UDK 621,3:(53+54+621 +66)(05)(497.1 )=00 YU ISSN 0352-9045 Strokovno društvo za mikroelektroniko elektronske sestavne dele in materiale 4°1989 Časopis za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale Časopis za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove i materijale Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials INFORMACIJE MIDEM, LETNIK 19, ST. 4 (52), LJUBLJANA, DECEMBER 1989 MIDEM IN MEMORIAM ISKRI MIKROELEKTRON I KI INFORMACIJE MIDEM 4 □ 1989 INFORMACIJE MIDEM, LETNIK 19, ŠT. 4(52), LJUBLJANA, DECEMBER 1989 INFORMACIJE MIDEM, G0DINA 19, BR. 4(52), LJUBLJANA, DECEMBAR 1989 INFORMACIJE MIDEM, VOLUME 19, NO. 4(52), LJUBLJANA, DECEMBER 1989 Izdaja trimesečno (marec, junij, september, december) Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Izdaje tromjesečno (mart, jun, septembar, decembar) Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove i materijale. Published quarterly (march, june, september, december) by Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials -MIDEM. Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Editor in Chief Iztok Šorli, dipl.ing. MIKROIKS, Ljubljana Tehnični urednik Tehnički urednik Executive Editor Janko Čolnar Uredniški odbor Redakcioni odbor Editorial Board Časopisni svet Izdavački savet Publishing Council mag. Rudi Babic, dipl.ing.Tehniška fakulteta Maribor Dr. Rudi Ročak, dipl.ing., MIKROIKS, Ljubljana mag. Milan Slokan, dipl.ing., MIDEM, Ljubljana Pavle Tepina, dipl.ing., MIDEM, Ljubljana Miroslav Turina, dipl.ing., Rade Končar, Zagreb Jože Jekovec, dipl.ing., Iskra ZORIN, Ljubljana Prof.dr. Leo Budin, dipl.ing., Elektrotehnički fakultet, Zagreb Prof.dr. Dimitrije Čajkovski, dipl.ing., PMF, Sarajevo Prof.dr. Georgij Dimirovski, dipl.ing., Elektrotehnički fakultet, Skopje Prof.dr. Jože Furlan, dipl.ing. - Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr. Miroslav Gojo, dipl.ing. - RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl.ing. - Iskra-HIPOT, Šentjernej Prof.dr. Drago Kolar, dipl.ing. ; Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl.ing., Rudi Čajavec, Banja Luka Prof.dr. Ninoslav Stojadinovič, dipl.ing. - Elektronski fakultet, Niš Prof.dr. Dimitrije Tjapkin, dipl.ing. - Elektrotehnički fakultet, Beograd Naslov uredništva Adresa redakcije Headquarters Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana telefon (061) 316-886 Letna naročnika za delovne organizacije znaša 200 din, za zasebne naročnike 100 din, cena posamezne številke 30 din. Člani in sponzorji MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno. Godišnja pretplata za radne organizacije iznosi 200 din, za privatne naručioce 100 din, cijena pojeginog broja je 30 din. Članovi i sponzori MIDEM primaju Informacije MIDEM besplatno. Annual Subscription Rate is US$ 40 for companies and US$ 20 for individuals, separate issue is USS$ 6. MIDEM members and Society sponsors receive Informacije MIDEM for free. Znanstveni svet za tehnične vede I pri RSS je podal pozitivno mnenje o časopisu kot znanstveno strkovni reviji za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Izdajo revije sofinancirajo RSS in sponzorji društva. Po mnenju Republiškega komiteja za informiranje št. 23 z dne 27.9.1988 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Mišljenjem Republičkog komiteta za informiranje br. 23 od 27.9.1988 publikacija je oslobodena plačanja poreza na promet. Oblikovanje besedila, in tisk BIRO M, Ljubljana Oblikovanje stavka i štampa Pritned by Naklada 1000 izvodov Tiraž 1000 primjeraka Circulation 1000 issues UDK 621,3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 19 (1989)4, Ljubljana I.Šorli: Informacije MIDEM - znanstveno strokovni časopis društva MIDEM 184 I.Šorli: Informacije MIDEM - Professional Scientific Publication of MIDEM Society ZNANSTVENO - STROKOVNI PRISPEVKI PROFESSIONAL SCIENTIFIC PAPERS Borut B. Lavrenčič: Detektorji infrardečega sevanja 185 Borut B. Lavrenčič: Detectors of Infrared Radiation R. Babič, M. Šolar, T. Dogša: Učinkovita aparaturna realizacija digitalnih sit s kontnim trajanjem impulznega odziva 189 R. Babič, M. Solar, T. Dogša: Efficient Hardware Realizations for Finite Impulse Response Digital Filters M. Hrovat, S. Bernik, D. Kolar, I. Jarkovič: Debeloplastni superprevodnlki na osnovi YBa2Cu307, modificiranega s PbO In z Bi203 194 M. Hrovat, S. Bernik, D. Kolar, I. Jarkovič: Thick Film Superconductors Based on Bi2Û3 and PbO modified YBajCu307 J. Holc, B. Saje, S. Beseničar: Sintrani trajni NdFeB magneti 198 J. Hole, B. Saje, S. Beseničar: Sintered Permanent NdFeB Magnets A. Sliškovič, M. Prelec, M. Kosec: Kvarcni elektroporcelan visoke čvrstoče 202 A. Sliškovič, M. Prelec, M. Kosec: High Strength Quartz Electroporcelain S. Šolar, M. Jenko, V. Kregar: Krmilnik elektroluminiscenčnega prikazalnika 210 S. Solar, M. Jenko, V. Kregar: The Electroluminiscence Display Driver S. Cankar, J. Maček: Jedkanje in regeneracija izrabljenih jedkal pri proizvodnji tiskanih vezij 214 S. Cankar, J. Maček: Etching and Recycling of Etchants in Printed Circuit Board Production PRIKAZI DOGODKOV, DEJAVNOSTI ČLANOV MIDEM IN DRUGIH INSTITUCIJ REPRESENT OF EVENTS, ACTIVITIES OF MIDEM MEMBERS AND OTHER INSTITUTIONS F. Kessel: Uporaba izdelkov firme Ringsdorff v polprevodniški industriji 218 F. Kessel: Ringsdorff Products for Semiconductor Production KONFERENCE, POSVETOVANJA, SEMINARJI, POROČILA CONFERENCES, COLLOQUYUMS, SEMINARS, REPORTS M. Slokan: SD-89, Maribor 221 M. Slokan: SD-89, Maribor M. Turina: 2. SONT 222 M. Turina: 2. SONT A. Keber: SMT seminar 227 A. Keber: SMT seminar M. Kosec: Znanstveno srečanje MATERIALI 89 227 M. Kosec: Scientific Symposium MATERIALI 89 D. Križaj: Poročio s konference NASECODE VI 228 D. Križaj: NASECODE VI Conference M. Slokan: Productronica 229 M. Slokan: Productronica H.Vidmar: Sodobna elektronika 89 230 H. Vidmar: Modern Electronic 89 H. Vidmar: JUROB 89 230 H. Vidmar: JUROB 89 M.Turina: Nove komponente 231 M.Turina: New components ČLANI MIDEM MIDEM MEMBERS R. Ročak: Člani MIDEM šestdesetletniki 231 R. Ročak: MIDEM Members' 60th anniversary VESTI, OBVESTILA NEWS, INFORMATIONS M. Turina: Tržište poluvodiča u 90-tim 232 M. Turina: Semiconductor market in 1990 R.Ročak, M.SIokan: Zapiranju vrat Iskre Mikroelektronike na rob 233 R.Ročak, M.SIokan: Comments on close down of Iskra Mikroelektronika Publikacije društva MIDEM 235 MIDEM Society Publications JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI 243 YUGOSLAVTERMINOLOGICAL STANDARDS Slika na naslovnici: MIDEM In Memorlam Iskra Mikroelektronika Front page: MIDEM in Memoriam Iskra Mikroelektronika VSEBINA CONTENT Informacije MIDEM ZNANSTVENO-STROKOVNI ČASOPIS DRUŠTVA MIDEM Pričujoča številka glasila Informacije MIDEM zaokrožuje kratko, vendar plodno časovno obdobje delovanja novega uredniškega odbora časopisa. Že ob koncu lanskega leta uresničena oblikovna sprememba časopisa je v letu 1989 bila dopolnjena z vsebinsko transformacijo. Razveseljivo je, da nam je uspelo do 50% obsega časopisa posvetiti znanstveno-strokovnim prispevkom, nekatere nove rubrike pa so popestrile ostali del vsebine. Avtorji prispevkov so poleg domačih tudi tuji strokovnjaki, kar potrjuje odprtost časopisa v svet. Vsi znanstveno-strokovni prispevki so recenzirani in ustrezno opremljeni ter že takoj omogočajo zajem v zbirke bibliografskih podatkov. Obdelavo in zajem prispevkov opravljamo v domačo bazo podatkov - ISKRA SAIDC-el, kakor tudi v tujo bazo podatkov - INSPEC. Znanstveni svet za tehnične vede I pri RSS je podal pozitivno mnenje o časopisu kot znanstveno strokovni reviji za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Uredniški odbor meni, da na ta način časopis aktivno uresničuje funkcijo osrednje znanstvene revije za področje mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov in tako pomembno dopolnjuje obsežnejše področje elektronike in elektrotehnike v Jugoslaviji z ambicijami prodreti tudi izven državnih meja. Potencialne avtorje želim znova opozoriti, da pazljivo preberejo in sledijo navodila avtorjem za pisanje znanstveno-strokovnih prispevkov ter hkrati zaprositi tiste, ki imajo možnost prispevke poslati na disketi (besedilo in slike), da to storijo. Na ta način uredništvu prihranijo veliko časa in zmanjšajo stroške priprave in tiska. Znova vabim bralce, člane društva MIDEM in druge, da aktivno s svojimi prispevki, konstruktivnimi pripombami in sugestijami pomagajo soustvarjati časopis. Vabilu k sodelovanju pridružujem iskrene želje uredniškega odbora za zdravo, srečno in poslovno uspešno NOVO 1990 LETO! Glavni in odgovorni urednik 184 UDK 621,3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 19(1989)3, Ljubljana DETEKTORJI INFRARDEČEGA SEVANJA Vabljeno predavanje, SD-89, Maribor Borut B. Lavrenčič KLJUČNE BESEDE: infrardeče sevanje, infrardeči detektorji, infrardeči senzorji, parametri POVZETEK. Opisani so detektorji infrardečega sevanja, njihove značilnosti, klasifikacija in parametri. DETECTORS OF INFRARED RADIATION KEYWORDS: Infrared Radiation, Infrared Detectors, Infrared Sensors, Parameters ABSTRACT. A review of the detectors for the infrared radiation is given along with their properties, classification and parameters. 1. UVOD Infrardeča tehnika je vrsta visoke tehnologije, ki sodi v področje optoelektronike. Le-taje tista vrsta tehnike, kjer optične signale spreminjamo v električne in obratno, kjer na optične lastnosti snovi ali pa širjenje žarkov lahko vplivamo z električnimi signali. Infrardeča tehnika je tehnika svetlobnih žarkov valovnih dolžin med 1 in približno 20 mikrometri. Infrardeča tehnika, skupaj z detektorji infrardečega sevanja, se je razvila med drugo svetovno vojno za vojaške namene in je taka ostala še vrsto let po vojni1,2. Zato so bile informacije o metodah in rezultatih na moč skromne. Pred kakimi 15 leti pa je zaradi hitrega napredka v spoznavanju elektronskih materialov izbruhnila množična uporaba v civilne namene. V te tehnološke trende se je vljučil tudi Institut Jožef Štefan v Odseku za fiziko kondenzirane snovi z razvojem piroelektričnega detektorja infrardeče svetlobe. V tem prispevku bomo lahko pregledali samo nekaj osnovnih značilnosti detektorjev infrardeče svetlobe (DIS). Opis tehnologije izdelave DIS pa je izven konteksta tega pregleda. 2. ZNAČILNOSTI DETEKTORJEV INFRARDEČE SVETLOBE DIS pretvarjajo vpadli optični energijski fluks (valovno območje cca 1 do 20 mikrometrov) v električen signal. Detektorje lahko klasificiramo na razne načine: * po mehanizmu delovanja (prava ali intrinzična foto-prevodnost, fotoprevodnost zaradi dopantov, Schottkyjeva zapora v sistemu kovina-polprevod-nik, termalni detektorji (bolometri, termočleni, piro- elektriki); najnovejši pa so detektorji s kvantno jamo3 in superprevodni keramični bolometri),4 * po osnovnem materialu iz katerega so narejeni (n.pr. Si, PbS, InGaAs, InAs, InSb, Hgi-xCdxTe, Ge:Hg, Pt-Si, piroelektriki itd.), * glede na območje valovnih dolžin, kjer so najbolj občutljivi (1-2jj.m, 3-5jum, 6-14^m, enaka občutljivost za vse valovne dolžine), * glede na geometrijske značilnosti (posamezni detektorji, eno- in dvodimenzionalni nizi), * glede na pogoje delovanja (hlajeni in nehlajeni detektorji, zunanji ali vgrajeni predojačevalci, tip ohišja ipd.). 3. PARAMETRI DIS Za opis DIS uporabljamo vrsto parametrov, ki nam ka-rakterizirajo občutljivost, razmerje signal/šum in podobno1,2. To so napetostni odziv, NEP in D*. Osnovna merilna oprema je razvidna iz SI. 1. Izvor sevanja je črno telo s tipično temperaturo 500 K. Le poredko se uporabljajo tudi drugi izvori, n.pr. laserji z valovno dolžino 0,63 p.m ali pa 10,6 |j.m. Izvor sevanja moduliramo z chopperjem na želeno frekvenco. Signal iz DIS detektorja vodimo prek predojačevalnika in ojačevalnika na spektralni analizator, ki nam izmeri koren spektralne gostote napetostnega signala Sv (enota Volt2/Hz) pri frekvenci chopperja. DIS sedaj prekrijemo z blendo in z isto merilno napravo izmerimo koren napetostne gostote šuma Sn (prav tako pri frekvenci chopperja). Za pravilno merjenje mora biti signal mnogo večji od šuma. Z generatorjem znanega napetostnega signala umerimo skupni ojačevalni faktor v predoja-čevalniku in ojačevalniku. Imenujmo ga G. Iz teorije 185 Informacije M1DEM 19(1989)4, str. 185-188 Borut B. Lavrenčič: Detektorji infrardečega sevanja črnega telesa in iz znane geometrije lahko izračunamo koren spektralne gostote svetlobne moči, s katero črno telo osvetjuje merjeni DIS. Imenujmo ga P (enota W/Hz1/2). Chopper seveda ne pripravi sinusoidalne komponente sevanja črnega telesa, vendar se to da upoštevati z računom2. Napetostni odziv Rv je definiran kot Rv = Sv1/2 / G / P (1) Rv (enota Volt/Watt) je funkcija frekvence in za njegov izračun moramo poznati ojačevalni faktor detektorskega sistema G. Razmerje signala in šuma (SNR) dobimo kot SNR = Svi/2' Sm/2. Šumu v DIS se seveda ne moremo izogniti. Običajno jih lahko klasificiramo po mehanizmu nastajanja, n.pr. Johnsonov ali Schottkyjev šum. K šumu v DIS prištevamo še šum v predojačevalniku (napetostni in tokovni šum). Nadaljni, izredno pomemben parameter za vsak DIS je NEP (noise equivalent power). To je tista najmanjša moč na detektorju, ko je SNR prav enak 1. NEP je tisti parameter, ki najpogosteje nastopa v ocenah delovanja infrardečih sistemov. NEP je definiran kot: NEP = P/SNR (2) Parameter NEP (enota W/Hz1'2) ni odvisen od ojačeval-nega faktorja sistema Gt kot merilo za kvaliteto DIS pa ima dve slabi lastnosti. Želeli bi tak parameter, ki bi bil čim večji pri čim boljšem DIS. Pri enakih DIS je NEP odvisen tudi od površine. Zaradi tega se je uveljavil dodatni parameter D*, definiran kot: D* = A1/2/NEP (3) kjer je A površina detektorja v cm2. D' (enota cm Hz1/2 / W) je v večini primerov res samo slaba funkcija površine detektorja A in je odvisna le od frekvence. Parameter D* je za razne detektorje kot funkcija valovne dolžine prikazan na SI.2. Pri nizih detektorjev nastopajo še dodatni parametri kot so prisluh, modulacijska transfer funkcija itd. 4. TERMALNI IN FOTONSKI DIS Mehanizma delovanja termalnih in fotonskih DIS se bistveno razlikujeta.5 V tem prispevku bomo opisali samo takoimenovano nekoherentno detekcijo. Pri termalnem detektorju se absorbirana energija manifestira v spremembi temperature detektorja, dT. Ta sprememba temperature povzroči nastanek napetosti na detektorju, ki je sorazmerna dT (bolometri in fototer-močleni) ali pa dT/dt (piroelektriki). Zato njihovo delovanje in parametri (n.pr. NEP) niso odvisni od valovne dolžine svetlobe, ki jo hočejo zaznati. Piroelektrični termalni DIS so se izredno uveljavili v najrazličnejših aplikacijah zaradi nizke cene detektorja in zaradi uporabnosti pri sobni temperaturi. Njihovo delovanje in tehnologijo smo izčrpno opisali na prejšnih SD konferencah. ■ Fundamentalne omejitve termalnih detektorjev so v naravnih f luktuacijah temperature izvora in samega detektorja. V praksi so se termalni DIS približali tej omejitvi za red velikosti v D*. Fotonski DIS pa delujejo na osnovi fotoefekta v raznih polprevodnikih. Prehodi elektronov so lahko iz valenčnega v prevodni pas (intrinzični DIS) ali pa prehodi iz valenčnega pasu na pas nečistoč, ki se nahaja v energijski reži osnovnega materiala. Zaradi tega opazimo v krivulji Rv kot funkcijo valovne dolžine značilno mejno valovno dolžino (SI.3), ki omejuje področje delovanja. Izjema je sistem Hgi-X. CdxTe, ki mu s sestavo x lahko spreminjamo energijsko režo. Fotonska detekcija pa ima to dobro lastnost, da samostojno omeji signal pri nekaterih, običajno nezaželenih valovnih dolžinah. Izbira ustreznega foton-skega DIS je pomembna, ker v zraku obstajajo 3 glavna "okna prepustnosti" (SI. 2), v katerem lahko izvor infrardečega sevanja zaznamo na velike razdalje1,2. Fo-tonske DIS je potrebno v splošnem hladiti. V območju Slika 1: Shema eksperimentalne naprave za merjenje osnovnih parametrov DIS. (1) je črno telo, ki seva (2) skozi chopper (3) na testni detektor (5) in, kije po potrebi zakrit z blendo (4). Prek predojačevalnika (5) in ojačevalnika (6) vodimo signal v spektralni analizator (7), kije sinhroniziran (8) s chopperjem. 186 Borut B. Lavrenčič: Detektorji infrardečega sevanja Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 185-188 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 VALOVNA DOLŽINA Slika 2: Kom poz it ni prikaz detektivnosti raznih fotonskih in termalnih DIS, sevanja črnih teles f Wcm'J sr1 in infrardeče transmisije atmosfere. (1) PbS, (2) InSb, (3) Ge:Au, (4) HgCdTe, (S) piroelektrik, (6) bolometer, (7) termočlen 6-14 mikrometrov so le malo bolj občutljivi kot termalni DIS, pri manjših valovnih dolžinah pa jih znatno prekašajo. Njihova glavna prednost pa je v hitrosti odziva na spremenjiv infrardeči fluks. Če so tipične časovne konstante pri termalnih DIS desetinke sekunde, so pri fotonskih DIS v mikrosekundah. Zato fotonski DIS ustrezajo tudi za koherentno ali heterodinsko detekcijo5, kjer lahko dosežemo nekaj redov velikosti manjši NEP, kot pri nekoherentni detekciji. Za koherentno detekcijo pa potrebujemo infrardeči laser kot lokalni oscilator. Fun- damentalni limit detekclje pri fotonskih DIS je v fluk-tuacijah signala in ozadja, ki ga DIS opazuje1,5 5. RAZVOJ DIS PRI NAS Ta pregled v SD konferenci ne bi bil dovolj informativen, če ne bi zapisali, kje v Jugoslaviji opravljajo raziskave DIS. Poleg že omenjenih piroelektričnih termalnih DIS, ki so bili razviti na IJS, teče razvoj: Slika 3: Napetostni odziv za termalne (1) in fotonske (2) DIS 187 Informacije M IDEM 19(1989)4, str. 185-188 Borut B. Lavrenčič: Detektorji infrardečega sevanja * Si in Ge detektorjev na FER v Ljubljani in v IHTM v Beogradu, * PbSvEiNišu, * Hgi-xCdxTe v IEVT v Ljubljani in v IHTM. LITERATURA (1) W.L.Wolfe and G.J.Zissis, The Infrared Handbook, The office of Naval Research 1986, ISBN 0-9603590-1-X. (2) R.D.Hudson,Jr..Infrared System Engineering, Wiley-lnter-science, New York 1969. (3) Quantum Well nad Superlattice Physics, Proc. SPIE, Newport Beach, USA, 17-18 March 1988. (4) P.L.Richards et al., The high Tc superconducting bolometer, IEEE Trans. Magn. 25, 1335 (1989). (5) R.H.Kingston, Detection of Optical and Infrared Radiation, Springer Verlag, Heidelberg 1978, ISBN 0-387-08617-X. (6) B.B.Lavrenčič, J.Polanec, A.Kandušerin P.Cevc, Piroelektrični Detektor Infrardečega sevanja, Simpozij o elektronskih sestavnih delih - SD 85, Ljubljana 1985, str. 179. (7) P.Cevc, A.Kandušer, J.Polanec in B.B.Lavrenčič, Tehnogija piroelektričnih detektorjev z J-FETom v čip obliki, Simpozij o elektronskih sestavnih delih - 88, Nova Gorica 1988, str. 155. dr. Borut B. Lavrenčič, dipl.ing. Laboratorij za infrardečo tehniko Institut J. Stefan, YU-61111 Ljubljana Prispelo: 12.09.1989 Sprejeto: 31.10.89 188 UDK 621,3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 19(1989)3, Ljubljana UČINKOVITA APARATURNA REALIZACIJA DIGITALNIH SIT S KONČNIM TRAJANJEM IMPULZNEGA ODZIVA R. Babič, M. Solar, T. Dogša KLJUČNE BESEDE: digitalna sita, končni impulzni odziv, realizacija, princip porazdeljene aritmetike POVZETEK: V prispevku je opisan postopek porazdeljene aritmetike, ki se kaže kot učinkovita možnost aparaturne realizacije digitalnih sit. Ko gre za aparaturno realizacijo nerekurzivnih digitalnih sit s končnim trajanjem impulznega odziva se kaže problem dovolj velike kapacitete pomnilnikov. Na praktičnem primeru je podana rešitev tega problema za sito z N=21 koeficienti impulznega odziva. Prikazani so rezultati dveh izmerjenih frekvenčnih karakteristik v primerjavi s teoretično izračunanima karakteristikama. EFFICIENT HARDWARE REALIZATIONS FOR FINITE IMPULSE RESPONSE DIGITAL FILTERS KEY WORDS: digital filters, finite impulse response, realization, distributed arithmetic method ABSTRACT: In this contribution the method of distributed arithmetic for digital filter realization is described. This realization uses memory devices and accumulators instead of multipliers and adders. The advantage of distributed arithmetic is its efficiency of mechanization. A fundamental drawback of this realization is only the exponential growth of the size of memory with the number of impulse response coefficients or number of variables. A practical solution for lowpass FIR digital filters with N=21 is described. Resulting teoretical and practical frequency responses are presented. UVOD Pri postopku načrtovanja digitalnih sit v splošnem ločimo tri med seboj različne korake : * analitični opis sistema, s katerim aproksimiramo želeno frekvenčno karakteristiko v obliki realizabilne prenosne karakteristike ali impulznega odziva * sintezo sistema z določitvijo konfiguracije sita glede na dodatne pogoje in omejitve praktične realizacije * aparaturno realizacijo, s katero prevedemo konfiguracijo digitalnega sistema v realizacijsko obliko V tem članku se bomo omejili predvsem na tretji korak. Če imamo digitalno sito s končnimtrajanjem impulznega odziva podano z N koeficienti lahko zapišemo trenutno izhodno vrednost y s konvolucijsko enačbo oz. v obliki skalarnega produkta: N-1 y{k)=J^h(n)x{k~n)=hTx (1) n=0 kjer je h vektor konstantnih vrednosti določen s koeficienti impulznega odziva, x pa je vektor vhodnih spremenljivk. Oba vektorja sta N komponentna, v digitalnem sistemu pa sta zapisana z B biti. Splošno in običajno realizacijsko obliko prikazuje slika 1. Tu gre za direktno kanonsko obliko, ki vsebuje le zakasnilne elemente, seštevalnike in množilnike. Množilniki so po svoji naravi najbolj komplicirani elementi v vezju. Zaradi tega se jih skušamo izogniti, če je le mogoče. Slika 1: direktna reaiizacijska struktura za digitalna sita s končnim trajanjem impulznega odziva 2. PRINCIP PORAZDELJENE ARITMETIKE Zraven klasičnega računanja skalarnega produkta se pojavlja tudi postopek z imenom porazdeljena aritmetika, ki kaže v primerjavi s klasično obliko realizacije določene prednosti glede hitrosti delovanja, učinkovitosti in zmanjšanja vpliva zaradi kvantizacije koeficientov. Pri postopku porazdeljene aritmetike nimamo več opravka z množilniki v taki obliki kot so prikazani na sliki 1. Novi postopek je prvi opisal E. Anderson'1' že leta 1971. Zaradi majhne tedanje praktične uporabnosti, kar je bilo vezano na stanje tehnologije pa je bil postopek komaj zapažen, dokler ga po daljšem času ni odkrilo spet več avtorjev'2, 3- 4). S tem so potrdili uporabnost porazdeljene aritmetike, oz. ROM-akumulator metode kot so jo sprva imenovali. Od teh začetnih del je najbolj znan članek Peled Liua tako, da se reaiizacijska struktura včasih imenuje kar po teh avtorjih. Pri postopku porazdeljene aritmetike običajno strukturo množilnikov in seštevalnikov zamenjamo s pomnilnikom in 189 Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 189-193 akumulatorjem. Pomnilnik je običajno ROM tipa in ga uporabljamo za shranjevanje v naprej izračunanih delnih rezultatov. Rezultirajočo izhodno vrednost pa dobimo z utežnim seštevanjem, oz. odštevanjem klicanih delnih rezultatov v akumulatorju. Pri tem pa naslove delnih rezultatov v pomnilniku določa vektor vhodnih spremenljivk. Povrnimo se k enačbi 1. Če so vrednosti vhodnih spremenljivk podane v binarni obliki in uporabimo za njihov zapis dvojiški komplement, pri čemer števila normiramo tako, daje |x(k)<1 I, dobimo S-1 x(k)=-b^YJbkm2-m (2) m= 1 Pri tem so bkm binarne vrednosti, ki zavzamejo le vrednosti 0 ali 1, bno je vrednost, ki določa predznak, bk,B-i pa najmanj utežni bit. Z upoštevanjem enačbe 2 lahko enačbo 1 preuredimo: N-1 B~1 y(k)=Y,h(n)(-bk-n,0+Y,bl<-n.rv2~m) (3) rt=0 m= 1 To je še vedno klasična oblika izražanja skalarnega produkta, ki se imenuje tudi koncentrirana aritmetika. Z zamenjavo vrstnega reda seštevanj dobimo po ureditvi naslednjo obliko: 0-1 N~ 1 N~ 1 Vik^i&h^bk-n.mV^+^hm-bk-n.o)) (4) m= 1 n=0 n= 0 Enačba 4 že določa izračunavanje trenutne izhodne vrednosti y(k) po principu porazdeljene aritmetike. Izraz v oklepaju, ki se v enačbi 4 pojavlja na dveh mestih, lahko štejemo kot novo funkcijo fm, ki jo lahko izračunamo iz konstant h(n) in znanih binarnih vrednosti vhodnega signala. Funkcijafmjefunkcijaz N argumenti: N-1 £h(n)bk-n,m=fmk(bk,m,bk-l,m,...,bk-N+\,m) (5) N=O Ker zavzemajo bk-n,m le vrednosti 0 ali 1 ima lahko fm 2N možnih različnih vrednosti, ki jih glede na enačbo 4 lahko sproti izračunavamo, lahko pa jih izračunamo vnaprej ter jih spravimo v pomnilnik. Prva možnost pride v poštev pri simulaciji, druga pa pri aparaturni realizaciji. V drugem primeru nam vektor vhodnih spremenljivk določa naslovni vektor za naslavljanje pomnilnika. Za izračun izhodne vrednosti je potrebno določiti B naslovnih vektorjev, oz. iz pomnilnika prečitati B delnih rezultatov, ki določajo končno izhodno vrednost: B-1 yC0=2>* 2~m~fok (6) m= 1 Množenje z 2"m pri aparaturni realizaciji enostavno izvedemo s pomikom vsebine akumulatorja v desno. Re-alizacijsko strukturo prikazuje slika 2. Za izračun trenutne izhodne vrednosti y(k) potrebujemo torej pomnilnik s kapaciteto 2N besed s po Bf biti in en R.Babic et al.: Učinkovita aparaturna realizacija digit. _sit s končnim trajanjem impulznega odziva Slika 2: realizacijska struktura digitalnega sita s končnim trajanjem impulznega odziva v porazdeljeni aritmetiki. akumulator A, v katerem dobimo rezultat kot utežno vsoto vnaprej izračunanih funkcijskih vrednosti fm v B taktih. Z Bf smo označili število bitov za zapis delnih vsot, ki se v splošnem lahko razlikujejo od števila bitov za zapis vhodnega signala. Pri tem je običajno Bf >= B. Osnovna slabost prikazane strukture je prisotna zaradi eksponencialnega naraščanja velikosti pomnilnika. To je seveda tem bolj prisotno pri višjih stopnjah digitalnih sit, kar pa pri nerekurzivnih digitalnih sitih s končnim trajanjem impulznega odziva ni nobena redkost. V tabeli 1 so za ilustracijo zbrane vrednosti velikosti pomnilnikov v odvisnosti od stopnje digitalnega sita. stopnja sita N-1 velikost pomnilnika (število pomnilniških lokacij) 5 32 10 1 024 15 32 768 20 1 048 576 30 1 073 741 827 Tabela 1: velikost pomnilnikov v odvisnosti od stopnje sita Iz tabele 1 je razvidno, da je kljub današnjemu stanju tehnologije v praksi zelo težko realizirati digitalna sita pri katerih je število koeficientov impulznega odziva večje od N > 21 . Zato pa je po drugi strani hitrost izračunavan ja izhodne vrednosti v primerjavi s klasično realizacijsko obliko s slike 1 določena le s številom bitov B v zapisu vhodnih spremenljivk in neodvisna od velikosti stopnje digitalnega sita. To pride do posebne veljave v sistemih, ko je N >B. Velikost pomnilnika lahko zmanjšamo na račun zmanjšanja hitrosti delovanja. To dosežemo z delitvijo enačbe 1 na M modulov: 190 R.Babic et al.: Učinkovita aparaturna realizacija digit. sit s končnim trajanjem impulznega odziva Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 189-193 Slika 3: realizacija digitalnega sita s porazdeljeno aritmetiko z uporabo M modulov Ni N2 y(k)=^h(n)x{k-n)+JJh(n)x(k-n)+...+ /7=0 n=N N-1 J^h{n)x{k-n) (7) kjer so Ni < N2 < ... < Nm-i poljubno velike stopnje posameznih delov, ki jih imenujemo moduli. Vsak modul zase realiziramo sedaj po metodi porazdeljene aritmetike, izhodno vrednost y pa dobimo z dodatnim seštevanjem M izhodov posameznih modulov. Strukturo ponazarja slika 3. fj=A/m_i+1 VHOD x(l) Slika 4: blokovna shema praktične realizacije digitalnega sita s porazdeljeno aritmetiko 191 Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 189-193 R.Babic et al.: Učinkovita aparaturna realizacija digit. _sit s končnim trajanjem impulznega odziva Vhodno polje je razdeljeno na M delov. Vsak del zase naslavlja ustrezni pomnilnik, v katerem so shranjene v naprej izračunane delne vsote posameznih modulov. V tem primeru potrebujemo pomnilnik gledano kot celota z 2 lokacijami. To je lahko bistveno manj kot v osnovni izvedbi porazdeljene aritmetike. Zato pa potrebujemo sedaj M akumulatorjev in dodatno seštevanje izhodnih vrednosti iz posameznih modulov. 3. PRIMER PRAKTIČNE REALIZACIJE Za konkretno realizacijo nerekurzivnega digitalnega sita po principu porazdeljene aritmetike smo uporabili nizko prepustno sito z N = 21 koeficienti impulznega odziva z dvema različnima frekvenčnima karakteristikama. Koeficiente sita smo izračunali s programskim paketom za načrtovanje optimalnih enakomerno valovitih nerekur-zivnih digitalnih sit (5). V prvem primeru so bili osnovni parametri sita določeni s prepustno mejno frekvenco fp = 0,1 fv , zaporno mejno frekvenco fz = 0,125 fv; v drugem primeru pa je bila pri isti fp spremenjena fz = 0,175 fv. S fv je označena frekvenca vzorčenja vhodnega signala. Blokovna shema digitalnega sita je prikazana na sliki 4. Vezje sestavljajo vhodno izhodna enota z analogno digitalnim in digitalno analognim pretvornikom, vhodno polje, EPROM pomnilnik in aritmetična enota. Sistem je zasnovan na B=8 bitni aritmetiki. Za izbrano digitalno sito bi pri realizaciji po sliki 2 potrebovali EPROM pomnilnik z 221 naslovi, kar je danes na meji tehnološke zmogljivosti. Zato smo uporabili rea-lizacijsko strukturo prikazano na sliki 3, s tem da smo izbrali le dva modula (M=2). Skupno vhodno polje, ki je razdeljeno na dva dela, je sestavljeno iz 21 osembitnih pomičnih registrov. Prvih 11 registrov definira naslovni vektor za prvi EPROM pomnilnik s kapaciteto 2048 x 8 bitov, drugih 10 registrov pa definira naslovni vektor za drugi EPROM pomnilnik s kapaciteto 1024 x 8 bitov. Za aritmetično enoto pa smo uporabili mikroračunalnik ID1680, tako da smo utežni vsoti kot delna rezultata iz modulov ter končno seštevanje izvedli v programski obliki. Zaradi tega je bilo delovanje digitalnega sita omejeno na nizke frekvence, s čimer pa nismo izgubili na splošnosti. Frekvenca vzorčenja je bila fv = 1 kHz. Enačba 7 se z upoštevanjem M=2 in izbrani vrednosti Ni = 10 glasi 10 20 n=0 n=11 Z upoštevanjem enačbe 6 bomo dobili izhodno vrednost y(k) v primeru dveh modulov v obliki 7 7 y(k)=(~foi&YJfmk2~m)+(-go^JJgmk2-m) (9) /77=1 /77=1 V praksi je potrebno zgornjo enačbo preurediti v obliko: y(k) = (((((((f 7k+ g 7kj 2 ~1+ (f 6k+ gek)) 2"1 Enačba 10 nazorno prikazuje princip izračunavanja utežne vsote izhodnega rezultata. Zaradi spremenjenega vrstnega reda klicanja delnih vsot fmk in gnik je potrebno ustrezno spremeniti tudi vrstni red naslovnih vektorjev v vhodnem polju. Rezultati realizacije digitalnega sita so zajeti v izmerjenih frekvenčnih karakteristikah obeh načrtovanih niz-koprepustnih sitih v primerjavi s teoretično izračunano frekvenčno karakteristiko in prikazani na sliki 5a in 5b. Spremembo frekvenčne karakteristike smo izvedli z enostavno zamenjavo EPROM pomnilnikov za katere smo v naprej izračunali vrednosti delnih vsot. H(fvi Ql Ot teoretična karakteristika merilne vrednosti f»= 0,1 fv 3,125 fu Orf o, l 0A 0,5 Slika 5 a H(fv! X; /o teoretična karakteristik \ o-- mer i ne vrednosti 4 f . \ p " 0,1 fv «<-- i 0,175 fv oy oj ■ /0 f 0,f 0,1 OS + ... + (f ik+ gik)) 2" + (-fok - gok) (10) Slika 5 b: Frekvenčni karakteristiki realiziranega nizko prepustnega sita v primerjavi s teoretično karakteristiko 192 R.Babic et al.: Učinkovita aparaturna realizacija digit. sit s končnim trajanjem impulznega odziva Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 189-193 4. ZAKLJUČEK V prispevku je opisana realizacija digitalnega sita po principu porazdeljene aritmetike s praktičnim prikazom nizkoprepustnega sita stopnje N-1 = 20. Iz rezultatov frekvenčnih odzivov vidimo, da se izmerjena frekvenčna karakteristika zelo dobro ujema s teoretično izračunano karakteristiko. Pri uporabi osem bitne aritmetike in uporabljeni stopnji sita slabljenje praktično realiziranega sistema še ne odstopa od teoretičnih izračunov. Čeprav smo uporabili mikroprocesorsko podprto aritmetično enoto je očitno enostavna in učinkovita možnost realizacije digitalnih sit s porazdeljeno aritmetiko. Vse prednosti pa pridejo do izraza s popolno aparaturno realizacijo. Poleg učinkovitosti postopka vidimo, da imamo opraviti s sorazmerno enostavno in splošno uporabno konfiguracijo digitalnega sistema za obdelavo signalov, ki je zanimiva tudi za mikroelektronsko realizacijo. Posebno pomembno je dejstvo, da omogoča uporaba porazdeljene aritmetike pri skrbnem načrtovanju veliko zmanjšanje aparaturne kompleksnosti. 5. LITERATURA (1) E.Andersson : A Digital Filter Implemented in Parallel Form Symp on Digital Filtering, Imperial College, London 1971 (2) A.Peled, B.Liu : A New Hardware Realisation of Digital Filters, IEEE Trans, on ASSP, vol ASSP-22, dec 1984 (3) C.S.Burrus : Digital Filter Structures Described by Distributed Arithmetic, IEEE Tran. on CAS, vol CAS-24, no. 12, dec 1977 (4) F.J.Taylor: A Distributed Arithmetic MFIR Filter, IEEE Trans, ASSP, vol ASSP-32, no. 1, feb 1984 (5) J.H.Mc Clellan, T.W.Parks, L.R.Rabiner: A Computer Program for Designing optimum FIR Linear Phase Digital Filters, IEEE Trans on Audio and Electroacoust., vol Au-21, no. 6. 1973 mag. Rudi BABIČ, dipl. ing. Mitja SOLAR,dipl.ing. mag. Tomaž DOGŠA,dipl.ing. vsi Univerza v Mariboru TEHNIŠKA FAKULTETA MARIBOR VTO Elektrotehnika, računalništvo in informatika Smetanova 17, 62000 Maribor Prispelo: 21. 11. 1989 Sprejeto :05.12.1989 193 Informacije MIDEM 19(1989)4, Ljubljana UDK 621,3:(53+54+621+66), ISSN 0352-9045 DEBELOPLASTNI SUPERPREVODNIKI NA OSNOVI YBa2Cu307, MODIFICIRANEGA S PbO IN Z Bi203 Marko Hrovat, Slavko Bernik, Drago Kolar, Ida Jarkovič KLJUČNE BESEDE: visokotemperaturni superprevodniki, debeloplastni superprevodniki, YBa2Cu307, eksperimenti POVZETEK: Sintetizirali smo visokotemperaturne superprevodne materiale na osnovi spojine YBa2Cu307, modificirane z dodatkom PbO ali Bi203. Študirali smo vpliv dodatka PbO ali Bi203 na sintranje. Debeloplastne paste, pripravljene iz predreagiranega materiala in organskega nosilca, smo žgali na AI2O3 in Zr02 substratih. Začetek padanja upornosti (Tc onset) je bil pri 95 K, upornost nič pa so debeloplastni superprevodniki, odvisno od sestave, dosegli med 65 in 85 K. THICK FILM SUPERCONDUCTORS BASED ON Bi203 AND PbO MODIFIED YBa2Cu307 KEY WORDS:high Tc superconductors, thick film superconductors, modified Y-Ba2Cu307 experiments ABSTRACT: High temperature superconducting materials, based on Pb0or8i203 modified YBa2Cu307 compound were synthesized. The influence of PbO or Bi203 additions on sintering were studied. Thick film pastes, prepared from prereacted material and organic vehicle, was fired on AI2O3 and Zr02 substrates. Tc (onset) was 95 K and Tc (R=0), depending on composition, between 65 and 85 K. UVOD Z odkritjem visokotemperaturne superprevodnosti v sistemu Y2O3- BaO-CuO(1) s kritično temperaturo okrog 95 K, to je nad vreliščem tekočega dušika (77 K), so se vsaj teoretično odprle možnosti uporabe superprevodnosti na najrazličnejših področjih, od mikroelektronike do močnostnih aplikacij. Najverjetneje pa bodo visokotemperaturni superprevodniki, vsaj v naslednjih nekaj letih, uporabljani predvsem v mikroelektroniki, na primer senzorji magnetnega pretoka, povezave med polprevod-niškimi tabletkami (chipi) na vezjih ali na samih tabletkah itd.(2,3). V literaturi poročajo predvsem o pripravi tenkih plasti, nekateri avtorji pa tudi o debeloplastnih super-prevodnikih (4,5). V članku poročamo o rezultatih preiskav debeloplastnih superprevodnikov na osnovi spojine YBa2Cu307. Ker se sama spojina YBa2Cu307 slabo sintra (6,7), smo del Y2O3 zamenjali z Bi203 oziroma del BaO s PbO. Ta dva oksida imata nizko tališče, prvi pri 825°C in drugi pri 885°C. Iz istega razloga smo del vzorcev pripravili z dodatkom spojine Bi2Cu04 s temperaturo tališča 845°C. Upali smo tudi, da bo ta spojina reagirala s keramičnim substratom in izboljšala adhezijo žganih plasti(8). EKSPERIMENTALNO DELO Za eksperimentalno delo smo uporabili Y2O3 (99,9 %, Ventron), BaC03 (extra pure, Merck), CuO (Code No. 304832, Ventron), Bi203 (99,9 %, Merck) in PbO (+99 %, Merck). Naziv sestav vzorcev v tekstu je nominalen, kar pomeni, koliko Y2O3 smo zamenjali z Bi203 ali BaO s PbO. Ker se po žganju Bi203 in Pbo nahajata samo v fazi na mejah med zrni <9), bi morala biti na primer za Yo,8Bio,?Ba2Cu307 prava formula Yo,8Ba2Cu307 - 0,1 Bi203. Vzorce smo zmešali v izopropilnem alkoholu, stisnili v tablete in jih žgali 12 ur pri 850°C. Nominalne sestave so bile YBaii8Pbo,2Cu307, Yo,9Bio,iBa2Cu307, Yo,8Bio,2Ba2Cu307, Yo,7Bio,3Ba2Cu307 in YBa2Cu307 + 10 ut.% Bi2Cu04. Krivulje sintranja smo posneli na segrevalnem mikroskopu s hitrostjo segrevanja 10 K/min. Debeloplastne paste smo pripravili iz zmletega kalciniranega materiala in organskega nosilca (-terpineol, butil karbitol acetat in etil celuloza). Paste smo nanesli na substrate iz 96% AI2O3 ali Zr02 (Zr02, stabiliziran z Y203). Elektrode za meritev upornosti so bili predžgani debeloplastni prevodniki na osnovi Ag. Po sušenju (10 min pri 150°C) smo paste žgali 5 ur pri 900°C, nato pa še 5 ur na 400°C. Odvisnost upornosti od temperature za material v obliki tabletk in za debeloplastne plasti smo izmerili do temperature tekočega dušika. Superprevodnost tabletk smo testirali tudi z Meissner- jevim efektom - superprevodnik izrine silnice magnetnega polja in pri temperaturi tekočega dušika lebdi nad magnetom. Adhezijo žganih plasti smo ocenili z metodo "scotch tape method"(10). Samolepilni trak prilepimo na plast in sunkoma odluščimo. Mikrostrukturo vzorcev smo posneli z elektronskim vrstičnim mikroskopom. Stik med superprevodno plastjo 194 M.Hrovat et al.: Debeloplastni superprevodniki na osnovi YBa2Cu3Q7, modificiranega s PbO in z Bi2Q3_ Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 194-197 in keramičnim substratom smo analizirali z EDX (Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy). REZULTATI IN DISKUSIJA Krivulje zgoščevanja za YBa2Cu307, YBai ,8Pbo,2Cu307, Yo,8Bio,2Ba2Cu307 in YBa2Cu307 + 10 ut.% Bi2Cu04 so prikazane na sliki 1. Skrček samega YBa2Cu307 je okrog 3%, z dodatkom PbO in Bi203 med 8 in 9%, z dodatkom Bi2Cu04 pa okrog 6%. To kaže, da PbO in Bi203 ali sama po sebi ali pa tako, da nastanejo s prisotnimi oksidi nizkotemperaturni evtektiki, tvorita tekočo fazo, ki "pospeši" zgoščevanje materiala. Rezultati meritve odvisnosti upornosti od temperature in Meissner-jevega efekta tabletk so podani v tabeli I. "Upornost nič" pomeni, da je material postal super-prevoden nad vreliščem tekočega dušika (77 K). Tabela I Meissner-jev efekt in Tc (R=0) Vzorec Meissner-jev efekt Upornost nič Tc(R=0) YBa,,8Pbo,2Cu307 da da 90 K Yo,9Bio,iBa2Cu307 da da 80 K Yot8Biot2Ba2Cu3C>7 da da 90 K Yo7Bio,3Ba2Cu307 da ne / YBa2Cu3C>7+10ut.%Bi2Cu04 da da 85 K Rezultati za sestavo Yo,7Biol3Ba2Cu307, pri kateri se pojavi Meissner-jev efekt, vendar pa upornost ne pade na nič kažejo, da so superprevodna zrna ločena med sabo z nesuperprevodno fazo, verjetno zaradi relativno velikega dodatka Bi203. Debelopiastne paste, pripravljene iz YBai,8Pbo,2Cu307,Yo,9Bio,iBa2Cu307, Yo,8Bio,2Ba2Cu307 in YBa2Cu307 + 10 ut.% Bi2Cu04 so bile žgane na AI2O3 in Zr02 substratih. Adhezija super-prevodnih plasti z dodatkom Bi203 je bila razmeroma dobra, plasti se ni dalo odtrgati s samolepilnim trakom. S to, sorazmerno neobčutljivo metodo, nismo mogli ugotoviti razlike v adheziji med materialom z dodatkom Bi203 ali Bi2Cu04. Adhezija materiala z dodatkom PbO je bila slabša - plasti so se pri testu odluščile. Mikrostrukture prelomov plasti na keramiki so prikazane na sliki 2 (YBai,8Pbo,2Cu307), sliki 3 (Y0,9Bi0liBa2Cu3O7, Yo,8Bio,2Ba2Cu307) in sliki 4 (YBa2Cu307 + 10 ut.% BiaCuOi). Zasintrana zrna tvorijo sorazmerno porozno strukturo, ker je v izhodem materialu samo okrog 50 vol.% superprevodne spojine, ostalo pa je organski nosilec, ki med žganjem odhlapi ali zgori. Stik med debeloplastnom materialom in keramičnim substratom je intimen, kar kaže na reakcijo med superprevodnim materialom in keramiko. Vendar pa z EDX analizo nismo mogli opaziti difuzije oksidov iz superprevodne plasti v keramiko ali iz keramike v super-prevodnik. Diagrama tipičnih odvisnosti upornosti od temperature sta sta prikazana na sliki 5 (YBai,8Pbo,2Cu307 na Zr02 substratu) in sliki 6 (Yo,8Bio,2Ba2Cu307 na AI2O3 substratu). Upornost prične padati pri 95 K in doseže vrednost nič nad 80 K. Tabela II Debeloplastni superprevodnlk Substrat Upornost nič Tc(R=0) YBaii8Pbo,2Cu307 AI2O3 da 77 K Zr02 da 85 K Yo,9Bio,iBa2Cu307 AI2O3 ne 65-70 K* Zr02 da 80 K Yo,8Bio,2Ba2Cu3C>7 AI2O3 da 85 K Zr02 85 K YBa2Cu307+10ut.%Bi2Cu04 AI2O3 polprevoden Zr02 da 80 K 'ekstrapolirano Rezultati meritev odvisnosti upornosti od temperature debeloplastnih superprevodnikov so zbrani v Tabeli II. Začetek padanja upornosti Tc (onset) je bil pri vseh sestavah okrog 95 K. "Upornost nič" pomeni, da je vzorec postal superprevoden nad vreliščem tekočega dušika. YBa2Cu307 + Bi2Cu04 na AI2O3 substratih ima polpre-vodno odvisnost upornosti od temperature, to je, upornost narašča s padajočo temperaturo. Upornost Yo,9Bio,iBa2Cu307 na Al203 substratu pade pri 77 K na 15 % vrednosti pri sobni temperaturi, z ekstrapolacijo ocenjena temperatura, pri kateri pade upornost na nič (Tc R=0) pa je med 65 in 70 K. Tc (R=0) ostalih vzorcev je med 80 in 85 K. Najboljši rezultati so pri materialu z nominalno sestavo Yo,8Bio,2Ba2Cu307, kjer je upornost padla na nič na AI2O3 in Zr02 substratih pri 85 K. 195 Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 194-197 M.Hrovat et al.: Debeloplastni superprevodniki na osnovi YBa2Cu3Q7, modificiranega s PbO in z Bi2Q3 SKLEP Debeloplastne superprevodnike smo pripravili iz materiala z nominalnimi sestavami YBai,8Pbo,2Cu307, Yo,9Bio,iBa2Cu307, Yo,8Bio,2Ba2Cu307 in YBa2Cu307 + 10 ut.% Bi2Cu04 ter organskega nosilca. Žgali smo jih na substratih iz AI2O3 in Zr02 in izmerili odvisnost upornosti od temperature. Pričetek padanja upornosti Tc (onset) je bil okrog 95 K. Upornost plasti na ZrC>2 substratih je padla na nič med 80 in 85 K. Vzorec s sestavo YBa2Cu3C>7 + 10 ut.% na AI2O3 substratih je bil po-Iprevoden, upornost Yo,9Bio,iBa2Cu3C>7 na AI2O3 pa je padla na nič pod temperaturo vrelišča tekočeka dušika med 65 in 70 K. Najboljše rezultate smo dosegli z nominalno sestavo Yo,8Bio,2Ba2Cu307, pri kateri je u-pornost padla na nič na obeh vrstah substratov pri 85 K. ZAHVALA Zahvaljujemo se dr. Tomažu Kosmaču za pripravo ZrC>2 keramike in Jarmili VVernig za posnetke na elektronskem vrstičnem mikroskopu ter EDX analizo. Za sofinanciranje se zahvaljujemo Raziskovalni skupnosti Slovenije. REFERENCES 1. M. K. Wu et al., Phys. Rev. Lett., 58, (9), (1987), 908-910 2. M. R. Lelbowitz, Electronic Business, 13, (19), (1987), 28-30 3. L. Garwin, P. Campbel, Nature, 330, (1987), (17 Dec.), 611-614 4. D. W. Murphy et al., Science, 241, (1988), (19 Aug.), 922-930 5.M. Hrovat et al., Elektrotehniški vestnik, 56, (1), (1989), 13-16 6.S. H. Kilcoyne, R. Cywinski, J. Phys. D: Appl. Phys., 20, (10), (1987), 1327-1329 7. S. Bernik, M. Hrovat, D. Kolar, Supercond. Sci. Technol., 2, (1), (1989), 22-24 8. M. Hrovat, D. Kolar, J. Mat. Sci. Lett., 3, (8), (1984), 659- 662 9. M. Hrovat et al., "Investigations of superconducting YBa2Cu307 ceramic by Auger electron spectroscopy" (sprejeto v objavo v Vacuum) 10. Standard MIL-C-675 C mag. Marko Horvat, dipl.ing., Slavko Bernik, dipl.ing., prof. dr. Drago Kolar, dipl. ing. Institut Jožef Stefan, Univerza E. Kardelja, Jamova 39, 61000 Ljubljana, Ida Jarkovič, dipl.ing. Iskra Elementi, TOZD HIPOT, Šentjernej Prispelo: 30.08.1989 Sprejeto: 31.10.1989 bile kalcinirane pri 85(fC. 196 M.Hrovat et al.: Debeloplastni superprevodniki na osnovi YBa2Cu3Q7, modificiranega s PbO in z Bi2Q3_ Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 194-197 Slika 2: Mikrostruktura preloma debeloplastnega superprevodnika z nominalno sestavo YBa^sPbo^CuiOj na keramičnem substratu. K=keramika, S=superprevodnik o S1R 8 Slika 4: Mikrostruktura preloma debeloplastnega superprevodnika s sestavo YBa2CuiOj + 10 ut. % BkCuOn na keramičnem substratu. K=keramika, S=superprevodnik Slika 6: Odvisnost upornosti od temperature debeloplastnega superprevodnika z nominalno sestavo YoiBBb,2Ba2Cu30/ na AI2O3 substratu. Material je bil žgan 5 ur pri 90tf in 5 ur pri 40(f C. Slika 3: Mikrostruktura preloma debeloplastnega superprevodnika z nominalno sestavo Yo,aBio,2Ba2Cu307 na keramičnem substratu. K=keramika, S=superprevodnik Slika 5: Odvisnost upornosti od temperature debeloplastnega superprevodnika z nominalno sestavo YBa-ifiPbozCmO? naZr02 substratu. Material je bil žgan 5 ur pri 903 in z Nd bogate tekoče faze med pripravo vzorcev za metalografijo. Vzorec magneta iz komercialne zlitine ima manj por kot sintran vzorec iz pripravljene zlitine. Te pore v pripravljeni zlitini so verjetno posledica večje količine prisotnega Nd2C>3. Slika 3: Mikrostruktura sintranega vzorca NdFeB magneta (108CPC 1 uro ) pripravljenega iz prahu Goldschmidt. NdFeB magneti imajo, kot je znano, nizko Curiejevo temperaturo in zato se magnetne lastnosti s temperaturo zelo hitro zmanjšujejo. Zato smo izmerili temperaturno odvisnost magnetnih lastnosti sintranih NdFeB magnetov, ki so podane v tabeli III. Na sliki 4 pa so prikazane razmagnetilne krivulje za posamezne prahove in temperaturna odvisnost za magnet pripravljen iz domačega prahu. Iz tabele III je razvidno, da so magneti izdelani iz domačega prahu termično stabilnejši. Meja uporabe za trajne magnete je tista temperatura pri kateri pade koercitivna sila na polovico. Slika 4: Razmagnetilne krivulje vzorcev NdFeB magnetov, polna črta IJS prah ter odvisnost od temperature, prekinjena črta Goldschmidt prah. 200 J. Hole et al.: Sintrani trajni NdFeB magneti Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 198-201 Tabela III: Temperaturna odvisnost magnetnih lastnosti sintranih NdFeB magnetov. prah t(°c) Br (mTJ HCI (kA/m) HcB (kA/m) (BH)max (kJ/m3) Goldschmidt 30 1160 660 630 249 60 1120 438 430 199 80 1100 334 326 121 120 1000 183 179 38 Izdelan IJS 30 1050 1170 795 211 60 1020 907 764 199 80 970 593 565 179 120 950 489 461 171 Magneti, ki smo jih izdelali, so uporabni do temperature od 100 do 120 °C. Magnetne lastnosti pripravljenih NdFeB magnetov so v mejah komercialnih magnetov te kvalitete. Pri pripravi zlitine bi morali uporabiti postopek taljenja, s katerim bi bilo možno v eni šarži pripraviti večji ingot, s tem pa bi se izognili veliki površinski kontaminaciji ingota. Boljše magnetne lastnosti pa je mogoče doseči z ustreznejšim mletjem prahu, to je hidriranjem in mletjem ter z večjim dodatkom Dy, ki povečuje koercitivno poljsko jakost in s tem temperaturno stabilnost magnetov NdFeB. 4. SKLEPI Iz komercialne in v laboratoriju izdelane zlitine smo pripravili sintrane magnete NdFeB, katerih lastnosti so v okviru lastnosti komercialnih magnetov. Magneti so uporabni od 100 do 120 °C, mejo uporabnosti pa bi lahko dvignili z ustreznejšo pripravo zlitine ter prahu in večjim dodatkom Dy. 5. LITERATURA 1) M. Sagawa in ostali," Permanent magnets materials based on the Rare Earth - Iron - Boron tetragonal compounds ", IEEE Trans. Mag.,vol. MAG - 20, (1984), 1584 2) W. D. Corner," Permanent magnets ", Phys. Teholog., vol. 19, (1988), 158 3) J. Q. Xie in ostali, " Effect of Ga and Nb addition on the magnetic properties of the Nd2(Fe,Co)uB compound ", J. Mag. and Mag. Mater., vol.75, (1988), 361 4) C. Abache, H. Oesterreicher," Structural and magnetic properties of R2Fei4-xTx ( R= Nd, Y ; T= Cr, Mn, Co, Ni, Al)", J. Appl. Phys., vol 60, (1986), 1114 5) B. Saje, S. Beseničar, J. Hole, S. Spaič, " Priprava in preiskave magnetne zlitine Fe - Nd - B ", Rudarsko - metalurški zbornik, vol. 36(1), (1989), 47 6) J. Hole, S. Beseničar, M. Černila," Suhe komore za delo z NdFeB prahom ", IJS - DP 4697, 1987 7) J. Hole, S. Beseničar, M. Černila, D. Sušnik," Vakuumski peči", IJS - tehnična izboljšava, 1987 8) G. Schneider in ostali, " Phase relations in the system Nd - Fe -B ", Z. Metallkunde, vol. 11, (1986), 755 9) P. J. McGuiness in ostali," A study of Nd - Fe - B magnets produced using a combination of hydrogen decrepitation and jet milling ", J. Mat. Sci., vol. 24, (1989), 2541 dr. Janez Hole, dipl. ing., Inštitut Jožef Štefan, Jamova 39, 61111 Ljubljana Boris Saje, dipl.ing., Iskra TOZD Magneti, Stegne, 61000 Ljubljana mgr. Spomenka Beseničar, dipl.ing., Inštitut Jožef Stefan, Jamova 39, 61111 Ljubljana Prispelo: 30.09.1989 Sprejeto: 25.10.1989 201 Informacije MiDEM 19(1989)4, Ljubljana_UDK 621,3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 KVARCNI ELEKTROPORCELAN VISOKE ČVRSTOČE A. Sliškovič, M. Prelec, M. Kosec KLJUčNEREčI: kvarcni elektroporcelan, izolacioni materiali, mehaničke osobine, električke osobine, mikrostruktura, tehnologija, eksperimenti SADRŽAJ: Cilj ovog rada je dobivanje kvarcnog elektroporcelana boljih fizičkih osobina u odnosu na kvarcni konvencionalni porcelan. Ovo je postignuto odgovarajučim procentnim odnosom sirovina uz visoko učešče kvarca (do 50 %), zatim postizanjem fine granulacije sirovog materijala i pečenjem na temperaturi sinterovanja od 1220°C. Čvrstoča na savijanje neglaziranih štapova iznosi do 160 MPa. To je skoro dva puta više u odnosu na konvencionalni (B-10) kvarcni porcelan. Bolje su i neke električke karakteristike. HIGH STRENGTH QUARTZ ELECTROPORCELAIN KEYWORDS: quartz electroporcelain, insulating materials, mechanical properties, electrical properties, microstructure, manufacturing process, experiments ABSTRACT: High strength quartz electro porcelain was developed by optimizing the chemical composition and processing conditions particularly milling and flreing. The bending strength of sintered porcelain bodies up to 160 MPa was obtained. 