Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale 3 ° 1986 LJUBLJANA, SEPT. 1986, LETNIK-GODINA 16, ŠTEVILKA-BROJ 39 ....... Hibridno mikroelektronsko kolo RUDI ČAJAVEC-MIKROELEKTRONIKA INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelek-troniko, elektronske sestavne dele in materiale Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale Glavni, odgovorni in tehnični urednik Glavni, odgovorni i tehnički urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Člani izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Tajnik-sekretar Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Tajnik-sekretar Podpredsednik Alojzij Keber, dipl. ing. Mag Milan Slokan, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodnlki, Trbovlje Mr Željko Butkovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. —• Rade Končar-ETI, Zagreb Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. — VTI, Beograd Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. —■ RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl. ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. —■ Iskra IEZE, Ljubljana Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl. ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Dimitrije Tjapkln, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. — Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing.— Rade Končar-ETI, Zagreb Naslov uredništva Uredništvo Informacije MIDEM Adresa redakcije Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886, (061)329-955 Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brez- Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM bes-plačno platno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tipkanje besedila: Metka Vidmar Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 1000 izvodov Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2. 2. 1979 publikacija je oslobodena pla-čanja poreza na promet. Prepis teksta: Metka Vidmar Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 1000 komada VSEBINA - S A D R 2 A J KAKO GRADITI INFORMACIJSKI MOST MED ČLANI MIDEM? Marija Kosec XXII. JUGOSLOVANSKI SIMPOZIJ O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH Franc Jan OKROGLA MIZA O POVRŠINSKI MONTAŽI ELEMENTOV Stanko Solar ŠESTDESET LET FRANCA PETRCE Ljutica Pešic ALEKSA NEŠKOVIČ - NAŠ AKTIVNI ČLAN Bedrudin Trokič RAZVOJ TEHNOLOGIJE HIBRIDNIH MIKROELEKTRONSKIH KOLA I KOMPONENATA IJ RUDI ČAJAVECU Ratko Krčmar REŽIME REZULTATA U REALIZACIJI MAKROPROJEKTA "I STRAŽI VANJE, RAZVOJ I PRI M JENA MIKROPROCESORA U SR BOSNI I HERCEGOVINI" Tihomir Čutara, Aranka Pašalic, Sveto Vrhovac, Zdenka Majkic PROJEKTIRANJE I REALIZACIJA ŠESTNAEST-BITNOG PROCESORA NA BAZI STANDARDNIH LSI KOMPONENATA Varužan Kevorkijan MEHANIZAM DEPOZICIJE FINIH ČESTICA OKSIDA KOD VAD (Vapor Axial Deposition) TEHNOLOGIJE DOBI JANJA PREDOBLIKA ZA OPTIČKA VLAKNA Kim Gauen NAČRTOVANJE VEZIJ S TMOS MOČNOSTNIMI MOSFET TRANZISTORJI Varužan Kevorkijan REFERATI UVODNOG DELA OKRUGLOG STOLA "RAZVOJ I PROIZVODNJA DOMAČIH MATERI JALA ZA ELEKTRONI KU" Bojan Breskvar, Lado Kosec, Franc Vodopivec, Cveto Mali RAZVOJ PSEUDOZLITIN Ag-CdO IN NADOMESTIL ZA ELEKTRIČNE KONTAKTE TER NAŠI DOSEŽKI NA TEM PODROČJU Aleš Cokan VISOKOENERGIJSKI PERMANENTNI MAGNETNI MATERIALI P. M. Nikolič, D.M. Todorovič FOTOAKUSTIČNA KARAKTERIZACIJA POLUPROVODNIČKIH MATERI JALA Ninoslav Stojadinovič PRIKAZ KNJIGE "ELEKTRONSKE KOMPONENTE I DEO" AUTORA DR STOJANA RISTIČA Petar Biljanovic SHINGO - PARADOKS ILI O TEŠKOČAMA PREVOD ILAČ KOG ZANATA Strokovne informacije o proizvodih s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov - VODIKOV PEROKSID BELTRON KAKO GRADITI INFORMACIJSKI MOST MED ČLANI MIDEM? Analiza, kaj smo doslej storili za informiranje naših članov, ki se sicer v veliki večini med seboj osebno poznajo ravno zaradi dobro zastavljenih in in izvedenih MIDEM-ovih posvetovanj, simpozijev, seminarjev in strokovnih ekskurzij, privede vedno znova do zaključka, da so pravzaprav Informacije MIDEM osrednji informacijski medij pri tej komunikaciji. Če želimo naše člane dobro informirati, potem rabimo prave informacije, le te pa dobimo, če smo sposobni vzpostaviti prave komunikacije. Podobno, kot gradimo danes krajevno razporejene računalniške mreže, ki naj obratujejo dvosmerno v realnem času, naj bi bila tudi informacijska mreža med našimi člani, ki bivajo in delajo sirom Jugoslavije, spletena tako, da bi omogočala pravočasni dvosmerni pretok informacij preko osrednjega "računalnika", ki je v tem primeru naš strokovni informativni list. Komunikacija: "osrednji računalnik" - člani MIDEM preverjeno deluje, čeprav kakšna številka zaradi večinoma objektivnih težav ne izide povsem v "realnem času". Komunikacija: člani MIDEM - Informacije MIDEM preverjeno ne deluje, čeprav se od časa do časa samoiniciativno prebudi kakšna strokovna duša in prida svoj delež k prizadevanjem uredniškega odbora. Analiza torej kaže, da bomo morali pri graditvi informacijskega mostu med člani MIDEM v bodočnosti posvetiti največjo skrb prebujanju zavesti naših članov, da bodo kljub temu, da jih članstvo tega ne obvezuje, pri sebi začutili, da enkrat ali dvakrat na leto napišejo kaj za naš strokovni informativni list. Vzpostavitev neposredne ali posredne zveze med našimi člani in uredniškim odborom Informacije MIDEM bo druga takšna naloga. Ze dolgo je tega, ko smo jo » pričeli načrtovati, pa smo še vedno na začetku. Je pa res, da naloga ni neizvedljiva, zahteva le nekoliko več profesionalne resnosti na strani naših članov in veliko, veliko potrpljenja ter obsežnih prizadevanj na strani uredniškega odbora. Informacijski most med člani MIDEM bo zgrajen, ko bo imel uredniški odbor Informacije MIDEM v vsaki delovni organizaciji in strokovni instituciji širom Jugoslavije svojega zastopnika oziroma dopisnika. Čeprav je ta dan še daleč, se ga vsi veselimo in se tudi zavedamo, da moramo biti v času, v katerem živimo, dovolj zadovoljni že z informacijskim mostom, ki smo ga zgradili doslej in paziti, da inflacijske poplave ne bodo načele njegovih temeljev prej, predno bomo lahko opredmetili pravkar razgrnjen načrt za nov, popoln informacijski most med člani MIDEM. Urednik 119 XXII. JUGOSLOVANSKI SIMPOZIJ O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH Marija Kosec XXII. jugoslovanski simpozij o elektronskih sestavnih delih in materialih - SD 86 je bil letos od 10. - 12. septembra na Otočcu ob Krki. Tako je organizator, strokovno društvo MIDEM, prekinilo s tradicijo. Do sedaj so namreč ti simpoziji bili ob času sejma Sodobna elektronika v Ljubljani. Izkazalo se je, da je bila to dobra poteza. V prijaznem Otočcu se je zbralo okrog 140 ljudi, strokovnjakov iz industrije, institutov in univerz, pa tudi poslovneže si videl med njimi. V otvoritvenem delu, po pozdravnih besedah predsednika lokalnega organizacijskega odbora, predstavnika občinske skupščine Novo mesto in predstavnika republiškega komiteja za industrijo in rudarstvo je strokovno društvo MIDEM podelilo priznanja ISKRI-Elementom, TOZD Polprevodniki in TOZD HIPOT za dolgoletno podporo društvu ter prof. dr. Evgenu Kanskemu in prof. dr. Dragu Kolarju za dolgoletno prizadevno delo prej v okviru Sekcije SSESD pri Elektrotehniški zvezi in nato v novo ustanovljenem društvu. V dveh dneh je bilo nato na konferenci predstavljenih 69 del; 9 od teh so bila daljša pregledna vabljena predavanja, 60 prispevkov je bilo predstavljenih v obliki posterjev. Tudi ta drugačnost v vsebini simpozija in v načinu predstavljanja del je pri večini udeležencev naletela na odobravanje. Simpozij se je zaključil z okroglo mizo - razpravo na temo "Površinska montaža elementov (SMT in SMD) , stanje in načrti v Jugoslaviji" ter z ogledom tovarn - gostiteljev ISKRA Elementi, TOZD HIPOT in TOZD Upori, Šentjernej. Poleg omenjenih so bili sponzorji še ISKRA Elementi, TOZD Elektroliti, TOZD Feriti, TOZD Keko, TOZD Keramika, TOZD Polprevodniki, TOZD Industrijska elektronika, ISKRA Avtomatika, ISKRA Mikroelektronika in ISKRA Center za elektrooptiko Ljubljana. Vodilne teme konference so bile: - tankoplastne tehnologije - materiali in njihova karakterizacija - optoelektronski elementi Na vsako temo se je nanašalo nekaj uvodnih predavanj. Prof. Marinkovič iz Univerze v Ljubljani je v svojem predavanju "Mikrostrukturne posledice difuzije v tankoplast-nih komponentah" tudi širšemu krogu ljudi razumljivo pri- kazal difuzijske procese v kovinskih tankoplastnih parih, ki imajo za posledico različne mikrostrukturne spremembe, kot so na primer nastanek intermotalnih spojin, stanj-šanje in deformiranje plasti, nastajanje por, lasastih kristalov in podobno. Te spremembe so lahko razlog za spremembe funkcionalnih karakteristik ali celo odpovedi tankoplastnih komponent. Avtor je opozoril tudi na nekatera empirična pravila, ki omogočajo orientacijske napovedi nekaterih dogajanj med interdifuzijo v tankih plasteh. Verjetno se je marsikateremu poslušalcu vtisnilo v spomin, da tanke plasti [» določenem času niso tisto, kar so bile na začetku, pa tudi koliko temeljitega znanja je potrebno, da razumemo njihovo časovno obnašanje ali tisto, čemur včasih preprosto pravimo staranje. Žal je bolezen prof. Kanskemu preprečila, da bi na simpoziju posredoval svoje in tuje izkušnje s področja rasti vakuumskih tankih plasti. Ing. Jerič je s koavtorjem sistematično obdelal drug proces nanašanja tankih plasti in sicer breztokovno ali kemijsko depozicijo kovin iz vodnih raztopin s pomočjo avtoka-talitske redukcije njihovih kompleksnih ionov. Prikazal je prednosti te tehnologije, kot so na primer možnost nanašanja na prevodnike, polprevodnike in izolatorje kompliciranih oblik, z izvrtinami; plasti so enakomerno debele, neporozne, odlikuje jih dobra adhezija. Vendar je postopek običajno dražji, kot na primer galvansko nanašanje. Predavatelj je obdelal kemizem avtokatalitskega procesa, aktivacijo, kopeli in posebej značilnosti nanašanj Ni in Co ter njunih binarnih ali ternarnih spojin s P. Verjetno je v tem načinu nanašanja tankih plasti največ kemije in eksperimentalnih pasti, ki jih je ing. Jeriču u-spelo obiti pri svojem dolgoletnem raziskovalno razvojnem delu. V okvir druge teme "Materiali in njihova karakterizacija" lahko uvrstimo predavanja prof. Trontljeve z Instituta "Jožef Štefan" z naslovom "Mikrostrukturne karakteristike elektronske keramike". Avtorica je v prvem delu s karakterističnimi primeri predstavila vrsto metod, kise uporabljajo pri preiskavah mikrostrukture keramike. V drugem delu je nato prikazala, kako izrazita je povezanost med mikrostrukturo in funkcionalnimi karakteristikami e- 120 lektronske keramike. Podrobno je obdelala varistorsko keramiko na osnovi ZnO, ko je predstavila del rezultatov raziskav, s katerimi se ukvarja že vrsto let. Ni pa zanemarila ostale polprevodne keramike, ferroeloktričnih in magnetnih keramičnih materialov ter porcelana. Posebej je opozorila na niz efektov, ki so posledica heterogenosti keramike, še zlasti mej med zrni. Te efekte se da vse bolje pojasniti in jih obvladovati zahvaljujoč izrazitemu napredku analitskih tehnik. Naslednji referat s področja karakterizacije materialov je predstavil dr. Barna z Instituta za fiziko Madžarske akademije znanosti in umetnosti iz Budimpešte. V delu je prikazal posebne načine priprave vzorcev in načine analize tankih plasti z elektronskim mikroskopom. Avtorja dr. Zevnik iz Iskre in dr. Permanova iz IEVT sta pripravila delo "Korozijska problematika elektronskih sestavnih delov". Z različnih vidikov sta opredelila tipe korozij, potem pa sistematsko obdelala korozijo mikro-elektronskih materialov, korozijo nekovinskih materialov elektronskih komponent, korozijo elektronskih komponent ter s tem v zvezi poslabšanje spajkljivosti ter atmosfersko korozijo elektronskih sestavnih delov. Navedla sta vrsto konkretnih primerov, ilustriranih z rezultati, ki so jih dobili z občutljivimi tehnikami za analizo površin. Na temo "Optoelektronske komponente" sta bili dve pregledni predavanji. Prcf. Blinc iz Univerze v Ljubljani in Instituta "Jožef Štefan" je govoril o trendih razvoja na področju optoelektronskih elementov. Velika mednarodna uveljavljenost omogoča avtorju dostop do svežih informacij, ki jih je posredoval udeležencem simpozija. Prikazal je nekatere novejše dosežke na področju laserskih svetlobnih izvorov in organskih nelinearnih kristalov in polimerov, orisal probleme senzorskih tehnologij in materialov ter napredek in trende na področju tekočekristalnih optičnih prikazalnikov. Na koncu je kritično ocenil perspektive molekularne elektronike. Pod naslovom "Razvoj in smeri razvoja aktivnih prikazalnikov" je dr. Nemanič iz IEVT poleg uvodne predstavitve prikazalnikov na splošno, obširno obdelal principe delovanja, osnove tehnologij, karakteristike in predvideno bodočnost katodnih elektronk, elektroluminiscentnih prikazalnikov, LED diod, plazemskih prikazalnikov in vakuumskih fluorescentnih prikazalnikov. Referat je zaključil s prikazom nič kaj razveseljivih razmer na tem področju v Jugoslaviji. Dr. B.C. Waterfield, International Society for Hybrid Microelectronic iz Velike Britanije je v svojem preglednem referatu prikazal stanje na področju hibridne tehnologije v Angliji. Ocenil je trg, področja, kamor so poskušajo prebiti hibridi, smeri tehnološkega razvoja, surovine, kadre itd. Predstavnik tvrdke Bollore Technologies A. Liziard je prijavil delo "Trendi na področju materialov za kondenzatorje". Izkazalo se je, da je naslov preširok. Francoski gost je prikazal stanje in bližnjo bodočnost na področju papirjev, propilenskih filmov, metaliziranih plasti in papirjev za elektrolitske kondenzatorje, v skladu s tem,kar na kon-denzatorskem področju dela njegova firma. Po vabljenih predavanjih je bil v obeh popoldnevih ogled posterjev. Prvi dan so avtorji predstavili pretežno dela, ki bi jih lahko malo širše gledano uvrstili v področje mi-kroelektronike. Obdelali so niz problemov iz tankoplast-nih in debeloplastnih tehnologij, materialov, zanesljivosti ipd. Predstavljeno je bilo tudi nekaj del s področja senzorjev in senzorskih materialov. Naslednji dan so avtorji predstavili posterje, ki bi jih o~ hlapno lahko uvrstili pod isti naslov - problematiko diskretnih komponent. Med deli si lahko našel teoretično pri-s|x>vko o stanju materialov do problemov iz volikoserijskc proizvodnje komf>onent. Dokaj številna so bila dela, ki so obravnavala keramične materiale, komponente in tehnologije, kot so npr. feriti, piezokeramika, varistor, PTC u-pori, keramični nosilci za upore. Avtorji so prikazali svoje rezultate s področja raziskav magnetne pločevine, kom-pozitov ter plastičnih materialov, EO elementov itd. Precej del je obravnavalo probleme analize pri razvoju materialov in komponent, pri zagotavljanju kvalitete v proizvodnji, pri reševanju korozijskih problemov,itd. Predstavitev posterjev se je obakrat zaključila s kar živahno strokovno razpravo. Dela so razen redkih izjem objavljena v Zborniku referatov simpozija o elektronskih sestavnih delih in materialih-SD 86, ki ga je izdalo Strokovno društvo MIDEM, uredila pa Miroslav Gojo in Pavle Tepina. Naj se ob koncu še enkrat vrnem k splošni oceni simpozija. Mislim, da delim mnenje z marsikaterim udeležencem, ko pravim, da je konferenco ob solidnem profesionalnem nivoju odlikovalo tudi posebno prijetno vzdušje. Ali so za 121 oboje "krivi" lokalni organizacijski odbor s Francetom Baznikom in Janezom Aličem na čelu, ali strokovni odbor, ki ga je vodil Milan Slokan, ali sekretar konference Miroslav Gojo s svojo ekipo, ali povsod prisotni predsednik MIDEM-a Rudi Ročak? Kdo bi vedel? Upamo, da se bodo drugo leto ljudje na teh mestih spet tako ujeli in organizirali podoben SD-87 v Velenju. Naslov avtorice: Dr Marija Kosec Institut Jožef Štefan Jamova 3') 61000 Ljubljana OKROGLA MIZA 0 POVRŠINSKI MONTA2I ELEMENTOV Franc Jan Ob priliki 22. posvetovanja o elektronskih sestavnih delih in materialih SD-86, je MIDEM pripravil 12.9.1986 na Otoccu ob Krki "OKROGLO MIZO" o površinski montaži elementov, ki ji je prisostvovalo okoli 80 strokovnjakov iz vse Jugoslavije. Namen okrogle mize je bil, da si udeleženci izmenjajo informacije o sedanjem stanju in načrtih uvajanja tehnologije površinske montaže v proizvodnjo. V ta namen je osem poročevalcev iz različnih organizacij združenega dela pripravilo kratka poročila, iz katerih je razvidno stanje priprav za uvajanje TPM. Miroslav Turina iz "Rado; Končar" jo [«dal svoje poglede na probleme uvajanja TPM v jugoslovanski elektronski industriji in načrte, ki jih ima "Rade Končar". Ervin Pirtov-šek je orisal projekt TPM, ki ga bo Iskri izvajalo šest organizacij združenega dela. I. Tufekčič iz "Rudi Cajavec" je prikazal izkušnje, ki jih imajo v proizvodnji hibridnih in tiskanih vezij. O izkušnjah vezanih na TPM, ki izhajajo iz proizvodnje in razvoja hibridnih vezij v RIZ IETA, je govoril Nenad Strižak. E. Lehotka, RIZ Komel TPV je prisotne seznanil s stanjem priprav za proizvodnjo polprevodnikov za površinsko montažo. F. Kogovšek, Iskra Delta, je predstavil center za načrtovanje tiskanih vezij, ki razpolaga tudi s programskim paketom za načrtovanje vezij v TPM. P. Priševac Ei Avala, je predstavil tantal čip kondenzatorja za PM. Vladimir Pantovič, Ei IRI , pa je poročal o njihovi dejavnosti na področju epoksidnih lepil in pa-stoznih spajk. Ob tej priliki je organizator pripravil priložnostno razstavo domačih komponent za površinsko montažo, ki so jih predstavili sledeči proizvajalci: - Ei Avala; tantal čip kondenzatorji; - Iskra: MELF upori, clebeloplastni čip upori, čipdušilke, transformatorji, termistorji, večplastni keramični kon- denzatorji in prototip folijskega kondenzatorja za PM; - RIZ je na posterju prikazal tranzistorje v okrovu SOT 103. Glede na to, kar smo slišali o načrtih naših proizvajalcev elektronske opreme, izgleda, da je spoznanje o pomenu in potrebi te nove tehnologije že prodrlo mednje. Kako hitro se bo TPM uvajala v proizvodnjo, bo predvsem odvisno od nove generacije elektronskih naprav, ki ji edina lahko da zagon. Tisti proizvajalci, ki so na TPM mislili že pred leti, bodo kmalu želi prve sadove, tisti pa, ki so se pričeli prebujati šele ob evforiji, ki trenutno obstaja, pa bodo morali še nekaj časa počakati, saj vemo, da uvajanje novih izdelkov ali sistemov lahko traja tudi pet let. Kakšna naj bo vloga MIDEM-a pri podpiranju uvajanja TPM? MIDEM nima ambicij, da bi nudil recepte, kako naj uvajamo TPM, lahko pa je posrednik izkušenj in informacij, ki naj bi doseglo vsaj tak obseg kot obstaja v razvitem zahodnem svetu. Osveščanje o potrebi TPM mora zajeti čim širši krog strokovnjakov, zlasti tistih, ki imajo največji vpliv na to, s kakšnimi tehnologijam i bomo realizirali novo elektronsko napravo ali sistem. Polog organiziranih strokovnih srečanj lahko pri tem odigra znatno vlogo tudi naš časopis "Informacije MIDEM", seveda le v primeru, če se bomo odzvali vabilu za izmenjavo informacij. Uredniškemu odboru zato predlagam, da v naslednjih številkah objavi čim več zanimivosti s področja uvajanja TPM v naših organizacijah združenega dela. Avtorjev naslov: Franc Jan, dipl.ing. Iskra-HIPOT - Šentjernej Poštni naslov: I nstitut Jožef Štefan Jamova 39 61000 Ljubljana 122 ŠESTDESET LET FRANCA PETRCE Stanko Solar Težko je ob šestdesetletnici našega dolgoletnega člana in neumornega delavca okarakterizirati prehojeno pot visokega jubilanta. Zavedamo se, da je njegovo delo povezano z vsemi drobnimi značilnostmi bližnjega povojnega obdobja, to je od začetkov elektronizacije pri nas. Uvrščamo ga med pionirje razvojno raziskovalnih aktivnosti s področja elektronskih sestavnih delov, elektronskih naprav in instrumentov, ki jim je vgrajeval svoje neusahljive in večkrat edinstvene konstrukcijske rešitve. Že raznolikost njegovih aktivnosti je pogojena z začetnim obdobjem elektronizacije pri nas, saj je sodeloval pri konstrukcijah elektronskih sestavnih delov, naprav in instrumentov v skladu s trenutnim stanjem razvojno-raziskoval-nih aktivnosti in dal vsakemu proizvodu samo zanj značilen pečat. Težko je danes ob raznih pomagalih primerjati njegovo delo, ker so v tistem obdobju praktično iz nič ustvarjali in zaključevali zastavljene naloge ne glede na dolžino delovnega časa. Franc Peterca je svoje strokovno delo začel na Inštitutu za elektroniko in vakuumsko tehniko v Ljubljani, kjer je prejel za avtorstvo S KW visokofrekvenčnega generatorja prirejenega za razplinjevanje kovinskih sistemov elektronk leta 1951 nagrado SUZUP-a. Njegovo nadaljnje strokovno delo je tesno povezano s tedaj rastočo elektronsko industrijo I EV in kasneje, po združitvi,z Iskro, kjer ustvarja še danes. Nemirnost njegove- ga duha mu je omogočala delovanje na raznih področjih v Iskri, povsod tam, kjer so bili njegove pomoči najbolj potrebni. Tako se je na tej svoji krožni strokovni poti večkrat vračal nazaj v sredine, kjer je že delal. Rezultate njegovega dela lahko srečamo v mornariških sprejemno-oddajnih napravah, kjer je skonstruiral vrtilni kondenzator z linearno karakteristiko in originalni pogon za ugla-ševanje končne stopnje oddajnika. Nadaljeval je s konstruiranjem in razvojem merilnih instrumentov, merilnih naprav in sistemov. Njegov priimek najdemo zapisan v dokumentacijah vodotesnih instrumentov za iskanje napak na telefonskih linijah, Ph-metra, colorimetra, iskalca napak na daljnovodih, Geigerjevega števca s sondami v ročni izvedbi za merjenje alfa, beta in gama žarkov, kontrolnega dekontaminatorja, kontrolne postaje za elektrodispečer-ski center, sistemov panelov za mešalne.mize radijskih postaj, naprav za povezavo oddajno-sprejemnih centrov v letalstvu, naprav za razdeljevanje in kontrolo NF modula-cije radijskih oddajnikov in naprav za odkrivanje radarskih signalov. Ne smemo zanemariti tudi njegovih prispevkov pri razvoju tračnih jeder, preklopnikov za elektronske naprave in instrumente, žičnih uporov in tankoplastnih uporov na A^O keramiki. Med njegove konjičke nedvomno sodijo elektromehanski releji, ki so ga v celoti prevzeli in jim ostaja zvest še danes. Pravilnost svojih rešitev je dokazal tudi zunaj naših meja pri firmi ELESTO AG Švica, kjer je skonstruiral rele tipa KR in firmi IRET, kjer je skonstruiral male ročne sprejemno oddajne postaje. Ob koncu ni več kaj dodati, rečemo lahko le hvala Ti Franci in ostani nam zvest še naprej. Ob Tvojem visokem jubileju Ti iskreno čestitamo in želimo, da bi še dolgo dodajal kamenčke v mozaik.delovnih uspehov. V imenu MIDEM zbral podatke in zapisal: Mag. Stanko Šolar MIDEM Titova 50, 61000 Ljubljana 123 ALEKSA NEŠKOVIČ - NAŠ AKTIVNI ČLAN Ljutica Pešič ALEKSA NEŠKOVIČ, dipl.fiz.hem. Aleksa Neškovič (1947) dugogodišnji aktivni član naše Sekcije za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materijale, još po diplomiranju 1972. godine na Prirod-no-matematičkom fakultetu na Odseku za fizičku hemiju opredelio se za rad na elektronskim tehnolpgijama. Prvi posao mu je bio u Institutu "M. Pupin" 1974. godine na tehnologiji štampanih ploča, da bi od 1978. godine pre-šao na tehnologiju debeloslojnih hibridnih mikrokola gde je postigao zapažen uspeh u razvoju i maloserijskoj proizvodnji hibridnih mikrokola. Poseban smisao pokazuje u laboratorijskoj proizvodnji, gde dolaze do izražaja njegove organizatorske osobine kao što su: celovitost pripremnih radnji (tehniških postupaka, kadra i materijala) i istrajavanja na tehnološkoj disciplini celog tima uz opominjanje saradnika: "Ostavi sada sve to i uzmi ovo da radiš... " U posebnu zaslugu može mu se pripisati uspešan rad u or-ganizovanju ovogodišnje konferencije o mikroelektronici MIEL-86 u Beogradu gde su sve te lične osobine i vrednoča došle do izražaja, tako da se organizacija MIEL-a nije pri-r^ečivala, što se približava i samoj definiciji dobre organizacije: ona se ne primečuje, primečuje se loša organizacija. Njegove karakterne osobine: odgovornost i lični šarm o-bezbedjuju mu poštovanje okoline sa kojom svakodnevno radi kao i poštovanje kolega po struci širom Jugoslavije i poslovnih partnera. Napisao: Ljutica Pešič, dipl.inž. Institut "Mihajlo Pupin" Volgina 15 11000 Beograd RAZVOJ TEHNOLOGIJE HIBRIDNIH MIKROELEKTRONSKIH KOLA I KOMPONENATA U RUDI CAJAVECU Bedrudin T rokic HIBRIDNA MIKROELEKTRONSKA TEHNOLOGIJA jedna je od baznih tehnologija RO Profesionalna elektronika u okviru SOUR Rudi Čajaveca. Novi trendovi razvoja u oblasti elektronike - posebno mi-kroelektronike u oblasti profesionalnih uredjaja, opredje-lili su R. Čajavec ka uvodjenju ove tehnologije u svoje programe. Karakteristike elektronskih uredjaja realizovanih ovim tehnologijama kao što su: - visoka pouzdanost - značajno smanjenje dimenzija - stabilnost funkcija - visoka otpornost na uticaj ambijenta (temperatura, me-hanička naprezanja, ...) - specifične oblasti primjene (RF, konvertorske mreže, medicinska elektronika, mjerna i kontrolna oprema itd.) pokazuju se vanredno kvalitetnim elementima koncepta je-dinstvene tehnološke realizacije uredjaja. Tehnologija hibridnih mikroelektronskih kola instalirana u R. Čajavecu obuhvata: - fazu istraživanja i razvoja uključujuči i izradu maski - tehnologiju tankog filma - tehnologiju debelog filma - tehnologiju montiranja - testiranje Po mjestu primjene, strukturi i tehničkim zahtjevima R. Čajavec - OOUR Mikroelektronika, realizuje ove tipove hibridnih mikroelektronskih kola i komponenata: 124 a) Visoko pouzdana hibridna ttiikroelektronska kola pako-vana u hermetička kučišta. Aktivne komponente za ovc aplikacije su u tzv. CHIP - formi, a hibridno mikroelek-tronsko kolo najčešče se realizuje kao višeslojno kolo. Ova kola zadovoljavaju najviše zahtjeve MIL i drugih standarda (MIL-883, BSt,...). b) Hibridna kola realizovana tehnologijom debelog filma uz primjenu SO - pakovanja aktivnih komponenata. Razvojem tehnologije kvalitetnih minijaturnih pakovanja poluprovodničkih komponenata u značajnoj mjeri je proširena oblast primjene hibridnih kola. Cijena ovih kola prihvatljivija je za mnoge aplikacije u odnosu na cijenu HMK izvedenih sa metalnim kucištima. c) RF kola i komponente - aktivna i pasivna. U oblasti RF primjene razvijena i realizovana su i kola sa S.A.W. komponentama, te neka kola u mikrostrip tehnici. d) Pasivne komponente. U ovoj oblasti realizuju se razLi-čite strukture otporničkih mreža i otpornika uz primjenu bilo tankog bilo debelog filma. R. Cajavec je atestirao precizne otpornike visoke stabilnosti po MIL-R-55182 i jedan je od svjetskih proizvodjača u ovoj oblasti. U oblasti istraživanja i razvoja R. Čajavec - MIKROELEKTRONIKA, uspješno je realizovao velik broj projekata u mnogimi oblastima elektronike. Vlastiti naučno-istraživački kadar daje značajan doprinos kako u oblasti aplikacije ove tehnologije u elektronskim u-redjajima, tako i u razvoju novih tehnoloških procesa. Kvalitetna i moderna oprema omogucuje pračenje trendo-va razvoja u svijetu i verifikaciju stečenih iskustava i novih znanja. Značajan doprinos u afirmaciji ove tehnologije stručnjaci R. C a javor a daju i na različitim savjetovanjima u zemlji i inostranstvu kao i u stručnim časopisima (MIEL, ETAN, MIPRO, ISHM). Pored angažovanja ove tehnologiji- za [Kjtrobe R. Čajaveca treba istači uspješnu saradnju sa velikim b rojem radnih organizacija u oblasti elektronike širom zemlje. Adresa autora: Bedrudin Trokič, dipl.ing. Rudi Cajavec RO Profesionalna elektronika Brače Pavlica 32 a 78000 Banja Luka REŽIME REZULTATA U REALIZACIJI MAKROPROJEKTA "ISTRAZIVANJE, RAZVOJ I PRIMJENA MIKROPROCESORA U SR BOSNI I HERCEGOVINI" Ratko Krčmar 1. UVOD Ideja za izpostavljanje Mak i oprojokta rodila se za vrije-me posjete predstavnika "Rudi Cajavec "-a NI I Avtopribo-rov iz Moskve 1978. godine. U toku posjete napravljen je Program mikroprocesorskog upravljanja raciom automo-bilskog motora automobila "Lada" koji je trebalo realizo-vati zajedničkim snagama. Isti Program je ponudjen SI Z Nauke SR BiH da ga sufinansira. U njegovom finansiranju trebalo je da učestvuje i "Progres" - Autokuča iz Beograda, buduča izvozna organizacija mikroprocesorskih sistema VAZ-u. Na razgovorima kod sekretara SI Z Nauke pri-hvačena je ideja Makroprojekta, ali je njegov sadržaj pro-širen i produbljen na istraživanje, razvoj i primjenu mi-kroprocesora u SR BiH. 2. VRIJEME USPCSTAVLJANJA MAKROPROJEKTA Vrijemo us|H5s1avljanja Makroprojekta, ]"78-1l>80. godine, kratko se može okarakterisati kao početak intenzivnog svjetskog tehnološkog rata. Dalji razvoj mikroelektronike kao visoke, bazne, infrastrukturne i generičke tehnologije ide ka daljem povečanju gustine pakovanja i funkcija na nivou čipa VLSI. Dalje povečanje gustine pakovanja zahti-jeva sve veči nivo tehnologije rada, uvodjenje kompjuter-ski upravljanih mašina, posebno u fazama simulacije, lo-gičke verifikacije, projektovanja, izrade maski, pa i od-redjenim tehnološkim procesima. Razvoj novih kompleksnih mikroelektronskih sklopova omogucuje razvoj sve kompleksnijih kompjuterskih sistema koji dalje utiču na razvoj mikroelektronike, tako da računarska tehnika i mi- 125 kroelektronika medjuzavisno djeluju na medjusobni razvoj. Logično je da dalje povečanje gustine pakovanja zahtijeva nove materijale i tehnološke procese. Najavljuje se ulazak u informatičku eru. Očigledno je da borba za tehnološki razvoj dobija dimenziju borbe za nezavisnost u budučno-sti, pa radi toga ni jedna zemlja ne smije dozvoliti indife-rentnost, mora imati sopstvenu strategiju tehnološkog razvoja. U istraživačkom smislu, pored razvoja tehnologija, usko grlo postaje razvoj softvera, a pojava mikro-elektronskih sklopova projektovanih po zahtijevu preselja-va težište znanja projektovanja sa nivoa uredjaja i sistema na nivo mikroelektronskog čipa. Vodeče zemlje su SAD, Japan, zemlje EZ, a osječalo se da i zemlje SE V pripremaju svoj odgovor za nastalu situaoiju. Znanje postaje centar oko kojeg i na kojem se pravo sve strategije. U to vrijeme u Jugoslaviji nema organizovanih akcija u tom smislu. Naučno-istraživački rad je neorganizovan i rascjepkan, nema strategijskih pravaca razvoja, promje-ne u obrazovanju su upravo u suprotnosti sa zahtjevima tehnološkog razvoja, naučno-istraživačke institucije u borbi za dohodak ulaze u programe konkurentne privred-nim organizacijama i napuštaju područja naučno-istraži-vačkog rada, a tehnološki razvoj je briga zatvorenih sredina. Pošto su svi značajniji programi multidisciplinarni i zahtijeva ju visoku tehnologiju rada, ovakvo stanje u zemlji ne može nuditi ništa drugo do daljeg zaostajanja za visoko razvijenim zemljama u tehnološkom smislu. Kada se sve ovo ima u vidu, onda ideja o uspostavljanju odredje-nog broja makroprojekata predstavlja iz.uzetan doprinos razvoju naučno-istraživačkog rada, ne samo u program-skom, nego i u naučno-metodološlcom, organizacionom i istraživačkom smislu kao najkvalitetniji odgovor zateče-nom stanju naučno-istraživačkog rada. Ako se analizira Makroprojekat "Istraživanje, razvoj i prirnjena mikropro-cesora u SR BiH", onda se može reči da on pored opštih obilježja, naznačenih gore, ima izuzetan značaj i u pro-gramskom smislu. Poenta istraživanja usmjerena je ka strategijskim znanjima koja se ne mogu dobiti niti kupiti. Ona se u osnovi svode na znanja iz oblasti simulacije, lo-gičke verifikacije, logičkog i fizičkog projektovanja i iz-rade test programa i za najkompleksnije mikroelektron-ske sklopove uključujuči i mikroprocesore. Njegova vri-jednost ogleda se i u konkretnom izlazu u svim ključnim fazama, saznanju da se svi procesi projektovanja i izrade mikroelektronskih sklopova mogu obaviti u zemlji, realni-jem odnosu i pravilnom usinjeravanju istraživačkih kadro-va u njihovom doprinosu razvoju i smanjivanju zaostajanja zemlje. U lconkretnoj aplikaciji mikroprocesorskog upravljanja radom automobilskog motora, treba reči da je to jedan od zadnjih, ako ne i zadnji, bastion u koji je mikroelcktroni-ka ušla zbog genijalnosti postoječih tehnoloških rješenja. 3. VRIJEME REALIZACIJE MAKROPROJEKTA U toku realizacije Makroprojekta dolazi do punog zamaha tehnološki rat. Kompanije u SAD finansiraju udruženim snagama tehnološka istraživanja na univerzitetima raznih generičkih, infrastrukturnih tehnologija da bi zadržale tehnološku prednost. Ova finansiranja raznih tehnologija ujedinila su sredstva kompanija, jer se radi o finansira-nju subkonku rontnog razvoja, kakvo obilježje imaju bazne tehnologijo. IJlazi se u program II VLSI, submilcronske tehnologije, i program VHS1C za koji je posebno zaintere-sovana američka armija. Dalji tehnološki razvoj kroz o-ve projekte znači povečanje brzina obrada stotinu puta u odnosu na postoječe, dalje povečanje gustine pakovanja o-snovnih jedinica, povečanje broja funkcija na jednom mi-kroelektronskom čipu, nove materijale, tehnološke procese, novu kompleksniju opremu koinpjuterski upravljanja i drugo. Na pragu je peta generacija računara na koji-ma se bazira američki koncept ulaska u informatičku eru. Njihova glavna obilježja su: prepoznavanje glasa, prepoznavanje konfiguracija, samodijagnosticiranje, donošenje odluka na bazi djelimičnih informacija i drugo. Na samom ulasku u informatičku eru, postindustrijsko društvo, najavljuje se biološka era, bio čip, jer se postoječim tehnologijama, sada več klasičnim, ne može iči u dalje smanje-nje dimenzija, povečavanje gustine i broja funkcija i povečanje brzine obrade. Istraživanja u oblasti genetskog in-ženjerstva dostigla su več takve razmjere da se naučnici več sada pita ju da li nastaviti sa daljim istraživanjima, prije nego se obezbijedi potpuna kontrola razuma. U oblasti, sada se može reči, klasičnih mikroelektronskih tehnologija ide se sve više u projektovanje mikroelektronskih sklopova po narudžbi. Procjenjuje se da če ovi mikro-elektronski sklopovi dominirati na startu u 21. vijek, te da če činiti 95 % svih mikroelektronskih sklopova. Ovo ne-sumnjivo znači da nema standardnih integrisanih sklopova i da se tržište komponenata pomijera ka uredjajima u či-joj cijeni dominira znanje. Dosadašnja orjentacija visoko-razvijenih zemalja da obezbijede vrlo visoka ulaganja u razvoj tehnologija i diske cijene integrisanih sklopova, mijenja se prelaskom na dominacij« projektovanih kola po zahtijevu na novi vid ekonomske eksploatacije, tehničko-tehnološke, pa i ekonomske i društvene zavisnosti na vi- 126 šem nivou. Očigledno je da se uredjaj i sistem rješava na nivou čipa, te da projektovanja uredjaja i sistema dobijaju novu dimenziju. Ovakav tehnološki rast mogu finansirati samo ekonomski jake zemlje u svijetu. On se, izmedju ostalog, vodi i zbog startne pozicije za 21. vijek i zbog ekonomskog iscrpijiva-nja drugog političkog bloka, motivi SAD. Objedinjenom projektu pod motivom odbrambene strategije dat je u SAD naziv "rat zvijezda" Zemlje SEV se udružuju u oblasti mikroprocesorske tehnike, automatizacije i robotike, bazirane na sopstvenoj elementnoj bazi. Japan svjestan svojih prednosti i nedostataka ide sopstvenim putem uz neprekid-no pračenje tehnološki vodeče zemlje SAD. Zemlje EZ su se okupile oko projekta "EUREKA", svjesne opasnosti koje im prijeti, a i prednosti u ekonomskom i trgovinskom smislu. Najavljuju se ogromna ulaganja u naučno-istraživački rad. Ova ulaganja če u SAD dostiči 70 % svih nacionalnih investicija a 30 % če se ulagati u proizvodnju pri kraju o-voga vijeka. Na početku 21. vijeka taj če odnos biti 90 % prema 10 % u korist NIR. Trka za kadrovima i znanjem če dobiti dimenzije pravog rata. Prosto rečeno, nova radnička klasa če biti inženje-ri. Javlja se novi aspekt izvoza. On se posebno manifestuje u izvozu znanja čija cijena basnoslovno raste. Cijena hard-vera če biti zanemarljiva u odnosu na cijene svih oblika znanja. S druge strane, visoke tehnologije imaju osobinu da smanjuju učešče materijala, energije i povečavaju u-češče znanja tako da se obim izvoza sirovina i baznih materijala iz nerazvijenih u visokorazvijene zemlje sve više smanjuje. To znači da trgovina ne bi postala jednosmjer-na, što može imati velike društvene posledice, trgovati se može u oba smjera samo na istim osnovama bez poli-tičkih i društvenih posledica. Ovo takodje znači da se i NIR i proizvodnja mora razvijati kao sastavni dio ukupnih svjetskih odnosa. U ovakvim uslovima naša zemlja ima svoju šansu. Mada zvuči nevjerovatno, ali naša prednost i rezerva je sve ono što sada predstavlja nedostatak, naravno u uslovima zaokreta od nedostatka u prednost. Makroprojekat je uka-zao na tu realnost. On je ukazao i na činjenicu da nemaju šansu zatvorene strategije tehnološkog razvoja, da ima šansu samo strategija na nivou zemlje, ali u okviru svjetskih procesa radi čega je posebno značajna pozicija Jugoslavije u EUREKA-i i zajedničkom Programu zemalja SEV, ona ne smije biti izvan njih. Njegovo zasnivanje i realizacija Programa istraživanja opravdano jo kroz rezultate realizacije Programa istraživanja, oejenu stanja, realnost realizacije i ukazivanje na dalje pravce razvoja. Detaljnije analize, ocjene i pravci daljeg razvoja mogu se pročitati u Študiji "Stanje i razvoj mikroelektronlke u Jugoslaviji" u čijoj izradi su učestvovali stručnjaci koji su realizovali Makroprojekat. 4. CILJEVI I ZADACI ISTRAŽIVANJA Osnovni cilj istraživanja u okviru Makroprojekta svodi se na ovladavanje strategijskim znanjima koja se nisu mogla dobiti na druge načine radi sticanja što veče nezavisnosti u strategijskim oblastima i pravilnom usmjeravanju NIR u budučnosti u funkciji razvoja Republike i zemlje u cjeli-ni. Kao potvrda objektivnosti dostignutog nivoa u sva tri segmenta Makroprojekta dat je i konkretan izlaz. U toku istraživačkog rada usmjeravane su istraživačke aktivnosti, pa čak i proširivani Program istraživanja, a pri tome se neprekidno vodilo računa da se ne degradiraju kvalitet, nivo i dubina istraživanja. U funkciji upravljanja Makroprojektom odredjeni zadaci su se prirodno stapali u logičnu istraživačku cjelinu, kako bi se obezbijedio konkretan izlaz. U toku realizacije Makroprojekta obezbijedjeno je funkcio-nisanje organizacije istraživačkog rada večeg broja NI I, organizacija udruženog rada, fakulteta i trgovačkih organizacija. Ova organizacija je ukazala da je moguče veoma kvalitetno saradjivati u oblasti NIR, naročito u oblasti sub-konkurentnog razvoja, oblasti visokokvalitetnih, baznih, infrastrukturnih tehnologija, što se treba imati u vidu pri izradi strategija tehnološkog razvoja. Takodje, Makroprojekat je pokazao da su objektivno mnogo veče ukupne mogučnosti u zemlji od izlaza koji se daje. Ove rezerve su ogromne, posebno u oblasti NIR uz uslov organizovanog rada na strategijskim pravcima razvoja zemlje u cjelini. Makroprojekat je ukazao na nove aspekte bezbjednosti, o-bilježja nezavisnosti i samostalnosti i ukazao na metode njegovog očuvanja. Nepobitna je činjenica da tehničko-teh- 127 nološki razvoj i razvoj NIR čine jedina prava uporišta sa-mostalnosti, nezavisnosti i ravnopravnosti u svjetskim od-nosima, jer se jedino dominacijom znanja može obezbije-diti otpornost na upravljivost spolja - novi oblik tehnično-tehnološkog, informatičkog, pa onda i ekonomskog i druš-tvenog kolonijalizma. Saznanje da je investiranje u NIR jedina kategorija koja če obezbijediti normalan razvoj, rav-nopravnu razmjenu sa svijetom i komunikaciju sa njim predstavlja osnovu za pravljenje svih budučih strategija društvenog razvoja i nacionalnog investiranja. Teorijski aspekti, tehničko-tehnološki razvoj i društveni odnosi, još uvijek nisu predmet studiozne, naučne, orga-nizovane obrade, niti pojedinaca niti društveno-političkih organizacija. Ovo područje se samo po sebi nameče i dalje ostavljanje po strani ovih pitanja može imati teške posledice na razvoj društvenih odnosa i zbog pogrešnog us-mjeravanja u vodjenju društvenih akcija. U ovom materi-jalu koji se ne bavi tim pitanjima, biče naznačena samo neka od njih. Centar društvenog proizvoda - društvena proizvodnja se pomjera ka višim i visokim nivoima znanja. Ulaskom u informatičku eru - post industrijsko društvo, nestaje pojam klasičnog rada, klasičnog radnika, klasič-nog radnog m jesta, pa onda i radničke klase u klasičnom smislu te riječi. Dohodak dobija nove, društveno šire dimenzije. Upravljanje društvenim dobrima i društvom u cjelini, dobija nova kvalitetnija obilježja. Primitivizmi svih oblika, neorganizovanost i neznanje, gube sve šanse. Vide se jasno svi defekti u sistemu obrazovanja. Znanje postaje dominirajuči univerzalni kriterijum. Makroprojekat je pokrenuo čitav niz projekata i zadataka i ubrzao njihovu realizaciju. Na kraju, pored niza drugih pozitivnih doprinosa, dopri-nio je jasnom slikanju pozicije Jugoslavije u tehničko-te-hnološkom progresu svijeta i ukazao na njenu šansu u sa-dašnjem tehnološkom razvoju svijeta i posebno u uslovi-ma novih tehnoloških revolucija, što se mora imati u vidu u periodu naročito do 2000. godine. 4.1. Seg m ent I U toku realizacije Makroprojekta nabavljen je veči broj stručnih i naučnih knjiga i publikacija iz predmeta istraži-vanja Makroprojekta. Ova literatura je direktno finansi-rana sredstvima Makroprojekta, a nalazi se u biblioteci Elektrotehničkog fakulteta u Banjaluci. Rezultati istraživanja u zadacima 2, 3, 4, 7 i lOa Analiza mikroprocesora koji se mogu dobiti na svjetskom tržištu i istraživanja područja njihove primjene; Definisanje pro-jektnog zadatka i donošenje odluke o tipu mikroprocesora i načinu realizacije; Realizacija mikroprocesora na bazi diskretnih komponenata i razvoj i izrada emulatora i Razvoj i izrada mikroasemblera za potrebe mikroprogrami-ranja, respektivno, prirodno su spojeni u jednu cjelinu. Pri tome treba imati u vidu da je u zadatku broj 2 bilo i konkretnih izlaza koji se primjenjuju u industriji alatnih mašina, šumarskoj i elektro industriji. Veoma je značajno naglasiti da je kroz zadatke 3, 4, 7 i lOa realizovan 16-bitni procesor na bazi standardnih komponenata, da se proizvodi u "Rudi Čajavec"-u i ugradjuje u složene sisteme upravljanja u realnom vremenu. Zada-tak je orijentisan na zadovoljenje velikog broja zahtjeva za različite nam jene, a pored toga moralo se voditi računa i o potrebama razvoja do 2000. godine. Radi svega toga išlo se na realizaciju procesora sa mogučnošču proši-renja dužine riječi od 4 do 32 bita, a radi zadovoljenja potreba SOUR-a "Rudi Cajavec" realizovan je 16-bitni procesor koji je uz to imao i zadatak da emulira 16-bitni procesor koji se koristi u uredjajima "Rudi Cajaveca" koji se nije mogao dalje proizvoditi a imao je i odredjenih teh-ničkih nedostataka za primjene u kompleksnijim sistemi-ma. Realizacija monolitnog procesora nije bila moguča u zemlji sa sada raspoloživim tehnologijama. Osnovna karakteristika postoječih tehnologija odredjena visinom rezoluci-je ukazuje na mogučnost realizacije IC koja ne idu ispod 5 |im a procjenjuje se da su neophodne tehnologije za njegovu realizaciju izmedju ljim i 3 jim . Radi toga, do-govoreno je da če se u narednom vremenu, kada to mogu-čnosti dozvole, pokušati realizovati 16-bitni procesor. Razvijeni mikroprocesor se može svesti na osnovnu logič-ku čeliju kao osnovu za logičku simulaclju, logičku verifi-kaciju, izradu test programa, fizičko projektovanje, izrada maski i tehnološka realizacija procesora. Medjutim postupke je moguče realizovati i preko standardnih kola na bazi kojih je procesor realizovan, tretirajuči uslovno standardna IC kao standardne čelije. 128 Kvalitet realizacije ovog zadatka ogleda se u činjenici da niko u zemlji i u Evropi, koliko je nama pozna to, nije ro-alizovao 16-bitni mikroprocesor na bazi standardnih kom-ponenata. Takodje, rijetke su kompanije iz SAD i Japana koje su na ovaj način realizovale 16-bitni mikroprocesor. Njihova orijentacija bila je projektovanje sopstvenog mo-nolitnog procesora. Projektovanja na bazi standardnih komponenata ukazuju na dubinu poznavanja ove oblasti i na moguča prilagodjavanja stepenu razvoja tehnologija. Rezultati istraživanja u okviru zadatka 5, Razvoj i izrada sistemskog softvera, omogučili su da se definiše novi Ma-kroprojekat pod nazivom DIPSY. 4.2. Seg m ent I I Zadatak 6, Logička simulacija, predstavlja cjelinu sa 8, 9, 10, 11 i 12, zadacima Segmenta II. Zadatke 8, 9, 10, 11 i 12 čine: Študija poluprovodničkih tehnologija i tren-dovi razvoja, Fizičko projektovanje, Projektovanje i razvoj LSI komponenata i mikroračunara, Študija fenomena odgovornih za poluprovodničke strukture, Študija tehnoloških procesa za realizaciju monolitnih integrisanih kola, respektivno. U okviru ovih zadataka, ovladano je znanjima za projektovanje IC svih nivoa kompleksnosti u raspoloživim tehnologijama u zemlji. Instalirana oprema, stečena znanja, iskustvo i raspoloživi softver omogučuju potpuno projektovanje po zahtjevu, projektovanje na osnovu gejtovskih matrica, a stvoreni su uslovi za projektovanje na bazi standardnih čelija. Da bi se verifikovali rezultati istraži- 2 vanja projektovano je i realizovano IC u I L tehnologiji zajedno sa RIZ-TPV a za potrebe SOUR-a "Rade Končar". Takodje, u CMOS tehnologiji realizovana je gojtovska matrica čiji je jedan dio "oživljen" radi verifikacije rezultata projektovanja i proizvodnje IC na bazi gejtovskih matrica u CMOS. Danas se ova gejtovska matrica pod nazivom GEM-21 nalazi u serijskoj proizvodnji u EI-FPP. U RO PE i na Elektrotehničkom fakultetu u Banjaluci instaliran je program za simulaciju i verifikaciju MOST koji je razvijen na Elektronskom fakultetu u Nišu. Dalji zajednič-ki rad u ovoj oblasti nastavlja se kroz razvoj GEM-23 a završiče se procijenjenim potrebama Jugoslavije do 2000. godine. Kvalitet rezultata ovih istraživanja treba gledati kroz dalje pravce razvoja ove oblasti vi svijetu. Činjenica je da se suština projektovanja uredjaja i sistema preseljava na nivo čipa. S drugo strane, očegledno jo da so napušta proizvodnja standardnih IC i do kraja vijeka proizvodičo se samo kola [x> zahtjevu. Ovo dalje znači da ukoliko se ne vlada znanjima za projektovanje IC i ako se ne raspolaže tehnologijom za njihovu proizvodnju neče se moči proizvo-diti elektronski uredjaji i sistemi. Pošto sU ovo infrastruk-turne tehnologije koje su ušle u sve pore ljudske djelatno-sti, to može značiti ili potpunu blokadu privrednog sistema ili potpunu zavisnost od visokorazvijenih zemalja. Naravno, ne smije se dozvoliti ni jedna od ovih alternativa. Na bazi ovih saznanja bazirani su dogovori sa drugim organizacijama u zemlji o organizovanom zajedničkom radu u ovoj veoma značajnoj oblasti. Uz to, ovaj rad se prirod-no nastavlja na oblasti projektovanja u makroelektronici koja podrazumijevaju visok nivo standardizacije i organi-zovanosti kao osnov za iivotljonje automatizacije i u oblasti montažnih tehnologija i kategorizac iji elektronskih sistema u svim fazama ispitivanja. Posebno treba naglasiti tehnološku dubinu kao bitan faktor nezavisnosti ili ravnopravne razmjenljivosti. Činjenica je da intenzivan razvoj podrazumijeva nove visokokvalitetne materijale, širi spektar tih materijala, nove tehnološke procese, kompleksniju opremu kojom se čovjek izbacuje iz tehnološko pteljo radi mogučih grešaka. Do danas, i pored značajne sirovinske osnove o ovom aspektu tehnološke dubine se nije ni vodilo računa. Treba neprekidno ima-ti u vidu da je dubina naše zavisnosti največa u oblastima strategijskih znanja za fizička projektovanja multidiscipli-narnih sistema, visokokvalitetnih i procesnih materijala i ipreme. Istraživački rad je takodje ukazao na orijenta-cije u ovim oblastima. Neophodno je radi razmjenljivosti proizvoditi sve obliko visokokvalitetnih materijala zn koje imamo sirovino u zemlji, odredjone kom|x>nont<; za kojo postoje sirovine i obezbijediti proizvodnju u zemlji, uvoziti komponente i na kraju, uvoziti materijale. Posebno je pitanje analize materijala i kvalitetne kontrole, te lokacije ovih aktivnosti koje u pravilu ne trebaju biti kod posed-nika tehnologije. Na sličnom konceptu treba graditi i proizvodnju specifičnih proizvoda i opreme. Pitanja vezana za zadatke 13, 14 i 23, izrada elaborata, biče posebno razmatrana i ako su i u kratkoj analizi sva-kog segmenta več naglašeni. Posebno ce eksplicitnije biti predložen program daljeg rada - postmakroprojektni period. 