Informacije I (trokovno društvo za mikroelektroniko, lektronske sestavne dele in materiale jgtručncTcJruštvo za mikroelektroniku, jblektronske sastavne delove i materijale LJUBLJANA, MAREC 1988, LETNIK-GODINA 18, STEVILKA-BROJ 45 INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelektroniko, Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sestavne dele in materiale elektronske sastavne delove i materijale. Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Tehnični urednik Tehnički urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Člani izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Tajnik-sekretar Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Tajnik-sekretar Podpredsednik Naslov uredništva Adresa redakcije Iztok Šorli, dipl. ing. Janko Čolnar Mag. Rudi Babič, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Mag. Milan Slokan, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodniki, Trbovlje Mr Željko Butkovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. — VTI, Beograd Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl. ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dip. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr. Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Plrtovšek, dipl. ing. — Iskra IEZE, Ljubljana Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl. Ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. Ing. — Ljubljana Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. — Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. Ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Urslč, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886, (061) 329-955 Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM besplatno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2.1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 700 izvodov Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2.2.1979 publikacija je oslobodena plačanja poreza na promet. Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 700 komada VSEBINA - SADRŽAJ Rudi Ročak: SODELOVANJE ZA TEHNOLOŠKI NAPREDEK ALI METODA ZA PRIDOBIVANJE FINANČNIH SREDSTEV 2 S. Ursič, T. Švedek, M. Štulič: THE CUSTOMER APPROAC.H IN THE DESIGN OF ASIC FOR INDUSTRIAL ELECTRONICS 3 A. Žabkar, M. Godec, P. Panjan, B. Navinšek: DIFUZIJSKA ZAPORA TIN V MIKROELEKTRONIKI 7 A . Šebenik: POLIMERI V ELEKTROINDUSTRIJI 10 G. Bratina: KARAKTERIZACIJA POLPREVODNIKOV Z RASTRSKIM ELEKTRONSKIM MIKROSKOPOM 14 F. Softic: ELEKTRONSKI SISTEMI ZA PA L JEN JE 18 D. Črnič: LASTNA OPREMA ZA PROIZVODNJO KONDENZATORJEV 21 A . Predan: NOVI RELEJI 2 4 P. Stavanja: APLIKACIJA VEZJA EMZ 1002 31 M. Turina: ELEKTRONIČKA INDUSTRIJA U JUŽNOJ KOREJI I JUGOSLAVIJI 33 I. Pompe, M. Slokan, D. UvodiČ: VLOGA ELEKTRONSKIH ELEMENTOV V INDUSTRIJI ELEKTRONIKE TER POTREBE PO ZNANJU O MATERIALIH 38 D. Damjanovic, A. Kuršumnovic, M. Trubelja: PERSPEKTIVA ŠKOLOVANJA KADROVA ZA MATERIALE U SR BIH 42 V. Isailovic: DISKUSIJA NA TEMU "ŠKOLOVANJE KADROVA ZA ELEKTRONSKE MATERIALE U JUGOSLAVIJI" 45 V. Pantovič, S. Matic: DVE DECENIJE ISTRA ŽIVA ČKO-RA Z VOJNOG INSTITUTA Ei NIŠ 46 R. Ročak, M. Gojo, A. Brvar, M. Kevorkijan: S SEJE IZVRŠNEGA ODBORA DRUŠTVA MIDEM 49 R. Ročak SEMICON EVROPA '88 55 P. Tepina STROKOVNA EKSKURZIJA NA MEDNARODNI SALON ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV 58 VESTI 59 P. Tepina: XVI. JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O MIKROELEKTRONIKI 65 P. Tepina: XXIV. JUGOSLOVANSKI SIMPOZIJ O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH 66 KOLEDAR PRIREDITEV 67 JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARD) 69 2 SODELOVANJE ZA TEHNOLOŠKI NAPREDEK, ALI METODA ZA PRIDOBIVANJE FINANČNIH SREDSTEV Dočakali smo zakonski akt "Zakon o zagotavljanju in uporabljanju sredstev za spodbujanje tehnološkega razvoja Jugoslavije", kot prvo posledico "Strategije tehnološkega razvoja Jugoslavije". Sredstva za spodbujanje se bodo zagotavljala v višini 0,10 % ocenjenega družbenega proizvoda Jugoslavije iz sredstev republik in avtonomnih pokrajin. Sredstva se bodo uporabljala za spodbujanje projektov, ki so razvojno-eks-perimentalnl, za fundannentalne in uporabne raziskave in sofinanciranje jugoslovanske znanstvene infrastrukture. Spodbujali pa bodo samo projekte in programe, pri katerih bodo sodelovale organizacije združenega dela iz dveh ali več republik, oz. avtonomnih pokrajin. Zakon detaljno predpisuje, kako je treba projekte javno objaviti in kdo ter kako se lahko priglasi k sodelovanju. V Jugoslaviji je to doslej vsekakor najbolj sistematičen pristop in vzpodbuda za sodelovanje med organizacijami materialne proizvodnje,, in raziskovalnimi organizacijami iz vseh delov Jugoslavije. V sodelovanje se lahko vključijo tudi tuja podjetja ali inštituti. V zakonu je objavljena tudi metodologija ocenjevanja projektov, da bi pri*-oriloto dobili najpomembnejši in najperspektivnejši projekti v okviru strategije tehnološkega razvoja. Skeptiki, ki sredstva imenujejo "Matičev fond" in ga primerjajo z nekoč zelo oporekanim "Zveznim fondom za raziskave" gledajo na dogajanja ob usklajevanju pobud ironično in s posmehom, tisti, ki pa morajo pripraviti vse zahtevane podatke za projekte in programe pa si že belijo glave ob preudarno zastavljenih vprašalnih tabelah. Sedemdeset odstotkov sredstev za izvajanje projektov mora biti združenih iz organizacij materialne proizvodnje, sredstev JLA in sredstev znanstvenih, raziskovalnih in razvojnih organizacij, trideset odstotkov pa predstavljajo v projektu sredstva za spodbujanje tehnološkega razvoja. Upajmo, da bodo tako omejena sredstva destimulirala sodelovanje samo zaradi pridobivanja finančnih sredstev, da bo zakon predvsem spodbuda za koordinirani, skupni jugoslovanski tehnološki razvoj. Predsednik društva MI DEM 3 THE CUSTOMER APPROACH IN THE DESIGN OF ASIC FOR INDUSTRIAL ELECTRONICS Srebrenka Ursic, Tomislav Svedek, Mladen Stulic 1, SUMMARY The IC design center in the customer company oriented to use ASIC has to bridge over a lot of conflicting requirements in order to be successful interface between electronic system development and modern microelectronic technology. To be able to guess the usefulness of ASIC in the application field of the industrial electronics , it is important to understand the general model of the electronic controlled process. In the paper also a few developed ASIC are described, their common characteristics are pointed out, some expected trends are mentioned, and our criteria in use of ASIC are discussed. 2. THE CONFLICTING POINTS IN THE ACTIVITY OF IC DESIGN CENTER (ICDC) IN THE CUSTOMER COMPANY The ASIC customer company described in the paper comes from the field of the industrial electronics with the main involvement in the production of the power system protection equipment, energy converters, data processing and control systems, household appliances, motor drives etc. The ASIC required often combines analog as well as digital functions on the same chip. Only small or moderate annual volume of the chips is foreseen, i.e. 100.000 of those chips may be required per year at the beginning of the ICDC activity. The conflicting points derive from the task that ICDC has to be successful interface between the electronic system designers in the house and the modern microelectronic technology in the silicon foundries. 2.1. System design The "built in" advantage of ASIC is that it doesn't allow the changes of project after the circuit layout has been finished. Therefore the step of defining the electronic system requirements (where ASIC is still the black box) is emphasized. System description includes functional description with the transfer functions, I/o electrical signals specification, reliability requirements and the real world influence (atmospheric, noise, radiation etc.). If the probability of using ASIC is high enough, IC designer has to be the member of the team in the very beginning of the project definition. His/her task is to influence system engineers to take into account the possible ASIC level of integration as the criterion of the system "Floor-planning". The output of that step we call "System Technical Requirements". The document has to be unambigous and complete, because system engineers like to change the requirements after that step has been finished, and IC designer is in inferior psychological position because his/her knowledge of the particular system is less than their. We would like to stress that the IC designer involvement in the system definition expressed in man-month is almost the same as in all remaining steps of the IC design job (Table 1.). Steps in ASIC IC designer design procedure (man-month) Schedule for ASIC (time in month) System design 4 x " + 1 ASIC design 3 2 ASIC processing 1 2-3 Evaluation 1 1 Notes: " ) x counts electronic system development time independent of the use of ASIC. 1) IC designer man-month include all service activities i.e. technician, draughtman, etc., so that it is more expensive than usually. 4 2) The data given in the Table refer to the ASIC of moderate complexity, i.e. gate array of 500 equivalent NAND gates or MSI analog circuit. Table 1. Man-months and time in -ASIC design procedure. 2,2,. Silicon foundry The troubles with silicon foundries often start from "too small" overall annual quantity of ASIC to be processed. Some manufactures insist on annual business rate. In our opinion the better approach from the silicon foundry side is to separate ASIC developing from ASIC production expenses. The silicon foundry technologies (or cell libraries) would have to tend to become standardized for particular technology so that second source problem disappears. The silicon compilers will be good solution too, but that way of achieving the technological independence doesn't annihilate the expenses of mask plates in the case of changing the silicon foundry partnership. 2.3. Physical layout The physical design is an integral part of the circuit ri.-"-;i(|n procedure. The technological origin of the design rules influences circuit design and provokes ttse changes in circuit shematic too. The circuit designer, not the technologist, is the right person to do resimulation, The troubles arise with the physical design rules because silicon foundry prefers to release the more rigid design rules to the customer than for themselves. The chip silicon area is obviously sacrificed when the customer makes the IC layout and PG tape. 2.4, ASIC evaluation ASIC evaluation has three separate steps: -incoming inspection (parametric and functional testing with automatic test equipment; reliability if required) , ..... application evaluation (protoboarding in simulated real conditions), - exploitation evaluation (prototype in real conditions). The incoming inspection is the part of IC designer job whereas the application and exploitation is the part of system engineers job (which is similar as in the case of classical PCB). The initial ASIC testing is done by silicon foundry with its automatic test equipment (ATI?). Testability and test program generation have to be solved formerly. The question is if the customer need for the incoming inspection accounts for the high expenses of buying ATE. Probably we are too suspicious in the silicon foundry output but we have interesting experience with the standard IC suppliers. Their delivery's quality were much higher when they realized that we had introduced 100 % incoming inspection! The compromising solution is to test ASIC with neutral partner equipped with ATE. Is it possible to find at the market cheap ATE for non-standard, medium complexity, medium performance IC? 3. CHARACTERISTICS OF ASIC IN THE INDUSTKIAL ELECTRONICS The general model of the electronic controlled industrial process is shown on Figure 1. In the sen- Pig. 1 Model of electronically controlled industrial process sing block the physical values of the process are transformed into electrical values adapted for the use in the data processing block. Its output (processed electrical signals) drives the process parameters regulation block in which the electrical signals are transformed back to the physical values for the process control. In general, the structure of those 5 blocks and I/O interfaces between them depends on the kind of the process. The structure of the sensing block is usually built by such elements; precise ope~ rational amplifiers and comparators, A/D converters and transducers, filters, transformers, opto-coup-lers, etc. The output are low level signals. The regulation block, which deals with high level signals (power control), contains power transistors, thyris-tors , transformers, heating elements, motors etc. The data processing block, which is always the core of the possible ASIC, contains: analog, digital or, the most frequently, mixed analog-digital elements of the data processing. The choice of the technology (including either monolithic or hybrid) and also the economics of ASIC are influenced by the way of the data processing (analog or digital), onter part of the system (voltage supply, programmability, etc.) and atmospheric. Gate array technique mainly makes possible realization of digital functions. Standard cell technique, on the contrary, allows integration of more complex functions (e.g. RAM, ROM, etc.) or analog blocks (e.g. amplifiers, comparators, SC circuits, etc.). For small production volumes such an approach is economically unaccep table, although it offers integration of the greatest part of the sensing and regulation blocks. Sacrificing ASIC area, the same result, but with considerable lower development costs, offers hybrid (thin or thick film). In addition to entended voltage and current range and greater power dissipation, this technique also offers broard choice of standard electronic devices. Besides that, the technique may combine the high quality analogue capabilities of the thick film hybrid with the outstanding digital performance of the gate array (GA). 4. ASIC EXAMPLES Through a few examples of developed ASIC we will try to work out some common characteristics of those circuits and further necessities for such type of circuits in the house. Smaller quantities of chips direct us infallibly to GA design methodology. Two such circuits in their environment are given on Figures 2. and 3.: i\3IC overpressure and fan controller in mine elec- -ASH=r- ASIC Character. Application household^processor field appliances control power syst protection . power syst, protect. Technology 5%jtm CMOS 5/im CMOS 7 J\ m CMOS thick film Methodology std.cells GA GA Foundry Iskra ME Ljubljana Iskra ME Ljubljana Ei-Nis Iskra HIPOT Complexity 1100 gates 500 gates 150 gates MSI/LSI Pins count 28 18 24 40 Power consum. not critic not critic not critic not critic Max. clock 1 kHz 2,5 MHz 10 Hz Interface to foudry schematic + test alg. layout + test alg. PG tape + test.alg. schematic Table 2. Some characteristics of developed ASIC Fig.2 Overpressure and fan control syste —-Hn 1,6ms 5 INT UART ASIC "AGATA" UCLK ?5 pP 78 KHz ose MHz i c EPROM RAM 0 I/O UNITS Fig.3 Time base for microprocessor Z-80 tronics and ASIC for application in microprocessor control, time base and interrupt generator. Larger quantities of ASIC (what we expect in electronic devices for household appliances ) condition the change of design methodology from GA to standard cell. The typical application of ASIC programmable timer in time controlled system with electronic temperature regulation for electric water heater is shown on Figure 4. Rewiew of characteristics of those examples Fig.1! Example of programmable timer application in household appliances which are digital and one mixed analog/digital circuit , is shown in Table 2. It is necessary to stress that from the project beginning we take into account all other possible applications of respective ASIC: in that way more universal function of ASIC is achieved. Wfith taking down future necessities for ASIC in the house, we can predict the next trends: higher complexity (with regular structures like ROM, PLA , etc.); increasing clock rates; higher output drive capabilities; increasing need for mixed analog-digital functions; increasing pin counts (influenced by SMI) t<>chn«lol>, 11.001 /.agrol. DIFUZIJSKA ZAPORA TiN V MIKROELEKTRONIKI A. Žabkar, M. Godec, P. Panjan, B. Navinšek V prispevku je na kratko prikazana problematika di-fuzijskih zapor v mikroelektronskih vezjih VLSI in dejavnost na tem področju , ki poteka v okviru Instituta J. Štefan. Zanesljivost mikroelektronskih vezij je eden izmed najpomembnejših parametrov v sodobnih tehnologijah, zato ji posvečamo veliko pozornost že pri načrtovanju in izdelavi. Zmanjševanje dimenzij posameznih elementov v vezjih zelo obsežne integracije (VLSI) je že poseglo v področje okrog 1 ^im in celo manj. S tem so povezane tudi manjše debeline plasti, oz. zahteve po drugačnih lastnostih materialov za te plasti. Klasičen primer je me-talizacija silicijevih rezin z aluminijem. Tako aluminij, kot silicij odlično ustrezata vsak za svoj namen, nista pa stabilna, če sta v neposrednem stiku. Elektromigracijske probleme lahko delno ublažimo s primesmi bakra in silicija. Danes v ta namen pretežno uporabljajo zlitini AlCu (4 %) Si (1 %) in AISi (1 %). Evtektična temperatura za sistem Al-Si je 851 K. Že pri nizkotemperaturni toplotni obdelavi pride do reakcije . Na meji se silicij raztaplja v aluminiju. Difuzija silicija v aluminiju privede do povečanja kontaktne upornosti, do prebojev (spikes) in v končni fazi do porušitve kontaktov. Problema se lahko lotimo tudi na bolj radikalen način, s plastjo, ki naj prepreči mešanje silicijeve podlage s prevodno plastjo aluminija. Med kandidati za difuzijsko zaporo so bili v preteklosti deležni velike pozornosti razni silicidi (n.pr. PtSi, Pd Si, NiSi, TiSi, MoSi2), ki pa že pri 700 K ne morejo preprečiti difuzije vzdolž meja zrn v silicidni plasti. Zadnja faza v razvoju difu-zijskih zapornih plasti za VLSI vezja so intermetalne spojine, najboljša je zlitina WTi (10 %), ki so v kombinaciji s silicidi uporabne do 770 K in spojine težko taljivih kovin. Doridi, karbidi in nitridi refraktornih kovin so kemijsko in termodinamsko zelo obstojne spojine. Odlikuje jih dobra električna prevodnost (TiN je na primer dvakrat boljši prevodnik kot čisti titan), visoko tališče, kemijska inertnost in močne atomske vezi. Njihove lastnosti so znane že dlje, šele v zadnjih letih pa je rešen problem nanašanja plasti. Najugodnejša tehnika je reaktivno na-prševanje. Difuzija v tankih plasteh se loči od "navadne" v več pogledih (1). Zaradi majhne velikosti zrn so vsi atomi relativno blizu proste površine. Število meja zrn in strukturnih defektov je zelo veliko. To pa so glavne poti za difuzijske procese. Pogosto so v takih plasteh mehanske napetosti in nečistoče, oboje kot' posledica tehnološkega postopka. Difuzijo pospešujejo povišana temperatura, električne napetosti in velike gostote električnega toka. Kritične so majhne debeline. Pri masivnih materialih lahko difuzijo do globine nekaj nm zanemarimo, v tanko-plastnih strukturah pa jo seveda moramo upoštevati. Tankoplastne strukture so torej temperaturno nestabilne in skušajo doseči ravnotežno stanje s transportom snovi in s kemijskimi reakcijami med diskretnimi plastmi. Difuzijo poganjajo koncentracijski, temperaturni in električni gradienti. Pri nizkih temperaturah prevladuje difuzija po mejah zrn in dislokacijah, pri visokih-temperaturah pa mrežna difuzija. V že omenjenem primeru me-talizacije silicija z aluminijem poteka difuzija že precej pod evtektično temperaturo. Posledica je tvorba intermetalnih spojin, puščanje tokov in kratki stiki. Da bi preprečili mešanje posameznih plasti, mora biti difuzijska zapora "gosta" in termodinamsko stabilna. Dobro se mora oprijemati plasti, ki jih loči; imeti mora dobro električno in toplotno prevodnost, enakomerno debelino in strukturo, mora biti odporna na mehanske in toplotne obremenitve. Zelo važno je dobro prekrivanje stopnice (odsotnost mikrorazpok). Za praktično uporabo je seveda pogoj tudi ustreznost za nanašanje in skladnost 8 s tehnološkimi postopki (na primer fotolitografija) v LSI in VLSI tehnologiji. Razumljivo je torej, da vseh naštetih zahtev ne moremo izpolniti v željeni meri z enim samim materialom in moramo pristati na kompromis. Med najbolj obetavnimi materiali je titanov nitrid TiN. Uporablja se za izboljšanje Schottkyjevih kontaktov (pretežno v sistemih Al-TiN- riSi -Si in Al-TiN-Si), v tehnologiji Si sončnih celic (na primer shema Ag-TiN-Si namesto Ag-Pd-Ti-Si) pa tudi v najmodernejših tehnologijah na osnovi InP in GeAs (na primeru Au-TiN-InP in Ag-TiN-Pt-GaAs). Titanov nitrid je t.i. pasivna zapora (2). Takšne zapore so kemijsko inertne in imajo nizko topnost za oba materiala, ki ju ločujemo. Lastnosti TiN plasti so močno odvisne od izbranega postopka in od okoliščin med nanašanjem (3). 7,a praktičen uspeh je treba pri vsaki napravi določili, optimalne parametre nanašanja. Najpogosteje nanašajo TiN za difuzijske zapore z reaktivnim naprševanjem v magnetronskih sistemih. Optimalni parametri za nanašanje plasti so kljub številnim aplikacijam še vedno predmet zelo obsežnih in temeljitih raziskav (3-6). Ključne lastnosti so predvsem stabilnost, nizka kontaktna upornost in selektivnost pri jedkanju. Za difuzijsko zaporo je najustreznejši TiN s stehiometrijsko sestavo. Klektrična upornost ima takrat minimum. Primesi kisika znatno poveča jo kontaktno upornost plasti, poveča se difuzija skozi plast, zmanjša pa se število odpovedi pri ciklični toplotni obremenitvi ((>). '['lačne napetosti v plasteh povzročajo največ te/.av; še posebno velike so, če je v plasti nekaj faze TipN. Na Institutu "J. Štefan" se že nekaj let ukvarjamo z nanašanjem titanovega nitrida. Predmet naših raziskav so lastnosti difuzijske zapore v metalizaciji silicijevih rezin in osnovni parametri nanašanja za doseganje optimalnih karakteristik (7,8). Osnovna tehnika nanašanja, ki jo uporabljamo, je naprševanje s plazemsko napravo Sputron. Velika fleksibilnost naprave odtehta nekoliko manjšo hitrost nanašanja (v primerjavi s pla-narnim magnetronom). Velik del raziskav poteka v tesnem sodelovanju z Iskro - Mikroelektroniko (9). Na sliki 1 je prikazana plastna upornost TiN v odvisnosti od debeline, na sliki 2 pa v odvisnosti od delnega tlaka dušika med nanašanjem. Masiven TiN (sin-tran) ima specifično upornost 22 ,uJVcm, naše napr-šene plasti pa so imele 62,5 jjJbcm, kar je manj kot SI. 1 SI. 2 p(N.JX 10 Imbtr] pri titanu (88,7 jjJI,cm). Tankoplast.no strukturo Si-TiN-A 1 smo pregrevali v dušikovi atmosferi z dodatkom vodika (6 %). Pregrevanje 30 min. na 723 K je eden izmed standardnih postopkov pri izdelavi integriranega vezja. Na sliki 3 je odvisnost plastne UO 600 660 800 AB0 SI. 3 upornosti od temperature pregrevanja. Parameter je delni tlak dušika med nanašanjem. Delna difuzija aluminija v plasti TiN in povečana vsebnost kisika sta glavna razloga za povečano plastno upornost. Analiza globinskih profilov z Augerjevo spektrometrijo (na Institutu za elektroniko in vakuumsko tehniko) je poka | 30 - « nepregret vzorec v'»»" ,»in',,,.i" L(U*J D 10 20 30 40 M 80 70 60 50 100 110 120 130 HO 150 ISO 170 160 CH IOHSKIC* JEDKANJA [mul □ TI + C 9 0 4 SI X H V H SI. 4 vzorec pregret na 450 C v CD oorpHnibcn tlba a>aoo □□ odcd oa tZ-tocn0^ OO « ■ # S ^¡¡^««MfcStfattt t> ittt» tj, 0 10 20 30 <0 50 60 70 60 30 fOO 110 120 130 HO 130 160 170 180 SI. 5 vzorec pregret na 550 C c^jpjftttpo moaooanDDDoOoooo t^ * 0 10' 20 30 40 50 80 ?0 80 90 tOO 110 120 130 140 »SO 160 170 180 SI. 6 zala, da TiN zapora zdrži celo polurno segrevanje na 820 K. Na slikah 4, 5 in 6 so prikazani globinski profili za različne obdelane strukture na Si rezinah. Debelina TiN zapore je tu 125 um. Vidimo lahko, da potekajo med pregrevanjem spremembe le na mejnih površinah, predvsem na meji Al/TiN. Sama zapora ohrani lastnosti tudi po pregrevanju 30 min. na 820 K. Na polikontaktnih uporovnih verigah smo dosegli 25 - kratno zmanjšanje kontaktne upornosti (25 J\> -» 1 c/l» na kontakt). Na difuzijskih kontaktnih verigah so se pojavile poškodbe ob večjih stopnicah v vezju, kjer smo naprševali tudi aluminij. Kompatibilnosti postopkov bo zato treba posvetiti še dodatno pozornost. Vzporedno potekajo v odseku za tanke plasti in površine na IJS tudi raziskave drugih nitridov (ZrN je kandidat za zaporno plast, TaN je zanimiv za visokostabilne upore) in razvoj postopkov za reaktivno naprševanje. Literatura: 1. R.W. Ballufi and J.M. Blakely, TSF 25 (1975), 363 2. M.A. Nicolet, TSF 52 (1978), 415 3. H.P. Kattelus et. al., JVST A4 (4) (1986), 1850 4. J. Stimmel, JVST B4 (6) (1986), 1377 5. J.E.Sundgren, TSF 40 (1985), 6090 6. N. Kumar et al., TSF 153 (1987), 287 7. B. Navinšek, MIEL - XIII, Ljubljana 1985 8. A. Žabkar, P. Pan jan in B. Navinšek, Zbornik SD-86, Otočec 1986, str. 221 9. M. Godec, Diplomsko delo na FNT - Montanistika, Ljubljana 1987 Dr. Anton Zabkar Peter Panjan, dipl. ing . Dr. Boris Navinšek Institut Jožef Štefan, Ljubljana Matjaž Godec, dipl. ing. ISKRA MIKROELEKTRONIKA Ljubljana 10 POLIMERI V ELEKTRO INDUSTRIJI Anton Šebenik, Uči Osredkar UVOD Razvoj sodobne elektroindustrije, posebej pa še elektronike, je tesno povezan z razvojem novih materialov, ki lahko služijo kot konstrukcijski ali pa kot elektroizolacijski materiali. Kot elektroizolacijske materiale lahko uporabljamo anorganske materiale kot steklo, keramika itd. ter vrsto organskih materialov, kot sintetični in naravni polimeri. Uporaba izolacijs -kih materialov je specifična in jih zato le v redkih primerih lahko poljubno zamenjujemo. Od materialov največkrat zahtevamo kombinacijo različnih lastnosti, kot so npr. dobre električne, mehanske in termične lastnosti ter nizka korozivnost. Vse pogosteje zahtevamo tudi odpornost proti gorenju. Razumljivo je, da zelo težko dosežemo, da bi imel en sam material samo najboljše lastnosti in hkrati sprejemljivo ceno. Zato je možno le s poznavanjem vseh parametrov in cene selektivno izbrati najustreznejše materiale za določena področja uporabe. VRSTE POLIMEROV Delitev polimerov je možnih na več vrst. V tem delu bomo za delitev po skupinah upoštevali predvsem električne lastnosti polimerov. V prvo skupino štejejo nasičeni linearni polimeri, pri katerih je osnovna skeletna veriga sestavljena iz ponavljajočih se C atomov (slika 1), na katero so v pravilnem ali nepravilnem redu vezane stranske skupine ali heteroatomi. Značilna za to skupino je nizka temperatura steklastega prehoda. Stranske skupine in heteroatomi inducirajo dipolni moment v verigi, kar vpliva na električne lastnosti polimera. V linearni verigi so vsi ogljikovi atomi vezani z lokaliziranirni ¿ vezmi, ki se kljub močnemu naboju na stranski verigi težko u polarizi-rajo. Zato ima stranski naboj predvsem vpliv na dielektrične lastnosti polimera, manj pa na električno prevodnost.Osnovni predstavnik te skupine je polietilen z odličnimi električnimi, vendar slabšimi mehanskimi in termičnimi lastnostmi. Derivati polietilena kot so polistiren, polivinilklorid, mono- ,tri- in tetra-polivinilfluoridi, polipropilen in še nekateri drugi imajo slabše električne, vendar boljše mehanske in termične lastnosti v primerjavi s polietilenom, čeprav pa ne dosegajo visokih vrednosti. Vzrok za to je linearna struktura verige, ki prečno ni kemijsko povezana - zamrežena, med segmenti pa ne nastopajo močne medmolekulske sile. Ti polimeri so povečini plastični in jih je lahko oblikovati in reciklirati pri povišani temperaturi. Z zamrežen jem se mehanske lastnosti bistveno izboljšajo. V drugo skupino štejejo nenasičeni polimeri z linearno ogljikovo verigo, ki imajo v verigi eno ali več dvojnih vezi, ki imajo delno delokalizirane II elektrone. Te dvojne vezi je možno pod vplivom naboja na stranski verigi polarizirati, kar omogoča prenos električnega toka vzdolž in prečno na verigo. V to skupino štejejo polibutadien, poliizopren, poliviniliden-fluorid in drugi. Tudi ti polimeri nimajo posebej dobrih mehanskih in termičnih lastnosti, možno pa jih je z zamrežen jem izboljšati. V tretjo skupino štejejo linearni kondenzirani polimeri. V tem primeru so manjše linearne molekule vezane med seboj s heteroatomi, ki polarizirajo verigo v smeri kemijskih vezi. Najpomembnejši predstavniki so poliamidi in linearni poliestri, kot je dietilentereftalat. Imajo dobre mehanske lastnosti in tudi ustrezne termične lastnosti. Značilno zanje je, da imajo ostro zmehčišče in tališče. V večini primerov so nezamreženi in se pogostokrat uporabljajo kot konstrukcijski materiali. 11 V četrto skupino štejejo zamreženi, kondenzacijski polimeri. Najznačilnejši predstavniki so epoksidne, fenolne, sečninske in druge smole ter poliuretani in poliestri. Večina izmed njih ima dobre mehanske in termične lastnosti ter odpornost proti kemikalijam. Različno neponavljajoča se struktura ter vrsta hete-roatomov z močno polarnostjo povzroči nastanek močno polarnih delov, kar vpliva na električne lastnosti smol. Kondenzacijske polimere v večini primerov uporabljajo skupaj s polnilom. Polnilo lahko spreminja električne lastnosti, navadno pa izboljša mehanske in predelovalne lastnosti. V to skupino štejejo tudi kom-poziti na osnovi kondenzacijskih polimerov in grafitom ali kovinskim prahom, ki jih nepravilno prištevamo med prevodne polimere. Peto skupino polimerov sestavljajo prevodni polimeri. Imajo lastnosti, da prevajajo električni tok, v nekaterih primerih celo kot kovina (slika 1). Glavni predstavniki prevodnih polimerov so poliacetilen in njegovi derivati in kopolimeri, polifenilen, polipirol in polifenilen CH, CH , . i CH? CH? CH, / / s/ / < / < / \ Ch^ CH2 CH, CH, CH, ¿HCI (SM^CH Cl polietilen nepolaren, »sprevoden a CH ^CH 4>l >CH nu H ru fu ru ci m CH? CH H iisterotaktični polivinilklorid, polarni polimer, delno prevoden na (»novi polariiironih nabojev HV X H C=C W )i \ / x C = C H / \ H C = C H \ / \ n / C = C H IT C- C ' / \ " / -H C-C / / / -- N _ ^ htbridiziran k • / r./ /—~ elektronski oblak / H ^C-C/ poliacetilen prevoden na osnovi gibljivih h T elektronov Slika 1: Načini prevajanja električnega toka v polimerni verigi oksid. Poleg naštetih pa je še vrsta drugih, ki imajo različne fizikalno-kemične ter električne lastnosti. Ti, obetajoči polimeri še niso našli velike tehnične uporabe v elektronski industriji. ELEKTRIČNE LASTNOSTI POLIMEROV Vse lastnosti polimerov so odvisne od strukture in konformacije polimerov ter od dodatkov, ki so primešani polimeru. Struktura polimera in dodatki vplivajo na električno upornost, dielektrično konstanto, faktor dielektričnih izgub, prebojno napetost in plazeče se tokove. Električna upornost (oz. prevodnost) polimera je odvisna od polarnosti posameznih segmentov, gostote gibljivih elektronov, primesi prevodnih delcev in od načina vezave le-teh med seboj. Prehod elektronov med posameznimi segmenti in verigami je možen samo v primeru, če so prevodni deli makromolekule v direktnem stiku. Neprevodni segmenti v makromole-kuli prekinjajo prehode elektronov in zvišujejo upornost „ Tako ima polietilen le neprevodne - 011 — enote z loka-liziranimi elektroni, brez naboja na stranski verigi. 18 Njegova električna upornost je 10 ohmcm, kar je med najvišjimi vrednostmi. Podobne električne upornosti imajo tudi polipropilen in polistiren, pri kate- 1 2 rih stranske skupine niso polarizirane ' . Upornost halogeniranih polimerov kot je polivinilklorid že nekoliko pade zaradi močno polarnih klorovih atomov. Se večji padec upornosti pa opažamo pri smolah, ki imajo vgrajen heteroatom v molekulo. Električna upornost fenolnih, melaminskih in sečninskih smol je okoli li 10 ohmcm, odvisno od polnil, ostankov katalizatorjev in drugih dodatkov v polimeru. Vlaga v polimerih pa še poveča padec upornosti (Tabela 1). 3 Posebna skupina polimerov so prevodni polimeri . Najznačilnejši predstavniki prevodnih polimerov so poliacetilen in njegovi derivati terpolifenilen in polipirol.. V tem primeru imamo v polimerni verigi konjugirane dvojne vezi, kjer nastanejo hibridizirane orbitale z d - XI elektroni, ki so razpotegnjeni po vsej verigi in se vzdolž verige gibljejo pod vplivom 12 električne napetosti. Prehajanje i:2 ene verige v drugo je odvisno od stopnje kristaliničnosti, razvejanosti, cis-trans konfiguracije stranskih skupin in dopiranja polimera. Najboljše prehajanje iz ene verige na drugo je takrat, kadar so verige sistematično urejene druga ob drugi. Upornost prevodnega _3 polimera je tudi do 10 ohmcm. Faktor dielektričnih izgub raste z rastočo polarnostjo makromolekul. Najnižjo vrednost imajo povsem ne-polarni polimeri, kot so polietilen in poiipropileri, medtem ko polivinilkloridu in različnim polimerom s polarnimi vezmi faktor dielektričnih izgub močno naraste. Odvisen je tudi od frekvence in temperature. Pri nižjih frekvencah predvsem nihajo gibljivi dipoli kot so npr. okludirana voda in nabite stranske skupine, ki niso sterično ovirane, medtem ko pri frekvencah nad 1 MHz nihajo tudi dipoli, ki so sterično ovirani (slika 2). Pri tem se sprosti energija Frekvenca CKHZ^ Slika 2: Odvisnost faktorja dielektričnih izgub od frekvence, (1), tehnični laminat (natron papir, krezolna smola), (2), tehnični laminat (oC- celulozni papir, fenolna smola), (3) polivinilklorid, (4) tehnični laminat (poliesterska smola, steklena tkanina , (6) teflon , (7) polietilen kot toplota, ki močno vpliva na obstojnost polimera. Faktor dielektričnih izgub s temperaturo v vseh mate- rialih raste (slika 3). To sprošča vedno več toplote, vse dokler ne pride do dielektričnega porušenja po- slika 3: Odvisnost faktorja dielektričnih izgub od temperature (l), tehnični laminat ( -celulozni papir, fenolna smola), (2) polivinilklorid, (3)epoksi laminat, (4) poliesterski laminat, (5) polietilen, (6) teflon limera in do preboja električnega toka. Faktor dielektričnih izgub bistveno povečajo dodatki kot so voda, mehčala in razna polarna polnila. Pri že vgrajenih elektroizolacijskih materialih pa lahko zato negativno vpliva vlaga, ki se veže iz zraka. Prebojna in vzdržna napetost sta povezani z električno upornostjo, faktorjem dielektričnih izgub in temperaturo steklastega prehoda. Polietilen in polipro-pilen imata kljub dobrim električnim lastnostim slabo prebojno trdnost predvsem pri višji temperaturi zaradi plastičnosti materiala in neobstojnosti proti toploti, ki zmehča material. Najvišje prebojne trdnosti imajo ksilenolne smole, ki so zelo obstojne proti povišani temperaturi. Plazeči tokovi po površini so odvisni od interakcij med polimeri in nečistostmi na površini. Najmanjše 13 interakcije z elektroliti in drugimi nečistostmi imajo melaminske smole. Plazeči tokovi so posebno veliki pri slabo utrjenih smolah in polimerih, ki se delno raztapljajo ali nabrekajo v polarnih nečistočah. TERMIČNE IN MEHANSKE LASTNOSTI Uporabnost polimerov za električne namene je poleg od električnih lastnosti zelo odvisna tudi od mehanskih in termičnih lastnosti. Vsi polimeri, ki imajo temperaturo steklastega prehoda nižjo od 60°C so mehki, se krivijo in plastično deformirajo in imajo slabe mehanske lastnosti, medtem ko so polimeri s temperaturo steklastega prehoda nad 60°C trdi z dobrimi mehanskimi lastnostmi. Temperatura steklastega prehoda je odvisna od strukture polimera. Polimeri iz prvih dveh skupin so v večini pri normalni temperaturi mehki in plastični, medtem ko imajo zamrežene smole aobre termične in mehanske lastnosti tudi pri povišanih temperaturah. Tako je npr. večina nosilnih plošč tiskanih vezij izdelanih iz epoksi ali fenolnih smol, okrepljenih z vlakni. Pri povišani temperaturi se ne krivijo, so odporne na spajkanje in imajo visoke električne upornosti. Tabela 1: Nekatere značilne lastnosti najuporabnejših polimerov* Temper. Upornost Faktor steklast. (oh m dielek. prehoda cm) izgub __A/_/-/ Polietilen - 125 5 ,io18 0 ,0005 Polipropilen - 10 1. 1016 !016 ,0005 Polistiren 100 1. 0, ,004 PVC 80 1. io16 o- ,03 Polibutadien - 70 1. io14 0. ,01 Poliamid 6,6 50 1. !014 0) ,02 Epoksiiaminat - 1. io12 0. ,02 Fenolni laminat - 1. io10 0( ,05 Teflon 320 1. 0. ,0003 Poliuretan 80 1. .io11 0, .04 V isto vrsto štejejo tudi poliamidi, linearni poliestri, ki jih uporabljajo kot konstrukcijski material. Po drugi strani pa so polietilen in njegovi derivati pri normalnih temperaturah mehki in prožni in se pri pregibih ne lomijo, pac pa so plastični in imajo slabe mehanske lastnosti. (Tabela 1.). ZAKLJUČEK Pri projektiranju električnih naprav je zelo pomembna pravilna izbira polimera, ki ga nameravamo uporabiti. Izredno široka ponudba polimerov z zelo različnimi električnimi lastnostmi, temperature steklastega prehoda, mehanskih in termičnih karakteristik nam omogoča, da s kombinacijami različnih polimerov in dodatkov izberemo polimer, ki zagotavlja zaželene lastnosti. Pravilna selektivna uporaba pa omogoča optimiziranje vseh sestavnih delov naprav. LITERATURA : 1. J. Brandrup, E.H. Immergut, Polymer handbook, John Wiley, New York 1975 2. T. Davidson, Polymers in electronics, ACS, Washington, 1984 3. R.B. Seymour, Conductive Polymers, Plenum Press, New York, 1981 dr. Anton Šobenik in dr. Uči Osredknr Komi¡sld in.slitut, "Doris Kidrič" Ljubljana, llnjdrihova 19 14 KARAKTERIZACIJA POLPREVODNIKOV Z RASTRSKIM ELEKTRONSKIM MIKROSKOPOM Gvido Bratina 1. UVOD Rastrski elektronski mikroskop (REM) je postal nepogrešljiv pripomoček pri študiju lastnosti materialov in polprevodniki pri tem niso izjema. Elektroni v REM, s katerimi obstreljujemo vzorec, imajo energije od nekaj sto eV do nekaj deset keV. V primerjavi z vezavnimi energijami elektronov v atomih je 10 keV ogromno. Posledica tega je, da pride pri neelastičnih trkih takih elektronov z atomi v snovi do vrste pojavov, ki jih izkoriščamo za opis lastnosti vzorca. Trki so lahko elastični, ali neelastični. Pri prvih se elektronom spremeni le smer, pri drugih pa poleg smeri še energija. Prav slednji soodgovorni za generacijo sekundarnih elektronov, ki nosijo informacijo o obliki površine vzorca, za nastanek rentgenskih žarkov, fotonov v vidnem in IR delu spektra, Augerjevih elektronov in ne nazadnje za kreacijo nosilcev naboja. In prav slednji pojav je najpomembnejši pri študiju lastnosti polprevodnikov , saj nam nudi informacije o kristalografskih napakah (dislokacijah, vključkih.. .), o napakah polprevodniških spojev (MOS, p-n) in napakah v integriranih vezjih. Spekter uporabe je torej zelo širok, kar je tudi razlog za razširjenost te metode v svetu. V tem prispevku bom najprej opisal fizikalne osnove kreacije nosilcev naboja s hitrimi elektroni in izvor kontrasta pri kvalitativnem opisovanju vzorcev ter navedel primer uporabe te metode, v zadnjem delu pa bom navedel osnovna načela kvalitativnega določanja nekaterih značilnih količin. 2. VZBUJANJE POLPREVODNIKOV S HITRIMI ELEKTRONI Vpadli curek na svoji poti po. vzorcu kreira nosilce naboja. Trki hitrih elektronov z valenčnimi elektroni v snovi vzbudijo atome tako, da nastanejo v valenčnem pasu luknje,v prevodnem pasu pa elektroni. Tako kreirani nosilci so v električno nevtralnem vzorcu v termodinam-skem ravnovesju s kristalno mrežo. Trki z mrežnimi atomi spreminj ajo njihovo pot in njihovo kolektivno gibanje je difuzno. Med difuzijo se nosilci nasprotnih znakov rekombinirajo, frekvenca rekombinacije je odvisna od preseka za rekombinacijo 0 in Nt-gostote pasti. Pred rekombinacijo nosilec živi; I dolgo. Tu je T življenska doba nosilca in vt je hitrost 2 gibanja nosilca po mreži, dana z enačbo 1/2 mv = 3/2 kT. (k = Boltzmannova konstanta in T = temperatura). V vzorcu s homogeno porazdelitvijo pasti, se dodatno vzbujeni nosilci rekombinirajo s frekvenco, ki je sorazmerna z gostoto nosilcev. Nosilci pa zapuščajo določeno področje tudi z difuzijo in v ravnovesnem stanju jih morajo nadomestiti na novo generirani, za kar poskrbi curek vpadlih elektronov. To opisuje kontinuitetna enačba: I , , A t) (!..■]) • (I- V./„~ ' t: q i d( kjer je g pogostnost nastajanja nosilcev, Pa gostota dodatno vzbujenih nosilcev. V primeru, ko je gostota toka določena z difuzijo: ■ (7 /) „ d A ' ■ d X im a kontinuitetna enačba rešitev v obliki: za g = 0, kjer je / - V/V 15 difuzijska dolžina manjsinskih nosilcev naboja, pomembna količina, ki pove povprečno pot med točko nastanka nosilca in točko njegove anihilacije. Kot rečeno se v električno nevtralnem vzorcu dodatno vzbujeni nosilci gibljeno difuzno. Ob prisotnosti električnega polja pa se njihovo gibanje uredi in usmeri. Tako polje je vedno prisotno v p-n spojih, M OS spojih in Schottkijevih diodah, kjer se pojavi zaporna plast.. Dodatno vzbujeni nosilci tako predstavljajo tok, ki se pojavi na mejah vzorca in znaša: i m s krV r::.""i:.i i 'o kov K-«5S-3 30 KeV / v Vi >> Stika Vy.hu ioni voltimeii za različno energije Lahko torej zaključimo, da je ločljivost te metode reda mikrometra, česar se moramo zavedati predvsem pri kvalitativni karakterizaciji vzorcev. 3. KONTRAST Tu je Ib tok vpadlih elektronov, E njihova energija, f delež vpadlih elektronov, ki so sposobni kreirati pare in Eeh energija, potrebna za kreacijo para. Pri merjenjih in opazovanjih običajno uporabljamo take postavitve, kot jih kaže slika 1. Pri delu pa moramo upoštevati tudi ločljivost; poleg debeline vstopnega curka, ki je določena pretežno z instrumentalnimi značilnostmi, vplivajo na ločljivost te metode procesi znotraj vzorca. j /;i|)ontii p ! ;i s f ; O I ■ t r. ... ..t_________________i—. ; pli ,, „„l. : " 1 i> la 11 IN. T kov 1 na i , I V/ SI i k ; 1 1 : Knzlicno postavitve pri merjen ¡11 111 c. 11 i c i r «i i J o cj <"! toka Zaradi trkov so tiri primarnih elektronov v snovi močno zlomljene črte. Množica elektronov generira nosilce v relativno širokem področju pod točko vstopa v vzorec. Govorimo o vzbujenem volumnu. Pri siliciju znaša za vpadle elektrone energije 15 keV, približno 2 kubična mikrona. Obliko in energijsko odvisnost vzbujenega volumna kaze slika 2. Nastali sunek se v ojačevalcu okrepi, ustrezne elektronske naprave pa ga preoblikujejo tako , da lahko krmili slikovno cev. Merilnik toka (pikoam-permeter) meri tok dodatno vzbujenih nosilcev v področju, nad katerim se nahaja curek primarnih elektronov. Zaradi lokalnega spreminjanja rekombinacije v vzorcu se torej spreminja tudi izmerjeni tok in s tem tudi svetlost na slikovni cevi. Na spodnji sliki vidimo odvisnost zbranega toka Icc od oddaljenosti točke vzbujanja od dislokacije, pri prehodu curka vpadlih elektronov prek nje v Si pri 15 keV. Sam Slika 3: Odvisnost toka od oddaljenosti _od dislokacije_ proces merjenja toka je sestavljen iz treh faz: kreacije para, difuzije proti zaporni plasti in samega merjenja. Vsak faktor, ki vpliva na eno izmed teh faz, lahko spreminja merjeni tok. Na kreacijo parov lahko vplivajo faktorji, ki spreminjajo povratno sipanje primarnih elektronov. S sta- 16 lišča merjenja toka predstavlja povečano število odbitih elektronov izgubo, saj ti ne morejo več gene-rirati novih parov. Take in podobne vplive (topografske značilnosti) izločimo s primerjavo slik narejenih z ostalimi detektorji. Vsak proces, ki spremeni hitrost difuzije proti zaporni plasti, njihovo življensko dobo ali difuzijsko dolžino nosilcev, učinkuje tudi na zbrani tok. Taki faktorji so lahko: - neenakomerna porazdelitev rekombinacijskih centrov na površini vzorca, - tanki (20 nm) kontaminacijski sloji na površini vzorca - dislokacije, kjer je poudarjena difuzija dopantov, kar spremeni potek zaporne plasti. 