URN:NBN:SI:doc-OJV6XMIH2011Koričić, MarkoSuligoj, Tomislavdocuments/doc/O/URN_NBN_SI_doc-OJV6XMIH_001.pdfdocuments/doc/O/URN_NBN_SI_doc-OJV6XMIH_001.txt241articlestr. 77-850352-90458778836URN:NBN:SI:doc-OJV6XMIHengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCbipolarni tranzistorjicharge sharing effectcommon-emitter breakdown voltagecutoff frequencydeljenje nabojaekstrinzična bazaextrinsic baselateral bipolar transistormejna frekvencaprebojna napetost s skupnim emiterjemSOIBVspodajCEO engineering in SOI LBT structure with top contacted baseInženiring parametra BVpodajCEO v SOI LBT tranzistorski strukturi z baznim kontaktom na vrhu