivih in škodljivih kristalnih defektov za LSI in VLSI proces prikazan na sliki 1. Po drugi strani pa je tudi poznano, da imajo lahko defekti locirani v notranjosti, na hrbtni strani in tudi na čelni strani izven osiromašenih področij aktivnih elementov, pozitiven vpliv in se izkoriščajo za getranje, ki je lahko: INTRINZIČNO pri katerem izkoristimo defekte nastale med termičnim procesiranjem (pre-cipitati SiOx, dislokacijske zanke in napake zloga) v notranjosti rezine kot mesta za getranje neželenih kovinskih nečistoč. EKSTRINZIČNO ko getramo nečistoče na namerno ustvarjene defekte na čelni ali hrbtni strani (difuzija fosforja, mehanski defekti „soft dama-ge", implantacija Ar na hrbtno stran, lasersko pre-taljevanje hrbtne strani rezin, depozicija ShN4 ...). s VLSI t ' I I « li.... t •» I .... Č3 -O-Q I2Q C3T JS3 ' / f ^ ' p ca i^i tižr P f / / '. £3 JC3 ' * t ° * - / ' (a) LSI fi JlJ\^_II < 7 (b) VLSI L LSI TUJ Slika 1: Efekt defektov (2) v substratu na VLSI (a) in na LSI (b) vezju. Defekti, označeni s puščico, sekajo osiromašeno področje in prispevajo k puščanju. Efekt defektov, označenih z dvojno puščico, je odvisen od globine spoja, kar vidimo na sliki c. Po drugi strani lahko z defekti v notranjosti tudi kontrolirano zmanjšujemo življenjske čase nosilcev naboja in na ta način povečujemo odpornost proti Jatch-up" efektu 2. VPLIV DEFEKTOV NA IZPLEN IN Najdirektnejši vpliv defektov na izplen opazimo zaradi zvijanja rezin (warp) po termičnih operacijah in s tem povezanim odklonom površine rezine od idealne fokalne ravnine med postopkom preslikave. Za sodobne projekcijske poravnalnike nekako velja, da je maksimalna dovoljena devi-acija manjša od ~2.5xDmln (2). Posledica prekomernega zvijanja se tako pokaže v nekvalitetni preslikavi (moščenja, neodprti kontakti ..) in s tem povezanimi defekti v SUPERSTRUKTURI vezja, kar ima vpliv na funkcionalne napake, prekomerno porabo itd., ali pa v obliki defektov v SUBSTRATU zaradi njegove plastične deformacije, kar se 82 lahko odraža vfunkcionalnih odpovedih, povečani porabi in v slabši zanesljivosti. Odpornost rezin nasproti zvijanju je odvisna v največji meri od koncentracije intersticijalnega kisika (večja ko je koncentracija, večja je odpornost), od deleža spre-cipitiranega kisika i12'13'14), Qd mikrostrukture defektov v notranjosti, vedno večjo pomembnost pa dobiva tudi nadzor nad koncentracijo dušika in ogljika saj se s povečano koncentracijodušika povečuje odpornost rezin na zvijanje. Na sliki 2 so prikazane eksperimentalno dobljene krivulje za prepustno napetost („yield stress") in precipi-tacijo kisika in FZ rezine dopirane z dušikom, ki nam zgornje navedbe najlepše komentirajo. Slika 2: Eksperimentalne krivulje za po-pustno napetost „yield stress" in precipita-cijo kisika |1"! kot funkcija popuščanja na 1050°C in različno koncentracijo Intersticio-nalnega kisika (D: 9E17 in C: 5.5E17/cm3). NFZ pomeni z dušikom (5.4E15/cm3) dopiran FZ silicij. Vendar na splošno velja, da se da s pazljivim načrtovanjem termičnih operacij zvijanje skorajda preprečiti, držati se je potrebno le dovolj nizkih temperatur vlaganja in izvlačenja rezin, ki naj ne presegajo 850°C, kakor so predlagali Andrews in soavtorji(16). Navedena temperatura se tudi lepo ujema s temperaturo 800°C na kateri se Si razine začno plastično deformirati Defekti v substratu zanimivi s stališča polvod-niških tehnologij se delijo na točkaste defekte (in-tersticijali, vakance, kemijske primesi), linijske (ra- zne vrste disiokacij in njihovih kompleksov), ploskovne (napake zloga) in na volumske pod katerimi zajemamo vse vrste precipitatov, ki pa so v bistvu gruče bolj, ali manj urejenih intersticialnih defektov, Kristalni defekti so sami po sebi v določeni meri električno aktivni, njihova škodljivost pa se močno poveča z dekoracijo s težkimi kovinami (glej na primer Defekti lahko povzroče trenutno odpoved vfunkcionalnem smisluali pa povzroče preveliko porabo določenega vezja, oz. povzroče poznejšo odpoved. Vzrok leži v lokaliziranih generacijskih tokovih, če defekti ieže v osiromašenem področju ali pa v povečanem reverznern toku zaradi pojava lokalno okrepljenih difuzij („diffusion spikes"). 3. INŽENIRING DEFEKTOV Kot je že bilo omenjeno, so defekti lahko škodljivi in neškodljivi, oz. celo koristni. Zato se je v zadnjem času razvila posebna veda, tako imenovani INŽENIRING DEFEKTOV. Njegova vodilna ideja je na osnovi poznavanja tvorbe in vplivov defektov doseči optimalno defektno strukturo substrata, ki bo zagotavljala: BREZDEFEKTNO POVRŠINSKO PLAST, oz. denudirano cono (DZ) globine 2-3x večje od največje globine osiromašenih področij kar znaša tipično okrog 20 ¡xm za sodobne procese CMOS. V njej naj ne bo ne precipitatov kisika, kakor tudi ne ostalih kristalnih defektov. OPTIMALNO KONCENTRACIJOlN STRUKTURO DEFEKTOV v notranjosti rezine (19-2a21), katerega namen je optimizirati možnost internega getranja pri optimalni odpornosti rezin na zvijanje. Zahtevi po čim boljšem getranju in odpornosti proti zvijanju sta si namreč nasprotni pa tudi zahteva po lepo denudirani površini je mnogokrat v nasprotju z željo po čim uspešnejšem getranju in je potrebno poiskati kompromis med nasprotujočimi si zahtevami. Primer dobro načrtovane defektne strukture notranjosti rezine s pozitivnim vplivom na izplen je prikazan na sliki 3. Preden pa se lahko lotimo inženiringa defektov si moramo razčistiti osnovne pojme o najvažnejših intrinzičnih in ekstrizičnih defektih v Si kristalu, pomembnih s stališča inžineringa defektov, kakor tudi na delovanje in zanesljivosti vezij. Defekti so lahko točkasti, linijski (razne oblike dislokacije), ploskovni (tipičen primer so napake zloga), ali pa volumski, od katerih so najpogostejši razni pre-cipitatl, oz. gruče točkastih defektov. 83 Slika 3: a) primer močno dekorirane napake zloga v procesu CMOS: b) primer heksagonalnega precipitata obdanega z dekoriranimi dislokacijami v istem procesu <14!; c) presek rezine z lepo razvito DZ in optimalno defektno strukturo za določen bipolarni proces. 3.1. Točkasti defekti V skladu s termodinamiko so v kristalu vedno prisotni točkasti defekti v obliki lastnih intersticial-nih atomov in praznin-vakanc. Njihova koncentracija je odvisna od tehnologije vlečenja kristala in poznejših termičnih obdelav, manifestirajo se kot tako imenovani A, B in D „swirl" defekti ^ \ ki pa so v bistvu gruče točkastih defektov z volumsko naravo. V kristalu obstaja med točkastimi defekti ter-modinamsko ravnovesje. Defekti med seboj namreč reagirajo z naslednjo reakcijo I + V = 0 (perfektna krist. mreža) (1) Vedno pa velja, da kljub zunanjim ali notranjim perturbacijam kristala ostaja produkt koncentracij CixCv bolj ali manj konstanten. To so bili tako imenovani intrinzični defekti. Poznamo pa tudi eks-trinzične defekte. V to grupo spadajo tisti defekti, ki smo jih v kristal hote ali nehote vnesli. S stališča zagotavljanja izplena in zanesljivosti polvodniških tehnologij so najpomembnejši naslednji ekstrin-zični defekti: KISIK, OGLJIK, DUŠIK, ki so prisotni že v startnem poiikristaliničnem materialu ali pa jih naknadno vnesemo vanj med procesiranjem. Do nedav- nega je bil njihov pomen (razen kisika) na procesiranje IV še slabo poznan, danes pa jim dajejo veliko pozornost, zaradi njihovih direktnih pozitivnih ali pa tudi negativnih vplivov na lastnosti vezij in izplen. PREHODNE KOVINE so nezaželene, vendar vedno prisotne ekstrinzične primesi že v startnem poiikristaliničnem materialu, še večjo koncentracijo pa dosežejo med samim vlečenjem kristala in poznejšim procesiranjem. Najpogosteje prisotne kovine so Fe, Ni, Cu in imajo katastrofalne posledice na izplen ter na kvaliteto in zanesljivost p-n spojev in tankih dielektričnih plasti. HALKOGENI ATOMI S, Se, Te povzročajo v Si pojav donorjev, zato so jih v zadnjem času začeli intenzivno raziskovati. Poleg teh defektov sodijo s stališča fizike med ekstrinzične defekte tudi dopanti P, As, Sb, B, Ga, vendar pa jih s stališča tehnologije ne uvrščamo med defekte, saj so nujno potrebni v določenih koncentracijah za delovanje polvodniških elementov. 84 3.2. Dislokacije Današnji Si monokristali se prodajajo kot brez-disiokacijski. Gostota dislokacij je torej zelo majhna, oz. jih po zagotovilih proizvajalcev ne bi smelo biti. Vendar prihaja med procesiranjem IV do tvorbe dislokacij v raznih oblikah (pretežno v obliki zank) kot posledica mehanskih napetosti na robu LOCOS strukture, precipltatov SiOx, kot posledica rekrlstallzacije implantlranih območij in difuzije (12,22) pa SQ te ,-jislokacije prostorsko omejene, običajno niso škodljive (vsaj dokler so omejene na neaktivna področja, kot na primer implantacij-ski defekti v ponorjih in izvorih). V primeru, ko pa pride zaradi termičnih napetosti pri temperaturah nad 800°C do plastične deformacije, nastanejo tako Imenovane „slip" dislokacije, ki imajo še posebej, če so dekorirane s kovinami in če leže v osiromašenem področju p-n spoja, oz. ga prečkajo, katastrofalne posledice. Znano je, da jih težko getramo. 3.3. Napake zloga Napake zloga (SF) so največji defekti, prisotni v monokristalnem Si, saj dosegajo velikost tudi do 200 |xm. Nastanejo med termičnimi operacijami, s preclpitacijo lastnih intersticialnih atomov In so torej ekstrinzične narave. Intrizične SF nastanejo s preclpitacijo vakanc, vendar so do sedaj bile opažene le v epitaksialnih plasteh. Kristalna struktura defektov je prikazana na sliki 4. S stališča procesiranja pa jih moramo deliti na volumske, ki rastejo v notranjosti rezine in jim za vir intersticialov služijo precipitati kisika ter površinske, oksidacij-sko inducirane, ki rastejo na površini med visoko temperaturnimi oksidacijami zaradi kontaminacije s kovinami ali pa mehanskih poškodb površine in preslabega intrinzičnega getranja. Ločimo jih po Izgledu, saj so slednje enakomerne velikosti, medtem ko so volumske različnih velikosti na površini. /H -v\ ' Slika 5 { ' nam kaže odvisnost rasti volumskih SF in globine denudirane cone. Vidimo, da na temperaturah med 1000 in 1200°C lahko napake rastejo v denudirano cono, zato je potrebno pred operacijami, ki povzroče rast SF, doseči ustrezno globino cone brez kisika. S stališča intrinzičnega getranja so SF v notranjosti rezine zelo zaželene, saj so zelo ugodna mesta za precipitacijo kovin (slika 3a). 3.4. Precipitati Precipitati so defekti s katastrofalnimi posledicami za procesiranje, če so na površini rezine v aktivnem področju, saj direktno vplivajo na kvaliteto p-n spojev, tankih oksidov in na življenjske čase. Najpogostejši precipitati v CZ Si so SiOx v Slika 4: Projekcija (110) ravnine Si mreže z intrinzično (ISF) in ekstrinzično (ESF) napako zloga ter 60° dlslokacljo (60°/D), (17) t i -"1-1 \ — p-Si, {100). !0il>10"cm-3 ih, 100% Oj \ Av N-—a ~ T A, \ — = \ ._ \ 5= — A- \ — _t 6.6 7.0 7.U- 7.8 S.2 10'"/T iK~'l a) LENGTH OF OSF b) DEgTH OF DENUDEO ZONE Slika 5: Primerjava dolžine napake zloga in globine denudirane cone za različne procesne temperature, (17!. različnih kristalnih strukturah in morfologijah ter precipitati prehodnih kovin. Slednji sov vsakem primeru nezaželeni, medtem ko so precipitati SiOx zelo zaželeni v notranjosti rezine, saj so vir Si lastnih intersticialov in dislokacijskih zank (primer je na sliki 3b). Zato igrajo v inženiringu defektov, oz. intrinzičnem getranju ključno vlogo. 85 4. KISIK V SI Kisik je glavna primes v CZ Si kristalih. Njegova koncentracija se giblje od 5E17-1E18 at/cm , Izvira pa v glavnem iz direktnega kontakta Si taline in kvarčnega lonca med postopkom vlečenja kristala. Kisik je vgrajen na intersticialnih položajih, kakor nam kaže slika 6. povzeta po(23'. Najustreznejša metoda za študij kisika (O,) v Si je IR spektroskopija, s pomočjo katere je bila tudi določena pozicija Intersticialnega Oj na sliki 6, prav tako pa se s to metodo meri koncentracija intersticialnega kisika '24l Topnost kisika opišemo z enačbo: Cs = Co * exp (-Ea/kT) (2) Vrednosti za Co in Ea varirajo od avtorja do avtorja, najpogosteje pa se uporabljajo vrednosti Co = 0.15E22/cm in Ea = 1.03 eV, ki jih je določil Craven (25). Slika 6: Shematičen prikaz položaja intersticialnega kisika, f23'' Med termičnim procesiranjem Si rezine prihaja do treh pojavov: Na temperaturah pod 1000°C, še zlasti pa pod 800°C, prihaja do NUKLEACIJE (9!10), to je tvorbe precipitacijskih jeder. Pojav je lahko homogen ali pa hetererogen, odvisno od kvalitete vlečenja kristala. O heterogeni nukleaciji govorimo takrat, kadar so v izvlečenem kristalu prisotni defekti (zelo majhni précipitât! SiOx, C .;), ki služijo kot mesta za nadaljno precipitacijo. O homogeni pa govorimo tedaj, ko se jedra tvorijo enakomerno med nizkotemperaturnim popuščanjem. Opišemo jo z naslednjo enačbo: No(x,t) = Js(x)(t-to( 1 -exp(-t/to)) (3) v kateri pomeni Js(x) = JoD(T)Oi(x,0)T a (-l/2)*exp(- Eo/(T( 1 -T/Ts) a 2)) (4) V njej pomeni t - čas popuščanja, to - inkubacijski čas, potreben, da précipitât zraste do kritične velikosti Rc(*) (10) za naslednji postopek, Ts - pomeni temperaturo, na kateri je koncentracija Oi enaka topnosti. Konstanti Jo in Eo sta materialni konstanti (Jo~7.94E-11 cmKA0.5, Eo -1002 K), (26). Predstopnjo nukleacije na temperaturah pod 700°C predstavlja tvorba sekundarnih termičnih donorjev, katerih struktura pa danes še ni enolično določena. Med termičnim procesiranjem na temperaturah nad 1000°C pride do dveh pojavov: DIFUZIJE kisika iz/v rezine(o) in difuzijsko kontrolirane PRE-CIPITACIJE. Difuzijo kisika opišemo z znano difuzijsko e-načbo, koeficient difuzije pa opišemo z enačbo: D = Do*exp(-Ea/kT) (5) Najpogosteje upoštevamo naslednje vrednosti: Do = 0.07 cm2/s in Ea = 2.44 eV '27), vendar pa lahko iz slike 7 vidimo precejšne razlike med izmerjenimi vrednostmi, še zlasti pri temperaturah pod 800°C, za katere se predpostavlja, da je difuzija ojačana vsled difuzije molekularnega kisika (28) Delež sprecipitiranega kisika v sferičnih pre-cipitatih, katerim raste velikost skladno s količino precipitirane snovi, opišemo s Hamovo^ teorijo" precipitacije. Velja: Kot = H(Sp a l/3~) (6) Ko - je tako imenovana dinamična konstanta Ko = D(T)3 a (l/3)(4-No)*9(2/3)*((Co- Cs(T))/Cp) a (1/3), (7) pri čemer pomenita Co in Cp koncentraciji precipitanta v matriki in precipitatu. H(x) je komplicirana funkcija razmerja koncentracij Sp H(x) = ( 1 /2)ln((x a 2 + x +1 )/(x a 2-2x + 1 ))-3 a (l/2)artg((2x + l)/3 a (1/2))+ 0.09068 (8) Sp(t) - (Co-C(t))/Co-Cs(T)), (9) v katerem pomeni: C (t) - Trenutno koncentracijo precipitanta v matriki, Cs(T) - pa topnost pri temperaturi T. 86 10~® te-m p era t us-e- [®C] ÔOO SOO 10 12 10" IO •20 10 12 10 X C K™13 Slika 7: Difuznost kisika kot funkcija temperature,(27)' 16 Popuščanje Si na temperaturah 650-1150°C povzroči formacijo vrste različnih defektov, kot so paličasti coesitni precipitati, ploščati amorfni pre-cipitati, napake zloga, dislokacije in razne kompleksnejše strukture. Vsi ti defekti so postali dobro določljivi šele v 80. letih, z uporabo HRTEM, saj je na primer tipična velikost precipitatov SiOx od nekaj do nekaj 100nm. V tabeli 1 so shematično prikazani tipi in morfologija precipitatov za eno, oz. dvostopenjsko popuščanje. Proces precipitipiranja SiOx povzroči veliko volumsko spremembo približno za faktor 2, kar pomeni, da se morajo na nek način relaksirati napetosti. Zato prične précipitât po določeni količini prečipitiranega kisika emitirati intersticialne Si atome v mrežo, oz. absorbirati vakance. V poznejši fazi pa spremlja proces precipitacije emitiranje pri-zmatičnih dislokacijskih zank. Volumske razmere v okolici precipitata so razvidne na sliki 8 '27\ 4.1. Prehodne kovine Omenjeno je že bilo, da so v Si kristalu vedno prisotne večje ali manjše koncentracije kovinskih nečistoč. Pretežno so to elementi iz 3d skupine Fe, Cr, Co, Ni in Cu, ki so vgrajeni pretežno na in-tersticialnih mestih, medtem, ko z naraščajočim a-tomskim številom narašča tendenca po zasedbi substicionalnih mest kristalne rešetke. Kovinske Oxygen Corbon Si02 Volume inereose (foclor 2) «O I oggtomerotes Si02 .», I SiC or C ogglornerote Volume redact ion (faclor Z) if I in supersaluration «=i> co-precipiiolio" I ond C •*C> "B-swirls" Slika 8: Preprost shematski prikaz volumskih razmer pri precipitaciji kisika in ogljika,' 7>. 87 nečistoče povzroče dodatne nivoje v sredini prepovedanega pasu in s tem okrepljeno rekombi-nacijo. Še bolj škodljivo pa delujejo kovinski précipitât! v osiromašenem področju. Tipične koncentracije kovin v surovih rezinah, ugotovljene z metodo NNA so okrog 1E13-1E14/cm3, med procesiranjem pa se koncentracija poveča na 1E14-1E16 in tudi več v primeru velike kontaminacije^29'. Topnost kovin prikazana na sliki 9 na tipičnih procesnih temperaturah je mnogo nižja od tipičnega nivoja kontaminacije, kar pomeni da so kontaminanti v prenasičenem stanju in teže k pre-cipitaciji. Še bolj neugodna pa postane zadeva zaradi velike difuzijske konstante intersticialnih kovin. Primer je prikazan na sliki 10 in je zajet iz istega vira kot topnost. Vidimo, da tipična kovinska primes predifundira globino celotne rezine v nekaj minutah pri zmerni temperaturi 800°C. 4.2. Princip getranja kovinskih nečistoč V zgodovini procesiranja IV je bilo mnogo razlag getranja kovinskih nečistoč s takoimenovanim ekstrinzičnim načinom, ko mesta za getranje uvedemo na površino ali intrinzičnim, ko izkoristimo lastnosti intersticijalnega kisika oziroma defektov v notranjosti rezine. Vendar kaže, da se izoblikuje nekakšna splošna teorija, ki opiše getranje tako in-tersticijalnih (Fe, Ni, Cu), kakortudi substitucional-nih prehodnih kovin (Au, Pt). Po tej teoriji imajo ne glede na način getranja vodilno vlogo Si lastni in-tersticijali. Postopek getranja sestavljata v bistvu dve fazi. V prvi fazi uvedemo v kristal intersticiale v zadostni koncentraciji tako, da povzročimo topljenje kovinskih precipitatov, saj vemo da je topnost kovin majhna in so pretežno prisotne v obliki silicidnih precipitatov. V teoriji precipitacije obstaja namreč kritični radij Rc, ki je funkcija temperature T, koncentracije lastnih intersticialov Ci, vakanc Cv, pre-cipitanta P, vrste precipitirane faze SiyPx in po „^.-«¡¡^ _ (14.32) d^ f-^! t-^,^,-:;! ^^^ Temper a t ur ("C ) .^âqiaazaumjîMam_aço_m_ËQCL___„SOL vršinske energije cr Po tej teoriji bodo pre- cipitan z radijem večjim od Rc na določeni temperaturi rastli, medtem ko se bodo precipitati z radijem manjšim od Rc raztopili, kijub temu, da je topnost za določeno temperaturo presežena. Kritični radij definiramo z enačbo: Rc = 2o7(EkT/q)ln(CoCv a m/Ci a n)-6jxdE ' (10) v kateri pomenijo: E = (1-E') a-3 in pomeni E' - napetost, ki je v idealnem primeru, ko se vse napetosti relaksirajo zaradi emitiranja intersticialov enaka 0. ,c?2 Cr' Cu 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 Slika 9: Topnost prehodnih kovin v Si, (29). Temperatur (°C ) o .r K 10 „14 tU QUI MM UÜJI UOJI 1U_J » 7 10 fi 10 1 — -- - — — lET""" X \ x v xAg < H \ \ \ \ \ p s. ----! \ s \\ \ \ \ t V Si 1 \ t 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 lMft.lK-1, Slika 10: Difuzijski koeficienti <29) raznih elementov ¡z 3d skupine v Si. /i i r n, m - število emitiranih intersticialov in absor-biranih vakanc. Co, Ci, Cv- relativno koncentracijo C/C(T) pre-cipitanta, intersticijalov in vakanc, ki imajo ravnotežno vrednost Ci, v (T). ix, d - sta strižni modul in linearna neskladnost matrike in precipitata. q - gostota precipitata SiyPx, Reakcija namreč poteka po naslednji enačbi: ( Si(matr.) + Pi <~»SiyPx + nSU (11) v kateri je volumska sprememba, oz. število emitiranih intersticialov n v idealnem primeru enako: n = y/x(C(Si,matr)/C(Si,SiyPx)-l) (12) Vidimo, da Injekcija lastnih intersticijalov (bodisi iz notranjosti zaradi rasti precipitatov, bodisi od zunaj zaradi ekstrinzičnega getranja) povečuje kritični radij, če je volumska sprememba n večja od 0 (Si02, CuSi, Fe(1,3)Si, Ni(1,2,3)Si) in zmanjšuje, če je manjša (NiSi2, FeSl2) (32). Na srečo pa oba poslednja silicida z nO, ki rasteta ob presežku Si intersticialov precipitirata v območju z visoko koncentracijo intersticialov(33) (v bližini SiOx precipitata, močno s fosforjem, ali bromom dopirane plasti). Mehanizem getranja substitucijskih prehodnih kovin (Au, Rt) je nekoliko drugačen. Pri njih dosežemo z visoko koncentracijo lastnih Si intersticialov s tako imenovano „klick-out" reakcijo: Si,i + Au.s « Au,i (L- pretvorbo substitucljske (večinske) v interstici-alno kovino, ki ima mnogo večjo difuzijsko konstanto (razlika znaša okrog 5 velikostnih razredov!). Na ta način omogočimo difuzijo zlata na s fosforjem močno dopirana področja rezine, ki so hkrati tudi izvor intersticialov, kjer se veže s kompleksom fosfor-vakanca '34'. Pri optimizlranju intrinzičnega getranja lahko sledimo dvema fazama: HITRI PRECIPITACIJI kisika na startu umazanega procesnega koraka, pri čemer tvegamo, da povečamo nukleacijo defektov zaradi difuzije intersticialov generiranih med precipitacijo v aktivno območje na površini in s tem povezanim zmanjšanjem popustne napetosti, kar lahko privede do plastične deformacije na robovih LOCOS struktur in difuzijskih front, kar lahko v končni meri izplen celo poslabša. POSTOPNI PERCIPITACIJI v kontroliranem obsegu skozi celoten proces, ki izgleda bolj obetavna. Seveda pa smo pri optimizaciji omejeni s procesnimi koraki in se vedno ne da doseči optimalne postopne percipitacije, kar je običajno primer pri tipičnih procesih CMOS, kjer se večina precipitacije Izvrši med difuzijo p otoka, ki je edini res visokotemperaturni korak s temperaturo večjo od 1100°C. Na sliki 11 a (20) je prikazana odvisnost izplena od količine sprecipitiranega kisika za nek bipolarni proces, medtem ko je na sliki 11 b shematično prikazan efekt precipitacije. WMWHoroav'isiKRAai TRÍIMSTOSTR'TrB ¡su a ? M 8 \mgiom teco. cMoi. simiAai * (CMOS, CCOI 0SVÍÍS M Slika 11: Izboljšave izplena z uporabo intrinzičnega getranja v bipolarnem procesu kot funkcija sprecipitiranega kisika za hitro ( + ) in za postopno (o) precipitirajoč material; b) shematični prikaz vpliva količine sprecipitiranega kisika na izplen. V zadnjem pol leta srno se v naši tovarni začeli načrtno ukvarjati z uvajanjem filozofije inženiringa defektov v obstoječe in predvidene procese. Prvi rezultati raziskave precipitacije kisika za določen proces so bili prikazani že na MIEL v Zagrebu meseca maja. Upam pa, da bodo končni rezultati vsaj tako dobri, če ne še boljši kot rezultati ekstrinzičnega getranja, ki ga že uspešno uporabljamo za specialne produkte. 