RADE KONCtf
UINOOti
DI SPLftV.-TP I NT
Segmenti LSI sklopa RK3—1099.01 projektiranog u Elektrotehničkom institutu »Rade Končar«
LJUBLJANA, DEC. 1986, LETNIK-GODINA 16, STEVILKA-BROJ 40
INFORMACIJE MIDEM
Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroeiek-troniko, elektronske sestavne dele in materiale
Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelek-troniku, elektronske sastavne delove i materijale
Glavni, odgovorni in tehnični urednik Glavni, odgovorni i tehnički urednik
Uredniški odbof Redakcioni odbor
Člani izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM
Tajnik-sekretar
Podpredsednik Podpredsednik
Predsednik Tajnik-sekretar
Podpredsednik
Alojzij Keber, dipl. ing.
Mag Milan Slokan, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing.
Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. —■ Ei-Poluprovodnici, Niš
Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb
Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodniki, Trbovlje
Mr Željko Butkovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb
Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb
Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. — VTI, Beograd
Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje
Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka
Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana
Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb
Franc Jan, dipl.'ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej
Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš
Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana
Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana
Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka
Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana
Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun
Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd
Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra IEZE, Ljubljana
Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana
Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl. ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana
Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana
Prof dr Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. —■ Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana
Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. — Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing.— Rade Končar-ETI, Zagreb
Naslov uredništva Uredništvo Informacije MIDEM Adresa redakcije Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886, (061)329-955
Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brez- Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM bes-plačno	platno
Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov.
Tipkanje besedila: Metka Vidmar Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 1000 izvodov
Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2. 2. 1979 publikacija je oslobodena pla-čanja poreza na promet.
Prepis teksta: Metka Vidmar Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 1000 komada
VSEBINA - SADRŽAJ
Alojzij Keber
DRUŠTVU MIDEM JE POTREBNA POMLADITEV ČLANSTVA Štefan Dolhar
PRVO JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O DOMAČI OPREMI ZA PROIZVODNJO ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV IN ELEKTRONIKO
Zoran Živič
SEMINAR O PROGRAMIMA ZA SIMULACIJU U RAZVOJU POLUPREVODNIČKIH PROCESA I KOMPONENATA
Herman Vidmar
33. MEDNARODNA RAZSTAVA "SODOBNA ELEKTRONIKA '86"
Milan Slokan PRONIC '86
Alojzij Keber
POSVETOVANJA NA 12. MEDNARODNEM SEJMU ELEKTRONIKE V MUNCHENU Franc Vodopivec
60 LET DIPL. ING. DUŠANA GNIDOVCA Milan Slokan
Prof. RADOVANU TAVZESU IN MEMORIAM Milan Slokan
35 LET ISKRE KONDENZATORJI IZ SEMIČA Ninoslav Stojadinovic
IZVEŠTAJ O REZULTATI MA NAUČNO-ISTRAŽIVAČKOG RADA NA PROJEKTU "POUZDANOST POLUPROVODNIČKIH KOMPONENATA" ZA PERIOD 1983 - 1986 G.
Franc Runovc
RAČUNALNIŠKE SIMULACIJE PROCESOV IN ELEMENTOV ZA RAZVOJ POLPREVODNIŠKIH TEHNOLOGIJ
N.V. Novakovič
POKRETLJIVOST ELEKTRONA U PLAZMI ARGONA B. Jelenkovič, S. Radovanov, Z. Petrovič
RF PLAZMA KAO TEHNIKA ZA NAGRIZANJE MATERI JALA U MI KROELEKTRONICI
Ilona Lutz, Vladimir Pantovič MEMBRANSKE TASTATURE
Art Kapoor, Derek Bowers
DIVERSE CIRCUITS EXPLOIT MATCHING IN QUAD-TRANSISTOR IC Varužan Kevorkijan, Milan Slokan, Drago Kolar
PREGLED DOMAČIH SIROVINA ZA DIELEKTRIČNU I MAGNETNU KERAMIKU
Miroslav Turina VIJESTI IZ ZEMLJE
DRUŠTVU MI DEM JE POTREBNA POMLADITEV ČLANSTVA
Slediti eksplozivni razvoj elektronike v svetu pomeni imeti sposobne kadre, ki imajo željo, voljo in sposobnost slediti ta razvoj ter njegove izsledke prenašati v vsakodnevno prakso. Tam, kjer se je potrebno vsak dan naučiti mnogo novega, kjer je potrebno vsak dan reševati zahtevne tehnične in tehnološke probleme, kjer je potrebno prestrukturirati proizvodnjo, je težko pričakovati, da bomo lahko izpeljali zastavljene cilje brez maksimalnega vključevanja mladih, ambicioznih in sposobnih strokovnjakov. In kaj smo za njihovo vključitev pripravljeni storiti? Marsikje zelo malo. To velja tudi za Strokovno društvo MIDEM. Res je sicer, da je danes mlajše kolege veliko teže pritegniti k dimštvenemu delu, kot je bilo to nekoč. Gotovo k temu veliko prispeva silovit tempo življenja, slabšanje materialne baze strokovnjakov in še mnogi drugi vplivi, ki ustvarjalnim ljudem jemljejo koristni prosti čas. Res pa je tudi, da temu problemu skorajda ne posvečamo pozornosti. Vedno se najde med večino starejših članov MIDEM tudi kakšen novinec, pa smo kar zadovoljni. V povprečju je starostna struktura našega članstva višja, kot bi za tako impulzivno vejo tehnike kot je elektronika, smela biti. Če želimo, da bo društvo MIDEM lahko tudi v bodoče suvereno obvladovalo problematiko, ki mu je zaupana, potem je zanj že danes pomladitev članstva imperativ. Naloga je izvedljiva, je pa res, da zahteva obširne in organizirane priprave in vztrajnost pri vključevanju mladih v naše vrste.
To pa ne velja samo za vključevanje mladih članov v MIDEM, temveč tudi za njihovo vključevanje v organe upravljanja društva. Če bo to doseženo, potem lahko pričakujemo od MIDEM tudi v bodoče tehtno načrtovane, predvsem pa visoko strokovno izpeljane akcije, kar prav gotovo vsi želimo.
Prav tako to velja za uredniški odbor Informacije MIDEM. Tudi tu bi bilo potrebno mnogo svežega vetra. Želim, da mesto glavnega in odgovornega urednika Informacije MIDEM prevzame mlajši član društva. Naj bo ta zamenjava vzgled in začetek temeljite kadrovsko pomlajevalne prenove v društvu MIDEM.
Urednik
Alojzij Keber, dipl. ing „
177
PRVO JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O DOMAČI OPREMI ZA PROIZVODNJO ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV IN MIKROELEKTRONIKO
Štefan Dolhar
Težave z uvozom sodobne opreme in nuja po tehnološkem napredku so primorale mnoge OZD domače elektronske industrije, da so pristopile k intenzivnejšemu izkoriščanju lastnega znanja in pridobljenih izkušenj za konstruiranje in izdelavo naprav za elektronsko industrijo.
Da bi bili dosežki domačega znanja znani in koriščeni tudi širše, je Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale - MI DEM pod pokroviteljstvom Iskre - DO Industrija elementov za elektroniko, Gospodarske zbornice Slovenije - Splošnega združenja e-lektroindustrije in Gospodarskega razstavišča, iz Ljubljane, organiziralo dne 7.10.1986 v Ljubljani v naslovu navedeno posvetovanje. Prisotnih je bilo preko 80 strokovnjakov iz raznih krajev Jugoslavije. Poleg domačih še iz SR Hrvaške, Srbije in Makedonije. Delovni program je obsegal 12 strokovnih referatov in poster sekcijo z 29 plakati.
Udeležence so uvodoma pozdravili predstavniki pokroviteljev in dr. Rudi Ročak , predsednik MIDEM, ki je v svojem govoru navedel tudi glavni namen prireditve, to je izmenjavo informacij o dosežkih na tem području. Opozoril je tudi na to, da bo v bodoče potrebno še bolj povezati znanje in izkušnje ter v večji meri pritegniti proizvajalce in uporabnike, ki bi jim nadaljnja tovrstna srečanja omogočila temeljitejše seznanjanje z domačimi dosežki. Skupni cilj posvetovanja naj bi bila ugotovitev, kaj že proizvajamo in kaj od tega že lahko ponudimo trgu ter pridobitev smernic za nadaljnje delo.
V plenarnem delu {»svetovanja so raziskovalci in konstruk-terji poročali o svojih dosežkih in dokazali, da lahko z domačim znanjem že na mnogih področjih uspešno konkuriramo inozemskemu. Predstavljena oprema je obsegala
preko 120 specialnih strojev, obsežnejših naprav, mikroprocesorsko vodenih linij za proizvodnjo, kontrolo in montažo elektronskih in mehanskih elementov in iz njih sestavljenih izdelkov. Poleg tega je bilo ugotovljeno, da je naša industrija sposobna nuditi že preko 30 kompletnih izdelčnih tehnologij vključno z opremo. Med njimi so:
-	ogljenoplastni, metalfilm, melf in žični upori,
-	ogljeni potenciometri na pertinaksu in keramiki, cer-met in precizne miniaturne potenciometre,
-	trde in mehke ferite,
-	Al NiCo magnete, magnete iz redkih zemelj - Co,
-	silicijeve usmerniške diode, mostiče in stavke ,
-	hibridna debeloplastna vezja, itd.
Na posterjih je bila prikazana domača oprema, ki je že uspešno vključena v proizvodnjo, kot razni avtomati, vakuumski sistemi, oprema za folijske kondenzatorje, diode in druge aksialne elemente, ferite, žične upore, hibridna vezja, laserske naprave za špiralizacijo, točkasto varenje in izpisovanje, laboratorijska oprema za proizvodnjo magnetov redke zemlje - Co, ter vrsta naprav in pripomočkov, ki se uporabljajo pri proizvodnji integriranih vezij.
Prikazana oprema je pretežno rezultat, tesnega sodelovanja s strokovnjaki raznih znanstvenih institutov in fakultet.
Večina na posvetovanju predstavljenih naprav je unikatnih ali izdelanih le v manjših serijah za lastne potrebe. Serijsko se proizvajajo le izjemoma in to v DO, ki imajo v ta namen organizirane posebne enote. Večino opreme tudi ni možno izdelovati serijsko, ker jo je običajno potrebno prilagoditi izdelku uporabnika. Za hitrejšo realizacijo se proizvajalci tudi povezujejo z drobnim gospodarstvom , ki je že sposobno hitro in kvalitetno izdelati precej opreme,
178
še posebno po izdelanih prototipih. S krepitvijo in širitvijo tega sodelovanja bi lahko izdelali še bistveno več kvalitetne opreme. Proizvajalci-nosilci osnovnih tehnologij tudi stremijo za prodajo opreme skupaj s tehnologijo. Trenutno je dokaj aktivnosti na tem področju v državah SF,V, Kitajski in Indiji.
Trend potrošnje elektronskih elementov je v stalnem porastu in s tem raste tudi potreba po sodobni opremi. Za naslednje obdobje lahko pričakujemo, da bo pomembno tržišče na razvoju in izdelavi opreme za komponente za površinsko montažo. Tu se kažejo tudi največje možnosti prodaje.
Domače tržišče je razmeroma majhno, zato bi bilo zaželeno, da se proizvajalci bolj povežejo in hitreje izmenjujejo informacije. Tako bi bolje izkoristili omejene kadrovske in ostale kapacitete in ne bi trošili deviz za opremo, ki jo lahko dobimo doma ali naredimo sami.
Na posvetovanju se je pokazalo, da zaradi neinformirano-sti nastaja že delno prekrivanje proizvodnih programov, kar zmanjšuje našo učinkovitost. Zaradi tega so udeleženci v povzetkih izpostavili potrebo po stalnem informacijskem sistemu, ki bi omogočil celovit pregled stanja na tem področju v Jugoslaviji, kaj je že osvojeno in kaj kdo lahko ponudi trgu, kaj je v razvoju in kaj kdo potrebuje. Prisotni so se tudi strinjali, da je bil storjen s posvetovanjem pomemben korak v tej smeri, ki bo znatno pripomogel k poglabljanju strokovnih stikov in vzpodbudil željo po širšem sodelovanju, zato naj bi postalo tradicionalno.
DODATEK
Na osnovi podatkov podanih na I . jugoslovanskem posvetovanju o domači opremi za proizvodnjo elektronskih sestavnih delov in mikroelektroniko smo izdelali seznam tehnologij in opreme domačih proizvajalcev. Čeprav seznam ne kaže dejanskega stanja na tem področju v Jugoslaviji in še zdaleč ni popolen, je vendarle dokaj zanimiv. Upamo, da bo za marsikoga tudi koristen.
1. ISKRA. DO ELEMENTI
1.1.	TOZD Keramika Tehnologije:
-	ZnO varistorji - proizvodnja mas in izdelkov
-	keramični nosilci uporov
-	keramični substrati za HV, potenciometre, itd. (1. 87/8 8)
-	tehnična keramika - stiskana
Oprema:
-	postrojenja za pripravo keramičnih mas
-	stiskalnice za stiskanje izdelkov iz granulatov in za sekanje nalitih folij
-	extrudorji
-	sušilniki
-	namenska oprema za izdelavo uporovnih nosilcev (vrtanje, rezanje, bobnanje, brušenje, itd.)
