URN:NBN:SI:doc-9FKZBU742022Balent, JoštKrč, JanezSmole, FrancTopič, Markodocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9FKZBU74_001.pdfdocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9FKZBU74_001.txt252articlestr. 129-1420352-904510.33180/InfMIDEM2022.206118760707URN:NBN:SI:doc-9FKZBU74engStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMBYdefect-statesdefektna stanjaelectron affinitieselektronske afiniteteheterospojne silicijeve sončne celiceopto-electrical simulationoptoelektrične simulacijesilicon heterojunction solar cellAnalysis of effects of dangling-bond defects in doped a-Si:H layers in heterojunction silicon solar cells with different electron affinities of ITO contactsNumerična analiza učinkov defektov bingljajočih vezi v dopiranih plasteh iz a-Si:H v heterospojnih silicijevih sončnih celicah s kontakti ITO z različnimi elektronskimi afinitetami