2942 KB0 KB198520252018Balamurugan, N.B.Lakshmi Priya, G.številka:1letnik:48str. 53-61ISSN:0352-9045COBISSID:304655616URN:URN:NBN:SI:doc-3HXZ7RELenStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMbrezspojni tunelski FETgermanijgermaniumhigh-K gate dielectrichot carrier reliabilityjunctionlesspodpragovni tokvroči elektroniSubthreshold modeling of triple material gate-all-around junctionless tunnel FET with germanium and high-K gate dielectric material| Podpragovno modeliranje brezspojnega tunelskega FET iz treh materialov in neprekinjenimi vrati z germanijem in vrati iz dielektrika z visokim K|TEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale