URN:NBN:SI:DOC-OJAAQNVL2025An, KunsikKang, Kyung-TaeKim, Jun YoungMoon, Yoon JaeNdikumana, Joeldocuments/doc/O/URN_NBN_SI_doc-OJAAQNVL_001.pdfdocuments/doc/O/URN_NBN_SI_doc-OJAAQNVL_001.txt355articlestr. 193-1980352-904510.33180/InfMIDEM2025.306281497859URN:NBN:SI:doc-OJAAQNVLengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMBYIGZO TFTslow temperatureMECnitrogen annealing effectnizka temperaturaoksidni polprevodnikoxide semiconductortankoplastni tranzistorthin film transistoručinek dušikovega žarjenjaEffect of the nitrogen environment on indium gallium zinc oxide thin film transistors with low temperature ultraviolet annealingVpliv dušikovega okolja na tankoplastne tranzistorje iz indij-galij-cinkovega oksida z nizkotemperaturnim ultravijoličnim žarjenjem