URN:NBN:SI:doc-4ABHLNQE2015Bisewski, DamianGórecki, KrzysztofZarębski, Januszdocuments/doc/4/URN_NBN_SI_doc-4ABHLNQE_001.pdfdocuments/doc/4/URN_NBN_SI_doc-4ABHLNQE_001.txt245articlestr. 110-1160352-9045280590080URN:NBN:SI:doc-4ABHLNQEengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCkompakten termičen modelmikroelektronikaMOSFETtermičen pojavtermična impedancatranzistorjiAn influence of the selected factors on the transient thermal impedance model of power MOSFETVpliv določenih faktorjev na tranzienten termično impedančen model močnostnega MOSFET