1. UVOD Elektroporcelan kao izolacioni materijal za visoke na-pone i danas je veoma tražen na svjetskom tržištu. Zbog toga se neprestano radi na poboljšanju njegovih fizičkih osobina i unapredjenju tehnologije proizvodnje. U proizvodnji modernog elektroporcelana za postizanje visoke čvrstoče sva nastojanja usmjerena su na finiju teksturu i kristaliničnost proizvoda. Na tim principima radjeni su i naši probni porcelani i sa posebnom pažnjom ispitivana je mikrostruktura svih interesantnih uzoraka. Ova istraživanja provedena su u institutu "Jožef Štefan", Ljubljana. Proizvode se obično dvije vrste porcelana za visoki napon: aluminatni na bazi korunda (a AI2O3) i porcelan na bazi kvarca ili kristobalita (SiC>2). Kvarcni i kristobalitni porcelani imaju slabiju čvrstoču i otpornost na neke agense, kao što su fluorovodična i fosforna kiselina, u odnosu na aluminatni porcelan koji uvijek može da ima veču mehaničku, termičku i kemijsku otpornost. S druge strane kvarcni porcelan je mnogo jeftiniji obzirom na sirovine od kojih se dobiva. Tamo gdje nisu pretjerano strogi zahtjevi za mehaničku i kemijsku otpornost, pri-menjuje se kvarcni porcelan. Cilj ovog rada je dobivanje porcelana boljih fizičkih osobina u odnosu na sadašnji koji se proizvodi u Tvornici elektroporcelana (EPT), Energoinvest, pod oznakom B-10 kvarcni porcelan. Kao primjer relativno jeftinog porcelana, ali visoke čvrstoče poslužio je japanski kristobalitni firme NKG - Ja-pan. Od ove firme na raspolaganju smo imali izolator 35 KV za elektrifikaciju željeznica i prospekt o fizičkim karakteristikama materijala od kojeg je izolator napravljen. Posle analiza pokušali smo dobiti sličan ili približno isti materijal'1,2). Naša firma EPT taj isti tip izolatora proizvodila je od skupljeg aluminatnog porcelana, jer kvarcni B-10 nema dovoljno visoku čvrstoču za ove izolatore. 2. EKSPERIMENTALNI RAD 2.1 Sirovine Za ovaj rad primijenjene su sirovine koje se koriste u procesu EPT-a, a to su: domači kvarc iz Bitole, francuski feldspat, kaolin i glina iz Engleske, tehnička glinica iz Mostara i njemački kristobalit. Kemijski i mineralni sas-tav upotrebljenih sirovina prikazan je u tabeli I. 2.2 Priprema uzoraka Naši probni porcelani, paralelno s japanskim i B-10 označeni su na slijedeči način: * Japanski porcelan * B-10 (porcelan iz redovne proizvodnje EPT-a) * Sastav br. 1 probni porcelan * Sastav br. 2 probni porcelan * Sastav br. 3 probni porcelan * Sastav br. 4 probni porcelan * Kristobalitni probni porcelan 202 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrsioče Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 Tabela I: Kemijski i mineralni sastav sirovina Kvarc Feldspat Kaolin Glina Kristobalit Glinica Si02 99,5 69,0 48,1 57,3 99,7 - AI2O3 0,2 19,1 36,2 27,3 0,3 99,5 Fe2C>3 0,08 0,1 1,2 2,3 trag - ÜO2 - - trag 1,3 - ■ CaO 0,06 1,0 0,05 0,5 - - MgO 0,05 - 0,30 0,5 - - K20 0,1 9,1 1,5 0,6 - - Na20 0,08 2,7 0,11 0,1 - - Gubi. 0,5 - 12,5 10,2 - - UKUPNO 100,57 101,0 99,96 100,7 100,0 99,5 Kvarc 99,5 2,0 3,0 2,0 10,0 - Albit-ortoklas - 90,0 - - - - Kaolinit - - 75,0 53,0 - - Hit - - - 3,5 - - Muskovit - - 10,0 - - Montmorilonit - - 5,0 15,0 - - AI2O3 - - - - - 64,0 AI2O3 - - - - - 30,0 Kristobalit - - - - 85,0 - Učešče sirovina u pojedinim probnim sastavima obi-Iježenim od 1 do 4 je slijedeče: 50 do 60 % kvarca, oko 20 % feldspata, 22 do 30 % kaoiina i gline. Sastavi 1 i 2 razlikuju se po količini kvarca (sastav br. 1 - 60 %, sastav br. 2 - 50 %) Pored toga uzorak br. 3 sadrži 1 % ZnO i 2 % tehničke glinice, uzorak br. 41 % ZnO i 5 % tehničke glinice. Kristobalitni probni porcelan sadrži 40 % kris-tobalita. Da bi se postigla što finija tekstura proizvoda, potrebna je fina granulacija sirovina. Pošto su kvarc i feldspat kao prirodne sirovine suviše grube, ove dvije komponente mljevene su mokrim postupkom u kugličnom mlinu sve dotle dok čestice nisu postale finije od 40 mikrometara (3). Mljevenje je trajalo 5 do 7 sati u mlinu punjenja od 10 kg. Zatim su dodane gline i kaolin i radi što bolje homo-genizacije mljevenje je produženo još 2 sata. Za tako usitnjen materijal izvršena je granulometrijska analiza metodom sedimentacije. Nadijagramu (slika 1) —" B-to p * 4 V!:ČF OD ;:?.■"/, 09 -ii- W JU m yi.O I^J 0 -um .5 jy; ? .<„■» ;6(i «g VANJE OÜ 7 J1B1440 J:' 2 'U 0 2 5 20 30 iO PROMXR ČFSTiCAfjum) Slika 1: Grafički prikaz rasporeda veličine čestica sirovog materijala B-10 iprobnog sastava (F). 203 Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrstoče predstavljene su 2 krivulje rasporeda čestica prema veličini i to za B-10 i probnu smjesu F s optimalnim mlevenjem. Filtriranjem i vakuumiranjem dobiveni su štapovi kao ispitna tijela koji prema DIN standardima u pečenom stanju trebaju da budu promjera oko 10 mm i dužine 120 mm. Štapovi su pečeni u laboratorijskoj i industrijskoj peči u oksidacijskoj atmosferi. Maksimalne temperature pečenja su 1220°C, 1230°C i 1250°C. Sastav br. 4 pečen je i oksido-redukcijski na 1220°C (Sastav br. 4b). 2.3 Analize uzoraka Pečeni štapovi poslužili su za ispitivanje mehaničke črvstoče na savijanje, gustine i mikrostrukture. Meha-nička čvrstoča na savijenje uzeta je kao mjerilo za eliminaciju svih probnih sastava koji su imali nižu vrijed-nost od 120 M Pa i tako nisu uzeti za dalja ispitivanja. Gustina je odredjivana prema Arhimedovom zakonu a teoretska piknometarski. Za mikrostrukturnu analizu koristili smo: * optičku mikroskopiju (OM) * elektronsku mikroskopiju (SEM) * energijsko-disperzijsku rentgensku analizu (EDS) * rentgensku difrakciju (RTG). Analizirali smo probne sastave od 1 - 4, koji su pečeni na maksimalnim temperaturama 1220 - 1250°C, ja-panski porcelan i porcelan iz redovne proizvodnje. 3. REZULTATI I DISKUSIJA 3.1 Mineralni sastav RTG analizom ustanovili smo prisustvo pojedinih kristalnih faza (slika 2). Svi uzorci sadrže mulit, kristobalit i kvarc, a sastavi br. 3 i br. 4 sadrže još i AI2O3. Japanski porcelan ima najviše kristobalita i mulita, a kvarca u maloj količini. Čvrste komponente porcelanov jesu mulit, kvarc, kristobalit i staklo. Probnl porcelani imaju u velikoj količini kvarca, manje mulita od japanskog i malo kristobalita. Vidimo da se radi o kvarcno- mulitnim porcelanima s primjesama kristobalita. Od probnih sastava najviše kristobalita sadrži sastav br.3., industrijski uzorak B-10 kristobalita nema. 3.2 Mikrostruktura 3.2.1 Poroznost Pečeni uzorci su brušeni i polirani te pod optičkim mikroskopom fotografirani da bi dobili snimke na kojima se vide pore. Pore su posljedica tehnološkog postupka, prisustva volatllnih komponenata, stupnja sinterovanja i drugo. Poželjno je da se smanje na najmanju moguču mjeru, jer smanjuju čvrstoču materijala. Bitan je oblik i veličina pora, raspored i zapreminsko učešče (tabela II). 9 I Vv ¡Mft,-:1 1' 'i' r: j, i.., L !q C 0 Q 1 i \„ ll '—-if 3 'f Q r cfi 1 e-1 I O ,, 1 I tiL 0 1 1 «¿p t»«, i 1 L— "JU, 50 tb '.0 35 30 u s-3-10 40 'M 2 G- 20 - 2 0- Slika 2: Difraktogramiporcelanov; Q - kremen, C - kristobalit, M - mulit, A - AI2O3 Oblik pora je uglavnom ovalan. Veličina pora izražena u mikrometrima, mjerena je pomoču ugradjenog mjerila. Izmjereni su presjeci pora na odredjenoj razdaljini i linearnom metodom količina poroziteta izražena je u zapreminskim postocima. Direktna mjerenja u mikroskopu i snimci kažu, da je porozitet u japanskom porcelanu znatan i da su pore približno jednake veličine. Od probnih porcelana največi porozitet ima sastav br. 1, a ostali sastavi imaju ga manje. Treba uzeti u obzir ogra-ničene mogučnosti optičkog mikroskopa, jer ne možemo vidjeti pore manje od 1 mikrometra. Znači, da je stvarni porozitet nešto malo veči. Japanski porcelan sadrži oko 10 % pora, a probni sastavi izmedju 3,5 i 6 %. B-10 iz redovne proizvodnje sadrži oko 6 % ovalnih i izduženih pora što je posljedica tehnološkog postupka. Zato je slika poroznosti B-10 nešto drugačija od ostalih. 3.2.2 Čvrste komponente Identifikacija i semikvantitativna analiza čvrstih komponenata izvršena je pomoču OM, SEM i EDS uz koriščenje i rezultata RTG analize (tabela II). Uzorci su bili polirani i nagriženi s HF te analizirani sa OM a pojedinačni mikrostrukturni detajli bili su ispitani koristečiSEM (slika 3). Čvrste komponente porcelanov jesu mulit, kvarc, kristobalit i staklo. Mulit je nastao iz kaolinita i njemu sličnih minerala -montmorilonita, ilita i drugo. Kaolinit zagrijavanjem preko odredjenih faza prelazi u mulit uz izdvajanje ¿¡O2. Taj mulit zovemo primarni i ima ljuskasti izgled. U prisustvu tekuče faze nastaje igličasti sekundami mulit, koji je veoma uočljiv na SEM snimcima za razliku od primar-nog. Kvarcna zrna se u procesu sinterovanja, ona najsitnija rastale, a veča se po rubovima zatale tako da ih obavija 204 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrsioče Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 Tabela II: Strukturni sastav uzorka na osnovu analiza OM, SEM, EDS i RTG Uzorci Jap 1 2 3 4 B-10 1. Poroznost % pora 10 6 4,5 3,5 4 6 pretežno (jim) 5-23 5-17 3-17 1-15 5-55 3. kristobalit SiC>2 približna ocjena (%) 30 vrlo malo vrlo malo malo vrlo malo nema 1 1 <1 <1 prisutne 0 max. (p.m) do 50 do 23 do 30 do 35 6.tekstura j zrnat ost g rublja grublja srednja linija finija gruba raspored komp. ravnomjerna koncentrično us. malo usmjerena malo usmjerena malo usmjerena malo usmjerena 7. mulit a) mulitizirana masa pribl. ocjena (%) 70 45 50 55 24 51 b) mulitni kristali igličasti 0,1 (/um) prema (SEM) veči veči sred. sred. manji max.do 10 205 Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209_A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrstoče Slika 3: Mikrostruktura sinterovanih porcelana (SEM) a - japanski, b - probni sastav br. 4, c - B-10 porcelan; K - kristobalit, Q - kremen, M - mulit, S - staklo sloj člstog Si02. Različita su temperaturna rastezanja kvarca i okolnog stakla, uslijed čega hladjenjem nastaju značajne ovalne pukotine u staklu oko kremenih zrna kao što vidimo na snimcima probnih porcelana i B-10. Kod japanskog porcelana te pukotine nisu vidljive. U probnim porcelanima u nekim slučajevima kvarc tokom pečenja predje u kristobalit. Na snimcima se vidi razlika u obliku zrna kvarca i kristobalita. Zrna kvarca su ravnih rubova dok su zrna kristobalita polukružnih rubova po cijelom opsegu. Prelaz kvarca u kristobalit najprije nas-taje na periferiji zrna, ali i u dijelu zrna. Pokušali smo izazvati intenzivniju pretvorbu kvarca u kristobalit do-dajučiZnOkao mineralizator(uzorakbr. 3). RTG analiza tog uzorka je pokazala, da je nastalo više kristobalita nego u ostalim sastavima (slika 2), prema procjeni sa OM oko 5 %. Medjutim, fizičke osobine porcelana nisu bile dosta bolje od onog kojem nismo dodavali ZnO (tabela III). Stoga smo odustali od daljeg insistiranja na pretvorbi kvarca u kristobalit uz dodatak mineralizatora. Uzorci fino granuliranog materiala pokazali su tokom pečenja sklonost deformaciji. Zbog toga bilo je potrebno rešiti i taj dodatan problem. Sastav 1 i 2 pokazali su najvišu mehaničku čvrstinu nakon pečenja na temperaturama 1220°C I 1250°C. U oba slučaja uzorci su se ¡skrivili. Smanjivanjem temperature pečenja ispod 1210°C bitno se smanjila i mehanička čvrstoča. Doda-vanjem 2 % odnosno 5 % tehničke glinice (sastavi br. 3 i br. 4) veličina deformacije je svedena u normalne granice kao za B-10 porcelan. Prlmjena tehničke glinice u količini iznad 5 % ima več nepovoljan utjecaj na plastičnost materijala u sirovom stanju. Iz tabele I. vidi se, da je tefnnička glinica sastavljena iz 2/3 y-oblika i 1/3 a-oblika. Metodama analize ustanovili smo, da a-oblik ostaje nepromijenjen. Njegovo prisustvo potvrdeno je sa RTG (slika 2). y-Al203 nismo identificirali, vjerovatno se otoplo u staklastoj fazi. U uzorcima sa dodatkom y-AI2O3 zapazili smo i dodatno otapanje kremenih zrna (tabela II), što mijenja sastav i osobine tekuče faze. To bi moglo uticati na smanjivanje sklonosti ka deformaciji tokom pečenja. Na snimcima japanskog porcelana vidi se visok sadržaj kristobalita i mulita, a manje stakla. Pomoču EDS ustanovljen je kemijski sastav nekih faza kod japanskog porcelana. U staklastoj fazi nadjeni su Si, Al, K I malo Fe (slika 4). Znači da je kao topitelj upotrebljen vjerovatno kalijev glinenac. Svjetla zrna veličine do 35 mikrometara identificirana su kao ZrSiCU u količini oko 1 %. Veoma svijetla zrna veličine oko 30 mikrometara, djelomično zataljena 206 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrsioče Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 Tabela III: Fizičke osobine porcelana poslije pečenja Sastavi Maksimalna temperatura pečenja Gustina Teoretska gustina Ukupan porozitet Cvrstoča na savijanje (°) (g/cm3) (g/cm3) (vol.%) neglazirano (M Pa) glazirano (MPa) B-10 1250 2,37 2,53 8 75-85 <100 Jap. (high strength) - 2,30 - - 90-120 120-130 Jap. (extra high strength) - 2,40 - - 140-160 180-190 Probni sastavi: Kristobalitni 1230 2,35 - - 100-115 - Kvarcni br. 1 oksid, pečenje 1230 2,36 2,48 5 115-140 140 2 oksid, pečenje 1250 2,40 2,49 3,7 130-145 140-150 3 oksid, pečenje 1240 2,41 2,49 3,2 135-160 150-165 4a oksid, pečenje 1220 2,41 2,50 3,6 137-155 160-165 4b oksid. -redukc.peč. 1220 2,41 2,50 3,5 140-145 NAPOMENA: Za japanski porcelan podaci su uzeti iz prospekta. Prema plavkastoj boji crijepa izolatora kojeg smo analizirali, može se zaključiti da je pečen u oksido-redukcijskoj atmosferi. i zaobljenih kontura su T1O2. Procjenjuje se da ih ima takodjeroko 1 %. Tehnološki postupak nam naravno nije poznat. Jedan od mogučih načina je prema literaturnim podacima koriščenje materiala s visokim sadržajem kremena koji je u obliku finih čestica koje pečenjem prelaze u kristobalit(4). Mikrostruktura japanskog porcelana jako je homogena; tijesna je povezanost izmedju zrna kris- Slika 4: Energijsko disperzijska rentgenska analiza (EDS) staklaste faze japanskog porcelana tobalita i mulita, što je moguči razlog za visoku čvrstoču iako je porozitet oko 10 %. Povečanju čvrstoče porcelana doprinosi i mulit, koji prorasta alkalnu alumosilikatnu staklastu materiju. Dobro je vidljiv u svim uzorcima u obliku igličastih kristala na SEM snimcima. Koliko mulita otpada na primarni nije moguče ocijeniti. Na snimcima naših probnih porcelana kao i kod B-10 jasno se vide pukotine oko zrna kvarca. Njihov utjecaj na smanjenje čvrstoče materijala umanjen je postizan-jem finije granulacije (slika 1) tako da su oko manjih zrna manje i pukotine. Pored toga, postiže se veča gustina crijepa smanjivanjem poroziteta i na taj način postigli smo značajno poboljšanje fizičkih osobina probnih porcelana u odnosu na B-10. Tabela II. prikazuje pored poroznosti i ostale komponente strukture uzoraka. Približan kvantitativni odnos faza ocijenjen je na osnovu OM, SEM, EDS i RTG. Izraženo u zapreminskim postotcima, procenjuje se da japanski porcelan ima oko 30 % kristobalita, 70 % mulitizirane mase, 10 % stakla, malo kvarca, zatim Ti02 i ZrSiC>4 oko 2 %. Promjer zrna kristobalita je 5 do 20 mikrometara. Probni porcelani sadrže oko 15 do 35 % 207 Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrstoče Tabela IV: Funkcionalni podaci za probni porcelan u usporedbi sa B-10 porcelanom. Karakteristike prema standardu DIN 40685-KER 110.0 (ispitivao- IRCE, Energoinvest) Br. Svojstvo Jedinica Elektroporcelan B-10 Probni elektroporcelan 1. Sposobnost upijanja vode % 0,0 0,0 2. Gustina g/cm3 2,37 2,41 3. Čvrstoča na savijanje do loma (os) MPa neglaz. 75-85 glaz. 100 neglaz. 130-150 glaz. 150-160 4. Jednominutni ispitni napon (debljina 1,5 mm) (UZ) KV 29 42 5. Ugao dielek. gub. kod 50 Hz i 20°C (tg 5) 28x10'3 18,5x10'3 6. Dielektrična konst. kod 50 Hz i 20°C (e,) 7,0 5,8 7. Specifični unutrašnji otpor kod 20°C, istosmjerni napon (po) Qcm 3,0 x 1013 1,6 x 1014 8. Modul elastičnosti (E) MPax 103 45 85 9. Tvrdoča po Mohs-u 7 7,5 10. Linearni koeficient toplotnog širenja (20-600°C)(a) 1 0"bK"1 5,5 6,5 11. Postojanost na naglu promjenu temperature (AT) °C 190 200 12. Površinski otpor kod 20°C (UZ) Q 3,8 x 1013 kvarca, stakla 11-15 % i mulitizirane mase 24 do 55 %. Veličina zrna kvarca kreče se pretežno izmedju 1 i 23 mikrometara. Tabela III. prikazuje mjerene fizičke veličine probnih porcelana paralelno s B-10 i japanskim porcelanom za kojeg su vrijednosti uzete iz prospekta. Prikazane su temperature pečenja, stvarna i teoretska gustina, količina poroziteta izračunata iz gustine, koja se veoma dobro slaže sa OM odredjivanjima i čvrstoča na savij-anje. Ukupan porozitet probnih sastava smanjen je na minimum, usitnjavanjem krupnozrnijih sirovina i pos-tizanjem rasporeda veličina čestica kao na sliki 1. Za neglazirane štapove čvrstoča za B-10 iznosi svega 75-85 MPa što je daleko manje u usporedbi s japanskim i probnim porcelanima. Od probnih najmanju črvstoču ima porcelan dobiven na bazi njemačkog kristobalita(5). Iznosi svega 100-115 MPa. Pokušali smo mljevenjem dobiti više vrijednosti, ali ni tada nisu dobiveni očekivani rezultati pa smo odustali od daljeg rada na ovom sastavu imajuči u vidu i visoku cijenu kristobalita kao sirovine. Kvarcni probni porcelani dali su izrazito dobre rezultate za čvrstoču na savijanje, od najniže 115 do najviše 160 MPa, ovisno o finoči mljevenja, poroznosti nakon pečenja i faznog sastava. Neki primjeri iz novije literature u vezi kvarcnog i aluminatnog porcelana pokazuju da su istraživači, primjenom raznih alumosilikatnih sirovina i dodavanjem metalnih oksida kao mineralizatora, nas-tojali da dobiju porcelan što bolje čvrstoče. H. Schubert (6,7) je u svojim radovima napravio pregled rezultata od nekoliko istraživača iz kojih se može vidjeti da su pos-tignute vrijednosti za mehaničku čvrstoču na savijanje za kvarcni neglazirani porcelan do 130 MPa. Tabela IV prikazuje izmjerene najvažnije funkcionalne veličine za probni sastav 4 (sadrži 5 % tehničke glinice) koji je izdvojen kao najpogodniji za eventualnu primjenu u usporedbi s B-10. Iz podataka se vidi da probni porcelan br. 4 ima bolji specifični unutrašnji otpor, ispitni napon i manji ugao dielektričnih gubitaka. 4. ZAKLJUČAK 1. Tokom rada uvidjeli smo da možemo dobiti materijal na bazi domačeg kvarca iz Bitole koji ima isto tako dobre fizičke osobine kao japanski kristobalitni porcelan (sastav br. 4). To znači da je dobiven elektroporcelan visoke mehaničke čvrstoče i dobrih električnih osobina. Materijal se može ispeči na temperaturi 1220°C u ok-sidacijskoj ili oksido- redukcijskoj atmosferi. 2. Za postizanje ovako dobrih rezultata potrebno je bilo pronači optimalan odnos sirovina, postiči finu granula-ciju kvarca i feldspata ispod 40 mikrometara. U sirovom stanju trebalo je voditi računa o ponašanju sirove mase pripremljene mokrim postupkom to jest o sposobnosti filtriranja i vakuumiranja. Formirana probna tijela u obli- 208 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrsioče Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 ku štapova procesom vakuumiranja i izvlačenja pečena su u laboratorijskoj ili pogonskoj peči. 3. Problem deformacije tokom pečenja riješili smo doda-vanjem 7AI2O3 u količini 2 do 5 %. 4.Tokom ovih eksperimenata ustanovili smo da pojava kristobalita u probnim porcelanima u količini do 5 % nema značaja za poboljšanje njegovih osobina. 5.Mehanička čvrstoča na savijanje neglaziranog prob-nog porcelana je skoro dva puta veča od B-10 porcelana, a bolje su i neke električne osobine što je rezultat finije teksture i pogodnog faznog sastava. 6. Treba imati u vidu da se B-10 izradjuje od 80 % uvozne i 20 % domače sirovine. Probni porcelan br. 4 sadrži 50 % uvozne i 50 % domače. Osim toga porcelan br. 4 sinteruje na nešto nižoj temperaturi kod 1220°C u odnosu na B-10 koji sinteruje na 1250°C. Za postizanje finije granulacije sirovina u probnim sastavima utrošak energije je znatan što je neizbježno za postizanje dobrih rezultata. S druge strane smanjuje se utrošak energije pečenjem na nižoj temperaturi. 5. LITERATURA 1 .SCHÜLLER K.H., Hochfeste Porzellane auf Quarz - und Cris-toballtbasls, I. Teil, Ber. Dtsch. Keram. Ges. 44 (1967) 212 2. SCHÜLLER K.H., Hochfeste Porzellane auf Quarz - und Cris-tobalitbasis, II. Teil, Ber. Dtsch. Keram. Ges. 44 (1967) 284 3.SCHULLE W. und KLEIN G„ Der Einfluss der gezielten Feinmahlung von Feldspatträgern auf das keramisch - technologische und Sinter - Verhalten von Porzellanmassen, Sprechsaal, 119, No. 11, 1986, 1023 4.GRIMSHAW REX W., The Chemistry and Physics of Clays and Other ceramic Materials, Ernest Benn Lim., London 1971, 962 5.MIELDS A. und ZOGRAFOU C., Cristobalit als Gefügebestandteil im Porzellan, Ber. Dtsch. Keram. ges. 44 (1967), 453 6.SCHUBERT H., Porzellane hoher Festigkeit, Sprechsaal, 119, No. 10, 1986, 878 7. SCHUBERT H„ Porzellane hoher Festigkeit, VII. Sprechsaal, 121, No. 10, 1988, 921 A. Sliškovič, dipl.ing. Centarza istraživanje i razvoj materijala, "Energoinvest", Sarajevo M. Preteč, dipl.ing., Iskra Elementi", VTOZD Keramika, Ljubljana, Stegne 27 Dr. M. Kosec, dipl.ing. Institut Jožef Stefan, Ljubljana, Jamova 39 Prispelo: 15. 11. 1989 Sprejeto: 05.12.1989 209 Informacije MIDEM 19(1989)4, Ljubljana UDK 621.3:(53+54+621+66), ISSN 0352-9045 KRMILNIK ELEKTROLUMINISCENTNEGA PRIKAZALNIKA Stane Solar, Marjan Jenko, Vlasta Kregar KLJUČNE BESEDE: elektroluminiscenčni prikazalniki, krmilno vezje, LDMOS tranzistorji, integrirano vezje POVZETEK: Podane so zahteve za krmilnik prikazalnika in snovno geometrijske lastnosti LDMOS tranzistorjev za izpolnitev zahtev. THE ELECTROLUMINISCENCE DISPLAY DRIVER KEYWORDS: electroluminiscent display, driver circuits, LDMOS transistors, integrated circuits ABSTRACT: The characteristics, which the driver has to have, are presented and the material and geometrical data to obtain the aimed characteristics are described. UVOD Razvoj integriranih vezij je še vedno usmerjen k večjim stopnjam integracije, v zadnjem času pa tudi k združitvi logičnega in močnostnega ali visokonapetostnega dela v enem integriranem vezju. Take združbe označujemo kot "Smart Power" integriranega vezja. Ta vezja bi bila tržno zanimiva že s postavitvijo prve elektrarne, tehnologija pa je morala dozoreti do take stopnje, da je ta vezja sploh mogoče narediti in to dovolj poceni, da ob njihovih siceršnjih prednostih pred rešitvami z diskretnimi elementi le-te z novimi vezji ekonomsko upravičljivo lahko nadomestimo in presežemo. Prehod od logičnih do "inteligentnih močnostnih" vezij zahteva predvsem znanje o doseganju čim večjih prebojnih napetosti ob čim manjših upornostih stikalnih gradnikov vezja in znanje o izolacijskih strukturah za močnostne ali visokonapetostne elemente. Vodilni razvijalci in izdelovalci takih vezij so Siliconix, Harris, GE-RCA, IR, Motorola, lxys v ZDA, SGS, Siemens, Bosch v Evropi, Hitachi, Toshiba na Japonskem. Široko dosegljivega znanja praktično ni in v Iskri Mikroelektroniki smo začeli z delom na visokonapetostnih in močnostnih strukturah v začetku lanskega leta. Krmilnik elektroluminiscenčnega prikazalnika nam je bil dober cilj za preizkus zamišljenih in sprocesiranih LDMOS tranzistorjev zaradi napetostnih zahtev in sovpadanja interesa z Iskro Avtoelektriko, Tovarno žarnic po takem krmilniku. PRAKTIČNA IZVEDBA Ob snovanju številčnih, številčno črkovnih in matričnih debeloplastnih in tankoplastnih elektroluminiscenčnih prikazalnikov, ki jih vzbujamo z enosmerno in izmenično napetostjo, smo morali zasnovati še potrebno vzbujalno in krmilno elektroniko. Obe vrsti prikazalnikov, debelo in tankoplastni, se lahko zgradijo za vzbujanje z izmenično napetostjo najbolje sinusne oblike ali z enosmerno duI- zno napetostjo. V osnovi je elektroluminiscenčni prika-zalnik kondenzator, katerega dielektrik je elektroluminis-cenčnasnov (Informacije MIDEM 4/87) katera se vzbuja z visoko napetostjo razreda dvesto voltov. Za vzbujanje enosmernih prikazalnikov potrebujemo napetostne impulze dvesto voltov, časovne dolžine tri do sedem mik-rosekund, z osvežitveno frekvenco dvesto do tisoč Hert-zov in za vzbujanje izmeničnih prikazalnikov efektivno napetost stodvajset do stoosemdeset voltov frekvence štiristo do pet tisoč Hertzov. V prvi vrsti snujemo krmilno vzbujalne naprave za enosmerne debeloplastne prikazalnike, za katere smo ugotovili, da jih je najustrezneje vzbujati s konstantnim tokom, ker tako za nekaj časovnih razredov podaljšamo življenjsko dobo z dometom med deset tisoč do dvajset tisoč urami neprekinjenega obratovanja. Ker je kapa-citivnost segmenta v razredu sto do tisoč pikofaradov, odvisno od njegove površine, potrebujemo visokonapetostna hitra stikala s tokovno zmogljivostjo do sto mili-amperov. Hitra stikala morajo biti prirejena za vzbujanje iz petvoltne krmilne logike, kar zahteva nizke pragovne napetosti visokonapetostnih tranzistorskih stikal. Vzbujanje večmestnega številčnega, številčno črkovnega ali matričnega debeloplastnega in enosmernega prikazalnika poteka podobno; v vseh primerih so segmenti transparentni in električno prevodni iz indij-ko-sitrovega oksida, skupna elektroda pa je iz aluminija. Skupne elektrode posameznih številk ali znakov se vključujejo prek visokonapetostnih tranzistorskih stikal na negativni pol napajalne napetosti, segmenti številk, črk ali znakov se vključujejo prek druge vrste visokonapetostnih tranzistorskih stikal na pozitivni pol napajalne napetosti. Shematski prikaz vzbujanja je prikazan na sliki 1. Za uresničitev te zamisli potrebujemo visokonapetostna stikala tipa P in N, s skupnim virom z osmimi visoko- 210 S.Solar et al.: Krmilniki elektroluminscent. prikazalnika Informacije MIDEM 19(1989(4, str.210-213 Ui_n. ? fis [US ns oblik. siq,,*!