21 KB2011 KB19 KB198120221998Cvikl, BrunoKorošak, Deanletnik:18številka:24 stranistr. 17-20ISSN:0351-9716COBISSID:13500967URN:URN:NBN:SI:doc-I5FZNJ1MslDruštvo za vakuumsko tehniko SlovenijeVakuumistkovinepolprevodnikipovršinetanke plastiSchottkyjeva bariera| moderni pogledi na star problem|The description of the metal semiconductor contact in the framework of the general model incorporating the interfacial control layer between the metal and the ordered semiconductor is given. Special attention is given to the iCB Schottky structures for nonzero acceleration voltage featuring the disordered interfacial control layer characterized by the metal atoms incorporated into the semiconductor lattice and the DIGS continuum. The expression for the Schottky barrier height variation in ICB structures is givenV prispevku je podan opis stika med kovino in polprevodnikom v okviru splošnega modela stika z vmesno kontrolno plastjo. Posebej so poudarjene lastnosti stika, narejenega po metodi CIS, kjer pride do nastanka neurejene kontrolne plasti, karakterizirane s kovinskimi atomi, vgrajenimi v kristalno mrežo polprevodnika in kontinuumom lokaliziranih elektronskih stanj, induciranih z neredom v kontrolni plasti. Podan je izraz za variacijo višine Schottkyjeve bariere v CIS-kontaktihTEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaDruštvo za vakuumsko tehniko Slovenije