URN:NBN:SI:doc-3HXZ7REL2018Balamurugan, N.B.Lakshmi Priya, G.documents/doc/3/URN_NBN_SI_doc-3HXZ7REL_001.pdfdocuments/doc/3/URN_NBN_SI_doc-3HXZ7REL_001.txt148articlestr. 53-610352-9045304655616URN:NBN:SI:doc-3HXZ7RELengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCbrezspojni tunelski FETgermanijgermaniumhigh-K gate dielectrichot carrier reliabilityjunctionlesspodpragovni tokvroči elektroniSubthreshold modeling of triple material gate-all-around junctionless tunnel FET with germanium and high-K gate dielectric materialPodpragovno modeliranje brezspojnega tunelskega FET iz treh materialov in neprekinjenimi vrati z germanijem in vrati iz dielektrika z visokim K