Strokovno društvo za mikroelektroniko, V elektronske sestavne dele in materiale j Stručno društvo za mikroelektroniku, | elektronske sastavne delove i materijale 4 1987 LJUBLJANA, DECEMBER 1987, LETNIK-GODINA 17, ŠTEVILKA-BROJ 44 Del difuzijskih peči v proizvodnji rezin 'Tji. ^'"HHliTlTlinm' ISKRA MIKROELEKTRON INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelek-troniko, elektronske sestavne dele in materiale Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Tehnični uredniR Tehnički urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Člani ¡izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Tajnik-sekretar Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Tajnik-sekretar Podpredsednik Naslov uredništva Adresa redakcije Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 700 Izvodov Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelek-troniku, elektronske sastavne delove i materijale Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM bes-platno Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2. 2. 1979 publikacija je oslobodena pla-čanja poreza na promet. Tlsak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tlsak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tlraž: 700 komada Mag Milan Slokan, dipl. ing. Janko Čolnar Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Alojzij Keber, dipl. ing. Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodniki, Trbovlje Mr 2eljko Butkovič, dipl. ing. —■ Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. — VTI, Beograd Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. —• RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl. ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra IEZE, Ljubljana Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl. ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. —■ Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. — Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing.— Rade Končar-ETI, Zagreb Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061)316-886, (061) 329-955 VSEBINA - SADRŽAJ Rudi Ročak SKOZI KRIZO V NO V RAZCVET.............................................................206 M. Čopič, D. Mih a j lovi č, M. Zgonik, S. Bernik VISOKOTEMPERATURNI SUI'ERP IEVODNIKI ................................................... 207 Miran Zgonik, Stanislav Solar: MERILNIKI IN ODJEMNIKI PRETOKOV ....................................................... 215 J. Japelj, B. Miklavčič APLIKACIJA INDUKTIVNIH KOMPONENT V TELEVIZIJSKI TEHNIKI............................. 221 Sejjad Salam: ELEKTROLUMINISCENTNI PRIKAZALNIKI .................................................... 223 Matjaž Novak STROJ ZA NAPAREVANJE HMDS.................................................. ......... 228 Bojan Jenko: SISTEMI ZA VISOKI IN ULTRA VISOKI VAKUUM IZDELANI NA IEVT .................................231 Milan Slokan: XXIII. JUGOSLOVANSKI SIMPOZIJ O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH ........ 234 V.M. Kevorkijan ŠKOLOVANJE KADROVA ZA ELEKTRONSKE MATERIJ ALE U JUGOSLAVIJI.............. ......... 239 Emil Milan Pint ar: RAZVOJ PODJETJA IN IZOBRAŽEVANJA .................................................... 243 Bruno Stiglic : IZOBRAŽEVANJE ZA PODROČJE MATERIALOV V ZDA ........................................ 245 Giorgio Slokar: STAFF TRAINING IN THE FIELD OF MATERIALS SCIENCES IN ITALY ........................... 249 Milan Slokan: CEOK '87........................................................................................252 S. Ursič, M. Štulič PRIKAZ KONFERENCI JE "CUSTOM CIRCUITS CONFERENCE" ................................... 255 Djuro Koruga: MOLEKULARNA ELEKTRO NIKA I BIOK OMPJUTERI ........ .........____....................... 257 Zoran Zivič: KONFERENCI J A ESSDERC'87 J BO LOG NI ................................................... 260 Pavle Tepina ORGANI JUGOSLOVANSKE ZVEZE ZA ETAN ................................................. 263 Georgi Dirnirovski: IZVEŠTAJ O RADU JUGOSLAVENSKOG SAVEZA ZA ETAN ...........................................265 SREČNO IN USPEŠNO NOVO LETO 1988 206 SKOZI KRIZO V NOV RAZCVET Ob konc u vsakega leta navadno delamo bilanco preteklih dogodkov, poskušamo izenačiti pozitivo in negativo v svojih računih. Leto 1987 je bilo za MIDEM na področju strokovne dejavnosti zelo uspešno. Ne moremo reči, da si nebi lahko želeli še boljših rezultatov, vendar MIEL, SD, CEOK, posebni seminarji, povečanje števila članstva in ureditev podatkov so nam lahko v zadovoljstvo. Vse to pa je bilo možno samo z aktivnostjo naših članov, članov izvršnega odbora in v sodelovanju z delovnimi organizacijami, ki so s svojo finančno pomočjo pomagale pri organizaciji naše dejavnosti. Letos bolj kot vsa ostala leta je bilo finančno stanje društva kritično. K temu so pripomogle težke razmere v nekaterih delovnih organizacijah, ki so sicer naši tradicionalni sponzorji. Pri njih se vse bolj drastično čutijo težave našega vsejugoslovanskega stanja, težave našega trenutka. Mnoge obljube so se kot mehurčki razletele, nekatere naše akcije, predvsem pa MIEL so prinesle veliko denarno izgubo. Samo izrednemu razumevanju Elektrotehniške zveze Slovenije Se lahko zahvalimo, da se nismo v določenih trenutkih finančno potopili. Vsi se zavedamo, da bo prihajajoče leto izredno težavno, da bomo morali prebroditi krizo v naši družbi, krizo v naših delovnih organizacijah, morda tudi krizo našega društva. Zelo se bomo morali potruditi, da bomo za svoje tradicionalne akcije zbrali pravšnje razumevanje pri jugoslovanskih podjetjih. Želimo si urediti dolgoročne pogodbe o sponzorstvu v večjem številu kot doslej. Upajmo, da bomo krizo preživeli ter zakoračili k novemu razcvetu. Morda že v prihajajočem letu? Ob novem letu si zaželimo izpolnitev teh želja, vsem članom M.IDEM pa še veliko osebne sreče! Ru(jj |(0čak Hudi Hočak predsednik Društva MIDEM 207 M. Čopič, D. Mihajlovič, (Vabi jeni refe V začetku tega leta je znanstveno javnost vznemirila vest o odkritju novih materialov, ki postanejo super-prevodni pri temperaturah, bistveno višjih kot v do tedaj poznanih zlitinah. Dobesedno iz dneva v dan so si sledile novice o vse višjih temperaturah prehoda v stanje brez električne upornosti, tako da je bil prehod ob koncu februarja že pri tedaj neverjetnih 90 stopinjah Kelvina. Večina fizikov snovi je bila do letos namreč prepričana, da superprevodnost ni mogoča kaj dosti nad 40 K. Odkritje je tako zelo zanimivo že s stališča osnovne znanosti, ima pa tudi silno daljnosežne posledice za tehnologijo. Doslej je bila namreč uporaba superprevodnosti zaradi visoke cene omejena na nekaj ozkih področij, na primer za močne magnete za uporabo v znanosti. Visoka cena je predvsem posledica zahteve po zelo nizkih temperaturah, ki jih je mogoče doseči le s tekočim helijem. Za nove materiale pa zadošča tekoč dušik, kar bistveno zmanjšuje stroške in je tako mogoča široka uporaba superprevodnih elementov. V predavanju bomo najprej podali nekaj osnov o pojava superprevodnosti, nato pa bomo pojasnili, kakšne so značilnosti novih visokotemperaturnih superprevodnikov, ki so iz keramike. V raziskave na tem novem in trenutno izredno živahnem področju smo se relativno zelo hitro vključili tudi pri nas, najprej Inštitut za fiziku v Zagrebu, malo kasneje pa tudi Inštitut Jožef Štefan. Tako bomo v drugem delu predavanja poročali o našem delu na sintezi in fizikalnih raziskavah teh materialov. Pojav superprevodnosti je odkril leta 1911 nizozemski znanstvenik Kammerlingh Onnes, ki mu je prvemu uspelo utekočiniti helij in tako omogočiti raziskave pri temperaturah okoli 4 K. Pri meritvi upornosti živega srebra je ta pri temperaturi 4,3 K nenadoma padla na nemerljivo vrednost. M. Zgonik, M. Hrovat, S. Bernlk -nt na simpoziju SD'87) Kmalu se je pokazalo, da se tako obnaša cela vrsta kovin, predvsem tistih, ki pri višjih temperaturah niso najboljši prevodniki. Izginotje upor-n osti je popolno, električni tok, vzbujen v su-perprevodni zanki, teče brez merljivega zmanjšanja več let. Poleg čistih kovin je superprevodnih tudi mnogo zlitin, ki imajo pogosto višjo temperaturo prehoda v superprevodno stanje. Izginotje električne upornosti ni edina značilnost superprevodnikov. Njihova druga bistvena lastnost je pojav popolne diamagnetičnosti, to je, pri prehodu v superprevodno stanje v snovi ni magnetnega polja, četudi je vzorec v zunanjem polju. Ta pojav je neodvisen od pojava nekončne prevodnosti, ki bi povzročila le zamrznitev magnetnega polja znotraj snovi na vrednost, ki jo je imelo pred prehodom v superprevodno stanje. Pojav izrivanja magnetnega polja iz notranjosti superprevodnika se imenuje Meissner-jev pojav in je za superprevodno stanje značilnejši od idealne prevodnosti. Ta je namreč posledica Meissner-jevega pojava, medtem ko obratno ni res. Vsak superprevodnik preide v normalno stanje v dovolj močnem magnetnem polju. Pri tem pa se ne obnašajo vse snovi enako; superprevodniki prve vrste, med katere sodi večina čistih kovin, preidejo pri določeni, navadno nizki vrednosti magnetnega polja neposredno v normalno stanje. Kritično polje je tem manjše, čim bližje smo temperaturi prehoda. Obenem pa kažejo pri vseh vrednostih polja pod kritično vrednostjo popoln Meissner-jev pojav. Superprevodniki druge vrste pa pri naraščanju magnetnega polja prek prve kritične vrednosti ne preidejo naravnost v homogeno normalno stanje, temveč v mešano stanje, kjer so deli snovi normalni in skoznje lahko prodre 208 magnetno polje, deli pa ostanejo superprevodni. Magnetni pretok skozi normalne dele lahko zavzame le točno določene diskretne vrednosti, mnogokratnike osnovnega kvanta magnetnega pretoka hc/2e, kjer je e osnovni naboj. To kaže, da je superprevodnost povsem kvantni pojav. Ko povečujemo magnetno polje, delež normalne faze narašča, dokler pri drugem kritičnem polju ne preide snov v celoti v normalno stanje. Takrat tudi upornost makroskopskega vzorca skoči od nič na običajno vrednost. Drugo kritično polje je navadno mnogo višje od prvega, zato pravijo superprevodnikom druge vrste tudi trdi super-prevodniki. Večinoma so to zlitine. V ozki zvezi s kritičnim magnetnim poljem je tudi največja gostota električnega toka, ki še lahko teče po superprevodniku. Tok v superprevodnikih lahko zaradi Meissner-jevega pojava teče le po površini vodnika in kadar lastno magnetno polje prekorači kritično vrednost, se superprevodnost poruši. V super prevodnikih prve vrste je kritično magnetno polje dokaj nizko, večinoma okoli 0.01 T, zato je tudi kritična gostota toka majhna. Te snovi tako za praktično uporabo niso pomembne. Trdi superprevodniki imajo dosti višje drugo kritično polje. V njih je tudi kritični tok omejen z drugačnim mehanizmom. Med deli snovi, ki so v normalnem stanju in skozi katere prodira magnetno polje ¡n med električnim tokom deluje sila, zaradi katere se področja normalne faze začnejo premikati, kar povzroča energijske izgube ter prehod v normalno stanje v vsem vodniku. Na ta pojav je mogoče vplivati s tem, da se v snov vgradi dovolj defektov, na katere se kanali normalne faze pripnejo. Na ta način je mogoče doseči kritično gostoto toka okoli 10° do 10^ A/cm2. To povsem zadošča za praktično uporabo. Danes se največ uporab -ljajo nekatere zlitine niobija, ki imajo temperaturo prehoda okoli 20 K in kritična magnetna polja pri temperaturi tekočega helija med 10 in 20 T. So pa take naprave, to so predvsem magneti, zelo drage zaradi zahtevne toplotne izolacije in nujnega hlajenja s tekočim helijem. Mikroskopski mehanizem pojava superprevodnosti v kovinah so pojasnili leta 1957 Bardeen, Cooper in Schrieffer. Med elektroni v kovini deluje poleg elektrostatske odbojne sile še dodatna sila, ki je posledica vibracij kristalne mreže atomov, po kateri se gibljejo elektroni. V okolici danega elektrona se kristalna mreža deformira, to deformacijo pa lahko čuti drug elektron, kar pripelje do precej šibke privlačne sile med elektroni. Dinamične deformacije kristalne mreže v fiziki opisujemo s fo-noni, to je kvanti mrežnih vibracij, zato pravimo, da med dvema elektronoma pride do interakcije z izmenjavo fonona. Interakcija je najučinkovitejša med elektronoma, ki se gibljeta v nasprotnih smereh. Ko so en elektron takega para siplje na primer na nečistoči in se mu pri tem spremeni smer gibanja, se drugemu elektronu spremeni smer gibanja ravno v nasprotni smeri, če le trk ni premočan. Tako ostane skupni električni tok obeh elektronov tudi po sipanju nespremenjen. Pri dovolj nizki temperaturi postane gibanje mnogo elektronov tako med seboj korelirano in dobimo superprevodno stanje. Temperatura prehoda v superprevodno stanje bo tem višja, čim močnejša bo efektivna vez med elektroni. Ta je odvisna od jakosti sklopitve med elektroni in fononi. V normalnem stanju pa je glavni vir električne upornosti ravno sipanje posameznega elektrona na termičnih fononih. Tako postane razumljivo, da so dobri običajni prevodniki slabi superprevodniki ali da celo sploh nimajo superprevodne faze. V jeziku kvantne mehanike lahko rečemo, da se superprevodni elektroni nahajajo v enem samem stanju, ki se razteza prek vsega makroskopskega volumna superprevodnika. Posledica tega je Meissner jev pojav. Zanimiv in za praktično uporabo pomemben je še Jo-sephsonov pojav. Prek spoja dveh superprevodnikov, med katerima je zelo tanka plast izolatorja, teče električni tok tudi, ko na spoju ni napetosti. Če je na spoju zunanja napetost pa se v njem pojavi še izmeničen tok, katerega frekvenca je sorazmerna z napeto- 209 stjo. Superprevodna zanka, prekinjena z Josephsono- vim spojem, deluje kot izredno občutljiv senzor mag- -5 kvanta netnega pretoka. Zaznati je mogoče do 10 magnetnega pretoka ali magnetna polja okoli 10 T. Nelinearna karakteristika in histereza Josephsonove-ga spoja omogoča tudi izdelavo logičnih vrat in visokofrekvenčnih mešalnih elementov. O odkritju visokotemperaturne superprevodnosti v sistemu La 0 -BaO-CuO sta Bednorz in Miiller poročala 1 v Zeitschrift fUr Physik oktobra 1986 ( ). V tem, danes slavnem članku, ki je letos vsaj na področju materialov verjetno ena najbolj citiranih frekvenc, poročata o kritični temperaturi oziroma padcu upornosti na nič pri približno 35 K. Kritična temperatura se je od odkritja superprevodnosti leta 1911 počasi dvigala za različne nove materiale in dosegla 23,3 K za tanke filme Nb^Ge spojine oziroma zlitine. Po objavi Bednorz-ovega in Miillerjevega članka se je v izredno veliko laboratorijih začelo raziskovanje teh in podobnih keramičnih materialov. Dramatičen napredek pri dviganju kritične temperature je prika-. 2 zan na sliki 1 ( ). V času neka] mesecev so znanstveniki spravili kritično temperaturo nad 90 K. Zgodovino tega razvoja bomo poskusili na kratko opisati. Bednorz in Miiller sta študirala nove materiale, ki l)i imeli višjo kritično Iemperaturo. Ker zlitine kovin ali kovinske spojine niso dale pričakovanih rezultatov, sta svoje preiskave usmerila v keramične spojine. V sedemdesetih letih so namreč odkrili superprevodnost v oksidnih spojinah LiTi^O^ in v perovskitu BaPt^ XB*X°3 • Kritične temperature so bile razmeroma nizke, okrog 13 K, zato so bili ti materiali bolj zanimivi s teoretičnega kot s praktičnega stališča. Njuno pozornost je vzbudilo dejstvo, da je koncentracija nosilcev naboja, ki "sodelujejo" pri superprevodnosti, v teh materialih precej manjša kot v kovinskih sistemih. Ker je kritična temperatura, med ostalim, sorazmerna tudi z gostoto nosilcev naboja, sta pričakovala, da bi v podobnih keramičnih sistemih z večjo koncentracijo lahko dosegla višje kritične temperature. Preiskave, ki so se začele poleti 1983 v ZOriehu, so bile najprej usmerjene na perovskite z Ni ioni, kasneje pa na spojine s Cu ioni, ki so bili delno v 2+, delno pa v 3+ stanju, pri čemer so 2+ izhajali iz oksida Bal.a ,Gu_0, , z mešano Cu / 3+ 4 J 13,6 Cu valenco. Prvi vzorci so bili veckomponentm s temperaturo prehoda 35 K. V delo so se takoj vključile druge skupine praktično po vsem svetu. Zamenjava Ba iona s Sr ionom je dvignila kritično temperaturo na 48 K in kot optimalna sestava z najostrejšim prehodom se je izkazala La 0Sr_ „CuO, l,o o, £ 4 Grupa I'. Chuja na univerzi v 1 loustonu je ugotovila, da pritisk dvigne kritično temperaturo na 57 K. Poskusili so ustvariti "notranji pritisk" v materialu tako, da so zamenjali La z manjšim izoelek-tričnim ionom Y. Konec februarja 1987 so pri materialu s sestavo Y „Ba „CuO dosegli tem- 1,2 U,o X peraturo prehoda 90 K. Skoraj istočasno so poročali o podobnih rezultatih - kritična temperatura okrog ali nad 90 K - tudi iz. Bellcore-a in z Akademije znanosti na Kitajskem, ki so bili dobljeni z drugačnimi sestavami v sistemu Y ^O^-BaO-CuO. Dviganje temperature prehoda je grafično prikazano na sliki 1. Vzorci, ki so postali superprevodni pri temperaturah nad 90 K, so bili večfazni, mešanica "zelene" in "črno" faze. Magnetne meritve ( MoiKsnerjev efekt) so kazale, da je samo del materiala superprevoden. Nekaj časa je to kazalo na predpostavko, da je super prevodnost rezultat interakcije na meji med fazami. Kmalu pa so odkrili, da je v sistemu V^Og-BaO-CuO superprevodna faza spojina s sestavo YBa2Cu30„, (črna), medtem ko je "zelena" faza s formulo V^BaGuO^ izolator. Fazni diagram na sliki 2 kaže, zakaj so bili vzorci z različnimi sestavami superprevodni. V precej širokem območju sestav se poleg ostalih faz nahaja tudi "superprevodna" faza s sestavo YBa Cu 0 , za katero se je zaradi sestave 2 3 7-x uveljavilo ime 123. Osnovna celica te faze je prikazana na sliki 3. Čeprav lahko teoretično vsebuje 9 kisikovih ionov, to ni možno zaradi valenc pozitivnih ionov. Največ se lahko vgradi tretjina mož- 210 nih kisikovih ionov, kar pripelje do formule YBa2Cu3°7 namesto YBa„Cu_0, , primeru, če so vsi Cu ioni 2 3 6,6 v 2+. Priprava superprevodne spojine je razmeroma enostavna. Zmešajo se oksidi itrija, barija in bakra v primernih razmerjih, nato pa se zmes žge pri temperaturah blizu 1000°C na zraku ali bolje v atmosferi kisika. Važno je, da se vzorec ne ohlaja prehitro, tako da se kisik lahko vgradi v sestavo. Čim bliže smo idealni formuli YBa2Cu207, tem ostrejši je padec upornosti pri ohlajanju, to je, upornost pade na nič v zelo ozkem temperaturnem intervalu. Ce je v spojini vgrajeno manj kisika ali pa če vzorec ni enofazen, prične upornost prav tako padati pri 90 K, vendar lahko doseže vrednost nič šele po nekaj 10 K. Spojina VBa^Cu 0 x se Je izkazala kot precej neobčutljiva na substitucije itrija s podobnimi ioni. Poročali so, da lahko zamenjamo Y z La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy in še vedno ostanemo pri temperaturi prehoda okrog 90 K. Res pa je, da nekateri elementi redkih zemelj (na primer Pr) spremenijo prevodno spojino 123 v neprevodno, kar pripisujejo drugačni kristalni strukturi. Kot je razvidno iz slike 1, je bilo "naraščanje" kritične temperature izredno hitro, dokler se ni ustavilo pri 90 do 100 K. Precej raziskovalcev pa je poročalo o višjih temperaturah prehoda, od nekaj deset stopinj pod 0 C pa do najnovejše okrog 60 C ( ). V vseh primerih pa so bili rezultati neponovljivi, vzorci, o katerih so poročali pa nestabilni in nepotrjeni od drugih skupin. Prav tako so bili vedno večfazni in se ni dalo eni od faz pripisati super-prevodnost. Zato zaenkrat sestave v sistemu YBa2Cu 0 ^ s temperaturo prehoda med 90 in 100 K ( z različnimi substitucijami posameznih ionov, ki lahko za nekaj stopinj zvišajo ali znižajo kritično temperaturo) še vedno veljajo kot materiali z dokazano najvišjo kritično temperaturo. Ostali ne ustrezajo štirim zahtevam, ki jih morajo "izpolnjevati" superprevodniki. Te so: - upornost nič - popolna dielektričnost (Meissnerjev efekt) - dobro definirana (enofazna) struktura - stabilen material in ponovljivost rezultatov Na odseku za keramiko Inštituta Jožef Štefan smo pričeli delati s superprevodnimi keramičnimi materiali v začetku marca 1987, najprej v sestavi ^ nCu 0 . Vzorci so bili, kot smo 1,8 0,2 3 i —x pričakovali, superprevodni, vendar je bil temperaturni interval med začetkom padanja upornosti (okrog 90 K) in temperaturo , ko je upornost padla na nič (okrog 30 K) precej širok. Zelo kmalu pa smo dobili informacije o pravi sestavi spojine 123. Izmerjena odvisnost upornosti od temperature za te vzorce je prikazana na sliki 4. Naše delo je trenutno po eni strani usmerjeno k študiju temperaturnega območja vgrajevanja kisika pod različnimi pritiski v spojino YBa Cu 0 , po drugi pa v raziskave sinteze in sintranja spojine 123, tako iz osnovnih oksidoy kot. iz predreagiranih binarnih spojin Y Cu 0 2 2 5 in BaCu02. Zaradi nastanka prehodne tekoče faze pri približno 900°C pri sintezi superprevodne spojine iz binarnih spojin ta pristop obeta možnost sinteze gostejšega materiala s širšim temperaturnim območjem žganja. Na slikah 5 a do 5c so prikazane mikrostrukture vzorcev, narejenih iz zmesi binarnih spojin. Razviden je pojav tekoče faze 900°C (slika 5b) in rast velikih zrn superprevodne spojine YBa Cu^O x Pr* 950°C. Smatramo, da se pri žganju pojavi prehodna tekoča faza zaradi nastanka evtektika med izhodnimi binarnimi spojinami in nastajajočimi reakcijskimi produkti. Kaj je vzrok za izredno visoko temperaturo prehoda v superprevodno stanje v novih keramičnih sistemih, še ni znano. Skupna značilnost vseh je ravnina bakrovih in kisikovih atomov, ki je blizu prehoda med izolatorskim in kovinskim stanjem, odvisno od števila valenčnih elektronov. To pa je mogoče spreminjati s spreminjanjem razmerja med dvo in trovalentnimi ioni izven baker-ki-sikovih ravnin, na primer Y in Ba. Poskusi kažejo, da je kristalna mreža blizu strukturne nestabilnosti, poleg tega pa so močne tudi interakcije, ki povzročajo magnetno urejanje sistema. Bližina strukturnega prehoda je lahko posledica močne sklopitve med elektroni in fo-noni, kar bi bilo v prid visoki temperaturi prehoda po 211 klasični BCS teoriji, vendar pa so mnogi fiziki mnenja, da efektivna interakcija preko fononov ne more dati superprevodnosti blizu 100 K . Kot drugo možnost ponujajo magnetne interakcijo, vendar pa kljub mnogim idejam in poskusom še ni dobre teoretične razlage. Zanjo je potrebnih čim več eksperimentalnih rezultatov, ki jih zaenkrat kljub izredno velikemu številu raziskovalcev po vsem svetu še vedno ni dovolj. S stališča osnovne fizike so keramični superprevodniki torej izredno zanimivi. Praktičnega pomena keramičnih superprevodnikov pri temperaturah nad vreliščem dušika najbrž danes Se ni mogoče prav oceniti. Ponujajo se izredno velike možnosti uporabe tako v močnostni tehniki kot za senzorje in logična vezja. Za uporabo pri prenosu električne energije in za navitja magnetov, generatorjev in elektromotorjev so najpomembnejše lastnosti možnosti izdelave dolgih vodnikov, velika gostota kritičnega toka in veliko kritično magnetno polje. Kritično polje je v keramikah zelo veliko, blizu 100 T, kar je bistveno več kot pri klasičnih super -prevodnikih. Z nanašanjem tankih plasti na posebne kristalne substrate so že dosegli tudi dovolj velike gostote kritičnega toka tako, da bo skoraj gotovo tudi to vprašanje mogoče zadovoljivo rešiti. Tanka plast keramike na ustreznem nosilnem substratu je najbrž tudi pravi način za izdelavo dolgih vodnikov. Bo pa za resno uporabo na tem področju potrebno vložiti precej sredstev in časa v razvoj. Najprej bo verjetno prišlo do uporabe v zahtevnih integriranih vezjih, kjer bodo s superprevodnimi zvezami med aktivnimi elementi lahko povečali hitrost in zmanjšali gretje ter merilni tehniki, kjer bi zelo občutljiv in ne predrag senzor magnetnega pretoka lahko pomenil pravo revoluci jo v tehniki električnih merjenj. Objavljenih je že več člankov o uspešni izdelavi keramičnega magnetometra, ki deluje na temperaturi tekočega dušika z občutljivostjo 10 kvanta pretoka. V laboratoriju za kvantno optiko na IJS smo na vzorcih, sinfetiziranih na Odseku za keramiko IJS, opravili meritve ramanskega sipanja pri različ- nih temperaturah. Pri ramanskem sipanju se na račun energije vpadle svetlobe, navadno iz laserja, spremeni e n ergija nihanja kristalne mreže ali elektronov v snovi. Zaradi tega se v spektru sipane svetlobe pojavijo dodatne črte, iz katerih je mogoče dobiti frekvence nihanj kristalne mreže. V La-Sr-Cu-0 sistemu smo ugotovili, da se frekvence fononov, ki so vidni v ramanskih spektrih, ne spremene v bližini prehoda v superprevodno stanje. Pač pa smo opazili znantne spremembe pri temperaturi okrog 260°C, ki smo jih pripisali strukturnemu prehodu iz ortorombske v tetragonalno fazo. Tudi v sistemu Y-Ba-Cu-0 ni opaziti sprememb v frekvencah ramansko vidnih fononov. V tem sistemu smo opazili v spektrih tudi izredno močno, široko ozadje, za katerega menimo, da je posledica sipanja na superprevodnih elektronih. Optični poskusi na teh keramikah so zelo težavni, ker poteka si-pan je le v tanki površinski plasti tako, da so rezultati sipanja na elektronih zaenkrat premalo zanesljivi za kvantitativno analizo, je pa iz njih mogoče določiti nekatere lastnosti superprevodnega stanja, predvsem energijsko razliko med osnovnim in vzbujenim stanjem, kar je eden od najosnovnejših parametrov superprevodnih sistemov. LITERATURA 1. J. C. Bednorz, K. A. Muller, Z. Phys. B, 64j_ (2). (1986), 189-193 2. Splošen pregled keramičnih superprevodnikov in seznam referenc je podan v članku E.M. Engler, High temperature superconductivity, v tisku (O.hem-tech, 17. Sept., 1987) 3. 