URN:NBN:SI:doc-GKVJSX8R2015Singh, Avtardocuments/doc/G/URN_NBN_SI_doc-GKVJSX8R_001.pdfdocuments/doc/G/URN_NBN_SI_doc-GKVJSX8R_001.txt145articlestr. 73-790352-9045280572416URN:NBN:SI:doc-GKVJSX8RengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCmasni slojmikroelektronikaMOSFEDtranzistorjiComparative assesment of ground plane and strained based FDSOI MOSFETPrimerjalna ocena FDSOI MOSFET-ov z masnim slojem in na osnovi napetega silicija