- stikal KRKiLJtHJE TRftNZISInRJCV krmiljenj. s e gn krmil jer>je .kupni» elpklrod cifr Slika 1: Shematski prikaz vzbujanja elektroluminiscenčnih prikazalnikov. napetostnimi izhodi na skupni tabletki in medsebojno izolirana tranzistorska stikala tipov p in n s šestimi visokonapetostnimi stikali na skupni tabletki za realizacijo tokovnih virov. Za vzbujanje matričnih prikazalnikov uporabljamo več osnovnih enot stikal s skupno elektrodo in z izoliranimi visokonapetostnimi stikali. Prva polja stikal vsebujejo po šestnajst stikal na eni tabletki, razmišljamo pa o polju dvaintridesetih stikal na eni tabletki. Na prvem testnem vezju, namenjenem evaluaciji obnašanja posameznih tranzistorjev, smo oblikovali strukture VDMOS, LDMOS, VIGBT, LIGBT. VDMOS - Vertical Double diffused Metal Oxide Semiconductor je vertikalni visokonapetostni tranzistor, katerega smiselnost se pokaže, ko želimo dosegati velike tokove, saj je tokovna zmogljivost tranzistorja v prvi aproksimaciji odvisna le od tega, koliko identičnih celic načrtamo drugo poleg druge. V našem testnem vezju smo oblikovali tranzistorje s približno dva tistoč petsto celicami in dosegli tokove do štiri ampere. Ta struktura ne ustreza za integracijo z nizkonapetostno logiko. LDMOS - Lateral DMOS je lateralni visokonapetostni tranzistor. Ta geometrija ni namenjena multipliciranju in tako doseganju tokov v razredu amperov, je pa namenjena integraciji z nizkonapetostno logiko, saj jo relativno enostavno izoliramo od logičnega dela, saj substrata s tranzistorjem električno ne obremenjujemo. VIGBT - Vertical Insulated Gate Bipolar Tranzistor uporabljamo podobno kot VDMOS in tudi tu tranzistor predstavlja skupek paralelno vezanih celic. Izkoriščamo mo-dulacijo bazne prevodnosti bipolarnega tranzistorja kot posledico močne injekcije minorjev v bazo, katere posledica je povečana koncentracija baznih majorjev, kar predstavlja večjo bazno prevodnost od običajne prevodnosti plasti, ki je omejena z minimalno debelino in maksimalnim dopiranjem za doseganje želene prebojne napetosti. Tranzistorje krmiljen napetostno; na površino, enaki VDMOS tranzistorju pa dosežemo do desetkrat večje tokove kot pri VDMOS strukturi. Struktura za integracijo z nizkonapetostno logiko ne ustreza, saj je substrat napetostno in tokovno obremenjen. Ugašanje tranzistorja je bistveno počasnejše kot pri DMOS tranzistorju, saj je pogojeno z rekombinacijo nosilcev v ob izklopu električno plavajoči bazi. LIGBT - Lateral IGBT deluje po enakih načelih kot vertikalni tranzistor. Substrata ne obremenjuje, ustreza za integracijo z logiko, ne pa za intenzivno paralelno povezovanje. Za prereze posameznih tranzistorjev glej MIDEM 3/87, članek 4. Zaradi integracije vseh osmih tranzistorjev na enem vezju, zaradi neobčutljivosti natiristorski efekt, relativno skromnih tokovnih zahtev in preklopov v razredu mik-rosekund smo se odločili za stikala LDMOS. Prečni prerez n-kanalne LDMOS strukture kaže slika 2. Slika 2: Prečni prerez n kanalne LDMOS strukture Aktivni kanal predstavlja p-plast pod krmilno elektrodo (dva in pol do tri mikrone dolžine - razlika med lateralno difuzijo n+ plasti - od tod tudi ime DMOS - double diffused), n- področje med koncem aktivnega kanala in ponorom je plast, ki omogoča visoke prebojne napetosti, psub pod krmilno elektrodo poleg p" zaenkrat preprečuje možnost punch through preboja skozi področje aktivnega kanala. Struktura se od običajnih inačic LDMOS tranzistorjev razlikuje v dveh stvareh: (plasti so označene za n kanalni tranzistor). 1. Področje MOS kanala obsega p- in psub področji. Prvo definira pragovno napetost (močneje dopirano), drugo preprečuje puščanje tranzistorja in onemogoča punch through preboj. Slabost takega pristopa je večja površina krmilne elektrode, kar pa za preklope v razredu mikrosekund ni problem. 2. n- za dosego večjih prebojnih napetosti je narejen z implantacijo. Uporabljena rezina nima epitaksijskega n" nanosa, kateri vezja bistveno podraži. Tudi pri našem tranzistorju je uporabljen resurf princip, katerega bistvo 211 Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrstoče Slika 3: Geometrija n kanalnega LDMOS tranzistorja je, da se z naraščanjem zaporne napetosti vzpostavi osiromašeno področje po vsej n-plasti, preden pride do preboja in tako zaokroženi robovi n- področja ne predstavljajo geometrijske ovire pri doseganju višjih prebojnih napetosti. Vertikalni pogled na n- kanalni tranzistor kaže slika 3. Pomen posameznih mask: * 1. maska za definiranje debelega oksida * 2. n- drift implantacija * 3. implantacija n+ otoka * 4. n+ polisilicijeva krmilna elektroda * 5. zaščita ponora pri implantaciji p+ otoka * 6. implantacija vira, ponora in krmilne elektrode * 7. kontaktna maska * 8. metalna maska * 9. maska za bondirne blazinice Topologija n kanalnega vezja je razvidna s slike 4, p kanalno vezje je geometrijsko identično. Strukturo smo optimizirali za doseganje želene prebojne napetosti dvestopetdeset voltov ob čim večji prevodnosti odprtega stanja ob danih dimenzijah s programskim paketom HALVFEM, katerega obširnost približno ponazarja slika 5. (206/5). Geometrije smo narisali na doma narejenem paketu EDGDB. Slika 4: Topologija seta šestnajstih n kanalnih tranzistorjev 212 S.Solar et al.: Krmilniki elektroluminscent. prikazalnika Informacije MIDEM 19(1989(4, str.2! 0-213 Slika 5: Blokovna shema programa HAL VFEM ZAKLJUČEK Iz teorije pričakovani rezultati so se v praksi v celoti izpolnili. Tisoč urno preizkušnjo (hitri test) sta prikazalnik in krmilnik prestala brez odpovedi. Tržno zrel krmilnik mora vsebovati oba seta tranzistorjev, kar bi bilo moč narediti že v prvi fazi, vendar smo v prvi iteraciji rajši varčevali pri številu posameznih mask in tako naredili dve ločeni komplementarni vezji z enim setom mask in logiko za krmiljenje posameznih tranzistorjev, del kot stikala, del kot tokovne vire, za kar je potrebno še razviti take izolacijske strukture, ki dobro izolirajo in, ki jih lahko naredimo z modificiranimi koraki našega standardnega 5u procesa. Ta naloga nas čaka, zahtevnost le-te je primerljiva z dosedaj opravljenim delom. LITERATURA 1. Poročilo SNRR IME za Matičev sklad 1. kvartal 1989 2. B. Jayant Baliga, Modern Power Devices, Wiley 1987 3. Halvfem 7.5 Users Manual mag. Stane Solar, Iskra Avtoelektrika, mag. Marjan Jenko, dipl. ing. Iskra Mikroelektronika, V last a Kregar, dipl. ing. Iskra Kibernetika, vsi trenutno v Iskra Mikroelektronika, Stegne 15 d, 61000 Ljubljana Prispelo: 31.10.89 Sprejeto: 21.11.89 213 Informacije MIDEM 19(1989)4, Ljubljana_ UDK 621.3:(53+54+621+66), ISSN 0352-9045 JEDKANJE IN REGENERACIJA IZRABLJENIH JEDKAL PRI PROIZVODNJI TISKANIH VEZIJ S. Cankar, J. Maček KLJUČNE BESEDE: tiskano vezje, tiskane plošče, jedkanje, jedkala, amonijev klorid, recikliranje jedkal, tehnologija POVZETEK: Kakovost jedkanja je pomemben faktor pri izdelavi tiskanih vezij, ki je odvisen od načina jedkanja, od postopkov pri izdelavi tiskanih vezij, od strojne opremljenosti in usposobljenosti strokovnega kadra. Uporabljajo različna jedkala, njihov izbor pa je odvisen predvsem od vrste tiskanega vezja. Napake in pomanjkljivosti jedkanja najpogosteje ugotovimo šele pri končni kontroli kakovosti tiskanega vezja. Ko se jedkalna raztopina nasiti z bakrovimi ioni, dobimo izrabljeno (odpadno) jedkalo, ki ga recikliramo - baker izločimo in uporabimo v drugih industrijah, raztopino pa po ustrezni obdelavi znova uporabimo za jedkanje. ETCHING AND RECYCLING OF ETCHANTS IN PRINTED CIRCUIT BOARD PRODUCTION KEY WORDS: printed circuits, printed boards, etching, etchants, ammonium chloride, recycling of etchants, manufacturing process SUMMARY: Depending on the method of etching, proceedings during the manufacture of printed circuits, available equipment and efficiency of the technical cadre, the quality of etching is of supreme importance. Different etchants can be applied, corresponding primarily to the sort of the printed circuit. Faultiness and deficiencies of the circuits can only be spotted at the final control.The etchant is treated when the etching solution is saturated with copper ions. At this stage, it is ready for recycling - copper is extracted and employed in other industries while after a proper processing the solution can be used anew. b) stroj v proizvodnji Slika 1: Sodoben jedkala i stroj 214 S.Cankar et al. Jedkanje in regeneracija izrabljenih. Informacije MIDEM (19(1989)4, str. 214-217 V zadnjem desetletju je bil storjen velik napredek na področju tehnologije jedkanja pri proizvodnji tiskanih vezij. Šaržno jedkanje so nadomestili s kontinuirnim pri konstantnih pogojih, avtomatskem doziranju kemikalij in stalni kontroli procesa v strojih. Tovrstna sodobna tehnologija je seveda nujna za doseganje ustrezne kakovosti tiskanih vezij, pomembna pa je tudi za uspešnejšo realizacijo proizvodnje in nenazadnje zaradi varstva človekovega okolja pred onesnaževanjem z izrabljenimi jedkali, ki vsebujejo sorazmerno velike koncentracije snovi, toksičnih za ljudi in živali. Ob tem je seveda treba poudariti, da so sodobni stroji z avtomatsko regeneracijo ali recikliranjem izrabljenih jedkal zelo dragi in ekonomsko upravičeni le pri veliki proizvodnji tiskanih vezij. Pri manjši proizvodnji, ki jo imamo tudi pri nas v Jugoslaviji, pa moramo poiskati druge cenejše rešitve problema razstrupljevanja in predelave izrabljenih jedkal. V sestavku so opisane vrste jedkal, osnovni princip jedkanja tiskanih vezij, nekaj metod za regeneracijo ter metoda za regeneracijo in recikliranje izrabljenega amonij kloridnega jedkala, ki jo pri nas uvajamo. Glede na vrsto tiskanih vezij in tehnologijo obdelave uporabljajo v industriji predvsem dva osnovna tipa jedkal in sicer: * kisla jedkala (bakrov klorid, železov klorid, krom žveplena kislina, amonij-perokso-disulfat) in * alkalna jedkala (amonij klorid, amonij sulfat, amonij karbonat....) Kisla jedkala imajo na splošno nižjo, alkalna pa višjo kapaciteto vezanja bakrovih ionov. Razlikujejo se v hitrosti jedkanja. Nekatera jedkajo (raztapljajo) le baker na ploščah tiskanega vezja, druga pa lahko poleg bakra še druge kovinske prevleke (kositer, kositer-svinec), ki so zaradi različnih zahtev tudi lahko na vezeh tiskanega vezja. Zato moramo za jedkanje določenega tipa vezja izbrati ustrezno jedkalo. Kakovost jedkanja je odvisna od postopkov pri izdelavi tiskanih vezij (nanos slike vezja, galvanska obdelava ipd.), lastnosti osnovnega materiala, debeline in kakovosti bakrove folije ter seveda od strojne opremljenosti in usposobljenosti strokovnega kadra. Napake in pomanjkljivosti, ki nastanejo pri jedkanju najpogosteje ugotovimo šele pri redni kontroli kakovosti. Le-to opravljamo z merjenjem spodjedka in prerastka kovinske prevleke vodnikov, z oceno kakovosti površine vodnikov in izračunom jedkalnega faktorja. Med jedkanjem se namreč raztaplja bakrova folija v navpični smeri (po globini), hkrati pa pride tudi do večjega ali manjšega raztapljanja (jedkanja) sten vodnikov v vodoravni smeri (slika 2). Tako nastaneta spodjedek oziroma prerastek kovinske prevleke vodnikov. Te pomanjkljivosti so najpogosteje posledica različnih tehnoloških napak pri izdelavi tiskanih vezij, kot so npr. neustrezni nanos slike na vezja, slaba ali neustrezna galvanska obdelava vodnikov in izvrtin, neenakomerna debelina bakrove folije, prevelika odstopanja od predpisane pH vrednosti, gostote, temperature in neustrezne kemijske sestave jedkala pa tudi v pomanjkljivem delovanju opreme. Potek jedkanja in nastanek spodjedka je prikazan na sliki 3. Iz razmerja med globino jedkanja, oz. debelino bakrove folije in spodjedka lahko izračunamo jedkalni faktor (slika 4). Čim večji je, boljše je jedkanje. Kakovost površine vodnikov lahko ugotavljamo vizualno in z 10-kratno, 50-kratno pa tudi z večjo povečavo. Za dokumentiranje in poznejšo oceno rezultatov teh preiskav uporabljamo fotografsko tehniko. Površina vodnikov mora biti gladka, sijajna, brez lis in vključkov ter brez napak, kot so odrgnine, jamice, pore, praznine ipd. JEDKANJE Z AMONIJ KLORIDNIM JEDKALOM Področje jedkanja s tem jedkalom je zelo obsežno in ga bomo opisali nekoliko širše. Z njim jedkamo tiskana vezja, na katera so galvansko nanešene prevleke kositra, zlitine kositra in svinca, srebra, lahko pa tudi druge prevleke. Jedkalo deluje na nezaščiteno površino bakra na plošči z oksidacijo, raztapljanjem in kompleksiran-jem. Amonij - hidroksid in amonijeve soli tvorijo z bakrovimi ioni v raztopini bakrove tetramin kompleksne ione /Cu(NH3)4/2+. Koncentracija tako vezanega bakra se giblje med 100 in 150 g/l. Tipična oksidacijska reakcija jedkanja poteka po enačbah: 215 Informacije MIDEM 19(1989)4, str.202-209 A.Sliškovič et al.:Kvarcni elektroporcel. visoke čvrstoče :>vh* v.ir;:.-.-: i bu >:t.\ron:i i 0I2 n ? Jedkanji r>= zao:ie z r vi z 13 p 1 j a n je i ticpisUvlJa» (nezaščitene; površine , deo^ima Ui se zni.ir.jiuj :: bakra potika tudi ¡:o--J prt»le*> Si/Ca is?a!jc:«*) „"eek-inje j* končano. Zaradi karakteristično irdoMjene (oljedkano) oblike .¡s rot Sr;/Pb br.-iz opore, ■•!.■ je iahko vzrok lomljenja rtoov. Zato O preu [ lrao, Sr,/?b steče ore:;o to;.' voznika. zaščitna maska Daker1 laminat i - jedkalni faktor = Slika 4: Jedkalni faktor Slika 3: Potek jedkanja bakra na ploščah tiskanega vezja Potek reakcij: Cu+/Cu(NH3)4/2+ -> 2/Cu(NH3)2/+ 2/Cu(NH3)2/+ + 1/2 02 + 2NH4+ + 2nh3 2/Cu(NH3)4/2+ + H20 V sestavini amonij kioridnega jedkala deluje vodna raztopina amoniaka (25 %) kot kompleksant in veže baker v raztopini, amonij klorid povečuje jedkalno hitrost, kapaciteto bakra v raztopini in stabilnost raztopine. Z dodajanjem plinastega amoniaka vzdržujemo potreben pH. Bakrov ion kot Cu2+ je oksidacijsko sredstvo in raztaplja kovinski baker s površine plošč tiskanega vezja in se pri tem reducira do Cu+, ta pa se z zračnim kisikom znova oksidira do Cu2+. Ko se jedkalna raztopina nasiti z bakrovimi ioni (do okoli 120 g/l), se jedkalna hitrost bistveno zmanjša. Tako, nasičeno raztopino, je zato treba zamenjati s svežo. Izrabljeno (odpadno) jedkalo predstavlja veliko nevarnost za onesnaževanje okolja, zato tovrstnih raztopin ni dovoljeno izpuščati v odvodnike (kanalizacija, potoki ipd.). Zlasti baker in amoniak, ki sta prisotna v izrabljenem jedkalu v sorazmerno velikih koncentracijah, sta močna biološka strupa. Maksimalno dovoljena koncentracija bakrovih ionov (MDK) za izpust v kanalizacijo znaša 1.0 mg Cu/I, v potok pa 0.5 mg Cu/I; amoniaka 0.5 mg/l oz. 0.1 mg/l,amonijevega iona pa 10,0 mg/l, oz. 1.0 mg/l. Poznanih je več metod za regeneracijo izrabljenih amonij kloridnih jedkal, ki jih tudi v praksi uporabljajo. Ti postopki, ki so podrobno opisani v literaturi, temeljijo na ekstrakciji in elektrolizi, cementaciji ali obarjanju bakra. Praviloma so povezani z velikimi investicijskimi in obratovalnimi stroški, ki jih zmorejo le zelo veliki proizvajalci tiskanih vezij, oz. specializirani obrati za regeneracijo. Zaradi tega smo v zadnjih nekaj letih v sodelovanju z ISKRO, Fakulteto za naravoslovje in tehnologijo, VTOZD Kemija in kemijska tehnologija in Centrom za prenos znanja in tehnologij, Cinkarno Celje in strokovnjaki iz drugih podjetij razvili enostavnejši In zato cenejši postopek regeneriranja izrabljenega amonij kioridnega jedkala, ki ustreza za reševanje omenjenih problemov tudi pri manjših proizvajalcih tiskanih vezij. Metoda za regeneracijo izrabljenega amonij kioridnega jedkala, ki jo že uvajamo pri nas, je projektirana kot šaržna, z ročnim dodajanjem reagentov in merjenjem ustreznih parametrov (koncentracije, pH, ...) vendar z možnostjo avtomatizacije. Temelji na izločanju bakra v obliki bakrovega oksid klorida, ki ga ločimo od raztopine in uporabimo kot polprodukt v proizvodnji bakrovih fun-gicidov. Tekočemu regeneratu dodamo ustrezne dodatke do zahtevane kemijske sestave in ga znova uporabimo za jedkanje na začetku procesa. 216 S.Cankar et al. Jedkanje in regeneracija izrabljenih. Informacije MIDEM 19(1989)4, str. 214-217 Slika 5: Potek postopka Na sliki 5 je shematsko prikazan potek postopka. Metoda, ki smo jo laboratorijsko in v proizvodnji preverjali predvsem v Iskri Videomatiki in Cinkarni Celje zelo ustreza za naše razmere tudi s finančne plati in s stališča varstva okolja. LITERATURA 1.BOSSHART C.WALTER:Printed Circuit Boards,Design and Technology Tata McGraw-Hill Publishing Company Limited,New Delhi, 1988 2.CLYDE F.,COOMBS,Jr. : Printed Circuits Handbook. Second Edition, Ed. McGraw-Hill, New York 1979. 3. HERRMANN G. : Leiterplaten,Herstellung und Verarbeitung, Advanced Technology, Eugen G. Leuze Verlag, D 7968, Saulgau Wurtt,Germany,1978 Prispelo: 19.10.1989 SprejetO: 05.12.1989 4.MARKLE R. E.Processing and Economic Aspects of Etchant Regeneration. Plating and Surface Finishing, January 1983,59-62. 5.BRINGMANN M.: Regeneration von gebrauclichen Atzmedien.Galvanotechnik,78 (1987),10 2985-2989. 6. TATE J.:Recycling vs. Treatment and Disposal of Metalic Waste; A Comparison. PC FAB. 9 (1986),5,50-55. Mag. Slavko Cankar, dipl.ing. Iskra Videomatika, 61117 Ljubljana, Cesta Andreja Bitenca 68 Prof.dr. Jadran Maček, dipl.ing., Fakulteta za naravoslovje in tehnologijo, VTOZD Kemija in kemijska tehnologija, Murnikova 6, 61000 Ljubljana 217 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana PRIKAZI DOGODKOV, DEJAVNOST» ČLANOV MIDEM Ringsdorff Products for Semiconductor Production F. Kessel A series of components manufactured from high purity graphite as well as boron nitride are used for the production and processing of semiconductors under extremely clean conditions. The chemical stability and its specific thermal and electrical properties make graphite an ideal material for semiconductor technology. Ringsdorff has specialized in the development and production of fine-grain graphites of high purity. Many years' experience of production from the semi-finished article to the end product, and the tailor-made solutions it can supply, have given the company a worldwide reputation in this field. In addition to production of carbon and graphite, Ringsdorff is active in the development of new materials like PBN which, for example, is used in the growth of GaAs crystals. Manufacture of carbon and graphite The production of carbon and graphite materials follows these stages * Preparing of raw materials * Mixing * Moulding * Baking * Graphitizing Petroleum cokes, pitch cokes, lamp blacks and other carefully selected raw materials - in powder form and of specific quality - are combined into an homogeneous mixture of exactly defined proportions. Table 1 Phsyical properties of Ringsdorff high purity graphite (averages) High purity graphites Superpure graphites EK 50 EK 53 EK 90 EK 96 EK 98 EK 599 EK 506 EK 536 EK 906 EK 966 EK 986 EK 5996 Density g/cm3 1.75 1.81 1.75 1.81 1.85 1.70 Porosity (open) % 14 10 14 11 8 20 Hardness Rockwell B 70 90 75 50 85 30 HR 10/100 10/150 10/100 5/100 5/100 10/60 E-Modulus N/mm2 8000 12000 9000 10000 12000 11000 Flexural strength N/mm2 28 50 31 40 50 14 Compressive strength N/mm2 60 120 80 110 125 30 Specific electrical resistance jtflm WG 15 20 18 13 15 6 AG 24 24 22 14 16 10 Thermal expansion (290-470K) x10"6K"1 1.6 3.3 2.7 3.7 3.4 2.5 Thermal conductivity W/mK 70 45 65 110 80 130 Pressing method Conventionally pressed Isostatically pressed Extruded WG. With grain AG against grain If not stated otherwise, all values are measured with a test piece the axis of which is cut with grain (WG) High purity graphite: ash content < 100 ppm Superpure graphite: ash content <10 ppm 218 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana Various methods of pressing are used to give the blanks their final shape. Important properties of the finished product are determined at this early stage - by the method of pressing, by the force and direction of the pressure applied. The isostatic pressing technique, for example, makes it possible to produce very large blanks with properties that are almost identical in all three dimensions. Subjecting the blanks to temperatures up to 1.300 K for several weeks transforms them into carbon which already has the required properties for a number of applications. A subsequent process of applying temperatures up to 3.000 K in special graphitizing furnaces, turns the carbon into graphite. Thus Ringsdorff produces fine-grain graphites up to the highest purity level. Properties The most important properties which have made graphite an indispensable key material for the semiconductor industry are * high thermal and chemical resistance * excellent resistance to temperature change * electrical conductivity * high thermal conductivity * increasing strength with higher temperature * can be produced with highest purity * easy to machine Graphite is extremely resistant to thermal shock, so rapid heating or cooling is no problem. With higher temperature the strenght of graphite increases. At 2.700 K graphite has about double the strength as at room temperature. Graphite does not melt but sublimes at about 3.900 K. In air graphite is resistant to temperatures up to about 750 K. The physical properties of some Ringsdorff high purity graphites are shown in table 1. Applications The basic materials for production of semiconductor components are silicon, germanium and Ill/V-com-pounds like gallium arsenide and gallium phosphide. The preparation of these materials in a suitable form for semiconductor manufacture is often carried out in equipment using a series of high purity graphite components. In order to meet the most demanding requirements, the range of Ringdsorff products have been extended to include coated graphite parts, PyC, PBN and CFC. Graphite electrodes are used for deposition of polycrys-talline hyperpure silicon(Polysiiit). Polysilit-production is based on thermo-chemical decomposition of high purity trichlorosilane in the presence of hydrogen. Inside the reactor is an arrangement of thin superpure silicon rods (cores), which are heated electrically. During this process lasting several hours, silicon grows on the glowing thin rods in a radial direction. The graphite electrodes are used as holders for the rods and as electrical conductors. For reaction heating of germanium oxide as well as for zone refining semiconductor materials, graphite boats are used. Monocrystals are most commonly produced by the Czochralski process. This process is used for growing silicon as well as germanium and ili/V materials such as gallium arsenide. The hot zone of the equipment consists of high purity graphite. A graphite crucible supports the quartz melting crucible. In addition, a variety of other graphite components are used such as heating elements, current connectors, crucible holders and heat shields. For these parts, special graphite grades are developed to meet the high demands concerning life in the aggressive equipment atmosphere. For current connectors and holders, high strength superpure graphites or CFC (carbon fibre reinforced carbon) are used. Ringsdorff have also developed special carbon and graphite grades for converting semiconductor materials to high grade electronic components. When dividing monocrystal rods of various diameters into thin discs (wafers) slicing beams made of carbon or graphite are used. Crystal rods are fixed to the slicing beams with a special bonding agent and the small section of carbon or graphite base is removed after cutting. Using hard carbon, which does not smear, the diamond cutting wheel remains clean and is self-sharpening when sawing. Susceptors for epitaxy have to meet high specifications concerning shape, precision and purity. Silicon carbide coated graphite susceptors are used as wafer holders during the process. Graphite forthis application must be superpure and must have a thermal expansion suitable for the SiC-coating as well as certain electrical properties and high thermal conductivity. Epitaxy is used for the deposition of thin, single crystal layers on a monocrystalline substrate. The crystal constituents are deposited on the crystal lattice. For silicon, gas phase epitaxy is used, whereas for gallium arsenide, liquid phase epitaxy (LPE) is used alongside the gas phase epitaxy. Concerning wafer trays for PECVD- (plasma enchanced chemical vapor deposition) processing, graphite materials as well as the shaping of the parts have to meet high requirements, too. PECVD is used for applying passivating oxide layers as silicon nitride or oxide on wafers. The graphite plates or discs are used as wafer trays and electrodes for generating high-frequency field. 