URN:NBN:SI:doc-TULHOOAE2000Cvikl, BrunoKorošak, Deandocuments/doc/T/URN_NBN_SI_doc-TULHOOAE_001.pdfdocuments/doc/T/URN_NBN_SI_doc-TULHOOAE_001.txt230articlestr. 89-970352-90451928276URN:NBN:SI:doc-TULHOOAEengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCmodelinabojprevodnostvmesnikivpliv napetostiModel calculation of ionized cluster beam induced bias dependent interface chargeModelski izračun odvisnosti induciranega naboja na vmesni plasti od zunanje napetosti v polprevodniških strukturah narejenih z metodo curka ioniziranih skupkov atomov