89 CSO TOO 750 eoo eso 900 9SO 1000 ® ^.«S gases»«? ^.mn^m ßa with gsawy&XX loopä ^O ® dXjglocAtion dlpol^« ^O& dlpol«» sr .ra r* iL es «^«acfee. ¿rug f.' X sr: SBXor*«3l ® loca tc-A-orn 3L<30£>f» prismatic loop« < • > Tabela 1: Tipični defekti(22) nastali med eno in dvostopenjskim popuščanjem Si kristala. Velikost pike je sorazmerna gostoti defektov. 6. LITERATURA 1. A. Goetzberger, W. Shockley, J. Appl. Phys,, 31, 1821 (1960) 2. L, Jastrzebski, IEEE Trans. Electron Devices ED-29, No. 4, 475 (1982) 3. K, Yamabe, K. Taniguchi, IEEE Journal of Solid State Circuits, SC-20, No. 1, 343 (1985) 4. J.O. Borland, Proceedings 2nd Int. Autumn Meeting GADEST, 360, Garzau, DDR, October 1987 5. S.P. Murarka, T.E. Seidel, J.V. Dalton, Ü.M. Dishman, M.H. Read, J. Electrochem. Soc., 127, No, 3, 716 (1980) 6. M. Macek, Proceedings 2nd Int. Autumn Meeting GADEST, 357, Garzau, DDR, October 1987 7. Ü.M. Hwang, D.K. Schroder, A.M. Goodman, IEEE Electron Devices Letters, EDL-7, No, 3, 172 (1986) 8. M, Kittler, H. Richter, W. Seifert, Proceedings ESSDERC 87, 343, Bologna, Italy 1987 9. N. Inoue, J. Osaka, K. Wada, J. Electrochem, Soc., 129, 2780 (1982) 10. N. Inoue, J. Osaka, K. Wada, Semiconductor Silicon 1981, ed. H.R. Huff, R.J. Kriegler, Y. Takeishi, (J. Electrochem. Society, NJ, 1981), p 282 . Cll)j.O. Borland, T. Deacon, Solid State Tehnology 27, 123 (1984) 12. L, Jastrzebski, R. Soydan, J. McGinn, R. Klepping.er, M. Blumenfeld, G. Gillespie, N. Armour, B. Goldsmith, W. Henry, S. Vecrumba, J. Electrochem. Soc., 131, 2944 (1984) 13. Chang-Du Lee, P.J. Tobin, J. Electrochem. Soc., 133, 2147 (1986) 14. C. Claeys, J. Vanhllemont, Proceedings 2nd Int. Autumn Meeting GADEST, 3, Garzau, DDR, October 1987 15. H.U. Habermeier, Proceedings 2nd Int. Autumn Meeting GADEST, 72, Garzau, DDR, October 1987 16. J.M. Andrews, S. Muller, G.A. Rozgony, VLSI Science and Technology 1982, Edt. C.J. Dell OcaW.M. Bullis, The Electrochem. Soc. Softboun Proceedings Series, Princeton. NJ (1982) 17. W. Zulehner, D. Huber, Crystals, 8, p131, Springer-Verlag Berlin 18. D. Huber, osebno obvestilo 19. R.B. Swaroop, Solid State Technology, 27,177 (1984) 20. L. Jastrzebski, R. Soydan, J. McGinn, J. Electrochem. Soc., 131, 2944 (1984) 21. M. Polignano, G.F. Cerofolini, Proceedings ESSDERC 87, 335, Bologna, Italy 1987 22. C. Claeys, J. Vanhllemont, H. Bender, Proceedings 2nd Int. Autumn Meeting GADEST, 130, Garzau, DDR, October 1987 23. W. Kaiser, P.H. Keck, C.f. Lange, Phys. Rev. 101,1264 (1956) 24. ASTM F121-79 25. R.A. Craven, Semiconductor Silicon 1981, ed. H.R. Huff, R.J, Kriegler, Y. Takeishi, (Electrochem, Society, NJ, 1981), p 225 26. M. Pagani, W. Huber, Proceedings ESSDERC 87, 339, Bologna, Italy 1987 27. J.C. Mikkelsen Jr., Appl. Phys. Lett, A 40, 336 (1982) 28. U. Goesele, T.Y. Tan, Appl, Phys. Lett., A28, 79 (1982) 29. P.F. Schmidt, C.W. Pearce, J. Electrochem. Soc., 128, ■631 (1981) 30. F.S. Ham, J. Phys. Chem. Solids, 6, 335 (1958) 31. E.R.Weber, Appl. Phys. Lett., A 30, 1, (1983) 32. G. Bronner, J. Plummer, Proceedings ESSDERC 87, 557, Bologna, Italy 1987 33. A. Ourmazd, W, Schroeter, Appl. Phys. Lett., 45 (7), 781 (1984) 34. D, Lecrosnier, J. Paugam, G. Pelous, F. Richou, M. Sal vi, J. Appl. Phys., 52 (8), 5090(1981) Mag. Marjan Macek ISKRA MIKROELEKTRONIKA LJUBLJANA, Stegne 15d 90 KOMPLEMENTARNA UNJPOLARNA TEHNOLOGIJA NA SILICIJU Z NAJMANJŠIMI RAZSEŽNOSTMI V MIKROMETRSKEM PODROČJU L. Trontelj, J. Trontelj, S. Zorman UVOD Sodelavci Laboratorija za mikroeiektroniko Fakultete za elektrotehniko, skupaj s strokovnjaki iz firme International Microelectronic Products, Inc. že več kot leto dni intenzivno delujejo na raziskavah in razvoju posameznih korakov v zahtevnem procesu CMOS, ^omogoča realizacijo analognih in (^¡laLnlhfutikcij .¿u^aJ^Bgfnnilniškimi elementi E2PROM. Končni cilj te dejavnosti naj bi bil yts„č.e.nJab..D.ološki proces z obširno, knjižnico standardnih celic in z načrtovalskimi orodji za na-črtovanje integriranih vezij za srenjo sistemskih inženirjev, Za tipičen operacijski ojačevalnik je v izbrani tehnologiji ciljni parameter produkta pasovne širine in ojačenja 300 MHz., komparator naj izvrši funkcijo v 6 nsec, sita SČ naj delujejo v „uporabniškem" frekvenčnem področju za radio televizijske naprave. Digitalno analogni pretvorniki naj konverzijo o-pravijo s taktom 100 MHz. Ne nazadnje naj tehnologija omogoča realizacijo vezij za digitalno o-mrežje z dodanimi storitvami (ISDN). Skratka, tipične aplikacije v sodobni elektroniki zahtevajo višjo hitrost in natančnost obdelave informacij, programabilnosti in izboljšano integracijsko gostoto v skladu z Moorovim pravilom, ki je v mikroelektroniki v veljavi že dve desetletji. Celična zasnova funkcijskih blokov omogoča struk-turiran načrtovalski pristop. DILEME V RAZVOJU TEHNOLOGIJE Kvalitetna realizacija analognih vezij omogoča proces CIVIOS, ki zagotavlja med ostalim natančno izd elavo Jnt.erp.Qj j§jlicij evi h kondenzatorjev, povsem izolirane bipolarne tranzistotje na vhodu vezja za zagotovitev čim nižjega šuma ter precizne ¡ankopkisim, upore. Po drugi plati zahteva „hitri"' digitalni piocor. visoko transkonduktanco imegu-ranih tianWstoi|ov in kompakinosi Zaželena |e motnost doiavnavanjo in ptogfamitanja. Oba upa elektronskih hinkcij seveda iezita za čim boljšo irn-Miiosijo ii,i degradacijo loslnosii intecjuranegn iranzisiorin, ki nastaja zaradi viocih oloknonov v ktaikom k-mnlu Izbira tipa otoka je odvisna od več med seboj nasprotujočih si kriterijev. Realizacija z otokom p za tranzistor tipa n omogoča sicer trikratno transkonduktanco kot jo ima enak gradnik s kanalom p zaradi višje gibljivosti nosilcev. Seveda pa ima n kanalni gradnik večji „flickerjev" šum v primerjavi z gradnikom tipa p. To „hibo" lahko „popravimo" z ustreznimi dimenzijami tranzistorja n, kot je to razvidno iz izraza za šumno napetost (Enačba 1): Enačba 1: Šumna napetost Uporabljeni simboli imajo standardno notifika-cijo. Aplikacije v biomeclicinski nizkofrekvenčni elektroniki, kjer je nizek „flickerjev" šum še posebej pomemben pa zahtevajo vhodno stopnjo na otoku n. Pri višjih frekvencah je izbira tipa otoka manj pomembna. Porast pragovne napetosti in s tem povezano zmanjšanje dinamičnega območja za gradnike v otokih, bogatejših s primesmi v primerjavi z onimi na „visokoohmskem" substratu je lahko ovira za fleksibilnost v analognem načrtovanju. Posebej prirejen postopek z otokom n dovol-jUje frvfttifrn frpljranflfp vartikal^^ hlpnlamaga -<3 tranzistorja npn. Kolektor tega tranzistorja leži v otoku, njegova baza pa je posebej difundirana. Taka izvedba ima seveda veliko prednosti pred konvencionalno lateralno. E2PROM pomnilniki so danes zgrajeni s tehnologijo z otokom n. Če torej tehtamo prednosti in slabosti otoka n v primerjavi z otokom p, se odločimo za otok n, saj je z njim možno realizirati vse omenjene ciljne parametre. Digitalni del vezja z napajalno napetostjo 5V shaja z debelino oksida pod krmilno elektrodo v velikosti vsega 25 nm. Brez potrebnih ukrepov pa se bo tranzistorju s tako tankim dielektrikom pod krmilno elektrodo že po nekaj urah obratovanja zmanjšala transkonduktanca za približno 10 %. To 91 povzročijo vplivi vročih elektronov v kanalu. Substrat ni tok bo namreč pri napetosti 5,5V za tak gradnik presegel 5 % toka ponora. Električno polje v bližini spoja ponora je prevladujoči faktor, ki vpliva na degradacijo. Izraz za maksimalno električno polje Emax je z globino spoja ponora xj, njegovo napetostjo nasičenja Ud sat in debelino izolatorja tox nad kanalom približno takle (Enačba 2): r; • ^d ~ ^dsat Enačba 2: Maksimalno električno polje —^ jo polje lahko zmanjšamo sstm^uro LDD (niz-kodopiran ponor) skupaj z oksidnimi ločnikfTaka rešitev dramatično poveča življenjsko dobo gradnika in tako zmanjša degradacijo zaradi vročih elektronov. Taka rešitev pa seveda vnese dodatno serijsko upornost ponora in izvora. Rezultirajoča karakteristika l-U kaže zmanjšan tok in transkon-duktanco ter zmanjšanje uporabnega področja nasičenja (slika 1). 5 3____ ■ / ---- -------- ----- -------- J --------- ---------- k I 2 3 4 6 7 ~ 8 NAPETOST POMORA (V) Slika 1: ID/VD karakteristika, W/L = 20/1.2 Posebno skrb zahteva povečana napajalna napetost (10V) za nekatere telekomunikacijske zahteve. V tem primeru je ob uporabi strukture LDD treba tudi povečati debelino tankega oksida na 40 nm. Za mešana analognodigitalna vezja je treba \| torej področje, kjer tranzistorji delujejo v režimu J napetosti UC|S > 8V, načrtati s posebno topologijo (masko) za relativno povečanje debeline tankega oksida, Zmanjšanje dimenzij in našteti dodatki v topologiji gradnika so poseben izziv za vsefotolitograf-ske postopke. Uspešnost preslikave zagotavlja metoda s koračnim poravnalnikom v razmerju 1:1. Jedkalni postopki so omejeni na suhe v plazmi. Nekaj naših izkušenj je naštetih v naslednjem poglavju. JEDKANJE Za ilustracijo problematike, s katero se srečujemo pri plazma jedkanju, lahko dobro služi primer jedkanja polisilicija. Najprej navedimo nekatere nastavljive parametre, ki vplivajo na izid jedkanja: « Tlak procesne komore * Izhodna moč RF generatorja * Medelektrodna razdalja * Sestava plinske mešanice * Masni pretoki posameznih plinov v plinski mešanici Tudi trajanje jedkanja je lahko odločilno za kvaliteto jedkanja. To kontroliramo po metodi končne točke. Ta omogoča določitev trenutka, ko je jedkanje v glavnem končano ter s tem izključi poškodbo spodnje plasti. Številni nastavljivi parametri omogočajo optimizacijo jedkalnih programov. Jedkanje lahko izvršimo v več korakih, z vsakim korakom pa lahko optimiramo določeno fazo. Presek rezine med jedkanjem tipično sestavljajo plasti različnih materialov. V primeru jedkanja polisilicija se pod njim nahaja plast silicijevega dioksida, na kateri je potrebno jedkanje ustaviti. Na vrhu polisilicija je fo-torezistna maska, katere podobo želimo čimbolj verno prenesti na polisilicij. Za mnogo težav pri jedkanju poskrbi plast tankega samorodriega oksida med polisilicijem in fotorezistom. Le-ta deluje kot mikromaska in jo je treba pred jedkanjem poli plasti odstraniti. V primeru, da nam to ne uspe, je izgled ¡edkane površine lahko takšen kot ga prikazuje slika 2. Slika 2: Posledica mikro maske 92 Optimalni jedkalni program za polisilicij je sestavljen Iz več korakov. V prvem, imenujemo ga ln-icializaclja, želimo s površine polisilicija odstraniti ves silicijev dioksid. V tej fazi jedkanja je zaželena čim nižja selektivnost proti silicijevemu dioksidu. Ko je površina polisilicija čista, sledi glavni jedkalni korak, ki zahteva visoko stopnjo anizotropnos-ti. Biti mora zadovoljivo hiter in mora imeti še sprejemljivo selektivnost proti oksidu. Obema omenjenima korakoma običajno sledi še korak prejed-kavanja. Potreben je zato, da zanesljivo odstranimo ves preostali polisilicij z mest, kjer je bila začetna debelina polisilicija večja od normalne in z mest, kjer je na začetku jedkanje napredovalo počasneje zaradi prisotnosti neželene mikro maske. Glavna zahteva v tem koraku je, da ne napravimo škode že oblikovanemu profilu Izjed-kanih figur in ne poškodujemo oksida. Med vsemi jedkalnimi koraki želimo čim manj spreminjati geometrijo maske, saj ta določa končne oblike v polisiliciju. Zato v vseh korakih jedkanja ne smemo poškodovati fotopolimera. Tako za optimiranje, kot tudi za samo vzdrževanje procesa je izredno pomembno poznavanje vplivov procesnih parametrov. Veliko število vplivnih parametrov ne dopušča možnosti izvršitve popolne karakterizacije jedkalnega procesa. Taka karakterizacija bi zahtevala preobsežno eksperimentalno delo, da bi to bilo praktično. Zadovoljiti se moramo z delnimi karakterlzacijami, ki nam dajo določeno predstavo o dogajanju v procesu. Študij vpliva tlaka procesne komore, izhodne moči RF generatorja in medelektrodne razdalje na jed kalno hitrost polisilicija, selektivnost in profil izjed-kanih linij, je primer delne karakterizacije procesa. Karakterizacija je bila izvršena za He, CI2 plazmo, ob nespreminjanih masnih pretokih obeh plinov. Izbrane meje opazovanih vplivnih parametrov so zbrane v tabeli 1. tlak procesne komore: moč RF generatorja: medelektrodna razdalja: 200 - 800 (mtorr) 150-400 (W) 0.4 - 1.3 (cm) Tabela 1: Meje spreminjanih procesnih parametrov. Slike 3,4 in 5 nazorno prikazujejo kakšni so bili rezultati meritev jedkalnih hitrosti za polisilicij in silicijev dioksid ter izračun selektivnosti polisilicija proti silicijevemu dioksidu. Meje opazovanega parametričnega prostora so podane s površino v koordinatni sistem vrisane kocke. Vsaka od osi koordinatnega sistema predstavlja enega od opazovanih vplivnih parametrov. Izmerjene, oz. izračunane vrednosti opazovanih odvisnih parametrov so vpisane na mestih, ki ustrezajo eksperimentalnim točkam. p/ Slika 3: Hitrost jedkanja polisilicija ^18.0 0.4 200/ 150 22.0' 10.3/ / 8 ■? Slika 4: Hitrost jedkanja oksida (nm/min) 8 1.3 54 121/ 100 30 184 J" 25 P too/ 150 - 23 400 41 J 58 /iS Slika 5: Selektivnost 93 Na podlagi rezultatov je mogoče postaviti izkustveni model procesa. Enačba 3 predstavlja eno izmed možnih oblik takega modela za jedkalno hitrost polisilicija. Tabela 2 vsebuje numerične vrednosti koeficientov enačbe 3. Pri vsem tem se moramo zavedati, da model te vrste lahko dobro služi kot orientacija. Slika 6 prikazuje tipični presek izjedkanih linij. Zgornji del linije, z rahlim naklonom bokov je po jedkanju preostali fotorezist. Spodnji odsekano strm del pa polisilicij. Visoka stopnja anizotropnos-ti jedkanja je očitna. Spodjedkavanja fotorezista ni opaziti. a0+ alP fa2P t a3g a4pP a5p g + a6Pg r a p2f p2 r i ax p.. P.. g.. Enačba 3: Vj... jedkaina hitrost ... koeficient modela . tlak (mtorr) . moč (W) . razdalja med elektrodama (cm) ax vrednost a0 6500.7 01 -3.864 a* 12.38 a3 -8122.1 84 -0.003 as 10.22 a6 -15.32 a7 -0.001 a8 0.008 a9 3421.6 Tabela 2: Numerične vrednosti koeficientov enačbe 3. MHUHni Slika 6: Profili poli linije Seveda tlak, moč in medelektrodna razdalja niso edini vplivni parametri. Opazili smo, da dodatek SF5 v plinsko mešanico He in CI2, močno spremeni jedkalno hitrost polisilicija in zmanjša selektivnost za silicijev dioksid. Kot se je izkazalo vpliva SF5 tudi na zmanjšanje stopnje anizotrop-nosti jedkanja. Tabela 3 vsebuje rezultate meritev vpliva dodajanja SF5 v He, CI2 plinsko mešanico. SF5 smo dodajali tako, da smo pri stalnih masnih pretokih He in CI2 povečali masni pretok SF5 od 0 do 20 sccm. Očiten je vpliv SF5 na zmanjšanje poškodb fotopolimera. SF5 tok ERpoii ERoks ERres Sp/o Sp/r (sccm) (nm/min) (nm/min) (nm/min) 0 0 - 0 349 17 149 20i5 2,3 S 1112 73 15.2 4.4 10 1061 76 273 14.0 3.9 15 1095 78 253 14,8 4.3 20 997 85 196 15.3 5.1 Tabela 3: Jedkalne hitrosti polisilicija, silicijevega dioksida, fotorezista in selektivnosti polisilicija proti oksidu in fotorezistu v odvisnosti od pretoka SFg. Na hitrost jedkanja polisilicija vpliva tudi število vgrajenih primesi v plasti. Znano je, da tip n polisilicija jedkamo znatno hitreje od tipa p ali nedo-piranega polisilicija. Meritve jedkalnih hitrosti smo izvršili na dva načina, Prva meritev jedkalne hitrosti je bila izvršena tako, da smo dano rezino jedkali 30 s ter pred jedkanjem in po jedkanju pomerili debelino polisilicija. Iz teh podatkov smo nato izračunali jedkalno hitrost: V tabeli 4 so rezultati meritev jedkalne hitrosti po drugi metodi. To pot smo izmerili debelino polisilicija na vsaki od rezin le pred jedkanjem. Nato smo vse rezine jedkali dokler nismo odstranili vsega polisilicija z nemaskiranih mest. Med jedkanjem smo snemali izhodni signal senzorja za detek-cijo končne točke jedkanja. Na podlagi tega podatka in podatka o začetnih debelinah polisilicija, je bilo mogoče izračunati jedkalno hitrost. 94 N Pt r t ER plazma 04 423 16.1 26 976 12 433 45.5 33 787 He 16 433 32.3 31 838 Cl2 22 460 / 62 445 sf5 23 460 7 62 445 05 442 15.8 80 317 13 433 39.1 90 289 He 15 433 39.2 90 289 Cl2 20 463 / 112 248 21 460 / 112 247 03 422 16.0 49 / 10 435 46.5 67 / 0 14 437 47.2 67 / b 24 460 / 96 / e 25 458 / 96 / Rsl%) Slika 7 Sprememba jedkaine hitrosti polisilicija v odvisnosti od plastne upornosti Tabela 4. Meritve jedkaine hitrosti polisilicija na podlagi znane začetne debeline in izmerjenega časa jedkanja. Oznake v tabeli imajo naslednji pomen: * N ... Številka rezine * Pt... Debelina polisilicija (nm) * r... Plastna upornost polisilicija (ohm/ ()) * t... Čas jedkanja polisilicija (s) * ER ... Jed kal na hitrost (nm/min) * plazma ... Tip plazme Rezultati naših meritev kažejo, da je jedkanje v He, CI2, SF5 plazmi veliko bolj občutljivo na spremembe v plastni upornosti polisilicija, kot pa jedkanje v He, CI2 plazmi. To vidimo tudi na sliki 7. Rezultati na tej sliki so normirani tako, da so spremembe plastne upornosti podane relativno na maksimalno jedkalno hitrost in minimalno plastno u-pornost. Ob upoštevanju rezultatov, dobljenih za jedkanje v He, CI2, oz. He, CI2, SF5 plazmi, je bilo mogoče konstruirati potek jedkanja za kombiniran postopek jedkanja. Eno grupo rezin smo namreč za začetek 10 s jedkali v He, CI2, SF5 plazmi, nato pa jedkanje nadaljevali v He, CI2 plazmi. Slika 8 je grafična konstrukcija poteka jedkanja za rezine N 03, N 10 in N 24 in predstavlja pričakovan potek jedkanja omenjenih rezin, ob upoštevanju začetnih debelin polisilicija ter ocenjenih jedkalnih hitrosti na osnovi znanih plastnih upornosti, V tabeli 4 so navedeni dejanski izmerjeni časi jedkanja. Ujemanje rezultatov iz tabele 4 in rezultatov dobljenih z grafično konstrukcijo je dobro. Ob predpostavki, da v naprej poznamo debelino polisilicija in njegovo plastno upornost, lahko zanesljivo ocenimo čas potreben za jedkanje dane rezine. Slika 8 Grafična konstrukcija poteka jedkanja Slika 9 Testna struktura 95 ZAKLJUČEK Izbrani procesni koraki zagotavljajo štiri nivoje povezav, kar omogoča potrebno fleksibilnost za načrtovanje in realizacijo kombiniranih analogno digitalnih vezij. Dosežene električne lastnosti posameznih funkcijskih blokov iz testne strukture (slika 9) potrjujejo pravilnost izbora tehnoloških korakov. Predik-cija modelov gradnikov na podlagi študija njihove degradacije zaradi vpliva vročih elektronov v kanalu smo verificirali z meritvami. Lahko zaključimo, da bodo tehnološki koraki in razvite funkcionalne celice učinkovito orodje za snovalce elektronskih sistemov bodočnosti. LITERATURA 1. J. Trontelj, L, Trontelj, S. Ožbolt T. Pleteršek, V. Kune, M. Khambaty. C. M. Liu. M. Robinson: 1.2 micron, high speed, high density CMOS analog library Custom Integrated Circuits Conference 1988. Rochester, ZDA Prof. dr. L. Trontelj, dipl. ing. Prof. dr. J. Trontelj, dipl. ing. Sašo Zorman, dipl. ing. Fakulteta za elektrotehniko Tržaška 25, 61000 Ljubljana J. Benda, M. Cergolj Varistor je napetostno odvisen nelinearni upor. Njegova U-l karakteristika je simetrična in precej podobna Zenerjevi diodi. Ko je varistor izpostavljen visokonapetostnemu impulzu, se varis-torska upornost od izredno velike vrednosti zniža na izredno majhno (nekaj ohmov). Varistorska masa je sestavljena v glavnem iz ZnO. Dodanihpaješevrstadrugihoksidov (BiaOs, Sb203, MnO, CoO, ...). Glavna sestavina oksidnih varistorjev je ZnO z majhnimi dodatki ostalih oksidov. Bistven je dodatek Bi2C>3, ki ima največji vpliv na nelinearno karakteristiko varistorjev. Pomembni so še dodat ki Co, Mn, Sb, Cr oksidov. Koli dodanega Bia03 vpliva nasprei inska sprememba lembo nazivne na- petosti in nelinearnega koeficienta varistorja. Znano je, da neohmsko obnašanje varistorjev izhaja iz njihove mikrostrukture, v kateri so prevodna ZnO zrna ločena med seboj s tankim filmom izolativne intergranularne plasti (specifična upornost ~ 1012ohmcm). Ta vmesna plast pa postane pri določeni napetosti prevodna. Intergranularno plast sestavljajo dodani oksidi. Na naslednji sliki je shematsko prikazana mik-rostruktura varistorja. Pri pripravi materiala za varistorje je posebno pomembno kontrolirati mikrostrukturo, to se pravi velikost zrn, od katere je odvisna napetost varistorja. Napetost varistorja je obratno sorazmerna elektroi iUlU I intergranu- -.s 1: Shematski prikaz mikrostrukture varistorja 96 velikosti zrn. Na velikost zrn vplivamo z dodatki, atmosfero in režimom sintranja. Na vrednost nelinearnega koeficienta pa močno vplivata sestava in režim sintranja. Spremjn^ 4anje vrednosti a je v povezavi z dogajanji v inter-granularni fazi. Do temperature 1300°C vrednost a narašča, nato pada in na 1450°C postane varis-tor upor. Odzivni čas teh varistorjev je kratek in znaša pod 25 ns. i 1 (10m A)¡2 ■ eL 50 40 30-20 10 MIh 1100 1300 1500 T sint. (»C) Slika 2: Odvisnost vrednosti a od temperature sintranja Varistorji so uporabni zlasti pri omejevanju visokonapetostnih konic, ki zelo škodljivo vplivajo na elektroniko. Ko je varistor izpostavljen visokonapetostnemu impulzu, se varistorska impedanca od skoraj neskončne vrednosti zniža na zelo majhno (nekaj ohmov). Tako se nevarni prenapetostni impulzi znižajo na dovoljen nivo in na ta način zaščitijo občutljive elektronske dele pred uničenjem. Varistor v takem primeru absorbira energijo visokonapetostnega impulza in jo oddaja okolici v obliki toplote. Za primerjavo poglejmo razlike med posameznimi zaščitnimi elementi. ZnO varistor Tipična vrednost nelinearnega koeficienta a, je pri ZnO varistorjih 40-60 in tudi več. Prepustni tok l|_ pri stalni priključeni napetosti je relativno majhen (nekaj jxA). Pri standardni ponudbi se nazivne napetosti gibljejo od približno 11 V do 750 V, trajne enosmerne napetosti pa od 14 V do 1060 V. (JNU2 u oU- N U2 log~~ log H 'H Slika 3: Napetostno tokovna karakteristika ZnO varistorja SiC varistor SiC varistor je nelinearni upor z razmeroma majhnim koeficientom a (2-7). Zato ta varistor ponavadi uporabljamo v seriji z iskriščem (energetika). Ker je a nizek, je tudi koleno karakteristike slabo izrazito, zato že pri majhni delovni napetosti lahko teče prevelik tok skozi varistor. To pa povzroči močno segrevanje varistorja in odpoved. Primer a = 1 : navaden upor Slika 4: Napetostno tokovna karakteristika SiC varistorja 97 Posebna dvojna Zener dioda To so Zener diode s simetrično karakteristiko. Koleno karakteristike je izredno močno izrazito, saj se vrednost nelinearnega koeficienta a giblje tudi do 120 in več. Slabost teh elemenotv pa je v tem, da ne prenesejo tako velikih udarnih tokov in energij kot varistorji. Imajo pa še eno dobro lastnost. Pri pravilni montaži imajo namreč izredno kratek odzivni čas (približno 10 ps). Taka počasnost je prevelika za današnje občutljive elektronske elemente. Slaba stran plinskih odvodnikov je tudi v tem, da pod 90 V vžigne napetosti niso na razpolago. KOMBINIRANI SISTEMI ZAŠČITE - direktna paralelna vezava plinskega od- vodnika in varistorja ZnO varistor s svojim kratkim odzivnim časom vsekakor pomeni v tem primeru veliko pridobitev. / < _______J f u Slika 7: Direktna paralelna vezava plinskega odvodnika in varistorja Ker je odzivni čas plinskega odvodnika relativno dolg (0,5 ¡xs), pride tudi pozno do aktiviranja le-tega. S paralelno vezavo ZnO varistorja to situacijo bistveno popravimo. Slika 5: Napetostno tokovna karakteristika dvojne Zener ' diode Plinski odvodniki Odvodniki običajno prenesejo večje udarneto-kove in absorbirajo večjo energijo, Imajo pa relativno dolg odzivni čas (0,5 fis). To pomeni, da je plinski odvodnlk približno 20-krat počasnejši kot ZnO varistor. Slika 6: Napetostno tokovna karakteristika plinskega odvodnika I \/Vi \ ! /..L.; — — - ^ ."H / / / / -....................— - i Vm -- —x\/ _ / / / u — 0 Cf 15 0.8 10 l!,,! — t Slika 8: U (t) prikaz direktne paralelne vezave plinskega odvodnika in varistorja -indirektna paralelna vezava plinskega odvodnika in varistorja Tako vezavo uporabimo, če je zaščitni nivo nižji od 100 V. Zato med plinski odvodnik in varistor vstavimo upor ali Induktlvnost. 98 Takšna zaščita se praktično uporablja v nizkoohmskih vezjih. 1 G h Slika 9: Indirektna paralelna vezava plinskega odvodnika in varistorja ■ tristopenjska kombinirana zaščita Slika 11: Serijska vezava plinskega odvodnika in varistorja Slika 10: Tristopenjska zaščita - serijska povezava plinskega odvodnika in varistorja u Slika 12: U (t) karakteristika, če je uporabljen samo plinski odvodnik 99 Slika 13: U (t) karakteristika, če je plinski odvodnik v seriji s SiC varistorjern Slika 14: U (t) karakteristika, če je plinski odvodnik v seriji s ZnO varistorjern NEKATERE APLIKACIJE VARISTORJEV - preprečevanje visokonapetostnih konic pri vklapljanju in izklapljanju induktivnih bremen Z uporabo varistorja lahko zmanjšamo ali preprečimo iskrenje na stikalu. o™ - Slika 15: Prva možnost preprečevanja iskrenja Slika 16: Druga možnost preprečevanja iskrenja 100 Vlogo stikala pa največkrat prevzame tranzistor. Visokonapetostne konice izredno slabo vplivajo na občutljive elektronske elemente (največkrat pride do odpovedi elementa). tih - uporaba varistorja za stabilizacijo napetosti na bremenu Taka rešitev je zlasti ugodna pri višjih napetos-za katere ni Zener diod. • Napetost na bremenu je tem manjša, čim večja je upornost R. R U Rb Slika 20: Stabilizacija napetosti s pomočjo varistorja Slika 17: Prva možnost preprečevanja škodljivih visokonapetostnih konic Slika 18: konic Druga možnost preprečevanja visokonapetostnih Varistor je idealni zaščitni element za zaščito kontaktov relejev in preprečevanje iskrenja. Pri normalni delovni napetosti teče skozi varistor relativno nizek tok. Ko se pojavi visoka napetost, se varistorjeva upornost zelo zmanjša. Tok skozi varistor se zato poveča, energijo pa tako absorbira varistor. Napetostni nivo pa je tako ohranjen na varni vrednosti. Enak problem se pojavlja pri vklopih in izklopih napajalnikov. - generiranje kvadratnih in kubnih napetostno-tokovnih karakteristik VARi R, rO-CÖ- C'.,. .1 irr-1'irt Ir&i*.. i R2 VAR: R k Slika 21: Vezje za generacijo kvadratnih In kubnih napetostno tokovnih karakteristik Za čim boljše ponazarjanje kvadratnih in kubnih IJ-I karakteristik, moramo vzeti čim večje število varistorjev in uporov. Varistorji morajo imeti čim nižjo toleranco nazivnih napetosti in približno enake nelinearne koeficiente a. Slika 19: Reševanje problema visokonapetostnih konic pri vklopih in izklopih napajalnikov 101 - razmagnetenje slikovnih cevi pri barvnih TV sprejemnikih Ob vključitvi napetosti ima NTC upor relativno veliko upornost. Zato steče velik tok skozi varistor in razmagnetilno tuljavo. NTC upor pa se segreva in njegova upornost se zmanjšuje, zato skozenj lahko teče vedno večji tok. VAR RAZMAGNETILNA TULJAVA JT7~J-orrvrm— NTC O Slika 22: Vezje za razmagnetenje slikovnih cevi s pomočjo varistorjev Klasična rešitev razmagnetenja slikovnih cevi je izvedena z dvema PTC uporoma in razmagnetilno tuljavo: - uporaba varistorjev v telefoniji Dandanes, ko je v centralah in telefonih vse več občutljivih elektronskih vezij, je zaščita linij samo s plinskimi odvodniki zaradi počasnega reagiranja ie-teh premalo. Zato paralelno k odvodnlkom montiramo še varistorje. - uporaba varistorjev v avtomobilski tehniki Tu ponavadi ščitimo potrošnike (radio...) pred prenapetostnimi konicami, ki prihajajo iz napajalnega dela. Tudi druge uporabe so vse pogostejše. RAZ MAGNETU. M TULJAVA Slika 25: Zaščita elektronike pri elektronskem vžigu PTC \PTC Slika 23: Klasična rešitev za razmagnetenje slikovnih cevi - zaščita potrošnikov v hišah pred atmosferskimi razelektritvami R S T O y -¿r Janez Benda, dipLing Mirjam Cergolj, dipl.ing Iskra Elementi -TOZD Keramika Stegne 27-Ljubljana TL Slika 24: Vezje za zaščito potrošnikov v hišah 102 MERJENJE HRAPAVOSTI POVRŠIN primerjava elektromehanskih profilometrov Talystep in Alphastep Andrej Demšar I. IZVLEČEK II. PROFILOMETRA-opis Ena od možnosti merjenja hrapavosti in mikro-sprememb topografije na površini je merjenje z elektromehanskim profilometrom. V članku je opisan princip delovanja profilometrov. S pomočjo iz-merkov na različnih vzorcih je narejena primerjava profilometra z računalnikom in brez njega. II. UVOD Hrapavost površine je pomembna na mnogih področjih. V optiki povzroča sipanje in absorbcijo; od nje je odvisna količina podatkov, ki jih lahko spravimo na magnetni trak oz. disketo; kvaliteta mikrovezja je odvisna od gladkosti podloge, na katero nanašamo tanke sloje; upornost električnih kontaktov je odvisna od površine stika dveh hrapavih površin; s pomočjo hrapavosti okarakteri-ziramo obdelanost površin v strojništvu. Hrapavost merimo na več načinov (1,2,3): z Nomarskim mikroskopom, z interferometrijo, elek-tromehansko z iglo, s sipanjem svetlobe in z elektronskim mikroskopom (TEM, SEM). Primerjavo med posameznimi statističnimi metodami vidimo v tabeli 1. Tabela 1: primerjava statističnih metod merjenja hrapavosti metoda vertikalna lateralna max. občutljivost ločljivost dolžina FECG interferometer ~3ft ~2 jim 1 mm Elektronski mikroskop -100Ä -100 A 3,11111 Talystep profiiometer ~ 5 A — 1 ¡xm* 2 mm Aiphastep ~5 A — 1 ¡xm* 2 min Nomarski mikroskop ±20 A ~ 5 A ~ 1 jxm Sipanje svetlobe 2 - 3 k 2. - 3 Ä * odvisno od premera igle Elektronski mikroskop in Nomarski mikroskop sta uporabna za kvalitativno določanje hrapavosti, oz. topografskih sprememb na površini. Merjenje sipane svetlobe v odvisnosti od kota je natančna metoda, vendar nas običajno zanima o-bratna pot: napoved sipanja na podlagi meritve hrapavosti, interferometrične meritve so absolutne, saj je enota, s katero merimo valovnedolžine svetlobe. Z interferometrom umerimo standarde za kalibracijo elektromehanskih profilometrov, ki nam s pomočjo elektronike dajo topografsko sliko merjene površine. ajač A/0 prefv risalnik Slika 1: Shematski prikaz delovanja profilometra Pri elektromehanskih profilometrih igla z diamantno konico potuje po merjencu. Zaradi vertikalnih odmikov se inducira napetost v tuljavi, ki obdaja iglo. Signal ojačimo in na risalniku dobimo povečan profil površine • merjenje s Talystepom. Če želimo statistično obdelati profil površine, moramo podatke o profilu digitalizirati, nakar jih pošljemo v računalnik. Ta jih obdela in v ustrezni obliki izpiše - merjenje z Alphastepom (glej sliko 1). V Iskri-CEO imamo dva elektromehanska profilometra: Taylor- Hobsonov Talystep in Tencorjev Alphastep (glej sliko 2 in 3). V tabeli 2 so zbrani podatki o obeh. Slika 2: Taylor-Hobsonov Talystep I 103 Slika 3; Tencorjev Alphastep Tabela 2; podatki o profilometrih podatek Talystep Alphastep vertikalno območje do 10 fitn do 160 jim max.dolžina poti 2 mm 10 mm ločljivost 5 A 5 A filter da da max.debelina vzorca 20 mm 23 mm r igle 1 -12 p. m 1 -12 (im pritisk igle na podlago 1 - 30 mg 1 -25 mg niveliranje vzorca ročno avtomatično mikroskop da ne video ne da računalnik ne da risalnik da da Ločljivost obeh instrumentov je enaka. Igle, s katerimi sledimo profilu površine, lahko menjavamo, pritisk na površino pa spreminjamo zvezno. Pri Alphastepu poteka niveliranje vzorca avtomatično. Čas, potreben za meritev, se tako močno zmanjša. Površino, ki jo merimo, vidimo bolje z video ekranom kot z mikroskopom pri Talystepu. Bistvena prednost Alphastepa je, da analogne podatke, dobljene z iglo, digitalizira. V izpisu dobimo digitaliziran profil, informacijo o poprečni hrapavosti Ra (4), poprečni višini izmerjenih točk glede na bazno črto (AVG), izračun razlike med najnižjo in najvišjo izmerjeno točko (TIR), pritisk igle, čas skaniranja. Pri Talystepu dobimo analogni izpis profila in moramo ročno „digitalizirati" podatke ter narediti izračun. Z izmerjenim profilom ne moremo manipulirati. Če želimo izmerek oz. zapis v drugačni obliki, moramo meritev ponoviti. Različnost izpisa oz. predstavitve profila površine vidimo na slikah 4. in 5. Hrapavost Ra pri Alphastepu odčitamo takoj, pri Talystepu pa jo lahko le ocenimo. Slika 4: Hrapavost poliranega optičnega stekla BK-7; merjeno s Talystepom 'n 'fi V) (C ■M -~> O w N UJ Slika 5: Hrapavost poliranega optičnega stekla BK-7; merjeno z Alphastepom. 104 IV. MERITVE Za natančno meritev na celotni dolžini je najbolje, da imamo raven vzorec, ki ima čimbolj paralelni površini. Meriti je možno tudi krive vzorce, vendar je dolžina snemanja hrapavosti precej manjša (100-500 (¿m, odvisno od ukrivljenosti površine). Velikost igle narekuje „vrsta" hrapavosti površine, obtežbo na igli pa trdota materiala, po katerem igla drsi. Poleg profila oz. hrapavosti površine lahko merimo še stopnice in periodične strukture (debelino nanešenih tankih slojev oz. filmov, debelino fotorezista, obliko mask, profil IC komponent). Periodični profil stopnic v razmaku 10 |xm vidimo na slikah 6,7,8,9 in 10. Pri Alphastepu je več možnosti različnega prikaza profila; odčitavanje širine in višine je v vseh primerih enako. Na slikah 11 in 12 pa opazimo, da je odčitavanje višine stopnice pri Alphastepu lažje. S pomočjo označeval-nikov, ki ju postavimo na in pod stopnico, lahko na izpisku levo zgoraj odčitamo višino. n n n o Slika 6: Meritev profila s Talystepom. i n n r Lj ^ U Slika 7: Nova meritev profila s Talystepom - pri večji povečavi (,.s 'I . i 7 1R .3:7-5 M Ur er'-rj i_> U LJ-1 i.J •';!.;» i i ) MP.MÎ.I ŽOOO .Z 1 • :>••! »f I r. •-• — i.! 1Ï'.- — T i i:"-: l ^¡v.o Slika 8: Meritev profila s Alphastepom - enak profil kot na sliki 6 in 7. Slika 9: Meritev profila z Alphastepom - ista meritev kot na sliki 8. le večja povečava 105 V 7; V j . v I ! i ' i v i V ,1 /'■■ i "4 O............................SO.................O,v, mamssamssmaesmmm i, t Slika 10: Meritev profila z Alphastepom - ista meritev kot na sliki 8. prikazan je 80fim izsek od skupno 400(xm S O,' t u i Slika 11 : Meritev profila stopnice s Talystepom OS , 03 Kft ... I II» 1 l'I I H—I I ■ O . 6 - !_ 400 H : Slika 12: Meritev profila stopnice z Alphastepom V. ZAKLJUČEK Primerjava meritev pokaže, da je digitalizacija podatkov in obdelava z računalnikom potrebna in koristna. Poveča se preglednost izpisov, takoj dobimo določene Informacije in, kar je najvažnejše, izognemo se subjektivni oceni pri določanju hrapavosti. Obstaja vprašanje, koliko je algoritem, s katerim računalnik izračuna hrapavost, dober oz. kako se ta algoritem pri različnih „vrstah" hrapavosti obnese. V določenih primerih, npr. pri sipanju svetlobe, je potrebno za izhodišče vzeti rms hrapavost In ne Ra hrapavost. To pa je pomanjkljivost softwarea in ne instrumenta in metode merjenja. VI. LITERATURA 1. J.M.Bennett, Measurement of the rms roughness, autocovariance function and other statistical properties of optical surfaces using a FECO scanning interferometer, Applied Optics, Vol. 15, No. 11, str. 2705, Nov. 76 2. D.L.Decker in J.M.Bennett, Surface evaluation techniques for optical components, SPIE Vol. 140, str. 32, 1978 3. J.M.Bennett in J.H.Dancy, Stylus profiling instrument for measuring statistical properties of smooth optical surfaces, Applied Optics, Vol. 20, No, 10, str. 1785, May 81 4. JUS M.A1.020. 1981, Hrapavost površine industrijskih kovinskih proizvodov - OSNOVNI POJMI IN DEFINICIJE Andrej Demšar, dipl. ing. ISKRA - CEO, STEGNE 7 61210 LJUBLJANA 106 V 4/0 \/ )1 3-BITN PROČ S jA « il ! \ a w \ n 1 < i i i î r irt \J \jf I :\3#4 r\r 10 "RMI § \ IK R. Vrlinič, D, Sašek 1. VSEBINA V tem prispevku želimo prikazati zgradbo mikroračunalnika po posameznih enotah, njihov osnovni funkcijski pomen ter njihovo uporabnost v ISKRI industriji kondenzatorjev Semič, 2. UVOD Zaradi zahtev po večji avtomatizaciji v naši tovarni smo že leta 1981 iskali možnost uporabe mikroračunalnikih krmilnikov za vodenje avtomatskih procesov. Takratno domače tržišče praktično ni omogočalo nakupa nobenega ustreznega sistema, zato smo se odločili za razvoj lastnega mikroprocesorskega krmilnika na osnovi razvojne opreme, ki je bila takrat dostopna na tržišču, to je ID 1680, kar pomeni, da je mikroprocesorski krmilnikzasnovan na Motorolini družini 6800. Razvoj krmilnika je potekel s časovnimi zamiki oz. neposredno odvisno od same uporabe, ker je bilo vedno najbolj pomembno, da se izdela avtomat, kar pa je pomenilo določene težave pri uni-ficiranju oz. standardiziranju krmilnika. V preteklem letu srno si začrtali to kot nalogo in jo v letošnjem letu tudi uspešno zaključili. 3. ZGRADBA KRMILNIKA 3a. Vodilo Vodilo je popolnoma kompatibilno z vodilom razvojnega sistema ID 1680, kar zagotavlja možnost neposrednega testiranja posameznih enot z razvojnim sistemom. 3b. Centralna procesna enota ~ CPU Ta enota v bistvu predstavlja mikroračunalnik na kartici evropa formata. Shematično je sestava prikazana na sliki. C fi» MODUL HXO KOBUL D/H MODUL CPU MODUL VHODNI MODUL iccc 4*1 MOlllJt. VODILO TUI MODUL I Le srntif TIPKOVNICA igradb» B —b ( tna g » <■ I ■ t« "> •> n » o «nov ( procaaorj» MS 882 Slika 1: Zgradba 8-bitnega sistema na osnovi procesorja M 6802 107 Iz tega je razvidno, da lahko taka enota sama zase nadzoruje 32 vhodno/izhodnih vrat, poleg tega pa omogoča serijsko komunikacijo enote s periferijo (npr, printer, modem, računalnik) po standardu V24 (RS 232). Na enoti je možno uporabljati 4 neodvisne ča-sovnike, ki se nahajajo v VIA elementih. Tako lahko za manjše sisteme uporabljamo samo to enoto, medtem ko pri večjih sistemih dodajamo samo periferne adapterje (P!A), sama CPU enota pa ostane v povsem isti konfiguraciji. 3c. PIA - enota Vsebuje 2 PIA (VIA) elementa z možnostjo nastavitve adrese. Na ta način nam vsaka taka enota zagotavlja 32 vhodno/izhodnih vrat. Kot pri CPU enoti lahkotudi tukaj brez omejitev uporabljamo 4 neodvisne časovnike. 3d. A/D - pretvornik To je 16 kanalni 10 ali 8 bitni pretvornik zasnovan na vezju HD 46508. 3e. D/A - pretvornik To je 8-bitni pretvornik zasnovan na vezju DAC 0800. ' 31 Vhodna enota Kartica ima velikost evropa formata in omogoča 20 vhodov. Njene osnovne funkcije so: * svetlobna ločitev periferije od mikroračunalnika « prilagoditev napetostnih nivojev * ojačitev vhodnih signalov * možnost sprejema podatkov iz večjih razdalj 3g. Izhodna enota Omogoča 18 izhodov, osnovne funkcije so iste kot pri vhodni enoti. 3h. Enota za krmiljenje koračnih motorjev Sistem krmiljenja koračnih motorjev je zasnovan na kontrolerju PPMC101C, ki pa samostojno zagotavlja krmiljenje 2,4 ali 5 faznih koračnih motorjev, od računalnika pa zahteva samo referenčne podatke. 3i. Enota IEEE-488 To enoto uporabljamo za merilne sisteme, kjer se zahteva zanesljiva komunikacija in je potrebno v kratkih časovnih enotah opraviti več različnih meritev (spreminjanje parametrov v času meritve). Deluje po protokolu GPIB-488. Enota lahko deluje kot govornik, poslušalec, ali kontroler. ■ 3j. Enota TDI Ta enota nam omogoča komunikacijo s tas-taturo (matrika 6x6) in družino alfanumeričnih prikazovalnikov HITACHI serije LM z vgrajenim kon-trolerjem. 4. APLIKACIJA KRMILNIKA Največ aplikacij je izvedenih na avtomatskih strojih za navijanje kondenzatorjev. Čeprav je predpostavka, da v današnjem času 8-bitni mikroprocesorji ne morejo zadovoljevati vseh potreb, lahko rečemo, da smo brez težav izvajali vse procese v realnem času. Seveda, to smo dosegli tudi s pravilno izbiro ostale elektronske opreme na avtomatu. Ena ključnih točk avtomata je sam navijalni sistem, ki ima v osnovi 4-6 (nekateri celo 16) direktno gnanih odvijalcev oz. navijalcev z enosmernimi „disk" motorji, ki imajo odzive v razredu 1 ms. Vse pogonske enote za motorje imajo lastne analogne regulatorje, saj drugače tudi 16-bitni mikroprocesor ne bi mogel zagotoviti delovanja v realnem času. Poleg tega ima navijalni avtomat še okrog 60 vhodno/izhodnih vrat, tastaturo za vpis podatkov, stikala za vodenje stroja in prikazovalnik za prikaz želenih vrednosti in kode napak. S področja merilne tehnike je bila najuspešnejša aplikacija na merilnem avtomatu za testiranje pasivnih filtrov. V ta namen je bila razvita enota IEEE-488 za komunikacijo z merilnim instrumentom GR 1689. To aplikacijo smo realizirali v sodelovanju s prof.Tomažem Slivnlkom s Fakultete za elektrotehniko Ljubljana. Avtomat omogoča izmero vseh parametrov na filtru pri različnih frekvencah v času 2 sek. 5. ZAKLJUČEK Prikazana izvedba mikroračunalniškega krmilnika nam zagotavlja možnost nadaljnje avtomatizacije procesov v naši tovarni. Hkrati to pomeni možnost 2. stopnje avtomatizacije ter vodenja in nadzora teh procesov z višjega računalniškega nivoja, kjer bomo uporabljali standardni (kupljeni) nadzorni računalnik. Radivoj Vrli nič, dipl. ing. Dušan Sašek, dipl. ing. ISKRA industrija kondenzatorjev RTS - oddelek za elektroniko Vrtača 1-68333 SEMIČ 108 MICROPROCESSOR ARCHITECTURE AND DESIGN FOR GaAs TECHNOLOGY uvodni referat na MIEL*88 v Zagrebu Veljko Milutinovic ABSTRACT GaAs technology has reached the VLSI level of integration. At the same power consumption, it is up to about half order of magnitude faster than Silicon technology, and up to several orders of magnitude more radiation hard. However, it imposes radical changes in the area of computer architecture and computer design. This paper explains several processor design strategies for GaAs technology, and emphasizes the RISC strategy. It discusses the impacts of GaAs technology on the design of CPU resources (adder, register file, etc.), system resources (cache, coprocessing, etc.), and system software resources (code optimization, hardware-to-software migration, etc.). It summarizes the essence of one 32-bit GaAs microprocessor design, and reviews the lessons learned. Finally, it concentrates on the synergism methodology for GaAs micorprocessor design; actually, on its most promising aspect: the catalytic migration. 1. INTRODUCTION Possible approaches to microprocessor design for GaAs technology include: bit-slice, functional-division, and RISC (1,2,4'. For a number of reasons, the RISC approach seems to be the most promising; however, the design has to be done with a maximal care, and a maximal awareness of the requirements of the GaAs technology (5,6,7). Issues that present special problems include, but are not lomited to: high ratio of off-chip to on-chip delays and storage recess times (high ,,off-on"), small on-chip transistor count, plus a relatively high sensitivity of gate delays on fan-in and fan-out. The RCA's design of a 32-bit GaAs RISC microprocessor represents one of the first three efforts in its domain. General architecture and the pipeline structure of this machine are given in the enclosed figure. Further details can be found in (13). Experiments that have preceeded the design are explained in '12,16'. Discussions of other relevant issues can be found in (3'8^10'11 4. Catalytic migration of the PC-stack, with a catalyst which enables the usage of instructions rather than their addresses. » 5. Catalytic migration of static RAM into dynamic RAM for on-chip cache memories. 111 * 6. Catalytic migration of the destination control for loading from multidlstance memories. * 7. Catalytic migration of the windowed register file. * 8. Catalytic migration of the bus sizing. * 9. Catalytic migration of the remote-PC. * 10. Catalytic migration of some elements of instruction/data buffers. More details on each of the above could be found in The common thread in all above examples is the existence of a catalyst which is in some cases not absolutely necessary, but helps to increase the efficiency. In many cases a new instruction type serves as a catalyst. 6. CONCLUSION We strongly believe that the future of GaAs microprocessor is In a further exploitation of the catalytic migration design methodology. In our opinion, future success of GaAs microprocessors depends largely on our ability to come up with new and efficient forms of catalytic migration. Of course, efficient implementation (in the architecture and the compiler) is an important prerequisite of the final success. 7. LIST OF RELATED REFERENCES The text to follow includes references to various sources that have been quoted in this paper, directly or indirectly. These references include both, surveys of general R&D activities in the field, as well as the research results from Purdue University (only those in the area of microprocessor architecture and design for GaAs technology). Edited Original Book: (1) V. Milutinovic (editor), Microprocessor Design for GaAs Technology, Prentice Hall, 1988, Contributors to this book include, but are not limited to: Naused (Mayo Foundation), Larson (Hughes), Fura (Boeing), Vlahos (TRW), Heemeyer (CDC), Geideman (McDonnell Douglas), Helbig (RCA), and Milutinovic (Purdue). Edited Repring Selection: (2) V. Milutinovic, D.Fura (editors), Tutorial on GaAs Computer Design, IEEE Computer Society Press, 1988. State-of-theArt Survey Paper: (3) V.VIahos, V. Milutinovic, „GaAs Microprocessors and Digital Systems: A Survey of R&D Efforts," IEEE Micro, February 1988. Journal Papers: (4) V. Milutinovic, D.Fura, W.Helbig, „An Introduction in the GaAs Computer Architecture for VLSI," IEEE Computer, March 1986, pp. 30-42. Translated into Japanese and republished by NIKKEI ELECTRONICS, Tokyo, Japan, October 1986. (5) V. Milutinovic, ,,State-of-the-Art Computer Design for GaAs Technology," IEEE Computer, October 1986 (Guest Editor's Introduction), pp.10-15. (6) V. Milutinovic, A.Silbey, K.Keirn, M.Bettinger, D.Fura, W.Helbig, W.Heagerty, R.Ziegert, R.Schellack, W.Curtice, „System Issues in VLSI Computer Architectures for GaAs," IEEE Computer, October 1986, pp. 45-57. (7) V. Milutinovic, D.Fura, W.Helbig, J.Linn, „Architecture/Compiler Synergism in VLSI Computer Systems for GaAs," IEEE Computer, May 1987, pp. 72-93- (8) K.McNeley, V.Milutinovic „Emulation of a CISC with a RISC," IEEE Micro, February 1987, pp. 60-72. (9) V. Milutinovic, N.Lopez-Benitez, K.Hwang, „A Vertical Migration Microprocessor Architecture for GaAs Implementation and Real-Time Applications," IEEE Transactions on Computers, June 1987, pp. 714-727. (10) V. Milutinovic, „Simulation Study of Vertical-Migra-tlon Microprocessor Architecture," IEEE Transactions on Software Engineering, December 1987, pp. 1265-1277. (11) V. Milutinovic, „A Simulation Study of GaAs-Oriented Suboptlmal Detection Procedures," IEEE Transactions on Communications, May 1988. (12) V. Milutinovic, M.Bettinger, W.Helbig, „Multiplier/Shifter Design Trade-offs in a 32-bit Microprocessor," IEEE Transactions on Computers, October 1988. (13) W.Helbig, V. Milutinovic, „The RCA's DCFLE/D-MES-FET GaAs 32-bit Experimental RISC Machine," IEEE Transactions on Computers, December 1988, Conference Papers: (14) J, Fortes, V.Milutinovic, R.Dick, W.Helbig, W.Moyers, „A High-Levei GaAs Systolic Array," Proceedings of the ACM/IEEE International Workshop on High-Level Computer Architecture, Honolulu, HI, January 1986. (15) B. Preuniclc, S.Lakhanl, V.Milutinovic, „Modelling and Analysis of Stochastic Propagation Delays in GaAs Adders," Proceedings of the ACM/IEEE Hawaii International Conference on System Sciences, Kona, HI, January 1988. (16) V.Milutinovic, M.Bettinger, W.Helbig, „Adder Design Analysis for GaAs Technology," IEEE Tutorial on GaAs Computer Design, Washington, D.C., January 1988. Other References: (17) Dietz, H„ Chi, C.-H., „A Compiler-Writer's View of GaAs Computer System Design," Proceedings of the HICSS-21, Kona, Hawaii, January 1988, pp. 256-265. (18) Radln, G., „The 801 Minicomputer," IBM Journal of Research and Development, Vol. 27, No. 3, May 1983, pp. 237-246. (19) Paterson, D.A., „Reduced Instruction Set Computers, Communications of the ACM, Vol 28, No. 1, January 1985, pp. 8-21. (20) Hennessy, J., VLSI Processor Architecture, IEEE Transactions on Computers, Vol. 34, No. 12, December 1985, pp. 66-77- Intemal Report: (21) Milutinovic, V., „The 1988 Sponsored Research Progress Report," Purdue University Internal Report, 1988. Veljko Milutinovic School of Electrical Engineering Purdue University West Lafayette, IN 47907 U.S.A. 112 MATERIALI - MATERIJALI - MATERIALI Zaključna beseda za referate - FORUM V.M. Kevorkijan U ovom broju Informacija završavamo sa ob-javljivanjem priloga sa Foruma: „Školovanje ka-drova za elektronske materijale u Jugoslaviji". Po-red pozvanih t.j. uvodnih referata objavili smo i deo diskusije kao i odredjena vidjenja i komentare. Svi učesnici Foruma več su dobili u pismenom obliku zaključke sa Foruma, a MIDEM če i u budučnosti nastaviti sa sllčnim akcijama. Inicijative ove vrste ne mogu da daju rezultate u relativno kratkom period u ali su, bez sumnje korisne. Da je to tako svedoči interesovanje nekih univerzitetskih i institutskih sredina za ovu pro-blematiku koja se nadovezuje na probleme Foruma kao i sasvim konkretan predlog sa Novo-sadskog univerziteta o pokretanju medjurepublič-ke študije o kadrovskim potrebama jugoslovenske elektronske industrije. Koristimo i ovu priliku da se zahvalimo svim učesnicima Foruma u nadi, da čemo uskoro ponovno saradjivati na ovom području. V.M. Kevorkijan Predsednik komisije za materijale, MIDEM OBRAZOVANJE O MATERI J AUMA NA TEHNOLOŠKOM FAKULTETU U NOVOM SADU Lj. Radonjič Ovaj skup gde se nalaze ljudi iz čitave zemlje, je pravo mesto za diskusiju o stvarnom stanju obrazovanja kad rova iz materijala i o planovima šta bi trebalo da se učini, imajuči u vidu pri tome da materijali kao nauka ili više kao struka, u Jugos-lavijii ne postoje (interdisciplinarne postdiplomske študije u Beogradu su izuzetak u tome). Prema sadašnjem stanju stvari u zemlji, prema novim reformisanim programima, na fakultetima se uvodi blago usmerenje iz materijala na 4 i 5 godini študija, ali fakultet za materijale uopšte, ne postoji, i mada nam je poznato iz strategije razvoja Jugoslavije, opredeljenje da razvoj materijala ima prioritet. I ja dolazim sa fakulteta gde je uz velike napore, uspelo da se izbori za neko blago usmerenje za materijale u novoj reformi študija, kao verovatno i na drugim Tehnološkim fakultetima u zemlji. Nešto više prostora je dato za materijale na postdiplomskim študijama. P o red inercije sredina prema promenama, jedna od objektivnih smetnji stvaranja usmerenja za materijale na fakultetima je i ne postojanje kad rova ni opreme za takvu vrstu študija. Što se tiče ovog skupa koji se specifično više interesuje za elektronske materijale, moje je mišljenje da bi elektronski materijali trebalo da se sta- ve na postdiplomskim študijama, kao i u razvi-jenom svetu, a ne da se pravi fakultet za elektronske materijale. Jedan od razloga je i nama dobro poznata naša realnost u zemlji o zapoš-Ijavanju naših završenih studenata. Gde če rad iti posle diplomiranja, študent nikad ne zna a naj-manje je siguran da če posao dobiti u oblasti koju je završio. Študent zato radije bira neko opšte usmerenje, verujuči cla su mu šanse za zapošlja-vanje, tirne povečane. Da postoji dobra saradnja, a ne postoji, izmedju elektronskih industrija ¡fakulteta, pa da se študenti sa tih usmerenja i zaposle u adekvatnoj industriji, to bi imalo opravdanje. Iz mog ličnog iskustva znam (odnosi se samo na Srbiju), da ako uz silan napor na postdiplomskim študijama usmerimo študenta na elektronske materijale, on se obično ne može da zaposli u elek-tronskoj industriji (iz razno raznih razloga). Moje je uverenje da smo mi još uvek tehnološki neraz-vijeno društvo za neka fina usmeravanja. To je ovog trenutka bar tako ali ne znači da o sutra treba da razmišljamo. Ja se isključivo, zbog toga, zaia-žem za uvodjenje materijala uopšte a elektronski materijali, sadobrim osnovama materijala na nižim godinama študija, mogu lako da se savladaju i na postdiplomskim študijama. 113 Uopšteno, fakulteti su dosta konzervativne ustanove koje se veoma teško menjaju. Razlog za ovu veliku inertnost fakulteta je i naš sistem obra-zovanja, gde profesor jednom izabran, do kraja radnog veka ostaje, pa makar dalje ništa ozbiljnije i ne radio. A uvodjenje materijala kao usmerenje zahteva i nov kadar, nove predmete, laboratorije, opremu za što u ovom trenutku naše stvarnosti nema ekonomske osnove a ni želje fakulteta da napravi napor za to. Možda bi u ovoj akciji i priv-reda mogla da ima značajnu ulogu. Da bi se reorganizacija fakulteta vršila tako da fakulteti više nego do sada zadovoljavaju potrebe privrede, priv-reda bi mogla da decidiranije definiše svoje zahteve za stručnim profilima i zahteva od fakulteta to. To bi verovatno ubrzalo promenefakulteta u smeru brže reorganizacije sa ciljem uvodjenja materijala kao smera na fakultetima. Medjutim, privreda tu i tamo se žali da fakulteti ne prave profile koji im trebaju, a specijalno da nema stručnjaka za ma-terijale, ali ni jednu organizovanu akciju ne pre-duzima. Sada bi nešto konkretnije iznela stanje na Teh-nološkom fakultetu u Novom Sadu. Prvobitno, Tehnološki fakultet u Novom Sadu je osnovan samo sa Prehranbenim inženjerstvom. Nešto kasnije, stvoren je smer i za Hemijsko inženjerstvo. U okviru hemijskog usmerenja postoje-tri smera: procesno, neorgansko, polimerno i petrohemijsko. Pošto Hemijsko inženjerstvo ima osečaj da je razvoj materijala danas veoma bitan, pokušano je da se nešto učini u tom smeru. Hemijsko inženjerstvo je u svetu nastalo iz potrebe naftne industrije a pošto je vreme „nafte" prošlo, čine se pokušaji da sebe nadje u nekom novom smeru (npr. bioinžen-jering ili materijali). Tako su kod nas uslovi sazreli da se u ovoj reorganizaciji nastave u smeru uvodjenja materijala. U tom novom predlogu reorganizacije nastave, materijali su uvedeni na usmerenje neorgansko inženjerstvo koje jedo sada bilo klasično. Tu smo imali najviše prostora da se smer preorijentiše u smer za neorganske materijale. Mi smer za polimere imamo ali polimeri smatraju da su materijali nešto drugo t. j. da polimeri nisu materijal (što je nonsence ali je tako). Zato se naš smer ne zove za materijale, več za neorganske materijale (obuhvata samo metale i keramiku). U trečoj godini študija mi imamo dosta hemijsko inženjerskih predmeta ( numerička matematika, automatika, hemijska termodinamika, regulacija) i neko blago usmeravanje ka materijalima (samo elementarni kursevi iz materija). Tek na četvrtoj godini študija uvodimo stvarno predmete iz materijala kao što su: struktura i osobina materijala, karakterizacija materijala, i neorganske tehnolo- gije smo preveli u osnovne procesehemijske pre-rade i neorganske bazne tehnologije. Tako je klasično izučavanje tehnologija ovim zamenjeno sa proučavanjem osnovnih tehnoloških procesa koji bi trebalo da budu dovoljna osnova za razumevanje specifične tehnologije kojom se u datom trenutku neko bavi. Na petoj godini študija, študent pored diplom-skog rada bira još par specifičnih predmeta iz materijala, koji su kod nas povezani sa keramikom gde je uveden i jedan specifičan predmet iz materijala visoke tehnologije koji bi pratio najsavreme-nije pristupe u dobijanju materijala. Ovo je bio opšti pristup materijalima, jer su i materijali dosta široko područje pa nije moguče obuhvatiti nastavom sve materijale a pogotovu što su interdisciplinarni što može da dodje do izražanja na postdiplomskim študijama. Naše postdi-plomske študije su u fazi reorganizacije gde se planira uvodjenje specifičnih grupa materijala u okviru blokova nastave, koji če ostati izborni u zavisnosti od interesovanja datog študenta. Ako študent ima dobre osnove iz materijala, to neče biti problem da se specijalizuje za date materijale na postdiplomskim študijama. Ovo bi zapravo bili naši pokušaji da na Teh-nološkom fakultetu, takvom kakav jeste, napravimo napor u smeru stvaranja skromnog kadra koji se može dalje da bavi naterijalima na svom rad-nom mestu. Naravno da samo nastava nije dovoljna za stvaranje stručnjaka za materijale. Ne-ophodne su i laboratorije gde bi študent stekao i neko praktično znanje. Na žalost, naše postoječe laboratorije su veoma skromno opremljene, sa za-starelom opremom i kada je ima. Oprema laboratorije za materijale je veoma skupa, i u dogled-noj budučnosti za opremanje se ne očekuju velika sredstva. Za to če sigurno trebati još puno vremena. Ali to je realnost za nas, van koje se ništa ne može. Ostaje da se nadamo boljem sutra. Prof. Liljana Radorijič Tehnološki fakultet V. Vlahoviča 2 21000 Novi Sad 114 ZAZASTAPENOSTA NA FIZIČKITE I TEHNOLOŠKITE OSNOVI NA ELEKTRONIKATA NA NAŠITE ELEKTROTEHNIČKI FAKULTETI Tomislav Džekov 1. SOSTOJBA VO ZEMLJATA Edna od osnovnite pričini poradi koi dojde do relativno zaostanuvanje na elektronskata industrija vo Jugoslavija vo odnos na svetskite trendovi bešestavot, koj počna da preovladuva vo stručnlte krugovi vo vtorata polovina na 60-tite godini, deka pomalite i ekonomski poslabo razvienite zemji ne treba da investiraat bo vozičnata elektronska tehnologija, tuku deka svojot interes i svoite usilbi vo razvojot na elektronikata treba da gi nasočat kon proektiranjeto, t. e. konaplikacijata na veke gotovi, odnadvor nabaveni, integralni i diskretni komponenti. Poznato e deka neispravnosta na ovoj stav, koj go zabavi razvojot na jugoslovenskata elektronika za naj mal ku edna decenija, beše jasno konstatirana od našite poširoki stručnl krugovi duri kon krajot na 70-tite godini, koga vo svetot počna prodorot na t. n. integralni kola po naračka. Pro-diranjeto na integralnite kola so visok i mnogu visok stepen na integracija vo site oblasti na elektronikata, kako i soodvetnite promeni vo arhitektu rata na elektronskite uredi i sistemi vo smisla na drastično namaluvanje na vkupnlot broj na komponenti, pokaža deka nema razvoj na elektronikata bez razvoj i proizvodstvo na integralni komponenti od site stepeni na kompletnost, a osobeno bez možnost na proizvodstvo na integralni komponenti po naračka. Vo situacija koga stana oči-gledno deka proektiranjeto na elektronski uredi i sistemi ke se sveduva vo idnina, faktički, na proek-tiranje na soodvetni elektronski komponenti, dojde do celosen izraz besmislenosta na koncepci-jata deka našite inžineri-elektroničari treba da bi-dat glavno proektantski orientirani, a deka tehno-logijata i proizvodstvoto na elektronskite komponenti treba da se ostavat na stručnite lica od drugi zemji. Dodeka golem broj, deneska glavno razvieni, zemji vo celiot povoen period, a osobeno po 1960-tata godina planski vložuvaavonaučnoistražuvač-kata i razvoj nata dejnost, bidejki ovie vložuvanja doveduvaa do značajni rezultati vo inovacijata na elektronskite proizvodi, do proširuvanje na prime-nata na elektronikata na razni oblasti na čoveko-vata dejnost i se razbira do značajni ekonomski efekti - kaj nas fundamentalnite i razvojnite istra-žuvanja počnaa sosema da se zapostavuvaat, bidejki se smetaše deka e ekonomski neopravdano edna zemja kako Jugoslavija direktno da učes-tvuva vo razvoj not na tehnološkata osnova na e-lektronikata. Soglasno so ovaa praktika, kadrov-skata baza vrabotena vo sektorot na fundamentalnite i razvojnite istražuvanja počna da se tretira kako opštestveno malku značajna - postoeše duri i odreden ignorantski odnos kon nea, a se for-siraše, proširuvaše i podmladuvaše kadrovskata baza povrzana so aplikativniot sektor. Seto ova se slučuvaše vo vremeto koga brziot razvoj na elektronikata beše vsušnost najdramatičen točno vo podračjeto na elektronskata tehnologija, koja go minuvaše patot od nivo na SSI do nivoto na VLSI. Gledištata vo vrska so nasokite i patištata na razvojot na elektronikata vo Jugoslavija imaa smoj celosen odraz, se razbira, i vo nastavnite planovi i programi na našite elektrotehniki fakulteti. Dodeka, na primer, nastavata od podračjeto na telekomunikacije, informatikata, kompjuterskate tehnika, ili od podračjeto na šematikata na elektronskite kola, gi sledeše, poveke ili pomalku uspešno, svetskite trendovi vovisokotoobrazovanie, oblasta na elektronskata tehnologija beše praktično, so mal broj na isklučoci, sosema zapos-tavena. Se do početokot na 80-tite godini, znači do navršuvanjeto na 20-godišninata od ragahjeto na mikroelektronikata, vo nastavnite programi na pogolemiot broj elektrotehnički fakulteti vo Jugoslavija praktično ne bea vklučeni sodržini od oblasta na tehnologijata na integralnite kola. Ne može a da ne začuduva faktot što vo vremeto koga vo svetskata periodična literatura glavna tema na de-not stanuvaa integralnite kola od četvrti stepen na integracija (VLSI) na nekoi naši fakulteti seušte se generiraa elektroničari koi vo tekot na školuvan-jeto nemaa možnost preku redovnata nastava da se zapoznaat so taka osnovni poimi od rečnikot na elektronikata kakvi što se, na primer, planarnata tehnologija ili debeloslojnata i tenkoslojnata tehnika. Sosema e razbirliv faktot što vo edna vakva situacija elektronskite materiali (nomenklaturata na materijalite što se koristat vo elektronikata broi poveke od 500 nazivi) rie se prisutni ili se sosema slabo prisutni vo nastavnite planovi i programi na elektrotehničkite fakulteti vo Jugoslavija. Osven toase postavuva i prašanjetodali nierazpolagame 115 so dovolen broj osposobeni kadri za održuvanje nastava od oblasta na elektronskite materijali. Ova prašanje ne e ni najmalku besmisleno ako se ima predvid našetomnogugodišnozapostavuvanjena naučno- istražuvačkata i obrazovnata dejnost vo ova podračje kako i teškotiite so koi se srekavame vo nastojuvanjeto da supstituirame so domašni mateirijali barem del od materijalite što se potrebni na našata elektronskata industrija. So golem stepen na sigurnost može da se pret-postavi deka profillte na nastavnite sodržini od oblasta na fizikata što se nudat na eiektrotehničkite fakulteti vo Jugoslavija ne se, gledano globalno, uskladeni so potrebite na razvojot na elektronskata tehnologija. Prašanje e, na primer, dali podrač-jeto na fizikata na čvrstoto telo, koe leži vo os-novata na naukata na materijalite, e vo dovolna mera i na soodveten način zastapeno vo nastav-nite programi na eiektrotehničkite fakulteti. Nema somnenie deka dobar del od eiektrotehničkite fakulteti vo Jugoslavija ke moraat vo idnina da mu posvetat pogolemo vnimanie na ova prašanje. 2. SOSTOJBA NA ELEKTROTEHNIČKIOT FAKULTET VO SKOPJE Odredeni sodržini od tehnološkite osnovi na elektronikata vo nastavnite programi na Elektro-tehničkiot fakultet vo Skopje se pojavija durivo u-čebnata 1983/84 godina, so voveduvanjeto na predmetot mikroelektronika vo IX-ot semestar na nasokata elektronika i telekomunikacijii - ET (pokra) ovaa nasoka na Elektrotehničkiot fakultet vo Skopje se neguvaat ušte i nasokite: avtomatika i informatika (Al), elektroenergetika (EE) u industris-ka elektroenergetika i avtomatizacija (IEA). Predmetot mikroelektronika e pokrien so istoimen u-niverzitetski učebnik (skripta), izlezen od pečat vo 1986 godina. Materijalot što se tretira vo učebnikot e podelen vo četiri osnovni poglavja. Vo prvoto poglavje se razgleduvaat najznačajnite postapki i etapi vo procesot na planarnata tehnologija. Vo vtoroto poglavje se stava akcent na nekoi elementi od fizičkite osnovi na monolitnite integralni kola. Vo tretoto poglavje se razgieduva strukturata na elementite na monolitnite integralni kola. Koneč-no, vo četvrtoto poglavje se dava prikaz na tehnolog i jata i elementite na debeloslojnite, tenkos-lojnite I hibridnite integralni kola. Kako što e voo-bičaeno za učebnici od vakov vid, vo tekstot se pojavuvaat i nazivite na golem broj od materijalite što se koristat vo elektronskata tehnologija, pri što, najčesto, se naveduvaat samo onie nivni karakteristiki koi vsušnost i gi činat ovie materijali pogod-ni za primena kako gradežna supstanca na in-tegralnite kola, odnosno kako učesnici vo sood-vetnite tehnološki procesi; znači ne može da se zboruva za postoenje na nekoj podetalen pregled, odnosno analiza na nivnite osobini. Nastavnata programa po fizika na Elektrotehničkiot fakultet vo Skopje se realizira vo prvata godina od studiite prekudva ednosmestralni kursa so fond na časovi 3 + 3, a gi opfaka slednive osnovni poglavja: fizički osnovi na mehanikata, os-cilatorno i branovo dviženje, zvuk, mehanika na fluidite, toplina i termodinamika, optika, atomska fizika i nuklearna fizika. Ona što vednaš paga vo oči e otsustvoto na sodržini od kvantnata mehanika i od fizikata ili cvrstoto telo. Ova, bez somnenie, pretstavuva seriozen defekt vo nastavnite planovi i programi na Eiektorotehničkiot fakultet vo Skopje i veke postoi inicijatlva za naoganje na soodvetno rešenie. Predmetot elektrotehnički materijali (ili - kako što e ušte poznat ■• tehnologija na elektromaterija-lite) e isto taka od interes koga zboruvame za zas-tapenosta na elektronskite materijali vo nastavnite programi na eiektrotehničkite fakulteti. Ovoj predmet na Elektrotehničkiot fakultet vo Skopje beše koncipiran i formiran ušte pred otvoranjeto na „sla-bostrujaškite" nasoki, pa beše, pretežno, „jako-strujaški" orientiran. Takov ostana (so isklučok na malite izmeni koi se sostoeja glavno vo proširuvan-jeto na spisokot na razgleduvanite materijali so germaniumot i siliciumot), za žal, se do učebnata 1984/85. Nastavnata programa što vo posledno vreme se nudi od ovoj predmet e vo značitelna rnerka izmeneta. Navistina se čuvstvuva odredeno lutanje vo izborot na sodržinite (se javuvaat prek-lopuvanja so drugite predmeti), no isto taka i.vlo-žuvanje na seriozni napoti da se osovremeni predmetot i da se napravi podednakvo korisen za site nasoki. Sepak, imajki ja predvid duri i najnovata nastavna programa na ovoj predmet, ne možemo da kažeme deka so nego sem napravile dovolno golem čekor kon rešavanjeto na problemot na izu-čuvanje na materijalite što se primenuvaat vo elektronskata tehnologija. 3, NEKOI RAZMISLUVANJA VO VRSKA SO NASOKITE NA PROMENA NA POSTOJ» NATA SITUACIJA Deneska, koga e veke sosema jasno deka bez aktiven odnos kon elektronskata tehnologija ne može da se smeta na siguren i dolgoročen razvoj na elektronikata, koga našata elektronska industrija pravi golem i napori da navleze vo tehno-logijata i proizvodstvoto na integralnite kola, obi-duvajki se da go nadomesti izgubenoto vreme, neophodno e da se izvršat soodvetni intervencii i promeni i vo nastavnite planovi i programi na eiektrotehničkite fakulteti. Poznata rabota e deka bez 116 soodvetni, visokokvalificirani, kadri ne može da se očekuva brz napredok vo niedno podračje, pa ni vo podračjeto na elektronskata tehnologija. Vo prv red, potrebno evo nastavnite planovi na nasokite što pretenditaat da bidat čisto elektroni-čarski da se vnesat poveke sodržini od oblasta na elektronskata tehnologija i proektiranjeto na in-tegralnlte kola. Vsušnost, vo situacija koga polu-provodnicite pretstavuvaat osnova na sovreme-nata elektronika i koga mikroelektronikata ne e samo specijalen, tuku najsuštestven I najobemen del na elektronikata, teško bi moželo da se zboruva za nasoka so konstruktivno hardverski karakter akovo najziniot nastaven plan ne esodržan barem eden dopolnitelen, ednosemestralen, predmet od podračjeto na fizikata na poluprovodnicite i barem tri ednosemestralni predmeti od podračjeto na mikroelektronikata (najmalku dva od kol bi bile pos-veteni na fizičkite i konstruktivno-tehnološkite as-pekti na integralnite kola, a eden na nivnoto proek-tiranje). Jasno e deka ne ke bide možno, barem ne vo početniot period, da bidat ispolnetl ovie ba-ranja na sekoj naš elektrotehnički fakultet. Imeno, nivnoto ispolnuvanje podrazbira postoenje na so-odvetna kadrovska baza (dovolen broj na kvalificirani nastavnici za drženje na vakva nastava) i soodvetni materijalni uslovi (mikroelektronički laboratorij, kompjuterska oprema i slično). No, tamu kade što nema uslovi bi bilo i pogrešno, da se or-ganiziraat nasokl od vakov karakter. So ogled na obemnosta na problematikata so koja se bavi mikroelektronikata, mislam deka e dobro i racionalno ako zainteresiranite za mikroelektronlka elektrotehnički fakulteti dogovorno se specijaliziraat po odredeni nejzini delovi. Potrebno e da se razgleda možnosta vo nastavnite planovi na „čisto elektroničarskite" nasoki da se ufrli predmet koji bi bil striktno orientiran kon tehnologijata i svojstvata na elektronskite materijah Predmeti so vakva sodržina postojat ne samo vo visokoto, tuku i vo srednoto obrazovanie na zemjite kaj koi na problematikata ne elektronskata tehnologija i se posvetuva pogolemo vnimanie. Mikroelektronikata ima tolku golemo značenje vo sovremenata elektronika i elektrotehnika, što odredeni nejzini aspekti, vklučuvaki gi i konstruktivno tehnološkite, treba, ako ništo drugo, da sta-nat sostaven del na tehničkata kultura na sekoj diplomiran elektroinžener. Zatoa smetam deka vo nastavnite planovi na ostanatite „slabostrujaški" nasoki (telekomunikacij., informatika, avtomatika i si.) treba da se predvidi eden ednosemestralen predmet koj ke gi pokriva fizikalnite i konstruktivno-tehnološkite aspekti na integralnite kola. Što se odnesuva do „jakostrujaškite" nasoki, treba vo ra-mkite na nivnite predmeti od oblast na elektronikata da se predvidi odreden prostor i za osnovite na mikroelektronikata. Vo programata na predmetot elektrotehnički materijali (ovoj predmet go slušaat obično site nasoki) soodvetno mesto treba da najdat barem del od mnogubrojnite materijali što se koristat vo elektronikata. Ovde pred se mislam na onie materijali koi se javuvaat kako gradežna supstanca na integralnite kola. Golemiot progres vo oblasta na elektronikata i elektrotehnlkata vo golema mera e svrzan so uspe-site na kvantnata mehanika i fizikata na čvrsto telo. Ovie granki na fizikata pretstavuvaat osnoven intelektualen dvigatel vo razvojot na elektronskata tehnologija i zatoa smetam deka treba da im se posveti pogolemo vnimanie. Vsušnost, bez soodvetno poznavanje na ovie podračja ne e možno da se objasnat mnogu pojavi što doagaat do izraz vo submikrometarskata integralna tehnologija, za koja vo svetot deneska naširoko se zboruva, a ušte pomalku e možno da se navleze vo poblemite na fukcionalnata elektronika, koja se smeta kako na-redna etapa vo razvojot na elektronskata tehnologija. Dr. Tomislav Džekov Elektrotehnički fakultet Skopje 117 Izobraževanje za področje keramike Marija Trontelj V razvitem svetu je izobraževanje zvezni proces, ki se za večino udeležencev, ki končajo visoko stopnjo, nadaljuje kot redni študij na univerzi, ali občasno na seminarjih in specializacijah. Medtem ko se na Japonskem izobražuje naprej 90 % vseh, ki končajo univerzo, so taki pri nas, lahko rečemo, le izjeme. Vzrok tiči v veliki meri v tem, da vodstva tovarn ne čutijo potrebe po izobraževanju svojih strokovnjakov in morda tudi v tem, da je pri nas ponudba podiplomskega izobraževanja Izven univerze pičla. Pomemben premik smo zabeležili v Sloveniji pred 3 leti, ko je stekla akcija „2000 raziskovalcev". V okviru te akcije naj bi se v srednjeročnem obdobju 1986-1990 dodatno specializiralo 2000 mladih strokovnjakov. Družba je izločila dodatna sredstva, ki jih prek Raziskovalne skupnosti Slovenije odobravajo Univerzi in kvalificiranim institutom za kritje dohodka in materialnih stroškov strokovnjakov na izpopolnjevanju. Program izobraževanja omogoča doseganje akademskih stopenj (mgr., dr.) pa tudi krajše, enoletne specializacije. Posebno slednje omogočajo številnim mladim strokovnjakom iz industrije dodatno izpopolnjevanje. Sredstva RSS zagotavljajo mentorski kader in načrtno delo. Kot primer naj navedemo, da se je ob koncu 1987 v Odseku za keramiko ob raziskovalnem delu izpopolnjevalo 16 mladih raziskovalcev. V Odseku za keramiko na Institutu „Jožef Štefan" se trudimo vrzel v izobraževanju na področju keramike zapolniti s prirejanjem seminarjev za keramike v industriji. Seminar obsega 30-35 ur predavanj in je sestavljen iz dela, ki zajema splošna poglavja iz nauka o keramiki ter iz dela, ki ga prilagajamo zahtevam naročnika. Udeleženci dobijo tudi pisni material. Teme, posebno v specialnem delu so sodobne in trudimo se, da Jih dopolnjujemo in v seminarju ponudimo najnovejše informacije in spoznanja na področju keramičnih materialov in tehnologij za keramiko. Druga oblika delovanja odseka za keramiko v izobraževanju so redni letni sestanki Sekcije za keramiko, ki deluje pri Slovenskem kemijskem društvu. Ti sestanki so organizirani tako, da so gostiteljice udeležencev sestanka delovne organizacije, ki imajo v proizvodnem programu keramične materiale, ali so na kak drug način povezane z njimi (npr. raziskovalni instituti). Na ta način se ude- leženci sestanka seznanijo s tovarno - gostiteljico ter z njenimi problemi in uspehi. V programu sestanka je vedno tudi strokovno predavanje, ki obravnava sodobno temo s področja materialov. Udeležba na teh sestankih je vedno številna in mnenje udeležencev je, da so ti sestanki zelo koristni za navezavo osebnih stikov. V izobraževanje vsekakor štejemo tudi udeležbo na kongresih vtujini. Taki kongresi so neizčrpen vir informacij, kar zna zelo dobro izkoristiti razvita industrija v svetu. Predstavnike naše keramične industrije tu vsekakor pogrešam. Posterske sekcije so izredna priložnost dobiti koristne informacije, saj omogočajo neposreden stik z avtorji prispevkov. Na zadnjem kongresu „Science of Ceramics 14" so bile jugoslovanske raziskovalne organizacije zastopane z osmimi deli in smo bili tako na četrtem mestu. Ni pa bilo nikogar iz industrije, ki bi zbiral informacije. Biloje veliko Američanov, Za-hodnoevropejcev in Japoncev, ki so živahno sodelovali v razgovoru ob posterjih. Grozi nam, da bomo odrinjeni tudi s tega področja, kajti pojavlja se težnja po zapiranju informacij v določene kroge. Zdi se mi pomembno, da postanemo člani združenj, ki organizirajo kongrese in si tako zagotovimo pravico do prisotnosti. Keramična sekcija Unije kemijskih združenj Jugoslavije je zaprosila za sprejem v novo ustanovljeno Evropsko keramično združenje (E Cer S). Skušamo se tudi vključiti v bilateralne in širše mednarodne projekte, ki omogočajo dostop do priznanih strokovnih ustanov v tujini, specializacijo strokovnjakov in izmenjavo mnenj. Pomemben dostop do najnovejšega znanja predstavljajo mednarodna srečanja, ki jih prirejamo v Jugoslaviji. S tem, da pripeljemo v Jugoslavijo priznane strokovnjake iz tujine, omogočamo številnim našim interesentom z njimi neposreden stik. Primer takega srečanjaje posvetovanje ovisokotempera-turnih materialih, ki ga je odsek za keramiko priredil lani v okviru nemško-jugoslovanskega sodelovanja na Brdu pri Kranju. Poleg 30 tujcev se je 4-dnev-nega srečanja udeležilo 70 jugoslovanskih strokovnjakov. Dr. Marija Trontelj Institut Jožef Štefan" Ljubljana, Jamova 39 118 XVI. JUGOSLAVENSKO SAVJETOVANJE O MIKROELEKTRONICI MIEL88, Zagreb 11.-13. maj 1988 Redakcijska napomena Za članove društva i ostale čitaoce INFORMACIJA, kojl nisu prisustvovali konferenciji MIEL 88 donosimo nekoliko informacija o konferenciji. U-rednički odbor je planirao u ovome broju objaviti i razgovor s dr. Velimirom Sričom, predsjednikom Republičkog komiteta za znanost, tehnologiju i in-formatiku SR Hrvatske, koji je bio i predsjednik or-ganizacijskog odbora konferencije MIEL 88. Me-dutim zbog zauzetosti dr. Sriče razgovor če biti objavljen u slijedečem broju časopisa. Svi članovi MIDEM dobili su program konferencije poštom zato ga ne objavljujemo u Informacijama. Članovi organizacijskog odbora MIEL-88 pri-premili su izveštaje po slijedečem redoslijedu: J. Čupudrija, Izveštaj o organizaciji konferencije; V. Sriča, govor na otvaranju konferencije; S. Ursič, Izveštaj o programskom dijelu konferencije i M. Gojo, Izložba. Izvještaj o organizaciji konferencije MIEL-88 J. Čupurdija Nakon bure dogadaja oko završnih radova oko organizacije konferencije, mnoštva dogovora, razgovora, nesporazumijevanja, krivo shvačenih informacija, ličnih stresova s obzirom na odgovornost i na postupke potrebne da se obave, a neuobi-čajne u našoj struci, odnosno svakodnevnom načinu razmišljanja, dogodila se i konferencija MIEL. U trenutku sadašnjeg življenja i načina razmišljanja jugoslavenske javnosti koja traži izlaz iz privredne krize, jedno od mogučih rješenja čini se da su i moderne tehnologije. S tog stanovišta i sa stanovlšta reputacije i tradicije MlEL-a, te činjenice da je predsjednik organizacionog odbora konferencije koja se održava u Zagrebu od 11. -13. 5. 1988 bio predsjednik Republičkog komiteta za znanost, tehnologiju i informatiku prof. dr. Velimir Sriča, čiji renome sam po sebi znači odredeni nivo pridavanja važnosti konferenciji, otvaranju konferencije su prisustvovali: Z. Vrbanec, M. Poček-Ma-tič, L. Miletič, S. Uzelac, R. Kolar, M. Šolar, S. Toj-člč, M. Mikič i Z. Markotič, ljudi na funkcijama u privrednom i društveno političkom životu Republike i Grada. Pored njih otvaranju su prisustvovali i potpredsjednik organizacionog komiteta, te više direktora radnih organizacija Končara. Konferen- cija je bila zabilježena i pračena sredstvima javnog informiranja (radio, televizija i novine). Mjesto održavanja konferencije bio je hotel „Panorama", u čijim prostorima, namijenjenim odr-žavanju sličnih skupova možemo biti vrlo zadovoljni, kao i sa susretljivošču osoblja hotela. Priznanje i značaj MlEL-u potvrdio se i u sprem-nosti predsjednika skupštine grada Zagreba, Mate Mikiča, da priredi prijem za učesnike konferencije u reprezentativnim prostorima gradske skupštine na Gornjem gradu, u palači Dverce. Mišljenja sam da je prijem uspio i da su u ugodnim razvedenim prostorima Dverca učesnici kok-tela mogli, ugodno i opušteno razgovarati ozanim-Ijivim temama. 119 MIEL-88 sa vodečim temama i pozvanim refe-rentima, mogao se održati samo uz pomoč pokrovitelja (sponzora) koji su svakako bili zainteresirani da se MIEL održi u zamišljenom opsegu. U današnjoj situaciji, kada smo zbog financijskih po-teškoča sve više u nemogučnosti biti u toku sa svjetskim zbivanjima iz područja mikroelektronič-ke tehnologije, od neprocjenjive nam je važnosti stupiti u personalni kontakt s osobama koje su na vrhu tehnoloških zbivanja i preko njih do znanja i spoznanja koja se u svijetu normalno izmjenjuju. Glavni sponzor! i organizatori konferencije MIEL-88 su bili Republički komitet za znanost, tehno- logiju i informatiku SRH, SOUR Rade Končar, RIZ Tvornica pol uvod iča i Elektrotehnički fakultet u Zagrebu, dok su konferenciju sufinancirali SIZ za znanost SRH, Nikola Tesla, Infosistem, Electronic, Tehničar OOUR Tera, SELK, Velebit-OOUR Informatika, Turistički savez grada Zagreba i Muzej Mi-mara. Organizacijski gledano, konferencija je uspje-la. Medutim, nameče se zaključak, da konferencije takvog nivoa i obima, kakvog je postao MIEL, više ne možemo i ne trebamo organizirati na amater-skoj bazi. Govor dr. Velimira Sriče na otvorenju MIEL-88 Drugarice i drugovi, cijenjeni gosti, dragi prijatelji, poštovani kolege! Ja sam ovdje zadužen da vas pozdravim u dvije funkcije, i sa zadovoljstvom sam se prihvatiotoga, da budem predsjednik Organizacijskog odbora o-vog skupa, prema tome tko god ima neke prigovore na organizaciji! dio toga ide i na moja ledja. Sa druge strane, dozvolite da vas pozdravim u ime Republičkog komiteta za znanost, tehnologiju i informatiku SR Hrvatske, i zaželim mnogo uspje-ha u radu. Ujedno gostima iz svijeta kojih imamo na ovom skupu izvjestan broj želim vrlo ugodan boravak u našem gradu, u našo) Republici i našoj zemlji. Zagreb kao znanstveni centar ima jednu vrlo značajnu tradiciju, istina, ovdje je naš predsjednik Izvršnog viječa skupštine grada koji daleko Ijepše govori o Zagrebu i više o njem zna, a ja ču u nekoliko riječi ocrtati Zagreb kao znanstveni centar. P rije svega u njemu je prva Gimnazija koja je danas klasična gimnazija osnovana još 1607 go-dine. Zagreb ima Sveučilište osnovano 1669. Ima i vrlo staru i uglednu Jugoslavensku akademiju znanosti i umjetnosti iz sredine prošlog stolječa. Prošle godine Zagreb je bio kao što znate, mjes-to održavanja Univerzijade, značajnog svetskog okupljanja studenata koji osim sportskih rezultata i sportskih Ijepota, našim očima pružio je primjer druženja mladih cijelog svijeta. Ovaj skup dio je značajnih znanstvenih aktivnosti i znanstvenog pogona, da ga tako nazovemo, koji Zagreb pruža našoj znanstvenoj i društvenoj javnosti. U Zagrebu se momentalno dogadja niz značajnih investicija na području znanosti. Jedna od njih je gradnja Nacionalne i sveučilišne biblioteke /VXVM..A"- J' kao jednog od kapitalnih objekata naše kulture i znanosti. Isto tako u toku je, nadamo se več po-malo pri kraju, druga faza Elektrotehničkog fakulteta. Započinje gradnja Centra za molekularnu genetiku na Institutu „Rudjer Boškovič". S obzirom na veliki značaj genetičkog inženjerstva i visokim tehnologijama na tom području, ovo smatramo izuzetno značajnom strateškom investicijom. Pri-prema se i druga faza realizacije investicije u novi objekat Jugoslavenskog leksikografskog zavoda. Završavaju se pripreme na početak gradnje Pri-rodoslovno- matematičkog fakulteta na Horvatov-cu, kao jezgre budučeg znanstvenog i tehnološ-kog parka. I da ne nabrajam dalje, Zagreb pokušava znanosti otvoriti svoja vrata, svoje prostore, svoje zgracle, pa pomalo, i srca svojih ljudi. U našoj zemlji mjesto i uloga znanosti u ovim kriznim vremenima ipak postepeno počinje dobivati onaj prostor koji objektivno zaslužuje. Momentalno je u toku proces usvajanja programa znanstvenog razvoja Hrvatske za naredno razdob-Ije, i program tehnološkog razvoja naše Republike. I upravo kao jedan od prioriteta u tom programu tehnološkog razvoja, pojavljuje se područje mik-roelektronike. Zbog toga nije slučajno da se na ovom skupu nalazi veliki broj uglednika, veliki broj kvalitetnih referata i da je značajna pažnja usmje-rena na ovaj skup i na njegove rezultate. Danas se u svijetu izuzetno mnogo polaže na znanje kao