-	trakanje radialnih elementov s kontrolo in označevanjem
1.2.	TOZD Upori
Tehnologije:
-	carbon film upori
-	metal film upori
-	melf upori
-	debeloplastni ship upori
-	žični upori
-	debeloplastne uporovne verige in diskretni upori Oprema:
-	stroji za elektronsko kontrolo in trakanje aksialnih in radialnili elementov
-	linija za površinsko zaščito, označevanje, kontrolo in tiskanje aksialnih elementov
-	pirolitska peč
-	laserski spiralizacijski sistem z računalnikom
-	abrazivni spiralizacijski stroj
-	stroj za kapičenje
-	stroj za sortiranje
-	avtomatske montažne linije za MF in CF upore
-	avtomatske montažne linije za melf upore
-	naprava za navijanje, impregnacijo in razrez žičnih uporov
-	sortiranje za MELF upore
179
-	linija za površinsko zaščito, označevanje, kontrolo in tiskanje aksialnih elementov
-	linija za montažo in zaščito debeloplastnih verig
-	naprave za naparevanje kovinskih optičnih plasti v vakuumu
-	računalniško podprta merilna oprema za testiranje uporovnih elementov
Hibridna debeloplastna vezja
Tehnologija: za izdelavo hibridnih debeloplastnih vezij Oprema:
-	naprave in pribor za izdelavo sit in mask
-	sitotiskarski stroj - ročni in avtomatski
-	tunelske in sušilne peči za HV
-	naprave za aktivno trimanje hibridov
-	reflow solder naprava za spajkanje vezij s površinskimi komponentami
-	naprave za natiskanje kontaktov
-	naprave za inkapsulacijo HV durez in epoxi ohišja
-	merilni in testni sistem za HV
-	robotski manipulator za montažo komponent
-	ročni tiskalnik primeren za laboratorije in pilotsko proizvodnjo
Potenciometri Tehnologije:
-	ogljeni potenciometer na pertinaksu ali keramiki
-	cermet potenciometri
-	miniaturni večobratni in precizni potenciometri Oprema:
-	oprema za pripravo uporovnih past
-	sitotiskanski stroji za nanos plasti
-	oprema za nanos uporovne plasti s polivanjem
-	orodja za izdelavo sestavnih delov
Tekoč ekristalni prikazalniki Tehnologija:
~ nudijo kompletno tehnologijo in večino opreme za proizvodnjo LC prikazalnikov
TOZD Elektrolitski kondenzatorji
Tehnologije:
-	kompletna tehnologija za izdelavo radialnih in aksialnih
elektrolitskih kondenzatorjev fi 5.8 navzgor za področja - 40 %, 85°C
-	izdelava Al lončkov
-	priprava elektrolitskih mešanic
-	tehnologija za motostart in močnostne elektrolitske kondenzatorje
Oprema:
-	postrojenje za pripravo elektrolitov
-	naprava za vakuumsko impregnacijo svitkov
-	postrojenje za izdelavo Al lončkov
-	stroj za izdelavo priključkov
-	peči za sušenje svitkov
TOZD Keramični kondenzatorji Tehnologije:
-	multilayer chip kondenzatorji
-	radialni keramični kondenzatorji
-	single layer keramični kondenzatorji
-	priprava keramičnih prahov
-	izdelava keramičnih diskov
Oprema: Kompletna postrojenja za proizvodnjo:
-	single layer kondenzatorjev
-	multi layer kondenzatorja
-	multi layer chip kondenzatorja
-	merilno testna oprema za keramične kondenzatorje
-	oprema za izdelavo keramičnih folij in diskov
-	oprema za pripravo keramičnih trakov za kondenzatorje
TOZD Feriti
Tehnologija za pripravo mas in proizvodnjo:
-	trdih feritov
-	mehkih feritov
-	vseh vrst navitih komponent za široko potrošne in profesionalne aplikacije
Oprema:
-	kroglični mlin do 3.5^u
-	stroj za sortiranje lončkov po Al vrednosti
-	rotacijska kalcinacijska peč 1100 °C, 100 kg/h
-	stiskalnice za praškaste materiale 15 t in 6 t
-	ploskovni brusilni stroj za kontinuirano brušenje keramičnih izdelkov
-	avtomatski stroj za brušenje rež pri feritnih lončkih
180
-	profilni brusilni stroj za brušenje radiusov feritnih magnetnih segmentov
-	tunelska peč za sintranje mehkih feritov (do 1400°C) z računalniškim vodenjem
-	avtomatski merilni sistem za mehke forite (vse parametre) z računalniškim vodenjem
-	razpršilni sušilnik
TO ZD Magneti Tehnologije:
-	lite in praškaste tehnologije za vse vrste AlNiCo magnetov
-	tehnologija za proizvodnjo magnetov redke zemlje - Co Oprema:
-	livarska orodja vseh vrst
-	naprave za magnetiziranje
-	peči za izotermno magnetno obdelavo
-	tunelske peči za popuščanje
-	peči za visoko temperaturno popuščanje
-	magnetni sistemi in mize
TOZD Polprevodniki
Silicijeve diode: Tehnologije za:
-	proizvodnjo usmerniških diod od 1A do 60A
-	montažo in procesiranje
-	proizvodnjo usmerniških mostičev
-	proizvodnjo usmerniških stavkov do več 1000 A
Oprema: stroj za kontrolo, polarizacijo, označevanje in tiskanje diod
-	stroj za sortiranje aksialnih elementov (diode, upori)
-	robotski manipulator za montažo usmerniških mostič-kov
-	orodja in postrojenja za izdelavo in galvansko zaščito kontaktov na traku za hibridna vezja
-	galvanske linije in tehnologije za zaščito sestavnih delov (niklanje, kositranje)
-	razne peči za temperaturne obdelave
-	temperaturne komore do +600 C ali -40 C (-80 C) do + 180°C za testiranje elementov
-	laminar flow kabine
-	UZV čistilniki in sistemi
-	naprave za označevanje (TAMPOPR1NT)
Možna je tudi izdelava postrojenj po naročilu, gradnja na ključ, itd.
TOZD Naprave
Oprema: 60 t stiskalnica za stiskanje keramičnih in feritnih izdelkov (nosilci, substrati itd. ) po postopku suhega stiskanja
ISKRA DO KONDENZATORJI
Oprema: [»strojenje za impregnacijo papirnih kondenzatorjev
-	montažna linija za radialne kondenzatorje
-	stroj za rezanje tankih plastičnih folij za proizvodnjo kondenzatorjev, SMM-103
-	naprava za mešanje in doziranje dvokomponentnih sond ND-01 (EPOMI X)
-	avtomat za snemanje izolacije APV445
-	avtomat za snemanje izolacije, pocinjevanje in kovičenje
ISKRA DO KIBERNETIICA Oprema:
-	mikroprocesorska montažna miza tip MM-200 za ročno vstavljanje elektronskih elementov
-	montažni robot "Roki-200" za montažo elektronskih in finomehanskih komponent
-	enota za tiskanje s tamponom - več tipov
-	naprava za sitotisk
-	paketirni in zakovalni avtomat
-	avtomati za sestavljanje kontaktnih priključkov
-	modulna strežna naprava MSN-01 za avtomatsko strego stiskalnic
-	polavtomat za izolacijo in navijanje žice na kompenzacijsko jedro
-	enota za privijanje vijakov do M6xl6
-	delilna miza SD
-	prenosna montažna proga
-	Kompletni nabor modulnih enot za sestavljanje avtomatskih proizvodnih in montažnih linij
- dozirnik za lepila, olja, itd. volumen doziranja min. 0.05 cm3
181
FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, LJUBLJANA TOZD Polprevodniki
Oprema: Sistemi za depozicijo amorfnega silicija s plinsko razelektritvijo
INSTITUT IEVT:
-	Utravisoki vakuumski sistemi
-	Spektrometer na Augerjeve elektrone za površinske analize
-	vakuumski sistem za izdelavo specialnih elektronk v ultravakuumu
-	univerzalni visokovakuumski sistem
-	visokovakuumski sistem s sorpcijskimi črpalkami
-	vakuumski merilniki
-	rotacijske črpalke
-	oljne difuzijske črpalke
-	miniaturne ionsko-getrske črpalke
-	sorpcijske pasti
-	vakuumski ventili
-	vakuumski vezni elementi
ELEKTROTEHNIČNI FAKULTET, NIŠ RO Ei - Poluprovodnici, Niš
Oprema: sistem za procese v plazmi
RO VLADO BAGAT OOURALPA, Zadar
Oprema:
-	avtomat za elektroodporno varenje kontaktov "ALPA-KONT"
-	avtomati za obdelavo elektrovodnikov "ALPACRIMP"
-	montažni avtomat
-	vrtljive mize z lastnim pogonom
-	naprave za u valjan je navojev
-	prenosniki moči
-	varilne glave za kontaktno, rotacijsko in točkasto varjenje
-	elektro krmilne enote
-	visokončinski transformatorji z vodnim hlajenjem
182
SEMINAR O PROGRAMIMA ZA SIMULACIJU U RAZVOJU POLUPROVODNIČKIH PROCESA S KOMPONENATA
Zoran Živič
Simulacija i analiza poluprovodničkih procesa i kompone-nata postala je poslednjih godina neophodno sredstvo za dalji, veoma brzi, razvoj poluprovodničke tehnologijo v svetu. Nepoštovanjem ove činjenice poluprovodnička tehnologija u Jugoslaviji bila je osudjena na još vece zaostajanje u odnosu na svetske domete u ovoj oblasti. Ovo je bio osnovni motiv da se u organizaciji MIDEM-a u Ljubljani od 24. - 28. novembra održi seminar posvečen programima za simulaciju poluprovodničkih procesa i komponenata.
Domačin seminara je bila DO Iskra Mikroelektronika koja je učesnicima seminara iz Fakultete za elektrotehniko -Ljubljana, Elektronskog fakulteta Niš, TOZD Tovarne polprevodnikov - Trbovlje, DO Iskre Mikroelektronike, stavila na raspolaganje svoj računski sistem VAX 11/780 (operacioni sistem VMX 4.3) u kome su implementirani sledeči programi za simulaciju obuhvačeni ovim semina-rom:
I. PROGRAMI ZA SIMULACIJU PROCESA
1.	SUPREM II (The Stanford University PRocess Engineering Models) program omogučuje simulaciju pojedinih procesnih koraka ili niz različitih procesnih koraka koji se sreču u tehnološkorn nizu izrade poluprovodničkih komponenata. Modeli ugradjeni u ovaj program omogučuju simulaciju jonske implementacije, predepozicije, oksi-dacije i/ili difuzije, epi taks ijalnog rasta, nagrizavanja SiO^ ili Si i depoziciju oksida. U DO Iskra Mikroelektronika je pridodat i fenomenološki model oksidacije Si
u smesi O^/HCl pošto se ovakva oksidacija uobičajeno koristi pri izradi kvalitetnog oksida kanala u MOS tehnologijama.
2.	SAMPLE (Simulation And Modeling of Profiles in Lito-graphy and Etching - University of California, Berkeley) je program koji simulira fotolitografski proces. Modeli koje program sadrži omogučuju simulaciju nanošenja
fotorezista, pečenja, eksponiranja, razvijanja i uklan-janja polimerizovanog fotorezista. Kao rezultat simulacije dobija se oblik profila fotorezista posle razvijanja kod likova koji su eksponirani.
II. SIMULACIJA POLUPROVODNIČKIH KOMPONENATA
1.	MI NI MOS 2/3 (Technische Universität Wien) je program koji omogučuje dvodimenzionalnu numeričku simulaciju planarnih MOS tranzistora. Sadrži modele za pokretljivost, koncentracione profile, proces udarne io~ nizacije i efekat "vručih" nosilaca (MINIMOS 3). Rezultati simulacije se pomoču programa MOSPLOT mogu prikazati grafički.
2.	BAMBI (Basic Analayzer of MOS and Bipolar Devices -Technische Universität Wien) program se može koristiti za dvodimenzionalnu simulaciju proizvoljnih poluprovodničkih struktura sa više dielektričnih slojeva. Rezultati simulacije su numeričke vrednosti promen-ljivih u tačkama strukture definisanim mrežom i vrednosti struja na priključenim elektrodama simulirane strukture. Program BAMPLOT (generisan u DO Iskra Mikroelektronika) omogučuje grafički prikaz rezultata simulacije.
3.	HALVFEM (Kraljevska visoka tehnička škola - Stockholm) omogučuje dvodimenzionalnu simulaciju poluprovodničkih struktura koje definiše sam korisnik. U pogledu supstrata nije ograničen samo na Si a u pogledu simuliranog područja ne zahteva pravouganu geometri-ju. Kod ovog programa gustinu mreže u pojedinim oblastima simulacije definiše sam korisnik. Izlazni rezultati se pomoču programskog modula IPP mogu prikazati u grafičkom obliku.
4.	VLSICAP (Technische Universität Wien) program služi za simulaciju i analizu kapacitivnosti veza i spojeva kod kompleksnih integrisanih kola.
183
STROKOVNO »KUSTVO ZA MIKROELKK'l'KONIKO, ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE IN MATERIALE — MIDEM — S TUM l'OTRJIJJE, DA JE TOVAKK
USPEŠNO OPRAVIL SEMINAR:
SIMULACIJSKA ORODJA PRI RAZVOJU POLPREVODNIŠKIH PROCESOV,
KI JE BIL ORGANIZIRAN V ISKRI — MIKROELEKTRONIKA OD 24. DO 27. NOVEMBRA 1986
Ljubljana, 27. XI. 1986
VODJA SEMINARJA: DR. FRANC RUNOVC
Wu, Va— C (J^UAT^.
PREDSEDNIK MIDEM: DR. RUDOLF ROČAK
III. POMOC.NI PROGRAMI
Grafički programi IPP, MOSPLOT i BAMPLOT su pomočni programi koji omogučuju grafički prikaz rezultata simulacije HALVFEM, MINIMOS i BAMBI. Program SUPMINI (DO Iskra Mikroelektronika) rezultate simulacije koncen-tracionih profila pomoču programa SUPREM II transformi-še u datoteku takvog formata koji zahteva program MINIMOS 2/3.
Osim teoretskog upoznavanja sa svakim programom (organizacija i struktura programa, modeli koriščeni u programu .. . ) učesnicima seminara je prezentiran i niz praktičnih primera od kojih su neke i sami kreirali. Organizacija i kvalitet seminara koji je pod vodstvom dr. F. Runovca realizovala grupa stručnjaka iz sektora za projektovanje, istraživanje i razvoj DO Iskra Mikroelektronika (Z. Kri-vokapič , M. Jenko, M. Koželj, A. Vodopivec ) od strane učesnika su ocenjeni najvišom ocenom. Izraženo je mišljenje da bi bilo veoma korisno nastaviti sa praksom orga-nizovanja ovakve vrste seminara na kojima bi se obradji-vale savremene i aktuelne teme iz oblasti poluprovodničke tehnologije.
Faksimile priznanja Društvu MIDEM
Adresa autora: Zoran Zivič
Iskra Mikroelektronika Stegne 15 d 61000 LJUBLJANA
184
33. MEDNARODNA RAZSTAVA SODOBNA ELEKTRONIKA '86
Herman Vidmar
Letošnjo 33. mednarodno razstavo elektronike, telekomunikacij, avtomatizacije, računalništva, robotizacije in nu-kleonike je priredilo Gospodarsko razstavišče v dnevih od 6. do 10. oktobra 1986 v prostorih Gospodarskega razstavišča v Ljubljani. Razstava je bila po obsegu kakor tudi po številu tako domačih kakor tudi tujih razstavljavcev največja. Razstavljalo je 625 razstavljavcev, kar predstavlja skupno 15 % več kot lani. Od tega je nastopilo 197 domačih (porast za 50) in 428 tujih (porast za 35) razstavljavcev. Najštevilnejši so bili iz Jugoslavije (197), od inozemskih iz 21 dežel pa so sledili iz ZR Nemčije (127) , Avstrije (70), ZDA (51) , Švice (43) , Velike Britanije (26) , Francije (28) , Italije (19), DR Nemčije (12), Japonske (9) ter nato Belgije, Madžarske, Kanade, Švedske, Danske, Nizozemske, ZSSR, CSSR, Poljske in ostalih. Pri tem so razstavljali kolektivno ZSSR, DR Nemčija in Č3SR.
Za razstavo je vladalo vse dneve veliko zanimanje, saj jo je obiskalo skupno preko 73.000 obiskovalcev iz vse Jugoslavije in tudi iz inozemstva.
Letos je število razstavljavcev po panogah dejavnosti ponovno potrdilo profesionalni značaj razstave SODOBNA ELEKTRONIKA, saj so predstavljale
-	profesionalne elektronske naprave (v širšem smislu) , to je telekomunikacije, RTV difuzija, profesionalna elektronika (v ožjem smislu), računalniki in inženiring
polovico	50,7 %
-	sestavni deli, enote in materiali
zanje tretjino	32,5 %
-	oprema za proizvodnjo skoraj desetino	9,4 %
-	zabavna elektronika	7,4 %
Razen vse domače elektronske industrije in institutov so zavzeli inozemski razstavljavci, ki jih je bilo [>o številu 3/4, okoli 2/3 razstavnega prostora. To kaže na komercialni interes inozemskih razstavljavcev predstaviti izdelke,
ki jih pri nas ne izdelujemo v zadostnem asortimanu in/ali kvaliteti. Med te lahko prištevamo predvsem nekatere profesionalne elektronske naprave in kvalitetne sestavne dele ter enote zanje, visokokvalitetne elektronske merilne instrumente, najsodobnejšo opremo za proizvodnjo elektronskih naprav in sestavnih delov, nekatere elektronske računalnike, predvsem pa periferne naprave in slično.
Po številu razstavljavcev, zbranih po raznih panogah dejavnosti, je bila udeležba naslednja:
SESTAVNI DELI, ENOTE IN MATERIALI so predstavljali najmočneje zastopano panogo dejavnosti in so obsegali 1/3 (32,5 %) vseh razstavljavcev, kjer je bilo letos 51 razstavljavcev ali 2 % več kot lani. Pri tem je razstavljalo e-lektronske sestavne dele in enote 14,8 % razstavljavcev, žice, kable in pribor 5,4 % ter materiale za proizvodnjo elektronskih naprav in sestavnih delov 6,6 % od vseh razstavljavcev, sestavne dele za avtomatizacijo pa 61 razstavljavcev, to je 5,7 %. Od 139 razstavljavcev elektronskih sestavnih delov je bila velika večina inozemskih.
Širokemu asortimanu domačih proizvajalcev sestavnih delov in enot so se v veliki meri pridružili predstavniki specializiranih inozemskih firm tako, da so interesenti za najsodobnejše in kvalitetne sestavne dele imeli vsestransko možnost izobra.
PROFESIONALNA ELEKTRONIKA v ožjem smislu je bila letos druga najmočneje zastopana in je obsegala 1/4 (24,4%) vseh razstavljavcev. S skoraj enakim številom razstavljavcev kot lani je bila merilna in regulacijska elektronika v tej panogi na prvem mestu (10,0 %), industrijska elektronika sledi s 6,5 %, avtomatizacija in robotika (3,7 %), medicinska elektronika (1,6 %), viri električne energije (1,9 %) in nuklearna elektronika (0,6 %) vseh razstavljavcev.
Razen že poznanih je bilo opaziti, da nekatera domača industrija razširja svojo dejavnost tudi na industrijsko elektroniko, predvsem tuji razstavljavci pa prijavljajo novosti na področju elektronskih merilnih instrumentov in avtomatizacije.
Od panog SODOBNE ELEKTRONIKE se začenja izredno hitro razvijati in dosega že znatne rezultate pri uresničevanju racionalnejšega in ekonomičnejšega proizvajanja ROBOTIZACIJA in FLEKSIBILNA AVTOMATIZACIJA. V želji, da bi javnost pravočasno in čim bolj popolno opozorili na razvoj te panoge v svetu in pri nas, so v okviru letošnje razstave ponovno posvetili tej dejavnosti posebno specializirano razstavo, ki so jo poimenovali 2. jugoslovanska razstava ROBOTIZACIJE JUROB 86.
Vabilu k sodelovanju so se odzvali vsi glavni razvijalci in proizvajalci, ki delujejo na področju robotizacije, fleksibilnih strežnih naprav, robotskih podsklopov in komponent, merilnih aparatov, računalniško podprtih dejavnosti, robotskih programskih jezikov, elementov umetne inteligence ter z robotizacijo povezane sodobne tehnologije in inženiringa. Obseg letošnje razstave JUROB je bil po površini dvakrat večji od lanskega.
Iz obsežne panoge PROFESIONALNA ELEKTRONIKA je obravnaval strokovno problematiko relejne zaščite in lokalne avtomatizacije elektroenergetskih sistemov simpozij RZ 86, problematiko zanesljivosti v merilno-procesnih sistemih seminar ISEMEC 86, o uporabi elektronike in avtomatizacije v železniškem, cestnem in luškem prometu pa je bilo govora na simpoziju EP.
TELEKOMUNIKACIJE IN RTV DIFUZIJA je bila po obsegu tretja panoga dejavnosti razstave (15,0 %). Po posameznih panogah preclnjačijo telekomunikacijski aparati in terminali (4,7 %) , telekomunikacijske naprave za prenos informacij (3,2 %) , teleinformatika - usluge (2,0 %) , oprema za radijske in televizijske študije (1 ,7 %), telekomunikacijske naprave za komutacijo (1,3 %) in radijski ter televizijski oddajniki in pretvorniki (1,6 %).
Zelo obsežno problematiko o telekomunikacijah je obravnaval jubilejni XX SIMPOZIJ O TELEKOMUNIKACIJAM YUTEL 86, kjer se je zbrala večina vidnejših strokovnjakov industrije, eksploatacije in institutov te panoge.
OPREMA ZA PROIZVODNJO je bila zastopana s skoraj 10 ')o razstavljavcev in je bila posebno zanimiva za spoznavanje jugoslovanske industrije z novostmi na področju, ki je nujno potrebna za posodobitev obstoječe elektronske industrije.
V času razstave je bilo I . Jugoslovansko posvetovanje o domači opremi za proizvodnjo elektronskih sestavnih delov in mikroelektroniko DOMAČA OPREMA. Zbrani predstavniki industrije, institutov, fakultet in snovalcev ter izdelovalcev opreme so predstavili svoje dosežke in izmenjali izkušnje, kar je gotovo pospešilo interes za to izdelavo in v prihodnje tudi za razstavljanje.
RAČUNALNIŠTVO je prikazalo z 8,6 % razstavljavcev porast proti lanskem letu. Letos je razstavljalo 62 razstavljavcev elektronskih računalnikov in perifernih naprav (5,8 %), računalniško programsko opremo je predstavljalo 20 razstavljavcev (1,9 %) , računalniško podprte dejavnosti (CAD , CAM , CAE. . .) pa 10.
ZABAVNA ELEKTRONIKA je bila s 7,4 % v istem obsegu kot lani. V tej panogi je na prvem mestu skupina za elektroa-kustične HI-FI naprave (2,0 %), gramofoni in naprave za magnetni zapis tona in slike (1,8 %), sledijo radijski in televizijski sprejemniki (1,4 %), oprema za elektroakus-tične študije (1,3 %) in antene ter antenske naprave za RTV sprejem (0,9 %1.
Poleg stalnega programa domače industrije so letos ponovno razstavljale manjše delovne enote lastne predvsem elektroakustične FI-FI naprave, dočim je interes inozemskih proizvajalcev za razstavljanje te opreme iz poznanih vzrokov manjši.
INŽENIRING IN LITERATURA sta bila predstavljena z 2,7% razstavljavcev, od katerih je predstavljalo inženiring in projektivo 28, to je 2,6 %, literaturo pa 0,1 % razstavljavcev.
Kot smo že omenili, je bil integralni del razstave tudi spremljajoči program SIMPOZIJEV jugoslovanskih in inozemskih strokovnjakov. Skupno je bilo podanih preko 200 referatov, ki so bili vsi na visoki strokovni ravni. Preko 100 referatov je bilo podanih na letos jubilejnem 20. Sim~
186
poziju o telekomunikacijah YUTEL in z zelo aktualno usmerjeno temo "Razvoj telekomunikacij in njihova nadaljna usmeritev v svetu in pri nas", kjer so bile podane smernice razvoja telekomunikacijskega omrežja, s ciljem sodobnega digitalnega omrežja ISDN. Seminar o merilno procesni tehniki ISEMEC je obravnaval meritve v robotiki in meritve temperature; Simpozij o relejni zaščiti in lokalni avtomatizaciji elektroenergetskih sistemov RZ 86 je obravnaval zanimivo problematiko s strokovnjaki - elektroenergetiki; Simpozij o elektroniki v prometu EP 86 je letos prvič poleg uporabe elektronike v cestnem, železniškem in luškem prometu obravnaval tudi letalski promet. Letos povsem novo je bilo še Posvetovanje o domači opremi za proizvodnjo elektronskih sestavnih delov in mikro-
elektroniko, s prikazom doma konstruirane in izdelane opreme.
Zasedanjem simpozijev je prisostvovalo skoro 1900 priznanih strokovnjakov iz vse Jugoslavije, ki so z izmenjavo izkušenj in dosežkov na simpozijih ter s strokovnimi razgovori s predstavniki razstavljavcev obogatili svoje strokovno znanje, razstavljavcem pa so dali možnost novih stikov s prominentnimi elektronskimi sti~okovnjaki.
Avtorjev naslov: Herman Vidmar, dipl. ing.
Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 Ljubljana
PRONIC '86
MIlan Slokan
To mednarodno razstavo opreme in izdelkov za elektroniko v Parizu izmenjujejo od leta 1984 vsako drugo leto s Produktronico v Miinchnu. Ker so Francozi pričeli s takimi razstavami kasneje kot Nemci, je tudi razstava PRONIC ustrezno manjša, pa tudi manj pregledno organizirana kot Produktronica v MUnchnu. Res pa je, da so znali organizatorji prisluhniti in se s spremljajočimi konferencami navezati na pereče teme današnje elektronike.
Letošnja razstava, ki je bila od 18. do 21. novembra na
2
razstavišču Porte de Versaille. je zavzela 38.000 m pro-
2
štora (31 % več kotleta 1984) oziroma 16.661 m čiste površine razstavnih stojnic. Tudi število razstavljavcev se je povečalo od leta 1984 za 25 %, letos jih je bilo skupaj 827 iz 19 držav. Največ jih je seveda bilo iz Francije (413), slede ZDA (129), ZR Nemčija (89), Švica (54), Velika Britanija (53), Italija (26), Japonska (18),itd.