1). Swinbanks, Nature, 328, (6133), (1987), 750 (Aug. 27 th) . M. Čopič, D. Mihajlovič, M. Zgonik, M. Hrovat, S. Bernik Inštitut. Jožef Stefan, Univerza K. Kardelja, Ljubljana 212 90 70 < oz 50 £40 UJ Q_ S 30 20" 10 0 Y - Ba - Cu — 0 Fe e & ®J I NbO Nb Nb3Ge Nb-AI-Ge NbjSn .-J HbH 10 feb 198/ o 8. Jan 1987 Januar 1987 (PRITISK I ♦ December 1986 la-Sr-Cu-0<> December 1985 <> April 1986 NuN SH Hg 1910 1930 1950 1970 1990 Slika 1 : Shematičen prikaz naraščanja kritične temperature Slika 3: Kristalna struktura spojine YDa Cu O 2 3 7-x SAMPLE - YBa2Cuj07.x PREFIRED 950*C TREATMENT: 520°C,02 , 5 HOURS 4.8 3.0 1.5 70 95 120 ".5 TO 220 2'5 273 291 VK Slika 4: Odvisnost upornosti od temperature spojine VBa^Cu O - Vzorec je bil žgan pri 950°C, o nato pa se v atmosferi 0 pri 520 C . Y2CU205 CuO BaCu02 BaO Slika 2: Fazni diagram -BaO-CuO (poR.S. Roth-u) Spojine med Y 0„ in BaO niso vrisane. 2 3 L- iiiisi fsiif: EygSEpn > >' i: Slika 5a: Mikrostruktura keramike iz zmesi binarnih spojin žgane 5 ur pri 850°C. Struktura je mešanica nezre-ngiranih in slabo zasintranih zrn izhodnih spojin. Pov. 3320x. Slika 5b: Mikrostruktura keramike iz zmesi binarnih spojin ^Cu^O in BaCuO^ (1:4), žgane 5 ur pri 900°C. Opazen je nastanek tekoče faze. 1'ov. 3400x. Slika 5c: Mikrostruktura keramike iz zmesi binarnih spojin V^Cu^O^ in BaCuO^ (1:4), žgane 5 ur pri 950 C. Zrasla so velika zrna super-prevodne spojine YBa,,Cu 0 . Pov. 3320x. ZD 515 K /Jtj,t 1 Nt» - r r 500 K V - i ju K 1 Vv/A 500 400 300 200 RAMAH SHIFT Icrn"1] 'J) M) 300 U!0 500 ElltROr (cm"'j Slika 6: Ramanski spektri v La ot-Sr CuO pri 1.85 O.lj 4 različnih temperaturah. Vrh C pri 575 K kaže na strukturni fazni prehod. Slika 7: Ramanski spektri ^Ba^Cu^O^ Pr* sobni temperaturi in pri 90 k. 214 qvF FNFRRY lrm"1| Slika 8: Spekter sipanja na elektronih v TBa^Cu^O pri različnih temperaturah. 0 50 100 ...... 150 ~ 200 TEMPERATURE (K) Slika 9: Temperaturna odvisnost intenzitete elektronskega sipanja v YBa Cu 0 . POPRAVEK V prejšnji, 3. številki Informacij MIDliM nam jo je zagodel tiskarski škrat. Pri navedbi avtorjev dveh prispevkov je prišlo do neljube zamenjave. Tako se pravilna navedb a avtor jev glasi takole: 1. Modeliranje procesa i komponenata integrisanih kola na Elektronskom fakultetu u Nišu - avtorji: N. Stojadinovič, Z. Nikolič, S. Mijalkovič in D. Pantič. 2. Izveštaj o rezultat ima naučnoistraživačkog rada u oblasti pouzdanosti poluprovodničkih komponenata za period 1983 - 1986 - avtor N. Stojadinovič. Prosimo cenjene bralce in prizadete avtorje, da nam neljubo napako oprostijo. Uredništvo 215 MERILNIKI IN ODJEMNIKI PRETOKOV M. Zgonik, S. Solar UVOD Odjemniki pretokov postajajo z razvojem regulacijskih sistemov vedno bolj zanimivi in se z razvojem le-teh že vrsto let zelo intenzivno ukvarjajo. V nadaljevanju bomo podali kratko informacijo o odjcmniku na siliciju in opis ental-pijsko kontinuirane met orle merjenja masnih pretokov plinov, tekočin in pra.šnatih tr. snovi. 1. ENTALPIJSKA KONTINUIRNA METODA MERJENJA MASNIH PRETOKOV PLINOV, TEKOČIH IN PRAŠNA TIH TRDNIH SNOVI 1. Fizikalno izhodišče osnovnega principa Osnova je drugi glavni zakon termodinamike: dO = dll + dW +£ dWx y Q (±) SI. 1.1. Pretočna cev plina, tekočine,ali prašnatih trdnih snovi ta dovedena ali odvedena toplota notranja energija pridob-+ W ljeno delo porablj. delo Za pretok neke snovi izberemo zelo dobro izolirano cev takšne razsežnosti in oblike, da lahko upor (trenje) in spremembo tlaka zanemarimo, dobimo: dQ dll dU- dQ (D dQ je toplota, ki jo mediju dovedomo, ali odvedemo med pretokom v obravnavani cevi. Drugi členi lahko pišemo z entalpijami dQ = di - V"dp (2) Ker smo predpostavili, da v merilniku ni sprememb tlaka, dobimo dQ = d i (3) Ta izraz pogojuje i trni Entalpi jske merilne metode, Kntalpija je funkcija temperaturo in llaka i => i (T, p), iz katere dobimoj r<£J- -C&1 dT +^dp (4) pri čemer je po definiciji [^"¿".^izobara specifična toplota Op. Ob upoštevanju dp = O preide izraz za spremembo en-talpije v obliko di = Cp dT (5), ki jo dopolnimo s (3) dQ = mCpdT (6) Odvod izraza (6) po času da spremembo toplote, pogojeno s spremembo masnega pretoka in temperature (7). 0 m CpdT =1' (7) končno sledi izraz za masni pretok (8) P (■PAT (8) l1 je toplotna moč, ki jo kakorkoli dovedemo, ali odvedemo med presekoma 1 in 2. 216 A T = T^ - T^ je temperaturna razlika med presekom 1 in 2. Izraz (8) je splošno znan za izobarni pretok snovi in je izhodiščni izraz za našo merilno metodo. S to kratko predstavitvijo smo pokazali pravilnost imena "Hntalpijska kontinuirna metoda merjenja masnih pretokov". Način dovajan ja ali odva janja toplote s tem tekstom ni specificiran, ker je odvisen od konretne izvedbe (od potrebne moči, obratovalnih pogojev, potrebnega rekreacijskega časa, snovi in pod.). Z merjenjem temperaturne razlike med presekoma 1 in 2, kompenziramo različne vstopne temperature in temperaturno stanje merilnika, ki mora biti izredno dobro izoliran z malo toplotno kapacitivnostjo in morajo imeti od-jemniki temperature in elementi za dovod ali odvod toplote čim manjšo maso. Tedaj je v teh elementih akumulirana toplota dovolj mala in praktično ne vpliva na točnost meritve z dovolj kratkim reakcijskim' časom. S primerno gradnjo merilnika (mala masa odjemnikov, elementov za dovod toplote) lahko dosežemo, da traja opazna napaka zaradi akumulirane toplote manj časa od žel jenega reakci jskega časa merilnika, ki. ga določimo tako, da je precej krajši od pričakovanih sprememb v pretoku. Tako dosežemo dovolj točne in praktično kontinuirane meritve; po dosedanjih praktičnih izkušnjah smo dosegli že pri prototipu krajši čas od 1 sek pri napaki do 1 %. Prednost opisane entalpijske metode je preprostost in neposredno merjenje masnih pretokov in ne volumskih, kot je to pri ostalih znanih metodah za določanje pretokov (zaslonke, Venturijeva cev, Pi-tova cev, rotametri, Voltmanovo kolo, rotirajoči bati, ionska metoda in drugi). Meritve po entalpij-ski metodi postanejo praktično neodvisne od absolutnega tlaka in njegovih nihanj pa tudi neodvisne od vstopne temperature, če niso spremembe prevelike do 100°C , od hitrosti in pogojev prestopa toploto. Dodatna prednost: je še široko merilno območje pretoka. Konstrukcija merilnika mora hiti lakšna, da pri vgraditvi v merjeni sistem ne dopušča tlačnih sprememb, kar je pomembno pri. ventila- torjih, batnih motorjih, turbinah in podobno, to je z zadostnim presekom za merjeno količino masnega pretoka, ki ga zahteva sama entalpijska metoda. Pri vzorčnih merilnikih je bil padec tlaka praktično nemerljiv. 2. ENTALPIJSKI PRETOKOMERI ZA KONTINUIRNO MERJENJE MASNEGA PRETOKA Zasnovani so na dejstvu, da je specifična toplota merjene snovi poznana in pri mali temperaturni razliki v merilniku konstantno neodvisna od tlaka 5 (napaka zaradi tlaka bi bila šele pri 25.10 Pa blizu 1 %). V kolikor pa specifične toplote merjenega medija ne poznamo, lahko entalpijsko metodo uporabimo s primerjanjem in določanjem neznane specifične toplote Cp. 2.1. MKRII/NIK Z DOVODOM Al,I ODVODOM KONSTANTNE MOČI Izraz (8) nas pouči o načinu merjenja temperaturnih razlik med izstopnim in vstopnim medijem v merilnik, ob konstantni dovedeni moči in specifični toploti. Obe temperaturi />T = T - ^ morata biti dobri srednji vrednosti zn oba preseka I in 2 si. l.l. Temperaturno razliko merimo na različne načine. Primerni so takšni z električnim odzivom, to so: uporovni mostiček s temperaturno spremenljivimi upori, t.ermistor ji, termoelementi, naparjeni kovinski ali drugi upori, tiskani temperaturno spremenljivi upori, polprevodniške diode, transistorji, upori na siliciju z že vgrajenim ojačevalnikom in podobno. Cc uporabimo električno gretje, je priporočljivo, da določimo konstantno številčno razmerje P/Cp = 1, 10, 100 - odvisno od merilnega območja mer jenega masnega pretoka. Masni pretok je določen z recipročno vrednostjo temperaturnih sprememb. 1 A T 10 A T 100 ¿i T (kg/sek) Ob linearnem električnem mer jen ju temperature lahko vnesemo še zvezo med temperaturo in napetostjo A'(' = K A U in z izvedbo enotne konstan- 217 te P/K . Cp = 1 dobimo recipročno odvisnost masnega pretoka z napetostjo. AU (kg/sek) Podobno lahko z močjo gretja upoštevamo še enote, če želimo enostavno recipročno vrednost za kg/h ali kg/min. V splošnem velja izraz m K AU , pri čemer K izbiramo glede na merilno območje pretoka tako, da pride temperaturna razlika v pametnih mejah, iz K pa nato določimo moč konstantnega gretja P. Instrument, s katerim hočemo neposredno odčitava-ti masni pretok / kg / sok,/ mora imeti recipročno skalo. Neugodno pri tem načinu je spreminjanje temperaturnih razlik s pretokom, kar lahko pri nekaterih merjenih sistemih moti (n.pr. motor). Tudi poraba moči je pri merjenju malih pretokov relativno prevelika. Med glavne pomanjkljivosti štejemo zmanjšanje točnosti merjenja, zaradi velikili temperaturnih razlik in daljših reakcijskih časov. Ta način merjenja je uporaben tam, kjer so spremembe pretokov malo in lahko z izbiro merilnega območja (močjo) dosežemo primerne temperaturne razlike. 2.2. MERILNIK S KONSTANTNO TEMPERATURNO RA 7,LIK O Že sam izraz (8) nudi neposredno linearno odvisnost med pretokom in dovedeno ali odvedeno toplo- vstop plina nli tekočine —s* izstop plirm lili tekočine Temperaturni odjemniki razporejeni po celotnem preseku to, če vzdržujemo z močjo grelca merilnika konstantno temperaturno razliko. SI. 1.2, Konstantno temperaturno razliko dosežemo ročno ali avtomatsko z regulacijo moči gretja. Trenutna grelna moč je v vsakem trenutku proporcionalna masnemu pretoku zraka. Grelno moč merimo z raznimi merilnimi, instrumenti, odvisno od vrste regulatorja moči. Ce bomo uporabili enosmerne moči, bo moč določena z merjenima vrednostima napetosti toka. V primeru impulznega krmiljenja moči pa moramo uporabiti, efektivne merilnike napetosti in toka, skratka izmerili moramo moč na grelcu po eni od znanih metod. V primeru, če je upornost grelca temperaturno neodvisna, zadostuje za merjenje moči efektivni merilnik toka ali napetosti. m = K.P. KLT / 1 ef • T/ ef Spremembe merilnega območja in enote poljubno izbiramo s konstanto in izračunamo zahtevano temperaturno razliko, ki jo moramo vzdrževati z regulacijo rnoči grelen. Pri mer : /n pretočno enoto (kg/b) in specifično toploto C = 1017 (J/kgh), merilno območje pretoka zraka 10 do '100/kg/h dobimo, če želimo, da naj 1 W odgovarja 1 (kg/h), konstantno K = 1. Grelna moč se bo v zahtevanem merilnem območju spreminjala od 10 do 100/W/ in bo vzdrževana temperaturna razlika AT 3600 OpK 3600 1017.1: 3,539 (C), SI. 1.2. Merilnik s konstantno temperaturno razliko Kadar ne potrebujemo, da je K enota, lahko vzamemo za AT poljubno vrednost, ki je za dano pogoje najprimernejša in K izračunamo. 7, islim merilnikom merimo pretoke različnih plinov tako, da glede na vsakokratno specifično loploln nastavimo oi i< ¡ovnr jn jočo lrni|>ernhirno razliko in, da ostaja K vedno enak. Odziv bo nato pomenil vedno /kg/sek/, /kg/min/ ali /kg/h/. /, regulacijo moči dovedene ali odvedene toplote os tanejo skoraj vsi elementi merilnika ves čas na točno isti temperaturi, zaradi česar se vpliv toplotne kapacitete teh elementov izgubi. Reakcijski čas se skrajša in točnost meritve poveča. Točnost merjenja je odvisna od točnosti regula-ci je temperaturne razliko in od točnosti merjenja toplotne moči, če seveda poznamo Cp merjeno snovi in je merilnik dobro izoliran. Najprimernejši način merjenja temperaturne razlike A T je mostična metoda s podvojeno občutljivostjo. 2.3. KOMBINIRAN NAČIN MERJENJA Tega načina se bomo posluževali, če ne razpolagamo z dovolj točnim regulatorjem, lahko pa moč gretja približno prilagodimo pretoku medija. Izraz (8) nas pouči , da moramo meriti moč grelca in obe temperaturi na vstopu in izstopu iz merilnika, ob predpostavljeni konstantni .specifični toploti Cp in pretok izračunati R (T,) || | | R (T;) Uo R (Ti) R (T,) u = YA - Yb = kx (T.. - (T,) R (T,) .. temperaturno odvisni upori na vstopu v merilnik R (T2) .. temperaturno odvisni upori na izstopu iz merilnika SI. 1.3. Merilni mostič za odjemanje temperaturne razlike ¿iT. Od načina gradnje temperaturno odvisnih uporov zavisi lutli točnost merjenja pretoka in , večje število odjemnih mest po celotnem preseku cevi zagotavlja dobro statistično povprečje merjenih temperatur na vstopu in izstopu merjenega medija v merilniku. Konstantno temperaturno razliko je priporočljivo nastavljati z uravnoteženim mostičkom. Upornosti temperaturnih odjemnikov se pri ničnem pretoku razlikujejo ravno za izbrano temperaturno razliko A T, da pri merjen ju vedno nastavljamo električno moč ročno ali avtomatsko do uravnoteženja merilnega mostička. (ni = K.P ). Prednost tega načina je linearno proporcionalen odziv in tudi manjša poraba energije pri manjših pretokih. Temperaturna razlika neposredno vpliva na točnost merjenja, zato moramo skrbno načrtovati odjemnike in merilnik temperaturne razlike. Manjša poraba energije merilnika nas sili v snovanje izredno točnih merilnikov zelo malih temperaturnih razlik. 3. PRAKTIČNE IZKUŠNJE Na Kakulteti za strojništvo v Ljubljani v laboratoriju za motorje 7, notranjim izgorevanjem prof. Pavletiča že vrsto let uporabljajo merilnik masnega pretoka zraka, ki ga je razvil in izdelal mgr. Miran Zgonik po prej opisani entalpijski kontinuirni metodi. Za temperaturne odjemnike je uporabil matriko zaporedno vezanih termoelementov železo/ konstanta in električni grelec. Z mer jenjem elek-trične moči in razlike termoelektričnih napetosti je izračunaval masni pretok , ki je bil v primerjavi z zel o ločnim ionskim merilnikom enak. Merilnik masnoga pretoka je mo/iio uporabiti pri kontroli merjenja in merjenju prepustnosti ventilatorjev, v regulacijskih zankah motorjev z notranjim izgorevanjem, pri merjenju porabe toplote v toplovodnih omrežjih, regulaciji in kontroli klimatskih naprav in podobno. Ob raziskavah krmiljenih vžigalnih sistemov Otto motorjev smo naleteli na problem merjenja goriva in zraka v uplinjaču, da bi lahko prek teh informacij zagotavljali konstantno in optimalno razmerje zrak/gorivo. Izbrali smo entalpijsko kontinuirno metodo z raznimi rešitvami merilnikov in v sodelovanju z laboratorijem za motorje z notranjim izgorevanjem te tudi preizkusili. Preskušali smo merilnike na tankem in debelem filmu, kot tudi polprevodniške diode. Merilniki za vgradnjo na vozila morajo imeti malo lastno porabo, zato smo morali zmanjšati temperaturne razlike izpod 0,5°C in povečati zahtevnost elektronskega dela merilnika. 219 Dosegli smo predvidene rezultate merjenja, nikakor pa še nismo zadovoljni z izvedbami, ki bodo v prihodnosti grajeno na silici ju (odjemnik temperature, grelec, merilnik Al' in 1') za merjenje pretokov v ceveh manjših premerov, kjer se bomo lahko zadovoljili z odjemanjem temperature na segmentu preseka cevi. 2. MONOLITNI ODJEMNIK PRETOKA PLINA Z IZOLIRANIM MOSTIČEM Sestavljen je iz podlage z blazinicami za dovode. Povezave se iz podlage razširjajo skozi'luknjo v cevi, v kateri želimo meriti pretok in so naparjene na tanki silicijevi ploščici. Ob koncu to ploščice je mehansko pritrjena majhna odjemnikova tabletka (0,3 mm X 0,4 mm x 30 mm). SI. 2.1. Upor in diode so integrirane na odjemnikovi. tabletki. Delovanje odjemnika bazira na merjenju temperaturne tabletke, ki jo ustvarjamo z električnim segrevanjem integriranega upora in hlajenjem s pretokom plina. grelni upor pretok plina elektriški prevodnik azmica SI. 2.1. Odjemnik pretoka plina V novejšem času proizvajajo odjemnike pretoka z vgradnjo polyimidnega mostička med silicijevim nosilcem in odjemnikovo tabletko. Takšna gradnja prinaša naslednje prednosti: dobre mehanske lastnosti polyimida zagotavljajo nošenje odjemniške tabletke in njegova izredno slaba toplotna prevodnost zmanjšuje toplotne izgube pri prevajanju. Dobra termična izolacija in okstromno majhne razsezno.sti odjomni-kove tabletke povečujejo občutljivost odjemnika v ■širokem območju. Po standardnem procesu oblikovanja upora, diod in metalnih povezov, izoblikujemo še nosilec od jemal-nika, ki ga napravimo z jedkanjem silicija do tanko membrano /, zadnje .strnili rezini;. Si. '¿.'1. 220 t>) C) osnovna podlaga ,polyimid '"■"'h'............-t'' tabletka nosilec u'Viif.^ ir"-i tí mniirahifinnmiii^ii TwWif elektriški prevodnik ■Á.......::: atontan? SI. 2.2. Prerezi odjemnika med proizvodnjo Z zadnjim jedkanjem oblikujemo ločitev med nosilcem odjemnika in odjemnikom - si. 2.2.b. Ce želimo Čelno stran rezine prekrijemo s polyimidom in zapolnimo vse kanale in prostor pod štirimi metalnimi linijami mod tabletko odjemnika in nosilcem -si. 2.2.c. Končno oblikujemo odjemnik s polyimid-no povezavo med tabletko in nosilcem z jedkanjem ostanka polyimida ob uporabi standardne fotolito-grafije - si. 2.2.d. moč na strelnem 53 uporu (mY):J 3 10 13 20 23 SO 33 hitrost pretoka (m/sek* Odvisnost hitrosti pretoka in močjo na od jeinniškeni uporu je podana na si. 2.','■/, od jemniško tabletko o koiil ii )l i i-/iim i na 100 ( i/,iin.l 11-i npi t/i| i ir< ■ prHoli.i plina. il. 2.3. Moč na odjemniški tabletki kot funkcija hit.ro.sti pretoka M . Zgonik Avtomontaža, Ljubljana C. na Brdo 49 Mgr. S. Solar Iskra Avtoelektrika Nova Gorica 221 IKACIJA INDUKTIVNIH KOMPONENT J. Japelj, B. Miklavčič Induktivne komponente s feritnimi jedri so v televizijskem sprejemniku aplicirane predvsem v sprejemnem delu, v napajalnem delu in v horizontalni končni stoo-nji. V sprejemnem delu (tunerju) so aplicirane visokofrekvenčne dušilke malih dimenzij in induktivnosti. To so radialne in aksialne dušilke tipa DTA , DTR ter inkapsulira-ne dušilke, ki so predvidene za površinsko montažo (tip DC 03 04). Napajalni del in horizontalna končna stopnja. Za ta del televizijskega sprejemnika obstaja več različnih aplikacij, v katerih so aplicirane različne induktivne komponente. V aplikaciji A so aplicirane naslednje induktivne komponente: tokovno kompenzirana dušilka (vhodni filter) , napajalni transformator, dušilke za glajenje sekundarnih napetosti, krmilni transformator, visokonapetostni transformator ter korektorji linearnosti. a) Tokovno kompenzirane dušilke so navite na visoko-permeabilnih jedrih in so namenjene za odpravo radiolrekvenčnih motenj. Navite so na toroidnih in K—{odrih in ko izvedene v horizontalni (tip DTMK , TKE 19 in TRK 25) in v vertikalni (lip EDT) verziji. b) Napajalni transformator je vgrajen v stikalni pretvornik (SMPS) in omogoča galvansko ločitev od omrežja za vse napajalne napetosti, ki jih dobimo s tem pretvornikom. Transformatorji so narejeni z močnostnimi feriti ( jedra tipa li, EC, ETD). Povečini so ti transformatorji v zaliti verziji in z njimi dosežemo prebojno trdnost med primarjern in seknndarjem max. 6 kV. V razvoju pa je ne-zalit transformator, pri katerem dosežemo visoko prebojno trdnost, s prekatnim navijanjem. c) Dušilke za glajenje sekundarnih napetosti so narejene na feritnih palčkah. Odvisno od induktivnosti in maximalnega toka so dimenzije lahko od 0 4x8 do 0 20 40. Lahko so nezaščitene (tip DAM in DR M), oblite (tip DTA, DTR), ali zaščitene z bu-žirko (tip DAM (B)). d) Krmilne transformatorje uporabljajo za praženje močnostnih transformatorjev. Narejeni so na majhnih li in U jedrih (15 19, E 25, U 13, U 15) in so v ležeči in pokončni verziji. e) Visokonapetostni transformator uporabljajo za gene-riranje visoke napetosti (cca 8 kV). Narejeni so na večjih U jedrih (U 47, li 57) in imajo navitje im~ pregnirano s poliestrom. f) Korektorji linearnosti služijo za linearizacijo slike. Obstaja več variant in sicer: - dušilka z nastavljivo induktivnostjo (tip EKP) - dušilke s fiksno predmagnetizacijo (tip EKM 12, EKM 19) - dušilke z nastavljivo predmagnetizacijo (tip EKM 20, EKM 30, EKM 40) e Aplikacija A V aplikaciji I! je namesto visokonapetostnega transformatorja in potrojilca napetosti uporabljen samo en element. in sicer visokonapetostni transformator z integriranimi diodami (split transformator (g), vsi ostali elemen- 222 ti pa so enaki kot v aplikaciji A . Ta transformator je narejen z jedrom U 43. Navitje je zalito v ohišje, na katerega |o pritrjen dvojni |>otenciomoler, in sicer za fokusno napetost in napetost druge mrežice. V primeru, da v aplikaciji B združimo visokonapetostni transformator z integriranimi diodami in napajalnim transformatorjem, dosežemo še nadaljnjo racionalizacijo vezja. V tem primeru bi v napajalni in horizontalni končni stopnji potrebovali le tokovno kompenzirano du-šilko, krmilne transformatorje, kombinirani transformator z integriranimi diodami ter korektorje linearnosti (aplikacija D). Kombinirani transformator z integriranimi diodami (i) ima dve ločeni navitji s tem, da je visokonapetostno navitje z diodami zalito v ohišje. Aplikacija B Naslednji korak v razvoju predstavlja združitev napajalnega in visokonapetostnega transformatorja, kombinirani transformator (h) (tip TRU 57), s čimer se nekoliko zmanjša število komponent in velikost tiskanega vezja v televiziji (aplikacija C). Transformator je izdelan z jedrom U 57 in ima na vsakem kraku po eno navitje . 22W~ h 8,3k\'r +300V Aplikacija C Aplikacija D J. Japelj - B. Miklavčič Iskra lilementi-Keriti Stegne 19 Ljubljana 223 ELEKTROLUMINISCENTNI PRIKAZALNIKI Sejjad Salam UVOD Pojav elektroluminiscence je poznan več kot pol stoletja in v raznih obdobjih v preteklosti je bilo narejenih več poskusov, da bi jo pripeljali do uporabne faze. Z napredkom znanja polprevodniške tehnologije , kjer so potrebni izredno čisti materiali in pogoji dela, postaja EL v 80. letih že praktično uporabna. V razvitih državah se je začela intenzivno ukvarjati z RR delom vrsta znanih firm in institucij v drugi polovici 70. leta tako, da danes EL prikazalnike že maloserijsko proizvajajo pri naslednjih firmah: Sharp (Japonska), Lohja (Finska), Sigmatron in Planar System (ZDA), Phosphor Products (Anglija), Thomson (Francija) in nekateri drugi. EL štejejo za sorazmerno nov vir svetlobe, ki je drugačna kot z žarilno nitko, ali fluorescenca in jo uvrščajo kot "hladni" vir svetlobe, ker je njihova delovna temperatura blizu ambientne, oz. okoliške. Zaradi te in vrste drugih ugodnih lastnosti bodo lil. prikazalniki zelo konkurenčni LED (Light Emitting diode) , LCIJ (Liquet! Crystal Displays), VF (vakuum Fluorescent) in celo katodnim cevem. Aplikativni inženirji po svetu že razširjajo možnosti za uporabo EL v vojaške in civilne namene in trenutno največ RR dela posvečajo razvoju in proizvodnji EL ploščatih panelov za visoko stopnjo informacije (eno in večbarvne). EL prikazalniki in svetlobna telesa so v debeloplast-ni (P : powder) in tanlcoplastni (F : thin film) tehniki, lei so krmiljeni z enosmernimi (DC : direct current), ali z izmeničnimi (AC : alternating current) napetostmi, ki so v razredu od 50 Vef do 240 Vef, frekvenca od 50 Hz do 5 kHz in enosmerne napetosti od 60 V do 200 V. Zaradi potrebne visoke napetosti za krmiljenje, EL izdelki zahtevajo svojevrstno elektroniko, ki pa mora biti kompatibilna z nizkimi napetostmi, potrebnimi za napajanje vezja s TTL, CMOS, VLSI in drugimi elementi. ZGRADBA OSNOVNE EL CELICE Po definiciji je lih emisija svetlobe, ki se pojavi pri vzbujanju fosforescenčnega materiala z izmeničnim, ali enosmernim električnim poljem. Osnovna EL celica je narejena tako, da je med dvema prevodnima površinama, kjer je ena prozorna in skozi katero prodira EL svetloba, stisnjen fosforescenčni material , oz. z drugimi besedami luminofor. Barva EL svetlobe je odvisna od mejnih dodatkov, ki so dodani osnovnemu materialu ZnS v luminiforju. Delovanje EL celice na enostaven način je pojasnjen kot sledi. Elektroni so v nekem površinskem stanju, oz. pasti v heteromejnem področju lumi-nifor in dielektrik. Visoko električna poljska jakost vpliva na te elektrone tako, da se ti vrinejo v prevodnem pasu luminiforja ZnS : Mn, kjer so pospešeni pod vplivom električnega polja (10^ V/cm). Nekaj od teh visoko energetskih elektronov se zadene v Mn elektrone in jih vzbuja. Ko se ti Mn elektroni vrnejo v prvotno nižjo raven energije, oddajajo značilno rumeno svetlobo. Ob koncu so prevodni elektroni ujeti nazaj v pasteh na drugih straneh heteromejnem področju ZnS : Mn. zadnja elektroda dielektrik luminif or dielektrik prozorna elektroda ITO steklen substrat Slika 1. Shematski diagram strukture ACTFEI, matričnega prikazalnika 224 TEHNIČNE K A KA KTKRTSTIKK EL prikazalnike in svetlobna telesa imajo naslednje splošne karakteristike, katere se razlikujejo v odvisnosti od posameznih vrst zgradbe in tehnike zgradbe (ACTF , DCTF , ACP in DCP). 