SSESD: Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelek-troniko in materiale pri Jugoslovanski zvezi za ETAN Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelek-«- troniku i materijale kod Jugoslavenskog saveza za ETAN 1985 LJUBLJANA, JUNIJ-JUN 1985, LETNIK-GODINA 15, ŠTEVILKA-BROJ 34 INFORMACIJE SSESD Izdaja trimesečno Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale pri Jugoslovanski zvezi za ETAN Izdaje tromjesečno Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroeiektroniku i materija-le pri Jugoslavenskom savezu za ETAN Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Člani izvršnega odbora SSESD Članovi izvršnog odbora SSESD Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Podpredsednik Tajnik — sekretar Alojzij Keber, dipl. ing. Mag Milan Slokan, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Prof dr Petar Biljanovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar, Zagreb Mag Marko Hrovat, dipl. Ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Dr Sveto Jovičič, dipl. ing. — Beograd Franc Jan, dipl. ing. — Iskra — IEZE, Šentjernej Dr Evgen Kansky, dipl. ing. — IEVT, Ljubljana Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mr Vlado Pantovič, dipl. ing. — €i — IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing, — Mihajlo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra — IEZE, Ljubljana-Stegne Mr Ljubiša Ristič, dipl. ing. —• Ei — Tvornica poluvodiča, Niš Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra — Mikroelektronika, Ljubljana-Stegne Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — Iskra — Avtoelektrika, Ljubljana Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mag Drago Škrbinc, dipl. ing. — Iskra — IEZE, Ljubljana-Stegne Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing. — Rade Končar, Zagreb Naslov uredništva Adresa redakcije Uredništvo Informacije SSESD Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886 Člani SSESD prejemajo Informacije SSESD brezplačno Članovi SSESD primaju Informacije SSESD bes-platno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210—56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 1000 izvodov Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210—56/79 od 2. 2. 1979 je publikacija oslobodena poreza na promet. Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 1000 komada SinOkOVMA SEKCIJA ZA ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE, KCifiOKtJKT :C,.IKO iN MATERIALE PRI JUGOSLOVANSKI ZVEZI ZA ETAN — LJUBLJANA. TITOVA 50 Spoštovani! Čeprav smo prepričani, da že poznate dejavnost sekcije SSESD, bi vas želeli ponovno na kratko seznaniti z njenimi glavnimi cilji in vse, ki niste člani naše sekcije vabimo, da se vanjo včlanite. Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale (SSESD) pri Jugoslovanskem združenju za ETAN (prej Zvezni strokovni odbor za elektronske sestavne dele in materiale - SSOSD - pri nekdanjem Jugoslovanskem komiteju za ETAN) je strokovno-družbena organizacija, ki uresničuje cilje ETAN-a z naslednjimi dejavnostmi: - zavzema se za strokovno izpopolnjevanje inženirjev in tehnikov s področja raziskav, razvoja, proizvodnje in porabe elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike in materialov - organizira posvetovanja, seminarje in podobne akcije - izdaja svoje informacije ter strokovna in organizacijska obvestila - organizira strokovne skupine v posameznih industrijskih bazenih - popularizira in vzpodbuja razvoj, proizvodnjo in uporabo elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike in materialov domače proizvodnje - organizira strokovne ekskurzije - sodeluje s sorodnimi organizacijami doma in na tujem Člani sekcije imajo naslednje ugodnosti: - 10 %-ni popust na vse publikacije sekcije in na kotizacijo strokovnih posvetovanjki jih sekcija organizira - brezplačno prejemajo informativni list "INFORMACIJE SSESD" - redno so informirani o dejavnostih sekcije - na razpolago jim je brezplačno interna knjižnica sekcije - z včlanjenjem v SSESD postanejo avtomatično tudi člani ETAN-a Dolžnost članov je, da v svoj i delovni organizaciji in regiji izvajajo in uresničujejo cilje ETAN-a in sekcije ter s svojim strokovnim povezovanjem in delovanjem pomagajo pri tehnološkem razvoju družbe in dežele . V prilogi vam pošiljamo prijavnico za člana sekcije SSESD s prošnjo, da jo izpolnjeno čim preje pošljete na naslov: SSESD - Elektrotehniška zveza Slovenijo 61000 Ljubljana, Titova 50 Sekcija ima svoj žiro račun pri Elektrotehniški zvezi, zato letno članarino v znesku din 200,~_ vplačajte na naslov: Elektrotehniška zveza Slovenije, št.žiro rač .: 50101-678-48748 za SSESD. Ko borno prejeli vašo izpolnjeno prijavnico in vplačano članarino, vam bomo poslali člansko izkaznico. Za zamudnike iz prejšnjih razglašamo "amnestijo", vendar če želite še nadalje ostati naš član vas prosimo, da člansko obveznost vplačila članarine čimprej izpolnite, preden vas bodo dnevni problemi in vaše delo prisilili, da na to pozabite. Prosimo vas, da o akciji za včlanjevanje v sekcijo obvestite tudi tiste vaše sodelavce, ki morda niso dobili našega obvestila! Vse dodatne informacije dobite po telefonu: (06l) 316 886 ali pa (06l) 572 007. S tovariškirni pozdravi Predsednik SSESD: Dr. Rudi Ročak, dipl.ing. STROKOVNA SEKCIJA ZA ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE, MIKROELEKTRONIKO IN MATERIALE P HI JUGOSLOVANSKI ZVEZI ZA ETAN — LJUBLJANA. TITOVA 50 Poštovani! lako smo ubedjeni da vam je delatnost sekcije SSESD poznata, ipak bismo želeli da vas u kratko upoznamo sa njenim osnovnim diljevima. Sve vas, koji do sada još niste član naše sekcije pozivamo da se u nju učlanite. Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materijale pri Jugoslovenskom savezu za ETAN (nekadašnji Savezni stručni odbor za elektronske sastavne delove i materijale pri Jugoslovenskom komitetu za: ETAN) je stručno-društvena organizacija, koja sprovodi u delo ciljeve ETAN-a sledečim delatndstima: - teži za stručnim usavršavanjem inženjera i tehničara iz područja istraživanja, razvoja, proizvodnje i primene elektronskih sastavnih delova, mikroelektronike i materijala - organizuje savetovanja, seminare i slične akcije - izdaje svoje informacije te stručna i organizaciona obaveštenja - organizuje stručne grupe u pojedinim industrijskim bazenima - popularizira razvoj, proizvodnju i primenu elektronskih sastavnih delova, mikroelektronike i materiala domače proizvodnje; - organizuje stručne ekskurzije - saradjuje sa srodnim organizacijama u zemlji i inozemstvu Članovi sekcije imaju sledeča prava: - 10 %- ni popust na sve publikačvje sekcije i na kotizaciju za stručna savetovanja, koje organizuje sekcija i - informativni list "INFORMACIJE SSESD" dobijaju besplatno - redovno su informisani o delatnosti sekcije - imaju pravo na besplatno koriščenje interne knjižnice sekcije - učlanjenjem u sekciju postaja automatski i članovi ETAN-a Dužnost članova je pre svega, da u svojoj radnoj organizaciji i regiji sprovode u delo ciljeve ETAN-a i sekcije, te da svojim stručnim povezivanjem i dejstvovanjem potpomogna tehnološki razvoj društva i zemlje. Molimo vas da popunjenu prijavnicu Sto prije pošaljete na adresu: SSESD - Elektrotehniška zveza Slovenije 61000 Ljubljana, Titova 50 Sekcija koristi žiro račun Elektrotehniške zveze. Molimo vas da godišnju članarinu od din 200,00 uplatite na žiro račun Elektrotehniška zveza Slovenije, br. 50101-678-48748 za SSESD. Po prijemu ispunjene prijavnice i članarine, poslačemo vam člansku legitimaciju. Za sve, koji u proteklim godinama niso uplačivali članarine, proglašavamo ' amnestiju" . Ijkoliko bi želeli ostatO dalje član sekcije, ispunite ponovo prijavnicu, te što prije uplatiti članarinu, dok vas vaši tekuči problemi i rad ne bi toliko okupirali, da bi ponovo zaboravili na uplatu! Molimo vas da o našoj akciji za učlanjivanjc obavestite i one vaše suradnike, koji mcžda nisu primili naše obaveštenje. Sve dopunske informacije možeto dobiti na telefon (061) 316 886 ili (06l) 572 007. S drugarskim pozdravima, Predsednik SSESD: Dr. Rudi Ročak, dipl.ing. Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale - SSESD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN, Ljubljana, Titova 50, telefon: (061) 316 886. PRIJAVNICA ZA ČLANA SSESD (Izpolnite z tiskanimi črkami in označite ustrezne odgovore) (Ispunite štampanim slovima i označite odgovarajuče odgovore) 1. Priimek in ime Prezime i ime 2. Datum rojstva Datum rodjenja 3.Izobrazba Naobrazba , »dijak , . študent , , . . . • višja , . . , , . ... 1—I učeni k L) študent U Srednja LJ viša LJ V1S°ka |_J magisterij >—' obrazovanje i—1 7. Programska specijalizacija 7.1 . elementi in materiali elementi i materijali j_J pasivni elektronski elementi , . diskretni polprevodniki I—J diskretni poluvodiči U integrirana vezja (monolitna in hibridna) integrirani sklopovi (monolitni i hibridni) optoelektronski elementi materiali 1_I materijali U senzorji senzori j_j ostalo . 7.2. naprave in sistemi uredjaji i sistemi U telekomunikacije j_| industrijska elektronika merilno-regulacijska tehnika I_I mjerno-regulaciona tehnika računalništvo I_I računarstvo avtomatika I_1 automatika zabavna elektronika bela tehnika i_I bijela tehnika Li ostalo 8. Leto včlanitve v SSESD: Godina učlanjenja u SSESt) 9. Vaša dosedanja udeležba v akcijah SSESD: Vaše dosadašnje sudjelovanje u akcijama SSESD: , , posvetovanja,simpoziji I—I savjetovanja,simpoziji U strokovna potovanja stručne ekskurzije !_1 aktivno delovanje (v odboru,komisijah , , občasne zadolžitve) i—I aktivni rad (u odboru,komisijama) 10. Vaša pripravljenost za aktivno sodelovanje v SSESD Vaša spremnost za aktivnu suradnju u SSESD posvetovanja, simpozij i savj etovanj a, s impo zij i strokovna potovanja U u stručne ekskurzije !_i aktivna delovanje (v odboru, komisijah občasne zadolžitve) LJ aktivni rad (odbori,komisije) dopisnik v list SSESD dopisnik u listu SSESD U u ostalo Ü nobena oblika udeležbe nikakav oblik aktivnosti i . dopisnik v list SSESD ■—' dopisnik u listu SSESD U u ostalo ne morem oceniti nemogu ocijeniti 11. Naslov člana Adresa člana Ulica......... Postna številka Poštanski broj Telefon Kraj ' Mjesto ' 12. Naslov delovne organizacije: Adresa radne organizacije: Ulica..................... Poštna številka Poštanski broj Telefon................... Kraj M j esto' 13. Obvestilo želim prejemati na naslov: Obavijesti želim primati na adresu: DO LJ R O stanovanj a stana S svojim podpisom potrjujem da bom redno plačeval letno članarino SSESD. Svojim potpisom potvrdjujem da cu uredno plačati godišnju članarinu za SSESD. Kraj Mjesto Datum Datum Podpis Potpis VSEBINA — SADR2AJ Rudi Ročak DRAGI ČLANI! Stanko Šolar POZIV ČLANOM K SODELOVANJU Alojzij Keber MIKROELEKTRONIKA JE POSTALA VELIKA IGRA SVETOVNEGA ŠAHA, KI ZAHTEVA PRAVE IGRALCE 41 Franc Runovc XIII. JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O MIK RO ELEKTRO NIKI MIEL 85 - LJUBLJANA, 8. - 10. maj 1985 45 Stanko Šolar PODELITEV PRIZNANJ SSESD OB OTVORITVI POSVETOVANJA MIEL 85 47 Rudi Ročak DR FRANC RUNOVC - ZASLUZNI ORGANIZATOR MIEL 85 48 Rudi Ročak SEMICON/EUROPA 85 49 Franc Jan, Darko Belavič 5. EVROPSKA KONFERENCA O HIBRIDNI MIK RO ELEKTRO NIKI 50 Andrej Pregelj OBČNI ZBOR DRUŠTVA ZA VAKUUMSKO TEHNIKO SLOVENIJE 53 Kevorkijan Varužan KONSTRUKCIJA VIŠESLOJNOG GORIONIKA ZA BOČNU HEMIJSKU DEPOZ1CIJU I UTVRDJIVANJE PARAMETARA PROCESA 54 Stanko Šolar MOČNOSTNA DIGITALNA IN ANALOGNA INTEGRIRANA VEZJA 60 M. Pejovič, D. Zlatanovič, A. Živkovič, S. Golubovič PRIMENA NAGRIZANJA PLAZMOM U PROIZVODNJI INTEGRISANIH KOLA 64 Igor Pompe SASTAVNI DIJELOVI ELEKTRONIČKIH APARATA I UREDJAJA 73 Marijan Štele POMEN TEHNOLOŠKIH IN POSLOVNIH INFORMACIJ V GOSPODARSTVU 83 Rudi Ročak SEMINAR O NAČRTOVANJU MIKROELEKTRONSKIH VEZIJ S POMOČJO LOGIČNIH MREŽ 85 Pavle Tepina POSVETOVANJA, KONFERENGEINSIMPOZI.il 83 Strokovne informacije o proizvodih s področja elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike in materialov NAČRTOVANJE OBŠIRNIH INTEGRIRANIH VEZIJ MOS NA OSNOVI LOGIČNIH MREŽ 88 DRAGS C LAN i ! Verjetno ste bili ob prejšnji številki naših INFORMACIJ SSESD prijetno presenečeni z novo obleko, ki si jo je glasilo nadelo. Upam, da se bo presenečenje s to številko nadaljevalo, saj je uredniški odbor skušal izboljšati ob prijetni zunanjosti tudi vsebino. Želja, da naše glasilo ostane glasilo članstva, vendar, da dosežemo tudi visok strokovni nivo objavljenih prispevkov, se počasi uresničuje. Pozitivna reakcija članov in ostale strokovne javnosti ob izidu letošnje prve številke je največja vzpodbuda za vse člane odbora. Sedaj si želimo še čim več vaših prispevkov. Pričela se je tudi akcija včlanjevanja v našo sekcijo. Vsak član naj včlani vsaj dva nova člana. Obenem bi prosil, da vsi člani ponovno izpolnijo prijavnice, ker bi s tem ažuri- rali naše podatke o članstvu. Hkrati bi vas prosil, da to storite vsakokrat, ko se vaši podatki bistveno spremenijo (sprememba naslova, podjetja, izobrazbe, dejavnosti). Na ta način se bomo izognili pošiljanju obvestil na neprave naslove. Vem, da je vaš čas dragocen, da ste vedno v časovni stiski, zato predlagam, da takoj ko boste odložili to branje4zP°lnite prijavnico in jo odpošljete. Pa še na članarino ne pozabite! Vsem lep pozdrav Dr. Rudi Ročak, dipl.ing. Predsednik SSESD Ljubljana poziv Članom k sodelovanju Že v 31. in 32. številki "Informacije SSESD" smo objavili poziv k sodelovanju pri oblikovanju vsebine našega lista. V tem času se je izoblikovala nova zunanja podoba, žal pa s staro vsebino, ker nismo prejeli nobene kritične pripombe , prispevka ali spodbude za nadaljnje delo. Ob posvetovanju MIEL 85 je bilo slišati nekaj spodbudnih besed o novi obliki, toda "obleka" je le vmesni člen pri izpopolnitvi našega lista. Že nekaj let nazaj so člani Izvršnega odbora SSESD iskali in oblikovali nove vsebinske rešitve s ciljem napraviti "Informacije SSESD" privlačne in dostopne širšemu krogu nastajajočih in že delujočih strokovnjakov. Prepričani smo, da je jugoslovanski prostor dovolj velik in teme za naše glasilo izredno pomembne za nadaljnjo rast te veje gospodarstva, brez katere si bližnje prihodnosti sploh ne znamo predstavljati. Zato moramo uporabiti vso razpoložljivo energijo in aktivirati ves naš strokovni in izobraževalni prostor za uresničitev zastavljenih nalog. Na naših strokovnih srečanjih pogrešamo uporabe elektronskih in mikroelektronskih sestavnih delov in materialov, ki bi jih morali vključevati v raziskave in razvoj. S to razširitvijo bi pridobili zanimivo strokovno gradivo za širši krog bralcev, saj so ravno uporabniki tisti, ki narekujejo potrebe po novostih, le da je njihov krog preveč ograjen. Predvidevamo, da bi z ustanovitvijo "Komisije z;a uporabo elektronskih in mikroelektronskih sestavnih delov in materialov", ob pomoči aktivnih članov SSESD pridobili zanimiva gradiva za "Informacije SSESD" za daljše obdobje. Sočasno bi morali iskati strokovne sodelavce - uporabnike elektronskih sestavnih delov - v odraščajoči mladini ter jim omogočiti aktivno vključevanje v naše delo. Vse, ki so pripravljeni pomagati pri oblikovanju novega pristopa in usmeritve "Informacije SSESD" v vseh geografskih področjih, prosimo za pomoč s ciljem doseči popolnejši elementaški jutri. Stanko Šolar SSESD, Ljubljana MIKROELEKTRONIKA JE POSTALA VELIKA IGRA SVETOVNEGA ŠAHA, KI ZAHTEVA PRAVE IGRALCE Alojzij Keber Prav gotovo se boste začudili, ko boste prebrali gornji naslov. Kaj neki ima mikroelektronika opraviti s šahom? Ne, nimamo namena razglabljati o tej povezavi. Gornji naslov je le ena izmed mnogih misli, ki so bile javno izrečene ob otvoritvi 13. jugoslovanskega posvetovanja o mikro-elektroniki MIEL 85 8. maja 1985 v Ljubljani. Čeprav vemo, da so:otvoritveni in pozdravni govori dostikrat zaradi prazničnega vzdušja olepšan oris realnosti, do neke mere vendarle dobro kažejo na dogajanja v družbi. Tako projekcijo mikroelektronike v našo družbo in naše mikroelektro-nike v svetovni prostor smo slišali v otvoritvenih govorih na MIEL 85 v Ljubljani, pa je prav, da jih v nekoliko skrajšani obliki posredujemo širši strokovni publiki. Prvi je navzoče pozdravil v imenu organizacijskega komiteja MIEL 85 Mag. Ivo Banič, dipl.ing. , direktor Iskre-Mikroelektronike: "V veliko veselje mi je, da vas lahko pozdravim v imenu organizacijskega komiteja. Želel bi poudariti, da daje mesto Ljubljana, kakor tudi prireditelji temu posvetovanju poseben pomen, posebno zaradi okoliščin, v katerih danes živimo in v katere zremo v bližnji bodočnosti. Zavedamo se, da je mikroelektronika ena od infrastrukturnih kategorij tako v industriji kot v ostalih vejah življenja in da je seveda jugoslovansko in slovensko gospodarstvo usodno vezano tudi na to infrastrukturo. Seveda želimo ravno s tem posvetovanjem in takimi posvetovanji poudariti to spoznanje, ki je danes prisotno tako v industriji, je bilo pa že vedno prisotno v znanosti. Mi tudi zelo upamo, da bo v naših upravnih organih to spoznanje prodiralo z ustrezno naglico in da bo podpiralo tudi naša prizadevanja. Mislimo, da je prestrukturiranje industrije danes osnovno vprašanje in mislimo, da mora mikroelektronika pri tem odigrati ustrezno vlogo. Napotila, izhodišča in tudi prispevke s tega področja seveda pričakujemo v glavnem od vas, ki ste zbrani v tej dvorani, ker je tukaj manj ali več zbrana tista strokovna publika, ki v jugoslovanski mikroelektroni-ki nekaj pomeni. Na koncu bi rad poudaril še to, da posvetovanja MIEL kažejo čedalje večjo odprtost proti svetu in postajajo čedalje bolj mednarodna, kar naj bi seveda podčrtalo to, da je tu- di pri nas končno prodrlo spoznanje, da je tehnologija svetovna dobrina in da jo je treba v tej luči tudi gledati". Sledil je pozdrav predsednika SSESD, dr. Rudija Ročaka, dipl.ing.: "Letošnje 13. jugoslovansko posvetovanje o mikroelektro-niki nadaljuje tradicijo vsakoletnih posvetovanj o problematiki mikroelekironske in širše polprevodniške industrije. Prikazu dosežkov v razvoju in proizvodnji jugoslovanske polprevodniške industrije ob sedemintridesetih referatih se pridružuje še sedeminpetdeset referatov iz tujine. Velika udeležba strokovnjakov iz Amerike, Azije, Afrike in Evrope je dokaz, da posvetovanje MIEL postaja priznano svetišče industrijskih raziskovalcev s področja mikroelektronike. Obenem je to dokaz, da Jugoslavija zmore tudi v času gospodarskih nasprotij in raznih tehnoloških embar-gov s svojo neuvrščeno politiko ustvariti dialog med vzhodom in zahodom, jugom in severom. Razstava opreme in materialov bo letos popestrila sicer znanstveni karakter posvetovanja, zato se zahvaljujem vsem razstavljavcem za njihov prispevek. Posebej se v imenu vseh organizatorjev zahvaljujem povabljenim referentom, da so sprejeli obvezo, da v daljših referatih podajo pregled posameznih aktualnih področij stroke. Pozdravljam vse goste, ki s svojo prisotnostjo na tej otvoritvi dokazujejo interes naše družbe za dosežke moderne tehnologije, vsem referentom in udeležencem posvetovanja pa želim uspešno delo in prijetno bivanje v Ljubljani". Rado Faleskini, dipl.ing. , član KPO SOZD Iskra je v imenu SOZD Iskra razgrnil pred strokovno publiko nekatere Iskrine poglede na mikroelektroniko: "Danes, ko prireja strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale pri jugoslovanski zvezi za ETAN 13. posvetovanje, lahko ugotovimo, da smo tudi v Iskri uspeli skupaj z zunanjimi strokovnimi institucijami zgraditi kompletno inovacijsko verigo na področju proizvodnje in uporabe mikroelektronike. Ta veriga obsega: - raziskovalne kapacitete 42 - razvojne kapacitete - organizacijo - motivirane in kompetentne kadre - trg in plačilno sposobno povpraševanje - proizvodne kapacitete z ustreznimi resursi, to je osnovnimi sredstvi, napravami, stroji, obratnimi sredstvi Tudi okolje, kot pomemben člen inovacijske verige, je zainteresirano za razvoj in daje podporo. Danes je to okolje še pretežno Iskrino, vse bolj pa se širi interes za mikro-elektroniko tudi izven Iskre. To pomeni, da smo zgradili osnovne pogoje, da vaše inven-cije, rezultati vašega strokovnega dela, lahko postajajo inovacije. Z zaključeno izgradnjo II. faze je delovna organizacija Iskra Mikroelektronika usposobljena za postopke načrtovanja, procesiranja, testiranja in montaže v glavnih inačicah M OS tehnologij z minimalno ločljivostjo 4 do 5 yUm. Njena glavna orientacija je na vezja po naročilu« čeprav del trenutne proizvodnje obsega tudi nekatera standardna vezja. 11. faza se trenutno dopolnjuje z intenzivno izgradnjo računalniškega sistema za načrtovanje, ki bo bistveno pripomogel k večji uporabi v sistemskih delovnih organizacijah Iskre in drugih potencialnih uporabnikih vezij izven njih. Na ta način je pričakovati močno povečanje naročil vezij na osnovi logičnih mrež in vezij po specifičnih zahtevah. Zaradi velikega svetovnega povpraševanja obstajajo velike možnosti za direktni izvoz vezij, čeprav je osnovni motiv predvsem izvozna sposobnost sistemov (teleinfor-matike, avtomatizacije, strojne opreme itd.), v katere Vgrajujemo domača vezja. Delovna organizacija Iskra Mikroelektronika šteje ob koncu leta 1984 cca. 250 zaposlenih, od tega jih ima 25 % visoko izobrazbo. Njena zmogljivost je trenutno 25.000 pro-cesiranih rezin vezij na leto; leto 1984 bo zaključila s cca. 670 milijoni celotnega prihodka, pri čemer bo preko poslovnih povezav s pomembnimi svetovnimi firmami ustvarila tudi 0,5 mio # izvoza. Tu je treba še posebej omeniti intenzivno tehnološko povezanost z glavnim partnerjem, firmo AMI (American Microsystems Inc.) iz "Silicijeve doline" v Kaliforniji, od katere smo pridobili temeljno proizvodno licenco ter pomembna programska orodja za moderno načrtovanje, z njo pa sodelujemo tudi na nekaterih skupnih razvojnih aktivnostih, pri medsebojnih doba- vah itd. , nudili smo jim tudi že naš "know how" za nekatera zanimiva vezja. Dobro poteka sodelovanje tudi z drugimi znanimi hišami (ITT, SGS-Ates, AMI Graz, Motorola itd.), ki se zelo zanimajo za naše načrtovalske in procesne zmogljivosti. Potreba tesnih stikov zlasti z glavnim izvorom najmodernejših tehnologij. Silicijevo dolino, je vzrok tudi za otvoritev podružnice Iskrine ameriške firme (Iskra Electronics New York) še v Santa Clari na zahodni obali ZDA, kjer potekajo poleg tržno-poslovnih tudi nekatere tehnološko-razvojne aktivnosti, ki jih je mogoče zaradi obilja najnovejših informacij in ustrezne opreme časovno mnogo hitreje realizirati. Hkrati pa je to tudi možnost praktičnega izobraževanja naših mladih načrtovalcev in procesnih inženirjev, ko občasno delujejo v tem izredno vzpodbudnem tehnološkem okolju. Celotne dosedanje investicije v sedanji proizvodni in načr-tovalski potencial znašajo po oceni v današnji vrednosti vec kot 4.5 milijard dinarjev. Skoraj vsa ta sredstva, bodisi kot združeno lastno udeležbo ali pa kot odplačila kreditov, pokrivajo organizacije Iskre v glavnem na podlagi internega samoupravnega sporazuma o združevanju sredstev in o odplačilu anuitet za mikroelektror.iko. V celoti pokriva Iskra tudi vse obveznosti iz inozemskih kreditov za opremo. Treba pa je reči, da je razvoj uporabe mikroelektronskih vezij zaostajal za zmogljivostjo proizvodnje lastnih vezij, čeprav se ta zaostanek hitro zmanjšuje. Vzrok je predvsem v nezadostnem kadrovskem potencialu, ki bi bil izobražen za načrtovanje vezij pri uporabnikih. Ta zaostanek bomo začeli intenzivno zmanjševati že letos, saj bomo organizirali več tečajev za sistemske inženirje uporabnikov, pravkar pa smo usposobili tudi nov računalniški center za načrtovanje integriranih vezij s pomočjo računalnika. Zavedamo se, da bo nastalo zaradi pojava mikroelektroni-ke do konca stoletja več deset tisoč novih izdelkov, da se bo zaradi mikroelektronike ogromno sedanjih izdelkov spremenilo, da bodo dobili nove funkcije itd. , zavedamo se, da bo na večino tehnoloških postopkov in izdelkov imela mikroelektronika določen vpliv in da bo čez 15 let le malo takih tehnologij in izdelkov, ki nanje mikroelektronika ne bo imela posebnega vpliva. Zato nam ni vseeno, kaj se dogaja in kaj se bo dogajalo v okolju. Računamo na raziskovalno in izoorazevai.no sfero, ki sta že doslej bistveno pripomogli k temu, da smo zgra- 43 dili mikroelektroniko, računamo na uporabnike širom po Jugoslaviji in tudi v tujini, računamo pa tudi na jugoslovansko družbo kot celoto. Jasno nam je, da mikroelektronike ne moremo razvijati samo v ozkih nacionalnih okvirih, zato nas veselijo vaši mednarodni stiki in posebej mednarodna udeležba na tem posvetovanju, katerega značilnost je tudi to, da se na njem srečujejo znanstveniki z univerz in institutov ter strokovnjaki iz neposredne proizvodnje. Želim vam, da možnosti, ki jih s tem nudi to posvetovanje, čimbolje izkoristite in da ideje s tega posvetovanja najdejo potreben odmev v Iskri in v celi družbi, kar bo pomenilo, da ste uspešno opravili svoje delo. Direktor Ei - RO - Poluprovodnici Vlada Arandjelovič, dipl.ing. je podal nekatere širše vidike mikroelektronike pri nas in v svetu: "Pozdravljajuči sve prisutne učesnike i goste Konferencije MIEL 85, imam posebno zadovoljstvo i čast, da u ime or-ganizatora prošlogodišnje Konferencije u Nišu - Radne organizacije "Ei - Poluprovodnici" i Elektronskog fakulteta, kao i u svoje lično ime, poželim uspešan i sadržajan rad MIEL-u 85. RO "Ei - Poluprovodnici" u okviru SOUR-a Elektronske industrije - Niš kao celine, sa eminentnim Institutima i fa-kultetima, potpisnicima Samoupravnog sporazuma o razvoju druge faze mikroelektronike u Socijalističkoj Republici Srbiji, i ovom prilikom dače svoj konkretan strateško-pro-gramski, naučno-stručni i tehnološko-proizvodni doprinos razvoju mikroelektronike kod nas. Uvereni smo da če sadržaj rada MIEL-a 85 doprineti raz-meni znanja i iskustava, odmeravanju snaga i definisanju dometa i dostignuča u oblasti mikroelektronike, i sire od jugoslovenskog prostora, svojevrsnim načinom informišu-či učesnike i goste Konferencije, o rezultatima rada u o-voj oblasti na širem evropskom prostoru u relacijama is-tok-zapad, sever-jug. I danas, kada nije više ni malo sporno, da je rnikroelek-tronika postala sinonim ne samo naše sadašnjosti, nego i naše budučnosti, počeli smo da je shvatamo, razumevamo i doživljavamo kao svojevrsnu grandioznu revoluciju, realno i sistematsko naučno predvidjanje, koje Jugoslaviju, na najbolji moguči način uključuje u medjunarodnu podelu rada, jasno stavi jajuči do znanja svima nama, da čem o biti onoliko jaki i samosvesni koliko smo u stanju da imamo vlastite programe, istraživanja, razvoj i proizvodnju, u prvom redu, u oblasti mikroelektronike. Mikroelektronika u razmeri čoveka, predstavlja več danas, največi konkretan doprinos ekonomskog oslobadjanja rada -ukidanjem otudjenog rada, dajuči pritom poseban i neavo-smisleni pečat kraju ovog i početku trečeg milenijuma -21. veku. Vek, koji če samopouzdanjem visoke mikroelek-tronske tehnologije, neumitno transformisati proizvodne snage, a samim tim i proizvodne odnose i ukupnost društ-veno-političkog sistema u svetu i kod nas. Ekonomija, o-brazovanje, potrošačke navike i sam karakter modernog života doživeče svojevrstan preobražaj započet šezdesetih godina u svetu, a nešto kasnije i kod nas, nedvosmisleno tražeči ogromno znanje, veliki ljudski - stručni i visoko stručni potencijal, osmišljenja i strateška ulaganja znatnih finansijskih sredstava, sa trž.ištem neomedjenim inte-resima kratkog daha i uskih granica. Mikroelektronika je postala i sve više to biva i biče, velika igra svetskog šaha gde velike figure znanja, nauke, proizvodnje, kvaliteta, finansija, ekonomije i poUUke traže i prave igrače, bolje rečeno timove, spremne i sposobne da počnu, igraju i uspešno završe ovu našu - zajedničku par-tiju života. Imam utisak, da ova šahovska partija ima moč prirodne sile, ona je neminovnost današnjice, aksiom budučnosti i istorija te budučnosti. Mikroelektronika je jedi-na sposobna danas da kaže - da, tamo gde je večina tehnika rekla - ne, ona kaže: može, tamo gde večina, nama dobro poznatih tehnika i tehnologija, kaže: ne može. Mikroelektronika, definišuči i integrišuči elemente mate-rijalne sfere odredjuje i odnose u njenoj nadgradnji - u proizvodnim odnosima. Ona če jedina biti u stanju da realizuje neumitni kraj administrativnog shvatanja i logike hijarar-hije sa vrha, i umesto toga trasira put odlukama od baze ka vrhu - ka odlučivanju zasnovanom na potpunoj informi-sanosti, istinitosti i realnosti. Možemo, a moramo i biti potpuno uvereni, da če mikroelektronika biti jedan od naših največih saboraca u izgradnji našeg samoupravnog, soci jalističkog i nesvrstanog o-predeljenja. Ona je najkomplementarnija našoj društveno-političkoj i ekonomskoj stvarnosti, najsadržaniji i največi poklon i po™ ruka mladoj generaciji koja je danas sa nama na istom po- 44 slu, sa istim opredeljenjima. To je pravi sadržaj našeg strateškog testamenta sedamdesetih godina ovog veka, ko-ji je i pored nekih, za nas danas skupo plačenih neadekvatnih investicija, kojih se nerado sečamo, ipak i pravovre-meno nosio poruku mladoj generaciji i onima koji dolaze: mikroelektronika je naša prava viza za 21. vek. Njena materijalnost če na najbolji moguči način, u pozitiv-nom smislu, menjati odnos medju ljudima doprinoseči tirne da realizujemo ono, što mi kao zemlja i deo sveta, želimo da postignemo - da budemo aktivni učesnici svetske revolucije imenom: mikroelektronika. Ona je postala, a vremenom če biti i sve više, lucidna realnost našeg preostalog veka, i onog koji dolazi I kome če nauka i realnost saznanja biti osnova egzistencije, daljeg razvoja i ukupnog opstanka. Mikroelektronika je nedvosmisleno postala etalon stvara-lačkog merila vremena i jedinica progresa - za našu sadaš-njost i našu budučnost. Ona če prošlosti reči više nego li što je ona o sebi samoj do sada uspela i mogla da kaže, sadašnjosti če reči istinu rada, života i odnosa, a budučnosti smer kretanja u stra-teškoj orijentaciji, proizvodnoj sferi i proizvodnim odno-sima. Hteli mi to ili ne, mikroelektronika je najsadržanija i najlepša arhitektura istine i znanja, istina života našeg danas i onog sutra, istina pravih vrednosti i pravih odnosa naše realnosti i vremena koje dolazi sa njom, kao avan-gardom. I mikroelektronika i samoupravljanje traže slobodu znanja i slobodu stvaranja, oslobadjaju čoveka dogmi i formalizma svih boja, pružaju mogučnost bržeg kretanja napred, humanizuju rad i odnose, približavaju se prirodi kroz znanje a ne verovanje, čine je bližom životu ljudi. Informacija nam služi da bismo bili bliži jedni drugima, da bismo bili realniji i istinitiji - čini nas ne samo čovekom jedne regije i jedne zemlje, več čovekom - radnikom sveta, koga če, a to je danas sasvim izvesno, u 21. vek na velika vrata trečeg milenijuma uvesti - atom, bit i gen. To čudo od čipa postače tada naš svakodnevni drug na poslu, u ku-či, na ulici. I onda, u tom vremenu koje je došlo, koje dolazi i koje če i definitivno doči, možemo li biti nešto drugo no saborci velike revolucije imenom mikroelektronike ? Njeni smo realni , argumentovani i uporni sledbenici, koji joj pripadamo , jer je to najviše, što za nju sada možemo, pored znanja da damo. Ipak, možemo biti srečni da je revolucija počela, da teče i da če pobediti u opštem interesu svih nas. U to smo sigurni, jer je to postala istina života, nas samih - civilizacije znanja. I na kraju, želeči svim inostranim i domačim učesnicima i gostima uspeh u radu na ovom odgovornom, visokostruč-nom i sadržajnom poslu MIEL-a '85., sa istinitom željom, voleo bih da naše opredeljenje bude sadržano u istini da je: Mikroelektronika - sadašnjost i budučnost sveta civilizacije znanja, jedinstvenijeg i pravičnijeg od ovog u kome sada živimo. Sveta znanja: nauke i rada. Sveta čoveka, za koga če na svim meridijanima zemlje moči i konačno stvarno gordo da zvuči: čovek sam i radnik sveta mikroelektronike. Jugoslovenska mikroelektronika - to je još jača samoupravna, socijalistička i nesvrstana Jugoslavija". Dr Beno Lukman je zbrane pozdravil v imenu Izvršnega sveta Skupščine SR Slovenije: "Nobenega dvoma ni, da je področje mikroelektronike zaradi svojih strateških razvojnih možnosti in najširše uporabnosti v vseh sferah človekove osebne in družbene aktivnosti ter ustvarjalnosti v središču pozornosti razvitega industrijskega in poslovnega sveta, saj postaja vse bolj ključna, znanstveno zasnovana družbena in razvojna infrastruktura. Nove, vrhunske informacijske tehnologije, ki temelje na najširši uporabi mikroelektronike v računalništvu, telekomunikacijah, medsebojno povezanih bazah podatkov, ekspertnih sistemih in drugih dosežkih moderne znanosti, o-mogočajo energetsko, surovinsko in ekološko najracionalnejšo gospodarsko rast ob istočasnem razreševanju perečih družbenoekonomskih problemov. Prevladujoče je spoznanje, da bodo vse tiste dežele, ki se ne vključujejo dovolj v vse hitrejši tehnološki napredek na tem ključnem tehnološkem področju, verjetno za vedno o-stale na svetovni razvojni periferiji z minimalnimi možnostmi vključevanja v mednarodno delitev dela in znanja. 45 Ta spoznanja so prodrla tudi k nam in dobila svoje mesto v dolgoročnih razvojnih dokumentih in še posebej v programu dolgoročne ekonomske stabilizacije. Oblikovanje strategije tehnološkega razvoja v Jugoslaviji ne more in ne gre mimo dejstva, da predstavlja lastna mikroelektronika, skupaj z računalništvom in drugimi pojavnimi oblikami novih informacijskih tehnologij, infrastrukturni steber celotnega družbenega razvoja Slovenije in Jugoslavije in ključni izvor nove gospodarske rasti, ki svojo strateško vitalnost črpa iz znanja, ustvarjalnosti in inovacijskega kombiniranja razvojnih ter proizvodnih potencialov. Z vso resnostjo se zavedamo, da postaja obvladovanje razvoja proizvodnje in uporabe mikroelektronskih in drugih informacijskih tehnologij tudi imperativ dolgoročne ohranitve nacionalne neodvisnosti in suverenosti nad razpolaganjem z lastnimi resursi, uresničevanja strategije naslonitve na lastne sile in doseganja enakopravnejšega položaja v procesih vključevanja v mednarodno delitev dela skozi povečevanje družbene produktivnosti. V skladu s tem spoznanjem so se pričeli na družbeni ravni oblikovati elementi razvojne strategije, ki so že upoštevali mikroelektroni-ko in druge informacijske tehnologije že v pripravi srednjeročnih planskih dokumentov za obdobje 1981-85. Danes, ob pripravi novih srednjeročnih in dolgoročnih planskih dokumentov, izhajajoč pri tem iz temeljnih usmeritev uresničevanja ekonomske stabilizacije in strategije tehnološkega razvoja pa so v zvezi z informatizacijo naše samoupravne družbe izpostavljeni predvsem naslednji cilji: - vpeljati domačo mikroelektronsko in računalniško proizvodno tehnologijo, ki bo temeljila na domačem znanju in lastni inovacijski sposobnosti - razširiti uporabo mikroelektronske tehnologije na druge industrijske veje zlasti procesno industrijo in v izdelčne asortimane - povečati inovacijski kadrovski potencial na področju razvoja in prilagajanja mikroelektronskih in drugih informacijskih tehnologij zahtevam moderne proizvodnje - okrepiti upravljalske sisteme na družbeni ravni in v OZD, družbenopolitičnih skupnostih in samoupravnih organizacijah z računalniško podprtimi informacijskimi sistemi ob istočasnem računalniškem in informacijskem opismenjevanju čim večjega števila ljudi - okrepiti mednarodno znanstveno-tehnično sodelovanje z razvitimi tehnološkimi prostori v svetu in doseči optimalno držanje koraka z razvojem svetovnega znanja na izbranih prioritetnih področjih. Današnje posvetovanje je nedvomno pomemben korak k u-resničevanju te ciljne zasnove, na kateri sloni tudi projekt razvoja rnikroelektronike v SR Sloveniji, Mikroelektronika III, ki mora postati strateška osnova tehnološkega prestrukturiranja proizvodnih potencialov v smeri povečevanja družbenega proizvoda in izvoznih zmogljivosti slovenskega in jugoslovanskega gospodarstva". Za objavo pripravil: Alojzij Keber, dipl. ing. SSESD, Ljubljana XIII. JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O MIKRCELEKTRONiKI MIEL £5 LJUBLJANA, 8.-10. MAJ 1985 Franc Runovc 1. Uvod Jugoslovansko posvetovanje o mikroelektroniki MIEL se je znova vrnilo v Ljubljano in že v uvodu lahko rečemo, da je bilo to posvetovanje najuspešnejše doslej in je doseglo nivo evropske konference. Konferenca z večinsko mednarodno udeležbo je bila delovno srečanje strokovnjakov s področja rnikroelektronike, kjer je bila znova potrjena pomembnost rnikroelektronike kot informacijske infrakstrukture. Proces internacionalizacije posvetovanj MIEL, ki se je začel na prejšnjih konferencah v Zagrebu (1983) in Nišu (1984), je tu prišel do polne veljave in le nekateri subjektivni de- javniki še preprečujejo, da bi konferenca tudi "de iure" postala mednarodna. Konference se je udeležilo 35 tujih predavateljev in 90 domačih, ki so skupaj predstavili skoraj sto referatov z najnovejšimi dosežki na področju načrtovanja in tehnologije integriranih vezij. Razstava domačih proizvajalcev integriranih vezij in tujih proizvajalcev opreme za proizvodnjo integriranih vezij, ki je spremljala posvetovanje, je nudila udeležencem posvetovanja tudi ugodne možnosti za navezavo poslovnih stikov. 2. Organizacija in pokroviteljstvo Konferenco MI EL '85 in razstavo ob njej so organizirali Iskra DO Mikroelektronika, Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale SSESD in Gospodarsko razstavišče, Ljubljana. Obe prireditvi sta potekali v prostorih Gospodarskega razstavišča v Ljubljani. Pokrovitelji konference MIEL '85 so bili poleg Iskre DO Mikroelektronika še Iskra IEZE, TOZD HIPOT, Šentjernej, Iskra IEZE, TOZD TPT, Trbovlje ter Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana. Prav pokrovitelji so s svojimi prispe-vanimi sredstvi zagotovili nemoteno delo konference. Ves propagandni material v zvezi s konferenco je izjemno lično pripravil I skra Marketing, ki je oblikoval tudi priložnostni plakat konference. Lokalni organizacijski odbor so vodili I. Banič (Iskra DO Mikroelektronika), A. Peitl (Iskra IEZE, TOZD TPT, Trbovlje) ter F. Baznik (Iskra IEZE, TOZD HIPOT, Šentjernej). Organizacijski sekretar konference je bil cr. F. Ru-novc (Iskra DO Mikroelektronika). Zbornik referatov sta pripravila za tisk P. Tepina in M. Gojo. Kljub težavam je dostopnost zbornika referatov pred samo konferenco dobra rešitev k prezentabilnosti podanih referatov. Konferenca ETAN na primer se te težave še vedno otepa. Programski odbor v sestavi F. Beravs, prof. P. Biljanovic, prof. J. Furlan, prof. D. Kolar, R. Krčmar, doc. D. Ra-ič, doc. N. Stojadinovič in Z. Živič, je opravil izbor poslanih referatov. Izkušnje s sorodnih konferenc kažejo, da bi bil bolj upravičen dokončen izbor na osnovi razširjenih abstraktov, kakor pa predhodni izbor na osnovi abstraktov in dokončni prejem na osnovi recenzije sprejetega referata. 3. Povabljeni referati Letošnje posvetovanje se je odlikovalo po izjemnem številu in kvaliteti povabljenih tujih referentov. Prav ti so dali vodilne iztočnice sami konferenci, osebni stiki ostalih strokovnjakov z omenjenimi povabljenimi referenti pa so dali dragocene realne podatke in napotke za nadaljnje delo. S povabljenimi referati so se posvetovanja udeležili naslednji svetovno priznani strokovnjaki iz industrije in univerz: prof. R.L. Anderson, Electrical Engineering Department, University of Vermont, Burlington, Vermont, ZDA MOS VLSI AT LOW TEMPERATURES dr. T. Arnborg, RIFA AB, Process Development, IC-Division, Stockholm, Švedska NUMERICAL SIMULATION AS A TOOL FOR INTEGRATED CIRCUIT PROCESS DEVELOPMENT dr. H. Gruenbacher, Austria Microsystems International (AMI) A-8141 Unterpremstaetten, Avstrija CUSTOM DESIGN OF VLSI CIRCUITS Prof. M. Mock, The Hebrew University, Department of Mathematics, Jerusalem, Izrael RECENT DEVELOPMENT IN NUMERICAL METHODS FOR STATIONARY DEVICE MODELING R.F. Rademske, Teledyne Microelectronics, Los Angeles, ZDA 20 YEARS OF HYBRID PRODUCTION - PROBLEMS AND SOLUTIONS Vsi povabljeni referati so bili izjemno kvalitetni in so samo posvetovanje MIEL '85 po tej plati približali svetovno priznanim konferencam. Posebej sta s širino znanja in aktualnostjo problematike izstopala referata prof. M. Mocka ter dr. H. Gruenbacherja. Očitno sta namreč tematiki električnih simulacij polprevodniških elementov v več dimenzijah ter načrtovanje uporabniških vezij zanimivi za številne raziskovalce tako v industriji kakor tudi na univerzah. 4. Tuji referati Že samo število (51) tujih referatov kaže na vse večje zanimanje tujih strokovnjakov za konferenco MIEL. Prevladovali so referati iz sosednjih držav, posebno kvalitetno skupino pa so tvorili referati francoskih raziskovalcev s področja simulacije procesiranja integriranih vezij in s področja večdimenzionalne električne simulacije polprevodniških elementov. Francoske izkušnje pri razvoju programske opreme za omenjeni področji simulacij so dragocene tudi za druge razvijalce podobnih programskih paketov, saj postaja večini evropskih polprevodniških raziskovalnih centrov jasno, da se morajo opreti na lastne sposobnosti tudi na tem področju. Problem tujih referatov se je letos pokazal v tem, da se del tujih predavateljev konference ni udeležil (iz znanih pa tudi neznanih razlogov). Tak način dela ni običajen na konferencah z mednarodno udeležbo, saj je prav prezentacija referata in pa diskusija ob njem prava recenzija. 5. Domači referati Domači referati (bilo jih je 38) so prispeli iz glavnih bazenov mikroelektronike v Jugoslaviji: Niša, Zagreba, Beograda in Ljubljane. Zanimivo je, da prihaja večina domačih referatov iz industrijskih okolij in da tudi njihova kvaliteta z leti narašča. Mikroelektronika kot industrijska aktivnost tako res postaja informacijska infrastruktura naše družbe. 6. Zaključki Konferenca MIEL '85 je bilo gotovo doslej najkvalitetnejše srečanje strokovnjakov s področja mikroelektronike v Jugoslaviji , ki tako časovno kakor tudi po tematiki dopolnjuje posvetovanje MIPRO '85, ki je bilo od 20. do 24. maja 1985 v Opatiji. Kvalitetni povabljeni referati dajejo konferenci MIEL '85 veliko težo v mednarodnem prostoru raziskovalcev, pomembnejša pa je možnost srečanja s povabljenimi referenti, ki vedno posredujejo novo znanje pa tudi nove probleme. Tuji referati so izstopali po kakovosti in aktualnosti prikazanih rezultatov, kar ni enotna ocena domačih referatov. Le-ti so prevečkrat podajali znane in že objavljene rešitve ali pa prikazani rezultati niso bili zanimivi za širši strokovni krog prisotnih raziskovalcev. V prihodnje velja razmisliti o drugačnem časovnem terminu konference. Vsekakor pa je smiselno organizirati konference v komunikacijskih središčih, saj lahko krajevna dostopnost pritegne tuje udeležence. Podobno kakor na prejšnjih konferencah je bila problematična domača udeležba poslušalcev. Zanimiv je podatek, da se je konference udeležil en sam jugoslovanski univerzitetni profesor s področja elektronike. To kaže na konferenčno nezrelost domačih raziskovalcev iz univerzitetnih laboratorijev, saj morajo biti tudi domače konference primerne kvalitete zanje delovno področje in način sodelovanja s strokovnjaki iz industrije. Doc. dr. Franc Runovc Iskra DO Mikroelektronika Ljubljana PODELITEV PRIZMANJ SSESD OB OTVORITVI POSVETOVANJA fViiEL '85 Stanko Šolar V 31. in 32. številki Informacije SSESD smo objavili "Začasni poslovnik o dodeljevanju priznanj za aktivnost v SSESD" , po katerem se bodo v prihodnosti dodeljevala priznanja v obliki plaket delovnim organizacijam in društvom, zaslužnim in aktivnim članom SSESD ob strokovnih posvetovanjih in večjih zborih sekcije. V skladu s poslovnikom je izvršni odbor SSESD na seji 13.02.1985 obravnaval sprejete predloge in odločil - da dodeli plakete delovnim organizacijam za neposredno sodelovanje in podpiranje strokovne sekcije od njenih začetkov do danes. - da dodeli diplome "Zaslužni član" dolgoletnim aktivnim članom , ki so v pionirskih časih neumorno delali tako v sekciji kot na strokovno znanstvenem področju in bistveno prispevali k razvoju in tehnološkemu napredku elektronskih sestavnih delov in materialov. - da dodeli diplome "Aktivni član" večletnim članom za njihovo požrtvovalno delo v sekciji ob izdajanju informativnega glasila, organizaciji posvetovanj in drugih aktivnostih sekcije. "Plakete" so bile podeljene trem DO, ki so med nosilkami razvoja elektronskih sestavnih delov, materialov in mikroelektronike in zaokrožujejo to dejavnost v jugoslovanskem prostoru: RO "EI - Poluprovodnici", Niš RO "RIZ Komel, OOUR Tvornica poluvodiča, Zagreb RO "Rudi Cajevac OOUR Mikroelektronika, Banja Luka Diplome "Zaslužni član" so bile podeljene trem članom SSESD za zasluge pri osnovanju in vodenju sekcije, ter povezovanju strokovnjakov s področja aktivnosti sekcije ši-rom naše domovine: Dr SVETU JOVIČIČU, dipl.ing. is Beograda Za zasluge pri povezovanju strokovnjakov elektronike na področju vse Jugoslavije Mag. MILANU SLOKANU, dipl.ing. iz Ljubljane Za zasluge pri organiziranju in delovanju SSESD PAVLU TEPINI, dipl.ing. iz Ljubljane Za zasluge pri organiziranju in delovanju SSESD 48 Diplome "Aktivni član" so bile podeljene šestim članom SSESD za zasluge večletnega aktivnega dela v sekciji: ALOJZIJU KEBRU, dipl.ing. z Instituta Jožef Štefan v Ljubljani Za aktivnost pri izdajanju strokovnega informativnega lista Informacije SSESD LJUTICI PEŠIČU, dipl.ing. z Instituta Mihajlo Pupin v Beogradu Za aktivnost pri organiziranju akcij SSESD v beograjskem okrožju, zlasti posvetovanj MIEL Mr. LJUBIŠI RISTIČU, dipl.ing. iz Ei - RO Poluprovodnici v Nišu Za aktivnost pri organiziranju akcij SSESD v niškem okrožju; zlasti posvetovanj MIEL Prof. dr SEADU ŠIRBEGOVIČU, dipl.ing. z Elektrotehnič-kog fakulteta v Banja Luki Za aktivnost pri organiziranju akcij SSESD v okrožju Banja Luke; še zlasti posvetovanj MIEL Prof. dr. LOJZETU TRONTLJU, dipl.ing. s fakultete za elektrotehniko v Ljubljani Za aktivnost v sekciji in za zasluge pri projektu mikroelek-tronike v Sloveniji Mr SREBRENICA URSIČ, dipl.ing. iz Elektrotehničkog instituta Rade Končar v Zagrebu Za aktivnost v sekciji, še zlasti v zagrebškem okrožju Stanko Šolar SSESD, Ljubljana Dr. FRANC RUNOVC - ZASLUŽNI ORGANIZATOR MIEL '85 Rudi Roda k Franc Runovc je letos kot organizacijski sekretar 13. jugoslovanskega posvetovanja o mikroelektroniki odločilno pripomogel k internacionalizaciji in dvigu kvalitete tega tradicionalnega srečanja strokovnjakov s področja integriranih vezij. Prav tako pa je bil kot referent prisoten že na večini posvetovanj MIEL v preteklih letih, zato ga danes bolj podrobno predstavljamo našim članom. Po končani klasični gimnaziji v Ljubljani se je tov. Runovc leta 1968 vpisal na Fakulteto za naravoslovje in tehnologijo - smer tehnična fizika. Že v času študija je delal v Laboratoriju za mikroelektroniko na Fakulteti za elektrotehniko, kjer je postal po diplomi leta 1973 tehnični sodelavec. V tem času je delal predvsem na razvoju tehnoloških postopkov za bipolarne diskretne elemente. Leta 1974 je bil po odsluženem vojaškem roku izvoljen za asistenta za področje mikrovalov na Fakulteti za elektrotehniko, hkrati pa je nadaljeval raziskovalno delo na področju unipolarnih tehnologij za izdelavo integriranih vezij . V Laboratoriju za mikroelektroniko je vodil tehnološko skupino, katere rezultat je bilo prvo jugoslovansko integrirano vezje (lk ROM) v tehnologiji PMOS. V okviru osvajanja mikroelektronike v Iskri je prebil leto 1977 v Raz,vojno-raziskovalnem oddelku firme American Microsystems, Inc. kot produktni inžiner za statična spominska vezja v tehnologiji VMOS. Leta 1979 je zaključil magistrski študij iz fizike snovi na Matematično-fizikal-nem odseku FNT pod mentorstvom prof. L. Trontlja in prof. R. Blinca. V tem času je bila dokončno osvojena prva domača tehnologija PMOS s kovinsko krmilno elektrodo, sam pa so je začel poleg rednega pedagoškega dola intenzivneje ukvarjati z računalniško programsko opremo s področja simulacij polprevodniških tehnoloških procesov. Leta 1981 je pod mentorstvom prof. P. Weissglasa pripravljal doktorsko delo na Mikrovalovnem institutu Kraljeve tehniške visoke šole v Stockholmu na Švedskem. Skupina, ki jo je tov. Runovc tam vodil, je že v tistem času dosegla izjemne dosežke na področju submikrometrskih unipolarnih tehnologij. Raziskovalne dosežke je skupina predstavila še v naslednjih letih v vrsti člankov v tujih revijah in z referati na svetovnih konferencah. Sam pa je intenzivno delal tudi na področju dvodimenzionalne numerične simulacije polprevodniških elementov. Tov. Runovc je spomladi leta 1982 uspešno branil disertacijo z naslovom Procesni koraki v enomikrometrski uni.po-larni tehnologiji in njihova korelacija z dvodimenzionalno simulacijo elementov. V tem času se je začel intenzivneje ukvarjati s programsko opremo za računalniško podprto na- 49 črtovanje integriranih vezij v okviru Iskrinih prizadevanj za posodobitev načrtovanja integriranih vezij v Sloveniji. Spomladi leta 1983 je bil izvoljen za docenta za področje mikroeiektronskih tehnologij na Fakulteti za elektrotehniko v Ljubljani, sredi istega leta pa se je zaposlil v Iskrini DO Mikroelektronika, kjer že od avgusta istega leta vodi Raz-vojno-raziskovalni sektor. V naloge tega sektorja sodi načrtovanje integriranih vezij, razvoj programske opreme za načrtovanje vezij, razvoj testne programske opreme in tehnološki razvoj. V tem času je postal tov. Runovc aktiven tudi v Raziskovalni skupnosti Slovenije, prav tako je predsednik Iskrinega Programskega sveta 1 za področje mikro-elektronike. Upamo, da bo tov. Runovc tudi v prihodnje aktiven član naše sekcije in da bo tudi v bodoče z uspešnim strokovnim delom ter tovariško požrtvovalnostjo izpolnjeval cilje SSESD. Dr. Rudi Ročak Iskra DO Mikroelektronika Stegne 15d, Ljubljana SEMiCON/EUROPA '85 Rudi Ročak Ob razstavi opreme za polprevodniško industrijo, ki je bila v Zurichu od 12. do 14. marca 1985, je bilo tudi tradicionalno posvetovanje. Že drugo leto zapovrstjo se kaže, da postaja to, sicer "tutorialno" posvetovanje, eno najbolj zanimivih posvetovanj za industrijske raziskovalce in inženirje v proizvodnji mikroeiektronskih vezij. Sicer pa sami ocenite spisek predavanj! C A M/C A F D. Antoniadis, MIT, Boston, Massachusetts, USA CONSIDERATIONS IN COMPUTER AIDED FABRICATION (CAF) T.' Kozawa, Hitachi Ltd. , Tokyo, Japan DESIGN AUTOMATION FOR VLSI S.M. Burnham , Intel, Arizona, USA RELIABILITY OF SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT T. Nakashima, NTT, Japan FULLY AUTOMATED LSI DESIGN SYSTEM T. Bonora and M. Parikh, Asyst Technologies, Inc., Fremont, California, USA AUTOMATION SYSTEMS FOR CASSETTE TRANSFER AND PARTICLE CONTROL IN VLSI MANUFACTURING J. Ehrlich and M. Mutchinson, Ehrlich-Rominger Architects, Los Altos, California, USA THE PLANNING AND DESIGN PROCESS FOR ADVANCED SEMICONDUCTOR FACILITIES Advanced Process Technology H.E. Mayer and E.H. Loebach, CENSOR Vaduz, Liechtenstein DESIGN ASPECTS OF A SUBMICRON STEP-AND-REPEAT CAMERA G. Deferm and L. Stevens, IMEC, Leuven, Belgium MACHINE ASPECTS OF DIRECT WHITE E-BEAM LITHOGRAPHY H. Betz and A. Heuberger, Fraunhofer-Institute, Berlin, West Germany DESIGN PARAMETERS FOR AN X-RAY LITHOGRAPHY SYSTEM BASED ON SYNCHROTRON RADIATION A. Mc Collough, The Shipley Corp. , Newton, Massachusetts, USA RESISTS FOR USE IN OPTICAL, E-BEAM AND X-RAY LITHOGRAPHY • D. Henry, M. Pons and A. Schlitz, CNET, Grenoble, France ADVANCED TECHNIQUES AND TRENDS IN HIGH SPEED ETCHING A. Ravaglia, SGS, Milano, Italy GROWTH TECHNIQUES AND DEFECTS IN THIN GATE DIELECTRICS F.S. Keeble, E.T. Electrotech Research Ltd., Bristol, England MODERN TECHNIQUES FOR PRODUCTION METALLIZATION OF SINGLE AND MULTILAYER VLSI STRUCTURES Cooperative Programs in Microelectronics U. Kaempf, Hewlett Packard Laboratories, Palo Alto, California, USA A STRATEGY FOR AUTOMATION G. Grata, ESPRIT, Brussels, Belgium Commision of the European Community 50 Task Force on Information Technology and Communications THE ESPRIT PROGRAMME: WHY, WHAT AND HOW? W. Fawcett/Alvey, Alvey Directorak, London, England THE ALVEY PROGRAMME: A PROGRAMME FOR ADVANCED INFORMATION TECHNOLOGY R. Van Overstraeten, IMEC (Inter-University Microelectronics Corp.), Leuven, Belgium IMEC: EDUCATION AND RESEARCH IN MICROELECTRONICS IN FLANDERS, BELGIUM G. Zocchi, SGS/ATES Componenti Elettronici SpA, Agrate, Italy ITALIAN COOPERATIVE R and D PROGRAMMES AND ACTIVITIES IN MICROELECTRONICS L. Sumney, SRC (Semiconductor Research Corp. ), Research Triangle Park, North Carolina, USA OBJECTIVES, GOALS AND REVIEW OF COOPERATIVE RESEARCH PROGRAMS IN MICROELECTRONICS Dr. K. Kataoka, Nihon Denshi Gijutsu Co. , Ltd. , Tokyo, Japan UNIVERSITY INDUSTRY INTERACTION IN VLSI TECHNOLOGIES IN JAPAN Kopije člankov vam lahko pošljemo proti plačilu stroškov. Željo napišite na naslov: Pavle Tepina, Elektrotehniška zveza Slovenije, Titova 50, 61000 Ljubljana. Dr. Rudi Ročak, dipl.ing. Iskra Mikroelektronika Ljubljana, Stegne 15 d 5. EVROPSKA KONFERENCA O HIBRIDNI MIKROELEKTRONIKI Franc Jan, Darko Belavič V dneh od 22. do 24. maja 1985 je bila v Italiji, v mestu Stresi, 5. evropska konferenca o hibridni mikroelektroni-ki. Mesto Stresa, gostitelj letošnje konference, leži okoli 80 km severno od Milana ob jezeru Lago Maggore, ki je s površino 256 km2 drugo največje jezero v Italiji, katerega zgornji del sega tudi v Švico. Stresa je bila v dobi elitnega turizma shajališče monarhov in drugih imenitnežev, danes pa je center kongresnega turizma z znanstvenimi, strokovnimi in umetniškimi prireditvami, kakor tudi pogostimi srečanji politikov iz evropske gospodarske skupnosti. Konference se je udeležilo preko 700 obiskovalcev iz vsega sveta. Na njej so predstavili 64 referatov, ki so jih izbrali izmed 166, ki so se potegovali za predstavitev. Tako veliko število prispelih referatov je organizatorjem konference po eni strani omogočilo, da so izbrali referate, ki so bili zanimivi za kar najširši krog udeležencev, po drugi strani pa so morali odkloniti tudi veliko število dobrih prispevkov, ki pa bi bili zanimivi le za ozek krog specialistov . Referate so prispevale sledeče države: Italija (11), Francija (10), Velika Britanija (10), ZDA (7), ZR Nemčija (6), Japonska (4) , Belgija (4), Poljska (3), Finska (3), Nizozemska (3) ter Švedska, Danska in Avstralija po enega. Delo konference je potekalo v dveh vzporednih sekcijah, v katerih je bila zaobjeta sledeča problematika: večplastna vezja, kvaliteta in zanesljivost, tehnološki postopki, uporaba HV, montaža, ekonomika in pakiranje, načrtovanje, materiali in optika, substrati in polimeri. Otvoritev vsake sekcije - bilo jih je deset - je bila s povabljenim uvodnim referatom. V uvodnih referatih je bilo več ali manj zaobjeto sedanje stanje in usmeritve hibridne tehnologije v svetu. Kdor si želi ustvariti sliko o tem, mu priporočamo, da si jih prebere. V tem sestavku bomo navedli le kratko vsebino posameznih sekcij s poudarkom na uvodnih referatih. Večplastna vezja R. Tummala, IBM, je v uvodnem referatu predstavil tehnologijo izdelave večplastnega keramičnega substrata, ki i-ma 33 prevodnih plasti, med katerimi je okoli 350 000 povezav; skupna dolžina prevodnikov je 130 metrov, število priključkov pa do 1800, ko na večplastni substrat pritrdijo 133 VLSI vezij, katerih disipacija znaša do 400 vatov. Ostali trije referati so obravnavali: - razvoj večplastnega dielektrika, ki je primeren tudi za zaščito uporov in dopušča istočasno žganje uporov, die-lektrične izolacije, prevodnika in zaščite; 51 - razvoj večplastnih elektroluminiscentnih tankoplastnih komponent na osnovi cinkovega sulfida in - praktično ovrednotenje večplastnega debeloplastnega sistema na osnovi bakra, kjer so avtorji pokazali, da je ultrazvočno bondiranje z aluminijevo žico k bakru tehnološko izvedljivo brez resnih problemov glede zanesljivosti. Tehnološki postopki (procesiranje) G.F. Piacentini, Telettra, Italija, je obravnaval stroškov-no-prednostno primerjavo med tehnologijo hibridnih, tiskanih in monolitnih vezij. Obdelal je možnost njihove uporabe v digitalnih, VF in elektrooptičnih sistemih in pokazal, da se vse tri omenjene tehnologije dopolnjujejo in z ustrezno kombinacijo dajo najcenejšo rešitev. Naslednji avtorji so obravnavali: - postopek odstranjevanja fotoresista za ostro definirane linije tankoplastnega HV za mikrovalovno frekvenčno področje; - debeloplastne prevodnike in upore na dielektriku za H V visoke zanesljivosti in - sistem za kemično metalizacijo substratov, ki predstavlja alternativo debeloplastni in tankoplastni tehnologiji. Kvaliteta in zanesljivost P. De Groot, Philips, je predstavil ekstrapolacijsko metodo za oceno dolgoročne stabilnosti debeloplastnih uporov. Če hočemo iz rezultatov 12 000 urnega staranja uporov zanesljivo sklepati na obnašanje uporov za dobo 25 let, moramo meritve izvajati z natančnostjo 30.10 ^ (30ppm). Avtor je podal model staranja in statistično metodo za oceno dolgoročne stabilnosti. Naslednjih pet referatov je obravnavalo: - avtomatsko kontrolo kompleksnih tiskanih vezij; - uporabo površinske analize v hibridni tehnologiji; - napoved zanesljivosti HV na osnovi pospešenih preskusov; - ovrednotenje spajkalnih spojev na vezjih izdelanih s površinsko montažo in - raziskave utrujenosti spajke v hibridnih okrovih. Uporaba (aplikacije) N. Sinnadurai, British Telecom, je predstavil dosežke pri tehnologijah pakiranja (inkapsulacije) in povezovanja za novo generacijo hibridnih vezij. Avtor meni, da z novimi načini montaže, ki jih omogočajo nove oblike komponent; izginja meja med hibridnimi in tiskanimi vezji. Življenjska doba plastičnih miniaturnih komponent nekaterih proizvajalcev danes že dosega 20 let. Zaradi nizke cene in ugodnih električnih lastnosti se uveljavljajo plastični nosilci tabletk (chip carriers). Uporaba keramičnih nosilcev tabletk se omejuje na vojaško uporabo. Termične lastnosti so boljše pri keramičnih kot pri plastičnih nosilcih tabletk, vendar pri zadnjih izboljšamo odvajanje toplote s prevodno blazinico povezano preko lukenj na zadnjo stran nosilca. Nadaljnjih šest referatov v tej sekciji je obravnavalo: - uporabo HV za vesoljske namene; - izdelavo dopplerjevega modula za radar, izdelanega v debeloplastni tehnologiji; - debeloplastno HV za slušalke za naglušne; - uporaba bakrenih linij v mikrovalovnem področju; - opis štirih HV za uporabo v robotiki in - uporaba debeloplastne tehnologije v mikrovalovnem področju 12 GHz za DBS. Montaža T. Shirakawa, Fijitsu, Japonska, je podal zgodovino avtomatizacije proizvodnje H V v svoji tvrdki. Glavna ovira za avtomatizacijo je veliko število različnih HV - med 700 in 800 na mesec. Proces avtomatizacije je potekal v naslednjih stopnjah: 1. faza: ročno delo zamenjajo stroji, 2. faza: vsak proizvodni postopek vključno z nalaganjem in odlaganjem substratov je avtomatiziran, 3. faza: posamezni avtomatizirani postopki so povezani v avtomatizirano proizvodno linijo, 4. faza: avtomatizirana proizvodna linija je računalniško krmiljena. Izhodišče za avtomatizacijo je bil izbor velikosti substrata: 55 X 55 mm—».90 x 75 mm—»-114 x 95 mm, na katerem izvajajo vse tehnološke operacije do natikanja priključkov. Da so lahko avtomatizirali HV s kombinacijo golih tabletk in miniaturnih komponent, nanašajo prevodno epoksidno smolo na substrat z žigosanjem. Za pretaljevanje (reflow) spajke vedno bolj uporabljajo parno fazo. Fijutsi je ena izmed redkih tvrdk, ki ji je uspelo avtomatizirati male serije velikega števila različnih HV. Načrtovanje H. Reichl, Fraunhofer Institut für Festkörpertechnologie, München, je podal primerjavo med različnimi tehnologijami za izdelavo elektronskih vezij. Kvaliteta in ekonomika proizvodnje elektronskih naprav zahtevata optimalen izbor teh tehnologij. Zato pa so potrebne izkušnje in podrobno poznavanje uporabnih tehnologij in možnost njihovega kombiniranja. Da bi nudil pomoč majhnim tvrdkam, ki nimajo možnosti, da bi same delale tovrstne raziskave in odločitve, so na avtorjevem institutu leta 1980 ustanovili laboratorij za hibridno tehnologijo, ki ga podpira Ministrstvo za raziskave in tehnologijo ZR Nemčije. V tem času so imeli stik z okoli 150 podjetji; svetovali so jim izbor tehnologije - monolitno ali hibridno - omogočajo pa tudi njihovim delavcem , da v njihovem laboratoriju sami izdelujejo hibridna vezja. Naslednjih sedem prispevkov je obravnavalo: - vpliv načrtovanja debeloplastnih uporov na njihov šum, - termični izračun velikih hibridnih vezij, - hitre debeloplastne varovalke, - porazdelitev temperature na substratih hibridnih vezij, - debeloplastni upori malih dimenzij, - dielektrični materiali za izdelavo večplastnih keramičnih substratov žganih pri nižjih temperaturah in - izmenično ekvivalentno vezje debeloplastnega upora in njegova uporaba v mikrovalovni tehniki. Ekonomika in pakiranje P.D. Barnwell iz Velike Britanije je podal v uvodnem referatu osebni pogled na alternativne tehnologije povezovanja in njihov vpliv na proizvodnjo HV. Z razvojem mikro-elektronike postaja glavni problem povezovanje kompleksnih elektronskih vezij. To je dalo po eni strani v zadnjih letih velik impulz hibridni tehnologiji, po drugi strani pa je sprožilo številne alternativne tehnologije, ki jih mora vsak proizvajalec I1V spremljati in jih temeljito ovrednotiti. Najbolj pogosto so omenjene alternativne debele pla- sti na osnovi nežlahtnih kovin in polimerov, kovinski substrati, tehnika površinske montaže in logične mreže. Zanimanje uporabnikov za te tehnologije spreminja njihov odnos do obstoječe hibridne DPT. Vprašanje je, ali te nove tehnologije predstavljajo dejanskega tekmeca hibridni DPT ali pa jo samo dopolnjujejo? Avtor meni, da so nove tehnologije v glavnem dopolnjevalne in ne tekmovalne ter bodo v mnogih primerih dejansko pospešile obstoječo DPT. Naš znanec iz MIEL-83 v Zagrebu Dr. Kirby iz Velike Britanije je govoril o inovacijah v mikroelektroniki in o mestu hibridne tehnologije v elektroniki. Ker ima vedno kaj za bregom, je tudi to pot pripravil presenečenje tako, da je nenapovedano predstavil prvo debeloplastno matriko, ki služi za neizbrisljiv zapis v identifikacijskih sistemih. Vsebina drugih prispevkov se je nanašala na: - metalizirane luknje v keramičnem substratu, - uporabo laserja za varjenje v mikroelektroniki, - nosilci tabletk z vgrajenim blokirnim kondenzatorjem za zelo hitra integrirana vezja, - vpliv polimerne zaščite na DP upore in prevodnike in - hermetično inkapsulacijo hibridnih okrovov z laserjem. Materiali in optika Uvodni referat je podal B.W. Licznerski iz Wroclawa, Poljska, na temo identifikacija prevodnih mehanizmov v DP u-porih. Predstavil je model, ki opisuje efektivno prevodnost v večfaznih neurejenih sistemih. Model nudi nove možnosti za študij prevodnih mehanizmov v številnih kermet sistemih. Nadaljnjih šest referatov je obravnavalo problematiko s sledečimi naslovi: - struktura za izolacijo vpliva difuzije prevodnikov v DP uporih, - odvisnost prenosa naboja v DP uporih od mikrostrukture, - omakanje, nagrizanje in adhezija bakrovih prevodnikov na Alvečplastnih dielektrikih, - razvoj lepil za mikroelektroniko, ki ustrezajo novim MIL specifikacijam, - debeloplastni optični valovodi, - hibridni mikrookrov z optičnim vlaknom na vhodu z.i FF.T ojačevalnik. Substrati Uvodni referat je imel J.L. Aucouterier iz Univerze v Bor-deauxju, v katerem je obravnaval vlogo univerze pri razvoju tehnologije na področju hibridne tehnologije. V Franciji je 9 univerzitetnih centrov, ki so namenjeni za usposabljanje delavcev v mikroelektroniki. Univerza v Bordeaux ju se je specializirala za hibridno tehnologijo. Na izkušnjah, ki so jih pridobili s tečaji za odrasle iz industrije, so vpeljevali enoletni postdiplomski študij iz mikroelektronike (3 mesece predavanj, 3 mesece praktičnega dela v industriji in 3 mesece dela na nekem projektu). 30 % teh študentov se letno odloča za specializacijo v hibridni tehniki. Teme ostalih referatov so bile: - substrati iz nerjavečega jekla in njihova uporaba v DPT, - DPHV na substratih iz bakra-invarja- bakra, - uporaba substratov iz SiC z visoko toplotno prevodnostjo, - metalizacija substratov iz aluminijevega nitrida in - razvoj substratov iz nerjavečega jekla na osnovi silicija-kroma in aluminija. Polimerni materiali E. Jarvinen, Lohja Corporation, Finska, je predstavil uporabo aktivnih komponent v plastičnih ohišjih prirejenih za površinsko montažo. Prikazal je veliko število uporabe takih komponent na tiskanih vezjih in na vezjih izdelanih s polimernimi materiali. Prikazani primeri so bili predvsem iz komercialne elektronike. Najbolj zanimivo je vezje, ki je izdelano s polimernimi materiali za visokonapetostno (do 200 V) krmiljenje elektroluminiscentnega pokazalnika. Velikost vezja je približno 115 x 210 mm^ in vsebuje pri- bližno 70 tiskanih uporov in nekaj 100 križanj prevodnik -prevodnik ali prevodnik - upor. Integrirana vezja v SO o~ hišjih so pritrjena s spajkanjem v parni fazi. Nato so pritrjena integrirana vezja za visokonapetostno krmiljenje z metodo avtomatskega bondiranja s traku (TAB). Drugi referati so obravnavali: - lasersko formiranje ogljenih uporov na organskih poli-mernih materialih. Prikazana je bila tudi praktična uporaba takih uporov na vezju v sprehajalnem stereo radio-kasetofonu, - izdelavo večplastnih povezav golih tabletk; tabletke potopijo v epoksidno rnaso, tako da kontaktne blazinice gledajo iz te plasti, nato z nanašanjem in selektivnim odstranjevanjem prevodnih in izolacijskih plasti izdelajo večplastno povezovalno polje, ki povezuje kontaktne blazinice na tabletkah in zunanje priključke - mikrovalovno poiimeriziranje polimernih debeloplastnih materialov, - tiskanje polimernih debeloplastnih past na substrate iz kombinacije stekla in epoksidnin materialov, - vpliv parametrov polimerizirar.ja v infrarrl, .. , peči na lastnosti polimernih debeloplastnih materialov. To je kratek povzetek vsebine konference. Kdor bi se rad podrobneje seznanil z vsebino posameznih referatov, lahko dobi zbornik konference: Procedings - 5th European Hybrid Microelectronics Conference, Stresa-Italy - May 22-24, 1985, v Iskri, Indok centru; Iskri Mikroelektroniki; Institutu Jožef Stefan; v RIZ-u, Rudi Cajevcu in Institutu Mihailo Pupin. Franc Jan Darko Belavič Iskra IEZE TO ZD HIPOT, Šentjernej OBCNi ZBOR DRUŠTVA ZA VAKUUMSKO TEHNIKO SLOVENIJE Andrej Pregelj Letošnji občni zbor DVTS je potekal 23.5.1985 v knjižnici Inštituta za elektroniko in vakuumsko tehniko v Ljubljani, kjer je tudi sedež društva. Po treh letih je bil to zopet volilni občni zbor za postavitev novih odborov: izvršnega in nadzornega ter tovariškega razsodišča. Novoizvoljeni v izvršni odbor so oili naslednji člani DVTS: 1. Mgr. JENKO Monika, dipl.ing. - predsednik 2. ŠETINA Janez, dipl.ing. - podpredsednik 3. ZAVAŠNIK Rasto, dipl.ing. - tajnik (orgamssr.ctj.i u— čajev 54 4. PREGELJ Andrej, dipl. ing. - tajnik (Vakuumist) 5. ŽUlMER Marko, dipl.ing. - blagajnik 6. Dr. KANSKY Evgen, dipl.ing. 7. Dr. LAH France, dipl.ing. 8. Dr. GASPERIČ Jože, dipl.ing. - (delegat v IUUSTA) 9. Mgr. ZALAR Anton, dipl.ing. - (predsednik JUVAK) 10. GRAHEK Karlo - Vakuumsko naparevanje, Ljubljana 11. ČESEN Jože - Saturnus 12. ŽABKAR Tone, dipl.ing. - IJS 13. LINDA V Janez - Iskra CEO 14. SALAM Sejjad - Iskra Žarnice 15. WEBER Marko - LTH Iz poročila bivšega predsednika Mgr. Zalarja za preteklo obdobje je razvidno, da je razmeroma maloštevilno društvo pokazalo dokajšnjo mero aktivnosti: organiziranje izobraževalnih tečajev iz osnov vakuumske tehnike, sodelovanje pri pripravi IX. jugoslovanskega vakuumskega kongresa (1983 v Zagrebu), strokovna ekskurzija v tovarno Ley-bold Heraeus v ZRN, izpopolnitev in ponatis knjige: Osnove vakuumske tehnike, izdajanje glasila Vakuum ist, nave- zava stikov z madžarskim fizikalnim društvom, itd. / svoja prizadevanja je DVTS prejelo aprila letos tudi priznanje občine Ljubljana-Vič-Rudnik, od IEVT-ja pa bo v kratkem dodeljen prostor za pisarnico društva. Občni zbor je pokazal z živahno razpravo, da so bile vse omenjene dejavnosti v skladu z začrtanimi cilji in da naj bo bodoče delovanje društva podobno dosedanjemu. Kot glavne naloge novega vodstva so bile omenjene: priprava kvalitetnih vaj za udeležence izobraževalnih tečajev, razširitev programa tečajev in izdaja knjige: Tanke vakuumske plasti. Tudi povečanju števila članstva, ki je v zadnjih letih sicer naraslo na okrog 130, bo treba posvetiti več pozornosti. Delovnih organizacij, ki prihajajo v stik z vakuumsko tehniko,je namreč vse več in vse večja je tudi potreba po tovrstnih strokovnjakih. Njih povezovanje, obveščanje in strokovno izpopolnjevanje pa so in ostanejo glavni namen delovanja DVTS. Pregelj Andrej, dipl.ing. I3VT, Ljubljana KONSTRUKCIJA VlSESLDJNOG GORIONIKA ZA BOCiMU HEMMSKU DEPOZICIJU i UTVRDJIVANJE ¡'ARAMETARA PROCESA* Varužan Kevorkijan U ovom radu ispitano je jedno konstruktivno rešenje više-slojnog gorionika za bočnu hemijsku depoziciju. Izvršen je izbor nosača predobiika i utvrdjeni su usiovi rada. Porozni predoblik sinterovan je u elektrootpornoj peči i pra-čena jo kinetika procesa. 1. Uvod Optička vlakna, koja se koriste u telekomunikacionim sis- temima, odlikuju se velikom gustinom prenosa informaci- 1-3 AT.., „ . jau vremenu i prostoru . Njihova znacajna primena o- stvarena u poslednjoj deceniji dokazala je u mnogo slučaje-va očiglednu prednost svotlovodne transmisione tehnologije nad ranije koriščenim klasičnim medijumima za prenos informacija zahvaljujuči: i) širokom transmisionom opsegu frekvencija, ii) malim gubicima, iii) nepostojanju induk-tivnog šuma, iv) širokim mogučnostima kabliranja i v) ma-loj ceni. Danas u svetu postoji više proizvodjača optičkih vlakana i kablova med ju kojima su najvažniji: Amfox, Spectran, Cor- *Članak predstavlja deo magistarskog rada "Ispitivanje depozicije nekih oksida u radijalnom pravcu" odbran jenog 8.03.1983. godine na TMF-u u Beogradu. ning, AT et T, ITT, NTT, Siemens i dr. Svetsko tržište optičkih kablova procenjeno je u 1934 godini na $ 700 miliona a planira se da tokom sledeče tri godine naraste na $ 1.6 4 biliona . U nasoj zemlji, proizvodnjom optickih vlakana ba-vi se "Iskra elektrooptika" u Ljubljani a kabliranjem Fab~ rika kablova u Svetozarevu. Narednih godina očekuje se zna-čajno proširenje jugoslovenskog ;ržišta optičkih kablova i otvaranje nekih novih proizvodnih centara. Da bi bila primenljiva u telekomunikacionim sistem ima optička vlakna moraju da imaju izuzetnu čistoču, reprociuk-tivnost dimenzija i visoku čvrstoeu. Dobijaju se izvlečenjem vlakna iz osnovnog štapa večih dimenzija, tzv. predobiika ( "predforme"), koji se sastoji od omotača i jezgra. Izrada predobiika je složen proces koji se može ostvariti na razne načine ali se danas u svetu najviše koriste sledeča tri: i) Unutrašnja hemijska depozicija iz parne faze (UHD)J ii) Aksijalna hemijska depozicija (AHD)''11 21-23 i iii) Bočna hemijska depozicija (BHD) . Svaki od postupaka ima svoje prednosti i nedostatke nad ostala dva 55 kako u tehnološkom tako i u ekonomskom pogledu i široko se primenjuje. Ipak, trend razvoja pokazuje da je perspektiva u pogledu kvaliteta dobljenih vlakana na strani AHD i BHD procesa. Ova dva procesa su u osnovi slična (Slika l). Gasovita sme- ša reaktanata uvodi se u višeslojni gorlonik, oksidira u pla- 24,25 „ . , . , menu a cestice oksida, nastale nuicleacijom , deponuju se na nosač obrazujuči porozni preoblik. Za proces BHD je S druge strane, glavni nedostatci ove metode jesu: 1.) o~ tvorena priroda procesa koja pruža rnogučnost da dobljeni predoblik bude zaprljan agensima iz spoljašnje sredine, 2. ) u predobliku može da dodje do koncentracije napona, 3.) predoblik sadrži OH grupe koje se moraju ukloniti posebnim procesom, 4.) sinterovanje poroznog predoblika zahteva posebnu aparaturu» Cilj ovog rada bio je da ispita rnogučnost prnkii 'ne primen- gorionik nosac predoblik W j UtJ U ev 1 ¿t fe i NSJ \> M Gorionik se hladi pomoču vodenih hladnjaka (18), (19), tako da njegova temperatura nikada ne prelazi 50°C. 3. Odredjivanje karakterističnih parametara rada višeslojnog gorionika za BHD 3.1. Odredjivanje temperaturnog profila u osi plamena Poznavanje temperaturnog profila u osi plamena je od izu-zetnog značaja za izvodjenje procesa BHD. Na osnovu poda-taka o temperaturi u pojedinim tačkama plamena moguče je izabrati rastojanje gorionika od nosača predobiika kako bi se u zoni zagrevanja, na površini nosača, postigla žel jena temperatura. K K) t 1773 1373 973 goriva smesa proiok 02= 0.9(m3/h) protok H,= CU{m3/h) 100 200 H (mm! Slika 3.: Temperaturni profil u osi plamena za BHD. kriva 1: bez unutrašnje zaštitne zavese, 3 , Slika 2.: Konstrukcija višeslojnog gorionika za BHD. kriva 2: protok O^ za unut. zaš.zav. 0.25 rn^/h protok O^ za spolj.zaš.zav. 0.20 n^ /h, kriva 3: protok O^ za unut.zaš.zav. 0.50 m ^/h protok O^ za spolj.zaš.zav. 0.20 m /h. zavese od kiseonika koja odvaja gasnu struju reaktanata od ostalih delova plamena. Kroz mlaznice (15) nagnute u od- o nosu na osu gonomka pod uglom od 10 , protice goriva smeša (vodonik i kiseonik). Mlaznice (15) su kružno ras-poredjene a njihovo ravnomerno snabdevanje ostvareno je zahvaljujuči gasnom distribute.ru sastavljenom od komore (4) i kanala (10). Na ovaj način postignut je potpuno sime-tričan plamen. Mlaznica (16), oclnosno (17) služi za obrazovanje spoljašnje kiseonične zaštitne zavese koja razdvaja plamen od okoline što je jedan od osnovnih preduslova zaclobijanje izuzetno čistog predobiika. Obe mlaznice su u obliku uskog cilindričnog anularnog prostora. Predloženi dizajn gorionika omogučava da se u njemu ispituju i druge kombinacije gasnih struja. U plamenu koji obrazuje višeslojr.i gorionik za BHD može-mo da razlikujemo: 1.) donji deo, višine oko 40 mm, koji je u obliku kupe u koju se uvodi gasovita smešta reaktanata, 2.) središnji deo koji je cilindričan i potpuno homoge"., prečnika 15 mm i 3. ) vrh plamena. Ukupna dužina plamena iznosi 170 mm. Temperatura u osi plamena merena je termospregorn Pt-Pt-Rh. Na sliki 3 prikazani su dobijeni rezultati. 3.2. Uticaj protoka vodonika na temperaturu plamena Promena temperature u funkciji protoka u gorivoj smeši merena je na tri različite višine (H = 40,80 i 120 mm) 57 u osi plamena (Slika 4). Protok O u gorivoj smeši iznosio 3 2 je u sva tri slučaja 0.9 m /h. Pri tom je postajala unutraš- 3 nja zaštitna zavesa (V^ = 0.5 m /h) kao i spoljašnja (VQ =0.2m3/h). 2 3.3. Eksperimenti u cilju sprečavanja stvaranja neželjenog depozita na gorioniku za BHD Tokom izvodjenja procesa BHD zapaženo je da na čeonoj površini gorionika dolazi do deponovania čestica oksida nastalih u plamenu. Ove čestice na čeonoj površini gorionika stvaraju deponovani sloj koji ometa dalji normalan rad gorionika zatvarajuči otvore za protok gasova. Hadi toga je bilo neophodno utvrditi uslove rada gorionika, odnosno odrediti režim strujanja unutrašnje zaštitne zavese kako bi se sprečilo nastajanje neželjenog depozita. Izvedena je serija eksperimenata u kojima su svi ostali parametri rada odr-žavani konstantnim (Tabela 1) a sukcesivno je povečavan pretok 09 koji obrazu je unutrašnju zaštitnu zavesu s ve dok nije utvrdjen protok pri kojern se čestice oksida više nisu deponovale po gornjoj površini gorionika (Slika 5). Tabela 1Eksperimentalni uslovi pod kojima je izvršeno ispitivanje uticaja unutrašnje zaštitne zavese na stvaranje neželjenog depozita. Tabela 2. : Eksperimentalni uslovi dobijanja poroznog pred-oblika procesom BHD. GORIVA SMEŠA: Protok O (m /h): 2 3 Protok H (m /h): GASOVITA SMEŠA REAKTANATA: Protok O kroz SiCl (m /h): 3 Protok 02 kroz POCl3 (m /h)-. TiK) 1860 1344 728 0.9 0.4 0.006 0.010 0.2 0.8 VH (nr/H) 2 GORIVA SMESA: Protok O (m3/h): Protok H (m /h): GASOVITA SMEŠA REAKTANATA: Protok O^ kroz POC1 (m /h): 3 Protok 02 kroz SiCl4 (m /h): Vreme trajanja eksperimenta (min.): 3 Protok O^ za spoljašnju zaš. zav. (m /h): 0.9 0.4 0.010 0.006 10 0.2 Tačke na krivoj (Slika 5) dobijene su tako što se gorionik pusti da radi konstantno vreme pri odredjenom protoku ki-seonika koji obrazuje unutrašnju zaštitnu zavesu, kako bi se na njemu stvorila izvesna količina neželjenog depozita. Nakon toga gorionik se gasi a sloj deponovan po čeonoj površini pažljivo se skida i meri. Ovim merenjima utvrdjeni su eksperimentalni uslovi za do-bijanje poroznog predoblika procesom BHD (Tabela 2). Slika 4.: Uticaj pretoka vodonika na temperaturu plamena za BHD. kriva 1: H = 40 mm kriva 2: H = 80 mm kriva 3: H = 120 mm v^ u sva tri slučaja 0.9 m /h. Z ASTITNA ZAVESA: 3 Protok O za unut. zaš. zav. (m /h): Protok O 2 za spol j. zaš. zav. (m /h): Rastojanje gorionika od nosača (mm): Brzina kretanja gorionika (mm/min.): Brzina rotacije nosača predoblika (min 1): Temperatura u zoni depozicije (K) 0.5 0.2 120 400 150 1100 4. Izbor nosača predoblika U eksperimentima BHD isprobano je nekoliko nosača predoblika načinjenih od različitih materijala. Kao nosač predoblika korišceni su: (l)kvarcna cev, (2) cev od -A-l^O i (3) grafitni štap. Eksperimenti su pokazali da koriščenje 58 kvarcne cevi kao nosača predoblika stvara velike teškoče pri skiaanju predoblika sa nosača. Do ovoga najverovatnije dolazi usled neravnomernog vezivanja deponovanih čestica za površinu kvarcne cevi pri čemu je predoblik prskao i od-vajao se od nosača. Delovi predoblika koji su ostajali depo-novani na površini kvarcne cevi, sa druge strane, bili su isuviše čvrsto vezani tako da ni nakon hladjenja nosača ni-su mogli da se odvoje. Kada je kao nosač predoblika koriščen grafitni šiap dolazilo je do postepenog sagorevanja grafita što je opet imalo za po-sledicu odvajanje pojedinih delova deponovanog sloja sa površine nosača. Pri hladjenju, nakon završene depozicije, deponovani sloj se raspadao u mnoštvo ljuspica. Najbolji rezultati su postignuti koristeči cev od Al O . risteči ovaj nosač predoblika bilo je moguče deponovati i preko sto slojeva pri čemu nije dolazilo do odvajanja depozita sa površine nosača tokom procesa BHD. Pri hladjenju, nakon završene depozicije, usled razlike u koeficijentu ši- vanje, T = 1373 K, bila je niža od vrednosti koja se prepo-21-27 rucuje u literaturi , T = 1673-1773 K, usled nemoguč-nosti postizanja tako visoke temperature u peči koja je sta-jala na raspolaganju, ali su i na ovoj nižoj temperaturi do-bijeni interesantni rezultati. Kinetika procesa konsolidacije pračena je na osnovu premene gustine uzoraka pri čemu je zapremina uzoraka merena 28 metodom istisnute tečnosti po Seger-u . Ako pretpostavi-mo da je gustina potpuno sinterovanog predoblika približno jednaka gustini čistog SiO^ (sobzirom da je sadržaj u predobliku mali) moguče je odrediti poroznost, e, po jed-načini: e=l (l) 3 pri čemu JeJ°s - gustina SiO^ koja iznosi 2200 kg/m a ja gustina uzorka nakon isteka odredjenog vremena sinterova-29 nja,£T" . Rezultati su prikazani na Sliki 6. Slika 5. : Uticaj unutrašnje zaštitne zavese, Vq2 i na koli- Slika 6. : Zavisnost In od 1 činu stvorenog depozita na čeonoj površini gorio-nika, m. renja Al2®3 * poroznog predoblika, dolazilo je do sponta-nog odvajanja deponovanih slojeva od površine nosača bez bilo kakvih mehaničkih oštečenja. 5. Ispitivanje konsolidacije poroznog predoblika dobijenog procesom BHD Za razvoj druge faze BHD, tj. za proces uklanjanja OH jo-na iz poroznog predoblika i njegovo uspešno ostakljivanje neophodno je poznavati kinetiku sinterovanja deponovanog materijala. Radi toga je porozni predoblik izrezan na man-je delove koji su sinterovani u elektrootpornoj peči, u atmosferi vazduha. Temperatura koja je izabraria za sintero- Dobijena prava pokazuje da se kinetika sinterovanja na ovoj temperaturi može opisati opštom jednačinom: pri čemu su k i n funkcije temperature. Jednačina (2) o- 30 pisuje kinetiku sinterovanja SiO a rani je je utvrdjeno da 31 se sa uspehom može primeniti i na sistem ^iO^-B^Og Za slučaj poroznog predoblika koji sadrži SiO? i malu kon-centraciju P2°5 (manie od 15 m°l- %) , na T = 1373 K kinetika konsolidacije može se opisati jednačinom: - » 0,12 -4f-= 0,923T O) f« 6. Zaključak Izvedeni eksperimenti imali su za cilj da ispitaju praktičnu primenljivost jedne konstruktuvne varijante višeslojnog go-rionika za BHD i AHD. Utvrdjeno je da se pomoču opisanog gorionika može sa uspehom voditi proces BHD u cilju dobi-janja poroznog predoblika i odredjeni su osnovni parametri njegovog rada» Izvršen je izbor nosača predoblika pri čemu su najbolji rezultati dobijeni sa ^-l^Og- Predoblik, do-bijen depozicijom više od sioiinu slojeva SiO^ i P^O^ na no-sač od Al 00 konsolidovan je u elektrootpornoj peči na 1373 K u atmosferi vazduha.i odredjena je kinetika procesa. Opisani višeslojni gorionik može se koristiti za dobijanje oksida i iz nekih drugih halogenida kao i za dobijanje fino dispergovanih čestica SiO^. ZAHVALJUJEM se prof. dr. M. Jančiču, mentoru mog magistarskog rada i dr. Lj. Radonjič, članu komisije, koji su svojim stručnim savetima i sugestijama u mnogome po-mogli konstrukciju opisane aparature, kao i mr. ing. Z. Djinoviču sa kojim sam neposredno saradjivao tokom izra-de aparature. Crteže za ovaj rad izradio je Srečo Bojt, u-čenik srednje naravoslovne šole u Ljubljani. Ovom prilikom se i njemu iskreno zahvaljujem. SUMMARY: One constructive solution of multiple burner for outside vapor deposition process was investigated. The material for target rod was choosed and the working conditions of process were determined. The soot preform was consolidated in the furnace and the kinetics of process was studed. 7.Literatura 1. "Special issue of optical fiber communications", Proc. IEEE. Vol. 68, No. 10, Oct. 1980. 2. "Special issue of optical communications", J. Inst. Electron. Comm. Eng. (IECE), (Japan), Vol. 63, No. 11, Nov. 1980. 3. S.E. Miller, E.A.J. Marcatili, and T.Li, "Research toward optical fiber transmission systems, "Proc. IEEE. Vol. 61, pp. 1703-1751, Dec. 1973. 4. A.W. Baldwin, "Datacoms-Fiber Optics Major Growth Area", Ceram. Ind. pp. 22-5, july 1984. 5. W.A. Gambling, D.N. Payne, C.R. Hammond and S.R. Norman, "Optical fibres based on phosphosilicate glass", Proc. I EE, Vol. 123, No. 6, pp. 570-6, june 1976. 6. D.N. Payne, W.A. Gambling, "A borsilicate cladded phosphosilicate core optical fibre", Optics communications, Vol. 13, No. 4, pp. 422-5, april 1975. 7. W.G. French, G.W. Tasker, and J.R. Simpson, "Graded index fiber waveguides with borosilicate composition: fabrication techniques", Appl. Opt. Vol. 15, No. 7, pp. 1803-7, july 1976. 8. V.V. Grigoranc et al. "Polučenie zagotovok svetlov.-— dov tipa gradan na avtomatizirovanoi ustanovke (moat-, UIZS-1), Radiotehnika, Vol. 37, No. 3, pp. 70-5, 1982. 9. P.C. Schultz, "Progress in optical waveguide process and materials", Appl. Opt. Vol. 18, No. 21, pp.3684-93, 1979. 10. J.B. MacChesney, "Materials and Processes for Preform Fabrication-MCVD and PCVD", Proc. IEEE, Vol. 68, No. 10, pp. 1181-4, Oct. 1980. 11. T. Izawa and N. Inagaki, "Materials and Process for Fiber Preform Fabrication-Vapor Phase Axial Deposition", Proc. IEEE, Vol. 68, No. 10, pp. 1184-7, Oct. 1980. 12. Izawa et al. "Continuous optical fiber preform fabrication method", U.S. Pat. No. 4 062 665, Dec. 13, 1977. 13. Izawa et al. "Method for manufacturing an optical fiber preform", U.S. Pat. No. 4 224 046, Sep. 23, 1980. 14. Kobayashi et al. "Method for manufacturing an optical fibre", U.S. Pat. No. 3 957 474, May 18, 1976. 15. J.S. Watkins, "Control of Fiber Manufacturing Processes", Proc. IEEE, Vol. 70, No. 6, pp. 626-34, june 1982. 16. M. Kawachi et al. , "OH - Ion Distribution in Preforms of High-Silica Optical Fiber", Japanese J. Appl. Phys. Vol. 17, No. 11, pp. 1975-81, Nov. 1978. 17. S. Kobayashi et al. "Preparation of silica glass using a CO laser", Appl. Opt. Vol. 14, No. 12, pp. 2817-18 Dec. 1975. 18. M. Kawachi et al. "Deposition Properties of SiO -GeO Particles in the Flame Hydrolysis Reaction .v>r Optical Fiber Fabrication", Jap. J. Appl. Phys. Vol. 19, No.2, pp. I, 69-L 71, feb. 1980. 19. S. Raychandhuri and D.R. Biswas, "Effect of Variation in Flame Velocity Profile on Particle Deposition Rate", Communication of the American Ceramic Society, C-57, april 1984. 20. H. Takahashi et al. "Germanate glass optical fibers for 2 to 3 .urn band fabricated by Vapor-phase axial deposition method", Opt. Eng. 23 (4), pp. 465-9, July/ August 1984. 21. J.L. Carpenter, U.S. Pat. No. 3 823 995, july 16,1974. 22. D.B.Keck, P.C. Schultz and F. Zimar, U.S. Pat. No.3 737 292, june 5, 1973. 23. P.C. Schultz, "Fabrication of Optical Waveguides by the Outside Vapor Deposition Process, "Proc. IEEE, Vol. 68, No. 10, pp. 1187-90, Oct. 1980. 24. J.S. Flamenbaum, F.W. Voorhees, P.C. Schultz, U.S. Pat. No. 3 806 570, 1972. 25. D.R. Powers, U.S. Pat. No. 4 165 223, 1979. 26. A.C. Bailey, A.J. Morrow, U.S. Pat. No. 4 298 363, 1981. 27. E.K. Dominick, G.W. Scherer, U.S. Pat, No. 4 204 850, 1980. 28. S.K. Djurdjevič, A. Grižo, Praktikum za tehnološke operacije i neorgansku hemijsku tehnologiju II, Nauč-na knjiga, Beograd, 1954. 29. V. Kevorkijan, "Kinetika sinterovanja silika geia", Dipl. rad, TMF Beograd, 1980. Mag. Kevorkijan Varužan Institut Jožef Stefan Ljubljana 60 MOČNOSTNA DIGITALNA IN ANALOGNA INTEGRIRANA VEZJA Stanko Solar Miniaturizacija in integracija sistemov na siliciju ima pomanjkljivost v še nevgrajenih izvršnih organih. Močnostne komponente so torej tiste, ki še manjkajo integriranim sistemom in bodo napravile sistem še popolnejši. Laboratoriji v svetu mrzlično iščejo rešitve združevanja malomo-čnostnih kompleksnih vezij srednje in velike integracije z močnostnimi tranzistorskimi in thyristorskimi izvršnimi organi. Cilji takšnega združevanja so v miniatur.izaciji in povečanju zanesljivosti sistema. Uporaba takšnih sistemov bo strmo naraščala v krmilnikih prikazalnikov, motorskih regulatorjih, grelnih, svetlobnih in stikalnih sistemih, ker bodo tako grajeni sistemi s svojimi odlikami konkurenčni z diskretnimi polprevodniškimi komponentami in še posebno elektromehanskim relejem. Takšno združevanje pa zahteva veliko tehnološkega znanja, dodatno opremo in nove načine razmišljanja. Danes so tržno že dobavljivi nekateri manjši močnostni logični sistemi za krmiljenje fluorescenčnih kazalnikov, regulacijo vrtilne hitrosti motorjev in podobno . Problemi združevanja in miniaturizacije Med največje probleme sodijo temperaturne obremenitve tabletke kot posledica velikih tokovnih gostot. To je tudi vzrok, da so bile in so še raziskave usmerjene na manj močnostne bipolarne in MOS stikalne sisteme. Uporaba se je usmerila v gradnjo visokonapetostnih malotokovnih in nizkonapetostnih srednjetokovnih integriranih vezij. Takšni monolitni moduli so neposredno v uporabi v visokonapetostnih odklonskih sistemih katodnih cevi, napajalnih stikalnih sistemih, stikalih za multipleksno enožično napajanje potrošnikov na primer v avtomobilih - enokabelno o-mrežje. Prednosti združevanja, močnostnih komponent s CMOS logiko na skupno tabletko so v zmanjšanju teže in prostora sistema in v povečanju zanesljivosti, ki še ne dopuščajo množične uporabe, zaradi izredno visokih stroškov načrtovanja in proizvodnje. Seveda so stroški pogojeni z maloserijsko proizvodnjo in se bodo bistveno zmanjšali z masovno proizvodnjo, za katero je potreben določen čas sistemskim hišam za preusmeritev. Od tega trenutka naprej pa bodo močnostni integrirani sistemi ob že znanih prednostih po ceni konkurenčni diskretnim, hibridnim in elektromehanskim . Vsako vpeljevanje novosti je odvisno od zmožnosti in nenazadnje od filozofije razvoja sistema. Prednost pri osvajanju tovrstne proizvodnje bodo imele organizacije, ki razpolagajo tako z močnostnimi MOS tehnologijami, kot z ma-lomočnostnimi analognimi in digitalnimi MOS tehnologijami. Vse bolj bodo pomembni tudi osnovni materiali, ki jih uvajajoče tehnologije zahtevajo in se v marsičem razlikujejo od standardnih. Vidno vlogo pri osvajanju teh vezij bodo odigrale sistemske hiše oziroma porabniki vezij, ki se bodo nujno morali vključiti v načrtovalski razvoj. Uspeh lahko pričakujemo le ob najtesnejšem povezovanju načrtovalcev v mikroelektronskih hišah z ustreznimi kadri v sistemskih hišah. Samo ob iskanju in optimizaciji sistemskih in mikroelektronskih rešitev bo možno zadovoljivo zaključiti razvojno raziskovalni proces. Rezultat naloge naj bi bilo konkurenčno vezje, enako ali boljše od diskretnih in hibridnih, tako po ceni kot po tehničnih lastnostih. Med večje probleme sodijo tudi izolacijske upornosti med CMOS krmilnim vezjem in močnostnimi izhodi, ki morajo varovati krmilna vezja od nadnapetosti in prevelikih tokovnih gostot. Znana je že vrsta tehnoloških pristopov, ki jih lahko razvrstimo v tri skupine: samo izolacija, spojna izolacija in dielektrična izolacija. Samo izolacija se že dalj časa uporablja v D-MOS lateralni tehniki (si. l) z napetostno zmogljivostjo nekaj sto voUov. Ker so dosegli izolacijske upornosti na račun povečanih razdalj med deli komponent na tabletki, so tudi upornosti v prevajanju razmeroma visoke v razredu nekaj ohmov. Te strukture so primerne za krmiljenje višjenapetostnih - malotokovnih potrošnikov. Možne so N in P oblike D-MOS tranzistorjev (si. 2) v skupni P-podlagi, kar je pomembno za priključitev potrošnika s skupno sponko na pozitivni ali negativni potencial napajalnega izvora. Rešitev na sliki 1 je ugodnejša, ker deluje DMOS tranzistor z ozemljenim izvorom in ponor v celoti obkrožata izvor in vrata. Električne slabosti lateralnega DMOS tranzistorja lahko izboljšamo z uporabo vertikalnega DMOS tranzistorja, ki pa zahteva ob vgradnji v nizkonapetostno CMOS strukturo spojno izolacijo. Primer spojne izolacije je prikazan na sliki 3 z lateralnim DMOS tranzistorjem z napetostno zmogljivostjo med 150 in 200 V. 61 Vertikalni DMOS tranzistor bomo uporabili predvsem za zmanjšanje notranje upornosti ob danih geometrijskih razsežnostih. Za višje napetostne zmogljivosti iznad 200 V tudi spojna izolacija odpove in jo zamenja dielektrična izolacija (slika 4). Ta način izdelave mešanih integriranih vezij zahteva veliko dodatne tehnološke opreme in proizvodnih postopkov, ki dražijo končni izdelek. črtovanja integriranih vezij in so bile realizacije tesno povezane z rastjo tehnologije. Ravno novi tehnološki prijemi moderne dobe omogočajo hitrejši prodor močnostnih integriranih sistemov, ki se bodo množično proizvajali že v bližnji prihodnosti. VISGKOHÄPETOSTNI H - KANALNI LATERAL Ni D MOS TRANZISTOR NIZÜOKAPETOSTÜA i !N P MBS TRANZISTORJA Slika 1.: Presek samoizolacijske MOS STRUKTURE V CMOS strukture se že pri standardnih procesih lahko vključujejo bipolarni tranzistorji s tokovno zmogljivostjo do 300 mA in napetostno zmogljivostjo do 70 V (slika 5). Tranzistorji so s skupnim kolektorjem in jih krmilimo preko PMOS tranzistorjev (slika 6). Padec napetosti na tranzistorju je pri največjem toku prevajanja v razredu IV. Praktični zgledi Firma Hitachi razvija med svojo široko dejavnostjo tudi plinsko razelektritvene prikazalnike in te mora napajati z visokimi napetostmi razreda 200 V. Za vključevanje segmentov prikazalnika potrebuje visokonapetostna stikala z VISOKONAPETOSTNA H IN P KANALNA 0 MOS TRAIZISTORJA HIZKOKAPETOSTKA K It: i KANALNA TRANZISTORJA Slika 2.: Združitev P in N kanalnih D MOS tranzistorjev z nizkonapetostno logiko v skupno podlago Izbira rešitve združevanja je pogojena s kompleksnostjo izdelka, velikostjo začrtane površine tabletke, mehanskimi, klimatskimi in električnimi zahtevami in z dopustno prodajno ceno. Poskusi združevanja močnostnih in malomočnostnih sistemov na skupno tabletko segajo v obdobje prvih korakov na- vhodi prilagojenimi na nizkonapetostno krmilno logiko. Ker ima firma v programu ploščat slikovni TV zaslon z uporabo plinsko razelektritvenih segmentov, bodo segmenti izdelani v matrični strukturi in multipleksno krmiljeni preko visokonapetostnih stikal. Stikala bodo vključevala katodo segmenta prikazalnika na negativni visokonapetostni izvor in anodo na pozitivni visokonapetostni izvor. Za vključevanje 62 anod in prilagoditev na krmilno logiko so izdelali integrirano vezje s petimi visokonapetostnimi izhodi (slika 7) v velikosti 2x1 mm2 z lastnostmi podanimi v tabeli 1. U , V Db V I, t mA f kHz P mW/kanal vh pp_izh _ 10 250 2 100 5 Tabela 1. : Tehnične lastnosti vezja za krmiljenje anod plinsko razelektritvenega prikazalnika hnologijah za višje napetostne in tokovne zmogljivosti. Nizkonapetostna vezja do 10 V dosegajo tokovne zmogljivosti do 20 A, visokonapetostna do 250 V pa do 1 A. Že daleč nazaj segajo tudi poskusi zamenjave elektrome-hanskih relejev z elektronskimi, ki v zadnjem času ponovno burijo načrtovalce močnostnih monolitnih vezij. Ker nove tehnologije omogočajo izdelavo sistemov na skupni tabletki, je še toliko bolj potrebna sodelava s sistemskimi hiša- P? S9 j |0 D MOS P DIFUZIJA-SPOJNA IZOLACIJA H MOS P MOS Slika 3. : Primer spojne izolacije med močnostnim lateral-nim DMOS tranzistorjem in CMOS logiko Takšna in podobna vezja za napajanje in krmiljenje višjena-petostnih prikazalnikov (plinskorazelektritveni, fluorescenčni, plazma in podobno) so v rednih proizvodnjah že nekaj let. Vezja so prilagojena za krmiljenje znakov in segmentov prikazalnikov v bipolarnih in MOS tehnologijah. Dostopna so že tudi integrirana vezja za krmiljenje matričnih ozi- mi za doseganje optimalnih rezultatov. Elektron, ke releje moramo razdeliti na enosmerne, izmenične, nizko in višje napetostne. Elektronski releji za nizke enosmerne napetosti do 30 V, s tokovno zmogljivostjo do 16 A in vhodno prilagoditvijo na logična CMOS ali bipolarna TTL vezja, so grajeni na eni tabletki, kar pomeni, da lahko procesna eno- 0« S© Stropije. Tako je na primer L =0,2 ,um, d = 1 .um i A = 10 L J ^ m / / max = 0,22 ^um. Osim velike vrednosti koeficijenta anizotropije pri nagrizanju je potrebno obezbediti: veliku selektivnost, minimalnu zaprljanost površine substrata, visoku reproduktivnost, bezbednost osoblja koje radi na ovim procesima, minimalni! zagadjenost okoline i dr. Sem toga potrebno je obezbediti takvo nagrizanje koje ne utiče znantno na degradaciju svojstava i dimenzija rezistnih maski kao i na elektrofizi-čke parametre strukture koja se nagriza. Ove zahteve u največoj meri može da ispuni vakuumsko-plazmeno nagrizanje (VPE) (vacuum plasma etching). Zbog toga se danas WCE proces u proizvodnji integrisanih kola sve više zamenjuje WPE procesom |jt,5,6j . Dosadašnji razvojni put VPE procesa može se podeliti u če-tiri etape £7] a) 1968-1972 godine početak razvoja b) 1973-1976 godine razvojni period c) 1977-1980 godine period prihvatanja d) 1980-na dalje potpuno prihvatanje 65 mehanizama dejstva ovih čestica sa površinom materijala, razlikuju se tri osnovne vrste VPE procesa (si. l) [5,9,10, 11,123 : a) Jonsko nagrizanje (IE) (ion etching), kod kojeg se površinski sloj materijala odstranjuje fizičkim raspršivanjem. Raspršivanje se vrši energetskim jonima inertnih gasova ko ji hemijski ne reaguju sa površinom materijala, koja se obradjuje. Ako se materijal nagriza u istoj komori gde se obrazuje plazma, takvo se nagrizanje naziva jonsko-plaz-meno (SE) (sputter etching). Ako je materija! smešten u vakuumskoj komori koja je odvojena od komore u kojoj se obrazuje plazma, onda je to nagrizanje jonskim snopom (IBE) (ion beam etching or ion beam milling), procese. Jedan od prvih patenata iz oblasti nagrizanja plazmom je prijavio Hollahan 1966. godine £8*} , ali nije predvideo i pri-menu ovog procesa u poluprovodniškoj tehnologiji. Medju-tirn, ovaj pronalazak je bio jedan od značajnih elemenata za razvoj mikroelektronske tehnologije u svetu. Razvoj N-kanalnog gejta MOS strukture u SAD-u i Japanu 1973. i 1974. godine zahtevao je dobijanje što strmijih bočnih strana u otvoru oksida, što se nije moglo postiči WCE procesom zbog male anizotropije. U periodu do 1976. godine razvijeno je nekoliko metoda za nagrizanje plazmom SiO? , Si N , polikristalnog Si, Al, itd. U ovom periodu je razvijen i planarni reaktor za anizotropno nagrizanje. Sem toga, razmatrani su neki teorijski problemi vezani za U periodu od 1977-1980. godine dolazi do masovne prirne-ne VPE procesa u poluprovodničkoj tehnologiji, u prvom redu kod MOS komponenata. Zahtev za sve manje dimenzije elemenata skoro da se više nije mogao zamisliti bez prime-ne VPE procesa. Od l')80. godine pa do danas razvoj mikroeloktroniko je u-smeren ka masovnoj proizvodnji VLSI kola, pa su zahtevi za koriščenjem VPE procesa postali veoma strogi. 