Razstava je bila razdeljena na štiri sekcije, kjer so razstavljali opremo, materiale in izdelke za elektroniko:
-	v sekciji A za proizvodnjo polprevodnikov, integriranih vezij in hibridnih vezij (118 razstavljavcev),
-	v sekciji B za proizvodnjo tiskanih vezij in pasivnih ele-
mentov (21 razstavljavcev),
-	v sekciji C za montažo sestavnih delov (196 razstavljavcev) in
-	v sekciji D za meritve, kontrolo, testiranje in spremljajočo avtomatizacijo (78 razstavljavcev).
Ostali razstavljavci so bili založbe, združenja, izobraževalne ustanove, itd. . Ocenjujejo, da je razstavo obiskalo približno 25.000 strokovnjakov iz vsega sveta.
Prostor seveda ne dopušča podrobne obravnave eksponatov, sliko o smereh razvoja na najbolj aktualnih področjih oziroma tematikah sodobne elektronike pa nam dajeta dve mednarodni konferenci na visokem nivoju: prva o o-premi in tehnologijah za proizvodnjo polprevodnikov in mikroelektronike (Wafer Fab 86) ter druga o površinski montaži elementov (CMS 86 - composants montés en surface, kar je francoska inačica za SMD). Prva konferenca je bila posvečena predvsem avtomatizaciji proizvodnih in kontrolnih procesov v industriji mikroelektronike, v pogojih vedno manjših dimenzij oziroma vedno večje gostote mikroelektronskih vezij. Težišče je bilo na fotolitografiji, ionski implantaciji in montaži.
187
Druga konferenca je prikazala stanje razvoja in tendence površinske montaže elementov ter dosedanje rezultate, ki so toliko bolj prepričljivi, ker je cena SMD padla praktično že na raven klasičnih elementov. Konferenca je bila tudi odraz prikazov na sami razstavi, kjer je bilo videti več kot 200 naprav za površinsko montažo elementov (pri čemer je v Evropi le 2 % usposobljenih izdelovalcev opreme za površinsko montažo, nasproti 20 % v ZDA in 50 % na Japonskem i.
Društvo MIDEM je organiziralo na razstavo Pronic. letalsko potovanje, ki se ga je udeležilo 39 naših članov in drugih strokovnjakov iz vse Jugoslavije. Naša skupina je bila deležna s strani organizatorjev (z našim posredovanjem) vseh možnih ugodnosti s prostim vstopom na razstavo in brezplačnimi katalogi. Uspeli smo od organizatorja dobiti tudi zbornika referatov obeh omenjenih konferenc (višina kotizacije za posamezno konferenco je znašala po 1.500 FFr) , ki sta na razpolago članom MIDEM za fotokopiranje v knjižnici MIDEM v Ljubljani, Titova 50. Za orientacijo o razpoložljivem gradivu navajamo angleške naslove in avtorje v obeh zbornikih objavljenih referatov.
Prihodnja razstava PRONIC 88 bo v Parizu od 15. do 18. novembra 1988.
WAFER - TAB - 86
1.	M.V. Delcroix, CEA-IRDI-LETI , Francija Possible R and D contribution to the definition of future integrated circuit production lines /F/
2.	M.J. Canteloup, ACATEL, Francija
Real time control of IC etching by optical emission spectroscopy /F/
3.	M.J.P. Lazzari, CEA-LETI, Francija
Future integrated circuit technological needs - Their influences on microlithography /F/
4.	M.R.E. Williams, General Electric, USA Contrast enhancement materials. Effects of process variables on critical dimension control with Altilith CEM-420 /A/
5.	M.S. Yoshida, NIKON, Japonska
Direct step on wafer microlithography progress /A/
6.	M.B. Fay, MICRONIX, USA
A practical submicron lithography system using a conventional source X-ray stepper /A/
7. M.C. Guenais, MANO MASK, Francija
Electron beam photomasks supply - A service, a must for microelectronic industry /F/
SMT - 86
1.	M.G. Menozzi, CROUZET, Francija
High density interconnect - Surface Mount Technology /F/
2.	M.W. Malwald, Siemens, Nemčija
Development of CMD assemblies under production conditions /A/
3.	M.D. Friedrich, Siemens, Nemčija
STM - the new Surface Mount Technology for printed circuit boards /A/
4.	M.J. Klein Wassink, Philips, Nizozemska Drawbridging of leadless components /A/
5.	M.B. Ouldali, ESPCEI , Francija
An application of a new optimization method to automated hybrid circuit lay out
6.	M.B. Dreyfus-Alain, INTERFACE, Francija
Clean surfaces: How to get them? How to keep them? /F/
7.	M.M. Strahm, Microelectronic-Marin, Švica TAB: Possibilities - Reliability /A/
8.	M.M. Colonna Ceccaldi, Thomson, Francija
Printed boards for surface mount technology - New base materials and processes /F/ 9. M.D. Martin, PCK Technology Division, Francija What is CERACLAD /A/
10.	M.D.C. Frisch, PCK Technology Division, USA New POB substrates expand packging engineer's choices /A/
11.	M.G. Lin, DEC ELECT Electronique, Francija Test using SMD technics for PCB /F/
12.	M.J. Granger, C NET, Fi~ancija
SMD systems approval procedures by French Telecommunication Administration /F/
Avtorjev naslov: Mag. Milan Slokan MIDEM Titova 50
61000 LJUBLJANA
188
POSVETOVANJA NA 12. MEDNARODNEM SEJMU ELEKTRONIKE V MÜNCHNU
Alojzij Keber
V času 12. mednarodnega strokovnega sejma elektronike ELECTRONICA 86 od 11. do 15. novembra 1986 v Münchnu so se odvijala tudi strokovna posvetovanja, ki so vsakoletna spremljajoča dejavnost münchenskega razstavišča ob sejmu elektronike ali produktronike. Letos so se strokovnjaki lahko udeležili 12. mednarodnega kongresa Mikroe-lektronika, 3. mednarodne konference Makroelektronika, simpozija Zagotavljanje kvalitete na področju elektronike ter strokovnega posveta Senzorika. Ker je pristojbina za poslušalce na teh strokovnih manifestacijah za jugoslovanske razmere sorazmerno visoka, je težko verjeti, da se je kdo iz Jugoslavije udeležil tega posveta, saj vemo, da je v marsikateri delovni organizaciji težko "odriniti" že denar za obisk sejma. No, četudi je pri pravkar napisanem kakšna izjema , se zavedamo, da večina bralcev nima koristnih informacij o tem, kaj se je dogajalo na letošnjih posvetih. Z društvu MIDEM značilno iniciativo smo se tudi tokrat oglasili pri organizatorjih posvetovanj s prošnjo, da nam za našo strokovno knjižnico odstopijo po dva izvoda vsakega zbornika. Hvaležni moramo ugotoviti, da je bila naša prošnja takoj izpolnjena, kar ponovno dokazuje, da so vezi med vodstvom Miinchener Messe - und Ausstellungs GmbH in društvom MIDEM dobre - še posebej po zaslugi uvidevnih in razumevajočih posameznikov v vodstvu münchenskega razstavišča ter vztrajnih in pronicljivih aktivistov društva MIDEM.
Z namenom, da naše člane seznanimo z vsebino posvetov, navajamo autorje in naslove referatov. Zborniki so na vpogled v knjižnici društva MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana. Kopije želenih referatov lahko naročite tudi na telefon (061) 316 886 - Tepina. MIDEM zaračuna stroške kopiranja in poštnino.
12. mednarodni kongres - MIKROELEKTRONIKA , 10. in 11. november 1986
Microelectronics - World Market and Tec hnologies x
1.	M. Penn, Dataquest, London/GB MICROELECTRONICS - WORLD MARKET AND TECHNOLOGIES
H
2.	K. Taniguchi, Hitachi, Tokyo/J COMPETITION OF TECHNOLOGIES - VLSI SHIFTS IN THE APPLICATION OF MOS AND BIPOLAR
3.*A.	Wieder, Siemens, Miinchen/D
REVIVAL OF BIPOLAR TECHNOLOGY IN THE SUBMI-CRON RANGE
4.*P.	Verhofstadt, Fairchild, Santa Clara, Ca./USA TRENDS IN STANDARD ICs
5.MB.	Murphy, AT and T, Redding/USA BEYOND SILICON - GaAs?
6.XJ.	Borel, Thomson Semiconducteurs , Grenoble/F BEYOND SILICON - SILICON?
7.	P. Drahei m, Valvo, Hamburg/D
NEW SOLUTIONS IN DIGITAL SIGNAL PROCESSING THROUGH VLSI
8.MP.	Lin, Motorila Semiconductor, Austin, Texas/USA VLSI HIGH PIN-COUNT PACKAGING TRENDS
