URN:NBN:SI:doc-9T8V7U3Y2012Banitorfian, FatemaKarim, Nissar MohammadManzoor, SadiaSoin, Norhayatidocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9T8V7U3Y_001.pdfdocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9T8V7U3Y_001.txt242articlestr. 95-970352-90459964372URN:NBN:SI:doc-9T8V7U3YengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCMOSFETpolarizacijaponorni toktranzistorjivpliv temperaturezanesljivostAnaliza s stališča materiala vrat pri vplivu temperaturne nestabilnosti pri zaporni polarizacijiAnalysis from the perspective of gate material under the effect of negative bias temperature instability