resurs. Možemo reči da glavne uspjehe na svjetskoj ekonomskoj sceni doživljavaju inovacijska društva. To su one zemlje koje su uspjele individualnoj grupnoj i društvenoj kreativnosti otvoriti sva vrata i óstvariti pretpostavkeda inovacija, znanje, informacija postanu temelji na kojima se gradi uspjeh društva i razvojne perspektive društva. Isto tako umjesto klasičnih koncepata eko- 120 nomije resursa i ekonomije energije svijet se okre-če ekonomiji znanja. Danas možemo govoriti o in-formatičkoj fazi ko je uvode sva društva, i mikro-eiektronika je upravo jedan od temelja na kojima se zasniva informatičko društvo. Netko je u šali rekao, kada bi Marx danas pisao epohalno djelo u kojem bi pokušao sintetizirati sve ono što karak-terizira svjetsku ekonomsku političku i društvenu scenu, ono se ne bi zvalo „Kapital", ne bi se moglo z vat i „Kapital", nego bi se moralo z vat i „Znanje" ili „Informacije". To je danas ključni pojam oko koj-jega se stvaraju i razrješavaju proturječnosti trenu-tačnog razvoja na našoj planeti. Eksponencijalni rast ljudskog znanja jed na je činjenica koju ne možemo zaobiči. Prema nekim istraživanjima cje-lokupno ljudsko znanje koje je stvoreno od 1900 godine, udvostručilo se več 1950 godine. Do no-vog udvostručenja došlo je 1960 godine, i nakon toga svakih 6 do 8 godina, svjedoci smo udvostručenja cjelokupnog, dosad stvorenog ljudskog znanja. Uz malo mašte možemo zamisliti da se svo to znanje slaže ispred nas na police, u obliku knjiga, članaka, monografija, časopisa. Ta polica se danas toliko brzo puni, da se njen kraj od nas udal-java brzinom svjetlosti i nemoguče je bez. suvre-menih tehnologija i njihovog burnog razvoja pri čemu ponovno naglašavam značaj mikroelektro-nike. Uopče, savladati tu informacijsku križu i taj informacijski bum na tom području, mikroeiektro-nika ima neslučene kvalitativne skokove. Takod-jer, ovdje ima mnogo ljudi koji o tome znaju više od mene, alija sam izdvojio neke pokazatelje. Doz-volite mi, da vam prezentiram tih nekoliko činjenica: Prva: broj komponenti na silicijskom čipu kroz posiijednih 20 godina udvostručava se svakih 12 do 18 mjeseci, prema tome, možemo reči da imamo eksponencijalni trend složenosti ove tehnologije u vrlo drastičnom razmjeru. Danas več pojedini čipovi imaju po nekoliko milijuna komponenti na sebi, ado kraja stolječa očekuje se da to bude i više od 100 milijuna. Bez obzira na neke alternativne tehnologije koje se kuhaj u u svjetskim in-kubatorima znanja, kao što su biočipovi, područje mikroelektronikejedalekou budučnosti, još uvijek na ovoj tehnologiji sigurno i plodonosno. Cijena tranzistora u 20 godina, kao komponente, pala je za 1000 puta i gotovo da nema niti jedne druge tehnologije koja je tako drastično povečala svoju kvalitetu, brzinu, pouzdanost a istovremeno toliko drastično smanjila cijenu. Godišnji rast produktivnosti u proizvodnji polu-vodiča u posljednjih 20 godina, ne prelazi 15% prema dolje, barem je 15% godišnje. Isto tako područje proizvodnje pol uvod iča ima u svijetu dramatičnu stopu rasta zaposlenosti. Ta zaposlenost prelazi u prosjeku 100% godišnje. I da ne redamo sve ove pokazatelje, jer oni su svi podjednako ovako dramatični, možemo reči da je jedan od najkvalitetnijih, najznačajnijih tehnoloških stupova, kamena temeljaca, na kojima počiva suvremena, znanstveno tehnološka revolucija, u-pravo je ono na što se koncentrira ovaj današnji skup. Dozvolite mi na kraju, još samo jednu napo-menu. Za izlazak iz ove, sada več dugotrajne ekonomske, možemo reči političke, društvene, moralne krize našeg društva, jedan od najsnažnijih pokretača mora biti promjena odnosa prema znanju, prema znanju kao resursu. Da je to moguče lako je ukazati jednom metaforom s Dalekog is-toka. Naime, pojam krize na kineskom piše se sa 2 ideograma, od koji h prvi znači opasnost a drugi znači dobru priliku. Kriza ne mora biti samo opasnost nego može biti i odskočna daska za kvalitativne promjene. U tom smislu jedan dio te odskočne daske sastoji se i od područja mikroelektro-nike, znanstvenih dostignuča na tom vitalnom području, suvremene tehnološke revolucije i ideja koje se u njega ugradjuju. Dozvolite mi još jednom da vas pozdravim i zaželim mnogo uspjeha u radu ovog skupa za koji smo sigurni da če u velikoj mjeri doprinjeti razvoju mikroelektronike u gradu Zagrebu, našoj Republi-ci, u našoj zemlji a možda i u svijetu. 121 MIEL-88: IZVJEŠTAJ O PROGRAMSKOM DIJELU KONFERENCIJE Srebrenka llrsič Program se odvljao kroz slijedeče sekcije: » Si tehnologija/karakterizacija - 20 ¡zlaganja * Fizika čvrstog stanja - 5 ¡zlaganja * Projektiranje integriranih sklopova -15 iz-laganja * Testiranje integriranih sklopova - 6 ¡zlaganja * Modeliranje - 7 ¡zlaganja * Komponente/Modeliranje/Pouzdanost - 9 ¡zlaganja * Tehnologija hibridnih sklopova - 9 ¡zlaganja * Optoelektronika/mikrovalni sklopovi - 5 \z-laganja * Zakašnjeli referati - 3 ¡zlaganja Ukupno je ¡zneseno 79 radova, od toga 12 ra-dova stranih autora. Glavni avtor ovogodišnjega programa, mr. Z. Živlč obavio je dobar posao i može se reči da su sekcije bile složene vrlo kompaktno, što je omogučilo učesnicima da se kon-centriraju na područja i radove koji ih zanimaju. Održani su svi pozvani referati, koji su ¡zazvali poseban interes i opravdali ¡zbor pozvanih gostiju: P.G.A. Jespers, V. Milutinovic, S.L.Hurst, R.L. Anderson, P. Wagner, Z. Ogorelc i Lj. Pešič. Svi pozvani referati bit če objavljeni u redovnom izdanju časopisa „Microelectronlcs Journal" izdavača Benn Publishing iz Londona, zaslugom i angaž-manom prof. N. Stojadinoviča. Smetnje u pračenju programa pojavile su se zbogvišejezičnosti konferencije. Simultano prevo-denje na engleski jezik bilo je organizirano samo u jednoj od dvije dvorane, tako da su dvije zanim-Ijive sekcije, Projektiranje integriranih sklopova i Testiranje integriranih sklopova, bile gotovo isklju-čivo na našim jezicima, iako su strani gosti ¡mali veliki interes da ih prate i sudjeluju u njihovom ra-du. Osim toga nije bilo osigurano prevodenje sa slovenskog na engleski jezik, pa zahvaljujemo svim referentima sa slovenskog jezičnog područja koji su u zadnji čas preradivali svoja ¡zlaganja, u-glavnom na engleski jezik. U svakom slučaju, treba pozdraviti iz niza razloga odluku da od iduče go-dine u Nišu radni jezik MIEL bude samo engleski. Satnica konferencije je bilaveoma nabita, tako da su voditelji sekcija trebali uložiti dosta napora da održe red u izvještavanju i omoguče tako pri-jelaz slušalaca ¡z sekcije u sekciju. Sekcije su vodene aktivno i profesionalno, pa zahvaljujemo svim voditeljima: Z. Durič, D. Jjapkin, V. Litovski, V. Ružič, N. Stojadinovič, I. Šorli, R. Krčmar, R. Ramovič, M. Miličevič, V. Radič, N. Jankovič, Z. Krivokapič. Program pokazuje da MIEL i dalje pokriva vrlo široko područje mikroelektronike - od istraživanja u fizici čvrstog stanja do VLSI integriranih sklopova. Zastupljenost i kvaliteta radova koji obradu-ju integrirane sklopove svake godlne raste i može se reči da su ove godine ravnopravni do sada pretežnim područjima tehnologije (monolitne i hibridne) i modeliranja (procesa i komponenata). Sve je više radova koji opisuju aplikativno specifične integrirane sklopove (AS I C). Čini se da če se veza s primjenom, koja je oduvijek bila neispunjena želja organizatora MlEL-a, ostvariti na prirodan način, preko izvještavanja o razvoju ASIC-a i njihovih mo-gučih aplikacija. U tom smislu aktivno sudjelova-nje na MlEL-u može postati interesantno i za koris-nike rezultata naših istraživanja - projektante elek-troničkih uredaja i sistema. IZL.OZBA Miroslav Gojo Kao prateča manifestacija uz 16. jugoslaven-sko savjetovanje o mikroelektronici MIEL. - 88 bila je organizirana izložba iz razvojnih, proizvodnih i prodajnih programa naših radnih organizacija. Na izložbi su sudjelovali: * RIZ RO Tvornica poluvodiča Zagreb * Rade Končar, OOUR Elektrotehnički institut Zagreb * RIZ IETA Zagreb * Croatia, Tvornica baterija i svjetiljaka Zagreb * Chemcolor Zagreb * Electronic Zagreb * Selk Kutina * Iskra, DO Mikroelektronika Ljubljana * Iskra, Elementi, TOZD HIPOT, Šentjernej » Rudi Čajavec Banja Luka * Institut „Mihajlo Pupin" Beograd Za sudjelovanje na izložbi bile su pozvane i druge radne organizacije, ali na žalost nisu se oda-zvale pozivu. Sama izložba izazvala je pažnju kako sudionika Savjetovanja, tako i pozvanih gostiju na otvaranju Savjetovanja. Ujedno mislimo da je izložba poslužila i za upoznavanje, te dodatne razgovore i razmjenu is-kustava stručnjaka ovog područja znanosti. 122 PODELITEV PRIZNANJ DRUŠTVA MIDEM ZA LETO 1988 Rudi Ročak Ob otvoritvi letošnjega posvetovanja MIEL 88 v Zagrebu je predsednik društva R. Ročak podelil priznanja društva MIDEM. Izvršni odbor društva MIDEM je imenoval prof. dr. Dimitrije Tjapkina za zaslužnega člana društva. Prof. dr. Dimitrije Tjapkin je bil pred ustanovitvijo društva MIDEM član SSESD. Njegova je zasluga, da se v okviru konference ETAN vsako leto pojavljajo tudi sekcije SD, saj je vsa pretekla leta sodeloval v organizaciji teh sekcij in skrbel za recenzijo prijavljenih referatov. Kot profesor Elektrotehniške fakultete v Beogradu je vzgojil vrsto odličnih strokovnjakov s področja polprevodnikov in s svojim osebnim in mentorskim delom dal velik strokovni prispevek. Prof. dr. Dimitrije Tjapkin je član IO MIDEM: Jasminka Čupurdija, dipl.ing., Mag. Slavoljub Jovanovič, Mag. Milan Mekinda, Mag. Nenad Stri-žak in Miroslav Turina, dipl.ing. so prejeli priznanja naziva aktivnega člana. Jasminka Čupurdija, dipl.ing. iz Rade Kon-čara v Zagrebu, član SSESD od 1978.leta, aktivno sodeluje v IO MIDEM in v sekretariatu Društva. Sodelovala je v organizacijskih odborih zadnjih dveh konferenc MIEL, ki sta bili v Zagrebu. Posebej je zaslužna pri uspešni organizaciji MIEL 88. Strokovno deluje na področju uporabe mikroelektron-skih vezij. Mag. Slavoljub Jovanovič iz El Poluprevod-nici je dolga leta bil tehnični direktor našega največjega polprevodniškega proizvajalca, trenutno pa je glavni direktor. Kot vodilni delavec in strokovnjak na področju polprevodnikov je aktivno prispeval k ustvarjanju pogojev za delovanje društva MIDEM. Član je izvšrnega odbora društva. Mag. Milan Mekinda, glavni direktor DO Iskra Mikroelektronika je od vsega začetka svojega delovanja na področju mikroelektronike aktivno podprl delovanje društva. Je eden od ustanoviteljev društva MIDEM in član Izvršnega odbora. Njegovo razumevanje in podpiranje vseh akcij društva MIDEM je velik prispevek pri ustvarjanju pogojev za aktivnosti društva MIDEM. Mag. Nenad Strižakiz RIZ-IETAje član SSESD od leta 1976. Aktivno sodeluje že mnoga leta v manifestacijah MIDEM s svojimi strokovnimi prispevki na področju hibridne mikroelektronike. Na skupščinah društva s svojo aktivno prisotnostjo pomaga pri usmeritvah delovanja društva. Miroslav Turina, dipl.ing., mnoga leta direktor RIZ-Tvornice poluvodiča v Zagrebu je s svojo aktivno podporo delovanju svojih sodelavcev v SSESD omogočil aktivnost velikega števila članov društva v Zagrebu. Svojo strokovno aktivnost nadaljuje v mikroelektronskih aplikacijah v Elektrotehnikom Institutu Rade Končar. Član je uredniškega odbora „Informacij MIDEM", zadolžen za zbiranje novic in zanimivosti. Njegov prispevek je bil občuten tudi v organizacijskem odboru letošnjega posvetovanja MIEL. Za dolgoletno moralno in finančno podporo društva MIDEM so priznanja dobile naslednje jugoslovanske delovne organizacije: Iskra-Avtomatika-Ljubljana Birostroj-Maribor Belinka-Ljubljana Iskra Commerce, Zastopanje tujih firm - Ljubljana Elektronik - Proizvodnja električkih uredaja - Zagreb Rade Končar - Elektrotehnički institut - Zagreb Tehniška fakulteta Maribor Predsednik MIDEM dr. Rudi Ročak MIDEM, Titova 50 Ljubljana 123 XXXII. JUGOSLOVANSKA KONFERENCA ETAN Pavle Tepina Od 6. do 10. junija je bila v prostorih poslovne zgradbe UNIS v Sarajevu XXXII. Jugoslovanska konferenca ETAN. Udeležilo sejeje prek 400 strokovnjakov iz vse Jugoslavije. Soorganizatorji in sponzorji so bili: SOZD Energoinvest, SOZD Unis in Fakulteta za elektroniko - Sarajevo. Ob odsotnosti predsednika Odbora za jugoslovanske konference ETAN je konferenco odprl podpredsednik Paja Ciner. Po pozdravnem govoru predsednika SO Sarajevo Salka Selimoviča je predsednik Zveznega komiteja za znanost in tehnologijo Božidar Matic podal referat o jugoslovanskih sistemih znanosti in odnosih znotraj njih. Ker ETAN letos slavi 35-letnico obstoja, je predsednik predsedstva ETAN Georgije Dimirovski podal kratek oris njegovega delovanja. Ob zaključku so podelili diplome najboljšim referatom na XXXI. konferenci ETAN. Na trinajstih komisijah je bilo podanih prek 400 referatov s celotnega področja, ki ga zajema Jugoslovansko združenje za ETAN. Na dveh plenarnih sejah sta bila podana referata: Distribuirani sistemi za vodenje in nadzor tehnoloških procesov in elektroenergetskih post rojev (avtor Adnan Salihbegovič) in Izkušnje v razvoju in realizaciji računalniško-komunikacijskih mrež za prenos podatkov s komutacijo paketov. Konferenco je dopolnjevalo X. Jugoslovansko posvetovanje o sodobnih neorganskih materialih, na katerem je bilo podano 49 referatov. V okviru konference je bila tudi seja predsedstva ETAN. XXXIII. Jugoslovanska konferenca ETAN bo naslednje leto v Novem Sadu. Pavle Tepina, dipl. ing. Društvo MIDEM Ljubljana, Titova 50 KRATAK IZVEŠTAJ SA TRIBINE KG MAK U 21 VEK SA MIKROELEKTRONIKOM" Miloš Živanov U okviru multimedijalnog programa „KORAK U 21 VEK" koji se održavao povodom Dana mladosti u Novom Sadu od 25. maja do 5. ju na 1988 god. 31.05. održana je javna tribina „Korak u 21 vek sa mikroelektronikom". Predavanja je organizovala „Narodna tehnika Vojvodine" u saradnji sa „Društvom inženjera i tehničara za saobračaj i veze" podružnica za mikroelektronske tehnologije i materijale iz Novog Sada. Od 8 prijavljenih predavanja održano je 7 predajanja i to: 1. Šta je to mikroelektronika, dr. Vojin Cvekič 2. Tehnika projektovanja integrisanih kola, dipl. ing. S. Pantič i R. Stokanovič 3. Projektovanje GEM integrisanih kola, dipl. ing. S. Pantič 4. Interaktivna grafika u projektovanju elektronskih kola, Z. Radenkovič 5. Perspektiva razvoja 3D integrisanih kola, mr. M. Živanov 6. Budučnost mikro i makroelektronike: super-provodljivost, dr. J. Šetrajčič 7. Presek sadašnjeg stanja u mikroeiektronici, dr. D. Rakovič Predavanja, koja su bila na relativno visokom stručnom nivou, su održavana po unapred utvrdje-noj satnici, a clužina predavanja je zavisila od teme i kretala se od 30 do 60 min. Poseta predavanjima se kretala od 10 do 40 siušalaca. tj. u proseku oko 25. 124 Nakon predavanja održan je okrugli sto pod nazivom „Mesto i uloga mikroelektronike u strategiji tehnološkog razvoja SFRJ". S obzirom da su učesnici bili pretežno iz Vojvodine, težište ove diskusije je stavljeno na mogučnosti razvoja mikroelektronike u Vojvodini. Kako postoje odredjene teškoče u našoj zemlji u razvoju mikroelektronike I u sredinama koje su mnogo ranije počele razvijati mikroelektroniku, preovladalo je mišljenje da je u Vojvodini potrebno razvijati prvenstveno elektro-niku i srodne delatnosti. Potrebe razvoja mikroelektronike se mogu javiti tek nakon sagledavan-ja konkretnih potreba u elektronskoj i srodnoj industriji, kao i u poljoprlvredi. Miloš Živanov dipl. ing. Naftagas - Novi Sad PREDSTAVLJAMO SPONZORJE MIDEM ISKRA Center za elektrooptiko Alenka Rožaj-Brvar ISKRA Center za elektrooptiko je ena izmed 14. Iskrinlh proizvodnih organizacij. Sedež ima v Ljubljani. Zaposluje več kot 550 delavcev, od teh jih dobra tretjina dela na razvoju in raziskavah. Osnovni program našega Centra so elektroop-tične naprave, vse bolj pa se posvečamo razvoju in proizvodnji termovizijskih kamer in opreme za področje optičnih komunikacij. Uveljavljamo setu-di kot ponudnik prenosa tehnoloških znanj. V našem proizvodnem programu so plinski in trdni laserji ter laserske naprave, ki se uporabljajo že skoraj povsod: He-Ne plinski laser kot učni pripomoček v šoli, v medicini se vse bolj uporablja laserska akupresura, v oftalmološko-kirurškem instrumentu je He-Ne laserski žarek (viden) indikator smeri za Nd-YAG laserski žarek, ki ga ne vidimo. Plinske CO2 pulzne ali kontinuirno delujoče laserje uporabljajo v industriji za rezanje, vrtanje, za površinsko obdelavo kovin, za varjenje. Naši CO2 laserji so opremljeni s sistemi za vodenje žarka in z računalniško krmiljenimi pomičnimi mizami. V medicini, industriji in v vojaške namene se vedno bolj uporabljajo termalne kamere, to so naprave, ki na opazovanem predmetu natančno zaznavajo temperaturne razlike. Tovrstni instrumenti služijo za odkrivanje malignih procesov, za meritve toplotnih izgub, za gledanje ponoči. Na področju optičnih komunikacij smo razvili vrsto instrumentov in tehnologij', ki nas uvrščajo med enakopravne konkurente na zahodnem trgu. Proizvodnjo treh vrst optičnih vlaken smo postavili na osnovi lastnega znanja. Prav tako smo samo z lastnim znanjem razvili linijsko terminalno opremo za prenos optičnega in TV signala. Danes lahko ponudimo tudi digitalni prenos TV slike z različnimi prenosnimi hitrostmi. Zaradi svojega specifičnega programa smo bili v preteklosti prisiljeni ustvariti lastno infrastrukturo in sistematsko razvijati tako bazična kot aplikativna in sistemska znanja, saj v modernih elektroop-tičnih napravah brez enega ali drugega ne gre. Tako imamo danes v CEO na voljo najmodernejši računalniško krmiljeni strojni park. Večino optičnih komponent izdelamo sami v svojih optičnih delavnicah, tankoplastna optična pokritja razvijamo, naparimo in testiramo sami. Večino svojih proizvodov, ki vsebujejo dobršen del visokotehnološkega znanja, izvozimo na kon-' vertibilna tržišča. Zavedamo se, da bi brez lastnega znanja in dobrih strokovnjakov vsega tega ne bilo. Dr. Alenka ROŽAJ-BRVAR Iskra CEO Ljubljana, Stegne 7 MIPOT-Cormons Italija Slavko Sulčič Podjetje Ml POT S. p. a. je bilo ustanovljeno leta 1973. Dve leti pozneje je začelo s proizvodnjo elektronskih komponent v lastnem centru v Krminu (CORMONS), kjer je tudi vse izdelke načrtovalo v lastnem laboratoriju za raziskave. .Že od takrat MI POT uporablja debeloplastno in tankoplastno tehnologijo za načrtovanje in proizvodnjo preciznih uporov, uporovnih mrež in hibridnih mrež. 125 Ugodne tržne razmere so leta 1983 omogočile ustanovitev novega proizvodnega centra v Viš-korši, Beneška Sovenija. Hkrati seje MIPOT pojavil na vojaškem in vojaško-letalskem trgu z viso-koprofesionalnimi izdelki. Pretežni del odjemalcev se ukvarja s telekomunikacijami, z avtomatizacijo proizvodnih procesov in z merilnimi inštrumenti. Leta 1985 je MIPOT odprl nov laboratorij za raziskave v Sgoniku, Trst." Že od vsega začetka se je njegova dejavnost osredotočila v dve smeri: * raziskovanje novih tehnologij za proizvodnjo senzorjev pritiska * izdelava naprav za naparevanje v visokem vakuumu V oddelku, ki se ukvarja z drugo smerjo, deluje osebje z desetleno prakso v načrtovanju naprav in razvoju tehnologij na področju tankih filmov. Danes je v MIPOT zaposlenih 90 oseb, med njimi je 9 diplomiranih inženirjev in 15 specializiranih tehnikov. Družbena glavnica je 600.000.000 lir. Proizvodi MIPOT so visoko konkurenčni, saj niso izdelani serijsko, temveč po posebnih željah in potrebah kupcev. V večini primerov MIPOT nudi v celoti svoje naprave z ustrezno tehnologijo. Slavko Sulčič MIPOT S. p. a. Via Corona 5 34071 CORMONS(GO) Italia Docent OLIVERA JOSFOVIČ, dipl.ing. Povodom 60.