Strokovni posvet o razvoju procesorjev
9.	L. Mary, Thomson Semiconducteurs, Velizy-Villacou-blay/F
THIRD GENERATION SIGNAL PROCESSORS FOR TELECOM APPLICATIONS
10. T. Takeuchi, H. Tanaka, I. Kuroda, H. Koyama, T. Nukiyama, NEC, Kawasaki/J
189
A 32-BIT FLOATING POINT SIGNAL PROCESSOR
11.	G. Baum , T. Mill er, Fairchild Semiconductor, Palo Alto, Ca./USA
A HIGH-PERFORMANCE 32-BIT MICROPROCESSOR
12.	A. Strupat, Advanced Micro Devices, Newport Beach, Ca./USA
VLSI GRAPHICS PROCESSOR FOR HIGH RESOLUTION WORK STATTORS
Posvet o konceptih pakiranja
13.	M. Kelly, 3 M, Bracknell, Berksh./GB TAPE AUTOMATED BONDING (TAB): ANSWER TO VLSI PACKAGING PROBLEMS?
14.	H. Steckhan, Siemens München/D
TAB - A COST EFFECTIVE SOLUTION FOR VLSI PACKAGING CONCEPTS
15.	M. Levi, National Semiconductor, Santa Clara, Ca./ USA
TAPE PAK - A NOVEL APPROACH TO PACKAGING
16.	W. Bloch, W. Möller, MBB, Kirchheim (Teck)/D THERMAL BEHAVIOUR OF SMD PACKAGING
17.	C. Cognetti, R. Tiziani, SGS Microelettronica, Agrate-Brianza/I
STATUS OF POWER PACKAGES AND EVOLUTION TOWARD POWER SMD's
Plenarno zasedanje
18 .*B. Höfflinger, Institut für Mikroelektronik, Stuttgart/D _ APPLICATION SPECIFIC VLSI (ASICs) - A NEW QUALITY IN THE CUSTOMER/VENDOR RELATION
Strokovni posvet o ASIC
19.	G. Göttle, O. Bernecker, EUROSIL electronic, Eching/D FORTH-PROGRAMMABLE ASICs - AN EASILY ADAPTABLE PROCESSOR SUITABLE AS MACRO CELL
20.	E. Jones, K.R. Lobo, LSI Logic, Milpitas, Ca./USA AN APPLICATION SPECIFIC MEGACELL APPROACH TO VLSI DESIGN
21.	V. Coli, Monolithic Memories, Santa Clara, C.a./USA NEW PROGRAMMABLE LOGIC ARCHITECTURES EASE SYSTEM DESIGN
22.	J. Tat je, G. Biehl, ISDATA , Karlsruhe/D
A SOFTWARE PACKAGE OFFERING A COMMON APPROACH FOR PLD AND ASIC
23.	R. Koo, AMI International, Unterpremstätten/A
THE USE OF ANALOG MACROCELLS IN ASIC-DESIGNS
* povabljeni referent
3. mednarodna konferenca - MAKROELEKTRONIKA, 13. november 1986
Inteligentni močnostni polprevodniki
1.	K. Rischmiiller, Thomson Semiconductors, Aix-en-Provence/F
NEW INTELLIGENT POWER COMPONENTS
2.	C. Cini, C. Diazzi, D. Rossi, S. Storti, SGS Microelettronica, Milano/I
HIGH SIDE MONOLITHIC SWITCH IN MULTIPOWER BCD TECHNOLOGY
3.	P. Davies, M. Null, Integrated Power Semiconductors, Livingston/GB
A CONFIGURABLE POWER CONTROL/DRIVE IC FOR THREE-PHASE BRUSHLESS DC MOTORS
4.	King Owyang, General Electric, Syracuse, NY/USA RECENT ADVANCES IN POWER IC TECHNOLOGY
5.	P. Hrassky, SGS Design Center, Grafing/D INTEGRATED BRUSHLESS DC MOTOR DRIVER
Novi močnostni tranzistorji
6.	A. Morgan, SGS Semiconductor, Aylesbury/GB IMPROVED POWER TRANSISTOR PERFORMANCE BY "HOLLOW EMITTER" CONSTRUCTION
7.	L. Lorenz, Siemens AG, Miinchen/D
THE SI RET - A NEW BIPOLAR TRANSISTOR WITH VERY SHORT SWITCHING TIMES AND EXTENDED SAFE OPERATING AREA
8.	L. Lorenz, H. Amann, Siemens AG, München/D W. Schierz, Semikron, Nürnberg/D INVESTIGATIONS ON A NEW POWER MOSFET MODULE
9.	T. Schulz, RCA, Quickborn/D
GATE DRIVE CIRCUITS FOR THE COMFET
190
Vezja z GTO Thyristorji
10.	H. Conrad, Technische Universität, Dresden/DDR, U. Nicolai, VEB Mikroelektronik "K. Liebknecht", Stahnsdorf/DDR
CHOICE CRITERIA FOR POWER SEMICONDUCTORS: GTO THYRISTOR OR BIPOLAR TRANSISTOR
11.	J. Steinke, Ruhr-Universität, Bochum/D
SNUBBER NETWORK COMPONENTS FOR GTO THYRISTORS WORKING AT HIGH SWITCHING FREQUENCIES
12.	T. Schütze, T. Stück, Technische Universität, Berlin/D COMPARISON OF PASSIVE AND ACTIVE SNUBBER NETWORKS FOR GTO THYRISTORS IN CHOPPER CIRCUITS
13.	M. Jung, Technische Universität, Berlin/D TURN-OFF CHARACTERISTICS OF THE GTO THYRISTOR IN THE CASCODE CIRCUIT
Povratno delovanje pretvornikov in stikalnih elementov na mrežo, motnje motorjev
14.	D. Anke, F. Schmidt, Universität der Bundeswehr, München/D
EMI ANALYSIS OF INVERTER CONCEPTS
15.	M. Grötzbach, Universität der Bundeswehr, München/D R. Merkel, Siemens AG, München/D
LINE SIDE HARMONICS OF CONTROLLED SIX PULSE BRIDGE CIRCUITS WITH DC CURRENT RIPPLE
16.	H. Pichler, F. Steinhauser, Technische Universität, Wien/A
S MPS WITH SINUSOIDAL INPUT CURRENT
17.	M. Herfurth, Siemens AG, München/D
A NEW INTEGRATED CIRCUIT FOR ACTIVE HARMONIC FILTERS IN RECTIFIER CIRCUITS
18.	T. Nishimura, University of Oita/J
M. Nakaoka, T. Maruhashi, University of Kobe/J NOISE CHARACTERISTICS OF AN INDUCTION MOTOR DRIVEN BY A PWM INVERTER WITH 20 kHz SWITCHING FREQUENCY EMPLOYING BIMOS POWER TRANSISTORS
SIMPOZIJ - ZAGOTAVLJANJE KVALITETE NA PODROČJU ELEKTRONIKE, 12. november 1986
Zagotavljanje kvalitete - potreben element pri kooperaciji in partnerstvu proizvajalcev opreme in komponent
1.A.	Spencker, FTZ Darmstadt/D
QUALITY ASSURANCE FOR ELECTRONIC COMPONENTS USED IN TELECOMMUNICATION EQUIPMENT OF THE DEUTSCHE BUNDESPOST - HOW TO INFLUENCE QUALITY ASSURANCE MEASURES OF SUPPLIERS
2.	K.H. Pflüger, IBM, Hannover/D
A METHOD TO IMPROVE GRADUALLY THE RELIABILITY OF ELECTRONIC COMPONENTS AND ASSEMBLIES
3.	R. Baiasus, Blaupunkt, Hildesheim/D
EFFECTIVE METHODS OF COMMUNICATION BETWEEN COMPONENT- AND EQUIPMENT-MANUFACTURER -NECESSARY CONDITION FOR ZERO DEFECTS
4.	A. Swam y, Rohde and Schwarz, München/D COOPERATION BETWEEN MANUFACTURERS AND USERS-TO IMPROVE THE QUALITY CONTINUOUSLY IS OBLIGATION ON BOTH
5.	E. Sakai, Murata, Kyoto/J
INTERACTION WITH CUSTOMERS - A STRATEGIC ELEMENT OF QUALITY ASSURANCE OF MONOLITHIC CHIP CAPACITORS
6.	H. Bensieck, Valvo, Hamburg/D
GRADUAL IMPROVEMENT OF THE QUALITY OF TAPES FOR SURFACE MOUNTED DEVICES
7.	M. Busacker, Endress + Hauser, Maulburg/D PRACTISING QUALITY ASSURANCE IN A MEDIUM-SIZED COMPANY
8.	H. Keller, Robert Bosch GmbH, Reutlingen/D APPLICATION-ORIENTED QUALIFICATION OF STAN-DARD-lCs: CHANCES AND LIMITS FOR QUALITY-IMPROVEMENT OF SYSTEMS
9.	H. Schwerdtner, Texas Instruments Deutschland GmbH, Freising/D
HOW A SEMICONDUCTOR MANUFACTURER WORKS IN PARTNERSHIP WITH CUSTOMERS AND SUPPLIERS TO ACHIEVE THE LOWEST COST OF OWNERSHIP FOR INTEGRATED CIRCUITS
191
STROKOVNI POSVET - SENZORIKA, 14. november 1986
1.	W. Rienecker, Analog Devices, Miinchen/D SENSOR SIGNAL CONDITIONING AND MEASUREMENT SIGNAL PREPROCESSING
2.	A. Nausch, Force Computers GmbH, Miinchen/D BUSSYSTEMS - THE COMMUNICATION CHANNEL FOR FLEXIBLE SIGNAL HANDLING
3.	S. Friederich, Valvo, Hamburg/D
THE INTER-1C BUS (I2 BUS): A SERIAL MULTIPROCESSOR SYSTEM WITH MINIMAL CHIP COUNT
4.	M. Lobjinski, Siemens AG, Miinchen/D MICROCOMPUTER-CONTROLLED ADAPTION OF THE FILTER FUNCTION IN SUPERSONIC RANGING
5.	G. Bauer, Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, Miinchen/D
POSSIBILITIES OF SENSOR SIGNAL PROCESSING - AN OVERVIEW, EXPLAINED BY SELECTED ALGORITHMS AND APPLICATIONS
6.	D. Anke, Universität der Bundeswehr, München/D NOISE IMMUNITY (EMC) OF SENSOR SYSTEMS
Zapisal: Alojzij Keber, dipl.ing.
MI DEM Titova 50 61000 Ljubljana
192
60 LET DIPL. ING. DUŠANA GNIDOVCA
'■S
4 W
M $*f
'
Franc Vodopivec
Nič v pojavi in v obnašanju Dušana Gnidovca ne kaže, da je prestopil prag 60. let. Drža je pokončna, govor duhovit in odrezav, zanimanje za dogajanja v okolici živo in kritično, duh pa vedno enako iščoč in ustvarjalen, kako bi s sredstvi in sodelavci na Metalurškem inštitutu in drugod ustvaril kaj novega in porabnega za domačo elektro-predelovalno in elektronsko industrijo.
Rojen v decembru 1926 v Ljubljani, maturant realke, partizan od leta 1944 in diploma na metalurgiji leta 1953, podiplomski študij na Quenss Uniwersity-Kingston,Ontario. Prva služba ga je pripeljala v Skopje, v železarno, ki se je prav tedaj načrtovala in začela graditi. Vendar ga že leta 1956 srečamo na IEV v oddelku za ferite, kjer napreduje do položaja vodje po odhodu prof. Zege. Po ustanovitvi ga srečamo v novem oddelku Magnetni materiali z zelo zahtevno nalogo, razvojem domače tekstuirane transformatorske pločevine. Ta razvoj je uspešno končal, vendar je ostal na nivoju laboratorija, saj se je prav tedaj začela preorientacija v Železarni Jesenice iz vroče valjanih tankih plošč na hladno valjanje trakov, kar je zahtevalo drugačen razvojni pristop, za katerega pa tedaj ni bilo zanimanja. Naslednja naloga je bil razvoj tanke pločevine in masivnih delov iz zlitine Permalloy C. V letu 1961 se je razvoj mehkomagnetnih materialov sporazumno prenesel iz ISKRE na Metalurški inštitut, z njim pa se je preselil tudi jubilant. Razvoj permalloya je bil končan na Inštitutu, kjer se še danes proizvaja v različnih oblikah, palicah, trakovih in štancanih izdelkih. Tudi na Inštitutu je ostalo zanimanje jubilanta naprej na materialih za elektroniko in elektrotehniko. Razvito je bilo precej novih zlitin, na primer permalloy D za namensko proizvodnjo, kovar za vtaljevanje v mehko steklo, Permil 50 za jedra in magnet-
ne oklope, permenorm za magnetna jedra, termil za temperaturno kompenzacijo magnetenja, posebne elektrode za anodno zaščito podzemnih konstrukcij in drugo. Posegel pa je tudi na področja materialov za druge namene, posebej velja izpostaviti različne stellitne zlitine odporne proti obrabi in koroziji in biokompatibilne materiale za zobno protetiko in implantate. Vse razvite zlitine se pilotno proizvajajo na Metalurškem inštitutu in jubilant to proizvodnjo uspešno vodi. To ni lahka naloga, saj Inštitut nima tehnoloških naprav, ki so potrebne za proizvodnjo. Dogaja se, da se neka zlitina v eni DO vlije, v drugi se bloki skujejo, v tretji se vroče zvaljajo v žico ali pločevino in v četrti hladno zvaljajo oziroma izvlečejo in odžari-jo, v peti pa se kontrolirajo njihove lastnosti.
Vsem problemom organizacije dela je jubilant uspešno kos, včasih z nekoliko nervoze, večinoma pa nonšalantno in navidez brez napora.
Tudi vnaprej velja njegovo posebno zanimanje materialom za elektroniko, trdo in mehkomagnetnim zlitinam in sodobnim zlitinam s posebnimi fizikalnimi lastnostmi. Od leta 1986 ima naziv znanstveni svetnik, ki ga je pridobil na osnovi razvojnih uspehov in objav v strokovnem tisku.
Ob jubileju mu vsi sodelavci, prijatelji in znanci čestitamo. Želimo, da bi ostal še naprej zdrav, aktiven in uspešen, da bi še vedno ohranil do sodelavcev odkrit, malce odrezav odnos ter pripravljenost za pomoč z nasvetom in z delom.
Napisal: Dr. Franc Vodopivec
Metalurški inštitut
Lepi pot 11
61000 Ljubljana
193
PROFESORJU RADOVANU TAVZESU IN MEMORIAM
Milan Slokan
Septembra 1986 je na preživljanju letnega dopusta nenadoma preminil naš dolgoletni član Radovan Tavzes, vodja oddelka za elemente na Inštitutu za elektroniko in vakuumsko tehniko v Ljubljani, star komaj 63 let.
Že kot študent je bil pred vojno radioamater, v času italijanske okupacije Ljubljane je bil zaprt in interniran, zatem pa je odšel v partizane in je najprej delal v oficirski šoli v Črnomlju, potem pa v partizanskih radijskih delavnicah 99d v Starih žagah. Po osvoboditvi se je takoj vključil v nastajajočo Iskro v Kranju. Tu se je pričelo njegovo delo na elektronskih sestavnih delih, ko je s svojo ekipo že leta 1947 pričel razvijati in je kasneje, brez tuje licence, uvedel proizvodnjo selenskih usmernikov, obenem pa so konstruirali in izdelali vso potrebno tehnološko opremo. Kasneje je v petdesetih letih nadaljeval delo na polprevod-niški tehnologiji. V tem obdobju sta bila razvita domač silicijev transistor in dioda. Po združitvi slovenske elektro in elektronske industrije leta 1961 je deloval v Zavodu za avtomatizacijo Iskre v polprevodniškem laboratoriju, ki je postal leta 1963 laboratorij za mikroelektroniko. Po njegovi nepremišljeni ukinitvi leta 1968 pa je Rado Tavzes prešel v Institut za elektroniko in vakuumsko tehniko v Ljubljani. Tu je s svojo skupino razvil in osvojil proizvodnjo najzahtevnejših visoko profesionalnih tankoplastnih poten-ciometrov, miniaturnih relejev in drugih elektronskih sestavnih delov, ki so namenjeni tudi za namensko uporabo. To je Radotu Tavzesu uspevalo, ker je znal kot fizik razumevati delovanje sestavnih delov, pa tudi vzroke napak, obenem pa je kot izvrstni vodja ekipe odločilno prispeval k uspehu s konstruiranjem izdelkov ter za njihovo izdelavo potrebne opreme.
V zadnjih letih je, čeprav že v pokoju in z načetim zdravjem, vztrajal pri svojem priljubljenem delu ter je bil poln
snovanj in zamisli, ko je omahnil, zadet od kapi, v nenadno smrt.
Ob ustanovitvi Zveznega strokovnega odbora za elektronske sestavne dele v Ljubljani leta 1962, se je takoj vključil v strokovno delo in je vodil strokovno skupino za polprevodnike. Organiziral je prvi jugoslovanski posvet pol-prevodničarjev leta 1963 v Beogradu; leta 1965 je bil so-organizator prve jugoslovanske konference o mikroelek-troniki v Ljubljani. Iz njegovega bogatega raziskovalnega in strokovnega opusa najdemo tedaj ter kasneje, na skoraj vseh naših simpozijih o sestavnih delih in materialih SD oziroma na posvetovanjih o mikroelektroniki MIEL prispevke Radovana Tavzesa in njegove skupine. Za njegovo dolgoletno aktivno delo v SSESD (v zadnji mandatni dobi je bil tudi član izvršilnega odbora sekcije) je bil leta 1985 imenovan za zaslužnega člana.
Značilnost Radovana Tavzesa v njegovem življenju in delu je bila preudarnost, skromnost in objektivnost, pa tudi človeška toplina in tovarištvo do sodelavcev in soljudi. Ker pa je Rado vse to povezal z izredno delavnostjo in občutkom odgovornosti, nam bo vsem, ki smo ga poznali in imeli radi, ostal svetel vzgled socialističnega raziskovalca in strokovnjaka, ki je bil pionir naše elektronske industrije.
