UDK 621.3:(53+54+621 +66)(05)(497.1 )=00 YU ISSN 0352-9045 trokovno društvo za mikroelektromko lektronske sestavne dele in materiale ITI I ULITI M 990 časopis za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale lasopis za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove i materijale ournal of Microelectronics, Electronic Components and Materials INFORMACIJE MIDEM, LETNIK 20, ST. 1(53), LJUBLJANA, MAREC 1990 INFORMACIJE MIDEM 1 °1990 INFORMACIJE MIDEM, LETNIK 20, ŠT. 1(53), LJUBLJANA, MAREC 1990 INFORMACIJE MIDEM, GODINA 20, BR. 1(53), LJUBLJANA, MART 1990 INFORMACIJE MIDEM, VOLUME 20, NO. 1(53), LJUBLJANA, MARCH 1990 Izdaja trimesečno (marec, junij, september, december) Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Izdaje tromjesečno (mart, jun, septembar, decembar) Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove i materijale. Published quarterly (march, june, september, december) by Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials -MIDEM. Glavni In odgovorni urednik Glavni I odgovorni urednik Edltor in Chief Iztok Šorli, dipl.ing. MIKROIKS, Ljubljana Tehnični urednik Tehnlčki urednik Executive Edltor Janko Čolnar Uredniški odbor Redakcioni odbor Editorial Board mag. Rudi Babič, dipl. ing. Tehniška fakulteta Maribor Dr. Rudi Ročak, dipl. ing., MIKROIKS, Ljubljana mag. Milan Slokan, dipl. ing., MIDEM, Ljubljana Zlatko Bele, dipl. ing., MIKROIKS, Ljubljana Miroslav Turina, dipl. ing., Rade Končar, Zagreb Jože Jekovec, dipl. ing., Iskra ZORIN, Ljubljana Časopisni svet Izdavačkl savet Publishing Council Prof.dr. Leo Budin, dipl.ing., Elektrotehnički fakultet, Zagreb Prof.dr. Dimitrije Čajkovski, dipl.ing., PMF, Sarajevo Prof.dr. Georgij Dimirovski, dipl.ing., Elektrotehnički fakultet, Skopje Prof.dr. Jože Furlan, dipl.ing. - Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Franc Jan, dipl.ing. - Iskra-HIPOT, Šentjernej Prof.dr. Drago Kolar, dipl.ing. ; Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl.ing., Rudi Čajavec, Banja Luka Prof.dr. Ninoslav Stojadinovič, dipl.ing. - Elektronski fakultet, Niš Prof.dr. Dimitrije Tjapkin, dipl.ing. - Elektrotehnički fakultet, Beograd Naslov uredništva Adresa redakcije Headquarters Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana telefon (061)316-886 Letna naročnina za delovne organizacije znaša 560,00 din, za zasebne naročnike 280,00 din, cena posamezne številke 70,00 din. Člani in sponzorji MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno. Godišnja pretplata za radne organizacije iznosi 560,00 din, za privatne naručioce 280,00 din, cijena pojedinog broja je 70,00 din. Članovi i sponzori MIDEM primaju Informacije MIDEM besplatno. Annual Subscription Rate is US$ 40 for companies and US$ 20 for individuals, separate issue is USS$ 6. MIDEM members and Society sponsors receive Informacije MIDEM for free. Znanstveni svet za tehnične vede I pri RSS je podal pozitivno mnenje o časopisu kot znanstveno strkovni reviji za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele In materiale. Izdajo revije sofinancirajo RSS in sponzorji društva. Po mnenju Republiškega komiteja za informiranje št. 23 z dne 27.9.1988 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Mišljenjem Republičkog komiteta za informiranje br. 23 od 27.9.1988 publikacija je oslobodena plačanja poreza na promet. Oblikovanje besedila, in tisk BIRO M, Ljubljana Oblikovanje stavka i štampa Pritned by Naklada 1000 izvodov Tiraž 1000 primjeraka Circulation 1000 issues UDK 621.3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana R, Ročak: Kdo si pere roke ob stečajih visokih tehnologij? 2 R, Rocak: Who is Washing Hands after Bankruptcy of High Tech Companies ? ZNANSTVENO STROKOVNI PRISPEVKI PROFESSIONAL SCIENTIFIC PAPERS Janez Hole: Senzor kisika 3 Janez Hole: Oxygen Sensor M. Stubičar, D. Kneževič: Razvoj ultrazvučnog raspršivača za proizvodnju metalnih praškova 7 M. Stubicar, D. Knezevic: Development of Ultrasonic Atomization Device for Metallic Powders Production J. Burianek, P. Stastny, V. Sechovsky: Vpliv tehnike priprave na superprevodnost Bi-Sr-Ca-Cu-0 in Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O sistemov 11 J. Burianek, P. Stastny, V. Sechovsky: Influence of the Preparation Technique on the Superconductivity of Bi-Sr-Ca-Cu-0 and Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-0 Systems Antonin Dočkalek: Sistem MEDIS za načrtovanje integriranih vezij VLSI 15 Antonin Dockalek: System MEDIS for design of IC VLSI E. M. Saad, N. N. Hanna, A. Rabie: Pristop k izboljšanju Izplena vezij, ki vsebujejo digitalne filtre 18 E, M. Saad, N. N. Hanna, A. Rabie: An Approach to the Manufacturing Yield in Digital Filter Circuits Ritat Ramovič: Analiza uticaja temperature i opterečenja komponenata na pouzdanost generatora impulsa 20 Rifat Ramovic: The Analysis of the Influence of the Temperature and Loading of Components on the Reliability of the Pulse Generator M. Danilovič, L. Marš, V. Pantovič: Principi zaštite od elektromagnetne interferencije oklapanjem 22 M. Danilovic, L. Mars, V. Pantovic: Principles of Electromagnetic Interference Shielding PRIKAZI DOGODKOV, DEJAVNOSTI ČLANOV MIDEM IN DRUGIH INSTITUCIJ REPRESENT OF EVENTS, ACTIVITIES OF MIDEM MEMBERS AND OTHER INSTITUTIONS R. Ročak: Poročilo predsednika MIDEM za leto 1989 26 R. Rocak: MIDEM Society President 1989 Year Report KONFERENCE, POSVETOVANJA, SEMINARJI, POROČILA CONFERENCES, COLLOQUYUMS, SEMINARS, REPORTS L. Kozina: Kakovost sestavnih delov in materialov-študijski dan 29 L. Kozina: Quality of Components and Materials-Workshop M. Turina: 2. SONT - impresije 30 M. Turina: 2. SONT - Impressions M. Maček: SEMICON - 90 30 M. Macek: SEMICON -90 PREDSTAVLJAMO DO Z NASLOVNICE REPRESENT OF COMPANY FROM FRONT PAGE Z. Bele: SGS-THOMSON 31 Z. Bele: SGS-THOMSON ČLANI MIDEM MIDEM MEMBERS R. Ročak: Novi člani, izstopili so 32 R. Rocak: New Members VESTI, OBVESTILA NEWS, INFORMATIONS M. Turina: Tko če koga-Kamo idu osobna računala 32 M. Turina: Who will strike Whome - Where do PCs go MIEL-90, program 34 MIEL-90, Advanced Program Mednarodna poletna šola in delavnica o neuroračunalniklh 39 The International Summer School and Workshop on Neurocomputlng KOLEDAR PRIREDITEV 41 CALENDAR OF EVENTS Informacije MIDEM, letnik 1990, naročilnica 43 Informacije MIDEM, volume 1990, Subscription JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI YUGOSLAV TERMINOLOGICAL STANDARDS Slika na naslovnici: SGS-THOMSON Sestavni deli za preklopne napajalnike Front page: SGS-THOMSON Switched Mode Power Supply Components VSEBINA CONTENT KDO SI PERE ROKE OB STEČAJIH VISOKIH TEHNOLOGIJ? Opustitev proizvodnje in zapiranje tovarne Iskre Mikroelektronike ter "raz-gon" njenih strokovnjakov, o čemer smo poročali tudi v prejšnji številki, je bil samo prvi akt tragedije slovenske in jugoslovanske družbe, ki so nam ga režirali politični in gospodarski vodje s svojo menežersko nesposobnostjo. Kako naj drugače razumemo razdejanje v skoraj vseh segmentih "visoke tehnologije" in kadrovsko politiko ob vrsti stečajev, ki so sledili tistemu v Mikroelektroniki? Najprej so padle prve naslednje žrtve med inženirji v Iskri Avtomatiki, sledili so jim iz Iskre Delte. Slaba je tolažba stečajnega upravitelja, da je stečaj le nad krovnim podjetjem (tako poroča Delo). Vsem tistim strokovnjakom, ki so dobili po kratkem postopku delovno knjižico, predvodeni z enim od doajenov računalništva na Slovenskem,doktorjem znanosti, so slaba tolažba članki v Mladini o raznih špekulacijah in ostalem nečednem delu bivšega vodstva. Človek bi mislil da so na delu revanšistične sile, ali pa napredne, ki izvajajo kadrovsko čistko med propadlimi strokovnjaki. Bilo bi prelepo, če bi to bilo res! Kdo je naslednji na vrsti? Sliši se, da bo to Razvojno tehnološki center Iskre Kibernetike, morda pa RIZ Tvornica polu vodiča, ali pa Iskra Tovarna polprevodnikov. Strokovnjaki v nekoč elitnem Centru za elektrooptiko Iskre so močno v skrbeh, prav tako kot tisti v Elektrotehničnem institutu Rade Končar v Zagrebu. Trdi se, da jih je vsaj 700 preveč. Upajmo, da se ob izidu te številke časopisa ne bo lista konkretizirala in še povečala. Zaenkrat, na srečo, ni takšnih črnih novic iz Srbije in univerzitetnih laboratorijev ter inštitutov, čeprav jih mora tudi skrbeti. Vedo, da ob propadli domači industriji visokih tehnologijtudi nje čakajo težki dnevi. Mar vladajoči politiki res morajo povsem odmakniti roke od gospodarske in družbene strategije? Ali tržno gospodarstvo potrebuje Poncije Pilate? Predsednik društva Ml DEM 2 UDK 621.3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana SENZOR KISIKA Janez Hole KLJUČNE BESEDE: senzor kisika, keramični senzor, keramikua Zr02, trdni elektrolit, priprava keramike, uporaba senzorja, eksperimenti POVZETEK: V prispevku so opisane nekatere uporabe senzorja kisika ter priprava trdnega elektrolita na osnovi ZrOž keramike, ki je primeren za izdelavo senzorja kisika. OXYGEN SENSOR KEY WORDS: oxygen sensor, ceramic sensor, Zr02 ceramics, solid electrolyte, ceramics preparation, sensor application, experiments ABSTRACT: Application of the oxygen sensors and preparation of solid electrolyte based on the stabilised Zr02 ceramic were described. 1. UVOD Zadnje desetletje, ko je svet zajela energetska kriza, hkrati pa so se ljudje začeli zavedati in raziskovati ter nekje že odpravljati posledice čezmerne emisije plinastih onesnaževalcev, ki nastanejo pri izgorevanju fosilnih goriv, se je razmahnilo iskanje načinov kako zmanjšati oz. racionalizirati porabo goriv ter hkrati zmanjšati količino onesnaževalcev kot so SO2, CO, NOx in prostih ogljikovodikov. Zgorevanje fosilnih goriv je proces, ki ga tehnologi sicer zelo dobro obvladajo, vendar je za optimizacijo in kontrolo potrebno poznati določene parametre, ki jih dajo senzorji. Daleč največji delež dela je bil vtej smeri zaenkrat opravljen na senzorju kisika, dela pa se tudi na senzorjih za NOx, SO2, CO, CO2. Zgorevanje poteka v prisotnosti zraka, zato je za popolno izgorevanje goriv važno razmerje obeh. Pri idealnem razmerju med zrakom in gorivom se porabijo vse gorljive komponente. V tem primeru je razmerje med zrakom in gorivom definirano kot lambda in je enako ena. Ko zgorevanje poteka v območju primankljaja zraka je to razmerje manjše kot 1 in večje kot 1, če poteka zgorevanje s prebitnim zrakom. Od tu izhaja tudi ime za senzor kisika, ki ga proizvaja firma Bosch - lambda sonda in ki je namenjen za vgradnjo v avtomobile. V večini primerov je za merjenje parcialnega tlaka kisika uporabljen princip delovanja koncentracijskega galvanskega člena, katerega napetost je odvisna od razlike parcialnih tlakov kisika na eni in na drugi strani trdnega elektrolita. Napetost galvanskega člena je po Nernstovi enačbi enaka: EMF = ( R*T/4*F)*ln(p2/p1) kjer so: EMF - napetost galvanskega člena, R - plinska konstanta, T - absolutna temperatura, F - Faradejeva konstanta, p2 - parcialni tlak kisika v referenčnem plinu in p1 - parcialni tlak kisika v mernem plinu. Običajno se ena stran senzorja kisika prepihuje z zrakom, ki ima 21 % kisika in ki služi kot referenca. Za določevanje vsebnosti kisika v neki zmesi pa se lahko izrabi tudi obraten proces, na člen se pritisne določena napetost, tok skozi člen pa je odvisen od razlike parcialnih tlakov kisika. Ker kisik potuje z mesta z večjo koncentracijo na mesto z manjšo koncentracijo imenujemo tako napravo tudi kisikova črpalka. Ta princip se izrablja tako za določevanje vsebnosti kisika kot tudi za odstranjevanje kisika iz zmesi plinov ali elektrolizo vodne pare(1). Heater Solid electrolyte Slika 1: Shema kisikovega senzorja s trdnim elektrolitim Shematsko je senzor kisika prikazan na sliki 1 (2). Trdni elektrolit je Zr02 cev, ki ima kontakte' z notranje in zunanje strani. Merni plin se pretaka skozi cev, referenčni plin - zrak pa obliva zunanjo stran cevi. Ker je ionska prevodnost Zr02 trdnega elektrolita pri sobni temperaturi izredno majhna, ga moramo segreti do 400 - 800 °C, kar je običajna temperatura delovanja senzorja kisika, ki deluje na tem principu, V avtomobilih se za merjenje vsebnosti kisika v izpušnih plinih uporablja 3 Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 