URN:NBN:SI:doc-APYJP6JM2015Mohapatra, S. K.Pati, G. S.Pradhan, K. P.Sahu, P. K.documents/doc/A/URN_NBN_SI_doc-APYJP6JM_001.pdfdocuments/doc/A/URN_NBN_SI_doc-APYJP6JM_001.txt145articlestr. 57-650352-9045280570624URN:NBN:SI:doc-APYJP6JMengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCmikroelektronikaMOSFETpovršinski potencialtranzistorjiRelative appraisal of ultra-thin body MOSFETs: an analytical modeling including hot carrier induced degradationRelativna ocean ! ultra tankih MOSFET: Analitično modeliranje z upoštevanjem degradacije zaradi vročih nosilcev