933 KB55 KB2025Biswas, SayoriBose, AnindyaSengupta, Sarthakštevilka:2letnik:55str. 103-114ISSN:0352-9045DOI:10.33180/InfMIDEM2025.204COBISSID_HOST:281477379URN:URN:NBN:SI:doc-K8TCLKG2enStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMcinkov oksidelement gonilnika zaslona prihodnostifuture display driver elementlitografija brez maske prihodnostimaskless lithographyRF magnetron sputteringRF magnetronsko brizganjetankoplastni tranzistorthin film transistorzinc oxideDevelopment of an improved zinc oxide thin film transistor for next-generation smartphone display technologies| Razvoj izboljšanega tankoplastnega tranzistorja iz cinkovega oksida za naslednje generacije tehnologij za predvajanje na pametnih telefonih|The study aims to create a portable and highly efficient Zinc Oxide (ZnO) Thin Film Transistor (TFT) on a single crystal Silicon substrate, followed by necessary electrical characterizations. The research explores relevant studies from around the world. The TFT has garnered attention worldwide due to its potential application in flat panel displays. The electrical and optoelectronic properties of ZnO-based TFT have also attracted significant interest. The figure of merit of a TFT is strongly influenced by crucial parameters such as on/off current ratio and field-dependent mobility, both of which are dependent on Transistor geometry, the crystallinity of the active layer, and the quality of the interface (such as semiconductor-insulator interface or metal-semiconductor interface). The growth and processing conditions of different layers impact these variables as well. The study presents the development of a low-powered and efficient bottom gate ZnO TFT on a p-type single-crystal Silicon substrate for next-generation laptop and mobile display segments. In this context, RF magnetron sputtering was used to create a bottom-gate ZnO-based Thin-film Transistor (ZnO-TFT) at room temperature. The ZnO-TFT operates in depletion mode with a threshold voltage of -1.2 V and exhibits a drain current on/off current ratio of 2 x 108 . Maximum saturation mobility of 48 cm2 /V-sec was recorded at VGS=24.1 V and VDS=10 V. This research study can be an opportunity for future researchers working in flexible smart panel display driving circuitsCilj študije je ustvariti prenosni in visoko učinkovit tankoplastni tranzistor iz cinkovega oksida (ZnO) na monokristalni silicijevi podlagi, čemur sledijo potrebne električne karakterizacije. V raziskavi so preučene ustrezne študije z vsega sveta. TFT je po vsem svetu pritegnil pozornost zaradi možnosti uporabe v ploskih zaslonih. Električne in optoelektronske lastnosti TFT na osnovi ZnO so prav tako pritegnile veliko zanimanja. Na kakovost TFT močno vplivajo ključni parametri, kot sta razmerje med vklopnim in izklopnim tokom ter od polja odvisna gibljivost, ki sta odvisna od geometrije tranzistorja, kristaliničnosti aktivne plasti in kakovosti vmesnika (kot je vmesnik polprevodnik-izolator ali vmesnik kovina-polprevodnik). Na te spremenljivke vplivajo tudi pogoji rasti in obdelave različnih plasti. Študija predstavlja razvoj nizkozmogljivega in učinkovitega TFT z vrati iz ZnO na p-tipu monokristalne silicijeve podlage za naslednjo generacijo prenosnih računalnikov in mobilnih zaslonov. Pri tem je bilo z magnetronskim brizganjem RF uporabljeno za izdelavo tankoplastnega tranzistorja na osnovi ZnO (ZnO-TFT) z vrati pri sobni temperaturi. ZnO TFT deluje v načinu ponora z napetostjo praga -1,2 V in izkazuje razmerje vklopnega/izklopnega toka 2 x 108 . Največja nasičena gibljivost 48 cm2 /Vs je bila zabeležena pri VGS = 24,1 V in VDS = 10 V. Ta raziskava je lahko priložnost za prihodnje raziskovalce, ki se ukvarjajo s pogonskimi vezji prilagodljivih pametnih panelnih zaslonovTEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale