17 KB1841 KB16 KB198120221998Cvikl, BrunoKorošak, Deanletnik:18številka:34 stranistr. 13-16ISSN:0351-9716COBISSID:4173078URN:URN:NBN:SI:doc-8OIN0NUFslDruštvo za vakuumsko tehniko SlovenijeVakuumistkovinenabojpolprevodnikipovršinetanke plastiSchottkyjeva bariera| moderni pogledi na star problem|In the second part of the paper the transport mechanisms of the metal-semiconductor contact are discussed. An overview of the basic transport mechanism contributing to the current density through the ideal Schottky structure is given. An existance of possible additional charge transport mechanism due to the presence of the disordered interfacial control layer in the ICB deposited Schottky heterostrutures is further discussed. The influence of such a transport mechanism on the current-voltage characteristic is describedV drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diodeTEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaDruštvo za vakuumsko tehniko Slovenije