-tog rodendana Docent Elektrotehničkog fakulteta u Banjaluci Olivera Josifovič je 29.2.1988. godine navršila 60. godinu života. Rodena je u Prištini. Školovala se u Vranju, Nišu i Smederevskoj Palanci. Elektrotehniki fakultet je završila u Beogradu 1953. godine. Kao mladi inžinjer elektrotehnike prvo je radila u tvornici „Rudi Čajavec" u Banjoj Luci. U razvoj-nom odjeljenju profesionalne elektronike radila je na razvoju i konstruisanju elektronskih uredaja namjenske proizvodnje (radarskih uredaja, profesionalnih prijemnika i predajnika maie snage). Godine 1961. kao glavni konstruktor za uspješno izvedene konstrukcije dobila je Medalju za vojne zasluge. Godine 1966. prelazi naTehničkifakultet u Banjaluci, gdje prvo radi kao predavač, viši predavač, a od 1981. docent na predmetu „Primopredajna tehnika". Godine 1962. bila je na stručnom usavršavan-ju u tvornici Fuba u Zapadnoj Njemačkoj iz po-dručja razvoja i konstruisanja televizijskih pretva-rača, a 1965. na Kolumbijskom univerzitetu u Nju vJorku, gdje je proučavala organizaciju laborato-rijskog rada. Od 1961. do 1966. godine vodila je Sekretarijat tehničkog odbora 46 pri Jugoslovenskom elektrotehnikom komitetu. Kao sekretar tog odbora bila je u Jugoslovenskoj delegaciji na generalnom zasjedanju lEC-a u Bukureštu 1962. godine. Uče- stvovala je u radu Komiteta 46-a, 46-b i 46-c, koji sebaviproblemimavisokofrekventnihkablova.vo-dova i talasovoda kao i njihovim komponentama. U okviru rada Sekretarijata T046 izradila je više prijedloga za Jugoslovenske standarde. Posebno se bavila problemima i razradom propisivanja mje-renja za serijsku proizvod nju i završna električna ispitivanja primopredajnika. Za svoj aktivni društveno-politički rad 1966. godine dobila je Plaketu grada Banjaluke. Za potrebe studenata Elektrotehničkog fakulteta u Banjaluci u više navrata je izdala skripta iz predmeta „Primopredajna tehnika" i „Primopredaj-nici". Rezultate svoga dugogodišnjeg rada u oblasti radarske tehnike i TV frekventnih pretvarača ¡zlaže na Savjetovanju u Zadru 1956 i objavljuje u Au-tomatici 3, 1962 odnosno Elektrotehnici 6, 1979. godine. Realizator je niza elektronskih uredaja i kom-ponenata od koji h napominjemo samo neke: » visokoomske slušalice, * mjerač otpora rada 500 GO, * stabilizirani izvor za napajanje, * avionski interfon, * uredaj za legitimisanje aviona * predajnik snage 10 kW, * radarski sistem za brisanje stalnih odraza, * TV frekventni pretvarač izlazne snage 50 mW, * VF pojačavač snage za I i III frekventno područje i dr. 126 Učestvuje kao istraživač i odgovorni istraživač u realizaciji više naučnolstraživačkih projekata ko-je finansira SIZ nauke BiH i „Rudi Čajavec" Ban-jaluka. Kolegica Ollvera je članica društva MIDEM od-nosno njegovih prethodnika u ETAN-u, Saveznog stručnog odbora (SSOSD) odnosno Savezne stru-čne sekcije za elektronske sastavne delove, mik-roelektroniku i materijale (SSESD), več od osni-vanja 1963. godine. Za vrijeme djelovanja SSOSD vodila je duže vrijeme sekciju za žice I kablove, a i kasnijeje često učestvovala na društvenim priredbama. Ove 1988. godine Olivera Josifovič odlazi u penziju. Kolektiv Elektrotehničkog fakulteta u Ban-jaluci ostaje bez jednog vrijednog i savjesnog člana sa kojim če, Istina u nešto izmijenjenlm us-lovima, nastaviti stručnu saradnju. Članovi društva MIDEM želimo joj još puno zdravih i aktivnih godina kako bi se mogli još često vidatl na našim konferencijama. Marjanca Kobe, dipl. ing. Ob 60. -tem rojstnem dnevu Med Iskrinimi strokovnjaki, ki so strokovno delo in veliko življenjskih naporov posvetili reševanju problematike kakovosti, ima pomembno mesto Marjanca Kobe, katere življenjski jubilej smo proslavili pred kratkim. Po diplomi na Fakulteti za elektrotehniko v Ljubljani se je zaposlila na tedanjem Institutu za elektrozveze, kjer je sprva delala na razvoju merilnih instrumentov in vzdrževanju merilnih instrumentov, vendar se je kmalu potem posvetila laboratorijskim preiskavam kakovosti in sorodnim dejavnostim tako, da se je v svoji inženirski praksi uveljavila na številnih področjih sodobnega obvladovanja kakovosti. Njene izkušnje segajo od tipskih in kvalifikacijskih preskusov izdelkov in raziskav kakovosti do sodelovanja pri formiranju novih laboratorijev v okviru sektorja za meritve in kakovost v Zavodu za avtomatizacijo in pozneje v Institutu za kakovost in metrologijo. Tu je vrsto let vodila oddelek za elektroniko, v okviru katerega so izvajali preiskave kakovosti elektronskih elementov, elektronskih radiokomunikacij-skih in telekomunikacijskih naprav, vključno z raziskavami zanesljivosti in odpornosti na vplive okolja. Pozneje je v Industriji sistemov elektronike in zvez delala kot članica KPO za kakovost in tehnične predpise, naposled pa je bila pri vodstvu Iskre Commerce strokovna sodelavka za področje kakovosti. Vodila je, oz. sodelovala pri več raziskovalnih nalogah, kjer se je posvečala predvsem metodologiji tipskega preskušanja Izdelkov, preskušanja na vplive okolja in zanesljivosti ter načinom zagotavljanja kakovosti skozi sistematično vgrajevanje kakovosti v procesu nastajanja izdelka, kot tudi metodam in tehnikam za doseganje večje za- nesljivosti. V naslednjih letih strokovne aktivnosti pa se je ukvarjala pretežno z organizacijskimi vprašanji celovitega obvladovanja kakovosti. O rezultatih strokovnega in raziskovalnega dela je poročala na strokovnih posvetovanjih, kjer so bili njeni prispevki vedno s pozornostjo sprejeti, objavljala je članke v strokovnih časopisih, sodelovala v tehniških komitejih JEK in v komisijah Zveznega zavoda za standardizacijo pri obravnavi predlogov za standarde s področja preskušanja električnih in elektronskih elementov in naprav, predavala je na seminajrih in v šolah, ki jih organizira izobraževalni center Iskre itd., kot tudi v okviru društva MIDEM. SIcer pa jo v društvu poznamo in cenimo kot aktivno sodelavko, kijev mno-gočem prispevala k napredku društva. Ob njenem nedavnem jubileju tudi naše iskrene čestitke! 127 NOVI ČLANI DRUŠTVA MIDEM Berrtik Slavko 567 Institut Jožef Štefan Dimitrijevič Miljenko 576 RIZ-RO Profesionalna elektronika Ganza Dean 575 SOUR Rade Končar Gnjatovie Zorica 584 El RO IRI OOUR BETA Gradišnik Vera 580 Fakulteta za elekrotehniko Ljubljana Kolar Drago 568 Institut Jožef Štefan Kovačič Iztok 572 FAGG VTOZD Gradbeništvo in geodezija, Univerza E. Kardelj Kralj Ivan 570 Iskra HIPOT Križaj Dejan 581 Fakulteta za elekrotehniko Ljubljana Ljubic Dubravka 577 RIZ-RO IETA Zagreb Lugovič Mltra 574 Visoke Vojnotehnlčke škole Mandič MIlan 571 Iskra Zmaj Muminovič Djenena 583 SOUR Energolnvest RO IRCE Radič Vlatka 579 RIZ RO Tvornica poluvodlča Zagreb Senčar Damjan 573 Fakulteta za elektrotehniko in računalništvo Ljubljana Sibinoski Latko 585 El RO IRI OOUR Beta Stadler Zmago 586 Iskra Elementi TOZD KEKO Žužemberk, Institut Jožef Štefan Stamenkovič Zoran 582 RO El-Mikroelektronlka Niš Suhadolnik Alojz 569 Fakulteta za strojništvo, Ljubljana Turato Skvorc Tea 578 Rade Končar, INEM-AZI VESTI VESTI VESTI VESTI Urednička napomena Čltaoci „Informacija" vjerojatno su opazili da se medu vijestima iz domačih organizacija najčešče pojavljuju vijesti iz „Iskre", „Rade Končara" i „Rudi Čajavca". Razlog za ovo nije povlašten položaj ovih kolektiva na stranicama našega lista niti posebne simpatije uredništva prema njima. Nedos-tatak informacija iz drugih kolektiva je odgovoran za neobjavljivanje vijesti o njima. Iskra, Končar i Čajavec nam redovno šalju svoje tvorničke novine i druge periodičke publikacije iz kojih crpimo informacije za naš časopis. Uredništvo želi čitaoce časopisa informirati o drugim domačim kolektivima, pa poziva čitaoce iz svih kolektiva na suradnju. Molimo vas da informacije o svome kolektivu, za koje smatrate da su interesantne čitaocima časopisa, šaljete uredniku rubrike „vijesti". Adresa je: Miroslav Turina, Elektrotehniki institut „Rade Končar", 41000 Zagreb, Baštijanova ul. bb. Takoder molimo da na istu a-dresu šaljete novine, ako ih vaš kolektiv izdaje, i ostale povremene ili periodičke publikacije (tehnološke biltene, prospekte, kataloge i t.sl.). Na taj način doprinijeti čete unapredenju medusobnog informiranja, boljem medusobnom poznavanju i podizanju kvalitete „Informacija Midem". Zahvaljujem! M. Turina JUGOSLAVIJA - DRŽAVA OPTEREČENA DUGOM ILI ZEMLJA MEDA I MLIJEKA? Usprkossvojojvelikojzaduženosti, Jugoslavija počinje stranim investitorima ličiti na zemlju meda i mlijeka. Jedan japanski konzorcij upravo razmatra iz-gradnju jednog ili dva odmarališta u Dubrovniku, Ljubljani ili Splitu. Američki tour operator razmišlja o višegodišnjem iznajmljivanju cjelokupnog bo-sanskog zimskog sportskog kompleksa. Jedan švicarski konzorcij planira izgradnju na-ftnog terminala u slovenskoj luci Koper, dok je u toku izrada študije isplativosti novog petrokemij-skog kompleksa na jadranskom otoku Krku za jedan japanski konglomerat, Talijanski Fiat razmatra povečanje svog uloga u zajedničkoj investiciji sa Crvenom Zastavom.. Svi ti projekti, medutim, čekaju donošenje novih propisa čiji je cilj poboljšanje uvjeta za strane investitore u Jugoslaviji. Donošenje novog savez-nog „zakona o poduzečima sa stranim ulaganjima" u velikoj mjeri odgovara na ranije kritike omogu-čujuči neocarinjen uvoz opreme, devizne ban-kovne račune u Jugoslaviji i upravnu kontrolu pro-porcionalnu uloženom kapitalu. Ukratko, kontro-verzni zakon dozvoljava stranim investitorima da-leko veču slobodu od one koju uživaju domače firme. Industrija mu je dala zeleno svjetlo. Donošenje se odlaže zbog nosilaca tvrde linije koji tvrde da su reforme opasna rasprodaja zapadnim ka-pitalistima. 128 Tekuči krug jugoslavenskih pregovora sa svojim zapadnim kreditorima koji traže olakšan pris-tup i usiove za strane investitore, mogao bi pre-kinuti neodlučnost oko zakona. U kojoj su mjeri domači ideoiozi spremni na kompromise, trebalo bi biti jasno do sredine go-dine kada ističe tekuči dogovor o odgodi otplate jugoslavenskog duga. (International Management, May 1988.) SEMINAR „LOGISTIKA ZA LETO 2000" Vinka Soijančič, igor Likar V času od 21 .-25, septembra 1987 je bil v Dubrovniku mednarodni seminar „Logistika za leto 2000", ki so ga organizirale naslednje institucije: Jugoslovenski savez za ETAN, Institut za nuklearne nauke „Boris Kidrič", Vinča, Mašinski fakultet, Beograd ter Institut za industrijske sisteme, Novi Sad. Področje dejavnosti logistike na kratko najbolje predstavimo z definicijo logistike, kijoje podalo združenje logističnih inženirjev (SOLE) in ki se je doslej najbolj uveljavila. Logistika je po tej definiciji „veščina in veda, ki obravnava vodenje, inženiring in tehnične dejavnosti v zvezi s postavljanjem zahtev, načrtovanjem, oskrbovanjem in vzdrževanjem sredstev za podporo ciljev, planiranja in delovanja sistemov". Na petdnevnem seminarju, ki se ga je udeležilo okrog 100 predavateljev in slušateljev iz ZDA, Francije, Švedske, Nemčije in Jugoslavije, je bilo predstavljenih okrog 25 referatov. Omenili bi samo nekatere, ki predstavljajo osnovne smernice seminarja: * Integrirana logistična podpora v fazi načrtovanja in razvoja sistema, * Vključevanje faktorjev zanesljivosti v različnih fazah razvoja in proizvodnje elektronskih sistemov. * Analiza logistične podpore v železniškem prometu Švedske. * Razvoj ekspertnega sistema za model za vzdrževanje. * Planiranje funkcij zagotavljanja kakovosti programske opreme. * Standardizacija računalniških sistemov kot element vzdrževalnosti programske opreme. Trenutno je logistični inženiring zelo aktualna tema v tehničnem svetu zahoda. V Jugoslaviji se s to problematiko že nekaj let ukvarjajo institucije, ki so tudi organizirale seminar. Povezujejo se z in- dustrijo, oz. za njo pripravljajo posebne in namenske programe s tega področja. V okviru seminarja so bile tudi predstavitve programskih paketov, ki so jih izdelali sodelavci instituta „Boris Kidrič", npr.: * Program za izračun optimalnih količin rezervnih delov. * Program za izračun zanesljivosti in razpoložljivosti napakovno tolerantnih sistemov. * Program za analizo logističnih parametrov kompleksnih sistemov (mrež). * Program za analizo načinov, učinkov in kritičnosti odpovedi (FMECA metoda). Zbornik referatov in dodatne informacije o seminarju lahko dobite pri Vinki Soijančič, Avtomatika - Razvojni inštitut, in pri Igorju Likarju, IKM, oz. v knjižnici INDOK Centra ali knjižnici Avtomatike. (Tehnološki bilten Iskra) POSVETOVANJE O SENZORJIH V BAD NAUHEIMU Franc Kamenik V prijetnem zdraviliškem mestu z nekaj deset-tisoč prebivalci, štirideset kilometrov severno od Frankfurta v Bad Nauheimu, je bilo letos že četrto posvetovanje o senzorjih. Vsaki dve leti organizira Združenje inženirjev in tehnikov v skupini 677 VDI/VDE skupaj z nemško sekcijo IEEE (Institute of Electrical and Electronic Engineers) strokovno srečanje na temo: Senzorji - tehnologija - uporabnost. Zaradi aktualne vsebine je tudi Iskra omogočila štirim članom kolektiva udeležbo na posvetovanju, ki je potekalo od 14. do 16. marca 1.1. Nad šeststo udeležencev je aktivno sledilo se-dernindevetdesetim referatom in dvajsetim pos-terskim predstavitvam. Po številu so prevladovali referati iz Zvezne republike Nemčije. Predstavili so jih predvsem sodelavci z univerz, inštitutov in razvojnih laboratorijev znanih firm. Predavanja so potekala po skupinah, ki so bile smiselno razdeljene: * senzorji za silo in tlak, * ultrazvočni senzorji, * senzorji za temperaturo, * clinamometrski senzorji, * senzorji za robotiko, * senzorji z optičnimi vlakni, * biokemični senzorji, * inteligenčni senzorji. Posebej so bile obravnavane teme o gradnji in načinu preskušanja senzorskih sistemov, V referatih so prevladovale teme s področja prostorsko-pozicijskih senzorjev, piezoresistivne metode za 129 tlačne senzorje, optični senzorji za robotiko, senzorji z infrardečo svetlobo za temperaturo. Močno je bil poudarjen razvoj s področja senzorjev z optičnimi vlakni in biokemičnih senzorjev. V tehnologiji prevladuje tenkoplastna kovinska in filmska (DMS) tehnika. Tehniška univerza iz Hamburga je že leta 1984 (na drugem posvetovanju) podala osnovno koncepcijo gradnje sodobnega digitalnega senzorja. Bistvo je vtem, da ne obravnava samo tehnologije Izdelave tipal, temveč tudi vso pripadajočo komunikacijo prenosa merilnega signala za obdelavo podatkov. Na letošnjem posvetovanju je bila ta filozofija močno udeležena z vrhunsko mikroelek-troniko. Po uporabnosti in cenovni kompatibilnosti je bilo področje senzorike razdeljeno na dve temi: * industrijska uporaba, ki je usmerjena predvsem v promet, transport in tehniko energije in • široka raba (bela tehnika) z vso pripadajočo obdelavo podatkov. V tem delu so sedaj tudi neomejena tržišča. Leta 1984 se je vlada Zvezne republike Nemčije organizirano lotila razvoja senzorjev s tem, da je v izdelan razvojni program vključila fakultete, razvoj-no-raziskovalne inštitue in industrijske laboratorije ter jih tudi ustrezno financirala. Četrto posvetovanje je potrdilo pravilnost razvojnega pristopa, saj je viden že velik napredek s področja razvoja in proizvodnje senzorjev v Zvezni republiki Nemčiji. (Tehnološki bilten Iskra) INTERES ZA SISTEM BESKONTAKTNOG PALJENJA I ovaj put je na 27. po redu Medunarodnom salonu automobila u Beogradu, održanom od 25. marta do 4. aprila, nastupila „Čajavečeva" RO „Elektromehanika" sa svojim standardnim proizvodnim programom, a predstavljeno je i nekoliko noviteta. Autoelektrooprema je bila ¡zložena u paviljonu Zavoda „Crvena zastava" na beogradskom sajmištu, na štandu veličine 50 kvadratnih metara. Pažnju posjetilaca (domačih i stranih) posebno su privukli novi proizvodi, radeni na bazi elektronike i to: sistem beskontaktnog paljenja motora, elektronski razvodnici paljenja i novi elektronski releji. Takode veliki interes su izazvali motori brisača široke primjene. Beogradski Salon je, naravno, bila prilika za brojne poslovne kontakte sa domačim i stranim partnerima i za sklapanje poslovnih aranžmana. Medu stranim partnerima, koji su s predstavnicima „Elektromehanike" dogovarali poslove, večina ih je iz zemalja Zapadne Evrope i sa Bliskog Istoka. Prema riječima Rade Kosiča, rukovodioca Od-jeljenja izvoza definisani su uslovi ugovora sa fran-cuskom firmom „Macarex" o isporuci autoelektro-opreme (u čemu dominiraju releji) u vrijednosti od oko 600 hiljada franaka. Takode je pregovarano sa predstavnicima „Fecoma", takode francoske firme o isporuci 50 hiljada komada rotacionih svjet-la, što je na nivou njihove prošlogodišnje proizvodnje u „Elektromehanici". Za ovaj posao vrijedan 355 hiljada funti ili blizu 600 hiljada dolara znače se definitivna odluka od 11. aprila. Pregovori su vodeni i sa prestavnicima stalnog kupca „MCS", zatim „Beloslava" iz Belgije i nekoliko firmi sa Bliskog Istoka. To su sve trgovačke firme, a elektro-oprema se isporučuje za drugu ugradnju. M.Š. „INOVA ,88" U ZNAKU KONČAREVACA „INOVI 88" na tek završenom Proljetnom za-grebačkom velesajmu, koja je bila 16. po redu izložba izuma, tehničkih unapredenja i noviteta, SOUR „Rade Končar" posvetioje izuzetnu pažnju - to više što smo ove godine bili i generalni supok-rovitelji ove afirmirane manifestacije jugoslaven-skog stvaralaštva. Osim toga što smo imali izložbeni prostor od 144 četvorna metra sa 39 eksponata, i što su naši autori dobili 19 visokih priznanja, „Končarevi" stvaraoci posebno su se angažirali u radu „INOVE" razmjenom iskustava s drugim inovatorima, kroz seminare i stručna predavanja. Posebno je u toku izložbe uprilicen i Dan SOUR-a „Rade Končar" i prezentacije našeg stvaralaštva kroz konferenciju za goste i štampu na kojoj je mr. Vitomir Kovačec, predsjednik Zajed-ničkog koordinacionog odbora za stvaralaštvo u SOUR-u prezentirao nastojanja i mnogobrojne rezultate koji se u proizvodnji u „Končaru" ostva-ruju kroz organizirani naučno-istraživački rad i in-ventivnu djelatnost. Istakao je da je naš nastup na „INOVI" rezultat stvaralačkog rada 87 autora, te obuhvača segmente širokog sortimana „Končara" od rotacionih strojeva, preko kučanskih aparata do proizvoda iz područja elektronike. Ovi nastupi su izraz jasnog opredjeljenja i napora koje se u našem kolektivu ulažu u svakodnevnom radu os-lanjajuči se prije svega na vlastite snage i tehničko-tehnološki razvoj. Danas broj novih i inoviranih proizvoda koje se godišnje usvoji prelazi brojku 200. Takvi rezultati ogledaju se i kroz inovacijski dohodak koji pripada autorima (15 pošto više nego 130 1986. godine) a iz takvog ostvarenja dohotka o-stvaruje se i dio raspodjele za sve uposiene u kolektivu. Izuzetnu ulogu u stvaralaštvu, naglasio je Ko-vačec, realizira se i kroz naš Elektrotenički institut u kojem više od 900 radnika radi na istraživanju i razvoju. Stručni istraživači razvijaju i stvaraju nove materijalne vrijednosti pa se „Rade Končar" aktivno uključuje u svjetske tokove ne samo plasma-nom proizvoda i kompleksnih objekata nego i plas-manorn vlastitih tehnologija i znanja. U tom smislu ostvareni su transferi tehnologija za odredene proizvode u Indiju, Argentinu, Egipat i Tursku, a u tokusurealizacijejošdesetaktehnoloških rješenja za inozemne korisnike. PREDVIDEVANJA RASTI ELEKTRONSKIH ELEMENTOV V LETIH 1988-1989 Raziskave tržišča v razvitih zahodnih državah in državah daljnega vzhoda daleč prekašajo pomembnost predvidevanj, ki jih postavlja plansko gospodarstvo s svojimi togimi administrativnimi pristopi. Visoka inovativna vlaganja zahtevajo kvalitetne informacije, da se stopnje tveganja, ko gre pogosto za izredno visoka absolutna vlaganja v razvoj, tehnološke procese in v tržišče, kar čimbolj zmanjšajo. Kot vedno bodo tudi tokrat dežele realnega socializma pri svojem razvoju izkoriščale marke-tinške izkušnje najbolj uspešnih proizvodov zahodnega in daljnjevzhodnega sveta elektronike. Iskraši bi morali biti v manjšem razkoraku in bi morali hitreje slediti razvitemu svetu, če želimo obdržati vlogo posredovalca. Zato je še kako zanimivo opraviti kratek pregled napovedi, ki jih predstavlja največje enotno tržišče elektronike na svetu, to je tisto, kijev Združenih državah Amerike pa tudi evropske in daljnoazijske perspektive. Svetovno povpraševanje po uporih in kondenzatorjih SMD 1985 19 90 kom v delež trga kom v delež trga mrd mrd Kondenzatorji 20.6 26 % 48,6 44 % Upori 17,3 22% 50.5 50% Vir: Philips Electronics Componennts and M laterials 1987 1988 Kondenzatorji 0 0 2.300 Fiber-Optic 73 88 Tiskano ožičen. 