129 4.3. Segment III Rezultati istraživanja u Segmentu III svode se u osnovi na realizaciju mikroprocesorskog sistema za upravljanje ra-dom automobilskog motora. U okviru ovog segmenta nala-ze se zadaci od 15 do 22, koji su u osnovu izdijeljeni tako da svi zajedno čine jedinstven sistem. Ovaj model reali-zovan je i nalazi se instaliran na motoru "Zastava 101" u laboratoriji RO EM. Istraživanja su počela u vrijeme kada su i veliki proizvodjači automobila u Evropi započeli istraživanja. Sistem je koncepcijski postavljen tako da omogu-čuje proširenje sistema bez značajnijih zahvata. Ovdje se posebno misli na pripremu smjese, jer se u vrijeme realizacije zadatka nisu mogle vršiti analize karburacije zbog nespremnosti domače industrije motora i vozila da udju u ove poslove. Osim toga, sistem je tako postavljen da omogučuje snima-nje i regulaciju odredjenih parametara rada i regulacije pa se može koristiti i za odredjivanja diskretnog modela upravljanja, za pračenje odredjenih parametara sistema a može se koristiti i kao osnova za razvoj dijagnostičkih sistema za servisiranje. Takodje, u toku razvoja pokrenut je razvoj odredjenog bro-ja senzora za koje postoje tehnologije u zemlji i postignu-ti su dobri rezultati. Masovna proizvodnja oviti sistema daje kvalitetnije gledanje na opravdanost ulaska u proizvodnju odredjenih kompo-nenata sistema. Sve strožiji zahtijevi, posebno u zaštiti ljudske okoline i pouzdanosti te konkurentnosti u izvozu obezbedjuju buduč-nost ovakvim sistemima. U tom cilju izradjen je skrače-ni Program realizacije ovog zadatka sa svim aspektima zbog njegove specifičnosti i lokacije u serijskoj proizvodnji. 5. PRI JEDLOG DALJ (H PRAVACA I AKTIVNOSTI U post makroprojektnom periodu neophodno je nastaviti dalji rad u svim oblastima Programa istraživanja. Projektovanja mikroprocesora i mikroprocesorskih sklo-pova mora rezultirati u razvoj profesionalnih i personalnih kompjutera, kompjutera V generacije na kojima če biti bazirani buduči programi SOUR i šire. Takodje, ovi kompjuteri moraju biti osnov automatizacije svih procesa rada, osnov budučih fleksibilnih tehnoloških linija, fabri- ka budučnosti. Podrazumijeva se da ovo treba da budu po dubini sopstveni proizvodi. Logičku simulaciju, verifikaciju, izradu test programa i fizičko projc;ktovanje nastaviti ka daljem napretku proizvodnje IC na osnovu gejtovskih matrica proširujuči ih do submikronskih tehnologija. Razvijati daljo metode logičke verifikacije, simulacije, izrade test programa i projektovanja. Podrazumijeva se značajniji ulazak u potpuno pro-jektovanje po zahtjevu zbog specifičnih proizvodnji uredja-ja i sistema i radi različitih nivoa zaštite, nivo komponente, nivo uredjaja i sistema i nivo softvera, te zaštiti od-redjene proizvodnje i njenoj konkurentnosti na svjetskom tržištu. Stvorene uslove za projektovanja i izradu IC na bazi standardnih čelija dovesti do nivoa serijske proizvodnje, zajedno sa imaocima odredjenih tehnologija. Početni koraci su več učinjeni. Medjutim , ovi poslovi zahtijevaju značajnija sredstva tako da se moraju tretirati kao jugoslovenski projekat uz angažovanje sredstava zainteresovanih organizacija, zajednica za nauku i krajnjih korisnika. Rezultate istraživanja u ovoj oblasti koristiti za uvodjenje projektovanja u oblasti Makroelektronike. Raspoloživa znanja, iskustva i oprema, programska podr-ška i tehnološka neutralnost su dovoljni razlozi da se jugoslovenski centar za proizvodnju maski locira u "Rudi Cajavec". Svoj dalji tehnološki razvoj "Rudi Cajavec" če bazirati na dostignutom nivou znanja i zahtjevima koji odredjuje karakter njegove proizvodnje te pravci razvoja tehnike i tehnologije u svijetu. Uvesti u proizvodnju sistem za upravljanje radom automobilskog motora. Sistem dograditi sistemom za pripremu smjese. Podrazumijeva se tehnološka dubina do nivoa kom-ponenata u kasnijoj fazi korisloči rezultate istraživanja. Koristeči rezultate dostignute u realizaciji Makroprojekta, definisati poziciju "Rudi Čajavec"-a u strategijama tehno-loškog razvoja Jugoslavije i SR BiH, realizaciji društvenih ciljeva, Programima EUREKA, INTERKOSMOM i drugim svjetskim projektima koji imaju karakter koji nije u sup-rotnosti sa politikom naše zemlje. Imajuči u vidu poziciju naše zemlje u Nesvrstanom pokretu pokrenuti proces izrade Strategije tehnološkog razvoja u okviru Nesvrsta-nih zemalja. 130 Prihvatiti koordinirajuču i pokretacu ulogu za razvoj vi-sokokvalitetnih, procesnih materijala, specifičnih proizvoda i opreme. Pružiti doprinos teorijskim razmatranjima - visoko tehnologije i društveni odnosi. Posebno analizirati nove as-pekte nezavisnosti i kolonijalizma. Izraditi koncept zajedničkog rada i povezivanja materijal-nih resursa u SFRJ u okviru strategije tehnološkog razvoja SFRJ. 6. RADOVI, ORGANIZACIJA I UPRAVLJANJE U toku realizacije Makroprojekta organizovan je jugoslo-venski skup za verifikaciju rezultata istraživanja Segmenta III pod nazivom Simpozijum o primeni elektronike, ra-čunarske tehnike i automatike u motornim vozilima. Rezultati istraživanja i saznanja do kojih se došlo koristili su Ratku Krčmaru da pruži svoj doprinos kao član rad-ne grupe za izradu Študije "Stanje i razvoj mikroelektro-nike u SFRJ" i "Študije o razvoju elektronike i mikroelek-tronike na teritoriji Zajednice opčina Rijeka". Istraživači koji su dali značajan doprinos realizaciji Makroprojekta učestvovali su na okruglim stolovima, ras-pravama u okviru MIEL, SSESD, ETANA, JUROBA, MIPRO, SD i drugih sku|K)va. Svoj doprinos izradi strategije tehnološkog razvoja SR Bili i SFRJ dali su istraživači SOUR "Rudi Cajavec". Takodje, izražen je interes za učešče u programu EUREKA i INTERKOSMOS koji u osnovi predstavlja nastavak istraživanja iz Programa Makroprojekta. Program saradnje sa večim brojem zemalja baziran je na rezultatirric» istraživanja do kojih se došlo u realizaciji Makroprojekta. Izradjena je osnovna literatura za ob razo vanje stručnjaka za projektovanje IC na osnovu PGA - GEM 21. U toku realizacije Makroprojekta istraživači su sa oko 70 radova nastopili na skupovima u našoj zemlji i svijetu. 6.1. R a d o v i 1. Ivo Agatlč, i Vlado Koruga, "ALGORITAM ZA IZRAČUNAVANJE DUŽINE VEZE MINIMALNO POVEZANOG STABLA", Jahorina 1978. Zbornik radova II bosansko-hercegovačkog simpozijuma iz informatike. 2. Ivo Agatič, "METODI TRASIRANJA PUTA VEZE U PROCESU PROJEKTOVANJA ELEKTRONIČ K111 MODULA", ETAN, 1978. Zadar, Zbornik materijala XXII jugoslovanske konferencije za ETAN. 3. Ivo Agatlč, "RAČUNAR U INDUSTRIJI ELEKTRONIČKE OPREME", seminar KOMPJUTERI, američka izložba "KOMPJUTER, ČOVJEK I DRUŠTVO", Zagreb, 1978. 1. Ivo Agatič, "PROCES PROJEKTOVANJA ELEKTRONIČ KIH MODULA", računarska grafika, stručni sastanak. Zavod za elektroniku, ETF Zagreb, 22 - 23. septembar 1980. 5. Ivo Agatič, Stanko Tomič, "PODACI I BAZE PODATA-KA U SISTEMI MA ZA AUTOMATIZOVANO PROJEKTOVANJE", računarska grafika, stručni sastanak, Zavod za elektroniku, ETF Zagreb, 22 - 23. septembar 1980. 6. Ivo Agatič, "PROJEKTOVANJE DIGITALNIH SISTEMA PRI M JENOM RAČUNARA", Elektrotehnika broj 6, Zagreb, novembar - decembar, 1981. 7. R. Hadžimuratovič, I. Agatič, V. Koruga, V. Krstič, "AUTOMATIZOVANO KONSTRUIRANJE I UPRAVLJANJE PROIZVODNIM POSTUPCIMA", VII seminar, BIAM'84. Zagreb, 11 - 13.06. 1981. 8. Ivo Agatlč , " AUTOM ATIZO V A NO PIK )J EKT() V A N.l E II KLIiKTRONK'1 U 11111", SSESD, ETAN, POSVETOVANJE Birostroj, Maribor 26.11.1985. 9. R. Krčmar, M. Mazalica, "Rudi Čajavec" Banja Luka, "POUZDANOST" VII jugoslovensko savjetovanje o mi-kroelektronici, Beograd, april 1979. 10. R. Krčmar, M. Stipančič, "PRISUSTVO I PERSPEKTIVE PRI M JENE FIZIKE U PRIVREDNIM ORG ANI ZACI JAMA U Bili, Sarajevo 1980. 11. Ratko Krčmar, "KOREFERAT ZA PANELNIJ RASPRAVU NA SAVJETO VANJU O MIKROELEKTRONICI 80". IJ NI-ŠU NA TEMU "OBRAZOVANJE U MIKROELEKTRONICI ". 12. Ratko Krčmar, "KOREFERAT ZA PANELNU DISKUSIJU NA SAVJETOVANJU O MIKROELEKTRONICI " U ZAGREBU NA TEMU "KONCEPCIJA SARADNJE U PROIZVODNJI MIKROELEKTRONSKIH KOMPONENATA ". 13. Ratko Krčmar, "VII JUGOSLOVENSKO SAVJETOVANJE MIPRO 83." jedno od uvodnih izlaganja na "OKRUGLOM STOLU STEPEN RAZVOJA I BUDUČI PROGRAM RAZVOJA MI KROELEKTRONI KE IJ RUDI ČAJAVECU". 131 14. Dr Sedat Širbegovič, Ratko Krč m ar, "MIKROPROCESORSKI SISTEM ZA UPRAVLJANJE AUTOMOBILSKIM MOTOROM", Informatika, Jahorina 197'), 15. Ratko Krčmar, "PREDSJEDNIŠTVO CKSKJ , PREDSJED-NIŠTVO VSSJ, PREDSJEDNIŠTVO PKJ, AKCIONA KONFERENC IJA KOMUNISTA O AKTUELNIM IDEJNOPOLI-TIČKIM PITANJIMA DRUŠTVENO-EKONOMSKIH ODNOSA, PRI VRED JI VANJA I RAZVOJA PROIZVODNJE I PRERADE METALA U JUGOSLAVIJI", Beograd, 1981., "NEKA GLEDANJA NA PROIZVODNJU METALA ZA ELEKTRONSKU INDUSTRIJU ". 16. Ratko Krčmar, "NEKA ISKUSTVA U REALIZACIJI MAKROPROJEKTA - ISTRAŽIVANJE, RAZVOJ I PRIM-JENA MIKROPROCESORA U SR BiH" Savjetovanje - uni-verzitetsko obrazovanje, nauka 1 udruženi rad, Tuzla, 1982. 17. Milan Komljenovič, Sedat Širbegovič, Srdjan Marinko-vič, "IZBOR I UNIFIKACIJA KONDENZATORA POMO-ČU RAČUNARA", ETAN, XXIX jugoslovanska konferen-cija, Niš 1985. 18. Krstan Bošnjak, Sedat Širbegovič, Ratko Dejanovič, Milan Komljenovič, "AUTOMATSKO GENERISANJE PO-DATAKA POTREBNIH ZA PROJEKTOVANJE, RAZVOJ, PROIZVODNJU I ODRŽAVANJE ELEKTRONSKIH URE-DJAJA, V simpozijum "Kompjuter na sveučilištu", Cavtat 1983. (633-640). 19. Ratko Dejanovič, Krstan Bošnjak, Sedat Širbegovič, Dževad Medic, "INFORMACIONI PODSISTEM ŠTUDENTSKE SLUŽBE" V medjunarodni simpozijum "Kompjuter na sveučilištu", Cavtat, 1983., (239-246). 20. Sedat Širbegovič, Milan Mazalica, Ratko Krčmar, "TEMPERATURE VERIFICATION OF HYBRID MICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN, ELECTRO COMPONENT SCIENCE AND TECHNOLOGY", LONDON - NEW YORK -PARIS, 1983., volume 10, Number 2+3 (63-66). 21. Sedat Širbegovič , Miroslav Kovačič, Milan Mazalica, "SIMULACIJA DISIPACIJE SNAGE HIBRIDNOG MI-KROELEKTRONSKOG KOLA", Zbornik referata X jugo-slovenskog savjetovanja o mikroelektronfci, Banja Luka 1982., (1-4). 22. Sedat Širbegovič, Dragomfr Laketič , "Hybrid Microelectronics in Presolit Day Yugoslavia, Hybrid circuits, Journal of the International Society for Hybrid Microelectronics UK 1983., Number 3, (22-23). 23. Milan Komljenovič, Sedat Širbegovič, "TESTIRANJE, IZVOR I ODREDJI VANJE liK VI VALEN ATA TRANZI STOKA U/, POMOČ RAČUNARA", Zbornik referatov sini|X)-zija o elektronskih sestavnih delih fn materialih - SD 85., Ljubljana, oktobar 19 85., (79-83). 24. Sedat Širbegovič, Krstan Bošnjak, "Computer application in thermal analysis of passive components in hybrid microelectronic circuits, International Conference on new trends in passive components: Materials, technologies, processing, Pariz, 1982., (415-418). 25. Gojko Obradovič, Sveto Vrhovac, Slavko Marič, Veli-mfr Otovič, Nada Gešovič, Sedat Širl>e<|ovf<', Miroslav Kovacič, Mihailo C rnailak , Bddrudin T rokic , Nataša Bokan, Ratko Krčmar, Tihomir Čutura, "Prethodna is-traživanja potrebna za razvoj hibridnog mikroračuna-ra", SIZ Nauke BiH, Elektrotehniki fakultet Banja Luka 1981. 26. Sedat Širbegovič, Milan Mazalica, Ratko Krčmar, "TEMPERATURE VERIFICATION OF HYBRID MICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN, THIRD EUROPEAN HYBRID MICROELECTRONICS" Conference, Avignon-Fran-ce, 1981. , (51-56). 27. Sedat Širbegovič, Krstan Bošnjak, Ratko Dejanovič, "TERMIČKA ANALIZA HIBRIDNIH MIKROELEKTRON-SKIH KOLA POMOČU RAČUNARA", III medjunarodni simpozij "Kompjuter na sveučilištu", Cavtat, 1981., (290.1. do 290.5.). 28. Sedat Širbegovič, Ferid Softič, "UŠTEDA GORIVA ELEKTRONSKIM SISTEMI MA ZA PALJENJE U AUTOMOBIL-SKIM MOTORIMA", II savjetovanje u energiji, Opatija, 1980. , (1 - 9). 29. Ferid Softič, Sedat Širbegovič, Mihailo Crnadak, "SEN-ZOlil U ELEKTRONSKIM SISTEMI MA ZA PALJENJE KOD AUTOMOBILSK111 MOTORA", ETAN, XXIV jugosloven-ska konferencija, Priština, 1980., (I. 43 - 1. 49). 30. Krstan Bošnjak, Sedat Širbegovič, Dževad Medic, Ratko Dejanovič, "RAČUNARSKI CENTAR UNIVERZITETA U BANJALUCI", II medjunarodni simpozij "Kompjuter na sveučilištu", Cavtat, 1980. , (5 - 38 do 5 - 40). 31. Sedat Širbegovič, Ratko Krčmar, Ivo Marič, Jovo Mrdja , Mak roprojekat: "ISTRAZI VANJ E, UAZVOJ I I'lUMJMNA MIKKOI'liOCESORA II SR lifl I" SI/, Nauke Bili, Sarajevo 1979. (Študija podobnosti). 32. Mirsad Hadžikadič, Sedat Širbegovič, "IZBOR MIKRO- 132 PROCESORA ZA KONTROLU RADA AUTOMOBILSKOG MOTORA", ETAN, XXIII jugoslovonska konferencija, Maribor 1979. 33. Ivo Maric, Ratko Krčmar, Jovo Mrdja, Kemal Hot, Sedat Širbegovič, "SISTEM MIKROPROCESORSKOG U-PRAVLJANJA FUNKCIJAMA MOTORNOG VOZILA", Banja Luka 1979., (Študija podobnosti makroprojekta). Autoelektronika '80., '81. i '83. 34. P. Dakič, I. Maric: "Rudi Čajavec" kao proizvodjač AUTO-ELEKTRO opreme. 35. D. Azinovič: UPOZORENJE I SIGURNOST SA ROTACI-ONIM SVJETLIMA "RČ". 36. S. Širbegovič, M. Pržulj: REGULATOR NAPONA VOL-TAGE REGULATOR. 37. M. Glibo, M. Softič: ELEKTRONSKI BEZKONTAKTNI POKAŽI VAČ PRAVCA I UPOZORENJA. 38. B. Trokič: KARAKTERISTIKE KAPACITIVNOG ELEK-TRONSKOG PALJENJA. 39. M. Crnadak, F. Softič, M. Čupič: BEZKONTAKTNI INDUKTIVNI SISTEM PALJENJA AUTOMOBILSKIH MOTORA. 40. S. Šolar: ODKRIVANJE NAPAK NA ALTERN A'1'ORJ III S ŠEST IN DEVET DIODNIM USMERNIŠKIM STAVKOM. 41. S. Gazdič, A. Barič : UREDJAJ ZA SERIJSKO ISPITI VANJE ELEKTRO-POKRETAČA STARTERA. 42. F. Softič, S. Djermanovič: ENERGIJA VARNICE U AU-TOMOBILSKOM MO ORU S BEZKONTAKTNI M ELEKTRONSKIM SISTEMOM PALJENJA. 43. H. Bajrič, F. Softič, F. Hozič: SPEKTRALNA ANALIZA NAPONA NA SVJEČICI. 44. J. Mrdja: MOGUČNOST OPTIMIZACIJE RADA AUTOMOBILSKOG MOTORA PRI MJENOM MIKROPROCESORSKOG UPRAVLJANJA. 45. V. Krstič, I. Agatič: ARHITEKTURA SISTEMA ZA U-PRAVLJANJE RADO M AUTOMOBILSKOG MOTORA. 46. V. Krstič, I. Agatič, H. Glamočak, V. Koruga: NEKI ASPEKTI PRI MJENE RAČUNARA KAO POMOČI U PRO-JEKTOVANJU SISTEMA ZA UPRAVLJANJE RADOM AU- ' TOMOBILSKOG MOTORA. 47. P. Kolarevič: PRI M JENA UPRAVLJAČKIH KOLA - KON-TROLEIiA U UPRAVLJANJU RADOM AUTOMOBILSKOG MOTORA. 48. M. Božič: REALIZACIJA PROGRAMA ZA UPRAVLJANJE PROCESOM PO MOČ U MIKROPROCESORSKOG SISTEMA. 49. R. Krčmar: NEKI ASPEKTI NEOPHODNOSTI UVODJE-NJA VISOKOKVALITETNIII MIKROPROCESORSKIH TEHNOLOGIJA U AUTOMOBILSKOJ INDUSTRIJI. 50. Z. Salčič , G. Štrkič: FUNKCIONALNA ORGANIZACIJA IZVRŠNIH SISTEMA MIKRORAČUNARA ZA RAD U REALNO M VREMENU. 51. V. Krstič, M. Božič, V. Bogdan, G. Štrkjč, J, Čauše-vič: SISTEM ZA ODREDJI VANJE UGLA PREDPALJENJA. 52. M. Božič, G. Štrkič, V. Krstič: GREŠKE KOD ODREDJI-VANJA UGLA PREDPALJENJA U MPS. 53. N. Antonijevič: PRIGUŠIVANJE ŠUMA IZDUVNIH GA-SOVA MOTORA SA UNUTRAŠNJIM SAGORIJEVANJEM PRI MJENOM MIKROPROCESORA. 54. M. Pružulj, S. Širbegovič: ELEKTRONSKO PALJENJE. 55. D. Nikolič: DISPLEJ SA TEČNIM KRISTALIMA ZA INSTRUMENT TABLU AUTOMOBILA. 56. F. Softič: BRZINSKE KARAKTERISTIKE MOTORA SA BEZKONTAKTNI M ELEKTRONSKIM SISTEMI MA ZA PA-jL.IKN.JK. 57. J. Mrdja: PROBLEMI REGULAC I. J E PAR A META RA SISTEMA ZA DOZIRANJE GORIVA AUTOMOBILSKOG MOTORA. 58. J. Mrdja, M. Kalajdžič: ANALIZA, IZBOR I RAZRA-DA SISTEMA ZA PRIPREMU SMJE.SE. 59. F. Softič: ISTRAŽIVANJE I RAZVOJ SISTEMA ELEK-TRONSKOG BEZKONTAKTNOG PALJENJA. 60. S. Djermanovič: IZUČAVAN.IE I IZBOR SENZORA ZA PRAČENJE RADA AUTOMOBILSKOG MOTORA. 61. V. Krstič: SISTEM ZA ODREDJI VANJE UGLA PREDPALJENJA AUTOMOBILSKOG MOTORA. 62. V. Krstič: MIKROPROCESORSKI SISTEM ZA ODREDJI-VANJE UGLA PREDPALJENJA BENZINSKIII MOTORA. 63. V. Koruga, I. Agatič, II. Glaniocak, V. Krstič: AU-TOMATIZACIJA RAZVOJA MIKROPROGRAMA MIKROPROCESORSKOG SISTEMA ZA UPRAVLJANJE RADOM AUTOMOBILSKOG MOTORA. 64. S. Djermanovič, R. Nikolič, J. Vukoja: SENZORI PRI MI JENJENI KOD UPRAVLJANJA AUTOMOBILSKIM MOTOROM. 133 65. F. Softic: ELEKTRONSKI SISTEM PALJENJA BEZ RAZ-VODNIKA. 66. V. Krstič: SISTEM ZA EKSPERIMENTALNO TRAŽENJE OPTIMALNOG REŽIMA RADA BENZINSKIH MOTORA. 67. H. Glamočak, I. Agatič, V. Koruga, V. Krstič: ISPI-TI VANJE ISPRAVNOSTI RADA I OTKLANJANJA GRE-ŠAKA U MIKROPROCESORSKOM SISTEMU ZA ODREDJI-VANJE UGLA PREDPALJENJA. 68. M. Božič, V. Krstič: REALIZACIJA ALGORITMA ZA UPRAVLJANJE PREDPA.LJKNJEM BENZINSKIH MOTORA. 69. P. Dakič: TERMINSKO PLANIRANJE RAZVOJNIH DJE-LATNOSTI. 70. P. Dakič: IZVJEŠTAJ O NAUČNO-ISTRAŽIVAČKOM RADU NA SISTEMU MIKROPROCESORSKOG UPRAVLJANJA RADOM AUTOMOBILSKOG MOTORA. 71. M. Božič, S. Djermanovič: SKLOPOVI ZA MEDJUVE-ZU MIKROPROCESORSKOG SISTEMA UPRAVLJANJA RADOM AUTOMOBILSKOG MOTORA. 6.2. Spisak elaborata 1. Režime rezultata u realizaciji Makroprojekta "Istraži-vanje, razvoj i primjena mikroprocesora u SR BiH". 2. Nabavljeno i stnieno-obiailjone publikacije. 3. Analiza mikroprocesora i mogučnosti njihove prirojene. 4. Projektovanje i realizacija procesora na bazi standardnih LSI komponenata. 5. Izgradnja sisteinskog softvera. 6. Logička simulacija i verifikacija CMOS-PGA struktura. 7. Študija poluprovodničkih tehnologija i trendovi razvoja. 8. Fizičko projektovanje elektronskih modula. 9. Projektovanje i realizacija CMOS-PGA. 2 10. Projektovanje i realizacija I L-PGA. 11. Tehničko-ekonomski elementi za osvajanje proizvodnje monolitnih integrisanih kola. 12. Tehnički zahtjevi sistema mikroprocesorskog upravljanja radom automobilskog motora. Senzori u sistemu upravljanja radom automobilskog motora. 13. Istraživanje i razvoj sistema elektronskog bezkontakt-nog paljenja. 14. Analiza sistema za pripromu smjose i koinpjutorska analiza karburatora. 15. Mikroprocesorski sistem za upravljanje radom automobilskog motora. Izradjeni elaborati, tri Zbornika radova sa savjetovanja, GEM-21, MOST, Študije Stanje i razvoj mikroelektronike u SFRJ i Zajednici opčina Rijeka i radovi, nalaze se u SIZ Nauke SR BiH, Zajednici Dniverziteta SR Bili, Refo-ralnom centru Sli BiH, Univorzitetskoj biblioteci "Petar Kočič" u Banja Luc.i, bibliotekama Elektrotehničkog fakulteta u Banja Luci i SOUR "Rudi Čajavec". Kompletan softver za simulaciju, verifikaciju i fizičko projektovanje instaliran je u SOUR "Rudi Čajavec" RO PE. Izradjeni uzorci IC , mikroprocesorski sistem za upravljanje radom automobilskog motora i 16-bitni procesor nalaze se u SOUR "Rudi Čajavec", Ei-FPP i RIZ - TPV. Tehnološka realizacija IC izvršena je u RIZ - TPV i Ei -FPP. 16-bitni procesori i mikroprocesorski sistem za u-pravljanje radom automobilskog motora izradjeni su ras-položivim tehnologijama u SOUR "Rudi Čajavec". 6.3. S p i s a k o r g a n i z a c i j a II realizaciji Makroproji'kla uce.sl.vovali su: - SOUR "RUDI ČAJAVEC" - SOUR "RUDI ČAJAVEC" - RO PE - SOUR "RUDI ČAJAVEC" - RO EM - ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Banja Luka - ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Sarajevo - P M F - INSTITUT ZA FIZIKU , Sarajevo - MAŠINSKI FAKULTET, Banja Luka - ELEKTRONSKI FAKULTET, Niš - TEHNOLOŠKI FAKULTET, Banja Luka - SOUR "ELEKTRONSKA INDUSTRIJA" - RO EPP - SOUR "RADIO INDUSTRIJA" - TPV - SOUR "RADE KONČAR" , Zagreb , - ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Ljubljana - "PROGRES" - AUTOKUČA, Beograd - "DMIi" - Beograd - SOUR "C R VENA ZASTAVA", Kragujevae - MAŠINSKI FAKULTET, Kragujevae - MAŠINSKI FAKULTET, Beograd - "PUPIN", Beograd - INSTITUT ZA FIZIKU, Zagreb 134 - ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb - SI Z NAUKE SR BiH - NI I AVTOPRI BOROV, Moskva 6.4. Organizacija i upravljanje Jedinica Makroprojekta, pod radnim nazivom "Mikropro-cesori, oformljena je na osnovu Samoupravnog sporazuma i ugovora izmedju SIZ Nauke SR BiH i SOUR "Rudi Ca-javec". Jedinica Makroprojekta se nalazi u RZZS SOUR-a "Rudi Čajavec" i ima sopstveni žiro račun» Samoupravni sporazum su prihvatile sve organizacije koje su u njemu učestvovale iz SR BiH, navedene u prethodnoj tački i Pri-vredna komora BiH, Akademija nauke i umjetnosti SR BiH , Zajednica Univerziteta SR BiH i "Progres" - Autokuča, Beograd. Izmedju Jedinice Makroprojekta i SIZ nauke SR BiH sklop-Ijen je ugovor o medjusobnim obavezama, a takodje izmedju Jedinice Makroprojekta i organizacije koje su učestvovale u realizaciji Programa istraživanja koje su dalje sklopile ugovor sa istraživačkim timovima. Na nivou Jedinice Makroprojekta formiran je Savjet Jedinice Makroprojekta koji je samoupravno stručni organ. Svi materijali koji su raspravljani na Savjetu Jedinice Makroprojekta upučivani su na razmatranje savjetima organizacija učesnica u realizaciji Makroprojekta. Na nivou Jedinice Makroprojekta kao organ Savjeta Jedinice Makroprojekta formiran je Nadzorni odbor. Članovi Nadzornog odbora su: - Andjelka Babic, SIZ Nauke - Dušan lličič, SOUR "Rurli Čajavec" - RO PF, - Miodrag Janjetovič, SOUR "Hudi Čajavec" - RO EM U Savjetu Jedinice Makroprojekta izabrani su slijedeči članovi: - Živko Ostojič, PPPO SOUR "RUDI ČAJAVEC " - prvi pred-sjednik Savjeta; - Slobodan Radlovič , PPO SOUR "RUDI ČAJAVEC" - pred-sjednik Savjeta po odlasku prvog predsjednika na dužnost van zemlje; - akademik prof. dr Božidar Matič, SIZ Nauke; - Zarija Durlevič, delegat "Progres"-a AUTOKUČA, Beograd ; - Milorad Ninkovič, delegat Privredne komore SR BiH; - mr Dragutin Boškovič, delegat SOUR "RUDI ČAJAVEC" -BO PE; - dr Pantelija Dukič, delegat SOUR "l!UI)I ČAJAVEC" -RO KM; - prof. dr Sedat Širbegovič, delegat ELEKTROTEH NIČKOG FAKULTETA, Banja Luka; - prof. dr Zoran Salčič, delegat ELEKTROTEHNIČKOG FAKULTETA, Sarajevo; - prof. dr Jovo Mrdja, delegat MAŠINSKOG FAKULTETA, Banja Luka; - prof. dr Zinaida Ibrišagič, delegat TEHNOLOŠKOG FAKULTETA, Banja Luka; - akademik prof. dr Svetozar Zimonjič, delegat Akademije nauke i urnjetnosti SR BiH; - prof. dr Petar Hinič, delegat Zajednice Univerziteta SR BiH. Jedinicom Makroprojekta "Mikroprocesori", upravljao je tim: - Ratko Krčmar, direktor Jedinice Makroprojekta i odgovorni istraživač za cijeli Makroprojekat; - Tihomir Čutura, rukovodilac I Segmenta i odgovorni istraživač za I Segment; - Sedat Širbegovič, rukovodilac II Segmenta f odgovorni istraživač za II Segment; - Ivo Maric, rukovodilac III Segmenta i odgovorni istraživač za III Segment. Administrativno-tehničke poslove obavljala je Dušanka Majkič, a nakon odlaska na bolovanje Darinka Došlov. Pored rukovodečeg ti m a postoje i nosioci zadataka i odgovorni istraživači za te zadatke: ZADATAK : 1. Prikupi jnnje i ohrad.i n,menili i si ničnih railova iz oblasti Makroprojekta, I UKAN NU lil I DI NO VIO , prof. 2. Analiza mikroprocesora koji se mogu dobiti na svjet-skom tržištu i istraživanje područja njihove primjene, mr KRSTAN BOŠNJAK, dipl.inž. 3. Definisanje projektnog zadatka i donošenje odluke o tipu mikroprocesora i načinu realizacije, SVETO VR-HOVAC, dipl.inž. 4. Realizacija mikroprocesora na bazi diskretnih kompo-nenata, PETAR DRI NIČ, dipl. inž. 5. Razvoj i izrada sistemskog softvera, prof. dr ZORAN SALČIČ, dipl.inž. 6. Logička simulacija, mr IVO AGATIČ, dipl.inž. 135 7. Razvoj i izrada emulatora, TIHOMIR ČUTURA, dipl. inž. 8. Študija poluprovodničkih tehnologija i trendovi razvoja, prof. dr SEDAT ŠIRBEGOVIČ, dipl.inž. 9. Fizikalno projektovanje, mr IVO AGATIČ, dipl.inž. 10. Projektovanje i razvoj LSI komponenata i mikroraču-nara, TIHOMIR ČUTURA, dipl.inž. lOa. Razvoj i izrada mikroasemblera za potrebe mikropro-gramiranja, DRAGOSLAV MILAŠINOVIČ, dipl.inž. 11. Študija fenomena odgovornih za poluprovodničke strukture, prof. dr. DIMITRIJE ČAJKOVSKI , dipl.inž. 12. Študija tehnoloških procesa za realizaciju monolitnih integrisanih kola, MIROSLAV KOVAČIČ, dipl.inž. 13. Izrada tehničko-ekonomskog elaborata za osvajanje proizvodnjom mikroprocesorskih LSI kola, DRAGOMIR LAKETIČ, dipl.inž. 14. Izrada investicionog elaborata za licencu, kooperaci-ju ili sopstveni razvoj, mr DRAGUTIN BOŠKOVIČ, dipl. inž <, 15. Deffnisanje tehniokih zahtjeva za mikroproc osorski sistem za upravljanje radom automobilskog motora, mr IVO MARIC, dipl.inž. 16. Izučavanje t izbor scnzora za pračorije rada automo-bil.sko(| motora , SLAVKO DJ KRM A NO VIČ , dipl.inž. 17. Analiz,i izbor i razrada sistema za pripremu smjese, prol. dr JOVO MRDJA, dipl.inž. 18. Istraživanje i razvoj sistema elektronskog bezkontakt-nog paljenja, mr FERID SOFTIČ, dipl.inž. 19. Matematičko modeliranje rada motora i simuliranje mikroprocesorskih sistema , prof. dr JOVO MRDJA, di pl. inž. 20. Razvoj mikroprocesorsko^ sistema za upravljanje radom automobilskog motora, mr VLADISLAV KRSTI C, dipl. inž. 21. Intervencija na motoru i završne provjere funkcioni-sanja mikroprocesorskog upravljanja motorom , JADRANKO VUKOJE, dipl.inž. 22. Indikatori, RADOMIR NIKOLIČj dipl.inž. 23. Završni elaborat, RATKO KRČ MAR, dipl. inž. Adresa autora: Ratko Krčmar, dipl.ing. SOUR 1ÎUDI ČAJAVEC - RO PE Biro za programski razvoj Brace Pavlica 23a 78000 I1AN.1A LUKA PROJEKTOVANJE I REALIZACIJA ŠESTNAEST - BITNOG PROCESORA NA BAZI STANDARDNIH LSI KOMPONENATA Tihomir Čutara, Aranka Pašalič, Sveto Vrhovac, Zdenka Majkič SADRŽAJ U ovom radu razmatra se projektovanje i realizacija 16-bitnog procesora sa elomentima iz familije 2900. Ovaj procesor je sastavni dio jeftinog, brzog i efikasnog mikroprocesorskog sistema. Realizovan je širok skup instruk-cija, koji omogučuje korisniku izradu efikasnih radnih programa. ABSTRACT In this work, we have considered realization of a 16-bit processor with 2900 family elements. The processor is a part of inexpensive, fast and reliable microprocessor system. A broad range of instructions has been implemented, which allows for development of reliable and efficient user programs. 