1. Ploščata in tanka oblika (nekaj milimetrov) 2. Zelo širok vidni tok (do 170°) 3. "mehka", oz. hladna karakteristika oddane svetlobe, ki ni utrujajoča za oči 4. enako mer nost oddane svetlobe 5. zelo svetle znake 6. možnost več barv 7. nekatere izvedbe vidne tudi v direktni sončni svetlobi 8. imajo oster prehod krivulje svetilnosti-nape-to.sti 9. neobčutljiv na vibracije in pospeške 10. delovno temperaturno območje je od -55°C do + 120°C (za samo zgradbo EL celice) 11. idealno delovanje v vesolju in na visokih višinah 12. enostavno rnultipleksno delovanje 13. zadostna življenska doba 14. krmilna napetost je od 50 V do 200 V, kar je odvisno od vrste zgradbe 15. nima nenadne prekinitve delovanja, ampak svetloba počasi pojema PREDNOST UPORABE Zaradi vrste dobrih lastnosti ICL izdelki prodirajo na področje uporabe, kjer sodo sedaj dominirale druge vrste prikazalnikov in tudi v tista področja, kjer še ni bilo ugodnih rešitev. Lastnosti, ki najbolj prodorno prispevajo k njeni uporabi, so naslednje: 1. ploščata in tanka oblika z majhno težo, s tem pa tudi enostavna montaža 2. ostri robovi, jasne oblike in zelo dobra vidljivost znakov 3. majhna poraba energije 4. možnosti naštetih oblik in velikosti znakov 5. enostavna nastavljivost svetilnosti in zelo dobro rnultipleksno krmiljenje UPORABNOST Koriščenje E1, svetlobe za različne izdelke raste dobesedno iz leta v leto. Najbolj močno financira ameriška vojska za uporabo (in razširitev te uporabe) v vseh vejah njenih letalskih, pomorskih, kopenskih in vesoljskih silah (visoko kontrastni EL prikazalnik za kopensko vojsko - Forward Observer's Digital Message Device). Najbolj revolucionarna uporaba je pri Hewlett Packardu v njihovem integriranem osebnem računalniku (HP-tPC). Pred kratkim je tudi Cherry Electrical Product iz ZDA dal na tržišče 640 x 200 pixelni DC. EL prikazalnik vgrajen v osebni računalnik. Sharp je uspel vključiti svoj visoko informacijski ploščati panel v ameriškem vesoljskem programu Space Shuttle ter v krmiljenem sistemu za industrijske kontrolne naprave. Nekateri proizvajalci medicinskih analitskih aparatur že vgrajujejo Sftaj-pove EL PP in priznavajo njihove tehnične prednosti pred ostalimi vrstami PP. Planar System iz ZDA ponuja tržišču 256 x 512 pixelni EL PP, ki je kompatibilen z nekaterimi krmilniki za obstoječe; katodne; cevi za televizijo. Lohja iz Finske je pred kratkim sporočil javnosti, da ima razvit povsem integriran televizor z diagonalo 18 cm z F.L PP z lastnostmi kot so: stereo TV, teletekst, daljinsko upravljanje in možnosti sprejema v vseh današnjih TV standardih. Prodaja teh TV, kjer je zaslon debel 2 do 3 cm lahko nadomešča kjerkoli (obešen na zidu, postavljen na mizi itd.), je predvidena v letu 1988. EL svetlobna telesa so se že uveljavila v vojaških vozilih in tankih, podmornicah, letalih, helikopter jih itd. , medtem ko se v merilni tehniki že pogosto uporabi jn jo kol svetila za IX'D prikazalnike . Možnosti uporabe so še vedno velike predvsem v profesionalni elektroniki za civilne namene, kjer je prodor sicer počasnejši, vendar z večanjem uporabe procesorske, oz. računalniške tehnike v industriji, prometu in drugod, bo uporaba EL izdelkov skokovito naraščala. Primerjava karakteristik z drugimi prikazalniki. Navedene so nekatere glavne karakteristike prikazal-nikov, ki so se tržno uveljavili v svetu. 225 l^Ml a) debeloplastni Slika 2. Svetilnost EL svetila v odvisnosti od vzbujevalne napetosti Bodoči koraki razvoja: problemi, ki jih trenutno raz-vojniki po tehnološko razvitih državah skušajo rešiti, oz. izboljšati so: - zmanjšanje visoke napetosti potrebne za EL, - zmanjšanje cene krmilne elektronike za velike panele, - izboljšanje izkoristka za druge barve kot za osnovne ei, snovi, - zmanjšanje porabe energije za velike panele - razvoj večbarvnih prikazalnikov, oz. panelov, - izboljšanje, oz. podaljšanje ži vljenske dobe, - razvoj velikih panelov. Vpodh. svelbba Slika 3. Kontrastno razmerje v odnosu zunanje vpadle svetlobe za različne vrste prikazalnikov ZAKLJUČEK EL prikazalniki imajo najboljše pogoje, da osvojijo, izpodrinejo s tržišča nekatere druge vrste prika-zalnikov. Ta tendenca je najbolj prisotna za pri-kazalnike, oz. panele za srednje do veliko bitno informacijo. Ameriško tržišče se najbolj zanima zanje in industrija ter vojska izdatno financirata razvoj teh vrst prikazalnikov, vendar tudi evropske in japonske firme ne zaostajajo in so močno angažirane pri razvoju in osvajanju teh prikazalnikov. 226 PRIMERJALNA TABELA LASTNOSTI POSAMEZNIH PRIKAZALNIKOV 1 elektrolurni-; niscenčni(ELD i vakuumsko fluorescenčni (VFD) elektro-matski (EKD) plazma (GDD) svetleče diode (LED) tekočI kristali katodna cev (CRT) napajalna napetost (V) j ! 125 do 200 j 24 2 90 do 250 2 3 nekaj KV poraba (mW) na številko V?. rum višine | 40 100. 5 50 140 0,005 2 do 3 W temperatura delovanja (° C) | j-55 do +125 i -10 do +55 1 0 do 60 oranžna zelena -55 do +85 -15 do +60 -40 do ffi1. bai-vnost. ¡rumena, zelema, možne vse i . .. zelena, modra, mož. vse modra , rdeča, zelena, rumena siva,mož ostale vse barve vidni kot ■ i odličen )- -——..... dober dober dober slab slab odličen svetilnost -kontr. ! zelo dobro kontrastno ;razmerje l dobra vid- , zelo dobro nost na som- kontrastno cu 1 razmerje dobra vidnos na sonc slaba t vidnost u na socu zelo .dobro dobro kontrast. rn! i 11 i p i r- k s i r ian j e j zelo dobro zelo dobro zelo dobro zelo j dobro i možno zelo dobro gostota informac i j !majhna do i velike majhna do srednje majhna majhna do vel. majhna majhna do vel. majhna do velike zakasnitev v delovanju (S) ■ 1 us i 50 jug 200 ms (10 do 20) ps 100 ns 100 ms 20 /is nenadna prekini -tev delovanja ob koncu živij.dobe ! ne možna da da da ne ne klimatsko stab. dobra dobra dobra dobra dobra slaba dobra mehanska stabi i. dobra s laba dobra dobra dobra dobra dobra krm 1 jeri je t ozko dobro dobro težko dobro težko ležko x i. v doba (je 1 ov . ( dobra, odvisno od vrste dobra slaba dobra slaba dobra dobra 3 k i a d. i. G cen j a dobra dobra slaba dobra dobra slaba dob r-a svoboda obli kovan. j dobra 1 dobra slaba dobra nemogoč dobra dobra površina : od male i do velike od male do srednje od male do velike od male do vel. od male do sred od male do vel • ( od male do vel. majhna (do približno 10.000 pixel) srednja (do približno 100.000 pixel) vel i ka i od 100.000 navzgor) STANJE V NASI TOZD Ma področju KI, so se nekateri od naših znanstvenikov (pokojni dr. E. Kansky) ukvarjali že pred mnogimi leti in se štejejo med pionirje, vendar zaradi tehnoloških, tehničnih, nečistih materialov, kratke življenske dobe in drugih razlogov se zadeva ni mogla razvijati naprej. Na pobudo naše TOZD se je zadeva zopet vživela in v sodelovanju z Inštitutom za elektroniko in vakuumsko tehniko imamo zastavljene dolgoročne načrte. S tem inštitutom razvijamo AOPKI, in IJCPEL prikazalnike, oz. ploskve. Dolgoročno ¡o zastavljen razvoj AGTKKl, matrični pri-kazalnik. 227 Osnovne raziskave debeloplastnih elektroluminis-centnih prikazalnikov za našo TOZD so bile narejene sredi leta 1983 na IEVT Ljubljana, rezultat katerih je bil funkcijski vzorec A C ELD, katerega smo razstavili na sejmu elektronike istega leta. Z začetkom leta 1984 se je začelo RR delo skupaj z IEVT, Ljubljana, pri tem so bili naši razvijalci nameščeni kar na IEVT. Rezultati RR dela, ki jo trajalo od začetka 1984., so bili: - izdelava prototipov 7 1/2 in 4 1/2 mestnega 7 seg-mentnega DCPEL - izdelava prototipov ACPEL svetlobnih panelov (ELP) treh različnih dimenzij za osvetljevanje LCD, - funkcijski vzorci TFEL matričnih prikazalnikov. Zaradi strateške pomembnosti teh izdelkov v razvitem svetu nam ni dostopna tehnološka oprema in znanje, zato smo z lastnim znanjem in sredstvi razvili določene postopke za pripravo materialov in nanos le-teh na domače steklene substrate. Del opreme za nekatere postopke je plod domačega znanja v TOZD in za naslednjo fazo pilotne proizvodnje, ki bo na pretežno razvojni opremi, imamo večino opreme v izdelavi, oz. že dobavljeno. Pilotna proizvodnja debeloplastnih ELD in ELP je predvidena v letu 1988 in v tem letu je tudi predvideno trženje teh izdelkov. Sejjad Salam, ing. Iskra Avtoelektrika Nova Gorica TOZD Tovarna žarnic, .\jubljana, Stegne 15 c LITERATURA : 1. P.W. Ranby, D.W. Smith: Elektroluminiscent panel devices', IEE Proc. vol. 127, April 1980, p. 196 - 201. 2. K.L. Hess: Picking the best display: An easy-to-follow guide, Electronic Design, August 1982, p. 139-146. 3. G.H. Hunt: Airborne electronic displays; IEE proc. vol. 128, May 1981, p. 225-243. 4. A. Vecht: Developement in electroluminiscent panels J. of crystal growth 59 (1982) p. 81-97. 228 STROJ ZA NAPAREVANJE HMDS Matjaž Novak 1. UVOD V proizvodnji integriranih vezij je jedkanje slojev pomembna operacija. V Iskri Mikroelektroniki večji del jedkanj izvajamo mokro, v jedkalnih kopelih. Kot zaščita sloja, ki ga jedkamo, na določenih mestih služi tanek sloj fotorezista. Ključna lastnost fo-torezista je med mokrim jedkanjem dober oprijem na sloj pod njim, saj izguba adliezi je pomeni skoraj praviloma uničeno šaržo silicijevih rezin. Navadno se za izboljšanje oprijema fotorezista uporablja nanos promotorja adhezije, ki je povečini iz skupine organosilicijevih spojin LU • Najpogosteje uporabljena snov je t.im. HMDS (heksametil - disili-zan). Metod nanosa HMDS na Si-rezine pred nanosom fotorezista je več, priznano najuspešnejša pa je metoda depozicije par, oz. hlapov HMDS na rezine pri povišani temperaturi. To je pri uvedbi pozitivnega fotorezista tudi edina uspešna metoda. Stara metoda, to je pršenje raztopine HMDS na rezine tik pred nanosom fotorezista in pozneje modificirana z dodatnim osvetljevanjem z UV svetlobo, ki smo jo v IMR uporabljali, je povzročala vrsto problemov na fotolitogrnfski liniji, zato smo se odločili, da jo nadomestimo z uspešnejšo metodo. Zaradi visoke cene ekvivalentnih naprav svetovnih proizvajalcev smo sklenili izdelati stroj za depozicijo par HMDS sami. 2. OI'IS STROJA Glede na dejstvo, da je HMDS precej neprijetna snov, saj jo vnetljiva, v zmesi z zrakom so pare eksplozivne, je močno reaktivna, predvsem z vodo burno reagira in zelo strupena, mora stroj za nanos par HMDS poleg normalnih procesnih zahtev ustrezati še števil -nim varnostnim predpisom. Pogoji, ki jim mora med drugim zadostiti, so naslednji: - konstrukcijski materiali, ki pridejo v stik s parami HMIJS so lahko nerjaveče jeklo in teflon - onemogočen mora biti vsak stik HMDS z zrakom,kisikom ali vodo - možnost nekontroliranega uhajanja par HMDS mora biti onemogočena v vsakršnem možnem primeru - v primeru okvare stroja, izpada električne energije, vakuuma, N , itd., IIMDS ne srne uhajati iz stroja - proces nanosa par HMDS in katerakoli sekvenca tega procesa mora biti izvedljiva tudi ročno - avtomatski postopek nanosa par HMDS mora biti izveden tako, da se faza nanosa HMDS lahko izvede šele, ko so izpolnjeni določeni pogoji - stroj mora biti združljiv s čistimi prostori, t.j. med delovan jem ne sme generirati delcev prahu - zmogljivost stroja mora biti enaka,ali večja ocl zmogljivosti fotolitografske linije, na kateri se uporablja. Stroj je bil z izjemo nekaterih delov, predvsem instrumentov, izdelan doma, za skoraj trikrat nižjo ceno. /.unanji izgled napravo kaže slika 1. 229 3. REZULTATI 3.1. Vzdrževanje stroja je minimalno, saj v teku e-nega leta, kar je bil postavljen na proizvodno linijo, ni bilo resnejših okvar. Efektivni čas delovanja ("uptime") je precej večji od pričakovanih 95 %. 3.2. Odpadel je, kot nepotreben, postopek dehidra-tacijskega pečenja rezin. S tem smo se izognili občasnemu lomu rezin v tem stroju in hkrati zmanjšali toplotno obremenitev klimatskega sistema. Zmogljivost stroja za nanos fotorezista se je povečala za skoraj 100 ker je odpadlo pršenje raztopine HMDS, 3.3. Dovoljeni stojni čas med sušenjem rezin in nanosom fotorezista se je podaljšal od 60 min na polnih 10 ur, kar omogoča, brez izgube adhezi-je, takojšen zagon proizvodnje na začetku jutranje izmene. 3.4. izognili smo se številnim problemom, povezanim s pršenjem 10 % raztopino IIMDS. Kontaminacija rezin z delci tesnil, razpadanje absolutnih filtrov, nestabilnost razlopirio IIMDS, kaplice raztopine na sloju fotorezista, itd. so bili pred tem redno prisotni. Ker se pare HMDS v toku N^ filtrirajo pred reakcijsko komoro, kontaminacije rezin ni več opaziti. 3.5. Poraba HMDS je precej manjša, kot pri pršenju raztopine, je pa večja od pričakovane. 3.6. Najpomembnejši so seveda rezultati izboljšanja adhezije fotorezista. Pri tem je treba poudariti, da se različni sloji tudi različno obnašajo. 3.6.1. Termično raščen debeli Si02 je s stališča mokrega jedkanja zelo problematičen, saj jedkanje traja do 25 min. Rezultati, prikazani na sliki 2 in sliki 3 kažejo, da se je malenkostno zmanjšalo spodjedkavanje, precej pa se je izboljšala enakomernost kritičnih dimenzij U2j. Ni se še zgodilo, da bi med jedkanjem tega sloja prišlo do oslabitve adhezije in posledičnega uničenja rezin. Pred uvedbo te meto- de smo imeli priložnost opaziti tudi take primere. Tanki sloji termično raščenega Si02 niso problematični . ■Slika ?: Spod jedkavan.ie pri UV-metodi Ln metodi par rlMDS Spodjedkavanje iS. j 3.6.2. 1'osfosilikatna stekla s 4 % in 8 '¡»fosforja (VPX in PVX oksidi) so v primerih, ko rezine s takimi sloji dlje čakajo na nadaljnjo obdelavo, lahko problematična. Zelo lahko pride do izgube oprijema, jedkalo prodira po fazni meji med slojema fotorezista in stekla, sloj fotorezista se dvigne, s tem pa je omogočeno jedkanje sloja na področjih, kjer tega nočemo. Zaključki, do katerih smo prišli E 3 □ , so rahlo preseneti jivi. Depozicija par IIMDS nam v pri- 230 merjavi s kuhanjem rezin v zmesi Hg^®2 poslabša adhezijo (slika 4). Domnevamo, da pride do reakcije fosforne kisline na površini sloja s HMDS, nastali produkti pa poslabšajo adhezijo. Za razliko pa kuhanje rezin v 120°C domnevno ekstrahira površinsko prisotno fosforno kislino, na preostali skelet SiO^ pa se fotorezist dobro prime. SI ikri S: rtiihe'.'.i ja fof.oi Slika 'I: Adhezija I'otorczista na sloju PVX (8% 1') Sloj: PVX (8% ZWf- "ZIhmds 0.10 0.PO . . H?S0(|/H20? kuhanje pečenje FR: 135°C/30~ • vakuum, brez HMDS □ vakuum + HMDS -o.'io 80 100 Temporal.ura nanosa HMDS t.'1|:l * frroTOW rrr/.inc ::u bili,- obdelano na le v alio ju za nario:; HMDS, n i .so bilo. A »t- - A HMDS :'lo,i: Al ■ t-v P■/'(:/ "tO' • vakuum, brez MMDS 0 vakuu-i + HMDS 80 " " K Temperatura nanosa IIMPS L°c] Referenčne rezine so bile obdelane na emk t le v nt roju za u^nos IIMI-S niso bile. 4. ZAK.IJUC.liK Stroj za nanos par HMDS se je po vseh ekonomskih in proizvodnih kriterijih izkazal kot popoln uspeh. Ker gre pravzaprav za prototip, je enoletno, skoraj brezhibno delovanje še bolj presenetljivo. Brez vsakega dvoma je izboljšanje adhezije, predvsem pa zmanjšanje kontaminacije vplivalo tudi na zmanjšanje števila ponovnih obdelav iti uničenih rezin ter na povečanje izkoristka. V izdelavi je dodatna naprava, v primeru zanimanja ostalih proizvajalcev polprevodnikov za napravo je Iskra Mikroelektronika pripravljena napravo tudi tržiti. 5. LITERATURA 1 De Forest, W.S. in "Photoresist: Materials and Processes", pp. 220-227, Me Craw-Ilill, Inc., Now York, 1975 !. Novak M., Zbirka referatov Milil,'87, p. 429, Banja Luka, 1987 .6.3. Aluminij je naslednji sloj, kjer je adhezija fotorezista zelo pomembna. Jedkalo za aluminij namreč vsebuje HNO , ki napada tudi fotorezist. Rezultati kažejo, kar je presenetljivo (slika 5), da se spodjedkavanje zmanjša, linijo Al pa so zato širše, njihovi robovi pa manj nazobčani. 3 Cacovich B., Naloga za interno kvalifikacijo, Iskra Mikroelektronika, Ljubljana, 1987 Matjaž Novak, dipl. ing. Iskra Mikroelektronika Ljubljana SISTEMI ZA VISOKI IN ULTRAVISOKI VAKUUM IZDELANI V IEVT Bojan Jenko UVOD Na inštitutu za elektroniko in vakuumsko tehniko smo velikokrat za lastne potrebe, ali za potrebe naročnikov razvili in izdelali vakuumske elemente, ali naprave. Moderne tehnologije, posebno na področju elektronike in materialov so vse bolj neposredno ali posredno vezane na vakuumske tehnologi je. Razvili in izdelali smo več ultravisoko vakuumskih in visokovakuumskih sistemov, vakuumske merilnike, vakuumske črpalke in povezovalne elemente. KRATEK Q!'1S NEKATERIM SISTEMOV [N KOMPONENT IZDELANIH NA IEVT apeiccrometer na Augerjeve elektrone (AES) za površinsko analizo AES omogoča analizo sestave prvih nekaj monoatomarnih plasti površine. Zgradili smo spektrometer na Augerjeve elektrone, ki deluje v ultra visokem vakuumu do 10 * ^ mbar. Vakuumski sistem črpamo s kombinacijo dvostopenjske rotacijske črpalke (LIT Trivac D16A), turbomo -lekularne (LH Turbovac 220) in titanove sublimacijske (LH V-150) črpalke. Spektrometer na Augerjeve elektrone je vgrajen v vakuumsko komoro lastne konstrukcije iz nerjavnega jekla. Izdelana je tako, da omogoča analizo Augerjevih elektronov s cilindričnim zrcalnim analizatorjem, ionsko jedkanje vzorca, mehanski pomik vzorca in optično opazovanje z mikroskopom. Za kontrolo vakuuma sta vgrajena ionizacijski vakuumoter (1,11 IM r>IO) in kvadriipoini s|iekl ro rrieler (Leisk 1000 M). V komoro lahko vpuščamo različne pline. Trenutno jo vgrajen spektorneter na Augerjeve elektrone z ločljivostjo 30 m za točkovno analizo (PI-1I 11-500 A ) . Sistem je na IEVT namenjen predvsem za študij novega področja na situ raziskav površinskih pojavov na tekočih kovinah. Vakuumski sistem za izdelavo specialnih elektronk v ultravakuumu Izdelan je kovinski ultravakuumski sistem za tlake -10 do 10 mbar. Tesnjen je s kovinskimi tesnilkami in povezan s kovinskimi mehovi. Sistem črpa s paralelno priključenimi krio (LH RPK 500), ionskogeter-sko (I,H IZ 120) in turbomolekularno črpalko (LH Turbovac 150). S pravilnim režimom črpanja in pregrevanja sistema izkoristimo prednosti posameznih črpalk in dosežemo ultravisoki vakuum. Hitro izčrpavanje in detekcijo puščanja omogoča turbomolekularna črpalka, veliko črpalno hitrost 11^0 pare med pregrevanjem omogoča krio črpalka, z ionsko getrsko črpalko pa zagotavljamo U V vakuum brez sledi ogljikovodikov. Univerzalni visokovakuumski sistem Razvili in izdelali smo univerzalni kovinski visokovakuumski sistem za potrebe razvoja in manjše proizvodnje. Vakuumska posoda iz nerjavečega jekla je sestavljena iz zvona premera 50 cm in skodele s stranskim priključkom na črpalni sistem do premera 250 mm. Veliko število zlahka dostopnih odprtin na dnu skodele omogoča zelo fleksibilne konfiguracije dodatne opreme (za naprševanje, naparevanje iz ladjice, z elektronskim topom 3-4 kVV, z vrtljivo provod-nico za nosilec substratov, ter m ostat i rani grelci sub-straiov itd.). Vakuum merimo s kombini ranim Pirani-Penning merilnikom (IEVT PPV40). Zaenkrat so razviti trije črpalni agregati: z difuzi jsko, s krio in s turbomolekularno črpalko. Kazen uporabljenih črpalk so vse ostale komponente domače. S črpalko Varian - VK-12A -7 dosežemo v komori tlak 10 mbar v 20 minutah. Prvi sistemi so uporabljeni za laboratorijsko proizvodnjo toslornili zaslonov In elokl roiliihiuiisi eni i s i 11 kazalnikov. 232 Univerzalni visokovakuumski sistem VVS500 VISOKOVAKUUMSKA CRPALNA NAPRAVA ZA PRAKTIČNI POUK FIZIKE pripravo praktičnih vaj iz proflmotn Fizika merjenja v šolali s roc in jega us mor ¡onega izobraževanja smo razvili univerzalno visokovakuumsko napravo MULTIVAK, ki omogoča meritve raznih karakteristik črpalk, nizkih tlakov, puščanja vakuumskega sistema itd. Napravo lahko uporabi jamo za vakuumsko naparevanje tankih plasti kovin in zlitin, za prikaz degazacije, ionizacije v razredčenih plinih itd. Sistem je v celoti izdelan na IEVT. VISOKOVAKUUMSKI SISTKMt S SOUPCIJSK i M [ ČRPALKAMI Izdelali smo kovinski visokovakuumski sistem s sorp-cijskima črpalkama lastne izdelave, 'ia predčrpalko je uporabljena sorpcijska črpalka standardne izvedbe, za vzdrževanje vakuuma okoli 10 ° mbar pa je sorpcijska črpalka posebne konstrukcije. Dosežen visoki vakuum jo brez ogljikovodikov. Črpalki hladimo s tekočim du- šikom. Opisani sistem, ki je brez mehanske predčrpal-ke, uporabljamo za meritve karakteristik občutljivih specialnih elektronskih sestavnih delov,, VAKUUMSKI MERILNIKI Izdelujemo: - ionizacijski merilnik z Bayard-Alpert triodo za meritve tlakov v področju visokega in ultravisokega vakuuma (IV-8), - pirani merilnik z vgrajeno merilno glavo za meritve 3-2 v področju 10 do 10 mbar. (l'V-0), 3 - pirani-1'enning vakuumeter za področje od 10 do 10 ^ mbar. Ima dve temperaturno stabilizirani Pirani merilni glavi in eno Penning merilno glavo (l'PV-40). MERILNIK DEBELINE NAPARJENE PLASTI Pripravljamo mikrotehtnico za merjenje debeline na-parjene plasti. Mikroračunalnik preračunava spremembo merjene frekvence piczokristala v debelino plasti. Vakuumska komora z vgrajenima ladjicama za naparevanje, vrtljivim prevodom, zaslonko, termočleni in merilnimi glavami vakuumetrov ROTACIJSKE ČRPALKE Enostopenjski rotacijski črpalki (IV2 in IV10) , ki ju izdelujemo, sta opremljeni z ventilom za dodajanje zraka. Uporabljata se za evakuacijo zraka in drugih nekorozivnih plinov ali kot. vakuumski prodčrpnlki. 233 OLJNIC DIFUZI1 SKli ČRPALKE Oljni difuzijski črpalki ODI' 150, ODI" 600 uporab- -3 ljamo za črpanje v področju visokega vakuuma 10 -7 do 10 mbar. MINIATURNI! IONSKO-GETRSKE ČRPALKE Kot pomožne črpalke s črpalno hitrostjo 0,1 l/s smo razvili miniaturne ionsko-getrske črpalke. -5 Namenjene so za vzdrzevanje vakuuma med 10 in _9 10 mbar za manjše volumne (n.pr. specialne elektronke pred finalizacijo). Ohišje črpalk je iz nerjav- nega jekla, katodne površine so iz titana, priključki ti so 1/4 , bakreni. IONSKO -G ETRS K A ČRPALKA Razvijamo lastno diodno ionsko getrsko črpalko z napajalnikom in z zmogljivostjo 120 l/s. SORPCIJSKE PLASTI Za preprečevanje povratnega toka oljnih par iz pred-črpalk v predvakuumski del sistema smo izdelali ne-r javna ohišja polnjena z zeoliti. Pasti s K P 40 priključki so namen jene za montažo na predčrpalko kapacitete 40 m'/h. VAKUUMSKI VENTILI Razvili smo in izdelujemo elektromagnetni ventil EMVO 3 za področje grobega vakuuma, kotne in ravne ročne ventile KV-10-25, 32 s priključki S25 in S32, vakuumski dozirni igelni ventil DV1 10 in dvosmerni ročni vakuumski ventil V2-27. Razvijamo še nekaj novih tipov ventilov. VAKUUMSKI VEZNI ELEMENTI Mag. Bojan Jenko Inštitut za elektroniko in vakuumsko tehniko Teslova 30 Ljubljana Vakuumske vezne člene s spojnimi prirobnicami S10, S16 , S20, S25 , S32 in S40 uporabljamo za povezavo raznih vakuumskih elementov v sisteme. Izdelujemo T, 1, 1-, X člene, gibke cevi, slepe prirobnice, obroča-ste vakuumske spojke (LF), 1'neurop vakuumske spojke (KF). SKLEP Dolgoletne izkušnje IEVT z vakuumski tehnologijami (n.pr. različne tankoplastne tehnologije) ter izdelani vakuumski elementi in sistemi, so osnova za nadaljnji razvoj tega področja. Z ustanavljanjem inženiringa bomo lahko industriji ponudili kompleksnejše rešitve z vakuumskega področja, kot do sedaj. 