LJUBLJANA, APRIL 1986, LETNIK-GODINA 16, ŠTEVILKA-BROJ 37 Domače litijeve baterije ISKRA, INDUSTRIJA BATERIJ ZMAJ INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelek-troniko, elektronske sestavne dele in materiale Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelek-troniku, elektronske sastavne delove i materijale Glavni, odgovorni in tehnični urednik Glavni, odgovorni i tehnički urednik Uredniški odbor' Redakcioni odbor Člani ¡izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Tajnik-sekretar Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Tajnik-sekretar Podpredsednik Alojzij Keber, dipl. ing. Mag Milan Slokan, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodniki, Trbovlje Mr Željko Butkovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. — VTI, Beograd Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl. ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jože' Štefan, Ljubljana Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra 1EZE, Ljubljana Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl.ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. —■ Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing.— Rade Končar-ETI, Zagreb Naslov uredništva Uredništvo Informacije MIDEM Adresa redakcije Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886, (061) 329-955 Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brez- Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM bes-plačno platno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tipkanje besedila: Metka Vidmar Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 1000 izvodov Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2. 2. 1979 publikacija je oslobodena pla-čanja poreza na promet. Prepis teksta: Metka Vidmar Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 1000 komada VSEBINA - S A D R 2 A J IZ UREDNIKOVE BELEŽNICE Georgi M. Dimirovski MIDEM ČE SVOJOM DELATNOŠČU DA VATI DOPRINOS NAŠEM NAUČNO-TEHNOLOŠKOM NAPREDKU Pavle Tepina USTANOVITEV STROKOVNEGA DRUŠTVA ZA MIKROELEKTRONIKO, ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE IN MATERIALE - MIDEM Milan Slokan IZ ZGODOVINE STROKOVNE SEKCIJE ZA ELEKTRONSKE SESTA VNE DELE, MIKROELEKTRONIKO IN MATERIALE PRI JUGOSLOVANSKI ZVEZI ZA ETAN, PREDHODNICE DANAŠNJEGA MIDEM Ljutica Pešič KONFERENCI.) A ISHM-85 U SAD O HIHIUDNOJ MI K UO ELI5K TRON ICI Miroslav Gojo POSJETA SAJMU MIKROELEKTRONIKE SEMICON U ZURICHU Petar Biljanovič IZVEŠTAJ O REZULTATIMA ZNANSTVENO-ISTRAŽIVAČKOG RADA NA PODRUČJU ELEKTRONIČKIH TEHNOLOGIJA U 1985. GODINI Franc Friedrich, Tomaž Ogrin DOMAČE LITIJEVE BATERIJE Franc Friedrich PASIVNI FILM V BATERIJAH SISTEMA LITIJ/TIONILOV KLORID Boris Navinšek ELEKTRIČNO PREVODNE IN OPTIČNO TRANSPARENTNE PLASTI NA BAZI INDIJA DOPIRANEGA S KOSITROM Monika Jenko OPLEMENITENJE POVRŠINE MEHKEGA ŽELEZA Z VAKUUMSKIM DIFUZIJSKIM KROMANJEM Borut Lenardič IZRAČUN REŽE PRI MAGNETNIH JEDRIH Motorola Semiconductors Products, Inc. UPORABA HITRE CMOS LOGIKE PRI POVEZOVANJU MIKROPROCESORSKIH VEZIJ Miroslav Turina NOVOSTI IZ SVI.JETA Varužan Kevorkijan, Milan Slokan RAZVOJ IN PROIZVODNJA DOMAČIH MATERIALOV ZA ELEKTRONIKO Pavle Tepina PROGRAM XIV. JUGOSLOVENSKOGSAVETOVANJA O MIKROELEKTRONICI MIEL-86 Milan Slokan POZIV ZA SODELOVANJE NA XXIJ . JUGOSLOVANSKEM SIMPOZIJU O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH - SD 86 IZ UREDNIKOVE BELEŽNICE Na zadnji seji uredniškega odbora Informacije SSESD, ki je bila hkrati prva seja uredniškega odbora Informacije MIDEM - tako se bo namreč po preimenovanju Strokovne sekcije za elektronske sestavne dele, mikroelek-troniko in materiale v Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale poslej imenovala naša publikacija - smo so domenili, da bomo skušali tudi v tem letu zavzeto izboljševati vsebino, medtem ko bo ostala grafična oprema zaradi čedalje večjih stroškov tiskanja enaka kot doslej. Z zadovoljstvom ugotavljamo, da smo za letos že "razprodani". Razveseljivo je namreč, da se jugoslovanske delovne organizacije, ki jim je elektronika gl avna dejavnost, pričenjajo zavedati pomena pretoka informacij med strokovnjaki in njihovega medsebojnega povezovanja. S svojo finančno podporo preko oglaševanja na naslovni strani Informacije MIDEM pri tem procesu tudi aktivno sodelujejo. Pa ne vse. Se veliko jih bo potrebno predramiti, če jih seveda ne bo že prej predramila povsem preprosta gospodarska nuja. Mnogi naši člani so izrazili zadovoljstvo zaradi nove naslovnice in tudi bolj bogate vsebine v preteklem letu. Ko bi bili tako radodarni, kot so s pohvalami, tudi s strokovnimi in informativnimi prispevki iz svojega delovnega okolja, bi imel uredniški odbor prav gotovo še večjo voljo do svojega dela. Želja nekaterih naših članov, pa tudi uredniškega odbora je, da bi v vsebino vpeljali stalne rubrike. Takšne rubrike bomo odprli šele takrat, ko bomo lahko dolgoročno z gotovostjo zagotavljali gradivo zanje. Upamo, da bo to kmalu, vsaj za nekatere. Da pa ne bomo ostali samo pri obljubah, pričenjamo s to številko prvo takšno rubriko, ki smo jo že dolgo pogrešali. To bo rubrika o uporabi elektronike. Glede na to, da je uredniški odbor v nenehnem iskanju novih strokovnih in organizacijskih oblik in možnosti izdajanja Informacije MIDEM, nas bo samo veselilo, če nam bodo člani MIDEM pri tem priskočili na pomoč. Koliko sto izboljšav in izpopolnitev bi lahko napravili tako rekoč samo v enem zamahu, če bi vsak naš član podal vsaj dva koristna predloga. To od naših članov in bralcev Informacije MIDEM ne bi zahtevalo skoraj nobenega napora, uredniški odbor pa bi lahko te informacije koristno, zelo koristno uporabil. Želimo, da bodo Informacije MIDEM bolj vaše, kot naše. In če je v slogi moč, potem moramo biti toliko smeli, da vas ponovno prosimo za sodelovanje in pomoč . P.S. Ko boste prečitali to številko Informacije MIDEM, si, prosimo, odtrgajte pet minut časa in nam napišite na kartici ali v pismu vaše predloge, kar na roko, sproščeno, brez posebnih priprav. V tem primeru so važne ideje in pa mnenje iz strokovnega okolja, v katerem delate in živite. Urednik 1 MIDEM CE SVOJOM DELATNOŠCU DAVATI DOPRINOS NAŠEM NAUČNO-TEHNOLOŠKOM NAPREDKU Georgi M. Dimirovski Pozdravna reč na Osnovačkoj skupštini Stručnog društva za mikroelektroniku, elektronske s.istnvuc delov o i materijale - M l DEM u Ljubljani 29. januara 1986 Več je iz naše svakodnevice evidentno da živimo i radimo u vremenu velikih naučno-tehnoloških promena i izazova praktično u svim oblastima ljudskog rada i života. Oni ni-su bez potresa a njihove trajne tehno-ekonomske i šire društvene konsekvence, čini se, još nisu potpuno sagleda-ne. Govori se o nastupajucem informatičko-tehnološkom društvu, o eri naučno-tehnološki zasnovanog razvoja naci-ja i čovečanstva, o praskozorju materijalne baze budučeg komunističkog društva itd. Futorologija ce verovatno dati neki deo dovoljno tačnih odgovora na pitanja što nas za-pljuskuju, ali, zajedno sa perspektivama za bleskavu bu-dučnost, ne mogu se poreči i tendencije za tehno-ekonorn-ski neokolonijalizam . Ipak se može reči da veči deo ovili promena nastupaju ne samo u društvenim sredinama i az-vijenih, nego i kod nedovoljno-razvijenih i manjih zenial-ja. A, uopšteno gledano, sve društvene sredine ili nisu bile ili samo su delimično pripremljene za lanac svestranih promena izazvanih tekučom naučno-tehnološkom revoluci-jom. Svet, naročito onaj najrazvijeniji i onaj koji teži novim formama očuvanja svoje supremacije, uveliko se pripre-ma za susret sa XXI vekom i to kako kroz nacionalne, tako i kroz višenacionalne programe naučno-tehnološkog razvoja. Dovoljno je potsetiti na programe Japana i SAD-a, na Eureku Zapadne Evrope a, od nedavno, i na zajednički program zernalja SEV-a. Ove promené u našoj zemlji dolaze u, po mnogo čemu, dvo-struko specifičnoj situaciji. Sa jedne strano, to je ozbilj-no stanje u ekonomskoj i široj društvenoj reprodukciji, u-slovljeno danas vec dobro poznatim razlozima rnedju koji-ma verovatno najznačajniji su razni oblici regionalistirkog egoizma ili zatvaranja i ncodgovarajuče lunkcionirnnjc ine-hanizama vodjenja društvene repi oduk< i jo. U ovo sigurno spada i naš gubitak svetskog koraka sa najpropulzivnim područjima rada, medju kojima sa elektroničkom infra-strukturom i nadgradnjom posebno. Sa druge strane, to je ogromni društveno organizovani napor u čelom ovorn periodu iz medju dva kongresa SKJ usmeren na izgradjiva-nju novih oblika jugoslovensko-klasnog prilaza društvenoj' reprodukciji zemlje, primerenog nastupajucem naučno-te-hnološkom stoleču a zasnovanog na Avnojskim tekovinama i suprostavljenog dosadašnjim propustima i suprotnostima. On je proizašao iz Dugoročnog programa stabilizacije u čijim povojima su nikli i Osnovi strategije za naučno-tehnološki razvoj, gde je doprinos dao i Jugoslovenski sa-vez za ETAN. JS za ETAN, kao stručno-društvena organizacija na prostoru cele zemlje, još od osnovanja je okrenut područjima novih naučnih vidika i novih tehnologija i istovremeno neguje jugoslovensko-klasni prilaz u nastojanjima da služi iinučno-tohnološkom razvoju cele zemlje u oblastima svog delovanja, gde elektronika u najširem smislu reči jeste srž svega. ETAN je uvek bio u središtu najnovijih naučnih i tehnoloških izazova i kroz svoje brojne aktivnosti, uklju-čujuči i namenske elaborate (Čortanovski, Kosmajski itd.) donosio društvu potrebna saznanja i vizije u oblastima svo-ga delovanja. Dovoljno je pogledati samo izlaganje "Aktu-elni trenutak JS za ETAN" tadašnjeg predsednika prilikom obeležavanja 30-te godišnjice 19 83 godine u Strugi pa da se vidi ovakav angažovani odnos ETAN-a i njegovih sekcija i podružnica. Kao št.o je poznato, medju poslednjim aktivnostima ETAN-a ovakvog ka.rakt.era jeste i študija "Stanje i razvoj mikroe-lektronike u SFRJ", o kojoj če njen voditelj podneti završ-ni izveštaj na ovogodišnjem MIPRO-u u Rijeci. Naravno, nije tok tako došlo do ove študije i svega pomenutog. Pute-vi razvojnog rasta organizacijskih formi i stručnih aktivnosti ETAN-a, u svim oblastima njegovog delovanja i u e-lektroniei posebno, protežu closta unatrag. Ovom prilikom ,se trebamo vrat.iti do dnlekih 1959. i [965. kada su ovde u Ljubljani održani I Jugoslovensko savetovanje o sastav-nim delovima za elektronsku opremu odnosno I Jugoslovenski simpozijum o mikroelektronici, respektivno. Preko čcotvrt veka delatnosti ETAN-a u ovim područjima9 pre- ko nekadašnjeg Saveznog stručnog odbora za elektronske sastavne delove i materijale (SSOSD od 1962 g.) i njegove transformacije Stručne sekcije za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materijale (SSESD od 1977 g. ), dovelo je do današnje veoma razvijene aktivnosti širom zemlje, a posebno u Nišu, Banja Luci, Zagrebu i Ljubljani, i do osposobljenosti da se ponese teret ovakve odgovorne študije. Naravno, u svemu tome je ugradjeno znanje, entuzijazam i stručno-društvena svest brojnih aktivista ETAN-a i uglednih stručnjaka, medju kojima i nekoliko do-ajena Sekcije i danas prisutnih ovde. Nije moguče, a re-kao bih, nije ni potrebno nabrajati sve aktivnosti iza kojih su ostali brojni naučno-stručni rezultati i pisana istraži-vačka reč. Ali treba reči danas da je posle MIEL'65 i MIEL'74 usledilo još jedanaest i več smo u susret četrna-jestom MIEL-u da se sistematski izdaju "Informacije SSESD", da se razvila plodna saradnja sa MIPRO u Rijeci i JUREMA u Zagrebu kao i sa drugim sekcijama, a od 1982. uspostavl jena je veza i nešto skromnija saradnja SSESD i ETAI u Skopju. Uveren sam da i Sekcija SSESD, koja danas prerasta u Stručno društvo, i Jugoslovenski savez za ETAN u celini, a i sve njegove sekcije i društva ponaosob, če i dalje svo-jom delatnošču davati svoj doprinos našem naučno-tehno-loškom napredku za ubrzani i uravnoteženi razvoj cele zemlje, i da če kroz svoje aktivnosti ujedinjavati radno pre-galaštvo i sposobnosti sve večeg broja mladih istraživača i konstruktora iz svih naših krajeva. Čini mi čast da nosim dužnost predsednika ETAN-a i što mogu u tom svojs-tvu da se direktno obratim vama sa željama za još veče uspehe MIDEM-a. Predsednik Jugoslovenskog saveza za ETAN Prof dr Georgi M. Dimirovski Kneza Miloša br. 9/1 V, 11000 Beograd USTANOVITEV STROKOVNEGA DRUŠTVA ZA MIKROELEKTRONIKO, ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE IN MATERIALE - MIDEM Pavle Tepina Dne 29. januarja 1986 je bila v prostorih Kluba delegatov v Ljubljani ustanovna skupščina Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Skupščine se je udeležilo 35 članov Strokovne sekcije za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale - SSESD in strokovnjakov s tega področja. V razpravi je sodelovalo veliko število razpravljavcev. Objavljamo skrajšan zapisnik, ki vsebuje vse bistvene ugotovitve. Zapisnik Ustanovne skupščine strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale MIDEM DNEVNI RED: 1. Otvoritev 2. Izvolitev: - delovnega predsedstva - zapisnikarja - overovatelja zapisnika 3. Utemeljitev ustanovitve društva 4. Potrditev ustanovitve društva 5. Razprava o statutu društva 6. Potrditev statuta 7. Določitev načina glasovanja 8. Izvolitev komisij: - verifikacijske - kandidacijske in volilne - za zaključke 9. Volitve: - predsednika društva - strokovnega sveta - odbora samoupravne družbene kontrole - OSDK - tovariškega razsodišča - disciplinskega sodišča 10. Program dela in finančni plan društva za naslednje obdobje 11. Razprava in potrditev programa in finančnega plana 12. Predlog in potrditev članarine 13. Nagovori - sklepi Ad 1/ Tovariš Ročak je kot predsednik iniciativnega odbora za 3 ustanovitev društva odprl skupščino, pozdravil vse navzoče in predložil v odobritev dnevni red, ki je bil soglasno sprejet. Ad 2/ Tovariš ROCAK je predlagal delovno predsedstvo v sestavi: - Milan SLOKAN - predsednik - Milan MEKINDA - član - Srebrenica URŠI C - član - zapisnikar: Pavle TEPINA - overovatelja zapisnika: Alojzij KEBER in Herman VIDMAR Predlog je bil soglasno sprejet. Ad 3/ Utemeljitev ustanovitve društva Na predlog predsednika delovnega predsedstva tovariša SLOKAN-a je tovariš ROCAK podal utemeljitev ustanovitve društva MIDEM. Vsi smo priče izrednega razvoja novih modernih tehnologij in gospodarskih dosežkov, ki so jih povzročili: računalništvo, robotika, informatika in telekomunikacije. Osnova vse te tehnološke revolucije je mikroelektronika. Leta vpliva preko razvoja novih industrijskih vej tudi na družbene dogodke. Njen pomen je daleč širši kot pa zgolj tehničen. Za njo se, poleg širokega kroga strokovnjakov, zanimajo tudi politiki, družboslovci in verjetno je danes že težko najti človeka, ki ga ne bi zanimala elektronika in še posebej mikroelektronika. V naši deželi že dolgo vrsto let deluje Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale (pri zvezi ETAN), ki združuje približno 500 strokovnjakov. Ti strokovnjaki so na svoji skupščini 8.10. 1985 u-gotovili, da je dozorel čas, ko je potrebno delovanju sekcije pomagati s primerno organiziranostjo. V ta namen so izbrali iniciativni odbor za formiranje strokovnega društva MIDEM. Od tega pričakujejo naslednje prednosti: - sedanjemu delu dati primerno formalno in pravno obliko, - doseči večje družbeno priznanje in s tern tudi obratno, to je vpliv na družbena dogajanja pogojena /, razvojem mikroelektronilce, - pravilno in regularno finančno poslovanje (lasten žiro račun, možnost strokovnih služb). Elektrotehniška zveza Slovenije, najstarejše strokovno društvo s tega področja je iniciativo strokovno podprla in sklenila, da bo bodoče društvo vključila v svojo Zvezo. Ad 4/ Potrditev_ustanovitve društva Po podani utemeljitvi je predsedujoči predlagal, da bi prisotni potrdili ustanovitev društva MIDEM. Ustanovitelji strokovnega društva MIDEM so: Franc JAN - Iskra-Hipot, Šentjernej Alojzij KEBER - Institut Jožef Štefan, Ljubljana Vladimir KLAVS - Elektrotehniška zveza Slovenije, Ljubljana Marjeta LIMPEL - Iskra-IEZE - TOZD Feriti, Ljubljana Milan MEKINDA - Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Rudi ROCAK - Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Stanislav ŠOLAR - Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Milan SLOKAN - SSESD, Ljubljana Pavle TEPINA - SSESD, Ljubljana Herman VIDMAR - Elektrotehniška zveza Slovenije, Ljubljana Prisotni so soglasno potrdili ustanovitev društva. Ad. 5/ Razprava o statutu društva Tovariš ROCAK je uvodoma pojasnil delo na pripravah Statuta MIDEM, za katerega je MK-SZDL podal (pismeno) IZKAZ, da je Statut družbeno sprejemljiv. Načrt statuta, ki je bil objavljen v 36. številki Informacije SSESD, so vsi navzoči prejeli pravočasno. Na Ustanovni skupščini sta ga pojasnila tovariša CHVATAL in ROCAK ter odgovarjala na vprašanja in predloge, ki so jih podali udeleženci. V razpravi so sodelovali: Milan Slokan, Drago Metljak, Sedat Širbegovič, Ratko Krčmar, Drago Chvatal, Rudi Ročak, Jovan Pavlovič, Rado Faleskini, Vladimir Klavs. Predstavnik ETAN-a tovariš Jovan PAVLOVIČ je pojasnil, kako se MIDEM vključuje v ETAN, kar bo obravnavala tudi Skupščina ETAN, ki bo junija letos v Hercegnovem. Ad 6/ SniiiLL^^i^JiiiHiiL Ustanovna skupščina je po razpravi potrdila Statut MIDEM in sprejela naslednji S K L F P : a) Dopolni se člen 8: . . . razvoja proizvodnje in uporabe sestavnih delov za ei ektroniko b) V kolikor bo organ za registracijo društva želel, da se 4 Statut dopolni ali spremeni, Ustanovna skupščina pooblašča Strokovni svet, da upošteva morebitne predloge, dopolni Statut ter ga po registraciji društva dostavi vsem članom društva. c) ETAN naj ponovno opozori ZK-SZDL na neskladnost Republiških zakonov o društvih (glej komentar k 18. členu ZD-SRS) in prilagodi zakonsko določilo v korist delovanja društev, kot jo zahteva praksa, to je učinkovito medsebojno sodelovanje strokovnjakov vseh republik. č) Dokončno potrjen Statut naj se prevede v srbohrvaščino in objavi v Informacije MIDEM. Ad 7/ Določitev načina glasovanja Po 23. členu sprejetega Statuta je Ustanovna skupščina odločila, da bodo volitve javne. Ad 8/ Izvolitev komisij Predsedujoči delovnega predsedstva je predložil sestav komisij. Skupščina je soglasno sprejela naslednji predlog komisij: Verifikacijska: Pavle TEPINA, Cvetka JANEŽIČ Kandidacijska : Jovo PAVLOVIČ Georgije DIMIROVSKI Vladimir KLAVS Za zaključke : člani delovnega predsedstva Milan SLOKAN Milan MEKINDA Srebrenka URSIČ Ratko KRČ MAR Jova PAVLOVIČ Ad 9/ Volitve Predsednik delovnega predsedstva tovariš SLOKAN je opozoril, da so volitve javne in pozval, da naj Kandidacijska komisija poda ločene predloge za izvolitev predsednika in ostalih članov organov društva. V imenu komisije je podal predlog tovariš Jovo PAVLOVIČ, ki je povedal, da so bili v listi navedeni člani tudi že predhodno evidentirani. Po razpravi je bila lista dopolnjena. a) Tovariš Jovo PAVLOVIČ je predlagal, naj bi bil pred- sednik društva dosedanji predsednik iniciativnega odbora tovariš Rudi ROČAK. Ustanovna skupščina je predlog soglasno potrdila. b) V Izvršni odbor so bili predlagani naslednji člani: 1. Vlada ARANDJELOVIČ EI - POLUPROVODNICI, Niš 2. Mladen ARBANAS RIZ - KOMEL, Zagreb 3. Franc BERAVS ISKRA - POLPREVODNIKI , Trbovlje 4. Željko BUTKOVIČ ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb 5. Jasminka ČUPURDIJA RADE KONČAR - ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT, Zagreb 6. Miroslav DAMJANOVIČ VTI, Beograd 7. Tomislav DJEKOV ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Skopje 8. Mihajlo FILIFEROVIČ MIPRO, Rijeka 9. Jože FURLAN FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana 10. Miroslav GOJO RIZ-KOMEL, Zagreb 11. Franc JAN ISKRA - HI POT, Šentjernej 12. Slavoljub JOVANOVIČ EI - POLUPROVODNICI , Niš 13. Alojzij KEBER INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, Ljubljana 14. Drago KOLAR INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, Ljubljana 15. Ratko KRČ MAR RUDI ČAJAVEC, Banja Luka 16. Milan MEKINDA ISKRA-MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana 17. Vladimir PANTOVIČ EI - IRI, Zemun 18. Ljutica PEŠIČ INSTITUT MIHAILO PUPIN, Beograd 19. Ervin PIRTOVŠEK ISKRA - IEZE, Ljubljana 20. Rudi ROČAK ISKRA - MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana 21. Alenka ROŽAJ-BRVAR ISKRA - CEO, Ljubljana 22. Pavle TEPINA SSESD, Ljubljana 23. Dimitrije TJAPKIN ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Beograd 24. Lojze TRONTELJ FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana 5 25. Stanko ŠOLAR ISKRA - AVTOELEKTRIKA, Nova Gorica 26. Milan SLOKAN SSESD, Ljubljana 27. Ninoslav STOJADINOVIČ ELEKTRONSKI FAKULTET, Niš 28. Sedat ŠIRBEGOVIČ ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Banja Luka 29. Srebrenka URSIČ RADE KONČAR - ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT, Zagreb c) V Odbor samoupravne družbene kontrole - OSDK so bili predlagani naslednji člani 1. Franc ČUK ISKRA - ELEKTROZVEZE, Ljubljana 2. Drago SKRBI NC ISKRA - CEO, Ljubljana 3. Bedrudin TROKIČ RUDI ČAJAVEC , Banja Luka 4. Slavojka RUNDIČ TOC, Beograd 5. Adi PEITL ISKRA - POLPREVODNIKI , Trbovlje č) Ustanovna skupščina je predlagala, naj bodo člani To-variškega razsodišča tudi člani Disciplinskega sodišča, nakar so bili predlagani za člane: 1. Petar BILJANOVIČ ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb 2. Sveto JOVIČIČ EI - PZPNVO , Beograd 3. Evgen KANSK.Y IEVT, Ljubljana in za namestnike: 1. Leo BUDIN ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb 2. Pere ZAJKOSKI ENERGOINVEST, Prilep SKLEP: Ustanovna skupščina je soglasno izglasovala predlagane člane v zgoraj navedene organe. Ad 10/ Program dela in finančni plan Društva za naslednje obdobje Program dela in finančni plan je podal tovariš Rudi ROCAK. Ad 11/ Razprava in potrditev programa in finančnega plana Po obrazložitvi in pojasnilih sta bila program in finančni plan soglasno sprejeta. Finančni plan strokovnega društva MIDEM za leto 1986 Prihodki: 1. Članarina 150 000 din 2. Sponzorstvo 1 800 000 din 3. Kotizacija MIEL 700 000 din 4. Kotizacija MIEL - tujci 750 000 din 5. Kotizacija SD 700 000 din 6. Elektrotehniška zveza Slovenije -Komisija za posvetovanja 300 000 din Skupaj 5 000 000 din I zdatki: 1. Elektrotehniška zveza Slovenije 500 000 din 2. Glavni tajnik 600 000 din 3. Tehnični urednik, uredniški odbor 600 000 din 4. Informacije MIDEM 800 000 din 5. Zbornik MIEL 800 000 din 6. Zbornik SD 600 000 din 7. Honorarji 300 000 din 8. Službena potovanja 400 000 din 9. Delo Izvršnega odbora 400 000 din Skupaj 5 000 000 din Princip vseh akcij razen izdajanja Informacije MIDEM mora biti, da se finančno pokrijejo po odvajanju 10 % za delo društva. Ad 12/ Predlog in potrditev članarine Ustanovna skupščina je sklenila, da bo članarina znašala 500 din letno, za študente pa 150 din. Ad 13/ Nagovori - sklepi Tovariš Georgi M. DIMIROVSKI - predsednik ETAN-a in tovariš Vladimir KLAVS - predsednik Elektrotehniške zveze Slovenije sta v svojih govorih zaželela novemu društvu uspešno delo. Predsednik društva dr. Rudi ROČAK se je zahvalil za izkazano zaupanje in sodelovanje, še posebej predstavnikom ETAN-a in Elektrotehniške zveze Slovenije. Pavle Tepina, dipl. ing. MIDEM, Titova 50 61000 Ljubljana 6 IZ ZGODOVINE STROKOVNE SEKCIJE ZA ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE, MIKROELEKTRONIKO IN MATERIALE PRI JUGOSLOVANSKI ZVEZI ZA ETAN, PREDHODNICE DANAŠNJEGA MIDEM Milan Slokan Leta 1953 je pričel z delovanjem Jugoslovanski komite za elektroniko, telekomunikacije, avtomatizacijo in nuklearno tehniko, splošno poznan pod kratico ETAN. Zastavil si je nalogo, da društveno-strokovno organizira inženirje, tehnike in druge strokovnjake v interdisciplinarni povezavi ne glede na njihovo strokovno smer. To se vidi tudi iz imena, ki naznačuje najvažnejša področja v času nastanka ETAN-a. Danes so ta področja poglobljena, a vendar povsod zastavljena tako, da povezujejo stroke, ki sodelujejo pri uresničevanju zastavljenih ciljev. Osnovni cilj je bil vsekakor pomagati naši družbi in gospodarstvu, da se analizirajo, javno objavljajo in usmerjajo strokovni dosežki na področju delovanja ETAN-a. Svojo moč in aktivnost je ETAN pokazal že v prvih letih z izvedbo študij in posvetovanj , skupaj z Gospodarsko zbornico in strokovnimi združenji gospodarstva, od leta 1955 dalje pa tečejo vsako leto tradicionalne konference ETAN-a, ki vedno v drugem mestu Jugoslavije omogočajo prikaz dela na tem področju. Na IX. plenumu ETAN-a marca 1962 je bila predvidena z novim statutom notranja organizacija strokovnega dela v tako imenovanih zveznih strokovnih odborih za posamezna področja. Tak zvezni strokovni odbor za elektronske sestavne dele in materiale s kratico SSOSD je bil osnovan v jeseni lota 1962 s sedežem v Ljubljani. V Sloveniji smo .so namreč že v prvem povojnem obdobju zelo aktivno ukvarjali z razvojem in s proizvodnjo elektronskih sestavnih delov in materialov, pri čemer je zrasla večja skupina strokovnjakov raznih strok, specializiranih na tem tako interdisciplinarnem področju. Vsi ti so se že takoj po nastanku ETAN-a vključili vanj, leta 1959 pa so tudi organizirali v Ljubljani Prvo jugoslovansko posvetovanje o sestavnih delih za elektronske naprave. To posvetovanje je bilo tedaj s svojimi 200 udeleženci in 22 preglednimi referati forum za oceno stanja ter usmerjanje razvoja industrije elektronskih sestavnih delov v Jugoslaviji. Leta 1961 je sledilo posvetovanje o sestavnih delih za avtomatizacijo v Ljubljani, nato pa leta 1963 II. posvetovanje o elektronskih sestavnih delih in materialih prav tako v Ljubljani. Slednje je organiziral že novo ustanovljeni Zvezni strokovni odbor za sestavne dele (SSOSD) pri Jugoslovanski zvezi za ETAN. Prisotnih je bilo 170 strokovnjakov ter podanih 27 referatov. Po prvem statutu SSOSD je njegovo področje delovanja obsegalo leta 1963 deset strokovnih skupin, v letu 1964 pa so bile dodane še tri, tako da je v prvem desetletju delovalo vsega trinajst strokovnih skupin in sicer: upori, kondenzatorji, dušilke in transformatorji, elektronske cevi, polprevodniški elementi in materiali, magnetni materiali, izolacijski materiali, elektromehanski sestavni deli, sestavni deli za signalizacijo in varnostne naprave, pretvorniki fizikalnih veličin v električne, instrumenti za vgradnjo, kabli in vodniki ter ostali mehanski deli za avtomatizacijo. Posebno aktivna je bila skupina za polprevodnike pod vodstvom prof. Radovana Tavzesa, ki je leta 1964 organizirala v Beogradu tudi prvi jugoslovanski sestanek z 20 referati. SSOSD je nato vsako leto organiziral tradicionalne letne simpozije ob priliki razstav elektronike v Ljubljani, ki so nato dobili naziv SD. Ti simpoziji so vedno imeli za težišče vodilno temo, leta 1965 pa je bil simpozij posvečen v celoti mikroelektroniki in je bil tako predhodnik danes že tradicionalnih jugoslovanskih posvetovanj o mikroelektroniki, ki so organizirana izmenično v jugoslovanskih industrijskih bazenih. SD jo postal letno zbirališče strokovnjakov s področja elektronskih sestavnih delov in materialov, ki so vsakokrat predstavili v 30 do 40 referatih rezultate svojega raziskovalnega in proizvodnega dela. SSOSD oziroma SSESD je od leta 1963 organiziral na Gospodarskem razstavišču v Ljubljani doslej že enaindvajset simpozijev SD, na katerih je nastopilo okrog 520 avtorjev, od teh 15 več kot desetkrat. Simpoziji in posvetovanja oziroma njihovi zborniki so tako bogata zakladnica podatkov za zgodovino raziskav, razvoja in osvajanja proizvodnje elektronskih sestavnih delov, materialov in mikroelektro-nike v Jugoslaviji. Mikroelektronika ob ustanovitvi SSOSD še ni bila posebno področje, je pa postajala vse bolj aktualna in je končno prerasla v strokovno usmeritev, ki je vplivala na dejavnost vseh strokovnjakov, včlanjenih v SSOSD. Zato je bila k imenu dodana še mikroelektronika. Odbor se je ob reorganizaciji Jugoslovanskega komiteja za ETAN po načelu 7 zveze regionalnih društev in ob pretvorbi dotedanjih zveznih strokovnih odborov v zvezne strokovne sekcije ETAN-a nato z novim Statutom leta 1977 preimenoval v Strokovno sekcijo za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale - SSESD. Leta 1974 se je z II. jugoslovanskim posvetovanjem o mi-kroelektroniki, ki je dobilo kratico MIEL, v Zagrebu pričela serija posvetovanj s tega področja. Obravnavala so tako znanstveno-strokovno kot tudi proizvodno in programsko problematiko ter so postala letno stičišče informacij jugoslovanskih razvijalcev, proizvajalcev in uporabnikov mikroelektronike. Do leta 1982 predvsem jugoslovanska posvetovanja, so se pričela leta 1983 v Zagrebu interna-cionalizirati s tujimi referati, leta 1984 pa je bilo na MIEL 84 v Nišu prebranih 28 domačih in 36 tujih referatov. Tudi na MIEL 85 v Ljubljani je bilo podanih poleg 35 domačih 29 tujih referatov, medtem ko je za letošnji MIEL 86 (14. po vrsti) v Beogradu prijavljenih 77 domačih in 35 tujih referatov. To kaže na uspešnost politike mednarodnega odpiranja SSESD ter na izredno aktualnost medsebojnega informiranja strokovnjakov, ki delajo na industrijskih raziskavah v mikroelektroniki. Aktivnost SSESD pa se seveda ni omejevala le na prirejanje simpozijev in posvetovanj iz svojega |xxlror ja. /<> lota 1965 je bil na primer izdelan predlog nomenklature e-lektronskih sestavnih delov, medtem ko je takratna zamisel izdaje kataloga jugoslovanskih izdelkov s tega področja zaradi pomanjkanja finančnih sredstev propadla. SSOSD oziroma SSESD je že od ustanovitve aktivno sodelovala pri ocenjevanju referatov s področja elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike in materialov na letnih konferencah ETAN-a. Posebno pomembna dejavnost sekcije je bila od leta 1969 izdajanje Informacije SSESD, ki prinašajo štirikrat letno poleg društvenih in drugih obvestil tudi strokovne članke. Glasilo je mnogo doprineslo k medsebojnemu povezovanju članov in postaja v zadnjih letih vedno bolj pestro. Leta 1985 so dobile Informacije SSESD nov ovitek, ki je za vsako številko drugačen in prikazuje izdelke naših sponzorjev. V želji, da omogoči oziroma olajša članom živ stik s tako hitrimi tokovi rasti in spreminjanja elektronskih sestavnih delov, materialov in v zadnjem desetletju seveda mi- kroelektronike ter njih uporabe, je SSESD od ustanovitve dalje posvečala svoje sile tudi organizaciji strokovnih potovanj na velike razstave naše stroke in tehnologij, v zadnjem času na münchensko Electrónico ter Productronico, na elektroniko v Pariz oziroma na Semicon v ZUrich, v prejšnjih letih pa tudi v London. Posebej v Müchnu smo u-speli vedno dobiti od organizatorjev razstav komplet zbornikov o strokovnih posvetovanjih, ki našim članom zaradi visokih kotizacij dostikrat niso dostopni. Ti materiali so bili tudi začetno gradivo pri osnovanju strokovne knjižnice SSESD. Strokovna potovanja so vedno pritegnila veliko število članov in drugih strokovnjakov in so razen prepotreb-nega odpiranja v svet pripomogla tudi k vzpostavitvi marsikaterega novega poznanstva med našimi člani. Seveda SSESD zaradi mednarodnih stikov ni zanemarjala povezave z domačo elektronsko industrijo, inštituti in fakultetami, ki so po drugi strani moralno in materialno pa tudi neposredno pomagali pri izvajanju programa SSESD. Prva dva sponzorja, ki sta več kot deset let materialno pomagala, sta delovni organizaciji Iskre: Industrija elementov za elektroniko v Ljubljani in Industrija kondenzatorjev v Semiču, dobili pa smo seveda vedno ustrezno materialno pomoč od lokalnih organizatorjev posvetovanj MIEL. Prav tako smo dobivali za simpozije SD sofinanciranje od Gospodarskima razstavišča v Ljubljani in od Raziskovalne skupnosti Slovenije. Koncem leta 1985 je delo SSESD podpiralo kar 19 organizacij iz elektronske industrije, institutov in fakultet iz vse Jugoslavije. Dobri stiki z domačo elektronsko industrijo ter poznavanje njene problematike so leta 1980 vzpodbudili SSESD, da načne s panelnimi razpravami na MIEL-u v Nišu ter na 24. letni konferenci ETAN-a v Prištini vprašanje nadomeščanja uvoznih materialov za elektroniko z domačimi. Ustanovljena je bila posebna komisija za materiale, ki je v letih 1981/82 izvedla v podjetjih jugoslovanske elektronske in elektroindustrije ter v inštitutih za raziskavo materialov posebno anketo o letnem uvozu materialov in o možnostih za njihovo zamenjavo z domačimi materiali. Na podlagi rezultatov ankete in strokovnih komentarjev ter predlogov naših članov, ki so v sedmih specializiranih skupinah pretresli problematiko, je komisija za materiale s pomočjo finančne podpore Gospodarske zbornice Jugoslavije oziroma Združenja za predelavo kovin SFRJ leta 1984 izdala kot posebno publikacijo Študijo o možnostih substitucije uvoznih materialov za elektronsko in elektroindustrijo SFRJ. 8 Interdisciplinarnost delovanja SSESD, ki izvira že iz članstva v ETAN-u, ter zastopanost vseh strok in profilov strokovnjakov med člani, pa tudi med raziskovalci, proizvajalci ter uporabniki sestavnih delov, materialov in mikro-elektronike je narekovala tudi povezovanje in sodelovanje z drugimi strokovnimi organizacijami v Jugoslaviji; tako z drugimi sekcijami v ETAN-u (posebej ob prireditvah JUTEL in MIPRO) kot drugimi društvi in zvezami (Slovensko vakuumsko društvo, Srbsko elektrohemijsko društvo, Elektrotehniška zveza Slovenije). Posebno slednja je nudila SSOSD od ustanovitve 1962 leta in kasneje SSESD sodelovanje, prostore in pisarniške usluge. S tujimi društvi nismo bili dovolj povezani, ker kot sekcija v ETAN-u nismo imeli za to niti pooblastil, kot posredna zveza s tujo strokovno organizacijo je služil le vpis enega člana Izvršnega odbora SSESD v Institution of elec-trical and electronic engineers (IEEE). Od leta 1984 dalje so se število članov, povezava z industrijskim zaledjem ter obseg akcij, pa tudi finančnega poslovanja SSESD tako povečali, da so člani izvršilnega odbora pričeli resno razmišljati o ustanovitvi strokovnega društva v okviru ETAN-a. To stremljenje je leta 1985 podprlo tudi predsedstvo ETAN-a, 8. oktobra 1985 pa je občni zbor SSESD sklenil, naj Izvršni odbor SSESD pripravi potrebne akte za ustanovitev strokovnega društva, ki naj bi nadaljevalo dejavnost SSESD, ter evidentiral kandidate za strokovni svet društva. Ustanovni občni zbor društva je bil nato 29.1.1986 v Ljubljani, po uradni registraciji društva pa bo pričelo delovati pod imenom Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale, včlanjeno pa bo v Jugoslovanski zvezi za ETAN in v Elektrotehniški zvezi Slovenije. Opomba: Seveda ta pregledni članek ne more biti popoln in nima intencij, da bi prikazal podrobnosti preteklega delovanja SSESD. Članek tudi ne omenja nosilcev delovanja -ljudi, ki so s prostovoljnim delom pripravili vse v življenju SSOSD in SSESD izvedene prireditve in akcije in ki so vse to tudi povezovali z delovanjem ETAN-a. Podrobnosti o delovanju na posameznih področjih in obdobjih pa bodo morda bolje opisali drugi naši člani. Mag Milan Slokan MIDEM 61000 Ljubljana, Titova 50 KONFERENCIJA ISHM-85 U SAD O HIBRIDNOJ MIKROELEKTRONICI Ljutica Pešič Američka sekcija medjunarodnog društva za hibridnu mi-kroelektroniku ISHM, koja broji preko 6.500 članova i 150 kolektivnih članova od 14. do 16. novembra 1985. godine je organizovala godišnju konferenciju sa stručno-komerci-jalnom izložbom u Ahahajmu kod Los Andjelosa. Na par stotina metara od konferencijske sale nalazi se poznati "Diznilend" ali je izložba za hibridaše bila daleko privlač-nija te mnogi nisu ni privirili na izložbu V. Diznija. Prisustvovalo je oko 2.000 učesnika što je za komunikaci-ju medju ljudima nepraktično jer susreti postaju slučajni i jednokratni; zbog čega ovako veliki skupovi gube svoj prvobitni smisao; druženje ljudi lcoji rade na istom poslu. Sa te, komunikacijske, strane bolje su konferencije gde broj učesnika ne prelazi 100-200. Devedeset tri rada razvrstano je u 14 sekcija, čime je po-krivena celokupna problematika hibrida osim teorijskih radova. Ovo je i razumljivo jer hibridi svoj napredak ne duguje teoriji več opitu, tj. neprekidnim kombinacijama više heterogenih tehnika. Evo i nekoliko svežih primera, sa konferencije, koji ovu tvrdnju potkrepljuju. 1. Iz područja pasti zanimljive su paste (za sito štampu) i mastila za nanošenje centrifugom (spinerom) metalo organskih jedinjenja koja se termički razlažu na relativno niskim temperaturama (250-500 C) ostavljajuči na substratu homogene provodne otporne ili dielektrične slojeve u zavisnosti od početnog sastava jedinjenja. Navedeni su primeri primene metalo organskih jedinjenja za elektrode Si-sunčanih čelija (Purdue Univ.) ili u kombinaciji sa po-liimidnom izolacijom za višeslojne hibride (Engelhard). Takodje kao posebno dostignuče može se smatrati razvoj izolacionih pasti koje služe kao medjusloj na čistom silici-jumu (ESL) za kasnije nanošenje standardnih debeloslojnih provodnih pasti, koje imaju veči temperaturni koeficijent širenja od Si. Ovim postupkom silicijum, pa i kvarc (SiO postaju takodje substrati za hibride. Zbog svoje niske viskoznosti metalo-organska jedinjenja 9 se mogu nanositi i mikro-mlaznicom, kao što se nanosi mastilo kod takozvanih "jet-printera". 2. Iz područja površinske montaže sazdela, koja je sada u velikoj modi, zanimljiva su iskustva o mikrolemljenju la-serom (Martin Marietta) zatim uticaju unutrašnjeg naprezanja u lemnim stopicama na pouzdanost hibrida (J. Hop-kins Univerzitet) i preporuke kako treba štampati i lemnu pastu da bi se dobio spoj sa najmanje unutrašnje napetosti. U istom cilju firma "Raychem" uvodi mini-stubiče na koji-ma se postavljaju nosači tableta (LCC) , koji na sebe pri-maju elastične deformacije uzrokovane razlikama u tem-peraturnom širenju substrata i nosača tableti (LCC). 3. Sa područja keramike zaniroljiv je bio rad o metaliza-ciji AlN-keramike za mikrotalasne hibride, koja kod snažnih hibrida sve više zamenjuje toksičnu BeO-keramiku. A za analizu troškova sečenja keramike može korisno po-služiti pregled iz "Motorole": Način Cena u 2 po 1 cm reza Vek alata u cm reza Troškovi jé 6. Izložba proizvodjača u okviru ISHM-85 okupila je preko 250 pretežno američkih firmi koje rade opremu, mate-rijale, hibride ili pružaju usluge proizvodjačima hibrida. Na izložbi se zapaža dalja specijalizacija proizvodjača. Tako npr. postoje firme koje se bave: a. Samo laserskom obradom keramičkih substrata pomo-ču snažnih (100-1000W) CC>2 lasera i obeležavanjem hi brida i trimovanjem otpornika pomoču YAG lasera. Dijamantska (0,6-0, 8). ,10-3 (80-100)10^ 40.000 - 60. .000 paralica Dijamantska (2 - 6), .10' -3 (8 - 12).103 30.000 - 50. .000 testera Laser (4 - 8), .10' -3 vrlo velik 120.000 -200. .000 4. Iskustva o primeni računara i manipulatorau proizvodnji hibrida su danas tako značajna da su več u "Martin Ma-rietti" napravili "robot-pogon" za montažu Si-čipova u LCC-kučišta bez učešča ljudi! Montaža se sastoji od eutektičkog zavarivanja Si-čipova, termo-zvučnog bondiranja žice, 100 %-kontrole "bonda" bez razaranja, vizuelne kontrole, hermetizacije i obeležavanja. Osim ovog "post-industrijskog" primera vredi pomenuti i duhovito testiranje kratkih spojeva i prekida u višeslojnim strukturama pomoču merenja kapaciteta naštampanih linija ("Teledyne"). Cene njihovih usluga su prilično niske: 1 / za trimova-nje; 2-3 ¡¿/inch skrajbovanja i oko 3 ¿/inch oblikovanje substrata u bilo kojoj formi kao i bušenje rupa. b. Samo štampanjem i žarenjem pasti po porudžbini na ke ramičkim substratima. Ne rade montažu več samo do ove faze hibridne tehnologije. Od ovakve jedne firme STATEC npr. naručuje naštampani keramički substrat, kao što se ranije i sada naručuje štampana ploča. v. Samo štampanjem i žarenjem pasti na substratima od emajliranog čelika. I ovi substrati se isporučuju kao štampane ploče, a naručilac ih kasnije puni komponentama. Ove ploče se rade do dimenzija čak 0,5 x 0,8 m. g. Samo testiranjem poluprovodničkih čipova koje firma kupuje od večih kompanija (kao što su SILICONIX, MOTOROLA,. ..) i ona ih testira po propisima MIL-C-883 i pruža kupcu garanciju da člp zadovoljava vojne propi- se. d. Samo analizom otkaza pomoču večeg broja analitičke opreme kao što su: SEM, EMX, TEM, XRF, AUGER, IMMA, FTIR analize, itd. Ovo su nezavisne firme i od univerziteta i od večih kom panija i instituta. Cena njihovih usluga opreme se kre-ču od 150 #/čas za na pr. SEM, do 400 £/čas za EDX s tim da konsultacije naplačuju oko 100 0/čas. Mnoge, pa čak i velike kompanije, koje u svom sastavu i-maju kompletnu tehnološku opremu koriste usluge ovih manjih, specijalizovanih firmi kada su u pitanju manje serije, kratki rokovi ili konsultacije u vezi fizike otkaza. 5. Iz primene hibrida zadivljujuča je glava faksimil štam-pača sa LED-diodama čija je gustina 10 tačaka po 1 mm , a brzina ispisivanja reda od 2304 dioda je 1 ms ("OKI", EL. IND.). 7. Zaključak Na kraju, iskristalisala su se sledeča opšta zapažanja: a. Hibridna tehnologija i posle 20 godina intenzivnog raz- 10 voja još nije dostigla svoj zenit, vec uvodjenjem novih materijala i postupaka i dalje širi svoje mogučnosti posta juči dominantna tehnologija pakovanja elektronskih ne samo sklopova več i čitavih uredjaja. b. Več sada su skoro svi vojni uredjaji u SAD hibridizova-ni a hibridizacija zahvata sve više profesionalne i medicinske uredjaje. v. Tehnologija površinske montaže (Surface Monting), sa hibrida širi se i na štampane ploče. g. Vreme je da se ambicioznije krene ka sopstvenom raz- voju CAM i CAT sistema, koje uz koriščenje znanja iz robotike i računarstva, kupovinom jevtinih standardnih sklopova i uredjaja (kao što su X-Y pozicioneri, video kamere, merna oprema, personalni računari,. ..); an-gažovanjem naših kreativnih ljudi (čiji je lični dohodak jako nizak: 300 $/mesec) dodjemo do domačih sistema i tako se aktivno uključimo u nove tehnologije. Ljutica Pešič , dipl.inž. Institut "Mihailo Pupin" Beograd POSJETA SAJMU MIKROELEKTRONIKE SEMICON U ZÙRICHU Miroslav Gojo Ove godine MIDEM je organizirao od 3. do 6. ožujka 1986 u suradnji s turističkom organizacijom INEX iz Ljubljane posjetu sajmu mikroelektronike SEMICON u Ztirichu. Našem pozivu da zajedno posjetimo sajam mikroelektronike odazvalo se oko 35 stručnjaka iz ISKRE DO Mikroelektronike, Tovarne polprevodnikov Trbovlje, RIZ - Tvornica poluvodiča Zagreb, Elektrotehničkog fakulteta Sveučilišta u Zagrebu, Iskre - Kibernetike, Iskre - Telematike, "3. MAJ". Na put smo pošli avionom iz Zagreba, te smo u popodnev-nim satima došli u Zttrich. Nakon smještaja u hotel mogli smo se pripremati i dogovarati što je za koga značajno da pogleda na sajmu, ili da podje u razgledanje ZUricha. Izložba je otvorena u utorak, 04. ožujka 1986, a paralelno s izložbom održavao se i tehnički program s odabra-nim predavanjima i program Semi standarda. Največu izložbu proizvodnih uredjaja za poluvodičku in-dustriju u Europi SEMICON - EUROPA svake godine posje-ti preko 5.000 stručnjaka. Obzirom na prošlogodišnji SEMICON, može se zapaziti sve više automatiziranih sprava, sve produktivnijih, no na žalost i sve skupi jih. Ljepo se vidi trend "samostvara-nja" mikroelektronike. (Mikroelektronika za sebe stvara sve potpunije uredjaje za izradu još potpunijih rnikroelek-troničkih sklopova. Na izložbi se moglo primjetiti da ove godine preovladava-ju uredjaji za plazma jetkanje, ionski implanteri, te dosta velika primjena robotike u procesima proizvodnje mikro-elektroničkih komponenata. Na izložbi su bile zastupljene sve veče svjetske firme kao: Varijan, Bazelmans, Hera-eus, Wacker, Leitz, E. Merck, itd. U dva i pol dana bilo je omogučeno da svatko po svojim potrebama obidje izla-gače, dobije potrebne informacije, u razgovoru s izlaga-čima sazna nešto više o izloženom uredjaju ili postupku, te da uspostavi i trajniji poslovni kontakt. Pored izložbe opreme i ponekih materiala potrebno je posebno spomenuti još stručno savjetovanje, koje pokazuje industrijsku upotrebu istraživačkih dostignuča. Koordina-torima savjetovanja R. Beatenu i J. Stachu uspjelo je sva-kako pripremiti industrijski najzanimljiviju konferenciju u Europi. Ovogodišnja predavanja bila su tematski podije-ljena u tri grupe: čistoča u proizvodnji wafera, automati-zacija proizvodnje i VLSI litografija. Spisak referata je slijedeci: 1. "TOTAL SYSTEM APPROACH TO WAFER ECOLOGY" R.F. Falster, R.A. Craven, D. Golland, R.S. Hockett, and R.D. Wing rove Monsanto Electronic Materials Company Milton Keynes, U.K. 2. "PRE-OXIDATION TREATMENTS TO REDUCE DEFECTS AND CONTAMINATIONS" J. Ruzyllô The Pennsylvania State University University Park, PA, USA 3. "SYSTEM APPROACH TO LOW CONTAMINATION WAFER HANDLING" G. Bantz and A. Bedini Perkin-Elmer Corporation Norwalk, CT, USA 11 4. "PARTICLE CONTROL IN CHEMICALS AND WATER" D.A. Stewart, A.J. W. Brinklow, J. Hewitt, and B.E. Watts Plessey Research Ltd. Caswell, U .K. 5. "ACHIEVING FUTURE REQUIREMENTS IN ULSI GASES, PURITY, AND PARTICULATES" H. Boyd Liquid Air Corporation Countryside, IL, USA 6. "TRENDS IN WAFER FAB DESIGN" I. Carroll George A. Greene Company Dallas, TX, and Campbell, CA, USA 7. "VLSI FACTORY AUTOMATION AND SECS ACTIVITIES IN JAPAN" N. Sugiyama NEC Corporation Tamagawa Plant Kanagawa, Japan 8. "AUTOMATED MATERIAL HANDLING: BENEFITS IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING11 J. Foggiato Flexible Manufacturing Systems, Inc. Los Gatos, CA, USA 9. "A CAM SYSTEM VIEW OF AUTOMATION" J. Golovin Consilium Associates, Inc. Mountain View, CA, USA 10. "STEPS TO AN AUTOMATED