15 KB73 KB15 KB199219991998Kosec, MarijaMalič, BarbaraMandeljc, Miraletnik:32številka:5str. 359-362ISSN:1318-0010COBISSID:85418URN:URN:NBN:SI:doc-SP8D22P7slInštitut za kovinske materiale in tehnologijeŽelezarna JeseniceŽelezarna RavneŽelezarna ŠtoreKovine zlitine tehnologijeferoelektrikikovinski oksidinukleacijatanke plastiVpliv nukleacijske plasti svinčevega titanata na kristalizacijo tankih plasti PLZT, pripravljenih iz raztopin| Effect of PbTiO3 seeding layer on the crystallization of chemical solution deposition derived PLTZ thin films|Chemical solution deposition (CSD) derived (Pb,La)(Zr,Ti)?$O_3$? thin films on platinum coated silicon wafers are characterized by the high crystallization temperature of the perovskite phase. Because of the high processing temperature, lead oxide evaporation may significantly alter the stoichiometry of the films. ?$PbTiO_3$? (PT) film was used as a seeding layer since it crystallizes at a lower temperature than the ?$Pb {1-3x/2}La_xZr_{0,65}Ti_{0,35}O_3$?, x=0,095 (PLZT) film. The crystallization process of CSD PLZT films prepared on various PT seeding layers deposited on ?$TiO_2/Pt/TiO_2/SiO_2/Si$? and ?$Pt/TiO_2/Si$? substrates was studied. PT seeding layer decreases the nucleation temperature to at least 400°C, however,due to the growth controlled mechanism, a temperature of 450°C is required for the crystallization of the whole layerZa tanke plasti (Pb, La)(Zr,Ti)?$O_3$? na silicijevi podlagi s platinsko elektrodo je značilna kristalizacija v stabilno perovskitno fazo pri relativno visokih temperaturah, pri katerih naletimo na problem ohranjanja stehiometrije tanke plasti zaradi odparevanja svinčevega oksida. Da bi znižali temperaturo kristalizacije trdne raztopine ?$Pb_{1-3x/2}La_xZr{0,65}Ti_{0,35}O_3$?, x=0,095 (PLZT), smo uporabili nukleacijsko plast svinčevega titanata (Pt). V delu poročamo o peteku kristalizacije tankih plasti PLZT na različno pripravljenih nukleacijskih plasteh PT na podlagah ?$TiO_2/Pt/TiO_2/SiO_2/Si$? in ?$Pt/TiO_2/Si$?. Plast Pt zniža temperaturo nukleacije PLZT vsaj na 400°C, vendar je za popolno kristalizacijo potrebno povišanje temperature na 450°CNadaljuje se kot: Materiali in tehnologijeTEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaInštitut za kovinske materiale in tehnologije