1. UVOD Uzimajuci u obzir raznovrsnost primjene procesora i trend |K>vočanjn mogurnosti primjene u novim oblastima nauke i tehnike, javila se potreba za domačim procesorom , čije če se mogučnosti lako prilagodjavati specifičnostima primjene u pojedinim oblastima. Zbog toga je izabrana tehnika mikroprogramiranja za realizaciju skupa instrukcija, tako da je jednostavno vršiti iz-mjene u osnovnom skupu instrukcija, bez mijenjanja arhitekture procesora. Arhitektura procesora je zasnovana na bipolarnoj tehnologiji, na bazi familije 2900, što dozvoljava proširivanje sklopovskih mogučnosti procesora (povečanje dužine rije-či, proširenje adresnog područja i slično). 136 Dostignute brzine rada ornogucavaju primjenii u obrnili signala u realnom vremenu. 6IK. Praktično jo mogurc, dodavat)jotii t»St blokova postili proizvoljnu dužinu rijcci i volit imi adrosnog poilrui ja. Navedena varijanta domačeg procesora je realizovana i nalazi se u proizvodnom programu SOUR-a "Rudi Cajavec" Ulaz i izlaz informacije je organizovan tako da se mikro-programslci obavlja pretvorba paralelnog u serijski format AIo-AIS k MAP PROM 0 MUX X 1 SEL ŽER5~ MIKROPR. SEKYENCB ovr f12* test snsaJU. ¡MAPE ÎF 5L KONT*. JEDINICA SUJECEČj AORESU fEST a o "0)2 ADR. REG. ZA MIK ROP. MEMORIJU L SO,SI X uj X < 8 O x O * A A 51 An-A^ AJX. 5 ia^iL. oflzSlli Cn ti JC AE JSfiUii SVRST• Y 9 so, si m mux Hi- z clk -Vlog Q SAMs i S ™ 9 uj O U i- 9 < £ « x _ On RAMn MUX Hi -Z 3E TO - Y15 jF"-^ ■J-ti jm- JLBUL _seouiL. CY generator ZAStavo SIM&- a mux _0vr_ m, SčtM^ CLK MUX Slika 1: Aritmetičko-logička jedinica 2. ARHITEKTURA PROCESORA Sklopovska realizacija procesora bazirana je na skupu LSI blokova namjenjenih za prirnjene u m ikro prog ram i rani m procesorima i kontrolerima. Mogu se uočiti dvije, donekle razdvojene cjeline u arhitekturi procesora: - aritmetičko-logička jedinica, čija je blok šema prikazana na slici 1; - blok kontrolne logike, prikazan na slici 2. Aritmetičko-logička jedinica sadrži mikroprogramsku memoriju, te sklopove koji izvršavaju aritmetičlco-logičke operacije. Blok kontrolne logike generiše takt procesora i potrebne upravljačke signale. Dužina riječi procesora je 16 bita, a adrosno |x>dručje i obrnuto, te je razmjona informacijo sa periferijama serijska, ali sa velikim brzinama prenosa. Mikroprocesor omogučava koristenje DMA kontrolera, što znači da ima indikaciju ciklusa u kojima on okupira opera-tivnu memoriju. Sistem prekida je izveden u više nivoa sa prioritetom. Koristenjem DMA mogučnosti i sistema prekida moguče je povezivanje procesora u višeprocesorslce distribuirane sisteme. 3. SKUP INSTRUKCIJA Set instrukcija omogučava rješenje problema upravljanja sistemima i proc.esima. Zastupijeno sil slijodečo grupe instrukcija: 137 - aritmetičko-logičke instrukcijo, Ako se mik roprog r.imi ranjo koristi za realizaciji! |inn•so- - instrukcije pomjeranja i rotiranja, ra, onda izvršavanje svake mašinske instrukcijo procoso- - instrukcije koje definišu operacije na bajtu i bitu, ra podrazumijeva izvršavanje više mikroinstrukcija. Sva- - instrukcije kontrole toka programa, koj mikroinstrukciji odgovara njen kod (mikroriječ) koji - instrukcije rada sa stekom, je upisan u jednoj lokaciji mikroprogramske memorije. - instrukcije prenosa podataka. Slika 2: Blok šema kontrolne logike Načini adresiranja su: - direktno u osnovnoj stranici, - relativno u odnosu na programski brojač, - indirektno preko osnovne stranice, - indeksno, - trenutno; i odabrani su tako da izvodjenje instrukcije u čitavom po-dručju operativne memorije bude što efikasnije 4. TEHNIKA MIKROPROGRAMIRANJA Tehnika mikroprogramiranja omogučava realizaciju veo-ma složenih sistema zamjenjivanjem ogromnog broja lo-gičkih elemenata programabilnom memorijom. Pored toga, funkcije sistema može» relativno jednostavno, da se mijenja samo promjenom sadržaja programabilne memorije. Svaki bit mikroriječ i je jxxintak ili upravljački signal za neki element sistema, koji je važnči u jednom vremon-skom ciklusu (mikrociklus). Mikroinstrukcija mora da de-finiše slijedeče: - šta uraditi, - nad kojim podacima, - gdje smjestiti rezultat i - koju slijedoču mikroinstrukciju izvršiti. Mikroriječ se sastoji od 48 bita, a njen format je sljedeči: 6 bita 16 bita 7 bita upravljački podatak ili kontrola toka signali adresa mikroprog rama 48 138 2 bita 8 bita 9 bita kontrola pomjeranja ádrese unutraš-njih revistara upravljacki signali za ALU Pored toga što izvršava konkretne instrukcije procesora, mikroprogram , na osnovu koda mik roinst.rukcije, odrcdju-je na kojoj lokaciji mikroprogramske memorije počinje rutina za obradu dekodovane instrukcije, proračunava Da bi se olakšalo i ubrzalo pisanje mikroprograma, koristenjem razvojnog sistema HP64000, definisan je novi jezik za mikroprogramiranje i razvijen mikroasembler. To dozvoljava da se pisanji- mikroprograma, provjera njegovo ispravnosti, generisnnje apsolutnog koda i upis u prograrnabilnu mik roprog rainsku momorijii obavlja na razvojnom sistemu. r De|msition 2 , 3. VAD - Vapor Axial Deposition [3]. VAD je jedna od najvažnijih metoda dobijanja predoblika za optička vlakna. Razvijena je 1977 godine u Ibaraki EOL, N'IT, kao prva tehnologija kontinuiranog dobijanja predoblika. Ono što ovu metodu izdvaja kao izuzetno per-spektivan i ekonomičan način dobijanja optičkih vlakana jesu velika brzina (4,5 - 5,6 g/min) [4^, i efikas- nost (do 80 %) |j>J depozicije, i visok kvalitet proizvedenih vlakana, J - £9J . Do rasta poroznog predoblika kod VAD-a dolazi usled depozicije čestic.a oksida iz kise-onično-vodoničnog plamena na rotirajuci nosač jioj - jI ¿j. Osnovu uredjaja za depoziciju predstavlja gorionik slože-ne konstrukcijo, čija jo uloga u procesu višestruka, jlŠj -JlŠj . Konstrukcija gorionika za VAD je složen tehnološki problem koji če detaljno biti obradjen u seriji od nekoliko radova. Napomenimo da u literaturi nema podataka o konstrukciji gorionika. Detalji konstrukcije nisu navedeni čak ni u pa-tentnoj dokumentaciji (Í6) - j~l 8] . Konstrukcija gorionika zahteva pre svega poznavanje tač- koje je praktično jednako teoretskom minimumu 140 nog mehanizma depozicije čestica oksida iz plamena na rotirajuči nosač. Zbog toga če u prvom radu iz serije posvečene VAD-u biti dat pregled najnovijih saznanja o mehanizmu aksijalne depozicije i uticaju osnovnih radnih parame-tara gorionika i njegove geometrije na brzinu i efikasnost depozicije. Ovi če podaci kasnije biti upotrebljeni kao osnova za konstrukciju gorionika za VAD. 2. MEHANIZAM DEPOZICIJE FINIH ČESTICA OKSIDA IZ KISEONIČNO - VODONIČNOG PLAMENA NA ROTIRAJU-ČI NOSAČ Uvodjenjem gasovite smeše reaktanata (SiCl^, GeCl^, POClg, itd.) u kiseonično-vodonični plamen gorionika za VAD dolazi do obrazovanja finih čestica (veličine 0.05 -0.2 .um) sastavljenih iz smošo oksida (SiO,,, Go0o, l'_Or., / ^ — ¿j ■) itd.). Njihovo formiranje je složen proces i sastoji se iz reakcije oksidacije ¡19j , [20j , Brownian-ovog kretanja i nukleacije i rasta čestica, Í2lJ . Na slici 1 prikazani su tipičan položaj gorionika za VAD u odnosu na rotirajuči nosač i fluks čestica oksida. fluks čestica stakla ventilacija čestice stakla kiseonično vodonični plamen 'gorionik Slika 1. : Položaj gorionika za VAD u odnosu na rotirajuči nosač. Rof. ¡23] . Kretanje finih čestica oksida u plamenu moguče je opisati dinamikom aerosola [22j . Za analizu mehanizma depozicije od interesa je da se trenutna brzina čestice u plamenu razloži na dve komponente: (l) u komponentu brzine paralelnu sa površinom nosača, i (2) u komponentu brzi-i ne normalnu na površinu nosača. Merenja koja su omogučila kvalitativnu i kvantitativnu sli-ku o mehanizmu depozicije čestica iz plamena na rotirajuči nosač opisana su detaljno u |~23j . Na slici 2 je prikazana zavisnost brzine depozicije od Ray-noldsovog broja* i protoka SiCl . Neodvisno od protoka SiCl^ zapaža se da brzina depozicije dostiže maksimum pri R = 30. Na Schlieren-ovim fotografijama (vidi [23j ) plamena jasno so primočujo da do prvo pojave turbulent-nosti u bližini rotirajučeg nosača dolazi upravo pri R = 30. Ovo navodi na zaključak da su za mehanizam depozicije kod VAD-a odgovorna dva procesa difuzije čestica: (l) molekularna difuzija i (2) turbulentna difuzija, izazvana pojavom vrtloga u plamenu [24] . pro tok SiCI^ 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Reynolds-ov broj Slika 2. : Zavisnost brzine depozicije od Raynolds-ovog broja i protoka SiCl^. Rof. ¡23] . Protok SiCl jo datu arb. jod. Od ukupnog fluksa čestica formiranih u plamenu samo je-dan deo če se deponovati na površini rotirajučeg nosača. Ostatak če, kroz ventilaciju, biti nepovratno izgubljen za proces. Fluks čestica, j, koje iz plamena skrenu ka površini nosača posledica je molekulske i turbulentne difuzije i može se izračunati iz jednačine [23] : j = - n( £(1 + D) V C (1) u kojoj n predstavlja ukupnu molekuslku gustinu, f -ko-eficijent turbulentne difuzije, D-koeficijent molekulske difuzije i C-koncentraciju čestica u plamenu. U laminarnom plamenu prisutna je isključivo molekularna difuzija (tj. kada je R <30, 0). Za R>30, dolazi sve više do izražaja ali se pri tom, usled poveča- Pri tom je Raynolds-ov broj R izračunavan po sledečoj formuli: . H = dwA» u kojoj je d - ekvivalentni prečnik injekcione mlaznice za kiseonik, w - brzina isticanja kisoonika na izlazu iz injoktora i ->) - kinein.ilski viskozitol kiseonikn. 141 nja U komponente brzine, smanjuje koeficijent molekulske difuzije, D. Za R^? 30 depoziciju čestica ometa snažno vrtloženje u plamenu. To navodi na zaključak da če brzina i efikasnost depozici-je biti največe pri R —30. Ova teorijska prerlvidjanja dobro se slažu sa eksperimentalnim merenjima, Slika 2. 3. ANALIZA OSTALIH PARAMETARA KOJI UTIČU NA BRZINU PROCESA DEPOZICIJE Iz predloženog mehanizma depozicije [23] je jasno da su brzina i efikasnost depozicije na prvom mestu odvisne od režima strujanja koji vlada u plamenu, t.j. od Raynolds-ovog broja. Kako je, sa druge strane režim strujanja u plamenu posledica čitavog niza parametara (geometrije gorionika, brzine isticanja pojedinačnih gasnih struja, položaja gorionika u odnosu na rotirajuci nosač, prečnika predoblika, itd.) to ce u daljem tekstu biti analiziran uti-caj svakog od njih pojedinačno. Na slici 3 je prikazana zavisnost brzine depozicije od 0.7 is o NI O o. TO ro c 0.6 0.5 CQ 0.4 0 zazor:d -o- 2mm -o- 1.5 0.75 0 10 20 30 /,0 50 60 70 Reynolds-ov broj cu vecu brzinu depozicije. Pri tom treba imati na umu da |K)vci'anje brzino do|x>zi( ij<> o,stvnrono vri iru pretokom ro-aktanata može drastično da smanji efikasnost iskoriščen-ja reaktanata ako nije optimizirano sa ostalim parametri-ma procesa i goometrijom gorionika. 500 1000 5000 Protok SiCl^ (cc/min) Slika 4. : Zavisnost brzine depozicije od protoka gasovi-tili reaktanata. RoC. [23] . S druge strane, [»večanje prečnika predoblika (t.j. ras-|X)lo/.ivo (K)vršine za do|>oziciju čestica) ogianičeno jo prečnikom gorionika i njegovim položajem u odnosu na 20 40 60 80 Prečnik predoblika (mm) Slika 3. : Zavisnost brzine depozicije od Raynolds-ovog broja i ekvivalentnog prečnika mlaznice za kise-onik. Ref. [23] . Slika 5. : Zavisnost brzine depozicije od prečnika predoblika. Ref. (23] . Raynolds-ovog broja i ekvivalentnog prečnika injektorske mlaznice za kiseonik. Brzina depozicije se povečava sa povečanjem ekvivalentnog prečnika mlaznice (sobzirom da u jedinici vremena dospeva u plamen veča količina ga-sovitih reaktanata). Povečanje ekvivalentnog prečnika mlaznice istovremeno pomera vrednosti maksimalne brzine depozicije ka nižim Raynolds-ovim brojevima. Povečanje protoka gasovitih reaktanata (slika 4) i površine na koju se čestice deponuju (slika 5) takodje ima za posledi- nosač. Položaj gorionika za VAD u odnosu na rotirajuči nosač ima isto tako veliki uticaj na brzinu i efikasnost depozicije. Ovaj je uticaj ilustrovan na slikama 6 i 7. Sliko se odnose na slučaj kada ,se do|x>zicija čestica ostvarujo pomoču dva gorionika: jednog koji služi za depoziciju je-zgra i drugog za depoziciju omotača predoblika. Na slici 6 je prikazano kako pomeranje gorionika za depoziciju jezgra duž ose plamena (a) i po pravcu normalnom 142 na osu plamena (b) utiče na brzinu depozicije. Utvrdjeno je [23] da se pomeranje po pravcu (b) u mnogo večoj meri održava na brzinu depozicije nego pomeranje po pravcu (a). -3 0 +3 Pomeranje gorionika u pravcu,,b" Slika 6. : Z,avisnost brzine depozicije od položaja gorionika za depoziciju jezgra. Ref. ¡23] . se pratiti na slici 8, čiji su atltori [25j . Zapaža se- da brzina depozicije narasta sa |»večanjem brzine isticanja vo-donika sve do jedne odredjene vrednosti. Nakon toga, sva-ko dalje povečanje brzine isticanja vodonika (pri konstant-nom zapreminskom protoku) negativno utiče na brzinu procesa. 80 0 0 60 ■Si, 0 N O CL ¿0 fc) T3 m 0 c in 20 ra -X M— UJ 0 -X—X- Protok SiClA 2UQ cc/min -x- 7Q0 —®-•—•—» 2700 0 20 ¿0 60 80 Rastojanje(mm) Slika 7. : Zavisnost efikasnosti depozicije od položaja gorionika za depoziciju omotača. Ref. ¡23j . Na slici 7 je ilustrovan uticaj položaja gorionika za depoziciju jezgra na efikasnost depozicije. Primečuje se da se optimalno rastojanje povečava sa povečanjem protoka ga- Tabela 2: Zapreminski protoci pojedinačnih gasnih struja kojima se napaja gorionik za VAD. Ref. [25] . Vrsta gasa protok u 1/min azot 0,8 azot 0,4 vodonik 5,4 kiseonik 2,7 SiCl 4 0,4 GeCl 4 0,2 sovite smeše reaktanata. S druge strane, efikasnost de|)o-zicije postaje neodvisna od rastojanja izmedju gorionika i nosača predoblika za protoke gasovite smeše reaktanata koji su iznad 2700 cc/min, j23j . Uticaj konfiguracije pojedinačnih gasnih struja u kiseoni-čnovodoničnom gorioniku i promene njihovih brzina isticanja (pri konstantnim zapreminskim protocima koji su navedeni u Tabeli 2) na brzinu procesa depozicije može Autori [25J no nnvode, medjutirn , razlog z bog čega su brzine depozicije izmerene u njihovim eksperimentima gotovo za red veličine manjo od sadašnjih najboljih vrednosti. 4. ZAKLJUČAK U radu jo opisan mehanizam depozicije finih čestica oksida , iz plamena gorionika za VAD na rotirajuči nosač, i izvršena je analiza osnovnih parametara koji utiču na brzinu procesa depozicije. Prikupljeni podaci poslužiče kao osnova za konstruisanje gorionika za VAD. 6. LITERATURA 1 Kevorkijan M.V., Elektrotehnika, 34 (10), 6 (1985). 2 Kevorkijan M.V., Elektrotehnika, 34 (ll), 13 (1985). 3 Kevorkijan M.V., Elektrotehnika, 34 (9), 12 (1985). 4 Suda H. , Shibata S. and Nak M. , Electron. Lett. , 21 (1) , 29 (1985). 5 Suda H. , Shibata S. and Nakahara M. , Electron. Lett. , 21 (24), 1123 (1985). 6 Koichi I., IEEE. J. Quantum Electronics, QE-18(lO), 1424 (1982). 7 Chida K. , Hanawa F. and Nakahara M. , Review of the ECL, 32 (3), 404 (1984). 143 8 Miya T. , Nakahara M. and Inagaki N. , Review of the ECL, 32 (3), 411 (1984). 9 Hiroshi M., IEEE. J. Quantum Electronics, QE-17 (6) , 835 (1981). 10 Kawachi M. , Sudo S. , Shibata N. and Takao E. , Jap. J. Appl. Phys., 19 (2), L 69 (1980). 11 Edahiro T. , Kawachi M. , Sudo S. and Tomaru S. , Jap. J. Appl. Phys., 19 (ll), 2047 (1980). 12 Izawa T., Proc. IEEE., 68 (10), 1184 (1980). 13 Chida K. , Nakahara M. and Inagaki N. , Review of the ECL, 32 (3) , 395 (1984). _ A u -1200 £1100 inooo 900 -—^vr^" 12 3 4 OZNAKA PROFILA N2H2°2 N2^r N2 °2 H2N2 REAKTANTI 19 French G.W. , Laurel J.P. and Foertmeyer, V.A., J. Phys. Chem., 82, 2191 (1978). 20 Powers R.O., J. Am. Coram. Sot:., 61. (7-8), 295 (1978). 21 Ulrich G.D., Combust. Sei. Technol., 4 (2), 47 (1971). 22 Mason E.A. and Chapman S. , J. Chem. Phys. , 36 (3), 627 (1962). < F 0ÁS Z £ Ñ 3 0.35 m B 1200 O 1100 o 1000 O: 900 UJ 800 1— 700 0.55 IL c < c OAS zJs M O) 0.35 m _,_i_i_i_i— 1 2 3 A 5 OZNAKA PROFILA N2 °2 H2 N2 ir N2 H2 °2 N2 REAKTANTI Slika 8. : Uticaj konfiguracije pojedinačnih gasnih struja u kiseonično-vodoničnom gorioniku i promene njihovih brzina isticanja na brzinu procesa depozicije. Ref. j2Šj . 14 Sudo S. , Kawachi M. , Edahiro T. and Chida K. , Electron. Lett., 16 (4), 152 (1980). 15 Imoto K. and Sumi M. , Electron. Lett., 17 (15), 525 (1981). 16 Izawa T. , Miyashita T. and Hanawa F. , US. Pat. 4 062 663 (1977). 17 Fujiwara K. , Tanaka G. and Kurosaki S. , US. Pat. 4 135 901 (1979). 18 Izawa T. , Kuwabara T. , Masuda Y. and Kameo Y. , US. Pat. 4 224 046 (1980) 23 Suda H. , Chida K. and Sudo S. , Review of the ECL, 32 (3), 418 (1984). 24 Mizushina T. and Ogino F. , Transport Phenomena, Sees. 1 and 4, Sangyo Tosho Inc. (1981). 25 Raychandhuri, S. and Biswas R.D., J. Am. Ceram. Soc. , 4, C 57 (1984). Adresa autora: Mr Varuzan Kevorkijan Institut Jozef Stefan Jamova 39 61000 LJUBLJANA 144 UPORABA ELEKTRONIKE lissaa UPOTREBA ELEKTRONIK NAČRTOVANJE VEZIJ S TMOS MOČNOSTNIMI MOSFET TRANZISTORJI Kim Gauen Prispevek je nadaljevanje prevoda uporabniškega sestavka "Application Note AN-913" iz 38. številke Informacije MIDEM, ki ga je posredovala za objavo Elektrotehna TOZD Elzas iz Ljubljane. 5. KRMILJENJE MOČNOSTNIH MOSFET TRANZISTORJEV TMOS močnostne tranzistorje lahko neposredno krmilimo s CMOS vezji ali TTL vezji z odportim kolektorjem, vendar s tem zgubimo na hitrosti zaradi polnilnega toka, ki ga zahteva parazitna vhodna kapacitivnost in omejene sposobnosti dajanja oziroma sprejemanja toka teh vezij. Izhodna upornost vezij, ki krmilijo vrata in vhodna kapacitivnost MOSFET vezij ali C. tvorita RC časovno konstan- 1SS to, s katero lahko približno določimo čas vzpona in padca napetosti vrat (tr ali t„ = 2,2 RC. ). Ker se vhodna ka-f tss pacitivnost MOSFET vezij precej spreminja v odvisnosti od površine čipa, bo neko krmilno vezje preklopilo manjše tranzistorje, kot na primer MTP5N06, hitreje kot večje, na primer MTM 15N40. 5.1. Krmiljenje vrat s TTL vezji Krmiljenje močnostnih MOSFET tranzistorjev neposredno s TTL vezji brez dodatnih vezij v splošnem ni običajno. V tem primeru je razpoložljiva napetost približno 3,5V, kar ni zadosti, da izkrmilimo MOSFET tranzistor v ohm-sko območje. Nekoliko boljše razmere dobimo, če uporabimo pripenjalne upore na TTL izhodih, s čimer zagotovimo 5V napajanje, toda celo polnih 5V na vratih ne garantira, da bo MOSFET tranzistor prevajal vsaj polovico predpisanega toka ponora. TTL vezje z odprtim kolektorjem in pripenjalnim uporom, ki je vezan na 10V do 15V napajanje, zagotavlja trenutni izklop napetosti na vratih in zagotovi zadostno napetost vrat, ki popolnoma odpre MOSFET tranzistor (slika 17). Vklop ni tako hiter, ker mora biti pripenjalni upor dimen-zioniran za omejevanje jzgubne moči v spodnjem TTL iz- hodnem tranzistorju. Pri obravnavi dinamičnih izgub, ki nastopajo pri preklapljanju induktivnega bremena, je čas Slika 17: Krmiljenje TMOS tranzistorja s TTL vezjem, ki ima odprt kolektor padca napetosti na vratih bolj kritičen kot čas vzpona zaradi faznih razmerij med tokom ponora in napetostjo ponor - izvor. Slika 18 kaže vezje, ki omogoča hitrejši vklop in hkrati zmanjša izgubo moči v TTL vezju. FIGURE 18 — Open Collector n ..."mr s Imerfacu for Faster Turn-on and Roducid Povvwr n M.aipatl on Slika 18: Vmesno vezje med TTL vezjem z odprtim kolektorjem in TMOS tranzistorjem , ki poveča hitrost vklopa in zmanjša izgubno moč Kadar spodnji tranzistor v izhodni stopnji TTL vezja prevaja, stakne vhodno kapacitivnost MOSFET tranzistorja na maso, zato modeliranje bipolarnega vezja kot vezja v nasičenju ni primerno. Zmožnost sprejemanja toka TTL ve- 145 zij na njihovem izhodu v nizkem stanju je omejena z oja-čevalnim faktorjem tranzistorja, ki prevaja in z razpoložljivim baznim tokom, ki zavisi od vrste proizvodnje in TTL družine. Tabela 2 kaže toke izvorov in sposobnosti sprejemanja toka za različne TTL družine. Output Driv« Family High (SoüfCl) Low (Sink) 74LS00 0.4 m A 8.0 mA 7400 0.8 mA 16 mA 9000 0.8 mA 16 mA 74HOO 1.0 mA 20 mA 74SOO 1.0 mA 20 mA Tabela 2: Zmožnost oddaje in sprejema toka TTL vezij na njihovem izhodu Čeprav je vršna zmožnost sprejemanja toka pri TTL vezjih lahko tudi dvojna vrednost stalnega toka, lahko dosežemo hitrejši izklop z uporabo dodatnega tranzistorja, ki pripne vrata na maso (slika 19). V tej vezavi delujejo bipolarna vezja kot emitorski sledilniki. Kot takšni nikoli ne zaidejo v območje zasičenja, pa zato pripadajoči časi skladiščenja naboja ne vplivajo bistveno na mejo preklopne frekvence. pripenjalnih uporov. Seveda se enostavnost teh vezij odraža v počasnejšem preklapljanju MOSFET tranzistorjev zaradi omejitve toka izvora in zmožnosti sprejemanja toka CMOS vezij. Tabela 3 primerja izhodne toke standardnih komercialnih CMOS logičnih vrat s standardnimi CMOS vmesniškimi vezji (MC 14049, 14050). Vidimo, da je sposobnost sprejemanja toka vmesniških vezij precej večja od tiste pri standardnih CMOS vratih, kar pa ni primer za tok izvora. Podatki v tabelah 2 in 3 kažejo tok, pri katerem vezje še vzdržuje izhodno napetost znotraj ustreznega logičnega nivoja za dano logično stanje. Na primer pri V = 15V bodo standardna CMOS logična vrata dajala na izhodu tipično 8,H mA v visokem stanju, ne da bi njihov izhod padel pod 13,5V. Ce stikalna hitrost CMOS vmesniških vezij ni zadosti velika, je priporočljivo uporabiti diskretna vmesniška vezja, ki se uporabljajo v povezavi s TTL vezji (sliki 18 in 19) za povezavo C MOS in TMOS vezij. Edina razlika je, da pri CMOS vezjih niso potrebni pripenjalni upori. Naslednja razlika pri teh dveh tehnologijah, ki lahko vpliva na maksimalno vrednost preklopne frekvence, nastopa zaradi tipično hitrejših preklopnih časov TTL logičnih vrat. 5.3. Krmiljenje vrat z ostalimi vezji V določenih primerih je koristno uporabiti impulzne transformatorje za krmiljenje vrat močnostnih MOSFET tranzistorjev. Ti omogočajo izoliranje pri krmiljenju mostič-nih vezij ali pri krmiljenju N-kanalnih MOSFET-tranzis-torjev, ki krmilijo ozemljeno breme. Najbolj preprosti primer takšnega vezja je prvo vezje v tabeli 4, kjer so podani časi vzpona, padca in zakasnitve za to in ostala vezja. Slika 19: Krmiljenje komplementarnega emitorskega sledilnika s TTL vezjem, ki ima odprt kolektor. 5.2. Krmiljenje vrat s CMOS vezji Krmiljenje močnostnih MOSFET tranzistorjev neposredno s CMOS vezji prinaša prednosti in slabosti. Morda najbolj važno je, da lahko napajamo CMOS vezje in MOSFET tranzistorje iz istega izvora 10 do 15 voltov. Napetost vrat pri najmanj 10V zagotovi, da lahko MOSFET tranzistor deluje v ohmskem območju, ko prevaja predpisani stalni tok. Ta prednost omogoča načrtovalcu, da direktno poveže CMOS vezja s TMOS vezji brez dodatnih zunanjih Dioda v vezju 1 je prisotna za omejitev napetosti, ki se pojavi na krmilnem tranzistorju Ql. Transformator ima ustrezno število ovojev s prestavnim razmerjem 1:1. Na sekundarju se tako pojavi ustrezna napetost, če je na primarju 15V. Problem, ki tu nastane, je vpliv oblike impulza na velikost V , ker mora biti vsota zmnožkov na-Cjo petosti in časa v intervalu odprtja in intervalu zaprtja e-naka nič. Slika 20 kaže, da povečanje dolžine impulza zmanjša maksimalno napetost med vrati in izvorom. Če dolžina impulza preseže 33 % celokupne dolžine impulza, 1x5 padla pri primarni napetosti I5V vršna napetost vrat pod 10V in lahko celo pade na točko, kjer vezje ne deluje več v ohmskem območju. Povečanje primarne napetosti 146 na 20 voltov bo povečalo maksimalno dovoljeno vrednost čistega impulza. Osnovna topologija vezja 1 ima omejitev maksimalne in minimalne širine impulza, kar je dodatna zahteva k zmno- Nekoliko spremenjena oblika osnovnega transformatorskega vezja za krmiljenje vrat, ki smo ga pravkar opisali, je dodatek Zenerjeve diode zaporedno s pripenjalno diodo (vezje 2). Zenerjeva dioda omogoča, da se pojavi na primarju dodatna napetost, kadar izključimo Ql. Ta na- B-Series Gates (MC14001 CP) CMOS Buffer« (MC 14049. 14060CP) VDD Min (mA) Typ (mA) Min (mA) Typ (mA) Current Source Capability VOH = 2.6V j 6.0 V -2.1 -4.2 -1.26 -2.6 V0H=9.5V 10 V -1.1 -2.26 -1 26 -2.5 V0H = 13.6 V 16 V -3.0 -8.8 -Ä.7S 10 Current Sink Capability V0L » 0.4 V 6.0V 0.44 0.88 3.2 I 6 0 1 VOL = 0.6V 10 V 1.1 2.26 8.0 1 IP V0U=I.6V 16 V 3.0 8.8 24 j 40 Tabela 3: Zmožnost oddaje in sprejema toka CMOS vezij žku napetosti in časa. Tok v primarnem navitju se lahko vzpne na previsoko vrednost zaradi magnetnega zasičenja, posebno v manjših impulznih transformatorjih, če je širina impulza prevelika. Na drugi strani pa lahko zelo kratek impulz povzroči dva različna problema. Prvič transfor-matorjeva stresana induktivnost lahko omeji zmožnost dajanja toka v času intervala odprtja pri zelo majhnih impul- S -•— Duly Cycle = 33% WM^MM, Slika 20: Sprememba V v odvisnosti od oblike im-GS pulzov v impulznem transformatorskem krmilniku vrat petost inducira na sekundarju večji napetostni nivo rese-tiranja in s tem bolj hitro zaporo vrat. Jasno je, da so pri tem vezju lastnosti čistega impulza, impulzne širine in frekvenčne meje sorodne tistim pri vezju 1. Vezje 3 je zelo podobno vezju 1 z razliko, da so upornosti v tokokrogu vrat povečane in je ena premeščena z diodo. Namen toga vezja je povečati hitrost vklop.') MOSFET +v o «16 V Slika 21: Vezje za odpravo vpliva spremembe I m v odvisnosti od širine impulza znih širinah. Drugič, impulz mora biti dovolj širok, da lahko tok magnetiziranja (I ) hitro naraste, ker shranjena energija (določena je s tokom v magnetilni induktiv-nosti) zagotovi krmiljenje za MOSFET vrata. Če želimo odpraviti problem magnetilnega toka, ki se spreminja s širino impulza in izboljšati krmiljenje pri izklopu, uporabimo vezje na sliki 21. tranzistorja, medtem ko ostane izklop počasen. Vhodna kapacitivnost MOSFET tranzistorja se naenkrat napolni preko diode, izprazniti pa se mora preko dveh relativno visokih upornosti. To zmanjša inducirano napetost in ostale neželene pojave, ki spremljajo zelo hitre izklope. V vezju 4 jo uporabljen za krmiljenje vrat MOSFET tranzistorja neko vrste protitaktni pretvornik. Ko začne Q1 Tabela 4: Preklopne hitrosti različnih 147 krmilnih vezij vrat TMOS vezij Gale Switching Timei (nt) Turn-on Delay Turn-on Rite Time Turn-off Delay Turn-on Fall Time Turn-off D «lay (V,nv.V2) Turn-off Rise Time Circuit 1 Simple Puise Trentformer Circuit 2 Puise Transformer w/Flyback Zener* Circuit 3 Pulse Transformer w/Speedup O'ode Circuit 4 Quasi Push-Pull Transformei Drive Circuit 6 Standard OptoCoupiing Circuit Circuit 6 High B.W Opto-Coupling Circuit Circuit 7 High Performance Push-PuN Circuit ,15V t>1 VI With Diode 01 Without Diode D1 vccj jdi I 740 1*0 3700 420 3600 Iriri.lJ ¿13 4 TO ^ 26 1 ! J fKT IJT "t>j ,-i......V2 T^i...... H> -U-1 I P i -o V> 4>J ft i rîV •Transformer Specs Ferroxcube 3019P3CB N1 - N2 " N3 = 10 Turns «19 Trifilar Wound Lp 0 6 mH Gate Switching Times (n») Turn- on Delay tVjnV.V,) Turn- on Rise Time Turn-off Delay (VinV.V,) Turn off fall Time Dram Switching Times (ns) Turn on Delay iVjnv, V2) Turn-on Fall Time Turn-off Delay (Vin V.v2) Turn off Rise Time 149 prevajati, inducira napetost 10V na nižjem od dveh primarnih navitij (N2) enak potencial. Napetost na sekun-darju je zaradi razmerja 2 : 1 (N + N^ / N^) enaka primarni napajalni napetosti. Pri izklopu se potencial na N^ obrne in je preko diode D1 pripet na 10V. Sedaj napetost na N2 inducira napetost na navojih NI, zaradi cesar se potencial na sekundarni strani obrne, amplituda pa še vedno ostane 10V. Če je širina impulza zadosti velika, da generira zadostni magnetilni tok, ima to vezje dobre sposobnosti sprejemanja toka. Z optospojniki ločeni vezji za krmiljenje vrat vidimo na slikah 5 in 6. Vezje 5 je eden od najbolj običajnih načinov nizkoimpedančnega krmiljenja iz izhoda optospojnika. Slabost pri njem so velike preklopne zakasnitve, ki omejujejo delovno frekvenco. Te zakasnitve povzroča optospojnik, njihove vrednosti pa določajo izhodna bremena fototranzi- +15 V Slika 22: Protitaktna vezava za vezji 7 in 8 storja. Če to impedanco zmanjšamo, kot kaže slika 6, je zakasnitev pri izključitvi vrat bistveno manjša. Poleg obsežnosti teh vezij, posebej vezja 6, mora bipolarni tranzistor Q2 ves čas, dokler je MOSFET izključen, prevajati. Izgubna energija pri teh dveh krmilnih vezjih je lahko pri nizkem impulznem razmerju prevelika, če opazujemo vezje s stališča efektivnosti. Vezji 7 in 8 sta podobni verziji vezja, ki ima zelo dobre lastnosti. Protitaktna vezava bipolarnih tranzistorjev o-mogoča krmiljenje vrat, kot prikazuje slika 22. Vklop MOSFET tranzistorja nastopi ob pozitivnem prehodu vhodnega impulza. Q1 začne prevajati in zagotavlja za htevani bazni tok za Q3, ki ima Bakerjevo pripenjanje, s čemer je zmanjšan čas vskladiščenja naboja pri izklopu. Obe vezji imata zelo dobre vklopne čase zaradi nizkoimpedančnega dela med napajalnim izvorom in vrati MOSFET tranzistorja. Izklop nastopi, ko se padajoči rob vhodnega impulza diferencira s serijsko kombinacijo R1 in C1 in s tem vključi tranzistor Q2. Bazni tok teče v Q4, s čimer pripne vrata na maso ali na negativni potencial. Čas trajanja pripen-jalnega intervala lahko naravnamo s spremembo vrednosti RC vezja. Preden se pojavi naslednji vhodni impulz, bo MOSFET ostal izključen zaradi 470 ohmske upornosti vrata - izvor. Vezja 9 do 12 so primeri povezave TTL vezij s TMOS močnostnimi MOSFET tranzistorji. Vezje 9 ima zelo enostavno povezavo med odprtim kolektorjem vezja SN74LS05 in MTP12N10. Hitrost izklopa je glede na enostavnost vezja zadovoljiva, medtem ko je vklopna hitrost slaba zaradi velike vrednosti Rl, ki služi za zaščito vezja pred prevelikimi izgubnimi močmi, kadar je TTL vezje, v nizkem logičnem stanju. Če vežemo tri takšna vezja paralelno (vezje 10) , zmanjšamo vse pripadajoče preklopne čase skoraj za faktor dveh tretjin. V vezju 11 sta uporabljeni dve od šestih ojačevalnih vezij v SN7407 in povezani paralelno, dodan pa je še pripenjal-ni upor. Vrata MOSFET tranzistorja so povezana s kolek -torjema visokonapetostnih (30V) izhodnih tranzistorjev v TTL vezju. Preklopni časi so sprejemljivi glede na enostavnost vezja. Možna je tudi uporaba vezja SN7407, kot smo že omenili, za krmiljenje diskretnih komplementarnih emitorskih sle-dilnikov (vezje 12). Če zmanjšujemo vrednost pripenjal-nega upora Rl, se povečuje vklopna hitrost, seveda na ceno povečanja izgubne moči pri izklopu vrat. V vezju 13 je paralelno povezanih vseh šest inverterjev vezja MC 14049UB. Ker tukaj pripenjalni upor ni nujno potreben, so izravnave tokovne sposobnosti oddajanja in sprejemanja CMOS ojačevalnih vezij. Če ni pripenjalnega upora, je pričakovati daljši vklopni čas, toda vezje je bolj u-činkovito, ker CMOS vezje ne rabi sprejemati toka, ki bi tekel skozi Rl, kadar so izhodi CMOS vezja v nizkem stanju. Tukaj je uporabljenih šest paralelno vezanih invertor-jev za ceno počasnejšega preklapljanja. 150 Različna integrirana vezja, ki so bila prvotno namenjena za drugo uporabo, so nekateri načrtovalci priredili za enostavno in učinkovito krmiljenje MOSFET vrat. Eno izmed takšnih vezij je MC1/I72, dvojno periferno krmilno vezje, ki je namenjeno za povezavo MOS logike z bremeni, ki trošijo veliko toka kot so: releji, lučke in kladivca tiskalnikov. Ker lahko sprejme vsak od dveh izhodnih tranzistorjev 300 mA toka, so časi izklopa MOSFET vezij kratki, če jih rabimo za krmiljenje vrat. Vklopni časi so kratki tudi v vezju 14, ker je vrednost R1 tako nizka, da komajda ovira tok med polnjenjem MOSFET vhodnih kapacitivnosti. Prednost zagotovitve velikega toka je možna zaradi tokov, ki tečejo, kadar je izhod vezja MC1472 v nizkem stanju, kar izklopi MOSFET tranzistor. Dejansko za 25 ohmski pripenjalni upor in = 15V ta tok doseže sposobnost sprejemanja toka dva izhodna tranzistorja v vezju» Naslednji primeri integriranih vezij, ki se uporabljajo za krmiljenje vrat močnostnih MOSFET tranzistorjev so: MMH0026 - dvojni MOS krmilnik ure, MC 1555 časovnik, TL494 - krmilno vezje za impulzno ši-rinsko modulacijo, MC 75451 - periferno krmilno vezje. Bolj ko MOSFET tranzistorji pridobivajo na pomenu, več se bo pojavilo zanje tudi krmilnih vezij. 6. TEMPERATURNO ODVISNE KARAKTERISTIKE 6.1. Prevodna upornost r,^, .. D S (o n ) Kadar načrtujemo vezja z močnostnimi MOSFET tranzistorji, moramo upoštevati spremembe temperature na spoju in njihov vpliv na prevodno upornost R-^g (on)' Ker se prevodna upornost spreminja približno linearno s temperaturo, lahko uporabimo temperaturni koeficient, ki opisuje to relacijo. Na primer tehnični podatko za vezje MTM8N15 vključujejo diagram na sliki 7, ki podaja razmerje med temperaturo r„ , , in I . Pri I = 8,OA je J DS(on) D D temperaturni koeficient: J2M°n) = = 5 ffi/oc Tj 100 - 25°C ' Če uporabimo 0,0035 S-/°C lahko enostavno izračunamo r_ _ , , =0,83 22, za = 8,0A in T. = 125°C. Tempera-DS(on) D ] turni koeficient se spreminja glede na proizvodnjo šaržo, toda prevodna upornost se približno podvoji med T = 25°C do 125°C. Ker pri bipolarnih tranzistorjih statične izgube ne naraš- čajo bistveno s povečanjem temperature, kažejo v tem o-ziru največjo prednost pred MOSFET tranzistorji, ki imajo sicer nižjo prevodno napetost. 6.2. Preklopne hitrosti se ne spreminjajo v odvisnosti od temperature. Visoke temperature spoja povdarjajo eno od najbolj želenih karakteristik MOSFET tranzistorjev, to je nizke dinamične ali preklopne izgube. Pri bipolarnih tranzistorjih povečanje temperature podaljša preklopne .čase, kar poveča dinamične izgube. Na drugi strani termične spremembe nimajo velikega vpliva na preklopne hitrosti močnostnih MOSFET tranzistorjev. Te hitrosti /.avisijo od tega, kako hitro se lahko nn|x>lnijo ali izpraznijo vhodno* kapacitivnosti. Ker so vrednosti teh kapacitivnosti temperaturno dokaj nespremenljive, se tudi preklopne hitrosti ne spreminjajo. Ce torej narašča temperatura, ostajajo dinamične izgube MOSFET tranzistorjev nizke in nespremenljive, medtem ko se pri bipolarnih tranzistorjih stikalne izgube povečujejo s povečanjem temperature spoja. 6.3. Napetost praga Napetost vrat, pri kateri začenja MOSFET prevajati, to je napetost praga, je tudi temperaturno odvisna. Njena sprememba v odvisnosti od Tj je linearna, kar kažejo vsi tehnični podatki. Ker ima negativni temperaturni koeficient, napetost praga pade za okoli 10 % za vsako povečanje temperature spoja za okoli 4 5°C. 6.4. Pomen T, , in odvajanje toplote J t m a x J Ohišji, v kateri v splošnem vgrajujemo TMOS čipe, sta: T0-220 AB in T0-204/prej TO-3. Vrednosti moči vezij v teh ohišjih se gibljejo od 40 do 250 watov, kar zavisi od velikosti čipov in vrste materiala, ki odvaja toploto. Ti dve vrednosti sta skoraj brez pomena, če ne predvidimo dodatno odvajanje toplote. Brez dodatnega odvajanja toplote lahko T0-204 in TO-220 trošita le okrog 4,0 in 2,0 wa-ta moči ne glede na velikost. Ker zanesljivost čez daljše obdobje upada z naraščanjem temperature spoja, Tj naj ne bi prekoračil maksimalne vrednosti 150°C. Stalno obratovanje nad 150°C lahko povzroči nenadno, katastrofalno odpoved, posebej, če je tranzistor podvržen dodatnim termičnim stresom. Vrednost T , , = 150°C jo običajno izbrana kot varen kompro-J(max) J 151 mis med zanesljivostjo čez daljše obdobje in maksimalnimi izgubami moči. Motorola ravnokar izvaja test zanesljivo-o sti pri Tj = 200 C, da bi dognala, ce je ta temperatura sprejemljiva vrednost za T0-204 ohišje. Dodatno lahko ustrezno odvajanje toplote zmanjša statične izgube v močnostnem MOSFET z zmanjšanjem prevodne u-pornosti r£jg(on)> ^er se zaradi pozitivnega temperaturnega koeficienta precej spreminja v odvisnosti od kvalitete hladilnega telesa. Dobro hladilno telo bo zmanjšalo temperaturo spoja, kar bo zmanjšalo r , , in statične iz- Db(on) gube. 7. DIODA PONOR - IZVOR "Parazitna" dioda ponor - izvor je neločljivo povezana z večino močnostnih MOSFET tranzistorjev in z vsemi TMOS tranzistorji. Slika 1 kaže v preseku TMOS čipa P-N spoj, ki ga formira P-območje in N-epitaksialna plast. Zaradi svoje obsežne površine spoja, so vrednosti toka diode enake kot vrednosti stalnega in impulznega toka za MOSFET. Za N-kanalni TMOSFET na sliki 23 je ta dioda polarizirana V primeru nenadne uporabe diode v zaporni smeri nabran naboj povzroči negativni tok v času trr, dokler naboj ne izgine. MTP25N06 .. MTP15N15 MTM15N06./'//MTP5N06 MTM8N10- f J , MTM Metal TO-3 MTP PlasticTO-220 Tc =25°C 300 iis Pulsa 60 pps iq, Continuous MTP1N60 1 OA MTP5N06 MTM8N10 MTMI5N0G MTM15N16 MTM25N06 5 0 A 8 0 A lb A 16 A 25 A J 3 10 20 30 40 50 6 0 , D-S DIODE FORWARD ON-VOl.TAGE IV0LTS) Slika 24: Prevodne karakteristike diod med ponorom in izvorom pri močnostnih MOSFET tranzistorjih Dram O Gate O- 6 Source Slika 23: Simbol N-kanalnega močnostnega MOSFET tranzistorja, ki vključuje parazitno diodo med ponorom in izvorom v prevodni smeri, kadar je izvor na pozitivnem potencialu z ozirom na ponor. Ker je ta dioda lahko dokaj pomemben element, Motorolini tehnični podatki za načrtovanje določajo tipične vrednosti za prevodno napetost, čas vklopa in čas izklopa. Prevodne karakteristike diod ponor - izvor različnih TMOS močnostnih MOSFET tranzistorjev so prikazane na sliki 24. Večina usmerjevalnih elementov, izjema so Schotky-jeve diode, imajo karakteristike v povratni smeri, kot kaže slika 25. Kadar teče v standardno diodo prevodni tok, se tvori gradient nosilcev na tisti strani spoja, ki ima visoko upornost, kar se odraža z navideznim kopičenjem naboja. Na trr in na vsklndiščen naboj vpliva velikost, toka in sprememba toka od vrednosti v prevodni smet i do maksimalne vrednosti v zaporni smeri. Ce jili testiramo pod enakimi pogoji, ima parazitna dioda izvor - ponor TMOS tranzistorja trr podoben času hitrega usmernika. Slika 25: Reverzna karakteristika diode med ponorom in izvorom za MTM 15N15 Pri mnogih uporabah dioda ponor - izvor nikoli ni polarizirana v prevodni smeri in ne vpliva na delovanje vezja. Seveda pri večtranzistorskih vezjih, kot na primer pri vezju na sliki 26, parazitne diode igrajo važno in uporabno vlogo. Vsak tranzistor je tako varovan pred previsoko povratno napetostjo ne z njegovo lastno diodo ponor - izvor, ampak z diodo komplementarnega tranzistorja. Za ilustracijo predpostavimo, da Q2 na sliki 26 prevaja. Q1 je izključen in tok teče z masti skozi breme v Q2. Kadar se Q2 152 izključi, se tok preusmeri v diodo ponor - izvor tranzistorja Ql, ki pripne induktivni sunek na napetost V.+ Na enak način D2 zaščiti Q1 v času njegove izključitve. »v Slika 26: TMOS vezje s parazitnima diodama med ponorom in izvorom proizvaja tudi P-kanalne močnostne MOSFET tranzistorje. Ker so nosilci toka v P-kanalnih vezjih luknje, ki imajo manjšo gibljivost kot elektroni pri N-kanalnih vezjih, je »v Slika 27: Pretvornik nivoja za P-kanalni MOSFET, ki krmili ozemljeno breme Opozoriti je potrebno, da ima dioda ponor - izvor močnostnega MOSFET tranzistorja podobno kot vse diode, razen Schotky-jeve določeno zakasnitev pri prevajanju v prevodni smeri. Zaradi tega je možno, da je dioda ponor - izvor pri TMOS tranzistorjih prepočasna, da bi zaščitila korn- rDS(on) p_'ianalnih MOSFET tranzistorjev vedno večja za dano velikost čipa in prebojno napetost med ponorom in izvorom. To ovira razvoj pravih komplementarnih vezij. Na primer, če želimo enako upornost v prevodni smeri, bodo neenake dimenzije čipa pogojevale razlike v vseh pa- P-Channel N-Channel MTP8P10 MTP8N10 MTP10N10 MTP12N10 Units Drain-Source Voltage (Max) 100 100 100 100 Vdc 'd Continuous 8.0 8.0 1 10 12 Adc Pulsed 25 20 25 30 Adc Max Power Dissipation 75 75 75 75 Watts Threshold Voltage 2 0 to 4 5 2 0 to 4.6 2 0 to 4 6 2 0 to 4 6 Vdc On-Resistance @ Iq/2 (Max) 0.4 05 0 33 0 18 ohms Transconductance (Min) 2.0 1 5 2.5 3 0 mhos Input Capacitance (Max) 1200 400 600 1200 pF Output Capacitance (Max) 600 350 400 500 pF Reverse Transfer Capacitance (Max) 180 100 80 250 pF Fall Time (Max) 150 120 150 150 ns Rise Time (Max) 160 60 50 100 ns Normalized Die Area 10 0.45 0 66 1 0 - Tabela 5: Komplementi za MTP8P10 plementarni tranzistor pred povratno napetostjo. Zaradi tega lahko trenutni preklopi takšnih konfiguracij zahtevajo drugačne pripenjalne sheme. 8. P - KANALNI MOČNOSTNI MOSFET TRANZISTORJI Za komplementiranje nekaterih N-kanalnih vezij Motorola rametrih, ki zadevajo površino čipa, kot so: kapacitivno-sti, impulzne vrednosti toka, termična upornost in področje varnega obratovanja. Vrsta uporabe določa, kateri parameter - pa naj bo to prevodna upornost, prebojna napetost med ponorom in izvorom, transkonduktanca, itd. - je potrebno obravnavati po- 153 drobneje. Tabela 5 primerja prikladne električne parametre tranzistorja MTP8P10 s tistimi pri N-kanalnih vezjih, ki so komplementarna. Poleg tega, da pokaže, da MTP8N10 ni vedno najboljši komplement za MTP 8P10, tabela tudi ugotavlja, da mora biti površina čipa P-kanalnili vezij približno dvakrat večja, da dosežemo prevodno upornost N-kanalnih vezij z enako vrednostjo ^(gp)pgg- P-kanalni močnostni MOSFET tranzistor lahko poenostavi določena vezja na podoben način kot lahko to dosežemo s PNP bipolarnimi vezji. Enostavnost, ki jo dobimo z uporabo P-kanalnih tranzistorjev za preklapljanje ozemljenih bremen, lahko močno zniža ceno. Na sliki 27 je izvor povezan na pozitivni napetostni izvor, ponor pa je povezan z bremenom. Kot takšen je MOSFET tranzistor izključen, kadar je V =0V in pričenja preva- UO jati, kadar V (negativna veličina) po absolutni vredno- UO sti preseže napetost praga. Logični signal, ki ima normalno referenčno točko na masi, se mora uporabiti za krmiljenje vrat. Pretvornik nivoja, ki mu sledi diskretni emi-terski sledilnik, lahko napaja ustrezne logične nivoje, medtem ko zagotavlja hitro preklapljanje. Glavna težava pri krmiljenju N-kanalnih vezij, kot je emi-terski sledilnik, je v zahtevi za pazljivo krmiljenje, ker potencial med izvorom in maso niha od mase do blizu pozitivne vrednosti napajalne napetosti. Vse krmilne sheme morajo nekako zagotoviti signal vrat, ki ima referenco na priključku izvora močnostnega MOSFET tranzistorja. Obstajajo trije načini za krmiljenje ozemljenih bremen s pomočjo N-kanalnih vezij. To so: "bootstrap" princip, uporaba impulznih transformatorjev in uporaba optospojnikov. Enostavnost "bootstrap" principa omogoča uporabo v primerih, ko določene omejitve nimajo posledic oziroma se jih lahko nekako ognemo. "Bootstrap" vezje na sliki 28 generira zahtevani signal vrata - izvor. Eden glavnih problemov te topologije je v zahtevi, da breme ne more ostati v prevodnem stanju za neomejeno periodo časa, ker lahko končen naboj, ki je nabran v C1 s časom zgine. Naslednji problem je, da to vezje ne more preklapljati visokih napetosti, ker se C1 nabije na napajalno napetost in se ta potencial vtisne preko vrat do izvora. Na srečo so pri uporabah, ki zahtevajo ozemljena bremena, kot na primer v avtomobilski industriji, napajalne napetosti često kompatibilne z "bootstrap" metodo. Z uporabo impulznega transformatorja lahko tudi dobimo želeni signal med vrati in izvorom. Ta metoda jo opisana v poglavju "Krmiljenje vrat močnostnih MOSFET tranzistorjev" . Uporabimo lahko svetlobni sklopnik, vendar rabimo še on izvor napajanja, ki ima svojo referenčno točko na izvoru MOSFET tranzistorja in napaja izhod optospojnika. Drugi priključek tega izvora mora biti prost, da lahko napetost naraste nad napajalno napetost ponora, kadar prične MOSFET tranzistor prevajati, kar zahteva da je napajanje v celoti izolirano od napajalnega vira ponora, ali pa da napajalno napetost generiramo iz, te napetosti z metodo "bootstrap". H t-,, I—j Slika 28: "Bootstrap" vezje za krmiljenje ozemlje-nega bremena z N-kanalnimi TMOS tranzistorji 9. ZAKLJUČEK Jasno je, da dajejo prednosti in slabosti močnostnih MOSFET tranzistorjev tej tehnologiji določeno domeno u~ porabe. To so sistemi, ki vključujejo enostavna krmilna vezja in/ali zahtevajo visoke preklopne frekvence. Nekateri načrtovalci so naklonjeni močnostnim MOSFET tranzistorjem zaradi njihovih razširjenih FBSOA ali njihovih o-stalih bolj specifičnih prednosti. V tem sestavku srno podali in raztolmnčili najbolj splošne lastnosti, ki jih mora načrtovalec vezij s