FABRICATION" F. Ruf Siemens AG Munich, West Germany 11. "INTEGRATED FRONT END LINE: AUTOMATION OF DIE ATTACH, WIRE BONDING INSPECTION, AND MULTIPLUNGER MOLDING" R. Uilenbroek Philips Nijmegen, The Netherlands 12. "MICROLITHOGRAPHY FOR VLSI PROCESSING" N. Hashimoto Ilitachi Limited Tokyo, Japan 13. "STEPPER MATCHING, USING AN ELECTRICAL MEASUREMENT AND ANALYSIS SYSTEM" K. Chivers and T. Hasan Prometrix Corporation Santa Clara, CA, USA 14. "ADVANCED X-RAY ALIGNMENT SYSTEM" B. Fay and T. Novak Micronix Corporation Los Gatos, CA, USA 15. "E-BEAM DIRECT WRITE FOR ASIC" J. Wiesner Perkin-Elmer Corporation Hayward, CA, USA 16. "YIELD ENHANCEMENT THROUGH AFTERGLOW POLYMER REMOVAL" A. Hoff The Pennysylvania State University University Park, PA, USA, and J. Spencer Machine Technology Inc. Richardson, TX, USA 17. "DAMAGE CAUSED BY AN R.F. SPUTTER ETCH IN A PREMETALLIZATION CLEANING PROCESS" J. Hems E.T. Electrotech Bristol, UK Mr. Miroslav Gojo RIZ - Tvornica poluvodiča, Kraljevičeva bb, 41000 Zagreb IZVEŠTAJ O REZULTATIMA ZNANSTVENO-ISTRA2IVAČKOG RADA NA PODRUCJU ELEKTRONICKIH TEHNOLOGIJA U 1985. GODINI Petar Biljanovič Institucije koje suradjuju na realizaciji Projekta: Elektrotehnički fakultet, Zagreb Fakultet elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje, Split Medicinski fakultet, Zagreb Institut "R. Boškovič", Zagreb RIZ-IETA, Zagreb "Nikola Tesla", Zagreb "Rade Končar", Zagreb RIZ-TPV, Zagreb Rezultati rada: 1.1. POLUVODIČKI ELEMENTI I SKLOPOVI, TEHNOLOŠKI POSTUPCI U PLANARNOJ TEHNOLOGIJI Voditelj: prof. dr Petar Biljanovič, ETF, Zagreb 1.2. INTEGRIRANI DIGITALNI I LINEARNI SISTEMI Voditelj: mr Aleksandar Szabo, ETF, Zagreb Za zadatke 1.1. i 2.2. napisan je zajednički izvještaj, jer 12 su istraživanja obavljena unutar iste ekipe istraživača, kao jedinstvena istraživanja. Sistematizirana su znanja i rezultati višegodišnjih istraživanja na jednodimenzionalnoj i dvodimenzionalnoj teoriji i primjeni kvazisimetričnih profila temeljenih na postoja-nju maksimalne dubine pn spoja prilikom difuzije primje-sa u silicij iz ograničenog izvora primjesa. Ranije dobive-ni rezultati nadopunjeni su primjenom točnijih modela u analizi te pojave. Sistematizirani su poluvodički elementi na bazi kvazisimetricnog profila. Ukazano je na moguč-nost ekstenzije primjene kvazisimetricnog profila kao sup-stitucije postupka epitaksijalnog rasta uz dobivanje pn spo-jeva kojima dubina nece bitno ovisiti o trajanju visokotem-peraturnih postupaka tokom planarnog procesa. Primjenom na strukturu spojnog FET-a postiže se bolja reprodu-cibilnost karakteristika jer samo referentna površinska ravnina utječe na najvažnije karakteristike tranzistora. Upotrebom ionski implantiranog fosfora kao predepozicije u postupku dobivanja kvazisimetricnog profila dobiva se skoro idealna reproducibilnost. Dane su tipične procesne i električke karakteristike elemenata. Ukazano je na mo-gučnosti primjena u realizaciji ostalih elemenata kao što su VF DMOS snage, vertikalni spojni FET, elementi s kon-trolom lateralnog pn profila. Prezentirani su rezultati karakterizacije vakuumski napa-renih aluminijskih tankih slojeva metodom Augerove spektroskopije, C V metodom i interferometrijom. Izneseni su rezultati dobiveni ispitivanjem šest karakterističnih uzo-raka: tri uzorka dobivena nanošenjem aluminija pomoču elektronskog topa na pločicu silicija i tri uzorka dobivena nanošenjem aluminija iz volframove spirale na pločicu silicija. Opisane su metode simulacije planarnog procesa primjenom programa SUPREM II. Posebna pažnja je posvečena analizi anomalnih pojava u mehanizmu difuzije primjesa. Upotreba poluvodiča kao grijača nije standardna. Medju-tim, takva upotreba može imati prednost direktnog upravljanja: element koji disipira ujedno i upravlja disipacijom. Postavljen je opči koncept silicijske disipacijske komponente. Izvršena su preliminarna ispitivanja. Početni rezultati ohrabruju, iako realizacija pouzdanog disipativnog elementa još nije moguča. Razvijena je metoda projektiranja analognog bipolarnog in-tegriranog sklopa po narudžbi. Metoda se temelji na prim- jeni funkcionalnih cjelina za koje je moguče napraviti osnovne podsklopove. Podsklopovi su razvijeni prema posto™ ječlm tehnološkim i električkim ograničenjima raspoloži-vog procesa. Definirani su kriteriji sistemskog projektiranja bipolarnih digitalnih integriranih sklopova po nardužbi s naglaskom na višečipne sklopove. Kriteriji su razradjeni po vanjskim zahtjevima, tehnološkim ograničenjima, prospojnim mo-gučnostima unutar čipa i medjučipovima, veličini čipa i ekonomičnosti. Dan je primjer sistemskog projektiranja dvočipnog sklopa za primjene u industrijskoj elektronici. Dan je pregled metoda projektiranja mikroelektroničkih sklopova po narudžbi s posebnim osvrtom na logičke nizo-ve (gate arrays). Dana je procjena perspektive daljeg razvoja MOS, CMOS i bipolarnih mikroelektroničkih sklopova u područjima LSI i VLSI. 1.3. NOVI POLUVODIČKI SPOJEVI I TEHNOLOGIJE Voditelj: dr Božidar Etlinger, Institut "R. Boškovič", Zagreb dr Branko Celustka, Medicinski fakultet, Zagreb Sintetizirani su uzorci iz sistema (Al In, )„Se„ za izno- x 1—x 2 3 se x = 0,5 do x = 1. Izvršena je rendgenska strukturna analiza i odredjene su faze kristalizacije i njihove konstante jediničnih čelija spojeva u večim udjelom Al. Is-traživana je dinamika stvaranja i razgradnje kompleksnog defekta aluminija i vlastitog donora oko faznog prijelaza alfa—».beta—-alfa za (Al^In^)2Se3 za x = 0,02. Sintetizirani su uzorci CuInSe^ modificiranom metodom SSD. Istraživana su neka njegova svojstva kao i svojstva heterospojeva ZnS-CuInSe^ dobivenog naparavanjem ZnS na "bulk" CuInSe^- Nastavljena su istraživanja transportnih svojstava CuGa^ Inl_xTe2" Dobivene su vrijednosti koncentracije nosilaca naboja, vodljivosti i Hallove pokretljivosti. Definirane su vrijednosti pomaka vrha transparencije prema večim valnim dužinama za ZnS-kriolit Fabry-Perot in-terferencijske filtre koji su ozračeni ^°Co gama-zrače-njem dozama od 1-8 MGy. Utvrdjeno je da do pomaka do-lazi radi povečanja indeksa loma ZnS do 0,23 %. 13 Mjerena je senzibilizacija silicija pomoču boja: Pina 5943, BCH 2216 (Orwo), KTH 760 (Adox) i 3-3 dihidroxy ethyl 5-5. Za senzibilizaciju se koristio samo silicij visokog specifičnog otpora u obliku monokristala dugackih oko 2 cm s indijevim kontaktima načinjenim na krajevima. Mje-renje fotonapona je načinjeno sa spotom na sredini uzorka. Za mjerenje fotonapona koristen je Zeissov monokroma-tor baždaren termostupom Hilger-Watt FT16E. Monokro-matsko svjetlo je projicirano na površinu obojenog monokristala silicija u sredini tako da su indijevi kontakti bili u mraku. 1.4. POLUVODIČKI VENTILI Voditelj: mr Zvonko Benčič, "R. Končar", ETI, Zagreb Prva etapa ulaska u proizvodnju energetskih poluvodičkih ventila je etapa "rashladna tijela". Ona obuhvača projektiranje, konstrukciju i izradu prototipnih uzoraka niza ras-hladnih tijela za hladjenje poluvodiča vodom ili uljem, te iznalaženje i usvajanje najpogodnijih metoda mjerenja to-plinslcih otpora rashladnih tijela. Razvijen je niz rashlad-nih tijela koji uglavnom pokriva potrebe izgradnje uredja-ja energetske elektronike u "R. Končaru". Razvijene su podloge za projektiranje i konstrukciju rashladnih tijela specijalne nam jene, koja nisu uključena u standardni niz. Na osnovn usvojenih metoda mjerenja verificirane su hi-drauličke i rashladne karakteristike rashladnih tijela stan-dardnog niza. 2.1. I STRAŽI VANJA (J PODRUČJU OPTOELEKTRONIKE Voditelj: prof. dr Božidar Vojnovic, Institut "R. Bo-šlcovič", Zagreb Razmatran je utjecaj stohastičkih svojstava referentnih (START i STOP) impulsa na točnost mjerenja vremenskih intervala elektroničkim metodama. Primijenjena je i analizirana mjerna metoda za odredjivanje vremena propaga-cije impulsa kroz optički vod. Mjeren je i analiziran efekt gama zračenja doze 1-8 MGy na svojstvo Fabry-Petor interferentnog filtera. Vršena su ispitivanja mogučnosti primjena poluvodičkih lasera u biomedicini. Realiziran je promjenjivi atenuator od tekučeg kristala s povečanim opsegom optičke detekcije. 2.2. POLUVODIČKI MIKROVALN1 SKLOPOVI Voditelj: prof. dr Igor Zanchi, FEBS, Split U istraživanja na mikrostrip antenama postignuti su slije-deči rezultati: - Riješen je problem zračenja elemenata pravokutne gornje vodljive ravnine u području daleko od antene. Definiran je dijagram zračenja Teoretski rezultati se izvanred-no slažu s dijagramom koji je dobiven složenijim modeli-ma poznatim iz literature za tanke plastične substrate. - Mjerenjima su verificirani rezultati za zračeno polje otvorene linije i niza mikrostrip dipola. - Dan je pregled postoječih metoda odredjivanja medjudje-lovanja pravokutnih mikrostrip antena i ukazano na teško-če kod antenskih nizova u X-opsegu. Pored istraživanja na mikrostrip antenama radilo se i na razvoju uredjaja za zaštitu zatvorenih prostora. 2.3. INTEGRIRANI SKLOPOVI ZA PODRUČJE TELEKOMUNIKACIJA Voditelj: mr Branko Mikac, ETF, Zagreb Analizirane su metode i algoritmi za odredjivanje pouzda-nosti složenih struktura i realiziran programski paket. Razmatrana je problematika dijagnostike u supervelikim sistemima. Razmatran je daljnji razvoj transmisijske o-snove ISDN mreže s aspekta razvoja tehnologije digitalnih integriranih sklopova. Na temelju eksperimenata odabran je najpogodniji osnovni materijal za proizvodnju izvoda za debeloslojne mikroelektroničke sklopove. Izvršeno je ispitivanje utjecaja promjena parametara visoko-tempera-turne obrade debeloslojnih otpornika na njihove električke karakteristike. 2.4. HIBRIDNI MIKROELEKTRONIČKI SKLOPOVI Voditelj: mr Davor Sinčič, RIZ-IETA, Zagreb Istraživane su metode i postupci tehnologije površinske montaže elektroničkih sastavnih dijelova. Izvršena je a-naliza aktivnih i pasivnih komponenata za površinsku montaži! u pogledu kriterija vezanih za funkciju, tehnološku aktualnost, standardiziranost, raspoloživost, mogučnost usvajanja u zemlji, te tehničko-ekonomskih faktora. Izvršen je izbor tehnike pričvrščivanja i lemljenja SM-kom~ ponenata, kako u pogledu korištenja postoječe opreme, ta- 14 ko i u pogledu opreme koju je potrebno nabaviti. Obradje-na je i problematika projektiranja i testiranja sklopova za površinsku montažu. Počelo se sa stvaranjem znanstvene i tehničke osnove za rad na području fotonaponskih pretva-rača izradjenih tehnikom debelog filma. Preliminarna is~ traživanja su usmjerila daljnji rad ka CdS/CdTe celijo iz-radjene tehnologijom debelog filma. 2.5. ISTRAŽIVANJA U PODRUČJU ŠTAMPANIH PLOČA Voditelj: dr Juraj Salopek, RIZ-IETA, Zagreb Izvještaj nije dostavljen na vrijeme. 2.6. TUMAČENJE I UPOTREBA ENGLESKIH ELEKTRONIČ-KIH POJMOVA I TERMINA U HRVATSKO M KNJIŽEVNO M JEZIKU Voditelj: Dr Maja Pervan, FESB, Split Izradjen je u cjelosti kostur leksikona od 7000 termina u oba smjera, temeljito pregledanih od svih savjetnika za pojedina područja elektronike. Obradjen je izgovor 40 % engleskih termina u britanskoj i američkoj varijanti, od kojih je polovinu pregledao i korigirao dr Željko Bujas, recenzent za engleski jezik. U svrhu ubrzavanja i osuvremenjivanja rada na Leksikonu izradjen je program za rad na računalu, te je izvršen u-pis jedne četvrtine naziva. Koordinator projekta Prof dr Petar Biljanovič Elektrotehnički fakultet Unska 3, 41000 Zagreb DOMAČE LITI JE VE BATERIJE Franc Friedrich, Tomaž Ogrin 1. Uvod Z imenom litijeve baterije označujemo celo paleto bate- litij/tionilov klorid Li/SOCl2 3,5 V rij , v katerih je negativna elektroda litij. Litijeve bateri- litij/ogljikov fluorid Li/CF X 3 V je predstavljajo relativno nov eiektrokemični vir elektri- litij/manganov dioksid Li/Mn02 3 v čne energije. V poznih 70-letih so litijeve baterije posta- litij/žveplov dioksid Li/S02 2,8 v le sestavni del prodajnega programa velikih svetovnih pro- litij/jod Li/J2 2,8 v izvajalcev baterij. litij/bakrov oksid Li/CuO ' 1,5 v SISTEM LITIJEVE BATERIJE | KLASIČNE BATERIJE I L./5CCI, Li/SO, ■JICFk Li/Mno, ti/j, Hg - bo 1. Alkal.-bal Leclanche Ni - Cd ¿co 3C0 r S1 ® -p 2C0 .2 | C0 i ■ t ! — ----------- ........ ........ SE-.ZEEEE? •-—_--—-.::-•• r---------. 0 0-i 20 > 0 ' 10 & "G J ...... .......: ■■ ■ = _ . ■ ■. spr- ...... ......... " '...... : Tabela 1: Gostote energije (Wh/kg) in delovne napetosti (V) litijevih in klasičnih baterij Litijeve baterije razlikujemo med seboj predvsem glede na pozitivno elektrodo, saj je negativna pri vseh litij. Najbolj so komercialno uveljavljene baterije z naslednjimi kombinacijami elektrod in nazivnimi napetostmi: Iz pregleda je razvidno, da ima večina litijevih baterij napetosti okrog 3 V, nekatere, kot na primer Li/CuO, pa 1,5 V kot klasični sistemi. 15 Prednosti litijevih baterij pred klasičnimi (npr. : Leclan-che, alkalne) je več, med njimi predvsem višja gostota energije in višja napetost. Obe namreč omogočata znatno miniaturizacijo baterijskih virov električnega toka ob daljšem trajanju, kar je zahteva sodobne elektronike. Tabela 1 prikazuje.primerjavo gostot energij in delovnih napetosti nekaterih litijevih in klasičnih baterijskih sistemov. Uporaba litijevih baterij narašča predvsem v profesionalni elektroniki: na primer kot pomožni vir napetosti za o-hranitev pomnenja v CMOS vezjih, nadalje v procesni, merilni, poslovni, vojaški in drugi opremi. Litijevo baterijo pogosto vgradijo na kartico tiskanega vezja , kot druge elemente, npr. kondenzatorje ali upore. U (V) - stabilna napetost med delovanjem - baterije so hermetično zaprte z varjenjem Podajamo tehnične karakteristike nekaterih tipov litijevih baterij Iskra-Zmaj v sistemu Li/tionilov klorid: Oznaka Nazivna napetost (V) Nazivna kapaciteta (Ah) Nazivna tokovna obremenitev (mA) Nazivna trajna tokovna obremenitev (mA) Dimenzije: premer (mm) višina (mm) Vgraditev priključkov R = Mfl (I = TOmA) v.. = 20°C (Q - 1,58 Ah) v T:-28"C (0: 1.« Ah) \ ^ 0 iS 96 Mi I92 2(0 t (h) Slika 1: Praznilna karakteristika litijevih baterij LT 25-25, Iskra-Zmaj pri temperaturah 20° in -28°C LT25-25 LT25-50 2LT25-25 3,5 3,5 7,0 i , ~ ^, v x t 10 35 10 30 100 30 25 25 25 25 50 50 po naročilu 2. Domače litij eve baterije Iskra, Industrija baterij Zmaj se je aktivno vključila v o-svajanje proizvodnje novih, visokozmogljivih baterij, ki predstavljajo logično dopolnitev lastne proizvodnje klasičnih baterij s preko 60-letno tradicijo. Spoznanje, da tako razvoj kot tudi proizvodnja teh baterij zahtevata stalno sodelovanje z znanstvenimi institucijami, je privedlo do povezave z Institutom Boris Kidrič in Fakulteto za naravoslovje in tehnologijo, kjer so tudi nastale prve domače litij eve baterije. Prvi del programa litijevih baterij Iskra-Zmaj so litijeve' baterije sistema litij/tionilov klorid, ki je poznan po vrsti zelo dobrih lastnosti za uporabo v elektroniki, kot so: - največja gostota energije 800 Wh/dm'' ali 420 Wh/kg - delovanje v širokem temperaturnem intervalu -55/+150 °C - dolga doba skladiščenja 10 let - višja napetost 3,5 V 3. Z aklj uč ek Litijeve baterije pomenijo novost na področju prenosnih virov električne energije. S svojimi karakteristikami so dokazale veliko uporabnost na področju profesionalne elektronike. V Iskra-Zmaj smo osvojili program litijevih baterij, za katere vlada precejšnje zanimanje. Uporabljen je elektro-kemijski sistem Li/SOCl2, ki se odlikuje z veliko gostoto energije in visoko napetostjo 3,5 V. Nov program baterij je plod uspešnega sodelovanja in povezovanja industrije z raziskovalnimi institucijami. Mag Franc Friedrich, dipl. ing. Tomaž Ogrin, dipl.ing. Iskra-Industrija baterij Zmaj Ljubljana, Stegne 23 16 PASIVNI FILM V BATERIJAH SISTEMA LIT1J/TI0NIL0V KLORID Franc Friedrich 1. Uvod Znane so možnosti miniaturizaciie, ki jih nudi sistem li-tij/tionilov klorid za uporabo v mikroelektroniki zaradi velike gostote električne energije in visoke napetosti 3,5 V. Prav tako je poznano, da imajo te baterije nizko stopnjo samopraznenja. Drugače povedano, njihova doba skladiščenja je tudi 10 in več let, kar je v primerjavi s klasičnimi bateriiami• (z leti) velik napredek. t mmmfš v®* Slika 1: Površina čistega litija, 1920 x povečano Tako lastnost jim daje predvsem pasivni film na litijevi e-lektrodi. Pasivni film pa ima na drugi strani tudi pomanjkljivost, ki se odraža v določenem padcu delovne napetosti v začetku obremenitve baterije. Ta padec ali zakasni- SSS1I HiSilMsRiSlilSÄ^B'5, - *v ups < v'-sv: Poznavanje strukture in procesa oblikovanja pasivnega filma je še posebno pomembno, če zahtevamo od baterije, da takoj doseže delovno napetost tudi pri večjih obremenitvah: nekaj 10 ali nekaj 100 m A ter, da ima hkrati dolgo dobo skladiščenja 10 in več let. S poznavanjem tega fenomena je mogoče v določeni meri ukrojiti baterije po želji potrošnika. 8MB E- ■Hb ■i 'V mm. —irüf ff f f ^ Slika 3: Litij prevlečen s plastjo LiCl, mesec dni v elektrolitu (l), 960 x povečano 2. Študij pasivnega filma Za sistem litij/tionilov klorid je značilno, da je uporabljena tako imenovana tekoča katoda, to je tionilov klorid. Ti- Slika 2: Površina litija, en dan v elektrolitu (l) 1920 x povečano tev delovne napetosti je relativno majhen in na primer v mikroelektroniki ne moti, če so obremenitve v razredu nekaj 100^,uA do nekaj m A. Slika 4: Litij prevlečen s plastjo LiCe, mesec dni v elektrolitu (2) , 4880 x povečano onilov klorid pri formiranju baterij zalije litijevo elektrodo in seveda z njo kemijsko zreagira. Če bi reakcija po prvem dotiku obeh reaktantov potekala naprej, bi seveda 17 tega sistema ne mogli izkoriščati kot vira električne energije. Tako pa se litij prekrije s filmom reakcijskega produkta, to je litijevim kloridom. Litijev klorid ščiti litijevo elektrodo pred nadaljnjo oksidacijo. Debelina pasivnega filma, ki pa vendarle omogoča delovanje baterije (poznamo namreč tudi sloje, ki tega ne omogočajo), je različna. Odvisna je od temperature, časa skladiščenja baterije, koncentracije in vrste elektrolita, nečistoč, konstrukcije baterije, itd. S spremembami teh pogojev lahko vplivamo na hitrost rasti pasivnega filma in na njegovo zgradbo. Na ta način seveda vplivamo tudi na zakasnitveni pojav in velikost napetostnega minimuma takoj po priključitvi baterije na močnejše breme. Pasivni film lahko v prvem približku predstavimo kot določen ohmski upor, ki povzroči v začetku delovanja baterije dodatni padec napetosti pri relativno večjih tokovih. Pri nadaljnjem delovanju baterije se film deformira, njegova upornost pade in napetost doseže delovno napetost. Ena od metod, ki smo jih uporabili za študij pasivnega filma, je slikanje pasivnega filma na litijevi elektrodi s pomočjo rastrskega elektronskega mikroskopa. To je le ena od metod za študij filma in dopolnjuje druge. Za ilustracijo podajamo nekatere posnetke. V ta namen smo razvili za pripravo vzorcev za slikanje posebno tehniko dela, ker agresivne spojine ne dovoljujejo uporabe standardnega načina. Slika 1 prikazuje površino čistega litija povečano 1920 x, ki je bil mesec dni v suhi atmosferi. Slike 2,3,4 prikazujejo litijeve elektrode, ki so bile v raztopinah tionilovega klorida, oziroma elektrolitih različno dolgo in pri različnih koncentracijah soli. Slika 2 prikazuje litij v raztopini litijevega klorida in aluminijevega triklorida v tionilovem kloridu (elektrolit 1), po enem dnevu pri 1920 x povečavi. Raztopina je ena tistih, ki se uporabljajo v litijevih baterijah tega sistema. V tem primeru pasivni sloj ni jasno izražen. Slika 3 prikazuje litij v raztopini litijevega tetrakloroalu-minata (elektrolit l) , po enem mesecu. Jasno so izraženi kristali litijevega klorida, ki nastane pri reakciji med litijem in tionilovim kloridom. Povečava je 960 x. Slika 4 prikazuje litijevo elektrodo v nekoliko modificiranem elektrolitu (elektrolit 2) po enem mesecu. Povečava je 4880 x. Taka struktura filma je pokazala boljše električne karakteristike od one na sliki 3, kar smo preverili v samih baterijah. 3. Zaključek Na kratko je opisana vloga pasivnega filma na litijevi elektrodi v baterijah sistema litij/tionilov klorid. Podana je ilustracija ene od metod za študij pasivnega filma, ki smo jo razvili in uporabili pri osvajanju proizvodnje litijevih baterij. Ugotovili smo, da je mogoče sklepati o električnih karakteristikah litijevih baterij v sistemu litij/tionilov klorid s snemanjem pasivnega filma z rasterskim elektronskim mikroskopom. Proizvodnja novih, litijevih baterij zahteva hkrati osvajanje lastnih raziskovalnih metod, da bi lahko šli v korak s svetovnim razvojem. Kompleksnejši opis bo predmet kakšnega prihodnjega članka. Mag Franc Friedrich, dipl.ing. Iskra-Industrija baterij Zmaj Ljubljana, Stegne 23 ELEKTRIČNO PREVODNE IN OPTIČNO TRANSPARENTNE PLASTI NA BAZI INDIJA DOPIRANEGA S KOSITROM Boris Navinšek 1. Uvod V zadnjih desetih letih se hitro povečuje delež tankoplast-nih tehnologij v proizvodnji elektronskih komponent in hibridnih vezij. Posebno mesto pripada različnim metodam katodnega naprševanja. S temi tehnikami namreč lahko v mešanici argonske plazme z dodatkom reaktivnih plinov, na primer kisika, dušika ali metana, nanašamo na različne vrste podlag kovinske ali polprevodniške okside, nitride in karbide. Med temi plastmi imajo posebno mesto e-lektrično prevodne in optično transparentne plasti na bazi 18 indija dopiranega s kositrom. Te so postale v zadnjih letih zelo zanimive za vrsto elektronskih komponent, ki se proizvajajo velikoserijsko. Uporabljamo jih namreč v različnih optoelektronskih napravah, katerih potrošnja v svetu hitro narašča. Najbolj pogosto jih srečamo kot prevodne elektrode v optičnih kazalnikih s tekočimi kristali (LCD celice in LCD zasloni za osciloskope) ter prikazalnikih, ki delujejo na bazi elektroluminiscence. Pogosta je tudi uporaba pri presevnih grelnih elementih-ploščah (za preprečevanje zmrzovanja oken v tovornjakih in avionih), pri sončnih celicah, pri površinah, kjer je potrebno doseči anti-statični efekt (npr. pri panelih za precizne merilne naprave, okna vidikon cevi in pri oknih iz dielektrikov za satelite) , kot presevne elektrode za elektrokemijske procese», kot nizkotemperaturne sekundarne1 termometre in tueli kot prevleke stekel v arhitekturi. Tako širok spekter uporabe teh plasti, ki jih tudi kratko imenujemo ITO plasti (Indium Tin Oxide) , pa nam takoj pove, da moramo računati z različnimi tehnikami nanašanja teh plasti in seveda tudi z različno kvaliteto oziroma različnimi električnimi in optičnimi lastnostmi plasti. V splošnem so za uporabnike zanimive naslednje tri vrste plasti: a/ debele ITO plasti: debelina do nekaj ^um plastna upornost 5 do 20 Ohm/n presevnost 65 do 80 % pri \ = 550 nm b/ /2 plasti: debelina 135 nm plastna upornost 60 do 200 Ohm/a presevnost 85% pri = 550 nm c/ tanke plasti: debelina 25 do 30 nm plastna upornost 300 do 1000 Ohm/n presevnost 80 do 90% pri X = 550 nm Poleg relativno nizke plastne upornosti, ki v večini primerov uporabe ni kritičen parameter, in visoke optične pre-sevnosti, morajo imeti ITO plasti dobro oprijemljivost do steklene podlage, morajo biti mehansko, toplotno in časovno stabilne. Pomembno je tudi, da pripravimo ITO plasti s takšno metodo, da bodo imele vse lastnosti primerne za dodatno toplotno obdelavo na zraku in enostavno mokro jedkanje ali suho ionsko jedkanje, ter da jih lahko geometrijsko poljubno oblikujemo (na primer številčnice ali mreže) s standardno fotolitografsko tehniko. Analiza različnih procesov nanašanja ITO plasti je pokazala, da se v redni proizvodnji uporabljajo največ "reaktivno katodno naprševanje zlitine In-Sti" in "reaktivno napa- revanje Sn02 in In2°3"- Najkvalitetnejše so vsekakor TIO plasti nanešene v reaktivni plazmi, saj lahko vnaprej določimo vse potrebne lastnosti, ki jih bodo plasti imele po nanašanju in dodatni obdelavi. Na Institutu Jožef Stefan smo že pred 4 leti začeli z razvojem ITO plasti, saj nam je nov plazemski naprševalnik SPUTRON DC/RF (Balzers, Liechtenstein) omogočil enosmerno, reaktivno in radiofrekvenčno naprševanje kovin, zlitin in oksidov. Rezultati teh raziskav so zbrani v nekaj domačih publikacijah [2],[3j . Ker pa se je pokazalo, da bi naše znanje lahko izkoristila tudi ISKRA, TOZD HIPOT, Šentjernej pri proizvodnji LCD prikazalnikov in kasneje tueli LCD zaslonov, smo raziskali še več vrst uporabe teh plasti in jih bomo v tem prispevku tudi kratko opisali. 