URN:NBN:SI:DOC-U51ZZSTB2026Benamara, OuardaBenhaya, AbdelhamidBenyahia, KaddourGuidoum, Arsalane Chouaibdocuments/doc/U/URN_NBN_SI_doc-U51ZZSTB_001.pdfdocuments/doc/U/URN_NBN_SI_doc-U51ZZSTB_001.txt460articlestr. 635–64410.17222/mit.2026.17331580-2949290036227URN:NBN:SI:doc-U51ZZSTBengInštitut za kovinske materiale in tehnologijeMateriali in tehnologijeBYdeposition angleelectrical transportelektrični transportGLADGLAD postopekkorelacija med strukturo in lastnostmikot nanašanjananostructuresnanostruktureoptical propertiesoptične lastnostisilicon thin filmsstructure-property relationshiptanki silicijevi filmiDeposition angle as a continuous parameter: automated glad growth and structure–property correlations in silicon thin filmsKot nanašanja kot zvezni parameter: avtomatizirana rast pod spremenljivim poševnim kotom in korelacije med strukturo in lastnostmi silicijevih tankih plasteh