4. KVALITATIVNA UPORABA V tem delu si poglejmo, kako lahko interpretiramo fotografije, narejene z merjenjem toka generiranih nosilcev naboja. Kot vzorec smo vzeli Zennerjevo Si diodo. Postavili smo jo na poseben nosilec za merjenje induciranega toka in sicer tako, da je liti presek diode obrnjen proti curku. Na levi fotografiji je prikazana površina p-n spoja v sekundarni emisiji, poleg nje pa slika istega področja narejena z merjenjem induciranega toka. Temnejša proga predstavlja zaporno plast na meji med obema tipoma polprevodnikov. Od tam namreč ni prišlo nič nosilcev. Lahko izmerimo njeno širino in opazujemo njeno homogenost. Svetla črta prek zaporne plasti pomeni, da je na tem mestu tok stekel prek p-n spoja. Sklepamo lahko, da je v notranjosti vzorca (vzbujeni volumen! ) prisoten električno aktiven defekt. Poleg tega primera je na voljo še nekaj možnosti uporabe. Med njimi je Schottkyjeva dioda zelo pomembna pri karakterizaciji polprevodniških rezin. Na rezino naparimo (napršimo) tanko plast kovine tako, da se na prehodu med. kovino in polprevodnikom ustvari zaporna plast, ki ločuje kreirane nosilce. Na ta način lahko opazujemo deffikte tudi. v neprocesJ ranih rezinah ter določimo kvaliteto vstopnih ali izstopnih materialov, pač odvisno od tega, v kateri ■HHpr* ' ',r ' le -S * Slika 1.: Površina in zaporna plast pri diodi fazi tehnološkega postopka se nahajamo. To metodo rutinsko uporabljajo pri večini proizvajalcev integriranih vezij. Obstajajo rastrski elektronski mikroskopi , ki so posebej prirejeni (posebni nosilci vzorcev) za "on-line" testiranje čipov. Z njimi lahko opazujemo potek električnih signalov po vezjih in na ta način hitro lokali;',iramo morebitne napake in vzroke nepravilnega delovanja integriranega vezja. 5. KVANTITATIVNA UPORABA Določevanje difuzijske dolžine in življenske dobe nosilcev naboja v polprevodnikih je najbolj razširjena kvantitativna uporaba merjenja induciranega toka. Ko doseg primarnih elektronov v vzorcu presega trikratno vrednost difuzijske dolžine, lahko v izračunih vzamemo, da je vzbujeni volumen točkast. Tedaj lahko na robu zaporne plasti postavimo A-t* = 0 in ob upoštevanju, da je tok nosilcev ravno /■, i; dobimo za merjeni tok: KogifHracija In (icc) mod premikanjem curka vpadlih elektronov pravokotno na zaporno plast, nam da linearno rast s strmino L. 17 Poleg L lahko merimo še "i , če nenadno prekinemo curek primarnih elektronov in s tem vzbujanje nosilcev, lahko opazujemo padanje toka s časom, kar nam da informacijo o življenski dobi nosilcev. To je tudi glavni razlog za to, da se je ta metoda razširila predvsem kot kvalitativna pri karakterizaciji vhodnih/izhodnih materialov in pri testiranju integriranih vezij. Z uporabo toplo-hladnih nosilcev vzorcev v komori mikroskopa lahko merimo tudi temperaturno odvisnost obeh količin. 6. ZAKLJUČEK Merjenje induciranega toka v rastrskem elektronskem mikroskopu je hitra in enostavna metoda za karakte-rizacijo polprevodnikov. Omogoča kvantitativna merjenja difuzijske dolžine in življenske dobe nosilcev naboja. Pri tem je površinska rekombinacija omejitveni faktor, ki onemogoča, da bi dosegli boljšo natančnost kot 10 %. 7. LITERATURA H.J. Leamy, J. Appl. Phys. 53 (6), June 1982 A. Armigliato, U. Valdre, Microscopia elettro-nica a scansione e microanalisi, parte I, Univer-sita degli studi Bologna, 1980 D.B. Holt, M. Lesniak, SEM (AMF O'Hare) 1985/1 (67-86) G vido Bratina, dipl. ing. Iskra Center za elektroop-tiko Stegne 7, pp 59 61210 Ljubljana INTEGRIRANI SENZORJI NA SILICIJU V tajništvu MI DEM , Ljubljana, Titova 50, ali po telefonu 061-316-887 (Pavle Tepina) lahko naročite kopije ilustracij uporabljenih v predavanju U.S. Popo-viča "SILICON INTEGRATEI) SENSORS", predstavljenega na XV. jugoslovanskem posvetovanju o mikroelektroniki, MIEL 87, 14. - 16. maja 1987 v Banja Luki. Ilustracije so opremljene s kratkim spremnim tekstom. Zgoščen tekst predavanja je tiskan v Zborniku MIEL 87, knjiga II, str. 1-25 do 1-37. Kopije vam bomo poslali po pošti in jih boste lahko plačali po povzetju. Cena kompleta je šest tisoč dinarjev (6.000 din). Ponudba velja do 1.5. 1988. 18 LEKTRONSKI SISTEMI ZA PALJENJE Ferid Softič SADRZAJ - (J radu je dat pristup realizaciji novih elektronskih beskontaktnih sistema za paljenje kod automobilslcih motora sa i bez koristenja tnikroprocesora za odredjivanje ugla predpaljenja. Oscilogrami napona i struja su snimljeni na realizovanim sklopovima. 1. UVOD Osnovni razlog za uvodjenje beskontaktnih elektronskih sistema za paljenje kod automobilskih motora je u postizanju vece pouzdanosti i poboljšanju uniformnosti pararnetara varnice u cilindrima motora. Takodje, tendencija ka smanjivanju potrošnje i zagadjenosti ljudske okoline doveli su potrebe za optimizacijom rada motora u toku vožnje. Kod klasičnih sistema, koji koriste mehanički pre-kidač, mijenjao se podešeni razmak zbog električne erozije kontakata što je uticalo na start motora kao i vecu potrošnju uz smanjenje maksimalnih brzina. I>ri nižem broju obrtaja kontakti se nisu trenutno odvajali što je sprečavalo brzu promjenu stru-je u indukcionom kalemu čime se smanjivao induko-vani napon na njegovom sekundaru. wmMmmmmmmmmmmm¡ ■HHMi mmmmmwm •■■Mi MMnMffisHHSHHSI hHHMM ■■■MMi Oscilogram tog napona je dat na slici 1. Kod viso-kog broja obrtaja dolazilo je do vibracije kontakata a ti me i do izostajanja varnice. To znači da utoni cilindru nlje izvršeno paljenje smješe. Naravno da tada motor gubi snagu iako je stvarna potrošnja goriva povečana. Otklanjanjem ovih nedostataka direktno utičemo na uštedu goriva pri istoj snazi, odnosno na povečanje snage za datu potrošnju. Elektronski sistemi koji su zadržali mehanički prekidač smanjivali su eroziju kontakata pa se podešeni razmak ni je morao češče kontrolisati. Medjutim, beskontaktni sistemi nemaju mehanički prekidač pa se oblik napona može optimalno podesiti. Oscilogram napona u primaru indukcionog kalema kod novih elektronskih sistema, pokazuje strogo determinisan oblik (si. 2). »il ¡■¡liliiiil iSWSPiilllwil pRMMB BHMMH i ¡mm 1101 HH «■H ¡wmHi i®ü Slika 1: Indukovani napon kod klasičnih sistema Slika 2: Napon primara kod elektronskih sistema 2. ELEKTRONSKI SISTEMI Elektronski sistemi sastoje se od tri osnovna dijela: ulazni upravljački sklop, snažni prekidački stepen i indukcioni kalem. Ulazni upravljački sklop sadrži beskontaktni prekidač i uobličavačko elektronsko kolo. Kao beskon- 19 taktni prekidač koriste se optoelektronska kola, Ho-lovi generatori i induktivni davači smješteni u kuéi-št.e standardnog ra/,vodnika paljenja čime se iskori-štava postojeci vakuumsko-centrifugalni regulator ugla predpaljenja. Uobličavačko Smitovo kolo upravlja sa radom prekidača snage. U ispitivanjima je koristen Holov senzor UGS-3019T sa ugrad-jenim Smit.ovim kolom i izlaznim tranzistorom sa otvorenim kolektorom. Kao prekidački stepen koristen je snažni Darlingtonov tranzistor BUX37 u čijem kolektoru se nalazi primar indukcionog kalema. O-tvaranjem tranzistora uspostavlja se struja primara i to po eksponencijalnom zaklonu. U trenutku za-tvaranja tranzistora dolazi do naglog prekida struje što dovodi do indukovanja naponskog impulsa na primar u a time i do generisanja visokonaponskog impulsa na sekundaru indukcionog kalema. Na slici 3. dat je uporedni oscilogram povorke pra-vougaonih impulsa na izlazu iz upravljačkog sklopa Slika 3: - LJpravljački signali U = 10V/f j (a) - Napon primara indukcionog kalema U (bi - Napon na sekundaru U =5 kW/¡_-¡ ,t=lms/r ¡( c) (U = 10 V/O ), napona na primaru indukcionog kalema (U =50 V/ C3 ) i napona na sekundaru (U^, = 5kV/ □ ) u funkciji vremena ( t = 1 ms/ £U ). Dužina trajanja varnice na svjec.icama mora biti takva da omoguci sigurno i potpuno sagorjevanje smjese što je ovim sistemom optimizirano. Na dužinu trajanja varnice moguče je uticati uključiva-njem dodatnog elektronskog kola. Varnica ima svoj kapacitivni i induktivni dio. U kapacitivnoj fazi pri maksimalno] snazi od lo k\V do 13 kW, dolazi do zapaljenja smješe (2). Efikasnost sagorjevanja a tirne i snaga motora zavise od vremena trajanja varnice o čemu treba voditi računa naročito kod siromašnih smjesa. Na slici 4. dati su oscilogrami napona varnice na svje-čici (U = lkV/ D ) i struje varnice (1^ = 40 raA/p ), pri 500 Obrtaja/min, u funkciji vremena ( t =0,5 ms/D ). Slika 4: Napon varnice na svječici i) ='lkW/[_ \ i struja varnice i =40mA/ ,t=0,5 ms/r j 3. MiKROPROCESORSKI SISTEMI Umjesto vakuumsko-centrifugalnog regulatora ugla paljenja koristi se elektronska kontrola ugla. Jedno-stavan beskontaktni magnetni davač može da pruži informaciju o trenutnom položaju klipova u cilindrima a tirne i da upravlja, putem medjusklopa, trenutkom generisanja varnice. 20 Medjutim, ugao predpaljenja je samo jedan od bitnih uslova za optimalan režim rada motora. Bitno je poznavati temperaturu težnosti za hladjenje, sastav izduvnih gasova, stanje akumulatora i slično. Ob-radu takvih podataka objedinjuje mikroprocesor. U tom slučaju nema klasičnog razvodnika paljenja ali zato se mora koristiti indukcioni kalem sa srednjim izvodom na primaru, a u sekundaru četiri visokonaponske diode. Jednostavnija konstrukcija se postiže sa dvije bobine bez uzemljenog kraja (1) što je i realizovano (TP[J 520021 A "Ducellier"). Upravljanje je dvokanalno pri čemu svaki kanal ima gore navedenu realizaciju. Ispitivanja su vrše-na u funkciji ugla predpaljenja. Za to je neophod-no poznavati za dati motor tablični odnos - ugao -opterečenje - brzina. Na slici 5. dat je 3D graf funkcije ugla predpaljenja od brzine i opterečenja. Slika 5: 3-D graf: brzina - opterečenje - ugao paljenja kod motora 4. ZAKLJUCAK Data analiza kao i oscilogrami snimljeni na realizo-vanim sklopovima ukazuju na potrebu uvodjenja novih elektronskih beskontaktnih sklopova u cilju optimi -zacije rada motora uz postizanje veče pouzdanosti. Upravljanje paljenjem postaje funkcija večeg broja podataka dobljenih preko pripadajučih senzora a ob-radjenih u mikroprocesorskom sistemu. 5. LITERATURA 1. F. Softič: Elektronski sistemi paljenja bez razvodnika , Autoelektronika ' 83, Banjaluka 83. 2. M. Pavlov, S. Djurovič: Uticaj visokonaponskog kola na kapacitivnu fazu varnice .. . "Autoelektronika" '83, Banjaluka 83. 3. V. Krstič: Mikroprocesorski sistem za odred-jivanje ugla predpaljenja benzinskih motora, "Autoelektronika" '83, Banjaluka 83. 4. S. Šolar... : Krmiljeni vžigalni sistemi za oto motorje v Iskri, Informacije SSESD, sept. 1981. Mr. ing. Ferid Softič Elektrotehnički fakultet Dr. Vase Butozana 3 Banjaluka 21 lastna oprema za proizvodnjo kondenzatorjev Drago Črnič V Iskri Semič je spoznanje, da vse proizvodne opreme ni moč kupiti in da je treba le -to izdelati z lastnimi silami, staro že 30 let. Že takrat so bili izdelani prvi stroji. Bolj načrtno razvijanje opreme sega 20 let nazaj, ko smo zaposlili prve konstruktor jo, o/.. nekoliko kasneje, ko sta bila ustarovljena oddelka konstrukcije in elektronike. Intenzivnejši dotok kadrov in razširitev orodjarne 1. 1975 sta pomenila nagel porast števila novih idejnih zasnov, novih konstrukcij in krmiljenj in končno novih strojev. Vzporedno s kvantiteto raste tudi kvaliteta, namesto strojev nastajajo avtomati, pri krmiljenju so od pnevmatike ..si! ■i preide na elektroniko in v zadnjih letih na mikroprocesorsko krmiljenje, oz. popolnoma mehansko krmiljenje s pomočjo krivulj. Pri izdelavi opreme smo že uvedli CNC tehnologijo, v tem letu pa bi želeli uvesti tudi računalniško podprto konstruiranje v oddelku elektronike in konstrukcije. Za lastno opremo smo prejeli že vrsto inovacijskih priznanj , opremo smo razstavili na sejmih doma in v tujini, nekaj opreme smo tudi prodali v SFRJ in DDR. Delež domače opreme v proizvodnji kondenzatorjev je približno 85 %. Uvažamo v glavnem le merilno opremo za proizvodnjo miniaturnih kondenzatorjev. Primerjava kvalitete domače in uvožene opreme kaže, da ni bistvene razlike. V tabelah na naslednjih straneh je prikazana opremljenost proizvodnje z domačo in LASTNA PROIZVODNJA OPREME V LETU 1987 PRIMERJAVA KARAKTERISTIK IN DOBAVNIH ROKOV DOMAČE IN UVOŽENE OPREME Število izdelanih Vrednost izdelane Vrednost enake Prihranek strojev opreme uvožene opreme 35 kosov 368.500.000 din oz. 275.000 $ 1.500.000 $ 1.225.000 $ OPRKMUKNUfVl DO TKI IN jI.oSko OPfiKMO Trhnološka Oprema iz uvoza Lanfcna ojjroma op«rw: i Ja Nfiz i v ...........Št." k (»m . Nti/. 1 v Št. koa. Navi .janje NavijaJni avtomat: ¿3 NavLjalni avtomat in stroji korid. Metar ANM 137 25 zvitkov Barton ANM 254 26 Plessey ANM 236 7 Miflex SNM 245 4 NS - 09 38 NS -14A 1 101 Sorti rrtnjc, ■ _ Avtomat za zaščito APP157 14 zna?i ta, Stroj za sortiranje APM147 5 razščita Stroj za razšcito 2 zvitkov 21 Punk t n-nnjo Punkt, i rn i stroj 3 Punktirni stroj 3 /.v i t.kov Punk t i rti i nvtomnt. ' Kočn t punktirni a troj 35 1'unU i 1 rn 1 avtom«t. AVM 13(> i;? Formi ranje Formirni ivtomat. L Formirni stroj 3 Formirni avtomat 11 14 Montaža Montažni avtomat 1 Dozirna naprava 12 Linija za zalivanje SMM103 9 21 Meritve Merilni stroj 4 Merilni avtomat MA-10 6 Merilna miza STV 332 8 Trak za meritve TLMK 2 16 jžigosanje Avtomat za žigosanje 4 Ročni stroj za žigosanje 10 Prage tisk 4 14 Ostalo Avtomat z a snemanje 2 Avtomat za snemanje izol. 5 izolacije Avtomat ?a snemanje izol. 1 in pocinjevanje Stroj za rezanje folij 3 Stroj za rezanje folij 3 Stroj za previjanje 3 12 Naziv Zmogljivost Cena Kvaliteta proizvodov Dobavni rok Punktirni avtomat Evomec 12 000 kos/8h 100 100 6-9 mesecev Punktirni avtomat AVM 12 000 kos/8h 40 100 6-9 mesecev t Navijalni avtomat Plessey 6 400 kos/8h 100 100 5-7 mesecev Navijalni avtomat ANM 137 6 400 kos/8h 25 80 6-8 mesecev Stroj za rezanje folij KAMPF 115 kg/Oh 100 100 8-9 mesecev Stroj za rezanje SRF 115 kg/8h 15 80 8-9 mesecev Razen navedene opreme so z lastno opremo opremljene še operacije žigosanje, impregnaci in termična obdelava. tujo opremo in nato še primerjava vrednosti domače in tuje opreme, primerjava zmogljivosti in dobavnih rokov kot dokaz o upravičenosti nadomestitve tuje opreme z domačo. Pri uvozni opremi je treba upoštevati še čas, potreben za pridobitev uvoznih dovoljenj in uvozni postopek, kar običajno traja do dve leti. Oas razvoja nove opreme od idejne zasnove do izdelave prototipa (oteženo zaradi dobave uvoznih sestavnih delov) traja povprečno 1,5 leta, le pri najzahtevnejših avtomatih (n.pr. navijalni avtomat ANM 236 z mikroprocesorskim krmiljenjem) traja ta čas cca 2,5 leti. < o torej primerjamo čas razvoja posamezne opreme in c a.s za pridobivanje uvoznih dovoljeni j in za uvozni postopek ugotovimo, da sta približno enaka. Ce se nam je še pred nekaj leti zdelo povsem ekonomsko uvoziti moderno opremo (zadnji krik tehnike), je to sedaj lahko tudi obratno. Ob sedanjih restriktivnih ukrepih ugotavljamo, da je naša usmeritev v izdelavo opreme povsem na mestu, ker bomo, ob vseh že predhodno navedenih dejstvih, sami sposobni opremljati lastno proizvodnjo in tudi slediti napredku in razvoju na tem področju. S takim vključevanjem lastne pameti v tehnološko intenzivnejšo in zahtevnejšo proizvodnjo opreme, si pridobivamo pogoje postati proizvajalec opreme za izdelavo kondenzatorjev. Rezultati, doseženi v tej smeri (prodaja 8 strojev v Jugoslaviji in 4 strojev v DDR) praktično brez predhodne propagande nas silijo, ob vse večjem zanimanju nekaterih tujih kupcev k pripravi proizvodne opreme za trg. Zavedamo se uspehov, doseženih na področju izdelave opreme, vendar pri tem opozarjamo na nekatere težave, ki bi jih v okviru SOZD iskra s skupnimi močmi uspešneje reševali. Težave nastopajo predvsem: 23 - pri uvozu in domači nabavi sestavnih delov - pri nabavi sestavnih delov iz drugih l)() SOZD [skra Ugotavljamo, da proste in potrebne kapacitete pri obdelavi strojnih delov niso usklajene, niti v naši DO, niti v SO/,D Iskra pa tudi ne v Sloveniji. V naši DO nam letno primanjkuje: - koordinatnega brušenja cca 3.800 ur letno - CNC rezkanja cca 4.000 ur letno - erodiranja z žico cca 3.200 ur letno Ob tem pa imamo proste kapacitete pri: - ONO struženju cca 1.500 ur letno struženju cca 5.600 ur letno - pri ploskovnem brušenju cca 2.500 ur letno Ugotavljamo, da tudi v drugih DO čutijo pomanjkanje, ali višek kapacitet. /. zbiranjem podatkov o prostih kapacitetah in manjku kapacitet na nivoju republike, ali SFRJ - morebiti na Oospodarski zbornici, bi se vsem proizvajalcem opreme veliko pomagalo. Poleg predhodno naštete izdelane lastne opreme naši konstrukterj i in elektroniki načrtujejo naslednjo opremo: - punktirni stroj za chip kondenzatorje - navijalni in merilni avtomat , avtomatizacijo impregnacije, dozirno napravo, zalivanje, vse elemente proti motnjam. V izdelavi so naslednji prototipi: - avtomat za punktiranje in obvijanje aksialnih kondenzatorjev - linija za montažo miniaturnih kondenzatorjev - avtomat za merjenje prebojne trdnosti sljudnih kondenzatorjev. Novih idej in načrtov je vedno dovolj, vendar 9 kon-strukterjev in elektronikov ne zmore vsega. Planiran dotok kadrov naj bi popravil stanje na področju načrtovanja. I.asten razvoj opreme nam je prihranil velik del deviznega odliva, obenem pa smo se usposobili hitreje slediti zahtevam tržišča po novih, kvalitetnejših kondenzatorjih. Drago Crnič, dipl. ing. Iskra, Industrija kondenzatorjev, 68333 Semič, Vrtača 1 ZBORNIKI MIBL IN SD V tajništvu MIDEM, Ljubljana, Titova 50, ali po telefonu 061-316-887 (Pavle Tepina) lahko naročite zbornike posvetovanj MIEL in SD iz preteklega razdobja desetih let. Zbornike vam bomo poslali po pošti in jih boste lahko plačali po povzetju. Cena posameznega zbornika, ne glede na letnik, je deset tisoč dinarjev (10.000). Ponudba velja do razprodaje. Število primerkov je za nekatere letnike že močno omejeno, zato vas prosimo, da naročilo pošljete čimprej. 24 NOVI RELEJI Artur Predan 1. UVOD Za elektromehanske releje je bilo že večkrat napovedano, da bodo odmrli pa so le-ti svoj prostor med elektronskimi komponentami ne samo obdržali, ampak ga še kar naprej utrjujejo in bodo tudi v bodočnosti važen gradnik med krmilnimi in delovnimi tokokrogi. Za izpolnjevanje različnih nalog obstajajo tudi različne izvedbe relejev. Najosnovnejši veji sta stikalni releji in merilni releji. Stikalne releje uporabljajo za krmiljenje motorjev, magnetov, ventilov, luči, grelnih elementov, signalnih, navigacijskih, alarmnih in varnostnih naprav. V novejšem času releje vgrajujejo tudi v naprave informacijske tehnike, bi-rolehnike, telefonije, obdelave podatkov, obdelovalnih strojev, avtoelektrike, bele tehnike, zabavne tehnike, industrije igrač in v druge naprave za široko porabo. Merilni releji skrbijo za varnost obratovanja naprav, skrbijo za varnost oseb, varujejo višjo in visokonapetostno mrežo pred kratkostičnimi tokovi in preobremenitvami, ti releji spoznajo napačno delujoče in kratkostične povezave ter na ta način preprečujejo totalni izpad, električnim motorjem vzdržujejo delovno stanje in pri dosegu kritičnih temperatur izklopijo dovod toka, v medicinski uporabi pa izolacijsko nadzorne naprave ščitijo pred poškodbami pacientov. Releji se torej pojavljajo tudi tam, kjer danes nastajajo mikroelektronska vezja. Rezultate logičnih procesorjev je treba pretvoriti v dejanja in tu nastopa rele kot ojačevalec šibkih signalov elektronike. Porazdelitev proizvodnje nekaterih najpomembnejših relejev po namembnosti prikazuje slika 1, trend naraščanja proizvodnje stikalnih in merilnih relejev na zahodnem tržišču pa prikazuje slika 2. HH časovni releji jjjjjj stikalni releji merilni releji signalni releji JJjJlj miniaturni releji sM - Proizvodnja relejev po namembnosti si.2- Trend proizvodnje stikalnih in merilnih relejev 2. PREDNOSTI ELEKTROMEHANSKIH RELEJEV Galvanska ločitev vhodnega in izhodnega tokokroga (ločitev potencialov), galvanska ločitev stikalnih kontaktov, galvanska ločitev od potrošnika. 25 Veliko območje kontaktne obremenijivosti od 1 mA do 16 A in moči od 1 mW do 2000 VA. Velika izolacijska upornost (Tera Ohm področje) in majhna kontaktna upornost (Milli Ohm področje). Velika neobčutljivost na klimatske, električne in mehanske vplive. Bistabilni releji obdržijo določeno stanje releja brez porabe energije. Velika zanesljivost delovanja pri nihanju napetosti, temperature in drugih motilnih faktorjih. - kompatibilnost z drugimi releji istega tipa - odpornost na udarce in vibracije - negorljivo ohišje - ustreznost raznim mednarodnim normam - majhna cena izdelave Vse te izboljšave so imele tudi velik ekonomski učinek, saj so se stroški pri uporabi relejev močno zmanjšali, kar prikazuje si. 3. 4. POGOJI IZDELAVE 3. ZAHTEVE UPORABNIKOV Kljub opisanim prednostim pa so bile v borbi za obstanek potrebne nadaljnje izboljšave, tako na razvojnem, kot na tehnološkem področju in sicer: - miniaturizacija releja - možnost direktnega spajkanja na tiskana vezja - možnost vtikanja v DIP podstavke - majhna vgradna višina - odpornost proti vplivom spajkanja - odpornost na pranje spajkalne tekočine - zmanjšanje porabe za vzbujanje releja - daljša življenska doba /, ustreznejšo izvedbo in ustreznejšimi materiali sestavnih delov - zmanjšanje priteznega, odpadnega časa in časa odbijanja kontaktov Običajni releji nabavna cena | ] stroSki lastne porabe si. 3 - Primerjava stroškov Moderni releji proslorski slroški stroški reklamacij Opisane zahteve postavljajo proizvajalcem nove pogoje izdelave, ki. jih ni lahko izpolnjevati. Na primer: daljša življenska doba releja zahteva posebne zlitine za kontaktne materiale, miniaturizacija zahteva ožje tolerance izdelave vseh sestavnih delov, vse več garantira -nih karakteristik zahteva točne izdelovalne, justirne in kontrolne naprave, nizka cena zahteva velikoserijs-ko proizvodnjo, nove kompleksnejše zahteve funkcionalnosti releja zahtevajo račur.:!niško podprto snovanje, konstruiranje in kontrolo releja. Vse večje zahteve po zanesljivosti pa terjajo izredno kakovostno izdelane sestavne dele z uvedbo novih tehnologij npr. lasersko varjenje, ultrazvočno spajanje, razplinjevanje plastičnih delov, brezprašno montažo, polnjenje notranjosti releja z inertnim plinom, 100 % medfazno in končno kontrolo dimenzij ter drugih fizikalnih karakteristik. Večja zanesljivost zahteva predvsem uvedbo polavtomatskih in avtomatskih delovnih postopkov s čim manj ročnega dela, kar pa je pogojeno z velikimi finančnimi vlaganji. 