Direct bonding of (111) and (100) oriented silicon wafers

URN:NBN:SI:doc-754LD8792000Aljančič, UrošAmon, SlavkoResnik, DragoVrtačnik, Danilodocuments/doc/7/URN_NBN_SI_doc-754LD879_001.pdfdocuments/doc/7/URN_NBN_SI_doc-754LD879_001.txt130articlestr. 20-310352-90451820244URN:NBN:SI:doc-754LD879engStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCbondiranjehrapavostnatezna trdnostpolprevodnikipovršinska obdelavaDirect bonding of (111) and (100) oriented silicon wafersDirektno bondiranje silicijevih ploščic orientacije (100) in (111)