234 XXIII. JUGOSLOVANSKI SIMPOZIJ O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH Milan Slokan Tokratni SD'87 je MIDEM organiziralo s soorganizatorjem in sponzorjem SOZD Gorenje v Topolšici pri Titovem Velenju od 9. - 11. septembra 1987. Prireditev je bila dobro obiskana (okoli ir>() udeležencev). Letošnji tematski težišči sta bili: uporaba elektronskih sestavnih delov v sistemih ter materiali in tehnologiji?. Način dela na simpoziju je bil podoben kot lani na Otočcu: manjše število vabljenih referatov in organizacija poster sekcij. Letos smo povabili 11 uglednih domačih in tujih (Italija, ČSSR) strokovnjakov, ki so s svojimi referati podali uvod v posamezne sekcije. Ostala dela (74) so bila predstavljena kot posterji. Ugotavljamo, da je tak način dela omogočil udeležencem, v direktnem razgovoru z referentom , bogato in neposredno izmenjavo mišljenj, informacij in izkušenj, kar je tudi eden izmed osnovnih namenov simpozija. Zaradi omejenega prostora obravnavamo v tem prispevku le vabljene referate, posterje pa zaradi velikega števila del le navajamo na koncu z naslovi in avtorji. Takoj po uvodnih besedah in podelitvi priznanj za MIDiiiM in za simpozij SI) zaslužnim organizacijam (tokrat jo prejel priznanje Inštitut Jožef Štefan iz Ljubljane in posameznikom Boris Navinšek, Momčilo M. Ristič in Stanislav Šolar) sla v prvem vabljenem referatu iz Gorenja DO Procesna oprema C. Ik-zlaj in S. Blatnik obravnavala elektroniko široke potrošnje; in njen vpliv na razvoj mikroelektronskih vezij. Taka proizvodnja je pomemben segment jugoslovanske elektroindustrije, ki se uveljavlja tudi (tak je primer Gorenja) na evropskem in svetovnem trgu. Avtorja sta ugotovila, da pri nas še ni prišlo do zadostne povezave med proizvajalci elektronike široke potrošnje in proizvajalci mikroelektronskih komponent. Analizirala sta trende uporabe mikroelektronskih vezij v pralnih, kuhalnih in hladilnozamrzovalnih aparatih ter v TV aparatih ter ugotovila, da proizvodne zmogljivosti, ambiciozni programi in velik trg domače industrije širokopolrošnih aparatov dajejo dobro zasnovo za povezavo med industrijo široki; potrošnje in proizvajalci mikroelekt ronskih vezi j. J. Cimperman iz TOZD Tiskana vezja v Iskri Telematiki Kranj je prikazal na eni strani tehnološki in ekonomski razvoj proizvodnje tiskanih vezij v svetu, na drugi strani pa vpliv sodobnih tendenc, predvsem tehnologije površinske montaže (SMT), oz. ustreznih sestavnih delov na izvedbo tiskanih vezij. Obdelal je vpliv SM tehnologije na oblikovanje in izdelavo plošč tiskanega vezja, pri čemer so gostote elementov vse večje, širine vezi in razmaki pa vse manjši. Temu ustrezno se zaostrujejo zahteve in kakovost osnovnih materialov, tehnoloških postopkov, uporabljene opreme in ne nazadnje tudi ustreznih klimatiziranih in nizkoprašnih delovnih prostorov. Zelo zanimivo pregledno predavanje je podala M. Pru-denziati iz oddelka za fiziko univerze v Modeni (Italija) o debeloplastnih senzorjih. Prikazala je pregled pretvorbe fizikalnih in kemijskih veličin v električne signale z debeloplastnimi senzorji, saj le-ti lahko pretvarjajo toplotno, mehansko, kemijsko, svetlobno in magnetno energijo v električno . Iz konkretnih primerov so bile razvidne strukturi* senzorjev, električne lastnosti in uporabne možnosti. V referatu je dala tudi pregled sedanjega stanja in bodočega razvoja debeloplastnih senzorjev ter pomembnejše proizvajalce (Bosch, NGK Japonska, Thomson-CSF, Ford Motor, Kavliko, Philips , General Motors , Marelli, Fiat Trattori). Franc .lan iz tovarne HI POT v iskri Elementi je temeljito obdelal aktualno in interesantno temo študija zanesljivo- 235 sti spajkalnih spojev v tehnologiji površinske montaže. Predstavil je osnovno fizikalne lastnosti Sn/Pb spajk ler mehanizme odpovedi, do katerih pride pri temperaturnih in močnostnih spremembah spajkalnih spojev med čip komponento in substratom. Opisal je tudi analitični model zanesljivosti, ki omogoča parametrično analizo geometrijskih parametrov načrtovanja in izvajanje pospešenih preskusov za ocenjevanje zanesljivosti. A. Jereb je namesto odsotnega I. Klemenčiča iz Iskre-Centra za elektrooptiko prikazal osnove telekomunikacijskih zvez po svetlobnem vodniku, obravnaval sama optična vlakna in njihovo konstrukcijo, oz. tehnologijo izdelave ter nazadnje še merilne metode za opredelitev njihovih lastnosti. S. Muždeka (s soavtorico Z. Muždeka) je prikazal logistiko v raziskavah in razvoju sodobnih elektronskih sistemov. Podrobno je obdelal vpliv in tehnično-ekonomske učinke pravilnega logističnega planiranja, pri čemer gre z ogromne materialne, finančne in človeške resurse. S konkretnimi podatki je med drugim tudi ilustriral primer vpliva zanesljivosti in vzdrževalnosti elektronskih sistemov na ekonomsko učinkovitost. Čeprav je logistika v svetu močno uveljavliena, jo pri nas ob nezadostni kakovosti gospodar jonja še zelo malo uporabi jamo. Avtor, pionir toga področja v Jugoslaviji, je s predavan jem podal zelo koristno informacijo. M. Seliger - Razvojni inštitut Iskre Avtomatike - je govoril o bolj specifični, a vendar pomembni temi: o uporabi mehkomagnetnih materialov v električnih filtrih. Celotno področje teh filtrov je izredno široko, tako po frekvenčnem območju, po moči in po uporabi in se je z razvojem močnostne elektronike, telekomunikacij in merilno tehniko /olo povečalo. Avtor se jo posebej dotaknil feromngnofiiih materialov, nelinearnih dtisilk in raznih specialnih ultraizolacijskih in feroresonančnih transformatorjev kot električnih filtrov. Področje zmanjševanja motenj in nelinearnega popačenja v nizkofrek-venčnem področju je še vedno precej neraziskano, tako glede zahtev dušenja motenj, kot ustreznih rešitev. T. Kala (ob soavtorjih O. Štefan in K. Douškova ) z Inštituta za elekt ro tehnično keramiko VOKIŠ v Hradcu Kralovem (CSSR ) jo prikazal obsežen in interesanten pregled sedanjega in bodočega razvoja keramike za e-lektroniko in elektrotehniko. Avtor je podal v pregledni tabeli sliko o materialih, njihovih lastnostih ter uporabi. Posebej je obdelal tako imenovano sodobno keramiko, katere svetovna proizvodnja bo od leta 1984 do leta 2000 narasla skoraj za desetkrat na 50 milijard USg. Poleg tehničnih smo torej v referatu dobili tudi zanimive tržne podatke o sodobni keramiki v ZDA , na Japonskem in v ICvropi. M. Čopič (ob soavtorjih B. Mihajlovič, M. Zgonik, M. Horvat in S. Bernik) z Inštituta Jožef Stefan v b j ubijanj jo predstavil zelo aktualno področje visokotom-peraturnih superprevodnikov, ki so prav v letošnjem letu doživeli tako buren razvoj z uvedbo keramičnih materialov. Tudi v Jugoslaviji (IFS Zagreb in IJS Ljubljana) so sintetizirali in raziskovali nove keramične super-prevodne materiale , ki delujejo že pri 90 K, delo pa bodo še nadaljevali. Na prošnjo programskega odbora sta M. Vesely in R. Harman z oddelka za mikroelektroniko na Slovaški tehnični univerzi v Bratislavi pripravila predavanje o SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy) v elektroniki, kar je ena izmed najbolj zmo/iiih analitskih tehnik. l'o opisu zgodovinskega razvoja, fizikalnih osnov in lehniko dela ter rno'/nosli SIMS (občutljivost, ločljivost, površinska analiza, globinska analiza, instrumentacija in kvantifikacija je M. Vesely posebej obdelal uporabo SIMS analiz v mikroelektroniki. Ta metoda je izredno uporabna za vodenje vseh tehnoloških operacij v proizvodnji: difuziji, implantaciji, CVD, naprševanju, epitaksiji z molekularnim snopom, metalizaciji itd. M. Koscova z Inštituta Jožef Stefan v Ljubljani jo v odsotnosti soavtorja I), (šolarja v referatu obravnavala področje keramičnih senzorjev. Po pregledu značilnosti teh senzorjev se je posebej ustavila pri senzorjih kisika, plinov in vlage ter prikazala razmere rabe keramike za senzorje, pri čemer je predstavila pregled lastnosti, materialov in aplikacij. Opisala je tudi rezultate dela, opravljenega na tem področju na IJS: ZrO keramika za kisikov senzor, PTC upori, varistor-ji, keramični senzor ji vlage , termoluminescenčni do-zimetri in piezokeramični senzorji. PREGLED REFERATOV PRIKAZANIH KOT POSTERJI NA POSVETOVANJU SD '87 Pavle Tepina M. Seliger, Iskra Industrija za avtomatiko, Ljubljana TOROIDNI TRANSFORMATORJI ZA UPORABO V RAČUNALNIKIH J. Nastran, V. Ambrožič, Fakulteta za elektrotehniko Ljubljana PREREZANA TRAČNA JEDRA V MERILNIKU ENOSMERNIH TOKOV J. Japelj, B. Miklavčič, Iskra Elementi - Feriti Ljubljana APLIKACIJA INDUKTIVNIH KOMPONENT V TELEVIZIJSKI TEHNIKI M. Trlep, B. Hribernik, A. Hamler, TF - Tehniški inštitut, Maribor RAČUNALNIŠKO PROJEKTIRA NJE (CAD) ELEKTROMAGNETNIH NAPRAV - PROGRA MSKI PAKET "POLJE" L. Marš, L. Sibinoski, V. 1'antovič, Ei RO IRI, "BETA", Zemun ELEKTROPREVODNI PREMAZI NA BAZI GRAFITA ZA ZAŠTITU OD ELEKTROMAGNETNOG ZRAČENJA Š. Kuzma, J. Novak, Iskra Avtomatika Ljubljana LINEARNI IN ROTACIJSKI MERILNI DAJALNIKI KOT ELEMENTI A VTOMATIZACIJE L. Koller, M. Jenko, IEVT, Ljubljana N ET ESN OSTI PRI IIERMET1C NO INKAPSULIRANIH SESTAVNIH DELIH ZA PROFESIONALNO ELEKTRONIKO M. Murko-Jezovšek, F. Brecelj, A. Pregelj, IEVT Ljubljann ONESNAŽUJOČI PLINI V HERMETICNIII KONTANT-NIKTH iN NJIHOV VPLIV NA KVALITETO KONTAKT-NIKOV L. Pešič, Institut "Mihajlo Pupin", Beograd L. Sibionski, Ei RO IRI, "BETA", Zemun AKCELEROMETAR SA ELASTIČNIM POLIMEROM UMESTO MEHANIČKE OPRUGE M. Santo, Iskra IEZE, TOZD HIPOT, Šentjernej A. Divjak , Iskra Avtomatika, Ljubljana DISKRETNO NASTAVLJIV AKTIVNI NIZKOPRE-PUSTNI FILTER S FDNR O. Vidosavljevic, L. Trpkovič, A. Baloš, Ei IRI, Zemun JEDAN NEREK UR/. IV NI DIGITALNI FILTAR ZA DETEKCIJU TELEGRAFSKOG SIGNALA REALIZOVAN U DEBELOSLOJNOJ TEHNOLOGIJI B. Stojanovič, VTI Beograd, Dj. Konjevic, 1BMI ,Kotor J. Pirš, M. Kosec, Institut Jožef Štefan, Ljubljana KORELACTJA VREMENA REGENERACIJI; EO PREKLOPNIKA I VREMENA OPORAVKA OKA D. Petkovič, Ei Mikroelektronika, Niš UTICAJ DELIMIČNE KOMPENZACIJE PRIMEŠA U POLY Si GEJTU NA NEKE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA D. Cirič, Ei Mikroelektronika, Niš PROBLEMI NA FOTOLITOGRAFIJI Z BOG LOSE RAVNOSTI PLOČICA S. Djordjevič, Z. Pavlovic, Ei Mikroelektronika, Niš TEM PERATIJRSK A ZAVISNOST STRUJNOG POJAČA-NJA TRANZISTORA SNAGE D. Dimeski, N. Petreski, B. Samakoski, A. Ribaroski TERMIČKA ANALIZA ELEKTRONSKIH KOMPONENATA L. Mladenovič, Ei Mikroelektronika, Niš PRIMENA H O BELTRON U PROIZVODNJI CMOS INTI5GRISANxn KOLA M. Gojo, M. Petrinec, J. Vukovič, M. Turčec, RIZ TPV, Zagreb GALVANSKO ZLATO U MONTAŽI TRANZISTORA 237 M. Tasevski, B„ Orel, KI Boris Kidrič, Ljubljana D. Gracin, I Rudjer Boškovič, Zagreb FT-TR SPEKTROMETRIČNO DOLOČEVANJE KONCENTRACIJE VODIKA V MAGNETRONSKO NAPRŠE-VANIOM AMORFNEM SILICIJU A. Medic, IM P DO Ogrevanje vodovod, Ljubljana PRIPRAVA ULTRA ČISTE VODE V MIKROELEKTRO-NIKI I. Polanc, U. Lenič, M . Kramberger , Iskra Elementi-Polprevodniki Trbovlje KINETIK A PROCESOV PRI SINTRANJU OHMSKIH KONTAKTOV IZ BREZTOKOVNEGA NIKLJA NA SILICIJU M. Kramberger, Iskra TOZD Polprevodniki, Trbovlje G. Bratina, Iskra Center za elektrooptiko, Ljubljana RAZISKAVA ELEKTRIČNO DESTRUKTIVNIH KRISTALNIH DEFEKTOV V Si DIODAH R. Ramovič, Elektrotehnički fakultet, Beograd ZAGREVANJE POLUPROVODNIČKOG ČIPA SA JEDNIM I VIŠE TOPLOTNIH IZVORA li. Jelenkovič, lii Mikroelektronika , Niš UTICAJ PLAZMA ČIŠČENJA NA STABILNOST NMOS TRA NZISTORA S.B. Radovanov, B. Tomčik, B.M. Jelenkovič, N.I. Uzelac, Lj. Petrovič, Institut za fiziku, Univerzitet,Beograd UTICAJ NEKIH PARA META RA RF PRA ŽNJENJA U SF IAr NA BRZINU NAGRIZANJA Si 6 J. Al-Hasani, Univerzitet Bagdad, Iraq, PET, Ljubljana THEORETICAL STUDIES OF LIFETIME IN AMOR-PHUS SILICON Z. Ikonič, D. Tjapkin, S. Pajevič, Elektrotehnički fakultet, V. Milanovič, Viša tehnička PTT škola, Beograd ANALIZA UNUTARZONSKIH PRELAZA U GaAs- A1 Ga As KVANTNOJ JAMI x 1 —x D. Ročak, Institut Jožef Stefan, Univerza, Ljubljana J. Praček, IEVT, Ljubljana J. Vrček, F. Jan, Iskra IEZE, HIPOT, Šentjernej MERITEV OSTANKOV NEČISTOČ PO ČIŠČENJU HIBRIDNIH VEZIJ ZA PROFESIONALNO ELEKTRONIKO J. Potočar, Iskra IEZE, TOZD HIPOT, Šentjernej M,. Ilrovat, Inštitut Jožef Stefan, Ljubljana DEBELOPLASTNI CHIP UPORI OZKIH TOLERANC R. Malojčič, M. Ratkovič, J. Radja, RIZ RO TP, Zagreb ISPITIVANJE TERMO-MEI1A NIČKIH SVOJSTAVA EPOKSTDA DOMAČIH I STRAND! ZA ZATVARANJE POLI J VOI )JČK IU KOMPONENATA R. Kužel, E. Koprivova, FMP Charles University, Praga M. Hrovat, Institut Jožef Stefan, Univerza, Ljublj J. Broukal, SGR Institute, Hradec Kralove, ČSSR NEW MATERIALS FOR THICK FILM RESISTORS M. Hrovat , Institut Jožef Stefan, Ljubljana F. Jan, Iskra IEZE, TOZD HIPOT, Šentjernej J. Ivanšek, Iskra Mikroelektronika, Ljubljana PREISKAVE DEBELOPLASTNIH MATERIALOV ZA VEČPLASTNA HIBRIDNA VEZJA M. Zgonik, Avtomontaža, TOZD TGN, Ljubljana M. Hrovat, S. Maček, IJS, Univerza, Ljubljana VZDOLŽNI MERILNIK TOPLOTNEGA FLUKSA Z DEBELOPLASTNIMI SENZORJI R. Kuzol, K. Koprivova, FMP Charles Univ., Praga M. Hrovat, Institut Jozef Stefan, Ljubljana J. Broukal, SGR Institute, Hradec Kralove, Praga, CSSR THICK FILM TEMPERATURE SENSORS S. Beseničar, M. Drofenik, I, Jenko, Institut Jožef Štefan, Univerza, Ljubljana B. Šuštaršič, M. Limpel, Iskra IEZE - FERITI, Ljubljana VISOKO KOERCITIVNI Sr HEKSA FERITI M. Limpel, Iskra Elementi - Feriti, Ljubljana Mn-Zn FERITI ZA IMPULZNE NAPETOSTNE PRETVORNIKE J. Holc, D. Kolar, Institut Jožef Štefan, Ljubljana Zr02 KERAMIKA ZA KfSIKOV SENZOR G . Dražič , M . Trontelj, Institut Jožef Štefan, Univerza, Ljubljana PRIPRAVA IN LASTNOSTI KERAMIČNIH SENZORJEV VLAGE NA OSNOVI MgCr C) J 2 4 M. Kosec, M. Polak, Institut Jožef Štefan, Ljubljana PRIPRAVA PIROELEKTRIČNE KERAMIKE NA OSNOVI Pb Ge 0 o 3 11 238 M. Dvoršek, Iskra Elementi - Keramika, Ljubljana M. Kosec, Institut Jožef Štefan, Univerza, Ljubljana SINTEZA 1>/,T KER A MIK 10 IZ DOMAČIH SUROVIN A. Češnovar, Iskra Elementi - Feriti, Ljubljana PTC TERMISTORJI ZA DEMAGNETIZACIJO T V EKRANA D . Kicevic , Institut Boris Kidrič , Beograd IZRADA AL20 SUPSTRATA LIVENJEM TANKIH TRAKA (.P. Arsentijeva, R. Novakovič, Lj. Vuličevič, V. Petrovič, M.M. Ristič, SANU, Beograd UTICAJ PRITISKA PRESOVANJA NA KINETIKU RASTA ZRNA TOKOM SINTEROVANJA PRAHA NIKLA E. Per rnan? S. Jeric, N. Perdih9 D. Rozman ^ IEVT, Ljubljana PREISKAVA ENAKOMERNOSTI SESTAVE IN STRUKTURE DOMAČEGA Hq Cd Te DOBLJENEGA PO METODI CRA 1 —x x J. Kolesničenko, R. Kužel, P. H6schl, FMP, Charles University, Praga, CSSR INFLUENCE OF MAGNETIC FIELD ON HALL COEF1CI- ENT OF Hg Cd Te al-x x A. Valčič, Tehnološko-metalurški fakultet, Beograd S. Nikolič, T. Valčič, Institut za fiziku, Beograd RAST KRISTALA PO METODI CZOCHRALSKI TEČNOM INKA 1'SULA CI.IOM (LI5C ) V. Pejovič, D. Vukovič, Ei Institut BETA , Zemun UTICAJ ORGANSKIH DODATAKA NA MORFOLOGIJU METALNIH PRAHOVA U PROCESU HEMIJSKE REDUKCIJE R. Polovina, S. Stanojevič, N. Lekovič, M. Tomič Ei - Istraživačko razvojni institut, Zemun UTICAJ ZA GRB VANJA NA PONAŠANJE PALADIJUM PRAHA D. Lj. Mirjanič, Z. Rajilič, Tehnološki fakultet, Banja Luka, B.S. Tošič, J. Šetrajčič, Institut za fiziku, Novi Sad ENERGETSKI SPEKTAR FEROELEKTRIKA P. Kostič, B. Cvetic, M.M. Ristič, SANU Odbor za fizičku hemiju, Beograd PROIJČA VA NJ I'', TERMOELEKTRIČNE KON VERZIJE KOD BaTiO A. Banovec, M. Kern, K. Požun, IEVT, Ljubljana TANKOPLASTNI SENZOR RELATIVNE VLAGE C. Jovalekič, M.M. Ristič, Ce itar za multidis-ciplinarne studijo Univerziteta u Beogradu ODRED J1 VANJ E EEROELKKTR1C Ni I [ OSOIHNA BaTi03 METODOM HISTEREZISNE PETLJE M. Knoll, Iskra Elementi, TOZD Upori, Šentjernej NAPRAVA ZA NA PA REVA NJE PROZORNIH IN ELEKTRIČNO PREVODNIH TANKIH PLASTI ZA PRIKAZAL-NIKE NA TEKOČE KRISTALE M. Kern ? -A . Banovec, K. Požun9 IFCVf , Ljubljana RAZISKAVE TANKIH NAPARJENIH PIEZOUPOROVNIH PLASTI CdS B. Navinšek, P. Panjan, M. Peternel, Institut Jožef Štefan, Ljubljana M. Halas, Iskra TOZD Upori, Šentjernej NA PRŠE V A NJE NiCr TA N KOPLASTNIH UPOROV IN UPOROVNIH VEZIJ NA RAVNE SUBSTRATE P. Panjan, B. Navinšek, A. Žabkar, Institut Jožef Štefan, Ljubljana REAKTIVNO NAPRŠEVANJE KOVINSKIH OKSIDOV Z. Sitar, A. Švajger, Iskra Center za elektro-optiko, Ljubljana ELEKTRIČNE IN OPTIČNE LASTNOSTI NAPRŠENIH ITO PLASTI A . Sva jger , Z . Sitar , A . Rožaj-Brvar , G . Bra-tina, J. Lindav, Iskra Center za elektrooptiko, Ljubljana OPTIČNE IN MEHANSKE LASTNOSTI TiO PLASTI A. Kandušer, B. Lavrenčič, Institut Jožef Štefan, Ljubljana FORMIRANJE ELEKTROD NA ZELO TANKIH KRISTALNIH REZINAH M. Gaberšček, D. Murgelj, J. Jamnik, S. Pe-jovnik, Institut Boris Kidrič, Ljubljana RAZGRADNJA PASIVNEGA FILMA NA ANODI V LITIJEVIH BATERIJAH M. Jakič, T. Gornik, T. Ogrin, Iskra /.maj, Ljubljana S. Pejovnik, Kemijski institut Boris Kidrič, Ljubljana KATODE ZA Li/SOCl BATERIJE Na pr edvečer pričetka simpozija je imelo Strokovno društvo MiDEM svojo redno letno skupščino, kjer so člani dobili pregled nad opravljenim delom in načrti društva za prihodnje leto. Zadnji dan je bil v okviru simpozija SD'87 Forum na temo: Šolanje kadrov za elektronske materiale v Jugoslaviji, o čemer poroča poseben prispevek. mag. Milan Slokan MIDEM, Ljubljana, Titova 50 239 FORUM: ŠKOLOVANJE KADROVA ZA ELEKTRONSKE MATERIJALE U JUGOSLAVIJI V. M. Kevorkijan Utisci i komentari U okviru SD-87 (XXIII. jugoslovenskog simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima) održan je 11.09.1987 u Topolščlci kraj Titovog Velenja Forum: "Skolovanje kadrova za elektronske materijale u Jugoslaviji". U radu Foruma učestvo-valo je do 60 predstavnika industrije, univerziteta i instituta. Moderat.or rasprave bio je akademik prof. MornčiloM. Ristič. Forum o školovanju kadrova za elektronske materijale u Jugoslaviji je bio logičan nastavak ranijih akcija za materijale (konstituirane unutar našeg društva MfDF.M) ko je su uglavnom bile usmerene na substituciji! uvoznih elektronskih komponenat.a i materijala domačim. Tema odr/.anog 1'oruma je izuzetno aktualna -elektronski materijali su osnova svakog budučeg razvoja i te činjenice su u razvijenim zemljama apso-lutno svesni. Svaka nova tehnološka revolucija zah-tevače nove materijale. Ali razvijeni svet je sves-tan i činjenice da je za razvoj novih materijala ne-ophodno raspolagati izuzetnim kadrovskim potenci-jalom - 111 drugači je rečeno nimljivo saznati šta su sve ti naučnici do sada dali in^ dustriji za sredstva koji su od nje dobili - to bi mogla bude tema jednog od narednih Foruma) . Medjutim, čak i kada bi u ovom trenutku raspolagali najboljom školom za nauku o materijalima naša industrija ne bi bila u stanju da stvorene kadrove uključi u svoju strukturu i upotrebi na pravi način. Za to po. stoji mnogo razloga ali bih ovde pomenuo samo dva: (1) nedovoljan stepen razvijenosti tehnološkog procesa (pomanjkanje znanja i opreme kao i nizak stepen standardizacije) i (2) proizvodnim procesom još uvek na mnogo mesta upravljaju tehničari i majstori što dovodi do zatvorenosti industrije za nove visoko obrazo-vane kadrove. Ode jo, onda, rešenje problema? Ako se osvrnemo na celokupnu diskusiju na Forumu kao i na činjenice konstantovane u ranijem tekstu stiče se utisak da početak rešavanja problema leži dobrim delom u rukama industrije. Neophodno je da industrija mnogo jasnije precizira kakvi stručnjaci sa područja nauke o materijalima su jo j stvarno potrebni itnajuči u vidu njen sadašnji nivo razvijenosti i njene realne planove za blizu budučnost. I ne samo to. U koliko želi da načini korak ka konkurentnost.i na merljunarodnom tržištu neophodno je da počne da se menja - da se otvara za znanje i da ga stimulira. Drugi deo rešenja problema je u rukama ljudi sa uni-verziteta i instituta. Ako su nam potrebni stručnjaci za elektronske (i ostale, nove) materijale moramo da imamo posebne škole i poseban profesorski kadar za njihovo stvaranje i osposebljavanje. Jasno je da te 242 škole moraju da budu, kao i svuda drugde po svetu, veoma adaptivne na potrebe industrije sa odgovaraju-c.im stručnim profilom i fleksibilne u svojim školskitn programima, ukoliko žele da ih industrija finansira. Razvijem svet poznaje više modela za oblikovanje tak-vih škola u sprezi sa industrijom. Ovde bih pomenuo samo jedan koji mi se čini posebno zanimljiv za manje razvijene zemlje - finansiranje u zajedničku opremu za školovanje i obučavanje kadrova. U 15 vropi, na primer, nije ništa neobično da konkurentne firme finansiraju u zajedničku opremu za školovanje kadrova, kao i u zajedničke školske i razvojne centre. Na kraju, mislim da bi jedna od važnih poruka Foruma mogla da glasi približno ovako: razvijeni svet jasno poznaje puteve rešavanja problema školovanja kadrova za elektronske i ostale, nove materijale, svestan da su ti materijali osnova svakog budučeg razvoja. Na nama je da sledimo te puteve, prilagodivši ih naravno našim uslovima, kao i da tražimo nova reše-nja povoljnija za manje razvijene zemlje. U protiv-nom, ostačemo to što jesmo. V. M. Kevorkijan Inštitut Jožef Štefan Ljubljana NOVI ČLANI DRUŠTVA MIDEM 565 Bastjanič Boris 558 Bjelotomič Duško 551 Čajkovski Dimitrije 557 Gorišek Alojz 554 Holc Janez 566 Horvat Miran 552 tvančič Vlastimir 559 Jurjevec Danijel 555 Kičevič Dušan 564 Lipoglavšek Cvetka 562 Polutnik Matevž 560 Rihnovski Borivoj 556 Sulek Drago 563 Todorovič Dragan 561 Unk Jože 553 Vidosavljevič Oliver Našel 16 = 551 Rade Končar ETI Patent IETPU Prirodno-matematički fakultet Iskra Mikroelektronika Institut Jožef Stefan SSC Ptuj ETI Rade Končar Privred.komora Jugoslavije Inst.za mater.-B.K. Vinča Iskra Mikroelektronika Iskra Tovarna polprevod. Rade Končar-Ind .elektron. Skupščina občine Velenje Institut bezbednosti Iskra Mikroelektronika Ei - IRI BETA 243 Emil Milan Pintar V svojem prispevku k vaši r azpravi bi rad opozoril predvsem na dejstvo, da je v sedemdesetih letih v evropskem prostoru pr išlo do naglega tehnološkega razvoja, ki ga nekateri strokovnjaki imenujejo "tretja tehnološka revolucija". Gre za sklop procesov, ki so ne le uveljavili nove produkcijske tehnologije in nove izdelke, temveč tudi nov tip organizacije - tako "razvoja" (torej razis-kovalno-razvojne dejavnosti na ravni podjetja) samega, kot tudi produkcije v celoti in zlasti modela upravljanja. Vse te spremembe so pomenile hitro spreminjanje pogojev gospodarjenja, ki so se jim morala na tak, ali drugačen način prilagoditi ne le vsa podjetja v teh deželah, temveč tudi podjetja, ki v evropski gospodarski prostor uvažajo ali iz njega izvažajo, oz. ki se vključujejo v mednarodno delitev dela na tem območju. Na žalost moramo ugotoviti, da Jugoslavija na te spremembe prepočasi reagira. Preobremenjena s politično razsežnost jo svojega obstoja In razvoja zamuja v sprožanju tistih pobud, ki bi nas usklajevale v kontekst mednarodnega dogajanja. V tem smislu se nismo uspeli organizirati, niti kot inovacijska (ustvarjajoča) družba, niti kot imitacijska (posnemajoča) dežela, temveč ostajamo ujeli v neprestano spreminjanje znotraj obstoječega - zar adi česar b i nam najbolj ustrezal izraz "poskakujoča" družba. Vsa sedemdeseta leta, še bolj pa to velja za to desetletje, so obdobje naraščajočega tehnološkega zaostajanja. Kolikor smo v U;m rasit UKpHi ohranjali razvojni ritem na tehnološkem področju, je to predvsem posledica razmeroma velikih vlaganj v nakup tuje, sodobne tehnološke opreme, ki pa smo jo zaradi socializacije naše družbe in upadajočega ritma znanja čedalje slabše izkoriščali in uporabljali. Pri tem to ne velja samo zaradi naraščajočega deleža opreme, instaliranega v neuspele investicije (Obrovac, Peni in še in še), tem- več tudi za opremo v delujočih podjetjih. Tudi tu znanje zaostaja in oprema se uporablja v čedalje manjšem obsegu. Kot poseben paradoks se zato kaže ugotovitev, da je naše tehnološko zaostajanje posledica zmanjšanega uvoza opreme. Jugoslavija je v uvoz opreme (glede na izvoz!) investirala bistveno več kot druge polrazvite dežele, le z bi stveno manjšimi rezultati, likonomske raziskave kažejo, da je pri nas razmerje razvojnih dejavnikov (kapital - znanje) ne le v obratnem sorazmerju (večji delež kapitala) temveč tudi v obratnem trendu (naraščajoči delež kapitala) kot v razvitih deželah. Ker se oba dejavnika, kapital in znanje, lahko uveljavljata le v kvalitetnem delu (izraz tega pa je organizacija, stopnja organiziranosti) je jasno, da rešitve ni moč iskati v večjem vlaganju v (tujo) opremo, ali raziskovalno dejavnost kot tako, temveč v zagotovitvi kvalitetnega dela. Izraz naše nekvalitete na tem področju je zelo pavšalno govorjenje o znanju in razvoju. l'oud.iijnmo pomen znanja - toda o tem govorimo abstraktno, v praksi pa zavestno izvajamo deprofesionalizacijo, na kateri se pase diletantizem, zlasti v upravljanju. Dokler reagiramo kot posamezniki in zasebniki, razmeroma dobro ločimo /.nanjo j« vrsti in speci,-iliznriji. Oe pripeljemo v Klinični center bolnega otroka, ne bi nikdar pristali, da nam ga operira računovodja. Hkrati pa to razločevanje vrste znanja popolnoma zataji, ko izbiramo ljudi v vodilne družbene vloge in funkcije, npr. v funkcijo direktorja. To kaže na uveljavljeno prakso, fin znanja, potrebna za poslovodne funkcije, v ii;r;em prostoru niso izoblikovana do nivoja stroke, temveč so, nasprotno, te funkcije "politizirane", torej vpete v političen, ne pa strokovni kontekst. Podrobnejša analiza vam pokaže, da bi morali ločeno obravnavati vsaj naslednje štiri segmente "razvoja": 244 Razvoj novih izdelkov, ki ga nosijo predvsem tehnični strokovnjaki (ponekod pa je potrebno intenzivno vključevanje zdravnikov, psihologov itd...) Razvoj novih procesnih tehnologij, pri katerih morajo hkrati s tehničnimi strokovnjaki sodelovati organizatorji - saj je uspešna proizvodnja v čedalje večjem obsegu organizacijski problem. Razvoj marketinga, ki je pri nas zaradi monopolnega položaja proizvajalcev nasproti kupcem v dosedanjem obdobju preveč zanemar jen. Razvoj tega drugega binoma (B-D) iz Marxovega tročlena (D-B-Dl) lahko vodijo predvsem organizatorji, ki pa imajo tudi ustrezno tehnološko izobrazbo. Razvoj sistema upravljanja (odločanja) v podjetju, ki mora ob naraščajoči demokratizaciji zagotavljati naraščajočo racionalnost, sicer prične upravljanje zajedati čas, namenjen (ustvarjalni) produkciji. Nosilci te aktivnosti so lahko samo ustrezni strokovnjaki (ekonomisti, sociologi itd.). Zahteva po profesionalnem pojmovanju znanja se nam torej kaže kot izhodišče za zagotovitev "kvalitetnega dela" v podjetju. In nasprotno - vsako odstopanje od teh principov vodi, tako v tehnološko zaostajanje v ožjem smislu,kot v dezorganizacijo posameznih sistemov ter v upravni ne-red, oz. razpad pravnega reda. Tudi ta dva elementa pa danes spadata v tehnološki kompleks v širšem smislu. Razločevanje posameznih vrst znanja se prične pri oblikovanju ustrezne poslovodne ekipe podjetja. Ker je ta praviloma sestavljena iz strokovnjakov tehničnih strok, ki zapuščajo svoje specifično področje, je treba v slehernem podjetju uveljaviti dvoje načel: prvič , da je treba tehničnim strokovnjakom, pred začetkom opravljanja poslovodnih funkcij, zagotoviti pridobitev ustrezne poslovodne izobraz- be (deloma to velja tudi obratno: družboslovnim strokovnjakom zagotoviti ustrezno razumevanje aktualnih tehnoloških kompleksov) in drugič, da je treba poslovodno strukturo stalno usposabljati v dveh smereh: v smeri medsebojne usklajenosti in v smeri povečevanja obsega,oz. učinkovitosti njihovega znanja. Prihajamo v obdobje, ki bo od poslovodnih struktur, podjetij in ustanov zahtevalo mnogo hitrejše in samostojnejše odzivanje na spr emenjene pogoje gospodarjenja. Te strukture ne morejo več čakati, da bodo partijski in državni organi dobili zadosti informacij o teh spremembah , jih ocenili in prekvalificirali v ustrezna navodila (sklepi, resolucije, plani itd...) po katerih naj bi se ravnale poslovodne strukture v naslednjem obdobju. Ti organi praviloma sploh nimajo ustreznega informacijskega sistema, ki bi te spremembe v okolju zagotavljali, posameznim intelektualnim analizam pa, kot kaže praksa, enostavno niso sposobni verjeti. Zato reagirajo šele na poslabšan položaj našega lastnega gospodar stva, in iz tega kriznega stanja v najboljšem primeru iščejo vzroke zanj. S stališča podjetja se torej čakanje na iniciative CK, ali IS kaže kot katastrofalno prepozno. Da bi podjetje lahko reagiralo pravočasno, mora izoblikovati lastno razvojno strategijo, znotraj katere pa zgraditi sistem spremljanja sprememb v okolju, da bi se lahko pravočasno in organizirano, torej učinkovito odzivalo nanje. Pomemben element te strategije pa je izobraževanje, upoštevajoč pri tem načelo specialnosti znanja in delitve dela, ki ju sodobna organizacija zahteva. Samo s prehodom od "sind ikalističnega" k "specialističnemu" izobraževanju lahko oblikujemo strokovne osnove za učinkovitejšo organiziranost podjetij v prihodnje. Emil Milan Pintar Republiški komite za raziskovalno dejavnost in tehnologijo Cankarjeva 5 Ljubljana 245 IZOBRAŽEVANJE ZA PODROČJE MATERIALOV V Z Bruno Stlgllc 1. Uvod Pri analizi organizacije in vsebine izobraževanja in raziskovanja v področju materialov v ZDA je mogoče najti nekatere značilnosti, ki so skupne vsem raziskovalnim in izobraževalnim institucijam v ZDA . Posebej pa bi želeli poudariti, da je izvajalcem in uporabnikom raziskav in izobraževanja skupno prepričanje, da je oboje med seboj neločljivo povezano in je v končnem cilju usmerjeno v pridobivanje znanja za uporabo v realnem okolju. V naslednjem poglavju bomo poskusili prikazati nekaj značilnosti na tem področju. 