URN:NBN:SI:DOC-8MVIYYQG2011Benlatreche, M.S.Rahmoune, F.Toumiat, O.documents/doc/8/URN_NBN_SI_doc-8MVIYYQG_001.pdfdocuments/doc/8/URN_NBN_SI_doc-8MVIYYQG_001.txt341articlestr. 168-1700352-9045263045888URN:NBN:SI:doc-8MVIYYQGengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCmejna plastnapetostsilicijsilicijev dioksidtankoplastna tehnologijaExperimental investigation of Si-SiO2 interface traps using equilibrium voltage step technique