219 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana _Table 2_ _Ringsdorff products for semiconductor production Electrodes for deposition of polycristalline silicon Tubes for lll/V synthesis Boats for reduction hating of germanium Boats for zone refining semiconductor materials and metals Susceptors, heating elements, heat shields and other components for crystal pulling PBN-crucibles. PBN-coated graphite parts for lll/V - crystal pulling Slicing beams SiC-coated susceptors for Si-epitaxy Furtherto the above examples, graphite has many other applications in semiconductor industry, e.g. in ion implantation, molecular beam epitaxy (MBE), electron beam evaporation (EBE), glass to metal sealing, solar tehcnology or fibre optic technology. A survey of the complete Ringsdorff range of manufacture semiconductor industry is given in table 2. SiC-coated susceptors for lll/V-MOCVD Boat assemblies for liquid phase epitaxy (LPE), uncoated, PyC- or PBN-coated Electrodes, shields, ion sources and other parts for ion implantation Electrodes for plasma etching Crucibles for molecular beam epitaxy (MBE), made of PBN, PyC or graphite PECVD wafer trays, uncoated, PyC-or SiC-coated Liners for electron beam evaporation (EBE) Brazing and glass to metal sealing jigs Tubes, heating elements and shields for fibre optic technology F. Kessel Hoechst AG Predstavništvo v Jugoslaviji Generala Ždanova 29 11000 Beograd 220 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana KONFERENCE, POSVETOVANJA, SEMINARJI, POROČILA SD'89 - MARIBOR Milan Slokan V Mariboru so se od 13. do 15. septembra zbrali jugoslovanski raziskovalci in strokovnjaki s področja elementov in materialov za elektroniko na 25. jugoslovanskem simpoziju o elektronskih sestavnih delih in materialih -SD'89. Registrirali so okoli 120 udeležencev. Kot običajno so nastopili z izhodiščnimi referati vabljeni predavatelji, vse ostale predstavitve pa so bile na posterjih. Skupaj je bilo sedem vabljenih predavanj in 63 posterjev. Na kratko omenjamo vabljena predavanja: B. Zebec iz računalniškega centra Univerze v Mariboru je poročal o sistemu znanstvenih in tehnoloških informacij Jugoslavije (SZTIJ), ki je v izgradnji. Doslej je bila zgrajena komunikacijska in računalniška infrastruktura z osmimi regionalnimi komunikacijskimi vozlišči (med katerimi je tudi Maribor), ki so povezani z JUPAK mrežo za prenos podatkov. Nosilec funkcij Informacijskega servisa SZTIJ je sedaj začasno Računalniški center v Mariboru. V začasnem hostu SZTIJ je instalirana tudi mednarodna ISDS (International Serial Data System) baza s približno 400.000 zapisi, medtem ko je v jugoslovanski YUBIB bazi trenutno prek 160.000 zapisov, predvsem monografskih publikacij. Udeleženci simpozija SD so si lahko tudi ogledali delovanje Informacijskega servisa na Univerzi v Mariboru v praksi. D. Donlagič s Tehniške fakultete v Mariboru je opisal problematiko senzorjev, aktuatorjev in regulatorjev v kontekstu komunikacij v procesnih in proizvodnih sistemih za avtomatizacijo. V komunikacijski sistem, v bodoči "avtomatizirani tovarni" uvrščamo sistem računalnikov, inteligentnih naprav in drugih naprav za avtomatizacijo, ki medsebojno izmenjujejo podatke, ukaze, navodila in algoritme med merilnimi, delovnimi in vodilnimi mesti v procesih, med procesi ter med človekom in procesom z namenom vodenja, nadzora, planiranja, analize in sinteze ter finančnih in komercialnih opravil. Predavatelj je tudi opisal tekoče mednarodne projekte s tega področja: MAP (Manufacturing Automation Protocol), PROWAY (Process Data Highway) in LAN v okviru IEEE. Pri osvajanju procesnih vodil prav tako teče več projektov v Ameriki, na Japonskem in v Evropi (Eurekin projekt EUREKA-FELDBUS, nemški projekt PROFI-BUS in francoski projekt FIP). Poleg klasične komunikacijske tehnike se torej rojeva nova tehnika procesnih vodil, to pa je že tehnika zadnjih let dvajsetega in začetka enaindvajsetega stoletja. J. Schejbal je v imenu soavatorjev R. Kužel, B. Pina in J. Broukal s Karlove univerze v Pragi, industrije in inštitutov v ČSSR, obravnaval problematiko AI2O3 substratov, direktno bondiranih z bakrenimi folijami, za mikroelektroniko, posebej za močnostno elektroniko. Avtorji so razvili novo tehnologijo bondiranja z uporabo steklastih, emajlnih materialov za vezavo bakra in alumine, hkrati pa tudi za zaščito nepokritih bakrenih površin pred oksidacijo. Substrati, izvedeni z direktnim bondiranjem bakrenih folij na AI2O3, so se pokazali kot idealni v močnostnih vezjih in na napravah, v mik-roelektronskih in hibridnih vezjih. Dilatacijske lastnosti AI2O3 z bakreno folijo so podobne siliciju, kar dovoljuje spajkanje velikih silicijevih rezin na substrat brez nevarnosti, da bi prišlo do mehanskih poškodb in napetosti. Zelo zanimiv pregled metod in možnosti analizne elektronske mikroskopije (AEM) predvsem na področju različnih "keramičnih" materialov, je podal V. Krašovec z Instituta Jožef Stefan. Aparaturo za AEM tvorijo visoko ločljivi transmisijski elektronski mikroskop (TEM), vrstični elektronski mikroskop (VEM), sistem za analizo rentgenskih žarkov in sistem za analizo slike. V izvajanju je prikazal nekaj značilnih rezultatov raziskav, dobljenih z AEM v Odseku za keramiko na IJS ter odličnih posnetkov. Naslednja tri vabljena predavanja so bila posvečena elektrooptičnim elementom in napravam: B. Lavrenčič z Instituta Jožef Stefan je podal lep pregled raznih detektorjev infrardečega sevanja. Z. Djurič iz IHTM - Instituta za mikroelektronske tehnologije i monokristal pri Univerzi v Beogradu je govoril o teoretičnih osnovah in o tehnologijah za izdelavo relativno novih vrst nehlajenih HgCdTe detektorjev za sevanje CO2 laserjev, G. Lah iz Iskre-Centra za elektrooptiko pa je opisal uporabo na IHTM razvitih detektorjev v termovizijski kameri za merjenje temperature na daljavo. Vsi trije referati so na svojih področjih tudi prikazali visoko raven in dosežke lastnega raziskovalnega dela na naših inštitutih ter v industriji. Pri skoraj vseh plenarnih vabljenih predavanjih je prišlo do dokaj živahne diskusije, kar dokazuje, da so bile teme vabljenih predavanj smiselno izbrane. Kot novost na SD je bila okrogla miza o ustvarjalnosti pri nas in v svetu. Od vabljenih referentov je manjkal J. Mayer iz Iskre, medtem ko sta ostala dva prikazala inovativni center Silicijeve doline ZDA (B. Stiglic), to je razmere v tujini ter razmere pri nas, kjer je M. Mulej z Visoke ekonomsko komercialne šole Univerze v Mariboru podal pregled ovir zoper ustvarjalnost in njihovo premagovanje. Okrogla miza je vzbudila precej zani-manjaterje pokazala, da inovativnost ni letehnično-teh-nološki pojem, temveč izrazito ekonomska kategorija, ki 221 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana pride do polnega izraza v konkurenci podvrženem tržnem gospodarstvu. Vse tri dni simpozija so bili na ogled in v razpravi posterji, razdeljeni v skupine: mikroelektronika in aktivni elementi, materiali ter optoelektronika in pasivni elementi. Posterji so dali vpogled v širino raziskovanja na elementih za elektroniko v Jugoslaviji (en posterje bil iz ČSSR) na inštitutih, na fakultetah in v industriji, o čemer priča zbornik s 433 stranmi prispevkov. Simpozij je pripravil programsko-organizacijski odbor MIDEM, na čelu z Alenko Rožaj-Brvar. Pokrovitelj in lokalni organizator letošnjega SD je bilo podjetje Birostroj iz Maribora, ki je nudilo udeležencem simpozija prijetne prostore v svo- jem izobraževalnem centru, pomoč pri organizaciji ter je tudi tiskalo zbornik. Letošnji SD je pokazal, da strokovnjaki na področju elektronskih sestavnih delov in materialov potrebujejo organiziran stik za izmenjavo informacij, prikaz raziskovalnih dosežkov ter osebna srečanja. K slednjemu je uspešno prispeval tudi družabni del prireditve, to je tovariško srečanje, skupna večerja terorganizirani ogled zgodovinskih znamenitosti mesta Ptuja. mag. Milan Slokan, dipl. ing. MIDEM Titova 50 61000 Ljubljana 2. SONT Miroslav Turina U Dubrovniku je u vremenu od 24. do 26. 10. održan SONT 2 - drugi simpozij o novim tehnologijama. Organizator sipozijuma bilo je Elektrotehničko društvo Zagreb. Simpozijum je bio jugoslavensko- njemački, pa su pored domačih stručnjaka na simpoziju aktivno učest-vovali i stručnjaci iz SR Njemačke. Simpozij je bio podijeljen u nekoliko tematskih cjelina. Za čitaoce Informacija MIDEM prenosimo, iz zbornika simpozija, popis referata i kratke uvode za svaku te-matsku cjelinu. TEHNOLOŠKI RAZVOJ U EUROPI I JUGOSLAVIJI Unapredenje suradnje s evropskom ekonomskom za-jednicom - EEZ prioritetni je zadatak Jugoslavije. Kvalitetno povezivanje s ovim geografski susjednim i priv-redno vrlo razvijenim prostorom jedan je od preduvjeta za prevladavanje jugoslavenske krize. Jugoslavenska se privreda sporo prilagodava novim uvjetima na evropskom tržištu. Dominantno je pritom tehničko i tehnološko zaostajanje. Njemačko-jugoslovenski simpozij ima za cilj bolje medusobno upoznavanje na području novih tehnologija. Sadržaj: Prof. dr. Ing. K. Bender, Forschungszentrum Informatik an der Universitaet Karlsruhe - Offene Systeme - Analyse und Thesen mr. Aleksandar Savič, Ekonomski fakultet univerziteta u Sarajevu - Buduče generacije računara (peta, šesta, sedma) P. Balestrin, RO PTT prometa u Zagrebu - Osi referentni model dr. Radimir Buljan - Neki aspekti razvoja i tehnološkog progresa u Jugoslaviji K. Feser, Universitaet Stuttgart - Automatisierte Messwertfassung und Verarbeitung in Forschung und Industrie gezeigt am Beispiel von Hochspannungsprüfungen R. Meunzer, Siemens-Marine engineering Ueber-wachungs und Grafiksystem Alica Bauman, Institut fuer Medizinische Forschung und der Universitaet Arbeitsmedizin Zagreb - Gedanken zur Energie Problematik POVIJEST ELEKTROTEHNIKE Istraživanja i prikazivanja razvoja elektrotehnike, odnos-no tehnike u širem smislu, kao i medusobno upoznavanje tog razvoja u SR Njemačkoj odnosno SFR Jugoslaviji imaju za ciljeve da prikažu puteve razvoja elektrotehnike u tim zemljama, prikažu rad i ulogu istra-živača, inženjera, konstruktora i znanstvenika na području elektrotehnike u tim zemljama, pronadu eventualne veze i kontakte istraživača s područja SR Njemačke i onih koji su djelovali na području današnje Jugoslavije, prikažu institucije koje se u obim zemljama bave proučavanjem povijesti razvoja elektrotehnike, ukažu na važnost poznavanja razvoja elektrotehnike i metodike tog razvoja pri realiziranju novih pronalazaka i konstrukcija. Sadržaj Vladimir Muljevič: 1) Ferdinand Kovačevič, pionir tele-grafije, 2) Doprinos Franje Hanamana suvremenoj žarulji, 3) Josip Domin, pionir elektromedicine dr. Roman Galič, Josip SLiškovič - 1) Radio i televizija Zagreb kao promotori primjene novih tehnologija, 2) Herma - Potočnik Noordung NOVI MATERIJALI - TEHNOLOŠKI POSTUPCI Obvladavanje novim materijalima osnova je za sve granske i druge tehnologije u kojima se upotrebljavaju materijali, ali istovremeno za sve bazične i nove teh- 222 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana nologije. U oblasti novih materijala istraživanja i razvoj usmjereni su na osvajanje proizvodnje postoječih materijala, ali sa znatno povečanom kvalitetom kao prim-jerice: * čelika povišene tvrdoče sposobnog za spajanje za-varivanjem i s povečanom otpornošču na zamor i lom * legura na bazi bakra, aluminija, cinka i olova s kontrukcijskim karakteristikama koje znatno nad-mašuju postoječe kao i na osvajanje novih materijala kao što su: * metali i legure posebnih karakteristika (amorfni metali, metali s ultrasitnim zrnima) * optička, ugljična i ostala vlakna uključujuči i vlakna od organskih materijala * polimerni materijali * magnetski materijali visokog energetskog produkta * visoko tehnološka keramika * tekuči kristali Sadržaj: Smail Galijaševič, magistar ekonomskih nauka, Ener-goinvest RO ENKER, Tvornica sviječica i industrijske keramike Tešanj - Dileme i kontraverze oko naziva i definicije savremene visokotehnološke keramike; Savremena keramika u vojnim namjenama. S. Miloševič, Lj. Pavlovič, M. Stamatovič, M. Marinko, Institut za tehnologiju nuklearnih i drugih mineralnih sirovina, Beograd - Potencijalnost domačih izvora ne-metaličnih i drugih sirovina za razvoj suvremenih ke-ramičkih materijala u Jugoslaviji. Kompozitni materijali S. Boškovič, E. Kostič, Institut za nuklearne nauke Boris Kidrič, Vinča - Topla konsolidacija neoksidne keramike S.T. Dimitrijevič, B. Kaluderovič, J. Šundrica, S. Goič, Institut Boris Kidrič, Vinča, Tvornica Nikola Mašanovič, Dubrovnik - Višedirekcioni kompoziti karbon/karbon S. Boškovič, F. Sigulinski, Institut za nuklearne nauke Boris Kidrič, Vinča, Toplo presovanje kompozita Si3N4-ZrC>2 u prisustvu CaO I. Ivančič, Tvornica telekomunikacijskih uredaja Nikola Tesla, Zagreb - Obrada plastičnih vlaknastih kompozita vodenim mlazom Milan Stojčevski, Rade Končar - Aparatna tehnika, Skopje - Primjena novih polimernih materijala u razvoju kontak-tora Dušan Božič, Mirjana Mitkov, Institut za nuklearne nauke Boris Kidrič, Vinča - Novi postupak otvrdnjavanja Cu-Ti legura D. Duževič, Rade Končar - Elektrotehnički institut -Tehničke manifestacije martenzitnih struktura M. Vukovič, Rade Končar - Elektrotehnički institut -Granični tlakovi isparavanja materijala u vakuumskim pečima D. Duževič, M. Buchberger, Rade Končar - Elektrotehnički institut - Mjerni valjak regulirane valjaoničke linije. ROBOTIKA I FLEKSIBILNI PROIZVODNI SISTEMI Kompjuterizacija i robotizacija proizvodnje če omogučiti da se večina radnoaktivnog stanovništva oslobodi fizič-kog rada, te da se stvore materijalni preduvjeti za pro-širenje uslužnih djelatnosti. Bitna značajka te tzv. programirane automatizacije je potreba za fleksibilnošču, jer suvremeno tržište zahtijeva brze odzive proizvodača i raznolikost ponude. U ovome području prožimaju se mikroelektronika odnosno informatičke tehnologije s jedne strane te strojogradnja i strojarske tehnologije s druge strane. Sadržaj Tugomir Šurina, Fakultet strojarstva I brodogradnje, Zagreb - Kompjutorizacija i robotizacija proizvodnje put prema postindustrijskom društvu Š.Šavar, T. Udiljak, W. Yeshitila -Programiranje numerički upravljanih aiatnih strojeva .Želimir Duraševič, dr. Mirko Cvjetičanin, SOUR Prvomajska, Zagreb - Fleksibilni obradni sistemi - Vlastito iskustvo J. Sikošek - Izkušnje robotiziranega varjenja okvirov in vilic dvokoles Mr. Andrej Majcen, dipl.ing. Jugoturbina institut -Uvodenje CAD/CAM tehnologije u tvornicu Jugoturbina N. Štefanič, D. Šimunič, D. Petrovič - Matematičke osnove softwera za optimalno krojenje lima B. Vranješ, Z. Kunica - Ekspertni sistem za izradu funkcionalne strukture montažnih sistema I. Ratkovič, D. Antonič, N. Barbutov, N. Bakija, Rade Končar - Elektrotehnički institut -Vero-eri Educational Minirobot: Characteristics and Applications 223 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana INFORMATIČKA TEHNIKA - TELEKOMUNIKACIJE, Obrada i prijenos podataka Tehnika telekomunikacija i obrade podataka posljednjih 40 godina sve se više isprepliču i konfiguriraju, tako da su danas s puno opravdanja prepoznatljive pod zajed-ničkim nazivom informatičke tehnike. Njeni glavni ciljevi izmedu ostaloga su i približavanje tehničke prirodnoj komunikaciji putem prijenosa govora i slike i pisanih dokumenata, povečanje njene mobilnosti uz adekvatno osiguranje selektivnosti izbora željenog segmenta iz asortimana ponude informacija. Pri tome se korisnik susreče s nizom novih uredaja i sistema koji če ispuniti svoj smisao tek ukoliko se sučelje čovjek stroj prilagodi njegovim navikama i sposobnos-tima. Ispunjenje ovih zahtjeva doprinjelo je intenzivnome razvoju hardverske i softverske osnovice što dovodi ili če dovesti do danas još ne sagledivih utjecaja na cjelokupni razvoj moderne privrede i društva. Sadržaj: Dipl.ing. W. Markwitz, DLR, Oberpfaffenhofen, Dr. Th. Konig, DLR, Oberpfaffenhofen -Einsatz der Infromationstechnik Fernkundung zur Ueberwachung von Atmosphaere und Erdoberflaeche Dr. Slavko Svlrčevič, dipl.ing. Tvornica telekomunikacijskih uredaja Nikola Tesla, Zagreb -Osnovne postavke za izbor koncepcije razvoja mobilne telefonske mreže i sistema Dr. Marcel Zimmer, dipl.ing., Tvornica telekomunikacijskih uredaja Nikola Tesla, Zagreb -Operativno vodenje i održavanje telekomunikacijske mreže sa sistemom AOM 101 P. Krammling - Intelligenter Radiocommunication Tester CMT ,Željko Jungič, RO PTT saobračaja, Banja Luka, Branko Dokič, Elektrotehnički fakultet, Banja Luka -Mikroračunarski sistem za daljinski nadzor, upravljanje i mjerenje - MCS RSCM 512/128 .Želimir Močinič, Tvornica telekomunikacijskih uredaja Nikola Tesla, Zagreb - Realizacija TMN koncepta u zagrebačkoj telefonskoj mreži i uvodenje procesnog nadzora i upravljanja u nove SPC i postoječe ne SPC centrale Mr. Dragan Kokanovič, dipl.ing., Džanič Emir, ing. -Razvoj mreže za prijenos podataka na področju PTT Banja Luka Šmid Janez, Iskra JTS -Povečanje kapaciteta sistema SI2000 A. Mohar - Mobilni telefon - nova razširitev telekomunikacijskega prostora Mr.Vlado Bek, dipl.ing., Zoran Zubčevič, dipl.ing. RO PTT prometa Osijek - Povezivanje SPC centrala na računalo opče namjene Mr. Vlado Bek, dipl.ing. - Jedan način odredivanja faktora interesa u decentra-liziranoj telekomunikacijskoj mreži Boris Strelec, dipl.ing. Tvornica telekomunikacijskih uredaja Nikola Tesla - Osnovni koncept integriranih funkcijskih telekomunikacijskih mreža Prof. Dipl. ing. Verner Jansen, FH Aachen, Abt. Julich und Dr. Ing. Hartmuth Thomalla, Nixdorf Computer AG Abt. NET Muenchen -LAN in der Prozessleittechnik Ivan Bošnjak - Marketibilnost ISDN-a S. Kotlo, Tvornica telekomunikacijskih uredaja Nikola Tesla - ZXE 10 - realizacija ISDN funkcija za potrebe javnih i poslovnih komunikacija. MIKROELEKTRONIKA Mikroelektronička tehnologija se posljednjih godina razvijala slijedeči pravilo G. Moore-a. Kompleksnost mik-roelektroničkih sklopova raste s vremenom po ekspo-nencijalnom zakonu udvostručavajuči se svake godine. Gdje su granice rasta? Večina prognozera se slaže u procjeni, da če se i dalje nastaviti trend povečanja površine čipova uz smanjenje dimenzija elektroničkih elemenata unutar čipa. Očekuje se da če primjenom modernih metoda pročiščavanja silicija biti moguče uz potreban prinos u proizvodnji realizirati čipove površine iznad jedan cm kvadratni s oko 10 miliona tranzistora u čipu. Pri tome bi minimalna dimenzija unutar čipa (rezo-lucija) bila 0.2 i 0.3 mikrometra ovisno o metodi definiranja topoloških kontura. Citirane granice bi se pos-tigle poslije 2000. godine, vjerojatno do 2010. godine. Iznenadenje da se to dogodi i ranije nije ¡sključeno. Navedeno se odnosi na silicij kao materijal za procesiranje čipova. Odredene prednosti u odnosu na silicij ima galij-arsenid koji pokazuje veču otpornost na zračenja i omogučava izradu čipova koji brže obavljaju logičke operacije od silicija. Medutim, to je skup materijal i on zato nemože konkurirati siliciju u masovnim prim-jenama. Kad silicij dostigne ranije navedene granice, vjerojatno če daljnji razvoj iči u pravcu primjene sasvim novih materijala sintetiziranih primjerice metodom epitaksijal-nog rasta pomoču molekularnog mlaza. Pojedini istra-živači daju šansu optičkim materijalima, a drugi opet molekularnoj elektronlci (biočip, biosenzor). Vjerojatno če svako od prognoziranih područja imati odredeni udio što če svakako omogučiti intenzivan razvoj ne samo mikroelektronike več i ostalih informatičkih tehnologija. 224 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana Sadržaj: Mr. Stjepan A. Szabo, dipl.ing., SEITH, Zagreb -Savremeni trendovi mikro i makroelektronlke R. Muenzer, Siemens - Marine Engineering -Schiffsaufomalion in Mikroprozessortechnologie Srebrenka Ursič, Tomislav Švedek - Razvoj aplikativno specifičnih integriranih sklopova u Elektrotehničkom institutu Rade Končar Prof dr. Ing. L. Abraham, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, Prof. dr. ing. K. Heumann, Technische Universitaet Berlin - Der Einfluss abschaltbarer Leistungshalbleiter auf die Antriebstechnik. Nenad Strižak, RIZ-IETA, Zagreb -Hibridne mikroelektroničke tehnologije Petar Biljanovič, Željko Butkovič, Julijan Šribar, Goran Zelič, Elektrotehniki fakultet Sveučilišta u Zagrebu, Zavod za elektroniku -Mikroelektronički sklopovi po narudžbi Jakiša Radja - Poluvodičke mikroelektroničke tehnologije ENERGIJA Nekoliko generacija medu kojima se nalazi i naša živi u doba intenzivnog iskorištavanja fosllnog goriva: nafte, ugljena, plina i urana. To je omogučilo uz koristenje hidroenergije vrlo veliku ekspanziju čovječanstva uz veliku potrošnju energije po stanovniku, naročito u Industrijski razvijenim zemljama. Korištenje enormnih količina fosilnih goriva u vrlo kratkom vremenskom periodu od stotinjak godina sigurno nije dugoročnije gledano njihovo optimalno iskorištenje. Više nego intenzivno, gotovo ekstremno korištenje fosilnih goriva osim što je omogučilo fantastičan razvoj pojedinih zemalja i regija, izazvalo je i ogromna uništavanja prirode. Zbog toga se očuvanje čovjekove okollne sve više postavlja u prvi plan pri daljnjem razvoju energetike pa i uz jasno saz-nanje da to cesto i bitno poskupljuje proizvodnju i korištenje energije. To znači da u budučnosti ne postoji realna mogučnost daljnjeg znatnijeg povečanja proizvodnje i potrošnje energije po stanovniku. Veči napori bit če svakako uloženi u značajnije podlzanje kvalitete proizvodnje i potrošnje energije. U tom se smislu može predvidjeti daljnje povečanje udjela električne energije, kao najkvalitetnijeg oblika energije, u ukupnoj energiji. Takoder se uočava trend sve večeg prožimanja i nado-punjavanja pojedinih vrsta energije, s ciljem optimalnog iskorištavanja raspoložlvih resursa i zaštite čovjekove okoline. To znači daljnji razvoj aditivnlh izvora energije, racional-nog prijenosa i korištenja energije, povezano s prim-jenom suvremene elektronike. Tu posebno mjesto dobiva razvoj i proizvodnja čistih proizvoda s visokim energetskim pokazateljima. Sadržaj Prof. dr. Ing. Hans Christian Mueller - Grosstaedtische Stromversorgung Mr. Konstantin Hadži-Ristič, dipl.inž.el. Institut za grade-vinarstvo, gradevinske materijale i nemetale, Tuzla -Dvotarifno mjerenje vršne snage maksigrafom K. Feser, Universitaet Stuttgart - Automatisierte Mess-vverterfassung und - verarbeitung in Forschung und Industrie gezeigt am Beispiel von Hochspannungs-pruefungen Mirko Langer, dipl.ing. Medimurska trikotaža, Čakovec Regulacija vršnog opterečenja u tekstiolnoj industriji Prof. dr. Edgar Škrobonja, Mr. Bernard Frankovič, Teh-nički fakultet Rijeka Poboljšanje prijelaza topline - primjena kod izmjenjivača topline NUKLEARNA TEHNIKA I NUKLEARNA ENERGIJA Zahvaljujučl razvoju nuklearne tehnike I energetike koji je uslijedio tokom posljednjlh decenija, ta grana energetike danas spada u efikasne energetske tehnologije za masovnu proizvodnju električne energije. Razvoj nuklearne energetike je imao znatno širi značaj od samo energetske primjene, a ogleda se u razvoju niza pratečih tehnologija i metoda kao što su: razvoj novih materijala, novih tehnoloških postupaka, novih metoda u upravljanju procesima, novih primjena dijag-nostike, kontrole kvalitete, matematičkog modeliranja procesa, korištenje simulatora kod obuke osoblja i niza drugih. Sva ta dostlgnuča su od znatnog značenja za opči napredak tehnologija. Tako su do danas napredni tipovi nuklearnih elektrana dostigli stupan razvoja, koji ih svrstava ne samo u ekonomski i ekološki prihvatljiva, nego i po mnogim karakteristikama superiornija energetska postrojenja od klasičnih termoelektrana. Postoji još mnogo mogučnosti i potreba za njihovim daljnjim poboljšanjima, posebno na področju daljnjeg unapre-denja sigurnosti, razpoložlvosti pojednostavljenju izvedbi i rukovanja i si. Sadržaj: Mladen Juričič, dipl.oec. Republički komitet za ener-getiku, industriju, rudarstvo i zanatsvo SR Hrvatske -Dugoročni razvoj energetike SRH i SFRJ s osvrtom na ulogu nuklearnih elektrana Mladen Cvitanovič, dipl.Ing. Vladimir Bradač, dipl.ing., Mario Balog, dipl.ing., Hrvoje Štingl, dipl.ing. Institut za elektroprivredu, Zagreb - Ispitivanje opreme u toku pogona u NE Krško Danilo Ferevtlč, Nikola Čavlina, Nenad Debrecin, Du-bravko Pavec, Elektrotehnički fakultet Zagreb - Analiza sigurnosti nuklearnih elektrana Vladimir Vukovič, Zagreb - Problem generatora pare u PWR slstemima R. Erman - Ultrazvočna dekontaminaclja 225 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana W. Aleite - KWU Neues KKW Prozess - Informations -System PRISCA im Anlage -Test - Betrieb ADITIVNI IL! ALTERNATIVNI IZVORI ENERGIJE Pod pojmom aditivni izvori energije podrazumjevaju se izvori energije koji se dodaju glavnim izvorima energije. Oni istovremeno prema mjerilima čovjeka predstavljaju neiscrpne izvore energije. Ovdje spadaju: energija sun-čevog zračenja, energija vjetra, toplinska i kinetička energija morske vode, toplinska i kemijska energija bio-mase. Nastali kao posljedica istoga izvora energije (sunčevog zračenja) aditivni izvori energije imaju zajedničke karakteristike: prikladni su na mjestu gdje nastaju. Aditivni izvori energije imaju u usporedbi s glavnim izvorima energije relativno malu gustoču, pa prema tome zahtijevaju tehnologiju korištenja s večim površinama i večom količinom materijala nego primjerice pri koristenju nuklearne energije. Tehnologije za korištenje aditivnih izvora energije op-terečene su velikim investicijskim troškovima po jedinici snage ali zbog relativno malih snaga rokovi izgradnje su kratki pa se uloženi kapital počinje ubrzo vračati. Pogonski troškovi aditivnih izvora energije su relativno niski. Tehnologije za korištenje aditivnih izvora energije omo-gučavaju modularnu izvedbu, jednostavnu montažu i prilagodavanje kapaciteta uredaja promjenjljivim potrebama. Korištenje aditivnih izvora energije je ekološki čisto i zbog toga gledano na duži rok vrlo prihvatljivo. Sadržaj: ZvonimirKnapič, dipl.ing. Rade Končar - Elektrotehnički institut, Josip Grabovac, dipl.ing. Žarko Vudrug, dipl.ing. Fakultet gradevinskih znanosti, Split - Predispozicije pojedinih regija Hrvatske za korištenje sunčeve energije u stambenim objektima I. Penzar, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, S. Nikolova, Republički hitrometeorološki zavod SR Makedonije, Skopje, S. Barbaro, G. Cannistraro, C. Giaconia, A. Orioli, Universitadi Palermo, Dipartimento di Energetica ed Applicazioni di Fisica - Koeficijenti ASHRAE modela globalnog zračenja pri vedrom vremenu u području Jadrana M. Peršin, S. Vlahovič, M. Ivanda, Z. Mikšik, D. Gracin, N. Urli, Institut Ruder Boškovič, Zagreb, R. Sinovčevič, RIZ Tvornica poluvodiča, Zagreb, V. Borjanovič, VVTŠ KOV JNA, Zagreb - Razvoj novih metoda za proizvodnju konponenata fotonaponskih čelija Zvonimir Knapič, Olga Mardešič, Mario Žic, Rade Končar - Elektrotehnički institut - Razvoj primjene tehnologije i lijepljenja za solarne termičke kolektore P. Kulišič, M. Prah, Elektrotehnički fakultet, Zagreb, J. Vuletin, I. Zulim, Fakultet elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje, Split - Stimulcija rada malih fotonaponskih sustava Ivan Vrsalovič, Rijekaprojekt, Rijeka - Efekti snage i regulacije na specijalnim vjetroturbinama u sapnici plaš-ta Zagorka-Boškov Steiner i Ivo Steiner, Zagreb - Pristup istraživanju i razradi geotermalnih ležišta Ivo Kolin, Rudarsko-geološki-naftni fakultet Zagreb -Termodinamička procjena geotermalnih izvora Prof.dr. Vilka Obsiger, dipl.inž. Tehnički fakultet, Rijeka - Absorpcioni rashladni uredaji i njihova primjena pri korištenju niskotemperaturnih toplina ZAŠTITNO ALARMNI SUSTAVI Na području zaštitno alarmnih uredaja i sustava ostva-ren je u proteklim godinama značajan tehnički i tehnološki napredak. To se prije svega odnosi na protu-požarne i protuprovalne sustave, ali takoder i na rezultate istraživanja na području zagadivača atmosfere. Nauka o požarima predstavlja osnovu za razvoj novih i pouzdanijih detektora i postupaka za rano otkrivanje požara u raznim objektima i postrojenjima. Smanjenje kriminala moguče je jedino primjenom modernih zaštitno alarmnih uredaja i sustava, uz odgo-varajuču organizaciju poslovanja. Za efikasnost zaštite od presudne je važnosti pravilno odredena filozifija rada alarmnog sustava. Intenzivan rad na medunarodnoj i jugoslavenskoj standardizaciji omogučit če lakši ulazak na medunarodno tržište opreme i uredaja iz područja zaštitno-alarmnih sustava Sadržaj: Ivan Husar, Elektrotehnički fakultet sveučilišta u Zagrebu - Pristup izgradnji zaštitno alarmnih sustava Ferdo Pavlovič, Esad Hadžiselimovič, Dinko Tuhtar, Vladimir Kapor, Zoran Srzič, Institut zaštite od požara i eksplozija, Sarajevo-Nauka o požaru u funkciji novih tehnologija: stanje i trendovi pravca i metoda istraživanja Vladimir Kapor, Institut zaštite od požara i eksplozija, Sarajevo - Nove tehnologije u oblasti požarnih alarmnih sistema R. Tasič - Inteligentni i adresibilni detektori požara Günter Bollermann, Zentralband der Elektrotechnischen Industrie, Frankfurt/M - Elektrische Einbruchmeldeanlagen - Normen und Richtlinen Miroslav Turina, dipl.ing. Rade Končar - ETI Baštijanova bb 41000 Zagreb 226 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana ZAPIS O SMT SEMINARJU Seminar firme MULTICOMPONENTS GmbH o površinski montaži elektronskih elementov Alojzij Keber Površinska montaža elektronskih elementov v svetu vse bolj izriva s trga klasično montirane sklope in podsklope. Bolj ko se bližamo prelomu desetletja, bolj se uresničujejo napovedi, da se bo v začetku devetdesetih let proizvodnja elekronskih elementov prevesila v korist površinske montaže. Če se dokaj optimistične napovedi za razvoj te tehnologije izpred dobrih treh let niso v celoti uresničile, je vendarle čutiti, da bo šlo pri uvajanju površinske montaže v naslednjih letih zares. To kažejo trendi razvoja na svetovnem trgu, kjer s precejšnjo prednostjo vodi Japonska, sledi Amerika, Evropa pa sprejema izziv svojih tekmecev. Z namenom, da bi približali to novo tehnologijo tudi jugoslovanski strokovni javnosti, sta organizirala Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale MIDEM in Iskra 5. in 6. septembra 1989 v Iskrini poslovni stavbi seminar o površinski montaži elektronskih elementov, ki ga je pripravila nemška firma MULTI COMPONENTS iz Nurnberga v Zvezni republiki Nemčiji. Čeprav je imel seminar poudarek na nanosu past in lepil na ploščice tiskanih vezij ter spajkanju, se je predavatelj Gerhard Reusch v svojem izvajanju dotaknil tudi nekaterih drugih tehnoloških korakov pri opremljanju ploščic tiskanih vezij. Poslušalci, ki so prišli iz vse Jugoslavije, so dobili na ta način široko paleto tehničnih in tehnoloških informacij o površinski montaži. Obiskovalci so si lahko ogledali tudi praktično avtomatsko montažo elektronskih elementov na demonstracijskem polagalnem avtomatu. Zanimivo je, da sta se seminarja udeležila tudi predstavnika firme Vibratek GmbH z Dunaja, ki sta skušala najti med udeleženci odjemalce za svoj program elektronskih elementov za površinsko montažo. Iskra Elementi je udeležence seznanila o svojem programu SMD elementov. Med 130 udeleženci, ki so prišli iz Nikole Tesle, Rudija Čajevca, Rade Končarja, Elektronske industrije, Digitrona, Novkabla, Elektrokovine, RIZ, Instituta Jožef Štefan, Donita, Fakultete za elektrotehniko in računalništvo v Ljubljani, Fakultete za naravoslovje in tehnologijo v Ljubljani, je bilo okoli 60% strokovjakov iz Iskre. Zanimivo je, da vsa ta množica strokovnjakov ni premogla tehtnih vprašanj, ki bi vzpodbudila diskusijo in tako prispevala k še boljšemu pretoku znanja od predavatelja udeležencem in med udeleženci samimi. To pa je prav gotovo odsev stanja pri uvajanju površinske montaže elektronskih elementov v Jugoslaviji. Udeleženci, ki uporabljajo pri svojem delu nemški jezik, so prejeli delovno gradivo seminarja na seminarju samem, medtem ko bo firma MULTI COMPONENTS GmbH razposlala angleška gradiva v roku dveh mesecev. V splošnem je seminar lepo uspel in je bil za udeležence po njihovih lastnih izjavah dokaj koristen. Poslušalci so izrazili željo, da bi podobne seminarje organizirali tudi v prihodnje. Alojzij Keber, dipl. ing. MIDEM, Titova 50 61000 Ljubljana ZNANSTVENO SREČANJE "MATERIALI '89" Marička Kosec Od 4. - 6. oktobra 1989 je bilo v Partizanskih Vodah na Zlatiboru srečanje strokovnjakov s področja metalurgije in keramike. Konferenco so organizirale Republička za-jednica nauke Srbije - Osnovna zajednica nauka regiona Titovo Užice, Regionalna privredna komora, SOUR Val-jaonica bakra i aluminijuma "Slobodan Penezič - Krcun" Sevojno i SOUR Prvi Partizan. V čez trideset predavanjih in prav toliko posterjih so avtorji predstavili raziskovalne rezultate s področja metalurgije barvnih kovin, prašne metalurgije, sodobne tehnične oksidne in neoksidne keramike ter klasične silikatne keramike. Med deli ni manjkalo takih, ki so obravnavala atraktivne nove materiale in tehnologije, tako n.pr. hidroksiapatitno bioaktivno keramiko, amorfne kovine, akustično mikroskopijo kot metodo za karak-terizacijo sintranih materialov, zgoščevanje kovin pri sobni temperaturi uporabljajoč visoke pritiske (hladno sintranje) sintezo transparentne PLZT keramike s sin-tranjem pod pritiskom, pripravo nosilcev katalizatorjev, pripravo keramičnih elementov za filtriranje raztaljenega aluminija. Velja omeniti, da je bilo veliko del, ki so se ukvarjala z manj atraktivnimi pa za naš vsakdan nič manj pomembnimi problemi, ki so blizu proizvodnji barvnih kovin, prašni metalurgiji in izkoriščanju domačih surovin v proizvodnji keramike. Dosti avtorjev strokovnih prispevkov je bilo iz proizvodnih organizacij. V okviru srečanja je bila organizirana okrogla miza "Novi materiali i mogučnost njihovog razvoja u SFRJ". Diskusija, kot že mnoge dosedaj, v krogu strokovno podobno mislečih ljudi. Za konferenco je vladalo veliko zanimanje. Udeležilo se je je čez 200 ljudi, zelo veliko iz industrije. Vzdušje je bilo zelo prijetno, k čemur je poleg organizatorjev gotovo pripomoglo čudovito okolje jesenskega Zlatibora in v prostem popoldnevu srečanje s pletiljami Sirogojna z 227 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana njihovo gostoljubnostjo, zgodovino in uspešno sedanjostjo. Kar človek pogreša na takem srečanju, so živahne diskusije, ki zapolnjujejo konference v tujini od zore do mraka. Tu, pri nas pa se zdi, kot da si tako govorniki kot poslušalstvo želijo svoj mir, kjer ni strokovnega vznemirjenja in strokovne agresivnosti. Vsa, na konferenci predstavljena dela, bodo izšla v zborniku. Tisti, ki se zanj zanimajo, ga lahko naročijo pri organizatorju: Osnovni zajednici nauke regiona Titovo Užice, Organizacioni odbor Naučnog skupa "Materijali '89", Ul. heroja Dejoviča 26, 31000 Titovo Užice. dr. M. Kosec, dipl.ing. Institut Jožef Štefan Jamova 39 61000 Ljubljana POROČILO S KONFERENCE NASECODE VI Dejan Križaj Trinity College, ki je zaradi svoje zgodovine in lepote ponos in prva turistična znamenitost glavnega mesta Irske - Dublina, je bil od 10. do 14. julija 1989 gostitelj šeste mednarodne konference o numerični analizi polprevodnikih struktur in integriranih vezij (Sixth International Conference on Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits - NASECODE VI). To je verjetno konferenca z najširšo mednarodno udeležbo na področju modeliranja polprevodniških struktur in s tem seveda prikaz najnovejših dosežkov na tem področju. Osrednji del konference je trajal tri dni (11. -14. julija) in je bil sestavljen iz posameznih sekcij, le-te pa še iz podsekcij - minislmpozijev. Program sekcij ni potekal vzporedno, kar je sicer hiba mnogih drugih konferenc, seveda pa je zato delo teklo od jutra pa do večera. Najboljši vpogled v tematiko konference dajejo že naslovi sekcij (ki jih zaradi verodostojnosti podajam kar v originalu): Session on Mathematical Techniques, Session on Analytical and Circuit Modelling, Session on Process Modelling ter vrste minisimpozijev (z dolgimi naslovi) npr: Minisimpozium on Three Dimensional Device and Process Simulation, Minisimpozium on Application of Parallel and Vector Computers to Semiconductor Device Modelling. Dan pred uradno otvoritvijo konference so organizirali tečaj (Short Course of Software Tools for Process, Device and Circuit Modelling), na katerem so bili predstavljeni večji projekti - programi za simulacijo In modeliranje polprevodniških struktur. Programi, za katere se je dalo še pred leti dobiti akademsko licenco, so sedaj že povsem tržno naravnani, tako npr. ameriška TMA (Technical Modelling Associates) ponuja programa SUPREM in PISCES znane ameriškefakultete Stanford po pravi tržni ceni. Nasploh je opazen pojav združevanja, ne samo industrije z univerzo pač pa skupnih projektov velikih industrijskih gigantov, kot je primer projekt EVEREST, v katerem sodelujejo STC Technology, Analog Devices, Philips, SGS-Thompson, Rutheford Appleton Laboratory, Trinity College Doublin, University of Bologna, IMEC, NMCR, GEC idr. Jasno je, da to zahteva močno interdisciplinarno sodelovanje znanstvenikov, kar je potrdil tudi sam kongres, na katerem so poleg elektrotehnikov posebno številni matematiki, fiziki in strokovnjaki računalništva. Opazna je bila želja izdelati čim bolj zanesljive in "prijazne" programe, prenesti uporabo teh programov iz velikih računalnikov VAX, CRAY na manjše delovne postaje kot so Appolo, Sun in s tem povečati njihovo uporabnost in jih približati širšemu krogu potencialnih kupcev. Pri tem postaja vedno zanimivejši operacijski sistem UNIX in programski jezik C. Računalniški programi za simulacijo in modeliranje so bili predstavljeni v posebnih okvirih (Software Forum, Software Exhibition), med katerimi so verjetno najzanimivejši TITAN (CNET&CISI Ingeniere), TRON (ETH), IMPACT 1.2.3, SUPREM (TMA), PISCES (TMA), TRENDY (University of Twente). Organizatorji niso pozabili niti na sekcijo posterjev, kjer so udeleženci razstavili svoje zadnje dosežke. Sam sem predstavil poster o naših raziskavah na modeliranju zaključitve PN spojev (junction termination). Skratka, konferenca je bila izredno dinamična ter polna dogajanj, saj se je izkazalo, da je tudi kratek čas za kavico lahko namenjen izmenjavi izkušenj in medsebojnemu spoznavanju udeležencev. Iz Jugoslavije sva se konference udeležila Konstantin Nikolič z beograjske fakultete za elektrotehniko in avtor tega zapisa. p.s. Po vsej verjetnosti bo naslednje leto konferenca NASECODE, ki je bila do sedaj že kar tradicionalno zasidrana v Dublinu, prestavljena v ZDA, saj je tja namenjen prof. J.J. Miller, organizator in pobudnik te pomembne konference. Dejan Križaj mladi raziskovalec na FER Laboratorij za nelinearne elemente 61000 Ljubljana 228 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana Productronica 89 Milan Slokan V Muenchnu kot središču Bavarske se zavedajo, da bo svetovno gospodarski pomen njihove industrijske dežele v bodoče odločilno odvisen od kvalitativne in kvantitativne učinkovitosti elektronske industrije. Pohvalijo se s tem, da se na področju velikega Muenchna vedno bolj množijo podjetja, ki se ukvarjajo z mikroelektroniko (v zadnjih desetih letih 2500). Skoraj 10% vseh delovnih mest v Muenchnu je že zasedenih na področju strojne in programske opreme. Prav zato posvečajo strokovnim sejmom s področja elektronike, high-tech na sploh veliko pozornost in podporo. Tudi zaradi tega je Productronica v sorazmerno kratkem času zrasla v enega izmed najpomembnejših svetovnih strokovnih sejmov za proizvodnjo v elektroniki. Zasedena je bila spet celotna površina muenchenskega sejmišča (105.000 m2 brutto), razstavljalo je ca 1700 razstavljalcev iz 29 držav. Največjih je seveda bilo iz ZR Nemčije (944), kiji sledijo ZDA (181), Švica (114), Anglija (94), Francija (74), Italija (61) in drugi. Iz Japonske je razstavljalo 28 firm. Obiskovalcev so ocenili na okoli 90.000. Kot prejšnja leta je bila razstava organizirana v štirih sektorjih: hale 1 do 5 surovine in naprave zaproizvodnjo elementov, hale 7 do 16 naprave in materiali za proizvodnjo tiskanih in drugih vezij (v hali 15 je bila posebej zbrana ponudba kemikalij in materialov za elektroniko), hale 18 do 22 oprema in materiali za proizvodnjo sklopov ter naprav, hale 23 do 25 elektronika za avtomatizacijo in zagotavljanje kakovosti. Vodič po obširni ponudbi je sistematično in praktično po izdelkih in firmah urejen katalog, ki služi tudi po sejmu kot zelo koristen priročnik s področja opreme in materialov za proizvodnjo v elektronski industriji. Omenjam, da je iz Jugoslavije razstavljala edino Iskra in sicer naprave za proizvodnjo elektronskih elementov. ,Že po razstavni površini sodeč je bila razstava tako razsežna, da si vsega ni bilo mogoče ogledati v dveh dneh obiska, še manj pa je v tem kratkem poročilu moč prikazati vse zanimivosti in novosti. Poudarki razstave so bili na proizvodnji polprevodnikov, oz. mikroelek-tronskih vezij, proizvodnji tiskanih vezij in površinski montaži ter na kakovosti in zanesljivosti. Prvi dve področji imata nekaj skupnega v potrebah po čistih kemikalijah in čistih prostorih, zato bo morda zanimivo podati o tem nekaj ekonomskih in tehničnih podatkov, ki dajejo tudi sliko o trendih v elektronski industriji. Na primer v evropski industriji polprevodnikov bo zaradi predvidenega povečanja obsega proizvodnje narasla uporaba kislin, lugov itd. od 322 mio dolarjev 1988 na ca. 500 mio dolarjev leta 1992 (in to kljub delni tendenci zmanjšanja uporabe kemikalij zaradi trendov v tehniki suhega jedkanja). Proizvodnja silicijevih rezin se bo povečala od okoli 160 mio dolarjev leta 1988 na ca. 250 mio dolarjev leta 1992, Največjo rast porabe pričakujejo pri silanih in drugih plinih za kemijsko naparevanje. Pri fotolakih se kaže trend nadomeščanja negativnih s po- zitivnimi laki. Pri slednjih pričakujejo v letih do 1992 porast proizvodnje od ca. 26 mio dolarjev na okoli 45 mio dolarjev. Tržišče proizvodnje tiskanih vezij se bo prav tako širilo: v času od leta 1988 do 1992 se bo povečalo za okrog 180 mio dolarjev (1988-320 mio dolarjev). Pri rezistih za tiskana vezja trenutno tekmujeta tehniki suhega filma in mokrih rezistov, ki imata vsaka svoje prednosti in pomanjkljivosti. Rezisti s suhim filmom so pa s predvidenimi 122 mio dolarji leta 1992 najhitreje rastoči segment (leta 1988 proizvodnja 87 mio dolarjev). Vrednost kemikalij za metalizacijo tiskanih vezij bo zrasla od 70 mio dolarjev leta 1988 na skoraj 100 mio dolarjev leta 1992. Tehnika čistih prostorov je danes vedno bolj povezana s proizvodnjo sestavnih delov in vezij za elektroniko, posebej pri aktivnih elementih, kjer se vodniki približujejo dimenziji 1 mikrometra. Zato hitro raste industrija delov za čiste prostore (stene, filtri, stropovi, tla itd.), ki morajo biti prilagojeni brezprašnim prostorom pa tudi kompletnih klimatskih sistemov s prezračevalniki, klimatskimi napravami, kanali za zračenje itd. Pri tem je nujna največja tesnost stenskih, stropnih in talnih elementov, da dosežemo stalen nadtlak proti zunanji atmosferi. V mikroelektronski industriji običajni razred čistoči 10 (po Federal Standard 209 b-c), oz. razred 2 (po VDI 22083) mora imeti skoraj tisočkrat manj prašnih delcev kot sterilni prostori v bolnišnicah. Tudi v proizvodnji tiskanih vezij z vodniki 0,05 mm zahtevajo pri nanašanju fotolakov čiste prostore, čeprav le razreda 100.000. Poleg čistih prostorov je potrebno tudi vzdrževanje njihove klime pa tudi preprečevanja onesnaževanja z zaposlenim osebjem. Zato raste ponudba posebnih oblačil, rokavic, obutve itd. na eni strani, na drugi strani pa vodi tendenca manjšega onesnaževanja z zaposlenimi k nadomeščanju ročnega dela z roboti. Razen same sejemske ponudbe je bistveni sestavni del muenchenskih sejemskih prireditev tudi organizacija strokovnih konferenc, posvetovanj in simpozijev, ki se vedno ukvarjajo z najaktualnejšo tematiko časa. Letos so bile take prireditve: 3. Forum o managementu v mikroelektroniki, konferenca o zvišanju produktivnosti v proizvodnji elektronike z zanesljivimi procesi, konferenca Proizvodnja polprevodnikov - novi trendi pri strukturah in opremi (pri integriranih vezjih), simpozij Zagotavljanje kakovosti v elektroniki (z glavno temo SMT - površinsko montažo elementov) ter strokovno posvetovanje o senzorskih čipih (montaža, kontaktiranje, preizkušanje, zanesljivost posebej v vozilih). Zborniki z referati teh o prireditvah vsebujejo pravo bogastvo informacij, idej in izkušenj predvsem nemške elektronske industrije. Uspeli smo dobiti pismeno gradivo z vseh konferenc (razen s Foruma), ki bo dostopno članom MIDEM. Prostor v tem poročilu žal ne dopušla, da bi objavili vsaj naslove predavanj. Mag. Milan Slokan, dipl. ing. MIDEM, Titova 50, Ljubljana 229 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana Letošnja razstava SODOBNA ELEKTRONIKA 89 in spremljajoči strokovni program Herman Vidmar Letošnja razstava je bila od 3. do 6. oktobra. Na njej je sodelovalo 591 razstavljalcev, od tega 196 iz Jugoslavije in 395 iz tujine. Razstavljalci so zakupili vse razpoložljive površine, tj. 17.000 m2. Razstava SODOBNA ELEKTRONIKA ima tako po klasifikaciji panog in tudi po prijavah razstavljalcev predvsem profesionalni značaj, kar je razvidno iz zastopanosti posameznih grup eksponatov: Grupe eksponatov po panogah % Sestavni deli, enote, materiali 33,8 Profesionalna elektronika 25,5 Telekomunikacije 10,4 Inženiring in literatura 9,5 Računalništvo 9,0 Radiodifuzija 5,9 Oprema za proizvodnjo 5,9 Skupina sestavnih delov in materialov za elektroniko je bila letos daleč najbolj zastopana in je predstavila 1/3 vseh prijavljenih razstavljalcev (33,8%) in to s 17% višjo udeležbo kot lani. Veliko število razstavljalcev v tej panogi sestavnih delov (333) je pomenilo široko paleto firm, ki so bile zastopane na razstavi tako, da je bil izbor želenega sestavnega dela, predvsem profesionalnega, tudi zahtevnemu interesentu lažji. Panoga profesionalne elektronike je predstavljala 25,5% torej 1/4 vseh razstavljalcev, pri čemer je bila najobsežnejša grupa razstavljalcev merilne in preiz-kuševalne elektronike skupaj s sorodno krmilno in regulacijsko elektroniko. Zaradi pomanjkanja prostora pa je bila letos prvič izločena razstava robotizacije in fleksibilne avtomatizacije JUROB 89 in planirana v dnevih 6. do 8. novembra. Telekomunikacije - Letos sta znatno porasli grupi eksponatov naprav za žični in brezžični prenos. Razvoj telekomunikacij ponuja vedno nove in bolj izpopolnjene načine komuniciranja. Nujen je prehod iz dosedanjega analognega na digitalno telekomunikacijsko omrežje, ki bo omogočalo pospešeno integracijo storitev ISDN. Inženiring in literatura. V tej panogi so bile zbrane dejavnosti, ki so in postajajo vedno bolj tesno povezane na sodobno proizvodnjo v elektronski tehniki. Prednjači projektiranje in inženiring s 4,5% sledijo raziskave in razvoj. Računalništvo - Udeležba je bila v celoti z 9,0% predstavljena z elektronskimi računalniki in perifernimi napravami ter z računalniškimi terminali. Radiodifuzija - Skupna udeležba je bila 5,9%, nekoliko večja kot lani, a kaže s planiranimi uvajanji satelitske televizije in kabelske distribucije tendenco naraščanja. Oprema za proizvodnjo - Nekaj manjše zanimanje za to panogo z okoli 6% razstavlalcev kaže na manjše možnosti investiranja pri nas, vendar pa bi bilo pospeševanje te vrste dosežkov razstavljalcev v bodoče še naprej zaželeno. JUROB 89 - 5. Jugoslovanska razstava robotizacije in fleksibilne avtomatizacije z mednarodno udeležbo Herman Vidmar Letošnja peta razstava JUROB je bila prvič organizirana v samostojnem terminu in v bistveno povečanem obsegu kot prejšnje leto. Na razstavi je sodelovalo 50 razstavljalcev, od tega 40 iz Jugoslavije in 10 iz tujine, na 3.000 m2 razstavne površine Gospodarskega razstavišča. Novost letošnje razstave je bila poleg komercialnih predstavitev delovnih organizacij