1.134 1.222 Podnožja 252 267 TISKANA VEZJA 1987 1988 Po dveh precej sušnih letih vsi napovedujejo kljub pretresom na borzah v lanskem novembru znova hitro rast. Če je elektronika predstavljala v ZDA v letu 1986 15 % proizvodnje, jih bo v I. 1988 16.3 % in v letu 1991 17,2 %. Elektronika bo rasla v absolutnih številkah za polovico hitreje kot ostala industrija. Napovedovalec bodočnosti DRI (Data Resources Inc. iz Massachusetsa) predvideva, da bo rast tržišča računalnikov in opreme z 1,4 % prešla na 11.4 %; za radio, TV in komunikacijsko opremo pa iz ničelne rasti v letu 1987 na 7,6 % v letu 1988. Povprečna rast tržišča elektronike naj bi bila 7,2 %, kar je posledica upočasnitev vojaških naročil zaradi nove mirovne politike Reaganove administracije. Sicer pa pričakujejo, da bo prišlo že do zamenjav računalnikov, ki so bili postavljeni v obratovanje v letih 1983 in 1984, saj je nove iz IBM osebnega računalniškega sistema bistveno laže upravljati kot dosedanje. Optimizem je zasnovan na dejstvih, da se v letu predsedniških volitev v ZDA vedno pojavi vrh gospodarske rasti zaradi velike potrebe po dodatni informatiki in telekomunikacijah in, da je to leto olimpijad in nogometnih svetovnih prvenstev, ki redno poživijo povpraševanje po TV napravah, radijskih sprejemnikih in periferiji. Po takem letu običajno sledi manjša recesija, ki jo bomo doživljali tokrat, če bodo le napovedi točne, kot zmanjšano stopnjo rasti ne pa absolutno nazadovanje. Tako napovedovalci predvidevajo prodajo 19 milionov kosov osebnih (PC) računalnikov, največ za pisarniško delo, v skupni vrednosti 39 milijard dolarjev. Polprevodniški trg, ki je začel svojo vnovično rast že v zadnjem trimesečju leta 1987 pa bo s 6,3 % rasti, ker jo je del že „pojedel", v letu 1988 zrasel na 9,1 % kar znese 35 milijard dolarjev. Plošče 1.800 2.150 Preklopniki 520 540 Baterije, kabli, tuljave, kristali, displeji,ventilatorji, filtri RFM, motorčki skupno 3.000 3.100 Tipkovnice 400 450 Releji 770 793 UPOROVNI ELEMENTI Potenciometrl in trlmerjl 250 Fiksni upori 290 300 U. vezja 150 280 Skupno tržišče naštetega in še ostalih spojnih elementov znaša v mlo dolarjih 13.700 14.700 131 SILICON VALEY IN SANTA CLARA TRIUM- FIRATA. Telekomunikacijska naročila za čipe se večajo. Za vse leto so že razprodani 32 bitni čipi. Prodaja mikoelektronskih čipov, ki je iz leta 1984 v leto 1985 nazadovala kar za 20 %, se je v letu 1986 vrnila na svoje pozicije iz leta 1984, sedaj pa nadaljuje z indeksi nad 20 % in s 17,9 % v letu 1988, Pri elementih pa ni življenja le v siliciju, SMD (elementi za tehnologijo površinske montaže) in druge tehnologije dajejo novo življenje pasivnim elementom. Pri tem so ameriški proizvajalci pasivnih elementov večkrat zamenjali lastnika, nove firme pa se tudi ne pojavljajo. Kljub temu so trije segmenti tržišča, v katera dobavitelji investirajo. Ta zajemajo elemente posebnih aplikacij po kupčevih željah, elemente za površinsko montažo in avtomobilsko tržišče. Primeri so uporovno-kapacitiv-na vezja, uporovi trimerji v plastičnem ohišju, pripravljeni za toplotne tokove spajkalnih temperatur in kompleksa vezja kot monolitni element, toda na keramični tehnologiji. Tudi proizvajalci avtomobilov so zelo blizu SMD tehnologije, ker prihrani prostor in omogoča več elektronskih sistemov pod ploščo. Pri integriranih vezjih je rast SMD počasnejša (30 % v 1990), ker so pač pri uporu in kondezator-ju le dva, ali trije priključki in je strojna montaža IC v primerjavi z njimi otežena. Prenekatere ameriške firme pasivnih elementov so pokupili tujci napr., japonski Shi-Zuki Elek, Comp., holandski Philips kot največji in Siemens iz ZR Nemčije, Proizvajalci elementov so zelo izboljšali dobavno disciplino in kvaliteto, proizvajalci opreme pa s tem izredno znižali svoje zaloge repromateriala. To so dosegli s programiranimi organizacijskimi pristopi za dobave po sistemu „Just in tirne" točno na določena vrata, določen dan, ob določeni uri, s krožki kvalitete itd. Dobavni roki pa, ki so se v letu 1987 in začetku 1988 podaljševali, se bodo v drugi polovici leta 1988 zopet skrajševali. Prodaje magnetnih, a predvsem feritnih materialov, ki so močno povezane z avtomobilskim sektorjem, s sektorjem informatike (motorčki, tipkovnice, ekrani, instrumenti) in računalništva, bodo dosegale visoke stopnje rasti med 10 %, varis-tor za zaščito elektronskih vezij pa 8 %, še več pa elektronska keramika Aluminia. Najhitrejšo rast elektronikeforsira Daljni vzhod. Tržišče elementov Daljnega vzhoda se je za evropske proizvajalce elementov nenadno široko odprlo. Južna Koreja in Singapurz lastnimi projekti uvedbe računalnikov v obvezno šolsko opremo in Tajvan, so postali ob Hongkongu veliki kupci visokokvalitetnih elementov. Poleg tega bruhajo različne zelo konkurenčnefinalne elektronske proizvode na trg ZDA, silijo v Evropo in drugam. Toda na evropskih institutih za preizkus kvalitete VDE, Semco, Demco in druge čakajo dalj-novzhodni elementi na homologacijo. Več kot dve leti se jih ne bo dalo zadrževati, Kako bo kaj s trgi elektronskih elementov v Evropi. Tudi tu so pričakovanja usmerjena na liniji od čipov k računalnikom do komunikacij. Stalno povpraševanje po elektronski opremi bo večalo med elementi največ prodajo polprevodnikov v Evropi v letu 1988. Ostala azijska elektronska industrija bo rabila toliko čipov kot Evropa v I. 1988. Zaradi visokih stroškov razvoja se združujejo SGS Mikroelectronica s Thompson Microelectronics Group in povezujejo številni ostali. Največji skupni projekt sta zastavila tudi sicer največja svetovna proizvajalca elementov Philips in Siemens. Pri velikih, ki so v telekomunikacijah pa je francoski Alcatel odkupil evropskih ITT. Ker sta se za francoski CGCT (generalna družba za konstrukcije telekomunikacij) zanimala AT&T iz ZDA in Siemens, ga je francoska vlada prodala meddržavno Matro in Švedskim Ericsonom. Za majhne ostaja manj prostora in možnosti. Dataquest napoveduje, da bo rast evropskega tržišča v naslednjih petih letih presegla 50 % za 32 bitni osebni računalnik, 30 % za digitalne komunikacije, 60 % za mikroprocesorske „pametne" kartice, 26 % za celulami mobilni radiotelefon in 10 % za avtomobilske elektronske komponente. Začetek rasti teh trgov bo v letu 1988. Kje je tu Iskra? Pohitimo! Po Electronic Business 1988 in drugih virih priredil Vladimir Murko (iskra) 132 CEOK - Celovito obvladovanje kakovosti Knjiga s študijskega dne ob Sodobni elektroniki 1987, Brdo pri Kranju Založba: MIDEM 1988 Format: A5 Obseg: 219 Strani Jezik: slovenski, hrvatsko-srpski Urednik: R. Ročak Vsebina M. Kobe: Japonski pristop k integralnemu zagotavljanju kvalitete (slovenski) L. Kozina: Obvladovanje kakovosti v procesih (slovenski) Z. Vukovič: Osnovni pristup pouzdanosti elektronlčkih sistema (hrvatsko-srpski) N. Stojadinovič, S. Dimitrijev: Pouzdanost mikroelektronskih kola (srpsko-hrvatski) F. Mlakar: Standardizacija kot element zagotavljanja kakovosti izdelkov (slovenski) L. Toplak: Pravni aspekti zagotavljanja kakovosti (slovenski) D. Flam: Standardizacija sastavnih dijelova kao elemenat osiguranja kvalitete uredaja (hvatsko-srpski) S. Muždeka, Z. Muždeka: Logistika - pomoč efikasnom ulaganju u nove proizvode/sisteme (srpsko-hrvatski) Diskusija (slovenski, hrvatsko-srpski) Seznam udeležencev Sponzorji društva MIDEM IZ PREDGOVORA V sodobnem razvitem svetu je močno narasla ponudba proizvodov in storitev. V takih pogojih pridobiva kakovost proizvodov in storitev na pomenu, še več, v vedno večjem številu primerov je kakovost osnova tržnega nastopa in konkurenčne sposobnosti. Kakovost moramo v proizvod in tudi v storitev vgraditi. Široko je razširjena zmota, da kakovost lahko dosežemo le s kontrolo kakovosti. Kakovost proizvodov ali storitev lahko dosežemo le, če si začrtamo cilje in strategijo na področju kakovosti. Sistem, ki organizirano nastopa, imenujemo SISTEM ZA CELOVITO OBVLADOVANJE KAKOVOSTI. CEOK je sistem, ki zaokrožuje na organizirani način vsa prizadevanja, opravila in naloge, ki so potrebne za nastajanje dobrih proizvodov in storitev, takih, ki jih bo hotel kupec kupiti in biti z njimi dolgo zadovoljen. Takega celovitega pristopa h kakovosti pri jugoslovanskih podjetjih ni mogoče velikokrat videti, čeprav se ponekod pojavlja kot zavest posameznikov ali pa kot tržna prisila, posebej pri takoimenovanih „izvoznikih". KOMU JE KNJIGA NAMENJENA Čeprav so bili udeleženci študijskega dneva večinoma iz elektronske industrije, veljajo njihova predavanja in misli, izrečene v diskusiji, tudi za ostale industrijske panoge. Knjiga je zanimiva za širši krog strokovnjakov, ki se zavedajo pomembnosti in nujnosti zagotavljanja in obvladovanja kakovosti. Knjiga je primerna kot učbenik za šolanje ali seminarje vodilnih kadrov in kadrov za zagotavljanje kakovosti. .................NAROCILNICA NARUDŽBENICA Nepreklicno naročam knjigo CEOK za ceno 39.990 din. Knjigo bom plačal po prevzemu na pošti. Neopozivo naručujem knjigu CEOK po cljeni 39.990 din. Knjigu ču platiti pouzečem. Priimek in ime: ................ Prezime i ime:................. Naslov: .................... Adresa: .................... Podpis: .................... Potpis:..................... Za delovne organizacije: Za radne organizacije: Naziv organizacije .............. Naslov: Adresa: Podpis in žig: Potpis i žig: Datm Ob dobavi bomo izstavili račun. Za 10 ali več knjig priznavamo 20% popust. Kod isporuke knjige biče priložen račun. Za 10 ili više knjiga priznajemo 20% popusta. Naročilnico poslati na naslov: MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana Narudžbenicu poslati na adresu: MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 133 KOLEDAR PRIREDITEV Julij 4.-8. Semiconductor Technology Seminar Muenchen (Technology Associates) Avgust 29.-1.9. Advances in simulation Technology (seminar) Dubrovnik (ETAN, Beograd) September 5.-10. Artifical Intelligence (seminar) Dubrovnik (ETAN, Beograd) 7.-9. SD 88 (Jugoslovanski simpozij o sestavnih delih in materialih) Nova Gorica (Midem, Ljubljana) 11.-15. ECOC88 (14. European ConferencelitrOpfr-cal Communication) 12.-15. EuMC 88 (18. European Microwavil5ofv~~" ference) Stockholm (Swedish Institute of Microelectronics, P.O.B. 1084 S 18421 KI STA) ______ Device Research Conference) (Viontpeilier (Univer-site des sciences et techniques de Montpellier) Tel. (33) 67 54 71 84 14.-16. Introduction to Plasma Processing, Intensive Seminar, Cambridge (GB) (H. Barsamian ali P.L. Miller, Univ. of California, P.O.B. AZ, Irvine, CA 92716 USA) 19.-21. Multilevel Interconect Technologies for VLSI Applications, Intensive Seminar, Cambridge (GB) 19.-23. Silicon Processing for the VLSTERŽ^terv sive Seminar, Cambridge (GB) (H. Barsamian) 20.-23. Yugoslav-Austrian-Hungarian Fourth Joint Vacuum Conference, Portorož (Slovensko društvo za vakuumsko tehniko) JUVAK ________ cuiis Conference) Manchester (info. VDE) Oktober 3.-5, Mikroelektronik fuer die Informationstechnik, Berlin (Info, VDE) _________ niko Ljubljana) 4.-7. Burn in and Accelerated Life Testing of Semiconductor Devices Seminar Aix-en-Provence (Technology Associates) ITŠIli^ pri Kranju (MIDEM) 6.-7. Elektronika v prometu Ljubljana (EZŠ, Ljubljana, Titova 50) 8.-7. Relejna zaščita Ljubljana (EZS, Ljubljana, Titova 50) 10.-14. Semiconductor Technology Seminar Aix-en-Provence (Technology Associates) TTTi^TPracticäncTäbriMtion Workshop, Frankfurt am Main (ICE Workshop Coordinator Langgasse 35, D 6200 Wiesbaden, BRD, Mr. Roland Orlie) 14. Semiconductor Packaging Workshop, Frankfurt (ICE) 17.-18. Failure Analysis/Avoidance of IC Workshop, Frankfurt (ICE) 19. Basic integrated circuits technology Workshop Frankfurt (ICE) 20.-29. Simpozij o mjerenjima i mjernoj opremi, Split (JUKEM- Mjeriteljsko drustvo Hrvatske, tel. 041-422- 932) November Muenchen (info. VDE) T^O^SST^^^ Mik- roelektronik) 9.-10. Internationale Makroelektronik Conference, Muenchen 9.-10. Sensorik, Muenchen 11. DGQ/Zwei Symposium on Quality Assurance in the Field of Electronics, Muenchen (Muenchener Messe, PF 121009 Muenchen) 134 KOLEDAR PRIREDITEV 1989 Februar TŠl-17. Infina 89 (posvet),'Karlsruhe (info. VDF.) Marec 7.-9. Semicon Europa, Zuerlch (Semi, CCL House, 59 Fleet Street, London EC 4Y 1YZ, tel. 01-3538807) 13.-16. Grossintegration (posvet), Baden-Baden (Info. VDE) Maj 8.-10. Vakuumelektronik und Displays (posvet), Gar-misch-Partenk. (Info. VDE) 10.-12. MIEL 89 (17. Jugoslovansko posvetovanje o mikroelektronlki) Niš (Midem, Ljubljana) 'loTflTČČC 89 (zTHun gariarTc u s to m^r ali ticöiT" ference), Szeged (Mate Secretarial 1055 Budapest, Kossuth L. ter 6-8, tel. (1) 531 406) Avgust 6.-18. VLSI 89 (Conference of International Federation for Information Processing) Muenchen (IFIP, info. VDE) September 3.-7. ECOC 89 (15. European Conference on Optical Communication) Goeteborg (info. VDE) Oktober 9.-11. EPE (3. European Conference on Power Electronics and Applications) Aachen (info. VDE) November 28.-30. European Conference on Satellite Communications, Muenchen (info. VDE). JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI 1 2 3 4 2.103 « reprograrr.ljiva čitačka memorija © prcprogramljlva ispisna memorija • penporpaMaiSnnna OTMvnysasKa MeMOpnja, R e P R 0 M -f e m o p m j a p reprogra r.abilni bralni pomnilnik RePROM • reprogrammable read only memory 2. v; 9 2.1)0 • pretežno čitačka memorija 9 pretežno ispisna memorija ® ripe^nMHO OTHHTyBaHKa Mawopiija, RMM-Me-Mopvija « pretežno bralni pomnilnik RMM • read mostly memory *» čitačka memorija •» ispisna memorija • o-MHTY33HKa Mewopuja, ROM-wewopuja • bra'ni pomnilnik, čitalni pomnilnik ROM « read-only memory 2.111 • čitačka memorija • ispisna memorija • OTMnryeaHKa wewopuja, ROS-Mer.iopvija • bralni pomnilnik, čitalni pomnilnik ROS • read-only storage 2.112 • RS bistabilni multivibrator, RS-bšstabii, RS-flip-flop • RS bi s tab i! • RS-^mm-^non, RS-ipvirep, RS-6ncra6wn • RS bistabilni multivibrator RS-FF © rcsct-set flip-flop Polprevodniški pomnilnik, pri katerem se s posebnim postopkom rrnre izvesti brisanje ene in vpisanjc druge programske vsebino ki je sicer namenjena za večkratno branje. Taki polspremenijivi pomnilniki se izdelujejo s polprevodniškimi pomnilniškimi celicami. Pomnilnik, namenjen v glavnem Z3 branje, vendar obstoji tudi možnost, da se vpisana vsebina po potrebi zamenja z drugo. Ker sprememba vsebine ni enostavna, se to pravi, da gre pri tem za polspremenijivi pomnilnik. Bolj se uporablja okrajšava RePROM. Polprevodniški pomnilnik, v katerega je že pri njeno vi izdelavi trajno i vpisana vsebina, tako da se pri uporabi more samo brati. Čeprav gre J funkcionalno za pomnilnik, njegova tehnična izvedba temelji na i uporabi kombinacijskih vezij. Pomnilnik, v katerega je že pri njegovi izdelavi trajno vpisana vsebina, tako da se pri uporabi more samo brati. Gre tu za pomnilnik $ trajno vsebino. Bolj »se uporabija okrajšava ROM (glej t. 2.110). Pomnilniško vezje z dvema vhodoma R ir> S, pri katerem obstoji možnost postavljanja v stanje logične nič {reset) oz. v stanje logične ene (set). Izhodna funkcija vezja je On + 1 = S + RQ z omejitvijo RS = 0. JUGOSLOVANS < 2 3 2.112 • RST bistabilni multlvibrator, RST-bistabi!, RST-f iip-flop • RST bistabi! ® RST-iijnsm-inon, RST-Tpurep, RST-5mct35mji • RS prožilni bistabilni muftivibrator RST-FF 2.114 « otporno-tranzistorska logika • otporno-tranzistorska logika • 0Tn0pHMHK0-TpaHJncT0pcK3 norma, RTL-no- " rtiKa • upravno-transistorska logika RT L 2.115 • čitačko-upisna memorija • ispisno-upisna memorija • 0THiiryG34K0-8nnujyBawKa MeMopnja, RVVM-mg-f.iop^ja • braino-vpisovalni pomnilnik RWM 2.118 j ® opis sa vračanjem na nulu 1 • upis s vračanjem na nulu • BnwuivB3H»e co BpaxaHae na Hy/ia • {vpisovanje) z vračanjem na nič R2 2.117 • memorija sa sekvencijskim pristopom • memorija sa slijednim {sekvencijskim) pristu-pom • MeMopvija co ceKseKUMjane« ripucran, SAM-mb* Mopnja • potinilnik z zaporednim dostopom, pomnilnik s stkvcnčnirn dostopom SAM K! TERMINOLOŠKI STANDARDI 4 5 ■ j * reset-set-trigger fiiD-iiop Pornnilniško vezje s tremi vhodi R, S in T pri katerem obstoji možnost postavljanja v stanje logične nič (reset), iogične ene (set) i" izmenjolne spremembe teh dveh stanj (trigger). Izhodna funkcija 1 vezja je QnJr1 = S + TQ + RTG z omejitvijo RS = RT = ST = 0. Uporablja se vedno manj. s resistor-transistor logic Izvedba digitalnih vezij, pri katerih se logične funkcije izvajajo z upori in transistorji. Sedaj se ta izraz raje uporablja za modificirano tehniko DGTL vezij namesto izrazra RCTL. Taka tehnika logičnih vezij se ne uporablja več. • read-write memory Pomnilnik, pri katerem je branje destruktivno, vendar se po vsakem branju redno ponovno vpisuje prebrana vsebina. Ta izraz se uporablja za nedestruktivne pomnilnike, ki se odlikujejo z enostavnim načinom branja in vpisovanja oziroma z enostavno spremembo vsebine. Bolj se uporablja okrajšava RAM. • recurn-to-zero Postopek vpisovanja podatkov, npr. v magnetne površinske pomnilnike, pri katerem se vrednost vpisnega toka po vsakem vpisanem bitu vrne na nižL.Vpšsovanje se torej izvaja s kratkotrajnimi tokovnimi impulzi. » sequentially accessed memory Pomniinilki sistemi z lokacijskimi naslovi, pri katerih se pri vpisovanju ali branju podatkov pristopa k lokacijam posredno, s prehodom prek drugih lokacij v določenem zaporedju. Isto velja tudi za sisteme, pri katerih se pomnjena vsebina pomika skozi pomniiniške ce-' lice do bralnega mesta. Pri takih pomnilnikih čas odstopa ni enak za vse lokacije in je daljši kot pri RAM pomnilnikih. JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI 1 2 3 4 ......— " ' 1 5 1 2.118 • standardni ukopani kolektor • standardni ukopani kolektor • -rranAapAHO BKonan «orieKTop • standardno zakriti kolektor SBC o standardc hurried collector ........... - —■■ ■ ............... ................................................................, Postopek standardne tehnologije integriranega NPiSI transistorja, v | katerem se pred nanašanjem epitaksijske piast'1 s selektivno cJ'fuz:jo 1 napravi plast tipa n+, ki predstavlja de! kolektorja. S tem se zmanjša j kolektorjeva upornost in pojav parazitnega PNP transistorja. 2.IIS ® logika napajanja preko podloge • logika napajanja preko podloge • TexHn«a HanojyBai-ba-npeKy noftnorara • substratno napajana logika SFL • substrat fed logic Tehnologija digitalnih vezij l2 L, pri katerih je napajanje »zvedene, j prek podlage (substrata), ki se uporablja kot emitor injekcijskega j transistorja. S tem se zmanjša vpliv bazne ucornosti na kofektorske j karakteristike stikalnega transistorja. 1 2.120 • uzimar.je odbiraka i zadržavanje • uzimanje i zadržavanje uzorka • 3e:.i3hbe ii3Baaoun h 3aap>KyBaH=e, ceMnjiMpaH»e m 3a£p>t rn:;non, T-rpurep, T-5ncTa5nn ® prožilni ¡¡¡stabilni multivibrator T-FF • trigger fiip-flop Pomniiniško vezje z vhodom T itrigger), ki se mu pri vsakem prožii-nem impulzu na vhodu T spremeni stanje iz logične nič v logično eno in nasprotno. Izhodna funkcija vezja je QnJ.i = T ©G. S tem vezjem se izdelujejo najenostavnejša števna vezja. 2.129 • okruglo kučište • okruglo tranzistorsko kučište • CT3Hfl3pAHO TpaH3W!CTODCKO KyKMLUTe, TO-Ky-KMLUTe • izvenvrstna izvedba okrova TO • transistor-outline package Okrov poiprevodniškega elementa z 8,10 in 12 priključki. Uporablja se v glavnem za integrirana linearna vezja, kot so operacijski ojačevalniki, primerjalniki, napetostni regulatorji itd. 2.130 • tranzistorsko-tranzistorska logika • tranzistorsko-tranzistorska logika • TpaHji:cTopcK0-Tp3HJwciopcKa nornKa, TTL- -TiorMKa • transistorsko-transistorska iogika TT L • transistor-transistor logic Izvedba digitalnih vezij, pri katerih se logične funkcije izvajajo s transistorji. Uporablja se za izdelavo logičnih vezij in kombinacijskih , vezij kot tudi za izvedbo mnogih pomnilniških vezij in sekvenčnih vezij, v integrirani tehniki. To je sed3j najbolj razširjena tehniko za izdelavo vezij na splošno. 2.131 i • ncdcvršena logička mreža • nedovršeno logičko polje I • HCfloojopMCHa norMHKa cTpyKrypa, ULA-crpyx- iyp a • nedokončano logično vezje ULA • uncommitted logic array Univerzalni integrirani element z vgrajenimi, a nepopolno povezanimi elementi, pri kateri se more nadaljnje povezovanje izvesti glede na dejansko potrebo. j 2.132 1 * integracija ultravlsokog stepena • integracija ultravisokog stupnja o ynrcacsicoKa uHTef£nipaHonr, ULSl-HHterpnpa- j h oct j * integracija ullravisoke stopnje ULSi • ultra large scale integration Integracija i polprevodnikih elementih, ki imajo nad 10 ODO osnovnih elementov (transistorjev, diod itd.). JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI 1 2 3 4 5 j 2.133 • vertikalno anizotropno nagrizanje • vertikalno anizotropno jetkanje ® BepTUKa.nHO ann30Tp0nH0 H3?p;i3yeaH>e ® navpično anizotropno jedkanje V-ATE < • vci tlcal anisotropic etch Tehnologija, pri kateri se v silicijevi površinski orientaciji s 100 primernimi kemikalijami naredijo navpične, piramidaste odprtine (s prerezom v obliki V), da se doseže boljša izolacija in s tem večja paketna gostota. Uporablja se pri izdelavi VMOS transistorjev. v 2.134 • V-izolacija sa polisilicijumom • V-izolacija s polisilicijem • V-M3onaunja co nonncnnni;nyM • V-!očitev s polikristalnim silicijem VIP • V isolation with polysili-con backfill Bipolarna tehnologija, pri kateri je ločitev izvedena v obliki črke V, pri čemer je notranjost odprtine V izpolnjena s polikristalnim silicijem. 2.135 • integracija vrlo visokog stepena • integracija vrlo visokog stupnja • v.Hory sncoKa HmerpupaHocT, VLS!-HHTerpvtpa- KOCT • integracija zelo visoke stopnje VLSI ® very large scale integration Integracija polprevodniških elementov, ki imajo od 1000 do 10 000 osnovnih elementov ¡transistorjev, diod itd J. 2.136 • vertikalni M OS • vertikalni M OS • V—MOS TexKonornja • kovinskooksidni polprevodnik z navpično konfiguracijo V-MOS • vertical configuration «. • metal-oxide-semiconductor MOS tehnologija polprevodniških elementov, pri kateri je izveden ' navpični pretok toka, a z vsekanimi odprtinami v obliki črke V je doseženo krmiljenje dolžine kanalov, kar prispeva k povečanju dopustnega odvajanja toplote in mejne frekvence. j 2.137 • spoljašnji kristal • vanjski kristal • npnKnynoK 3a Kpucran • zunanji kristal XTAL • external crystal Označba priključkov na integriranem vezju, na katere se veže kre- i menov kristal, ki stabilizira frekvenco npr. taktnega generatorja.