2. Vrste VPE procesa VPE procesi koriste energetske i hemijski aktivne čestice ko je se obrazu ju u plazmi nastaloj električnim praznjenjem na niskim pritiscima. U zavisnosti od fizičko-hemijskih b) Hemijsko nagrizanje (PCE) (plasma chemical etching), kod kojeg se površinski sloj materijala odstranjuje samo hemijskom reakcijom izmedju hemijski aktivnih čestica (slobodni atomi i radikali) i atoma površinskog sloja materijala koji se nagriza. Ako se nagrizanje vrši u istoj komori u kojoj se stvara plazma, onda se ono naziva plazme-no nagrizanje (PE) (plasma etching). U ovom slučaju he-mijska reakcija nagrizanja površine materijala aktivira se bombardovanjem niskoenergetskim elektronima i jonima, a takodje i fotonima. Ako se materijal nalazi u vakuumskoj komori koja je odvojena od komore u kojoj se obrazuje plazma, onda se nagrizanje vrši hemijski aktivnim česticama bez aktivacije elektronskim i jonskim bombardovanjem, a najčošce i bez aktivacije fotonima. Takvo se nagrizanje naziva nagrizanje slobodnim radikalima (ERGS) (etching by reactive gas species). 66 c) Jonsko-hemijsko ili reaktivno jonsko nagrizanje (RIE) (reactive ion etching) koci kojeg se površinski sloj materi-jala odstranjuje kako pri fizičkom raspršivanju energetskim jonima, tako i hemijskim reakcijama izmedju hemijski aktivnih čestica i atoma površinskog sloja. Ako se rnaterijal nagriza u komori u kojoj se obrazuje plazma, onda se tak-vo nagrizanje naziva reaktivno-jonsko (RSE) (reactive sput-ter etching). Tada hemijski aktivne čestice mogu dolaziti na površina materijala iz plazme, ili se obrazovati na površini pri udarnoj disocijaciji molekularnih ili atomskih jona. U ovo m slučaju površinu bombarduju i elektroni i fotoni. Ako je komora u kojoj se nalazi materijal odvojena od komore u kojoj se obrazuje plazma, onda se takav proces nagrizanja naziva reaktivno-jonsko nagrizanje pornoču snopa (RIBE) (reactive ion beam etching). U ovom slučaju površina materijala se podvrgava uticaju samo molekularnih ili atomskih jona koji pri udarnoj disocijaciji ili neutraliza-cijo obrazuju hemijski aktivne čestice. Tabela I Vrste __čestice____ nagrizanja joni slobodni atomi elektroni atomi i mol. atomi raspr. EM zrač. rad, gasa_i radikali__rad, gasa_materijala_plazme SE 0,5-2,0 keV nema 0. ,5-0,1 keV 0 ,05-0. ,1 eV 0,05-5. ,0 eV 0,1-10 eV IBE 0,5-2,0 keV nema 0, ,1-100 eV 0 ,05-0. ,1 eV nema 0, i-i(> eV RSE 0,1-0,5 keV 0,05-0,1 eV 0, ,1-0,5 keV 0 ,05-0, eV 0,05-5, ,0 eV 0, 1-¡0 eV RIBE 0,1-0,5 keV obrazuje se usled 0. ,1-10 eV 0 ,05-0, ,1 eV nema 0,1-10 eV udarne disocijacije jona, energija nc- poznata PE 1,0-100 eV 0,05-0,1 eV 1, ,0-100 eV 0 ,05-0, ,1 eV nema 0,1-10 eV ERGS nema 0,05-0,1 eV nema 0. .05-0, 1 eV nema 0,1-10 eV Poznato je da je u plazmi na nižin pritiscima energija elektrona znatno veča od energije teških čestica. Zbog toga procesi disocijacije i jonizacije u osnovi nas ta ju usled sudara elektrona sa neutralnim česticama. U PCE i RIE procesima najčešče se koristi gas CF (freon 14). Rezultati prvih maseno-spektroskopskih istraživanja čestica koje se obrazuju pri disocijaciji molekula CF^ u plazmi tinjavog praznjenja dati su u radu 16 . Ta analiza 4- + je pokazala sledeči sastav gasa: 77 % CF^ ; 6,5 % CFQ ; 4- 4- 4- -¡-4- , +4- + 3,5 % CF ; 4 % F ; 2 % C ; 2 % CF0 i 1 % CFg . Pri ispi-tivanju sastava snopa dobijenog iz jonskog topa pri propu-štanju kroz njega CF4, dobijen je sledeči sastav 17 : 78% CF* ; 7,8 % CF* ; 4,4 % F+; 3,7 % CF+; 3,1 % C + ; 1,9 % CK*+ i 0,7 °'o CF^++. On se veorna dobro slaže sa rezulta-tima datim u radu 16 . U tabeli I date su energije čestica kod pojedinih vrsta VPi5 procesa . Iz tabele se vidi da za razliku od IE procesa, kod koga su potrebni joni energije od 0,5 do 2 keV, pri RIE procesu isti efekat nagrizanja se može postiči pri energijama jona od 0,1 do 0,5 keV. Iz ovoga se jasno vidi prednost RIE procesa u odnosu na IE procese. 3. Obrazovanje energetskih i hemijski aktivnih čestica pri visokofrekventnom praznjenju Energetske i hemijski aktivne čestice se mogu obrazovati u plazmi procesima koji se uslovno mogu podeliti u četiri grupe: reakcije pod dejstvom udara elektrona, reakcije pri neelastičnorn sudaru teških čestica (atoma i molekula), heterogene reakcije i reakcije pod dejstvom fotona (tabela II ) [l3,14,15] . Kod RIE procesa je teško odvojiti doprinos fizičkog i hemij-skog mehanizma u nagrizanju materijala, pošto iizičko ra-spršivanje aktivira površinu materijala, usled čsga se povečava brzina hemijske reakcije koja sa svoje strane slabi hemijske veze atoma na površini, što uvečava brzinu fizičkog raspršivanja. Minimalna energija jona pri kojoj dola-zi do raspršivanja materijala kreče se od 20 do 30 eV. Medjutim , znatnije raspršivanje se postiže pri energijama jona večim od 100 eV Može se dati gruba granica iz- medju PCE i RIE procesa u zavisnosti od energije jona (E ) kojima se bombarduje površina materijala. Ako je E 100 eV, nagrizanje se vrši pretežno pomoču PCE procesa, a a-ko je E. 100 eV, nagrizanje se vrši pretežno pornoču RIE procesa. 67 Tabela II Naziv reakcije Reakcija Reakcija pod dejstvom elektronskog udara M Pobudjivanje Disocijativno pripajanje Disocijacija Jonizacija Disocijativna jonizacija AB + e-i»AB + e A" AB + e-i-AB ^A + B + e AB + e -»AB A + B + e AB + e->-AB+ + 2e AB + e-»A+ + B + 2e Reakcija pri neelastičnom sudaru teških cestica Penning-ova disocijacija Penning-ova jonizacija Prenošenje naelektrisanja Jonizacija pri sudaru Jonsko-atomska rekombinacija Jonsko-jonska rekombinacija Elektron-jonska rekombinacija Atomska rekombinacija Atomsko prenošenje Atomsko dopunjavanje M + A2~» 2A + M M* + a2">A2 + M + e M+ + + M M~ + A?-fA~ + M M + a2~> A2 + M + e A + A-^A^ + e M + A + M 2 2 e + A2-#2A e + A + M- -A2 + M 2A + M-h»A2 + M A + BC—*AB + C A + AB + M-»ABC + M Heterogena reakcija (S-površina čvrstog tela u kontaktu sa plazmom Atomska rekombinacija Stabilizacija čestice A + A-+S i- A, S S - B + A-*S + AB S + A*-> S + A S + AB*-*S + AB S - A + M+-» S+ + B + M Raspršavanje Reakcija pod dejstvom fotona iz plazme Disocijacija AB + hv-»A + B Jonizacija AB + hv-*A+ + B Pobudjivanje AB + hv-»AB* ne podjednako verovatne £l9j . Medjutim, spektroskopska merenja su pokazala da je brzina nagrizanja Si u plazmi CF^ u korelaciji sa intenzitetom emisije koja potice od e-lektronom pobudjenog atoma fluora |j9l . Zbog toga se da-nas u večini radova kao osnovna reakcija disocijacije molekula CF^ uzima reakcija (l). Istovremeno sa reakcijom disocijacije molekula CF^ u plazmi nastaje i reakcija rekombinacije radikala CF° i atoma fluora, pri čemu ove reakcije mogu biti heterogene CF° + F° + S->CF^ + S F° + F° + S-*F2 + S CF° + CF° + S-»C F + S J 3 2 6 i homogene CF° + F° + M-Í.CF* + M F°+ F° + M-»F* + M CF° + CF° + M->C F + M O j 2 D (4) (5) (6) (7) (8) (9) gde je M treča čestica, najčešče C{r4i a S površina čvrstog tela, tj. zidova komore i elektroda. Pokazano je \19] da se u CF^ plazmi bez prisustva kiseoni- ka obrazuje veoma mala koncentracija C F . Zbog toga 2 6 se reakcije (6) i (9) mogu zanemariti. Reakcije (5) i (8) takodje možemo zanemariti u odnosu na reakcije (4) i (7) , pošto je vreme života pobudjenog molekula fluora F* 3-5 puta krače od vremena života pobudjenog molekula CF* . Na kraju treba naglasiti da verovainoča reakcije (4) raste sa sniženjem pritiska CF^, a verovatnoča reakcije (7) se smanjuje. Pored CF^ gasa i njegove smeše sa O2 i N2 koriste se i drugi gasovi. U tabeli III dati su materijali koji se najčešče koriste u poluprovodničkoj tehnologiji i odgovarajuči gasovi ili smeše gasova sa kojima se vrši njihovo nagriza-nje [20] . U radovima |l8,19j je pokazano da se pri disocijaciji mc lekula CF pri elektronskom udaru u niskotemperaturnoj plazmi kao osnovne čestice obrazuju CF° i F° radikali. Za disocijaciju molekula CF važe sledeče reakcije 9 : Tabela III CF4 + e-»CF° + F° + e CF4 + e-*CF* + F° + 2e CF4 + e-+CF° + F~ (1) (2) (3) Za odvijanje reakcije (2) potrebna je velika energija elektrona, tako da se ona može zanemariti. Za odvijanje reakcija (l) i (3) potrebna je ista energija elektrona, pa su o- Materija! Vrsta gasa Si cf4' cf4 + o2, CC12F2 poli Si cf4- cf4+o2,cf4+n2 si3n4 cf4' cf4 + o2 sío2 cf4' Ar cf4 + o2, hf, cc12, f^ 1 c3fg, Mo cf4' cf4 + 02 w cf4' cf4+o2 68 Pt CF4+°2'C2C12F4+02'C2C13F3+ °2'C2C13F3+02 Ti CF4 Ta CF4 Cr Cl , CC1 , CC1 + Ar 2 4 4 (naparavanje ili spaterovanje) Cr O 2 3 Cl + Ar, CC1. + Ar 2 4 (oksidacioni metod) Al CC1 , CC1 + Ar, BC1„ 4' 4 3 Al O 2 3 CCI. + Ar, BC1 4 3 GaAs CC12F2 4. Modeli za nagri zanje plaz mom Za proučavanje mehanizama nagrizanja plazrnom razvije-no je nekoliko modela koji ponekad mogu pomoči u tuma-čenju različitih interaktivnih fenomena. Jedan od takvih modela je razmatranje sistema za nagrizanje plazrnom kao "erne kutije" (black box) i tumačenje hemijskih reakcija koje se odigravaju u gasovima koji ulaze i izlaze iz sistema gde se vrši nagrizanje ¡[21, 22] . Ovaj model zahteva da odnos C/F (ugljenik/fluor entiteta) koji napušta sistem bude ekvivalentan odnosu C/F koji ulazi u sistem kao gas za nagrizanje. Ako se ovaj model primeni na primer na sistem CF^/Si ili SiC>2, tipični gasovi uočeni u izlaznom gasu su: C^, CF^, SiF^, CO, C09, HF i F^ Ako se pret-postavi da je depozicija fluoro-ugljeničnih polimera na u-nutrašnjirn površinama komore za nagrizanje zanemarljivo mala, na bazi očuvanja količine F i C , može se napisati l2ll : N(SiF )-l/2 N(C F J-l/2 N(F J + l/2 N(COF )-l/4 N(HF) 4 2 6 2 d- +N(CO)+N(CO2) (10) gde je N broj molekula u sekundi koji napuštaju sistem za nagrizanje. U slučaju prisustva i drugih gasova5 gornji izraz se može lako modifikovati da obuhvati i njihov doprinos.- Na primer, u ovom izrazu je sadržana uloga kiseoni-ka pri oksidaciji ugljenika, pri čemu se dobijaju slobodni atomi fluora koji mogu da učestvuju u procesu nagrizanja. Korelacija izmedju razvijanja CO i brzine nagrizanja, kao i izmedju koncentracije COF0 i brzine nagrizanja je, tako-dje, sadržana u ovom izrazu. Iz ovog izraza se može u-očiti i uloga vodonika u obrazovanju HF koji smanjujo br~ zinu nagrizanja, kao i uloga C2F6 U sistemu bez prisustva kiselinika. Drugi uproščeni model se zasniva na karakterizaciji praž-njenja relativnom stehiometrijom (fluor/ugljenik) aktivnih čestica za nagrizanje. Pri odredjivanju odnosa F/C gasovi koji ne reaguju značajno sa površinom koja se nagriza, ili za koje se misli da ne doprinose bitno u polimerizaciji (CF^, CO, C02, COF2, F2 itd. ) ne uzimaju se u razmatranje, več samo čestice za koje se zna da reaguju (CF^, CF*, CF2, CF*, CF, CF + , F, C itd.). Drugim rečima, odnos F/C aktivnih čestica je odrecljen F/C odnos gasa za nagrizanje, modifikovan procesima koji kao rezultat da ju ne-reaktivne čestice. Na primer, F/C odnos aktivnih čestica koje su obrazovane disocijacijom CF^ je 4. Medjutim, nagrizanje Si če utrošiti fluorove atome za obrazovanje relativno nereaktivnog SiF^ gasa, pri čemu če se smanjiti F/C odnos aktivnih čestica. Sličan efekat če se dobiti dodava-njem H^, ili nezasičenih fluorovodoničnih gasovitih jedin-jenja. S druge strane, ako se sistemu dodaje kiseonik, aktivni ugljenik se transformiše u neaktivne molekule CO ili CC>9, i na taj način se povečava odnos F/C. Pošto odnos F/C opada, povečava se odnos brzine nagrizanja SiO^/Si, sve dok polimerizacija ne počne oa dominira nad nagriza-njem, Granica izmedju polirnerizacije i nagrizanja i njena zavisnost od primenjenog napona na površinu koja se raz-matra, može se i kvalitativno predstaviti koriš ' gcm odnosa F/C. Model F/C odnosa praktično sugeriše da je molekularna priroda injektovanog gasa za nagrizanje manje značajna i da hemizam nagrizanja može biti u korelaciji sa atomskim sastavom gasova od kojih je ostvareno praznjenje. Pokaza-no je [22j da se ovo odnosi na sisteme u kojirna se gas du-go zadržava u oblasti praznjenja >,pri malim brzinama pro-toka gasa). Slično ponašanje u toku nagrizanja uočeno je kod Si pri nagrizanju gasovima kao što su COF2 i C^F -O^ (1:1). Ovaj model nagrizanja ne može se primcniti na sisteme sa kratkim vremenom zadržavanja gasova u oblasti pražnjenja (pri velikim brzinama protoka gasa), ali se može očekivati da je primenljiv za mnoge konfiguracije koje se koriste pri nagrizanju plazrnom. Treči uproščeni model je faktor iskoriščenja. Za slučaj nagrizanja Si u CF to je prost odnos brzine kojom se flu-or trosi u procesu nagrizanja i brzine kojom se fluor uba-cuje u sistem kao CF^. Pri bilo kojoj vrsti nagrizanja faktor iskoriščenja treba da bude manj i od jedinice, recimo reda 0,1 pa i manji. 69 5. Oštečenja u ma t e r i j a 1 u nastala tokom nagrizanja plazmom Poznato je da nagrizanje materijala plazmom prati niz problema vezanih kako za hemijske procese izmedju aktivnih čestica plazme i atoma materijala, tako i za fizičke procese koji se pre svega odnose na efekte jonskog bombardova-nja materijala. U oba slučaja javljaju se oštečenja materijala, koja često ne mogu da se otklone u toku daljeljeg procesiranja. Organski polimeri, joni teških metala kao i atomi ugljeni-ka koji ostaju na površini posle nagrizanja plazmom, mogu se svrstati u oštečenja hemijske prirode. Ova vrsta oštečenja ne predstavlja veči problem jer je moguče relativno lako otkloniti uzrok njihovog nastanka. Oštečenja fizičke prirode su mnogobrojnija po vrstama, teško ih je izboč i, a čcisto tesko i minimizovati, pa zbog toga predstavljaju najozbiljniji problem i veliku smetnju u primeni. Rezultati istraživanja polimerizacije u plazmi dati su u ra-du J23]J kako sa gledišta njenog nepovoljnog delovanja na procese nagrizanja plazmom, tako i mogučnosti sinteze odred jenih polimera. Formiranje polimera na površini materijala koji se nagri-za prouzrokuje prevremeno prekidanje procesa. Do ovoga dolazi kada je brzina formiranja polimera veča od brzine nagrizanja materijala. Da li če se i u kojoj meri formirati polimeri, zavisi od odnosa F/C , kao što je naglašeno. Tako če se u plazmi C F (F/C = 2/l) formirati polimeri, dok u CF4 plazmi (F/C =4/1) neče. Na proces polimerizacije utiče i prisustvo drugih atoma, kao i parametri vezani za sam proces nagrizanja (snaga, frekvencija, pritisak itd.). Tako, prisustvo vodonika pospešuje formiranje polimera, a prisustvo kiseonika ga ote-žava. Kao što je ranije naglašeno kod RIE procesa pored hemij-skih reakcija izmedju hemijski aktivnih čestica i materijala , dolazi i do bombardovanja površine materijala jonima, tj. do katodnog raspršivanja. Medjutim, osim bombardovanja katode, dolazi do bombardovanja i ostalih površina unu-tar reakcione komore, što izaziva katodno raspršivanje i atoma materijala od koga je izradjena reakciona komora i delovi u njo j ^24,25^ . Raspršeni atomi materijala se delom deponuju na površinu materijala koji se nagriza (supstra- ta). Največi broj deponovanih prelaznih atoma metala če stvoriti duboke centre zahvata kako u poluprovodnicima, tako i u dielektričnim tankim filmovima, kao što je slučaj u sio2" °sim zaprljanja supstrata, atomi teških metala po-voljno utiču na proces polimerizacije\23~2 . Negativno dejstvo katodnog raspršivanja ogleda se i u amorfizaciji povr-šinskog sloja koji je izložen dejstvu bombardujučih čestica. Tako se pri bombardovanju Si jonima argona energije 0,5 keV amorfizuje sloj debl jine do 4 nm, a pri energiji od 2,5 keV i do 10 nm ¡26] . Kod RIE i IE procesa cleo bombardujučih čestica se implan-tira u površinski sloj materijala do dubine od 20 nm, što uslovljava stvaranje niza defekata koji se prostiru na večini dubinama nego što je dubina implantiranih čestica. Od posebnog značaja za MOS tehnologiju su oštečenja koja nastaju u SiO^ dejstvom zračenja» Rezultati istraživanja uticaja zračenja na oštečenje SiO? kod MOS struktura dati su u radu 27 . Pokazano je da se materijal u toku RIE procesa izlaže bombardovanju jonirna i fotonima, i kao posledica toga stvaraju se centri zahvata. Prisustvo centara zahvata izaziva promenu napona ravnih zona. Tako se na os-novu snimanja C-V krivih može suditi o postojanju ovih centara u supstratu. Ako se uporede dubine od kojih su filmov! oštečeni nagrizanjem u plazmi sa danas postignutim dubinama difuzije kod bipolarnih tranzistora do 100 nm i debljinama oksida kanala u MOS komponentama (od 25-50 nm), vidi se da se radi o istom redu veličine, što pokazu-je koliko je to ozbiljan problem. Zbog toga je u zadnje vreme njemu posvečena posebna pažnja, kako sa gledišta ispi-tivanja mehanizama nastanka oštečenja, tako i načina njihovog otklanjanja ili minimiziranja. Pravilnim izborom ga-sa kao i parametara procesa moguče je izbeči proces polimerizacije, a prekrivanjem zidova komore materijalom koji je kompatibilan sa materijalima koji se koriste u od-govarajučoj tehnologiji, može da se eliminiše problem za-prljanja teškim jonima Prema rezultatima istraživanja datim u radu 26 postoji nekoliko načina otklanjanja nastalih oštečenja: a) Odžarivanje supstrata koji je nagrizan. Ovim postupkom se oštečenja potpuno ne uklanjaju. Radi sprečavanja dodatnih neželjenih efekata, preporučuje se pulsirajuče odžarivanje. b) Odstranjivanje oštečenih slojeva mokrim ili plazma he-mijskim nagrizanjem. Ovi postupci zahtevaju dodatni broj procesnih koraka. U budučoj izradi komponenata ovaj po- 70 stupak se neče moči primenjivati zbog veoma tankih aktivnih površina. c) Vrši se anizotropno nagrizanje CC1^+C1 plazmom, ali je selektivnost u odnosu na Si vrlo loša. Rešenje je nadje-no u koriščenju PtSi kao barijere za nagrizanje otvora za kontakte. Ne postoji problem da se takav barijerni sloj za nagrizanje koristi u budučim komponentama, ali time uvode dodatni procesi. d) Preporučuje se i delimično nagrizanje SiO^ plazmom, posle čega se vrši kratkotrajno potapanje u HF rastvor da bi se sprečilo nagrizanje silicijuma. Ovaj postupak može da bude ograničen pogoršanom kvašljivošču, posebno otvora malih dimenzija. e) Koriščenje malih snaga i kratkotrajnog prenagrizanja pri kraju nagrizanja SiO^ sa H^-CF^ i CHF^ plazmom ta-kodje može da bude način sprečavanja oštečenja. Za primerni ovog načina u VLSI tehnologiji potrebna su dodatna is-traživanja. f) Koriščenje višeg bias-potencijala (V^) u prvom stepe-nu anizotropnog plazma nagrizanja komponenata u SiO^, posle čega se nagrizanje vrši sa manjom vrednošču V . I ovaj način treba ispitati pri primeni u VLSI tehnologiji. g) Nagrizanje se vrši anizotropno do dubina do kojih nema oštečenja podloge, a posle toga se vrši izotropno nagrizanje ko je ne oštečuje strukturu. Ovaj način je moguč samo ako je selektivnost izotropnog nagrizanja dobra. 6. Sistemi za nagrizanje plazmom Uporedo sa razvojem procesa nagrizanja u plazmi razvijem su i sistemi za nagrizanje. Oni se obično sastojo iz četiri dela 6 : a) Jedne ili više komora izradjenih od metala, stakla ili kvn rca b) RF generator a kao standardnog električnog izvora c) Sistema za ispumpavanje d) Kontroinog modula. RF generator i kontrolni modul kao celina mogu biti smeš-teni blizu komore ili odvojeni od nje. Pločice materijala koji se nagriza smeštaju se u komoru na pokretne ili nepokretne držače koji su izradjeni od metala, stakla ili plastike. U zavisnosti od namene sistema može se koristiti jedna komora u kojoj se istovremeno o-brazuje plazma i vrši nagrizanje pločica ili, pak, dve komore gde se u jednoj obrazuje plazma a u drugoj vrši na- grizanje pločica snopom jona koji stižu iz komore u kojoj se vrši obrazovanje plazme. Ovde če biti razmatrani sistemi kod kojih se u istoj komori obrazuje plazma i vrši nagrizanje pločica. Komora se najpre ispumpava, a onda se u nju ubacuje gas koji se pomoču RF generatora konver-tuje u plazmu. Najčešče se koristi RF generator čija je frekvencija 13,56 MHz za nagrizanje Si i SiO^, \6,28^ . Kontrolni modul služi za kontrolu parametara kao što su: protok gasa, vreme trajanja procesa, sastav gasa, električna snaga i dr. Danas se uglavnom koriste dva tipa sistema za nagrizanje. To su cilindrični i planarni sistem. A •- poprečni presek drzac kvarciia komora i.lumiai juraski. žtit uredjaj za d.** bris vanje gasom / tt^Jliif^ pikico EZZ2777Z22ZZi ■ L^j j kvarciio komora t B - osni presek pumpa Slika 2: Cilindrični sistem za nagrizanje plazmom a) Cilindrični (barrel reactor) sistem Šematski prikaz ovog sistema dat je na si. 2 ¡6,28*j . Sa-stoji se iz cilindrične komore sa spoljašnjim elektrodama, u kojoj su pločice postavljene na kvarcnim ili aluminijum-skim držačima normalno na osu komore. Pločice su od u-ticaja jona i fotona iz plazme zaštičene aluminijumskim cilindrom koji se naziva "tunel za nagrizanje", u koji samo dopiru dugoživeči radikali iz plazme. Oni se kreču slo-bodno kroz otvore tunela i reaguju sa materijalom za nagrizanje . 71 Brzina nagrizanja u ovim sistemima zavisi od sastava ga-sa, protoka i pritiska gasa, temperature pločica koje se nagrizaju, kao i primenjene RF snage. Dobra strana ovog reaktora je njegov veliki kapacitet. U njemu se može istovremeno vršiti nagrizanje 20 do 100 plocica. Zbog toga je ovaj sistem pogodan za sagorevanje fotorezista. Medjutim, ovaj sistem se ne može koristiti za anizotropno nagrizanje, za nagrizanje aluminijuma i za selektivno nagrizanje SiO? na Si podloži. Takodje nije pogodan za nagrizanje večine metala. Uz to, u toku procesa vrši se nagrizanje pločica sa obe strane. Zbog toga se on ne može koristiti u mnogim procesima u VLSI tehnologiji gde je potreban visok stepen rezolucije. Pored toga, loša strana cilindričnog reaktora je i postajanje radijalne neu-noformnosti i zavisnost brzine nagrizanja od površine iz-ložene dejstvu plazme. b) Planarni sistem Sematski prikaz ovog sistema dat je na si. 3 |6,11,29] . Kod ovog sistema pločice su smeštene na elektrodi u obli-ku ravne ploče koja je uzemljena ili vezana za RF generator. Ako se pločice nalaze na potencijalu RF elektrode, on-da se takav sistem naziva diodnim sa katodnom vezom, a Slika 3: Planarni sistem za nagrizanje plazmom ako su pločice na uzemljenoj elektrodi (anodi), onda je to diodni sistem sa anodnom vezom. U diodnom sistemu sa anodnom vezom materijal se podvrgava dejstvu jona manje energije nego u sistemu sa katodnom vezom. On se češče koristi jer daje manja oštečenja na pločicama. U planarnom sistemu vrši se nagrizanje pločica samo sa jedne strane. Uz pogodnu kombinaciju snage RF generato-ra, protoka gasa i pritiska u komiri, postiže se željena u- niformnost nagrizanja. Hladjenje elektroda vrši se pomoču protočnog fluida (najčešče je to voda). Kod planarnih sistema moguče je vršiti nagrizanje sa velikim stepenom anizotropije. Ovi sistemi služe za dobijanje elemenata submikronskih dimenzija gde je potreban visok stepen rezolucije (ispod 3^um). U njemu se najčešče vrši nagrizanje Si, si02' Si3N4 * ve"ne metala ^30^] . Takodje, ovaj sistem služi i za izotropno nagrizanje u onim slučaje-vima kada je to nemoguče uraditi u cilindričnom sistemu (na primer, nagrizanje aluminijuma). 7. Zaključak Analiza nagrizanja plazmom pokazuje da se ovaj proces sve više primenjuje u mikroelektronskoj tehnologiji za pro-izvodnju integrisanih kola i poluprovodničkih naprava. Do danas još u dovoljnoj meri nisu proučeno fizičko-hemijske pojave koje nastaju u gasu i na površini materijala koji se nagriza, več se razmatraju na osnova pojedinih modela. Ovo ograničava primenu procesa nagrizanja u plazmi. Do-sadašnja istraživanja se u največem broju slučajeva bazi-raju na eksperimentalnim istraživanjima. IE procesi, zahvaljujuči odstranjivanju materijala fizičkim raspršivanjem, su univerzalni, a primena inertnih gasova je bezopasna po zdravlje osoblja koje radi na ovim procesima (naročiti IBE proces koji ne koristi RF generator). Sem toga, produžava se vek vakuumskog sistema i ne do-lazi do zagadjivanja okoline gasovima koji se ispumpavaju. IBE proces ima visok stepen rezolucije, malo toplotno i radijaciono dejstvo na materijal koji se nagriza. Medjutim, niska selektivnost, pojava maksimuma na krivoj zavisnosti brzine nagrizanja od ugla pod kojim padaju joni, ograni-čavaju primenu ovog procesa za dobijanje submikronskih dimenzija u sloju radnog materijala debljine od 0,1 - 0,3 ^,um preko organskih rezistnih maski. Ovaj proces se u proizvodnji VLSI kola koristi za nagrizanje materijala kcd kojih još nisu razradjeni PCE i RIE procesi. IE proces, pored ostalog, izaziva i oštečenja u samom rna- terijalu koji se nagriza. Perspektiva njegove primene u VLSI tehnologiji je u razradi izvora za dobijanje jonskih snopova nižih energija (100-200 eV) i sa velikom gustinom 2 struje (10-20 mA/cm"). Sem toga ovaj proces naročito može doči do izražaja pri nagrizanju višekomponentnog materijala. 72 RIE proces ima visok stepen rezolucije, a naročite RIBE proces. Pošto se ovde pored fizičkih vrše i hemijski procesi , moguče je povečati brzinu i selektivnost nagrizanja u odnosu na IE proces. Kod ovog procesa je daleko man je toplotno i radijacione dejstvo na rezistne maske, nego kod IE procesi. RIBE procesom se može vršiti nagrizanje fil— mova debljine do "1 um kroz elektronski i fotoosetljive maske. Sem toga, ovini procesom se ne obrazuju filmovi na matorijalu koji se nagriza, a i kriva zavisnosti brzine nagrizanja od upadnog ugla jona je monotono opadajuča. Zato se RIBE procesom mogu znatno tačnije ostvarivati uglo-vi i linearne dimenzije na radnom materijalu, nego IBE procesom . Stoga ovaj proces ima najbolju perspektivu za pri-menu u VLSI tehnologiji. PE procesi (naročito ERGS proces) , u poredjenju sa IE i RIE, ima ju najbolju selektivnost i najmanji toplotni i radi-jacioni uticaj na strukturu koja se obradjuje. Ovo omogu-čava nagrizanje filmova debljine do nekoliko desetih delo-va mikrona preko rezistnih maski. Medjutim, nizak stepen anizotropije, a samim tim i stepen rezolucije ne orno-gučava pomoču PE procesa dobijanje submikronskih dimenzija u slučaj^^JJnog materijala debljine veče od 0,3 ^um. Zbog toga se efenas ovi procesi u submikronskoj tehnologiji koriste za dobijanje neorganskih maski (debljine 0,1 -0,2 ^,um) koje služe za IE i RIE procese. Medjutim, srna-njivanjem pritiska radnog gasa do 1 Pa (koriščenjem gehe-ratora sa ultravisokom frekvencijom iii RF praznjenje sa magnetnim poljem) omogučava se povečanje rezolucije pri nagrizanju PE procesima. Pri nagrizanju materijala bilo kojim od pomenutih procesa dolazi do oštečenja materijala koji se nagriza. Ta ošteče-nja mogu biti hemijske prirode, kao što je polimerizacija na površini m a terijala ili zaprl janje jonitna teških eleme-nata i fizičke prirode, koja su znatno veča. Fizička oštečenja su posledica udara jona u površinu koja se nagriza i dejstva elektromagnetnog zračenja. Stepen oštečenja zavisi od energije jona. Danas je razvijeno nekoliko metoda za otklanjanje ovih oštečenja, ali one nisu u potpunosti efikas-ne. Zbog toga se ovom problemu posvečuje posebna pažnja. 8. LITERATURA 1/B.S. Danilin, V. Yu. Kireev, "Ionnoe travlenije mikro-struktur v proizvodstve SBIS", Mikroelektronika, tom 9, vyp. 4, p. 302, 1980 2/ E.G. Poulsen, "Plasma etehing in integrated circuit ma-mifacture-A", J. Vac. Sci. Technol., Vol. 14, No. 1, p. 266, 1977 3/ V. Yu. Kireev, V.V. Kuznecova, V.P. Lavrishchev, V. I. Moxov, V. I. Yastrebov, "Poluchenie elementov submicronyh razmerov v plenkah razlichnyh materialov metodom reactivnogo ionnogo-luchevogo trav-lenija", Mikroelektronika, tom 10, vyp. 6, p. 1, 1981 4/ 13.S. Danilin, V. Yu. Kireev, "Ionnoe travlenie mi-krostruktur", Sovetkie radio, p. 3, 1979 5/ M. Oshima, "Use of mas spectra for end point detection in etching SiO^ films on Si", Japan. J. of Appl. Phys., Vol. 20, No. 7, p. 1255, 1983 6/ R. Stander, "Basics of plasma etching", The book of basics, MRC , Organgeburg, New York, USA, 1981 7/ D. L. Talliver, "Plasma processing in microelectronics-past, present and future", Solid State Technol, p. 99, November 1980 8/ J.R. Hollahan, U. S. Patent 3,428,348, "Plasma reaction system for reacting a gas with a non-gaseous material", Filed sept, 27, 1966; patented feb. 18, 1969 9/ V. Yu. Kireev, B. S. Danilin, V. I. Kuznecov, "Pla-zrnohemicheskoe i ionnohimicheskoe travlenie mikro-stmktnr", Radio i svyaz, p. 3, 1983 10/ C. J. Heslop, "Reactive plasma processing in IC manufacture", Electronic production, p. 43, 1980 11/ S. Matsuo, "Selective etching of Si00 relative to Si by plasma reactive sputter etching", J.^Vac. Sci. Technol. , Vol. 17, p. 587, 1980 12/ P. D. Parry, A. F. Rodde, "Anizotropic plasma etching of semiconductor materials" , Solid State Technol. , p. 125, 1979 13/ B. S. Danilin, V. Yu. Kireev, "Model procesa trav-leniya materialov v galogenosaderdzashchey gazoraz-ryadnoy plazme". Fizika i himiya obrabotki materialov, No. 4, p. 8, 1977 14/ A. T. Bell, "An introduction to plasma processing", Solid State Technol. , Vol. 21, No. 4, p. 89, 1978 15/A. T. Bell, "Fundamentals of plasma chemistry", J. Vac. Technol., Vol. 16, No. 2, p. 418, 1979 16/K. J. M. Pabst, S. H. Tan, L.J. Franklin, "A high pressure mass spectrometric stady of ion-molecule reaction in the fluoromethanes", Int, J. Mass spectrum, Ion Phys., Vol. 48, Nc. 8, p. 3532 , 1977 17/ W. J. Coburn, F. H. Winters, J. C. Chuang, "Ion-surface interactions in plasma etching", J. Appl ■ Phys. , Vol. 48, No. 8, p. 3523, 1977 18/ Y. Horiike, H. Schibagaki, "A new chemical dry etc-hing", Jap. J. Appl. Phys. suppl. t, V ol ■ __15, p. 13, ' 1976 19/J. C. Mogab, A. S. Adams, L. D. Flamm, "Plasma etching of Si and Si00 - The effect of oxygen additions to CF plasmas", J.1?hys. Vol. 49, No. 7, p. 3796, 1978 ' 20/ H. Abe, "Plasma etching overview expanding applications ", P - 22, 1978 21/ J. W. Coburn and H. F. Winters, "Plasma etching-A discussion of mechanisms", J. Vac. Sci. Technol., Vol. 16, No. 2, p. 391, 1977 22/D. Flamm, "Measurements and mechanisms of etchant production during the plasma oxidation of CF^ and C2F6", Solid State Technol. , p. 1979, april 1979 73 23/ E. Kay and A. Dilks, "Plasma polymerization of fluo-rocarbones in its capacitively coupled diode system", J. Vac. Sci. Technol. , Vol. 18, No. 1, p. 1, 1981 24/ M. Valente and G. Queizolo, A study of contamination during reactive ion etching of 5i00", J. Electrochem. Soc. , Vol. 131, No. 5, p. 1132, ?984 25/ S. W. Pang, "Dry etching induced damage in Si and GaAs", Solid State Technology, p. 249, April, 1984 26/ J. Deliman, J. N. M. Sanders, "Plasma-effluent etching: Selective and non-damaging", Solid State Technol. , p. 191, April, 1984 27/L. M. Ephrath, D. J. Moria, "Review of RIE induced radiation damage in silicon dioxide", Solid State Technol. , p. 128, April, 1981 28/ M. Docen, I. Miyota, "Etching uniformities of silicon in CF + 4 °/o O plasmas", J. Electrochem Soc., p. 2235, 1979 29/ L. M. Ephrath, "The effect of cathode materials on reactive ion etching of silicon and silicon dioxide in CF^ plasmas", J. Electrochem. mater. (USA), Vol. 7, No. 3, p. 415, 1978 30/ C. J. Mogab, V. R. Horshbarger, "Plasma processes set to etch finer lines with less undercutting", Electro-nics, p. 117, August, 1978 M. Pejovic , D. Zlatanovic , A. Zivkovic , S. Golubovic Elektronski fakultet, Nis ** RO "Ei-poluprovodnici", Nis SASTAVNI DIJELOVI ELEKTRONIČKIH APARATA I UREDJAJA Igor Pompe 1. Osvrt na dosadašnji i buduči razvoj proizvodnje ove grupacije u svijetu Kao što pokazuje naslov, u ovoj glavi govori se o infrastrukturi elektroničke industrije. Pored činjenice, da je proizvodnja sastavnih dijelova in-frastrukturna za elektroničku industriju, ona predstavlja u velikom dijelu i bitnu izvoznu mogucnost za generiranje deviznih sredstava za pokrivanje vlastitih uvoznih potreba kao i dijela uvoznih potreba ostale elektroničke industrije. U okviru medjunarodnih kooperacija može osigurati kom-pleksnu opskrbu sastavnim dijelovima. (Ako analiziramo jugoslavenski izvoz na području elektronike na konvertibilna tržišta, možemo ustanoviti, da su baš sastavni dije-lovi pretstavljali glavni dio). Konstrukcija i vid gradnje aparata i uredjaja ovisi o ras-položivim elementima i radnim sredstvima za gradnju. Brz razvoj elemenata, pogotovo poluvodiča i mikroelektro-nike omogučio je razvoj ostalih grana elektronike - nekada elektroakustike, a u sadašnje vrijeme računarstva, telein-formatike i robotike. Zbog polipolnog tržišta potrošači u cilju bržeg razvoja i pojeftinjenja svojih proizvoda diktiraju proizvodjačima e-lemenata stalno nove tehničke zahtjeve koje ovi trebaju pri-hvatiti i riješiti, ako žele i dalje ostati u konkurenciji. Na taj način nužne su stalne promjene. Zapaža se konstantan trend ka: minijaturizaciji, večoj stabilnosti, proširenju područja, brzini djelovanja, večoj kompatibilnosti s inte- griranim krugovima, mogučnostima prijenosa večih snaga mogučnosti ugradnje s automatima, garantiranju komfor-nosti pošiljki, večoj pouzdanosti u eksploataciji i slično. Na području integriranih krugova stalno se povečava gusto ča, smanjuju se integrirani elementi (prijelaz iz 5 mikron ske na 3 mikronsku tehnologiju i dalje ispod mikrona). Ovi trendovi nastavit če se i dalje. Pored adekvatnih tehničkih parametara, elementi trebaju biti stalno konkurentni u cijeni, a to je moguče postiči je-dino primjenom najadekvatnijih materijala i tehnologija i sa visokoproduktivnom računarski upravljanom opremom. Kvalitet elemenata osigurava se več u toku procesa proizvodnje. Područje sastavnih dijelova za eleictroniku u svijetu raste vrijednosno godišnje samo za cca 2 % sporije od ukupne e-lektronike (godišnji rast 10-20 %), koja je jedna od rijet-kih industrijskih grana, koja iskazuje konstantan rast i za ko ju se rast prognozira i do godine 2000. Medju dijelovima elektronskih aparata i uredjaja najbrži rast po vrijednosti i količinama imaju integrirani krugovi. I diskretni elementi ukazu ju apsolutni rast, a vrijednosno njihov udio u cjelokupnoj elektronici relativno opada. Kod razmatranja količinskog porasta proizvodnje i potrošnje treba uzeti u obzir i indeks cijena elektroničkih elemenata. Indeks cijena proizvodjača elektroničkih elemenata u SAD (1967 - 100). 74 Grupa proizvoda junij 84 maj 84 junij 83 plsr Digitalni bipol. IC 62,9 63,2 62,6 - 2,85 % Digitalni MOS IC 43.4 44,0 41,3 - 5,34 % Linearni IC 66,0 64,2 63,0 - 2,75 % Kondenzatori 190,4 191,8 192,7 + 3,93 % Otpornici 181,6 182,9 184,8 + 3,57 % Releji 319,1 303,0 234,4 -i- 5,14 % KoneKtori 228,5 226,9 220,9 + 4,77 % Diskretni elementi nece nestati u narednih 15 godina, ali če se morati mijenjati i prilagodjavati novim zahtjevima. Područje dijelova elektroničkih aparata i aredjaja nije po-dručje velike akumulacije. Mnoge tehnologije u svijetu ja-ko su usavršene i elementi se serijski proizvode na svim kontinentirna. U takmičenju i borbi za opstanak cijene su jako zbijene i mnogi nekadašnji proizvodjači napustili su tu djelatnost. Mnogi proizvodjači nisu blagovremeno uoči-li zahtjeve tržišta za povečanim kvalitetam i pouzdanošču i bili su izgurani sa tržišta, najviše od strane japanskih proizvodjača. Prognozirati kretanja potrošnje do kraja stolječa krajnje je rizično. Rast ovisi o tehnološkom napretku proizvodjača elemenata i potrošača. Rast ovisi i o konjukturi u pojedi-nim segmentima elektronike, a za ko ju se zna, da je ciklična. Možemo ustanoviti da mi s našom proizvodnjom ne predstavljamo smetnju na svjetskom tržištu i trebali bi biti u mogučnosti plasirati sve količine uz adekvatni kvalitet i cijene. Pitanje je, da li je s našim količinama uopče mogu-če organizirati konkurentnu proizvodnju. Neke grupe, koje čemo izradjivati samo za domače tržište i za izradu kojih čemo stvarati na drugim područjima dovoljno deviznih sre-dstava, mogu biti izvodljive i u manjim količinama. U slijedečoj tablici date su procjene porasta potrošnje do godine 1985. za glavne grupe elektroničkih proizvoda i e-lemenata (preuzeto po prognozi Electronicsa, januar 84): podaci su u 106 # „ . v « . proanoza Proizvod potrosnia 83 potrosnia 85 pros.god. rast °'o _85-87_ Elementi ukupno 13.105 16.500 10,3 (bez polu vodič a) Otpornici 852 1.000 7,8 Čip 24 51 33,0 fiksni 263 300 5,0 - kompozicijski 58,7 58 -4,0 - ugljenoslojni 26,8 30 4,5 - metaloslojni 94,2 114 7,7 - žičani 83,5 95 5,6 - debeloslojni 142,3 178 12 - tankoslojni 17,6 22 15 - nizovi 159,9 200 12,5 term istori 64,5 79 8,3 promjenljivi 340,9 388 4,8 - slojni potenc. 168,1 192 5,5 - žični potenc. 43,1 45 2 - trimeri slojni 105,9 119 4,6 - trimeri žični 23,8 32 5 Kondenzatori 1.344 1.990 7,6 keramički(bez čipa) 437 503 7,5 keramički čip 57 97 22,6 Al elko 259,7 302 7,1 Ta elko 268,3 310 7,1 folijski 160 180 5,8 liskun 34,5 promjenljivi 34,8 Hibridni integrirani krugovi i moduli 590 aktivni filteri 14 custom designe 150 konverzija podataka 287 analogne I/O ploče 36,8 Pasivni filteri i sklopovi 204,5 RC sklopovi 17,4 Magnetni elementi, induktivni el. 657,8 Af i rf transform. , prigušnice 29,5 Feriti 74,3 Transformatori snage 344,5 magnetne komponente 209,5 Displeji 355,9 gas dischargo 107 točkovno matrični 57 segmentni 50 LED 98 LCD 69,4 fluorescentni 17,4 37 3,7 39 6 832 15,7 16 6,5 196 8,8 380 13 114 52 243 9,8 23 21 778 8,6 33 3,6 98 16 415 9,3 232 5 446 12,7 137 10,7 83 16 54 3 115 8,7 96 24,3 20 7,2 75 Senzori i pretvarači 650 813 12,5 Preklopnici i tasta-ture 898,5 1.070 8,8 Konektori 2.428 3.100 12,6 koaksijalni 228,7 304 16,8 ciklični 486 610 10,6 fiberoptic 11,7 24 40 flatcable 117 252 19 za štampane veze 489 580 7 za panele 527 658 12 Kineskopi 1.198 1.216 0,6 crno-bijeli 75,2 69 -3,3 kolor 1.123 1.147 0,8 Releji 506 626 7,8 soiid state 54,7 67 10,6 Poluvodiči 10.091 14.500 17,7 diskretni 1.370 1.600 6,3 - diode 500 570 5,2 . ispravljačke 226 260 5,9 . signalne 60 64 3,5 . zener 117 140 5,7 - tranzistori 734 900 8,3 Integrirani krugovi 8.412 12.500 19,5 - konzumni 527 570 10 - custom designe 403 790 39 - linearni 1.084 1.580 17,6 - memorijski 3.017 4.780 22 - mikroproce-sori i mikro-računalo 2.177 2.950 20 - standardni logički 1.203 1.440 7,2 - optoelektronika 309 390 10 Kao što se može vidjeti iz tablice rast pojedinih grupa proizvoda medjusobno se jako razlikuje. Isto tako, rast nije isti u svim dijelovima svijeta. Vidi se, da se za večinu grupa elemenata očekuje još lijep godisnji rast (s nekim iznimkama - kompozicijski otpornici i elektronske cijevi). Rast ovisi o konjukturi na pojedinim tržištima. Uopče na ovom segmentu predvidja se konjuktura do 1990. godine. Brzi rast ovog područja u svijetu može se slijediti pod sli-jedičim uvjetima: - adekvatno poznavanje tehnologije i vlastiti razvoj; - dovoljan broj radnika i sredstava za razvojno istraživa-čki rad; - velika ulaganja u opremu za usavršavanje postoječe i u-vodjenje novih tehnologija; - razvoj i ulaganje u visokoproduktivno računarsko vodje-nu razvojnu, produkcijsku i kontrolnu opremu; - ulaganja u infrastruktura za elemente, u keramiku, magnetne i poluprovodne materijale, čiste kemikalije, pli-nove i drugo; - dobro poznavanje zahtijeva tržišta i dobra organizacija prodaje. Iz navedenog se može zaključiti, da se nije moguče takmi-čiti na čitavom širokom području. Na svjetskom tržištu moguče je konkurirati samo s adekvatno odabranim grupama proizvoda. Prednost ove industrije obzirom na naše prilike je mala potrošnja energije, nezagadjivanje okoline, potreba za mnoga znanja i ulaganja u razvoj. Proizvodnja dijelova elektroničkih aparata i uredjaja je procesna tehnologija. Osobine elemenata postižu se kemijskim, termičkim, optičkim, magnetnim i mehaničkim obraaama i jako zavise od konstantnosti ulaznih materijala i kontroli-ranog tehnološkog procesa. Proizvodna oprema za pojedinu vrstu proizvoda je specifična i uglavnom ne rao?. se primi-jeniti za ništa drugo. Da bi se postigla ravnomjernost kvaliteta i visoka pouzda— nost s jedne strane, a adekvatna produktivnost s druge stra-ne, oprema treba biti što više automatizirana, po moguč-nosti vodjena računalom, rnoraju se proizvoditi velike količine proizvoda. U proizvodnji u budučnosti neče više biti mnogo fizičkih radnika. Kvalifikacijska struktura zaposlenih se mijenja, a takodjer i vrste poslova. Sve više radnika radit če na po-slovima istraživanja i razvoja, kontrole kvaliteta i pouzda-nosti i na poslovima marketinga. 2. Ocjena dostignutog stanja proizvodnje i tehnologija ove grupacije u našoj zemlji Elektronički sastavni dijelovi najbolje su obradjeni, jer se proizvode kod nekoliko večih proizvodjača u značajnim industrijskim serijama za vlastite potrebe i za tržište i predstavijaju važne stavke za izvoz. Elelctromehanički i mehanički dijelovi proizvode se uglavnom za internu potrošnju kod velikog broja proizvodjača, 76 pa podaci nisu obradjeni u statistikama. Vrlo teško je praviti ocjenu proizvodnje za proizvodjače koji proizvode samo za internu potrošnju i ne pojavijuju se na tržištu. Zbog toga vtisu obradjene sve vrste dijelova elektroničkih aparata i uredjaja, ali iz obradjenog ipak je moguče dobiti sliku tog područja. Akcenat je na aspektu izvozne osposobljenosti pojedine grupe, jer smatram, da je to jedino pravo mjerilo osposobljenosti i da je to jedino prava osnova za daijnji razvoj i opstanak u narednim godinama. Slično kao i u svijetu u našoj zemlji potrošnja elemenata predstavlja izmedju 13 i 20 % ukupne potrošnje elektronike. Jugoslavenski proizvodjači sastavnih dijelova nude domačem tržištu iz vlastite proizvodnje ili iz kooperacije prak-tički čitavu gamu diskretnih elektroničkih elemenata, aktivnih i pasivnih. Lošija je situacija kod elektromehaničkih elemenata i monolitnih integriranih krugova. Uvoze se i neki specifični diskretni elementi, koji se upotrebljavaju za profesionalne svrhe u malim količinama. Vrlo loša po-nuda je u nekim manjim , novim područjima, kao što su to optoelektronske komponente i senzori. Proizvodjači ne proizvode sve moguče varijante svojih proizvoda, koje je moguče pronači na svjetskom tržištu. Ta-kve elemente potrošači uvoze ako se ne mogu prilagoditi domačoj ponudi. Moguče je ustanoviti, da su u večini grupa diskretnih elektroničkih elemenata proizvodne količine puno veče od domače potrošnje. Proizvodjači nisu orijen-tirani samo na domače tržište, nego proizvode za svjetsko tržište. Mnogi proizvodi sazrijeli su za izvoz. Izvozno naj-interesantniji je dio programa, koji je standarden i apsoiu-tno zamjenljiv. Specijalni integrirani krugovi če nači svoj izvoz u največoj mjeri kroz izvoz aparata i uredjaja. Treba konstatirati da u Jugoslaviji nije razvijena infrastruktura za proizvodnju elemenata i tako su proizvodjači u ve-likoj mjeri vezani na uvoz repromaterijala iako se u Jugoslaviji proizvode skoro sve osnovne sirovine, ali u neadek-vatnom kvalitetu. Potrošači elemenata u Jugoslaviji su u tehnološkom zaosta-tku od nekoliko godina za svijetom. To predstavlja za proizvodjače elemenata još veče poteškoče jer za suvremene proizvode domače tržište praktično ne postoji i potražnja ne omogučava rentabilnu proizvodnju, koja bi trebala kon- kurirati proizvodnjama velikih proizvodjača. Konkurencija je moguča samo sa sazrijelim proizvodima. Vanjsko-trgovinska razmjena: U ukupnom izvozu elektrotehničkih proizvoda proizvodnja telekomunikacijskih uredjaja iznosi cca 47 %, a izvoz sastavnih dijelova za elektroniku 16,5 %. Daljnjom analizom može se ustanoviti, da je izvoz telekomunikacijskih uredjaja uglavnom usmjeren u razvijene socijalističke zemlje, a izvoz elemenata kao i izvoz mjernih i regulacijskih uredjaja uglavnom na konvertibilna tržišta. Izvozno uvozni bilans vrlo je nepovoljan. Bilans je i regionalno nepovoljan. U konvertibilnim zemljama ostvareno je samo oko 20 % izvoza, a iz tih zemalja uvozi se preko 90 %. Prosječni godišnji izvoz od 1977. do 1982. godine iznosio je oko 35 mil. $ , a prosječni godišnji uvoz oko dva puta toliko. U uvozu glavni dio predstavljaju poluvodiči i integrirani krugovi i kineskopi. Udio poluvodiča i dalje raste, dok udio cijevi i pasivnih elemenata opada zbog sve jače domače proizvodnje. Proizvodnja monolitnih integriranih krugova ne raste toliko brzo kao drugdje u svijetu i koliko raste potrošnja. Suprotna je slika kod izvoza, gdje udio pasivnih elemenata u ukupnom izvozu relativno stalno raste, a dio cijevi opada, dok relativni dio poluprovodničkih elemenata ostaje stabilan. Apsolutno sva tri područja rastu. Jedino kod pasivnih elemenata izvoz je veči od uvoza. Struktura izvoza i uvoza sastavnih dijelova po vrstama: u mil. $ God. Elektron, cijevi izvoz uvoz Pasivni elementi izvoz uvoz Poluvodiči izvoz i IC uvoz 1977 5,5 20 13 11 7 9 1979 6 ,5 37 15 21 9 29 1981 7 29 32 18 14 34 1982 7 23 20 12 13 31 Prema podacima Instituta za vanjsk.u trgovinu Beograd Pregled glavnih grupa elemenata (glavni proizvodjači, okvirne godišnje količine, stupanj razvijenosti i konkurenčnosti) 77 I Pasivni elektronički elementi A. Otpornici Kompozicijski otpornici najviše se upotrebljavaju u SAD. U zadnje vrijeme znatan dio tržišta oduzeli su im ugljeno-slojni otpornici. U Evropi kompozicijski otpornici nikad ni-su našli značajniju primjenu. U Jugoslaviji proizvodio ih je EI , ali je zaustavio proizvodnju. Ugljenoslojne otpornike radi u Jugoslaviji ISKRA. Proizvodnji! je serijska i automatizirana i oko 70 % plasirana na konvertibilna tržišta. Kvalitet i cijena odgovaraju zahtije-vima tržišta. Upotrebljavaju se domače sirovine. Količine zadovoljavaju domače potrebe. u ,mio komadima D . , _ . ,. „ Proizv.količ. u Proizvod Proizvodjac _1983._ Fiksni otpornici ugljenoslojni Iskra 400 metaloslojni Iskra 15 metaloslojni EI 3,3 debeloslojni - lanci Iskra 0,5 debeloslojni - lanci Čajavec. 