še poseben inovacijski paviljon, na katerem so se na skupnem prostoru predstavili jugoslovanski instituti in univerze. RAZSTAVNI PROGRAM: roboti, fleksibilne strežne naprave, robotizirana delovna mesta, linije, robotski podsklopi, komponente za robotsko tehnologijo, merilni aparati in sistemi, učni pripomočki, računalniško podprle dejavnosti (CAD, CAM, CIM... ), robotski programski jeziki, elementi umetne inteligence, visoka tehnologija, inženiring, strokovna literatura, prezentacija raziskovalnih in razvojnih programov institutov in univerz. Razstava JUROB bo od letošnje razstave naprej organizirana bienalno vsako neparno leto in tvori s stro-kovno-znanstvenim posvetovanjem JUROB v Opatiji (ki bo tudi organiziran bienalno vsako parno leto) enoten dvoletni ciklus. Ob letošnji 5. razstavi JUROB je bil organiziran tudi strokovni spremljajoč program in sicer 1. seminar o uporabi robotizacije s praktičnimi vajami v času od 6. do 8. novembra, strokovno posvetovanje na temo "Družbeni vidiki robotizacije", ki je bilo 7. novembra ter več komercialnih predstavitev delovnih organizacij, ki so nastopale na razstavi. Herman Vidmar, dipl. ing. EZS, Titova 50 61000 Ljubljana 230 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana NOVE KOMPONENTE IGBT- novi visokonaponski element u SIPMOS tehnologiji Miroslav Turina Siemens je razvio IGBT (Insulated Gate Bipolar Tran-sistor), koji posjeduje visoku brzinu uklapanja i treba malu snagu za pobudu, isto kao snažni MOSFET, ali u provodnom stanju ima otporsličandarlingtontranzistoru to jest mnogo manji nego klasični MOSFET. Za sada su na raspolaganju BUP 304 za 25 A/1000 V u TO-18 kučlštu i BSS 301 za 0.3 A/800 V u SO-6 kučištu. U usporedbi s na primjer MOSFET BUT 54, koji pri 5 A ima pad napona preko 20 V IGBT pri 10 A ima pad napona manji od 3 V. Prednosti novoga elementa dolaze do izražaja pri radu s naponima preko 600 V i na frekvencijama ispod 30 kHz. IGBT se još dalje razvija i firma najavljuje da če uskoro imati elemenat za 1650 V i struju do 50 A. Miroslav Turina, dipl.ing. Rade Končar, ETI Baštijanova bb 41000 Zagreb NAMESTO "PREDSTAVLJAMO SPONZORJE" MIDEM ,Že drugič v tem letu smo morali naslovnico časopisa pripraviti v uredništvu in jo financirati s sredstvi društva MIDEM. Zaskrbljujoče je, da prav tiste delovne organizacije, ki bi najbolj morale skrbeti za "zdravje" društva, odpovedujejo svojo finančno pomoč. Bivša Iskra - Mikroelektro-nika je zavlačevala plačanje pogodbeno dogovorjenega sponzorstva tako dolgo, da se je vsota vključila v zahtevek plačil iz likvidacijske mase, Iskrina tovarna polprevodnikov iz Trbovelj take pogodbe niti podpisati noče in ne more, s svojimi finančnimi težavami odstopa od sponzorstva tudi Iskra - HIPOT iz Šentjerneja. Če ktemu še prištejemo večmesečno neplačevanje naročene kotizacije Ei - Mikroelektronika Niš in ne samo nje, se lahko samo še vprašamo, komu naj služijo napori strokovnega tiska in strokovnega povezovanja. Bomo kot svobodno združenje posameznikov dovolj inovativni, da se prilagodimo tudi takšni situaciji? dr.R.Ročak Predsednik MIDEM ČLANI MIDEM ČLANI MIDEM ŠESTDESETLETNIKI Rudi Ročak Ob koncu leta 1989 čestitamo našim članom, ki so v tem letu dopolnili svojo šestdesetletnico. Svojo šestdesetletnico je 15. aprila slavil Daniel Jurjevec, član MIDEM od 1986 leta. 27. junija Momčilo Ristič, član od leta 1981, 12. decembra Velibor Marinkovič, član od 1987 leta in 30. decembra Erazmo Šegota, član od 1985. leta. Ob življenjski obletnici smo jih želeli predstaviti z njihovim strokovnim življenjepisom. Žal od nobenega nismo prejeli potrebnih podatkov. Vemo pa, da je njihova strokovna pot izredno pestra in plodna. Vsi so še zelo aktivni, zato je njihova prezaposlenost in velika skromnost verjetno vzrok za izostale podatke. V imenu izvršnega odbora društva in vseh članov MIDEM jim želimo nadaljnje uspešno delo in trdno zdravje. Predsednik MIDEM dr. R. Ročak 231 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana VESTI, OBVESTILA TRŽIŠTE POLUVODIČA U 90-TIM Miroslav Turina U reviji Siemens Components br. 4/89 objavljen je za-nimljiv intervju s Christophom Horstmannom, direkto-rom prodaje i marketinga poluvodiča u Siemensu. Za one čitaoce Informacija MIDEM, koji ne čitaju Siemens Components prenosimo intervju u širim izvodima. Semiconductor Division u Siemensu je reorganizirana i postala je nezavisan dio kompanije Siemens AG, odgovorna za vlastito poslovanje. U vezi s tirne postavilo se pitanje ciljeva poduzeča i očekivanja u 90. tim godi-nama. Christoph Horstmann kaže da se na poluvodičkom trži-štu može efikasno poslovati samo ako se poduzeče potpuno koncentrira na neka izabrana područja. U Siemensu su izabrali informatičke tehnologije, automo-bilsku elektroniku, industrijsku elektroniku i zabavnu elektroniku. Za komponente koje ulaze u informatičke sisteme i uredaje imaju vrlo jake potrošače u vlastitoj kompaniji, a neke proizvode, kao na primjer komponente za ISDN, kupuju od njih svi glavni proizvodači sistema. U području automobilske elektronike Siemens je go-dinama razvijao dobre odnose s vodečim evropskim proizvodačima automobila i danas su u stanju nuditi kompletna vlastita rješenja, a ne samo pojedine komponente. Industrijska elektronika je područje, s kojim posebno računaju, jer smatraju, da je elektronika ključna tehnologija za industriju alatnih strojeva, koja je glavna eksportna grana SR Njemačke. U zabavnoj elektronici ograničili su se na komponente za televiziju i automobilske radioaparate. Zanimljivo je mišljenje koja če područja poslovanja, u poluvodičima biti najuspešnija na tržištu. Sva četiri spomenuta područja skupa čine 40% ukupnog prihoda poduzeča, a slično bi trebalo ostati i ubuduče. U standardnim integriranim sklopovima memorije čine 25% ukupnog prihoda i donose največu dobit. Medutim Ch. Horstmann naglašava da oni ne žele postati največi svjetski proivodač memorija, ali im je potrebna masovna proizvodnja kroz koju mogu unapredivati procesnu teh-nologiju za sve ostale poluvodičke aktivnosti. Oni su odlučili da su DRAM vrlo dobar izbor u tu svrhu. Cjelo- kupno svjetsko tržište je toliko veliko da čak i vrlo velika Siemensova proizvodnja pokriva samo 3% toga tržišta i nije ograničena nedovoljnom potražnjom. Problemi opstanka u poslovanju s komponentama su u tome da se investicije u istraživanje i razvoj i u osiguranje proizvodnih kapaciteta neprekidno povečavaju. Na primjer Siemens je samo za Mega projekt, koji radi zajedno s Philipsom, utrošio 2,7 milijardi DEM, a očekuje se da če investicije u slijedeče dvije generacije 16 i 64 MBitni čip biti mnogo veče. Memorije nisu jedini strateški proizvod Siemensa. Medu standardnim proizvodima velika pažnja poklanja se mik-roprocesorima i mikrokontrolerima. U Siemensu su pošli od jednostavne pretpostavke, da uskoro neče biti ni jedne primjene poluvodičkih komponenata, koja neče trebati centralnu inteligenciju u nekakvom obliku, a to su zapravo procesori i kontroleri. Familije mikroprocesora i mikrokontrolera proširuju i vjeruju da če se do kraja ove godine pojaviti na tržištu s 32-bitnim procesorom. Odlučili su se za RISC procesorfirme MIPS. Siemens če biti evropski proizvodač toga procesora. Na pitanje što mogu ponuditi kupcima na polju suradnje (misli se tehničke) Ch. Horstmann je odgovorio da oni imaju vrlo dugačko i opširno iskustvo na razvoju semi-custom sklopova unutar Siemensa, a sada te mogučno-sti stavljaju na raspolaganje i drugim kupcima. Taj posao je okrenut prema budučnosti. Jugoslovenskim potrošačima Siemensovih poluvodiča zanimljiv je odgovor na pitanje dali če Siemens nastaviti proizvodnju diskretnih elemenata usporedno s proiz-vodnjim integriranih sklopova. Oni če biti vrlo aktivni u skladišnom području diskretnih poluvodiča, ne samo u prodaji zasebnih prozivoda, nego u ponudi kompletnih setova za pojedina sistemska rješenja. Na kraju je bilo govora o aktivnosti Siemensa na svjet-skom poluvodičkom tržištu. Svjetsko tržište poluvodiča i proizvodnja elektroničkih sistema razmještena je u četiri regije: Japan, SAD, Evropa i područje "četiri tigra" (Tajvan, Republika Koreja, Hongkong, Singapur). Siemens je prisutan na svim tim tržištima, ali kao evropskom proizvodaču Evropa im je najvažnija. Oni pretpostavljaju, da če poslije 1992. godine doči do selenja proizvodnje opreme iz SAD, Japana i jugoistočne Azije u Evropu. Obradio Miroslav Turina, dipl.ing. Rade Končar, ETI Baštijanova bb 41000 Zagreb 232 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana ZAPIRANJU VRAT ISKRE - MIKROELEKTRONIKE NA ROB Rudi Ročak, Milan Slokan Na dan mrtvih, 1. novembra 1989. leta sveče niso gorele samo na pokopališčih, temveč tudi pred durmi Iskre -Mikroelektronike v Ljubljani. Prižgali so jih delavci te, nekoč "razstavne" tovarne na Stegnah. Potem, ko so v likvidacijskem postopku od junija do konca oktobra reševali, z obglavljenim vodstvom, tiste Iskrine DO, ki so še rabile tako prepotrebna vezja, da so bile pripravljene plačati tudi večkratno vrednost vezij v obliki avansov, pokrivanja splošnih stroškov itd., jih je likvidacijski upravitelj kratko malo postavil pred vrata. Dva delovna dneva jim je dal na razpolago, da se privadijo na misel, da se morajo prijaviti na Zavod za zaposlovanje. Nobenega odpovednega roka, nobene odškodnine. 0. hlapec Jernej, dobil si svoje naslednike, lahko bi rekel, svoj naraščaj! Ne starost in ne oslabelost, temveč napake v strategiji in nesposobnost upravljalcev in vodij je poslalo delavce na cesto, da poskusijo svoje znanje "prodati" kje drugje. DO Iskra Mikroelektronika v ustanavljanju je bila vpisana v sodni register dne 5.12.1977. Razvoj DO se lahko razdeli na tri obdobja: 1. 1977 - 1982: Izvajanje investicijskih del, šolanje kadrov in prva faza proizvodnje vezij v obliki montaže kupljenih tabletk. To obdobje karakterizirajo relativno velika vlaganja z majhnim finančnim izhodom. S proizvodnjo rezin pri licenčnem partnerju v ZDA in pri testiranju in montaži v Ljubljani, upoštevajoč tudi šolsko naravnanost prvih "domačih" vezij, je prihajalo do zelo velikih zamud v realizaciji projektov. 2. 1982 - 1986: Izvajanje zagona in vpeljave "prave" mikroelektronske proizvodnje, tj. proizvodnje rezin. To je bilo obdobje relativno velikih stroškov učenja in zagona spremljajočih dejavnosti, ob velikih splošnih stroških tovarne na relativno majhno količino izdelanih vezij. 3. 1986 - 1988: DO je obvladala kvalitetno in strokovno svojo celotno proizvodnjo v okviru Iskrinega infrastruk-turnega koncepta. Pri tem se ni težilo za ekonomičnostjo na lastnem pragu, temveč za ekonomičnost in korist v okviru "sistema". Iskra je združevala sredstva prek razvojnih nalog za vzdrževanje tehnološkega nivoja ob hkratnem pomanjkanju naročil za vezja, ker se je kot celota razvijala veliko počasneje, kot je bilo predvideno. Tako se je DO, kije bila v začetku grajena kot izključno "notranja" tovarna pričela orientirati na zahodno evropsko tržišče, žalne dovolj hitro in ne dovolj povezano z jugoslovanskim tržiščem. V SOZD Iskra se je planiralo DO IME organizirati kot DO skupnega pomena. Ne organiziranost, ne financiranje z združevanjem sredstev nista uspela. Še več, sklepi DS SOZD o novem investiranju v okviru programa "Revitalizacija proizvodnje mikroelektronskih vezij, november 1986" so ostali samo na papirju. Pregled dinarskih prihodkov v letih 1984 -1988 je naslednji: (v Mio.din): 1984 1985 1986 1987 1988 domači trg 496,5 955,0 1.774,1 2.272,1 2.949,0 tuji trg 62,3 70,0 187,0 786,2 2.005,0 ostali prih. 153,9 493,8 591,4 3.271,1 1.675,6 SKUPAJ 712,7 1.518,8 2.522,5 6.329,4 6.629,6 Izguba/akumul. 7,7a 15,9a 580,0i 32,6a 11.1881 Pregled realizacije proizvodnje in prodaje po letih v US$ je: leto prolzv. v kosih dom. trg Izvoz skupaj Mio$ Mio$ Mio$ 1979 4.800 0,55 0 0,55 1980 56.900 0,53 0 0,53 1981 76.900 0,96 0,02 0.98, 1982 228.900 2,18 0,05 2,23 1983 354.400 3,17 0,07 3,24 1984 429.000 3,59 0,39 3,98 1985 509.000 5,07 0,14 5,21 1986 1.246.500 4,62 0,50 5,12 1987 1.540.200 3,09 1,07 4,16 1988 1.126.500 1.16 0,79 1,95 Znotraj IME v ustanavljanju so prišli, že leta 1987, še temeljiteje pa v začetku leta 1989, do sklepa, da problemi izhajajo predvsem iz njenega netržnega pristopa. Razlogov za takšno stanje je bilo veliko: od začetnega koncepta postavljanja te tovarne, ki je bil tržno zmeraj na trhlih nogah in je bil predvsem sistemska strateška odločitev, pomanjkanja dosledne sistemske strategije v naslednji fazi, do končnega finančnega in strateškega zloma. Del strokovnjakov je v IME poskusilo tovarno "rešiti" z ustanovitvijo nove delovne organizacije, potem, ko se je SOZD odločila, da bo problem nezdruževanja sredstev za nadaljnje financiranje tovarne rešila s prisilnimi plačili v fazi redne likvidacije, ker je bila osnovni upnik Iskra Banka. Novo podjetje, MIKRONOVA, bi naj bila delniška družba, tržno orientirana in tehnološko utemeljena na uspešni proizvodnji za zahodno tržišče in povezano na 233 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana jugoslovansko tržišče. Pri tem je največ upanja dajala tehnološka inteligenčna moč: 2 dr.znanosti, 7 magistrov, 42 VSS, 14 VŠS.84 SS(V), 53 SS(IV) in le 59 delavcev ostale izobrazbe. SOZD ISKRA za izdelani osnutek elaborata o družbeni in ekonomski upravičenosti ustanovitve podjetja MIK-RONOVA ni z avtorji elaborata porabila niti ene minute diskusije, temveč je po uvedbi likvidacijskega postopka dvojico vodij trenutno odpustila in postavila na cesto, čeprav je elaborat bil rezultat pismeno definirane naloge takratnega v.d.gl.direktorja IME in večkratno ustmeno javno stimuliranih priporočil predsednika SOZD. Značilna za naše prilike je analogija razumevanja nekaterih sredin in vodilnih kadrov v Iskri v obdobjih, ko je šlo za razvoj slovenske mikroelektronike pa naj bo to danes ali v preteklih obdobjih. Korenine razvoja segajo namreč skoraj štirideset let nazaj. Leta 1950 so se namreč v kemijskem laboratoriju Instituta za elektrozveze (IEV) i/ Ljubljani začeli ukvarjati prvi raziskovalci z osvajanjem polprevodniške tehnologije. Ta razvoj je pripeljal do laboratorijske proizvodnje silicijevih točkastih diod in germanijevih tranzistorjev, ki so jih v IEV proti koncu petdesetih let že redno prodajali. Razen tega so že takrat delali na domačih materialih in postopkih za njihovo predelavo. Skupina je prerasla v laboratorij za polprevodnike, ki se je preselil iz kemijskega oddelka y barako na Jamovi cesti, od tam pa, po požaru, v prostore na Kemijskem institutu Boris Kidrič. Hkrati so v Iskri v Kranju razvijali silicijevo tehnologijo, ki naj bi v bodoče nadomestila selenske usmernike. Leta 1961, po nastanku združene Iskre, sta se skupini združili v Ljubljani, v Iskrinem centralnem razvojnem institutu: Zavodu za avtomatizacijo. Ta laboratorij za polprevodnike je s svojim programom, ob razumevanju direktorja Zavoda, pričel tudi s področjem mikroelektronike. Laboratorij za mikroelektroniko v Iskri je bil formalno ustanovljen leta 1962, pred tem pa so že tekle priprave za njegovo delovanje: v oviru Zveznega sklada za znanstvene raziskave je uspelo priskrbeti sredstva za najsodobnejšo opremo za tehnološko in raziskovalno delo na mikroelektroniki v vrednosti prek 300.000 US$; kakovostno se je okrepila skupina raziskovalcev, med drugim se jim je pridružil dr. Zalar, kije prišel iz Westin-ghousa v ZDA. Za tedanji razvoj slovenske polprevodniške in mikro-elektronske tehnologije je značilno, da se raziskovalci niso naslanjali na tuje licence, temveč so se lotili lastne tehnologije integriranih vezij, (materiali Ge in Si, postopki jedkanja, zaščite, fotolitografije, difuzije in dopiranja, bondiranja, razvoj opreme ter aplikacij). Poleg raziskav in razvoja postopkov in vezij, je tekla laboratorijska proizvodnja polprevodniških in mikroelek-tronskih izdelkov. Zunanji odraz vseh teh naporov in uspehov je bila tudi v Ljubljani leta 1965 organizirana prva konferenca o mikroelektroniki (v organizaciji SSOSD v ETAN). I/ laboratoriju za mikroelektroniko je bilo v šestdesetih letih v razvoju polprevodnikov in integriranih vezij okoli dvajset do trideset inženirjev vseh strok (fiziki, kemiki, elektrotehniki, metalurgi, strojniki, itd.), v laboratorijski proizvodnji pa tudi okoli 30 - 50 ljudi. Na prodaj so bili na primer Si transistorji, fototransistorji, planarne diode, Zener diode, tankoplastna hibridna vezja in preprosta monolitna vezja za merilne instrumente, za medicino, za JLA in druge uporabnike. S to prodajo se je laboratorij vzdrževal, dotacije za raziskave so prihajale od Sklada Borisa Kidriča in Zveznega sklada za znanstvene raziskave. Pri tem je zanimivo, da vodstvo med tem nastale nove Tovarne polprevodnikov v Trbovljah TPT (na osnovi strokovnih kadrov in razvojnih dosežkov iz časa IEV) ni hotelo izkoriščati možnosti laboratorija za polprevodnike (razen za šolanje kadrov za proizvodnjo), oz. za mikroelektroniko v Zavodu za avtomatizacijo (ZZA) ter praktično ni podpiralo razvoja. V času največjega razcveta raziskovalno-razvojnega dela v laboratoriju se le-to ni omejevalo samo na ZZA v Iskri, temveč je tudi teklo v drugih institutih t/ Ljubljani (Kemijski institut BK, Metalurški institut, Institut Jožef Štefan in na FE i/ Ljubljani, dr. Jože Furlan). Povezano je bilo tudi z institutom VUST v Pragi in ITR v Varšavi. Kljub dosežkom laboratorija za mikroelektroniko v ZZA pa velika Iskra (posebno njeni deli za elektro in fino mehaniko) ni bila naklonjena področju mikroelektronike in ni ničesar vlagala v ta razvoj. Tako je proti koncu šestdesetih let stanje Laboratorija za mikroelektroniko v ZZA postajalo finančno vedno bolj kritično, ker le-ta ni bil v stanju z laboratorijsko proizvodnjo vzdrževati razvoja. Že takrat je namreč vodstvo Iskre menilo naj se mikroelektronika financira sama, ne pa kot infrastruktur-na dejavnost Iskre. Tako je bil leta 1969 laboratorij razpuščen. Del zaposlenih v proizvodnji je dobil delo v tovarni polprevodnikov v Trbovljah, raziskovalci pa so si morali iskati službo na drugih področjih. Oprema laboratorija je šla na razprodajo, del je prevzela TPT, del pa Fakulteta za elektrotehniko v Ljubljani (skupina dr. L.Trontlja) ter Institut za elektroniko in vakuumsko tehniko v Ljubljani. Na FE so pričeli s ponovnim razvojem. Ni bilo izkoriščeno v raziskovalcih akumulirano znanje, kar je bila identična situacija s sedanjo, ob likvidaciji Mikroelektronike. Primerjava med letoma 1969 in 1989 kaže mačehovski odnos in nerazumevanje za mikroelektroniko kot infrastrukturo elektronske industrije in slepilo najvišjih slovenskih gospodarstvenikov. Upajmo, da je črna zastava, ki je prvega novembra 1989. leta visela na fasadi Iskre-Mikroelektronike, poleg že omenjenih sveč, le zastava žalosti zaradi brezumnega početja nesposobnega menažmenta, ne pa tudi zastava, ki kaže bodočnost slovenskih visokih tehnologij. dr. R.Ročak, dipl. ing. mag. M.SIokan, dipl. ing. MIDEM Titova 50 61000 Ljubljana 234 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana NOVA KNJIGA-NOVA KNJIGA-NOVA KNJIGA MIKROELEKTRONIKA IN DRUŽBA Prispevki s posvetovanja ob Sodobni elektroniki 1988, Brdo pri Kranju. Vsebina: O R. Ročak: Stanje mikroelektronske proizvodnje v svetu in Jugoslaviji □ M. Mekinda: Mikroelektronika kontra mikroelektronika □ P. Biljanovič: Školovanje za mikroelektroniku □ I. Banič: Mikroelektronika in inovacijski procesi □ E.M.Pintar: Slovenija in vprašanje visokih tehnologij □ V. Sriča: Informatika i društvo □ D.E.Jurjevec: Automatizacija i društvo □ Diskusija udeležencev posveta Založba: MIDEM 1989 Format B5 Obseg: 109 strani Jezik: slovenski, hrvatsko-srpski Urednik: R. Ročak IZ PREDGOVORA Mikroelektronika je prav gotovo temeljna in najpomembnejša tehnološka infrastruktura, potrebna za razvoj elektronike, s tem pa tudi informatike. Živimo v obdobju neverjetno hitrega razvoja informatike, ki izredno vpliva na razvoj družbe kot celote. Problemi mikroelektronike in njegovega razvoja tudi niso omejeni na ozke tehnološke sfere, niti samo v okvire takoimenovanih visokih tehnologij, temveč so sestavni del problemov družbe. Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale, MIDEM, je oktobra leta 1988 organiziralo enodnevno posvetovanje na temo medsebojnega vpliva družbenih odnosov in mikroelektronike. Povabljeni avtorji in udeleženci razprave so tematiko razširili na odnos družbe do visokih tehnologij, do znanja kot temeljnega razvojnega faktorja družbe. Udeleženci posvetovanja se niso omejili le na teoretične razprave, temveč so kritično osvetlili tudi položaj v Jugoslaviji. Knjiga je veren prikaz delovnega vzdušja na posvetu. Čeprav izhaja s skoraj enoletno zamudo, je čas še ni nagrizel ter jo lahko vzamete kot "dokument našega časa". Bralci bodo verjetno presenečeni, da knjiga ni napisana v enem jeziku. Upam, da jih to ne bo motilo, kot to ni motilo udeležencev posvetovanja. Jezični puristi nam bodo morali oprostiti marsikatero napako, posebej v delu razprave, ki je napisana po magnetofonskem posnetku. Še nekaj kratkih pripomb o vsebini in avtorjih prispevkov. O stanju mikroelektronske proizvodnje v svetu in v Jugoslaviji ter o medsebojnem vplivu uporabe in izdelave mik-roelektronskih produktov sta dala prispevek mag. Milan Mekinda, glavni direktor in dr. Rudi Ročak, pomočnik glavnega direktorja Iskrine tovarne Mikroelektronika v ustanavljanju, Ljubljana. Dr. Petar Biljanovič, profesor Elektrotehnične Fakultete Sveučilišta v Zagrebu se v svojem prispevku ni zadržal le na ozkem področju šolanja za mikroelektroniko, temveč je pokazal na potrebo transformacije univerze ne samo v organizacijskem smislu, temveč v smislu kot sam pravi: "Namesto šolanja za določeno delovno mesto moramo omogočiti šolanje za sposobnost nadaljnjega pridobivanja in ustvarjanja znanja". Dr. Ivo Banič, raziskovalec z Instituta za ekonomske raziskave Univerze v Ljubljani in Emil Milan Pintar, diplomirani filozof in sociolog, pomočnik predsednika Republiškega komiteja za raziskovalno dejavnost in tehnologijo SR Slovenije, sta problematiko mikroelektronike in družbe posplošila na problematiko visokih tehnologij in inovacijskih procesov v svetu in Jugoslaviji. Predsednik Komiteta za nauku, informatiku i tehnologiju SR Hrvatske, dr. Velimir Sriča je prav tako v svojem prispevku ostal na širokem pojmu informatike in njenem vplivu na družbeni razvoj. Daniel A.Jurjevec, dipl.ing., svetovalec v Privredni komori Jugoslavije je v najobsežnejšem prispevku na temelju svojih raziskav pokazal, kako se Jugoslavija giblje v svojem siromaštvu ob robu možnega razcveta. Prispevek lahko sproži, kot vsi ostali prispevki, precej polemike. Poskuša tudi pokazati, da se ljudje bojijo avtomatizacije, tehnoloških sprememb, neupravičeno, ker se bojijo družbenih, socialnih sprememb. "Tehnološki višek delavcev", o katerem vse pogosteje slišimo, ni posledica tehnološkega razvoja naše dežele, temveč obratno, to je posledica pomanjkanja novih razvojnih programov in njihove realizacije. Katastrofo za našo družbo lahko pomenijo odločitve, katerih posledica je objava v Uradnem listu SFRJ št. 32/89, z dne 26. maja 1989 o uvedbi redne likvidacije nad DO Iskra-Mikroelek-tronika v ustanavljanju, Ljubljana. Pa naj vas to ne odvrne od branja knjige! 235 Informacije MIDEM 19(1989)4, Ljubljana NAROČILNICA NARUDŽBENICA Nepreklicno naročam knjigo MIKROELEKTRONIKA IN DRUŽBAza ceno 38 din. Knjigo bom plačal po prevzemu po pošti. Neopozivo naručujem MIKROELEKTRONIKA IN DRUŽBA po cijeni 38 din. Knjigu ču platiti po pouzeču. Priimek in ime:................................................... Prezime i ime: Naslov: ........................................................ Adresa: Podpis: ........................................................ Potpis: Naročilnico poslati na naslov: Narudžbenicu poslati na adresu: MIDEM Titova 50 61000 Ljubljana Za delovne organizacije Za radne organizacije Naziv organizacije....................................................... Naslov: ............................................................... Adresa Podpis i žig:............................................................ Potpis in žig: Ob dobavi bomo izstavili račun. Za 10 ali več knjig priznavamo 20% popust. Kod isporuke knjige priložiti čemo račun. Za 10 ili više primeraka priznajemo 20% popusta. Naročilnico poslati na naslov: Narudžbenicu poslati na adresu: MIDEM Titova 50 61000 Ljubljana i______________________________________________________________ 236 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana CEOK - celovito obvladovanje kakovosti - PONATIS Knjiga s študijskega dne ob SODOBNI ELEKTRONIK11987, Brdo pri Kranju Založba: MIDEM 1988 Format A5 Obseg: 219 strani Jezik: slovenski, hrvatsko-srpski Urednik: R. Ročak Vsebina □ M. Kobe: Japonski pristop k integralnemu zagotavljanju kvalitete (slovenski) □ L. Kozina: Obvladovanje kakovosti v procesih (slovenski) □ Z. Vukovič: Osnovni pristup pouzdanosti elektroničkih sistema (hrvatsko-srpski) □ N. Stojadinovič, S. Dimitrijev: Pouzdanost mikroelektronskih kola (srpsko-hrvatski) □ L. Toplak: Pravni aspekti zagotavljanja kakovosti (slovenski) □ F. Mlakar: Standardizacija kot element zagotavljanja kakovosti izdelkov (slovenski) □ D. Flam: Standardizacija sastavnih dijelova kao elemenat osiguranja kvaliteta uredaja (hrvatsko srpski) □ S. Muždeka, Z. Muždeka: Logistika - pomoč efikasnom ulaganju u nove proizvode/sisteme (srpsko hrvatski) □ Diskusija (slovenski, hrvatsko-srpski) □ Seznam udeležencev □ Sponzorji društva MIDEM Iz predgovora V sodobnem razvitem svetu je močno narasla ponudba proizvodov in storitev. V takih pogojih pridobiva kakovost proizvodov in storitev na pomenu, še več, v vedno večjem številu primerov je kakovost osnova tržnega nastopa in Konkurenčne sposobnosti. Kakovost moramo v proizvod in tudi v storitev vgraditi. Široko je razširjena zmota, da kakovost lahko dosežemo le s kontrolo kakovosti. Kakovost proizvodov ali stortiev lahko dosežemo le, če si začrtamo cilje in strategijo na področju kakovosti. Sistem, ki organizirano nastopa, imenujemo SISTEM ZA CELOVITO OBVLADOVANJE KAKOVOSTI. CEOK je sistem, ki zaokrožuje na organiziran način vsa prizadevanja, opravila in naloge, ki so potrebne za nastajanje dobrih proizvodov in storitev, takih, ki jih bo hotel kupec kupiti in biti z njimi dolgo zadovoljen. Takega celovitega pristopa h Kakovosti pri jugoslovanskih podjetjih ni možno velikokrat videti, čeprav se ponekod pojavlja kot zavest posameznikov ali pa kot tržna prisila, posebej pri takoimenovanih "izvoznikih". ZA KOGA JE KNJIGA PRIMERNA Čeprav so bili udeleženci študijskega dneva povečini iz elektronske industrije, veljajo njihova predavanja in misli, izrečene v diskusiji tudi za ostale industrijske panoge. Knjiga je zanimiva za širši krog strokovnjakov, ki se zavedajo pomembnosti in nujnosti zagotavljanja in obvladovanja kakovosti. Knjiga ustreza kot učbenik za šolanje ali seminarje vodinih kadrov in kadrov za zagotavljanje kakovosti. 237 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana NAROČILNICA NARUDŽBENICA Nepreklicno naročam knjigo CEOK za ceno 24 din. Knjigo bom plačal po prevzemu po pošti. Neopozivo naručujem CEOK po cijeni 24 din. Knjigu ču platiti po pouzeču. Priimek in ime:............................ Prezime i ime: Naslov: ................................. Adresa: Podpis: ................................. Potpis: Naročilnico poslati na naslov: Narudžbenicu poslati na adresu: MIDEM Titova 50 61000 Ljubljana Za delovne organizacije Za radne organizacije Naziv organizacije....................................................... Naslov: ............................................................... Adresa Podpis i žig:............................................................. Potpis in žig: Ob dobavi bomo izstavili račun. Za 10 ali več knjig priznavamo 20% popust. Kod isporuke knjige priložiti čemo račun. Za 10 ili više primeraka priznajemo 20% popusta. Naročilnico poslati na naslov: Narudžbenicu poslati na adresu: MIDEM Titova 50 61000 Ljubljana 238 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana Informacije MIDEM - Letnik 1990 Spoštovani! Informacije MIDEM je znanstveno strokovno-društvena publikacija Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale-MIDEM. Časopis objavlja prispevke domačih in tujih avtorjev, še posebej članov MIDEM, s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki so lahko: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, predhodna sporočila, pregledni članki in razprave z znanstvenih in strokovnih posvetovanj. Članki so recenzirani. Časopis objavlja tudi novice iz stroke, vesti iz delovnih organizacij, institutov in fakultet, obvestila o akcijah društva MIDEM in njegovih članov ter druge relevantne prispevke. Glasilo Informacije MIDEM opravlja funkcijo osrednje znanstvene revije za področje mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov ter pomembno dopolnjuje obsežnejše področje elektronike in elektrotehnike. Glasilo je ustrezno in zanimivo, tako za raziskovalce kot za strokovne tehnološke kadre na institutih, fakultetah in v tovarnah različnih profilov - inženirje fizike, elektrotehnike, kemije, metalurgije, računalništva in drugih. TEHNIČNI PODATKI O ČASOPISU format: A4 naslovnica: večbarvna s podatki o uredniškem odboru in organih društva zadnja stran: seznam sponzorjev MIDEM obseg: tipično 60 strani jezik: vsi jeziki SFRJ, angleščina pogostnost izhajanja: trimesečno RAZDELITEV VSEBINE - znanstveno strokovni članki: 50% - pregledni članki, prikazi dogodkov, poročila: 33% - ostalo (vesti, obvestila, reklame): 17% V letu 1990 bodo vsi znanstveno strokovni prispevki ustrezno opremljeni (izvlečki v domačem jeziku in angleščini, ključne besede) in recenzirani, revija pa je že vključena v domače in mednarodne zbirke bibliografskih podatkov. Vkolikor se boste odločili za naročilo letnika 1990, vas prosimo, da nam vrnete izpolnjeno naročilnico na naslov MIDEM. Glavni in odgovorni urednik Iztok Šorli, dipl. ing. Informacije MIDEM - naročilnica za letnik 1990 Priimek in ime ......................................... Naslov ............................................. Poštna št. in kraj........................................ NEPREKLICNO NAROČAM □ Informacije MIDEM, letnik 1990, cijena 560 din. Stroški dostave so vračunani. Plačilo zneska je enkratno po položnici na račun št. 50101-678-74701 za Informacije MIDEM. Datum ....................................Podpis ............ Naročilnico pošljite na naslov: Informacije MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 239 Informacije Ml DEM 19(1989)2, Ljubljana Informacije MIDEM - Letnik 1990 Poštovani! Informacije MIDEM je znanstveno stručno-društvena publikacija Stručnog društva za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove in materijale-MIDEM. Časopis objavljuje priloge domačih in stranih autora, naročito članova MIDEM, sa područja mikroelektronike, elektronskih sestavnih dijelova in materijala, koji mogu biti: izvorni znanstveni članci, stručni članci, predhodna priopčenja, pregledni članci i ¡zlaganja sa znanstvenih in stručnih skupova. Članci su recenzirani. Časopis takoder objavljuje novosti iz struke, obavijesti iz radnih organizacija, instituta in fakulteta, obvijesti o akcijama društva MIDEM in njegovih članova te druge relevantne obavijesti. Časopis Informacije MIDEM vrši funkciju centralne znanstvene revije za područje mikroelektronike, elektronskih sestavnih dijelova in materijala te značajno nadopunjuje šire područje elektronike i elektrotehnike. Časopis je primjeran in zanimiljiv, kako za istraživače tako i za stručne tehnološke kadrove na institutima, fakultetima i u tvornicama različitih profila - inženjere fizike, elektrotehnike, hemije, metalurgije, računarstva i druge. TEHNIČNI PODACI O ČASOPISU format: A4 naslovnica: mnogobojna sa podacima o redakcionom odboru i organima društva zadnja strana: spisak sponzora MIDEM opseg: tipično 60 strana jezik: svi jezici SFRJ, engleski čestost izdajanja: trimjesečno PODJELA SADRŽ:AJA - naučno stručni članci: 50% - pregledni članci, izvještaji: 33% - ostalo (vijesti, obavijesti, reklame): 17% U 1990. godini svi če naučno stručni priloži biti odgovarajuče opremljeni (sažetak u domačem jeziku i engleskom, ključne riječi) i recenzirani, a časopis je več uključen u domače in medunarodne zbire bibliografskih podataka. Ukoliko čete odločiti da naručite godište 1990, molimo vas , da nam vratite ispunjen narudžbenicu na adresu MIDEM. Glavni i odgovorni urednik Iztok Šorli, dipLing. Informacije MIDEM - narudžbenica za godište 1990 Prezime i ime ................................................ Naslov .................................................... Poštanski broj i mjesto............................................ NEOPOZIVO NARUČUJEM □ Informacije MIDEM, godištel990, cijena 560 din. Troškovi isporuke su uračunati. Iznos se plača jednokratno uplatnicom na račun br. na račun št. 50101-678-74701 za Informacije MIDEM. Datum ....................................Potpis.................... Narudžbenicu pošaljite na adresu: Informacije MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 240 UDK 621.3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM, LETNIK 19 (1989) Seznam strokovnih prispevkov MIDEM 19-1-1989 A. Valčič, S. Nikolič: Istraživanje iz oblasti rasta kristala safira 3 A. Valiic, S. Nikolic: Investigations of Sapphire Single Crystals Growth M. Maček: Modeliranje precipitacije in outdiluzije kisika 8 M.Maôek: Modelling of Oxygen Precipitation and outdiffusion Phenomenon J. Matovič, Z. Durič, N. Simičič, D. Tanaskovič, M. Matic, M. Smiljanič, R. Petrovič: Silicijumski piezootporni senzor pritiska sa dijafragmom 13 J. Matovié, Z. Ouric, N. SimiCié, D. Tanaskovic, M. Matic, M. Smiljanic, R. Petrovii: Silicon Piezoresistive Diaphragm Pressure Sensor A. Dobnikar, V. Gustin, M. Trebar, D. Podbregar, P. Ilija, P. Stajdohar: Programska podpora za načrtovanje vezij v ULA tehnologiji 22 A. Dobnikar, V. Gustin, M. Trebar, D. Podbregar, P. Ilija, P. Stajdohar: Programming Support for IC Design in ULA Technology D. Metelko, S. Pejovnik: Litijeve baterije 30 D. Metelko, S. Pejovnik: Lithium Batteries Lj. Dragosavič: Elektrokemijsko ¡spit¡vanje kemijske depozije bakra 35 Lj. Dragosavic: Electrochemical Study of the Electroless Copper Plating V. FLorjančič, M. Pernek: Programabilna mikroprocesorska varnostna elektronika 38 V. FLorjaniiâ, M. Pernek: Programmable Microcomputer Safely device MIDEM 19-2-1989 C. Missiano, E. Simonetti: R.F. naprševanje optičnih tankih plasti 63 C. Missiano, E. Simonetti: R.F.Sputtered Optical Thin Films 0. Miliševič, D. Vasovič, D. Poleti, Lj. Karanovič, V. Petrovič, D. Uskokovič: Razvoj kristalnih faza i nelinearnih osobina u varistorskoj keramici dobijenoj metodama koprecipitacije i uparavanja rastvora i suspenzije 68 0. Miliševič, D. Vasovič, D. Poleti, Lj. Karanovič, V. Petrovič, D. Uskokovič: Development of Crystal Phases and Nonlinear Properties in Varistor Ceramics Prepared by Methods of Coprecipitation and Evaporation of Suspensions and Solutions A. Žnidaršič, A. Železnikar, M. Limpel: Visokoremanentni Sr-heksaleriti za motorske aplikacije 75 A. Žnidaršič, A. Železnikar, M. Limpel: High remanence Sr- Heksalerrites for Motor Applications S.Beseničar: Trajni magneti Sm (Co, Fe, Cu.Zr) 7,5 80 S.Beseničar: Permanent Magnets Sm (Co, Fe, Cu.Zr) 7,5 M. Colnarič, M. Gerkeš, J. Gjorkos, P. Kokol, K. Rizman, I. Rozman, B. Vukelič, A. Zorman, V. Žumer: Industrijski mikroračunalniški krmilniki 87 M. Colnarič, M. Gerkeš, J. Gjorkos, P. Kokol, K. Rizman, I. Rozman, B. Vukelič, A. Zorman, V. Žumer: Industrial Microcompute r Controller A. Grum, Z. Friškovič: Hladilni stolp zaprtega tipa 90 A. Grum, Ž. Friškovič: Air-Cooled Watercooier MIDEM 19-3-1989 I. Likar, S. Kolenko: Ugotavljanje deleža zgodnjih odpovedi kovinskih plastnih uporov s pospešenimi preskusi 127 I. Likar, Š. Kolenko: Accelerated Test Procedure lor Estimating Proportion of Early Failures of Metal Film Resistors S. Šoba, D. Belavič, M. Murčehajič, S. Mojstrovič, M. Vodopivec: Senzor krvnega tlaka 132 S. Šoba, D, Belavič, M. Murčehajič, S. Mojstrovič, M. Vodopivec: Blood Pressure Sensor M. Milanovič, K. Jezernik, M. Čurkovič: Mikroprocesorsko voden trifazni mostični usmernik 135 M. Milanovič, K. Jezernik, M. Curkovič: Microcomputers Controller lor Three Phase ThyristorConverter T.Švedek: Digitalni generatori sinusnog valnog oblika pogodni za implementaciju u logički niz 141 T. Švedek: Digital Sine-Wave Generator Suitable for the Gate Array Implementation T. Dogša, R. Babič, M. Šolar: Modularno načrtovanje mikroelektronskih vezij z načrtovaiskim paketom SCEPTRE 146 T, Dogša, R. Babič, M. Solar: Modular Standard Cell Design with SCEPTRE S. Beseničar, M. Drolenik. T. Kosmač: Vpliv dodatka ZrC>2 na mehanske in magnetne lastnosti NiZn feritov 151 S. Beseničar, M. Drofenik, T. Kosmač: The Influence of z1o2 Dopant on Magnetic and Mechanical properties of Ni Zn Ferrites B. Gspan, R. Osredkar: Merilve mehanskih napetosti tankih plasti PECVD silicijevega nitrida in oksinitrida 155 8. Gspan, R. Osredkar: Mechanical Stress Measurements in Thin PECVD Silicon Nitride and Silicon Oxynitride Films K. Milič: Primjena polimernih materijala za inkapsulaciju u elektroničkoj i elektroindustriji 157 K. Milič: Application of Polymer Materials for Incapsulation in Electronic and Electroindustry MIDEM 19-4-1989 Borut 8. Lavrenčič: Detektorji infrardečega sevanja 185 Borut B. Lavrenčič: Detectors of Infrared Radiation R. Babič, M. Šolar, T. Dogša: Učinkovita aparaturna realizacija digitalnih sit s končnim trajanjem impulznega odziva 189 R. Babič, M. Solar, T. Dogša: Efficient Hardware Realizations for Finite Impulse Response Digital Filters M. Hrovat, S. Bernik, D. Kolar, I. JaAovič: Debeloplastni superprevodniki na osnovi VBajCuijOr, modificiranega s PbO in z BiA 194 M. Hrovat, S. Bernik, D. Kolar, I. Jarkovič: Thick Film Superconductors Based on Bi203 and PbO modified YBazCusO? J. Holc, B. Saje, S. Beseničar: Sinfrani trajni NdFeB magneti 198 J. Hole, B. Saje, S. Beseničar: Sintered Permanent NdFeB Magnets A. Sliškovič, M. Prelec, M. Kosec: Kvarcni elektroporcelan visoke čvrstoče 202 A. Sliškovič, M. Prelec, M. Kosec: High Strength Quartz Electroporcelain S. Šolar, M. Jenko, V. Kregar: Krmilnik elektroluminiscenčnega prikazalnika 210 S. Solar, M. Jenko, V. Kregar: The Electroluminiscence Display Oriver S. Cankar, J. Maček: Jedkanje in regeneracija izrabljenih jedkal pri proizvodnji tiskanih vezij 214 S. Cankar, J. Maček: Etching and Recycling ol Etchants in Printed Circuit Board Production VSEBINA CONTENT 241 Informacije MIDEM 19(1989)2, Ljubljana NAVODILA AVTORJEM Informacije MIDEM je znanstveno-strokovno-dru-štvena publikacija Strokovnega društva za mik-roelektroniko, elektronske sestavne dele in ma-teriale-MIDEM. Časopis objavlja prispevke domačih in tujih avtorjev, še posebej članov MIDEM, s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki so lahko: izvirni znanstveni članki, predhodna sporočila, pregledni članki, razprave z znanstvenih in strokovnih posvetovanj in strokovni članki. Članki bodo recenzirani. Časopis objavlja tudi novice iz stroke, vesti iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, obvestila o akcijah društva MIDEM in njegovih članov ter druge relevantne prispevke. Strokovni prispevki morajo biti pripravljeni na naslednji način 1. Naslov dela, imena in priimki avtorjev brez titul. 2. Ključne besede in povzetek (največ 250 besed). 3. Naslov dela v angleščini. 4. Ključne besede v angleščini (Keywords) in povzetek v angleščini (Abstract). 5. Uvod, glavni del, zaključek, zahvale, dodatki in literatura. 6. Imena in priimki avtorjev, titule in naslovi delovnih organizacij, v katerih so zaposleni. Ostala splošna navodila 1. Članki morajo biti tipkani na listih A4 formata v vrsticah dolžine 16 cm. Rob na levi strani mora biti širok 3.5-4 cm. 2. V članku je potrebno uporabljati SI sistem enot oz. v oklepaju navesti alternativne enote. 3. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs ali belem papirju. Širina risb naj bodo 7.5 oz. 15 cm. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Risb, tabel in fotografij ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. 4. Delo je lahko napisano in bo objavljeno v kateremkoli jugoslovanskem jeziku v latinici in v angleščini. Uredniški odbor ne bo sprejel strokovnih člankov, ki ne bodo poslani v treh izvodih. Avtorji, ki pripravljajo besedilo v urejevalnikih besedil, lahko pošljejo zapis datoteke na disketi (360 ali 1,2) v formatih ASCII, wordstar(3.4,4.0), word-perfect, word, ker bo besedilo oblikovano v programu Ventura 2.0. Grafične datoteke so lahko v formatu HPL, SLD (AutoCAD), PCX ali IMG/GEM. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. Rokopisov ne vračamo. Rokopise pošljite na naslov Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana UPUTE AUTORIMA Informacije MIDEM je znanstveno-stručno-druš-tvena publikacija Stručnog društva za mikroelek-troniku, elektronske sestavne dijelove i materijale - MIDEM. Časopis objavljuje priloge domačih i stranih autora, naročito članova MIDEM, s podru-čja mikroelektronike, elektronskih sastavnih dije-lova in materijala koji mogu biti: izvorni znanstveni članci, predhodna priopčenja, pregledni članci, ¡zlaganja sa znanstvenih i stručnih skupova i stoični člana. članci če biti recenzirani. Časopis takoder objavljuje novosti iz struke, oba-vijesti iz radnih organizacija, instituta- i fakulteta, obavijesti o akcijama društva MIDEM i njegovih članova i druge relevantne obavijesti. Stručni članci moraju biti pripremljeni kako slijedi 1. Naslov članka, imena i prezimena autora bez titula. 2. Ključne riječi i sažetak (najviše 250 riječi). 3. Naslov članka na engleskom jeziku. 4. Ključne riječi na engleskom jeziku (3Key VVords) i sažetak na engleskom jeziku (Abstract). 5. Uvod, glavni dio, zaključni dio, zahvale, dodaci i literatura. 6. Imena i prezimena autora, titule i naslovi institucija u kojima su zaposleni. Ostale opšte upute 1. Priloži moraju biti strojno pisani na listovima A4 formata u redovima dužine 16 cm. Na lljevoj strani teksta treba biti rub širok 3.5 do 4 cm. 2. U prilogu treba upotrebljavati SI sistem jedinica od. u zagradi navesti alternativne jedinice. 3. Crteže treba izraditi tušem na pausu ili bijelom paplru. Širina crteža neka bude do 7.5 odnosno 15 cm. Svaki crtež, tablica Ili fotografija treba imati broj i naziv koji označuje njen sadržaj. Crteže, tabele i fotografije nije potrebno lijepiti u tekst, več ih priložiti odvojeno, a u tekstu samo naznačiti mjesto gdje dolaze. 4. Rad može biti pisan i biti če objavljen na bilo kojem od jugoslavenskih jezika u latinici i na engleskom jeziku. Autori mogu poslati radove na disketama (360 ili 1,2) u formatima tekst procesora ASCII, Wordstar (3,4. i 4.0), word, Wordperfect pošto če biti tekst dalje obraden u Venturi 2.0. Grafičke datoteke mogu biti u formatu HPL, SLD (AutoCAD), PCX ili IMG/GEM. Urednički odbor če odbiti sve radove koji nece biti poslani u tri primjerka. Za sadržaj članaka autori odgovaraju u potpu-nosti. Rukopisi se na vračaju. Rukopise šaljite na adresu: Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehnična zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana INFORMATION FOR CONTRIBUTORS Informacije MIDEM is professional-scientific-social publication of Yugoslav Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials. In the Journal contributions of domestic and foreign authors, especially members of MIDEM, are published covering field of microelectronics, electronic components and materials. These contributions may be: original scientific papers, preliminary communications, reviews, conference papers and professional papers. All manuscripts are subject to reviews. Scientific news, news from the companies, institutes and universities, reports on actions of MIDEM Society and its members as well as other relevant contributions are also welcome. Each contribution should include the following specific components: 1. Title of the paper and authors' names. 2. Key Words and Abstract (not more than 250 words). 3. Introduction, main text, conclusion, acknowledgements, appendix and references. 4. Authors' names, titles and complete company or institution adress. General information 1. Papers should be typed on page format A4 in lines up to 16 cm long. Space on left side of the text should be at least 3.5 to 4 cm long. 2. Authors should use SI units and provide alternative units in parentheses wherever necessary. 3. Illustrations should be in black on white or tracing paper. Their width should be up to 7.5 or 15 cm. Each illustration, table or photograph should be numbered and with legend added. Illustrations, tables and photografphs are not to be placed into the text but added separately. Hower, their position in the text should be clearly marked. 4. Contributions may be written and will be published in any Yugoslav language and in english. Authors may send their files on formatted diskettes (360 or 1,2) in ASCII, Wordstar (3.4 or 4.0), word, Wordperfect as text will be formated in Ventura2.0. Graphics may be in HPL, SLD (AutoCAD), PVX or IMG/GEM formats. Papers will not be accepted unless three copies are received. Authors are fully responsible for the content of the paper. Manuscripts are not returned. Contributions are to be sent to the address: Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana, Yugoslavia 1 -> 3 4 2.1.21 2.1.22 • vršna talasna dužina » vršna vaina dužina ® epujH3 Spanooa £cn*eTo; eMmanca Ha 3paMe-Haeio • izsevalnost • radiant exitance; radiant emittance V enotski točki ploskve količnik med sevalnim pretokom, ki zapušča element ploskve, in med ploskvijo tega elementa. Enota izseval-nosti je'.W/m2. 2.1.25 • ozračenost; iradijansa • ozračenost; iracJijancija • npsfii-.jaHca; o3paHeHocr • obsevanost • irradiance V točki ploskve količnik med gostoto sevalnega pretoka na element ploskve in med ploskvijo tega elementa. Enota obsevanosti je: fmJ. 2.1.25 • spektralna ozračenost; spektralna iradijansa • spektra-na ozračenost) spektralna iradijanci-ja • cneKTpanna upa^iijanca; cneicrpanHa o3paMenoc • soektralna obsevanost • spectral irradiance Količnik med obsevanostjo in med intervalom valovnih dolžin, merjen pri določeni valovni dolžini. Enota spektralne obsevanosti je W/m2 /im. 1 3 4 2.1.27 • errisivnost • emitivncst, sposobnost emisije • 6MI1CHBHOCT • oddajnost • em!ssivity Razmerje med izsevanim pretokom določene snovi in med pretokom črnega telesa pri isti temperaturi. Oddajnost je navadno odvisna od valovne dolžine. 2.1.23 • detsktivnost; mogučnost detektovanja • detsktivnost, sposobnost detekcije • AeTeKTHDHocr • detektivnost • detectivity D Obratna vrednost enakovredne moči šuma, v W~ 1. 2.1.29 • D-zvezdica; D* • D-zvjezdica; D* * D-seesaa; D* * D z zvezdico; D* • D-star; D* Zmnožek detektivnosti, kvadratnega korena aktivne ploskve in prepustnega območja detektorja, vW"' mhlz1 /2. 2.1.30 » osetljivost (A/',V ¡¡i VAV) * odziv (AAV ¡¡i V/Vi/); osjetljivost « My0a0i«ienH0cr (AAV snu V,AV) * odzivnost {AAV ali V/VV) ® responsivity (AAV or V/VV) Razmerje med efektivno vrednostjo izhodnega toka ali napetosti in med efektivno vrednostjo vpadne monokromatske sevalne moči. 2.1.31 • e tlkasnost snage • djelo tvornost • Kee^MtnteHT na kopmcho aejcreo Koei.tu^cm na nonesno flejctBo; • i'"oi'os:ni) izkoristek • power efficiency Razmerje med izsevano močjo vira in med vhodno električno močjo. Močnostni izkoristek je parameter brez dimenzije. | 2.1.32 ] * f-;;.to:-i « fotor » iOTOH • fc ton o photon Kvant elektromagnetne (svetlobne) energije. 1 -> 3 4 2.1.33 ----------------- 2.1.35 • kvantna efikasnost • kvantna djelotvornost • KGaHTHS e«JsHK3OI0CT • kvantni izkoristek « ri.i^rcncija-.Ti! kvantna eHkasrcst j • tiiferencijairta kvantna djelotvornost 1 • ".^pcpeHUi-ja.nHa KCSKTH3 eč>!KacMCCT • diferencialni kvantni izkoristek • quantum efficiency Mera izkoristka pri pretvorbi ali pri izrabi sevalne energije g'ede na število dogodkov na vsak vpadni vzbujalni kvant. Kvantni izkoristek je parameter brez dimenzije. ............... ................. ! Nagib karakteristične krivulje pri sestavih z nelinearno vhodno-izho- cho karakteristiko. • deferential quantum efficicncy • aktivna sredina • aktivni medij • sKTnoMa cpeaiiHa • aktivno sredstvo * active medium Sredstvo, sposobno ojačiti elektromagnetno sevanje s frekvenco laserskega prehoda. Za definicijo laserske frekvence prehoda glej t. 2.1.36 2.1.36 • frekvencija prelaza • frekvencija prijolaza • Mecrcra Ha npei.-iiHOT • frekvenca prehoda • transition frequency Frekvenca sevanja, vezana na dva diskretna energijska atomska nivoja- Frekvenca prehoda, vezana na nivoja E, in E2 (E2 > Ej), je: "21 = '¡E2 - Ei)/h kjer je h:!— Plar.kova konstanta 2.1.37 • eiektrolu minescencija • elektroluminiscencija • encKTponyt.iiiHiicucMUMja • elektroluminescenca • electroluminescence Neposredna pretvorba električne energije v svetlobo. 2.1.33 • elektrcoptički efekat • elektrcoptički efekt • e/ieKtpconTUMKH e^eKT » eiektrooptični pojav • electro-optical effect Odvisnost lomnega količnika od električne poljske jakosti.