5. RAZVOJ RELEJEV V ISKRI AVTOMATIKI V tej delovni organizaciji smo se od leta 1984 dalje lotili posodabljanja obstoječih relejev in osvajanja novih relejev, ki naj bi izpolnjevali zgoraj opisane zahteve. Tako smo se s področja miniaturnih relejev odločili osvajati rele TRK 22 s področja srednje močnih relejev TRM 29, TRM 30 in TRK 36/37 ter s področja industrijskih relg ev TRP 68/69. 26 Na osnovi zahtev iz tržne analize so bili v letu 1984 izdelani prvi osnutki konstrukcijskih risb. Ker je v svetu že več proizvajalcev takih relejev, je bilo treba izbrati takšne konstrukcije, ki bi bile konkurenčne tu jim, z vsemi zahtevanimi karakteristikami in takšne, ki bi jo naša proizvodnja ob sedanji tehnološki sposobnosti tudi bila zmožna izdelati ter zagotavljati stalno kvaliteto. Predvsem pa je morala že konstrukcija omogočiti velikoserijsko, avtomatizirano proizvodnjo, saj edina ta zagotavlja nizko ceno izdelka. Prve prototipne serije so bile izdelane v začetku leta 1985. Ker so bili prototipi izdelani i v, pravih materialov so bile že na njih izvedene naslednje meritve: funkcionalnost, električne in mehanske karakteristike vzbujalnega in kontaktnega sistema, trdnost in spajkljivost priključkov, odpornost proti toploti spajkanja, tesnost zalivke, dielektrična trdnost ter izolacijska upornost. Te rreritve so bile izvedene v našem laboratoriju. Na inštitutu za kakovost in metrologijo pa so bile izvedene še naslednje meritve: udarci, vibracijo, odpornost na suho in vlažno vročino ter odpornost na slano meglo. Vse meritve so bile izvedene v skladu z 1EC predpisi in so sestavni del tipskega preskusa, ki se je pozneje na serijskih relejih spet ponovil. /a izvedbo serijske proizvodnje je najtežje delo odpadlo na tehnologijo, saj je bilo potrebno za dane okoliščine pripraviti najoptimalnejšo tehnologijo izdelave . Formirani so bili teami ter določeni nosilci in sodelavci za posamezne naloge. Postavljeni so bili tudi termiriski plani za posamezne faze, od razvoja pa vse do prve podcusne serije. Ker v začetni fazi ni bilo mogoče računati na popolne avtomatske linije, je bilo treba izdelati več variant delnih linij. Izdelati je bilo treba orodja za razrez, krivljenje, varjenje, orodja za brizganje plastike, orodja za montažo, zalivanje ter kontrolo in justiranje in sicer takšna, ki omogočajo vključevanje v avtomatske linije. Na novo je bilo treba urediti vsa delovna mesta, od priprave materiala, dotoka materiala, delovnih operacij do odlaganja in kontrole po končanih operacijah. Zagotoviti je bilo treba delovne prostore, ki bodo ustrezno čisti in klimatsko urejeni, ker so releji zelo občutljivi na prisotnost tujih delcev. 6. TEHNIČNE KARAKTERISTIKE Miniaturni rele TRK 22 TRK 22 je nevtralni monostabilni, elektromagnetni rele miniaturne izvedbe z dvema preklopnima kontaktnima sistemoma. Rele ima majhno porabo ter zanesljivo delovanje tudi pri minimalnih obremenitvah kontaktnega sistema. Ostale karakteristike so: - enosmerno vzbujanje - direktna vgradnja na tiskana vezja - vgradnja prek DIP podstavkov: raster 2,54 mm - obratovalna napetost: max 150 Venosm., 125 V izm. - minimalni preklopni tok: 50 mikro A - minimalna stikalna napetost: 100 m V - minimalna stikalna inoč: 20 mikro W - vzbujalna napetost: 4,5 V do 48 V - poraba navitja: 0,2 W do 0,5 W - preklopni tok: max 1,25 A - zmogljivost kontaktov: 30 X/50 V A - kontaktno gradivo :AgPd 30 + Au - podvojeni kontaktni profili - križni dotik kontaktnih profilov - kontaktna upornost: 60 mOhm - preizkusna napetost: 500 V eff 50 H z med navitjem in kontakti - temperatura okolice: - 30 stop. C do + 75 stop. C - dopustne vibracije: 100 m/s; 10 do 55 Hz - dopustni udarci: 300 m/s; sigurno delovanje; 1000 m/s, vzdržljivost - pralno tesna izvedba: IP 67 po IEC 529 - negorljivo plastično ohišje: V-O po UX 94 - odzračevanje med delovanjem - električna življenska doba: 5 x 100.000 delovanj - mehanska življenska doba: 10.000.000 delovanj - poljubna lega vgradnje - masa releja: 4,7 g 27 Ef r-- Z0,2max ttrrEK IJjl ' J.0,3 fl ".NM 1^.08 r[7,62|, i F7, ^ SI.4 Dimenzije in veznlna shema TRK 22 Miniaturni jakotočni rele TRM 29 TRM 29 je nevtralni, monostabilni, elektromagnetni rele z visoko stikalno obremenijivostjo in enim preklopnim kontaktnim sistemom. 29max 12,6max E ^ ^ --— - TZZ»-- Pogied s strani priključkov: Ostale karakteristike so: - stikalna obremenijivost: do 4000 VA izm. - nazivna moč navitja: 0,5 do 0,7 W - prebojna trdnost: 4 k V izm. - nazivna napetost navitja: 5 V do 110 V enosm. - preklopni tok kontakta: maks. 16 A - kontaktno gradivo: AgCdO - obratovalna napetost: 250 V izm. - mehanska življenska doba: lo.ooo.ooo delovanj - električna življenska doba: loo.ooo delovanj - pralnotesna izvedba: IP 67 po IEC 529 - direktna vgradnja na tiskana vezja ali prek podstavkov TLK 16: raster 2,5 mm - dopustne vibracije : 100 m/s, 10 do 50 Hz - dopustni udarci: 150 m/s, sigurno delovanje; 1000 m/s vzdržljivost - negorljivo plastično ohišje: V - O po UL 94 - poljubna lega vgradnje - odzračevanje med obratovanjem - masa releja 18 g Miniaturni jakotočni rele TRM 30 TRM 30 je nevtralni, monostabilni, elektromagnetni rele z visoko stikalno obremeni jivostjo in dvema preklopnima sistemoma. ¡-o i S—I I. _ Ji TRM 2901 TRM 2902 TRM 2903 i , 1 ! ^t 1 1 fo-i 'iiT s" ! i .. J L © o \ 01,310,1 LO ' (Nji -jJ OJ i 4» . . . •i tN^ ) ' Cvj !A TRM 2904 TRM 2906 TRM 2905 o r* ^ r \ <9 . . 0 9 O | { ♦ LO i_r> TRM 29» R r-71 I—f^—f-l SI. 5 Dimenzije in vezalne sheme TRM. 29 28 Ostale karakteristike so: - stikalna obremenijivost: do 2500 V A izm. - nazivna moč navitja: 0,5 do 0,7 W - prebojna trdnost: 4 kV izm. - nazivna napetost navitja: 5 V do 110 V enosm. - preklopni tok kontakta: maks. 10 A - kontaktno gradivo : AcjNi 10 - obratovalna napetost: 250 V izm. - mehanska življenska doba: 10.000.000 delovanj - električna življenska doba: 100.000 delovanj - pralnotesna izvedba: IP 67 po IF,C 529 - direktna vgradnja na tiskana vezja, ali prek podstavkov TLK '16 : raster 2,5 mm - dopustne vibracije: 100 m/s, 10 do 50 Hz - dopustni udarci: 200 m/s, sigurno delovanje; 1000 m/s vzdržljivost - negorljivo plastično ohišje: V - O po UL94 29 max E ud r-j CD LD ro Í 12,6max - poljubna lega vgradnje - odzračevanje med obratovanjem - masa releja: 18 g Miniaturni stikalni rele TRK 31/36 TRK 31/36 je nevtralni, monostabilni, elektromagnetni rele z enosmernim vzbujanjem in enim preklopnim sistemom . Ostale karakteristike so: - vzbujalna napetost: 5 V do 60 V enosm. - nazivna moč navitja: 0,5 W - preklopni tok kontakta: 8 A - stikalna obremeni jivost: 2200 VA/250 W - kontaktno gradivo: AgCu 3, Ag CdO - obratovalna napetost: max 250 V izm. - električna življenska doba: 100.000 delovanj - mehanska življenska doba : 10,000.000 delovanj - pralnotesna izvedba: IP 67 po IEC 529 - dopustne vibracije: 50 m/s; 10 do 55 H z - dopustni udarci: 100 m/s sigurno delovanje; 1000 iti/s vzdržljivost - prebojna trdnost: 4 kV izm. - vgradnja: na tiskano vezje, raster 2,5 mm položaj poljuben - odzračevanje med obratovanjem - masa releja: 14 g Pogled s strani priključkov I X ---- \013 TRM 3003 TRM 3013 —¡ TRM 30C1 TRM 3011 -H"? -V IRM 3002 TRM 3012 H* ^f-1 v Sl.6 Dimenzije in veza I ne sheme TRM 30 29 TRK 31 C 3t ,5 'i 2 + - .4 { - - - «l f - - 2,7 «1- 1 \t ta •0.1 1 »0-8 0.9*0.5 .. .. 27.9 TRK 36 3' 's 21! 1, — \ 21 * 0,1 1»0.8 \ 0,9*0,5 ............HA__________ 3 5 TRK3X3X TRK 3X2X TRK 3X1X 4 J Z S * 4 1 vi 4, SI. 7 Dimenzije in vezalne sheme TRK 3 Industrijski rele TRI' 68/69 TRI' je nevtralni, monostabilni rele za enosmerno in izmenično vzbujanje. Rele ima krožno razporejene 2 9 + 7(10) 0- TRPXXX4 29 97 ? °e TRP 681 priključke ter ima eno ali dve signalni znački, ali signalno lučko. Ostale karakteristike so: - število priklopnih kontaktov: 1-2-3 4H ^ \ V/ <*-■ i ii TRP 693 SI.8 Dimenzij« In vazalne sheme TRP 6 30 - kontaktno gradivo: AgCdO - obratovalna napetost: maks. 250 V izm. - preklopni tok: 10 A - stikalna moč: 2000 V A - mehanska živi jonska doba: 10.000.000 delovanj - preskusna napetost: 2000 V eff izm. - izolacija (VDE0110): Gr. C-250 V - nazivna napetost: 6 do 220 V - območje delovanja: 80 do 110 % Un - lastna moč releja: ca. 1,3 W =/ca. 2 V A - temperatura okolice: - 25 stop. C do 55 stop. C - masa releja: 75 g - vrsta delovanja: C JUSN.K. 6.030 - razred delovanja: 1IEC 255-1 7. ZAKLJUČEK Vsi omenjeni releji so sedaj v proizvodnji na lokacijah TOŽI) TE L A , TOZD Stikalni elementi in TOZD Releji. Zaradi finančnih težav še vedno niso dokončana vsa orodja, ki bi omogočala bolj avtomatizirano izdelavo, montažo, kontrolo in justiranje. Kljub vsem težavam se tehnološki proces izdelave nenehno razvija, izpopolnjuje in dograjuje. Izvajajo se tudi ukrepi /,a zamenjavo dražjih materialov s cenejšimi in zamenjavo uvoženih materialov z domačimi. Pred nami je še veliko dela, saj je treba odpraviti še precej pomanjkljivosti, predvsem pa izvesti avtomatizacijo izdelave relejev do konca, ker le ta zagotavlja kratek čas izdelave, boljšo in stalno kakovost in s tem tudi večjo konkurenčnost na tržišču. Artur Predan, dipl. ing. Iskra Avtomatika TOZD Razvoj ni inštitut Ljubljana, Savska c. 3 KOMPLETI LETNIKOV INFORMACIJ MIDEM Ce želite dopolniti svojo zbirko Informacij MIDEM, oz. Informacij SSESD s številkami prejšnjih letnikov, ali letnikov, ko še niste bili člani društva, pišite na naslov tajništva, ali pa telefonirajte Pavlu Tepini. Poslali vam bomo kompletni letnik. Po povzetju boste plačali 5.000 din za letnik. Izkoristite popust: zbirko letnikov 1985, 1986 in 1987 skupaj dobite samo za 8.000 din, zbirko letnikov 1985, 1986 pa za 7.000 din. Ponudba velja do razprodaje. 31 APLIKACIJA VEZJA EMZ - 1002E FUNKCIJA: ČASOVNI ŠTEVEC Peter Stavanja Časovniki ali časovni releji se danes dobijo že v različnih izvedbah in za različna območja. V mnogih aplikacijah pa nas standardni komercialni časovniki tako ali drugače omejujejo. V takih primerih se ponavadi odločimo za izdelavo lastnega čnsovnika, ki je neko dodatno vezje na eni od tiskanih plošč naše naprave. Primer takega časovnika prikazuje naša aplikacija. Osnova je integrirano digitalno časovnn vezje Iskra EMZ-1002E. Blokovno shemo tega vezja prikazuje slika 1. Na sliki 2 je prikazan razpored priključkov vezja. Za našo aplikacijo bomo uporabili samo enega od osmih možnih mz 1002E 1 24 2 23 3 22 4 21 5 20 6 ■19 7 18 ;8 17 9 16 10 15 11 14 12 13 SI 2. o v1 sDD s2 s3 M ^ K? K3 S I.ONOVNA S IKMA '■ l002 E 0 0 E /J 3/r/> 3>V2 j rS f hI, 62 p BEK.OIWWK£' J>V3 T I, 5, SO, t!t BEKODHHIK^j r so, ioo Rum ¡jJiejev/H-IHVULJ_0\/ Ji 730 KO/vTSo:--v/- fr" 0 ¡5 H M 0 0 OEKODllUJIK z: 2>v s dO IOO T5, 2>V C, -r !Oo TMSTflAlJSKA LOCI*/) /V UHCLZAJA -5TO PS-UA u>qit-AJ r TlVK/ZJALAIlK 7HlSTAAJJi5 1.970 \')'iT, 1980 198;") Proizvodnja (milijona 156 285 555 1.278 1.635 Godišnji porast (%) 13 14 18 5 Proizv ./stanov. (S?). 8 14 26 57 69 3.b. Južna Koreja Proizvodnja (milijona 14 106 859 2.851 7.629 Godišnji porast (%) 50 52 27 22 Proizv. /stanov. 5< 0,5 3,3 24 73. 178 Tablica br. 3 Napomena: Podaci za Jugoslaviju za 1985. su pro-ci jen jeni. U cijelome razdoblju od 1965. do 1985. godine pro-sječni godišnji porast vrijednosti proizvodnje elektroničke industrije iznosio je u Jugoslaviji 12 % a u Južno j Koreji 37 %. Vrijednost proizvodnje elektronike po stanovniku bila je još 1975. godine veča u Jugoslaviji nego u Južnoj Koreji, a deset godina kasnije t.j. 1985. godine je več 2,6 puta manja. Vri jedi usput spomenuti da je 1985. godine vrijednost proizvodnje elektronike po stanovniku u SR Sloveniji bila viša od one u Južnoj Koreji. Takodjer je zanimljivo usporediti još neke poslovne pokazatelje izmedju jugoslavenske i južnokorejske elektioniške industrije. 0 tablicama 4.a. do 4.d. dati su za jugoslavensku elektroničku industriju ekvivalentni podaci koji su za južnokorejsku prikazani u tablici br. 1. Nažalost za jugoslavensku industriju ne raspolažerno sredjenim podacima za razdoblje posli je 1962. godine, a za južnokorejsku ne raspolažerno s podacima za razdoblje prije 1980. godine, pa čemo komparirati samo razdoblje od 1980. do 1982. godine. Godina 19 80 1981 19 82 4..-I. 1 Voizvodnjn ukiipn 0 (milijona M) Široka potrošnja 289 261 248 Industrijska 781 944 1.097 Komponente 208 226 248 U kupno 1.278 1.431 lo593 4.b. Izvoz (miliona £) Široka potrošnja 25,6 21,6 30,8 Industrijska 685,5 703 765,2 Komponente 32,9 37,4 53 Ukupno 744 762 849 4.c. Uvoz (milijona ¡¿) Široka potrošnja 36 25 25 Industrijska 303 240 230 Komponente 83 80 66 Ukupno 422 345 321 37 4,d. Prodaja na domačem tržišču (milijona $) Široka potrošnja 299 264 242 industrijska 399 481 562 Komponente 258 269 261 Ukupno 956 1.014 1.065 Relativni pokazatelji poslovanja za domaču i južnoko- rejsku industriju prikazani su u tablici br. 5. Tablica br. 4 Godina 1980 1981 1982 Ukupna proizvodnja 100 % 100 % 100 % Izvoz: Jugoslavija 58 % 53 % 53 % Koreja 70 % 58 % 54- % Uvoz: Jugoslavija 49 % 45 % 27 % Koreja 51 % 47 % 49 % Devizna bilanca: Jug. 112 122 422 Koreja 543 469 167 Domače tržište: Jug. 91 % 91 % 73 % Koreja 80 % 87 % 95 % Tablica br. 5 lako ne raspolažemo srodjenim podncima za Jugos-laviju za isto razdoblje u tablici br. 6 prikazani su relativni poslovni pokazatelji za južnokorejsku elek-troničku industriju za razdoblje 1983. do 1985. godine. (iodina 1983. l')81. 1985. U kupi in | u oi zvodn ja 100 ')!. 100 % 100 % Izvoz 54 % 58 % 60 % Uvoz 48 % 44 % 4-2 % Devizna bil. (mil. 364 1.041 1.312 Domače tržište 93 % 85 % 82 % Tablica br. 6. Autor i uredjivački odbor ostavljaju čitaocima da sami stvore zaključke na osnovu prikazanih podataka. Literatura: Myuns S. Bae: The Korean Semiconductor Industry: A Brief History and Perspective, Solid State Tebnology, October 1978. Grupa autora: Suvremena elektronička industrija kao jedan od razvojnih pravaca SR Hrvatske, Zagreb 1984. Miroslav Turina, dipl. ing. "Rade Končar " - ETI Baštijanova b.b. Zagreb KK(*' NIK ()l'l'( )HI,KKTR()N fKB Uvih dana je kod Privrodnog pregleda - Beograd iza.sao Rečriik oploelokUo-nilce /onglesko-srpskohrvatski i srpskohrvatsko-engleski/ avtora Slobodana Tankosiča. Pri njegovom sastavljanju je autor koristio materijale iz oblasti proizvodnje optičkih vlakana, zatim priručnike, kataloge i udžbenike koji tretiraju optička vlakna i telekomunikacije, kao i postoječe rečnike. Kako veči deo literature potice iz SAD, autor je odlučio da prikaže američku verzi ju ove terminologije. Na kraju rečnika, odnosno u dodatku se nalaze grafički prikazi, kao ilustracije pojedinih fenomena, elemenata i konstrukcija optoelektronskih uredjaja. 38 • MATERIJAH • MATERIALI • MATERIJALI • MATERIALI V prejšnji številki smo objavili s Foruma na temo "Šolanje kadrov za elektronske materijale u Jugoslaviji" poročilo V.M. Kevorkijana in prve tri referate E.M. Pintarja, B. Stiglic a in G. Slokarja. Nadaljujemo z objavo prispevkov iz industrije in sicer I. Pompeta, M. Slokana in Darje Uvodičeve iz Iskre o pomenu materialov in kadrov za elektronsko industrijo, referat D. Damjanoviča, A. Kuršumoviča in M. Trubelje iz Energoinvesta in sknjšani tekst razprave V. Isailoviča iz Elektronske industrije Niš. Na Forumu so bili zanimivi še referati in prispevki v razpravah s fakultet in institutov ter jih bomo objavili v naslednji številki. Zaključke in predloge za nadaljnjo akcijo glede šolanja kadrov za elektronske materiale pri nas bodo prejeli udeleženci Foruma posebej od MIDICM VLOGA ELEKTRONSKIH ELEMENTOV V INDUSTRIJI ELEKTRONIKE TER POTREBE PO ZNANJIH O MATERIALI Igor Pompe, Milan Slokan, Darja Uvodič UVOD Razvoj elektronike, ki ni le sama sebi namen, ni bil še nikoli tako nagel, kot sedaj. Proizvodnja elementov predstavlja le majhen delček tega razvoja (te nore tekme) . Pacifiški narodi z za nas nerazumljivo pridnostjo, zagnanostjo in organizacijo diktirajo tempo. Tudi mi delamo za svetovni trg, zato moramo biti v samem vrhu in to po lastnostih, kakovosti, zanesljivosti, produktivnosti, ceni in točnosti dobav. Izhoda sta le dva: slediti, ali odstopiti. Da bi lahko poiskali v tej tekmi naš prostorček pa moramo vplivati na miselnost vseh delavcev v procesu ter vse več časa, ki ga danes uporabljamo za odmor in zabavo, ali za dodatni zaslužek, uporabiti za izpopolnjevanje znanja. Da bi svoj prostorček poiskali, da bi se pravilno usmerili, rabimo ogromno znanja o celotnem področju. Poudariti je treba, da se ne smemo usmerjati 39 v karkoli, čeprav je to high - tech, ampak le v selektivno izbran program. Obdobje ozkih, strogo ločenih znanj je mimo. Od raziskovalcev, razvojnikov, managerjev in kakovostnikov pa tudi prodajnikov se pričakuje interdisciplinarno znanje tehnike, matematike, naravoslovja in ekonomije . Mislim, da so prav kadri in njihovo znanje eden izmed glavnih omejitvenih faktorjev za pravilen izbor in zagotovitev konkurenčnosti. Na našem ožjem področju proizvodnje elektronskih elementov je zlasti potrebno poglobljeno znanje o materialih. (5radnja elektronskih naprav Osnovni namen elektronske naprave je, da na določeno električno stanje na vhodu pravilno reagira s točno predvidenim električnim stanjem na izhodu. Elektronska naprava pa s svojimi električnimi stanji ne opravi celotne naloge. V življenju in okolju nastopajo informacije v raznih oblikah in izvirajo iz naravnih pojavov, volje človeka in dela strojev, ali poteka procesov. Vse te informacije s senzorji ali pretvorniki pretvorimo v električne signale. Analogno pa moramo električna stanja na izhodu pretvoriti v informacije, ki so razumljive človeku ali, ki lahko krmilijo procese in stroje. Tako rabimo ustrezne aktivatorje, prikaz,alnike, tiskalnike, zvočnike itd. V klasični gradnji elektronskih naprav in sistemov je bilo vse zgrajeno iz diskretnih, R, L, C elementov (pri Prognoza razdelitve potrošnje elementov po skupinah 1982— 1992 čemer lahko štejemo tudi cevi in polprevodnike kot krmiljene upornosti). Danes, v dobi obvladovanja tehnologij, monolitnih in hibridnih integriranih vezij pa diskretni elementi služijo predvsem za pretvarjanje signalov, povezovanje integriranih vezij z vhodom in izhodom, napajanje in zaščito vezij pred motnjami ter za gradnjo hibridnih integriranih vezij. Lastnosti elementov za elektroniko so geometrično snovne lastnosti, zato je znanje o materialih bistveno za gradnjo elementov. Znanja o materialih pa so potrebna tudi pri gradnji naprav in sistemov. načrtovanj«, trženj«, testiranje montaža integrlr. vezja i [ diskr. elem. materiali povezov. elem. ELEKTRON. PROIZVODI 1990 SENZORJI TIPKOVNICE POVEZOVALNI ELEMENTI AKTUATORJI INTEGRIRANA VEZJA PRIKAZALNIKI NAPAJAN 3 £ Vrednost (milijard $) Struktura (%) PLSR 1982 1992 1982 1992 (%) Elektronika skupaj 268 720 10,4 Integrirana vezja 13,7 98 18,7 45,3 21,7 Elementi brez IC: 59,3 118,0 81,3 54,7 7,1 — Diskretni polprevodniki 5,5 12,8 7,5 5,9 8,8 — Debeloplastni hibrldi 4,4 12,6 6,0 5,8 11,1 — Tiskana vezja 7,6 24,5 10,4 11,3 12,5 — Kondenzatorji in upori 5,3 11.6 7,3 5,7 8,1 — Ostali 36,5 . 56,5 50,1 26,0 .4,5 Elementi skupaj 73,0 216,0 100 100 11,5 40 1982 Elektronika skupaj 268 milijard S 1992 Elektronika skupaj 720 milijard $ 5% 13,7 MdS 22% 59,3MdS IC ^^ ost. el. 3 b Skupni delež elementov v celotni elektroniki narašča. To prikazuje naslednji prikaz: Elementi in materiali V Jugoslaviji smo v glavnem z lastnim razvojem po osvoboditvi osvojili proizvodnjo praktično vseh elementov za elektroniko v vsej širini asortimana. Uvažamo nekatere specialne visoko profesionalne elemente. Osnova elementov za elektroniko so ustrezni materiali, saj le-ti določajo njihove lastnosti ter kakovost in zanesljivost. Novi materiali in tehnologije omogočajo napredek v ponudbi elementov in tu naj bi bil poudarek 'U A'li!'N.),i IIIHINIIIV M ! : I li : ;;;' M Mir !' | Vi JI NI MAH li |AI I dela raziskovalcev in tehnologov. Nekaj materialov za proizvodnjo elementov proizvajamo doma, precej pa jih tudi uvažamo, predvsem tiste, ki jih rabimo v manjših količinah in po posebnih zahtevah. V ilustracijo vse razsežnosti in raznolikosti področja elementov, ki jih proizvajamo v Jugoslaviji ter pri tem potrebnih glavnih materialov služi naslednja tabela: Od obstoječih tehnologij navajamo nekaj najznačilnejših : - praškasta tehnologija z oblikovanjem - legiranje in oblikovanje kovinskih materialov - brizganje in termično oblikovanje plastike - vlečenje monokristalov, proizvodnja rezin in fizikalno-kemična obdelava - tanko in debeloplastne tehnologije - tehnološki postopki za sestavljanje elementov ter montažo elementov na klasična tiskana vezja, vezja s površinsko montažo ter hibridna vezja in njihovo načrtovanje (CAD, CA M) - razne kemijske, temperaturne, električne, magnetne in mehanske obdelave - kontrolne tehnologije vseli vr.sl - razne posebne I ohnologi j<' lndu>< t i vi magoe tni el ementi Polprevodnički elementi Elektromchonoki V/IIIIC tUMCNTOV masni, ojljenoplastni , kavi nopl astni upori, iični upor potenciomotri, termistorji, pozistorji, varistorji. Te elektrplil dušilke,konektorji, tuljave, t ransfo rmet.br j i, transi a tor 11 t mina jedra, liti in sintra-ni trdi magneti, feritni elementi specialne elektronko, transi, torji, usmerniSki oiementi, monolitna integrirana vezja (standardna in po naročilu), mikrovalovni elementi ! mrniiAtov .*" rm . .., steklo., žice, kovino! uporovni materiali, kemikaliji plastični materiali, laki surovine in prahovi za kood.keramiki Al folijo, plastičoo foii|o in papi kemikalije, imprejnaot1, plastifoc maso m zaščito, spojke, ElafiD;, si joda . fernmajnetne pločevine, razne kovinr in kovinski prahovi, Iaj žice, surovine za ferito, redke zemlje stalni in monokr. čist« kemikalije ii j in Al Z11 i ohišja, steklo . releji, stikala, konektorji, | razni kovinski materiali v obli! preklopniki, vrtljivi konden- pločevin, kontaktni materiali zatorj j, tastaturc, paneli, j tične mne, kemikalije specialni elementi Povezovalni eleme ti in funkcijski sklopi LCO in EL prikazalniki, LED oteklo, kvarc, čiste kemikalije diode in prikezalniki, katodne plini', specialni kovii ' cevi, fotodiode, optična vlakrnj in kabli, opto el.sklopm ele- j Jice, kabli, tiakana vezja v raznih izvedbah, fleksibilna vezja, deboloplastna in tonko-plastno hibridna vezja, filtri proti motnjam in drurji sklopi zvočniki, baterije, akumulatorji plastični iauinnti, Cu folije : keramični substrati, prevodne : lacijske pasto, plastične nase, kovinski deli, spajke razne pločevine, membranski mate zalivne inase, kemikalije Trendi Vsaka nova generacija naprav mora v isti, ali manjši prostornini in teži vsebovati več funkcij, biti mora sposobna obdelati več informacij. Pri tem mora biti poraba energije vse manjša, naprave pa morajo biti izredno zanesljive pri delovanju v zahtevnejših okoljih. Spreminjajo način gradnje, uvajajo površinsko montažo elementov. Tej zahtevi se prilagajajo integrirana vezja, ki zmorejo čedalje večjo gostoto, prav tako pa se morajo prilagoditi diskretni elementi, senzorji in aktiva-torji. Napredek omogočajo nove in izboljšane tehnologije, boljša oprema ter novi in izboljšani materiali. Točno definirana tehnologija in materiali bodo omogočali nastajanje kvalitete v samem tehnološkem 41 procesu. To bo imelo vpliv na zanesljivost v delovanju. Naša naloga je izboljšati in v celoti izkoristiti znanje o materialih in tehnologije, ki jih obvladamo ter tehnološko opremo, ki jo imamo ter selektivno uvajati nove tehnologije in materiale. Trendi v zahtevah: - integracija in miniaturizacija - manjša poraba energije in materiala - boljše lastnosti - zagotovljena kakovost - višja zanosi jivosl v zahtevnejših pogojih - višja produktivnost, nižja cena - uporaba novih materialov in tehnologij - večja fleksibilnost proizvodnje glede na zahteve skupcev Novi materiali v elektroniki v smeri razvoja Kovinski: - amorfne kovine - novi magnetni materiali (npr. FeNdB) - "menioi'y"legure, itd. Keramični: - s posebnimi mehanskimi lastnostmi (korundna, cirkonoksidna, Al-titanatna, Si-karbidna, Si-nitridna...) - supraprevodna keramika - razne piezokeramike, itd. Steklo: - modificirana kvarčna stekla - halogenska stekla, itd. Polimeri: - tekoči kristali - fotopolimeri (fotopolprevodniki) - P V DF (piezo senzorji široke uporabe) - FM M A in PC za optična vlakna in računalniško tehniko - razni kompozitni materiali - prevodni polimeri (intrinzično prevodni) - itd. Polprevod-niški materiali: - III. - V. spojine - GaAs, GaAlAs, GaAsP, InP itd. (monokristali in epitaksialne plasti) - Li-niobat, Nd-YAG, itd. za opto-elektronske aplikacije - itd. SEDANJE IN PREDLAGANO POVEZOVANJE INDUSTRIJE. FAKULTET IN INSTITUTOV V VZGOJI KADROV ZA HATERIALOZHAHSTVO medsebojno sodelovanje ZAKLJUČKI IN PREDLOGI Iskra vidi možnost kadrovske krepitve in izpopolnjevanja znanja na sploh, posebej v vedi in tehniki materialov v naslednjih pristopih: - z močnejšim štipendiranjem študentov fakultete za naravoslovje in tehnologijo, - v dopolnitvi programov študija na II. stopnji z boljšo povezavo med oddelki FNT in uvedbo izbirnih predmetov iz materialoznanstva, posebej na elektrotehniški fakulteti, - s specializacijami in podiplomskim študijem na fakultetah z ustreznim prilagajanjem programov študija materialov (na razpolago nam je program predmeta materiali na III. stopnji študija na FNT Ljubljana), - z organizacijo internih šol in seminarjev s področja materialov (kot primer služi program seminarja SOZD Iskra "Lastnosti materialov in načini preverjanja"), - z organizacijo letnih šol za izpopolnjevanje jugoslovanskih strokovnjakov v znanosti in tehniki materialov, posebej za elektroniko, - z vzgojo mladih raziskovalcev in specializacijami (primer akcije Raziskovalne skupnosti Slovenije), - z izpopolnjevanjem svojih strokovnjakov v teku raziskovalnih nalog in projektov, z ustanavljanjem mešanih raziskovalnih skupin, - s skupnim delom industrije in institutov na tehnologijah novih materialov v okviru skupnih programov in projektov, vezanih na Strategijo tehnološkega razvoja SPRi , - s sodelovanjem v skupnih projektih in s praksami v tujih institutih in podjetjih, - s sodelovanjem v okviru strokovnih društev in drugih organizacij za spremljanje napredka v vedi in tehniki o materialih s predavanji, simpoziji, posvetovanji itd., - s koordinacijo, izmenjavo izkušenj in povezovanjem na učnih programih iz materialoznanstva med univerzami in fakultetami v Jugoslaviji. Darja Uvodič, dipl. ing., SOZD Iskra, DSSS, Trg revolucije 3, Ljubljana Igor l'oni|«), dipl. ing. in Milan Slokan, mag., Iskra Elementi, Stegne 17, Ljubljana PERSPEKTIVA ŠKOLOVANJA KADROVA ZA MATERIJALE U SR BiH D. Damjanovič» A. Kuršumovič, M. Trubelja U poslednjih dvadesetak i više godina nauka o materi jalima u našo j republici, a posebno u SOUR "Energo-invest" sve više dobiva na značaju. Počeci razvoja ma-terijala u "Energoinvestu" bili su vezani za tvornicu "1'orcelanka" i Istraživačko razvojni centar za elektro-energeliku (IRCIO ti l.ukavici kod Sarajeva, gdje su ra/,vi]eni l radie ionah i i eiektroizolacioni porcelani, le za Tvornicu svječica u Tešnju gdje se radilo na elektroke-ramikama na bazi Alo0^. lMedjutim, oblast materijala u "Energoinvestu" zaokružena u logičnu cjelinu tek sa osnivanjem Centra za istraživanje i razvoj materijala (CIRM) u Sarajevu 1981. godine. U ovom centru nauka 0 materijalima razvija se u dva osnovna smjera, us-lovno nazvana: 1) "rfet Chemistry" i 2) "Solid-state Science". S obzirom na naše usmjerenje kao dvojice keramičara 1 jednog fizičara, u ovom izlaganju više čemo se ba-viti seleči |om (2). Nastojačemo dati ležište budučem razvoju, a naročilo našim planovirria u vezi sa keramič-kim materijalima. Ovo tim više što su se dvojica od nas tek vratila u Jugoslaviju pa imamo tu sreču (ili ne-sreču) da nismo opterečeni "predistorijom sistema" te nismo niti u mogučnosti da prošlosti posvetimo više prostora odnosno vremena. 43 tako je ovaj forum prije svega posvečen kadrovima u elektronskim materijalima, mi smo smatrali da je bolje da u našem izlaganju krenemo sa večom. širi-norn, mada uglavnom ograničeni na keramiku. Razlog za to je da ni interesi CIRM-a nisu isključivo vezani za elektronske primjene. Na početku čemo, ipak, reči nekoliko riječi o elektronskim materijalima. U ovom trenutku u oblasti elektrokeramike u toku je intenzivna naučno-istraživačka aktivnost na razvoju metalizirane A 1^0 keramike za primjene u vakuumskim prekidačima za srednje i visokona-ponske mreže. IJ ovoj oblasti "Energoinvest" je našao izvanredne mogučnosti da plasira konačan proizvod na domačem i inostranom tržištu. Medjutim, razvoj elektronske keramike za visoko-tehnološke primjene je tek na samora početku. I tez olv.ira na to, planov! O il!M-a u ovoj oblasti su vrlo ambiciozni. Radit če se na razvoju piezo-elektrika (sa potenci jalnim primjenama za senzore pritiska), kera-mičkih superprovodnika, te senzora kisika na bazi dopiranog cirkonijevog dioksida. IJ oblasti strukturnih aplikacija radilo bi se na žilavi jen ju A 1^0 keramike cirkonijevim dioksidom, razvoju neoksidnih keramika (kao npr. SiC) sa mogučnošcu prim jene u motorima, kao i na ter-mičkim keramičkim prevlakama na metalima itd. Ne treba posebno ni naglašavati da je ovako širok pristup razvoju nauke o materijalima u CIRM-u moguce ostvariti jedino uz prisustvo kvalificiranog kadra i, naravno, odgovarajuče opreme. Iako če o opremi neizbježno biti riječ u toku ovog izlaganja, ipak je neophorino da se sada neposredni je posvetimo problemu kadrova, radi čega smo se, konačno ovdjo i skupili. linutar "Energoinvesta" a posebno i CIRl I -a, naukom o materijalima uglavnom se bave stručnjaci iz oblasti hernije, tehnologije, metalurgije, fizike itd. Naš je stav da bi dalje usavršavanje ovih kadrova, a narocito obrazovanju novih mladih stručnjaka za kojima postoji neosporna potreba, trebalo direktnije usmjeriti ka specifičnim, za nas aktuelnim, primjenama materijala o kojima je več bilo riječi. Uz poznavanje fundamentalnih disciplina ovi ljudi bi para- lelno trebalo da izučavaju kurseve iz nauke o materijalima, kao što su npr. kristalna hemija, te električne, mehaničke, termičke i si. osobine materijala. Mišljenja smo da je ovaj cilj u obrazovanju kadrova za nauku o materijalima za sada najjednostavnije ostvariti otvaranjem postdiplomskog študija. U svakom slučaju, kompletno rješenje ovog pitanja u budučnosti bi moralo obuhvatiti i otvaranje študija drugog stepena ali nam se čini da je zbog problema finansiranja u ovom trenutku ipak lakše otvoriti postdiplomski študij. Tu prije svega mislimo na plačanje školarine , koju bi u tom sličaju snosile radne organizacije onih ljudi koji bi pohadjali taj študij. Naravno, i dalje ostaje o-tvoreno pitanje nabavke opreme, ali uz bolju povezanost institucija koje se u Republici več sada bave istraživanjem materijala, i ovaj bi se problem sigurno mogao rijesili, pošto dobar dio opreme u njima več i postoji. Ovo, medjutim, treba smatrati privremenim rješenjem. U onom trenutku kada odredjena institucija bude "odabrana" kao centar za postdiplomski študij o materijalima, tu insti-tuciju trebat če zajedničkim snagama (tj. sredstvima) svih zainteresovanih dovesti na jedan svjetski nivo kvaliteta. Naravno, mi stojimo na stanovištu da bi oprema koja bi se tu našla morala sta jati na raspolacjanju što širem krugu korisnika, a u svakom slučaju bar onim korisnicima koji su učestvovali u nabavc.i te opreme. Sada je pravi trenutak da se naglasi da bez uske sarad-nje svih centara u republici neče biti mogiiče otvoriti i opremiti bilo kakav postdiplomski ili neki drugi študij. Koliko je nama poznato, upravo "rasparčanost" interesa naših univerzitetskih centara efektivno je do sada bila kočnioa otvaranja postdiplomskog odnosno študija drugog stepena u našoj republici, za što su inic.ijative i ranije pokretane. Čini se da se razmišljalo da bi svako rnorao da ima "svoj" študij ili odsjek, a pri tome se zaboravljalo na krajnji interes svih nas, a to je temeljito obrazovan stručnjak u nauc.i o materijalima, koji bi bio osposobljen da vlada najsavremeni-jim eksperimentalnim tehnikama koje se danas traže i koriste u ovoj oblasti. Dakle, mišljenja smo da se ovakvoj parcijalizaciji interesa treba ostro suprostav-Ijati, pošto nam osnovni cilj uvijek mora biti kvalitet, a gdje če se študij doista i odvijati je sasvim spored-no. 44 S obzirom da u BiH trenutno nemarno postdiplomskog študija za materi jale, kao prvi korak ka obrazovanju kadrova vi toj oblasti treba iskoristiti mogučnost sufinan-ciranja usavršavanja mladih istraživača kroz realiza-ciju istra/ivan¡a u funkciji tzv. društvenih ciljeva, ko je nudi SI/, nauke BiH u saradnji sa našom akademi-jom nauka i umjetnosti. U okviru ovih ciljeva u oblasti tehnologije i. hemije obuhvačeni su i materijali. Društvenim ciljevima predvideno je obrazovanje perspektivnih mladih ljudi koji su tokom študija drugog stepena imali odlične i vrlodobre ocjene, te se u ra-zumnoj mjeri služe bar jednim stran i m jezikom. Mi smo, uz to mišljenja da se postdiplomski študij o materijalima (bilo kroz društvene ciljeve, bilo kao poseban študij) mora neposredno vezati za konkretnu problematiki! kojom se b/ivo istrn/.ivači materijala u BiH. Treba insi.stirati da se magistarska ili doktorska teza radi u saradnji ili pod rukovodstvom ljudi koje izvjestan naučni. problem "muči" u realnom svijetu. Tirne bi se mladi l judi direktno bacali u vatru savre-menih naučnih kretanja i sa završetkom študija odmah bismo imali na raspolaganju stručnjaka koji bi se, zahval jujuči interdisciplinarnom karakteru svog študija, odmah mogao uključiti u ispunjavanje naraslih zahtjeva republike u oblasti materijala. Treba reči da pozitivna iskustva u ovom smislu več postoje u CIRM-u, kako je dobro poznato Ijudima iz I.IS sa kojima več dugi. ni:' godina uspješno sarad jujerno, a |>oznat:o je i dvojici od nas koji smo pekli zanat u materijalima u SAD i sada nnstojinio da se, u okviru svojih mogučnosti, stavimo na rns polaganje "linergoinvestu" da bi se od nas izvukla sto veča korist. iako smo ovo izlaganje posvetili razvoju nauke o materi jalima u BiH , svjesni smo da bez saradnje sa drugim institucijama na nivou Jugoslavije, pa i sa inostranstvom, nečemo daleko dogurati. Cesto kao razlog protiv iivodjenja študija materijala čuje se da to "nema ko predavati", što je blago rečeno prava besmislica. Pored več afirmisanih stručnjaka za materijale u privredi i na univerzitetima u BiH, mi čemo nastojati da se vrhunski stručnjaci iz zemlje i svijet.a oba vezno uključe kao predavači. To bi "riješilo" ovaj ionako praktično nepostoječi problem, a kvalitet postdiplomskog stuclja time bi dobio vrlo značajan podsticaj. Več je rečeno da za sada smatramo nerealnim o-tvaranje študija drugog stepena za nauku o materijalima. Medjutim, mišljenja smo da se u okviru posto-ječih študija ovoj nauči mora pridavati veča pažnja, npr. uvodjenjem kurseva tipa "Uvod u nauku o materijalima". Takodjer, apsolventima bi se morala dati mogučnost da rade diplomske radove iz materijala koji bi ih več tada uvodili kako u fundamentalna, tako i u primi jen jena istraživanja. Na ovotne posebno treba insistirati kod stipendista privrednih organizacija koje se bave istraživanjem materijala, jer bi time diplomant odmah bio osposobljen da radi na nekim praktičnim problemima, čime bi se skratilo ili potpuno eliminisalo neizbježni "prazan hod" koji se javlja tokom pripravničkog staža. Kao zaključalc ostaje jedino da kažemo da smo mišljenja da bi eventuelno otvaranje postdiplomskog, ili, pak, študija drugog stepena nauke o materijalima u BiH neosporno dalo snažan podstrek procesu jačanja kadrovske bazen ovoj oblasti, kao i njenog efikasnog i konkretnijeg usmjerenja ka specifičnim, danas aktuelnim, primjenama materijala, kao što su strukturalne i elektronske. D. Damjanovič, A. Kuršumovič, M . Trubelja "Knergoinvest" KO C [UM Stup, Tvornička 3 71000 Sarajevo 45 DISKUSIJA NA TEMU »ŠKOLOVANJE KADROVA ZA ELEKTRONSKE MATERIJALE U JUGOSLAVIJI« V. Isailovrč Fabrike iz grane elektronike imaju problem i danas, a sutra ce biti u još oštrijoj formi izražen, osposo-bljavanje kadrova za elektronske materijale, odnosno elektronske komponente. U praksi se je pokazalo, da stručnjak za elektronske komponente mora da poznaje i materijale za izradu elektronskih komponenata. Nabavku sirovina fabrike iz grane elektronike obav-Ijaju od hemijskih, metalurških i drugih fabrika, a drugim delom, kad snu pitanju specijalni mater ijali, danas najčešce fabrife elektronike podižu same svoje pogone za proizvodnji! materijala. II buducriosti treba očekivati da če ovakva ori jentar ija biti još veča. Skolovanjo i s|x>< i j,d iz. ir i ja kadra /.a elckl rorisko materi jale i komponente je poseban problem. Ni jedan fakultet ne osposobljava u dovoljnoj meri kadar za tako jednu specifičnu oblast. /,a rad u oblasti materijala i komponenata za elektroniki! nužna su znanja iz: - fizike sinterovanja - fizike keramike - očvrščavanje i rasta kristala - fizičke hemije čvrstih i istopljenih elektrolita fizike elektroniko i tehnologi je |x>liiprovodničkih materijala - fizičke metalurgije - metalurgije pr aha - fizičke hemije polimera - fizičke hemije površina - kvantne fizike - fizičke hemije čvrstog stanja - kristalografije - fizike i tehnike procesa pod visokim pritiskom - fizike i tehnike dielektričnih i magnetnih materijala - procesa i postrojenja savremene tehnologije materijala - i druga Očigledno, da same fabrike elektronike, moraju svoju kadrovsku politiku da tako usmjere, da u saradnji sa odredjeni m fakultetima organizuju specialističke študije na kojima bi stručnjaci stekli dublja znanja koja su za odredjeni materijal i elektronsku komponentu potrebna. Vladimir lsailovič,dipl.fiz.-hem. SOUR Ei - Sektor za program i raz voj lleo<|i'a( I 46 Vladimir Pantovič, Stanislav Matic Skromnom svečanošcu u Zemun Polju je 26.11.1987 gorilne obeleženo dvadeset godina us|)ešnog razvoja i rada Istraživačko razvojnog instituta Elektronske industrije. Srečna okolnost početka koriščenja nove zgrade Instituta, doprinela je da ovaj značajan jubilej dobi je još svečani je obeležje. U prisustvu brojnih zvanica i gosti ju, kao što su: predsednik RfV SR Srbije Dr. Desimir Jeftič, predsednik (iS Beograda Aleksandar Bakočevič, kao i niza poznatih privrednika društvenih radnika i viših oficira J'NA , referat o nastanku i razvoju Instituta pročitao je Dr. Stanislav Matic direktor RO Istraživačko razvojnog instituta. Podeljena su priznanja zaslužnim sa-radnicima instituta, kao i organizacijama i pojedincima. IKTORUAT NASTANKA I KA/.VO.JA INSTITUTA Kao datum formiranja Instituta smatra se 1.2.1967 godina kada je grupa inženjera za elektronske komutacije iz Instituta "Mihajlo Pupin" prešla u Elektronsku industriji! i zajedno sa matičnim kadrovima formirala Institut. Prva registracija kod nadležnih organa obav-ljena je 2o. 2.1967 godine pod imenom Naučno-istrazi-vački institut sa sedištem u Beogradu. U okviru reorganizacije Elektronska industrija 1969 godine postoječem sastavu Instituta, pripajaju se grupe za radio tehniku, digitalna tehniku i merne instrumente iz Instituta "Hudi Cajavec" , kao i grupa za račuparsku tehniku iz Niša. Tako nastaje Institut za profesionalnu elektroniku. Institut je ušao u sastav grupacije za profesionalnu elektroniku sa sedištem u Beogradu. Iako dislociran u tri udaljena centra, Institut uspešno funkcioniše kao raz-vojno-istraživačka i samoupravna institucija. Medju-tim, pod dejstvom dezintegracionih procesa u lii. iz sastava Instituta izdvaja se banjalučki deo "Rudi Cajavec" . U okviru reorganizacije Elektronske industrije 1973. godine, Institut se konstituiše kao OOUli, u Siji sastav ulaze razvojne grupe iz grupacija elemenata i mašin-stva. Ovako konstituisan Institut prešao je u samostal-no poslovanje, pod teškim okolnostima borbe za opsta-nak. Zvanično je registrovan 1973 godine, kao naučna jedinica kod Republičkog sekretari jata za nauku i obra-zovanje SR Srbije, pod nazivom EI-OOUR Istraživačko-razvojni institut sa sedištem u Beogradu. Delatnost Instituta se proširuje na istraživanje i razvoj iz oblasti: materijala, komponenata, tehnoloških procesa, ured-jaja i sistema. Izvori prihoda su bili: ugovaranje zadataka sa organizacijama iz Ei i van Ei, prodajom malih ali specifičnih serija i dr. U toku 1977 godine Institut se konstituiše kao EI-RO Istraživačko-razvojni institut sa sedištem u Beogradu, sa po jednom jedinicom udruzenog rada u Beogradu i Nišu. Ova reorganizacija je značila i preokret u radu Instituta. Nastaje ekspanzija programa, kadrova, postižu se s ve bolji rezultati poslovanja. Ostvaruje se sve bolja poslovna saradnja sa partnerima iz Ei i van Ei. U toku 1981 godine u okviru Ei-RO istraživačko-razvojni institut konstituisane su: OOUli za elektroniku i telekomunikacije BETA sa sedištem u Beogradu i OOUR za ra-čunsku tehniku, automatiku i merenja RAZVOJ sa sedištem u Nišu. Krajem 1985 godine RO - Istraživačko-razvojni institut konstituiše i treči OOUR za ispitivanje kvaliteta KVALITET u Nišu. Na taj način funkcija kvaliteta se povezuje sa funkcijom razvoja, kako u Institutu tako i u SOUR Ei. PROGRAMSKA ORIJENTACIJA INSTITUTA EI-RO Istraživačko-razvojni institut je nosilac istraži- 47 vačke razvojne i naucne funkcije u sistemu Elektronske industrije. Stoga, programska orijentacija Instituta se velikim delom poklapa sa prograinskom orijentaci jom sistema Ei. Medjutim , s obzirom na široku lepezu programa koji se realizuju 11 Ei, a u nedostatku kadrovskih potencijala, finansijskih sredstava skupe opreme i drugo, Institut je delimično u mogucnosti da ovaj koncept realizuje. Nosilac je naučno-istraživačke funkcije u sistemu Ei za: telekomunikacije, računarstvo, automatiku, mernu tehniku ,specijalne materijale, elektronske komponente, elektronske i druge tehnologije, kvalitet, pouzda-nost i drugo. Delimično je zastupljen u elektromedicini, televiziji, tehničkorn inzenjeringu i automatskom projek-tovanju. U toku je ulazak u programe: rnikrotalasne tehnike, vazduhoplovstva, metrologije i dr. Institut obradjuje programske oblasti: 1. Telekomunikacije: komutacioni sistemi za javnu te-lefonsku mrežu, multipleksni sistemi digitalnig prenosa, sistemi prenosa optičkim kablovima, radio sistem na bazi proširenog spektra, modemi, sistemi za elektronska dejstva i protiv de jstva, digitalni terminali specifičnih namena, digitalne integrisane mreže sa in-tegrisanim službama, sistemi za nadzor i dr. 2. Automatika: sistemi za informisanje na sportskim objektima, javnom saobračaju, javnim i poslovnim zgradama i dr. Zatim, sistemi za nadzor i upravljanje u industriji, saobračaju i rudnicima, kao i sistemi 7,a tretnian industrijskih i otpadnih voda, sistemi /,n /astilu ob jekla i prostora i dr. 3. liačunari: mikroračunarski sistemi, lokalne računar-ske mreže, sistemi za grafičko prikazivanje, razvojni sistemi, operativni sistemi i dr. 4. Elektromedicina: sistemi za intenzivnu negu, uredjaji za dijagnostiku, monitorski uredjaji, rentgen projektori i generatori i dr. 5. Mikroelektronika: disketne minijaturne komponente, pasivna hibridna mikro kola, aktivna hibridna mikrokola i dr. 6. Speeijalni materijali: paste za hibridnu tehnologiju, srebrne paste za elektronske komponente, srebrne paste za grejače stakla automobila, srebrne provodne premaze za: tantal kondenzatore, membranske tastature i ugljenoslojne potenciometre, zatim, paladijumske