2,5 debeloslojni - čipi Iskra 0,05 Čajavec 0,25 motani Iskra 3,4 motani EI 5,1 nelinearni Iskra 2 promjenljivi Iskra 40 promjenljivi EI 3 Metalospojne otpornike proizvode EI i Iskra. EI Analizira relativno malu količinu - najviše za vlastitu potrošnju. Iskra proizvodi več 15 mio komada i od toga izvozi preko 40 %. Tehnologija sazrela je za izvoz. Priprema se investicija sa ciljem povečanja kapaciteta za izvoz. Proizvedene količine zadovoljavaju domače potrebe. Debeloslojni otpornici i nizovi proizvode se u Iskri i pla-siraju se na domače tržište i u izvoz. Čajavec proizvodi veče količine za vlastitu potrošnju i ne pojavljuje se na tr-žištu. Kvalitet i tehnologija odgovaraju. Kapacitete treba povečati. Za proizvodnju upotrebljava se mnogo uvoznog materijala. EI radi na osvajanju metalizacijskih pasti iz plemenitih metala. Količine zadovoljavaju domače potrebe. fankoslojni otpornici. Potrebe i proizvodnja u Jugoslaviji veoma su male i izvoz no postoji. Motani otpornici proizvode se u Iskri i EI u raznim oblici-ma i tehnologijama. Proizvodnja nije još dovoljno automatizirana i otpornu žicu treba uvoziti. Izvoz tek počinje. Količine zadovoljavaju domače potrebe. Nelinearne otpornike, to jest varistore i termistore proizvode Iskra i nešto EI. Potrebe su male pa i proizvodne količine. Izvoz tek počinje. Promjenljivi otpornici rade se u EI i Iskri. EI proizvodi za internu potrošnju. Iskra radi za tržište i od toga izvozi preko 80 %. Kvalitet i cijene su konkurentni na inozem-nim tržištima. Veči dio sirovina su domače. Kapaciteti zadovoljavaju domače potrebe. B. Kondenzatori Jednoslojne keramičke kondenzatore proizvode EI i Iskra. EI ima glavnu potrošnju u vlastitoj kuči. Iskra medjutim radi za tržište i oko 70 % količina izvozi. Tehnologija, kvalitet i cijena odgovaraju zahtjevima svjetskog tržišta. Veči dio sirovina je iz domačeg tržišta. Količine zadovoljavaju domaču potrošnju. u mio komadima Proizvod Proizvodjac Proizv. količ. u 1983. Keramički (bez čipa) EI 70 Keramički (bez čipa) Iskra 120 Keramički čip EI 9 Keramički čip Iskra 3 Aluminijski elektrolitski EI 12 Aluminijski elektrolitski Iskra 25 Tantal elektrolitski ' EI 4,5 Folijski EI 14 Folijski Iskra 70 Folijski RIZ 3 Liskunski Iskra 1 Promjenljivi EI 0,6 Promjenljivi Iskra 0,6 Višeslojni keramički kondenzatori (čip) proizvode se u EI i u Iskri. Iskra je postavila serijsku proizvodnju tek krajem 1983. i u 1984. godini postiči če več proizvodnju od mio komada (od toga 40 % za izvoz), a u 1985. godini radit če puni kapacitet - 50 mio komada, uglavnom za izvoz. Proizvodnja je serijska i automatizirana. Kvalitet i cijena odgovaraju za izvoz. Problem su repro-materijali, koji so uglavnom uvoze. 78 Aluminijske elektrolitske kondenzatore proizvode EI i Is- komponente kra. Ukupni kapaciteti nešto m veči od potreba domaceg Navijene induktivne Iskra 15 tržišta. Ne proizvode se još svi lipovi i zbog Loga u Jugo- komponente slaviji još se uvozi mnogo tih kondenzatora. Oprema i teh- Metalni magneti Iskra 100 nologija prilično su suvreroene, a repromaterijali, koji Feritni magneti Iskra 140 predstavljaju glavni dio troškova, velikim dijelorn se uvo- Feritni magneti EI 500 ze. Manji dio proizvodnje se izvoz/. Zvučnici EI 0,9 Zvučnici Iskra 0,3 Tantalove elektrolitske kondenzator«* proizvodi jedino KI. Kapacitete ne podrniruju čitave potrebe dcmačeg tržišta. Repromateríjaí je iz uvoza. Folijske kondevizatore rade BI, Iskra i RIZ. Največi pro-izvodjač je Iskra, koja izvozi preko 70 % količina. Proizvode se sve vrste folijskih kondenzatora kao i kondenzato-ra za specijalne zahijeve. Proizvodnja je autornatizirana. Kvalitet i cijena odgovaraju zahtjeviroa. Repromaterijali se ugiavnom uvoze. U El i RIZ-u postoje man je proizvodnje namjenjene najviše internoj upotrebi. Liskunske kondenzatorc ponovo je počela proizvoditi Iskra. Promijenljivi kondenzator!; Nekad je iskra proizvodiia vece količine cjevastih trimer kondeazatora i zadovoljavala domače potrebe. Zbog promjene u potrošnji ta je proizvodnja opala na minimum. Uvodi se proizvodnja keramičkih disk trímera. Dañas se ti kondenzator! još uglavnom uvoze. U El-ju proizvode se obrtni kondenzator! (cea 100.000} i trimer kondenzator! (cea 550.000). C. Pasivni filtri U Jugoslaviji proizvode pasivne filtre Iskra, EI i RIZ, Najveci proizvodjač je Iskra sa preko 15 rnio komada; od toga se preko 80 % izvozi. EI radi 1 rnio komada. Tehnologija, kvalitet i cijena oagovaraju. Za proizvodnji upotreb-ljavaju se vlastiti kondenzator!, prigušnice i otpornici. D. Magnetski matarijnli i olcmmti a mio kornadima il j. tonama (t) Proizvod Proizvodjač Proiz,. količ. u 19 83, Jezgra iz mekog feriia KI Jezgra iz mekon íori'a Iskra Metalna mekomagnetska Iskra jezgra Metalna mekomagnetska KI jezgra Navijene induktivno El 70 160 0,45 0 ,1 Jezgre iz mekomagnetskih feritnih materijala proizvode EI i Iskra za potrebe elektroakustičkih uredjaja i TV aparata. Pored toga, proizvodi Iskra i jezgru za industrijsku i profesionalnu aplikaciju. Proizvodni kapaciteti uglavnom zaclovoljavaju domaču potrošnju osim kod velikih otklon-skih jezgra za otklonske jedinice kod katodnih cijevi. Iskra izvozi 45 % svoje proizvodnje. Tehnologija, kvalitet i cije-ne odgovaraju za nastup na inostranim tržištima. Glavnina repromaterijala se uvozi. Metalna mekomagnetska jezgra iz FeSi i FeNi limova u ob-liku E-I jezgri il i tračnih jezgri proizvode najviše Iskra i EI. Jezgra u obliku E-I proizvode i mnogi drugi proizvodja-či, koji sami rnotaju induktivne komponente i transforma-tore. Kapaciteti zadovoljavaju domače potrebe. Dio potrebnih materijala se uvozi. Manji dio jezgara se izvozi. Navijene - induktivne komponente (za elektroniku) : To je vrlo široka paleta proizvoda i večina proizvodjača motaju kalemove sami. EI i Iskra, koje rade i za domače tržište i za izvoz proizvode najviše (Iskra izvozi preko 40 % količina ). Metalne magnete proizvodi jedino Iskra u raznim kvalite-tima i oblicima (tehnologija livenja, sinterovanja i preso-vanja). Proizvodi odgovaraju po kvalitetu i cijeni zahtjevi-ma tržišta i oko 10 % se izvozi. Glavnina materijala se u-vozi. Feritne magnete proizvode EI i Iskra i to najviše za potrebe industrije zvučnika i motora. Ukupni kapaciteti još ne zadovoljavaju potražnju. Dio proizvodnje se izvozi (Iskra 17 %). Tehnologija, kvalitet i cijena zadovoljavaju. Zvučnike proizvode EI i Iskra. EI radi za vlastite potrebe i za tržište. Iskra radi isključivo za interne potrebe. Tehnologija nije najmodernija. Zvučnici se izvoze najviše posredno u TV aparatima i kompletima za ugradnju. 79 E. Pokazivači LCD-displeje s tekučim kristalom proizvodi Iskra u količinama, koje još ne zadovoljavaju potrebe domače industrije, koje u posljednje vrijeme brzo rastu. U 1983. godini proizvodilo se svega 10.000 displeja, od čega je oko polo-vina bila izvezena. U toku je postavljanje serijske proizvodnje, koja ce zadovoljiti potrebe domaceg tržišta i omo-gučiti izvoz. Repromaterijali se uvoze. LED diode proizvodi SELK u Kutini. Vrši se montaža iz u-vezenih čipova. Sadašnje potrebe još ne opravdavaju osvajanje čitavog procesa. F. Linije za kašnjenje U EI proizvode se elektromagnetne linije za kašnjenje i akustične linije za kašnjenje, svake po od prilike 250.000 komada godišnje. G. Senzor i i pretvarači U Jugoslaviji za sada još ne postoji veča potrošnja. Pri-prema se veci broj potencijalnih proizvodjača. U svijetu postoji veliki broj različitih vrsta senzora. Nije još razjasnjeno, koji tipovi ce se u Jugoslaviji najviše upotreb-ljavati. II Aktivni elektronički elementi A. Poluvodiči i integrirani sklopovi Signalne diode i ispravljače proizvode El i Iskra u velikim industrijskim serijama. Proizvodnja je veča od potreba domaceg tržišta i velike količine se proizvode za izvoz (Iskra izvozi preko 78 % količina). Proizvode se i preklopne i zener diode. U okviru proizvodnih kooperacija neki tipovi dioda uvoze se za podmirenje potreba domaceg tržišta. Uvoze se neke diode snage i silicijski kontrolirani isprav-ljači. Uvozi se Si polikristal i djelomično monokristal (Iskra/Trbovlje proizvodi monokristal za svoje potrebe). Tranzistori male snage u bipolarnoj tehnologiji proizvode se u RIZ-u u industrijskim serijama. EI proizvodi tranzi-store snage u bipolarnoj tehnologiji. Neki tipovi tranzisto-ra se uvoze u okviru kooperacija. Tehnologije su zrele i proizvodi su sposobni za izvoz. Vrši se razvoj tranzisto-ra u MOS tehnologiji. u mio komadima Proizvod Proizvodjač Proizv. kol. u 1983. Diode i ispravljači EI 110 Diode i ispravljači Iskra 156 Tranzistori EI 40 Tranzistori RIZ 20 Monolitni integrirani krugovi EI 1,5 Monolitni integrirani krugovi Iskra 0,5 Monolitni integrirani krugovi RIZ 1 Hibridni integrirani krugovi Iskra 2 Monolitni integrirani sklopovi rade se u EI, Iskri i RIZ-u. RIZ proizvodi integrirane sklopove u bipolarnoj tehnologiji, ali tehnologija nije serijska. Priprema se investicija. EI proizvodi digitalne integrirane sklopove u unipolarnoj COSMOS tehnologiji i digitalne i linearne u bipolarnoj tehnologiji. Priprema se osvajanje čitavog niza standardnih sklopova i ULA sklopova. Radi u suradnji sa RCA. Iskra Mikroelektronika proizvodi unipolarne sklopove u PMOS, NMOS, CMOS i SUPER CMOS tehnologiji u suradnji s fir-mom AMI. Glavna orijentacija Iskre je u sklopove po na-rudžbi (custom designe), sklopove sa standardnim čelija-ma i ULA sklopove, a proizvodi i standardne memorijske sklopove i mikroprocesore. Tehnologija proizvodnje, kao i znanje za dizajn sklopova odgovaraju i omogučuju izvoz. Mahom sve sirovine se uvoze. Hibridni integrirani sklopovi: Industrijska proizvodnja za tržište debeloslojnih hibridnih sklopova postoji u Iskri, koja izvozi oko 40 % proizvedenih sklopova. U toku je investicija za bitno povečanje kapaciteta. Potrebe domaceg tržišta počele su jako rasti. Za vlastitu potrošnju proizvodi tankoslojne i debeloslojne hibridne sklopove Cajavec i manje količine EI. Tankoslojni hibridni sklopovi proizvodi se i u Iskra Mikroelektronici. Tehnologija, kvalitet i cijene odgovaraju. Oprema još se dalje usavršava. Mate-rijali se uglavnom uvoze. Stručne ekipe su osposobljene za dizajniranje sklopova upotrebom računara. Fotovoltaične čelije ne proizvode se još u serijskoj proizvodnji. Završen je razvoj za proizvodnju čelija na Si mo-nokristalu po tehnologiji difuzije. Vrši se razvoj amorf-nih čelija. 80 B. Elektronske cijevi B. Releji Proizvodnja klasičnih prijemnih cijevi ix EI jako je srnanje-na. U završetku je investicija u EI za fabriku Color kine-skopa za TV kapaciteta 350.000 komada. Proces osvaja se u više faza. Dijelovi se uvoze. III EI ek tr om ehan ič ki dijelovi A. Spojni elementi Proizvod Proizvodjač Proizv.količ. u 1983. Štampane ploče Stampane ploče Štampane ploče Stampane ploče Konektori Konektori Iskra 40.000 m2 EI 80.000 m2 Nikola Tesla 80.000 rn2 ostali cca. 50.000 m2 Elmos 0,5 mio kom Iskra 1 mio kom Potreba tržišta ocijenjuje se na otprilike 230 do 270.000 m2. Največi proizvodjači štampanih ploča su proizvodjači telekomunikacijskih uredjaja i TV aparata. Prvi proizvode profesionalne ploče s obostranom metalizacijom, više-slojne štampane ploče i ploče sa metaliziranim ruparna. Dio materijala može se nabaviti iz domačeg tržišta. Po-red pomenutih proizvodjača ima i više srednjevelikih proizvodjača štampanih ploča kao što su to RIZ, DIGITRON, ELKOM, ... a ima i mnogo malih proizvodjača. Neki proizvodjači projektiraju štampane veze pomoču računara. Kapaciteti zadovoljavaju domače potrebe. Dio proizvodnje se izvozi. Konektori su ogromna grupa elemenata, koji se upotreblja-vaju u raznim oblicima u svim granama elektronike. U Jugoslaviji svi tipovi nisu usvojeni i uvoze se. Največi proizvodjači su ELMOS (okrugli i kartični direktni konektori) i Iskra (profesionalni kartični i vezni konektori) u suradnji sa firmom ERNI. Preklopnici i prekidači se proizvode na raznim mjestima kod velikih proizvodjača pa i kod male privrede. Največi proizvodjač je Iskra, koja proizvodi rotacione selektore, šablonske prekidače, kontrolne i kodne prekidače, poluž-ne prekidače, mikroprekidače i krajnje prekidače. Proizvodnja releja postoji najviše kod proizvodjača tele-komunikacione opreme (Nikola Tesla i Iskra) i proizvodjača uredjaja automatike (Iskra, ). Proizvode se telefonski releji, minijaturni releji, reed releji, pomočni industrijski releji, signalni i zastisni releji, vremenski releji i kontaktori. IV Mehanički elementi Proizvodjači elektroničkih uredjaja večinom rade svoja vlastita kučišta. U posijednje vrijeme pojavljuje se ponu-da standardnih kučišta za tržište (Iskra, ROG, ...). 3. Ocjena naših proizvodnih šansi 1986 - 2000 .g. ( 19 86 - 1990 ) (Strategija za ponašanje naše industrije) Ako uzmemo u obzir, da su donijete mjere, koje če sma-njiti kupovnu moč stanovništva i smiriti potrošnju, u uko-liko te mjere neče biti opet obezvrijedjene kontramjerama, onda predstoji period smanjenja potrošnje u Jugoslaviji. To če se odraziti na smanjenju prodaje tehničke robe široke potrošnje. I kod nas predstoji postepeno uvodjenje računara, brži razvoj procesne automatike, robotike i teleinformatike. Naši proizvodjači u velikoj mjeri morati če prilagoditi svoju ponudu zahtjevima svjetskog tržišta i forsirati izvoz, ako žele raditi punim kapacitetima. To znači, da če morati slijediti trendove u svijetu. U predhodnom poglavlju, ustanovili smo da mi Jugoslave-ni več danas imamo puno diskretnih elemenata izvozno o-sposobljenih i koji slijede trendove i zahtjeve tržišta. Me-djutim, valja napomenuti da se proizvodnja širokopotroš-nih dobara seli van Evrope i SAD, odnosno, da tu industri-ju u tim zemljama preuzimaju Japanci i upotrebljavaju vla-stite komponente i da se tehnologija gradnje i kod tih naprava mijenja. Sastavne dijelove treba prilagoditi zahtjevima industrijske profesionalne potrošnje, kako za domače tržište tako i za izvoz. Zbog podmirenja uvoznih potreba za proizvodnju e-lemenata za domače tržište i izvcz, izvoz mora biti orijen-tiran na konvertibilna tržišta. 81 Geografski položaj Jugoslavije daje nam svakako prednosti pred zemljama Dalekog istoka (s obzirom na plasman u Evropu) i količine, koje mi danas proizvodimo ne znače još ozbiljniju smetnju na svjetskom tržištu sastavnih dije-lova. Naša industrija elemenata ima šansu ne samo da preživi, nego da se razvije u značajnog isporučioca nekih tipova e-lemenata za zapadno-evropsko i američko tržište i isto-vremeno isporučuje tehnologiji! u neke države u razvoju. Svjetsko tržište Kao sto se može vidjeti iz predhodnog poglavlja, predvi-dja se, da če potrošnja elektronike u svijetu rasti u narodnih 10 godina u prosjeku sa 13 % godišnje, najbrže u SAD sa 13,5 %, u Japanu i ostalim zemljama sa 12,5 %, a u Zapadnoj Evropi sa 12 %. Od toga če potrošnja integriranih sklopova rasti cca 28 % godišnje (najbrže u nerazvije-nim zemljama cca 35 %, u Zapadnoj Evropi i SAD 28 %, a u Japanu 25 %, dok če proizvodnja integriranih sklopova najbrže rasti u Zapadnoj Evropi - oko 40 %, u Japanu 36 % i ostalim zemljama 30 %, a u SAD 22 %. Potrošnja diskretnih elemenata (uključeni su hibridni sklopov!) rasti če otprilike 9 - 10 % godišnje (u Japanu 15 %, u SAD 9,5 %, u ostalim zemljama 5 %, a u Zapadnoj Evropi 4,7 %) , dok če proizvodnja najbrže rasti u ostalim zemljama 13,5 %, dalje u Japanu 9 %, u SAD 7 % i u Zapadnoj Evropi samo 4 %. Ako nešto detaljnije sagledamo rast grupe ostalih elemenata, možemo vidjeti da če rasti štampane ploče i hibridi 14 %, diskretni poluvodiči i spojni elementi 11 %, otporni-ci i kondenzator i 10 %, a ostali elementi u prosjeku. U grupi otpornika i kondenzatora tipovi za površinsku montaži! rasti če preko 20 % godišnje. Područje pokazivača (uključujuči katodne cijevi - CRT) rasti če otprilike 12 % godišnje, s tim da če područje katodnih cijevi rasti manje od 4 %, a područje displeja za male količine informacija oko 17 %. Najbrže če rasti područje displeja za velike količine informacije (flat panel displa-ya) sa preko 50 % godišnje. Jugoslavertsko tržište Može se predvidjeti potrošnja, koja če rasti i kod nas otprilike u istom %, kao drugdje u svijetu sa zakašnjenjem od 3 - 10 godina (neuzimajuči u obzir ciklična ekonomska kretanja i stabilizacijske mjere). Zbog tih mjera za našu potrošnju mogao bi važiti za narednih 10 godina prosječni godišnji rast kao u SAD u sadašnjem periodu. To znači potrošnja dijelova elektroničkih aparata i uredjaja rasti če otprilike 13 - 14 %, od toga diskretnih oko 8 %. Ukupna proizvodnja sastavnih dijelova za gradnju elektroničkih aparata i uredjaja ocjenjuje se, da je bila u 1981. godini u Jugoslaviji nešto iznad pat milijardi diñara (preračunate iz podataka Splošnega združenja elektroindustrije Slovenije), što je po kursu dolara iz 1981. godine iznosilo otprilike 150 mió dolara. Prema orognozi iz istih podataka u 1985. godini preračunata vrijednost proizvodnje iznosila bi otprilike 8 milijardi dolara (po cijenama iz 1981), što predstavlja godišnji rast proizvodnje otprilike 11,5 %, a prihod od te proizvodnje preračunat u dolarsku vrijednost po dnevnom kursu se snizio (zbog nagle devalvacije diñara). I ova činjenica ukazuje, da nam je jedini spas u os-posobljavanju proizvoda i plasman u izvoz. Koliki če biti stvarni rast proizvodnje elemenata u Jugoslaviji teško je predvidjeti jer to ovisi o puno faktora, a najviše o raspoloživim sredstvima naše industrije i ulaga-nje stranog kapitala. Rast se može ostvariti od 0 do max. 10 % godišnje s ula-ganjima u bolje iskorištenje sredstava rada (raditi u više smjena), manji škart i otklanjanje uskih grla. Ukoliko ne uzmemo u obzir veča ulaganja u kapacitete za izvoz ili uvodjenje novih proizvodnji, možemo ustanoviti, da prosto-rije za potrebe domaceg tržišta u narednih pet godina ne bi trebali širiti. Proizvodnje osposobiti za konkurentnu proizvodnju, znači prilagoditi proizvod tehničkim zahtjevima, optimizirati tehnologiju za osiguranje kvaliteta i proizvodnju. autornati-zirati. Trebali bi dakle promjenom i dopunom opreme, kao i dopunom tehnologije osuvremeniti proizvodnju u postoje-čim prostori jama. Opravdano je, širiti prostorije za pro-širenje proizvodnje tek kad su proizvodi i tehnologija kon-kurentno osposobljeni za nastup na svjetskom tržištu. Uvjet za investiciju je osposobljena proizvodnja. Zaključak Uzimajuči u obzir spomenute činjenice i jaku orijentaciju u proizvodnju za izvoz, proizvodnja dijelova elektroničkih aparata i uredjaja morala bi (po stalnim planskim cijena-ma) rasti brže od potrošnje, to je iznad 15 % godišnje. Iz činjenica navedenih u prethodnim glavama te iz trendo-va pojedinih područja elemenata u raznim dijelovima svi-jeta moguce je realno postaviti cilj_ da Jugoslavija posta-ne značajan dobavljač diskretnih elemenata za tržište Evrope i Amerike, rnedjutim da na najpropulzivnijim segmen-tima proizvodnje, to jest integriranim sklopovima usprkos proizvodnji, koja se brzo razvija, vjerojatno nece moči slijediti, a još manje konkurirati ponudjačima iz SAD i Japana, osim na nekim selektivnim područjima (vjerojatno necemo biti u stanju slijediti zahtjevima po enornim u-laganjima u razvoj proizvodnje opreme). Ne predvidja se nastajanje nekih grupa proizvoda (iznim-ka su neke elektroničke cijevi). Tehnološkim razvojem i usavršavanjem svaka se grupa bori za opstanak i nadje svoje područje aplikacija, gdje je najprikladnija za ugrad-nju. Normalno trenaovi porasta nisu za sve grupe jednaki. Treba upozoriti, da samo jak trend porasta u nekoj grupi još nije opravdanje za investiciju kod nas. Nikako ne bi smjeli investicijski zanemariti proizvodnje, koje su več danas osposobljene i predstavljaju osnov izvoza, na račun nekih sa tehnološkog aspekta interesantnih suvremenih proizvoda, a o kojima još ništa ne znamo. Za izgradnju suvremene i izvozno sposobne infrastrukture, koja je osnov za razvoj suvremene elektronike i industrije uopče, ne bi smjeli suviše ograničavati sredstva. Kao što je spomenuto, investicije u procesnu industriju, a pogoto-vo mikroelektroniku su velike i ne mogu biti prepuštene samo proizvodjačima elemenata. Ovakvi projekti opravda-ju ulaganje šire zajednice. Potrebna su ulaganja godišnje u rangu 20 - 40 mio dolara u periodu 1986 - 1990. i 30 -50 mio dolara godišnje u periodu od 1990 - 2000. godine, od toga 50 - 75 % u mikroelektroniku. Ulagati treba i u ba-zu podataka i programsku opremu. Da bi izgradili osposobljenu i konkurentnu industriju dije-lova elektroničkih aparata i uredjaja, trebati če imati ve-liku mjeru kritičnosti i selektivnosti kod izbora razvojnih programa i investicija i uključiti se u medjunarodnu podje-lu rada. Prejakim zatvaranjem tržišta pospješuju se negativna kreganja. Stvara se svakojaka industrija, koja radi na stupnju daleko od medjunarodne konkurentnosti, a živi na račun zatvorenog tržišta i oprema u koju se ugradjuju takvi proizvodi gubi na konkurentnosti. Na taj način uštedjena devizna sredstva jako su skupa. Stupanj razvijenosti privre-de i njezine konkurentnosti u svijetu održava se kroz vri-jednost nacionalne valute, koja nema šansi, da bude konvertibilna, ukoliko privreda neče biti adekvatno razvijena. Treba nači pravi razmjer medju vlastitim dostignučima i kupovinorn know howa. U slučaju kupovine know hawa tre-balo bi opreznije birati program, jer bi u principu svaki program trebao biti izvozno osposobljen i orijentiran. I kod kupovine know hawa treba biti osposobljen vlastiti tehnološki kadar, koji če moči kupljeni know haw u maksimalno j mjeri iskoristiti i graditi dalje od nivoa preneše-nog znanja. Na nekim područjima i mi imamo mogučnosti za prodaju našeg know hawa u zemlje u razvoju. Obzirom na činjenicu, da če u budučnosti za proizvodnju biti potrebno više znanja, postoji, u smislu podjele rada, šansa i za prodaju znanja u razvijene zemlje., Suvremeni sastavni dijelovi trebaju suvremene naterijale. Kao što smo več ustanovili u prethodnom poglavju u Jugoslaviji ova infrastruktura nije razvijena. Danas, u situaciji uvoznih restrikcija, jak je trend za osvajanje domačih sirovina. Taj trend je svakalco pozitivan, jer može podiči našu industriju osnovne prerade sirovina na viši stupanj razvijenosti i konkurentno je osposobiti. Medjutim, valjalo bi upozoriti, da taj trend može imati i negativnih poslje-dica za našu privredu stvaranjem nerentabilnih proizvodnji od kojih če neke trošiti mnogo energije, a što če imati za posljedicu daljnji trend inflacije. U mnogim slučajevima celishodnije je za naše društvo povečati izvoz i uvoziti adekvatne sirovine, koje se u nekim zemljama mogu pro-izvoditi u adekvatnom kvalitetu i po bitno nižim cijenama. Igor Pompe, dipl.ing. ISKRA - IEZE Ljubljana, Stegne 83 POPRAVEK Pri objavi članka "Smer razvoja gradnje elektronskih naprav v svetu in vpliv na sestavne dele" avtorja Igorja Pom-peta v številki 1/85 Informacije SSESD je prišlo do sledečih napak: Stran 24: Napovedni stavek : "Naslednji diagram kaže rast potrošnje površinsko montiranih uporov v zahodni Evropi, ZDA in Japonski v letih 1983, 1985 in 90" ne spada nad sliko o tehnologijah v integriranih vezjih. Stran 27 : Tabela 3: Predvidena rast substratov v letih 1982 - 1992: Pomotoma je bila objavljena tabela iz poglavja COMPONENTS AND MATERIALS 5. DISPLAYS stran 4, ki nosi naslov MONOCHROME LCD DISPLAYS NOW BECOMING AVAILABLE (knjiga BPA) namesto: tabele iz poglavja: COMPO- NENTS AND MATERIALS 1. SUBSTRATES stran 8, ki nosi naslov SUBSTRATE AREA GROWTH 1982 - 1992, ki jo objavljamo danes. 1992 HARKET SHARE 1992/1982 AVERAGE ANNUAL GROWTH PTH 291 2.9 Iii MULTILAYER 25X 5.3 181 SIHGLESIDED 37% 1.7 5Ï CERAMIC 4Ï 3.5 13Ï OTHERS 5S 3.7 142 TOTAL I00J 2.5 9.7X Tabela 3 : Predvidena rast substratov v letih 1982 - 1992 Avtorju se opravičujemo za pomoto pri montaži teksta. Uredništvo POMEN TEHNOLOŠKIH iN POSLOVNIH INFORMACIJ V GOSPODARSTVU Marijan Stele Hitro in intenzivno razvijajoča se področja gospodarstva, kamor danes spadajo elektronika, mikroelektronika, genetika, biologija, ekologija in sekundarne surovine z odpadki, zahtevajo redno in sistematično spremljanje informacij vseh področij dejavnosti, kar danes v svetu imenujejo informacijski inženiring. Le-ta zajema zbir vseh dostopnih informacij s področja znanstveno raziskovalnega dela, marketinga, planiranja, tržnih in ekonomskih analiz, industrijske lastnine (tehničnih inovacij, patentov, vzorcev, modelov, blagovnih znamk), študij in raziskav, literature in prospektov, standardov, statistike in referenčnih podatkov. V svetu je tak pristop osnova za vsako raziskovalno nalogo, projekt ali investicijo in šele na osnovi tim-ske obdelave tako zbranih podatkov pade odločitev in program izdelave naloge. Informacijski inženiring omogoča: - pripravo osnov za odločanje ter poslovne usmeritve vodstvenim in strokovnim delavcem podjetij - spremljanje novosti v svetu na vseh področjih dejavnosti - spremljanje trendov razvoja in tržnih pogojev in zahtev - analizo in primerjavo ekonomičnosti poslovanja - primerjavo in možnosti zmanjšanja stroškov poslovanja - uporabo in prilagajanje lastnim potrebam sodobnih tehnoloških rešitev - boljše možnosti trženja - boljšo izkoriščenost kapacitet in surovin ter širši asor-timan izdelkov - višje oblike predelave in dodelave surovin in polizdelkov - lažje in dolgoročnejše planiranje razvoja in proizvodnje - boljšo organizacijo in realizacijo delovnih nalog - pravilnejši izbor izvajalcev nalog - primernejši izbor opreme, tehnologije in drugih poslovnih partnerjev - primerjanje konkurenčnosti - realnejše ocenjevanje lastnih rezultatov in primerjav po področjih, državah in drugih skupnostih. Sodobne oblike iskanja in zbiranja podatkov so: - on line baze podatkov - računalniška obdelava in izpisi - terminali - teletekst, videotekst - katalogi, kartoteke - mikrofilmi in mikrofiši 84 - pisni dokumenti Vrste in oblike dostopnih podatkov pa so: - naslovni podatki - vsebinski izvlečki - abstrakti - knjige, revije, članki - patentni spisi, standardi V Sloveniji razpolagamo s sodobnimi informacijskimi sredstvi in bazami podatkov, ki omogočajo izdelavo informacijskih inženiringov doma in v svetu. Žal tako zavest vodilnih strokovnih kot poslovodnih delavcev, še večkrat pa nepoznavanje možnosti zbiranja informacij in podatkov pri nas, ni na dovolj visoki stopnji, da bi izkoristili dane možnosti. Kako naj si drugače razlagamo podatke, da se niti 30 % naših podjetij ne poslužuje najosnovnejših informacij za redno poslovanje; da je 90 % informacijskih naročil s področja reševanja tekočih problemov; da lahko na prste ene roke preštejemo DO, ki prično razvojno nalogo na osnovi tako zbranih in obdelanih podatkov; da tega ne počno niti ob nakupu licenc ali pričetku investicij (tu manjka obvezen predpis ? ). Večji del naših podjetij je še vedno povsem odvisen od informacij svojih poslovnih partnerjev, ki jim seveda dajejo enostranske, svojim interesom pri- 1. Patentne prijave vseh skupaj tujih jugoslovanskih od teh slovenskih 2. Podeljeni patenti vseh skupaj tujih jugoslovanskih od teh slovenskih 1983 2542 1078 1464 235 933 807 126 59 1984 2257 888 1369 169 768 661 107 76 Tabela 1. : Pregled patentnih prijav in podeljenih patentov v SFRJ v letih 1983 in 1984 merne informacije. Večina pa, kot kaže, posluje na pamet in po občutku. Tega si ne morejo privoščiti le podjetja, ki izvažajo in imajo svoj lasten razvoj, ki so izpostavljena tujim vplivom in pogojem, kot so farmacevtska industrija, del elektro in strojne industrije in nekaj podjetij kemisjke in predelovalne industrije. Kdor danes sam išče informacije, je zaradi obširnosti in specializiranosti posameznih baz podatkov izgubil več časa kot za pripravo naloge. Informacija pri nas postaja nemalokrat orodje posameznikov, kar še vedno velja za vodstvene delavce in tako mnogokrat sploh ne pride do pravega porabnika. Žal se teh možnosti pridobivanja informacij ne zavedajo in niso dovolj poučeni o njih niti mladi strokovnjaki, ki prihajajo iz šol. Prav zato je za spremembo sedanjega stanja v dobi rojevajoče se informacijske revolucije, ki je žal pri nas v praksi šele na začetku, najpomembnejše seznanjanje o njenih možnostih in praktičnih vidikih njene uporabe. Pregled večjih informacijskih centrov in vrste baz podatkov po namenu v Sloveniji Področje industrijske lastnine: Patentna pisarna v Ljubljani: Priprava in izvedba zaščite IL Regionalni center ZZP v SRS: navodila, preiskave in dokumenti IL Informacijski center Ljubljana, Kardeljeva ploščad 71, tel. 344 189 ISKRA ZORIN, INDOK Tržaška 2, Ljubljana tel.: 214 212 RCPU, Vegova 4, Ljubljana tel. 214 374 STROJNA FAKULTETA, INDOK, Murnikova 2, Ljubljana, tel. 216 795 CTK, Tomšičeva 7, Ljubljana, tel. 214 115 KLINIČNI CENTER, INDOK, Zaloška 2, Ljubljana Inštitut za ekonomske raziskave Kardeljeva ploščad 17 Ljubljana naslovni podatki o IL, stanju in statusu zaščite, dokumenti ON LINE baze podatkov -preko 200 specializiran center za elektrotehniko (patenti, knjige, članki) : specializiran center za kemijo : specializiran center za strojništvo : tehnična literatura, standardi specializiran center za biokemijo, onkologijo specializiran center za ekonomske raziskave Poleg navedenih je v slovenskih delovnih organizacijah še vrsta manjših specializiranih indokov in knjižnic, ki so povezane z večjimi centri pri izmenjavi poslovno tehničnih informacij. Navedeni centri so združeni v Poslovno skupnost za informatiko, tako da lahko porabnik naroči informacijo na PSS, Parmova 33, tel. 316 525 in prejme po e-naki ceni informacijo od kateregakoli centra, kar pomeni bistven prihranek časa in omogoča večjo kvaliteto izbora informacij. Ing. Marijan Štele Poslovna skupnost za svetovanje Ljubljana 85 SEMINAR O NAČRTOVANJU IV1IKROELEKTRONSKIH VEZIJ S POMOČJO LOGIČNIH MRE2 Rudi Ročak Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroe-lektroniko in materiale ter Iskra - Mikroelektronika organizirata v Ljubljani od 9. do 13. septembra 1985 seminar o načrtovanju mikroelektronskih vezij s pomočjo logičnih mrež. Iskra - Mikroelektronika razpolaga s kompletom orodij za načrtovanje in izdelavo mikroelektronskih vezij na osnovi logičnih mrež v tehnologiji CMOS. Načrtovanje na osnovi logičnih mrež pomeni hitro pot od zasnove do integracije sistema, tudi za manjše skupno število potrebnih izdelanih vezij. Načrtovanje uporabniškega vezja na osnovi logičnih mrež je izvedljivo v izjemno kratkem času (mesec dni) s pomočjo CAD. Iskra - Mikroelektronika se s tehnologijo logičnih mrež v CMOS pridružuje modernim proizvajalcem integriranih vezij v Evropi. Želja organizatorjev seminarja je omogočiti uporabnikom integriranih vezij izven DO Iskre dostop do znanja in uporabe tega sistema načrtovanja. Seminar bo v prostorih Iskre - Mikroelektronike v Steg-nah 15 d. Poleg predavanj, ki bodo pokrila načrtovanje in tehnologijo CMOS logičnih mrež, bodo udeleženci praktično delali na modernem računalniškem sistemu za načrtovanje integriranih vezij. Program predvideva 30 ur z naslednjimi osnovnimi temami: - tehnologija CMOS - osnova operacijskega sistema VMS za računalnik VAX 780 - načrtovanje in simulacija integriranih vezij - osnovne celice v sistemu logičnih mrež - kriteriji odločitev za načrtovanje na osnovi logičnih mrež - povezava med načrtovalci in izdelovalci vezij - praktično delo na primerih načrtovanja Vodji seminarja bosta dr. Rudi Ročak in dr. Franc Runovc. Ker je lahko takšen seminar uspešen le v manjši skupini, je število udeležencev omejeno na 12. Upoštevali bomo vrstni red dospelih prijav. Prijavo pošljite, prosimo, na naslov: Pavle Tepina Elektrotehniška zveza Slovenije SSESD Titova 50, 61000 LJUBLJANA skupaj z nakazilom ali potrditvijo nakazila din 75.000.-za pokrivanj e stroškov organizacije in literaturo seminarja. Žiro račun za vplačilo je 50101-678-48748 pri Elektrotehniški zvezi Slovenije - za SSESD. Prijave pošljite čimprej, vendar najkasneje do 1.8. 1985. Stroške bivanja v Ljubljani pokrivajo udeleženci sami. Priporočamo Nastavitveni center na Celovški cesti, ki je v neposredni bližini Iskre - Mikroelektronike. Predsednik SSESD dr. Rudi Ročak, dipl.ing. POSVETOVANJA, KONFERENCE IN SIMPOZIJI Pavle Tepina STANJE PROGRAMSKE IN APARATURNE OPREME ZA NAČRTOVANJE ELEKTRONSKIH VEZIJ Podajamo preliminarni program posvetovanja o stanju programske in aparaturne opreme za načrtovanje elektronskih vezij, ki bo 19. novembra 1985 v Mariboru v dvorani delovne organizacije "BIROSTROJ", Glavni trg 17b. Posvetovanje organizira SSESD v sodelovanju z DO "BIROSTROJ" Maribor. Namen posvetovanja je pregled modernih konceptov načrtovanja tiskanih, hibridnih in monolitnih elektronskih vezij, pregled stanja v SFRJ na področju programske in aparaturne opreme za računalniško podprto načrtovanje elektronskih vezij ter diskusija o problematiki CAD v jugoslovanskih delovnih organizacijah in možnostih povezovanja in združevanja naporov, ki vodijo k skupnemu uspehu. Predviden je naslednji program : 86 1. Otvoritev Predsednik: M. Hartner, "Birostroj" 2. Referati o modernih konceptih načrtovanja Predsednik: K, Jezernik, TF Maribor L. Trontelj, EF Ljubljana F. Runovc, Iskra-Mikroelektronika 2.1. Tiskana vezja: M. Spegel - "Institut Jožef Štefan, Ljubljana 2.2. Hibridna vezja: F. Dacar, "Institut Jožef Štefan" , Ljubljana 2.3. Monolitna vezja: P. Stavanja, Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana 3. Diskusija 4. Pavza za kosilo 5. Referat o stanju na področju programske in aparaturne opreme v SFRJ Predsedstvo: S. Turk, EF Zagreb Predstavnik Iskra - Delta Predstavnik Iskra - Birostroj 5.1. V SR BiH : I. Agatič, "Rudi Cajevec", Banja Luka 5.2. V SR Hrvatski : S. Krsič, "Rade Končar", Zagreb 5.3. V SR Sloveniji : F. Runovc, Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana 5.4. V SR Srbiji : A?. Litovski, EF, Niš- 6. Diskusija Predvidevamo udeležbo predstavnikov delovnih organizacij , ki proizvajajo ali uporabljajo aparaturno in programsko opremo v SFRJ. 7. Sklep posvetovanja Vsi referati in sklepi posvetovanja bodo objavljeni v posebni publikaciji, ki bo izšla do konca leta 1985. Za pokrivanje stroškov organizacije in tiska je določena kotizacija 2.000 din po udeležencu. Prijave pošljite na naslov: ELEKTROTEHNIŠKA ZVEZA SLOVENIJE 61000 Ljubljana, Titova 50 Vplačilo kotizacije: Elektrotehniška zveza Slovenije, za SSESD 50101-678-48748 ali pa na blagajni ob začetku posvetovanja. V tem primeru še posebej prosimo za predhodno prijavo, saj boste s tem omogočili lažjo in boljšo organizacijo posvetovanja. Republiško društvo Makedonije za ETAN - Skopje prireja od 17. do 19. oktobra 1985 v Ohridu: II. TEMATSKO KONFERENCO ZA ELEKTRONIKO, TELEKOMUNIKACIJE, AVTOMATIKO IN INFORMATIKO -ETAI '85 Vodilne teme posvetovanja bodo: - razvoj in proizvodnja sodobne elektronske opreme - digitalne telekomunikacijske mreže - sodobni postopki vodenja in avtomatizacije v industriji in energetiki - informacijski sistemi v gospodarstvu, bančništvu, javnih službah in izobraževanju Posvetovanje bo v prostorih hotela "PALAS" v Ohridu. Kotizacija znaša 5000 din. Vplačati jo je potrebno na tekoči račun Društva za ETAI Makedonije, Skopje, št. 40100-678-15596 ali pa neposredno na sami recepciji posvetovanja. Prijave in podrobnejše informacije dobite na naslovu: Društvo za ETAI SR Makedonije, Dom CITM - Skopje, 91000, ul. Dame Gruev 14 a, poštni predal 139. IV. SIMPOZIJ O MIKROPROCESORJIH IN NJIHOVI UPORABI V Budimpešti bo od 15. do 17. oktobra 1985 posvetovanje o mikroprocesorjih pod pokroviteljstvom Madžarske akademije za znanost. Organizator posvetovanja je Znanstveno društvo za telekomunikacije. Vodilne teme posvetovanja so: - vodenje sistemov - periferni sistemi - procesiranje podatkov - vzgoja in izobraževanje - razvoj sistemov in razvojni sistemi 87 Kotizacija znaša # 120.-. Podrobnejše informacije dobite na naslovu: Synposium secretariat of ^uP'85 1055 Budapest V. , Kossuth Lajos ter 6-8 Telex: 22-5792 MTESZ VI. SIMPOZIJ O ZANESLJIVOSTI V ELEKTRONIKI -RELECTRONIC '85 Budimpešta, 26. do 30. avgusta 1985 Organizator posvetovanja je Znanstveno društvo za telekomunikacije, Matematično društvo "Bolyai Janos", Znanstveno društvo za transport in Društvo za optiko, akustiko in filmsko tehniko - Budapest. Vodilne teme posvetovanja so: - zanesljivost elektronskih komponent, vključno fizika zanesljivosti - zanesljivost sistemov - statistično vrednotenje Povabljeni referenti: N. Ohyama, Japonska Reliability engineering in telecommunication N. Stojadinovič, Jugoslavija: Failure mechanisms of integrated circuits H. Störmer, ZRN: Reliability theory F. Rcinielo, Italija: On failure concepts definition and classification R. Goarin, Francija: The limitation of reliability predictions for electronic components Do sedaj je prijavljenih že več kot 80 referatov. Kotizacija znaša £ 125.-. Podrobnejše informacije dobite na naslovu: RELEC TRONIC '85 1055 Budapest Kossuth Lajos ter 6-8 Telefon: 531-027 Telex: 22-5792 MTESZ-HTE Letošnja XV. EVROPSKA KONFERENCA O POLPREVODNIKIH ELEMENTIH ESDERC'85 bo v Aachenu od 9. do 12. septembra. Obravnavane bodo naslednje tematike: - novi elementi, submikronski elementi - MOS strukture - FET elementi - polprevodniški laserji in fotodetektorji - integrirana optoelektronika - prikazalniki - elementi za površinskimi akustičnimi valovi - senzorji - novi principi za elemente pomnilnikov - mikrovalovni elementi - modeliranje elementov - tehnike epitaksialne rasti - silicijska in III - V tehnologija (ionska implantacija, procesi jedkanja, metalizacija, itd.) - zanesljivost elementov in mehanizmi odpovedi Dodatne informacije dobite na naslovu: H. Henke Institut fiir Halbleitertechnik Rhein.~Westf. Tech. Hochschule Walter-Schottky Haus Sommerfelddtrasse, D-5100 Aachen Telefon: (0241) 807750 V Piovdivu (Bolgarija) bo od 23. do 25. oktobra 1986 med narodna znanstveno-tehnična konferenca MIKROELEKTRO-NIKA '86. Organizirala jo bo Bolgarska zveza za elektroniko, elektrotehniko in telekomunikacije. Naslov zveze je: 1000 Sofija, ul. Rakovski 108 - teleks: 22185, ki vam bo na željo posredovala dodatne informacij Pavle Tepina, dipl.ing. SSESD Ljubljana 88 Načrtovanje obširnih integriranih vezij MOS na osnovi logičnih mrež Bistvene prednosti vezij na osnovi logičnih mrež, ki jih more izkoristiti njihov uporabnik, so cenovna učinkovitost pri majhnih letnih serijah vezij (manj kot 10 000 kosov), nizki razvojni stroški, zanesljiva tehnologija ter izjemno hitra realizacija sistemske zasnove. Strukturo digitalne logične mreže razdelimo na jedro in periferijo, kjer izraza opisujeta tako lokacijo kakor tudi funkcijo. Celice jedra služijo za realizacijo osnovnih logičnih funkcij in jih med sabo povezujejo kompleksnejše periferne celice. Iskra Mikroelektronika razpolaga z družino logičnih mrež različnih gostot, ki so izdelane v zanesljivi, proizvodno zreli tehnologiji CMOS s samonastavljivo krmilno elektrodo iz polikristaliničnega silicija. Osnovni gradnik za vezja na osnovi logičnih mrež so predprocesirane rezine, na katerih uporabnik definira željene povezave in s tem funkcijo vezja s pomočjo ene same tehnološke operacije. Tak pristop zagotavlja hitro in zanesljivo realizacijo vezij, potem ko je načrtovalec izbral logično mrežo ustrezne gostote na osnovi potrebnega števila ekvivalentnih logičnih vrat. Prav možnost izbire logičnih mrež z različnim številom ekvivalentnih logičnih vrat nudi načrtovalcu dovolj dobro izbiro silicijeve površine, čeprav ni optimizirano v tolikšni meri kot pri vezjih, ki so načrtovalsko realizirana na osnovi standardnih celic. Tehnologija CMOS, v kateri so realizirana vezja na osnovi logičnih mrež, nudi visoko neobčutljivost proti šumu, širok temperaturni obseg delovanja vezij {temperatura spojev med —40° C in + 140° C) ter obseg napajalnih napetosti med 3 V in 12 V. Ostali podrobni podatki o načrtovanju m uporabi vezij na osnovi logičnih mrež so sestavni del ustreznih načrtovalskih priročnikov Iskre Mikroelektronika. Navodila avtorjem Upute autorima Publikacija Informacije SSESD je zainteresirana za prispevke domačih in inozemskih avtorjev — še posebej članov SSESD — s področja elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike in ma-teralov, ki jih lahko razvrstimo v naslednje kategorije: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, pregledni strokovni članki, mnenja in komentarji, strokovne novosti, članki iz prakse, članki in poročila iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, članki in poročila o akcijah SSESD, članki in poročila o dejavnostih članov SSESD. Sponzorji SSESD lahko brezplačno objavijo v vsaki številki publikacije po eno stran strokovnih informacij o svojih novih proizvodih, medtem ko je prispevek za objavo strokovnih informacij ostalih delovnih organizacij 6000 din za A4 stran. Prispevek mora biti pripravljen tako: a) Imena in priimki avtorjev brez titul b) Naslov dela, ki ne sme biti daljši od 15 besed in mora jasno izražati problematiko prispevka c) Uvod — formulacija problema d) Jedro dela e) Zaključek f) Literatura i) Imena in priimki avtorjev, vključno s titulami in naslovi njihovih delovnih organizacij Rokopis naj bo jasno tipkan v razmaku 1,5 v širini 12 cm (zaradi montaže na A3 formatu in pomanjšave na A4 format) na A4 listih. Obseg rokopisa naj praviloma ne bo večji od 20 s strojem pisanih listov A4, na katerih je širina tipkanja 12 cm. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs papirju ali belem papirju. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Podnapisi za risbe, ki so široke do 12 cm, naj bodo tipkani do širine 12 cm, za risbe, ki so širše, pa širina podnapisa ni omejena. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. Risbe, tabele in fotografije ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. Delo je lahko pisano v kateremkoli jugoslovanskem jeziku, dela inozemskih avtorjev pa v angleščini ali nemščini. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. Informacije SSESD izhajajo aprila, junija, septembra in decembra v tekočem letu. Rokopise, prosimo, pošljite mesec dni pred izidom številke na: Uredništvo Informacije SSESD Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rokopisov ne vračamo. Publikacija »Informacije SSESD« zainteresirana je za priloge domačih i inozemskih autora, na-ročito članova SSESD. Priloge s područja elek-troničkih sastavnih dijelova, mikroelektronike i materijala možemo razvrstati u sledeče skupine: izvorni znanstveni člancl, stručni članci, prikazi stručnih članaka i drugih stručnih radova, mišljenja i komentari, novosti iz struke, članci i obavijesti iz prakse, članci i obavljesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, članci i obavijesti o akcijama SSESD, članci i obavijesti o djelatnosti članova SSESD. Sponzori SSESD-a mogu besplatno u svakome broju publikacije objaviti po jednu stranu stručnih informacija o svojim novim proizvodima. Ostale radne organizacije plačaju za objavljiva-nje sličnih informacija 6.000 din po jednoj A4 stranici. Priloži trebaju biti pripremljeni kako slijedi: a) Ime i prezime autora, bez titula b) Naslov ne smije biti duži od 15 riječi i mora jasno ukazati na sadržaj priloga c) Uvod u kojemu se opisuje pristup problemu d) Jezgro rada e) Zaključak f) Korištena literatura i) Imena i prezimena autora s titulama i nazivi-ma institucija u kojima su zaposleni. Rukopis treba biti uredno tipkan na A4 formatu u razmaku redova 1,5 i širini reda 12 cm (zbog montaže na A3 format i presnimavanja). U pravilu, opseg rukopisa ne treba prelaziti 20 tipkanih stranica A4 formata s redovima širine 12 cm. Crteže treba izraditi tušem na pausu ili bijelom papiru. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba ¡mati naziv i broj. Za crteže do 12 cm širine naziv ne smije biti širi od 12 cm. Za crteže v^če širine nije ograničena širina naziva. U tekstu je potrebno označiti mjesto za crteže. Crteže, tablice i fotografije ne treba Mjepiti u tekst, več je potrebno priložiti ih članku odvojeno. Rad može biti pisan na bilo kojem od jugosla-venskih jezika. Radovi inozemnih autora trebaju biti na engleskom ili njemačkom jeziku. Autori odgovaraju u potpunosti za sadržaj objav-Ijenog rada. »Informacije SSESD« izlaze u aprilu, iunu, septembru i decembru tekuče godine. Rukopise za slijedeči broj šaljite najmanje mje-sec dana prije izlaska broja na: Uredništvo »Informacije SSESD« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rukopise ne vračamo. Sponzorji SSESD Sponzori SSESD RIZ-KOMEL OOUR TVORNICA POLUVODIČA, Zagreb SELK — TVORNICA SATOVA, Kutina ISKRA — IEZE TOZD HIPOT, Šentjernej ISKRA — MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana ULJANIK, Pula RIZ-KOMEL OOUR ELEMENTI, Zagreb ISKRA — IEZE TOZD SEM, Ljubljana ISKRA — IEZE TOZD TOVARNA POLPREVODNIKOV, Trbovlje UNIS — RO TVORNICA TELEKOMUNIKACIJSKE OPREME, Mostar ELEKTRONIK — PROIZVODNJA ELEKTRlCKIH UREDAJA, Zagreb ISKRA — AVTOMATIKA, Ljubljana ISKRA — INDUSTRIJA KONDENZATORJEV, Semič FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana ELEKTROTEHNIčKI FAKULTET, Niš RAZISKOVALNA SKUPNOST SLOVENIJE, Ljubljana ISKRA — TOVARNA TELEVIZIJSKIH SPREJEMNIKOV, Pržanj