TMOS močnostnimi MOSFET tranzistorji dobro poznati. Ob upoštevanju teh priporočil je pričakovati odlične lastnosti in zanesljivost načrtovanih vezij. Iz angleščine prevedel: Alojzij Keber, dipl. ing. MI DEM Titova 50 61000 LJUBLJANA 154 M AT E RIA LI ZA ELEKTRONIKO ki MATERIJAH ZA ELEKTRONIKO REFERATI UVODNOG DELA OKRUGLOG STOLA "RAZVOJ I PROIZVODNJA DOMAČIH MATERIJALA ZA ELEKTRONIKU" Varužan Kevorkijan Na okruglom stolu o razvoju i proizvodnji domačih mate- proizvodnju poluprovodnika i o programu celokupnosti da- rijala za elektroniku održanom u Beogradu, 13. maja 1986. ljeg razvoja mikroelektronike na nivou Jugoslavije. godine, u uvodnom delu saopšteno je nekoliko referata ko-ji veoma sadržajno pokazuju stanje u našoj zemlji na ovom području, kao i planove i akcije neposredno zainteresova-nih, iz industrije, za bližu budučnost. Zato ih ovake dono-simo u nešto skračenoj verziji: Vlada Pantovič, Bi - Niš - IRI Zemun Rekao bih samo nekoliko reči, uglavnom o substituciji na području pasivnih komponenata jer očekujem da če drugo-vi koji se u Ei-u bave aktivnim komponentama reči nešto više- o stanju na tom području . .. Ako govorimo o pastama plemenitih metala, ja bih želeo da kažem bez da se to pretvori u hvaljenje, da smo mi do sada substituisali materijala iz uvoza za oko 1,600.000 US$. Kada bude izvršena kompletna substitucija pasti, koje se sada uvoze, vrednost materijala zamenjenog domačim iz-nosiče oko 11 starih milijardi din . . . Ervin Pirtovšelc, Iskra Elementi, Ljubljana Kao predstavnik proizvodjača elektronskih elemenata, hteo bih samo napomenuti da naš proizvodni program obu-hvata keramičke materijale za elektroniku, hibridna kola i keramičke kondenzatore. Osim toga, istakao bih da pri proizvodnji otpornika nailazimo na dosta poteškoča u vezi sa bakarnom žicom .. . Kod osvajanja domačih materijala susrečemo se sa problemom cene koja je kod nas često znatno viša od uvozne. Osim toga, kvalitet domačih materijala obično je lošiji od onih iz uvoza. U izvesnim slučajevima ta j kvalitet uopšte i ne zadovoljava zahteve elektronske industrije . . . Vlada Arandjelovič, Ei - Fabrika poluprovodnika. Niš Ja bih želeo da kažem par reči po pitanju materijala za Imajuči u vidu pre svega da je na nivou Jugoslavije u okviru Poslovne zajednice poluprovodničara (iskra, RIZ, Ei) odlučeno da se sastavi program razvoja jugoslovenske mikroelektronike do 1990, odnosno orijentirano i do 2000, kao i to da je neki koncept razvoja mikroelektronike akceptiran od strane SSNO-a, može se reči da se je pokazalo kao nemirovnost da pitanje poluprovodničkih ma terijala mora da dobije strateški značaj ne samo kod proizvodjača poluprovodničkih i mikroelektronskih komponenata, več i kod onih industrija, pre svega hemijskih i metalurških koje to neminovno moraju da prate imajuči u vidu da se u razvijenom svetu več stvara jedna posebna industrija koja ovu tehnologiju adekvatno prati . .. Ovom prilikom bih se ograničio samo na monokristalni si-licijum, odnosno indirektno na pitanje polikristalnog si!i— cijuma. Polazna osnova je metalni silicijum kojeg proizvodi Elek-trobosna Jajce. U okviru I HTM sa jedne strane i TMF-a u Beogradu sa druge strane, več pre devetak, petnaestak godina odnosno negde 1965-1967 godine razvijen je germa-nijum monokristal a zatim i silicijum monokristal. Germa-nijum je posle toga na neki način izgubio na značaju dok silicij i danas, kao takav, predstavlja veliki interes kako u Ei-u u saradnji sa IHTM-om tako i u Iskri, koja radi monokristalni silicijum u Trbovljah. Mogu reči da je tehnologija dvoinčnog i troinčnog kristala kod nas u potpunosti razrešena što predstavlja jedan veliki domen tehničke, znanstvene i tehnološke afirmacije ekipe koja u Institutu I HTM radi na ovoj problematici i kod nas su stvoreni svi uslovi da se sa troinčnog predje na pet odnosno šestinčni monokristal, na kojem se praktično bazi-raju sve mikroelektronske tehnologije. To znači, ono što predstavlja krajniji domet ove oblasti je šestinčni ingot 155 za dvomikronsku odnosno jednomikronsku tehnologiju. Na IHTM-u se u ovom trenutku stvaraju potrebni uslovi, sa stanovišta opreme i energetike, da se udje u proizvodnju, odnosno razvoj sostinčnog monokristnln silieijuma. S druge strane, na relaciji Iskra - lii radjon je koncept da so celokupna proizvodnja kristala objedini na jednom mestu. U toliko pre, ako taj kristal može da bude realizovan u okviru Elektrobosne iz Jajca. Toliko što se tiče monokristala. Što se tiče ostalih materijala oni su, da tako kažem, ma-nje spektakularni sa stanovišta finasijskog obsega, ako uzmemo da se silicijum monokristal več sada godišnje tro-ši deset do dvanaest tona uz predvidjanja da čc 1990 godi-ne potrošnja iznositi oko 25 tona. Vrednost tog uvoza iznosi oko 10 miliona dolara ili, više od 30 starih milijardi. Treba reči da od prilike i oprema za ovu proizvodnju ima red veličine oko dvesta do dvestapedeset milijardi starih dinara, po sadašnjem kursu. Napomenuo bih da sa IHTM-om imamo saradnju i na po-dručju nekih drugih materijala. Pre svega to su spojevi GaAs i JnSb. Ponovo se radi i na Ge. To su glavna područja saradnje sa IHTM-om. Dodao bih da po pitanju nekih drugih materijala (na pr. legura) sa-radjujemo sa borskim rudnikom i Institutom iz Bora i po-stižemo dobre rezultate. Kazao bih još nekoliko reči i o karakterizaciji poluprovod-ničkih materijala. Razvoj i uvodjenje u praksu mernih metoda kojima se odredjuje kvalitet poluprovodničkih materijala trebalo bi da predstavlja jedan veoma važan interesan-tan posao za naučno-istraživačke institucije sa jedne strane i za sve institute koji prate ovaj program, sa druge strane. Ja bihželeo samo još da dodam, kako bih inicirao dalju diskusiju, da je sobzirom na nove snage koje imamo - prvi put i komitet za nauku i tehnologiju, sazrelo vreme da kada sastavljamo programsko-razvojna opredeljenja po pitanju materijala imamo na umu da proizvodni kapaciteti moraju da budu skoncentrisani na jednom mestu, da se ne dogodi da se jedan isti materijal proizvodi na dva ili više mesta a zatim karakterizira opet na nekom trečem mestu. Mislim da je sasvim jasna neophodnost prelaženja repub-ličkih i ostalih granica.... Još jednom upozoravam,, u smislu iniciranja diskusije da, kada govorimo o materijalima, ne zaboravimo i energetske momente, koji su komplementarni ovoj problematici. Marjeta Kranjc, Iskra - Mikroelektronika, Ljubljana KRATKO POROČILO O VPELJAVI DOMAČIH KEMIKALIJ ISLBKTKON.SKE ČISTOČE 7,i\ PROIZVODNJO RB/.I N 1. UVOD Mikroelektronska industrija uporablja za proizvodnjo integriranih vezij relativno veliko količino zelo čistih kemikalij. To so predvsem anorganske kisline oziroma raztopine ter organska topila. Uporabljamo jih za jedkanja, čiščenja, odstranjevanja določenih plasti ter v fotolitografiji. Jugoslovanska komična industrij,! kemikalij, ki bi ustrezale našim zahtevam, ni proizvajalo, zato smo jih morali do pred dvema letoma v celoti uvažati. Takoj na začetku razvoja Mikroelektronike smo skušali pridobiti jugoslovanske proizvajalce, da bi v svoje programe vključili tudi dodatna zahtevna čiščenja kemikalij za mikroelektronsko industrijo. Kljub pogovorom z različnimi proizvajalci nam je zaenkrat uspelo razviti tak proizvod le pri Belinki in v zadnjem času tudi pri Kemični tovarni Podnart, ki je pripravila prvi vzorec 70 % IINO elektronske čistočo. 2. ZAHTEVE ZA ČISTOČO KEMIKALIJ, KI SE UPORABLJAJO V PROIZVODNJI REZIN Čistoča kemikalij za proizvodnjo vezij visoke stopnje integracije mora ustrezati tako - SEMI standardom, ki opredeljujejo maksimalno dopustno vsebnost ionskih nečistoč kot - standardu SAE 749 D, ki določa vsebnost trdnih delcev v kemikalijah. V zadnjem času se ta standard nadomešča s strožjim NAS 1638. Pomanjkljivost obeh jo, da upoštevajo le delce večje od 5^um, kar je spodnja meja za klasično mikroskopsko metodo določitve trdnih delcev. Pripravljajo pa nove standarde, kjer se bo znižala tako dopustna koncentracija kot minimalna velikost delca. Zavedati se moramo, da poleg vsakoletnih revizij že obstoječih SEMI standardov, ki še strožje opredele čistočo kemikalij, proizvajalci kemikalij že ponujajo programe VLSI in ULSI. Proizvajalci postavljajo v njih mejo za kovine na nekaj ppb. Pričakujemo, da bo temu trendu sledil tudi komite za kemikalije pri SEMI standardih ter uvedel novo grupo kemikalij VLSI. 156 3. SPEKTER KEMIKALIJ ZA PROIZVODNJO REZIN V ISKRI-MIKROELEKTRONIKI Vse uporabljene kemikalije v proizvodnji Iskre-Mikroelek-tronike so čistoče za elektronsko industrijo (LSI). Po razredih in padajoči porabi so razvrščene v: 1. anorganske kisline in raztopine: 96 % H2S04, 40 % razt. NH^F, 49 % HF, 30 % HO , 85 % H PO , 70 % HNO , 25 % NH OH, 100 % OH COOH o 4 o 4 o 2. organska topila IPA, skilen, butilacetat, TCE, aceton 3. specialne kemikalije za fotolitografijo: fotorezisti, razvijalci, zaščita mask in ustrezni odstranjevalci 4. dopanti: POCl3 , BBr^ Kratkoročno je smiselno razmišljati le o proizvodnji kemikalij iz prvih dveh skupin, se pravi anorganskih kislin, raztopin ter organskih topil. 4. EVALUACIJA 30 %H O - BELTRON TER IZKUŠNJE DVO-INPOLLETNE UPORABE V PROIZVODNJI 30 % HaO , ki ga proizvaja kemična tovarna "Belinka", je produkt sodelovanja v razvojni fazi med Belinko in Iskro-Mikroelektroniko. Postopek končne filtracije peroksida je še vedno v Iskri-Mikroelektroniki. Evaluacija je potekala kot primerjava med ekvivalentnimi peroksidi: iz AMI Graza "C - V" testi v nobenem primeru, tudi po rezultatih iz Ei-Niša, niso odstopali od referenčnih peroksidov. Kemijska analiza je ustrezala v celoti SEMI standardu Cl.STD 9, pravtako ni odstopala od strožjih specifikacij za H^O^MOS. Sistem kontrole Beltrona, odkar ga uporabljamo v proizvodnji, je naslednji: 1. kontrola čiščenja - kompletna kemijska analiza po SEMI standardu Cl.STD.9 na vsako proizvedeno saržo pred filtracijo 2. kontrola filtracije - kompletna kemijska analiza po SEMI standardu Cl.STD.9 po filtraciji v Iskri-Mikroe-lektroniki na vsaki dve sarži ( 1000 kg). Te analize redno izvaja Institut Jožef Štefan in J.R. 3. kontrola efektivnosti filtracije - določitev suspendiranih trdnih delcev po vsaki filtraciji - vzorec na 50 kg Trdne delce določamo redno na dva načina: - mikroskopske metode po ASTM F 311, 312 - instrumentalna določitev delcev večjih od 2^,um z instrumentom na sipanje svetlobo (ROYCO). V času tako izvajane kontrole nismo imeli problemov zaradi preseženih koncentracij kovin, ki so praviloma celo pod Merckovimi MOS Selectipur specifikacijami. Glede na trdne delce moramo uvrstiti H^O po najstrožjem standardu NAS 1638 v razred 00. 5. EVALUACIJA 70 °/o HNOg KEMIČNE TOVARNE PODNART KTP je po predloženih Merckovih specifikacijah za program MOS Selectipur pripravila prvi vzorec 100 kg 70 % HNO . Postopek evaluacije je bil enak kot za H^O^. Referenčni HNOg sta bili od proizvajalcev Mallincrodt in Merck: "C - V" testu smo določili V , ki je ekvivalenten r d Merckovim testnim rozinam in nižje od V pri Mallin-crodtovih testnih rezinah. 1. izhodna kontrola raztopljenih nečistoč po čiščenju - analize je izvedel kontrolni laboratorij KTP, 2. kompletna analiza po filtraciji glede na SEMI Cl.STD. 12 - 85; vzorec so analizirali na Institutu Jožef Štefan in J.R. 3. določitev trdnih delcev v filtrirani 70 % HNO^ pod mikroskopom po ASTM F 311, 312 Končne analize prvega vzorca 70 % HNO^ kažejo, da je proizvod ustrezen za proizvodnjo vezij LSI , s filtracijo mu zagotovimo razred 0 po SAE 74 SD. 6. NAČRTI Naši načrti so obdržati doseženo kvaliteto H^O^, zagotoviti ustaljeno proizvodnjo čiste HNO^ ter postopoma uvajati čiščenje ostalih potencialno zanimivih kemikalij za elektronsko industrijo. Marija Pire, Iskra, TOZD Standardizacija, Ljubljana SUBSTITUCIJA IN SODELOVANJE Z DROBNIM GOSPODARSTVOM Pri pripravi študije o substituciji uvoznih materialov so se nam občasno rojevali dvomi o tem, ali bo študija dala zaželene rezultate, kajti sodelovanje nekaterih DO ni bilo 157 zgledno. Vendar smo opravili analizo tistih podatkov, ki so nam bili dostopni in mislim, da so rezultati kljub temu pozitivni. Zavedati se moramo, da je substitucija kontinu-iren proces. Poleg tega, da so različne delovne organizacije same pričele nadomeščati uvozno materiale, so se tudi nekateri |>otonciulni proizvajalci bolj smelo lotili osvajanja novih izdelkov oziroma širjenja obstoječih kapacitet. Tako je DO Donit, ki je že izdelovala ekstrudirane silikonske cevke, vendar samo v laboratorijskih količinah, tudi na osnovi rezultatov ankete iz Študije nabavila opremo in pričela z industrijsko proizvodnjo silikonskih cevk. Pri pripravi proizvodnje so seveda upoštevali zahteve za take cevke, ki so primerne za uporabo v elektro industriji in sicer zahteve mednarodnih standardov IEC. Običajno si predstavljamo, da je pri substituciji poudarek na velikih količinah in velikih proizvajalcih. V to skupino lahko uvrstimo sodelovanje z Elektronsko industrijo za srebrilne paste, Zlatarno Celje za spajke ter Tovarno folij Bor za poliesterske folije. Substitucija pa je lahko zelo uspešna tudi v sodelovanju z drobnim gospodarstvom. To kaže naš primer. Postavili smo si izhodišča, ki so potrebna, da se substitucija lahko realizira. Na strani proizvajalca morajo biti izpolnjeni naslednji pogoji: - Interes: ustrezna cena in zanesljiv trg - Zadostne kapacitete: za zagotovitev ustreznih količin v ustreznih dobavnih rokih - Kakovost: ta mora biti zagotovljena z uporabo razpoložljivih standardov, značilnosti morajo biti deklarirane v skladu s temi standardi (JUS, ISO, IEC, panožni interni ali tuji nacionalni). - Razvoj: lastnosti izdelkov je treba prilagajati novim zahtevam glede na stalno večanje zahtev pri končnih izdelkih. - Informiranje: biti mora pravilno in natančno, hitro in učinkovito (sejmi, svetovalna služba, direktni stiki z eventualnimi uporabniki, seminarji, korektna EPP). Na strani uporabnika morajo biti izpolnjeni najmanj tile pogoji: - Interes: sprejemljiva cena in zanesljiva dobava - Zaupanje: poznati je treba možnosti proizvajalca, da bi lahko ustregel našim zahtevam - Zahtevane značilnosti: zahteve- za proizvode morajo biti dovolj točno oprodol ¡eno, da proizva jaloo lahko pripravi ustrezen i/.dolok - Uporabnik se mora |x><|osln otresti morebitnih |xx|odl><'-nih odvisnosti od tujih kooperantov ali licenčnih partnerjev, ki dostikrat onemogočajo uporabo domačih materialov. - Informacije: zasledovanje literature in tehnične regula-tive, stiki z morebitnimi proizvajalci, itd. Primer uspešno izvedene substitucije po tem modelu je bilo pri nas sodelovanje z manjšo obrtno delavnico, z visoko strokovnim kadrom. To je delovna organizacija, ki izdeluje anaerobna lepila Kemiskol. Interes je bil obojestranski: proizvajalca v tem, da si poleg prodaje svojih proizvodov Iskri pridobi tudi reference za pojavljanje pri drugih kupcih; Iskre, da si dobi proizvajalca, ki bo upošteval tudi naše posebne zahteve. Zaupanje je bilo doseženo na ta način, da je proizvajalec že med razvojem sodeloval z našimi laboratoriji. Skupno smo preverjali lastnosti izdelkov. Značilnosti so bile definirane v skladu z zahtevami standardov (ASTM, BS in MIL), na isti način tudi proizvajalec deklarira svoje izdelke. Preskusni postopki so usklajeni in standardizirani. Informiranje je bilo zagotovljeno z dovolj učinkovitim načinom -proizvajalec je tehnično informacijo pošil jal razvo jnim laboratorijem v Iskri, službi standardizacije in nabavnim organizacijam, povratne informacije o obnašanju izdelkov pri uporabi je dobival od službe standardizacije. Z vsemi temi stiki je bil zagotovljen pretok informacij in vpogled v razvojne sposobnosti in proizvodne kapacitete proizvajalca. Rezultati substitucije so dobri, zadovoljstvo obojestransko, sodelovanje pa se nadaljuje pri razvoju novih izdelkov. Pripremio: Mr Varužan Kovorkijan Institut Jožef Štefan Jamova 39 61 000 LJUBLJANA 158 RAZVOJ PSEUDOZLITIN Ag-CdO IN NADOMESTIL ZA ELEKTRIČNE KONTAKTE TER NASl DOSEŽKI NA TEM PODROČJU Bojan Breskvar, Lado Kosec, Franc Vodopivec, Cveto Mali Uvod in izhodišče Na Metalurškem inštitutu smo pričeli spoznavati problematiko električnih kontaktov iz pseudozlitine Ag-CdO že okrog leta 1965, ko smo za potrebe Železniškega transportnega podjetja (ŽTP) Ljubljana raziskali sintrane vzorce kontaktov. Že takrat smo poskusno izdelali po pirometa-lurški poti okrog 20 kontaktov s poenostavljeno lastno tehnologijo. Izdelani kontakti so uspešno nadomestili uvožene, saj je bila njihova življenjska doba pri obratovalnih pogojih daljša kot pri tujih kontaktih. V začetnem obdobju raziskav razvoja in študijev procesov ter tehnologij teh kontaktov sta bila nosilca dela dr. Kosec in dr. Vodopivec. Po nekajletnem študiju, raziskavah in preizkusih, sta razvila prvo tehnologijo izdelave kontaktov iz pseudozlitine Ag-CdO z notranjo oksidacijo. Preverjena kvaliteta izdelanih kontaktov se je že približala najboljšim tujim kvalitetam. Zaradi majhnih potreb različnih uporabnikov in takratne nezainteresiranosti Iskre-Kranj, smo okrog 15 let občasno izdelovali raznovrstne kontaktne ploščice Ag-CdO v enkratnih količinah od 1 do 7 kg, predvsem za ŽTP in podjetja Vodnega gospodarstva. Pred petimi leti pa je z zaostritvijo uvoza prišla pred nas zahteva Iskre-Kibernetike o osvajanju in dolgoročni pol-industrijski izdelavi večplastnih kontaktnih ploščic. Temu je sledil tudi sporazum o večletnem sodelovanju na razvojno proizvodni problematiki kontaktov, ki pri takratni naši tehnologiji ni omogočala večje količine in enostranskega nanosa srebrovega lota na kontaktno ploščico. Sodelovanje na področju izdelave kontaktnih ploščic za 200 amperske enosmerne kontaktorje (EK 200) je bilo že po dveh letih prekinjeno uradno zaradi pomenjkanja srebra na našem tržišču, čeprav smo v izredno kratkem času razvili in osvojili izdelavo troplastnih kontaktnih ploščic AgCdO/AgCd/Ag-lot v želeni kvaliteti, dimenzijah in količini. toksičnih kontaktnih kvalitet. Preteklo leto je ponudil sode lovanje na tem področju Indos, ki je bil uporabnik omenje nih kontaktorjev oziroma kontaktov. K sodelovanju ga je napotila močno poslabšana vzdržljivost kontaktov Ag-CdO drugega proizvajalca in neredna ter nezadostna količina. Tako smo lahko skladno z razvojem preverjali tudi kvaliteto novih vrst kontaktnih gradiv. Na osnovi zavidljivih rezultatov pa se pripravljamo na polfnrlustrijsko izdelavo kontaktov za Indos. S tem prispevkom želimo prikazati celotni razvoj različnih kontaktov Ag-CdO in novejše delo ter rezultate na tem področju. 1.Prikaz razvoja tehnologij in dosežki 1.1. Klasična kontaktna pseudozlitina Ag-CdO Pred petimi leti smo nadaljevali z razvojem tehnologije izdelave kontaktov tam, kjer smo v preteklosti končali in sicer pri Prvi tehnologiji (shema l). Rezultati prvoletnih AgCd Cd modifikacija ulivanje plošč i hoblanje- toplo valjanje I , rezanje na plosce I . , „„ varenje plosc I notranja oksidacija 14 dni, 810°C , zrak +O, I razdvojitev plosc I hladno valjanje-«_ platiranje z Ag t toplo valjanje rezanje plosc \ notranja oksidacija 7 dni, 810°C , zrak +o„ I razrez na različne kontaktne ploščice Shema 1: Prva tehnologija - dvoplastni kontakti: AgCdO-AgCd in AgCdO-AgCd-Ag Kljub temu smo nadaljevali raziskovalno razvojno delo v smeri izboljšanja tehnologij ter zaključenosti tehnoloških procesov, kakor tudi raziskav in razvoja zamenljivih ne- raziskav^ in razvoja so bili tako imenovana Druga tehnologija, ki je z metalizacijo srebrovega lota L.Ag30Cd omogočala troslojne kontakte AgCdO/AgCd/Ag-lot in proizvod- 159 njo okrog 10.000 kontaktov, dimenzije 0 15 x 3,2 mm z bombirano kontaktno površino. Slab izkoristek in neenakomerna debelina srobrovoga lota, kot tudi ne navsezadnje nezanesljivi spoj kontakt-no- silec po elektrouporovnem strojnem lotanju, sta nas na- 2 potila, da smo v sledečem letu raziskali in razvili zanesljivejši postopek enakomernega nanosa srebrovega lota poljubne sestave s pomočjo postopkov metalurgije prahov, to je Tretje tehnologije (shema 2). Poleg tega smo po tem postopku v istem letu proizvedli okrog 60.000 kvalitetnih troslojnih kontaktov, ki so bili vgrajeni v kontaktorje serijske proizvodnje Iskre, TOZD Stikala. Ta tehnologija je omogočila izdelavo ozkih in tankih trakov, enako sestavljenih iz treh plasti. Uspešno .srno razvili kon-tinuirno nanašanje srebrovega lota na biinot.i alni trak, ter zagotovili ustrezne debeline oziroma razmerja posameznih plasti. Proizvodnja pa ni stekla zaradi pomanjkanja srebra in potrebnih investicij v opremo. S ciljem izboljšanja kvalitete kontaktov, to je drobne in po preseku enakomerne dispergiranosti kadmijevega oksida in poenostavitve oziroma pocenitve tehnološkega postopka, smo v letu 1984 naše delo nadaljevali. Raziskali in zasledovali smo kinetiko notranje oksidacije zlitine AgCd pri 5 povišanih tlakih kisika do 9 x 10 Pa in temperaturah do Po Prvi tehnologiji Shema 2: - Druga tehnologija: troplastni kontakti AgCdO/AgCd/Ag-lot - Tretja tehnologija: tro- ali štiriplastni kontakti - Četrta tehnologija: troplastni ozki trakovi 3 V tretjem letu nadaljnega razvoja tehnologij smo originalno rešili regeneracijo odpadkov AgCdO, ki je predstavljala pomemben delež sekundarnega krožnega materiala (okrog 50 %), uporabnega za ponovni proizvodni proces. Nadalje smo zmanjšali skoraj na polovico potrebni čas notranje oksidacije in poboljšali drobnost CdO v aktivnem kontaktnem sloju. Z ustreznimi ukrepi smo tudi povečali debelino aktivnega kontaktnega sloja na 85 do 92 % debeline kontaktne ploščice in tudi s tem zadovoljili želje uporabnika. V tem letu smo izdelali samo okrog 20.000 kontaktov, nato pa se je Iskra povezala s Famlpo (Prizren) , ki je razpolagala s srebrom. Poleg tega smo razvili in dokaj uspešno preizkusili tudi Četrto tehnologijo (shema 2). 810 C. Rezultati tega dela so bili boljši kot smo pričakovali. Pri povišanih tlakih kisika se lahko skrajša potrebnf čas notranje oksidacije za več kot 10-krat glede na oksida-cijo pri normalnem tlaku (okrog 14 dni), kar je predstavljalo občutni prihranek na energiji in času. Istočasno smo tudi ugotovili, da se s pospešeno notranjo oksidacijo občutno izboljša drobnost in enakomernost porazdelitve oksidov po preseku in s tem v zvezi tudi kvaliteta aktivnega sloja kontaktov. Spoznali smo tudi negativni vpliv normalne modifikacije pri tem pospešenem difuzijskem procesu. Na mikroposnetkih slik od 1 do 4 podajamo nekaj značilnosti oziroma kvalitete presekov kontaktov posameznih proizvodov in tehnologij. Izboljšanja kvalitete oksidne plasti 160 (drobnost in enakomernost porazdelitve) ter kvaliteta spoja AgCd/Ag-lot, so razvidne na mikroposnetkih slik od 1 do 4. Povdarek kristalnih mej v primeru notranje ok-sidacije pri povišanem tlaku kisika (slika 4) , je posledica premodificiranja zlitine. i - X' .>*» oksida. Kvaliteta oziroma vzdržljivost teh kontaktov je bila v začetku slabša kot pirometalurško izdelanih kontaktov, vendar se je v zadnjem času že izenačila5 z uvedbo eks-trudiranja sintranega materiala. Poleg tega smo pričeli kontaktni material Ag-CdO zaradi toksičnosti kadmijeve- 100um i ■ - i Slika 1. : Prečni presek kontakta (3 mm) pseudozlitina AgCdO AgCd Ag-lot Slika 3. : Prečni presek platiranega traku (0,6 mm) pseudozlitina AgCdO AgCd Ag-lot 1.2. Nadomestni kontaktni materiali 12 3 Po treh letih dela ' ' na raziskavah in razvoju kontaktov iz kontaktne pseudozlitine Ag-CdO smo razvili in izpopolnili pirometalurške postopke do stopnje, ki omogoča ga oksida nadomeščati s pseudozlitinami srebra in drugih kovinskih oksidov. Z nadaljnjim delom smo želeli dohiteti razvoj na tem področju, kjer se že uspešno zamenjuje kadmijev oksid z ¿-t." SOum l——) Slika 2. : Prečni presek platiranega traku (l mm) pseudozlitina AgCdO AgCd Ag-lot lOOfjm ! -I Slika 4.: Učinek notranje oksidacije: 10 h, 750°C, 8xl05 Pa-O pseudozlitina AgCdO AgCd izbiro in izvedbo kvalitetne sodobne proizvodne tehnologije za ta gradiva. V svetu so že pred več leti začeli proizvajati tovrstne kontakte iz prahov srebra in kadmijevega različnimi kovinskimi oksidi in mešanicami, ki ekološko niso vprašljive. 