3-6 Hole J.: Senzor kisika podoben senzor kisika. Na sliki 2 je prikazan senzor, ki ga je razvila nemška firma Bosch (,). Uporablja se za merjenje vsebnosti kisika v izpušnih plinih, signal iz senzorja pa se uporablja za regulacijo razmerja med gorivom in zrakom v vpiinjaču. Pri razmerju lambda je malo večje kot 1 je emisija CO in NOx minimalna, zgori pa vse gorivo. Metalurški senzor kisika se uporablja za določevanje kisika, ki je raztopljen v talinah kovin in zlitin. Senzor ima različne oblike, največkrat je to epruveta iz stabilizirane ZrCVMgO keramike, za referenčno vrednost za kisik na drugi strani trdnega elektrolita pa je uporabljena mešanica Cr in Cr2C>3 . Senzor je največkrat kombiniran s termoelementom, ki izmeri temperaturo taline. Sonda se potopi v talino, pravo vrednost pokaže v 10 - 30 s in je za enkratno uporabo. Zaenkrat se kot trdni elektrolit najpogosteje uporablja ZrC>2 keramika. Električna prevodnost ZrC>2 je posledica gibljivosti kisikovih ionov, ta pa je v čistem ZrC>2 relativno majhna. Povečamo jo z dodatki MgO, CaO ali Y2C>3, ki tvorijo v rešetki ZrC>2 kisikove vrzeli, hkrati pa stabilizirajo kubično ali tetragonalno modifikacijo ZrC>2, da med segrevanjem ali ohlajanjem ne pride do faznih transformacij, ki jih ima čisti Zr02. Uporablja se popolnoma stabilizirana - kubična ali delno stabilizirana - tetragonal-na oblika ZrC>2. Precej dela pa zadnje čase posvečajo delno - tetragonalno stabilizirani ZrC>2 keramiki, posebno zaradi tega, ker se jo lahko pripravi s sintranjem pri nižjih temperaturah, to je okoli 1500 °C. Tudi mehanska trdnost te keramike je izredna'4', zato je uporabna tudi kot konstrukcijska keramika za izdelavo ognjeodpornih in mehansko odpornih delov. Elektrode na trdnem elektrolitu so običajno izdelane iz plemenitih kovin, lahko pa se uporabi tudi nerjavna jekla, Ni, Cr-Ni zlitine itd. Pasta iz Pt se žge pri 1300 - 1400°C, da se doseže čim boljša adhezija. Kot alternativa Pt elektrodam nekateri proizvajalci izdelujejo elektrode iz fluoritne, trdne raztopine (Sc,U) O2-J Te elektrode imajo veliko elektronsko prevodnost ter velik difuzijski koeficient kisika. Ker so take elektrode izostrukturne s fluoritno strukturo ZrC>2, imajo zelo dobro adhezijo na keramiki, česar kovinske elektrode nimajo. Namen našega dela je bil pripraviti keramiko za trdni elektrolit senzorja kisika iz delno stabiliziranih prahov Zr02/Y2C>3 in ZrCVMgO ter raziskati vpliv nekaterih parametrov priprave na električne in termomehanske lastnosti keramike. 2. EKSPERIMENTALNO DELO Za pripravo ZrC>2 keramike, stabilizirane z Y2O3, smo uporabili prah firme Dynamit Nobel. Prah ima že dodane 3 mol. % Y2O3 povprečne velikosti delcev 0,35 mikrometra. Prah za pripravo ZrÜ2 keramike stabilizirane z MgO, smo naredili z mešanjem prahu Zr02 iste firme in MgO v attritorju. Kot elektrode za merjenje električnih lastnosti smo uporabili Pt pasto ESL 5545, ki je specialna pasta za izdelavo elektrod na senzorjih kisika. Vzorce smo stisnili s pritiskom 100 MPa v modelu in jih sintrali pri različnih temperaturah. Posintranju smo vzorce karakterizirali z merjenjem gostote, mikrostrukture, električne prevodnosti in fazne sestave. 3. REZULTATI IN DISKUSIJA 3.1. Zr02/Y203 KERAMIKA Ta keramika se uporablja za izdelavo trdnega elektrolita senzorja kisika, ki je uporaben za merjenje vsebnosti kisika v plinih. Vzorce te keramike smo sintrali pri temperaturah od 1400 do 1550 °C. Vzorci so imeli po sintranju dve uri pri 1500°C 99% teoretične gostote, vsebovali pa'so skoraj 100% tetragonalne modifikacije Zr02(6). Izgled mikro-strukture tega vzorca je na sliki 3. Zrna trdne raztopine Zr02/Y203 so velika okoli 0,3 mikrometra, kar je velikost delcev izhodnega prahu, torej med sintranjem pri tej temperaturi pri tem prahu ne pride do rasti zrn. Slika 3: Mikrostruktura vzorca sintrane keramike ZrOz/Y2Qi sintrane pri 1502 in 3,3 mol. % MgO smo sintrali pri različnih temperaturah (1450 do 1600°) različne čase (1 do 5 ur) (7). Predvsem so zanimivi rezultati sintranja pri višjih temperaturah, kajti zaželeno je, da nastane pri sintranju čim več kubične modifikacije ZrC>2, ker ima ta največjo električno prevodnost. Na sliki 5 je prikazana tipična mikrostruktura vzorca sintranega pri 1550°C 4 ure. Velika zrna kubične modifikacije ZrC>2 so obdana z manjšimi zrni tetragonalne in monoklinske modifikacije ZrC>2. Slika 5. Mikrostruktura ZrOz/MgO keramike sintrane pri 5 Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 3-6 Hole J.: Senzor kisika &5 10.5 125 Hi l(M/l (K-—1) Slika 6: Enosmerna električna prevodnost vzorcev ZrOi/MgO keramike sintranih pri različnih temperaturah v odvisnosti od temperature. Na sliki 6 je prikazana odvisnost električne prevodnosti vzorcev z različno vsebnostjo dodanega MgO v odvisnosti od temperature merjenja prevodnosti. Vzorci, ki imajo dodano od 3 do 3,3 ut.% MgO imajo največjo prevodnost, torej je za uporabo v metalurškem senzorju kisika najustreznejša keramika s to količino dodanega MgO. Odpornost na termične šoke se da pri tej vrsti keramike doseči s popuščanjem že sintranega komada pri temperaturah okoli 1100° (4>. Na mejah med zrni kubične faze se precipitira dodatna monoklinska modifikacija, ki kompenzira nastale notranje napetosti pri hitrem segrevanju, tako postane keramika odporna na hitre temperaturne spremembe in mehanske obremenitve. Tovrstna keramika je uporabna poleg tega tudi za izdelavo mehanskih komponent kot npr. rezila, obloge, mlini itd (4). Sintrane vzorce Zr02/Mg0 keramike smo popuščali pri temperaturi 1100° različne čase in dobili keramiko, ki je bila odporna na hitre temperaturne spremembe. Keramika je prenesla hitro segrevanje do 1500°C in ohlajanje na sobno temperaturo. 4. SKLEPI S sintranjem prahov Zr02 stabiliziranih z Y203 in MgO smo pripravili keramiko, ki je primerna za izdelavo trdnega elektrolita senzorja kisika. Zr02 keramika stabilizirana z Y203 je uporabna za izdelavo senzorja kisika za merjenje vsebnosti kisika v plinih, keramika stabilizirana z MgO pa za izdelavo senzorja kisika za merjenje vsebnosti kisika v talinah kovin in zlitin. 5. LITERATURA 1. Oliver de Pous, World Ceramics, vol.2, (1985), 99 2 R.M.A. Kocaohe, J Swan, D F. Holman, J. Phys. E, Sci. Instr , vol. 14, (1984),47 3. D. Janke, Metali. Trans., vol.13B, (1982), 227 4. A. H. Heuer, J. of American Ceramic Soc., vol.70(10), 1987, 689 5. S. P. S. Badwal, M. J. Bannister, W. G. Garrett, J. Phys. E: Sci. Instrum., vol. 20, 1987, 531 6. J. Hole, Zbornik referatov X. Jug. posvetovanja o modernih anorganskih materialih, Jug. savez za ETAN Beograd 1988, 51 7. J. Hole, J. Slunečko, D. Kolar, bo objavljeno v zborniku konference ETAN Novi Sad, 1989 dr. Janez Hole dipl. ing Inštitut Jožef Stefan, Jamova 39, 61000 Ljubljana Prispelo: 31.01.1990 Sprejeto: 25.02.1990 6 UDK 621.3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana RAZVOJ ULTRAZVUČNOG UREDAJA ZA PROIZVODNJU METALNIH PRAŠKOVA D. Kneževič, M. Stubičar KLJUČNE RIJEČI: ultrazvučni raspršivač taljevine, proizvodnja metalnih praškova, pištolj raspršivač SAŽETAK: Razvijen je i izraden uredaj za raspršivanje taljevine (pištolj raspršivač), kojim se mogu proizvoditi metalni praškovi iz materijala s temperaturam taljenja do 300°C. Rukovanje uredajem je vrlo jednostavno, te se za vrijeme rada uredaja mogu podesiti uvjeti u kojima se proizvode praškovi s dimenzijama čestica od 100 |j.m pa sve do submikronskih veličina. Novom verzijom sličnog uredaja nastoji se postiči mogučnost proizvodnje praškova iz materijala s temperaturam taljenja sve do 2000 °C, u običnoj ili zaštitnoj atmosferi. DEVELOPMENT OF ULTRASONIC ATOMIZATION DEVICE FOR METALLIC POWDERS PRODUCTION KEY WORDS: ultrasonic atomization device for metals, production of metallic powders, spray gun ABSTRACT: The ultrasonic atomization device (spray gun) for melts was developed and constructed, which can be used for the metallic powders production of various systems. Using the present version of this device, it is possible to atomize melts having low melting temperature, up to 300°C. The operational procedure is simple, and the conditions can be set up to produce powders with the particle size ranging from 100p.m up tosubmicron dimensions. With the new version of similar divice we intend to prepare powders from materials having the melting temperature up to 2000 °C, in an ordinary or protective atmosphere. 1. UVOD Praškovi različitih materijala nalaze sve veču primjenu u tehnici. U mikro i optoelektronici posebno su zanimljivi prašci koji se koriste u proizvodnji različitih vrsta pasti, u metalurgiji u proizvodnji elektroda za zavarivanje itd. Tako se predvida u bliskoj budučnosti da če biti potrebno proizvesti i do 20% izvornog materijala u praškastom obliku, najčešče za potrebe metalurgije praškova. Po mišljenju mnogih istraživača jedan od najperspektiv-nijih načina proizvodnje metalnih (i drugih vrsta) praškova temelji se na raspršivanju rastaljenog materijala. Prednosti ovog postupka su u visokoj produktivnosti, znatno smanjenoj potrošnji energije, te u kvaliteti proiz-vedenog praška. Konstrukcija uredaja za raspršivanje taljevine je jednostavna, a uredaj se odlikuje trajnošču. Takav način proizvodnje je prikladan za automatizaciju, te se kontinuirana proizvodnja praška može vršiti u vakuumu ili odgovarajučoj zaštitnoj atmosferi. U skladu s predloženom klasifikacijom1 raspršivanje taljevine (tekučine) može se ostvariti na do sada tri predložena načina: mehanički, plinski ili električni. Me-hanički način ima niz nedostataka koji proizlaze iz slo-žene konstrukcije uredaja, pa je on obično velikih dimen- zija i troši mnogo energije, a takode je i složena eksplo-atacija uredaja. Nedostaci plinskog raspršivača su u nužnosti da se raspršivanje taljevine vrši plinom, što u pojedinim slučajevima uvjetuje osiguranje plinova visoke čistoče, a istovremeno je povečan utrošak energije, čak i do 3 do 4 puta s obzirom na mehaničko raspršivanje. Opči nedostaci opisanih načina raspršivanja rastaljenih materijala su u neujednačenoj veličini čestica praška, te u maloj zastupljenosti veličina čestica promjera ispod 30 lam. Bolji rezultati postižu se pri raspršivanju taljevine ako se za vrijeme raspršivanja koristi ultrazvuk, koji se može rasprostirati taljevinom ili plinom2. U ovom radu čemo ukratko opisati rezultate originalnih vlastitih istraživanja u vezi s izradom ultrazvučnog raspršivača i njegovom primjenom u masovnoj proizvodnji praškova materijala koji imaju temperaturu taljenja uglavnom ispod 300°C. Buduči da na rad predloženog raspršivača ne postoje suštinska ograničenja u vezi s njegovim primjenom i na višim temperaturama, sada vršimo eksperimente u kojima čemo moči raspršivati taljevinu zagrijanu i do 2000°C. U tom smislu u raspršivač ugradujemo materijale koji če moči podnijeti bez oštečenja tako visoke temperature. Takoder, u toj izved- 7 Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 7-10 D. Kneževič, M. Stubičar: Razvoj ultrazvučnog uredaja za _proizvodnju metalnih praškova bi predvidamo mogučnost kontrole brzine hladenja kapljica taljevine, da bi se u ekstremnim uvjetima rada takvog raspršivača mogli proizvesti i praškasti materijali s amorfnom strukturom. 