kondenzatore za višeslojne keramičke kondenzatore, poli-merne materijale za elektroniku, provodne premaze za zaštitu od statičkog elektriciteta, elektromagnetnih i magnetnih t.alasa i dr. 7. Specifične elektronske tehnologije: feroelektrični i feromagnetni materijali, piezokeramički pretvarači i senzori, štampane ploče, membranske tastature, prahovi i paste plemenitih metala, soli plemenitih metala, elektrohemijsko nanošenje plemenitih metala, mikrota-lasni sklopovi i dr. 8. Kvalitet i pouzdanost: ispitivanje i atestiranje kompo-nenala i uredjaja, kar akter izacija i kontrola kvaliteta materijala, ispitivanje pouzdanosti, uticaj okoline i radio-frekventne s metnje, zatim mehanicko—metalurška ispitivanja i atestiranja, verifikacija merne opreme i dr. Projektovan je i realizovan inženjering za: postrojenje za proizvodnju srebrne paste u VE keramici Djevdjeli-ja, postrojenje za automatsku kontinualno zaštitu metalnih priključaka u EI-FEMID Bela 1'alanka. Razvijeno je i pušteno u proizvodnju više od pedeset elektronskih sistema i uredjaja. Razvijeno je i osvojeno više desetina materijala i oko 50 vrsta elektronskih komponenata i sklopova. Izradjeno je preko sto-tinu projekata, študija i eleborata od čega samo za Za-jednicu nauke oko pedeset. Raz,rad jen je veliki broj metala, postnpaka i patenata. Institut je u svojoj programskoj orijentaciji postavio jedan od osnovnih ciljeva, da se rezultati istraživanja i razvoja što pre prenesu u konkretnu primenu. Institut ima status Radne organizacije od posebnog interesa za SOUR Elektronske industrije. ORGANIZACIJA INSTITUTA Institut je Radna organizacija sa sedištem u Beogradu. U svom sastavu ima: OOUR za elektroniku i telekomunikacije BETA u Beogradu, OOUR za računsku tehniku, automatiku i merenja RAZVOJ u Nišu i OOUR za ispitivanje kvaliteta KVALITET u Nišu. Na nivou Radne organizacije postoji Poslovni savet koji uklju-čuje predstavnike korisnika usluga i Naučno veče koga 48 sačinjavaju pored članova kolektiva i istaknuti struč-njaci iz drugih organizacija. ■Samoupravni organ na nivou Radne organizacije je Radnički savet., sastavljen je od predstavnika svake osnovne organizacije. Samoupravni organi osnovnih organizacija udruženog rada su radnički saveti. OOUR BETA je organizovan. u obliku sektora za: elek-troniku, tehnologi ju i zajedničkih službi. Sektor za elektroniku ima u svom sastavu 4 laboratorije, 1 projektni Um i 1 pogon za maloserijsku proizvodnju. Sektor tehnologije ima u svom sastavu 3 laboratorije. Sektor zajedničkih službi čine prateče i tehničke službe. OOUR RAZVOJ je organizovan u obliku 3 laboratorije, 1 pogon prototipske proizvodnje, 1 konstrukcioni biro i zajedničke službe. OOUR KVALITET je organizovan u 2 tehnička sektora i sektor zajedničkih službi. KADROVI I NJIHOVA OSTVARENJA Na kraju 1986 godine RO Institut je imao u stalnom radnom odnosu 363 saradnika. Kvalifikaciona struktura je bila: 6 doktora, 18 magistara nauka, 173 VSS , 9 1 SSS i 75 ostalih. U poslednjih pel godina presečni godišnji priraštaj kadrova u Institutu iznosio je 11 %, a u 1986 godini 22 %. ! ■ sav rsavan je kadrova postala je stalna praksa. Sti-mulišu se i podstiču poslediplomske študije, specializacija i izrada doktorskih radova. U proteklom periodi! uspešno je odbranjeno 24 magistarska i 8 doktorskih radova. Posvečuje se značajna pažnja objavljivanju stručnih i naiičnih radova. liadovi se obavljaju u stručnirn časo-pisima, saopštavaju na stručnim skupovima u zemlji i inostranstvu. U proteklom periodu objavljen je 441 rad, od toga 30 u inostranstvu. \a osnovu potvrdjenih naučno-istraživačkih rezultata rada nekoliko saradnika Instituta izabrano je za stalne predavače na fakultotima. Jedan broj saradnika angažo-van je u radu stručnih i naučnih organizacija u celoj zemlji. Za doprinos u unapredjenju i razvoju naučno-istraži-vačkog rada saradnici Instituta su dobili: Oktobarsku na-gradu grada Beograda, dva puta su dobili nagradu "22. oktobar" SO Zemun, Prvomajsku nagradu za pri-vredna ostvarenja, Nagradu oslobodjenja Niša "14. oktobar" , Nagradu Privredne komore Beograda kao i niz nagrada na simpozijumima i u časopisima u zemlji i inostranstvu. POSLOVNA SARADNJA Na bazi stručnih znanja i naučnih saznanja svojih saradnika, Institut je prevashodno orijentisan na prenosen je rezultata svoga rada u privredu. Zahvaljujuči takvoj programsko]' orijentaciji Institut je ostvario ši-roku saradnju sa proizvodnim organizacijama, velikim sistemima u zemlji, kao i naučno istraživačkim organizacijama . Programska i poslovna orijentacija Instituta pre svega je koncipirana prema potrebama sistema Elektronske industrije. Stalno je prisutna težnja za uspostavljanjem što čvršce saradnje sa proizvodnim organizacijama u Ei. Sa nekim organizacijama saradnja se pokazala veoma uspešnom. Kao primer takve saradnje je fabrika PUP1N, kod koje 50 % prihoda potice od proizvoda razvijenih u Institutu. U toku je integracija više fabričkih razvojnih ekipa sa odgovara jučim u Institutu. Veoma uspešna saradnja Instituta je sa J'NA . Ova poslovna saradnja se permanentno unapredjuje, tako da je da-nas više institutskih ekipa angažovano na veoma značajnim istraživačko-razvojnim zadacima za potrebe JNA , na širokom programskom planu. Značajna poslovna saradnja obavlja se sa velikim sistemima kao što su: Jugoslovenske elektroprivreda, PTT, železnica, banke, rudnici, transportne organizacije, SUP i dr. Zatim , sa velikim industrijskim sistemima: Iskra (Ljubljana), Nikola iesla (Zagreb), RIZ (Zagreb), Krušik (Valjevo), UNIS (Bugojno), RTB (Bor) i drugi. Tradicionalno dobru saradnju Institut ima sa institutima u Beogradu: "Mihajlo Pupin" i "Boris Kidrič" - Vinča, zatim Institutom za hemiju, tehnologiju i metalurgiju, Institutom SANU i dr. Veoma dobru saradnju ima sa fakultetima u Beogradu: Elektrotehničkim, Tehnološkim, Prirodno -matematičkim i dr., zatim u Nišu: elektron- 49 skim, gradjevinskim , mašinskim. Saradnja se ogleda u zajedničkom radu na istraživačkim projektima, orga-n izovanju naučnih i stručnih skupova, pedagoško] delatnosti i drugim aktivnostima specifičnim za naučno-i s t r a ž i v a č k e organizacije. Institut ima uspešnu saradnju sa naučnim društvima: Jugoslovenskim društvom za ETAN, Jugoslovenskim društvom za velike energetske sisteme C IGRE, Elek-trotehničkom zvezom Slovenije, Stručnim društvom za mikroelektroniku , elektronske sastavne delove i materijale M [DEM . S ve uspešni je so obavlja saradnja sa inostrnnitn parl- nerima kao i učešče u radu sa više medjunarodnih institucija. Izgradnjom poslovnih zgrada u Beogradu i Nišu, u toku ove godine Institut če imati oko 15.000 m2 pos-lovnog prostora. Ovo če stvoriti znatno bolje uslove za još uspešniji rad ovog Instituta. Mr. \'ladimir Paritovič ,dipl.ing . Ei-OOUR BETA Dr. Stanislav Matic, dipl. ing. Ei - RO Istra živačko-razvojni institut , liatajnički put 23 i 1080 lleograd - /cnmii 1'olje S SEJE IZVRŠNEGA ODBORA DRUŠTVA MIDEM POROČILO PREDSEDNIKA DRUŠTVA MIDEM na seji 10 društva 24. 2. 1988 v Ljubljani Rudi Ročak V drugern letu delovanja strokovnega društva MIDEM so je sekretariat društva sestal na 6. sejah, veliko dela pa je bilo opravljeno, kot se včasih reče "v hodu". Izredno plodno in aktivno delovanje društva je bilo mogoče samo z marljivim delom članov predsedstva, članov sekretariata in članov organizacijskih odborov posvetovanj. Dovolite , da se takoj na začetku zahvalim za izredno požrtvovalnost tajnikoma, Pavletu Tepini in Miroslavu Goji. V strokovnih službah Elektrotehniške zvuzo Slovenije pa sino dobili vellicrj« zavoznii:.-! z.', sistematsko delo, predvsem na področju računovodstva; pri pohvali ne smemo pozabiti na pisarno, kjer je bilo veliko dela, posebej pred našimi posvetovanji. Nažalost je društvo v preteklem letu pretrpelo tudi veliko izgubo. Smrt je iz naše sredine potegnila velikega strokovnega entuziasta, soorganizatorja mnogih posvetovanj, člana tovariškega razsodišča in zaslužnega člana društva prof. dr. Kvgetia Kanskega. Počastimo spomin nanj z enorninutnim molkom. Večna mu slava! Za 19 87 leto smo si zadali cilj, da povečamo število našega članstva na 800. To nam ni uspelo. V društvo MIDEM se je leta 1987 včlanilo 94 strokovnjakov, tako da jih je trenutno včlanjenih 567. Člani, ki so bili včlanjeni na začetku leta so dobili lične članske iz- 50 kaznice v obliki kreditnih kartic, kasneje včlanjeni pa jo bodo dobili z letošnjim letom, ker se nam je nekoliko organizacijsko zataknilo. Tudi članska obveza, ki člana spomni da je v organizaciji, plačan je članarine, je bila bolje organizirana kot prejšnja leta, čeprav 38 % članov te simbolične vsote denarja ni plačalo. Ker verjamemo, da je to bolj rezultat pozabljanja kot nehotenja smo vsem ta mesec poslali nove položnice. Upajmo, da je bilo napak vnašan ja podatkov v računalnik male ter da ne bo akcija vzbudila preveč nejevolje. Računamo na razumevanje članov. Posebej pa razveseljuje dejstvo, da je število zelo aktivnih članov močno povečano, da so se naši organizacijski in programski odbori prenovili. Ce se bo ta trend nadaljeval tudi v tem letu, lahko z optimizmom pričakujemo formiranje novih organov društva za naslednje srednjeročno obdobje. 8 . septembra je bil v Titovem Velenju letni občni zbor, kjer je, glede na popolno informiranost prek časopisa Informacije MIDEM, potrdil lanskoletna poročila in plane ter v diskusiji dal smernice za nadaljnje delo. ■Sodelovanje društva MIDEM z delovnimi organizacijami ;:i> je v 1987. letu še povečalo. Od 28 v 1986, smo pridobili 34 sponzorjev v 1987. letu. Od tega smo s tremi uspeli doseči tudi dolgoročno pogodbo, kar nam mora biti cilj za vse sponzorje v 1988. letu. Prek strokovnega društva so nekateri naši člani uspeli izdelati strokovne elaborate, ki so jih naša podjetja tudi uspešno uporabila. S tem je društvo v skladu s statutom pomagalo pri reševanju tehničnih problemov stroke in si zagotovilo določena sredstva za svoje strokovno delo. \e smemo pa pozabiti tudi na indirektno funkcijo društva pri povezovanju delovnih organizacij, saj strokovnjaki. konkurentnih podjetij, člani istega društva pozabl jajo na konkurentnost in si medsebojno pomagajo v vsestransko korist. Sodelovanje z zvez a mi, v katere smo včlanjeni, je bilo vzorno, tako z K/,S kot KI AN. Posebej moram omeniti iniciativo društva v definiranju novega statuta ETAN in sodelovanje pri organizaciji konference ETAN. Organizatorji MIPRO pa so v preteklem letu trem članom IO društva MIDEM podelili priznanja za primerno sodelovanje. Časopis Informacije MIDEM je v 1987. letu redno izhajal in še izboljšal kvaliteto prispevkov. V štirih številkah je bilo tiskano 278 strani. Uredniški odbor je pridobil novega tehničnega urednika, ob koncu leta pa še doživel dodatne spremembe, ki bi jih naj današnji zbor Izvršnega odbora potrdil. Takšen časopis nam je lahko v čast in ponos, čeprav ga želimo še izboljšati, napraviti ga za naše člane še bolj zanimivega. STROKOVNE EKSKURZIJE V sodelovanju s turističnima agencijama Generalturist Zagreb in INEX ■ Ljubljana smo organizirali strokovne ekskurzije v Zurich, Milnchen in Pariz. Semicona v ZUrichu se je udeležilo 23 članov, Produk-tronike v Mtlncbnu 49, sejma elektronskih komponent v Parizu pa 34 članov. Organizacija skupinskih ekskurzij na znane sejme v Evropi je finančno sprejemljiva za člane, oz. njihove delovne organizacije, koristna pa tudi za društvo MIDEM v celoti. POSVETOVANJA MIEL v Banja Luki, 13. - 14. maja, je v sodelovanju z Rudijem Cajevcem bil strokovno uspešen. 60 referatov je prikazalo stanje mikroelektronike v Jugoslaviji, primerjali pa smo jih lahko s 24 iz tujine. Kot vsa leta smo tudi za MIEL 1987 uspeli pridobiti svetovno znane strokovnjake, ki so podali uvodna predavanja. Imen, kot so Ledeboer iz Philipsa, Krynen iz Variana, Kranzer iz Siemensa, Popovič iz Landis in Gyra Koruga iz Beogradskog univerziteta, se ne bi sramoval noben spisek evropskih konferenc. Ob posvetovanju je bila razstava dosežkov R. Oajevca in nekaj komercialnih tehničnih predstavitev, [zdani sta bili dve knjigi zbornika (A5 - 626 strani). SI) v Topolšiei pri Titovem Velenju, ').-l 1. septembra, je prav tako zbral 10 izrednih referentov , ki so 51 ex katedra 120 udeležencem prikazali posamezna področja svojega dela, 71 posterjev pa je bilo osnova za večurne razprave, izmenjavo idej, diskusij, komentarjev . I zbrani tip posvetovanja se je po Otočcu še enkrat pokazal, v izredno iepem ambientu v Topolščici, kot popoln organizacijski uspeh društva. Upam, da se bo začeto sodelovanje z Gorenjem v naslednjih letih še nadaljevalo. Zbornik A4 formata ima 476 strani. Ob koncu posvetovanja SD 87 je komisija za materiale organizirala še srečanje, ki smo ga imenovali "Forum", s tematiko šolanja kadrov za materialoznanstvo. Opis dogajanj na forumu in strokovni prispevki so zaradi vsesplošne zanimivosti objavljeni v glasilu Informacije. SK 88 s svojim ."študijskim dnevom" CEO K - celovito obvladovali je kvalitete je zbralo 68 udeležencev. Program-sko-organizacijski odbor je spretno izbral renornirane jugoslovanske strokovnjake, ki so prikazali širok diapazon različnih aspektov zagotavljanja oziroma obvladovanja kvalitete. Bojazen, da je tematika zastavljena preobširno se je ob odličnih predavanjih in večurni diskusiji izgubila, pri večini udeležencev pa je ostala želja, da se začete tematike še poglobijo. Zbornik s tega posveta je v tisku in upam, da bo sprožil zanimanje v širši javnosti. SEMINARJI Nova oblika strokovnega izpopolnjevanja svojih članov, ki ga je društvo v 1987 začelo, so seminarji. Organizirali smo jih v sodelovanju s tujimi firmami. Dva seminarja , firme BOC in firme IIUNT nista bila komercialnega tipa, temveč izredno visokega tehničnega nivoja. Predavali so raziskovalni vodje in vodje služb za kakovost. Zanimanje za oba seminarja je bilo presenetljvo veliko. Prvega se je udeležilo 41, drugega pa 40 strokovnjakov iz cele Jugoslavije. Seminarja sta bila brez kotizacije, stroške organizacije pa je poravnala sodelujoča firma. V primeru, da sem pozabil omeniti še katero pomembno stvar, ali dogodek v preteklem letu, ali pa sem kaj premalo poudaril vas prosim, da mi to oprostite in v naslednji diskusiji dopolnite. Predsednik MIDEM dr. Rudi Ročak MIDEM, Titova 50 Ljubljana Zapisnik 3. sjednice Izvršnog odbora društva MIDEM Miroslav Gojo 3. sjednica Izvršnog odbora MIDKM održana je 24. 2. 1988 godine u Ljubljani s početkom u 12 sati. Prisutni članovi IO MIDEM: J. Cupurdija, M. Damja-novič, M. Gojo, R. Krčrnar, M. Mekinda, V. Pantovič. E. Pirtovšek, R. Hočak, A. Rožaj-Brvar, P. Tepina, ■S. Šolar, M. Slokan, J. Dobeic, ostali prisutni: I1'. Cuk (OSDK), M. Limpel, I. ¿orli (INKO. MIDEM). Odsutni članovi 10 MtDEM: V. Arandjelovič, M. Arba-naš, F. Beravs, Ž. Butkovič, T. Djekov , M.Fili-ferovič, J. Furlan, F. Jan, S. Jovanovič, Aa Keber, D. Kolar, Lj. Pešič, D. Tjapkin, L. Trontelj, N . Stojadinovič , S . Širbegovič , S. Ursič . 52 DNEVNI RED: 1. potvrda zaključaka sekretarijata od 8. - 13. sjednice niče 2. potvrda novih članova 3. izvještaj o radu društva u 1987. godini 3a. Izvještaj OSDK 4. potvrda zaključnog računa za 1987. godinu 5. saziv godišnje skupštine društva 6. program rada za 1988-1989 godinu 7. financijski plan za 1988 godinu 8. potvrdjivanje programsko-organizacijskih odbora savjetovanja 9. imenovanje novog redakcijskog odbora Informacija 10. smjernice i pri jedlo/,i za rad u slijedečem srednjeročno m raz,dobi ju Na predloženi dnevni red ni je bilo primjedbi ni dopuna. /aključak 1.1.: Prihvačaju se; s vi zaključci sekretarijata donešeni u 1987. godini jednoglasno. /aključak 2.1.: 1'otvrdjuju se novi članovi MIDEJM, koji su pristupili v 1987. godini i čija su imena objavljena u Informacijama MI DEM . /.aključak 2.2. : Svim članovima koji su uplatili članarini! šal j« se nova članska iskaznica koja važi do 1.1.1990. godine. /aključak 3.1.: U zima se na znanje izvještaj F. Čuka, predsjednika OSDK koji pot-vrdjuje regularnost rada organa društva /aključak 3.2.: 1'rihvača se izvještaj predsjednika društva R. Ročaka. MIDEM, Ljubljana Titova c. 50 /aključak 3.3.: 1'rihvača se izvještaj A. Roža j - Drvarjev«, članice tO /.adužene za finansijsko poslovanje. Zaključak 4.1.: Prihvača se i potvrdjuje završni račun za 1987. godinu. Zaključak 5.1.: izvršni odbor saziva godišnju skupšti-nu društva u Novo j Gorici, prilikom SD 88. Točan termin odrediti če pred-sjednik društva u dogovoru s organiza-cijsko-programskim odborom savjetovanja SD. Zaključak 6.1.: Prihvača se program rada za 1988. godinu Zaključak 7.1.: Za 1988. godinu odredjuje se članarina u višini 3.000 din. Zaključak 7.2. : Prihvača se finansijski plan za 1988 g. Zaključak 8.1. : Sekretariat društva zadužuje se za imenovanje programsko-organizacijskih odbora slijedeciih savjetovanja i semi- nara. Ta j zaključak donosi se za efi- kasnije organiziranje manifestacija MIDEM. Zaključak 9.1.: Na prijedlog sekretarijata lO imenu.-je za glavnog i odgovornog urednika Informacija MIDEM Iztoka Šorlija, a za tehničkog urednika Janka Čolnarja. Članovi redakcijskog odbora su: Hudi llabič i/. Maribora, Hudi Ročak, Milan Slokan, Pavle Tepina iz Ljubljane i Miroslav Turi »a iz Zagreba. Zaključak 9.2.: Dosadašnjem glavnom i odgovornom uredniku Alojziju Kebru u znak priznanja za dugogodišnje uredjivanje Informacija SSESD i MIDEM dodjeljuje se priznanje zaslužnog člana društva MIDEM. Priznanje se uručuje prilikom godišnje skupštine društva. Zaključak 10.1.: Pozdravlja ju se akcije u pojedinim regionalnim sredinama. Akcije treba formalizirati ako se sazivaju u ime Društva MIDEM sa formiranjem sekcije koja mora biti potvrdjena na sekreta-rijatu društva. Rad sekcije mora biti u skladu sa statutom društva i potrebno ga uvrstiti u izvještaje društva. 53 Zaključak 10.2.: Slično kao sekcije for.miraju se stružne komisije. Zaključak . J0.3.: Dozvoljava se r t; j 11 i 11 (. pozvanih referata u jednom od evropskih stručnih časopisa i ovlaštuje se Ninoslava Stoja-dinoviča za urednika takvih publikacija za MIEL 88 i MIEL 89. U dužoj diskusiji u kojoj su sudjelovali svi članovi društva dano su smjornice rada prndsjcdstvu i sekre-larijalii Dtustva. Mag. Miroslav Gojo, dipl. ing. MFDEM Titova 50 Ljubljana Poročilo o finančnem poslovanju Društva MIDEM za čas od 1. 1.1987 do 31.12.1987 Razlika med izdatki in dohodki v znesku din 1,505.118 IZDATKI plana predstavlja presežek za leto 1987 in se prenese na Pisarniški in režijski mater. 709 774 221 Tiskarske storitve 14 896 392 172 Pogodbe o delu, avt.hon., poslovni sklad 1,000.000 najemnine 4 971 816 157 prihodek za 1988 505.118 Avt.honor. za druge organiz. 10 673 005 - Izobražev., štud.servis 8 837 980 1636 Z velikim naporom smo koledarsko leto zaključili Reprezentanca 455 315 49 s pozitivo. Brez pomoči EZS,ki nam pomaga s Stroški za SDK. 54 026 103 premostitvenimi krediti pa bi bilo to sploh nemogoče. Dnevnice, nočnine za si. potovanja 455 814 93 Zato se EZS kar najtopleje zahvaljujemo. Potni stroški 1 589 369 194 Skupaj 42 643 491 225 DOHODKI: Blagajnik: Članarina 281 000 56 dr. A .Rožaj-Brvar, dipl. ing Posvetov. MIEL 4 040 163 - Kotizacije 13 789 166 - Prihodki od drugih org. 10 673 005 - Sponsorji 13 301 675 190 Dotacije in ostalo 2 .063 600 190 Skupaj 44 148 609 234 54 Program dela Društva MiDEM za leto 1988 Rudi Ročak 1. Nadalje povečati število članov 2. Se boljša ureditev evidenc članstva 3. Akcija zbiranja ažuriranih prijavnic 4. Pritegniti k aktivnemu organizacijskemu delu večje število članov in tako pripraviti temelj za nove organe društva v 1989. letu. 5. Skleniti dolgoročne dogovore o sodelovanju z delovnimi organizacijami-sponzorji 6. Akcija za priznavanje glasila INFORMACIJE MIDEM kot časopisa z znanstvenimi prispevki, ki bi naj bili priznani od jugoslovanskih r a z i s k o v ;:i 1 n i 11 skupnosti 7. Delovanje društva preorientirati širšo v družbi 8. Strokovno sodelovanje z OZD pri izdelavi idejnih projektov 9. Vključiti več članov iz republik, v katerih MIDEM še ni dovolj prisoten 10. Včlaniti več študentov prek posebnih akcij 11. Pričeti z navezovanjem mednarodnih stikov 12. Organizacija posveta MIEL 88 13. Organizacija posveta SD 88 14. Organizacija "Sodobne elektronike" - Sli 88 15. Priprava organizacije posveta MIEL 89 16. Priprava organizacije posveta SD 89 17. Sodelovanje pri organizaciji konference ETAN 88 18. Sodelovan je v manifestaciji MI PIK) 88 19. Organizacij, ! somi nar ji-v Predsednik MIDEM: dr. Rudi Ročak, dipl.ing. 'ada V. M. Kevorkijan 1. Dalje prikupi janje i ob javi jivanje informacija o stanju na području razvoja elektronskih materijala u doniacoj elektronskoj industriji, kao i na institutima i fakull.etima u rubrici "Materijaii u eloktronici i elektrotehnici" u časopisu Informacije MIDEM. 2. Nastavak akcije na termi: Skolovanje kadrova za elektronske materijale u Jugoslaviji a) dostavljanje zaključaka foruma svim učes-nicirna i sire b) pokušaj konkretne realizacije nekih od zaključaka foruma 87. 3. 1'ovezivanje sa institucijama, koje se bave istraživanjem elektronskih materijala i školova-njem kadrova u susednim zemljama i predstavljanje tih institucija u rubrici "Materijaii u elek-tronici i elektrotehnici" u časopisu Informacije MIDEM, kao i eventualno organizovanje struč-nih ekskurzija članova MIDEM. Predsednik komisije: mag. V . M . Kevorkijan, dipl. ing. Institut Jožef Štefan, Ljubljana 55 Finančni plan Društva MIDEM za leto 1988 Finančni predračun za leto 1988 je skromnejši, ker smo se odločili, da bo potrebno še bolje gospodariti. Tako so v finančnem planu fiksni stroški povečani za 100 %, drastično pa moramo zmanjšati stroške za študentski servis. IZD ATKI: Pisarniški in režijski material 1,418^000 Tiskarske storitve 29,792.000 Pogodbe o delu, avt.honorarji 9,942.000 .