2. Organizacija in vsebina izobraževanja in raziskovanja Na splošno je izobraževanje in raziskovalno delo organizirano v ZDA v štirih sredinah: - na univerzah (učni programi in laboratoriji za izobraževanje v okviru rednega šolskega izobraževanja in dodatnega trajnega izobraževanja; raziskovalni centri so organizirani deloma za podporo izobraževalnemu programu, deloma pa za samostojne bazične raziskave), - v samostojnih raziskovalnih laboratorijih - centrih (večinoma so zrasli iz univerzitetnih laboratorijev), - v samostojnih izobraževalnih centrih (ki se vzdržujejo iz prispevkov udeležencev izobraževalnih kurzov) in - v raziskovalnih in izobraževalnih centrih večjih firm. Izvori financiranja raziskav so trojni: - National Science Foundation in fondi za bazične raziskave nekaterih drugih državnih in deželnih ustanov, - denar posameznih firm, ki naročajo raziskovalne projekte in - izkupiček iz prodaje rezultatov raziskav (licenčnine itd.) National Science Foundation podpira poleg izbranih raziskovalnih projektov v okviru posebnega programa MRL (Material Research Laboratoriy Program) 14 univerzitetnih laboratorijev v ZDA . Namen te podpore je zagotoviti začetno financiranje za odpiranje novih področij raziskav in izobraževanja na teh univerzah , ustanavljanje novih oddelkov za vede o materialih, skratka pospeševati razvoj šolanja in raziskovanj na področju materialov. Izobraževanje in raziskovanje sta med seboj tesno povezana in je prisotna specializacija po univerzah in raziskovalnih centrih. Tako se učni programi posameznih univerz razlikujejo med seboj prav tako kot se razlikujejo njihovi raziskovalni programi. Vsaka univerza izbere razmeroma ozko področje in ne poskuša obvladovati področja ved o materialih v celoti niti po posameznih podpodročjih. Zelo pogosto je področje materialov tesno naslonjeno na posamezno področje aplikacij (npr. v elektroniki), ki predstavlja težišče raziskav in šolanja na kateri od univerz. Primer STANFORD UNIVERSITY, CA School of Engineering - Dept. Materials Science and Engineering Izobraževalni program nudi znanja o relacijah med strukturo in lastnostmi materialov, o dejavnikih, ki krmilijo notranjo strukturo trdnih snovi in o procesih za spreminjanje strukture in lastnosti. Prostori tega oddelka zajemajo približno 3000 m2 površine laboratorijev, delovnih in učnih prostorov, opremljenih z ustrezno opremo za študijsko delo. Raziskovalno delo je mogoče v okviru programa raziskav v Institut for Surface and Microstructural Research, v katerega delu in financiranju participirajo Dept. of Chemical Eng., Dept. of Electrical Eng., Dept. of Materials Sc. and Eng. in Physical Sciences Branch of the NASA Ames Research Center. 246 Poleg tega je mogoče raziskovalno delo v interdisciplinarnem laboratoriju Center for Materials Research, v katerega delu participirajo vsi ostali Eng. Dept. of School of Engineering in Dept. of Physics, Chemistry and Applied Physics poleg National Science Foundation (eden od prej navedenih 14 univerzitetnih laboratorijev, ki jih podpira NSF je tudi ta Center). Poleg tega je na Univerzi tudi Integrated Electronics Laboratory, ki je namenjen izobraževanju in raziskavam mikroelektronskih tehnologij in mikroelektronskih vezij in v zvezi s tem tudi raziskavam mikroelektronskih tehnologij in mikroelektronskih vezij in v zvezi s tem tudi raziskavam za oblikovanje in preoblikovanje polpre-vodniških snovi za potrebo mlkroeloktr oni ko. l.ahornto-rij je skupaj z Univerzo ustanovil konzorcij 20 znanih firm (IBM, HP, INTEL, itd.), plačal izgradnjo in opremljanje, del sredstev (približno 30 %) pa je prispevala državna administracija iz proračuna v podporo primeru dobrega sodelovanja med potrošniki izobraževalnih in raziskovalnih rezultatov in univerzami. Od tega laboratorija si firme obetajo predvsem boljše izobraževanje študentov za prakso in raziskave predvsem s ciljem izobraževanja. Ker nas zanimajo predvsem materiali za uporabo v elektroniki ne bomo naštevali še podobnih laboratorijev za druge panoge tehnike in biotehnike, ki so tudi v okviru Univerze v Stanfordu. Podrobnejši program Dept. of Materials Science and Engineering je priložen za informacijo. Ker je ta pregled po obsegu omejen, naštejmo na kratko le še nekatere druge univerze in kratko opišimo njihove izobraževalne in raziskovalne možnosti na področju ved o materialih: University of California BERKELEY College of Engineering - Dept. of Materials Science and Mineral Engineering. Ze naslov pove nekoliko drugačno usmeritev izobraževanja in raziskav, ki se izvajajo v okviru - Electronics Research Laboratory - Research Laboratory - Lawrence Berkeley Laboratory - Center for Advanced Materials - Materials and Molecular Research Division. San Jose State University School of Engineering - Dept. of Materials Engineering Ni posebej specializiran oddelek, čeprav je največja teža na polprevodniških materialih. Zato tudi niso posebej izpostavljene raziskovalne možnosti. S nnta C1 ara t Jnivers it.y School of Engineering - Dept. of Electrical Engineering Ima posebej prirejen program (vključno z obsežnim dopolnilnim izobraževanjem) na področju magnetnih materialov v povezavi z zapisovanjem, hranjenjem in branjem informacij z uporabo magnetnih materialov. Program nudi npr. tudi zelo podrobna znanja s področja uporabne in proizvodne tehnologije magnetnih glav za zapis in branje informacij do tehnologij za magnetne pomnilne medije. Podobno kot je na univerzah, je tudi v samostojnih laboratorijih in v laboratorijih posameznih firm zelo prisotna specializacija področij in podpodročij iz globalnega področja materialov. Večinoma so institucije za izobraževanje in raziskave locirane v okolju, kjer je občutna koncentracija uporabniških firm. To je naravna posledica potrebe in dejanske prakse, da se kadri pretakajo med industrijo in izobraževalnimi in raziskovalnimi centri. Na univerzah še posebej v dislociranem izobraževanju sodeluje s predavanji mnogo sodelavcev iz industrije. Prav tako delajo v laboratorijih na skupnih projektih mešani tea-mi iz industrije in univerz, oz. raziskovalnih centrov. Večina raziskav je v teh laboratorijih aplikativno usmerjena in usmerjena na uporabo rezultatov v konkretnih produktih industrije najdalje v 10 letih po raziskovalnem projektu, v povprečju pa 3 do 5 let po projektu. Za bolj dolgoročne raziskave večinoma ni financerjev razen nekaj največjih firm (IBM, DUPONT, GM, itd.). 247 3. ZAKLJUČEK Na kratko je mogoče povzeti, da je izobraževanje in raziskovanje v področju materialov porazdeljeno po velikem številu institucij. Usmerjeno je največ v uporabna znanja in tehnologije. Le sorazmerno zelo mahjen delček raziskav je usmerjen v pridobivanja bazičnih novih znanj, te raziskave pa imajo mnogokrat domicil v centrih za bazične raziskave v fiziki, kemiji, biokemiji itd. Univerze lahko uspešno (in finančno ter z opremo dobro podprto) raziskujejo in izobražujejo le z namensko podporo države in industrije in v okviru tesnega sodelovanja z industrijo. Zelo je prisotno pri planiranju raziskav razmišljanje o potrebni kritični masi raziskovalcev , denarja in opreme za posamezno področje in seveda razmišljanje o možni industrijski uporabi rezultatov raziskav. Pri načrtovanju in izvajanju izobraževanja je vidna zavest, da je potrebno dopolnilno izobraževanje vso aktivno dobo vsakega delavca ne glede na doseženo stopnjo formalne in neformalne izobrazbe. Tega se zavedajo tako na univerzah in drugih izobraževalnih institucijah kot tudi delavci v industriji in v drugih sredinah, državna u-prava prav tako kot tudi občinske uprave. Vsi se trudijo izobraževati in prispevajo vsak svoj delež tudi v denarju in naporu, nekateri zavestno za boljšo bodočnost, drugi pa zaradi dovolj dobro izvajanega pravila -vsakemu delavcu plačilo po rezultatih njegovega delovnega prispevka. Bruno Stiglic iskra Electronics, Inc. Santa Clara, CA 170 SCHOOL OF ENGINEERING GRADUATE PROGRAMS Graduate students can specialize in any of the areas of materials science and engineering. In collaboration with other departments of the University, additional special programs are available MASTER OF SCIENCE The University's basic requirements for the Master of Science degree are discussed in the "Degrees' section in this bulletin. The following are general departmental requirements: I Completion of the equivalent of the requirements for the B.S. degree in Materials Science and Engineering. Deficiencies in previous training should be made up. 2. Completion of 45 units of an approved program with a minimum grade average of B for course work The department offers a variety of programs of studv leading to the Master of Science degree. The majority of students take a general program in materials science, however, programs arc available that specialize in various technological areas of materials engineering. The requirements for the M.S. degree programs are itemized below. 1 Materials Science This program should be taken by those who wish to pursue a Ph.D. degree in Materials Science and Engineering. a) Ail courses in the 180 series {18 units) except for students who have had equivalent courses at other universities. b) A minimum of 12 units of advanced course work (beyond the 180 series) in the department (excluding the 202 laboratory series, attendance-only seminars and research and special problems). e) The entire 45-unit master's program should represent an integrated technical program. Approval of the program by the student's advisor is reviewed by the Advanced Degree Committee prior to admission to candidacy. (A minimum of6 units and not more than 12 units of course 290 (Special Problems) with a master's research report approved by two faculty members may be used to satisfy the requirements for the master s degree,) 2. Materials Engineering Additional programs may be designed for those students who wish to obtain a working knowledge of materials science and engineering applied to materials technology. These programs are terminal M.S. pn>, grams. A minimum of 24 units in materia^ science and engineering, including a mini, mum of 12 units of advanced course wotfe (beyond the 180 series and excluding the 20t laboratory series, attendance-only seminar», and research and special problems), ii r©. quired in a coherent program directed toward the educational goals of the student, approved by the student's advisor and th« Advanced Degree Committee. Course sequences listed below are illustrative and for the guidance of the student; program-oriented substitutions and changes are po$. sible with approval. MECHANICS OF MATERIALS Course \'o Subject Unitj M.S.&E. 185 Mechanical Behavior, of Solids 3 M.S.&E. 203 Mechanics of Materials 3 M.S.&E 205 Strength and Mkrostrwture 3 M.S.&E 23H. Fracture of Solids 3 M.S.&E. 249. Time dependent Plastkitv 3 Mcch. Engr 238A.B Theory of Elasticity 0 Mech. Engr. 200A.B. Math. Methods (or equivalent) 8 Elective: 18 Total . « ELECTRICAL, OPTICAL. AND MAGNETIC PROPERTIES OF MATERIALS Course Xo. Subject Unlit M S &E 188. Electrical, Optical. and Magnetic Propei-tir* of Materials 4 M.S.&E. 210 Semiconductor Materials Processing 3 M.S.&E. 215. Photovoltaic Solar Energy Conversion 3 M.S.&E. 222. Statistical Thermodynamics 3 Elec Engr. 322A.B. Quantum Mechanics 6 M.S.&E 2.13. Ouantum Theorv of Energy States in Solids 3 M.S.&E 234 Electronic Transport in Solids 3 M.S.&E 235. Photoelectronic Properties of Solids 3 Etec Engr 332. Optical Properties of Solids 3 Elective* W Total........................*> ENGINEER The University's basic requirements for the degree of Engineer are outlined in the "D*' grees" section in this bulletin. The following are departmental require* merits: I Completion of the substantial equivalent ^ the requirements for the Master of Sclet** degree in Materials Science and Engineer- 2. Completion of an acceptable thesis and units of approved advanced course wort, beyond the requirements of the Master Science degree. 3. A program of study should be submitted W the department for approval prior to the of the third quarter at Stanford. DOCTOR OF PHILOSOPHY The University 's basic requirements for the ph D- degree are outlined in the "Degrees" ¿action in this bulletin. The following are departmental requirement' 1 Complete the substantial equivalent of the requirements for the Master of Science degree in Materials Science and Engineering. 2 ¡pass a departmental oral qualifying examination one year after admission. 3 Graduate students working toward the Ph D. degree must submit a program of study to the department prior to the end of the student's third quarter at Stanford. The program should contain at least 72 course units beyond the B.S degree and should include the following: a) All courses in the 180 series or their equivalent. These must be taken on a letter grade basis. b'i Completion of 6 units of Materials Science and Engineering 202A. B, and C (Materials Science Laboratory), except for students who have had equivalent experience c) A minimum of 36 units of advanced course work which, when taken u.i h group, comprise a coherent and well-designed program fcading to proficiency in a certain are;i of materials science and engineering. These courses are to be taken for a letter grade and must inc lude a minimum of 21 units of graduate courses within the materials science and engineering department 4 Maintain a grade average of B for all course work taken as a graduate student at Stanford. 5 A candidate must present the results ofhis or her dissertation at a departmental seminar prior to his University oral examination. COURSES ^ The Microscopic World of Technology— 'Enroll in Engineering 5.1 introductory Science of Materials— 51 Materials Technology for Structural Appli-cation*—(Enroll in Engineering 51.) jj*- Materials Engineering of Microelectronic vice»—{Enroll in Engineering 52.) Undergraduate Special Problems — In- ^Pendent study in Materials Science under ^Pervision of a faculty member. * (o 3 units, any qttarter (Staff), by arrangement J®5- Extractive Process Metallurgy—{Enroll * APplied Earth Sciences 105.) MATERIALS SCIENCE 171 AND ENGINEERING 150. Atomic Arrangements in Solids—i For undergraduates, see 180 for description.) 5 um' storage in both small devices sq^ large systems, such as utility and solar system load levelling and vehicular applications Efeç. trochemical, chemical and thermal, mechao-icaJ, and magnetic energy storage systems. Cur. rent status and problem areas, fundamental limits, economic aspects, and potential pros, pects. Prerequisite. Engineering 50. 3 omis, Win (Huggins! MWF 1:15 205. Strength and Microstructure—Mechanical properties of solids as viewed b) the mater. iaJs scientist or ph> sical metallurgist Bask aspects of dislocation theory and the role of dislocations and other defects on mechanical behavior of solids. The elastic, anelastic, and plastic properties of solids, stressing the relation between the internal structure of solids and the corresponding YnccKanicai properties. Methods of hardening materials and mechanisms of hardening. Specific mechanical properties such as fracture, fatigue, Mid creep. Application of the concepts developed will be made to materials usehil in technology. The course is directed primarily toward non-mater-ials science majors. Prerequisite, upper division or graduate standing in Engineering or Science. 3 units, Aut (Sherby) MWF 6 206. Imperfections in Crystalline Solids—Relation of lattice defects to the physical properties of crystals. Introduction to point imperfections and their relation to transport properties in metallic, covalent, and ionic crystals. Introduction to the geometric and energetic aspects of dislocation theory. Relation between dislocation mechanics and the mechanical properties of crystals Structure and properties of interfaces. Prerequisites: 180, 185. 3 units, Aut (Nix) MWF 9 207. Metal Refiining end the Natvre of Liquid Metal»—(Enroll in Applied Earth ScienoeJ 207.) 208. Computer Techniques In Experimental Materials Science—Introduction to computer* and languages, communication between the computer, peripherals and instruments; dat> acquisition techniques: digital and analog control of experiments, and data analysis techniques. 3 units, Sum (Staff) by arrangement 209. Mathematical Methods in Materials Sd-encc—Mathematical methods useful in the study of materials science. Formulation em solution of heat conduction aid diffusion boundary value problems using separation » variables and related methods. Elemental complex variables, matrix and tensor anafy*^ with applications to problems ci interest $ materials »dentists. 3 units, Aut (Bûnxtl) MWF 11 2)0. Semiconductor Materials Processing--principles of the synthesis processing of elemental and compound semiconducting ft,alertais and techniques for characterizing jtrll0tura/ defects iri semiconductors Topic * jftflude thermodynamic and lunetic- considéra-{!on< in crystal growth from the liquid and l>\ chemical vapor deposition, structural character-,7jtion techniques such as scanning and transmission microscopy vray topographs photo luminescence and mass spectroscopy. and analytical techniques used to study failures m processing and in service Field trips will be nude to observe industrial processing operations Prerequisite Engineering 52 or Electrical Engineering 111 or equivalent. 3 unite. Win (Tilin ! MWF 11 gll. Semiconductor Silicon Technology — Tin- manufacture and properties of semiconductor silicon, including the following topics chemistry and synthesis of silicon, crystal powth, chemical and phvsicai vapor deposition. structure and characterization, dopinc defects, mechanical properties, and metallurgical properties 3 units. Sum (O'Mara) TTh 9-10.30 213. Structural Materials for Nuclear Power Systems— Fundamental material responses of the major load-bearing components of fission «nd fusion reactors to their thermal, irradiation, and chemical environments. Examples of components and design-limiting behavior: creep, welling, and stress-corrosion cracking of fuel element cladding, radiation embrittlcmenl ol pressure vessels: corrosion and stress-corrosion cracking of piping, hea! exchangers, and turbines. blistering and fatigue of fusion first wall fnateriwU Prerequisite. Familiarity with mechanical behavior of materials. 3 units, Win (Roberts) TTh ¡011:15 Î15. Photovoltaic Solar Energy Conversion— This course discusses the fundamental of solar «vils as well as pertinent disciplines including electronic properties of materials, semiconductor junction thcorv, and crystal and film powth The Si single crystal. AlGaAs/GaAs wterojunction, and Cu?S/CdS'thin film cells described in detail as examples of the basic ')"Pes of solar cells Prerequisites: 188 (may be ^current) and Electrical Engineering 112 or Suivaient or bv permission. 3 units, Spr (Fahrenbmch) TTh 2:30-3:45 Steels—Iron base alloys. Physical melal-™rg> of various classes of steels. Heat treatment 'J'd processing of steels. Properties of steels and applications. Prerequisite; 182. 3 units, Aut (Shyne) MWF 10 Statistical Thermodynamic »—Systematic ^elopment of the methods of statistical MATERIALS SCIENCE 173 AND ENGINEERING mechanics with application to problems in Materials Science Prerequisite. 181 3 units. Aut (She1 TTh 1.15-2.30 226. Electrochemistry and Corrosion—Des el-oprnent of electrochemical principles with application to corrosion, electrolytic processes, and galvanic cells Prerequisites elementary thermodynamics 3 unit*. Spr (Stevenson) TTh 10-11.15 plu% lab by arrangement 227. High Temperature Oxidation and Corrosion of Metals—Thermodynamics of the reactions nf metals and alloys with one and two oxidants Kinetic s of oxidation of pure metals and alloys with a single oxidant Degradation of metals and alloys in two oxidant environments including atmospheres containing oxygen and sulfur. Hot corrosion in gas turbines. Prerequisites. 181. 182 3 units. Win (Stringer) MWF 10 gk-en 1985-86 230. Materials Science Colloquium. 1 unit. Aut, Win. Spr (Nix. Stevenson, Tiller) F 3.30 232. Solid State Ionics—Structure of point defects in crystalline and noncrystalline solids. Defect equilibria and transport, influence of chemical and electrical potentials, interfaces, association Solid-state electrochemical transducer systems and effects, compositional and structural control. Various scientific an.s technological applications including sensors, batteries and fuel cells Prerequisites. Engineering 50 and Materials Science and Engineering 181 or equivelent 3 units, Spr (Huggins) MWF 1:15 233. Quantum Theory of Energ) States in Solids—Applications of wave mechanics and approximate methods of atomic systems, free electron model of metals, and energy bands in one and three dimensional crystals. Prerequisite. 188 or Electrical Engineering 322A 3 units, Spr (Bates) TTh 1:15-2:30 234. Electronic Transport in Solids—Time dependent wave mechanics and wave packets Electrical conductivity, mobility and scattering processes. Interpretation of the Boltzmann equation for galvanomagnetic, thermal, and thermoelectric processes in metals and semiconductors. Localized levels and Fermi level analysis of semiconductors. Prerequisite: 233or Electrical Engineering 322B. 3 units, Aut (Bube) MWF 2.15 235. Photoelectronic Propertiei of Solids— Selected topics in photoelectronic properties of 174 SCHOOL OF ENGINEERING solids, including photoconductivity, luminescence, photovoltaic effects, and methods of photoelectronic analysis of ordered and disordered materials. Prerequisite: 233 or Electrical Engineering 322B. 3 units, Spr (Bube) MWF 2:15 236. Modern Imaging Techniques in Materials Science—Currently important methods of directly examining the micros tructu re of materials are surveyed. The following topics are covered: optical microscopy, scanning electron microcscopy, field-ion microscopy, transmission electron microscopy, x-ray topography and scanning transmission electron microscopy. Emphasis is placed on the electron-optical techniques. Prerequisite: 180. 3 unifa, Win (Sine/air,) TTh 2:15-3:30 237. Mathematical Theory of Dislocations— Continuum elastic theory of dislocations including the interaction of dislocations with other sources of internal and external stress. Forcesori dislocations. Geometrical theory for the construction of dislocation fields using the representations of Lothe, Brown, Indenbom, and Orlov. Esheiby's transformation strain problem and inclusions treated as Somigliana dislocations. The boundary integral method and its relation to dislocation theory. Prerequisites-203, 206. 3 units, Win (Barnett) MWF 9 given 19S5-86 238. Fracture of Solids—The stress fields about elastic cracks developed from both a conventional elastic and a dislocational approach. Energ)' of deformation and the Griffith-Irwin brittle fracture criterion, and the extensions to incorporate small-scale plastic yielding. Fracture toughness testing. Microscopic mechanisms of crack nucieation and propagation, mechanisms of ductile fracture. Prerequisites: 185, 203 3 units, Spr (Nix) MWF 11 240. Kinetics of Mass Transport and Growth Processes in Solids—General treatment of reaction kinetics, with emphasis on mass transport and structural transformations. Prerequisites: 182 and Mathematics 131. 3 units, Spr (TilUr) MWF 10 243. Transmission Electron Microscopy—Image formation and interpretation is covered in detail. The contrast phenomena associated with perfect and imperfect crystals are discussed both from a physical point of view and from a formal treatment of electron diffraction theory. Ttw importance of electron diffraction to systematic analysis is emphasized and recent im»g- Ing developments are described. Prerequis^. 180. i 3 units, Win (Sinclair) TTh 2.15-3:30 given 198546 244. Failure Analyst»-—A study of technique and methods used in the analysis erf failures fa the field of materials science and engineering. Topics covered include optical and electroa fractography, localized chemical analysis, x-rny techniques, voltage contrast scanning electron microscopy, nondestructive testing methods, and selected case studies from the areas of mechanical properties and solid state electronics. 3 units, Spr (Miller) TTh 11, W 1.15-4 given 1985-86 247. Mechanisms of Fatigue — A study of the mechanisms of fatigue of metals. Topics include a phenomenological description of cyclic deformation and fatigue life rules, dislocation pro- cesses in cyclic deformation including persistent slip band formation, nucieation of rat^e cracks and stage I growth, continuum or stage fl crack growth, threshold effects and nigh temperature fatigue 3 units, Aut (Six) by arrangement given 1985-86 248. Photoelectronic Materials and Devices Laboratory—(Enroll in Electrical Engineering 330.) £46. Time-Dependent Plasticity—Theories and mechanisms of creep Temperature and strain rate effects on plastic flow ot solids. Relation of high temperature strength and ductility of materials to structure Prerequisite: 185 or 205 or Engineering 50 3 units, Spr (Sherby) TTh 1:15-2:30 250. Life Prediction In Engineering Structures — Modelling of deformation and fracture in metals and alloys, emphasizing methods for quantitative predicting failure of structural materials under complex histories and environments. Specific topics include the modelling ci creep and plastic deformation (constitutive equations), fatigue crack initiation and propagation, stress corrosion cracking, and auctil* rupture. Various types of life prediction methodologies are covered, ranging from conven-tional design rules to advanced physical-phe-nomenological computer models based on internal state variables. Prerequisite: 185 or 205. 3 units. Aut (Miller) TTh 10-11:15 253. Transmission Electron Microscopy Laboratory—Experimental application of electros microscopy to typical problems in material science, including specimen preparation, mtc roscope operation and alignment, record!«! and analysis of bright end dark field images ub& t&Sraetkm patterns, dislocation and stacks gjsjft characterization, precipitate identifica- R0*> 2-3 units, Aut. Win, Spr (Marshall) by arrangement jj7. Fatigue of Metal Structures—(Enroll in vjfchanical Engineering 245.) Optical Properties of Solids—(Enroll iri Electrical Engineering 332.) ¿59. Basic Quantum Mechanics—(Enroll in ploctrical Engineering 322A.) {60, Basic Quantum Mechanics—(Enroll in Electrical Engineering 322B.) ftl. Solution Thermodynamics and Phase Equilibria— Principles of phase equilibria, with application to binary and ternary systems. Relationships between phase diagrams, solution thermodynamics and thermochemistry. Practical applications of phase diagrams. 3 units, Win (Stewison) TTh 11:20-12.35 300. Research. any quarter (Staff) by arrangement 341. Seminar in Mechanical Properties of Solids. / unit, Aut (Nix) T 4 Win (Miller! Spr (Sherby) Ml. Seminar in Solid-State Electrochemistry. I unit, Aut. »'in. Spr (Hug&ins) Th 4.15 M3. Seminar in Photoelectronic Materials and Photovoltaic Cells. I unit. Aut, Win, Spr (Bube) Th 12:15 345. Seminar in Solid State Chemistry. I unit, Aut, Win, Spr fSfeceiUon) by arrangement J46. Seminar in Applications of Transmission Electron Microscopy. J unit. Aut, Win, Spr (Sinclair) by arrangement 249 STAFF TRAINING IN THE FIELD OF MATERIALS SCIENTES IN ITALY Giorgio Slokar Ladies and Gentlemen, dear Collegues, I was asked to illustrate how the argument of your Forum: "Staff training in the field of Materials Sciences" is managed in Italy. In my talk I shall at first briefly describe the Italian academic structure and orgnniv.nlion lor what it concerns the argument and then in the second part I will tell you how the Industry - the end user of the University laureate - operates in order to exploit the potentialities of the person holding his degree in Engineering. The Italian University is structured in Faculties that gives courses organized on annual basis, lectures being given I'rorn November to May. The students follow 5 - (> courses per academic year. Each course usually consists of 60 to 100 hours of lessons and exercises. The examinations are held in the so called summer and autumn sessions (June/July and September/October). The study of Engineering is structured in 5 years with 30 examinations . Since the industry demand for what concerns this Forum is almost exclusively directed to the laureates of the engineering schools, I shall illustrate in some detail the faculty study of engineering in Italy. We have in different towns and sites 19 Faculties wich graduate their students in 15 different Sections: Aeronautics, Chemistry, Civil Engineering (3 subsections: construction, hydraulics, transportation), Electrotechnic, Forestry, Mechanical, Mining, Naval, Nuclear Engineering, Territorial Planification, Industrial Technologies. Newly constituted and long awaited last year started in Trento as the first in Italy the section of Materials engineering. For what concerns the formation in the specific area of Materials Sciences let me say that in all the 10 Faculties where the Chemistry section exists the students have the possibility to select what we may call a specialization. Infact in the fifth year a series of courses related to materials science are given. The nature and character of this specialization is generally a results of tradition and competence of the site: thus, e.g., Milano Macromolecules and Metallurgy, Genova Ferrous Metallurgy, Bologna Ceramics, Napoli Rheology. The university curriculum of the student comes to end after having given all 30 oxarns with the preparation of what is named "thesis" and may be the collection of what is named "thesis" and may be the collection of data and their elaboration in a kind of project or is the results of a 6 - 12 months experimental work in a laboratory on a specific research argument "on line" at the laboratory. The work related to the thesis is conducted with the tutorship of a professor and is illustrated in a final examination after wich the laurate is given the title of Doctor Engineer in, say, Chemistry, Electronics, etc. Some statistical data may well give you an idea of the yield of the University teaching process: only about 30 % of the enrolled students succeed to come through and this figure does not take into account the number of years necessary to complete the theoretical 5 years. Finishing in 5 years is more an exception than the general rule. This output is more a results of a natural dropout of students than of a severe selectivity due insufficiency of the examination scsiss. At this point an explanation of the dropout is necessa- ry in order to let you understand why more than 2/3 of the student population fails to conclude a course of studies - Engineering - that in the present economic moment assures to the laureate the job. The origin of the unsuccessful progress at the university largely derives from the fact that the access to all Faculties in Italy is open: there is no admission examination and does not exist what is known as numerus clausus. Another reason of the difficulty to progress regularily (if at all) is due to the type of high school attended after the compulsor y 8 years (5 elementary + 3 medium school). A recent analysis made on all the student population of the largest Italian University (La Sapienza - Roma) - 150.000 students = 1/7 of all university students in Italy - gave evidence that 60 out of 100 abandon their studies, 10 change and 30 arrive to the "laurea". Other figures are more interesting: most all students which enroll with the gymnasium - type high school come-sooner or later - through the faculty study, whereas 8 out 8 out of 10 with a technical or commercial studies abandon the University. Let us now see the opportunities of the few that come through in a more or less regular way (5-7 years) and a good final score. Simplifying we may say that there are two principal outlets: the academic career and the employment in the Industry. The first step of the academic access is the research doctorate: this consists in three year research at the university institutes which are organized to give this degree. The final examination is bound to a national contest and a post at the university and consists of two written examinations, a discussion of the published papers related to the published papers related to the research work done plus a lecture of an argument related to the nature of the activity conducted at the affiliation laboratory. The owner of research doctorate begins his career by assisting in the lectures, conducts the exercises and continues his research. The successive steps are bound to national contests for the posts of associate professor and as final step the ordinariate. The other outlet which may be called industrial (or administrative) is often a continuation of an experience begun in one of the last years of study with a stage, at an industry or company. This contacts are operative above all in the privileged "industrial triangle" (TO-MI-GE) where many university institutes hold tight relations with the manufacturing industries. The cooperation are regulated by law (contracts, conventions) and are very fruitful to the universities both economically - the companies pay - and scientifically - the teachers and the students face themselves with the world of technology. For the specific area of interest of this Forum -the electronic industries - the situation may be at best illustrated by some numbers: the reguest is at present of 3000 electronic ang./year, but the available laureates amount to only 1500/year. The figures that follow are those given by a recent study of the Italian largest company of this sector, i.e. Olivetti which holds also the 45 % of the European PC market. The engineers employed at Olivetti are for the 50 % in R+D, 30 % in planning and control, 10 % in production, 8 % in marketing and 2 % in staff position. The "evaluation" of the candidate is largely based on his university curriculum, thesis argument, final score (only those with 105/110 and more are considered) and duration of his study. The larger companies subject the candidates also to an oral "evaluation" that is called interview: the first part is usually conducted by the personnel management staff and the second, more specific, by the expert of the section interested to the new employee. His work in the career begins with a period of a kind of training: at first and for some weeks or months courses are given to the n ew in order to explain them the company organization, the production, the market strategy. After this the new emplyees follow courses of more technical contents: the organization and fields of R+D, the design, the production, the policy of control for quality, economy and a foreign language. To this formal training period follows an informal one by aggregating the new to a work group where his po- 2.5.1 sition and function is that of a kind of apprentice. For the Olivetti, case this period lasts from 8 - 10 months to a couple of years depending largely on the particular sector of activity and personal attitudes. Only ofter two years the laureate enters a career with individual and differentiated responsibilities. The stages of progression in this sector brings the engineer to the top management position in about 15 years, that is at about 40. Such rapid progression is typical for a rapidly changing environment as that of the electronic and informatic sector. Other industrial branches allow a much lower velocity of progression. The information would not be complete without mentioning the permanent education that the company offers to the engineers in order to keep them updated. Two main paths may be individuated in the great variety of the situations : the internal permanent, technical education with 1) the formation of work teams, 2) organization of round tables, 3) lectures given by the gate keepers, that is with the key-men of the know-how in a particular branch, 4) individual tutorship. Then there is the external path: participation to congresses and meetings also with the presentation of papers, attending courses at foreign universities, teaching as contract professors at universities in Italy, visits to laboratories of allied companies, partecipation to programs of joint research of the EEC. And, at last, what about the money? The pays in the industrial sector are regulated in Italy through national contracts between the corporative organization of the Companies and the trade unions : at present amount for the laureate step at his first year of employement about 1000 $ / month. The progression in the first 2-3 years is modest, then accelerates and is not quantified only at the attaiment of the management position. (iiorgio Slokar Istituto di Chimica Appli-cata - Universitâ di Trieste 25?. ŠTUDIJSKI DAN: CEOK '87 Milan Slokan Med sejmom Sodobna elektronika je Strokovno društvo MIDEM dne 8.10.1987 na Brdu pri Kranju organiziralo študijski dan na temo: Celovito obvladovanje kakovosti, ki je bil namenjen vodilnim in vodstvenim delavcem ter drugim strokovnjakom elektronske industrije. Študijski dan je vodil Rudi Ročak. Zanimanje za študijski dan je bilo precejšnje, saj se je prijavilo okrog 70 udeležencev, ki jih je pred začetkom pozdravila tudi direktorica Centra za usposabljanje vodilnih delavcev pri Gospodarski zbornici Slovenije Danica Purg. Ta center deluje v istih prostorih na Brdu in s svojim programom tudi na področju kakovosti prispeva k izobraževanju vodilnih delavcev predvsem v Sloveniji pa tudi za druge republike. Dopoldne so se zvrstila po programu predvidena predavanja : Marjanca Kobe iz Iskre Commerce, Ljubljana je govorila o japonskem pristopu k integralnem zagotavljanju kakovosti, ki je lahko za zgled, saj Japonci vlagajo od 8 do 30 % vrednosti prodaje v kakovost. Kakovost je pri njih temeljna družbena vrednota, zasnovana na izobraževanju in ustreznem spreminjanju zavesti celotne populacije ter na stremljenju za brezhibnostjo, humanizmom in medsebojnem spoštovanju ljudi Lotar Kozina iz SOZD Iskra je obdelal temo Obvladovanje kakovosti v proizvodnih procesih in jugoslovanske razmere pri tem. Prikazal je lestvico stopenj odnosa do kakovosti in ustreznega reagiranja v podjetjih od najnižje do najvišje: 1. nikakršen odnos, 2. reagiranje samo pri resnih težavah v procesu, 3. reagiranje samo pri resnih težavah na tržišču - pri čemer praviloma sodijo izdelki v spodnji cenovni razred, 4. kakovost uravnava ekonomika, 5. kakovost je dolgoročni cilj in se k njej pristopa s preventivnimi ukrepi. Pri nas so podjetja največkrat na drugi do četrti stopnji. Zvonimir Vukovič iz ETF Zagreb je prikazal teoretične osnove zanesljivosti in njihovo uporabo pri konstrukciji in aplikaciji elektronskih sistemov. Pri tem je med drugim ugotovil, da ni dovolj zanesljivost aparaturne opreme (hardware - kjer lahko definiramo zahteve, kakovost in zanesljivost) , temveč sta zelo pomembna dva druga faktorja, t.j. zanesljivost programske opreme (software - ki ni dobro definirana) in človek, ki dela z aparaturo. Človek in njegovo vedenje je eden izmed bistvenih dejavnikov, zato je nujno dodatno šolanje. Namesto odsotnega Ninoslava Stojadinoviča z Elektronske fakultete Niš je predaval S. Dimitrijevič o zanesljivosti elektronskih sklopov, na čemer delajo na tej fakulteti raziskovalno že dolga leta. O pravnih aspektih zagotavljanja kakovosti, katerih se inženirji manj zavedajo, je govoril Ludvik Toplak iz Iskre Delte Ljubljana. V svetu je glavni problem "product liability" ter opazujemo trend širjenja odgovornosti proizvajalca, medtem ko pri nas, čeprav obstaja zakon o obligacijskih razmerjih, obveznosti ne jemljemo dovolj resno. Franc Mlakar, podpredsednik International Electrotech-nical Commision (IEC) je zelo sistematično in pregledno prikazal standardizacijo in standarde kot element zagotavljanja kakovosti. Opisal je tudi organiziranost institucij, ki se s tem ukvarjajo, nazadnje pa je prikazni sistem za zagotavljanje kakovosti elektronskih elementov, ki so pod trajnim nadzorom (IECQ), tako da ni več potrebna vhodna kontrola. Sporazum, nad katerim bdi ISO CASCO (Conforming and assesment commitee), je doslej podpisalo 25 držav, Jugoslavija pa še ni vključena. Na isto temo, vendar s poudarkom na elektronskih sestavnih delih kot osnovo za zagotavljanje kakovosti naprav, je imel predavanje Drago Flam iz Nikole Tesle, Zagreb. Opisal je prakso in izkušnje svoje tovarne, iz katere izhaja, da je v naših razmerah na osnovi relacij zahteve na naprave/zahteve na sestavne dele še vedno potrebna vhodna kontrola sestavnih delov. V program je bilo dodatno uvrščeno še predavanje Slo-bodana Muždeke iz Beograda o logistiki v raziskavah, razvoju in aplikaciji sodobnih elektronskih sistemov. To področje, oz. sistemsko inženirstvo pri nas še ni zelo razvito, študij predmeta pa je možen le na Centru za multidisciplinarne študije v Beogradu ter na vojnih šolah. Povsod v svetu in tudi v JLA daje logistika odločilne podatke in zahteve za osvajanje (vojnih) elektronskih sistemov ter njihovo uporabo. Moderator popoldanske razprave je bil Rudi Hočak, v njej pa je sodelovalo 17 udeležencev. Povečini so se razpravljalci dotaknili odprtih vprašanj ali trditev v predavanjih, razprava pa je tudi pokazala, da imajo vsaj v nekaterih večjih podjetjih elektronske in elektroindustrije pri nas izoblikovana stališča in poslovanje glede kakovosti. Vendar je iz razprave prav tako izzvenelo, da je v naših gospodarskih razmerah veliko težje dosegati kakovost izdelkov kot v razvitih državah in vzgajati ljudi, naj jim bo kakovost neke vrste religija. D. Božič iz Rade Končarja je bil v razpravi mnenja, da bi bilo za Jugoslavijo pomembneje zgledovati se po manjših industrijsko razvitih evropskih državah, kot so n.pr. Avstrija, Danska in druge, kot pa zgledovati se predvsem po Japonski. Jugoslavija je razen tega v posebnem položaju na mednarodnem trgu, saj kot prodajalci pri izvozu v glavnem ne dosegamo svetovnih cen, kot kupci pri uvozu pa dobivamo mnogokrat manj kakovostno blago. Precej razprave je bilo na predavanje L. Toplaka v zvezi s pravnimi aspekti, na primer glede od- govornosti proizvajalca po obligacijskem pravu. Tudi tema standardizacija, o kateri sta dopoldne predavala K. Mlakar in D. Flam, je bila v razpravi precej odmevna. V zvezi z njo je bilo rečeno, da je jugoslovanska industrija vendarle precej tehnološko odvisna od tujine in smo zaradi tega marsikje vezani na tuje standarde. Večja podjetja imajo sicer interne standarde, ki jih skušajo uveljavljati pri nakupu surovin in polizdelkov, vendar smo zaradi naše finančne situacije pri nakupu surovin prisiljeni odstopati, včasih pa celo ne definiramo dovolj tehničnih zahtev. Precej razpravo jo bilo o problemih vhodne kontrole, ki jo v naših razmerah še vedno potrebna zaradi slabe kakovosti izdelkov domačih in tujih dobaviteljev. (F. Mlakar je namreč v predavanju poudaril , da sistem IECQ zagotavlja kakovost v taki meri, da je kontrola kupca potrebna le ob posebnih zahtevah.). Pri tem je bilo postavljeno vprašanje, ali morajo imeti vsi opremo za vhodno kontrolo ter, ali ne bi mogli kontrole skoncentrirati v specializiranih inštitutih, ki bi morali biti neodvisni. Seveda je nujnost vhodne kontrole odvisna tudi od kakovosti nabavljanja in naših sposobnosti definicije zahtev. Na temo znakov kvalitete je bilo v razpravi slišati podatke, da so pri nas znaki kakovosti predvideni po zakonu, vendar jih zaradi specifičnosti našega trgovanja in prodaje dejansko ne uvajamo. V tujini podeljujejo certifikate za znak kakovosti strokovna društva, katerim pa država daje veliko večja pooblastila, saj jim priznava mnocp večji pomen kot pri nas. Razprava se je dotaknila tudi motivacije udeležencev proizvodnega procesa in vodilnih delavcev za višjo kakovost v naših razmerah ter izkušenj Iskre v organizacijah krožkov kakovosti v proizvodnji po japonskem vzorcu. Kljub dobrim izkušnjam s krožki pa vpliva na dolgoročno sistematično delo, ki je nujno, tudi nestabilnost naših pogojev gospodarjenja. Splošna ugotovitev ob zaključku razprave je bila, da je problematika zelo aktualna, da pa ji posvečajo 254 več pozornosti predvsem bolje organizirane delovne organizacijo, kar je dokazala tudi struktura udeležencev študijskega dneva. Predsednik društva MI-OEM Rudi Ročak je na koncu omenil še možnost (če bi bilo dovolj interesa ) , da bi na temo celovitega zagotavljanja kakovosti drugo leto organizirali enotedenski seminar. mag- Milan Slokan Iskra Elementi MEDNARODNI ŠTUDIJSKI DAN: EKSPERTNI SISTEMI IN NJIHOVA UPORABA 30. maja do 03. junija 1988 - Avignon, Francija Sponzor študijskega dneva je ECCAI (Evropski koordinacijski komite za iinidt.no inteligenco) . Studijski dan ima naslednje osnovne teme: - orodja in tehnika gradnje ekspertnih sistemov, - uporaba ekspertnih sistemov, - vzdrževanje z ekspertnimi sistemi, - ekspertni sistemi v medicini in biologiji, - uporaba ekspertnih sistemov v obrambi. Vse potrebne informacije dobite na naslovu predsednika: Jean - Claude Rault EC - 2 269-287, Rue de la Garenne 92000 Nanterre - France Komite češkoslovaških elektrotehniških znanstveno-tehniških društev,Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele češkoslovaškega znanstveno-tehniškega društva - Praha , Institut za raziskave keramike za elektroniko, Hradec Kralove, Institut za materiale pri akademiji znanosti IJSSR, Kijev, organizirajo konferenco: KERAMIKA ZA ELEKTRONIKO Program 3-dnevne konference, ki bo v juniju 1988 v Pecu pri Sneškovu (ČSSR), zajema naslednje teme: - piezokeramični materiali in njihova uporaba , - keramični dielektriki, posistorji in njihova uporaba, - problematika debeloslojnih tehnik in cermetov, - moderni keramični materiali za elektroniko, - superprevodna keramika. Prijave za sodelovanje zaželene do 15. decembra 1987, pošljite pa jih na naslov: Dum Techniky ČSVTS Trida Miru 113 53227 Pardubice ČSSR PRIKAZ KONFERENCIJE »CUSTOM CIRCUITS CONFERENCE« S. Ursič, M. Stulič Konferencija "Custom Circuits Conference" (ili skraceno 3C) održana je u Madjarskoj u mjestu Gyongyos (oko 80 km sjeverno od Budimpešte u podnožju Matra). Termin konferencije bio je od 11.05 do 15.05.1987 god., što se nažalost poklapalo s terminom MIEL-a u Banja Luci i što če se ubuduče pokušali izb ječi. Ovo je bilo prvi put da so ta konferenci ja odrzava, n planirano je da se ponavlja svake druge godine. Organizator konferencije bilo je Znanstveno društvo za mjerenje i automa-tizaciju (MATE), a sponzor i Ministarstvo industrije (IPM), Državni ured za tehnički razvoj (OMFB) i MEV (Mikroelektronička kompanija) . Na ovogodišnjoj konforonciji sudjelovalo je oko 150 su-dionika iz dosot evropskih zomalja (Madjarska, Coho-slovačka, Dugarska, I'oljska, Istoonn i Zapadna Njo-rnačka, SSSR, Jugoslavija, Italija i Velika Britanija). Program je bio podijeljen usedam sekcija: - logičko projektiranje i simulacija - fizičko projektiranje - logički nizovi - trendovi - sistematsko projektiranje - sklopovi - testiranje Prikazani referati pokazali su da je rad na razvoju metodologije projektiranja A SIC-a i odgovarajučih programskih alata vrlo intenzivan u zemljama SEV-a. Imponiralo je dobro vladanje engleskim jezikom, buduči da je isključivi jezik konferencije bio engleski i nije bilo simultanog prevod jen ja. 1'osoban interes izazvali su i pozvani referati: - S.L. Hurst: The Evolution and Characteristics of Custom I ntegrated Circuits - M. Sandory: Domestic Market of Custom/Application Specific IC's in Hungary - K. Tarnay: Engineering Targeting Custom Design Practice. Iz Jugoslavije je bio prezentiran jedan rad, autora S. Ursič, T. Svedek i M. Stulič iz Elektrotehničkog instituta "Rade Končar" pod naslovom: The Customer Approach in the Design of ASIC lor Industrial Electronics", (u broju 1/88) Sagledavanje stanja u mikroelektronici u zemljama SEV-a, osim preko referata, posebno je fokusirala panel-diskusija. Ad hoc izabrani predstavnici pojedine zemlje prikazali su stanje i probleme s kojima se susreče razvoj i prim jena AS[G-a, a zatim se razvila živa diskusija. Na sjodnici ji1 bilo prisutrio oko 70 sudionika. Bil: pojedinih izlaganja bila je sli-jodoča: Jugoslavija - ponovljene su uglavnom teze iz na-šeg referata o teškočama u suradnji centra za projektiranje ASIC-a i krajnjih korisnika s jedne stra-ne, odnosno proizvodjača integriranih sklopova s drugo sfrane. Posebno je naglašen problem provje-re pouzdanosti novo-projektiranog ASIC-a (što je kasnije izazvalo živu raspravu). Poljska - predstavljena je UNITRA kao jaki proiz-vodjač integriranih sklopova u CMOS i bipolarnoj tehnici (posebno TTL). Suradjuju sa svim zemljama SEV-a i osječaju pritisak korisnika. DDR - predstavljen je ROBOTRON s programom razvoja velikih računala, posebno nova qenot'noija rijesena pomoču ASIC-a. U novorješenje uči če 50 ASIC-a u tehnici logičkih nizova (engl. gate array) . Istovremeno imaju razvoj CAD sistema ko j i omogučuju brzi razvoj i provjeru novo raz-vijenih ASIC-a. Procesiranje ASIC-a rade i u UNITRA (Poljska). SSSR - Treba riješiti mnogo znanstvenih problema koji traže suradnju med ju zemljama. Neke od dilema su: - da li izabrati bipolarni) tehniku ili unipolarnu, - perspektiva, odnosno izbor izmedju silicija i galij-arsenida, - koju tehniku i metodologiju projektiranja koristiti. Posebno naglašen problem internog povezivanja čipa o kojem ovisi brzina rada čipa. BugarsKa - postoje dva centra za procesiranje čipova -velika tvornica u Botevgradu (CMOS i bipolarna tehnika) i Institut za mikroelektroniku u Sofiji (5 ^m CMOS i NMOS). U Institutu rade na razvoju LSI digitalnih sklopova, te su realizirali složena rješenja, poput univer-zalnog programatora. Vide problem u testiranju (izrada test programa t raji; 3 - 5 mjeseci) i sporom odzivu tržišta, posebno zbog toga jer je trži.šte još uvijek orijentirano na TTL-tehniku. MaajarsKa - stanje u Madjarskoj dobro je prikazano i u pozvanom referatu pomočnika ministra za industriju dr. M. Sandonija koji je analitički dao vrlo iscrpne podaLke o stanju razvoja i proizvodnjo elektroničkih urodjaja i doveo ih u odnos s razvojem ASIC-a. Naime, u Madjarskoj je dobro rnzvijeno procesiran je integriranih sklopova (tvornice MKV i Hirodas technikai), med-jutim največi potrošač Hirodas technikai-a (koji je orijentiran isključivo na procesiranje ASIC-a) su oni sami i jedan privatnik! Istovremeno MEV radi na ASIC-u od 1982. god. i u 1986 . god. realizirali su 71 projekt ASIC-a. Kao probleme rizika korisnika navode: rizik reprojekta (prvenstveno zbog cijene), alternativnog proizvodjača integriranih sklopova (engl. second sour-ce) , jedinstvenost projekta bez velilcog izbora več riješenih aplikacija, testiranje i provjeru pouzdanosti. CSSR - (L. Szanto) - Intenzivan razvoj procesiranja (3 centra) i alata za projektiranje (CAD). Zaključak 1. Zemljo SKV-a su učinile ogromari napor u razvoju procesiranja integriranih sklopova, te su u CMOS skupini otprilike na našem nivou ( 5 jum CMOS), a u bipolarnom daleko ispred. 