458 KB13 KB198520251993Hofmann, S.Kohl, D.Panjan, PeterPimentel, F.Praček, BorutZalar, Antonštevilka:1letnik:23str. 17-20ISSN:0352-9045COBISSID:17062149URN:URN:NBN:SI:doc-Q0CGPIBYenStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMmikroelektronikapolprevodnikitanke plastivečslojne struktureA study of thermally formed reaction products in a Ni/Cr/Si multilayer structure|Priprava dobro karakteriziranih večplastnih struktur s kontrolo difuzijskih procesov in reakcij na faznih mejah je posebnega pomena za proizvodnjo vezij v mikroelektroniki. Silicidi so našli široko uporabo v mikroelektroniki zaradi primernih električnih karakteristik in ker skupaj z difuzijskimi barierami tvorijo termodinamično stabilne sisteme. V tem delu smo modelno večplastno strukturo Ni/Cr/Si, sestavljeno iz napršenih tankih plasti, debeline od 20 nm do 60 nm, ogrevali v diferencialno rastrskem kalorimetru (DSC). En vzorec večslojne strukture smo s hitrostjo 40°C/min ogrevali do 380°C in drugega do 550°C. Na svežih in termično izpostavljenih večplastnih strukturah smo s profilno analizo z metodo AES in presevno elektronsko mikroskopijo (TEM) ugotovili, da v termično obdelanih vzorcih močno reagirajo plasti niklja in silicija, medtem, ko je bila po pričakovanju reakcija med kromom in silicijem šibkejša. Identificirali smo dve vrsti silicidov, Nispodaj2S in NiSi, kateri od njiju nastane pa je razen od časa reakcije in temperature odvisno tudi od razpoložljivega silicija in nikljaTEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale