URN:NBN:SI:DOC-HD3KFCCD2017Singh, GhanshyamSood, HimangiSrivastava, Viranjay M.documents/doc/H/URN_NBN_SI_doc-HD3KFCCD_001.pdfdocuments/doc/H/URN_NBN_SI_doc-HD3KFCCD_001.txt147articlestr. 14-230352-904512052564URN:NBN:SI:doc-HD3KFCCDengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCdouble-gate MOSFETkratki kanalmicroelectronicsmikroelektronikaMOSFET z dvojnimi vratiRF elementiS parametrishort channel effectS-parametersVLSIModeliranje majhnih signalov na pomanjšanem MOSFET z dvemi ! vrati za GHz aplikacijeSmall signal modeling of scaled double-gate MOSFET for GHz applications