2. Eksperimentalni del in rezultati Prve poskusne serije prevodnih in presevnih ITO plasti so bile narejene z enosmernim (DC) in radiofrekvenčnim (RF) reaktivnim naprševanjem iz zlitine In95-Sn5 na steklene substrate Corning Glass 7059 (debeline 0,8 mm) , na opti- Tabela 1 Osnovne lastnosti treh vrst ITO plasti Tip Plasti/podlaga Debelina Stopnja oksidacije ITO na CG 7059 SiO +ITO na Si02+IT0 na in na BK 7 CG 7059 CG 7059 in BK 7 125 nm ( /2) 35 in 125 nm 125 in 250 nm delno delno popolnoma oksidirane oksidirane oksidirane Vrsta nanašanja DC-reaktivno DC-reaktivno RF-reaktivno RF-reaktivno RF-reaktivno čno steklo BK 7 (debeline 8 mm) in objektna stekla Resis-tance (debeline 1 mm). Pripravili smo tri vrste ITO plasti, ki dajejo tudi tri možnosti uporabe, lastnosti pa smo spreminjali s spremembo parametrov nanašanja. Ti so predvsem: temperatura podlage med nanašanjem, parcialni tlak kisika in razmerje do parcialnega tlaka argona, s katerim vzdržujemo plazmo, režim reaktivnega naprševa-nja in hitrost nanašanja. Na končni proizvod seveda vpliva tueli kvaliteta stekla, temperaturni režim in atmosfera toplotne stabilizacije plasti ter zaščitni sloj (ta je običajno plast SiO^). Tabela 1 kaže te tri vrste ITO plasti. 19 Izbira tipa ITO plasti zavisi od namena uporabe. Na primer, za LCD celice in fotolitografsko tehnologijo oblikovanja meandrov so najbolj primerne delno oksidirane ali "mehke" ITO plasti. Take plasti imajo po nanašanju presevnost 30 do 40 % in jih običajno reaktivno napršujemo pri tempe- T(%) 100 80 60 40 20 CG 7059 CG7059 +1T 0106 400 600 800 x(nm) Slika 1 Odvisnost presevnosti ITO plasti na steklu CG 7059 in BK 7 enosmerno reaktivno napršenih v napravi SPUTRON. raturah podlage od 150 do 250°C. Plasti dobijo končne lastnosti šele po pregrevanju na zraku pri temperaturah od 400 do 550°C (odvisno od vrste in kvalitete steklene podlage). Ra Q/o) 400 200 -5 -4 Parcialni tlak kisika v območju 2x10 do 5x10 mbar daje plastem odgovarjajoče električne, optične in mehanske lastnosti. Pravilno pregrevanje na zraku pri temperaturah nad 450°C daje običajno želeno visoko kvaliteto ITO plasti. Presevnost ITO plasti se meri vedno skupaj s stekleno podlago. Zato smo predhodno izmerili za vse steklene podloge optično presevnost v valovnem območju od 400 do 800nm. Krivulje, ki smo jih dobili, kažejo, da je optična presevnost v območju 450 do 600 nm (kjer nas v glavnem zanimajo lastnosti ITO plasti) za vsa stekla od 92-94,5 %. Krivulje na sliki 1 pa kažejo odvisnost presevnosti ITO plasti iz ene sarže za omenjeno področje valovnih dolžin. Rezultati meritev vseh treh vrst ITO plasti kažejo, da karakteristike zadovoljujejo uporabo ITO plasti za LCD kazalnike in tudi za LCD osciloskopske zaslone ter sončne celice. Običajno za razvijalca LCD celic zadostuje dobljeno območje vrednosti na primer plastnih upornosti, ki jih ima določen tip ITO plasti. Že podatek R0 = 180 + 50 Ohm/D popolnoma zadovoljuje uporabnika prevodnih elektrod pri načrtovanju in realizaciji napajalnega dela celice. Tudi presevnost nad 75 % skoraj vedno zadošča za vse vrste uporabe [4] . Za določene vrste uporabe ITO plasti se kot podlaga upo- STEKLO + 1500 Ä S i 02 I n S n 5 9 x 10"5 mbar 02 TSUB=60°C (maxi 30% 50% KOEFICIENT OKSIDACIJE Slika 2 Odvisnost plastne upornosti RF napršene ITO plasti v naprševalniku SPUTRON od koeficienta oksidacije 20 rahljajo ali debelejša stekla (npr. BK 7) ali pa temperaturno občutljiva stekla, kristali (za sončne celice) , PLZT po-lirana keramika za optične preklopnike, podlage iz posebnih zlitin za senzorje, itd. Za vse te primere je potrebno nanašati ITO plasti pri temperaturah podlage pod 200°C , in pri tem naj bi plasti imele končne električne optične in mehanske lastnosti. To pomeni, da želimo doseči optimalne lastnosti ITO plasti pri čim nižjih temperaturah. Naše raziskave so pokazale, da je v naprševalniku SPUTRON to možno. Za reaktivno naprševanje ITO plasti smo izbrali RF metodo (plast v rubriki C v tabeli 1) in to z bistveno nižjo mo- 2 čjo na In-Sn katodi (20 W/cm ) , pri kateri smo imeli hitrost nanašanja plasti le 5 nm/min (ali 40 % običajne hitrosti nanašanja). Temperature podlage v nobenem primeru niso presegle 150°C. Diagram na sliki 2 kaže, da je možno doseči zadovoljive rezultate pri spremembi koeficienta oksidacije med 30 do 50 % že pri temperaturi podlage 60°C. Plasti so imele presevnost nad 85 %, plastne upornosti pa med 150 do 400 Ohm/n . Ker se nekatere podlage uporabljajo tudi v območju valovnih dolžin od 550 nm do 1060 nm, smo merili optično presevnost tudi pri teh valovnih dolžinah. Za podlage CG 7059 in BK 7 smo dobili naslednje vrednosti: Presevnost ITO plasti pri \ = 550 nm: BK 7 T = 69 % CG 7059 T = 76 % ^ = 1060 nm : BK 7 T = 76 % CG 7059 T = 84 % Reflektivnost teh plasti lahko bistveno znižamo z antire-fleksnim slojem. Tudi vmesna plast Si02 (100 do 150 nm debela), napršena direktno na površino steklenega substrata, poveča obstojnost plasti, za 20 do 30 % zniža plastno upornost plasti ter za nekaj % zniža tudi reflektivnost ITO plasti. 3. Zaključek Za pripravo električno prevodnih in optično presevnih plasti (elektrod) smo uporabili metodo reaktivnega enosmernega in radiofrekvenčnega naprševanja v napravi SPUTRON. Kvaliteta dobljenih plasti odgovarja mednarodno postavljenim zahtevam za uporabo pri LCD celicah in osciloskopskih zaslonih, kakor tudi za uporabo pri sončnih celicah, kot grelne presevne elektrode in več vrst senzorjev. Naše raziskave so pokazale, da lahko doma izdelamo kvalitetne ITO plasti, vendar v tej napravi le na steklene podlage do 100 x 100 mm. Za velikoserijsko proizvodnjo je pač potrebna profesionalna naprava, razvita in opremljena za tovrstno tankoplastno tehnologijo. Literatura 1. J.L. Vossen, "Transparent conducting films", in Physics of Thin Films , (G. Hass, M.H. Francombe and R. W. Hoffman, Eds), Academic Press, New York (1977), p.l 2. B. Navinšek in A. Žabkar, "Prevodne in optično trans-parentne tanke plasti na bazi indija dopiranega s kositrom", Zbornik konference ETAN-a, SD-79, Oktober 1979, str. 295 3. B. Navinšek, "Tankoplastna tehnologija prevodnih elektrod za kazalnike s tekočimi kristali", Zbornik konference ETAN-a, SD-84, Ljubljana 1984, str. 145 4. Balzers "Optical thin films - BALTRACON ZI, Z10 Transparent conductive Coating for Liquid Crystal Displays", Balzers Technical Specification No BD 800 104/105 PE, Liechtenstein 1981 Dr. Boris Navinšek Institut Jožef Stefan Ljubljana, Jamova 39 OPLEMENITENJE POVRŠINE MEHKEGA 2ELEZA Z VAKUUMSKIM DIFUZIJSKIM KROMANJEM Monika Jenko I. UVOD Prvi poskusi difuzijskega kromiranja železa in nekaterih jekel segajo v leto 1923. Kelley je zasul vzorce iz čistega železa z granulatom elektrolitskega Cr in segreval 4 ure v reduktivni atmosferi na temperaturi 1300°C. Nastala 125 ^,um kromana plast je bila odporna proti koroziji, obrabi in visokotemperaturni oksidaciji, torej izredno zanimiva za širšo industrijsko uporabo [1] . Zato je bila v ob- dobju pred II. svetovno vojno in tik po njej razvitih cela vrsta različnih postopkov difuzijskega kromanja. Med najbolj znane moderne industrijske postopke sodijo BDS, DAL in ONERA, njih značilnost je uporaba halogenidov [2 - 7] . Vzporedno z omenjenimi postopki so bili narejeni poskusi difuzijskega kromanja v vakuumu. Hicks je študiral difuzijo Cr v železu. Vzorce iz čistega Fe je zasul s Cr prahom in segreval 96 ur pri 1200°C in tlaku 3.10~2 mbar [lj . 21 Osem let kasneje sta podobne eksperimente difuzijskega kromanja v vakuumu naredila Cornelius in Bollenrath [8], ki sta tudi ugotavljala koncentracijske profile Cr v difuzij-ski plasti z rentgensko analizo. 0 20 40 > 60 80 100 Cr % Difuzija kromovih atomov v alfa kristalni mreži (ferit) je mnogo hitrejša kot v gama (avstenit) mreži. To pripomore k večjemu kopičenju kroma v feritni plasti in večjem premikanju alfa-gama meje v notranjosti. Za to mejo je v gama mreži padec koncentracije Cr zelo hiter. Količina kroma na površini in s tem velikost gradienta kroma od površine do 13 % Cr je odvisna v največji meji od koncentracije Cr atomov na površini in od difuzije kroma 0,05 0,10 0.1E Razdalja od površ.mm Slika 1: Fazni diagram Fe-Cr Slika 2: Koncentracija Cr v difuzijsko kromani plasti čistega Fe v odvisnosti od razdalje od površine. Obširne sistemske preiskave vakuumskega difuzijskega kromanja sta podala Gorbunov in Dubinin [9, 2 j . Na IEVT smo vakuumsko difuzijsko kromanje uporabili za zaščito železnih delov magnetnega kroga relejev [10] . Difuzijsko kromanje je proces, ki temelji na difuzijskem nasičenju površinske plasti kovine s kromom. Cisto železo se pri 910°C transformira iz alfa v gama modifikacijo; iz ferita nastane avstenit. Ker poteka difuzijsko kromanje pri višjih temperaturah, je železo v začetku postopka v gama modifikaciji. Na sliki 1 je binarni sistem Fe-Cr, ki kaže, da povečanje kroma zapira področje gama železa med 910° in 1400°C. Med 12-13 % Cr je zanka, ki omejuje gama področje, zaprta in zlitine z več kot 13 % Cr so feritne od sobne temperature do tališča. Pri difuzijskem kromanju se začne tvoriti ferit, ko količina Cr na površini preseže 13 %. Nadaljevanje procesa povzroča pomikanje meje alfa-gama v notranjost. Pri ohlajevanju ostane feritna struktura kromane površinske plasti nespremenjena, avstenitna struktura notranjosti pa se spremeni v feritno. Prekristalizacija notranjega področja z manj kot 13 % Cr povzroči, da je pri metalografskem pregledu meja s 13 % dobro vidna. Globino, v kateri je ta meja s 13 % Cr, smo prevzeli kot globino difuzijskega kromanja. skozi plast stabilnega ferita (skozi debelino difuzijskeplasti). Vakuumsko difuzijsko kromanje se loči od drugih postopkov 0.-7] po tem, da začne potekati šele pri temperaturi nad 950°C, ko je dosežen ravnotežni parni tlak; pri nižjih temperaturah je dotok kromovih atomov premajhen da bi v tehnološko sprejemljivem času prišlo do nastanka difuzijsko kromane plasti. Pri prej omenjenih postopkih DAL, BDS, ONERA [l - 7] , itd. nastajajo difuzijsko kromane plasti že pri nižjih temperaturah pri 850°C, ker je dotok kromovih atomov pri tej temperaturi že razmeroma velik, hkrati pa poteka difuzija v notranjost železa že zadosti hitro. II. EKSPERIMENTALNI DEL Vzorčne kose železa smo zasuli z elektrolitskim kromom granulacije 150^,um in segrevali v vakuumski peči na temperaturah 1000 , 1050 , 1100 C pri treh različnih časih _2 3, 8 in 12 ur in tlaku 1.10 mbar. Nekaj poskusov smo naredili tudi pri tlaku 1.10 ^ mbar. Globino kromane plasti smo merili metalografsko na prečnem preseku vzorcev. Kot smo že omenili, je ta globina meja s 13 % Cr Q.O] . Koncentracijski profil kroma v kromani plasti smo določali na istih vzorcih z elektronskim mikroanalizatorjem z linijsko analizo. 22 Za ugotavljanje odpornosti kromanih delov proti koroziji smo uporabili korozijske teste z deionizirano vodo, s solno kislino, z dolgotrajno vlago, hiter test z vlago in test s slano vlago. Koncentracijske profile Cr in Fe v difuzijsko kromani plasti smo določali z elektronskim mikroanalizatorjem z linijsko analizo na istih vzorcih, na katerih so bile že narejene metalografske preiskave. III. REZULTATI RAZISKAV Slika 3 kaže odvisnost debeline kromane plasti d oziroma narastka teže W od časa t; d narašča na začetku linearno, Posebna zanimivost je, da je koncentracijski profil v feritnem delu kromane plasti položen, gradient Cr v tem delu je nizek. S posamičnimi kvantitativnimi meritvami smo u- 12 14 t/h Slika 3: Globina dif. kromane plasti d, oz. narastek teže W v odvisnosti od časa in temperature. po določenem času pa upočasni, kar lahko opišemo s para-bolično odvisnostjo. Čim višja je temperatura, tem prej nastopi začetek parabolične rasti. Pri temperaturi 1000°C je rast difuzijsko kromane plasti samo linearna, parabolicen del se pojavi verjetno pri bistveno daljših časih (t> 14h) . Debeline kromanih plasti smo merili na metalografskih obrusnikih; rezultati za vsako temperaturo in čas so povprečje 50. meritev. Z difuzijskim kromanjem pri 950°C tudi po daljših časih količina Cr na površini ne doseže 13 %, zato kromane plasti ni videti. Pri 1000°C se že tvori nekaj ^um debela kro-mana plast, ki se s podaljšanjem postopka le malo spreminja. Plast je valovita, neenakomerna, na posameznih mestih celo prekinjena. Pri temperaturi 1050°C in časih kromanja 3 do 12 ur nastopa enakomerna difuzijska plast debeline 13 do 52 ^,um. gotovili, da je količina Cr proti koncu feritne kromane plasti 12,5 do 13 % Cr, kar se ujema s podatki iz faznega diagrama Fe-Cr. Nagib profila Cr od površine do konca feritne plasti pa znaša na sliki 4 okoli 2 do 3 % Cr, tako da lahko ugotovimo, da je gradient kroma v feritni kromani plasti povprečno od 16 % Cr na površini do 13 % Cr na koncu feritne plasti. Ta gradient je sorazmerno majhen, večinoma dosegajo pri drugačnih difuzijskih postopkih tik pod površino tudi preko 50 % Cr. Za feritno plastjo, torej v globinah, v katerih je bila pri temperaturi kromanja gama struktura, je padec kroma zelo nagel, kar je razumljivo glede na precej manjšo difuzijsko hitrost kromovih atomov v gama kristalni mreži. Krom se zniža od 13 % do nič na razdaljah 5^um pri 1050° C, 8,5^um pri 1100°C in 12^um na 1150°C. Korozijske teste smo izvršili z deionizirano vodo, s solno kislino, z dolgotrajno vlago, s hitrim testom z vlago in s testom na slano meglo po priporočilih IEC in po zahtevah 23 MIL-STD-202. Vsi vzorci z globino kromane plasti nad 25^,um so uspešno prestali navedene korozijske teste in zadoščajo zahtevam standardov za releje MIL-R-39016 in MIL-R-5757. Opisani postopek kromanja smo uporabili pri pilotni proizvodnji subminiaturnih relejev. Kvaliteto teh relejev ugotavljamo z izvajanjem dolgotrajnih preskusov kritičnih parametrov po MIL standardih. Preskusi kažejo na uspešnost uporabe nove tehnologije difuzijskega kromanja sestavnih delov subminiaturnih relejev. Dosegli smo boljše parametre relejev in podaljšali njihovo življenjsko dobo. Z uporabo tega postopka smo bistveno zmanjšali izmet, poboljšali ponovljivost izdelave releja in povečali njihovo zanesljivost. kovno varjenje delov železnega magnetnega kroga relejev. - Uporaba kromanih sestavnih delov pri pilotni proizvodnji hermetičnih relejev je pokazala, da se je izboljšala korozijska obstojnost površine. S tem se je zmanjšal izmet, izboljšala se je ponovljivost izdelave ter povečala zanesljivost delovanja relejev. V. LITERATURA 1. A.H. Sully, E.A. Brandes; Chromium, Chpt. 7, Chromising, 258 Butterworths; London (1967) 2. G.N. Dubinin: Diffuzione hromirovanje splavov, Mašinostroenie Moskva 1964 3. A. Rudvik, D.L. Ljubinsky, Tehnologija rninijaturnih rele, Energoizdat, Leningrad 1982 1 MfiG: 750 ID.-DIFF CR 10 UM; P?«: .LiWw^.Wi J \~jK%Cr_ b) Slika 4: a) Metalografski obrusek vakuumsko kromanega vzorca železa: 8^ pri temp. 1050°C in — ? vakuumu 1.10 mbar, jedkano z nitalom b) koncentracijski profil Cr, narejen na istem vzorcu IV. ZAKLJUČKI Sistematično smo raziskali postopek vakuumskega difuzijskega kromanja. - Raziskave smo vodili pri temperaturah: 950°, 1000°, 1050°, 1100 in 1150°C, pri vakuumu od 10~2 do 10~5 mbar in časih 3, 8 in 12 ur. - Pri vakuumskem difuzijskem kromanju se tvori stabilna feritna plast z izrazito feritno avstenitno mejo do globine 100^,urn. - Z ozirom na enakomernost kromane plasti in dobro korozijsko zaščito smo določili debelino kromane plasti 25^,um. - Koncentracijski profil kroma v stabilni feritni plasti je presenetljivo položen; na površini je okoli 15 - 16% Cr, na koncu stabilne feritne plasti pa 12,5 do 13 %. Z drugimi difuzijskimi postopki dosegajo tik pod površino tudi preko 50 % Cr. - Položen koncentracijski profil Cr omogoča odlično toč- 4. A.H. Sully, E.A. Brandes, Chromium, Butterworth, London 1967, str. 7 5. R.L. Samuel, N.A. Lockington, Met. Treat. 18, 354, 407, 440, 1951 6. R.L. Samuel, N.A. Lockington, H. Dorner, Met. Treat. 22, 288, 336, 1955 7. L.L. Sheir, N.A. Lockington, Corrosion, Vol. 2 Butterworth, London 1978 8. H. Cornelius, F. Bollenrath, Arch, Eisenhtlttenwesen 15, 145 (1941) 9. N.S. Gorbunov, Diffuse Coatings on Iron and Steel, Israel 10. M. Jenko, A. Kveder, R. Tavzes, E. Kansky: Vac. Sei. Technol■ A3, (6) (1985) 11. L.C. Micks, Trans. AI ME, 113, 163 (1934) Mag. Monika Jenko Institut za elektroniko in vakuumsko tehniko Teslova 30, 61000 Ljubljana 24 IZRAČUN REZE PRI MAGNETNIH JEDRIH Borut Lenardič 1. UVOD Induktivne sklope, izdelane na feritnih magnetnih jedrih kot so lončki, RM, X, U in li jedra, uporabljamo predvsem v filterskih vezjih, napajalnikih in kot transformatorje. Pri vseh teh uporabah sklenjeni magnetni krog, ki ga zagotavlja jedro s svojo obliko, prekinemo z zračno režo, tako da zmanjšamo induktivnost sklopa, povečamo temperaturo in časovno stabilnost, omogočimo regulacijo in-duktivnosti, ali preprečimo nasičenje pri nižjih gostotah magnetnega polja v jedru. Stroge kvalitetne zahteve pri uporabi narekujejo natančnost pri brušenju rež, zato je natančno računanje dimenzije reže iz efektivnih parametrov jedra in njegovih magnetnih lastnosti izredno pomembno. 2. EFEKTIVNI PARAMETRI JEDRA Pri homogenem tankostenskem toroidnem jedru, ki ga računsko najlaže opišemo, lahko definiramo tri parametre, s katerimi opišemo njegove magnetne lastnosti. To so dolžina silnic 1, magnetni presek A in magnetni volumen V, ki so zaradi geometrijskih lastnosti jedra nedvoumno dolo- Magnetno zaključena jedra vseh oblik želimo obravnavati enotno in s pomočjo majhnega števila parametrov, zato jedrom določimo efektivno dolžino silnic, efektivni magnetni presek in efektivni magnetni volumen. Efektivni parametri so dimenzije hipotetičnega idealnega toroida, ki bi imel enake magnetne lastnosti kot naše jedro. Ko določimo efektivne parametre, lahko z njimi računamo naprej, ne da bi se ozirali na geometrijsko obliko jedra. Vendar smemo tako obravnavanje omejiti le na področje majhnih gostot magnetnega polja v jedru, t.j. na področje, v katerem približno velja Rayleighov zakon, po katerem je permeabilnost materiala linearno odvisna od jako-sti magnetnega polja v jedru ,u = .u. + aH (1) / / i a je histerezni koeficient, ^u. pa je začetna permeabilnost materiala. Efektivne dimenzije jedra lahko izračunamo tako, da izenačimo izraza za magnetni pretok 0 v obravnavanem jedru in idealnem toroidu. Vemo, da je integral magnetne polj- ske jakosti H po zaključeni poti, ki objame navitje z N o-voji, skozi katere teče tok I, H.ds » N.I (2) Pri zaključeni poti dolžine 1 je vrednost integrala HI. Sklenjen magnetni krog predstavlja šop zaključenih magnetnih silnic. Vsaka od njih prispeva k magnetnemu pretoku delež 60, odvisen od položaja v ravnini, pravokotni na smer silnic d0 = ,u ,uH dA = ( .u .uNIdA)/! /o/ /o/ Celoten magnetni pretok skozi ploskev A je 0 = yU ^NlJ^u.tdA/l) (3) Upoštevamo Rayleighov zakon (l) in dobimo za magnetni pretok v poljubnem jedru = .u NI / o u. | (dA/1) + aNI (dA/12) (4) Magnetni pretok v idealnem toroidu z dimenzijami 1 in Ag pa je = .u NI ,u(A /l ) /o / e e = ,u NI / o ,u.(A /1 ) + aNI (A A ) / i e e e e (5) Če naj velja enakost med (4) in (5), morajo biti enaki tudi koeficienti, zato velja P , (6) A /1 = | (dA/1) e e J A/l2= P (dA/I2) e e J Določanje efektivnih dimenzij je na gornji način (6) smiselno le, če lahko preprosto izrazimo i glede na položaj elementa površine dA. V praksi zato raje uporabljamo manj natančen pristop, pri katerem se omejimo na območje nizkih gostot magnetnega polja v jedru, ko lahko odvisnost permeabilnosti od magnetne poljske jakosti zanemarimo. Spet izhajamo iz enačbe (2) in izrazimo H z magnetnim pretokom 0 NI = H ds ds ,u j ,uA /o / 25 Za magnetni pretok dobimo naslednjo enačbo ,u NI «<___ (j) (ds/^uA) (7) kjer krivuljni integral predstavlja magnetno upornost (re-luktanco) magnetnega kroga. Če je permeabilnost magnetnega kroga enakomerna, zapišemo magnetno upornost takole A računamo iz temenskih vrednosti magnetnega pretoka in toka skozi navitje ter upoštevamo enačbo (7) N0 .u N2 L= - = -—A-r-r (U) I (1 / ,u.A ) e / i e Namesto induktivnosti bomo raje uporabljali induktivnost- ni faktor A , ki podaja induktivnost jedra pri enem ovoju 2 A^ = L/N . Upoštevajmo še homogenost jedra in dobimo AL = /VUi/Cl Vsota teče vzdolž zaključene poti. Magnetna upornost idealnega toroida z dimenzijami in A^ je 1 /(^,uA ), zato lahko razmerje l^/A izračunamo z vsoto elementov poti vzdolž smeri silnic, ulomljeno s pripadajočim magnetnim presekom 1 s— 1 7-IT (8) Vsoto imenujemo C^ faktor jedra. Da lahko ločeno izrazimo 1 in A^, potrebujemo se faktor (9) Vpeljimo v magnetni krog režo (slika 1) z dolžino 1 , magnetnim presekom A^ in permeabilnostjo 1. V enačbi (11) nastopa v imenovalcu vsota magnetnih upornosti jedra vzdolž zaključene poti. Upoštevajmo magnetno upornost reže in zapišimo enačbo za induktivnost jedra z režo r2 L = 1 ,u N / o 1 - 1 _a. ,u.A / i e (13) Vse tri efektivne dimenzije magnetnega jedra lahko izračunamo iz faktorjev C^ in C^ A = e Slika 1: Zaključeno magnetno jedro z režo Induktivnost jedra se zmanjša, kot da bi bila efektivna permeabilnost jedra manjša od permeabilnosti materiala 1 = e (10) AL = /Ve/C, (14) V A . 