URN:NBN:SI:DOC-7XYLFZJQ2013Osmokrović, PredragVukić, Vladimir Đ.documents/doc/7/URN_NBN_SI_doc-7XYLFZJQ_001.pdfdocuments/doc/7/URN_NBN_SI_doc-7XYLFZJQ_001.txt143articlestr. 27-400352-904510514260URN:NBN:SI:doc-7XYLFZJQengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCcollector-emitter dropout voltageemitter injection efficiencyexcess base currentionising radiationionizacijsko sevanjeizkoristek injekcije emitorjanapetostni regulatorjipadec napetosti kolektor-emitorpresežni bazni tokvertical PNP transistorsvertikalni PNP tranzistorjivoltage regulatorsImpact of the excess base current and the emitter injection efficiency on radiation tolerance of a vertical PNP power transistor in a voltage regulatorVpliv presežnega baznega toka in izkoristek injekcije emitorja na tolerance radiacije vertikalnega PNP močnostnega tranzistorja v napetostnem regulatorju