O nizkofrekvenčni C-U odvisnosti Ag/n-Si(111) Schottky-jevih diod, nanešenih po metodi curka ioniziranih skupkov, CIS

URN:NBN:SI:doc-NGL1NJ871996Cvikl, Brunodocuments/doc/N/URN_NBN_SI_doc-NGL1NJ87_001.pdfdocuments/doc/N/URN_NBN_SI_doc-NGL1NJ87_001.txt226articlestr. 97-1060352-90452219030URN:NBN:SI:doc-NGL1NJ87engStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCdiodemodelipolprevodnikiuporiO nizkofrekvenčni C-U odvisnosti Ag/n-Si(111) Schottky-jevih diod, nanešenih po metodi curka ioniziranih skupkov, CISOn low frequency C-U relationship of the ionized cluster beam, ICB, deposited Ag/n-Si(111) Schottky diodes