1422 KB36 KB198520252011Koričić, MarkoSuligoj, Tomislavštevilka:2letnik:41str. 77-85ISSN:0352-9045COBISSID:8778836URN:URN:NBN:SI:doc-OJV6XMIHenStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMbipolarni tranzistorjicharge sharing effectcommon-emitter breakdown voltagecutoff frequencydeljenje nabojaekstrinzična bazaextrinsic baselateral bipolar transistormejna frekvencaprebojna napetost s skupnim emiterjemSOIBVspodajCEO engineering in SOI LBT structure with top contacted base| Inženiring parametra BVpodajCEO v SOI LBT tranzistorski strukturi z baznim kontaktom na vrhu|TEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale