URN:NBN:SI:DOC-G2FJ4Q522008Herceg, MarijanMatić, TomislavŠvedek, Tomislavdocuments/znanstveni_clanki/elektrotehniski_vestnik/html/URN_NBN_SI_doc-G2FJ4Q52.htmldocuments/znanstveni_clanki/elektrotehniski_vestnik/pdf/URN_NBN_SI_doc-G2FJ4Q52.pdfdocuments/znanstveni_clanki/elektrotehniski_vestnik/txt/URN_NBN_SI_doc-G2FJ4Q52.txt3758 straniarticlestr. 97-1040013-58522232-32366740308URN:NBN:SI:doc-G2FJ4Q52engElektrotehniška zveza SlovenijeElektrotehniški vestnikInCdiodekarakteristikenumerični modelisilicijsilicijev karbidtranzistorjivpliv temperatureComparison of current-voltage characteristics for hypothetic Si and SiC bipolar junction transistorPrimerjava tokovno-napetostne karakteristike hipotetičnih Si in SiC bipolarnih transistorjev