161 Po različnih virih ' ' izhaja, da so najustreznejša nadomestila kadmijevega oksida: kositrov oksid, cinkov oksid, indijev oksid in antimonov trioksid oziroma ustrezne mešanice oksidov. Zaradi specifične in visoke cene kositra Slika 5.: Prečni presek spodnjega dela sintranega kontakta Ag7ZnO Ag Testirna naprava, ki simulira dejanske vklope in izklope štirih stikal, je bila v preteklem letu opremljena s stikali 7 EK 200. Prvi rezultati so bili vzpodbudni, saj so kontak-torji s kontakti Ag7ZnO izdržali za okrog 20 % več vklopov Slika 6. : Prečni presek spodnjega dela sintranega kontakta Ag4,5Sb2C>33,5ZnO Ag na našem tržišču (s tem občutna podražitev kontaktov) , smo raziskave s kositrom opustili. Posvetili smo se predvsem možnostim zamenjave kadmijevega oksida s cinkovim in.antimonovim oksidom ter kombinaciji obeh oksidov, ki so bili izbrani na osnovi primerjav pomembnih fizikalnih lastnosti oksidov (temperatura tališča, vrelišča, subli-macije in premen). Kot kriterij za izbiro različnih mešanic srebra in oksidov smo vzeli vsebnost kisika v pseudokontaktnem materialu Ag-CdO in jo ustrezno preračunali na ZnO in Sb^O^. Po postopkih metalurgije prahov smo izdelali tri vrste poskusnih dvoslojnih kontaktov: Ag/AgZnO, Ag/AgZnOS^O^ in Ag/AgSb^Og. Razvili smo tudi ustrezno tehnologijo izdelave, ki je zagotovila drobno in enakomerno porazdelitev oksidov in gostoto kontaktnih materialov. Zaradi neugodne premene, nizke elektroprevodnosti ter slabe porazdelitve in drobnosti antimonovega trioksida v sintranih pseudokontaktih, smo za preizkuse vzdržljivosti vzeli samo kontaktna materiala, katerih mikrostrukturo presekov podajamo na slikah 5 in 6. Preverjanje vzdržljivosti oziroma kvalitete kontaktov Ag7ZnO in Ag4, 5Sb2C>33, 5ZnO smo izvršili v Indos-u. kot kontaktorji z vgrajenimi kontakti proizvajalca Famipe. Po pričakovanju pa so bili kontakti Ag4, SSb^O^, 5ZnO zaradi omenjenih slabih lastnosti mnogo slabši od standardne kvalitete Ag-CdO. V letu 1986 smo delo nadaljevali predvsem v smeri izpopolnitve tehnologije izdelave troslojnih kontaktov Ag7ZnO/ Ag/Ag-lot in številnejših preizkusov vzdržljivosti. Medtem je Indos izdelal lastni kontaktor in pri preizkuševalni napravi zagotovil hujše kriterije obremenitve kontaktov pri preizkušanju. Zaradi poznane slabše kvalitete kontaktov AgCdO (Famipa), smo ponovno preverili primerjalno naše kontakte AgCdO, Ag7ZnO in za te namene najnovejšo kvaliteto kontaktov. Testi vzdržljivosti so pokazali glede na našo kvaliteto kontaktov AgCdO (je 100 %), da je vzdržljivost kontaktov Ag7ZnO v povprečju okrog 65 %, presenetljivo pa nova kvaliteta v poprečju 132 % (od 115 do 150 %). Ta nova kvaliteta kontaktnega materiala vsebuje samo o-krog 30 % srebra in bo lahko poleg ugodne vzdržljivosti tudi cenejša od kontaktov AgCdO. 2. Zaključek Štiriletno delo na razvoju postopkov izdelave kontaktnih materialov vrste Ag-CdO predstavlja s podanimi rezultati 162 zaključeno celoto. Rezultat je kvalitetna in sodobna proizvodna tehnologija za ta gradiva. Nadaljnjo možnost izbolj- 7 sav smo raziskali in preverili z nadomestitvijo klasične pirometalurške poti z metalurgijo prahov ob istočasni zamenjavi toksičnega kadmija s kovinskimi oksidi, ki niso ekološko vprašljivi. Rezultati vzdržljivosti kontaktov Ag7ZnO so bili za 20 % boljši od kontaktov Ag-CdO (Fami-pa) , vendar približno enaki ali celo nekaj slabši kot naši kvalitetni Ag-CdO kontakti. Natančne direktne primerjave niso možne, ker se je med delom spremenila konstrukcija kontaktorja in tudi režim testiranja. Zadnji pomembni napredek se kaže v rezultatih vzdržljivosti, ki so boljši v povprečju za 32 % (glede na kvalitetni Ag-CdO kontaktni material) za gradivo, ki vsebuje le o-krog 30 % srebra. Vsi podani rezultati so osnova ponovne oživitve polindu-strijske izdelave kontaktov, ki jo trenutno načrtujemo skupno z Indos-om iz Ljubljane. S tem so dane tudi realne možnosti nadaljnjih raziskav, spoznanj in razvoja, ki bodo omogočile naš napredek pri tovrstnih kontaktnih gradivih. Viri 1. B. Breskvar, C. Mali, L. Kosec, F. Vodopivec, D. Gnidovec: Razvoj trakov in kontaktne- zlitine Ag-CdO -X. del, Poročila Metalurškega inštituta Ljubljana, december 1982, št. 82-061 2. U. Breskvar, C. Mali: Razvoj kontaktov iz kontaktne zlitine Ag-CdO - 11. del, Poročila Molalui šk<^ga inštituta Ljubljana, december 1983, št. 83-072 3. B. Breskvar, D. Gnidovec: Razvoj kontaktov iz kontaktne zlitine Ag-CdO - III . del, Poročila Metalurškega inštituta Ljubljana, december 1984, št. 84-076 4. Referativie žurnal, št. 3, str. 129, 1983 5. W. Böhm, N. Behreus, M. Chasing: Pulvermetallurgisch hergestellte Kontaktwerksoffe für die Energie-Technik auf der Basic Ag/Sn02 Metall, 35. Jahrg. , Heft 7, Juli 1981, str. 539-543 6. D. Ströckel: Werkstoffe für elektrische Kontakte, Techn. Akad. Esslingen, Zbornik predavanj, 1983, str. 83-86 7. 1!. Breskvar, T. Godoror, M. liadulovii' , C. Mali: Razvoj kontaktnih pseudozlitin brez kadmija, Poročila Metalurškega inštituta Ljubljana, december 1985, št. 85-059 Naslov avtorjev: Bojan Breskvar, dipl.ing. Prof. dr. Lado Kosec Dr. Franc Vodopivec Cveto Mali, dipl.ing. Metalurški inštitut Lepi pot 11 61000 LJUBLJANA VISOKOENERGIJSKI PERMANENTNI MAGNETNI MATERIALI Aleš Cokan 1. Uvod Beseda permanentni magnetni materiali pokriva širok spekter magnetnih materialov, katerih najrazličnejše magnetne lastnosti odgovarjajo posameznim uporabam, posebno na področju elektronike in elektrotehnike kakor tudi v ostalih sodobnih konstrukcijskih sklopih. Na tržišču sta od začetka petdesetih let (1950) dominira-la dva materiala in sicer keramični in kovinski permanentni magneti. Natančnejša opredelitev teh materialov se deli na: - keramične feritne materiale - AlNiCo magnetne zlitine - zlitim- na osnovi intermetalnih vezi redkih zemelj s kobaltom - SmCo^ in S"^*"0-^ - nova takoimenovana tretja generacija permanentnih magnetnih materialov, zlitina Nd (neodium)-Fe (železo)-B (bor). Lastnosti permanentnih magnetnih materialov in krivulje razmagnetonja so prikazane v tabeli 1 in na sliki 1. Določene so s histerezno zanko oziroma s krivuljami razma-gnetenja v drugem kvadrantu in karakterističnimi točkami na njej: energijski produkt, magnetna poljska jakost - ko-ercitivnost in remanenca. Pomembni podatki za konstruktorje elektromagnetnih naprav so še: 163 - reverzibilne in ireverzibilne izgube v odvisnosti od temperature - Curiejeva temperatura - mehanske lastnosti - sposobnost magnetiziranja 2. Keramični feritni materiali Keramični magneti oziroma trdi feriti se izdelujejo po postopkih praškaste metalurgije. Karakteristika trdih feri-tov oziroma oksidnih magnetov je nižja vrednost remanen-ce od kovinskih magnetov in višja vrednost koercitivnosti. Glavni kvaliteti keramičnih magnetov sta barijev in stron-cijev heksaferit, izdelana po kemijski formuli MeO x 6Fe2 O . Sintrani keramični magneti so izredno trdi in krhki nostjo. AlNiCo permanentni materiali so po odkritju leta 1938 hitro osvojili magnetno tržišče, vendar so zaradi u-porabe dragih in delno tudi strateških surovin - 20 + 40 % Co z Fe, Ni, Al z najrazličnejšimi materiali veliko dražji. Tehnologija izdelave se deli na: - tehnologijo vlivanja - praškasto sinter tehnologijo - delno opuščeno stisnjeno tehnologijo z vezivom Osnovnim tehnologijam vlivanja in sintranja sledi termo-magnetna obdelava, končne dimenzije AlNiCo magnetov pa se oblikujejo z brušenjem. Prednost uporabe pred ostalimi magnetnimi materiali je v odlično temperaturni stabilnosti - temperaturni koeficient remanence -0,02%/ -- Iskra ReCo MAGNETI in se mehansko obdelujejo samo z brušenjem. Ločimo izo-tropne in anizotropne keramične magnete. Prednost pred ostalimi magnetnimi materiali je predvsem ekonomskega značaja - cenene surovine, oziroma nizka cena na enoto magnetne energije. Maksimalen energijski produkt (BH) max ima vrednosti od 7 + 30 KJ/m3. 3. AlNiCo magnetne zlitine AlNiCo permanentni materiali so sestavljeni iz osnovne zlitine Fe-Co-Ni-Al z dodatkom elementov Cu, Nb in Ti. AlNiCo materiali predstavljajo skupino permanentnih materialov z visoko remanenco in na splošno nižjo koercitiv- °C in uporabi teh magnetnih materialov pri temperaturah tudi višjih od 450°C. Maksimalen energijski produkt (BH)max ima vrednosti od 10 + 80 KJ/m3. 4. Intermetalne spojine redkih zemelj s kobaltom Želja po večji,energiji permanentnih magnetnih materialov glede na višje magnetne lastnosti je bila izpolnjena v drugi polovici šestdesetih let, ko so v ZDA razvili kompozicijo samarij-kobalt s stehiometrično sestavo SmCo^. Magneti na osnovi redkih zemelj s kobaltom se izdelujejo tudi po postopkih praškaste metalurgije, ki je delno podobna tehno- logija izdelave keramičnih magnetov, vendar s prahovi z je njihov spekter uporabe kompozicij SrnCo^. in Sm^Co izredno nizko vsebnostjo kisika. Karakteristika teh mate- zelo širok predvsem v sklopih in pri konstrukcijskih re- rialov je v visokih vrednostih remanence in koorcitivnosti. šitvah, kjer sta teža in volumen povezana s kvaliteto, za- Slika 1: Tipične krivulje razmagnetenja v drugem kvadrantu histerezno zanke s primerjavo velikosti zvočniškoga magneta različnih kvalitet. Z ozirom na različne magnetne lastnosti in celotne stroš- htevano od sodobnih industrijskih oblikovalcev. Izredno ke so feriti najcenejši in kompozicija redka zemlja-kobalt visoka stopnja magnetne anizotropije in s tem visoke ko- zelo dragi magnetni materiali. ercitivnosti sta lastnosti, ki omogočata uporabo teh ma- (BH )max (KJ/m3) Keramični magneti AlNiCo Redka zemlja - Co Nd-Fe-B magneti 8 + 30 10 + 80 71,6 + 215 215 + 360 BR (ml) 200 + 385. 560 + 1350 600 + 1050 1050 + 1250 Hc (KA/m) 140 + 260 39 + 160 475 + 800 675 + 915 Gostota (g/cm3) 5 7,3 8,4 7,4 Curie-jeva temp. Tc/°C 450 850 720 310 Temperaturni koeficient remanence (%/°C) - 0,189 - 0,02 - 0,04 -0,123+0,126 Povratna permeabilnost 1,05+1,15 1,9 + 6,8 1,0 1,05 Tabela 1: Magnetne lastnosti permanentnih magnetnih materialov Kakorkoli, magneti ReCo so tehnično zelo zanimivi materiali, zaradi visoke magnetne energije po volumski enoti gnetov pri najrazličnejših dinamičnih zahtevah, na primer motorjih, magnetnih ležajih, magnetnih sklopkah. Magne- 165 ti iz redkih zemelj imajo nizek temperaturni koeficient re-manence, ki znaša gr - 0,03 °/o/°C v temperaturnem območju od -35°C do + 100°C , izredna pa je tudi njihova stabilnost pri temperaturah do +100°C. Zgornja temperaturna meja uporabe je 250°C. Poleg že omenjenih možnosti uporabe, lahko te magnete uporabljamo še za: - zvočnike - Hi-Fi slušalke majhnih dimenzij - brezžično mikrofonijo - industrijo ur - medicino - magnetne železnice - magnetne senzorje - tiskalnike in pisalnike v industriji računalništva - najnovejšo industrijo laserskih in digitalnih gramofonov - audio-vizuelno tehniko - robotiko Maksimalen energijski produkt (BH)max ima vrednosti od 128 + 215 KJ/m3. Tabela 2 prikazuje različna področja uporabe magnetov kompozicije Sm-Co razdeljena na tri glavna tržišča (ZDA, Evropa, Japonska). 5. Tretja generacija permanentnih magnetnih materialov neodi m u m - železo-bor -Nd-Fe-B Leta 1983 so bili uporabniki Re-Co magnetov zelo presenečeni z odkritjem popolnoma nove magnetne sestave, oziroma magnetov na osnovi zlitine Nd-Fe-B, katere avtorji so raziskovalci japonske tvrdke Sumitomo (dr. Sagawa s sodelavci) in General Motors-a v ZDA (J. Croat s sodelavci). Nova s[»jina jo osnovana na intermetalni strukturi, kjer je samarij nadomeščen z neodimom in kar je še bolj važno, da je strateško pomemben kobalt nadomeščen z že- lezom. Osnova za proizvodnjo teh magnetov je prav tako praškasta metalurgija - usmerjanje in stiskanje prahov v magnetnem polju paralelnem s smerjo stiskanja oziroma pravokotno na smer stiskanja, sintranje, termična obdelava s takoimenovanim postopkom hitrega kaljenja - "guen-ching" in končna mehanska obdelava z brušenjem oziroma rezanjem večjih blokov na majhne rezine. S tem najnovejšim magnetnim materialom se je odprlo izjemno široko področje uporabe, kar je vzrok za angažiranje novih raziskovalnih skupin na področju permanentnih magnetnih materialov: fizikov, načrtovalcev, metalurgov, itd. Glavni razlogi za izredno zanimanje v svetu za to novo zlitino so: Tržišče Področje uporabe ZDA % trendi Evropa % trendi Japonska % trendi Industrija motorjev, generatorjev, robotika, računalniške periferne enote 35 + 40 +++ 35 + 40 +++ 15 +++ Industrijska oprema, mehanske uporabe 10 + 15 + 15 + 20 + 5 + Mikrovalovna tehnika, profesionalna elektronika, števci, instrumenti, vesoljska tehnika, aktuatorji 40 + 45 ++ 20 + 5 + Uporaba v široki potrošnji (ure, audiovizuelna tehnika) 5 -i- 10 25 65 ++ Ostalo + 5+10 10 + Tabela 2: Razdelitev Re-Co magnetnega tržišča 166 - zlitine na osnovi samarija in kobalta, kot je pokazalo tržišče, predstavljajo relativno drage visokoenergijske magnete - visok energijski produkt (BH)max, ki je indikator za 3 magnetno energijo, je pri Nd-Fe-B več kot 360 KJ/m , kar je za 50 % več, kot pri najboljših Sm-Co magnetih - element Neodimium je veliko bolj dosegljiv v zemeljskih rudah kot Samarij v obliki oksidov, oziroma je procent vsebnosti Neodima v rudah cca 13,5 %, kar je v primerjavi s Sm, ki ima procent vsebnosti max 3,5 %, veliko več - specifična teža Nd-Fe-B magnetov je za 13 % nižja od Sm-Co magnetov, torej čim manjši volumen pri višji energiji - končni stroški izdelave teh magnetov glede cenovnih postavk Nd-Fe-B surovin naj bi v prihodnosti bili za polovico nižji v primerjavi s stroški izdelave Sm-Co magnetov Več kot očitno je nov material na osnovi Nd-Fe-B bodočnost permanentnih magnetnih materialov. Vendar je zaradi nizke Curiejeve temperature 310 C in s tem visoke vrednosti temperaturnega koeficienta remanence ^ -0,126 %/ C, temperaturna obstojnost teh materialov danes zadovoljiva do cca 150°C. Z določenimi korekturami osnovne sestave - Fe delno nadomeščen s Co - se meja uporabe premakne do 200°C . Mehanske lastnosti Nd-Fe-B magnetov kažejo manjšo krhkost kot Sm-Co magneti, zato se mehansko boljše obdelujejo. Pozornost velja nameniti tudi korozijski zaščiti pri višjih temperaturah in večji vlažnosti zaradi afinitete osnovnih materialov do kisika. Maksimalen energijski produkt (BH)max ima vrednosti od 215 4- 400 KJ/m3. 6. ISKRA v prostoru permanentnih magnetnih materialov ISKRA ELEMENTI TOZD Feriti izdeluje oksidne-kerarnične permanentne magnetne materiale pod komercialnim imenom ELVEPERM. ISKRA ELEMENTI TOZD Magneti kot edini proizvajalec kovinskih permanentnih magnetov v Jugoslaviji naj bi že ob uveljavijanem AlNiCo LIMAG in AlNiCo SI MAG programu v letu 1987 pričela z minimalno proizvodnjo Sm-Co magnetov kompozicije 1:5, kar naj bi bila osnova za osvajanje programa Nd-Fe-B v naslednjih letih, kjer sta tehno- logiji skoraj identični - praškasta metalurgija. Identična je skoraj v vseh segmentih tudi proizvodna oprema. Uspešno zaključen razvoj visokoenergijskih magnetov kompozicije Sm-Co 1 : 5 na podlagi izključno domačega znanja naj bi kot plod sodelovanja raziskovalcev Instituta Jožef Stefan in Iskra TOZD Magneti privedlo do prenosa laboratorijskih rezultatov na industrijske agregate v začetku leta 1987. Sinteza sodelovanja z Institutom Jožef Stefan naj bi privedla tudi do osvojitev kvalitet Nd-Fe-B v laboratorijskem obsegu in kasneje prenosa na industrijske proizvodne agregate. Prav zlitina Nd-Fe-B nudi zaradi izrednih karakteristik možnost osvojitve te tehnologije v doglednem času, kar omogoča tudi ISKRI v bodoče korak s časom na širokem polju permanentnih magnetnih materialov. 7. Zaključek 1. Permanentno magnetno področje nudi širok spekter uporabe najrazličnejših magnetnih materialov 2. Masovno še vedno feritni materiali pokrivajo cca. 75 % celotnega magnetnega tržišča 3. V zadnjih letih smo priča izrednemu vzponu permanentnih magnetnih materialov na osnovi redkih zemelj 4. Prihodnost permanentnih magnetnih materialov je pogojena s predelavo ostalih konstrukcijskih komponent v smeri miniaturizacije 5. Prihodnost permanentnih magnetnih materialov naj bi bila v novi magnetni zlitini Nd-Fe-B v okviru cca 60 % obsega vseh uporab. Odlike te zlitine so visoke vrednosti magnetnih lastnosti in nizka končna cena magnetov. Literatura: 1. Proceedings of the eighth International Workshop on Rare-earth Magnets and their Applications,Dayton/ZDA, Maj 1985 2. Metal Powder Report, 1984 Vol. 39, No. 10 3. Neomax, Sumitomo Tecnical Brochure No. 580602, 1985 4. M. Sagawa, S. Fujimura, N. Togawa, H. Yamamoto and J. Matsuura, J. Appl. Phys. 55, 2083, (1984) 5. J.J. Croat, R.W. Lee, J.F. Herbst and F.E. Pinkerton, J. Appl. Phys., 55, 2078, (1984) 6. N.C . Koon, IEEE MAG-18, 1448, (1982) Avtorjev naslov: Aleš Cokan, dipl.ing. ISKRA - ELEMENTI TOZD MAGNETI Stegne 21, 61000 LJUBLJANA 167 FOTOAKUSTIČNA KARAKTERIZACIJA POLUPROVODNIČKIH MATERIJALA P.M. Nikolic, D.M. Todorovid SADRŽAJ gas - mikrofonska tehnika. Ova Fotoakustična (FA) merna metoda, razvijena poslednjih desetak godina, nalazi sve širu primenu u ispitivanju i karakterizaciji različitih materijala u tečnom i čvrstom stanju. Sve značajnija je primena ove metode i za ispiti-vanje poluprovodničkih materijala. U radu su izneti neki orginalni teorijski i ekspermentalni rezultati na ispitivanju i karakterizaciji različitih poluprovodničkih jedinjenja. Dati su rezultati odredjivanja veličine i tipa energetskog prelaza, rezultati ispitivanja ek-sitonskog efekta, medjuzonalnih prelaza i prisustva primeša u poluprovodnicima. 1. UVOD Poslednjih godina fotoakustična merna metoda našla je mnoge primene u ispitivanju i karakterizaciji različitih materiala. Pored več standardnih primena fotoakustike kao spektroskopske metode za ispitivanje različitih optič-kih i toplotnih osobina materijala (fotoakustična spektroskopija - FAS), sve značajnija je i primena kao mikroskopske metode (fotoakustična mikroskopija - FAM), od-nosno kao defektoskopske metode (fotoakustična defekto-skopija - FAD). Svakako je najinteresantnija primena u ispitivanju optičkih osobina materijala, odnosno za ispitivanje različitih deeksitacionih neradijativnih procesa. Mogučnost snimanja i amplitude i faze FA signala kao i mogučnost menjanja učestanosti modulisanja upadnog zračenja, čime se menja dubina sa koje potice FA signal, o-mogučuje vrlo različita ispitivanja nehomogenih i hetero-genih (višeslojnih) uzoraka bez njihove destrukcije. FA efekat, na kome se zasniva FA merna metoda, najop-štije se može definisati kao generacija akustičnog signala usled apsorpcije modulisanog elektromagnetskog zračenja posredstvom toplotnih pojava u materijalu. Sobzirom da od prirode materijala koji apsorbuje zračenje zavisi veličina i oblik generisanog akustičnog signala, to je jasno da FA efekat može poslužiti za detekciju različitih pojava vezanih za sam materijal. Postoji više različitih detekcionih konfiguracija (uzorak - fluid - pretvarač, uzorak - pre-tvarač, fluid - pretvarač) i na osnovu njih razvijen niz detekcionih tehnika, od kojih je svakako najinteresantnija F A detekciona tehnika pod-razumeva takvu konstrukciju FA čelije kod koje se merni uzorak nalazi u maloj zatvorenoj komori ispunjenom ga-som (vazduhom) koji služi kao posrednik u prenosu akustičnog signala do akustičnog pretvarača - mikrofona. Modulisano zračenje kroz prozor FA čelije dospeva do površine uzorka koji se usled apsorpcije lokalno periodično greje i hladi. Ova toplotna energija može neposredno u u-zorku izazvati pojavu akustičnog signala (termoelastični efekat) ili se posredstvom procesa difuzije preneti na po-vršinu uzorka (termodifuzioni efekat) i tu usled periodič-nog zagrevanja granične površine uzorak - gas izazvati periodično širenje i skupljanje gasa, odnosno varijacije pritiska - akustični signal. FA merna metoda nalazi sve veču primenu i za ispitivanje različitih efekata kod poluprovodnika: ispitivanje nivoa do-piranosti [l] , ispitivanje jonski implantiranih slojeva [Š , 3]] , elektron - fononskih interakcija [4, 5] , eksitonskog efekta [6] , medjuzonalnih prelaza [7, 8] , difuzije i rekom-binacije nosilaca [V] , itd. U ovom radu su izneti neki rezultati rada na primeni FA merne metode za ispitivanje i karakterizaciju različitih poluprovodničkih materijala. Snimani su amplitudski i fazni FA spektri za različite učestanosti modulisanja i raz-ličite debljine uzoraka. Na osnovu ovih eksperimentalnih rezultata odredjeni su tip i veličina energetskog proč epa. Pored ove standardne primene pokazani su i rezultati na ispitivanju eksitonskog efekta GaSe na sobnoj temperaturi kroz uporednu analizu FA i optičkih apsorpc ionih spekta-ra, što je prvo takvo ispitivanje primenom FA metode. Dati su i rezultati ispitivanja medjuzonalnih prelaza na osnovu analize FA spektra u zasičenju snimanih za opseg energija iznad apsorpcionog praga. U toj oblasti FA spektri su analogni refleksionim spektrima, pa se na osnovu položaja refleksionih maksimuma mogu analizirati medju-zonalni prelazi, odnosno zonalna struktura poluprovodnika . Na kraju su dati i rezultati snimanja FA spektara GaSe u bliskoj IC oblasti koji pokazuju apsorpcione maksimume koji potiču od energetskih prelaza sa primesnih nivoa. Na osnovu položaja i veličine ovih maksimuma mogu se analizirati vrsta i koncentracija primeša. 168 2. ODREDJIVANJE ENERGETSKOG PROCEPA Za niz različitih poluprovodničkih monokristalnih i amorf-nih jedinjenja u obliku masivnih uzoraka ili tankih filmova snimljeni su po prvi put FA spektri u okolini apsorpcionog praga. Snimani su amplitudski FA spektri za uzorke Sns; Slika 1: FA spektri monokristalnog masivnog GeS i tankog filma GeSe. GeS; GeSe; GeSe2> CdIn2Te4; Ge.2Sb_ 15^.651 Ge.2Bi.4 S ; GaAs; CdTe; GaS; GaSe; GaTe. Na osnovu ovih spek-tara odredjeni su veličina i tip energetskog procepa koji su u skladu sa literaturnim podacima dobijenim standardnim optičkim metodama. Ge2 Bi\4S4 Slika 2: Fa spektri tankih amorfnih filmova Ge.2Sb.15S.65iGe.2Bi.4S.4- U ovom pregledu dati su dijagrami nekih FA spektara. Na slici 1 dati su amplitudski FA spektri monokristalnog masivnog uzorka GeS i tankog filma GeSe. Na slici 2 dati su FA spektri tankih amorfnih filmova Gc.2Sb.15S.65iGe.2Bi.4S.4S.4 10 " 3. I SPI TI VANJE EKSITONSKOG EFEKTA FA METODOM U okviru ovog odelja biče pokazani rezultati na ispitivanju Slika 3: Spektri GaSe u okolini apsorpcionog praga na sobnoj temperaturi: a) FA spektar; b) optički apsorpcioni spektar. eksitonskog efekta kod GaSe primenom FA metode. Na slici 3(a) dat je amplitudski FA spektar sniman u okolini apsorpcionog praga, dok je na slici 3(b) dat analogni optički apsorpcioni spektar. Na oba prethodno data spektra uoč-ljiv je neposredno uz apsorpcioni prag i manji apsorpcioni maksimum. Posle uporedjivanja rezultata fotoakustič-nih i optičkih merenja može se utvrditi da taj maksimum odgovara energiji od 2,02 eV. Pojava ovog maksimuma se može objasniti formiranjem eksitona usled Kulonove interakcije elektrona i šupljina generisanih u toku optičkog prelaza u oblasti apsorpcionog praga. Analiza eksitonskog efekta (nalaženje energetskog procepa, 169 energije veze eksitona i efektivne mase) data je kroz upo- gde su: E - energija upadnog zračenja; rednu analizu teorijskih i eksperimentalnih FA spektara E^ - energetski procep; uz koriščenje relacija za spektralnu karakteristiku GaSe E - energija veze eksitona; 1 0. 