Študentski servis, izobraževanje,' 2,180.000 Reprezentanca ') 18.000 Dnevnice, nočnine 1,137.000 Potni stroški 3,178.000 Najemnina (EZS) 900.000 SKUPAJ 49,457.000 DOHODKI: Ostanek iz leta 1987 Članarine Sponsorstva Konference in seminarji Sodelovanje z DO SKUPAJ 505.118 2,100.000 41,752.000 4,480.000 630.000 49,467.118 V tekočem letu bomo tudi knjigovodsko ločeno vodili vsako posamezno posvetovanje. Vsako tovrstno dogajanje naj bi se finančno pok lilo. Blagajnik: dr. A .Rožaj-Brvar, dipl.ing. SEMICON-EUROPA '88 Rudi Ročak Strokovno društvo MUHCM je v sodelovanju s kongresnim oddelkom turistične organizacije GENERAL TURIST iz Zagreba organiziralo strokovno potovanje v Ziirich na razstavo SEMICON. Enaindvajset, udeležencev ekskurzije si je od 1. do 3. marca ogledalo novosti na področju opreme za proizvodnjo mik roelektronskih vezij. V osmih razstavnih halah so obiskovalcu sejma, pretežno profesionalci, lahko videli demonstracijo nekaterih naprav, lahko so prediskutirali njihove perf ormance, ali pa se dogovori- li okrog tekočih zadev. Jugoslovanski udeleženci razstave, tudi tisti, ki niso potovali v organizaciji MIDEM, na žalost niso sklepali novih nabavnih pogodb, temveč so bolj iskali rezervne dele za svoje, že zastarele stroje. Srečali pa smo veliko skupino bolgarskih, čeških in drugih vzhodnoevropskih strokovnjakov. Kaže, da bomo tudi v mikroelektronski proizvodnji kmalu bela lisa na tehnološkem zemljevidu Evrope. S strokovnega stališča moram posebej omeniti velik napredek na področju avtomatskih naprav za montažo 56 m ikroelektronskih vezij. Naprave omogočajo izredno fleksibilno proizvodnjo, z vsemi lastnostmi cenene velikoseri jske proizvodnje, tudi že za nekaj sto kosov vezij. 1'rireditev naprave za povsem drugačno ohišje in čip traja vsega nekaj minut. To je pomembno posebej za proizvajalce vezij po naročilu, ki bodo lahko v bodoče hitro in ceneno proizvajali vezja v plastičnih ohišjih, ali pa v plastičnih nosilcih tabletk. Namreč, tudi naprave za zalivanje plastike so narejene tako, da upoštevajo možnost istočasnega zalivanja do osmih različnih tipov okrovov, z majhnimi, relativno cenenimi orodji. Za proizvodnjo rezin je značilen pojav vedno boljših koračnih poravnalriikov in naprav za analizo in kontrolo proizvodnje. Vse bolj čiste in brezpraš-ne kemikalije ter novi načini njihove distribucije v proizvodnji omogoča jo proizvodnjo vezij netra obsežne integracije in pomagajo pri doseganju višjih izplenov v proizvodnji vezij zelo obsežne integracije. Obvladovanje procesnih parametrov in procesne okolice je bila tema tehnične konference. Predavatelji renomiranib proizvajalcev vezij in opreme so imeli naslednja polurna predavanja: "Control Charts in tO Manufacturing: Selection of Siibg roups " K.O.M. Penning de Vries Philips Research Laboratories the Motherlands "Ileal lime Process Control Using Expert Systems" c.l' . I Matt Prosys Technologies, Inc. Minneapolis, MN, USA "Process Control for Ion Implantation in Advanced Semiconductor Manufacturing" C.l!. Varling Applied Materials, Inc. Santa Clara, CA, USA Analysis of Uniformity of Trench Side-Wall Doping by SIMS" T. Takemoto, Y. Hirofuji, PI. Iwasaki and N. Matsuo Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Osaka, .Japan "Stress Control During PECVD of Silicon Nitride Films Using A New Technique" A, Kiermasz, J. Bhardwaj, S. Harrington and A. McQuarrie Electroteeh Special Research Systems Bristol, UK "Contamination Phenomenon on PECVD PSG Films" P. Lacruche, F. Dupre and P. Thuillier SGS Thomson Microelectronic s liousset, France "NAUTILI'S: A Test Shell for Automated Parametric Test Systems" T. Kksedt, M. Dryden and IT. Kaempf Hewlett Packard Co. Palo Alto, CA USA "Double Dyed Positive Photoresist for Enchanc ed Linewidth Measurement Accuracy and Critical Dimension Control" K.I). San Giacomo, W.F. Cordes, III, K.C. Jacovich, I). A. Sawoska, E. Shalom and A.C. Spencer MacDermid, Inc. Waterbury, Connecticut, USA "F.E.S.T (Focus Exposure Stability Test) : A. Method to Keep the Lithography Process Module Constant" A . Eng lisch and D . Westphal Valvo Rohren - und Halbeitwerke der Philips GmbH Hamburg, West Germany "The Calibration and Process Control of Conventional Optical Lithography at the One Micron Scale" B. Martin and A.N. Odell Plessey Research (Caswell) Ltd. Caswell, UK, and 57 ¡'. Jenkins L.S.L. Logic K<>nt, UK "Critical Dimension and Overlay Control For Sub- micron Lithography" II. Ehm and F. Prein Siemens A.C. Munich, West Germany "Holographic Wafet. Inspection" S.P. Bill fit Tnsysterns, Inc. San Jose, CA, USA "The Ultraprecise Measurement of XY Coordinates on Masks" II. FeiiKIt Emst I,Pitz Wetzlar (¡mbH Wetzlar, West Germany "VLSI Metrology U sing an Automatic Beam Scanning Confocal Laser Microscope" ICW. Wijnaenrlts -van-Resandt and Th. Zapf Heidelberg Instruments GmbH Heidelberg, West Germany "The Clean Module - A Fully Automated Approach to Final C leaning, Inspection, and Packaging oi silicon Slices" I). C jo 1 land , P.I). Albrecht, W.C. Krüssel, and F. A. Puerto Monsanto Electronic Materials Co. St. I'etcrs, MO, IJSA "Particle Contamination Monilor" ■ I. Lloyd, N. Mad (locks, and 1. Sinclair Centre for Engineering Research into Contamination Control (CEliCON) University of Technology Loughborough, UK "Analysis of Trace Impurities in Gases Used in the Micro -Electronics Industries" M.J.Gorham, C. Coppe, I. Ellis, liaby and M. Heid Air Products Europe, Crewe, UK, and Sombreffe, Belgium "New Analytical Tools for the Assesment of Metallic Trace Contaminations in Silicon Wafer Technology" I'. Eichinger GeMeTec, Munich, West Germany "Quadropole Mass Spectrometer Applications in the Semiconductor Industry : An Overview" J.A. Koprio Balzers AG Lichten stein "Safety Aspects of Ion Implantation" H. liyssel Frauhofer-Arbeitsgruppe fur Tntegrierte Schal-tungen Munich , West Germany "Decontamination of Exhaust Gases from Semiconductor Processing " E. Lufthardt and H. Jurgensen Aixtron GmbH Aachen, West Germany Plačilo 80 Sfr je bilo za vse poslušalce tehnične konference obvezno. Kot vedno, lahko člani društva M IDIOM dobijo kopije željenih predavanj proti plačilu stroškov kopiranja in poštnih stroškov. S svojo /Mjo se lahko oglasijo pismeno ali po telefonu v tajništvu društva. Dr. Rudolf Ročak Iskra Mikroelektronika Ljubljana, Stegne 15 d STROKOVNA EKSKURZIJA NA MEDNARODNI SALON ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV Pavle Tepina Pariz, od 16. do 20, novembra 1987 Kot vsa leta nazaj, srno tudi na to razstavo, ki je sedaj dobila skrajšan naziv "OOMPONIC", organizirali v sodelovanju z našim tradicionalnim partnerjem - potovalno agencijo INHK - štiridnevno strokovno ekskurzijo. Udeležilo se je je 34 strokovnjakov, v glavnem iz Slovenj je. Na skoraj 70.000 m2 je razstavljalo okoli 1.300 razstavi jnlrev iz skoraj vsega sveta, med njimi Iskra kot edina iz Jugoslavije. Po naknadnih podatkih je razstavo obiskalo 50.000 strokovnjakov, od teh okrog 6.000 inozem-cev. Kako velik pomen ima ta razstava, nam pove dejstvo, da jo j e odprl sam ministrski predsednik Ghirac. Razstavo so spremljala strokovna posvetovanja s'področja polprevodniških tehnologij, polprevodniških čipov in novih trendov na področju integriranih vezij. Posebej pa sta bili zanimivi okrogli mizi na temi: kakovost - za kakšno ceno in japonski izziv zahodni polprevodniški in- dustriji. Na žalost, nismo uspeli dobiti materialov -Zbornikov - s teh strokovnih manifestacij. Čeprav je v tem kratkem sestavku težko navesti vse zanimivosti razstave, naj omenim le, da so bili na njej široko zastopani tudi pasivni elektronski elementi, predvsem elementi za SMO tehnologijo, kar je ob današnji veliki "modi" milcroelektronskih vezij dokaj zanimivo! Zato nič čudnega, če se pojavljajo novi proizvajalci pasivnih elementov. Opazno je povezovanje velikanov elektronske industrije med seboj, kot na primer: Philips - Sony, Motorola - Pairchild, Westinghaus - Mitsubishi - General Klectric. Kot posebnost naj navedem novost kvalitete "bedžov", ki so bili opremljeni z magnetnim kodnim zapisom, kar je omogočilo enostavnejše registriranje obiskovalcev kot tudi enostavno predstavljanje obiskovalcev zainteresiranim firmam. Pavle Tepina Mll)|.; M Ljubljana, Titova o. 50 59 • vesti • vesti • vesti • vesti • vesti • vests • vesti • Nove mednarodne povezave v mikroelektroniki NATIONAL SEMICONDUCTOR, Santa Clara, California, bo skupaj s SIERRA SEMICONDUCTOR in SINGAPORE TECHNOLOGY CORP. investiral 5? 40 milij onov v sin-gapursko tovarno za CMOS ASIC , ki se bo imenovala CHARTERED SEMICONDUCTOR. SGS, MICTROELETTRONIC A , AGRATE, Italija bo v svojem podjetju INNOVATIVE SILICON TECHNOLOGY kombinirala svoje projekte za ASIC s THOMSON SE-MICONDUCTEURS kot del nove firme ST (SGS -THOMSON). INTERNATION AL RECTIFIER, EL SEGUNDO, California je prodal licenco za svojo MOSKET tehnologijo HI-TACHI-ju v zameno za "royalities". MOTOROLA, PIIOKNIX, Arizona in DELCO ELECTRONICS Sta podpisale pogodbo za tehnologijo in razvoj močnostnih vezij za avtomobilsko industrijo. GIGABIT LOGIC, NEWBURY PARK, California je podpisal pogodbo o izdelavi GRAS digitalnih vezij s TACIIONICS. MOTOROLA, PROENIX , Arizona in NATIONAL sta svoj spor okrog logičnih mrež končali s pogodbo o medsebojni zamenjavi tehnologije FACT CMOS. VLSI TECHNOLOGY, SAN JOSE, California in OAK TECHNOLOGY, Santa Clara, California bosta sodelovali v razvoju čipov. MITSUBISHI ELECTRIC , TOKYO, Japonska bo prodajala 32 bitni mikroprocesor firme NATIONAL SEMICONDUCTOR pod lastno oznako. AMD, SUNNYVALE, California je podpisala pogodbo s francosko firmo MICRONAS, NOKIA v proizvodnji čipov za modem in telekomunikacije. MONOUTIC MEMORIES SANTA CLARA, California in LATTICE SEMICONDUCTOR sta svoj spor končali z obojestransko licenco. GE SOLID STATE, SOMERVILLE, New Yersey je podpisala podogbo z IBM za dizajn in proizvodnjo smart - power čipov. SANKEN ELECTRIC, Tokyo, Japonska bo montirala in prodajala HEXFET POWER MOS firme INTERNATIONAL RECTIFIERS. ALLIANCE SEMICONDUCTOR, San Jose, California je podpisala petletno tehnološko pogodbo z NMB SEMICONDUCTOR , Japonska za proizvodnjo 1 M DRAM čipov. PLESSEY, SWINDON, Anglija je kupila Ferran-tijevo polprevodniško tovarno za $ 55 milijonov. Nove mikroelektronske tovarne LSI LOGIC, MILPITAS, California je odprla BICMOS ASIC tovarno v Veliki Britaniji. NEC, TOKYO, Japonska bo pričela s proizvodnjo 1 M DRAM v svoji tovarni na Škotskem. MATSUSHITA ELECTRIC, OSAKA, Japonska bo odprla novo tovarno ASU" v ZDA. APPLIED MATERIALS, SANTA CLARA, California je odprla novo tovarno za Precision CUD 5000 sistem. FUJITSU, TOKYO, Japonska bo gradila tovarno rezin v GRESHAM, Oregon, ZDA za ASIC z začetno investicijo ¥ 10 milijard (cca $ 60 milijonov). MATSUSHITA ELECTRIC, OSAKA, Japonska bo investirala ¡Ž 180 milijonov v tovarno logičnih mrež, standardnih celic in mlkrokompjuterjev. NEC, TOKYO, Japonska bo investirala i? 62 milijonov v 6 inčno linijo v svoji tovarni v Kyushu za proizvodnjo mikroprocesorjev in logičnih mrež; 60 OKI SKMlCONIHiCYOR, TOKYO, Japonska bo investirala £ 150 milijonov za novo linijo v Miyagi, tako da bo imela kapaciteto 15.000 rezin na mesec za 1M ORAM čipe. Novice iz polprevodniške tehnologije CRYSTAL SPECI A LTIES, PORTLAND, Oregon je vpeljala System 412 MOCUD za depozicijo tankih plasti živosrebrnih zlitin. Cena $ 200.000 do £ 390.000. INTRGKATKI) MKASURKMKNT SYSTKMS, Beaverton, Oregon je vpeljala 100 MHz ASIC tester LOGIC M ASTER XI, za testiranje čipov s preko 100.000 krmilnih elektrod in 500 izvodi. Cena je £ 2,50.000 za 128 izvodov. MITSUBISHI ELECTRIC, TOKYO, Japonska je razvila excimer laser steper za 0,4^im slike na 15 x 15 mm2 površine. Steper se ho uporabljal za proizvodnjo I6M URAM čipov. VTCCO, ME I ,V I L LE, Now York je razvila plazomski izvor z elektronsko ciklotronsko resonanco, za svojo MIGROETCII linijo. \SLT, WOODLA NI) HILLS, California ima v svoji SERI.II 600 lotolitografski sistem za izdelavo mask do 0,8 slik. Cena je med £ 830.000 in £ 870.000. AT in T, New York je razvila brezkontaktne konice za testiranje čipov na temelju elektro - optičnih lastnosti litijevega tantalata. GCA, Andover, Massachussets uvaja T 2035 stoper z ekseimer laserjem za 0,5 m ikrometrske slike. NIKON, TOKYO, Japonska uvaja NSR - 1505 EX steper z 0,5 sposobnostjo. ("ena £2,3 milijona, rok dobave 10 - 12 mesecev po naročilu. V ARI AN ASSOCIATED, PALOALTO, California uvaja MODEL 5103 CVD sistem za rezine do 8" in M 2000 naprševalnik. - proizvajalci računalnikov in terminalov so močno povečali svoja naročila čipov A SI C (Angl. Application Specific Integrated Circuits) predvsem na račun tako imenovanih logičnih mrež. Logične mreže so čipi s standardno mrežo osnovnih gradnikov v CMOS tehnologiji. Silicijeve rezine se za vse naročnike izd elujejo enako do kovinskih povezav. Se le pri tej tehnološki o|*T.-iciji (nekje na tri četrtine celotnega proizvodnega ciklusa) se naredi specifična struktura integriranega vezja, ki določa naročniško uporabo črpa. Moderne logične mreže vsebujejo do 100.000 tranzistorjev, tipično pa se jih uporabi okrog 75 % pri konkretnem integriranem vezju zelo velike stopnje integ racije (Angl. VISI vezje). - Svetovna proizvodnja 1 megabitnih dinamičnih spominskih čipov (l)RAM - Angl. dinamie ran dom a-eeess rnemories) ne utegne zadovoljiti vse zahtevke. Cene čipov so zato trenutno 50 - 80 % višje kot pa za isto spominsko kapaciteto s 256 kilobit-nimi vezji. - Ameriški kongres je konzorciju polprevodniških proizvajalcev SEMAJ'ECH odobril 100 milijonov dolarjev državne podpore za skupne tehnološke razvoje. Koliko lahko pričakujejo jugoslovanski proizvajalci -iz Iskre, Ei, R1Z, združeni v jugoslovansko "zajednico" v strokovnih krogih takoimeno-vanega "Matičevega fonda" za spodbujanje tehnološkega razvoja Jugoslavije? Mikroelektronika je sicer v dokumentu o Strateg iji tehnološkega razvoja Jugoslavije postavljena na prvo mesto prvega poglavja, vendar m" znano, če so proizvajalci združeno predlagali kakšen projekt. V strokovnih krogih se govori, da iščejo svojo šanso vsak zase v sodelovanju s svojimi partnerji, ki bodo uporabljali njihove izdelke. 61 - Popolnoma drugače kot v Jugoslaviji se obnašajo na lajvanu. Podobno kot ostale pacifiške dežele tudi Tajvan postaja gigant v polprevodniški industriji. '/e 1986. leta je izvozil za $ 83 milijonov integriranih vezij, v lastni elektronski industriji pa jih je uporabil za 5? 130 milijonov. Zanimivosti iz strokovne literature s področja mikroelektronike Članki so citirani tako, kot jih je izbrala publika-t tja SKM(CONDUCTOR INDUSTRY UPDATE, kratice za časopise pa so naslednje: K - Electronics I', I i - E|r< I rouir Business I'D - Electronic Design KKT - Electronic Engineering Times ION - Electronic News EP - Electronics Products Y EE - Yournal of Electronic Engineering SI - Semiconductor International KST - Solid State Technology ANALOG 1C - S "Novel Architectures, Processes Raise Analog Array Bandwidth" describes how advances in process are bringing wider bandwidth and greater speed to analog arrays, while new architectures allow designers to reach densities of 30.000 active device per sguare inch. The article also provides a review of the major- suppliers af analog arrays and their products. ED Nov., pg. 41. ASIC s "(¡ate Arrays 'Big Problem: They Take too Long to Build" reports that four companies, Laserpath, Lasa, Lasarray and Elron are now using lasers to both write and cut interconnections in order to speed up turnaround times. E Nov. 12, pg. 69. "Gate Array Vendors Push State of the Art" reviews the recent trends in very high-density arrays and asks about the practical problems of testability and routing for such complex devices. EET Nov. 23, pg. T 40 (supplement). "Gate Array Tighten up Logic for 32-bit /Ul'-Bus Interfaces" describes the advantages of gate arrays to fulfill the role of logic ICs used for supply interface control, arbitration, and data porting to high speed bus functions. ED. Nov., pg 69. "GE ASIC Allies Set to Roll" reports on the alliance between GE, Toshiba, and Siemens to promote the Advancell products. EET Nov. 16, pg.l. "ASIC Divs. Turn to Sister Units, Users in Recruiting Systems Engineers" reports thai the shortage of experts with both device and system design knowledge is forcing companies to look everywhere for talents. EN Nov. 30, pg. 1. POWER DEVICES "Power MOSEET Firms Hit by Price Uesistance-Business'riot for the faint - hearted', marketer says, as current tags restrict profits" reports on tin; effect of the competition Ironi bipolar power devices on the power MOSEET manufacturers. EN Nov. 16, pg. 3 (supplement). "The Shrinking dc/dc Converter" reviews the products, suppliers and applications of the devices. EP Nov. 15, pg. 39. GALLIUM ARSENIDE "MIMIC's Next Challenge: Slashing Production Costs" comments an phase one of the Pentagon's endeavor to cut down the cost on GaAs analogic ICs,E Nov. 26, pg. 121. "GaAs ASICs: Does ECL History Repeat?" argues that the impact of computers on ECL usage will have to be repeated for the GaAs logic market to take off, and reviews the current vendors of GaAs ASICs. EET Nov. 23, pg. T18 (supplement). 62 Hie'Vlndustry News" column featured "A Glimpse at 111 s Pilot GaAs facility". SI Nov., pg. 15. Market researcher Frost and Sullivan projects the military GaAs discrete and 1C. market to reach % 1,2 billion in 1992. SST Nov., pg. 20. LOGIC IC's "Pinout Puss Yields Quieter Past CMOS" reports that while the debate rages on the merits of solutions to ground - bounce switching noise suppression, the work of the competing proponents is advancing immunization techniques. E Nov., 12, pg. 32. " I'inout Map Revives following Motorola Pact" reports that Motorola's decision to second source National's Fairclrild PACT line is reviving the center-pin/end-pin ground controversy, EN Nov. 30, pg. 25. "Error-Detecting Chips Aren't Dying after all" reports that as 32-bit microprocessor and large memory devices multiply, i-rror di'ioction and correction devicos arc" becoming popular, with products now offered by Integrated Device Technology, Performance Semiconductor, AMD, ard'lexas Instruments. E Nov. 26, pg. 52. "Europe Set to Propel Use of I'LD" reports on the predictions of market researcher Semstat which put the European PI,I) market annual growth at 31,7 percent, reaching 5< 369, 7 million in 1992. EET Nov. 9, pg. 30. MEMORIES "Why Chips Will soon Kill off Disk Drives" argues that as the cost per m egabyte of silicon memories plummets, solid-state drives are likely to replace disk drives in the early 1990s. Eli Nov. 1, pg.15. Ilere Come the32-b.it East-Cache Memories" describes the flurry of activities and variety of approaches sti i i'( n indi ¡i( | Mm- i l< 'V< lopn h 'ill of cache ui'-ino-rv devices for 32-bit. micropeocessors. EN Nov. 23, pg. 34. "Production Changes to Skirt TI Patents Could Japan DRAM Ramp" reports that efforts by Japanese semiconductor manufacturers to develop alternative fabrication techniques to sidestep Texas Instruments' patents could frustrate yields as manufacturers boost output at MITl's request. EN Nov. 9, pg. 1. "The JEE November issue had a "Spotlighting Memory Devices" feature with the following article: "Video RAM Chips Designed for Computer Graphics-The growing demand for frame buffer im age memory devices and higher resolution displays for computers led 'Toshiba to develop the TC424256/TC524257P 1M-bit CMOS rnultiport DRAM. These chips use a 1,2 um rule, CMOS tripolysilicon single layer A1 process, same as Toshiba's IM-bit standard DRAM" (pg 28), "1M -Bit Field Memory Device for Digital Processing in TV/VCR System-Digital signal processing technology as been applied to TV, VCR and other image processing equipment makes it possible for image media to improve picture and perform additional functions. In order to meet, increasing demand, Toshiba has developed 1.1 le TC521000/ I', a IM-bit device with a high maximum operating frequency of 33 MHz" (pg 32), "Cell Structures of Next Generation-Discussions on the cell structures of next-generation Vlsics are getting heated. The trench structure, which began to be used for the 4M -bit DRAM is considered an almost decisive structure for products up to 16M-bit" (pg. 38). "The Parameter and Design of Large-Memory Size Mask ROM-The Large-capacity 8M-bit and 16M-bit mask ROM chips, the MN238000 and the MN 2316000 with CMOS 1,0 Aim rule have a high-speed access time of 115 ns. They feature a new double-layer polysilicon self-aligned NANI) multi-gate memory cell structure, divided bit. line division and a differential sense amplifier" (pg- 40). JEE Nov. "Semiconductors Abound at JES" reports that the slai;; ol 1.1 u ■ Osaka .1. i pan Elect n ink Show wcrc'IM DRAMS and 32-bit microprocessors. JEE Nov., pg. 55. 63 "Japan Finns'U.S. Arms: 256 K DRAM Tags to Rise" reports that the absence of a gray market and the retarded effect of the easing of trade sanctions will contribute to firmer prices. EN Nov.9, PROCESSORS "Do West Germans Have Fastest 32-bit Design?" describes a microprocessor design combining RISC and (.'ISC features, and operating at 25 MHz with 40-ns instruction cycle time and simulated performance of over 33.000 Dhrystones/s. The device is scheduled to be available in March 1988. E Nov. 26, pg. 48. "Now It's a 32-IUt Battle" reports on the widening competition between Hie major 32-bil. microprocessor suppliers as Motorola and National Semiconductor launch new-generation CPUs combat Intel's encroachment on their territories. EET Nov. 2, pg . 1. "Big Cams Prep 16-liit Microcontroller for Wescon" reports on the beginning of a battle for the projected ^ 100 million 1990 microcontroller market, with Intel, National Semiconductor, and Hitachi, seen as the major contenders. EET Nov. 9, pg. 1. "6800 Kinds .New Homes" reports on the strong Comdex show made by 68000 users Apple, Commodore, ¡Did Atari. EET Nov. 2, pg. 1. "RISC-Vs.