1 = e e C, Zaradi predpostavk in približkov, ki smo jih pri našem računu napravili, gornje enačbe niso točne, vendar nam omogočajo enotno obravnavo jeder različnih oblik. Proizvajalci jeder podajajo vrednosti efektivnih dimenzij v katalogih, navodila za izračun pa so opisana v IEC publikaciji 205 /1/. 3. IZRAČUN REŽE Oglejmo si sedaj magnetno jedro sestavljeno iz dveh enakih polovic, z efektivnimi dimenzijami A^ in V^. Material, iz katerega je jedro izdelano, je homogen z začetno permeabilnostjo ^u.. Induktivnost navitja z N ovoji iz- Efektivna permeabilnost jedra z zračno režo je /u = / e JL 1 - 1 _g_ (15) A ,u.A / i e Razen pri zelo nizkih vrednostih A faktorja je dolžina re- Li že mnogo manjša od efektivne dolžine silnic 1 , zato lahko (15) poenostavimo C ,u = / e 1 A~* (16) / V gornji enačbi smo namesto ^u. pisali ^u, ker pri našem računu nismo upoštevali, da imajo vsa sestavljena jedra 26 na stičnih ploskvah majhno režo. Njena velikost je odvisna od kvalitete in čistoče naležnih površin in nanjo ne moremo vplivati, celotna meri približno 50^um. Zaradi te reže je permeabilnost ^u jedra manjša od začetne perme-abilnosti materiala, kar moramo v naših enačbah upoštevati. Proizvajalci jeder v katalogih podajajo A faktor seli stavljenih jeder brez reže, iz katerega lahko po (14) izračunamo permeabilnost. V zračni reži magnetne silnice ne potekajo več vzporedno, temveč se razprejo in povečajo efektivno dolžino silnic in magnetni presek v reži. Magnetna upornost reže se zmanjša, zato se vrednost efektivne permeabilnosti poveča nad vrednost, ki jo pričakujemo na osnovi geometrijskih podatkov. Meritve pokažejo, da povečanje dolžine silnic in magnetnega preseka ni odvisno le od geometrije reže, temveč tudi od geometrije jedra in navitja. Z metodo konformnih preslikav lahko izračunamo magnetno upornost reže. Razprtje silnic v reži povzroči navidezno razširitev reže (povečanje radija pri krožnem preseku) za (0,241 + (ln (b/1 )M )).l , g 9 kjer je b notranja višina kraka, na katerem je reža (slika 1). birno za izračun 1 , nato vrednost A popravimo. Računa- g g mo takole c (-i- - -1 g g i /ue /U -) (20) A(n+1) = A +(0,241 + (ln(b/l(n+1W))P.l(n+l) g o g g pričnemo pa z naslednjim približkom za 1 i(o)=o g Ker je A^ zvezna, enolična in monotona funkcija lahko vedno najdemo rešitev (slika 2). Natančnost je odvisna od števila iteracijskih korakov. 1,8 1,2 1,0 0.» 1 FL 9x5 1 i /1 Y o 0,5 1,0 1,5 DOLŽINA REŽE lg (mm) 2,0 Upoštevajmo razširitev reže v naših enačbah. Magnetni presek v reži je takole odvisen od geometrijskih lastnosti jedra in reže A = A + (0,241 + (ln(b/l )AlT )) P.l , g o g g (17) kjer je A^ geometrijski presek in P obseg kraka v reži. Odvisnost magnetnega preseka v reži A^ od dolžine reže za izbrano jedro kaže slika 2. Efektivna permeabilnost jedra z režo je torej C. /U = / e 1 (18) A + (0,241 + (1 n (b/1 )Al! ))P 1 ° g g Izračunajmo sedaj dimenzijo reže iz C ^ , in zahtevane efektivne permeabilnosti ,u / e Slika 2: Odvisnost magnetnega preseka A od dolžine reže 1 za feritni lonček 9x5 ® g 4. REZULTATI Opisano metodo za izračun dimenzije reže smo preskusili pri brušenju rež na vseh oblikah lončastih (lončkih, RM, X) in E feritnih jeder. Rezultati izračunanih in merjenih vrednosti dolžine reže se v širokem področju zahtevanih A faktorjev ujemajo bolje kot na 2 %. Največje so napake pri jedrih z nizkimi vrednostmi A L faktorjev, ko je dolžina reže velika (tudi nekaj milimetrov) . Naš model za take primere ni dovolj natančen. Pri najvišjih vrednostih A faktorja pri vseh oblikah in dimen-L zijah jeder je reža reda velikosti 0,05 mm in moramo u-pošt.evati že tisočinke milimetra. 1 1 a = c (- A 1 .u g / e (19) V enačbi (19) ne moremo izraziti dolžine reže 1^, ker je njena funkcija. Zato moramo dolžino reže izračunati iterativno. Približek za magnetni presek A v reži upora- Zavedati se moramo, da je dimenzija reže pri izbranem jedru odvisna od njegovih dimenzij in permeabilnosti, zato je vrednost, ki jo izračunamo po kataloških podatkih, le ocena. 27 Izpeljane odvisnosti nam pomagajo pri ocenjevanju vplivov posameznih parametrov na natančnost brušenja rež in smo jih v Iskra Elementi - TOZD Feriti izvedli v pripravah na uvajanje avtomatiziranega brušenja rež v velikoserijsko proizvodnjo. POPRAVEK V članku Milana H. Florjančiča: TEHNIČNO STANJE BODOČIH MASOVNIH POMNILNIKOV v Informacije SSESD št. 3/1985 sta se vtihotapili dve tiskarski napaki Literatura - stran 99, levi stolpič, zadnja vrstica namesto kri-žišču bi moralo pisati tr-žišču /1/ "Calculation of effective core parameters of magnetic piece parts", IEC publikacija 205, Ženeva 1966 - stran 106, levi stolpič, 13 vrstica od zgoraj namesto 8 nm bi moralo pisati 80 nm /2/ Snelling E.C.: Soft Ferrites, Illife Books, London 1969 Avtorju se zahvaljujemo za opozorilo in ga prosimo, da oprosti spregledano nepravilnost. Borut Lenardič, dipl.ing. Institut Jožef Štefan Jamova 39, Ljubljana Uredništvo UPORABA ELEKTRONIKE UPOTREBA ELEKTRONIKE Z današnjo številko odpiramo prvo stalno rubriko, ki bi naj poslej spremljala vsako številko "INFORMACIJE MIDEM" in bo imela naslov Uporaba elektronike. V njej bomo skušali objavljati prispevke na temo uporabe: mikroelektronike, najrazličnejših elektronskih sestavnih delov in seveda tudi materialov. Ker bo verjetno trajalo še precej časa, da bodo naši strokovnjaki, predvsem tisti, ki uporabljajo elektronske sestavne dele, čutili potrebo, da tudi sami kaj napišejo in da bodo domače elektronske tovarne ustanovile laboratorije za uporabo elementov in materialov, ki jih proizvajajo, smo se za začetek obrnili na zastopstva svetovno znanih firm pri nas in jih povabili k sodelovanju. Prva firma, ki je pripravljena zagotavljati uporabniško naravnane prispevke za to rubriko, je Motorola Semiconductors Products, Inc. , ki jo v Jugoslaviji zastopa Elektrotehna TOZD Elzas iz Ljubljane. Naj se kar na tem mestu zahvalim Marijanu Juvanu, dipl.ing. za pomoč in sodelovanje, saj je u-redil vse potrebne formalnosti z matično firmo, da bomo lahko v bodoče objavljali prevode njenih prispevkov. Večkrat slišimo v strokovnih krogih opazke: "Zakaj tuje in ne domače? " Vse kaže, da bomo morali premagati začetno trenje pri zagotavljanju gradiva za to rubriko prav s pomočjo svetovno znanih firm. Upamo, da bo to vzpodbuda za naše strokovnjake - uporabnike, ki sicer zelo radi razpravljajo, ko pa je potrebno nekaj napisati, se dokaj hitro zresnijo in utihnejo. Samo veselilo nas bo, če se bo kdo okorajžil in upal dokazati, da to ni res. Pa še nekaj! V tej rubriki ni pričakovati poudarka na visoko zvenečnih znanstvenih, raziskovalnih in ne vem kakšnih prispevkih, ki jih povprečni uporabniki običajno ne čitajo z veseljem. Ne, želimo , da bi preko te rubrike posredovali res za uporabnike uporabno gradivo, pa četudi bo kdo, ki zna, ali pa si domišlja, da zna, kaj več, kdaj nezadovoljen. Torej članki v tej rubriki so lahko skrajno preprosti, samo da bodo uporabni, kajti zasnove zelo dobrih, uporabnih in zanesljivih naprav običajno temeljijo na relativno preprostih rešitvah. Člane MIDEM in druge bralce vabimo, da nam s svojimi pripombami, kritikami in predlogi pomagajo oblikovati takšno rubriko, ki bo zadovoljevala čim več uporabniških potreb. Urednik 28 UPORABA HITRE CMOS LOGIKE PRI POVEZOVANJU MIKROPROCESORSKIH VEZIJ Motorola Semiconductors Products, Inc. Prispevek je prevod uporabniškega sestavka "Application Note AN - 868", ki ga je posredovala za objavo Elektrotehna TOZD Elzas iz Ljubljane. UVOD To navodilo o uporabi pojasnjuje možnosti uporabe hitrih CMOS vezij (high - speed CMOS = HSCMOS) v mikroprocesorskih sistemih, kjer so se doslej uporabljala zaradi njihove hitrosti običajno LSTTL vezja. Načrtovalcem sistemov ni potrebno več žrtvovati majhne potrošnje z namenom, da bi dosegli večjo hitrost, ki jo zahteva sistem , kajti HSCMOS vezja imajo večje hitrosti kot LSTTL vezja in trošijo približno toliko moči kot CMOS vezja. Ker je večina današnjih mikroprocesorjev, pomnilnikov in perifernih vezij izdelana v N-kanalni polprevodniški tehnologiji (NMOS) in ne v P-kanalni MOS (PMOS) ali komplementarni MOS (CMOS), ta sestavek začenja opis povezovanja HSCMOS in NMOS tehnologij. NMOS (imenovana tudi HMOS ali N-kanalni MOS velike gostote) se uporablja za ta vezja zaradi večje gostote pakiranja (ali števila tranzistorjev na integrirano vezje). Veliko gostoto pakiranja želimo pri izdelavi zelo obsežnih vezij, kot so mikroprocesorji, v enem samem integriranem vezju. Obravnavane in analizirane so nekatere potrebe digitalne logike mikroprocesorskih sistemov. Te potrebe obsegajo ojačevanje podatkovnih in naslovnih vodil za povečanje izhodnih krmilnih sposobnosti, dekodiranje naslovov in uporabo zapahov za uskladitev različnih hitrosti mikroprocesorskih vezij. Obravnavanih je večje število hitrih CMOS vezij, ki zadovoljujejo te potrebe. Podana so tudi nekatera priporočila za uporabo HSCMOS vezij pri NMOS mikroračunalniških sistemih. 1. POVEZAVA HSCMOS in NMOS TEHNOLOGIJ Vhodi in izhodi NMOS mikroprocesorjev, pomnilnikov in perifernih vezij so TTL kompatibilni, ker so TTL logična vezja glede na hitrost in ceno doslej najbolje zadovoljevala povezavo mikroračunalniških sistemov, so pa trošila precej energije. CMOS vezja niso primerna za povezavo NMOS mikroračunalniških sistemov iz dveh razlogov. So zelo počasna in imajo majhno izhodno krmilno sposobnost za krmiljenje logike različne od CMOS. Ta družina logičnih vezij se o-bičajno uporablja v sistemih, kjer je važna majhna potrošnja energije in hitrost ni odločujoča. Hitra CMOS logika dosega hitrost LSTTL vezij in ima večjo izhodno krmilno sposobnost kot običajna CMOS vezja. Pri povezavi HSCMOS in NMOS vezij bomo obravnavali napetostne nivoje, krmilne sposobnosti, hitrost, porabo in odpornost na motnje. 2. NAPETOSTNI NIVOJI Hitra CMOS logična vezja niso vedno enostavno kompati-bilna z NMOS vezji. Kadar krmilimo HSCMOS vhode iz NMOS izhodov, obstaja nekompatibilnost napetostnih nivojev. Opomba Ta sestavek obravnava povezavo z nizkonapetostnimi NMOS (enojna pozitivna napajalna napetost) vezji in ne obravnava povezavo z visokonapetostnimi NMOS vezji (tistimi, ki imajo več kot eno pozitivno napajalno napetost). Sledi analiza NMOS vhodov in izhodov, ki imajo TTL lastnosti. NMOS vhodi : Vhod TTL kompatibilnega N-kanalnega MOS integriranega vezja je prikazan na sliki 1. Q1 je krmilni tranzistor in Q2 je bremenski tranzistor, ki zagotavlja tok za vhod. Napetost praga vhodnega tranzistorja je 0 , 5V do 1,5V. Tabela 1 kaže vhodne napetostne nivoje za NMOS in izhodne napetostne nivoje za HSCMOS vezja. Kot lahko vidimo iz tabele 1, lahko vežemo izhode iz HSCMOS na vhode NMOS brez dodatnih uporov za pripenjanje nivojev (pullup ali pulldown). V = 4,95V (min) 29 pri HSCMOS je več kot zadosti za NMOS vhod VTII = 2,0V 1H (min), da vezje lahko prepozna logično "1". Tudi HSCMOS VOL = °'05V (max) 3e dovolj nizka za NMOS vhod V = 0,8V (max), da vezje lahko prepozna to kot logično"0". Slika 1. : Vhodno vezje TTL kompatibilnega NMOS integriranega vezja NMOS izhodi : Izhodno vezje TTL kompatibilnega integriranega vezja NMOS je prikazano na sliki 2. Q1 je krmilni tranzistor in Q2 je breme. Izhod tega vezja ne doseže V , ampak določen prag pod V cc t- a t- cc NMOS •HSCMOS V|Hlminl = 2 0 V Vu_lmaxt = 08 V V0H|mm) = 4 95 V Vot_i™*l=0 05V •|0< 1 /iA Tabela 1. : Napetostni nivoji za NMOS vhode in HSCMOS izhode (V = +5V +10 %) cc — por mora biti dovolj majhen, da zagotovi zahtevano hitrost pri prehodu z nizkega na visok nivo. Nizek nivo na izhodu 0,4V (max) je dovolj nizek za HSCMOS vhod, da ga lahko prepozna kot logično "0". Tako nastopa edina napetostna nekompatibilnost v primeru, ko NMOS izhodi krmilijo HSCMOS vhode v visokem logič- NMOS •HSCMOS VoHlmml = 2 <1 V VoL'maxl =0 4 V Vilmin» = 3 5 V V|Lima»l = 1 0 V •|0< 1 11A Tabela 2. : Napetostni nivoji za NMOS izhode in HSCMOS vhode (V = +5V + 10 %) cc — nem stanju. Nekatera od vezij, ki so kompatibilna z vezji za vodila in so izdelana v HSCMOS, imajo TTL kompatibil-ne napetostne nivoje na vhodih. Ta vezja so razvidna iz tabele 8 na koncu tega navodila o uporabi in se imenujejo vezja HCT serije. 3. KRMILNA SPOSOBNOST Pri hitrih CMOS vezjih je izboljšana krmilna sposobnost napram običajnim CMOS vezjem. Standardna hitra CMOS vezja lahko sprejmejo do 4 mA toka (6 mA za krmilna vezja), pri čemer še zadržijo izhodni napetostni nivo 0,4 V, odvisno od temperature (serija 54 ali 74) in izhodnega tipa (glej tabelo 3 ! ) Kot vidimo iz tabele 2, visoki izhodni nivo 2,4V (min) ni zadosti za HSCMOS vhod, da bi ga ta prepoznal za logično "1", saj je za izpolnitev tega pogoja potrebno V (min) = 3,5V. Zaradi tega potrebujemo pripenjalni upor na izho- Slika 2. : Izhodno vezje TTL kompatibilnega NMOS integriranega vezja Device Output Type Output Current LSTTL Fanout MC54HC Standard 3 4 mA 8 MC54HC Bus Driver 5 1 mA 12 MC74HC Standard 4 0 mA 10 MC74HC Bus Dtwer 6.0 mA 15 Tabela 3. : Krmilne zmožnosti HSCMOS vezij (za V^IT = 0,4V ali V -0,8 V OUT cc IN = V ali MASA) cc Na primer standardni izhod iz hitrih CMOS vezij serije 74, kot so 74 HC 00 dvovhodna NAND vrata, lahko krmili deset LS TTL vhodov. Ta vrsta krmilne sposobnosti je pomembna samo, če krmilimo logiko različno od CMOS ali HSCMOS, ker HSCMOS lahko krmili stotine teh vhodov zaradi njihove visoke vhodne impedance. HSCMOS vezja imajo tudi simetrično izhodno krmiljenje, ker lahko dajejo na izhodu enako vrednost toka, kot jo lahko trošijo. du NMOS naprav vezan na V, ki služi za dosego napetosti visokega nivoja 3,5V na izhodu. Izbran pripenjalni u- Večina NMOS izhodov lahko krmili štiri LSTTL bremena in dodatno predpisano vrednost kapacitivnosti (običajno 30, 30 90 ali 130 pF). Ta krmilna sposobnost je več kot zadostna za krmiljenje HSCMOS vhodov, ki zahtevajo samo maksimalno l^uA toka. Zaradi tega lahko NMOS izhodi krmilijo mnogo več HSCMOS vhodov kot LSTTL vhodov. Za nek mi-kroračunalniški sistem izdelan v CMOS tehnologiji je krmilna sposobnost HSCMOS vezij mnogokrat večja, kot je tipično potrebno. Slika 3.: Prevajalna zakasnitev v odvisnosti od bremenske kapacitivnosti za CMOS, HSCMOS in LSTTL 4. OCENITEV HITROSTI Pri običajnih CMOS vezjih izhodi ne morejo krmiliti veliko kapacitivnosti (dolge linije, mnogo vhodov, itd.), ne da se bi bistveno zmanjšala hitrost delovanja. Slika 3 kaže prevajalno zakasnitev v odvisnosti od kapacitivnosti HSCMOS se hitrost znižuje mnogo manj kot pri CMOS. Ta razlika nastopa zaradi višje izhodne impedance CMOS-a, ker hitrost zavisi od te impedance. LSTTL in HSCMOS vezja imajo podobno izhodno impedanco za nizki nivo na izhodu. V visokem nivoju imajo LSTTL vezja višjo izhodno impedanco, zaradi česar dajejo manjši tok (400^,uA). HSCMOS vezja imajo enako izhodno impedanco v nizkem in visokem stanju, pa zaradi tega tudi dajejo in požirajo enak tok. Obravnava hitrosti je pomembna pri konstruiranju mikroračunalniških sistemov, kjer so časovne razmere pri ojačevanju podatkovnih in naslovnih vodil, dekodira-nju naslovov in zapakovanju podatkov kritične. Kot vidimo v tabeli 4, imajo HSCMOS vezja lastnosti kot: prevajalno zakasnitev, čas vzpona in padca, itd. enake tistim pri LSTTL. Problem hitrosti bomo obravnavali bolj podrobno v poglavjih, ki bodo sledila. Že tukaj pa je važno povdariti, da lahko ta vezja dobro povezujemo v tiste mi-kroračunalniške sisteme, pri katerih je hitrost pomembna. 5. PORABA ENERGIJE Zakaj so HSCMOS vezja koristna v NMOS mikroprocesorskih sistemih? Odgovor je seveda manjša poraba energije. Hitra CMOS vezja rabijo energijo med preklapljanjem. V stacionarnem stanju rabijo zanemarljivo malo energije, medtem ko rabijo LSTTL vezja energijo tudi v stacionarnem stanju. Poraba energije pri hitrih CMOS vezjih narašča z naraščanjem frekvence, kot kaže slika 4. Razlika med HSCMOS in LSTTL pri 5 MHz je precej velika in nastopa zaradi dejstva, da bipolarna vezja trošijo tok. Symbol Parameter NAND Gete Lttch Buffer Decoder 74 H COO 741SOO 74HC373 74LS373 74HC240 74LS240 74HC138 74LS138 'max Maximum Clock Frequency 30 MHZ 35 MHZ 'PHl/'PLH Maximum Prop Delay, Clock lo Q 15 ns 15 ns 28 ns 30 ns 18 ns 18 ns 40 ns/25 ns 41 ns/20 ns ISU Minimum Setup Time, Data lo Clock 20 ns 5 ns «h Minimum Hold Time Clock to Data 0 ns 20 ns 'W Minimum Pulse Widtlv ?l?ck 6 Clear té n8 15 ns 'PZl'lPZH Three-State Enable Time 30 ns 36 ns'28 ns 30 ns 30 ns/23 ns 'PLZ'lPHZ Three-State Disable Time 25 ns 25 ns-20 ns 25 ns 25 ns 18 ns Tabela 4. : Primerjava preklopnih karakteristik za nekatera HSCMOS in LSTTL vezja bremena za CMOS, HSCMOS in LSTTL. Kot vidimo iz krivulj, prevajalna zakasnitev narašča z obremenilno kapa-citivnostjo za standardna CMOS vezja. Pri LSTTL in tudi za vzdrževanje stacionarnega stanja. Slika 5 kaže povprečno porabo moči na vrata za različne logične družine. Prednost uporabe HSCMOS vezij je seveda najbolj očitna 31 s stališča sistemov. Bolj kompleksen je sistem, več energije bo uporabnik prihranil z uporabo CMOS tehnologij. V nekem NMOS mikroračunalniškem sistemu porabijo večino energije NMOS mikroprocesorji, pomnilniki in periferna vezja. 6. ODPORNOST PROTI MOTNJAM Mejne vrednosti motenj za HSCMOS, LSTTL in CMOS so navedene v tabeli 5. HSCMOS se lahko uporabljajo v tistih mikroračunalniških sistemih, kjer so lahko motnje problematične, to je, industrijska okolja, avtomobili, itd. a 2 Input NANO Gate 7 b 2 100 k FREQUENCY 60% DUTY CYCLE IHzl Slika 4a. : Poraba moči v odvisnosti od frekvence (brez bremena) za hitra CMOS vezja napram TTL, LSTTL in ALS 5 7 2 5 7 100 M IG FREQUENCY 50% DUTY CYCLE IHzl Slika 5.: Povprečna poraba moči za logična vrata v odvisnosti od frekvence LSTTL vezja lahko doprinesejo dobršen delež te porabe, kar zavisi od velikosti sistema, delovne frekvence in števila LSTTL vezij v sistemu-, HSCMOS vezja doprinesejo ekstremno mali delež celotne v sistemu porabljene energije. b-D Flip-Flop 7 1 1 1 7474 1 i - -- 54 S 74 r / 74ALS 74 Y y / / / I MC74H C7 "1 / y / / l/1 / 1k 10 k 100 k 1 M 10 M 100 M FREQUENCY 50% DUTY CYCLE IHzl Slika 4b. : Poraba moči v odvisnosti od frekvence (brez bremena). Tipične vrednosti za hitra CMOS vezja napram TTL, LSTTL in ALS Odpornost na motnje NMOS vezij je zelo slaba po CMOS standardih. Zaradi tega diktirajo odpornost proti motnjam nekega NMOS/HSCMOS sistema NMOS vezja. Hitra CMOS vezja imajo približno enako odpornost proti motnjam kot CMOS vezja. Nizek nivo motnje V (noise margin low) za HSCMOS je bil namerno postavljen nižje kot za CMOS. Vhodni nizki napetostni nivo HSCMOS vezij je zaradi tega bolj kompati-bilen s TTL izhodnim napetostnim nivojem. HSCMOS vezja nudijo tako izboljšavo glede na nivo motenj v NMOS mikroračunalniških sistemih napram LSTTL. Tabela 6 kaže vmesniške nivoje dovoljenih motenj CMOS in LSTTL vezij, ki so povezana z NMOS vezji. Jasno je, da je nivo dovoljenih motenj CMOS vezij povezanih z NMOS vezji mnogo boljši kot pri povezavi LSTTL z NMOS. Kot je bilo povedano, je možno povezati HSCMOS vezja na enostaven način z NMOS mikroračunalniškimi pomnilniki in perifernimi vezji. Ta vezja so direktno kompatibilna s CMOS mikroračunalniškimi sistemi in tvorijo naravno vmesniško družino za CMOS mikroračunalniške sisteme. Doslej so se uporabljala v CMOS mikroračunalniških sistemih "Low Power Schotky" vezja za ojačevanje in dekodira- 32 nje, ker so imela starejša standardna CMOS vezja preveliko prevajalno zakasnitev. Slika 6 kaže primer, kjer se uporabljajo LSTTL vezja za dekodiranje naslovov, ker se zahtevajo večje hitrosti, kot jih lahko dosežemo s CMOS vezji. Ta primer kaže idealno uporabo hitrih CMOS vezij. Logic Family Noise Margin VNI = VIL-V0L vnh = voh-vih High-Speed CMOS MC74HCXX 0 95 V 119% Vccl 1 45 129% Vccl LSTTL 74 LS series 0.40 V 18% Vcc> 0.70 V (14% Vcc> Metal-Gate CMOS MC14000B series 1 45 V 129% VqqI 1 45 V 129% VQDI Tabela 5. : Primerjava nivojev za motilne signale 6. OJAČEVANJE VODIL Pri mikroračunalniških sistemih obstajata dva osnovna namena ojačevanja vodil. Za ojačevanje podatkovnih in naslovnih vodil se v splošnem uporabljajo ojačevalniki treh stanj. Ojačevalna vezja se uporabljajo tudi za povečanje izhodnih krmilnih tokov, kadar so vezja povezana s tipkov- Interface + Interface Noise Margins ■v HSCMOS lo NMOS 2 95 V 0 75 V ' NMOS to HSCMOS 1 10 V 0 60 V LSTTL 10 NMOS 0 40 V '0 40 V NMOS to LSTTL 0 40 V 0 40 V 'Wilh pull-up resistor + interlace Noise Margin For " I" column - difference between output high level ol one device and input high level of next device For "0" column - difference between output low level of one device and input low level ol next device Tabela 6. : Nivoji motilnih signalov za povezavo HSCMOS/NMOS in LSTTL/NMOS nicami, prikazovalniki, itd., ki zahtevajo velike krmilne tokove, ali kadar krmilijo velike kapacitivnosti, kot so dolge linije in/ali mnogo vhodov. 7. VSTAVITEV INFORMACIJ NA VODILO Ojačevalna vezja treh stanj se često uporabljajo za načrtovanje vhodnih vrat, ki se morajo električno odključiti od vodila, kadar niso izbrana in se uporabljajo za prenos informacije na vodilo, ki jo prenese nato naprej do mikroprocesorja. Vhodna vrata, ki se uporabljajo za prenos podatkov do mi- kroprocesorja, lahko izvedemo z različnimi vezji treh stanj, kot so: MC 74 HC 240 (241) 244 osemkratni ojačevalniki. Razporeditve priključkov za ta vezja so prikazane na sliki 7. Vezje 74 HC 240 ima invertirane izhode, medtem ko imata 74 HC 244 in 74 HC 241 neinvertirane izhode. Ta vezja vsebujejo po osem ojačevalnikov v vsaki enoti, ki so razdeljeni v dve skupini po štiri ojačevalnike, ki jih neodvisno krmilimo z dvema krmilnima vhodoma. Krmilna vhoda sta aktivna v nizkem stanju pri 74 HC 240 in 74 HC 244 , medtem ko ima 74 HC 241 en krmilni vhod aktiven v nizkem stanju in enega v visokem stanju. Ker lahko ojačevalniki prenesejo informacijo z vhoda na izhod samo, če so izbrani in predstavljajo visoko impedan-co na izhodu, ce niso izbrani, lahko izolirajo vezje od vodila, kadar le to ni naslovljeno. Slika 8 kaže uporabo ojačevalnikov treh stanj za izoliranje mikroprocesorjevega podatkovnega vodila od vodila zapisovalno-bralnega (R/W) pomnilnika. V tem primeru uporabimo par vezij MC 74 HC 243, ker je podatkovno vodilo dvosmerno in se morajo podatki prenašati v dveh smereh. Vodilo zapisovalno-bralnega pomnilnika je električno izolirano od mikroprocesorja podatkovnega vodila, razen kadar procesor čita ali piše v pomnilnik. MC 74 HC 243 je neinvertirajoči prenosnik vodil, ki vsebuje štiri ojačevalnike. Namenjen je za asinhronsko dvosmerno komunikacijo med podatkovnimi vodili. Slika 9 kaže razporeditev priključkov in pravilnostnih tabel za MC 74 HC 242 in za invertirajoči par MC 74 HC 245, ki vsebuje osem ojačevalnikov. Za prenosnike s štirimi ojačevalniki določata smer pretoka podatkov in B —-A ter stanje izhodov krmilna vhoda ENABLE. Pri prenosniku z osmimi ojačevalniki krmilimo pretok podatkov preko kontakta DIRECTION, medtem ko služi kontakt ENABLE za onemogočitev pretoka tako, da so vodila električno izolirana. 8. POVEČANJE ZMOGLJIVOSTI KRMILJENJA V mikroprocesorskih sistemih uporabljamo ojačevanje za povečanje zmogljivosti krmiljenja pri povezovanju z napravami, ki zahtevajo več toka, ali za krmiljenje več bremen, kot jih vezje lahko krmili. Ojačevalnike uporabljamo tudi za povečanje krmilne zmogljivosti na mikropro- 33 MC6801 MC146805E2 K) 8 Address/Data Multiplexed Address Strobe Data Strobe (E> Read/Write (R/W) Interrupt Request (IRQ) 8/5 Address IE Address Decode' I__________ reset Other Peripherals and Memory i> CE IRQ R/W OS AS AD0-AD7 RESET MC146818 CKOUT CK FS SOW "1 jr 4 194304 MHz ITypI 'High-Speed Silicon-Gate CMOS Address Decoding Slika 6. : Vezje MC 146818 povezano z Motorolinimi kompatibilnimi multipleksnimi mikroprocesorskimi vodili MC54HC240MC74HC240 Inverting, Active Low MC54HC241 "MC74HC241 Noninverling; 4 Active Low, 4 Active High Inputs Output Enable 1 Enable 2 A Y I I H II X / Inputs Output Inputs Output Enable 1 A 1Y Enable 2 A 2Y 1 I 1 H H 1 H H 1 H / l L L L H H L H H ? 7 1 H MC54HC244-MC74HC244 Noninverting, Active Low Inputs Output Enable 1, Enable 2 A Y 1 1 1 H H X L Ii Z Slika 7. : Razporeditve priključkov in pravilnostne tabele za ojačevalna vezja MC 74 HC 240/241/244 34 'Pijiltip Resistors Are Needed When Going Fiom NMOS 10 HSCMOS Slika 8.: Uporaba ojačevalnikov treh stanj za izolacijo podatkovnih vodil Control Inputs MC54/74HC242 MC54/74HC243 Data Port Statu» Data Port Status A-to-B Enable B-to-A Enable A B A B 1 1 Ö I 0 1 0 1 Z Z Z Z 1 0 z z Z z 0 0 1 Ü 1 0 I = Input. O = Output. 5= Inverting Output. Z = High-Impedance MC54HC245'MC74HC245 Vcc Enable Bi B? B3 B'1 85 B6 B? B8 20 ta 18 1/ 16 lb 114 13 12 H Control Inputs Operation Enable DIR 246 L t B data to A bus 1. H A dala to B bus H X Isolation hitjh :>',i:i t.;- lov, level. - i'" Slika 9. : Priključki in pravilnostne tabele za MC 74 HC 242/243/245 35 R W Add'ess ■ Nc-Muieö1 vV -e Oa:a s ' \'j»e' Aod'ess S"ot)e '¿S -© -.....O 0- -O- -0 -0- © O •I© - © ©-------© 0- v i (— '0 KD --© -<3> *© Peao Oo-a No<" -£=L -©- TJ W'cie Oats Munt ©- > GH NOTES ' No: a> i-gna's a'e app"cab>e '<> eve-s oa-r 2 V '.> läge eveis s"ow ä'tVLsOi V v h£ 2 J u'-ess jmeww specked 3 Measu-eme-M co^ts show are 0 8 V ana 2 0 v i.^ess othe'ws 'e'e'enced :c 'c: E. see M6800 oog«s 6 Ccxa nu>se 'ise a "d 'an l-me 'o- M C6800 measu-ed to \>qq - 0 6 V. soe M60DO pages 7 CS a»d ¿5 o" MC6810 have sam* nm>"g 8 Adt computed üv i - m - 11 • I7i oi 12 • 3 • 17. see "OIB 8 'except 'o' MC6809 'o- MC6809. bv ' -4- 7 m8« . 10- »7> 10 usab»e address Du"er ume -s computed bv 2 - 1 " - 13> see hote 8 lenceol 'o' WC6809. fo< WC6809, bv 2-7 ma» - »0-13) 11 usabie lead data butte' ume is computed b> 3 - 11 ? - 30i i? usabie wr.ie data butfe' time * compute« bv 3- « 19 ♦ 3i> except 'o> MC6809. lo' MC6809. bv I - 14 ♦ 7 ma» » 4 » 20 - 31 > NMOS/HMOS GENERIC 8US TIMING CHARACTERISTICS FOR 1.0 MHz OPERATION lö»nt Numbet Charsctertitict Symbol 6300 5801 680? 6Ô09 6821 6869 Unit Mm Mex Min Max Mio Max Mtn Mix Min Max t CyCte Trn.e ;cyc 1 0 to 1 0 20 1 0 10 t 0 10 ' 0 '0 Mi 2 Puise Width. E Low iSee Note 61 PWEL 405 9600 430 10C0 450 5000 430 6000 430 9600 -i 3 Puise Width E High iSee Note 6' PWEH 460 9600 460 1000 450 9600 450 9600 450 9500 i Clock Rise and Fan T.me tSoe Note 6i if K - 100 - 25 - 25 - 25 25 fS 5 Puise Width. Q H.gh PWQH 430 5000 - "S 6 Puise Width. Q Low pwql 450 9600 - •is 7 Dei8y Time. E to 0 «'Se' 'AVQ - - 200 250 "s 9 Address Hold Time 'AH 30 20 - 20 - 20 '0 -s 10 Addfess Valid T.me io 0 Rise' 'AQ - 50 ' s 11 Address Delay 1 om i low iSee Note Si 'AO - 270 - 'S 12 Non-Muxed Add'essVai'd T.me ioE ' e E 'CS - 80 <"s 16 Ch.p Select Ho'd time 'CH - 1C -s 16 no" mu'co AcWess Ded Time to E R'Se' 'AVW - - 200 - - 's 23 Muxed Aoo'ess Ooia> '.me l'on AS lAOAS - "S 24 Mu«ed Aod'fss van) -c AS fa"'* 'ASL - 60 - -s 25 Mu«ed Ae 'ahl - 20 •s 26 Oeiav 1-m{. AS io E R.se* 'ASO - 90 "s 27 Pu.se w.tjtt AS ' "wash 220 r.i 28 De>a, t.,.„. as f f'se' ■Aseo 90 -s 29 usât)!? Ac.fss '.•"<■•• 'See Note 9' ■ACC 606 670 fiOb 696 's 30 Ouipu1 drita ouia> 'OOR 29C -s 3t 'e'iohe'a' ir>ihit Ditia Seiup Time •psw '65 -s 12 fiu'ip' loqn Oeias 'imp aofi.es«; C5 » VV 'See note '0' •ODA 66 '20 too '60 33 Bui'c '•"<■ «ead Oat.» .Sec note •80« GC 80 60 80 34 8u"i" Oeiav '^e W'.ie Data iSee Noie 12' 'BOW 60 60 60 - 365 ' At spooled <\C'c Slika 10. : NMOS/HMOS časovni diagram vodil za družino Motoroiinih procesorjev 36 cesorjevih podatkovnih in naslovnih vodilih zaradi velikega toka in kapacitivnega bremena sistemskega vodila. Kadar načrtujemo z vodili izvedene sisteme, moramo posvetiti posebno pozornost kapacitivnim obremenitvam na MC6809 MC68A09 MC68B09 0MHZI (1.5MHZI (2MHZI Usable Access Time 696 ns 442 ns 330 ns Buffer Logic Delay Time 160 ns 80 ns 60 ns Buffer Delay Time (Read Dalai SO ns 30 ns 30 ns Buffer Delay Time 1 Write Data) 366 ns 230 ns 160 ns Tabela 7. : Razpoložljivi časi dostopa in zakasnilni časi ojačevalnikov za MC 6809 vodilu. Obstaja končno število vezij, ki jih lahko priključimo na vodilo. Pozornost moramo posvetiti omejitvam hitrosti, ki jih povzročajo kapacitivne obremenitve. Kapa-citivnost deluje kot breme za vezje, ki krmili vodilo in Za povečanje krmilne zmožnosti na podatkovnih linijah lahko uporabimo prenosnike MC 74 HC 242/243/245 tako kot tiste, ki smo jih že opisali. Za povečanje tokovne krmilne zmožnosti na enosmernih linijah, kot so naslovne linije, lahko uporabimo na primer ojačevalnike MC 74 HC 240/ 241/244. Vsa ta HSCMOS vezja imajo izhode s tremi stanji in so na voljo v vezjih, ki vsebujejo po osem ali štiri ojačevalnike v enem ohišju. Ta vezja lahko krmilijo petnajst LSTTL bremen pri izhodnem krmilnem toku 6 m A (serija 54 krmili dvanajst LSTTL bremen pri 5,1 mA). V primeru krmiljenja bolj obremenjenih sistemskih vodil, krmilna zmožnost teh vezij ne bo zadoščala, pa zato raje uporabljamo standardne TTL ojačevalnike zaradi sposobnosti sprejemanja toka 48 mA. Sicer pa lahko HSCMOS o-jačevalnike vežemo vzporedno in s tem povečamo sposobnost sprejemanja toka. 9. OBRAVNAVA ČASOVNIH RAZMER MC6809 MC/4HC24U £ ib RSO RS 1 C SO CS I CSJ Slika 11.: Tipična povezava preko ojačevalnikov na naslovnih in podatkovnih vodilih ima vpliv na čase vzpona in padca ter na prevajalne zakasnitve. Časovne razmere so podane za večino mikroprocesorjev, pomnilnikov in perifernih vezij za določeno obremenilno kapacitivnost na vsaki liniji. Dane so na primer časovne specifikacije za mikroprocesor MC 68 09 za obremenilno kapacitivnost 90 pF na vsaki naslovni liniji (A0 - A15) in na R/W liniji, 130 pF za podatkovne linije (DO - D7) in 30 pF za ostale linije. Če se sistem poveča s priključitvijo več vezij na linije, moramo na vsaki liniji tako določiti obremenilno kapacitivnost, da ne prekoračimo časovne specifikacije. Če je obremenilna kapacitivnost večja, kot je specificirana, moramo uporabiti ojačevalnike, da povečamo krmilno zmožnost vsake linije. Slika 10 kaže splošni časovni diagram za Motoroline NMOS mikroprocesorje. Čas med veljavnim izhodom nar-slova iz mikroprocesorja in zahtevanim vhodnim podatkom (a read set up time) je čas, ki ga mikroprocesor nameni za naslovne vmesnike in dekoderje, podatkovne vmesnike in za dostop do pomnilnikov. Ta čas dostopa lahko izračunamo iz formule v Note 9 na sliki 10 za podano vrednost hitrosti vodila (l MHz-, 1,5 MHz ali 2 MHz). Za 1 MHz kaže tabela 7, da je na razpolago 695 ns za dekodiranje, ojačenje, itd. Tudi Notes: 10, 11 in 12 kažejo, kako se izračuna uporabni čas vmesnika, čas čitanja preko vmesnika in čas zapisa preko vmesnika, ki sta vsebovana v tabeli 7. Če uporabimo vrednosti iz tabele 7, lahko izrabimo razpoložljive čase vmesnika pri konfiguraciji, ki jo prikazuje slika 11. Pri 1 MHz je na razpolago 150 ns za dva 74HC 240 naslovna vmesnika, kar je zadosten čas. Vsak vmesnik ima maksimalni prevajalni čas 30 ns. Ta pušča rezervo 90 ns (150 ns - 60 ns), ki je na razpolago za nadaljnje ojačenje ali za dekodiranje naslovov. Ko se podatki nahajajo na izhodu perifernih naprav, morajo biti podatki, ki se prenašajo proti mikroprocesorju, pripravljeni v trenutku čitanja ali pred začetkom čitanja tako, da je prevajanje skozi podatkovne vmesnike hitro, da lahko mikroprocesor sprejme veljavne podatke. Čas čitanja preko vmesnika pri 1 MHz je 80 ns, če pustimo rezervo 20 ns po zakasnitvi prevajanja okoli 30 ns za vsak vmesnik MC 74 HC 243. Čas zapisa preko vmesnika je 365 ns, kar pušča rezervo 305 ns po celotni prevajalni zakasnitvi 60 ns. Ta primer jasno kaže, da so 74 HC vmesniki dovolj hitri za 1 MHz mikroprocesorske sisteme. nje naslovov le važno za pravilno komunikacijo med mikroprocesorjem in ostalimi napravami v sistemu. Uporablja se za podelitev samostojnih naslovov ostalim napravam v sistemu. Nekateri mikroprocesorji, takšni kot so Motoro- 3 lo-8 di'codi ' o--— ^ i; o-—— M o----- V 2 Q—-L: v 3 VI o- — >5 0 o~......-- >6 0------- Y 7 CS3-CS2- MC74HC13S BLOCK DIAGRAM It Slf J tu !r l,ni> s s:? SH CS1 CS2 18 T . 8 C i p c 3 C . 8 C ' 3 C . a c ; ■ B C i MC74HCI54 BLOCK DIAGRAM 1RUTM TABl.f. !np Soleči Seiocjt ! Outputs CS2 CS3 C 3 A „ vo Y i......V2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 — X X >. — "h "m hi h H H H H X x X \ h h h h h h hi H X > v h H hi K H H h! H V "" i.'""* T "K" H H h h! 1-1 i i »1 h i H hi H h h H I. h H L h H H H h \ L i hi H h h H i-! h h H i i H '7 "T" "vr h h h L H h h h L i-i H H H h L H h i 1 H H .. H H H H m h l. hI .-t m h h H H H L j c:?: cs2 ; ¡¡'Hü:)!'. fRUTK TABU 13 it 1 Selected Output ! 0 1 ' l-i ! A i at Logic "0" 1 o : ! 0 | SO 1 i ! S 2 S3 ) S4 > ! ! S 5 1 i 0 S6 S? 1 0 S8 ; l S9 ' J S10 0 Sil ! 0 S12 1 S13 ! ! | 0 SU 1 1 ' i 1 StE> X X X | X All Oi.ipuls = 1 X X X i X Slika 12.: Blokovni shemi in pravilnosti»! tabeli za dekoderja MC 74 HC 138 in MC 74 HC 154 A10 A3 inhibit d C b A so --------(XC0-C0FF SI -----OICO-OIFF s2 -------02C0-02Ff 53 -------03CO-03FF si! ------OICO-OIFF S S -------0500-05 F r S 6 ..........-06C0-C6FF S 7 ............-07CO-07FF S 8 ------08c0-c8ff s3 ------09c0-09ff s 10 --------oaoo-oaff 3 i 1 ----------0b00-08ff S;2 --------ocoo-ocff S'3 ---------odoo-ooff Sli --------oeco-oeff SIS -------ofco-offf Slika 13.: Dekoder MC 74 HC ir.4 za cJekodiran je 16 izbirnih linij 10. DEKODIRANJE NASLOVOV Dekodiranje naslovov je naslednja važna funkcija, ki se u-porablja pri vseh mikroprocesorskih sistemih. Uekodira- lini, komunicirajo z ostalimi napravami (pomnilniki, periferijo, itd. ) tako, da jih obravnavajo kot ločeno pomnilno lokacijo, To so pomnilmško organizirane vhodno-izhod- 38 Address/Data Bus A12 AI A10 A9 A8 CS1 Y0 č§2 Y1 C Y2 8 Y3 A Y4 Y5 Y6 CS3 Y7 ± Cf AS DS_ R/W IRQ RESET Slika 14. : Dekoder MC 74 HC 138 uporabljen za dekodiranje v CMOS sistemu 80 87 MPU Write BO 87 MPU Read O—»■ 2 '0 _ !w J — - rr\ « R) > —, h-©-- -©- —* M ,0Cx> > © m - m - (S) Oj © —>■ tXM Vaiid Addr 'Si. ÖÖÖOCOS Wfilf- Diita BÖ0G —> -a—(Ts )©— ©—* k> [-< 0—1► k- ^- _—^ L — Valid Add-p'.s t- wm«! R- .i'} D.JI.I r -i- -i »VH,gh = 2 0 V. VLOw = 0 5 V for vDo = 3 V VH,gh = V0D - 2 0 V. VUow = 0 8 V fo' V00 - 6 V ; 10°. Bus Timing (Tß - T^ to T|-f. Vgg 0 VI Num Characteristics Symbol losc - 1 MHz VOD = 3.0V 50 pF Load lose = 6 MHz Vdd=50 V ± 10%, 1 TTl and 130 pF Load Unit Min Max Min Max 1 Cycle Time lcyc 6000 dc 1000 dc ns 2 Pulse Width, DS Low PWEL 2800 560 ns 3 Pulse Width, DS High PW[H 1800 - 375 - ns 4 Clock Transition l|. 'I 100 - 30 ns 8 R/W Hold tRWH 10 - 10 - ns 9 Non-Muxed Address Hold IAH u_800 - 100 - ns 11 R/W Delay Irom DS Fall 'AO 600 300 ns 16 Non-Muxed Address Delay Irom AS Rise tADH 0 200 0 100 ns 17 MPU Read Data Setup >DSR 200 - 116 . - ns 18 Read Data Hold inaa 0 1000 0 160 ns 19 MPU Data Delay, Wine 'DOW 0 - 120 ns 21 Write Data Hold 'DHW 800 - 55 - ns 23 Muxed Address Oelay Itom AS Rise 'BHD 0 260 0 120 ns 24 Muxed Address Valid to AS Fan 'ASI. 600 55 ns 25 Muxed Address Hold 'AH! 260 760 60 180 ns 26 Delay DS Fall to AS Rise 'ASD 800 - 160 - ns 27 Pulse Width, AS High P WAS H 860 175 - ns 28 Delay, AS Fall to DS Rise 'ASED 800 - 160 - ns Slika 15. : Časovne razmere na vodilu za MC 146 805 E2 39 ne enote. Mikroprocesor ne potrebuje nobenega specialnega vhodno-izhodnega ukaza. Ker je vsaka naprava obravnavana kot samostojna pomnilniška lokacija, mora imeti vsaka naprava svoj naslov. Za zagotovitev naslovov uporabimo naslovno dekodirno logiko, ki jo lahko tvorijo enostavna vrata ali posebni naslovni dekoderji, odvisno od tega, kaj želimo. 74 HC 154 dekodira signal štirih linij na signale šestnajst linij in izbere enega od šestnajstih izhodov, odvisno od stanja štirih vhodov (A, B, C, D) in omogočitvenih vhodov (CS1, CS2). Ta dekoder je fleksibilen in se uporablja za dekodiranje neabsolutnih naslovov za 16 naprav, kot kaže slika 13. Neabsolutno dekodiranje pomeni, da naprava, ki je naslovljena, odgovarja na različne naslove. Izbrani AH) AH A? DO 07 iBS R/W RESET Al AO E RAO PA1 PA2 PA3 PA4 PA5 PA6 PA7 00 D/ ¡RQÄ IRQB R/W RESET RS 1 RSO Enable CAI 3-State Control Clock Dalai From Keyboard Strobe - From Keyboard Slika 16. : Uporaba integriranega vezja MC 74 HC 374 z osmimi pomnilnimi celicami D-tipa za vhodna vrata MC54HC374*MC74HC374 Octal D-Type Flip-Flop. Noninverting Output Vcc 08 D8 07 07 06 06 05 05 Clock MC54HC534 Octal D-Type Flip-Flop, Inverting Output Vcc SB D8 D7 (57 06 D6 06 06 Clock 9 10 04 GND 3-Stflte Control Latch Control D Output 3-State Control Uteh Control D Output L _J- H H L _j- H L L L L L _J L H L l X no L L X no change change H X X 2 H X X Z X = don't care Z = high impedance X = don't care 2= high impedance Slika 17.: Razporeditev priključkov in pravilnostni tabeli za MC 74 HC 374/534 integrirani vezji z osmimi pomnilnimi celicami D-tipa Dve zelo uporabljivi vezji za dekodiranje sta MC 74 HC 138 in MC 74 HC 154. Razporeditev priključkov in pravilnostni tabeli za ta dva dekoderja prikazuje slika 12. 74 HC 138 dekodira signal treh linij na signale osmih linij in izbere enega od osmih izhodov, odvisno od stanja treh vhodov (A, B, C) in treh krmilnih vhodov (CS1, CS2, CS3 ). izhod je v nizkem stanju, medtem ko je preostalih petnajst izhodov v visokem stanju. Slika 14 kaže primer dekodiranja naslovov z dekoderjem MC 74 HC 138 v CMOS mikroprocesorskem sistemu, kjer dekodira naslove mikroprocesorja MC 146 805 E2 za uro realnega časa MC 146 818. Ta sistem zahteva hitro deko- 40 diranje, ker je čas, ki je na razpolago za dekodiranje, pri 1 MHz taktu na vodilu kratek. Slika 15 kaže časovni diagram za vodilo CMOS mikroprocesorja MC 146 805 E2. Čas, ki je na razpolago za deko- večino dekodirnih shem. Za takt 1 MHz na vodilu je na razpolago za dekodiranje 25 ns. To sta najbolj neugodni vrednosti. Običajna zakasnitev prevajanja za dekoder 74 HC 138 je samo 20 ns in lahko zagotovi zadosti časa za primer, ki ga kaže slika 14. NOTE: MCM65114 is 8 1024 x 4 Bit CMOS Sialic RAM. The four RAMs are configured lo provide a memory size of 2048 x 8 bus. Slika 18. : Uporaba pomnilnega integriranega vezja MC 74 HC 373 za pomnjenje nizkih naslovov podatkovnega vodila mikroprocesorja 146 805 E2 1 .itch i atch | 7 3-Stale 01 01 Control MC54HC373-MC74HC373 Octal D-Type Transparent Latch, Noninverimg Output 3-S tale Control MC54HC533*MC74HC533 Octal D-Type Transparent Latch, Inverting Output 3-State Control Latch Control D Output 3State Control Latch Control D Output l H H H L H H L 1. H t L L H L H L t X no L L X no change change H X X 2 H X X Z X = don't care Z - high impedance X = don'l care Z = high impedance Slika 19.: Razporeditev priključkov in pravilnostni tabeli za MC 74 HC 373/533 transparentna zapaha D-tipa diranje naslovov, lahko izračunamo z naslednjo formulo: T, , = tf 27 - #26 - :// 24 (periferni) dele Za takt 200 kHz na vodilu je na razpolago skupaj 600 ns (850 ns - 200 ns - 50 ns) , kar je več kot zadosten čas za 11. ZAPAHOVANJE PODATKOV Tretja važna funkcija mikroprocesorskih sistemov je za-pakovanje informacij: tako naslovov in podatkov kot krmilnih informacij, ki jih je potrebno zadržati, dokler perifer- 41 na naprava ali mikroprocesor nista pripravljena za prevzem teh informacij. Zapahi in pomnilne celice se uporabljajo v mikroprocesorskih sistemih za različna pomnjenja. Uporabljajo se za vhodna in izhodna vrata, za pomnjenje naslovov, ali za povezavo asinhronskega vodila s sinhronskim. Slika 16 kaže primer uporabe 8-bitnega pomnilnega vezja D-tipa MC 74 HC 374/534, ki pomni vhodne podatke iz dekodira-ne tastature, preden jih sprejme PIA (Peripheral Interface Adapter) , ker PIA nima vhodnih pomnilnih celic. Aktivni nizki nivo linije STROBE omogoča zapis podatkov preko krmilnega priključka CA1 na vhodu PIA. Slika 17 kaže razporeditev kontaktov in pravilnostni tabeli za 74 HC 374 (neinvertirajoč i) in 74 HC 534 (invertirajoče) integrirani vezji z osmimi pomnilnimi celicami. Pri teh pomnilnih celicah se podatki prenesejo na izhod ob prvi fronti urinega signala. Krmilni signal za dosego treh stanj ne vpliva na stanje pomnilnih celic. Če je ta krmilni signal v visokem stanju, so izhodi v visokem impedančnem stanju tako, da se informacija lahko pomni celo takrat, kadar naprava ni izbrana. Slika 18 kaže primer uporabe integriranega vezja MC 74 HC 373 z osmimi pomnilnimi celicami, ki se uporabljajo za pomnjenje nizkih naslovov multipleksiranega podatkovnega/naslovnega vodila mikroprocesorja 146 805 E2, ki je povezan s statičnim RAM pomnilnikom. AS (address strobe) mikroprocesorjeva linija se uporablja za signaliziranje prisotnosti naslovov na multipleksiranem vodilu in za demultipleksiranje nizkega naslovnega byta s podatkovnega vodila. AS linije krmili pomnilno vezje, ki pomni naslovni byte ob nastopu zadnje fronte AS signala. Razporeditev priključkov in pravilnostni tabeli za MC 74 HC 373/533 prikazuje slika 19. Pomnilne celice v teh integriranih vezjih so transparentne, kar pomeni, da so propustne za podatke in za izhode oziroma da se podatki menjajo asinhronsko, kadar je krmilni signal za zapakovanje v visokem stanju. Če je ta krmilni signal v visokem stanju, se nahajajo v celicah podatki, ki so bili na vhodu ob času zapisa. Krmilni priključek za zapakovanje deluje enako kot pri MC 74 HC 374/534 pomnilnih vezjih D-tipa. Glede na časovni diagram na sliki 15 so naslovi mikroprocesorja MC 146 805 E2 definirani tako, da so veljavni pred zadnjo fronto krmilnega signala s časom #24, ki je pri tem mikroprocesorju 55 ns. To je zadosten čas, ki o-mogoča ujetje naslova s 74 HC 373. Vsa ta vezja imajo maksimalno prevajalno zakasnitev 30 ns, kar pomeni, da so dovolj hitra za večino uporab. 12. ZAKLJUČEK Hitra CMOS vezja nudijo načrtovalcem dobro izbiro za zadovoljitev potreb pri povezovanju digitalnih logičnih vezij in naprav. Načrtovalci bodo uporabljali ta vezja predvsem v svojih NMOS mikroprocesorskih sistemih namesto LSTTL vezij zaradi izboljšanja občutljivosti na motnje in zaradi zmanjšanja potrošnje energije. HSCMOS vezja lahko kr- HC173 4-Bit D Type Register. 3-Slate HC240 Octal Buffer/Lme Driver/Line Receiver, 3-State, Inverting Output HC241 Octal 8ulfef'Line Dover/line Receiver. 3-State HC242 Quad Bus Transceiver, 3 State, fnvertmg Output HC243 Quad 8us Transceiver, 3-State HC244 Octal Buffer/Line Driver/Line Receiver, 3-State HC245 Octal Bus Transceiver, 3 State HC257 Quad 2-lnput Data Selector/Multiplexer. 3-State HC373 Octal D-Type Transparent Latch, 3-State HC374 Octal D-Type Flip-Flop. 3-State HC533 Octal D-Type Transparent Latch, 3-State, Inverting Output HC534 Octal D-Type Flip-FLop, 3-State, inverting Output HC646 Octal Bus Transceiver and Register, 3-State HC648 Octal 8us Transceiver and Register, 3-State a. CMOS Input Compatible Interface Circuits MC54/74HCT245 MC54/74HCT573 MC54/74HCT574 MC54/74HCT576 MC54/74HCT580 MC54/74HCT640 Octal Three-State Transceiver Non-Inverting Three-State Octal Latch Non-Inverting Three-State Octal Flip-Flop Inverting Three-State Octal Latch Inverting Three-State Octal Flip-FLop Octal Inverting Three-State Transceiver ti. TTL Input Compatibls CMOS Interface Circuits Tabela 8. : Za vodila kompatibilna vezja v hitri CMOS tehnologiji milijo več kapacitivnosti kot običajna CMOS vezja, kar o-mogoča večjo kompatibilnost HSCMOS vezij z NMOS mikroprocesorskimi sistemi. Načrtovalec mora upoštevati, da se uporabljajo pri prevajanju signalov od NMOS vezij k HSCMOS vezjem pripenjalni upori, razen če se seveda ne uporabljajo vezja HCT serije, ki imajo TTL kompatibil-ne vhodne nivoje. Ta vezja so idealno uporabljiva v CMOS mikroprocesorskih sistemih, kjer so se prej uporabljala zaradi hitrosti LSTTL vezja. Ta vezja so direktno kompatibilna s CMOS vezji in so zadosti hitra za dekodiranje naslovov, zapakovanje in ojačevanje. Na ta način je možno izdelati mikroprocesorske CMOS sisteme, ki se uporabljajo tam, kjer se zahteva nizka poraba energije in velika odpornost proti motnjam. Obstajajo tudi druga integrirana vezja hitre CMOS logike, ki niso bila omenjena v tem opisu. Ta vezja so navedena v tabeli 8. Iz angleščine prevedel: Alojzij Keber, dipl.ing. MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 42 NOVOSTI IZ SVIJETA Miroslav Turina Japan Slabija potražnja poluvodičkih elemenata zabilježena Sirom svijeta prisilila je vodeče japanske proizvodjače da smanje investicije u proizvodnu opremu i nove zgrade. Redakcija INFORMACIJE MIDEM zabilježila je neke od informacija o tome smatrajuči da če biti interesantne za čitaoce. Podaci se odnose na poslovnu godinu 1985, koja u Japanu završava 31. marta. Firma FUJITSU utrošila je na investicije u poluvodički sektor 250 miliona dolara, planirali su utrošak od 418 miliona. Tako je uloženo 40 % manje od planiranog iznosa odnosno 54 % manje nego predhodne poslovne godine. U HITACHI-ju utrošeno je na investicije u poluvodičku proizvodnju 375 miliona dolara što je 30 % manje od plani-' ranog iznosa, a istovremeno 30 % manje nego predhodne godine. TOSHIBA je revidirala plan investicija od 500 na 400 miliona dolara, što je smanjenje od 35 % u odnosu na sredstva utrošena 1984. poslovne godine. Osim smanjenja investicija japanske firme smanjile su i proizvodnju poluvodiča 1985. godine. Tako na primjer smanjenje proizvodnje kod HITACHI-ja iznosi 20 %, kod TOSHIBE 23 %. U području elektroničke industrije Japan, slično kao i u nekim drugim industrijskim područjima, ostvaruje veliki izvoz u SAD uz istovremeno zanemariv uvoz iz SAD. Ovo stvara političke probleme izmedju dviju zemalja. U cilju izbjegavanja državnih intervencija Electronic Industries Association of Japan (EIAJ) i American Electronics Association (AEA) suglasile su se da osnuju zajednički radni komitet, koji bi trebao pomoči u pronalaženju načina za olakšanje uvoza američkih elektroničkih proizvoda u Japan. Več duže vremena pojedine japanske poluvodičke firme i-maju u SAD svoje pogone za montažu poluvodičkih kompo-nenata. Sada vodeči japanski proizvodjači poluvodiča pri-premaju u SAD kompletnu proizvodnju (proces+montaža i testiranje). HITACHI če ove godine započeti kompletnu proizvodnju 256K DRAM u količini od 800 000 jedinica mjesečno. NEC več proizvodi 64K i 256K statičku RAM. Planiraju povečati mjesečnu proizvodnju na milion komada 64K i 2 miliona komada 256K čipova. Oki Electric planira započeti proizvodnju 256K DRAM. Svi glavni japanski proizvodjači poluvodiča uskoro če i-mati u SAD integriranu proizvodnju LSI sklopova. Japanska poduzeča aktivna su i u drugim oblicima medju-narodnih aktivnosti. Tako na primjer Oki Electric iz Tokia snabdjeo je poluvodički sektor kompanije Thomson-CSF dokumentacijo m za proizvodnju 64K i 256K DRAM. Mitshubishi Electric, Tokio, Westinghaus i General Electric SAD postigli su dogovor o osnivanju zajedničkog poduzeča za proizvodnju i prodaju energetskih poluvodičkih komponenata u SAD. U novome poduzeču Westinghous i General Electric imati če po 45 % udjela, a ostatak od 10% pripada Japancima. Postoječa tvornica Westinghous-a u Porto Riku i Francuskoj i General Electric-ova tvornica u SAD postaju dijelovi novoga poduzeča. Iako smanjuju investicijska ulaganja japanske firme ne smanjuju ulaganja u istraživanje i razvoj. Na primjer NEC je u poslovnoj 1985. godini udvostručio izdatke za istraživanje i razvoj. Utrošeno je 83 miliona dolara s osnovnim ciljem skračenja vremena razvoja nove generacije VLSI sklopova (32 bitovni mikroprocesor, 4M DRAM, galijar-senid integrirani sklopovi i t.d.). U firmi Fujitsu razvijen je "resonant tunneling hot elec-tron" tranzistor. Tvrde da je to prvi tranzistor te vrste u svijetu, koji če eventualno postiči brzinu prebacivanja od 1 piko sekunde. To je brže od elemenata zasnovanih na Jo-sephson efektu. Trebati če više od 10 godina da ovaj tranzistor udje u praktičku upotrebu. Neki podaci o proizvodnji silicija Proizvodni ¡a Monokristal - prodaja Godina Foli- kristal Ignoti Mono-kristal Ignoti Domača prodaja Izvoz tona tona tona tona 106g 1982. 