2. Isto tako veliki napor je učinjen u razvoju alata za projektiranje (CAD) i u to odlazi velika energija stručnog rada. S druge strane, buduči da se radilo na vlastitom razvoju procesiranja čipova, stekli su veliko znanje i fleksibilnost u ponudi korisniku. 3. Tržište za ASIC još nije dovoljno razvijeno (osim, čini se u DDR-u) , tako da postoji veliki interes da se projektanti integriranih sklopova angažiraju izvan zemlje (posebno otvoreno to ukazuju Madjari i Bugari). Jedan od razloga zbog kojeg korisnici ne vide prednost koristenja ASIC-a je noidenLificiranje troškova, bilo da se radi o klasičnom pristupu štampanoj plo-čici ili o ASIC-u. Tako se ne može ni sagledati golema prednost ASIC-a (vidjena sa zapada), a to je ekonomičnost. Postavljeno je pitanje dali se u planskoj privredi uopče može iči ti m putem. 4. Uočavaju se relativno dobre veze i medjusobna suradnja zemalja SEV-a u mikroelektronici. Tokom rada konferencije formiran je i Medjunarodni programski odbor u kojeg je ušla i Srebrenica Ursič iz Jugoslavije. Intencija organizatora je da intenzivno i kontinuirano radi na povečanju kvalitete konferencije kao okupljališta stručnjaka iz čitave Evrope. Sve ideje, sugestije kao i zahtjevi za detaljnjijom informa-c.ijom su dobro došli i mogu se uputiti direktno na S. Ursič. mr. Srebrenka Ursič, Mladen Štulič Elektrotehnički institut "Rade Končar" Baštijanova bb 41001 Zagreb 2r>7 MOLEKULARNA ELEKTRONIKA I BIOKOMPJUTER Djuro Koruga Medjunarodni skup u Budimpešti od 24.-27. avgusta 1987. god. Trka med ju najra/.vijenijim zemljama sveta (SAD, Japan, Europa) u oblasti tehnološkog razvoja postaje sve izraženija. Zemlje u razvoju, a medju njima i Jugoslavija, u poštoječim svetskim uslovima sve teže prate naučno-tehnički razvoj. Za s man jen je tehno-loškog jaza, koji se na žalost sve više produbljuje, neophodno je strogo selektivno uči u razvoj i primenu tehnologija koje su več osvojene i nalaze se u širokoj primeni u razvijenim zemljama. Medjutim, ovoje samo potreban ali ne i dovoljan uslov za smanjenje teh-nološkog jaza. Da bismo koliko toliko išli u korak sa svetom, neophodno je predvideti tehnologije budučnosti i u neke od njih kreuuti s moli ju. Procena dobrih poznavalaca tehnološkog razvoja u svetu je, da če informacione i biotehnologije obeležiti kraj XX i početak XXI veka.U okviru ovih trendova, a kao sinteza ove dve tehnologije razvija se jedna nova naučno-tehnološka oblast pod nazivom molekularna elektronika i biokoropjuteri. Do sada je održano pet naučno-stručnih skupova iz ove oblasti u svetu. Jedan je finansirala američka naučna fondacija (NSF),tri američka armija, a jedan japanska vlada. Medjutim, prva mecljunarodna konferencija na ovu temu održana je u Budimpešti od 24-27 avgusta 1987. godine na kojoj su se okupili naučnici iz celog sveta. Za Budimpeštu, oni koji su je posetili, kažu da je to grad "zapada" na "istoku". Medjutim, ona to ni je samo po ¡ugledu i načinu života njenih žitelja, več je mezda lo vi.šo u oblasti nauke i novih tehnoloških trendova. Zato ni je ni malo slučajno što su oni organiz;ovali ovu medjunarodnu konferenci ju, koju je otvorio i u ime Madjarske vlade pozdravio ministar za industriju. Da če ova naučno-tehnološka oblast postati stvar skore budučnosti, postalo je jasno ne samo istraživačima tehnološkog razvoja, več i vladama najmočnijih država sveta. Na nedavno održanom samitu šefova i vlada najrazvijenih zemajja sveta u Veneciji, jedan od najvažnijih razgovora izmedju japanskog premijera Nakasonea i predsednika SAD Reagana odnosio se na Šestu generaciju - Biokompju-tere. lapanci su projekt iz molekularne elektronike i biokompjutera podigli na nacionalni nivo. Vlada (MITt - Ministarstvo za industriju i medjunarodnu trgovinu ) odvojilo je 10 milijardi jena kao inicialna sredstva i okupilo dvanaest največih japanskih pro-izvodjača elektronike i NEC, Hitachi, Mitsubishi, Fujitsu i dr., sa zadat.kom da u narodnih deset, godina razviju prototip biokompiul era. Koliko SAD ulažu u ovu oblast ne zna se tačno, ali je poznato da je predsednik Reagan odlikovao dr. Foresta Kartera, rukovodioca jedne laboratorije iz oblasti molekularne elektronike, koja se nalazi u sastavu armije SAD, za njegov rad u ovoj oblasti. U SSSR postoji u okviru Naučnog centra u Puškinu odelenje koje se bavi istraživanjem i razvojem iz ove oblasti. Na konferenciji u Budimpešti bila su zastupljena tri glavna pravca istraživanja i razvoja iz ove oblasti. Prvi pravac se odnosio na istraživanje i moguču primenu organskih polimera, drugi na istraživanje bio-molekula, a treči na istraživanje principa rada bioloških sistema i tehnologija baziranih na silicijumu, bilo za nove tehnologije zasnovane na organskim i biološkim poli mer ima. Inlogiisana kola na bazi VI,ST (very-]arge~scnle-inte-gration) več su dostigla limit u stepenu integracije uslovljen fizičkim karakteristikama materijala i problemom disipacije energije sa čipa. Medjutim, prime- 258 na rešenja u biologiji na organizaciju čipa i računam kao celine omogučava pojavu nove vrste kompjutera poznate pod nazivom "llrain-like computers" (kom-pjuteri slični mozgu). Na konferenciji u Budimpešti iz oblasti "Brain-like computers" bilo je nekoliko sa-opštenja. Inače, u svetu je več počela komercijaliza-cijn prvih lipova rnčunara iz ovc porodice. Tako, na primer, Japanci rade i na konceptu simulacije procesa sinapse. Ovo je saopštio dr. Masuo Aiza-wa, rukovodilac projekta koga finansira japanska vlada pod nazivom "Nove generacije računara". Kod nas ta-kodje postoje istraživanja iz ove oblasti. U okviru "Iskre-Delte" u Ljubljani pod rukovodstvom dr. Zelez-nikara radi istraživačka grupa za primenu bioloških rešenja u arhitekturi računara. U Zagrebu na ovim problemima radi dr. Branko Suoček, u svetu priznati stručnjak iz mikroprocesora i "Brain-like computers". Istraživački tim D. Rakovič, tir. Djuro Koruga, dr. Z. Martinovič i 1). Djakovič, u okviru Centra za molekularne mašine Mašinskog fakulteta u Beogradu, takodje rade u ovoj oblasti. Dr. Dejan Rakovič je saopštio rezultate istraživanja ove istraživačke grupe. Saopštenje je izazvalo interesovanje prisutnih, i sada je potrebno eksperimentalno tretirati postavljeni model, koji može imati velikog uticaja na dalji razvoj računara, jer ukazuje da se procesiranje podataka pod odredjenim uslovima može obavljati brže na niskim frekvenci jama. Blisko ovoj oblasti, interesovanje prisutnih na konferenciji izazvao je i rad dr. Ferenca Kermendija iz IHTM-a koji radi na problemima hao-tično detor minističkih dinamičkih sistema ko jima so imitiraju odrodjeno funkcijo i stanje mozga, l.lz standardno jak istraživački rad iz ovo oblasti Jnpana-ca i Amerikanaca, i dobar rad zapadno-europskih istraživača prijatno iznenadjenje su Madjari i Sovjeti. Iz oblasti molekularne elektronike, koja se odnosi na organske polimere, bilo je dosta radova, preko 20. Bila su prisutna takva imena kao što su: dr. ilans Ku-hn (Max-l'lanok Inst.), iir. Ari A viram (115 M ) , dr. Alan MacDiarmid (Univer. of l'ennsylvania-USA ), dr. Hiroyuki Sasabe (RIKIiN-Japan) i drugi. Prava je šteta što na ovoj konferenciji ni je bi o dr. Petar Dvornič iz IHTM koji radi na organskim polimerima - poli- silaksonima, jer njegovi rezultati istraživanja i maju svclsku vrednost za razvoj molekularne elektronike. U poslednjih petnaestak godina veoma se intenzivno istražuju svojstva polimera sa konjtigovanim hemij-skim vezama, koji pri dopiranju donorima ili akcep-torima povečava ju svoju olekt ričnil prevodnost i za dovol.nnesl rodova volume. Modjii glavnim prodstav-nicima ove grupe provodnili polimera su trans-i cis-poliacetilen i polipirol. Kod ovih organskih polimera, smatraju istraživači, da je moguče primeni-ti koncept solitonike provodnosti za model molekular-nog binar nog prekidača. Kao molekularni prekidač moguče je koristiti fotoosetljivi hromoforni molekul, ugradjen u transpoliacetilenski lanac. Prekidač se mozo "okidati" optičkim putem, pri čemu se solitons-kim putem može kontrolisati njegova aktivacija i deaktivacija. Smatra se da bi se na ovom principu mogli konstruisati veoma složeni prekidači sa 18 . 3 (Justinom pakovanja do 10 gejta/cm . Svojstvo ovih prekidača bi bilo takvo da se solitoni kreču kroz poliac.etilenski lanac bezdisipativno, što omogučava minijaturizaciju elektronskih čipova do molekularnog nivoa. Iz oblasti bioelektronike prvi govornik bio je dr. S. Hameroff (University of Arizona - SAD), koji je govorio o biomolekularnim informacionim procesima u mikrotubulama. Rad je izazvao veliku pažnju, a autor je povezao ovo prvo izlaganje sa svojim drugim referatom koji se odnosio na nanotehnologije. On je pokazao i ukratko objasnio rad "Nanotechnology Workstation" uredjenja, za koji smatra da če omoguči-li izradu prve generacije "molekularnih biokompjutera". Nekoliko referata bilo je iz oblasti problema samoorganizacije na molekularnom nivou (V. Kornilov -SSSR, H. Sasabe - Japan, i Dj. Koruga - Jugoslavija), kao jednom od fundamentalnih problema za rad biokompjutera na molekularnom nivou. Problem solitona u biomolokulama prezentiralo jo nekoliko istraživača (dr. A. Lawrence - Center for Molecular liloctronios -SAD, dr. M. Satarič - Univerzitet u Novom Sadu, dr. N. Kirova - SSSR i drugi). Ovaj fenomen je takodje jedan 0cl fundamentalnih 2H9 za molekularna elektroriilcu, pa je sasvim razumljivo šlo je kod prisutnih izazvao vcliku paznju. Večina referata je bilo na visokom nivou, ali ono sto je pošlo za rukom amerikancu kineskog porekla dr. Ti Tien-u (Michigan State University) nije ni jednom od nas. On je govorio o eksperimentalnom pristupu izradi biomo-lekularnih elektronskih naprava i u tu svrhu snimio je film realnih procesa. Fzvrstan eksperimentator i isto tako dobnr pedagog "iznudio" je na opšt.e zadovoljstvo prisili -nih u toku izlaganja, koje je bilo predvidjeno da traje trideset minuta, još dodatnih dvadeset minuta. Od kndn sil liobert Nojs (podpredsednik "lnle]~n" i ro-vek koji je prvi napravio integrisano kolo) i Karver Me-ad (profesor na kalifornijskom institutu za tehnologija i svetski ekspert za VLSI tehnologija) pre par godina izjavili su da če jedino zajednički rad inženjera i biologa dovesti do nove generacije računara, broj istraživača iz ove oblasti je naglo porastao. Smatra se da danas ima oko 600-700 istraživača kojima je osnovni zadatak da tra-gaju za tim rešenjima i da ima nekoliko hiljada onih koji im u tome pomažu. U SAD več su se otvorile privatne istraživačko-razvojne i proizvodne firme iz oblasti bio-kompjutera. /,a sada su to firme koje istraziiju i ugradju-ju .saznanja iz biologije u arliilelUouska rosen ja kompjule-ra na bazi silikonskog čipa. U ovoj oblasti krenuo je proces komercijalizacije, isto kao što je taj proces krenuo i kod biosenzora pre godinu dana. Naime, na tržištu se več nalaze odredjene vrste biosenzora, a neki istraživači smatraju da če najprimitivniji poluprovodnički elementi za potrebe izrade bioripa l.akodje biti nskoro komercijalizova-ni, jer je japariskiiii isl razivnči nin u okviru < 'eni rninc laboratorije M ifsiibishi- ja pošlo za rukom da proizvedli sta-bilan biomolekularni provodnik. U Budimpešti je formiran medjunarodni organizacioni odbor koji če organizovati II. Medjunarodnu konferenciju iz oblasti "Molekularne elektronike i biokompjutera! 1989 . godine u SSSR i III. konferenciju 1991. god. u SAD. Organizatorima I. konferenci je u Budimpešti, a u prvom redu dr. I.ajoš Bali i dr. (iezi Biezo-ii treba odati zaslužno priznan ¡o. Meiljutini, ne treba zaboravil i ni orgauiza-tore M Nil,—a (Jugoslovenske konferencije iz mikroelektro-nike) koji več dve godine u svoje skupove uključuju molekularni! elektroniku kao jednu od oblasti mikroelektronike. Djuro Koruga Mašinski fakultet Beograd Nivo i n tograci jo Nivo i mi (-qr.K-i )!• il elrkl 1'i.ini-i Vi-licnm r I riuen I d u mi kroiuima SSI (Small - Scale Integration) 25 MSI (Medium - Scale Integration) 10 LSI (Large-scale Integration) prva regenja 5 krajn-ja re§ . 10 VLSI (Very-1 age-scale Integration 1 ULS1 (Ultra-laqe-scale Integration) 0,5 (Macro-molecular-scale Integration) I 0,1 MMSI (Medium-molecular-scale Integration) II 0,01 (Micro-molecular-scale Integration) III 0,001 UjK.i-cd | i v.iu it- post.o jor i h r.-ii-njn i n I eg r i fi.i n i !i kola u m i k t op Iektronici I .......... i i-in m j it u I.it.hit] i | i k 11 [t- t,i 11111111 v -11 . i! 11 111 v 11 i 1111 IK'11 iit- i ) I iiittli-lM! I.....I li tt l.-k I relink i h tt.ij.i .-i v.t. Naf.iv Tipično elektronsko Rešenje u kolo biologiji kod retine Vrsta integracije 2-d.imenziona lna 3-dimenzionalna Veličina e lemenat.-i 1-3 mikrona 0,1 mikron lil ,, ! n l,i, , Id1, r lo'J llr.-.jlti.-i |.i 2(1 -1II x iniB 100011 * 10000 polmšnj.i energijo 250 vati 0,001 vata Veličina sistema <1.000 cm3 0,001 cm3 Ukupna t.ež.ina sistema 20 kg 0,001 kg -9 -12 Brzina rada 10 sek 10 sek. 260 Zoran Živič Od 1.4-17 .septembra u iiologni održann je XVII. Evropska konferencija o razvoju u oblasti polupro-vodničkih komponenata. Ona je predstavljala uvod u proslavu 900 cjodina Univerziteta u Bolonji. Na konferenciju je pristiglo oko 350 stručnih referata iz 20 zemalja od kojih je oko 200 prihvačeno i ras-porodono u 43 sek< i jo. Na konleren r ¡ji je bilo predstavljeno i 14 referata po pozivu, t) daljern tekstu uzeču samo na jznača jni je rezultate i odrednire sn ovo konferencijo iz pojedinih oblasl i poluprovodnič-kih komponenata. 1.) M OS/CMOS TEHNOLOGIJA a) Integrisana kola U ovoj oblasti nastavlja se rad sa ciljem dobijan-ja sve bržih (dužine kanala krače od 1 ,um) i kompleksni jih ( trodimenzionatna integracija) integ risanih kola. Granica dužine kanala realizovanog M O S tranzistora pomerena je na 0,1 yum (IBM). Pri ovim dimenzijama uticaj efekata kratkog kanala na karakteristike , stabilnost i pouzdanost komponenata je dominantan. Osim izučavanja limitirajuceg dejstva pojedinih efekata (pre svega injekcije vrucih nosilaca u oksid gejta) neprekidno se radi na smanjivanju njihovog utirajn promenom strukture komponenata (IK' , ITS , 1,1)1), DIN (1)11), IX.) D) , TU)...) i povečanjem kvaliteta materijala, medjupovrširui i tankih filmova. Ove aktivnosti imnju svoju podršku u trodimenzionalnim simptomima procesa i modulatorima komponenata. Predpostavlja se da če se u pogledu smanjiva-nja dimenzija do 1990 godine dostiči konačne mogučnosti pa če dalje povečanje gustine pakovan-ja biti moguče jedino koriščenjem treče dimenzije za integraciju. Za ovakvo rešenje pošto je četiri koncepta (Mitsubishi Electric Corp. ) od kojih se dva oslanjaju na hibridno rešenje spajanja dva čipn a dva su monolit.nog karaktera i bazirana su na dinnmičnoj ili polpunoj rekri-stalizaciji polisilicijuma ili na epitaksijalnom rastu monosilicijuma na dielektriku. h) M «morije 11 oblasti programi rl j i vi h M OS mcinorija sa nepromenljivim sadržajem (EPROM, EEPROM) izkristalisale su se dve različito strukture osnovne čelije: - sa plivajučim pdi Si gejtom uz koriščenje dodatnog efekta "krapavog" polisilicijuma - sa pdi Si gejtom pri čemu je gejt dielektrik strukture SiO^ - Si^N^ - SiO^ (poboljšanje u odnosu na standardnu M NOS strukturu jer smanjuje injekciju šupljina iz elektrode gejta). U obadva slučaja upisivanje sadržaja se vrši ugla-vnom injekcijom vrucih elektrona iz kanala i Fow-ler - Nordheimovim tunelovanjem. Očekuje se da če EEPROM -ovi do 1990. godine potisnuti IJV PROM-ove što če uglavnom zavisiti od nivoa njihove pouzdanosti kojn je determintsana tankim tunelskim oksidom. Ovaj oksid se radi pobol jšan ja pokušava zameniti oksinitridom ili nitrifikovanim oksidom. 2.) BIPOLARNA TEHNOLOGIJA U pogledu brzine rada integrisanih kola bipolarna tehnologija drži primat, a njen razvoj u poslednje vreme garantujeda če ga još dugo zadržati. Rezultati kao što su 30 ps brza kola na bazi ECL-a, A/D konver-tor u opsegu rada 350 - 400 MHz, delitelj frekvence brzine 10 GHz praktično su neostvarivi pomoču dru- gih tehnologija. Ovi rezultati su ostvaroni koriščenjem novih prore.snih tehnika i struktura o7 geni r yu) , ali v vseli naših poslovalnicah, kjer dobite tudi vso podrobne informacije. 203 V dneh odi. do 5. junija 1987 je bila na Bledu XXXI. konferenca KTAN. Ob konferenci sta bili 2 seji predsedsl ev, letna skupščina ki'A N pa je bila 3. junija. (/, vseh toli zasedanj dajemo glavne podatke, oz. sklepe). Na prvi seji predsedstva je predsednik prof. dr. Georgi Dimirovski podal poročilo o delu ETAN za dobo 1984 do junija 1987 (glej prilogo), na letni skupščini pa poročilo o delu za obdobje 1983-1987. Na skupščini so bili izvoljeni novi člani teles ETAN in sicer: za predsednika za namestnika predsednika za generalnega sekrel ar jn za člane predsedstva l'T A N : Georgi Dimirovski Dušan Hristovič Marko Mminkovic in določilo, da bo naslednja - XXXII. konferenca ETAN lela 1988 v Sl( Bosni in Hercegovini. Točen kraj bo odredilo Republiško društvo /.a ETAN te republike. XXXIII. konferenca ETAN bo predvidoma leta 1989 na Reki, za kar je že dobljeno načelno soglasje s strani Društva za KTAN Hrvatsko. Imenovan je tudi odbor XXXIII. konferenco KTAN in sicer: Predsednik: podpredsedniki: Vladimir Gligič, Sedat Sirbegovič (BiH), Ratko Andrijaševič, Janko Jankovič (Orna Gora), Nedžad Pašalič, Mladen Tkalič (Hrvatska), Slobodan Arnaudov, Georgi Dimirovski (Makedonija), Marko Jagodic, Rudi Ročak (Slovenija), Radoslav Horvat, Dušan Hristovič (Srbija), Ranko Rabič, Nedžat Orana (Kosovo), Vladimir Kovačevič, Danilo Obradovič (Vojvodina). V odbor dručbene kontrolo: Milan Slokan, Marko Pavkovič, Kiro Ninevski. V odbor družbene zaščite: Herman Vidmar, Slobodan Radoman, Nedžat Pašalič, Janko Jankovič, Nedžat Orana. Takoj po skupščini je zasedalo novo predsedstvo, ki je med drugim imenovalo člane sekretariata: lovan Pavlovič, 1'elar Pravica, Tobor Varadi, Aleksandar Marincič, Vopslav A ran. godine. 1) svetlu 1:og kontinuiteta treba gledati i ova j izvešta j kao nastavak ranijih, koji je nastao na osnovu izvešta-ja profesora Ahmeda Mandžiča, predsednika ETAN-a u periodu 1983 - 1985., i mojih izveštaja, profesora Georgija Dimirovskog, predsednika ETAN-a u periodu 1985 - 1987. ("iljevi i zadaci Jugoslovenskog saveza za KTA N, kao saveza odgovnrnjnčili repnbličkili, oilnosno pokrajinskih društava regionalnih podružnica i stručnih sekcija i stružnih društava, su nam dobro poznati. Oni su više puta redefinisani Statutom ETAN-a, uključivo i poslednjim koji je donešen 1980. god. u Prištini i dopunjen 1983. god. u Strugi. Ali razvoj i organizacijsko bo-gatstvo i bogatstvo formi delovanja samog ETAN-a, usavrsa vanje modeliteta strnčno-društvenog organi zevanja i delovanja u zemlji, uključivo i organizovanja i delovanja u SIT.J , kao i sada sa tekučim predlogom mo-difikovanog Statuta, uvek su tražili i traže ažuriranja adekvatno specifikama aktuelnog trenutka. Oanas' to su novi društveni odnos ka oblastima nauke i tehnolo- gijama kojima se bavi ETAN kao srž visokim i gene-ričkim tehnologijama, reafirmirana izmenjena pozicija S IT J posle prošlogodišnjeg kongresa, izmene u sa-moupravnom delovanju na sektoru nauke i tehnologije kroz usavršavanje delovanja SZNJ i ustanovljavanje Saveznog Komiteta za nauku i tehnološki razvoj, te donosen je Strategi jo tehnološkog razvoja Jugoslavije i Programa mera za njegovo podsticanje i sprovodjenje, ali i razvojni stepen drugih srodnih asocijacija koje se bavebliskim, komplementarnim ili istim oblastima. Sve to čini današnji aktuelni trenutak Jugoslovenskog saveza za lir A N drugačijirn nego 1983. godine i objaš-njav.i ni/, nklivno .sprovedene ili olporele u izvesta jnom periodu, uključivo i predlog izmen jenog Stahita za ovil Skupštinu, porod tradicionalnih stručnih aktivnosti. Najviši organ ETAN-a je Skupština sastavljena od regionalnih društava (republičkih i pokrajinskih), i podružnica i od stručnih sekcija i društava, i ona se saziva svake četvrte godine. Izmedju zasedanja Skup-štine osnovni zadaci Predsedništva su da organizuje izvršavanje ciljeva i zndataka, da rukovodi poslovima, u koje spada i linansijsko poslovanje, i dn razvija organizaciji!, a Sekretari j.-it da so brine za ažurno o-peratjvno sprovodjenje. Stručna problematika je dominantno prepuštena str učnim sekcij ama, drustvima i odborima, i, posebno, Odboru za Jugoslovenske konferencije ETAN-a. Poslednja skupština ETAN-a je održana u vreme XXVII Konferenci jo u Strugi, juna 1983. god., kada je i proslavljena jubilarna 30-godišnjica naše organizacije. Tim povodom tada je podnet ažuriranpregledni izveštaj o 30-to godišnjem radii ETAN-a , a 1984. god. zahvaljujuči angažovanju posebnog redakcionog odbora sa glavnim urednikom Markom Marinkovičem izdata je prigodna publikacija "ETAN - 30 godina aktivnosti" koja sadrži detaljan pregled dotadasnje delatnosti i preduzimanih akcija. Dalji doprinos analizi minulog rada i postignutih rezultata su dali prošlogodišn ja izla-ganja prilikom svečanog obeležavanja jubilarne XXX Kon-ferencije u flerceg Novotn, juna 1986. god., i zatim prigodna publikacija "30 konferencija KTAN-a" koja je objavljena zahvaljujuči arigažovanju redakcijskog odbora sa glavnim urednikom prof. dr. Miličem Stojičem. Jasno je da je značaj obeju publikacija od velike vrednosti kako za trajno čuvanje saznanja o delovanju i revashodnog značaja za ETA N . Svojevrenieno je KTA N kan nacionalni! nrgniiiznci ja imao veoina /,apa/,eiiu iiiedjuuarodnu aktivnost i sn-radnju, naročito u drugoj polovini šezdesetih i u prvo j polovini sedamdesetih godina. Sada je vidljiv ponovni uspon u oblicima medjunarodne saradnje ETAN-a kako preko njegovih stručnih sekcija, tako i lcao nacionalne organizacije. Te povrernene medjunarodne delal nosi i h proleklon) periodu čelno sponipiiut i u ;;le dečeni pregledu : - stručni skup akustičara .Jugoslavije i (irčke u 1983. god. u Strugi - Medjunarodna konferencija o teoriji kola u 1984. god. u Sarajevu - IFAC VORKŠOP o modeliranju dinamički složenih organizacijskih sistema u 1984. god. u Dubrovniku - CAS .seminar o ve.štačkoj inteligenci ¡1 u 1984. god. u I liibrovnikn . - CAS seminar o i nI el i< |ent 11 i in proizvodni ni s isleni i ma u 1983. god. u Dubrovniku. CAS seminar o tehnologiji u prirnarnoj zdravstvenoj zašlit.i u 1983. god. u Dubrovniku. - Med junarodn i s i m poz i jum o s i nt erovan ju u 1986. god. u llerceg Novom . - CAS seminar o ve.štačkoj inteligenciji u 198h. god. u Dubrovniku. - CAS seminar o modelima industrijskog razvoja i naučno--tehnološkoj politici u 1986. god. u Dubrovniku. - III. liuro-mini konferenci ja o metodama operacionih istra/ivanja u planiranju transporta i upravljanju sao-bračajem, u 1987. god. u Hereeg Novom. - IX. Medjunarodni sirnpozijurii o splojnom upravljanju ljudskim eksperimentima, u l')87. god. u Dubrovniku. - CAS seminar o intoligentnim proizvodnim sistemima, u 1987. god. u Dubrovniku. - CAS seminar o logistici za 2000-tu godiriu, u 1987. god. u Dubrovniku. 1'ada u oči veoma uspešni razvoj delovanja CAS seminara kao jedan stalan način ostvarivanja medjunarodne saradnje BTAN-a, Sto treba i dalje afirmisati. Ali takodje je vidljivo manje prisustvo stručnih skupova u saradnji sa medjunarodnim federacijama od poseb-nog značaja za ETAN I l'W C" —on i, IKN'-om, IKORS-om i IMACS-om. I'osebniiri angn/.ovnn jeni IVei isodiiišl va i ■ :ek i e| ;iri j. il .'i Kao i oli.i predsednik.i pon. ionmI i, u pro -teklom mandatnom periodu su reafirmirane i pojačane pozicije KTAN-a, sukcesivno, u IFORS-u, u IFIP-u i u IFAC-u gde imamo delegirane predstavnike, a od 1986. god. ETAN opet ima predstavnike u tehničkim komitetima za zemlje u razvoju, za primene i za sistemsko in/en jerstvo pri IFAO-u. Naravno, sada pretstoje va/uiji i Uv/i koraei na oriiani/.ovan ju medju-narodnih simpozijuma i vorkšopn u .saradnji sa ovim internacionalnim organizacijama, poput X Evropske konferenci je o operacionim istraživanjima u I'i89. god. u Beogradu ko ju organizira ETAN-ova sekcija za upravljanje složenim sistemima i oper ac iona istraživanja u saradnji sa IFOKS-om. Razume se, pojednako je važno i učence naših radova na sku-povitna uvili federacija van zemljo, a ohrabruje činjenica d;i ¡e u proteklom periodu bik) nekoliko desetina takvih radova i da na ovogodisn jem X Svetskom kongresu IVAC-au Minhenu ima 7 prihvačenih od dvadesetak prijavljenih radova iz, naše zemlje. ■Svakako je ovo period kada možemo istaci uspešno iz-vrsavan je zadataka postavi jenog pro nekoliko godina od strane 1'redsedništva KTAN-a i JUREME na postavljanju pravilnih osnova za uzajamnu planirani! saradnju i koordinaciji! stručnih aktivnosLi, uzajamnih odnosa i odnosa obeju organizacija u nastupu prema medjunarodnim aso-cijacijama i u medjunarodnoj saradnji. On je okončan od strane zajedničke radne grupe tokom prošle godine, a postignute saglasnosti su stavljene u bilješku - pro-memorijti, sada več pol vrel jonti od oba predsedništva, kojn če služiti kao osnova za sva buduča konkretna do- govaranja i buduče konkretno aktivnosti. Osnovne predpostavke ovili saglasnosti (r uskoro i>i i i stavi jene na raspolaganje merodavnoj stručnoj, privrednoj i dru-stveno-političkoj javnosti zemlje. Nažatost, za sada na polju robotike ovim zajedničkim konceptima ETAN-a i .JUREME se ni je pridružila asoci jaci ja JI'ROB i ostale su neke razlike sa delom ria.