URN:NBN:SI:doc-DYN9CCHQ2012Górecki, KrzysztofZarębski, Januszdocuments/doc/D/URN_NBN_SI_doc-DYN9CCHQ_001.pdfdocuments/doc/D/URN_NBN_SI_doc-DYN9CCHQ_001.txt342articlestr. 176-1840352-90459967444URN:NBN:SI:doc-DYN9CCHQengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCdiodemodeliranjepolprevodniški elementisilicijev karbidstikalni pretvornikitranzistorjiThe influence of diodes and transistors made of silicon and silicon carbide on the nonisothermal characteristics of boost convertersVpliv diod in tranzistorjev iz silicija in silicijevega karbida na neizotermične karakteristike stikalnega pretvornika navzgor