URN:NBN:SI:doc-61DCC0L02011Gradišnik, VeraLinić, AntonioŠverko, Mladendocuments/doc/6/URN_NBN_SI_doc-61DCC0L0_001.pdfdocuments/doc/6/URN_NBN_SI_doc-61DCC0L0_001.txt341articlestr. 161-1670352-9045263026688URN:NBN:SI:doc-61DCC0L0engStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCfotodiodeprehodisenzorjisilicijEffect of dangling bonds on transient response of P-I-N A-SI:H photodiode