2. IZRADA UREDAJA Pri razvoju i izradi uredaja vodeni smo slijedečim idejama: da se povisi frekvencija akustičkih vibracija proizvedenih strujom plina i da se taljevina dovede u ultraz-vučno polje; da se višestruko poveča snaga ultrazvuka; da se uvlačenje taljevine u raspršivač ostvari na nekoj jednostavnoj pojavi, na pr. sili teže ili prisutnosti podtla-ka, kao što radi i Bunsenova sisaljka; da se ultrazvuk uvede i u plin i u taljevinu; da se nakon raspršivanja tekučine spriječi mogučnost sudaranja raspršenih kapljica s fizičkim preprekama u uredaju, kako se pri tome ne bi kapljice medusobno sljepljivale (ujedinjavale) u veče; da se konstrukcijom uredaja omoguči kontinuirano variranje svih bitnih veličina koje utječu na proces raspršivanja kao što su: frekvencija ultrazvuka, potrošnja plina i potrošnja taljevine. Dodatne regulacije odnose se na promjenu tlaka plina, te u našoj izvedbi na mogučnost kontrole hidrostatskog tlaka u dovodnoj cijevi za taljevinu. U našoj verziji izradenog ultrazvučnog raspršivača frekvencija ultrazvuka može se mijenjati u intervalu od 18 do 24 kHz. U uredaj smo ugradili ultrazvučni generator Hart-manovog tipa štapne izvedbe. Medutim, višestruko po-jačanje snage zvuka postignuto je upotrebom niza akustičkih rezonatora oblikovanih na poseban način (vidi si. 1). Pri pobudivanju rezonantnih titraja, u ugradenim rezona-torima ostvaruju se upravo takve fazne razlike koje odgo-varaju njihovom prostornom razmaku, tako da svi zajedno doprinose ukupnom pojačanju snage generiranog ultrazvuka, što je več detaljno opisano Slika 1: Shematskiprikaz ultrazvučnog raspršivača. Neki detalji na crtežu su uvečani a neki smanjeni da bi došli do izražanja svi njegovi sastavni dijelovi a) ulaz taljevine b) ulaz plina c) izlaz plina i raspršene taljevine Uvlačenje, odnosno usisavanje taljevine u razspršivač ostvareno je podtlakom nastalim zbog strujanja plina. Ranije je več istaknuto4,6, da je potrebno ostvariti uvjete da tekučina dode u dodir sa strujom plina izvan raspršivača. To je postignuto na način da dovodna cjevčica za taljevinu izlazi izvan samog tijela raspršivača, a sa njene vanjske strane oplakuje ju struja plina. Večje prije6 predložena jedna mogučnost promjene frekvencije generiranog ultrazvuka promjenom udaljenosti osnovnog rezonatora od sapnice Hartmanovog generatora štapne Slika 2A: Snimka laboratorijskog uredaja za proizvodnju metalnih praškova iz taljevine, a) električni grijač i ugraden ultrazvučni raspršivač, b) izvor struje za napajanje grijača, c) peč za taljenje s grafitnim lončičem smještenim u komori peči Slika 2B: Snimka mlaza raspršenih kapljica i skrutnutih čestica taljevine nakon prolaza kroz ultrazvučni raspršivač. 8 D. Kneževič, M. Stubičar: Razvoj ultrazvučnog uredaja za proizvodnju metalnih praškova_ Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 7-10 izvedbe. Na taj način se i preostali rezonatori dovode u rezonanciju s istim generatorom. Buduči da su rezonant-ne frekvencije svih predvidenih rezonatora bliske, to se odgovarajuča snaga ultrazvuka postiže u frekventnom području od oko 18 do 24 kHz. Cjevčica za dovod taljevine služi istovremeno i kao štap prilagodenog Hartmanovog generatora ultrazvuka, a ta-koder je i sastavni dio osnovnog rezonatora i proteže se duž ultrazvučnog polja. Sve to ukazuje da se ultrazvuk preko cjevčice unosi i u tekučinu i u plin za razspršivanje, kojim se tekučina istovremeno usisava u intenzivni ultra-zvučni tunel formiran na izlazu iz raspršivača. Sumiran-jem navedenih efekata pojavljuje se potreba optimizir-anja rada podesivog ultrazvučnog raspršivača6. 3. TESTIRANJE UREDAJA Najprije je izraden uredaj testiran prilikom raspršivanja: vode, nafte, D2 ulja, formalina, teških ulja, boja, lakova, grubodisperznih suspenzija hidratiziranog vapna u vodi, te neusitnjenih (neizribanih) i nerazredenih pasti od kojih se prave boje, kao i praškastim bojama. Eksperimentalno smo utvrdili da se pri raspršivanju tekučina u njima razbijaju (usitnjuju) postoječi praškasti konglomerati. Na pr. u pasti za izradu osnovne boje za brodove (oznake 1527 - firme Hempels) veličine prisutnih praškastih agregata su prelazile vrijednosti od 100 |.im. Našim ras-■"šivačem veličina tih konglomerata smanjena je na oko pti,m, što je istovremeno i cilj kvalitetne tehnologije ras|5]dnje te vrste boje. Izraden podesivi ultrazvučni MPa o!P uz stalni *lak Plina iz područja od 0,3 do 0,7 potrošnjeuie potrošnju plina do 30 Nm3/sat. Promjena jametra rasfPne u direktnoj je vezi s promjenom di-uredaja podešl!h čestica. Ako su ostali parametri rada dm3/sat proizve&ko da se Pri potrošnji tekučine od 3 tad če se pri potroiašak submikronskih granulacija, pršene čestice s dime?,d 150 dm3/sat pojavljivati ras-parametra rada uredaja^ od oko 90 Variraniem glenog mlaza taljevine od"nQhSe miieniati' duliina ma~ Slično se može postiči i sa bilo k?'5 m pa sve do 6 m' čestica. 'm drugim veličinama 4. PROIZVODNJA I KARAKTERIZACIJx PROIZVEDENIH METALNIH PRAŠKOVA U sadašnjoj fazi istraživanja izraden je model (p-otctin^ rasprsivaca prikladan za proizvodnju metalnih S la ialSS njih°Vih S,i,ina S temPe^^a f Sf p c- Uovoj verzij, ultrazvučni raspršivač e direktno zagnjavan s posebnim električnim grijačer. Uz odgovarajuci protok plina i struju grijača mogla se postrc, zeljena temperatura. Taljeiina je obično £ zagrijana na nesto višu temperaturu, obično oko 30°C iznad temperature taljenja. Izradeni model raspršivača 'e u mogucnosti, da uz zadane uvjete rada u konti-nuiranom radu potroši oko 2,5 dm3 taljene, na pr New- tonove slitine za vrijeme od jednog sata, što je istovremeno iznosilo oko 20kg/sat proizvedenog praška. Raspršivanjem taljevine niskotaljivih metala i slitina do-biveni su prašci s dimenzijama čestica od submikronskih pa sve do oko 100 |im, ovisno o uvjetima proizvodnje. Eksperimentalno smo utvrdili da na početku (startanju) procesa raspršivanja nastaju nešto veče čestice od onih u kasnijemtoku proizvodnje. Fizikalno je to jasno, jer je u tom trenutku povečana potrošnja taljevine, što se manifestira u krupnijim nastalim česticama. Nakon stabiliziranja procesa proizvodnje smanjuje se potrošnja taljevine, pa je za vrijeme stabilnog rada uredaja mo-guče proizvesti i prašak s česticama submikronskih veličina. IJ pravilu oblik čestica je kuglast (vidi si. 3), a struktura čestica je kristalna što je utvrdeno metodom rendgenske difrakcije. Kristalna struktura vjerovatno je posljedica male brzine hladenja kapljica taljevine. Moglo bi se očekivati da su čestice submikronskih dimenzija amorfne strukture, što nismo mogli i dokazati jer u sadašnjim uvjetima rada takve čestice nismo mogli iz-dovjiti s obzirom na preostale. Medutim, i sa sadašnjom izradenom verzijom ultrazvučnog raspršivača namjera-vamo izvršiti dodatne poskuse, kao na pr. špricanje mlaza taljevine na rotirajuči bakreni disk, ili čak direktno u tekuči dušik, kako bi ispitali utjecaj promjene brzine hladenja na promjenu strukture pripremljenih traka ili praškova. Slika 3: Mikroskopska snimka čestica proizvedenog praška iz taljevine pomoču ultrazvučnog raspršivača. 5. ZAKLJUCAK Razvoj i primjena podesivog ultrazvučnog raspršivača zaslužuje pažnju, buduči da je dokazano da se uvo-denjem ultrazvuka može uštedjeti i do 20% utrošenog plina, a istovremeno se postiže znatno smanjenje dimenzija čestica praška. Raspon veličina čestica je ta-koder manji s obzirom na druge metode proizvodnje. Uzmu li se u obzir dodatne mogučnosti usavršavanja i optimiziranja rada takvog uredaja (na pr. daljnje po- 9 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 61 -65 D. Kneževič, M. StuDicat. na*.»«, _proizvodnju metalnih praškova oanje trekvencije ultrazvuka, uvodenje ultrazvuka i u n i u taljevinu, mogučnost daljnjeg povečanja snage razvuka), te dodatne poboljšanja u vezi s povišanjem dne temperature raspršivača, mogučnosti rada u kon-Dliranoj atmosferi, kontrolirano hladenje mlaza ras-'šene taljevine, kao i izrada uredaja koji če raditi u atvorenom prostoru (komori) itd., tada je jasno da je otrebno još mnogo znanja i napora uložiti da bi se :radio raspršivač sposoban da proizvede prašak una-irijed zadanih karakteristika. Dosadašnji rezultati takvih straživanja su obečavajuči i ohrabrujuči istovremeno, Da čemo s takvim istraživanjima nastaviti. 6. POPIS LITERATURE 1. Ju. F. Dijtjakin, L. A. Kljačko, B. V. Navikav i dr., Raspilenie žid-kostej, Mašinostroenie, Moskva, 1977 2. Ekandiocjani O. K., u knjiži: Fizičeskie osnovi ultrazvukovoj tehnologij, Nauka, ČZM, 1970 3. Istočniki moščnogo ultrazvuka (pod redakciej: prof. L. D. Rozen-berga), Nauka, Moskva, 1967 4. D. Kneževič, Ultrazvučni raspršivač, YU pat. P1103/85 br. 14847 5. D. Kneževič: Plinsko strujni ultrazvučni raspršivač, YU pat. P 1176/88 br. 1176 6. D. Kneževič, Podesivi ultrazvučni raspršivač, YU pat. 9/1988 7. B. A. Agranat, A. L. Gudovič, L. B. Neževko, Ultrazvuk v poroškovoj metallurgii, Metallurgija, Moskva 1986 8. B. A. Agranat, M. N. Dubrovin, N. N. Havskii, G. I. Eskin, Osnovi fiziki i tehniki ultrazvuka, Visšaja škola, Moskva, 1987 9. Powder Metallurgy for High Performance Applications (Eds. J. J. Burke and V. Weiss), Syracuse Univ. Press, Syracuse, 1972 D. Kneževič, dipl. ing. Dr. M. Stubičar, dipl. ing. Fizički zavod PMF Sveučilišta u Zagrebu p.p. 162 - Maruiičev trg 19 41001 Zagreb Prispelo: 20. 09. 1989 Sprejeto: 22. 02. 1990 10 UDK 621,3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana. INFLUENCE OF PREPARATION TECHNIQUE ON THE SUPERCONDUCTIVITY OF Bi-Sr-Ca-Cu-0 AND Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-0 SYSTEMS J.Burianek, P.Stastny, V.Sechovsky and J.Sebek KEY-WORDS: Superconductor, superconductivity, high temperature superconductor, BiSrCaCuO, PbBiSrCaCuO, experiments ABSTRACT: Different preparation procedures of Bi-Sr-Ca-Cu-O and Pb-Bi-Sr-Ca- Cu-O systems were investigated in other to obtain reliable superconducting samples with high Tc. The nominal stoichiometry BiSrCaCu20x has been found as optimal one, in this state of art, for obtaining the material with the largest fraction of the "110 K" phase. We have observed that the doping by Pb can lead to stabilization of this phase and the single-phase material superconducting above 100 K has been prepared. VPLIV TEHNIKE PRIPRAVE NA SUPERPREVODNOST Bi-Sr-Ca-Cu-0 IN Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O SISTEMOV KLJUČNE BESEDE: Superprevodnik, superprevodnost, visokotemperaturni superprevodnik, Bi-Sr-Ca-Cu-O, Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O, eksperimenti POVZETEK: Preučevali smo različne metode priprave sistemov Bi-Sr-Ca-Cu-O in Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O z namenom dobiti superprevodne vzorce z visoko vrednostjo Tc. Na tej stopnji se je izkazalo, da je optimalna nominalna stohimetrija BiSrCaCu20Xl če smo hoteli izdelati material z največjo vsebnostjo faze "110K". Opazili smo, da dopiranje te faze s Pb vodi k njeni stabilizaciji tako, da smo uspeli pripraviti monofazni material, ki je superprevoden pri temperaturah nad 100K. 1. INTRODUCTION Since the first discovery of high-Tc ceramic superconductors by Bednorz and Muller(1) intensive studies have been made on copper based oxides in order to seek new types of materials exhibiting superconductivity at even higher temperatures. The Bi-Sr-Ca-Cu-0 system has appeared as one of successful results of this effort. The two high-Tc phases have been pointed out by Maeda et al(2) with Tc -80 K and Tc -110 K, respectively. The recent investigations (3"7) revealed 3 phases, which can be described by the general formula Bi2Sr2Can-iCunOx, n = 1,2,3, where Tc increases when increasing n. Although the structures of the "80K" phase (Bi2Sr2CaCu20) and the "11 OK" phase (Bi2Sr2Ca2Cu30x) have been identified, various preparation procedures lead most frequently to multiphase materials. All, up to now known, investigations can be concluded that it is difficult, if not impossible, to obtain a single-phase material with Tc -110 K. The only way which, up to now, seems to stabilize the "110 K" phase is the partial substitution of Bi by a suitable element, e.g. by Pb (8) or the very recently reported doping by combination of Pb and Sb (9). We have performed a series of preparation experiments within the Bi-Sr-Ca-Cu-0 and Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O systems in order to obtain reliable samples with superconductivity around 110 K (with "110 K" phase as the major phase). Results of this work, including the resistivity and the susceptibility tests of obtained samples are presented. 2. EXPERIMENTAL Samples used in the reported investigation were prepared by the solid-state reaction using commercial Bi203, (Bi0)2C03, SrC03, CaC03, CuO and PbC03 of the purity better than 99.9%. Appropriate amounts of starting materials were mixed and grounded in a planetary-ball mill with an agate mortar. The resulting fine powder was pressed into pellets (14 mm in diameter and 3 - 5 mm thick) underthe pressure of 300 MPa and calcined in air at 800 and 810 - 815 °C in two steps with the intermediate regrinding and pressing into pellets. The calcined pellets were then reground and the powder pressed again (into pellets 1.5-3 mm thick). The following sintering and annealing procedures performed also in air were provided in steps of gradually increased temperature with the intermediate cooling into liquid nitrogen. Details of preparation and nominal compositions are displayed in Tables 1 - 3. The melting point was investigated by the DTA method after each individual step of the heat treatment in order to optimize the next step. Superconducting properties of obtained samples were tested by means of the electrical resistance and the magnetic susceptibility (magnetization) measurements. The electrical resistance was measured using a standard ac four-probe method ( current = 100 pA, f = 78 Hz) and the ac magnetic susceptibility measurements were done with 1 kHz alternating magnetic field of 0.8 |o.T. Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 11-14 J. Buriänek et al.: Influence of Prepar. Techn. on the Supercond. of Bi-Sr-Ca-Cu-O and Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-0 Systems Different phases were identified by means of the X-ray diffraction analysis using Ni filtered Cu Ka radiation. 3. RESULTS AND DISCUSSION a) Bi-Sr-Ca-Cu-0 The main goal of the investigation was to achieve a procedure which provides the material with the maximal content of the so called "11 OK" phase. In Fig. 1. we can see the influence of the nominal composition of Bi-Sr-Ca-Cu-0 on the development of superconductivity in studied samples. One can see that the stoichiometry 1112 brings the most promising result with the substantial amount of the phase which becomes superconducting around 110 K (the mid-point of the transition 107 K). The substitution of B12O3 for (BiO)2CC>3 in starting material was found to have a minor influence on the behaviour of samples. In order to optimize this phase the several-steps the thermal treatment with the intermediate grinding and pressing into pellets was varied. The best sample coming out of these experiments displayed behaviourwhich is shown in Fig.2. in comparison with that of the original sample commented above. This sample with the zero resistivity almost at 100 K exhibit no low temperature transition "tail" in the temperature dependence of the resistance. The change of the stoichiometry from 2223 to 1112 by the addition of CuO powder and the following thermal treatment in order to increase the volume fraction of the "110 K" phase was also performed. This attempt, however, produced only a slightly better result (besides a higher content of the residual CuO in the sample detected by the X-ray analysis) than the additional annealing of the 2223 sample itself as seen in Fig.3. b) Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-0 The Pb doped samples were ground only after calcination and no more in the course of following heat treatment. The prolonged sintering lead to the increased diameter of pellets from 14 to -16-17 mm. The presence of Pb in the material evidently stabilizes one of the superconducting phases, either the "80 K" or the "110 K" phase, dependent on the nominal composition. Fig.4. displays results obtained on the three representative samples. The material Pbo.3Bio.7SriCai.5Cu20x contains almost 100% content of the phase which has the superconducting transition with the mid- point at 108 K. This result was obtained consistently by the resistivity and the susceptibility measurements and proved by the X-ray analysis. 4. CONCLUSIONS We have found that the 1112 nominal composition together with the optimal heat treatment (see Table 1) can lead to a satisfactory result when seeking to obtain superconductivity at 110 K in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system. When inspecting the large number of our experiments with this systems we find possibilities for further optimization of the technology, in particular by slight varying the stoichiometry around 1112 composition and a short time final exposure of the sample at higher temperatures followed by slow cooling. Nevertheless, it seems that there is no way to obtain a single-phase sample with superconductivity above 100 K unless the system is doped by additional element. We have managed to stabilize the "110 K" phase by the partial substitution of Bi by Pb. This is in agreement with results reported in literature(8). ACKNOWLEDGEMENTS The authors appreciate very much the kind assistance of Dr. H. Sichova and Ing. L. Dobiasova with X-ray analysis of studied materials. REFERENCES 1. J. G. Bednorz, and K. A. Müller, Z. Phys. B 64 (1986), 189 2. H. Maeda, Y. Tanaka, M. Fukutomi, and T. Asano, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 27 (1988), L 209 3. M. A. Subramanian, C. C. Torardi, J. C. Calabrese, J. Gopalak-rishnan, K. J. Morrissey, T. R. Askew, R. B. Flippen, U. Chowdhry, and A. W. Sleight, Science 239 (1988), 1015 4. H. W. Zandbergen, Y. K. Huang, M. J. V. Menken, J. N. Li, K. Ka-dowaki, A. A. Menovsky, G. van Tendeloo, and S. Amelinckx, Nature 332 (1988), 520 5. R. Ramesh, G. Thomas, S. M. Green, M. L. Rudee, and H. L. Luo, Appl. Phys. Lett. 53 (1988), 520 6. R. Ramesh, C. D. J. Hetherington, G. Thomas, S. M. Green, C. Jiang, M. L. Rudee, and H. L. Luo, Appl. Phys. Lett. 53 (1988), 615 7. J. M. Tarascon, W. R. McKinnon, P. Barboux, D. M. Hwang, B. G. Bagley, L. H. Greene, G. Hull, Y. LePage, N. Stoffel, and M. Gi-roud, Phys Rev. B8 (1988), 8885 8. M. Takano, J. Takada, K. Oda, H. Kitaguchi, Y. Miura, Y. Ikeda, Y. Momil, and H. Mazaki, Jpn. Appl. Phys. 27 (1988), L1041 9. T. Maeda, K. Sakuyama, H. Yamauchi, and S. Tanaka, Physica C 159(1989), 784 J. Buriänek, V. Secho vsky Department of Metal Physics and Department P. Stastny Department of Semiconductor Physics, Charles University, Ke Karlovu 5, 121 16 Prague 2, Czechoslovakia and J.Sebek Institute of Physics, Czechoslovak Academy of Sciences, Na Siovance 2, 180 40 Prague 8, Czechoslovakia Prispelo: 25. 12. 1989 Sprejeto:08. 02. 1990 12 J. Buriänek et al.: Influence of Prepar. Techn. on the Supercond. of Bi-Sr-Ca-Cu-O and Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O Systems Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 11-14 Table 1 Table 2 Molar ratio of Bi:Sr:Ca:Cu (nominal composition) Calcinating annealing, cooling marking of samples temperature (°C) / time (hours) 1:1:1:2 800/20 + G 810/18 +G 850/22 + 0 + G 865/22 + 0 + G 880/95 + 0 + G 890/0.3 + 880/72 + (") a 1:1:1:2 800/10 +G 810/24 +G 845/22 + 850/26 + (*) 865/18 + 880/90 + (") b 2:2:3:4 800/12 +G 810/18 +G 850/22 + 0 867/24 + 872/22 + + 878/20 + 0 880/64 + (*) 890/0.3 +880/160+ (") C 2:2:2:3 810/22 +G 815/30 +G 850/44 + 0 + G 855/60 + (") di 2:2:2:3 810/22 +G 815/30 +G 850/42 + 0 + G 870/12 + 880/44 + (*) + + G 890/0.3 + 880/20 + (") e Table 1: Preparation procedures of the investigated samples of the Bi-Sr- Ca-Cu-0 system, (*) -rapid cooling into I¡quid nitrogen, (**) - slow cooling (AT/At < 4Cr C/hour), G - grinding, fine milling and next pressing into pellets Molar ratio of Bi:Sr:Ca:Cu (nominal composition) Calcinating annealing, cooling marking of samples temperature (°C) / time (hours) 2:2:2:3 810/22 +G 815/30 +G 850/44 + 0 + G 855/60 + (") di 2:2:2:3 810/22 +G 815/30 +G 850/44 + 0 + G 855/60 + (") 880/160+ (**) d2 2:2:2:3 + CuO= 1:1:1:2 (G) 910/0.08 + 0 + G 910/0.08 + 880/160 + (") f Table 2: Table 3 Preparation procedures of the investigated samples of the Bi-Sr- Ca-Cu-O system, () -rapid cooling into liquid nitrogen, (**) - slow cooling (A T/At < 4Cr C/hour), G - grinding, fine milling and next pressing into pellets Molar ratio of Pb:Bi:Sr:Ca:Cu (nominal composition) Calcinating annealing, cooling marking of samples temperature (°C) / time (hours) 0.3:0.7:1.5:1:2 800/10 +G 810/24 +G 845/22 + 0 850/26 + 0 855/110 +D g 0.3:0.7:1:1:1.8 800/10 +G 810/24 +G 845/22 + (*) 850/26 + 0 855/110 + O h 0.3:1:1:1:1.5 800/10 +G 810/24 + G 845/22 + 0 850/26 + 0 855/110+ (") i Table 3: Preparation procedures of the investigated samples of the Pb-Bi- Sr-Ca-Cu-O system, (*) -rapid cooling into liquid nitrogen, (**) - slow cooling (A T/At < 4Cr C/hour), G - grinding, fine milling and next pressing into pellets 1.0 J3 1- sS. ST o o * 0.5 P 2f / ..S*- / ..•/'• / ^ / 2: C/ / - ^ / i/ i/ /\ / J / / i , i 100 200 300 o o 300 T (K) T (K) Fig. 1: Temperature dependence of/A/ the normalized electrical resistance R(T)/R(300 K) and /B/ the normalized magnetization M(T)/M(300 K) measured on samples with the nominal stolchiometry BiSrCaCuiOx (b), BkSrzCazCusO* (ck) and BkSfrCaaCutCh (c) 13 Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 11-14 J. Buriânek et al.: Influence of Prepar. Techn. on the Supercond. of Bi-Sr-Ca-Cu-O and Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O Systems D -O O o a: 0.5 i- 2 o o z o.5 k z 300 T (K) T (K) Fig. 2: Temperature dependence of the /A/ the normalized electrical resistance R(T)/R(300 K) and /6/ the normalized magnetization M(T)/M(300 K) measured on two samples with the nominal stoichiometry BiSrCaCuzOx after different thermal treatment (see Table 1) o -d o o 3 J3 y: o o m Z p z 1.0 0.5 ,- /\.......... i / ■ / f di ' ft " M . / .j J/ J i 100 200 300 T (K) T(K) Fig. 3: Temperature dépendance of the /A/the normalized electrical resistance R(T)/R(300 K) and /B/ the normalized magnetization M(T)/M(300 K) measured on samples with the nominal stoichiometry BfcSrzCazCuzCk (di - original procedure, cfc - after additional thermal treatment at 881/2 0 aoi = aii The coefficients aoi and aii are varied, leaving the others fixed, till the response (amplitude response) of the overall filter gets out the tolerance scheme at any frequency point. Accordingly, an acceptable region (countour) is obtained, as ex., Fig.1. The center of that region gives aoi and an values which specify maximum yield. That center is obtained graphically or using numerical scane4. Now, givivg aoi and a-i i the new values, and repeating the process for the coefficients bn and b», the centered values forthese two coefficients are obtained. Naturally, the variation the coefficients should be in the positive and negative direction with respact to starting values. Then that section, i, is finished. The process is repeated for the other filter-sections, till we get the transfer function H(Z) with new set of coefficients. This transfer function H(Z) with the new set of coefficient values can be given to the manufacturers, to specify increasing manufacture yield, and accordingly increases number of circuits that meet the specifications. 18 Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 18-19 M. Saad, A. Rabie, N. Hanna: An Approach to the _Manufacturing Yield in Digital Filter Circuits ILLUSTRATIVE EXAMPLE The method is applied to an infinite impulse response (MR) PCM low pass digital filter from the fifth order which obeys the CCITT requirements. The transfer function H(Z) is written as: (ai + aiz1) (ci + oiz 1 + c\z 2) (e1 + ezz 1 + e\z 2) (1+Ö1Z"1) (1 + c/iz~1 + d2z~2) (1 + giz"1+ g2z~2) The ceofficients are as follows:- original set ai= 0.1910345325 bi= -0.617930935 ci= 0.2011466295 C2= -0.120242261 di=-1.305885856 d2= 0.587936854 ci= 0.56870605 C2= -0.683605882 gl =-1.426924416 g2= 0.8807306387 and fs=32 kHz. centered set ai=0.1891248038 bi=-0.617930935 ci=0.20154892276 C2= -0.12360904431 di= -1.3084167 d2= 0.5875 ei= 0.56106 C2= -0.6683333 gl=-1.4268 g2= 0.878 ...(3) Searching for the design center of each two coefficients, leaving the other fixed, then giving the design centering values for two coefficients and searching for next two, and so forth for the filter sections successively as mentioned in the method, a new set of nominal values for the coefficients is obtained4. The new coefficient values are written in the right side of the original coefficients. Figure 1 shows the acceptable region forthe coefficients di, d2 and for the ei and e2l as exemple. Due to rounding errors, the response falls within the tolerance scheme even at 6 bit coefficient lenght, figure 2. The response of the same filter without design centering gets out the scheme, at 6 bit length. Consequently, using design centering technique, circuit yield increases. Accordingly, the number of digital filter circuits that meet specification can be maximized. permissable region Fig. 1.b — cen G b i ts — cen 8 bits — cen 9 bits — - org 6 b i ts --org 8 b i ts org 9 b i ts - I imi+1 - Iimi+2 Fig. ? .25 - . 15 - m , 05 r u _ . OS - L - . 15 r a; i ) . 25 >- j i +-. . 35 h n - .45 r f- u - . 55 :- . 65 f- - .75 h •v /'A, -V-4 Fig. 1. Acceptable region for the coefficients 1a) du d2 and 1b) eu 02 0 !000 2000 3000 4000 frequency i n HZ Fig. 2 Amplitude Response Rounded Parameters REFERENCES 1. S. W. Director, et al. "The simplicical approximation approach to design centering" IEEE Trans, on circuits and systems, Vol. 7, July, 1977, PP.363-372. 2. L. R. Rabiner & B. Gold "Theory and application of digital signal processing" Prentice=Hall, 1975. 3. E. M. Sadd, et al. "Analysis of errors and possible cancellation of their effects in digital filters" Modeling, Simulation & Control, A. AMSE Press, Vol. 16, No.=4.1988, PP. 1-6. 4. A. Rabie "Hardware realization of microprocessor-based digital filters "M. Sc. Thesis, Univ. of Helwan, expected end 1989. EISayedM. Saad, Assoc. Prof., Faculty of Engineering and Technology, Univ. of Helwan, Egypt. Nabil N. Hanna, Prof., Faculty of Engineering and Technology, Univ. of Helwan, Egypt. Ahmed Rabie, Engineer, National Institute of Astronomy and Geophysics, Helwan, Egypt- Prispelo: 25. 12. 1989 Sprejeto: 12. 02. 1990 19 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana UDK621.3:(53+54+621+66), ISSN 0352-9045 ANALIZA UTICAJA TEMPERATURE I OPTEREČENJA KOMPONENATA NA POUZDANOST GENERATORA IMPULSA Rifat Ramovič KLJUČNE REČI: Impulsni generator, pouzdanost, uticaj temperature, uticaj opterečenja, MTBF, opterečenja komponenata SADRŽAJ: U radu je izvršena analiza uticaja temperature i opterečenja komponenata na parametre pouzdanosti impulsnih generatora kroz konkretan primer jednog generatora impulsa koji je napravljen za potrebe laboratorije. THE ANALYSIS OF THE INFLUENCE OF THE TEMPERATURE AND LOADING OF COMPONENTS ON THE RELIABILITY OF THE PULSE GENERATOR KEY WORDS: Pulse generator, reliability, influence of temperature, influence of loading, MTBF, component loading ABSTRACT: The paper analyses the influence of temperature and component loading on parameters of reliability of the pulse generator by means of a concrete example of a pulse generator made for the needs of the laboratory. 1. UVOD Prilikom projektovanja elektronskih uredaja neophodno je, pored ostalog, voditi računa i o zavisnosti fizičkih parametara elektronskih sastavnih delova od temperature. Ta zavisnost je jako izražena, a manifestuje se kroz promenu barijere i inverzne struje p-n spojeva, a tirne i kroz promenu U-l karakteristike poluprevodničkih naprava, te kroz promenu dielektrične čvrstoče, meha-ničkih naprezanja i si. elektronskih sastavnih delova. Promena radnih uslova uredaja može biti diktirana kako pramenom temperature ambijenta, tako i promenom temperature komponenata izazvane disipiranom toplo-tom tih komponenata. Predmet ovog rada je analiza pouzdanosti impulsnih generatora kroz konfiguraciju impulsnih generatora koja je prikazana na si. 1. Ovakav generator napravljen je u našoj laboratoriji, a sastoji se od: naponski kontrolisanog oscilatora (VCO), monostabilnog multivibratora (MMV) i izlaznog stepena. Generator je realizovan na dve štam-pane ploče od vitroplasta, koje su radene foto- postup-kom i zaštičene su tankim slojem kalaja (zaštita od korozije). Uredaj je ugraden u standardnu kutiju za profesionalnu industrijsku ugradnju tipa HKG2, proizvodnje "ISKRA". 2. PRORAČUN PARAMETARA POUZDANOSTI Pretpostavljajuči da otkaz bilo koje od komponenata povlači za sobom otkaz čitavog uredaja (redna veza elemenata pouzdanosti)'1+4), izvršen je proračun parametara pouzdanosti u funkciji temperature i stepena opterečenja njegovih sastavnih delova'5,6'7). Dakle, pri proračunu je usvojen metod najgoreg slučaja, a po proceduri MIL-standarda(?). RUCNO -OJUDA MJE VCO ^ MMV ŠIRINA IMPULSA -f SP0LJN0 0 K IDA NJE 0 J1TL —* IZLA£ NI v POJACAVAC Slika 1: Organizaciona blok shema impulsnog generatora Pri proračunu intenziteta otkaza koriščenj su izrazi'7': ^i=nQnL(CinTn^(C2+C3)nE)-iO"6(rt"1) ...(i) \2=XmETlATlQTlRUS2Tlc)--\0'S(h^) ...(2) Za integrisana kola i diskretne poluprovodničke komponente, respektivno, uz odgovarajuče standardne iz- raze1 ' za otpornike, kondenzatore, transformatore, štampane ploče i lemna mesta, pri čemu su sve oznake prema - (7) 20 Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 20-22 R. Ramovič: Analiza uticaja temperature i opterečenja komponenata na pouzdanost generatora impulsa Generator impulsa za koji je izvršena detaljna analiza parametara pouzdanosti sastoji se od: 10 integrisanih kola, (tri sa oznakom 74LS390, dva sa oznakom 7805T i po jedna sa oznakom 74LS74, 74LS00, 74LS86, 74LS324, 74133 i 7905), večeg broja tranzistora tipa BSX20 i 2N22197, 2N29057, LED i običnih dioda, 22 otpornika, 4 trimer potenciometra, dva transformatora i velikog broja kondenzatora od različitog materijala i raznih vrednosti kapacitivnosti. Shodno izrazima(1), (2) i odgovarajučim izrazima za ostale komponente, a uz vrednosti pojedinih parametara prema(7) izvršen je proračun kako pojedinačnih, tako i sumarnog intenziteta otkaza za ceo uredaj. 3. REZULTATI I DISKUSIJA Na osnovu izvršenih proračuna za intenzitet otkaza X (6, s), i pouzdanost R(t, 9, s), gde je 0 - temperatura, s -faktor opterečenja i t - vreme, grafički su prikazane zavisnosti R(t) za različite vrednosti 9 i s kao parametra. Dobijani rezultati prikazani su na si. 2 i si. 3. opterečenju poluprovodničkih komponenata s = 0.6 vremena i opterečenja poluprovodničkih komponenata na temperaturi T= 9CPC Na si. 4 data je promena srednjeg vremena rada do otkaza navedenog uredaja u funkciji temperature za dve različite vrednosti opterečenja komponenata s = 0.1 i s = 0.4. Treba napomenuti da izmedu teorijskih analiza i rezultata dobijenih eksploatacijom pojedinih uredaja ima iz- otkaza sa temperaturom za raziičita opterečenja s. vesnih odstupanja. Ovo se pre svega odnosi na otkaze lemnih mesta čiji je broj veliki. Njihovi otkazi u teorijskoj analizi imaju veliki procenat u ukupnom broju otkaza, što je opravdano samo u fazi testiranja uredaja ili eventualno u početnom periodu rada (periodu uhodavanja) uredaja. Tako da se posle perioda uhodavanja može smatrati da je pouzdanost uredaja znatno veča od teorijski dobijene pouzdanosti. 4. ZAKLJUČAK Dobijeni rezultati ukazuju kroz konkretan primer koliko su pogubeljni uslovi rada, na pouzdan rad uredaja. Srednje vreme rada bez otkaza je i za red veličine manje pri visokim temperaturama nego pri sobnoj. Skoro isti efekat ima i opterečenje komponenata koje su ugradene u uredaj stim što se efekat opterečenja manifestuje na dva načina; kroz otkaz komponenata usled proboja i kroz postepeni otkaz zbog termičkih efekata koji su posledica preopterečenja. Poredenje eksperimentalno dobijenih rezultata sa izvedenom teorijskom analizom zahtevalo bi dugotrajno ispitivanje u jednoj serijskoj proizvodnji, što je ovde izostalo. LITERATURA: 1. N. Vujanovič: Teorija pouzdanosti tehničkih sistema, Beograd, 1987 2. D. P. Siewicrek: The Theory and Practres of Reliable System Design, Massachusets, 1982 3. J, K. Beljajev: Nodežnost tehničeskih sistema, Moskva, 1985 4. G. Colombo: Microelectronics and Reliability, vol, 15, pp. 459-467, 1976 5. R. Ramovič et. al.: Modelovanje toplotnih pojava i analiza tem-peraturnog polja u nekim mikrotalasnim strukturama, MIEL, 1987 6. R. Ramovič et al.: Zbornik radova sigurnosti i pouzdanosti u tehnici, 1988 7. Military Handbook - Reliability predietran of elektronic equipment, MIL-HDBK 217D, 1982 Dr. RIFATRAMOVIČ, dipl. ing. Elektrotehnički fakultet, 11000 Beograd, Bulevar revolucije 73 Prispelo: 20. 09. 1989 Sprejeto: 28.02. 1990 21 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana UDK 621,3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 PRINCIPI ZAŠTITE OD ELEKTROMAGNETNE INTERFERENCE OKLAPANJEM Milorad Danilovič, Leposava Marš, Vladimir Pantovič KLJUČNE REČI: elektromagnetska kompatibilnost (EMK), elektromagnetskainterferencija (EMI), oklapanje, efektivnostoklapanja, elektroprovodni premazi, metalizacija plastičnih masi. SADRŽAJ: U radu razmatran je problem otklanjanja elektromagnetske interferencije oklapanjem. Akcenat je dat na najčešče koriščene postupke metalizacije plastičnih materijala. Nešto više je istaknut metod koriščenja elektroprovodnih premaza, koji je, vrlo često, najpovoljnije rešenje za primenu. Najvažnlji kriterijumi za odlučivanje o izboru metode ¡zloženi su na kraju rada. PRINCIPLES OF ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING KEY WORDS: electromagnetic compatibility (EMC), electromagnetic interference (EMI), shielding, shielding effectivness, electroconductive coatings, plastic materials metal plating. ABSTRACT: This paper deals with problem of eliminating EMI by shilding. The most used processes of plastic materials metal plating have been emphasized. Priority was given to the method for use of electroconductive coatings as it is the most convinient solution for application. The most important principles on method choise are listed finaly. 1. UVOD Naglim razvojem elektronike u poslednje vreme problem zaštite od neželjenog uticaja elektromagnetskog zračenja postaje sve izraženiji. Zbog toga je jedan od bitnih ciljeva pri dizajniranju uredjaja postizanje elektromagnetske kompatibilnosti, koja se definiše kao sposobnost elektronskog uredjaja ili sistema da normalno funkcio-niše ne trpeči i ne izazivajuči neprihvatljivu degradaciju bilo kojeg drugog sistema zbog neželjenih elektromag-netskih signala. Elektromagnetska interferencija definiše se kao pogoršanje prijema željenog signala prouz-rokovano neželjenim elektromagnetskim signalom. Postoje dva pristupa zaštiti od EMI. Prvi je zasnovan na tome da se več prilikom projektovanja uredjaja predvide i otklone moguči izvori smetnji. Ovde je izložen postupak oklapanja, odnosno ekraniranja, provodnim materijali-ma čija je namena da se elektromagnetsko zračenje zadrži u odredenom prostoru i spreči njegov prolaz u neželjenom smeru. 2. PRINCIPI OKLAPANJA Postoje dva osnovna objašnjenja delovanja oklopa uredjaja na slabljenje EMI. Jedno od njih je da EMI polja indukuju kružnu struju u oklopu tako da se polja koja ove struje stvaraju suprostavljaju EMI. Nataj načindobija se oslabljeno razultujuče polje na mestu oklopa. Drugo objašnjenje je da oklop slabi EMI polje kombinacijom refleksije i apsorpcije. Bez obzira koje se objašnjenje od ova dva usvoji, principi zaštite ostaju isti. Ovde je usvojeno drugo objašnjenje (si. 1). Neka su za incidentni ialas sa E1, H1, P1 označeni, respektivno, električno polje, magnetno polje i snaga, a za izlazni talas, analogno, E2, H2, P2. SI.1.SIab1jenje EMI pomocu oklopa Slika 1: Slabljenje EMI pomoču oklopa Tada se efektivnost oklapanja definiše kao: SE = 20 log E1/E2 (dB) SH = 20 log H1/H2 (dB) S = 10 log P1/P2 (dB) Na osnovu ovih relacija, može se pokazati da je totalna etikasnost jednoslojnog oklopa data kao: S = A + R + B (dB) gde je A slabljenje usled apsorpcije unutar ekrana de-beljine d, R je slabljenje upadnog snopa usled primarne refleksije a B je korekcioni član, koji uračunava slabljenje usled višestrukih refleksija unutar oklopa (ovaj član se može zanemariti u slučaju da je A < 10dB, što je gotovo uvek slučaj). Za dobre provodnike A je dato kao: A = 8,686 d Vti^o" 22 Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 22-25 M. Danilovič, L. Marš, V. Pantovič: Principi zaštite od _elektromagnetne interferencije oklapanjem gde je d - debeljina oklopa, f - frekvencija elektromag-netnog taiasa, |i - permeabilnost a o - provodnost oklo-pa. Slabljenje usled refleksije dato je kao: R = - 20 log 4 Zw Zs / (Zw + Zs)2 (dB) gde je Zw impedansa ineidentnog taiasa (Zw = E1/H1) na prvoj površini oklopa, a Zs karakteristična impedansa oklopa. Zs je dato kao: Zs = kVjj% gde je k konstanta, |i je permeabilnost a a provodnost oklopa. Iz ovih izraza vidi se da slabljenje usled refleksije ne zavisi samo od oklopa, več i od impedanse ineidentnog taiasa Zw, koja je funkcija od tipa izvora (električni ili magnetni), i udaljenosti izvora od oklopa. Za ravni talas ova impedansa je konstantna i jednaka je karakteris-tičkoj impedansi vakuuma Zo, tj. Zw = Zo = 377 il. Polje kod koga je impedansa taiasa veča od karakteristične impedanse dielektrika u kojem postoji naziva se viso-koimpedansno ili električno polje, a polje kod koga je impedansa taiasa manja od karakteristične impedanse sredine zove se niskoimpedansno ili magnetsko polje. Oklopi za električna polja imaju veoma malu karakteris-tičnu impedansu u odnosu na impedansu električnog polja, pa je slabljenje usled refleksije veoma veliko i zato obično nisu potrebne veče debeljine oklopa. Oklopi za magnetska polja imaju impedansu koja je blizu vrednostima impedanse magnetnog polja, pa je zato glavni efekat slabljenja izražen kroz apsorpciju. To zahteva oklope što veče debeljine i magnetske permeabilnosti, pogotovo na nižimfrekvencijama. Zato se u tu svrhu oklopi prave od feromagnetskih materijala kod kojih je |j.r» 1. U tabeli 1 date su vrednosti za apsorpciju nekoliko najti-pičnijih materijala koji se koriste za oklope (1). Pri tome je za provodnost materijala koriščena relativna provodnost u odnosu na bakar (aCu = 5.8 x 107 s/m). pretpostavlja se da materijal nije zasičen Tabela 1: Karakteristike nekih metala koji se koriste za oklapanje Plastična kučišta za uredaje u elektronici i elektrotehnici se u zadnje vreme sve više koriste kao zamena za metalna kučišta. Osnovni razlozi za to su njihova znatno niža cena u odnosu na metal, mala težina i dobre mehaničke karakteristike. Veoma značajno je i to što, za razliku od metala, ne podležu koroziji. Pa ipak, plastična kučišta imaju i neke nedostatke koji se ne mogu zanemariti. S obzirom da su ovi materijali po prirodi izolatori, transparentni su za elektromagnet-sko zračenje, koje može dovesti do nepravilnog rada usled elektromagnetske interferencije. Pored toga, na njima se može akumulirati znatna količina elektrosta-tičkog elektriciteta čija je energija za vreme pražnjenja dovoljna da izazove nepravilan rad uredaja, ili, čak, ošteti neke osetljive komponente ili kola. Kao sekundarni efekat, to pražnjenje može izazvati neželjeno elektro-magnetsko zračenje, odnosno EMI. Ovi problemi se mogu otkloniti nanošenjem metalnih prevlaka na plastično kučište raznim metodama, od kojih če ovde neke biti razmotrene. Pored vrste materijala koji se koristi, bitni faktori su još tehnologija na-nošenja materijala na podlogu, kao i njihova cena. Ko-načni izbor je rezultat kompromisa ova tri faktora. 3. ELEKTROPROVODNI PREMAZI Jedan od načina koji zadovoljava sve ove kriterijume je nanošenje elektroprovodnih premaza na plastično kučište raspršivanjem. Postupak je veoma brz i jednosta-van. Iz "pištolja" sa prečnikom dizne od 1 - 2 mm, pod pritiskom od 2 - 2.5 bara, raspršava se pripremljeni materijal na podlogu dok se ne dobije debeljina premaza oko 50 - 75 |im. Premaz se obično nanosi na unutrašnju stranu kučišta, pošto postoji manja mogučnost fizičkog oštečenja i manje je izložen drugim spoljnim uticajima. Posle nanošenja premaza se mora sušiti, zašto je dovoljna i sobna temperatura. Premazi najčešče sadrže grafit, bakar, srebro i nikl kao provodne pigmente u različitim organskim vezivlma i rastvaračima, zavisno od podloge na koju se premaz nanosi. Kod pravilnog izbora, adhezija je odlična, bez obzira koja je plastična podloga u pitanju. Premazi od srebra, koji su u početku bili jako rašlreni, imaju odlične provodne osobine i dobru adheziju. Zavisnost slabljenja od debljine sloja, odnosno od slojne otpornosti pršmaza, prikazana je na si. 2. (4). Medutim, cena srebra je veoma visoka u odnosu na druge materijale, pa je ovaj premaz preskup za odred-jene primene. Realizovani su zato jevtiniji sistemi npr. sa bakrom, koji imaju nešto slabija svojstva atenuacije. Pri tome je važno sprečiti oksidaciju bakra, koja dovodi do smanjenja provodnosti sloja i na taj način smanjuje efikasnost oklapanja. Taj problem se rešava primenom odgovarajučih antioksidanata. Grafitni premazi se takodje mogu koristiti u ove svrhe, ali su manje efikasni od prethodna dva zbog manje provodnosti. Medutim, sasvim su dobri u slučajevima Metal relativna provodnos (ar) relativna permeabilnost pri 150 kHz (,ur) slabljenje usled apsorpcije, A, dB/mm pri 150 kHz srebro 1.05 1 52 bakar 1 1 51 aluminium 0.61 1 40 gvoždje 0.17 1000 650 hipernik 0.06 80000 3500* permaloj 0.03 80000 25000* 23 M. Danilovič, L. Marš, V. Pantovič: Principi zaštite od elektromagnetne interferencije oklapanjem Informacije MIDEM 20(1990)1, str. 22-25 debljlna premaza ;jm Slika 2: Zavisnost slojne otpornosti od debljine premaza (puna linija) ¡zavisnost slabljenja oddebeljine premaza (isprekidana linija) gde je potreban jevtin premaz za zaštitu od elektrosta-tičkog pražnjenja. Kao najpovoljnije rešenje sa aspekta funkcije primene i cena je premaz na bazi nikla. Za sloj debeljine 50 - 75 ia.m slabljenje iznosi 30 - 65 dB, zavisno od frekvencije, što se u praksi smatra sasvim dobrom zaštitom. U Ei Institutu u Beogradu razvijeni su napred spomenuti premazi, čije su karakteristike na nivou poznatih svet-skih proizvodjača (Tabela 2.). Tabela 2: Odredivane karakteristike slabljenja različitih vrsta premaza Merenja su obavljena na uzorcima dimenzija 1 m x 1 m. Odgovarajuči premaz nanesen je na pertinaks ploču debljine 1 mm. Merenja su izvršena u anehoičnom tunelu na čijim krajevima su postavljene predajna i prijemna antena (si. 3). Rastojanje izmedu antena bilo je oko 3 m. Sistem je iskalibrisan tako da je na analizatoru spektra direktno očitavano slabljenje koje unosi pregrada od zaštitnog materijala. Merenja na nižim učestanostima nisu vršena zbog velikih dimenzija antena koje bi bile potrebne za te učestanosti. Diagrami slabljenja u zavisnosti od frekvencije, za razli-čite materijale, dati su na si. 4. 80 « TJ 60 \ / \v\ V /y ^— 0 ■n C v —) i 40 //z / - alumin1Jumska folija ^---/ 2. premaz od srebra 25 pm U1 20 3. 4. premaz od nfkla 50 pm premaz od bakra 50 /um 1,0 5. grafitni premaz 50/Um 10 100 +ChHz) 1000 10000 Slika 4: Tipične vrednosti slabljenja različitih premaza uporedeni sa folijom od aluminijuma 4. VAKUUMSKA METALIZACIJA Ovaj postupak metalizacije se sastoji u isparavanju i deponovanju metalnih slojeva na podlogu u visokom vakuumu. Za metalizaciju ovim postupkom najčešče se koristi aluminijum. Prije metalizacije raspršivanjem se nanosi, a zatim osuši, bazni premaz koji omogučuje dobru adheziju izmedu aluminijuma i podloge. Metalni sloj je ravnomerne debeljine oko 4 - 5 um. Prije nego što počne nanošenje metala, često je potrebno zaštiti gornje ili dekorativne strane plastičkog kučišta. Kao zaštita u tu svrhu mogu poslužiti metalne, ili vrlo jeftine, vakuumom formirane plastične maske. Prednosti ovog postupka su: * mogu se nanijeti na bilo koju vrstu plastike, * odlična atenuacija, * moguče je kontrolisati debljinu sloja metala, * nije ograničen samo na jednostavne oblike podloge. Nedostaci postupka su: * veličina vakuumske komore ograničava veličinu podloge, * potreban je bazni premaz, * aluminijumski sloj je osetljiv na koroziju u vlažnoj atmosferi, što dovodi do smanjenja provodnosti, * cena opreme je vrlo visoka. Premaz Slojna otpornost n/a Debljina sloja (l¿m) Slabljenje (dB) 1=1 GHz f=10 GHz bakar 0.30 50 40 42 nikl 1 70 55 60 grafit 10 70 25 35 Up Itn a p loč a aneholinl tunel ///////)>" Y.V.Zakharov, N.N.Prybilov, S.I.Rembeza, A.N.Ryabtsev, A.A.Sustretov, Voronezh Polytechnical Institute, USSR 14:50 "Lateral Transistor Structure Sensitive to Magnetic Field Applied either Parallel or Perpendicular to the Chip Surface" Lj.Ristič, M.Doan, University of Alberta, Canada 15:10 "The Limitations of SCLC Method in DOS Evaluation in a-Si" Ivan Skubic, Jože Furlan, Franci Smole, University of Ljubljana, Yugoslavia 15:30 "Energy Levels Describing a-Si in Nonequilibrium Conditions" Jože Furlan, Franc Smole, Ivan Skubic, University of Ljubljana, Yugoslavia 15:50 "Self-Consistent Calculation of Bound and Free Spectrum of Semiconductor Quantum Wells" V.Milanovič, Z.lkonič, D.Tjapkin, University of Belgrade, Yugoslavia 16:10 "Intervalley Interference Effects in Quantum Well Structures" Z.lkonič, V.Milanovič, J.C.Inkson, G.P.Srivastava, D.Tjapkin, University of Belgrade, Yugoslavia 16:30 "On the Relation between Hot Electron Energy Distributions and the Thickness Dependence of the Time-to-Breakdown in Si02 I.PIacencia, J. Sune, X. Ay me rich, University of Barcelona, Spain 16:50 "Three-Point Correlation Method for Measurement of Bulk Traps and Interface States in MOS Structures from Capacitance Transients" K.Dmowski, K.Bethge, University of Frankfurt, Federal Republic of Germany 38 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana 17:10 "Electron Structure and Electrophysical Properties of Heterostructures of Semiconductors with Stoichiometric Vacancies" E. P. Domashe vskaya, E.N. Nevryueva, V.A.Terekhov, V.D.Strygin, B.I.Sysoev, Voronezh State University, USSR 17:30 "Ambient Effects on Silicon Gettering by Segregation" D.Sachelarie, R.UngureaniuV.Stanculescu, V. Vivsencu*, R&D Institute for Electronic Components, Bucharest, Romania, Faculty of Electronic Engineering, Bucharest, Romania* THE INTERNATIONAL SUMMER SCHOOL AND WORKSHOP ON NEUROCOMPUTING Theory and Applications September 1.- 10.1990, Dubrovnik, Yugoslavia The three fields of science and technology: microelectronics, neurobiology and computer technology are establishing a new field called NEUROCOMPUTING. Today there are a few types of neurocomputers based on artificial neural networks. "Neurocomputing is the engineering discipline concerned with non- programmed adaptive information processing systems called neural networks that develop their own algorithms in response to their environment", (R. Hecht-Nielsen). THE SUMMER SCHOOL The European Centre for Peace and Development (ECPD) established by the University of Peace of the United Nations, and the organizing committee welcome all interested in attending the International Summer School on Neurocomputing. This is an opportunity to learn from the world experts in the field of this new information technology on which the 6th generation computers are based. We invite to participate in our summer school from September 1.-8. 1990. THE WORKSHOP The European Centre for Peace and Development (ECPD) established by the University of Peace of the United Nations and the organizing committee welcome all those interested in attending the International Workshop on Neurocomputing in Systems Control. The Workshop is the opportunity to bring together scientists from all over the world to present and discuss their research results in the theory in application on neurocomputing in systems control. Some examples of neurocomputing technology applications: * Finance - credit application scoring, credit line use analysis, new product analyis and optimization, cor- porate financial analyis, customer set characterization. * Banking - marketing studies, check reading, physical security enchancement, loan evaluation, customer credit scoring. * Insurance - insurance policy application evaluation, payout trend analysis, new product analysis and optimization. * Defense - radar/sonar/image processing (noise reduction, data compression, feature extraction, pattern recognition) opposing force models, weapons aiming and steering, novel sensor systems. * Entertainment - market analysis and forecasting, special effects, animation, restoration. * Automotive - assembly jig control, warranty repair analysis, automobile autopilot. * Transportation - waybill processing, vehicle scheduling and routing, airline fare management. * Telecommunications - speech and image compression, automated information services, real-time translation of spoken language, customer payment processing systems. * Retail Franchise - outlet site location selection. * Securities - stock and commodity trading advisor systems, technical market/company/commodity analysis, customer credit analysis. * Robotics - vision systems, appendage controllers, tactile feedback gripper control. * Manufacturing - low cost visual inspection systems, nondestrucitve testing, fabrication plan development. * Electronics - VLSI chip layout, process control, chip inspection. * Aerospace - avionics fault detection, aircraft/spacecraft control systems, autopilot enhancements. For information and the submission of papers: Dr. Yoh-Han Pao, Dept. of Electrical Engineering and Applied Physics, Case Western Reserve University, 39 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana Cleveland, OH 44106 U.S.A. Fax No: (216) 368 2668 Telephone No: (216) 368 4040 Dr. Djuro Koruga, Dept. of Automatic Control, Faculty of Machine Engineering, University of Belgrade, 27. Marta 80,11000 Belgrade, Yugoslavia Fax No: (38) (11) 320 207 or 623 169 Telephone: (38) (11) 320 207 School Fees: Before 15.3. After 15.3. - 15.7. 15.7. INNS/IEEE Member $1,000 $1,200 $1,500 Non-Member $1,500 $1,600 $1,800 Workshop Fees: Before 15. 3. After 15.3. - 15.7. 15.7. INNS/IEEE Member $100 $120 $150 Non-Member $150 $180 $200 Full-Time Student $30 $40 $50 Form of Payment: Please send fees for registratbn to: European Centre for Peace and Development, Account No: 70810.19:10.01118:6 OB Jugobanka, Belgrade, Yugoslavia or by mailing a cheque in U.S. Dollars (payable to: ECPD/Neurocomputing Dubrovnik Sept. 1990). Scientists from East-European countries will be able to pay in dinars, according to the exchange rate on the day of payment to: European Centre for Peace and Development, Account No: 60811 -620-58-8082/19.10.02857 OB Jugobanka Belgrade, Yugoslavia. Adress for Registration and Information: EUROPEAN CENTRE FOR PEACE AND DEVELOPMENT Division for R&D of High Technology, Kneza Mihaila 7/II, 11000 Belgrade, Yugoslavia. Telephone No: (38) (11) 633 551 Fax: (38) (11) 623 169 Telex: 72276 ECPD Yu Conference Location: Hotel "Libertas" Lavčevičeva 1, 50000 Dubrovnik, Yugoslavia. The International Summer School: NEUROCOMPUTING (Sept. 1.-8.1990.) Contents: THEORY * Information Principles * Adaptive Systems Theory * Learning Theory * Intelligence IMPLEMENTATION * Neurobiological Models * Neuropsychological Models * Artificial Neural Networks * Neurocomputers APPLICATIONS * Finance * Banking * Securities * Telecommunications * Robotics * Manufacturing * Electronics * Aerospace * Defence Lecturers: Robert Hecht-Nieisen, University of California at San Diego, U.S.A. Bernard Widrow Stanford University, U.S.A. Madan M. Gupta, University of Saskatchewan, Canada. Yoh-Han Pao, Case Western Reserve University, Cleveland, U.S.A. V.I. Kryukov, U.S.S.R. Academy of Sciences, Research Computing Centre, U.S.S.R. Andreas Pellionisz, New York University Medical Center, U.S.A. Stuart Hameroff, University of Arizona, U.S.A. 40 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana ArthurLebedev, U.S.S.R. Academy of Sciences, Institute of Psychology, U.S.S.R. Veljko Milutinovie, Purdue University, U.S.A. LjubiSa Raki6, Serbian Academy of Sciences, Belgrade, Yugoslavia. Branko Sou6ek, University of Zagreb, Yugoslavia. Djuro Koruga, University of Belgrade, Yugoslavia. *Students who complete the Summer School Course will receive a certificate. Intefnational Workshop: NEUROCOMPUTING IN SYSTEMS CONTROL (Sept. 8.- 10. 1990.) Organizing Committee: Chairmen: Yoh-Han Pao, Case Western Reserve University, U.S.A. Djuro Koruga, University of Belgrade, Yugoslavia. K.J. Astrom, Lund Institute of Technology, Sweden. A.G. Barto, University of Massachusetts, U.S.A. R. Eckmiller, University of Dusseldorf, F.R. Germany. S. Grosseburg, Boston University, U.S.A. Lj. Gruji6, University of Belgrade, Yugoslavia. MM. Gupta, University of Saskatchewan, Canada. D. Psaltis, California Institute of Technology, U.S.A. D.J. Sobajic, Case Western Reserve University, U.S.A. R.S. Sutton, GTE Laboratories, U.S.A. B. Widrow, Stanford University, U.S.A. Content: Expert Systems in Systems Control Neural Networks in Robotics Control Neural Networks in Process Control Neural Networks in Manufacturing Systems Control Neural Networks in Defence Systems Control KOLEDAR PRIREDITEV 1990 MAJ 14. - 16.: MIEL90, Yugoslav conference on microelectronics, Ljubljana (info. MIDEM) 21. - 26.: EVC-2, Evropska vakuumska konferenca, Trst (info. DVTS) JUNIJ 4.-8.: ETAN90,Jugoslovenskakonferencija ETAN, Zagreb (info.Etan) 6. - 8.: TECHNOVA INTERNATIONAL 90, razstava inovacij, Graz (info. Grazer messe) 19. - 23.: CEI, Evropski tečaj o sodobnih VLSI tehnologijah, Davos CH, (info. B.Jacobson, POB 910, S61201 Finspong, Sweden) JULIJ 24. - 26.: Mednarodna konferenca o vakuumski mikroelektroniki, Bath, Anglija (info. The Institute of Physics, 47 Belgrave Square, London SW1X8 QX, UK) 30. - 2.8.: IIT-90, Mednarodna konferenca o tehnologiji ionske Implantacije, Guilford, Anglija SEPTEMBER 1.-8.: International Summer School on Neurocom-puting, Dubrovnik (info. ECPD, Beograd tel. 011-633551) 8. - 10.: International workshop on Neurocomput-ing in system control, Dubrovnik (info. ECPD, Beograd tel. 011-633551) 10.-13.: ESSDERC-90, European Solid State Device Research Conference, Nottingham, Anglija 19. - 21.: SD-90, Jugoslovanski simpozij o sestavnih delih in materialih, Radenci (info. MIDEM) 24. - 27.: Evropska konferenca o galijevem arseni-du, St. Helier, Channel Islands, Anglija 25. - 30.: Mednarodna konferenca o epitaksialni rasti kristalov, Budimpešta, Madžarska (info. Hungarian Academy of Sciences, Ujpest 1, p.f. 76, H-1325 Budapest) 41 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana NAVODILA AVTORJEM Informacije MIDEM je znanstveno-strokovno-dru-štvena publikacija Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale-MI DEM. Časopis objavlja prispevke domačih in tujih avtorjev, še posebej članov MIDEM, s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki so lahko: izvirni znanstveni članki, predhodna sporočila, pregledni članki, razprave z znanstvenih in strokovnih posvetovanj in strokovni članki. Članki bodo recenzirani. Časopis objavlja tudi novice iz stroke, vesti iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, obvestila o akcijah društva MIDEM in njegovih članov ter druge relevantne prispevke. Strokovni prispevki morajo biti pripravljeni na naslednji način 1. Naslov dela, imena in priimki avtorjev brez titul. 2. Ključne besede in povzetek (največ 250 besed). 3. Naslov dela v angleščini. 4. Ključne besede v angleščini (Keywords) in povzetek v angleščini (Abstract). 5. Uvod, glavni del, zaključek, zahvale, dodatki in literatura. 6. Imena in priimki avtorjev, titule in naslovi delovnih organizacij, v katerih so zaposleni. Ostala splošna navodila 1. Članki morajo biti tipkani na listih A4 formata v vrsticah dolžine 16 cm. Rob na levi strani mora biti širok 3.5-4 cm. 2. V članku je potrebno uporabljati SI sistem enot oz. v oklepaju navesti alternativne enote. 3. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs ali belem papirju. Širina risb naj bo do 7.5 oz. 15 cm. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Risb, tabel in fotografij ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. 4. Delo je lahko napisano in bo objavljeno v kateremkoli jugoslovanskem jeziku v latinici in v angleščini. Uredniški odbor ne bo sprejel strokovnih člankov, ki ne bodo poslani v treh izvodih. Avtorji, ki pripravljajo besedilo v urejevalnikih besedil, lahko pošljejo zapis datoteke na disketi (360 ali 1,2) v formatih ASCII, Wordstar (3.4, 4.0), Wordperfect, word, ker bo besedilo oblikovano v programu Ventura 2.0. Grafične datoteke so lahko v formatu HPL, SLD (AutoCAD), PCX ali IMG/GEM. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. Rokopisov ne vračamo. Rokopise pošljite na naslov Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana UPUTE AUTORIMA Informacije MIDEM je znanstveno-stručno-druš-tvena publikacija Stručnog društva za mikroelek-troniku, elektronske sestavne dijelove i materijale - MIDEM. Časopis objavljuje priloge domačih i stranih autora, naročita članova MIDEM, s podru-čja mikroelektronike, elektronskih sastavnih dije-lova in materijala koji mogu biti: izvorni znanstveni članci, predhodna priopčenja, pregledni članci, izlaganja sa znanstvenih i stručnih skupova i stručni članci. Članci če biti recenzirani. Časopis takoder objavljuje novosti iz struke, oba-vijesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, obavijesti o akcijama društva MIDEM i njegovih članova i druge relevantne obavijesti. Stručni članci moraju biti pripremljeni kako slijedi 1. Naslov članka, imena i prezimena autora bez titula. 2. Ključne riječi i sažetak (najviše 250 riječi). 3. Naslov članka na engleskom jeziku. 4. Ključne riječi na engleskom jeziku (3Key VVords) i sažetak na engleskom jeziku (Abstract). 5. Uvod, glavni dio, zaključni dio, zahvale, dodaci i literatura. 6. Imena i prezimena autora, titule i naslovi institucija u kojima su zaposleni. Ostale opšte upute 1. Priloži moraju biti strojno pisani na listovima A4 formata u redovimadužine 16 cm. Na lijevoj strani teksta treba biti rub širok 3.5 do 4 cm. 2. U prilogu treba upotrebljavati SI sistem jedinica od. u zagradi navesti alternativne jedinice. 3. Crteže treba izraditi tušem na pausu ili bijelom papiru. Širina crteža neka bude do 7.5 odnosno 15 cm. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba imati broj i naziv koji označuje njen sadržaj. Crteže, tabele i fotografije nije potrebno lijepiti u tekst, več ih priložiti odvojeno, a u tekstu samo naznačiti mjesto gdje dolaze. 4. Rad može biti pisan i biti če objavljen na bilo kojem od jugoslavenskih jezika u latinici i na engleskom jeziku. Autori mogu poslati radove na disketama (360 ili 1,2) u formatima tekst procesora ASCII, Wordstar (3.4. i 4.0), word, Wordperfect pošto če biti tekst dalje obraden u Venturi 2.0. Grafičke datoteke mogu biti u formatu HPL, SLD (AutoCAD), PCX ili IMG/GEM. Urednički odbor če odbiti sve radove koji neče biti poslani u tri primjerka. Za sadržaj članaka autori odgovaraju u potpu-nosti. Rukopisi se na vračaju. Rukopise šaljite na adresu: Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehnična zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana INFORMATION FOR CONTRIBUTORS Informacije MIDEM is professional-scientific-so-cial publication of Yugoslav Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials. In the Journal contributions of domestic and foreign authors, especially members of MIDEM, are published covering field of microelectronics, electronic components and materials. These contributions may be: original scientific papers, preliminary communications, reviews, conference papers and professional papers. All manuscripts are subject to reviews. Scientific news, news from the companies, institutes and universities, reports on actions of MIDEM Society and its members as well as other relevant contributions are also welcome. Each contribution should include the following specific components: 1. Title of the paper and authors' names. 2. Key Words and Abstract (not more than 250 words). 3. Introduction, main text, conclusion, acknowledgements, appendix and references. 4. Authors' names, titles and complete company or institution adress. General information 1. Papers should be typed on page format A4 in lines up to 16 cm long. Space on left side of the text should be at least 3.5 to 4 cm long. 2. Authors should use SI units and provide alternative units in parentheses wherever necessary. 3. Illustrations should be in black on white or tracing paper. Their width should be up to 7.5 or 15 cm. Each illustration, table or photograph should be numbered and with legend added. Illustrations, tables and photografphs are not to be placed into the text but added separately. Hower, their position in the text should be clearly marked. 4. Contributions may be written and will be published in any Yugoslav language and in english. Authors may send their files on formatted diskettes (360 or 1,2) in ASCII, Wordstar (3.4 or 4.0), word, wordperfect as text will be formated in Ventura 2.0. Graphics may be in HPL, SLD (AutoCAD), PVX or IMG/GEM formats. Papers will not be accepted unless three copies are received. Authors are fully responsible for the content of the paper. Manuscripts are not returned. Contributions are to be sent to the address: Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana, Yugoslavia 42 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana Informacije M1DEM - Letnik 1990 Spoštovani! Informacije MIDEM je znanstveno strokovno-društvena publikacija Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale-MIDEM. Časopis objavlja prispevke domačih in tujih avtorjev, še posebej članov MIDEM, s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki so lahko: □ izvirni znanstveni članki, strokovni članki, predhodna sporočila, pregledni članki in razprave z znanstvenih in strokovnih posvetovanj. Članki so recenzirani. Časopis objavlja tudi novice iz stroke, vesti iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, obvestila o akcijah društva MIDEM in njegovih članov ter druge relevantne prispevke. Glasilo Informacije MIDEM opravlja funkcijo osrednje znanstvene revije za področje mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov ter pomembno dopolnjuje obsežnejše področje elektronike in elektrotehnike. Glasilo je ustrezno in zanimivo, tako za raziskovalce kot strokovno tehnološke kadre na inštitutih, fakultetah in v tovarnah različnih profilov - inženirje fizike, elektrotehnike, kemije, metalurgije, računalništva in drugih. TEHNIČNI PODATKI O ČASOPISU format: A4 naslovnica: večbarvna s podatki o uredniškem odboru in organih društva zadnja stran: seznam sponzorjev MIDEM obseg: tipično 60 strani jezik: vsi jeziki SFRJ, angleščina pogostnost izhajanja: trimesečno RAZDELITEV VSEBINE - znanstveno strokovni članki: 50% - pregledni članki, prikazi dogodkov, poročila: 33% - ostalo (vesti, obvestila, reklame): 17% V letu 1990 bodo vsi znanstveno strokovni prispevki ustrezno opremljeni (izvlečki v domačem jeziku in angleščini, ključne besede) in recenzirani, revija pa je že vključena v domače in mednarodne zbirke bibliografskih podatkov. V kolikor se boste odločili za naročilo letnika 1990, vas prosimo, da nam vrnete izpolnjeno naročilnico na naslov MIDEM. Glavni in odgovorni urednik Iztok Šorli, dipl. ing. Informacije MIDEM - naročilnica za letnik 1990 Priimek in ime ......................................... Naslov ............................................. Poštna št. in kraj........................................ NEPREKLICNO NAROČAM □ Informacije MIDEM, letnik 1990, cena 560 din. Stroški dostave so vračunani. Plačilo zneska je enkratno po položnici na račun št. 50101-678-74701 za Informacije MIDEM. Datum ....................................Podpis ............ Naročilnico pošljite na naslov: Informacije MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 43 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana Informacije MIDEM - letnik 1990 Poštovani! Informacije MIDEM je naučno stručno-društvena publikacija Stručnog društva za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove I materijale-MIDEM. Časopis objavljuje priloge domačih i stranih autora, naročito članova MIDEM, sa područja mikroelektronike, elektronskih sastavnih dijelova i materijala, koji mogu biti: □ izvorni znanstveni članci, stručni članci, predhodna priopčenja, pregledni članci i ¡zlaganja sa znanstvenih i stručnih skupova. Članci su recenzirani. Časopis takodjer objavljuje novosti iz struke, obavijesti Iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, obavijesti o akcijama društva MIDEM i njegovih članova te druge relevantne obavijesti. Časopis Informacije MIDEM vrši funkciju centralne naučne revije za područje mikroelektronike, elektronskih sastavnih dijelova i materijala te značajno nadopunjuje šire područje elektronike i elektrotehnike. Časopis je primjeran i zanimljiv, kako za istraživače tako i za stručne tehnološke kadrove na institutima, fakultetima i u tvornicama različitih profila - inženjere fizike, elektrotehnike, hemije, metalurgije, računarstva i druge. TEHNIČKI PODACI O ČASOPISU format: A4 naslovna strana: mnogobojna sa podacima o redakcionom odboru i organima društva zadnja strana: spisak sponzora MIDEM opseg: tipično 60 strana jezik: svi jezici SFRJ, engleski čestost izdavanja: tromjesečno PODJELASADRŽAJA: - naučno stručni članci: 50% - pregledni članci, izveštaji: 33% - ostalo (vijesti, obavijesti, reklame): 17% U 1990 godini svi če naučno stručni priloži biti odgovarajuče opremljeni (sažetak u domačem i engleskom jeziku, ključne riječi) i recenzirani, a časopis je več uključen u domače i medunarodne zbire bibliografskih podataka. Ukoliko čete odlučiti da naručite godište 1990, molimo vas, da nam vratite ispunjenu narudžbenicu na adresu MIDEM. Glavni i odgovorni urednik Iztok Šorli, dipl. ing. Informacije MIDEM - narudžbenica za godište 1990 Prezime i Ime ................................................ Naslov.................................................... Poštanski broj i mjesto............................................ NEOPOZIVO NARUČUJEM □ Informacije MIDEM, godište1990, cijena 560 din. Troškovi isporuke su uračunati. Iznos se plača jednokratno uplatnicom na račun br. na račun št. 50101-678-74701 za Informacije MIDEM. Datum ....................................Potpis.................... Narudžbenicu pošaljite na adresu: Informacije MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 44 ! 2 3 4 2.1.39 2.1.40 • akustooptički efekat • akustooptički efekt • aKycToonniHKM etfieKT • akustooptični pojav • acousto-optic effect Medsebojno delovanje akustičnih in optičnih valov. F o t o p o j a v i 2.1.40.1 • s p o' j a š n ] i fotoefekat • van.jski fotoefekt • HaflBOpeLUeH (4)OTOC!})eKT • zunanji fc-tc pojav • external photoefect Oddajanje foto vzbujenih elektronov, ko so ti prevladali energijsko oviro na fotometrijski površini. 2.1.40.2 • unutrašnji fotoefekat • unutarr.ji fotoefekt • BHaTpeujeH $0T0e 3 4 2.1.40.5 • fotoelektromacnetski efekat • fotoelektromagnetski efekt • (J;oToeneKTpoM3rneTCKi', e^eKT • fotoelektromagnetni pojav ■ • photoelectromagnetic effect Nastanek potencialne razlike zaradi medsebojnega delovanja magnetnega polja in obsevnega fotoprevodnega materiala. N 2.1.40.6 • fotoelektrični efekat • fotoeiektrički efekt • (JioToeneKTptmeH e$eKT • fotoelektrični pojav • photoelectric effect Medsebojno delovanje sevanja in snovi, ki ima za posledico vpijanje fotonov, pri čemer se sproščajo elektroni. 2.1.40.7 • fotoprovodni efekat • fotovodljivi efekt • i0T0np0B0AeH e<+;eKT • fotoprevodnostni pojav • photoconductive effect Povečanje električne prevodnosti nekaterih nekovin pri vpijanju fotonov. Do povečanja prevodnosti pride zaradi dodatnih prostih nosilcev, nastalih z vpijanjem fotonov pri prehodu elektronov. Intenzivnost tvorbe prostih nosilcev in čas, v katerem ostanejo v prevodnem stanju (življenska doba) določata velikost prevodnostne spremembe. 2.1.41 • emitor; izvor • emiter; izvor • eMUTOp; I13BOP • emitor,"vir • emitter; source Vir sevalne energije. 2.1.42 • standardni izvor • standardni izvor • craHAapflcu n3cop • standardni vir • standard source Referenčni vir svetlobe, s katerim se primerjajo optični viri in detektorji zaradi umerjanja. 1 2 3 4 2.1.43 • Lambertov izvor • Lambertov izvor • JlastCepiOB n3Bop • lambertovski vir • Lambertian source Vir, ki seva po kosinusovem zakonu emisije. 2.1.44 • provodna zona • vodljivi pojas • npoGO/iHa iona • prevajalni pas," kondukcijski pas • conduction band Nanaša se na trdne snovi, v katerih je kvazikontinualni niz elektronskih stanj popolnoma ali deloma izpolnjen. Navadno se v nizu pasov le energijsko najnižji pas imenuje prevajalni pas. Elektron z energijo iz enega teh nivojev je razmeroma prost in se more gibati oz. prevajati elektrino. 2.1.45 • valentni opseg • valentni pojas • Banemna 3ona • valenčni pas • valence band Energijski pas, v katerem so valenčni elektroni (elektroni na zunanjih tirih atoma). V izolantih in polprevodnih snoveh je valenčni pas pod prevajalnim pasom. 2.1.46 • energetski nivo primeša • energetska razina nečistoče • npuMCCHO HUBO • nečistotni nivo • impurity level Energijski nivo izven normalnega energijskega pasu snovi, ki je posledica nečistotnih atomov. Taki nivoji omogočajo, da so ¡zolanti pol-prevodni. 2.1.47 • impuls Gausovog oblika; Gausov impuls • impuls Gaussova oblika; Gaussov impuls • faycoB nwnyrsc • gaussovski impulz • Gaussian shaped pulse Impulz, ki ima obliko Gaussove ali normalne porazdelitve. V časovnem prostoru je oblika te porazdelitve naslednja: f (t) = A • exp (— «• t2) kjer sta: Aina - konstantni. Podobni obrazec se more dobiti tudi za frekvenčni prostor, če se zamenja t z v (ni) 1 I } 4 2.1.48 • ERFC(x) • komplementarna funkcija pogreške, ERFC(x) • ERFC(x) • ERFC(x) • ERFC(x) Komplementarna funkcija pogreška za x • t RFC (x) = 1—ERF (x) = = 2A/7 fexp ( -12) -dt. ~ ^ x 2.1.49 • učestaiost pojave greške • učestaiost pogreške bita • axTop na SmoBHaTa rpeujKa • ber, pogostost bitnega pogreška • ber (bit error rate) Razmerje med napačno prenesenimi in odposlanimi impulzi. 2.1.50 • modovi • modovi • moaobh • rodovi • modes Določene razporeditve elektromagnetnega polja, dobljene z razrešitvijo Maxwellovih enačb pri določenih mejnih pogojih. V optičnem valovodu obstoje vodeni rodovi (guided modes), uhajal-ni rodovi (leaky modes) in sevalni rodovi (radiation modes). 2.1.51 • degsnerisani talasni modovi • degenerirani valovodni modovi • flerenepupaHM 6paH0B0fiHH moaobm • degenerirani rodovi valovoda • degenerate waveguide modes Del rodov valovoda, ki imajo pri vseh frekvencah isto konstanto razširjanja. 2.1.52 • TEM -mod . oo • TEM -mod 00 • TEM —moa • rod TEM oo • TEM —mode oo Osnovni transverzalni rod. 2.1.53 • modno sprezanje; modno mešanje • sprezanje modova; miješanje modova • bp3yb3k>e Ha moaobu; meujahte na moaobu • sklapljanje rodov • mode coupling; mode mixing Izmenjava sevalne moči med različnimi rodovi valovoda. 1 2 3 4 2.1.54 • odstranjivač modova omotača • skidač modova ovojnice • OTCTpai-ryBa4 Ha MoaoBUTe Ha oSBUBKaia • odstranjevalo lupinskih rodov ® cladding mode stripper Snov, pritisnjena na optično lupino vlakna, ki omogoča, da sevalna energija, prenašana po lupini, zapusti vlakno. 2.1.55 • savnotežni uslovt • ravnotežni uvjeti ■ • paMHOie>KHH ycnoon • ravnovesni pogoji o equilibrium conditions Pogoji, ki ustrezajo stacionarni porazdelitvi energije med rodovi. 2.2 Fizikalni zakoni in načela 2.2.1 • Bugnerov zakon; apsorpcija • Bougnerov zakon, apsorpcija « 5yrnepoo 33koh, ar.copnunja • Bougnerjev zakon, vpijanje • Bougner's law; absorption Vpijanje, podano z Bougnerjevim zakonom je: 1 = I ■ exp (- a - x) kjer je: 1 — vpadni sevalni pretok, 1 — pretok, ki prehaja skozi snov debeline x; 1 in 10 se merita v snovi, a — koeficient vpijanja. Kadar gre za razprševanje in vpijanje, je a dušilni koeficient in je vsota koeficientovrazprševanja in vpijanja. 2.2.2 • Birov zakon • Beerov zakon • BnpOQ 33KOH • Beerov zakon • Beer's law I Zakon, ki povezuje koeficient vpijanja z molsko gostoto. Koeficient vpijanja je sorazmeren molski gostoti s sorazmernostnim koeficientom, ki je enak molskem koeficientu vpijanja. i 1 institut "jožef stefan" ljubljana, jugoslavija Jamova 39, 61000 Ljubljana, Tel.: (061) 214-399 / ¡nt. 491 ODSEK ZA KERAMIKO vam nudi IZOBRAŽEVANJE NA PODROČJU KERAMIČNIH MATERIALOV Odsek za keramiko na Institutu J. Stefan je pripravil v sodelovanju z Oddelkom za keramiko na Zavodu za raziskavo materiala izobraževalni program za strokovnjake, ki delajo ali šele iščejo informacije na področju keramičnih materialov. Organiziramo seminarje, ki obsegajo predavanja in razgovore po izbiri naročnika. Prav tako prilagajamo zahtevam udeležencev seminarja obseg in nivo predavanj na posameznih temah. Na željo in v okviru možnosti organiziramo tudi praktično delo v naših laboratorijih. Osnovni seminar obsega 30 ur in vključuje naslednje teme: Fizikalno kemične osnove keramike Sintranje in keramična mikrostruktura Osnovne tehnologije tehnične keramike Surovine za proizvodnjo keramike Keramika v elektrotehniki in elektroniki Konstrukcijska keramika Možnosti in smeri razvoja tehnične keramike Poleg izobraževanja vam svetujemo pri razvojnih problemih ter pri iskanju novih razvojnih smeri.