590 537 414 77 32,3 1983. 649 778 636 91 40,3 1984. 913 1163 1052 135 62,6 1985. 1500 1200 1100 100 47 Podaci se odnose na Japan 43 NKK (Nippon kokanKK) , Tokio drugi največi proizvodjač čelika u Japanu kupiti če General Electric-ovu tvornicu silicija u Chandler-u u SAD za 16 miliona dolara. Tvornica ce u cijelosti biti vlasništvo NKK. Tvornica ima godišnji kapacitet proizvodnje od 200 tona polikristala silicija. NKK planira izgraditi drugu tvornicu silicija u Japanu kroz nekoliko idučih godina sa proizvodnim kapacitetam od 1000 tona godišnje. Prikupio i uredio: Miroslav Turina, dipl.ing. MI DEM, Titova 50, 61000 Ljubljana RAZVOJ IN PROIZVODNJA DOMAČIH MATERIALOV ZA ELEKTRONIKO Varužan Kevorkijan, Milan Slokan Pod tem naslovom organizira komisija za materiale SSESD dne 13. maja 1986, dan pred pričetkom posvetovanja MIEL 86, v hotelu Jugoslavija v Beogradu, posebno o-kroglo mizo z naslednjim dnevnim redom: 15.00 Otvoritev in uvodna beseda predsednika komisije 15.15 Prikaz problematike elektronskih materialov - s strani domače elektronske industrije, - s strani domačih proizvajalcev materialov in raziskovalnih organizacij, - s strani standardizacije in analitskih metod 16.30 Predlog komisije za materiale SSESD za razpravo o akcijah za hitrejše in uspešnejše osvajanje domačih materialov za elektronsko industrijo 16.45 Odmor in prikaz posterjev raziskovalcev in proizvajalcev materialov 17.45 Razprava 19.00 Zaključek Okrogla miza je prva večja akcija komisije za materiale SSESD po izidu Študije o možnostih nadomeščanja uvoznih materialov za elektronsko in elektroindustrijo SFRJ, ki je izšla leta 1984. Osnovni namen okrogle mize je izmenjava informacij ter dogovor vseh prizadetih o nadaljnjem skupnem delu na strategiji in realizaciji osvajanja domačih materialov za elektroniko. Na okroglo mizo smo povabili predstavnike naše elektronske industrije in njihovih združenj, predstavnike sedanjih in potencialnih proizvajalcev vseh materialov, ki ustrezajo specifičnim zahtevam za uporabo v elektroniki ter predstavnike inštitutov, fakultet in JNA, ki delujejo na tem področju. Kot kaže dnevni red, smo v odmoru okrogle mize predvideli posterje, na katerih bodo prikazani domači materiali za elektroniko (raziskovalni in proizvodni dosežki), da bomo tako omogočili neposreden stik ponudnikov in uporabnikov. Pod ovim nazivom organizira komisija za materijale MIDEM 13. maja 1986, dan pred početak savetovanja MIEL 86, u hotelu Jugoslavija u Beogradu, poseban okru-gli sto sa sledečim dnevnim, redom: 15.00 Otvaranje i uvodna reč predsednika komisije 15.15 Prikaz problematike elektronskih materijala - sa aspekta domače elektronske industrije - sa aspekta domačih proizvodjača materijala i istraživačkih organizacija, - sa aspekta standardizacije i analitičkih metoda, 16.30 Predlog komisije za materijale MIDEM o akcijama za brže i efikasnije osvajanje domačih materijala za elektronsku industriju 16.45 Odmor i prikaz postera istraživačkih organizacija i proizvodjača materijala 17.45 Diskusija 19.00 Zaključak Okrugli sto je prva veča akcija komisije za materijale MIDEM nakon objavljivanja študije 1984 o mogučnostima substitucije uvoznih materijala za elektronsku i elektro industriju SFRJ. Osnovni cilj okruglog stola je izmena informacija i dogovor svih prisutnih o daljem zajedničkom radu na strategiji i realizaciji osvajanja domačih materijala za elektroni-ku. Na okrugli sto pozvali smo predstavnike naše elektronske industrije i njihovih udruženja, predstavnike sadaš-njih i potencijalnih proizvodjača materijala (koji odgova-raju specifičnim zahtevima za primenu u elektronici) i predstavnike instituta, fakulteta i JNA, koji su angažova-ni na tom području. Kao što se iz dnevnog reda vidi, u pauzi okruglog stola smo predvideli postere, na kojima če biti prikazani domači materijali za elektroniku (rezultati istraživanja i iskustva iz proizvodnje) , kako bi na taj način omogučili neposredan kontakt proizvodjača i korisnika. 44 Organizatorji menijo, da bo okrogla miza dosegla svoj namen, če bodo prisotni predstavniki vseh kategorij prizadetih, ki bodo bodisi v kratkih poročilih ali pa v razpravi in na posterjih analizirali tehnološko-ekonomske možnosti, potrebe in problematiko ter predlagali načine za čim bolj povezan programski in organizacijski pristop k boljši domači preskrbi z materiali za elektroniko. Izražena stališča, informacije in predlogi naj bi torej služili za: - boljši bodoči medsebojni stik ponudnikov in uporabnikov, - strokovno in ekonomsko povezovanje ter tržno podprto planiranje osvajanja domačih materialov za elektroniko - zaključke okrogle mize, v katerih naj bi opredelili vsebino in pogoje dela komisije za materiale pri SSESD (o-ziroma pri bodočem MIDEM - Strokovnemu društvu za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale v okviru ETAN-a) ter realizacijo nujnih neposrednih nalog. Vabimo vse naše člane in druge strokovnjake ter njihove delovne organizacije s področja proizvodnje in uporabe materialov za elektroniko, da se aktivno vključijo v okroglo mizo, bodisi s kratko informacijo v uvodnem delu ali v razpravi, bodisi s posterjem, pa tudi s konkretnimi predlogi za večjo uveljavitev domačega znanja tudi na področju materialov za elektroniko. Organizatorji okrogle mize so razposlali na znane naslove že okrog 100 posebnih vabil za kratka poročila, posterje in prijave k razpravi. Okrogla miza o materialih za elektroniko (in mikroelektroniko) bo verjetno zanimala tudi vse udeležence posvetovanja MIEL 86, zato so organizatorji to prireditev časovno predvideli za popoldne pred otvoritvijo MIEL-a. Mag. Milan Slokan MIDEM, Titova 50 61000 Ljubljana Organizatori su mišljenja da če okrugli sto postiči svoj cilj ukoliko budu prisutni predstavnici svih pomenutih kategorija, koji če ili u kratkim referatima ili u raspravi i na posterima analizirati tehnološko-ekonomske mogučno-sti potrebe i problematiku i predlagati rešenja za što po-vezaniji programski i organizacijski pristup kvalitetnijem snabdevanju domačeg tržišta materijalima za elektroniku. Izrečena stanovišta, informacije i predloži služili bi da-kle: - za bolji buduči medjusobni kontakt proizvodjača i koris-nika materijala, - zn stručno i ekonomsko povezivanje i tržišno planiranje osvajanja domačih materijala za elektroniku, kao i - za zaključke okruglog stola, u kojima bi odredili sadržaj i vidokrug rada komisije za materijale kod MIDEM -Stručnom društvu za mikroelektroniku, elektronske sa-stavne delove i materijale i realizaciju najnužnijih neposrednih zadataka. Pozivamo sve članove i ostale stručnjake kao i njihove ra-dne organizacije sa područja proizvodnje i upotrebe materijala za elektroniku, da se aktivno uključe u okrugli sto, bilo sa kratkom informacijom u uvodnom delu ili u raspravi, bilo sa posterima, kao i konkretnim predlozima za ve-če iskoriščenje domačeg znanja na području materijala za elektroniku. Organizatori okruglog stola su poslali oko 100 poziva za kratke referate, postore i diskusiju. Okrugli sto o materijalima za elektroniku (i mikroelektroniku) če verovatno zanimati i sve učesnike savetovanja MIEL 86, zato su ga njegovi organizatori vremenski predvideli za popodne pred otvaranjem MIEL 86. Mr. Varužan Kevorkijan Institut Jožef Štefan, Jamova 39, 61000 Ljubljana PROGRAM XIV. JUGOSLOVENSKOG SAVETOVANJA O MIKROELEKTRONICI MIEL-86 XIV. Jugoslovansko posvetovanje o mikroelektroniki z mednarodno udeležbo, predstavlja tradicionalni sestanek strokovnjakov s področja mikroeloktronikc /, namenom boljšega spoznavanja dosežkov in izmenjavo izkušenj med strokovnjaki zapada in vzhoda, juga in severa Evrope. XIV jugoslovensko savetovanje o mikroelektronici sa medjunarodnim učeščem predstavlja več tradicionalni sastanak stručnjaka s područja mikroelektronike s nam-jenom boljeg upoznavanja s domačim i medjunarodnim do-stignučima, te razmenom iskustava izmedju stručnjaka kako iz Jugoslavije, tako i iz drugih zemalja. 45 SPLOŠNE INFORMACIJE Posvetovanje se bo odvijalo v prostorih hotela "Jugoslavija" v Beogradu od 14. do 16. maja 1986 in ga bo v sredo, 14. maja ob 09. uri uradno odprl predstavnik SR Srbije. Konča se v petek, 16. maja ob 19. uri. Uradni jeziki posvetovanja so vsi jeziki jugoslovanskih narodov in angleški. Domači referati bodo simultano prevajam v angleščino, v kolikor jih referenti ne bodo podali v angleščini. Ob posvetovanju bo tudi razstava proizvodov jugoslovanskih proizvajalcev s področja mikroelektronike. V torek, 13. maja ob 15. uri organizira Komisija za materiale pri SSESD-MIDEM v prostorih hotela "Jugoslavija" v Beogradu - ob prikazovanju manjšega števila posterjev -okroglo mizo na temo: RAZVOJ IN PROIZVODNJA DOMAČIH MATERIALOV ZA ELEKTRONIKO Vse udeležence posvetovanja vabimo k sodelovanju! KOTIZACIJA Kotizacija za udeležbo na XIV. Jugoslovanskem posvetovanju o mikroelektroniki znaša: za člane SSESD-MIDEM din 10.000 za vse ostale din 12.000 Kotizacija vključuje Zbornik referatov, ki ga boste lahko prejeli ob registraciji v recepciji posvetovanja v hotelu "Jugoslavija", ki bo odprta v torek, 13. maja od 14. do 18. ure, ostale dneve pa od 08. do 18. ure. Prosimo vas, da kotizacijo vplačate: Elektrotehniška zveza Slovenije za MIEL, 61000 Ljubljana, Titova 50, številka računa: 50101-678-48748. DRUŽABNI PROGRAM Vse udeležence posvetovanja vabimo na sprejem , ki bo v sredo ob 19.30 v prostorih hotela "Jugoslavija" v Beogradu. V četrtek, 15. maja ob 20. uri bo v hotelu "Jugoslavija" skupna večerja. Za vse udeležence z vplačano kotizacijo je večerja brezplačna. OPŠTE INFORMACIJE Savetovanje če se održati u prostorijama hotela "Jugoslavija" u Beogradu od 14. do 16. maja 1986. godine. Savetovanje če predstavnik SR Srbije zvanično otvoriti u sre-du, 14. maja u 09 sati. Zatvara se u petak, 16« majs u 19 sati. Službeni jezici su svi jezici naroda Jugoslavije i engleski jezik. Domači referati biče simultano prevodjeni na engle-ski jezik, ukoliko ih referenti ne održe na engleskom. Savetovanje prati i izložba proizvoda domačih proizvodja-ča sa područja mikroelektronike. U utorak, 13. maja u 15 sati organizuje Komisija za ma-terijale SSESD-MIDEM u prostorijama hotela "Jugoslavija" u Beogradu okrugli sto - uz prikazivanje manjeg broja postera - na temu: RAZVOJ I PROIZVODNJA DOMAČIH MATERI J ALA ZA ELEKTRONI KU. Sve učesnike savetovanja pozivamo na taj okrugli sto! KOTIZACIJA Kotizacija za učešče na XIV. Jugoslovenskom savetova-nju o mikroelektronici iznosi: Za članove SSESD-MIDEM din 10.000 Za sve ostale din 12.000 Uz uplačenu kotizaciju dobičete i Zbornik referata prili-kom registracije na recepciji u hotelu "Jugoslavija", koja če raditi u utorak 13. maja od 14 do 18 casova, a ostale dane od 08 do 18 sati. Molimo vas da kotizaciju uplatite na žiro račun: Elektrotehniška zveza Slovenije - MIEL, 61000 Ljubljana, Titova 50, broj računa: 50101-678-48748. DRUŠTVENI PROGRAM Za sve učesnike savetovanja održače se prijem u sredu, 14. maja u 19.30 u prostorijama hotela "Jugoslavija". U četvrtak, 16. maja u 20 sati organizovače se zajednička večera u prostorijama hotela "Jugoslavija". Za sve učesnike sa plačenom kotizacijom , večera je bezplatna. DAN DAY SALA HALL PREPODNE MORNING SEKCIJA SESSION POPODNE AFTERNOON SEKCIJA SESSION SREDA WEDNESDAY 14.05 A 09:30-10:00 OTVARANJE KONFERENC IJE OPENING OF THE CONFERENCE 14:30-15:30 MOLEKULARNA ELEKTRONIKA MOLECULAR ELECTRONICS 10:45-12:45 HIBRIDI HYBRIDS 15:45-18.00 TEHNOLOGIJA 1 IN 2 TECHNOLOGY 1 AND 2 B 10:45-12.45 PROJEKTOVANJE MONOLITNIH KOLA1 DESIGN OF MONOLITI C IC 1 15:45-17.00 MOLEKULARNA ELEKTRONIKA MOLECULAR ELECTRONICS 17:15-18:15 TEHNOLOGIJA MONOLITNIH KOLA TECHNOLOGY OF MONOLITIC IC CETVRTAK THURSDAY 15.05 A 08:30-09:30 MATERIALI MATERIALS 14:30 SIGHT SEEING OF BEOGRAD 09:30-12:45 SENZORI SENSORS 15:00 GODIŠNJA SKUPŠTINA SSESD B 11:00-12:45 MATERIJALI/FIZIKA MATER IALS/PH YSICS 15:30 O PC A SKUPŠTINA MIDEM 20:00 KONFERENČNA VEČERA CONFERENCE DINNER PETEK FRIDAY 16.05 A 08:30-09:30 POVRŠINSKI ELEMENTI SAW DEVICES 14:30-71:30 MIKROTALASNI ELEMENTI MICROWAVE DEVICES 09:45-12:30 PRO JEKTO VANJE MONOLIT. KOLA 2 DESIGN OF MONOLITIC IC 2 18:00 ZAKLJUCAK SAVETOVANJA CONFERENCE CLOSING B 09:45-11:15 POVRSINSKI ELEMENTI SAW DEVICES 15:45-17:30 ZAKASNELI REFERATI LATE PAPER 11:30-12:30 ZAKASNELI REFERATI LATE PAPER' 46 Sreda, 14. maj Wednesday, May 14 th Sala Hall 09:30 Otvaranje: Opening: Predsednik: President: Pozdravni govori: Wellcome adress: Otvaranje savetovanja: Confrence opening: V . Pant ovic EI-IRI, Zemun R .Ročak,predsednikSSESD President of SSESD D .Jovanovič, sekretar Komiteta za energetiku in i industriju SR Srbije Secretary of Committee for E nergetics and Industry of SR Serbia 12:15 O.S.Aleksič, P.M.Nikolič , D . M .Todorovič, B.S.Ignjatov,++D.M.Grbič, Institut bezbednosti, +Univerzitet Beograd ^I VF hibridna mikroelektro-nika, Zemun PRIMENA EGET MODELA ZA PRORAČUN j-OTPORNIKA U DEBELOM FILMU APPLICATION OF THE EGET MODEL FOR THE CALCULATION THICK FILM J-RESISTORS 12:30 A.Dziedic, L.Golonka,, P.Mielecki, T .Nowakowski+, Technical University, University of Wroclaw,Wroclaw MOLYBDENUM THICK FILM RESISTORS RUČAK LUNCH Sekcija: Molekularna elektronika Session: Molecular electronics Pódela priznanja Awards Odmor Break Sekcija: Hibridi Session: Hybrids Predsednik: C hairman: Lj .Pesic 10:45 M.Tomic, D.Jovanovič, V.Pantič, M.Radulovič EI Razvojno istraživački institut, Beograd OSOBINEOTPORNIH SASTAVA IZ DOMAČEG RA ZVOJA THE DOMESTIC DEVELOPMENT THICK FILM RESISTOR COMPOSITION 11:00 R.Čirič ,G .Vuksan-Ljuština, EI ROT, Zemun D.Jovanovič, N.Lekovič, EI IRI OOUR Beta, Zemun UTICAJ RAZNIH TIPOVA ZAŠTITE NA OSOBINE DEBELOSLOJNIH OTPORNIKA INFLUENCE DIFFERENT TYPES PROTECTION AT THICK FILM RESISTORS PROPERTIES 11:15 M.Hrovat, Institut J .Stefan, Ljubljana F.Jan, Iskra TOZD H1POT, Šentjernej RAZVOJ LASTNOSTI DEBELOPLASTNIH UPOROVNIH MATERIALOV MED PROCESOM ŽGANJA THE DEVELOPMENT OF THICK FILM RESISTOR MA -TERIALS "CHARACTERISTICS" DURING FIRING PROCESS 11:30 Lj .Pešič , A.Neškovič, S.Damjanov, Institut Mihajlo Pupin, Beograd UTICAJ DEBELJINE DEBELOSLOJNIH OTPORNIKA NJIHOVE ELEKTRIČNE OSOBINE NA INFLUENCE OF THICKNESS OF THICK FILM RESISTORS ON THEIR ELECTRICAL CHARACTERISTICS 11:45 ODMOR BREAK 12:00 M .Hrovat, Institut J .Stefan, Ljubljana F.Jan, D.Belavič, S.Maček, Iskra HIPOT, Šentjernej PREISKAVE MATERIALOV ZA DVOPLASTNA HIBRIDNA DE3ELOPLASTNA VEZJA INVESTIGATION OF MATERIALS FOR TWO LAYER THICK FILM CIRCUITS Dj.Koruga Predsednik: Chairman: 14:30 UVODNI REFERAT INVITED PAPER F.L.Carter, Cabin John, USA CHALLENGERS OF MOLECULAR ELECTRONICS 15:30 ODMOR BREAK Sekcija: Tehnologija 1 Session: Technology 1 Predsedni: Chairman: F .Jan 15:45 M.Mazalica, R.Cajavec, ROPE, Banjaluka KOMPARATIV NA A NA LI ZA POUZDANOSTI HIBRIDNIH MIKROELEKTRONSKIH KOLA REALIZOVANIH RAZLI-ČITIM NAČINIMA INKAPSULACIJE COMPARATIVE ANALYSIS OF THE HYBRID MICROELECTRONIC CIRCUITS REALIABILITY REALIZED WITH DIFFERENT TECHNOLOGIES AND DIFFERENT ENCAPSULATION 16:00 D.Ročak, Institut J .Stefan, D.Belavič, F, Jan. Iskra IEZE HIPOT, Šentjernej VPLIV ZAŠČITE NA ZANESLJIVOST POVEZAVE Z ZLATO ŽICO NA DEBELOPLASTNIH PREVODNIH MATERIALIH THE INFLUENCE OF PLASTIC COATING ON THE RELIABILITY OF GOLD WIRE BONDS ON THICK FILM GOLD CONDUCTORS 16:15 M .Marjanovic , M.Mazalica, N.Gošovič, R.Čajavec, RO PE, Banja Luka REZULTATI KVALIFIKACIONIH ISPITIVANJA HER-METIČKI PA KOVANIH TANKOSLOJNIH OTPORNIKA RESULTS OF QUALIFICATION INSPECTION OF THE HERMETIC SEALED THIN FILM RESISTORS 16:30 S.Muštra, RIZ-KOMEL,OOUR TP, Zagreb TEORETSKI BROJ DOBRIH ČIPOVA PO PLOČICI THEORETICAL NUMBER OF USABLE CHIPS PER SLICE 16:45 ODMOR BREAK 47 Sekcija: Tehnologija 2 Session: Technology 2 Predsednik: Chairman: J .Furlan 17:00 I.Gložinič, B.Mestnik, J.Radja, R,Sinovčevic, RIZ KOMEL OOUR Tvornica PV, Zagreb USPOREDBA POUZDANOSTI POLUVODIČKIH ELE-MENATA SA SLOJEM ORGANSKOG I ANORGANS-KOG DIELEKTRIKA THE RELIABILITY OF SEMICONDUCTORS COMPERED TO THE ORGANIC OR INORGANIC DIELECTRIC LAYER 17: 15 M.Pej ovic , S .Golubovic , Elektronski fakultet Nis M. Milj kovic, RO EI-Poluprovodnic , Niš DEFEKTI U SiO NASTALI TOKOM JONSKOG NAGRIZANJA DEMAGE IN Si02 INDUCED BY IONE ETCHING 17:30 H.U.Schreiber, Ruhr-Universität, Bochum B .Pesic , Lj .Živkovič , Elektronski fakultet Niš INVESTIGATION OF ELECTROMIGRATION INTERFACE EFFECTS IN TiN-Al(l%Cu) METALIZATION 17:45 M.Muževič, RIZ-KOMEL OOUR TPV, Zagreb UTJECAJ DIFUZIJE ZLATA NA NABOJE MOS STRUKTURE INFLUENCE OF GOLD DIFFUSION ON MOS STRUCTURES CHARGES 19:30 PRIJEM COCKTAIL Sreda, 14. maj Wednesday, May, 14 th Sala Hall B 12:00 S.Ožbolt, L.Trontelj, J .Trontelj, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana OSNOVNI GRADBENI BLOKI ZA ZELO OBŠIRNA INTEGRIRANA NMOS VEZJA BASIC BUILDING BLOCKS FOR NMOS VLSI CIRCUITS 12:15 S.Garué, L.Silvestri, P.Zorzoli, SGS Microelettronica Settimo Milanes ZODIAC - A COMPREHENSIVE A NA LOG/DIGITA L DESIGN METHODOLOGY 12:30 M .Profirescu,Polytechnical Institut, Bucharest SIMULATION OF VLSI CIRCUITS RUČAK LUNCH Sekcija: Molekularna elektronika Session: Molecular electronics Predsednik: M .Slokan Chairman: Pregledni referat Review paper 15.45 M.Simovic, Lj .Dobrilovič , Institut B .Kidrič, Vinča POSSIBLE APPLICATION OF LANGMUIR - BLODGETT FILMS FOR SOME MICROEIECTRONICS PERFORMANCES Dj.Koruga, Maširiski fakultet Beograd MOLEKULARNA ELEKTRONIKA MOLECULAR ELECTRONICS 16:30 D.Rakovič, Elektrotehnički fakultet, Beograd L.A.Gribov, Institut GEOHI, Moskva POLIA CETILEN KAO MATERIJA L ZA MOLEKULARNE SOLITONSKE PREKIDAČE POLYACETYLENE AS A MATERIAL FOR MOLECULAR SOLITON SWITCHES 16:45 Dj.Koruga, Mašinski fakultet Beograd MIKROTUBULE KAO MOLEKULARNE MAŠINE MICROTUBULES AS MOLECULAR MACHINES Sekcija: Projektovanje monolitnih kola 1 Session: Design of monolitic IC 1 Predsednik: F .Runovc Chairman : 10:45 L.Silvestri, A.Grassi, E .Novarini SGS Microelettronica, Settimo Milanese PA REX - A BJT MODELLING INTEGRATED SYSTEM 11:00 D.Hercog, J .Trontelj, Fakulteta za elektrotehniko Ljubljana JEZIK ZA OPIS INTEGRIRANIH VEZIJ A LANGUAGE FOR INTEGRATED CIRCUITS DESCRIPTION 11: 15 A .Vodopivec, Iskra Mikroelektronika, Ljubljana GEOMETRICAL DATABASE EDITOR 11:30 D.Raič, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana KONCEPT SISTEMA ZA SIMBOLIČNO DOGRAJEVANJE IN SESTAVLJANJE INTEGRIRANIH VEZIJ SYMBOLIC UPGRADE AND LAYOUT OF INTEGRATED CIRCUITS 11:45 ODMOR BREAK 17:00 ODMOR BREAK Sekcija: Tehnologija monolitnih kola Session: Technology of monolitic IC P redsednik: z . Ždvič Chairman: 17: 15 M .Maček, Iskra Mikroelektronika, Ljubljana MONITORING OF ION IMPLANTATION 17:30 D .M.Petkovič, RO EI-Poluprovodnici, Niš UTICAJ PARAMETARA DEPOZICIJE FOSFORA IZ TEČ-NOG IZVORA NA OTPORNOST TANKIH SLOJEVA POLI-KRISTALNOG SILICIJUMA INFLUENCE OF PHOSPHOROUS DEPOSITION PARAMETERS FROM LIQUIDE SOURCE ON RESISTIVITY OF POLYCRI-STALLINE SILICON THIN LAYERS 17:45 R.Sinovčevič, RIZ KOMEL, OOUR TPV, Zagreb PROCES DEPOZICIJE I KARAKTERIZACIJA PLAZMA SILICIJ-NITRIDA DEPOSITION PROCESS AND CHARACTERISATION OF PLASMA SILICON-NITRIDE 48 18:00 F.Runovc, T.Jutraz, Iskra Mikroelektronika, Ljubljana CHARACTERIZATION OF MASK ALIGNERS BY A PHOTORESIST PROCESS SIMULATOR 19:30 PRIJEM COCKTAIL Četvrtak, 15. maj Thursday, May 15 th Sala Hall Sekcija: Materiali Session: Materials Predsednik : Chairman : 12:15 S. Kordic, Delft University of Technology, Delft THE FIRST SOLID-STATE THREE-DIMENSIONAL MAGNETIC-FIELD SENSOR 12:30 Ž. Lazič, M. Smiljanic, Z. Djuric, IHTMI , Beograd KAPACITI VNO-NAPONSKA ZAVISNOST LAVINSKIH FOTODIODA SA EFEKTOM PRODIRANJA CAPACITANCE-VOLTAGE DEPENDENCE OF SILICON REACHTHROUGH AVALANCHE PHOTO DIODES 12:45 M. Smiljanic, Z. Djuric, D. Lekovič*, Ž. Lazič, D. Jevtič^J. Matovič, Lj. Rajinac, IHTMI, Beograd, VTI , Beograd ANALIZA STRUJNO-NAPONSKIH KARAKTERISTIKA SILICIJUMSKIH PIN FOTODIODA U MRAKU ANALYSIS OF THE U-I CHARACTERISTICS OF NON-ILLUMINATED Si PIN PHOTODIODES R. Krcmar 13:00 08.30 UVODNI REFERAT INVITED PAPER P. Nikolič , D. Rakovič , Elektrotehnički fakultet Beograd NOVI POLUPROVODNIČKI MATERIALI RUCAK LUNCH Predsednik: Chairman: E. Pirtovšek Četvrtak, 