-CISC Debate Circles Back to Wescon" reports that Wescon is to be the next stage for the ongoing argument between the proponents of the two microprocessor architectures, with National, Intel and Motorola promoting the CISC approach, and Intergraph and VLSI Technology representing the RISC side. EET Nov. 9, pg. 49. GRAPHIC ICS "What Users Want from Graphics Chips Wendors" rew.iews the procurements of graphics board makers, with flexibility and speed ranking first. EB Nov. 1, pg. 42. "Color Palette D/A Converters Paint a Bright Video Picture" reviews and compares the IM 2110 from Intersil, the Bt461 from Brooktree, the Am 8151 from AMD, the IDT75C458 from Integrated Device Technology, the NE 5150 and NE5152 from Signetics, and other chips from Fairchild, In nios, Motorola, Honeywell and Texas Instruments. ED Nov., pg. 86. "Picking the Right Computer Graphics Chip" reportson forum on graphic ICs organized by Electronic Products which included representatives from AMI), Fairchild, Hitachi, .Intel, National, Texas Instruments among others. EP Nov. 15, pg. 35. OITOELECTHONICS "Optoelectronic Market Shakeout. Widens -Many firms retrench stressing non-visible products to avoid Asia stronghold" reports on the effect of over-supply and the intense competition from the Far-East. EN Nov. 16, pg. 5 (supplement). "Opportunity Knocks for New Optocouplers-Technological progress is adapting optocouplersto higher-performance, more varied, yet lower-costs uses" examines the new applications for opto- couplers. EP Nov. 1, pg. 57 PACKAGING AND MATERIALS "Advanced Surface Mountable Package for VLSI Devices" examines the development of new low-cost packages as part of the quest for a new industry standard. SI Nov., pg. 82. "(jaAs-on-Silicon Technology Scores Advances" describes the statut of the research conducted by Texas Instruments, Oki, IBM, and Kopin. EET Nov. 2, pg. 41. "GaAs on Si Technology" describes a high-temperature prscess developed by OKI to grow high-quality GaAs layers on silicon substrates. SST Nov., pg. 91. 64 GENERAL "Trade Sanctions Seen to be Gutting Japan's Share of Chip Market" according to figures released by Drexel Burnham Lambert which indicates a decline of the Japanese share of the worldwide 1C market from 53,7 percent in July to 52,1 percent in August. E Nov. 12, pg. 21. "U.S. Lifts Tarifs on Japanese TVs, Desktops" reports that the U.S. government removed some of the penalties imposed for violation of the semiconductor trade agreement, while keeping 100 percent duties on desktop computers systems and boards and power tools. LET Nov. 9, pg. (>; EN Nov., 9, pg.l. "MITI Removes Semi Production Gaps" reports that the Japanese Ministry of International Trade and Industry lifted the production guotas imposed on semiconductor manufacturers." EET Nov. 9, pg. 6; EN Nov., 2. Pg 11. "SI A's I'rocassini : ' We Can't. Ik; Wimpy" reports on the aggressive nationalist stance promoted by the president of the Semiconductor Industry Association, with its advice to give preference; to alliances with U.S. instead of foreign companies. EET Nov. 16, pg. 28. ''Japan Rejects European Complaints abound Trade" reports on the rebuttal vioced by the Electronic Industries Association of Japan in response to accusation of EPROM and DRAM dumping on the European market. EEC Nov. 23, pg. 25 "Chip Makers Suddenly bet Nervous" reports that the drop in orders, the stock market situation, and the easing of trade sanctions are leading semiconductor manufacturers to wonder if they have already seen the best of the recovery. E Nov. 12, pg. 40. "Has Silicon Valley Lost its Zing" reports that semiconductor manufacturers have lost the gro\rth leadership to computer companies. E Nov. 12, pg. 127. "A New SOS-Thomson Starts Getting its Act together" describes the formation of the new company with the U.S. based SGS/Mostek operations to take the lead in ASICs, and the possibility of a reentry in the commodity DRAM market. E Nov. 26, pg. 39. "Sematech Isn't out tne Wood Yet." (E), "DOD's Semntech Doubts", "Budget Showdown Looms: Sematech Eunds at Stake" (EET), and "Sematech Funds Face Cut to £ 25 million" (EN) report that the consortium could get only a quarter of the # 100 million needed as a result of Pentagon budget cuts, and that the Department of Defense would like management rights in exchange for funding. E Nov.26, pg. 41; KET Nov. 23, pg. 6; EN Nov. 23, pg. 1. "Sematech Gets J{ 100 M Sendoff" reports that the I louse and Senate have authorized ji 100 million of federal funds for 1988, but deficit-mandated budget cuts are threatening the project. EET Nov. 23, pg. 6. "Sematech 's Challenge: Taking the Long View" reports on the thinking of industry executives taking part in the recent Semiconductor Equipement and Material Institute trade conference. EET Nov. 23, pg. 10. "Should the Military Commercial [Cs?" reports on the debate sparked by the Packard Commission recommendation for widening the usage of commercial devices in military systems, with the reasons for the high cost of military parts not always clear. EET Nov. 9, pg.9. "See more Demand for Designers as Industry Picks Up" reports that the return to profitability is likely to result in increased hiring as capacity ramps up. EN Nov. 30, pg. 40. "Mouse Extends Semicon Copyright Act" for domestic and foreign chips for another four years. EN Nov. 2, pg. 29; EN Nov. 16, pg. 44. "European sales of semiconductor were flat in 1987, and should grow by 13 percent in 1988 to 0 7,09 billion according to Motorola. EN Nov.23, pg. 23. 65 "U.S. Leads World in 87' Semiconductor Growth according to Benn Electronics Publications which puts the 1987. U.S. market growth at 14,3 percent. EET Nov. 23, pg. 28. The October book-to-bill ratio rose to 1,06 from 1,04 in September. EN Nov. 16, pg. 33. Market researcher Henderson Ventures predicts a semiconductor market growth of 16,1 percent in 1987, and 20,1 percent in 1988. SST Nov., pg.20. "'Hie Formation of USA Inc. reviews the consolidation of the U.S. semiconductor industry and the impact on the its world ranking. SST Nov., pg. 33. Pavle Tepina Zagreb, 11.-13. MAJ 1988 Kot smo vas z vabilom k sodelovanju obvestili, bo posvetovanje v Zagrebu, v prostorih hotela Panorama. Opozarjamo vas, da je v vabilu naveden datum napačen. Posvetovanje bo od 11. do 13. maja 1.1. Prosimo vas, da nam to napako oprostite. Na osnovi prispelih povzetkov je v program posvetovanja uvrščeno 123 referatov, od tega 27 iz inozemstva. Zaradi tako velikega števila referatov bodo posamezne referate podajali v 2-3 vzporednih sobah, oz. dvoranah. V eni izmed teh dvoran bodo referate simultano prevajali v angleščino. Poleg tega smo povabili še posebej referente z-naslednjimi uvodnimi referati: Paul < i. A . .lespers - Univei ;dt/ <"aUuili<|ue do l.ouvaiii, l)/A AND A/D CONVERTERS Richard L. Anderson - University of Vermont, USA LOW TEMPERATURE ELECTRONICS Stan. L. Hurst - The Open University, UK VLSI TESTING AND TESTABILITY CONSIDERATION-AN OVERVIEW Velimir Milutinovic - Purdue University, USA MICROPROCESSOR ARCHITECTURE AND DESING FOR GaAs TECHNOLOGY Eihard Sirtl - Wacker Heliotronic, FRG SOLAR CELLS Zvonimir Ogorelec - PMF Zagreb, YU FRESNELIA N SENZORS Ljutica Pesic, Institut Mihajlo Pupin, Beograd, YU REVIEW OF CONDUCTIVITY MECHANISM IN THICK-FILM RESISTORS Kotizacija, ki zajema prisostvovanje na vseh sejah, prcji'm Zbornika referatov, bre/.plačno udeležbo svečanega sprejema in skupne večerje, znaša: vplačana pred 15. aprilom din 100.000 vplačana po 15. aprilu din 120.000 66 Kotizacija se vplačuje na tekoči račun društva MIDEM , Ljubljana številka tekočega računa: 50101-678-74701 Konec marca vam bomo poslali program posvetovanja, kjer boste našli še vse ostale potrebne in natančnejše informacije. Organizatorja posvetovanja sta: MIDEM - Strokovno društvo za mikro-elektroniko, elektronske sestavne dele in materiale - ETAN , Ljubljana Elektrotehniška zveza Slovenije, Ljubljana Soorganizator ji pa so: Republiški komitet za znanost, tehnologi ju i informatiku SRH, Zagreb SOUR Rade Končar, Zagreb RO - RIZ Tvornica poluvo-diča, Zagreb Elektrotehnički fakultet, Zagreb Organizacijski odbor sestavljajo: - predsednik V . Sriča - podpredsednik: V. Kovačec - člani: P. Biljanovič, J. Cupurdija, M. Gojo, S. iMuštra, R. Ro-čak, predsednik MIDEM I. Škunca, M. Turina, S. Ursič, predsednik progr. odbora, O. Vagič, Pavle Tepina, dipl. ing. Strokovno društvo MIDEM, Ljubljana, Titova c. 50 Pavle Tepina letošnji jugoslovanski simpozij o elektronskih sestavnih delil) in materialih bo od 7. do 9. septembra v Novi Gorici v sodelovanju z DO 1SKRA-DELTA. Poudarek simpozija bo na elektronskih sestavnih delih za računalnike. Prijavljena dela bodo prikazana kot posterji. Uvod v posamezne poster - seje pa bodo naslednji povabljeni referati: H. Nemec, Iskra Delta, Nova Gorica: Z 1 ZOBU A Ž K V AN JEM K NOVIM TEHNOLOGIJAM Dj. Koruga, Mašinski fakultet, Beograd: DIZAJN KO M P J UTERS KI H ČIPOVA NA PRINCIPU BIOLOGIJE Z. IKONIO, Elektrotehnički fakultet, Beograd: PRIMENA POLU VODI C Kili KVANTNIH JAMA I SUPER-REŠETKI U ELEKTRONSKIM NAPRAVAMA C. Misiano, Selenia - Italija NOVE TEHNIKE NANOSA TANKIH PLASTI V MIKROELEICFRONIKI IN ORTKI S. Pejovnik, Kemijski inštitut Boris Kidrič, Ljubljana PRIMARNI IN SEKUNDARNI GALVANSKI ČLENI Z Li-ANODO J. Pirš, Inštitut Jožef Štefan, Ljubljana TEKOČEKRISTALNI PRIKAZALNIKI Z VELIKO GOSTOTO PRIKAZANIH ELEMENTOV 67 V. Pantovic', Ei- IRI BETA, Zemun PASTP. mMKNrrm METALA Z A ELEKTRONSKE S/VSTAV NIC DELO VE V, KraSevee, Inštitut Jožef Stefan, Ljubljana ELEKTRONSKA TRANSMISIJSKA MIKROSKOPIJA M A TER IALO V ZA ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE I). Flam, Nikola Tesla, Zagreb POUZDANOST SA,STAVNIH DIJELOVA U TELEKOMUNIKACIJSKIM URED.IA JIM A Organizacijski odbor sestavljajo: Predsednik: M . Kosec Podpredsednik: A. Rožaj - Brvar ('lani: S. A moti, M. Dam ja novic, I'. Jan, R. Krč-mar, M. Limpel, J. Možina-1'odbrščak. B. Nemec, R. Ročak, R. Sarajčič, M. Slo-kan, P. 'Cepina, D. Tjapkin, A. Zalar. Za sodelovanje na simpoziju veljajo naslednji termini: Prijava dela s kratko vsebino: 1.4.1988 Potrditev uvrstitve referata v program 15.4.1988 Skrajni rok prispetja referata 1.6.1988 Program 1.7.1988 Pav le 'Cepina Strokovno društvo MIDEM, Ljubljana, Titova <". 50 KOLEDAR PRIREDITEV 1988 M A J 2,-3. I.KiTERPLATE '88 (POSVET) K ARI.SRljl IE (v DK- .STRKSKMANNAM.UK 15, 6000 FRANKFURT/MAIN 70 11-13 MIEL 88 (16. JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O MIKROELEKTRONIKI) , ZAGREB, MIDEM - Ljubljana, Titova 50) 16 MIPRO 88 OPATIJA (ETAN - RIJEK A ) JUNIJ 5-10. ETAN (32. JUGOSLAVENSKA KONFE RENOIJA ) SARAJEVO (ETAN, Beograd, tel. 011-333 957) 13.-16, FAILURE AND YIELD ANALYSIS SEMINAR GLASGOW (Technology Associates, TLX 706649 (CA, UD) 20.-24. SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY SEMINAR GLASGOW (Technology Associates) 27.-30. FAILURE AND YIELD ANALYSIS SEMINAR MUENC1IEN (Technology Associates) JULIJ 4,- 8 SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY SEMINAR MUENCHEN (Technology Associates) A VGIJST 29,-1. SEPT. ADVANCES IN SIMULATION TECHNOLOGY (SEMINAR) DUBROVNIK (ETAN, Beograd) SEPTEMBER 5.-10 ARTIFIC A I, INTELLIGENCE (SEMINAR) DUBROVNIK (ETAN, Beograd) 7. - 9. SD 88 (JUGOSLOVANSKI SIMPOZIJ O SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH) NOVA GORICA (MIDEM, Ljubljana) 11.-15. ECOC 88 (14. EUROPEAN CONFERENCE ON O P'f IC AI, (C O M M U NIC ATI ON) BRIGHTON (info. VDE) 12-15, EuMC 88 (18. EUROPEAN MICROWAVE CONFERENCE) STOCKHOLM (Swedish Institute of Microelectronics , P.O.Box 1084 S 16421 KISTA ) 68 13. - 16. ESSDKRC 88 (18. EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE) MONTI'ELLIEK (info. VDE) 20-23. YUtiOSLA V-A USTR1AN-HUNGARIAN FOURTH JOINT VACUUM CONFERENCE 1'ORTOROZ (Slovensko društvo za vakuumsko tehniko) LETO 1989 FEBRUAR 1.5-1.7, INFINA 89 (POSVET) KARLSRUHE (info. VDE) 2 1. -23. ESSCIRC 88 (14. EUROPEAN SOLID-STATE cii«:urns c oneerence ) MANCHESTER (info. VDE) OKTOBER MAREC 13-16. GROSSINTEGRATION (POSVET) BADEN-BADEN (Info. VDE) 3.- 5- MIKROELEKTRONIK FUFR DIE INFORMATIONS ■ TECI iN IK BERLIN (info. VDE,) '1, - 5. VUTEI, 88 LJUBLJANA (EZS, Ljuhl jana, Titova r. 50) MAJ 8„- 10, VA KU UMELEKTRON I.K UND DISPLAYS ( POSVET) G ARM ISC I1 - 1'ART EN K . (info VDE) 4,- 5. ESEMEC. 88 LJUBLJANA (Društvo za merilno tehniko, Ljubljana) 10,-12. MfliL 89 (17. JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O MIKROELEKTRONIKT) NIŠ (MIDEM, Ljubljana) 4. - 7. BURN IN AND ACCELERATED LIFE TESTING OF SKM (CONDUCTOR DEVICES SEMINAR AIX-EN-PROVENCE (Technology Associates) <> Si: 88 ( M IKROELEKTRONIK A [N DRUŽBA, FORUM ) BRDO PRI KRANJU (MTDEM) 0-7 ELEKTRONIKA V PROMETU LJUBLJANA (EZS, Ljubljana, Titova c. 50) 10-12 CCC 89 (2. Hungarian Custom Circuits Conference) SZEGED (Mate Secretariat 1055 Budapest, Kossuth L. for 6-8, tel. (1 ) 53 1 406 AVGUST 6-18. VLSI 89 (CONFERENCE OP INTERNATIONAL FEDERATION FOR INFORMATION PROCESSING) MUENGIIEN ( IF II', info. VDE) 0. - 7- RELEJNA ZAsCll'A LJUBLJANA (EZS, Ljubljana, Titova c. 50) 10.-N. SEMICONDUCTOR TE< J I NOLOGY SEMINAR A IX—KN— IW »VHNCK (Technology Associates) 26-29 SIMI'OZU O M JEREN JIM A J MJERNOJ OPREMI SPLIT ( JUKEM-M jeriteljsko društvo Hrvatske, tel. 041- 422 932) NOVEMBER 7 Ga.AS TECI I NIK (GME POSVET) MUENCIIEN (info. VDE) 7 - 8. IKM 88 (13. INTERN ATION A LEI! KONGRES M1KROELEKTRONIK ) M t.IENC IIEN (info. VDE) SEPTEMBER 3. - 7 ECOC 89 (15. EUROPEAN CONFERENCE ON OPTICAL COMMUNICATION) GOETEBORG (info. VDIO) OKTOBER 9„ - 11, EPE (3. EUROPEAN CONFERENCE ON POWER ELECTRONICS AND APPLICATIONS) AACHEN (info. VDE) NOVEMBER 28,-30. EUROPEAN CONFERENCE ON SATELLITE COMMUN , C ATJONS) MUENCHEN (info. VDE) JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI i i t ur 2.88 * prrodni binamo-decimalni kod • pnrcdni binarno-dckadni kod • np^pcflGH SunapHO-fieuMManeH KOA, N3CD- "KCfl * naravne binarno kodirano desetiško število NBCD 4 ® natural binary-coded decimal 2.89 • nedestruktivno očitavanje • nedestruktivno očitavanje • HCfleCTpyKTUBHO OTHHTyB3HsO • nedestruktivno branje NDRO / © nondestructive readout :.90 • N ,';analni M OS • N-kanalni MOS • N-Kananen MOS • N-kanalni kovinskooksidni polprevodnik NMOS • • N-channel meta!-oxide--semiconductor 2.91 • N\Ll (N!L!-ko!o, NI Ll-ope racija) • NIL! • HHflH • NE—ALI, NAL1 NAL1 • not-O'R 2.92 ® NE ..rJE-kolo, NE-operacija) » NE • HE • NE NE • NOT Numerična koda za izražanje desetiških cifer s Stiribi tnimi zlogi, i z-cicLina po naravni binarni kodi. Označuje se kot koda BCD3421. N To je najbolj uporabljena BCD koda v digitalni obdelavi podatkov. Postopek branja iz pomnilnika, pri katerem se pomnjena vsebina ne spremeni, kot je to na primer pri polprevodniških pomnilnikih s statičnimi in skoraj vsemi dinamičnimi celicami. Tehnologija polprevodniških elementov, katerih delovanje temelji na uporabi strukture kovina—oksid—polprevodnik, kier sz za nosilce elektrine uporabljajo elektroni. Ta tehnologija"omegeča izdelavo ' digitalnih vezij z večjo hitrostjo delovanja. Izraz se nanaša na logično opcracijo NALI kot tudi na logično vezje, s katerim se ta operacija izvaja. Logika vezja NALI se izraža z odnosom, da je logična ena na izhodu vezja pogojena z navzočnostjo nič na vseh vhodih in se izraža s funkcijo Y = A + B + C. Izraz se nanaša na logično operacijo NE kot tudi na logično vezje, s katerim se ta opfracija izvaja. Logično vezje NE se izraža z odnosom, da je logična ena na izhodu pogojena z navzočnostjo logične nič na vhodu in se izraža s funkcijo Y = A. Za razliko od drugih logičnih vezij ima vezje NE samo en vhod. JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI 2 3 4 ■ 2.93 • upis bez vračanja na nulu ✓ • (upis) bcz vračanja na nulu • Bninjjysatbe co KOHnamna crpyja • (vpisovanje) brez vračanja na nič NRZ • non rcturn-to-zero Postopek vpisovanja podatkov, npr. v magnetne površinske pomnilnike, pri katerem ostane vrednost vpisnega toka nespremenjena ves čas, dokler se ne spremeni tudi vrednost vpisovanega bita. To se pravi, da ima vpisni tok stalno vrednost ves čas, ko se ponavljajo biti iste vrednosti. 9 2.94 • upis bez vračanja na nulu sa invertovanjem • invertirani (upis) bez vračanja na nulu • BmiujVBahbe co «OHcraHTHa apyja h MHBepru-pahte / • (vpisovanje) brez vračanja na nič z invčrtira-njem NRZ1 • non return-to-zero inverted Postopek vpisovanja podatkov, npr. v magnetne površinske pomnilnike, pri katerem se vrednost vpisnega toka invertira, to se pravi da zamenja logično vrednost pri vsakem bitu, ki ustreza eni. j 2.95 1 • !LI (ILI kolo, ILI operacija) • ILI • urin • ALI i ALI • OR izraz se nanaša na logično operacijo ALI kot tudi na logično vezje, s katerim sc ta operacija izvaja. Logika vezja ALI se izražava z odno- * som, da je logična ena na izhodu pogojena z navzočnostjo logične ene na enem ali več vhodih in se izraža s funkcijo: V = A + B + C. 2.96 \ > » ® impulsno-kodna modulacija • irnpulsno-kodna modulacija • nwnyncHO-KOflHa MOAynaunja, PCM-MOflynaun-¡a • impulzno-kodna modulacija PCM • pulse-code modulation Preoblikovanje analognega signala v diskretne impulze oz. vzorce, katerih velikosti so izražene s kako numerično kodo, ki se dobijo s postopkom analogno-digitalne pretvorbe. Za kodiranje akustičnih signalov se navadno uporablja 7 bitov, a za televizijske 6 do 9 bitov. 2.97 ® proizvod disipacije i kašnjenja v • umnožak disipacije i kašnjenja • npon3BOfl or AMCMnaiinjara vi AOUHeB»eTO • zmnožek moč-zakasnitev, produkt moč-zakas-nitev PDP power-deIay product Parameter digitalnih vezij, ki se dobi z množenjem oddajane moči in zakasnitve. \. Opomba: Zaželeno je, da bi bil čim manjši. Pri sodobnih integriranih vezjih se izražava v pj (pikojoulih). JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI •......i 2 3 4 ! : 1 « progra-nljiva iogička matrica ® 0:091 amirijivo iogičko polje * rporpčMaonnna noruHKa C7pyKTYpa, PLA-CTpyK r. pa ® prcrramabilno logično polje PL A ® programmable logic array 2 .SU « P-kanaini M OS « P-kana!ni M OS o P-KananeH MOS * P-kancini kovinskooksidni polprevodnik i PMOS 0 P-channef metai-oxide--scmiconductor ; 2.1 co 1 i 1 ® proizvod zbirova • umnoiak rbrojeva ® KonjyHKTMGna HopManna ¡JopMa • zmnožek vsot, produkt vsot POS • product of sums 2.101 • programljiva čitačka memorija • programiHjiva ispisna memorija • nporpaMaSunHa OTMMTyB3HK3 ,vewopnja, PROM-Meuopnja V ®. programabiini bralni pomnilnik PROM • programmable read-only memory 2.102 • sabirnica napajanja t • sabirnica napajanja • Hanojna r.iarncrpana • napajalna zbiralka PSB / • power supply bus Matrična struktura kombinacijskega vezja z velikim številom vhodov, pri katerem je omogočeno stolno oblikovanje omejenega števila izhodnih stikalnih funkcij v normalni obliki. Število členov v izhodnih funkcijah je omejeno s številom spremenljivk na vhodu vezja, vendar nalaga ekonomičnost uporabe, da se uporablja majhno število poljubno izdanih členov. Tehnologija polprevodniških elementov, katerih delovanje temelji na uporabi strukture kovina—oksid—polprevodnik, kjer se uporabljajo vrzeli kot nosilci elektrine. Odlikuje se z enostavnim postopkom pri izdelovanju integriranih elementov. Normalna oblika preklopne funkcije, ki ima logični zmnožek logičnih vsot, katerih vrednosti so enake nič. Označuje se tudi kot KNF (konjuktivna normalna forma). Primer: f(A, B, C) = (A + 8 + C) - (A + B) • A Polprevodniški pomnilnik, pri katerem obstoji možnost vpisovanja stalnega programa, vendar to le enkrat, nato pa se more ta program le brati. Zato je programirani PROM pomnilnik dejansko pomnilnik ROM. Tehnična izvedba pomnilnika PROM ima za osnovo kombina-cijska vezja. -------—,—---,---,--------- Skupek vodov, prek katerih je elektronska naprava povezana z napajalnimi virj,\ki zagotavljajo potrebne napetosti, kot so: Ucc> U0B, Unn,U__ in druge. Ti vodi se navadno izdelajo v obliki trakov. JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI 1 2 I 5 4 1 2.103 • proizvod disipacije i kašnjsnja • umnožok disipacije i kašnjenja • npon3Boa OA AvtcunauujaTa n SpiviHaia • zmnožek moč-hitrost, produkt moč-hitorst PSP • power-speed product Parameter digitalnih vezij, ki se dobi z množenjem oddajane moči in hitrosti delovanja oz. zakasnitve v vezju. Opomba: Zaželeno je, da bi bil čim manjši. Pri sodobnih integriranih vezjih se izražava v pj (pikojoulih) (glej t. 2.97). 2.101 i______ ■■2. i 05 1 i • četvororedno kučište • četverolinijsko kučište • HeTnpMpeflHO KVKMiiJTe, QU1 L-KyKmiiTe • ftinvrstna izvedba QU1L ® quad-in-iine package Integrirani polprevodniški element, pri katerem so priključki nameš- t čeni na obeh daljših straneh ploščice pravokotno na njo, in to v po dveh nizih, tako da tvorijo štiri vrste. Navadno imajo 48 priključkov, po 12 v vsaki vrsti. Uporablja se za izdelavo vezij z integracijo visoke stopnje. • merncrija sa direktnim pristupom • memorija s izravnim pristupom « «ovopnja co AnpeKTeH npucran, RAM-mcmo--puja • pomnilnik z naključnim dostopom ........ ' RAM • random-access memory Pomnilniški sistem z lokacijskimi naslovi, pri katerem je za vpisovanje ali branje podatkov vsaka lokacija dostopna neposredno oz. direktno in ob istem času. Ti pomnilniki se odlikujejo s kratkim dostopnim in ciklusnim časom. f' \ 2. ICS * upis sa vračanjem na pretpolarizaciju * upis s vačanjem na pretpolarizaciju * 3nt'.ujyBaH>e co Bpaie koh npeAnonapn3a-unjaia * vračanje na potarizacijsko vrednost RB ® return-tQ-bias Postopek vpisovanja podatkov, npr. v magnetne površinske pomnilnike, pri katerem se vrednost vpisnega toka po vsaki vpisani eni vrača si- na nivo precfjbolarizacije pomnilniškega medija. 2.107 4 • otporno spregnuta tranzistorska logika ® otporno vezana tranzistorska logika • o:nopHHMKO-TpaH3ncTOpci