URN:NBN:SI:DOC-1D306VNI2015Milovanović, Markodocuments/doc/1/URN_NBN_SI_doc-1D306VNI_001.pdfdocuments/doc/1/URN_NBN_SI_doc-1D306VNI_001.txthttps://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?id=83819266 str., 31 cmdoktorska dela11400788URN:NBN:SI:doc-1D306VNIengM. Milovanovićvisokošolska delaInCdetektor za modeliranje in simulacijeDisertacijepolprevodniški detektorjiradiacijske poškodbesevanja hard detektorjaSi mikro strip in pad detektorjiSilicijevi detektorjidoctoral thesisElectric field and charge multiplication in radiation-damaged silicon detectors