15. maj Thursday, May 151 h Sala Z. Djuric 09.30 UVODNI REFERAT INVITED PAPER Z. Djuric, HTIM, Beograd POLUPROVODNIČKA OPTOELEKTRONIKA SE MIC ON DUC TO R OPTOELEC TRO NIC S 10:30 ODMOR BREAK Predsednik: Chairman: Sekcija: Senzorji Session: Sensors 11:00 Z. Klopčič, J. Furlan, S. Amon, D. Vrtačnik, D. Resnik, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana SENZOR ABSOLUTNEGA TLAKA ABSOLUTE PRESSURE SENSOR 11:15 Z. Djuric, J. Matovič, M. Matic, N. Mišovič, R. Petrovič, M. Smiljanic, Ž. Lazič, HTMI , Beograd SILICIJUMSKI MEMBRANSKI SENZOR PRITISKA SILICON MEMBRANE PRESSURE SENSOR 11:30 V. Radič, D. Vuk, RIZ KOMEL OOUR TPV, Zagreb S. Ursič, Rade Končar - Elektrotehnički institut, Zagreb KOMBINIRANI POLUVODIČKI SENZOR TLAKA I TEMPERATURE COMBINED PRESSURE AND TEMPERATURE SENSOR 11:45 M. Miljkovič, V. Brajovič, M. Djuričič, Institut Mihajlo Pupin, Beograd KVARCNI SENZOR SILE I UBRZANJA QUARTZ FORCE AND ACCELERATION SENSOR 12:00 J. Božičevič, A. Caharija, Tehnološki fakultet Zagreb V. Radič, M. Vukelič, RIZ-KOMEL OOUR TPV, Zagreb RAZVOJ Al O MIKRO OSJETILA VLAŽNOSTI THE A120 MICRO HUMIDITY SENSOR RESEARCH Sekcija: Materijali/Fizika Session: Materials/Physics Predsednik: Chairman: D. Tjapkin 11:00 P. Vujadinovič, P. Kostič, V. Petrovič, Lj. Kara-novič , D. Uskokovič, Institut tehničkih nauka M SANU , Beograd, Rudarsko geološki fakultet, Beograd UTICAJ ADITIVA MANGANA I KOBALTA NA OSO-BINE VARISTORSKE KERAMIKE NA BAZI ZnO-BaCO THE INFLUENCE OF MANGANESE AND COBALT ADDITIVES ON VARISTOR CERAMICS BASED ON ZnO-BaCO^ 11:15 V. Kevorkijan, Institut J. Stefan, Ljubljana IZBOR STAKLA ZA IZRADU O PTIČKIH VLAKANA SELECTION OF GLASSES FOR FIBER OPTICS 11:30 V. Milanovič, D. Tjapkin, Elektrotehnički fakultet, Beograd ELEKTRIČNE KARAKTERISTIKE GaAs-( AlGa) As HE-TEROSPOJA ZA NEPARABOLIČNE ZONE ELECTRIC CHARACTERISTIC OF GaAs-(AlGa)As HETERO-JUNCTION IN CASE OF NONPARABOLICITY 11:45 Z. Ikonič1, V. ^lilanovič1'2, D. Tjapkin1, Elektrotehnički fakultet , Viša PTT škola, Beograd^ ELEKTROAPSORPCIJA I MODULACIJA SVETLOSTI U POLUPROVODNIČKI M KVANTNIM JAMAMA NA BAZI GaAs-(AlGa)As HETEROSPOJA ELECTROAPSORPTION AND LIGHT MODULATION IN SEMICONDUCTOR GaAs-(AlGa)As QUANTUM WELLS 12:00 J. Furlan, S. Amon, T. Jeras, Z. Gorup, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana KONCENTRACIJA GIBLJIVIH IN NEGIBLJIVIH ELEKTRONOV IN VRZELI V AMORFNEM SILICIJU 12:15 M. Tasevski, Inštitut za elektroniko in vakuumsko tehniko, Ljubljane! VPLIV POLPREVODNIŠKIH LASTNOSTI Si SUBSTRATA HETEROSPOJNIH SONČNIH CELIC NA NAPETOST ODPRTIH SPONK IN KRATKOSTIČNI TOK 49 INFLUENCE OF SEMICONDUCTOR PROPERTIES OF Si SUBSTRATES OF HETEROJUNCTION SOLAR CELLS ON OPEN CIRCUIT VOLTAGE AND SHORT CIRCUIT CURRENT 12:30 Z. Djuric, V. Jovič, M. Matic - IHTM, Beograd NAPONSKO-STRUJNE KARAKTERISTIKE INDIJUM-ANTIMONIDNIH p-n SPOJEVA FORMIRANIH PROCESOM TEČNE EPITAKSIJE VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTICS OF InSb -p-n JUNCTION MADE BY LIQUID EPITAXY PROCESS 12:45 A. Balasinski, M. Duszak, Technical University of Warszaw, Warszawa S. Mitura, Technical University of Lodz, Lodz THE INFLUENCE OF IONIZING RADIATION ON MIS STRUCTURES WITH THIN DIAMONDLIKE CARBON FILM AS DIELECTRIC LAYER 13:00 RUČAK ' LUNCH 14:30 Razgledanje Beograda Sigt seeing of Beograd 15:00 Godišnja skupština SSESD Letna skupščina SSESD 15:30 Vanredna opča skupština MIDEM Izredni občni zbor MIDEM 20:00 Konferenčna večera Conference dinner 10:15 J. Trontelj, L. Trontelj, T. Pleteršek, Univerza Edvarda Kardelja, Ljubljana G. Shenton, International Microelectronic Products, San Jose, U.S.A. NAČRTOVANJE ANALOGNIH INTEGRIRANIH VEZIJ CMOS Z UPORABO STANDARDNIH CELIC DESIGN OF ANALOG INTEGRATED CMOS CIRCUITS BY STANDARD CELLS 10:30 D. S trie, J. Trontelj, L. Trontelj, T. Slivnik ml., Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana INTERAKTIVNO NAČRTOVANJE FILTROV S-C INTERACTIVE DESIGN OF S-C FILTERS 10:45 S. Starašinič, J. Trontelj, L. Trontelj, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana VISOKOFREKVENČNA MONOLITNA VEZJA S-C HIGH - FREQUENCY MONOLITIC S-C CIRCUITS IN CMOS TECHNOLOGY 11:00 R.S. Popovič, LGZ Landis and Gyr Zug Corp, , Zug OPTICAL WAVEGUIDES IN SILICON IC TECHNOLOGY 11:15 M. Štulič, J. Čupurdija, RO Rade Končar - Razvoj proizvoda i proizvodnje, Zagreb VREMENSKI PROGRAMATOR IZVEDEN KAO DIGITALNI INTEGRIRANI SKLOP PO NARUDŽBI PROGRAMMABLE TIMER REALIZED AS DIGITAL SEMI-CUSTOM INTEGRATED CIRCUIT Petak, 16. maj Friday, May 16 th Sala Hall Sekcija: Površinski elementi Session: Saw devices Predsednik: Chairman: J. Lokovsek 08.30 UVODNI REFERAT INVITED PAPER M. Hribšek, Elektrotehnički fakultet, Beograd SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICES AND THEIR APPLICATIONS 09:30 ODMOR BREAK 11:30 S. Pantič, RO Ei-Poluprovodnici, M. Ivkovič, RO Ei-Računari RZ Razvoj, Niš D. Igič, RO Ei-Poluprovodnici, Niš BY-PASS MODEM NA ČIPU GEM 21 BY-PASS MODEM ON GMZ 21 CHIP 11:45 D. Pantič, Siliconix Incorporated, Santa Clara DATE CODE FACTORS FOR PREDICTING FAILURE RATES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 12:00 Z. Krivokapič, S. Solar, M. Koželj, Iskra Mikro-elektronika, Ljubljana REALIZATION OF POLYSILICON DIODES 12:15 A.H. El-Sawy, E.M. Saad, M. AbuEl-Wafa, M. Abd El-Aziz, Faculty of Engineering and Technology, University of Helwan, Cairo HARDWARE REALIZATION OF SOME BUILT IN FUNCTIONS 12:30 Zakšneli referati Late papers Sekcija: Projektovanje monolitnih kola 2 Session: Design of monolitic IC 2 RUCA K Lunch Predsednik: Chairman: S. Ursic 09:45 M. Jagodic, Iskra Elektrozveze, Ljubljana J. Trontelj, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana HIERARHIČNO POVEZOVANJE V KANALU HIERARCHICAL CONNECTING IN A CHANNEL 10:00 13. Kurinčič, A. Vodopivec, Iskra, Ljubljana LAYOUT OF UNCOMITTED LOGIC ARRAY 50 Sekcija: Mikrotalasni elementi Session: Microwave devices Predsednik : Chairman: S. Rundió 14:30 UVODNI REFERAT INVITED PAPER A. Nešič, Institut za primenjenu fiziku, Beograd SAVREMENE TENDENC I JE U RAZVOJU MIKROTALASNI H INTEGRALNIH KOLA MODERN APPROUCH IN THE MICROWAVE IC's Petak, 16. maj Friday, May 16 t Sekcija: Površinski elementi/Razno Session: Saw devices/Miscelaneous Predsednik : Chairman: M. Jevtic 09:45 J. Lokovšek, I. Macarol, Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana TEHNOLOŠKE REALIZACIJE STRUKTUR POVRŠINSKIH AKUSTIČNIH VALOVANJ TECHNOLOGY APPROUCH TO SAW DEVICES 15:30 ODMOR BREAK Predsednik : Chairman: A. Nešic 10:00 V.I. Anisimkin, I.M. Kotelyanskiy, S.N. Ivanov, V.A. Luzanov, B.B. Timashov, V.N. Fedoretz, Academy of Sciences, USSR PERSPECTIVE APPLICATIONS OF ZnO/AIG LAYERED STRUCTURE FOR SAW DEVICES 15:45 D. Praštalo, M. Marčič, SOUR R. Čajavec, RO PE, Banja Luka MJEŠAČI ZA MIKROTALASNO PODRUČJE RADJENI U MIKROSTRIP TEHNICI MIXERS FOR MICROWAVE RANGE IN MICROSTRIP TECHNOLOGY 16:00 D. Todorovic, Ž. Pavlovic, Institut za primenjenu fiziku, Beograd METOD ZA POVEČANJE POUZDANOSTI I SMANJE-NJE DIMENZIJA MIKROTALASNI H PODSKLOPOVA A METHOD OF INCREASING RELIABILITY AND REDUCING THE DIMENSIONS OF MICROWAVE DEVICES 16:15 M. Avguštin, Iskra, Elektrozveze, Ljubljana MIKROVALOVNI MEŠALNI K Z NIZKIM KONVER-ZIJSKIM SLABLJENJEM LOW CONVERSION LOSS MICROWAVE MIXER 16:30 J. Samitier, J.R. Morante, A. Herms, A. Pérez, P. Roura, A. Cornet, Cátedra d'Electrönica de la Facultat de Física de la Universität de Barcelona, Spain CROSSTALK BETWEEN MESFET's IN GaAs INTEGRATED CIRCUITS 16:45 Ph. Philippov, D. Alexandrov, K. Denishev, V. M.E. I. , Sofia DIGITAL HALFADDER MADE ON THE BASE OF LASER INVERTORS 17:30 Zaključak savetovanja Closing of the Conference Predsednik. Ročak, predsednik SSESD Chairman: 10:15 M. Popovič, M. Hribšek, D. Vasiljevic, Elektrotehniški fakultet, Beograd COMPUTER AIDED DESIGN OF SAW DISPERSIVE FILTERS WITH INTERDIGITAL TRANSDUCERS 10:30 Z. Djurič , B. Livada , V. Jovič , M. Smiljanič , Ž. Lazič* - IHTM, Beograd, **VTI , Beograd KVANTNA EFIKASNOST InSb FOTODETEKTORA SA MOSSBURSTEIN-OVIM EFEKTOM QUANTUM EFFICIENCY OF InSb PHOTO DETECTORS WITH MOSS-BURSTEIN EFFECT 10:45 Ikonič1, V. Milanovic1,2, D. Tjapkin1, Elektrotehniški fakultet, Beograd, ^Viša PTT ško-la, Beograd ANALIZA POJAČANJA I TEMPERATURSKE OSETLJI-VOSTI POLUPROVODNIČKIH LASERA SA GaAs-(AlGa)As SUPER-REŠETKOM ANALYSIS OF GAIN AND TEMPERATURE SENSITIVITY OF GaAs-(AlGa)As SUPERLATTICE LASERS 11:00 H.F. Hadamovsky, H. Lange, H. Menniger, Central Institute of Electron Physics, Berlin, GDR INFLUENCE OF DEFECTS IN SCHOTTKY JUNCTIONS ON THE I-V CHARACTERISTICS 11:15 M. Milosavljevic, N. Bibič, T. Nenadovič, Institut Boris Kidrič, Vinča ANALIZA IMPLANTIRANIH DOPIRANIH SLOJEVA I PRELOMA NA MONOKRISTALNOM SI LIC I JU MU ANALYSIS OF IMPLANTED DOPED LAYERS AND CROSS-SECTIONAL AREAS ON SILICON SINGLE-CRYSTAL 11:30 R. Ramovič, D. Tjapkin, Elektrotehnički fakultet, Beograd NEKI PROBLEMI TRODIMENZIONE ANALIZE BIPOLARNIH TRANZISTORA ON SOME PROBLEMS IN THREE-DIMENSIONAL ANALYSIS OF BIPOLAR TRANSISTORS RUČAK LUNCH 15:45 ZAKASNELI REFERATI 17:00 LATE PAPER 51 POZIV ZA SODELOVANJE NA XXII. JUGOSLOVANSKEM SIMPOZIJU O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH - SD 86 Milan Slokan Vabimo vas na XXII. Jugoslovanski simpozij o elektronskih sestavnih delih in materialih - SD'86, ki ga prireja strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale (MIDEM) v hotelskem naselju grad Otočec pri Novem mestu v času od 10. do 12. septembra 1986. Tradicionalni simpozij SD zbere vsako leto raziskovalce, proizvajalce in uporabnike elektronskih sestavnih delov in materialov iz vse Jugoslavije za izmenjavo izkušenj in informacij o industrijskih raziskavah ter trendih razvoja v Jugoslaviji in v svetu. Za razliko od dosedanjih simpozijev SD, ki so bili v času vsakoletne razstave Sodobna elektronika v Ljubljani, bo letošnji simpozij omogočil referentom in ostalim udeležencem bolj nemoteno delo, obenem pa boljši stik s proizvajalci elektronskih komponent, ki so locirani v novomeškem bazenu (tovarne, ki proizvajajo elektronske komponente: upori, potenciometri, hibridna debeloplastna vezja, elektrolitski in keramični kondenzatorji, elektrome-hanski elementi in drugo). Referati o industrijskih raziskavah naj bi zajeli širše področje tehnologij za proizvodnjo aktivnih in pasivnih elektronskih sestavnih delov in materialov od osnovnih do aplikativnih raziskav, razvoja in problematike uporabe. Na SD'86 smo predvideli tudi več vabljenih predavanj, vsi ostali prijavljeni prispevki pa bodo prikazani na poster sekcijah. Vabljeni referati bodo obravnavali tematska področja: 1. Prof. dr. V. Marinkovič, Univerza Edvarda Kardelja, Ljubljana PROBLEMI STABILNOSTI STIKOV KOVINA-POLPREVOD-NIK 2. Prof. dr. D. Kolar, dr. M. Trontelj, dr. V. Krašo-vec, Institut Jožef Štefan, Ljubljana MIKROSTRUKTURNE ZNAČILNOSTI KERAMIKE ZA ELEKTRONIKO 3. Dr. C. Zevnik, dr. E. Perman, Iskra Kibernetika, Institut za elektroniko in vakuumsko tehniko, Ljubljana KOROZIJSKA PROBLEMATIKA ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV Pozivamo Vas na XXII. Jugoslovenski Simpozij o elektronskim sastavnim dijelovima i materijalima SD'86, što ga priredjuje Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale (MIDEM) u hotelskom naselju grad Otočec kod Novog mesta od 10. do 12. rujna (septembra) 1986. Tradicionalni Simpozij SD okuplja svake godine istraživa-če, proizvodjače i korisnike elektronskih sastavnih dije-lova i materijala iz cijele Jugoslavije, gdje mogu izmje-niti iskustva, i informacije o industrijskim istraživanji-ma, o trendovima razvoja u Jugoslaviji i u svijetu. Za razliku od dosadašnjih Simpozija SD, koji su se odr-žavali za vrijeme godišnjeg sajma "Sodobna elektronika" na Gospodarskom razstavišču u Ljubljani, ovogodišnji Simpozij bit če u pitoresknom ambientu motela Otočac ob Krki. Time če bit omogučen referentima i ostalim sudio-nicima bolji, nesmetani rad, te uz to i bolji kontakt s pro-izvodjačima elektronskih komponenata koji su smješteni u bazenu Novog mesta (tvornice koje proizvode elektronske komponente, otpornike, potenciometre, debeloslojne hibridne krugove, elektrolitske i keramičke kondenzato-re, elektromehaničke dijelove itd.). Referati o industrijskim istraživanjima neka obuhvate sire područje tehnologija za proizvodnju aktivnih i pasivnih elektronskih sastavnih dijelova i materijala, od osnovnih istraživanja do primjene, te razvoja i problema upotrebe. Na SD'86 predvidjeli smo više pozvanih predavača, a o-stali prijavljeni referati bit če prikazani u poster-sekci-jama. Pozvani referati obuhvatit če sledeča tematska područja: 1. Prof. dr. V. Marinkovič, Univerza Edvarda Kardelja, Ljubljana PROBLEMI STABILNOSTI KONTAKTA KOVINA-POLU-VODIČ 2. Prof. dr. D. Kolar, dr. M. Trontelj, dr. V. Krašovec, Institut "Jožef Štefan", Ljubljana MIKROSTRUKTURNE ZNAČAJKE KERAMIKE ZA ELEKTRONI KU 3. dr. C. Zevnik, dr. E. Perman, Iskra Kibernetika, Inštitut za elektroniko in vakuumsko tehniko, Ljubljana KOROZIONA PROBLEMATIKA ELEKTRONSKIH SASTAVNIH DIJELOVA 52 4. dr. A. Barna, Institute MUFI, Budapest 4. dr. A. Barna, Institute MUFI, Budapest LOW ANGLE ION BEAM THINNING OF LAYERED LOW ANGLE ION BEAM THINNING OF LAYERED STRUCTURES STRUCTURES 5. S. Jerič, Institut za elektroniko in vakuumsko tehniko, Ljubljana BREZTOKOVNA DEPOZICIJA KOVIN V PROIZVODNJI ELEKTRONSKIH KOMPONENT 6. dr. E. Kansky, Institut za elektroniko in vakuumsko tehniko, Ljubljana NUKLEACIJA IN RAST TANKIH PLASTI 7. Akad. prof.dr. R. Blinc, Univerza Edvarda Kardelja, Ljubljana TRENDI RAZVOJA NA PODROČJU OPTOELEKTRONIKE IN OPTIČNIH PRIKAZALNIKOV 8. V. Nemanič RAZVOJ IN TRENDI C RT IN EL DISPLAYEV Prijavljeni referati bodo sprejeti na osnovi recenzije kratke vsebine v obsegu 1-2 strani in bodo skupaj z vabljenimi objavljeni v zborniku, ki bo izšel pred simpozijem. Delovni jeziki simpozija so vsi jugoslovanski in angleški jezik. ORGANIZATOR Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale (MIDEM) LOKALNI ORGANIZATOR Iskra Elementi - TOZD Higridi, upori in potenciometri, Sen t j erne j Iskra - Industrijska elektronika, Kostanjevica Iskra - Keramični kondenzatorji, Žužemberk Iskra - Elektrolitski kondenzatorji, Mokronog Iskra - Avtomatika, TOZD Elektrospojna vezja, Novo mesto TERMINI Prijava referatov s kratko vsebino 30.4.1986 Prijavo poslati na naslov tajnika simpozija: Miroslav Gojo, MIDEM, Elektrotehniška zveza Slovenije, 61000 Ljubljana, Titova 50 Potrditev sprejema referata 20.5.19 86 Dostava referata za objavo v zborniku 1.8.1986 Vse dodatne informacije: Pavle Tepina Elektrotehniška zveza Slovenije; za SD 86 Titova 50 61000 LJUBLJANA tel. (061) 316 886 329 955 5. S. Jerič, Inštitut za elektroniko in vakuumsko tehniko Ljubljana BEZSTRUJNO TALOŽENJE METALA U PROIZVODNJI ELEKTRONSKIH KOMPONENATA 6. dr. E. Kansky, Inštitut za elektroniko in vakuumsko tehniko, Ljubljana NUKLEACIJA I RAST TANKIH FILMOVA 7. Prof. dr. R. Blinc, Univerza Edvarda Kardelja, Ljubljana TREND RAZVOJA NA PODRUČJU OPTOELEKTRONIKE I OPTIČKIH PRIKAZIVAČA 8. V. Nemanič RAZVOJ I TREND C RT I EL DISPLAYA Prijavljeni referati primat ce se na osnovu recenzije kratkog sadržaja u obujmu 1-2 stranice, a referati če biti tiskani u Zborniku zajedno s pozvanim referatima, koji če izači neposredno prije početka Simpozija. Radni jezici Simpozija su svi jezici naroda Jugoslavije i engleski jezik. ORGANIZATOR Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastav-ne delove i materiale (MIDEM). LOKALNI ORGANIZATOR Iskra Elementi - TOZD Hibridi, upori in potenciometri, Šentjernej Iskra - Industrijska elektronika, Kostanjevica Iskra - Keramični kondenzatorji, Žužemberk Iskra - Elektrolitski kondenzatorji, Mokronog Iskra - Avtomatika, TOZD Elektrospojna vezja, Novo mesto ROKOVI Prijava referata s kratkim sadržajem 30.4.1986 Prijavu poslati na adresu sekretara simpozija: Miroslav Gojo, MIDEM, Elektrotehniška zveza Slovenije, 61000 Ljubljana, Titova 50 Potvrda prijema referata 20.5.1986 Dostava referata za objavu u zborniku 1.8.1986 Sve dodatne informacije Pavle Tepina Elektrotehniška zveza Slovenije; za SD 86 Titova 50 61000 LJUBLJANA tel. (061) 316 886 329 955 Navodila avtorjem Upute autorima Publikacija «Informacije MIDEM« je zainteresirana za prispevke domačih in inozemskih avtorjev — še posebej članov MIDEM—s področja mikro-elektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki jih lahko razvrstimo v naslednje kategorije: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, pregledni strokovni članki, mnenja in komentarji, strokovne novosti, članki iiz prakse, članki in poročila iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, članki in poročila o akcijah MIDEM, članki in poročila o dejavnostih članov MIDEM. Sponzorji MIDEM lahko brezplačno objavijo v vsaki številki publikacije po eno stran strokovnih informacij o svojih novih proizvodih, medtem ko je prispevek za objavo strokovnih informacij ostalih delovnih organizacij 13000 din za običajno A4 stran in 25000 din za A4 stran, ki vsebuje črno-belo fotografijo. Prispevek mora biti pripravljen tako: a) Imena in priimki avtorjev brez titul b) Naslov dela, ki ne sme biti daljši od 15 besed in mora jasno izražati problematiko prispevka c) Uvod — formulacija problema d) Jedro dela e) Zaključek f) Literatura i) Ime in priimek avtorjev, vključno s titulami in naslovi njihovih delovnih organizacij Rokopis naj bo jasno tipkan v razmaku 1,5 v širini 12 cm (zaradi montaže na A3 formatu in pomanjšave na A4 format) na A4 listih. Obseg rokopisa naj praviloma ne bo večji od 20 s strojem pisanih listov A4, na katerih je širina tipkanja 12 cm. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs papirju ali belem papirju. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Podnapisi za risbe, ki so široke do 12 cm, naj bodo tipkani do širine 12 cm, za risbe, ki so širše, pa širina podnapisa ni omejena. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. Risbe, tabele in fotografije ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. Delo je lahko pisano v kateremkoli jugoslovanskem jeziku, dela inozemskih avtorjev pa v angleščini ali nemščini. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. »Informacije MIDEM« izhajajo aprila, junija, septembra in decembra v tekočem letu. Rokopise, prosimo, pošljite mesec dni pred izidom številke na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rokopisov ne vračamo. Publikacija »Informacije MIDEM« zainteresirana je za priloge domačih i inozemskih autora, na-ročito članova MIDEM. Priloge s područja mi-kroelektronike, elektroničkih sastavnih dijelova i materijala možemo razvrstati u sledeče skupine: izvorni znanstveni članci, stručni članci, prikazi stručnih članaka i drugih stručnih radova, mišljenja i komentari, novosti iz struke, članci i obav-ijesti iz prakse, članci i obavijesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, članci i obavijesti o akcijama MIDEM, članci i obavijesti o djelatnostl članova MIDEM. Sponzori MIDEM mogu besplatno u svakome broju publikacije objaviti po jednu stranu stručnih informacija o svojim novim proizvodima. Ostale radne organizacije plačaju za objavljiva-nje sličnih informacija 13000 din po jednoj obič-noj A4 stranici i 25000 din po A4 stranici sa crno-bijelom fotografijom. Priloži trebaju biti pripremljeni kako slijedi: a) Ime i prezime autora, bez titula b) Naslov ne smije biti duži od 15 riječi i mora jasno ukazati na sadržaj priloga c) Uvod u kojemu se opisuje pristup problemu d) Jezgro rada e) Zaključak f) Korištena literatura i) Imena i prezimena autora s titulama i nazivi-ma institucija u kojima su zaposleni. Rukopis treba biti uredno tipkan na A4 formatu u razmaku redova 1,5 i širini reda 12 cm (zbog montaže na A3 format i presnimavanja). U pravilu, opseg rukopisa ne treba prelaziti 20 tipkanih stranica A4 formata s redovima širine 12 cm. Crteže treba izraditi tušem na pausu ili bijelom papiru. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba imati naziv i broj. Za crteže do 12 cm širine naziv ne smije biti širi od 12 cm Za crteže veče širine nije ograničena širina naziva. U tekstu je potrebno označiti mjesto za crteže. Crteže, tablice i fotografije ne treba lijepiti u tekst, več je potrebno priložiti ih članku odvojeno. Rad može biti pisan na bilo kojem od jugosla-venskih jezika. Radovi inozemnih autora trebaju biti na engleskom ili njemačkom jeziku. Autori odgovaraju u potpunosti za sadržaj objav-Ijenog rada. »Informacije MIDEM« izlaze u aprilu, junu, septembru i decembru tekuče godine. Rukopise za slijedeči broj šaljite najmanje mje-sec dana prije izlaska broja na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rukopise ne vračamo. Sponzorji MIDEM Sponzori MIDEM GOSPODARSKA ZBORNICA-SPLOŠNO ZDRUŽENJE ELEKTROINDUSTRIJE SLOVENIJE, RAZISKOVALNA SKUPNOST SLOVENIJE, Ljubljana ISKRA — TOZD TOVARNA'TELEVIZIJSKIH SPREJEMNIKOV, Pržan ISKRA — INDUSTRIJA KONDENZATORJEV, Semič ISKRA — INDUSTRIJA BATERIJ ZMAJ, Ljubljana ISKRA — DO MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana ISKRA — IEZE TOZD POLPREVODNIKI, Trbovlje ISKRA — COMMERCE TOZD ZASTOPANJE TUJIH FIRM, Ljubljana 1TEO — TEHNOLOŠKO RAZVOJNA INFORMATIKA, Ljubljana RIZ — KOMEL OOUR TVORNICA POLUVODIČA, Zagreb SELK — TVORNICA SATOVA, Kutina ULJANIK — Pula RIZ — KOMEL OOUR ELEMENTI, Zagreb ISKRA — IEZE TOZD SEM, Ljubljana UNIS — RO TVORNICA TELEKOMUNIKACIJSKE OPREME, Mostar ELEKTRONIK — PROIZVODNJA ELEKTRIČKIH UREDAJA, Zagreb ISKRA — AVTOMATIKA, Ljubljana FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana ELEKTRONSKI FAKULTET, Niš RADE KONČAR — OOUR ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT ISKRA — IEZE TOZD FERITI Ei — RO POLUPROVODNICI, Niš Publikacija Informacije MIDEM izhaja po ustanovitvi Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale — MIDEM kot nova oblika publikacije Informacije SSOSD, ki jo je izdajal Zvezni strokovni odbor za elektronske sestavne dele in materiale — SSOSD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od avgusta 1969 do 6. oktobra 1977 in publikacije Informacije SSESD, ki jo je izdajala Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale — SSESD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januarja 1986. Publikacija Informacije MIDEM izlazi posle osnivanja Stručnog društva za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale — MIDEM kao nova forma publikacije Informacije SSOSD koju je izdavao Savezni stručni odbor za elektronske sastavne delove i materijale — SSOSD kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od augusta 1969 do 6. oktobra 1977 i publikacije Informacije SSESD koju je izdavala Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materijale kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januara 1986.