ših kolega iz Riječke podrir/jiico, ali je ver uči njen značajnn pomak na otklanjanju nesporazuma. Ovde treba spornenuti da su 1'redsedništ.va ETAN-a i JUREME zajednički ocenili lcao aktuelnu potrebu za pripremu organizovanog te-matskog sastanka sa predstavnicima svih zainteresiranih subjekata po pitanju organizovanja i delovanja Jugoslovenske sekcije; IEEE, pošto se i ona bavi istim oblastima, a ipak je ogranak jedne strane stručne on¡eni,i< i ¡: ■ i im jmanjc sto l roba jeste - jasno odred-jeni odnosi. /.;¡ v r: :av;i ji lei ovaj segment o tinaprci 1 ji-vanjn organizad jskili odnosa unutar /.črnijo nu/.no treba islnri .-|;i je neobhodno pivliri unaprcilno planiranje svili trajnijili aktivnosti približno kno u IUA('-u, 111' 11 '—ii i ÍKORS-u, n to je godinu do godinu i po ina-pred, sto znaci da bi več sada morali napraviti planiranje i za 1988. godinu. Na inicijativu Predsedništ: va ETAN-a, juna 1983. god. u Strugi je organizovan zajednički sast.anak sa članovima Pred.sedništva SK SSRNJ na kojoj je diskuto-vano o problemirna daljeg razvoja ETAN-a i novim oblicima organizovanja stručno-društvenih organizacija. N,\ osnovu tocja ji1 napravljena " In tel' rnac i ja o nekim problemima saveza za ETAN". 1'osle toga je održan i sastanak sa taclasnjim predsednikom SK SSRNJ drugom Marjanom Rožičem gdje je konstalo-vano da ce se ova i n lor inari j;i u/,eli i! obzir priliko m regnl ¡san ja slatnsa 11 ruši vneno-strurnih organizacija u nnšoj zemlji. Organizacijske aktivnosti započete tada dovršene su i rezimirane u sa-dašnjem predlogu usavršenog Statuta Jugoslovenskog saveza za ETAN u kome sil našli izraza tekovine ko je je doneo razvoj, život i rad ETAN-a i njegovih sekcija i društava, ukljueivo poštovanjo: (a) forme stručnog društva (kao MIDKM) ; (b) integralne jedin-stvenosti regionalnih društava za ove oblasti u Cr-noj gori, Kosovu i Makedoniji kako za aktivnosti ETAN-a, tako i za aktivnosti JUREME i drugih srodnih 2()8 organizacija; i (c) integralno ¡edinstvenosti repub-llčko«) društva za ove oblasti n Sloveniji sa Klekt.ro t.ehničkom zvezom Slovenije. (Time sti poštovani njihovi stavovi da ne dodje do nepotrebnog razdvajanja i .slabljenja stručnih snaga). Konaeno, počev od izveštaja Inici jativnog odbora iz juna 1<>84. god. u Splitu, preko oilluka 1'redsedništva i pripromnih aktivnosti , izvršene su neophodne pripreme za konstituiranji-: struene sekcije za anlomatiku kao organizacijske forme u Jugoslovenskom savezu za ETAN, koje treba izvršiti juna 1987. god. na Bledu. U proteklom periodu stručnjaci i aktivisti ETAN-a su učestvovali u aktivnosti ma koje su i male značajan i širok društveni uticaj kako za samo društvo, tako i za nauku, tehnologi ju i naučno-tehnološku politiku u sklopu društveno reprodukcije. Sirucnjnci ETAN-a su učestvovali u iz.radi Ive:, reklo hi so, tnndainon-talno važne študije: "Strategija tehnološkog razvoja lugoslnvije" i "Stanje i razvoj mi kroolekt roni ke u SKRJ". A, naravno, i leesl voval i su i u svitu pratečim akti vnosi i ma , raspravama, okrugliin stolovima i slično u vezi njih. I više od toga, angažovali. su se na svim mestima i nivoima - od Skupštirie S IT J do Savezne skupštine i republičkih i pokrajinskih skup-ština i njihovih organa i tela, po svim pitanjima o razvoju nauke i tehnologije i njegovim svestranim iniplikacijama po zernljn. Takodje o idejnim aspek— tima ovih savromonih gibanja u našoj društvenoj reprodukr i ji akl ivno su učestvovali u rnsprnvamh na XIII Kongresu SK.I i na republičkim kongresima l pokrajinskim konferenci jama i na posebnim namenskim snstanei ma. svnkn strnrno- 'rust venu ori|anizaei |u i n|eno delovanje peseban značaj iinaju s vi pisani I ragovi njenih aktivnosti. U ekvirima KTAN-n i njf>qovih sekcija i društava, pored /.bornika s a Konferenci jo, simpozi juma i seminara i spomenutih jubilarnih publikacija, ostvaren je zapažen izdavački raral i vnili i dugoi očni jih zada-l.aka i/, dehti i losi i nasiM) savezn. Mi-djiilini, i j >.'i k se oseča potreba za više aktivnosti i novim angažova-njima kako mladjih tako i stari jih aktivista ETAN-a u svim krajevima zemljo, a takodje i pri Sekretari- Prof.dr. Georgi Dimirovski Predsednik Predsedništva KTAN-a u periodu 1985-1987. godine 3. ' 4 . 5. 6. 7. 8. 9. 10. KOLEDAR PRIREDITEV SKMICON, Ziirirh, 1. -4. marci' 1988 U'ORKSHOI' ON NIIMKK1CAI, MOPKUNG OK 1'RO-CIÎSSBS ANI) DKVICRS KOR INTEGRATED CIRCUITS-NUPAD II STANFORD UNIV. (PROF. DIJTTON ), IEEE, SAN DIEGO, 9. - 10. maj 1988 MIEL - JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O M1KROELEKTRONIKI, MIDEM, ZAGREB, 10. - 12. MAJ 19 88 KTAN - LKTN A KONFERENC A , ET A N , SARAJEVO 5. - 10. JUNIJ 1988 SD - JUGOSLOVANSKI SIMPOZIJ O SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH, MIDEM, N. GORICA, 7.-9. SEPTEMBER 1988 YUGOSLAV-AUSTRIAN-HUNGARIAN FOURTH JOINT VACUUM CONFERENCE, SLOVENSKO DRUŠTVO ZA VAKUMSKO TEHNIKO (A. ZALAR) , PORTOROŽ, 20.- 23. SEPTEMBER 1988 YIJTEI, - EZS, LJUBLJANA, /1.-5. OK 1'OHICR 1988 ISEMEC - EZS, L,HJHUAN'\, 4.-5.OKTOBER 1988 ELEKTRONIKA V PROMETU - EZS, LJUBLJANA, 6. - 7. OKTOBER 1988 RELEJNA ZAŠČITA - EZS, LJUBLJANA, 6.-7. OKTOBER 1988 2.63 2.70 2.71 2.72 2.73 o epi'caksijalni rast iz tečne faze l LPE • epitaks'jalni rast iz tekuče faze • ennTaxcnjanHo paciei-be on Tenna cpasa, Tesno-cfiasna entuaKcuja ® epi taksija iz tekoče faze liquid phase epitaxy Dobivanje epitaksijske plasti s potapljanjem podlage v raztaljeno zmes ustreznih materialov. Uporablja se v nekaterih postopkih teiv , nologije integriranih vezij. | tranzistorsko-tranzistorska logika male snage j LPTTL tranzistorsko-tranzistorska logika male snage TpaH3iicTopcKo-TpaH3MCTopcKa normo 3a Mana kokhoct, LPTTL-nornKa transistorsko-transistorska logika male moči • bit najmanje važnosti ® bit najmanjeg značaja • Hajr,'.anKy oa>KeH 6ut • najmanj pomembni bit integracija visokog stepena integracija visokog stupnja BucoKa HHTerpnpaHOcr, LSI-uHTerpnpanocr integracija visoke stopnje STTL male snage Schattkyjeva tranzistorsko-tranzistorska logika male snage [UoTKiieoa TTL-iiorMKa 3a Mana mokhoct Sc'notikyjeva transistorsko-transistorska logika male moči LSB LSI low power transistor-transistor logic Modificirana izvedba TTLdigitalnih vezij, pri katerih se zmanjša d:?' pacija moči (okrog 10-krat!, vendar se pri tem podaljša zakasnite (okrog 3-krat). least significant bit large scale integration LSTTL Icw-power-Schottky transhtcr-s transistor logic Bit z najmanjšo tehtnostjo oz. bit z najnižjo položainc vrednostjo v kodirani besedi. Gre za prvo binarno cifro z desne na !evo. Izraz se uporablja tudi za izračunavanje napake pri AD ;r DA pretvo-bi. integracija, zastopana v polprevodniških elementih, ki vsebujejo 1GC do 1000 osncfimih elementov (transistorjev, diod itd). Modificirana izvedba TTL digitalnih vezi], pri kateri je razen Schottkyjevih transistorjev uporabljenih več Schottkyjevih diod namesto večemitorskih transistorjev za izvedbo logične funkcije, kar pomeni, da^gre za TTL vezja z DTL vhodi. Taka vezja so hitra in imajo višjo vhodno prebojno napetost kot navadna TTL vezja. i i 2 3 2.74 • memorijska adresa • memorijska adresa • f.ie.MopucKa 3flpeca • pomnilniski naslov MA 2 75 • MAOS-struktura ® metal-silicijski oksidalumšnijski cksid-poluvo-dič • MAOS-CTpyKiypa • silicijev aluminijevooksidni polprevodnik MAOS 2.76 • memorijski adresni registar • memorijski adresni registar • ueuap«CKii aApecen pecnaap ® porr .Iniški naslovni register MAR 2.77 i i • memorijski podatak • memorijski podatak • ¡ucMopucKM nosaroK • pomnilniski podatek M D ' 4 ' - ™ ......* 5 • memory address Pomnilnik digitalnega sistema ima veliko število lokacij, v katere je možen dostop prek njihovih naslovov. Naslove tveri skupek binarnih besed, ki največkrat ustrezajo zaporedju stanj binarnega števnika. Dolžina naslovnih besed je odvisna od kapacitete pomnilnika oz. od števila pomnilniških lokacij. ® metal-alumins-oxide--semiconductor MOS struktura z dvoplastnim oksidom pod vrati: Si02 in Uporablja se kot obstojna pomnilniška celica za izdelavo poiipre-menljivega pomnilnika. Pomnjeni podatek se ohrani kot elektrina, j injicirana v plasti med oksidnimi plastmi. • memory address register Pomnilniški naslovi se v digitalnem sistemu največkrat dobivajo kot stanja števnika. Pri programskem določanju naslova se ustrezno stanje števnika vpisuje v naslovni register, ki zagotavlja navzočnost naslova na naslovnih vhodih pomnilnika. ® memory data Vrednost podatkov kot tudi instrukcija o njihovi obdelavi sta podani v obliki binarno kodiranih besed določene dolžine, ki so nameščene v pomnilniške lokacije. Te besede morejo predstavljati vrednost ope-rnnda oz. podatka v ožjem pomenu besede, vendar morejo prav tako vsebovati operacijsko kodo in naslov lokacije, v kateri je operand, ali pa kodo in naslov naslova pomnilniške lokacije, kjer je operand. t 2 78 2 3 • memorijski registar podataka • memorijski registar podataka ® mcmop'.xkh perwcrap na noAaTOun, MeMopneKM nofl.':omoh perMCiap • pcmnilniški podatkovni register MDR 2.79 t ® MNOS-struktura • metal-nitrid—oksid—poluvodič • MNOS-cTpyKrypa • silicijev nitridnooksidni polprevodnik MNOS i 2.8C j 2.81 • meta'—oksid—poluprovodnik • metal—oksid—poluvodič • MOS-crpyKTYpa I ® kovinskooksidni polprevodnik MOS ® čitačka memorija programljiva maskom t maskorn programiriijiva ispisna memorija o MacKOBHo nporpaMaSn/iHa oTHMTyeawKa MeMO- pttja, MFROM-MeMoonja ® z masko programabilni bralni pomnilnik MPROM j 2;32 * multipieksor --j • muitiplcksor | o Mynn;r,ncKcep | '» muitiplcksor MPX 4 5 ; • memory data register > i Pomnjeni podatki iz naslovljene pomnilniške lokacije se redno pre- J ! našajo v register, ki je posrednik med pomnilnikom in vezjem -za ob- j delavo. Če se pomnjena beseda nanaša na instrukcijski podatek, se j v tem registru ločujejo biti operacijske kode in naslovi operar.dov ter pošiljajo v instrukcijski ali naslovni register. • metal-nitride-oxide--semiconductor MOS struktura z dvema plastema pod vrati: silicijev oksid (Si02! in silicijev nitrid (Si3N3). Uporablja se kot obstojna pomnilniška j celica za izdelavo.polspremenljivega pomnilnika tipa EAROM. Pomnjeni podatek se ohrani kot elektrina, injicirana v pasti med omenjenima plastema vrat. s • metal—oxide—semiconductor * Tehnologija polprevodnikih elementov, katerih delovanje temelji na uporabi strukture kovinskooksidnega polprevodnika. Uporablja se pretežno za izdelavo elementov z integracijo srednje in visoke stopnje pri manjši hitrosti delovanja. • mask programmable read only memory Pomnilniški element, izdeian tako, da stalno vpisano vsebino izvede ' proizvajalec elementa. Programirani element se uporablja kot ROM pomnilnik. ® multiplexer Integrirani digitalni eiement, pri katerem se zveza med izhodom in h nekim od 2' informacijskih vhodov realizira z n selekcijskimi vhodi. Tako kombinacijsko vezje se imenuje tudi selektor. Integrirani element se navadno izdela s 4 X 2,2 X 4, 8 in 16 informacijskimi vhodi in spada v vezje z integracijo srednje stopnje. bit največe važnosti bit največeg značsnja Hajf.;Hory samksh 5mt najpomembnejši bit MSB MS bistabilni muittvibrator, MS-bistabi!, MS-flip-flop dvosiruki upravljani.bistabil (MS-bistabii) MS-iinun-tJmon, ,V;S-Tpv.rep, MS-6ncTa6nn soodvisni bistabilni multivibrator ® integracija srednjeg stepena « integracija srednjeg stupnja • cpJAHa viHTerpupaHOCT, MS!-MHTerpnpaHocT « integracija srednje stopnje stopljena trgnzistorska logika stopljena tranzistorska logika nofMKa co cneaHu TpaH3HcropM» MTL spojena transistorska logika IT L N! (Nl-kolo, Nl-cperacija) Ni ' HM NE-IN, NIN NIN 4 5 • most significant bit Bit z največjo tehtnostjo oz. bit z najvišjo položajno vrednostjo v kodirani besedi. Gre za zadnjo binarno cifro z desne na levo. 1 1 • master-stave fiid-tlop Oblika pomnilniikega vezja, sestavljena iz bistabilnih multivibrator- 1 jev tipa M in S, ki so povezani tako, da se bistabiini multivibrator j tipa M aktivira s pozitivnim delom, tipa S pa z negativnim delom tak- j tnega impulza. Tako je izhodna napetost sestavljenega vezja sini,,oni- j zirana z zadnjim bokom taktnih impulzov, kar ima prednost za i zde- i lavo sekvenčnih vezij. Taka oblika bistabilnega multivibratorja more imeti katerokoli znano logiko. • medium sca'e integration Integracija poiprovodniških elementov, ki ima 10 do 100 osnovnih elementov (transistorjev, diod itd.). ® merged-transislor logic Izvedba digitalnih vezij, pri katerih je celotno vezje za izvedbo iogič-nih funkcij izdelano izključno le s transistorji, ki imajo posebno spojeno obliko. Bolj se uporablja izraz l2 L. ® not-AND Izraz se nanaša na operacijo logičnega NE kot tudi na logično vezje, s katerim se ta operacija izvaja. Logika vezja NIN se izraža z odnosom, da je na izhodu logična nič, če so na vseh vhodih logične ene, in se izražaj funkcijo: Y = A • 8 • C. Vezje NIN spada med najpogosteje uporabljena vezja v integriranih elementih. Microelectronics from ITT Semiconductors The worldwide ITT Semiconductors Group with its headquarters in Freiburg (West Germany) has 2,800 employees, including more than 400 engineers and technicians at the centre INTERMETALL who are engaged in concept engineering, development, manufacture and quality assurance. Using the most-up-to-date computer systems, our team of creative engineers is responsible for developing increasingly efficient chips I fa» to meet the overgrowing demands of microelectronics. Our clean room fabrication methods and fully automatic assembly ensure a high standard of quality and open the way to competitive prices In every market of the world. With an annual production of almost 6 billion Integrated circuits, transistors and diodes, ITT Semiconductors Is one of the largest manufacturers of semiconductors worldwide. Microelectronics from ITT Semiconductors are particularly in demand for applications in consumer electronics, automotive and telecommunications electronics. SA mm Semiconductors v ...... ? <', ' , <: / K \ ¥argstor Varistorii so napetostno odvisni upori, torej nelinearni upori. Če je varistor izpostavljen sunku visoke napetosti, se mu upornost v nekaj nanosekundah (ns) spremeni iz visoke O vrednosti (1012fi) v nizko (10 O). Zaradi te lastnosti je varistor zelo primeren za zaščito motorjev, transformatorjev, termostatov, hladilnih naprav, relejskih tuljav, črpalk, starterjev, varovalk, strelovodov, stikal, aktuatorjev, elektromagnetov, telefonskih in akustičnih naprav, usmernikov, števcev, medicinske opreme, računalnikov... Keramika za upore Nosilci za kapične upore Izdelani so iz keramike z veliko mehansko trdnostjo. So površinsko obdelani in imajo ozke geometrijske tolerance. Nosilci za žične upore Na osnovi tehnologije ekstrudiranja izdelujemo vse oblike okroglih in štiriogratih nosilcev. Na osnovi tehnologije suhega stiskanja pa izdelujemo vse oblike ohišij za zaščito žičnih uporov. Keramika za hibride in potenciometre Korundni substrati, izdelani iz 96% AI2O3, so namenjeni za izdelavo debeloplastnih integriranih vezij, hibridnih vezii, keramičnih potenciometrov itd. Enostavna tehnična keramika 110 Izdelana .. je Jz kvalitetne, gosto sintrane keramike na osnovi magnezijevih silikatov .(steatit, kordierit) ali na osnovi porcelana . Skoznlki, nosilci itd._ Uporabljajo se za elektrotehniške izdelke, kot so likalniki, kuhalniki, pralni stroji Palice, cevi, ploščati ali oglati ekstrudiranl izdelki___ Uporabljajo se za različne potrebe elektroindustrije. Različni keramični izdelki__ Izdelujemo jih za posebne namene. Zahtevna tehnična keramika Izdelana je iz 96% korundne keramike. Značilni izdelki so deli ležajev, plinski odvodniki, vodila itd. Laboratorijska keramika Proizvodi laboratorijske keramike so: skodelica za določanje pepela po Mohsu, keramične cevi in sežigne ladjice in žarilni lončki. Piezokeramika Iz piezokeramike izdelujemo piezokeramične ploščice za piezoelektrična brenčala, piezokeramične elemente za vžigalnike in ultrazvočne čistilne kopeli ter piezokeramične elemente za senzorje nivoja, pretoka in tlaka. Piezoelektrično brenčalo PKB_ Piezoelektrična brenčala dajejo visoko glasnost pri nizki napetosti, za aelovanje potrebujejo malo moči, ne povzročajo šuma, so zanesljiva, imajo dolgo življenjsko dobo in so majhnih dimenzij. Iskra ffl Iskra Elementi TOZD Keramika n.sub.o, Telex 32288 yu iskera Telefon (061)576-231,571-804 Posvetujte se s strokovnjaki iz Iskra Elementi TOZD Keramike. Iskra Iskra Avtomatika - avtomatizacija železniškega prometa - avtomatizacija cestnega prometa - avtomatizacija, daljinsko vodenje in telekomunikacije v energetiki - najava požara in zaščita dostopa - avtomatizacija industrijskih procesov - avtomatizacija in mehanizacija varjenja - krmiljenje obdelovalnih strojev - usmerniški in napajalni sistemi ter naprave - elementi avtomatizacije VODIKOV PEROKSID H202 30 ut % Kvaliteta: Vsebnost trdnih delcev: SEMI STANDARD C1.STD.9 Razred 0-2 Datum Številka proizvodnje: šarže: Rok uporabe: 6 mesecev Neto: 1 kg BELTRON je brezbarvna tekočina brez vonja. Nevarnost požara pri stiku z gorljivimi snovmi. Povzroča opekline/izjede. Hraniti na hladnem. Polite clele telesa takoj spirajte z veliko količino vode. Pri delu nositi primerno zaščitno obleko in zaščitna očala/ščitnik. NAČIN IN POGOJI SKLADIŠČENJA: Beltron skladiščite v temnih, zračnih, ognjevarnih in hladnih prostorih v originalni embalaži proizvajalca. SPECIFIKACIJA: barva (APHA): 10 max. vsebnost H302: 30,0—32,0 ut % vsebnost prostih kislin: 0,6 M8<|/g max. ostanek po uparevanju: 20 ppm max. vsebnost klorida (GI): 2 ppm max. vsebnost sulfata (S04): 5 ppm max. vsebnost fosfata (P04): 2 ppm max. vsebnost težkih kovin (kot Pb): 0,5 ppm max vsebnost arzena in antimona (kot As): 0,01 ppm max. vsebnost aluminija (AI): 1 ppm max. vsebnost barija (Ba): 1 ppm max. vsebnost bora (8): 0,05 ppm max. vsebnost kadmija (Cd): 1 ppm max. vsebnost kalcija (Ca): 1 ppm max. vsebnost kroma (Gr): 0,5 ppm max. vsebnost kobalta (Co): 0,5 ppm max. vsebnost bakra (Cu): 0,1 ppm max. vsebnost galija (Ga): 0,5 ppm max. vsebnost germanija (Ge): 1 ppm max. vsebnost zlata (Au): 0,5 ppm max. vsebnost železa (Fe): 0,5 ppm max. vsebnost litija (Li): 1 ppm max. vsebnost magnezija (Mg): 1 ppm max. vsebnost mangana (Mn): 1 ppm max. vsebnost nikla (Ni): 0,1 ppm max. vsebnost kalija (K): 1 ppm max. vsebnost silicija (Si): 1 ppm max. vsebnost srebra (Ag): 0,5 ppm max. vsebnost natrija (Na): 1 ppm max. vsebnost stroncija (Sr): 1 ppm max. vsebnost kositra (Sn): 1 ppm max. vsebnost cinka (Zn): 1 ppm max. tozd per kemija, ljubljena Navodila avtorjem Upute autorima Publikacija »Informacije MIDEM« je zainteresirana za prispevke domačih in inozemskih avtorjev — še posebej članov MIDEM—s področja mikro-elektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki jih lahko razvrstimo v naslednje kategorije: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, pregledni strokovni članki, mnenja in komentarji, strokovne novosti, članki iiz prakse, članki In poročila iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, članki in poročila o akcijah MIDEM, članki in poročila o dejavnostih članov MIDEM. Sponzorji MIDEM lahko brezplačno objavijo v vsaki številki publikacije po eno stran strokovnih informacij o svojih novih proizvodih, medtem ko je prispevek za objavo strokovnih Informacij ostalih delovnih organizacij 40 000 din za običajno A4 stran in 60000 din za A4 stran, ki vsebuje črno-belo fotografijo! Prispevek mora biti pripravljen tako: a) Imena in priimki avtorjev brez titul b) Naslov dela, ki ne sme biti daljši od 15 besed in mora jasno izražati problematiko prispevka c) Uvod — formulacija problema d) Jedro dela e) Zaključek f) Literatura i) Ime in priimek avtorjev, vključno s titulami in naslovi njihovih delovnih organizacij Rokopis naj bo jasno tipkan v razmaku 1,5 v širini 12 cm (zaradi montaže na A3 formatu in pomanjšave na A4 format) na A4 listih. Obseg rokopisa naj praviloma ne bo večji od 20 s strojem pisanih listov A4, na katerih je širina tipkanja 12 cm. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs papirju ali belem papirju. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Podnapisi za risbe, ki so široke do 12 cm, naj bodo tipkani do širine 12 cm, za risbe, ki so širše, pa širina podnapisa ni omejena. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. Risbe, tabele in fotografije ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. Delo je lahko pisano v kateremkoli jugoslovanskem jeziku, dela inozemskih avtorjev pa v angleščini ali nemščini. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. »Informacije MIDEM« izhajajo aprila, junija, septembra in decembra v tekočem letu. Rokopise, prosimo, pošljite mesec dni pred izidom številke na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rokopisov ne vračamo. Publikacija »Informacije MIDEM« zainteresirana je za priloge domačih i inozemskih autora, na-ročito članova MIDEM. Priloge s područja mi-kroelektronike, elektroničkih sastavnih dijelova i materijala možemo razvrstati u sledeče skupine: izvorni znanstveni članci, stručni članci, prikazi stručnih članaka i drugih stručnih radova, mišljenja i komentari, novosti iz struke, članci i obavljesti iz prakse, članci i obavijesti iz radnlh organizacija, instituta i fakulteta, članci i obavijesti o akcijama MIDEM, članci i obavijesti o djelatnosti članova MIDEM. Sponzor) MIDEM mogu besplatno u svakome broju publikacije objaviti po jednu stranu stručnih informacija o svojim novim proizvodima. Ostale radne organizacije plačaju za objavljiva-nje sličnih informacija 40 000 din po jednoj obič-noj A4 stranici i 60000 din po A4 stranici sa crno-bijelom fotografijom. Priloži trebaju biti pripremljeni kako slijedi: a) Ime I prezime autora, bez titula b) Naslov ne smije biti duži od 15 riječi i mora jasno ukazati na sadržaj priloga c) Uvod u kojemu se opisuje pristup problemu d) Jezgro rada e) Zaključak f) Korištena literatura i) Imena i prezimena autora s titulama i nazivi-ma institucija u kojima su zaposleni. Rukopis treba biti uredno tipkan na A4 formatu u razmaku redova 1,5 i širini reda 12 cm (zbog montaže na A3 format i presnimavanja). U pravilu, opseg rukopisa ne treba prelaziti 20 tipkanih stranica A4 formata s redovima širine 12 cm. Crteže treba izraditi tušem na pausu ili bijelom papiru. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba imati naziv i broj. Za crteže do 12 cm širine naziv ne smije biti širi od 12 cm Za crteže veče širine nije ograničena širina naziva. U tekstu je potrebno označiti mjesto za crteže. Crteže, tablice i fotografije ne treba lijepiti u tekst, več je potrebno priložiti ih članku odvojeno. Rad može biti pisan na bilo kojem od jugosla-venskih jezika. Radovl inozemnih autora trebaju biti na engleskom ili njemačkom jeziku. Autori odgovaraju u potpunosti za sadržaj objav-Ijenog rada. »Informacije MIDEM« izlaze u aprilu, junu, septembru i decembru tekuče godine. Rukopise za slljedeči broj šaljite najmanje mje-sec dana prije izlaska broja na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rukopise ne vračamo. Sponzorji MIDEM Sponzori MIDEM GOSPODARSKA ZBORNICA — SPLOŠNO ZDRUŽENJE ELEKTROINDUSTRIJE SLOVENIJE, Ljubljana RAZISKOVALNA SKUPNOST SLOVENIJE, Ljubljana ISKRA — TOZD TOVARNA TELEVIZIJSKIH SPREJEMNIKOV, Pržan ISKRA — INDUSTRIJA KONDENZATORJEV, Semič ISKRA — INDUSTRIJA BATERIJ ZMAJ, Ljubljana ISKRA — DO MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana ISKRA — IEZE TOZD POLPREVODNIKI, Trbovlje, ISKRA — COMMERCE TOZD ZASTOPANJE TUJIH FIRM, Ljubljana RIZ — KOMEL OOUR TVORNICA POLUVODIČA, Zagreb SELK — TVORNICA SATOVA, Kutina RIZ — KOMEL OOUR ELEMENTI, Zagreb ELEKTRONIK — PROIZVODNJA ELEKTRIČKIH UREDAJA, Zagreb ISKRA — AVTOMATIKA, Ljubljana FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana ELEKTRONSKI FAKULTET, Niš RADE KONČAR — OOUR ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT, Zagreb ISKRA — IEZE TOZD FERITI, Ljubljana Ei — RO POLUPROVODNICI, Niš ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb ISKRA — CENTER ZA ELEKTROOPTIKO, Ljubljana BIROSTROJ, Maribor ISKRA — DELTA, Ljubljana INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, Ljubljana ISKRA — IEZE TOZD HIPOT, Šentjernej BELINKA — TOZD PERKEMIJA, Ljubljana GORENJE — DO PROCESNA OPREMA, Titovo Velenje ISKRA — AVTOELEKTRIKA — TOZD ŽARNICE, Ljubljana TEHNIŠKA FAKULTETA, Maribor INEX POTOVALNA AGENCIJA, Ljubljana KEMIJSKI INSTITUT BORIS KIDRIČ, Ljubljana Ei — iRI BETA, Zemun Ei — MIKROELEKTRONIKA, Niš BORJA — KUČIŠTA I UVODNICI, Teslič ISKRA ELEMENTI — KERAMIKA, Ljubljana Publikacija Informacije MIDEM izhaja po ustanovitvi Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale — MIDEM kot nova oblika publikacije Informacije SSOSD, ki jo je izdajal Zvezni strokovni odbor za elektronske sestavne dele in materiale —■ SSOSD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od avgusta 1969 do 6. oktobra 1977 in publikacije Informacije SSESD, ki jo je izdajala Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale — SSESD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januarja 1986. Publikacija Informacije MIDEM izlazi posle osnivanja Stručnog društva za mlkroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale — MIDEM kao nova forma publikacije Informacije SSOSD koju je izdavao Savezni stručni odbor za elektronske sastavne delove i materijale — SSOSD kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od augusta 1969 do 6. oktobra 1977 i publikacije Informacije SSESD koju je izdavala Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materijale kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januara 1986.