0 - ^ 0.6 u_ 0. 4 0.2 0 1. i 1.7 1.9 2. 1 2. 3 E CeV] 2. 5 2. 7 Slika 4: Eksperimentalni (...) i teorijski (-) FA spektri GaSe. koja uključuje i eksitonski efekat. Pored toga, na neposre-dan način su u ovu analizu uključeni i optički transmisioni i refleksioni spektri, čime je na kvantitativan način data i veza FA i optičkih apsorpcionih spektara. Normalizovani teorijski FA signal je dat kao: S (Ji) = (1 - R) F(„C ) (1) gde su: - koeficijent optičke apsorpcije; R - refleksivnost. Veličina F(X ) daje FA signal (amplitudu i fazu) u zavisnosti od konfiguracije merne čelije, odnosno od apsorpcio-nih, toplotnih i geometrijskih parametara uzorka, gasa i držača. Najčešče je, za uobičajene merne uslove, F (oC ) dato Rosencwaig-Gersho teorijom. Ovaj teorijski FA signal koji je dat u funkciji od koeficijenta optičke apsorpcije trebalo bi prevesti u funkciju od energije upadnog zračenja. U tom smislu je neophodno uvesti i relaciju za spektralnu karakteristiku GaSe. Teorija optičke apsorpcije u poluprovodnicima blizu apsorpcionog praga, koja uključuje u sebe i Kulonovu interakciju, daje za koeficijent apsorpcije: (2) £ - koeficijent apsorpcije sračunat kada se zanemari Kulonova interakcija. Sračunati koeficijent apsorpcije iz jednačine (2) je koriš- čen u jednačini (l) zaiedno sa parametrima E i E . Na 9 e Slika 5: Refleksioni spektar GaSe dobijen na osnovu ampli- tudskog FA spektra, taj način je dobijen teorijski FA spektar u funkciji od energije upadnog zračenja: S(E) - f(R,E ,E , E) (3) 9 ® 170 Ovakav teorijski spektar je uporedjen sa eksperimentalnim procedurom usaglašavanja parametara. Na slici 4 dati su najbolji rezultati ove procedure: Na osnovu ove procedure nadjeni su sledeči parametri: E = 2,017 + 0,003 eV, E = 17 ,5 + 0,5 meV i efektivna g e - masa m = 0,011 m . o Normalizovani FA spektar u tom slučaju je analogan re-fleksonom spektru, odnosno ima oblik: S(E) ~ 1 - l{(E) Slika 6: Amplitudski FA spektri GaSe u bliskoj IC oblasti. Ovu su samo osnovni elementi jedne šire analize date u referenc am a [6,11 . 4. ISPITI VANJE MEDJUZONALNIH PRELAZA FA METODOM Teorijska analiza FA efekta pokazala je da je u uslovima kada je toplotna difuziona dužina mnogo veča od debljine uzorka 1) FA signal u zasičenju, odnosno da FA sig- nal ne zavisi od apsorpcionih karakteristika materijala. (i) Na slici 5 dat je eksperimentalni amplitudski spektar 1 -S(E) koji je potpuno analogan refleksionom spektru GaSe za oblast energija iznad apsorpcionog praga. Na spektru su označeni refleksioni maksimumi. Analiza spektara pokazuje postojanje sedam refleksionih maksimuma. Ovi refleksioni maksimumi vezani su za od-govarnjučo modjuzonaliK' prelaze, koji su na osnovu [x>znn-tog modela zona GaSe identilikovnni [n] . 5. ISPITI VANJE PRISUSTVA PRI MESA FA METODOM Na energijama ispod apsorpcionog praga nedopirani polu-provodnici su u osnovi transparentni. Medjutim kada po-stoje primese, odnosno primesni nivoi, javljaju se odgo-varajuče apsorpcione pojave vezane za ove nivoe. Analiza spektara GaSe snimanih u bliskoj IC oblasti (od 0,55 do 1,55 eV) pokazuje postojanje dve apsorpcione pojave na 0,645 i na 0,89 eV. Na slici 6 dati su amplitudski FA spektri gde se jasno uočavaju ove apsorpcione pojave C"] U literaturi se navodi niz slučajeva ispitivanja GaSe u oblasti ispod apsorpcionog praga primenom različitih optič-kih i elektronskih metoda. Ova ispitivanja pokazuju da može postojati niz akceptorskih nivoa u oblasti energija od 0,03 do 0,55 eV, kao i donorskih u oblasti od 0,35 do 0,9 eV. Eksperimentalno odredjeni nivoi na 0,65 eV i 0,89 eV su donorski nivoi koji potiču od prisustva primeša Sn i Ge, odnosno od delimično kompenzovanih primesnih cen-tara ovih atoma. 7. ZAKLJUČAlv Sva prethodna razmatranja nedvosmisleno pokazuju značaj FA metode za karakterizaciju poluprovodnika. Posebno je važno istači da se poslednjih godina razvija i niz novih sličnih metoda koje bi sve mogle biti obuhvačene jednim terminom - f o t o t e r m a 1 n a metoda. Ovim terminom seobuhvata: fotoakustična metoda, fototormal-na defleksija, fototermalna inter ferometrija, fototormal-na radiometrija itd. Nesumnjivo da če razvoj ovih metoda, posebno kao spektroskopskih metoda, značajno povečati mogučnosti u karakterizaciji ne samo poluprovodnič-kih nego i svih drugih materijala. 171 Autori duguju posebnu zahvalnost prof. B. Tokovicu sa VMA u Beogradu, na predusetljivosti pri koriščenju neop-hodne opreme u eksperimentalnom radu. LITERATURA 1 L. Eaves, H. Vergas, P. Williams, "Intrinsic and deep - level photoacoustic spectroscopy of GaAs (Cr) and other bulk semiconductors", Apll. Phis. Lett. , 38 , 768 (1981). 2 R. Mc Farland, L. Hess, "Photoacoustic measurements on ion-implanted and laser annealed GaAs", 36 , 137 (1980). 3 J. Mc David, S. Yee, M. Afromowitz, "Photoacoustic measurement of nonlinear optical absorption in semiconductor", in Thechnical Digest (OSA, Washing-tong DC 1979). 4 C. Ghizoni, M. Sigueira, H. Vargas, L. Miranda, "On the use of photoacoustic cell for investigating the electronphonon interaction in semiconductor", Apll. Phis. Lett., 32, 554 (1978). 5 P.M. Nikolic, D.M. Todorovič, "Photoacoustic and Thermoacoustic Properties of Single Crystal SnS Compared with Its Near Infrared Optical and Transport Measurements", J. Phis. C, in print. 6 D.M. Todorovič, P.M. Nikolic, "Photoacoustic Observation of the Exciton Effect in GaSe", Apll. Opt. , 24, 2252 (1985). 7 L. Baldassarre, A. Cingolani, "Photoacoustic saturation spectra of GaSe, GaTe and InSe layered semiconductors", Solid State Commun., 44 , 705 (1982). 8 D.M. Todorovič, P.M. Nikolic, "Ispitivanje medju-zonalnih prelaza GaSe fotoakustičnom metodom", Zbornik IX Jugoslovenskog savetovanja o savreme-nim neorganskim materijalima, Herceg Novi (1986). 9 L. Miranda, "Theory of the photoacoustic effect in semiconductors influence of carrier diffusion and recombination", Apll. Opt., 21 , 2923 (1982). 10 P.M. Nikolic, D.M. Todorovič, S. S. Vujatovič, Lj. Miloševič, "Optičke i fotoakustične osobine amorfnih filmova IV - V - VI grupe poluprovodničkih jedinjen-ja", X Jugoslovenski vakuumski kongres, Beograd, Bilten JUVAK 22, 199 (1986). 11 D.M. Todorovič, "Doprinos uporednoj analizi fotoa-kustičnih i optičkih osobina poluprovodnika", doktorska disertacija, Centar za multidisciplinarne študije, Univerzitet u Beogradu (1986). Adresa autora: P.M. Nikolič D.M. Todorovič Univerzitet u Beogradu P.O. 816 11000 BEOGRAD PRIKAZ KNJIGE "ELEKTRONSKE KOMPONENTE I DEO" AUTORA DR. STOJANA R ISTI CA Ninoslav Stojadinovič Nedavno je Univerzitet u Nišu izdao knjigu ELEKTRONSKE KOMPONENTE I DEO, autora Dr Stojana Rističa, docenta Elektronskog fakulteta u Nišu. Knjiga, koja je napisana na 304 strane, sadrži 202 slike i 54 tabele, a podeljena je u 5 glava. Prva glava je posvečena osnovnim pojmovima u teoriji po-uzdanosti. Obradjeni su pokazatelji pouzdanosti i vrste ot-kaza elektronskih komponenata. Takodje, analizirani su i faktori koji utiču na pouzdanost komponenata, kao što su opterečenje, mehanička naprezanja, temperatura, vlažnost, pritisak, itd. Otpornici su razmatrani u drugoj glavi. Najpre su date o- snovne karakteristike i parametri otpornika, zatim su prikazani nizovi nazivnih vrednosti otpornosti, klase tač-nosti i načini označavanja otpornika bojama (sa dvocifre-nim i trocifrenim osnovnim brojem), a potom su analizirani uticaji temperature, vlažnosti, električnog optereče-nja, učestanosti itd. na karakteristike otpornika. Nakon opšteg dela o otpornicima, razmatrani su slojni otpornici (ugljeni, metalslojni, metaloksidni, kompozicioni i štam-pani), otpornici od mase i namotani (žičani) otpornici stalne otpornosti, pri čemu su istaknute osnovne karakteristike tih otpornika i načini dobijanja istih. Slično otpornicima konstantne otpornosti, obradjeni su i otpornici promenljive otpornosti - potenciometri, ukazujuči na nji- 172 hove osnovne karakteristike i parametre (nazivnu vrednost ukupne otpornosti, početni skok otpornosti, postoja-nost na habanje, dopunski kontaktni šum, itd.). U daljem izlaganju o otpornicima detaljno su razradjeni nelinearni otpornici. Date su karakteristike, parametri i osobenosti termistora (NTC i PTC otpornika), varistora, fotootpornika, otpornika kod kojih se otpornost menja pod uticajem magnetnog polja (magnetootpornika) i otpornika kod kojih je promena otpornosti uslovljena mehaničkim naprezanjima (tenzootpornika). U trečoj glavi obradjeni su Kondenzatori. Kao i u delu o otpornicima, i ovde su, najpre, date opšte osobenosti kondenzatora, a potom su detaljno analizirane pojedine vrste kondenzatora stalne kapacitivnosti. Pored osnovnih principa konstrukcije ovih kondenzatora, za svaku vrstu kondenzatora razmatrane su karakteristike i promene pa-rametara (promene kapacitivnosti, otpornosti izolacije, tangensa ugla gubitaka sa temperaturom i učestanošču, itd.). Obradjeni su papirni kondenzatori i kondenzatori sa metaliziranim papirom, a zatim kondenzatori sa plastičnim folijama i metaliziranim plastičnim folijama, pri čemu su pojedinačno analizirani stirofleksni (polistiren, polistirol) , poliester, polikarbonat i polipropilen kondenzatori, kao i kondenzatori za visoke temperature (polisul-fon i teflon). Dalje izlaganje o kondenzator ima nastavljeno je razradom liskunskih, staklenih i keramičkih kondenzatora. Kod keramičkih kondenzatora najpre su opisane keramike na bazi titanata i cirkonata barijuma ili stron-cijuma (keramike tipa I i tipa II) i takozvane "specijalne" keramike (keramike koje pojedini proizvodjači kondenzatora koriste u svojim proizvodnim programima), a zatim su obradjeni keramički kondenzatori tipa I, tipa Ili tipa III. Nakon keramičkih kondenzatora opisani su elektrolitski kondenzatori (aliminijumski i tantalovi). Izlaganje o kondenzatorima završeno je kondenzatorima promenljive kapacitivnosti, gde su, pored standardnih obrtnih vazduš-ni kondenzatora, razmatrane silicijumske i galijum-arse-nidne varikap diode sa skokovitim, linearnim i superstr-mim p-n spojevima. Kalemovima je posvečena četvrta glava. I ovde je prvo dat opšti deo o bitnim karakteristikama i parametrima ka- lemova (induktivnost kalemova, kalemska tela, vrste na-motaja, frekventna svojstva kalemova, gubici u kalemovima, stabilnost kalemova, oklopljavanje, itd.), a zatim su dati izrazi za izračunavanje induktivnosti kalemova bez jezgra (dugačkih, kratkih, jednoslojnih, višeslojnih, ko-morastih, štampanih, itd.) i sa jezgrom. Kada je reč o kalemovima sa jezgrom, največa težina data je kalemovima sa feritnim jezgrima, pri čemu su obradjena lončasta, RM i PM jezgra, kao i jezgra u obliku štapiča, šipki i cevčica. Peta glava se odnosi na transformatore. U opštem delu najpre su obradjeni materijali za magnetna jezgra trans-formatora (vruče valjani Fe-Si lim , hladno valjani orijen-tisani Fe-Si lim, Fe-Ni lim i feriti), a zatim su date tablice za odredjene oblike magnetnih jezgra (za jezgra od limova EI i UI profila, za prerezana trakasta C-jezgra i za feritna jezgra). Od feritnih jezgra razmatrana su i EC i ETD jezgra. Nakon opšteg dela o transformatorima razmatrani su mrežni transformatori i transformatori za niske učestanosti. Dalje su obradjeni feritni transforma-tori, a poseban akcenat dat je transformatorima za preki-dačke izvore napona napajanja.(DC-DC konvertore). Na primeru blokirnog konvertora (Flyback) dat je princip proračuna impulsnih prekidačkih feritnih transformatora. Knjiga ELEKTRONSKE KOMPONENTE I DEO namenjena je prvenstveno studentima III godine Elektronskog fakulteta u Nišu, sa ciljem da posluži kao udžbenik za predmet "Elektronske komponente". Medjutim , s obzirom da su detaljno objašnjene karakteristične osobine velikog broja pasivnih komponenata, to knjiga, pored osnovne namene, može korisno da posluži inženjerima elektronike u savla-djivanju praktičnih problema. Prof. dr Ninoslav Stojadinovič Elektronski fakultet, Niš 18000 Niš, Beogradska 14 Napomena: Knjiga ELEKTRONSKE KOMPONENTE I DEO, autora Dr Stojana Rističa, može se, po ceni 1280 din, na-ručiti preko knjižare "Stevan Sremac" na Elektronskom fakultetu u Nišu, Beogradska 14, 18000 Niš. 173 SHINGO-PARADOKS ILI O TEŠKOCAMA PREVODILACKOG ZANATA Autor Shingeo Shingo u tekstu "Nova japanska proizvodna filozofija" izmedju ostalog kaže (citat preuzet iz YU 21 Revije za nauku i tehnologiju, CECOS, april, 1986, Novi Sad) : "Ni jedan TV-aparat ne smije da bude ispravan! Ako je i jedan jedini aparat od deset tisuča proizvedenih ispravan to je manje posla za naše servise. Za kupca nas nije briga, jer on ionako mora kupiti naš aparat". "Ni jedan TV-aparat ne smije da bude s greškoml Kupac kupuje samo jedan jedini aparat iz naše proizvodnje od mi-lion proizvedenih. Ako je taj jedan s greškom, kupac više nikad neče imati povjerenje u Matsushita". Opaska: Molim proizvodjače TV-aparata da se ne ljute! Isto vrijedi i za proizvodjače večine ostalih proizvoda ! Vjerujem da je navedeni citat korektno preveden od strane prevodioca. Bilo bi, medjutim, zanimljivo pogledati kako Pripremio: Prof. dr. Petar Biljanovič bi gornji citat izgledao preveden ne samo na naš jezik, več Elektrotehnički fakultet Unska3 41000 Zagreb i na naše prilike. U tom bi slučaju gornji citat vjerojatno glasio: X jugoslovanski simpozijum O ELEKTROHEMIJ1 BeCiči, 1—5 juni, 1987. ORGANIZACIJA U ime Unije hemijskih društava Jugoslavije, Simpozijum organizuje Hemijsko društvo Črne Gore. NAUČNI PROGRAM Simpozijum če obuhvatiti radove iz glavnih aspekata fundamentalne i pri-menjenjene elektrohemije. Program če činiti plenarna predavanja i saop-štenja originalnih radova. OPŠTE INFORMACIJE Simpozijum če biti održan od 1. - 5. juna 1987. godine u Bečičima, SR Črna Gora. Da bi se olakšala organizacija Simpozijuma, potrebno je poslati prijavu učešča najkasnije do 31. 12. 1986. godine. Učesnici koji žele da saopšte rad uz prijavu bi trebalo da pošalju kratak izvod rada na polovini kucane strane. Prijave za učešče sa kratkim izvodom rada slati na adresu: Mr Vladimir Komnenič Metalurški fakultet Titograd 81000 TITOGRAD Cetinjski put bb KOTIZACIJA Kotizacija uplačena do 31.01.1987. godine iznosi 8.000,00 diñara, a posle tog datuma 10.000,00 diñara. Kotizacija za študente iznosi 1.000,00 diñara. Uplata se vrši na žiro račun Hemijskog društva Črne Gore, sa naznakom za "X simpozijum" 20100-678-14167. Predsednik Naučnog odbora Mil jan Pješčič Predsednik Organizacionog odbora Petar Živkovic VODIKOV PEROKSID H202 30 ut % Kvaliteta: Vsebnost trdnih delcev: SEMI STANDARD C1 .STD.9 Razred 0-2 Datum Številka proizvodnje: šarže: Rok uporabe: 6 mesecev Neto: 1 kg BELTRON je brezbarvna tekočina brez vonja. Nevarnost požara pri stiku z gorljivimi snovmi. Povzroča opekline/izjede. Hraniti na hladnem. PoJile dele telesa takoj spirajte z veliko količino vode. Pri delu nositi primerno zaščitno obleko in zaščitna očala/ščitnik. NAČIN IN POGOJ! SKLADIŠČENJA: Beltron skladiščite v temnih, zračnih, ognjevarnih In hladnih prostorih v originalni embalaži proizvajalca. SPECIFIKACIJA: barva (APHA): 10 max. vsebnost H202: 30,0—32,0 ut % vsebnost prostih kislin: 0,6 /neq/g max. ostanek po uparevanju: 20 ppm max. vsebnost klorida (CI): 2 ppm max. vsebnost sulfata (S04): 5 ppm max. vsebnost fosfata (P04): 2 ppm max. vsebnost težkih kovin (kot Pb): 0,5 ppm max vsebnost arzena in antimona (kot As): 0,01 ppm max. vsebnost aluminija (AI): 1 ppm max. vsebnost barija (Baj: 1 ppm max. vsebnost bora (B): 0,05 ppm max. vsebnost kadmija (Cd): 1 ppm max. vsebnost kalcija (Ca): 1 ppm max. vsebnost kroma (Cr): 0,5 ppm max. vsebnost kobalta (Co): 0,5 ppm max. vsebnost bakra (Cu): 0,1 ppm max. vsebnost galija (Ga): 0,5 ppm max. vsebnost germanija (Ge): 1 ppm max. vsebnost zlata (Au): 0,5 ppm max. vsebnost železa (Fe): 0,5 ppm max. vsebnost litija (Li): 1 ppm max. vsebnost magnezija (Mg): 1 ppm max. vsebnost mangana (Mn): 1 ppm max. vsebnost nlkla (Ni): 0,1 ppm max. vsebnost kalija (K): 1 ppm max. vsebnost silicija (Si): 1 ppm max. vsebnost srebra (Ag): 0,5 ppm max. vsebnost natrija (Na): 1 ppm max. vsebnost stroncija (Sr): 1 ppm max. vsebnost kositra (Sn): 1 ppm max. vsebnost cinka (Zn): 1 ppm max. :d perkemija, ljublja Navodila avtorjem Upute autorima Publikacija »Informacije MIDEM« je zainteresirana za prispevke domačih in Inozemskih avtorjev — še posebej članov MIDEM—s področja mikro-elektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki jih lahko razvrstimo v naslednje kategorije: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, pregledni strokovni članki, mnenja in komentarji, strokovne novosti, članki liz prakse, članki in poročila iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, članki in poročila o akcijah MIDEM, članki in poročila o dejavnostih članov MIDEM. Sponzorji MIDEM lahko brezplačno objavijo v vsaki številki publikacije po eno stran strokovnih informacij o svojih novih proizvodih, medtem ko je prispevek za objavo strokovnih informacij ostalih delovnih organizacij 13000 din za običajno A4 stran in 25000 din za A4 stran, ki vsebuje črno-belo fotografijo. Prispevek mora biti pripravljen tako: a) Imena in priimki avtorjev brez titul b) Naslov dela, ki ne sme biti daljši od 15 besed in mora jasno izražati problematiko prispevka c) Uvod — formulacija problema d) Jedro dela e) Zaključek f) Literatura i) Ime in priimek avtorjev, vključno s titulami in naslovi njihovih delovnih organizacij Rokopis naj bo jasno tipkan v razmaku 1,5 v širini 12 cm (zaradi montaže na A3 formatu in pomanjšave na A4 format) na A4 listih. Obseg rokopisa naj praviloma ne bo večji od 20 s strojem pisanih listov A4, na katerih je širina tipkanja 12 cm. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs papirju ali belem papirju. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Podnapisi za risbe, ki so široke do 12 cm, naj bodo tipkani do širine 12 cm, za risbe, ki so širše, pa širina podnapisa ni omejena. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. Risbe, tabele in fotografije ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. Delo je lahko pisano v kateremkoli jugoslovanskem jeziku, dela inozemskih avtorjev pa v angleščini ali nemščini. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. »Informacije MIDEM« izhajajo aprila, junija, septembra in decembra v tekočem le«tu. Rokopise, prosimo, pošljite mesec dni pred izidom številke na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rokopisov ne vračamo. Publikacija »Informacije MIDEM« zainteresirana je za priloge domačih i inozemskih autora, na-ročito članova MIDEM. Priloge s područja mi-kroelektronike, elektroničkih sastavnih dijelova i materijala možemo razvrstati u sledeče skupine: izvorni znanstveni članci, stručni članci, prikazi stručnih članaka i drugih stručnih radova, mišljenja i komentari, novosti iz struke, članci i obavijestl iz prakse, članci i obavijesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, članci i obavijesti o akcijama MIDEM, članci i obavijesti o djelatnosti članova MIDEM. Sponzoni MIDEM mogu besplatno u svakome broju publikacije objaviti po jednu stranu stručnih informacija o svojim novim proizvodima. Ostale radne organizacije plačaju za objavljlva-nje sličnih informacija 13000 din po jednoj obič-noj A4 stranici I 25000 din po A4 stranici sa crno-bijelom fotografijom. Priloži trebaju biti pripremljeni kako slijedi: a) Ime I prezime autora, bez titula b) Naslov ne smlje biti duži od 15 riječi i mora jasno ukazati na sadržaj priloga c) Uvod u kojemu se opisuje pristup problemu d) Jezgro rada e) Zaključak f) Korištena literatura i) Imena i prezimena autora s titulama i nazivi-ma institucija u kojima su zaposleni. Rukopis treba biti uredno tipkan na A4 formatu u razmaku redova 1,5 i širini reda 12 cm (zbog montaže na A3 format i presnimavanja). U pravilu, opseg rukopisa ne treba prelaziti 20 tipkanih stranica A4 formata s redovima širine 12 cm. Crteže treba izraditi tušem na pausu ili bijelom papiru. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba imati naziv i broj. Za crteže do 12 cm širine naziv ne smije bit-i širi od 12 cm Za crteže veče širine nije ograničena širina naziva. U tekstu je potrebno označiti mjesto za crteže. Crteže, tablice i fotografije ne treba lijepiti u tekst, več je potrebno priložiti ih članku odvojeno. Rad može biti pisan na bilo kojem od jugosla-venskih jezika. Radovi inozemnih autora trebaju biti na engleskom ili njemačkom jeziku. Autori odgovaraju u potpunosti za sadržaj objav-Ijenog rada. »Informacije MIDEM« izlaze u aprilu, junu, septembru i decembru tekuče godine. Rukopise za slijedeči broj šaljite najmanje mje-sec dana prije izlaska broja na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rukopise ne vračamo. Sponzorji MIDEM Sponzori MIDEM GOSPODARSKA ZBORNICA-SPLOŠNO ZDRUŽENJE ELEKTROINDUSTRIJE SLOVENIJE, Ljubljana RAZISKOVALNA SKUPNOST. SLOVENIJE, Ljubljana ISKRA — TOZD TOVARNA TELEVIZIJSKIH SPREJEMNIKOV, Pržan ISKRA — INDUSTRIJA KONDENZATORJEV, Semič ISKRA — INDUSTRIJA BATERIJ ZMAJ, Ljubljana ISKRA — DO MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana ISKRA — IEZE TOZD POLPREVODNIKI, Trbovlje ISKRA — COMMERCE TOZD ZASTOPANJE TUJIH FIRM, Ljubljana ITEO — TEHNOLOŠKO RAZVOJNA INFORMATIKA, Ljubljana RIZ — KOMEL OOUR TVORNICA POLUVODIČA, Zagreb SELK — TVORNICA SATOVA, Kutina ULJANIK — Pula RIZ — KOMEL OOUR ELEMENTI, Zagreb ISKRA — ELEMENTI, Ljubljana UNIS — RO TVORNICA TELEKOMUNIKACIJSKE OPREME, Mostar ELEKTRONIK — PROIZVODNJA ELEKTRIČKIH UREDAJA, Zagreb ISKRA — AVTOMATIKA, Ljubljana FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana ELEKTRONSKI FAKULTET, Niš RADE KONČAR — OOUR ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT ISKRA — IEZE TOZD FERITI, Ljubljana Ei — RO POLUPROVODNICI, Niš ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb ISKRA — CENTER ZA ELEKTROOPTIKO, Ljubljana BIROSTROJ, Maribor ISKRA — DELTA, Ljubljana INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, Ljubljana ISKRA — IEZE TOZD HIPOT, Šentjernej Publikacija Informacije MIDEM izhaja po ustanovitvi Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale — MIDEM kot nova oblika publikacije Informacije SSOSD, ki jo je izdajal Zvezni strokovni odbor za elektronske sestavne dele in materiale — SSOSD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od avgusta 1969 do 6. oktobra 1977 in publikacije Informacije SSESD, ki jo je izdajala Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko In materiale — SSESD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januarja 1986. Publikacija Informacije MIDEM izlazi posle osnivanja Stručnog društva za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale — MIDEM kao nova forma publikacije Informacije SSOSD koju je izdavao Savezni stručni odbor za elektronske sastavne delove i materijale — SSOSD kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od augusta 1969 do 6. oktobra 1977 i publikacije Informacije SSESD koju je izdavala Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materijale kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januara 1986.