URN:NBN:SI:DOC-2GPU3VAH2003Furlan, JožeLevstek, Andrejdocuments/doc/2/URN_NBN_SI_doc-2GPU3VAH_001.pdfdocuments/doc/2/URN_NBN_SI_doc-2GPU3VAH_001.txt133articlestr. 1-70352-90453821396URN:NBN:SI:doc-2GPU3VAHengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCelektrična poljska jakostelektrični potencialmikroskopske lastnostipolprevodnikiElectric field and potential around impurity atoms in semiconductors