Z Radovanom Tavzesom smo izgubili enega svojih najboljših članov, ki se je nesebično posvečal strokovnemu in organizacijskemu delu. Vsi, ki smo ga poznali in smo z njim sodelovali, ga ne bomo pozabili.
Napisal: Mag. Milan Slokan MI DEM Titova 50 61000 LJUBLJANA
194
35 LET ISKRE KONDENZATORJI IZ SEMIČA
Milan Slokan
Prvi redni podpornik naše Sekcije za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale, predhodnice MIDEM, je bila (obenem z Iskra Elementi) prav Iskra Industrija kondenzatorjev v Semiču. Zato nam je v iskreno zadovoljstvo, da lahko tej največji specializirani tovarni navitih kondenzatorjev in elementov za odpravo radiofrek-venčnih motenj v Jugoslaviji v naših Informacijah iskreno čestitamo ob petintrideset letnici dela, za katerega je značilen nenehni ustvarjalni vzpon, pa tudi izredna zavzetost celotnega kolektiva in vodilnih delavcev za izpolnjevanje zastavljenih nalog.
Iz ene od zibelk naše elektronike, Inštituta za elektrozve-ze v Ljubljani, kjer so bili v letih 1948 do 1950 razviti in uvedeni v malo proizvodnjo prvi jugoslovanski naviti kondenzatorji, je bila proizvodnja prenesena v Semič v Beli Krajini. To ni bil slučaj, saj tu živi ljudstvo, ki je med narodno osvobodilno vojno dalo vse za osvoboditev ter je delavno, kot malokje drugje. Tudi prvi vodilni kadri so izšli iz centralnih partizanskih radijskih delavnic, ki so bile ob robu Bele Krajine, v Starih žagah pri Cermošnji-cah.
V prvem obratu leta 1951 v Semiču je bilo zaposlenih le 12 delavk in delavcev, danes pa šteje Industrija kondenzatorjev Iskre v Semiču 1700 zaposlenih.
Prostor nam ne dopušča podrobnejšega opisa razvoja Iskre v Semiču v teku preteklih 35 let, niti ne natančnejšega navajanja njenega obširnega proizvodnega programa. Omejimo se na ugotovitev, da je Industrija kondenzatorjev Semič razdeljena na štiri TOZD, ki proizvajajo vse vrste navitih kondenzatorjev za elektroniko, energetskih kondenzatorjev, elementov za odpravo RF motenj ter tudi mehanske dele, naprave in opremo za lastno proizvodnjo kondenzatorjev in za prodajo. Velja reči, da so več kot 80 % svoje proizvodne opreme v tovarni izdelali sami in
da so razvili visoko produktivne avtomatske navijalne stroje, krmiljene z mikroprocesorji, ki so konkurenčni na svetovnem tržišču.
Semiška Iskra je primer domače industrije elektronskih in drugih sestavnih delov ter domačo ustvarjalnosti, na katero smo lahko ponosni. Tu najdemo zgled izredne delavnosti, zagnanosti za dvig strokovnega nivoja ter stremljenje po sodobnem organiziranju dela, kar je iz nerazvitega kraja, s skrbjo tovarne za občane, ustvarilo delo za 25 °/o vseh zaposlenih v občini Črnomelj. Tako torej ni čudno, če smo pri njih naleteli vedno na razumevanje, ko je šlo za moralno in materialno pomoč nekdanji SSESD in današnjemu MIDEM, saj se zavedajo, da je dvig strokovnega nivoja inženirjev in tehnikov ter njihovo sodelovanje - poleg zagnanosti za delo - eden ključnih pogojev za ino-vativnost in ustvarjalnost. Zaradi te povezanosti z društveno strokovnim delom je SSESD tudi podelil Iskri Industriji kondenzatorjev Semič posebno priznanje.
Organizacija, kot je Iskrina Industrija kondenzatorjev v Semiču, je dokazala, da je s svojimi ljudmi tudi v naših gospodarskih prilikah sposobna konkurenčnosti na konvertibilnem tržišču, ker imajo neprenehoma pred očmi nujnost visoke kakovosti in zanesljivosti svojih izdelkov, uporabo najsodobnejših in ekonomsko najustreznejših materialov ter razvoj in osvajanje najustreznejših tehnologij in računalniško vodenih procesnih naprav, upoštevajoč pri tem tudi ustrezno zaščito okolja.
Pri zastavljenih nalogah in načrtih jim želimo tudi strokovni kolegi iz MIDEM še mnogo uspehov ter boljše pogoje gospodarjenja, kot jih imajo danes.
Mag Milan Slokan
MIDEM
Titova 50
61000 LJUBLJANA
195
IZVJEŠTAJ O REZULTATIMA NAUČNO-ISTRAŽIVAČKOG RADA NA PROJEKTU »POUZDANOST POLUPROVODNIČKIH KOMPONENATA« ZA PERIOD 1983—1986 GODINA
Ninoslav Stojadinovič
Institucije koje su realizovale projekat
-	Elektronski fakultet, Niš
-	RO "EI - Poluprovodnici", Niš
Institucije koje su finansirale projekat
-	Osnovna zajednica nauke regiona Niš
-	RO "EI - Poluprovodnici", Niš
Rukovodilac projekta
Prof. dr. Ninoslav Stojadinovič
PRIKAZ REZULTATA ISTRAŽIVANJA
Osnovni cilj istraživanja na ovom projektu bio je da se najpre ispitaju pouzdanost i uzroci otkaza poluprovodnič-kih komponenata iz proizvodnog i razvojnog programa RO "Ei-Poluprovodnici" u Nišu (CMOS integrisana kola, pla-narne bipolarne komponente i bipolarne komponente snage) , a da se zatim korektivno deluje na tehnologije izra-de ovih poluprovodničkih komponenata u cilju povečanja njihove pouzdanosti. Na osnovu ovako postavljenog cilja, program istraživanja na ovom projektu bio je usmeren ka sledečim temama:
1.	FIZIKA I TEHNOLOGIJA
2.	MATEMATIČKE METODE ZA ANALIZI! POUZDANOSTI
3.	MERNE METODE I TESTOVI ZA ANALI ZU POUZDANOSTI I UZROKA OTKAZA
4.	POUZDANOST I UZROCI OTKAZA
5.	METODE ZA POVEČANJE POUZDANOSTI.
Plan istraživanja za protekli period 1983-1986. godina u potpunosti je realizovan, a veliki broj rezultata do kojih se pri tome došlo več je publikovan u obliku 30 radova u renomiranim internacionalnim časopisima (Microelectro-
nics and Reliability i Physica Status Solidi), Zborniku sa internacionalne konferencije RELECTRONICS-85 i zbornici-ma sa domačih konferencija (MIEL, ETAN i SD), ili su izloženi u vidu 2 javna predavanja (Univerzitet u Bohumu i Politehnički univerzitet u Varšavi). Treba istači da je rad dr Ninoslava Stojadinoviča, pod naslovom "Failure Physics of Integrated Circuits - A Rewiev" publikovan kao glavni rad specijalnog izdanja internacionalnog časopisa Microelectronics and Reliability pod naslovom "EUROPEAN INTEGRATED CIRCUIT RELIABILITY". Takodje, iz ovih istraživanja je proisteklo 10 tema za diplomske radove i 1 tema za magistarski rad saradnika na projektu koji su več uspešno odbranjeni. Najzad, treba istači da je dr Ninoslav Stojadinovič bio gost urednik internacionalnog časopisa Microelectronics and Reliability pod naslovom "ADVANCES IN MICROELECTRONICS", a bio je i predse-davajuči sednice "RELIABILITY PHYSICS" na Internacio-nalnoj konferenciji RELECTRONICS-85 koja je održana u Madjarskoj.
Spisak svih publikovanih radova biče dat na kraju ovog re-zimea, dok če najvažniji rezultati sadržani u njima biti ukratko opisani u daljem tekstu.
1. FIZIKA I TEHNOLOGIJA
1.1. Nesavršenosti CMOS komponenata i z a -z v a n e plazma p r o c e s i m a
Pokazano je da nagrizanje oksida gejta u plazmi kiseonika dovodi do formiranja sledečih nesavršenosti: pozitivnih naelektrisanja u oksidu, razmeštaja atoma kiseonika u rešetki oksida i implantiranih jona kiseonika u oksidu. Gu-stina ovih nesavršenosti je zanemarljiva pri snagama sistema za nagrizanje nižim od 0.2 kW, dok pri večim snagama gustina ovih nesavršenosti naglo raste.
196
Pokazano je da proces plazma čiščenja, koji se primenju-je kao dodatni proces posle foto postupka na aluminijumu u cilju uklanjanja zaostalog silicijuma iz legure Al-Si na-kon hemijskog nagrizanja aluminijuma, dovodi do formiranja naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim sta-njima. Formiranje ovih naelektrisanja posebno je izraženo ukoliko se proces plazma čiščenja primenjuje pre procesa legiranja aluminijuma.
1.2.	Strujnopojačanje bipolarnih tranzisto-r a snage
Pokazano je da povečanje odnosa obima i površine emito-ra bipolarnih tranzistora snage u Darlingtonovoj sprezi dovodi do povečanja strujnog pojačanja, kao i do pomera-nja njegove maksimalne vrednosti ka večim kolektorskim strujama. Takodje, pokazano je da strujno pojačanje i ot-pornost emitor-baza rastu sa porastom temperature.
1.3.	Efekti proboja kod poluprovodničkih komponenata
Pokazano je da je najopasniji efekat proboja kod CMOS komponenata broj parazitnog lateralnog NPN tranzistora koji može da dovede i do aktiviranja parazitne tiristorske strukture.
Pokazano je da su kod snažnih dioda, kod kojih se P-N spoj dobija hemijskim oblikovanjem površine (tzv. "me-za" spoj), problemi znatno izraženiji u slučaju negativ-nog nagiba P-N spoja, dok se u slučaju pozitivnog nagiba P-N spoja postižu znatno bolje električne karakteristike u oblasti proboja.
2. MATEMATIČKE METODE ZA ANALI ZU POUZDANOSTI
2.1. Matematičko-fizički model za proračun
naelektrisanja kod CMOS komponenata Izvršena je generalizacija i dopuna modela za napon praga CMOS komponenata uključivanjem efekata naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim stanjima u razmatra-nje. Takodje, predložen je model za zavisnost faktora pojačanja CMOS komponenata od naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim stanjima. Na osnovu ovih modela razradjen je jednostavan matematički metod za razdvajanje i proračun naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim stanjima.
2.2. Matematičko-fizički model bipolarnog tranzistora u uslovima termičkog cikli r a n j a
Višeslojna struktura bipolarnog tranzistora snage u uslovima termičkog cikliranja modelirana je pomoču termičkog ekvivalentnog kola. Koriščenjem razvijenog modela odredjene su promene temperature u karakterističnim tačkama strukture u toku testa termičkog cikliranja, pri čemu je dobijen znatan pad temperature iduči od peleta ka hladnjaku.
3. MERNE METODE I TESTO VI ZA ANALI ZU POUZDANOSTI I UZROKA OTKAZA
3.1.	Merna metoda za analizu nestabilnosti kod CMOS komponenata
Razvijena je jednostavna merna metoda za analizu nestabilnosti CMOS komponenata koja se zasniva na merenju napona praga i faktore pojačanja na osnovu prenosnih karakteristika CMOS tranzistora. Ova merna metoda, znatno nadmašuje do sada poznate postupke koji se zasnivaju na merenju C-V karakteristika testnih MOS struktura, s obzirom da omogučava i analizu nekih važnih efekata (e-fekti vručih nosilaca i efekti zračenja) koji do sada nisu mogli da budu korektno analizirani.
3.2.	Kvalifikaciona ispitivanja poluprovodničkih komponenata
Uspostavljen je sistem standardizacije poluprovodničkih komponenata koje se proizvode za vojne namene u koji je ugradjen kompleksan prilaz obezbedjenju pouzdanosti čije su osnove utvrdjene u vojnom standardu SNO 5441. Napravljen je pregled osnovnih zahteva obezbedjenja pouzdanosti, sa posebnim osvrtom na kvalifikacija proizvodne linije CMOS komponenata u RO "Ei-Poluprovodnici".
3.3.	P rim ena elektronske mikroskopije za analizu otkaza poluprovodničkih komponenata
Detaljno su izučeni konstrukcija i princip rada elektron-skog mikroskopa (SEM), sa posebnim osvrtom na njihova unapredjenja neophodna za analizu otkaza kod savremenih poluprovodničkih komponenata (SEM sa EBIC kontrastom,
197
SEM sa naponskim kontrastom , SEM sa stroboskopskim naponskim kontrastom i TEM). Na osnovu sopstvenog is-kustva i literaturnih podataka napravljen je pregled najva-žnijih primena elektronske mikroskopije u analizi i otka-za savremenih poluprovodničkih komponenata.
4. POUZDANOST I UZROCI OTKAZA
4.1. Mehanizmi otkaza poluprovodničkih komponenata
Na osnovu višegodišnjeg iskustva u ispitivanju pouzdano-sti i uzroka otkaza CMOS komponenata i bipolarnih komponenata snage koje se proizvode u RO "Ei-Poluprovodni-ci", kao i podataka iz literature, napravljen je pregled mehanizama otkaza poluprovodničkih komponenata. Pri tome je pokazano da su najopasniji mehanizmi otkaza sa as-pekta pouzdanosti VLSI komponenata efekti defekata sup-strata, proboj tankog oksida gejta, elektromigracija i korozija metalizacije, efekti elektrostatičkog praznjenja i efekti zračenja. Takodje, napravljena je korelacija izme-dju mehanizama otkaza i testova pomoču kojih se ovi mogu da otkriju.
4.3. Nestabilnosti CMOS komponenata
U okviru ispitivanja nestabilnosti CMOS komponenata naprezanjem visokotemperaturnim stvarenjem sa polariza-cijom dobijeno je da pokretni joni u oksidu gejta i dalje predstavljaju važan uzrok nestabilnosti, pri čemu su nestabilnosti izraženije pri negativnoj polarizaciji gejta. S druge strane, negativna polarizacija gejta može da dovede i do povečanja gustina pozitivnog naelektrisanja na centri-ma zahvata u oksidu gejta.
U okviru ispitivanja nestabilnosti CMOS komponenata naprezanjem jakim poljem u oksidu gejta pokazano je da pri negativnoj polarizaciji gejta dolazi do povečanja gustine pozitivnog naelektrisanja u oksidu gejta. Takodje, pokazano je da i pri pozitivnoj polarizaciji gejta dolazi do povečanja gustine pozitivnog naelektrisanja u oksidu gejta, ali je mehanizam generisanja naelektrisanja različit. Najzad, pokazano je da protok tunelske struje kroz oksid gejta dovodi do povečanja naelektrisanja na površinskim stanjima, pri čemu su ovi efekti izraženiji pri pozitivnoj polarizaciji gejta.
4.2. Pouzdanost i uzroci otkaza CMOS komponenata
Izvršena je uporedna analiza pouzdanosti i uzroka otkaza 8 tipova CMOS komponenata različitih proizvodjača (Ei-Jugoslavija, SGS-Italija, Motorola-SAD i National Semi-conductors-SAD). Dobijeni rezultati (pokazatelji pouzdanosti, vremenska stabilnost, itd.) pokazuju da nema bilo kakvog bitnog odstupanja u pouzdanosti CMOS komponenata bilo kog od različitih proizvodjača, što potvrdjuje da su CMOS komponente proizvodnje RO "Ei-Poluprovodnici" sa aspekta pouzdanosti ravne CMOS komponenata eminen-tnih svetskih proizvodjača.
Pokazano je da su najčešči uzroci otkaza CMOS komponenata koja se proizvode u RO "Ei-Poluprovodnici" kratki spojevi oksida gejta iznad P difuzionih oblasti, struje cu-renja P~N spojeva, aktiviranje parazitne tiristorske strukture i nestabilnosti napona praga.
4.4. Pouzd ano s t i uzroci otkaza bipolarnih komponenata
U okviru ispitivanja pouzdanosti planarnih bipolarnih NPN tranzistora primenom testa visokotemperaturnog starenja sa polarizacijom dobijena je velika promena električnih parametara (strujnog pojačanja pri malim strujama, inverzne struje emitor-baza i niskofrekventnog šuma), što je dovelo do postepenih otkaza 80 % testiranih tranzistora. Pri tome su promene električnih parametara naročito izražene kada su kod tranzistora prisutne dislokacije oko planarnih ivica emitora.
U okviru ispitivanja pouzdanosti bipolarnih NPN tranzistora snage primenom testa termičkog cikliranja usled efekta termičkog zamora je otkazalo 9 % ispitivanih tranzistora. Pri tome su kod 3 % ispitivanih tranzistora registrovani postepeni otkazi usled promene električnih parametara (strujnog pojačanja, inverznih struja emitor-bara i ko-lektor-emitor i pada napon emitor-baza). S druge strane kod 6 % ispitivanih tranzistora registrovani su iznenadni
198
otkazi usled oštečenja peleta (naprsline peleta, naprsline zaštitnog laka, pojava "vručih" tačaka i sakupljanje lema na peletu).
5. METODE ZA POVEČANJE POUZDANOSTI
5.1.	Nova tehnologija izrade CMOS kompo-n e n a t a
Predložena je nova struktura NMOS tranzistora kod CMOS komponenata koja obezbedjuje poboljšanje karakteristika u odnosu na standardnu strukturu i pojednostavljenje tehnologije u odnosu na strukturu sa produženim drejnom. Po-kazano je da primena nove strukture NMOS tranzistora u proizvodnji CMOS komponenata ne dovodi do pojave bilo kakvog novog uzroka otkaza koji bi bio posledica nove strukture i tehnologije njene izrade. Štaviše, nova struktura NMOS tranzistora obezbedjuje vremenski najstabilnlje karakteristike CMOS komponenata.
5.2.	Nova tehnologija montaže planarnih bipolarnih tranzistora
Predložena je i verifikovana nova tehnologija montaže planarnih, bipolarnih tranzistora u kučište TO-39, u kojoj se standardno pozlačeno kucište zamenjeno znatno jeftini-jim niklovanim kučištem. Primenom predložene tehnologije u RO "Ei-Poluprovodnici" proizvedeni su visokopouz-dani tranzistori sa prosečnim prinosom od oko 85 %, a sve to uz znatno pojevtinjenje proizvodnje.
5.3.	Optimizacija tehnologije metalizacije poluprovodničkih komponenata
Pokazano je da kod homotaksijalnih tranzistora snage naj-bolju izdržljivost na sekundarni proboj obezbedjuje metali-zacija kolektora pomoču hemijskog niklovanja (Ni) i top-log kalaisanja (Pb/Sn). S druge strane, kod tranzistora snage sa epitaksijalnom bazom najbolju izdržljivost na sekundarni proboj obezbedjuje metalizacija kolektora pomoču naparavanja legure Ti/Ni. Takodje, dobijeno je da kod ovih tranzistora debljina metalizacije emitora utiče na izdržljivost na sekundarni proboj. Najzad, pokazano je da kod visokonaponskih tranzistora snage legiranje pomoču lemnog diska (Pb/In/Ag) obezbedjuje največu izdržljivost na sekundarni proboj.
Pokazano je da srednje vreme do otkaza Al-metalizacije kod integrisanih komponenata usled efekta elektromigra-cije opada sa smanjenjem širine metalnih linija, sve clok širina metalnih linija ne postane uporedljiva sa veličinom Al-zrna. Takodje, [»kazano je da primena Al-metalizaci-je sa dodatkom 1 % Cu i sa TiN slojem kao barijerom dovodi do znatnog povečanja srednjeg vremena do otkaza metalizacije.
6. SPISAK PU13LIKOVANIH RADOVA
1.	N.D. Stojadinovič, "Failure Physics of Integrated Circuits - A Review", Microelectron. Reliab. , Vol. 23, pp. 609-707 (1983)
2.	N. Stojadinovič, S. Dimitrijev, S. Mijalkovič, Z. Ži-vič, "Reliability of n-Channel and p-Channel MOSTs in CMOS Integrated Circuits", Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 76, pp. 357-364 (1983)
3.	Lj. Ristič, S. Orlovič, Z. Pavlovič, M. Vlajkovič, "Ispitivanje uticaja metalizacije kolektorske strane tranzistora snage sa epitaksijalnom bazom na sekundarni proboj", Zbornik radova XI Jugoslovenskog simpozijuma o mikroelektronici, pp. 447-456, Zagreb, April ( 1973)
4.	Z. Pavlovič, Lj. Ristič, S. Orlovič, M. Vlajkovič, "Uticaj metalizacije kolektora homotaksijalnih tranzistora snage na sekundarni proboj", Zbornik radova XXVII Jugoslovenske konferencije za ETAN, V sveska, pp. 259-266, Struga, Jun (1983)
5.	L. Ilič, R. Radojkovič, "Zavisnost sekundarnog proboj a visokonaponskih tranzistora snage od procesa le— giranja na montaži", Zbornik radova XI Jugoslovenskog simpozijuma o mikroelektronici, pp. 437-445, Zagreb, April ( 1983)
6.	Z. Pavlovič, S. Milosavljevič, N. Stojadinovič, "Eksperimentalna analiza strujnog pojačanja tranzistora snage", Zbornik radova XXVII Jugoslovenske konferencije za ETAN, V sveska, pp. 243-249, Struga,
Jun (1983)
199
7.	N.D. Stojadinovic, "Effects of Accelerated Temperature Testing on Low-Frequency Noise of Planar NPN Transistors", Microelectron. Reliab. , Vol. 23, pp. 889-901 (1983)
8.	S.D. Ristic, "Sopstvena koncentracija nosilaca naelek-trisanja u jako dopiranom silicijumu" , Zbornik rado-va XXVII Jugoslovenske konferencije za ETAN, V sve-ska, pp. 219-226, Struga, Jun (1983)
9.	N. Stojadinovic, "Advances in Microelectronics" Editorial Preface, Microelectron. Reliab., Vol. 24, pp. 201-203, (1984)
10. Lj. Ristic, Z. Pavlovic, S. Orlovič, L. Ilič, S. Djordjevic , "A Review of Failure Occuring During the Processing of Bipolar Power Transistors", Proc. 12th Yugoslav Conference on Microelectronics, Vol. 2, pp. D69-D95, Niš, May (1984)
11.	Lj. Ristic, Z. Pavlovic, S. Orlovic, S. Djordjevic, M. Vlajkovic, "Ispitivanje uticaja debljine metaliza-cije emitora na PBR tranzistora snage sa epitaksijal-nom bazom", Zbornik radova XXVIII Jugoslovenske konferencije za ETAN, II sveska, pp. 197-204, Jun
(1984)
12.	N. Stojadinovic, D. Dimitrijevic, S. Pešanovič, "Uti-caj ubrzanog temperaturnog testiranja radnog veka na niskofrekventni šum bipolarnih tranzistora", Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelek-tronici, I sveska, pp. 105-111, Niš, Maj (1984)
13.	S. Milosavljevic, D. Dimitrijevič, D. Jankovič,
N. Stojadinovic, "Otkazi bipolarnih tranzistora snage usled termičkog zamora", Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 112-121, Niš, Maj (1984)
14.	Lj. Ristič, S. Rašič, B. I lic, "Verifikacija tehnologije montaže planarnih tranzistora u niklovanom kuči-štu TO-39", Zbornik radova XXIX Jugoslovenske konferencije za ETAN, X sveska, pp. 23-30, Niš, Jun
(1985)
15.	Z. Pavlovic, S. Djordjevic, "Strujno pojačanje Darlington tranzistora snage", Zbornik radova XXI Jugo-slovenskog simpozijuma o sastavnim delovima i mate-rijalima, pp. 145-150, Ljubljana, Oktobar (1985)
16.	R. Loc, M. Golubovic, "Prilaz obezbedjenju nivoa kvaliteta mikrokola sa primerom iz prakse", Zbornik radova XIII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, II sveska, pp. 675-682, Ljubljana, Maj (1985)
17.	Z. Živic, A. Ždvič, N. Stojadinovic, "The Effects of Avalanche Hot-Carrier Injection in a New NMOST Structure", Proc. 6t.h International Conference on Reliability in Electronics, pp. 458—465, Budapest, August (1985)
18.	N. Stojadinovic, S. Dimitrijev, S. Mijalkovič, "Effect of High Field Stresses on Threshold Voltage of CMOS Transistors", Microelectron. Reliab., Vol. 25, pp. 275-279, (1985)
19.	Z. Živic, A. Živic, N. Stojadinovic, "A New CMOS IC Structure and its Characterization", Microelectron. Reliab., Vol. 25, No. 1, pp. 123-146, (1985)
20.	S. Dimitrijev, N. Stojadinovic, "Instability Mechanisms of CMOS Integrated Circuits", Zbornik radova XIII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, II sveska, pp. 575-582, Ljubljana, Maj (1985)
21.	Lj. Ristic, Lj. Nikolič, M. Gušič, N. Stojadinovic, "Zavisnost probojnog napona dioda snage od tehnologije izrade P-N spoja", Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 263-270, Niš, Maj (1984)
22.	Z. Pavlovic, S. Djordjevic, "Ekvivalentno termičko kolo tranzistora snage u uslovima termičkog ciklira-nja", Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 235-244, Niš, Maj (1984)
23.	Z. Živic, A. Živic, "Characteristics of Different N-channel MOSFET Structures", Proc. 12th Yugoslav Conference on Microelectronics, pp. 318-327, Niš, May (1984)
24.	Z. Živic, "Efekti injekcije vručih nosilaca izazvanih lavinskom multiplikacijom kod N-kanalnog MOS tranzistora, izradjenog dvostrukom implantacijom N-obla-sti", Zbornik radova XX Jugoslovenskog simpozijuma o sastavnim delovima i materijalima, pp. 21-25, Ljubljana, Oktobar (1984)
25.	N. Stojadinovic, S. Dimitrijev, "Efekti elektrostatič-
200
kog praznjenja kod mikroelektronskih komponenata", Zbornik radova I srpskog simpozijuma iz primenjene elektrostatike, pp. 24. 1-24 . 10, Niš, Novembar (1984)
26.	N. Stojadinovič, S. Dimitrijev, S. Mijalkovič, "Threshold Voltage Instabilities of CMOS Transistors Induced by Gate Bias Stress", Zbornik radova XII Ju-goslovenske konferencije o mikroelektronici, I sves-ka, pp. 94-103, Niš, Maj (1984)
27.	H.-U. Schreiber, B. Pešič, Lj. Živkovič, "Investigation of Electromigration Interface Effects in TiN-Al (1 % Cu) Metallization", Zbornik radova XIV Jugo-slovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 267-274, Beograd, Maj (1986)
28.	B. Pešič, "Otkazi aluminijumske metalizacije usled mehanizma elektromigracije", Zbornik radova XXX Jugoslovenske konferencije za ETAN, X sveska, pp. 39-45, H ere eg Novi, Jun (1986)
29.	M. Pejovič, S. Golubovič, M. Miljkovič, "Defekti u SiO^ nastali tokom jonskog nagrizanja", Zbornik radova XIV Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 259-266, Beograd, Maj (1986)
30. E. Jelenkovič, "Uticaj plazma čiščenja na stabilnost MOS tranzistora", Zbornik radova XXII Jugosloven-skog simpozijuma o sastavnim delovima i materijali-ma, pp. 123-127, Otočac na Krki, Septembar (1986)
7.	SPISAK ODRŽANIH PREDAVANJA
1.	N. Stojadinovič, "Failure Physics of Integrated Circuits", Elektronik-Kolloqium , Ruhr-Universitat Bochum , Institut fiir Elektronik, Bochum, September 1983.
2.	Failure Mechanisms of VLSI Integrated Circuits", 1st Symposium on Diagnostics and Yield, Warsaw University, September 1986 .
8.	SPISAK MAGISTARSKIH RADOVA
1. S. Dimitrijev, "Nestabilnosti CMOS integrisanih kola s aluminijumskim gejtom", Magistarski rad, Elektronski fakultet Niš, 1985.
Rukovodilac projekta: Prof dr Ninoslav Stojadinovič Elektronski fakultet Beogradska 14 18000 NIŠ
201
RAČUNALNIŠKE SIMULACIJE PROCESOV IN ELEMENTOV ZA RAZVOJ POLPREVODNIŠKIH TEHNOLOGIJ
Franc Runovc
1. UVOD
Simulacija in analiza polprevodniških tehnoloških procesov ter polprevodniških elementov je postala v zadnjih nekaj letih močno orodje, ki ga s pomočjo vedno bolj dostopne računalniške strojne opreme uporabljajo razvojni inženirji v industriji polprevodniških komponent - tako diskretnih kakor tudi integriranih.
Trije osnovni motivi pospešujejo delo na področju računalniško podprte analize in simulacije tehnoloških procesov pri izdelavi integriranih vezij ter pri električni analizi osnovnih polprevodniških gradnikov.
Moderni tehnološki postopki pri izdelavi integriranih vezij so izjemno zahtevni, dragi in tudi časovno potratni. Razvoj novega skupka tehnoloških stopenj, ki vodijo do izdelave integriranega vezja, je povezan z uporabo drage procesne opreme, operaterskega časa ter z dolgotrajnim eksperimentalnim delom H 13.
Računalniške simulacije in optimizacije posameznih tehnoloških korakov ter njihovega zaporedja olajšajo delo razvojnim inženirjem , skrajšajo čas razvoja tehnologije in omogočajo napoved odnosov med posameznimi procesnimi koraki in snovnimi lastnostmi polprevodniške strukture.
Tretji motiv podaja nujnost transparentnega odnosa med tehnološkim procesom in načrtovalskim procesom. Razvijalec integriranih vezij mora razpolagati z zanesljivo tehnološko podatkovno bazo, saj mu tudi ta podaja vplive procesa na električne lastnosti posameznih gradnikov vezja oziroma podsklopov.
Računalniška programska oprema na tem področju omogoča kompletno simulacijo tehnoloških korakov pri izdelavi integriranega vezja, rezultat teh simulacij pa so osnovni in geometrijski podatki polprevodniške strukture 112, 3j .
Novi polprevodniški postopki in ustrezna oprema omogočajo izdelavo osnovnih gradnikov, pri kateri postanejo vertikalne in lateralne dimenzije primerljive. Fenomenološki modeli, ki napovedujejo električno vedenje na primer bipolarnega oziroma unipolarnega transistorja, ne dajejo več zanesljivih rezultatov, ko postane debelina osiromašene plasti v tranzistorju primerljiva z debelino njegove baze oziroma dolžino kanalaC 43.
Numerična analiza in simulacija takih struktur je zasnovana na reševanju osnovnih (klasičnih) diferencialnih e-načb, ki povezujejo koncentracije nosilcev naboja, električni potencial in gostote tokov. Ta način analize je postal zelo popularen pri geometrijski in snovni optimizaciji osnovnih gradnikov na osnovi želenih električnih lastno-sti[5, 7 J .
Dvodimenzionalna statična simulacija je postala standarden način uporabe teh programov na mini-računalnikih, medtem ko zahteva tridimenzionalna tranzientna analiza najzmogljivejše računalnike, ki pa so dostopni le velikim razvojnim centrom proizvajalcev integriranih vezij.
2. SIMULACIJA PROCESNIH KORAKOV
Zaporedje procesnih korakov, ki tvorijo polprevodniški tehnološki proces, tvori osnovo za izdelovanje zelo obširnih integriranih vezij C13. Skupek tehnoloških postopkov izdelave integriranih vezij zajema izjemno široko paleto procesov, ki segajo od oksidacije, difuzije, implantacije do razvijanja fotopolimerov in postopkov jedkanja različnih plasti. Razvijalci računalniške programske opreme na tem področju skušajo podati rezultate v obliki topografije površine polprevodnika skupaj s porazdelitvijo primesi v plasteh. Taka podatkovna baza služi kasneje kot vhod programskim paketom za električno simulacijo polprevodniških struktur c 617 • Pot do take idealizirane situacije je še dolga tako v svetu kakor tudi pri nas.
202
2.1 SUPREM
Program SUPREM II [9, 12j je že nekaj let najbolj razširjen program za simulacij polprevodniških tehnoloških procesov. Zaradi dostopnosti in enostavne uporabljivosti je danes tudi v Iskri Mikroelektroniki standardno orodje procesnih inženirjev tako v proizvodnji kakor tudi v razvoju integriranih vezij. Program je možno implementirati z manjšimi spremembami na vrsti računalnikov od večjih sistemov DEC/VAX ali PRIME preko računalnikov tipa Micro VAX do namiznih računalnikov tipa IBM PC/XT.
To je druga verzija osnovnega programa SUPREM I C 83 , v kateri je ohranjena osnovna arhitektura programa in filozofija vhodno/izhodnih enot. Sintaksa vhodnega jezika o-mogoča hitro in učinkovito uporabo programa. Program je zastavljen tako, da omogoča simulacijo individualnih procesnih stopenj ali pa njihovo zaporedje, ki nastopa v dejanski izdelavi integriranih vezij. V SUPREM II vgrajeni modeli omogočajo simulacijo naslednjih postopkov silicijeve polprevodniške tehnologijef8, 93: ionske implantacije, predepozicije, oksidacije in/ali difuzije, epitaksialne rasti, jedkanja oksida ali silicija in depozicije oksida. Uporabnik komunicira s programom preko vhodne datoteke, medtem ko so rezultati simulacij - profili posameznih primesi, plastne upornosti, debeline, .. - shranjeni v izhodni datoteki. Sam program generira dodatne datoteke, ki jih uporabnik običajno ne potrebuje direktno. V eni izmed teh so podane samo porazdelitve primesi v polprevodniku. Ta datoteka služi kot vhod v programe za električno simulacijo, v našem primeru v dvodimenzionalna e-lektrična simulatorja MINIMOS IN HALVFEM. V tem primeru se seveda poslužujemo približka, da se porazdelitev primesi v lateralni smeri ne spreminja. Analize pa kažejo, da je tak približek boljši kakor analitični opis porazdelitve primesi, kar uporabljata programska paketa BAMBI in VLSI CAP.
Slika 1 prikazuje primer simulacije dvojne implantacije bora v kanalu tranzistorja MOS. V takem primeru določa implantacija blizu prehoda silicij/silicijev oksid pragovno napetost tranzistorja. Globlja implantacija pa poveča prebojno napetost med ponorom in izvorom tranzistorjaL 18J.
Zaradi specifične tehnologije v Iskri Mikroelektroniki smo programu SUPREM II dodali fenomenološki model ok-
sidacije silicija v mešanici 02/HCl [".13]. To je standardni tehnološki postopek za izdelavo kvalitetnih oksidov nad vrati tranzistorjev MOS. Na ta način lahko točno napovemo debeline oksida v izbranih eksperimentalnih ali pa proizvodnih pogojih.
0.00	0.5O	1.00
GLOBINA [ fm J
Slika 1: SUPREM II: Primer simuliranega profila dvojne implantacije bora v kanalu tranzistorja MOS
2.2 PROMIS
Programski sistem PROMIS je bil razvit na dunajski Visoki tehniški šoli in podpira reševanje splošnih eliptičnih in paraboličnih, nelinearnih, sklopljenih sistemov parcialnih diferencialnih enačb Tli, 261! . Uporabljiv je za simulacijo polprevodniških tehnoloških postopkov predepozicije, ionske implantacije in difuzije v inertni atmosferi v dveh prostorskih in eni časovni dimenziji. Programski paket je odprt in fleksibilen, saj lahko uporabnik preko fortran-skih podprogramov vgradi lastne modele ter robne in začetne pogoje.
Izhod programa so numerične vrednosti računanih količin v mrežnih točkah, na osnovi teh podatkov pa pripravimo ustrezni grafični izhod.
Kljub splošnosti in odprtosti programskega paketa PROMIS vanj ni vključen primer gibajoče se meje, ki ustreza izračunu porazdelitve primesi ob oksidaciji silicijeve površine.
203
2.3 SAMPLE
Študij vedenja fotopolimerov med tehnološkim procesom izdelave integriranih vezij je bistvenega pomena pri razvoju novih tehnologij, pri evaluaciji različnih fotopolimerov in pri primerjavi različnih poravnalnikov mask. Program SAMPLE (verzija 1.2) je namenjen simulaciji osvetljevanja in razvijanja (jedkanja) fotopolimerov, novejše verzije tega programa pa na osnovi fenomenoloških mo-
delov simulirajo različne procese depozicij tankih plasti, ki jih uporabljamo v pol prevodniških tehnoloških postopkih, oziroma jedkanje teh plastiflCJ .
Slika 2 prikazuje odvisnost širine okna nominalne razsežnosti 3 ^uni od debeline fotopolimera za tri različne tipe modernih poravnalnikov mask. Tak način analize nam omogoča optimizacijo parametrov na posameznem tipu porav-nalnika 17 .
3.a 3.4
-
3.2 3.1 -3.0 -2.9
2.3


-t-
"t"
o.a 0.7
O PA3-2.000


□ □ □ □—S—{

—I—
1 .3
1 .a
cisbeliro fotanesaffta [ /um 3
+ GCA-EiCOO	O FPA— 1 SOO
Slika 2: SAMPLE: Simulacija razvijanja vzorca nominalne razsežnosti 3^um za tri različne tipe poravnalnik v odvisnosti od debeline fotopolimera
Proces uporabe fotopolimera sestoji iz nanosa, utrjevanja, osvetljevanja, razvijanja in odstranjevanja polimera. Izračun osvetlitve polimera zahteva poznavanje njegovih optičnih konstant in optičnih konstant in debelin osnove oziroma plasti na njej.
3. SIMULACIJA POLPREVODNIŠKIH ELEMENTOV
Področje električne simulacije polprevodniških struktur je močneje zaživelo predvsem z uporabo zmogljivejših računalnikov, saj potekajo simulacije in analize na osnovi diskretizacije (v dveh ali treh prostorskih dimenzijah) strukture ter s pomočjo primerne numerične metode. Uveljavili sta se predvsem metodi končnih diferenr in končnih elementov. Rezultati analiz novih struktur, pri katerih izhajamo iz želenih električnih lastnosti, vodijo do optimizacije tehnoloških postopkov izdelave teh struktur C18, 20J.
Vsi v nadaljevanju opisani programi rešujejo osnovne klasične enačbe oblikeC21J :
div grad U = q/£ (n - p - C )
div j - q3 n/3 t = q R n
div j + qS p/31 = - q R -j.	—i
j = q ,u h E + q D grad n n / n	1 n s
jp = q/lpP E " q Dp 9rad Pi
kjer je U elektrostatični potencial, q osnovni naboj, C koncentracija primesi, n in p koncentraciji elektronov in vrzeli, j^ in j gostoti tokov nosilcev naboja, R hitrost generacije-rekombinacije, E električna poljska jakost, ja gibljivost in D difuzijska konstanta.
Sistem enačb (l) - (3) rešujemo ob privzetih modelih za gibljivost in rekombinacijo ter ob ustreznih začetnih in
204
robnih pogojih. Enačbe običajno rešujemo na osnovi iterativnega postopka zaporednih rešitev osnovnih enačb ali pa na osnovi istočasnega reševanja vseh treh enačb.
3.1 MINIMOS
Programski paket MINIMOS je bil razvit na dunajski Visoki tehniški šoli in je uporabniško prijazen programski paket za dvodimenzionalno numerično simulacijo planar-nih tranzistorjev MOS E22U. V njem so vključeni ustrezni modeli za gibljivost, profile primesi in proces ionizacije. Podobno kot večina uporabniških programov s področja simulacije polprevodniških elementov in procesov tudi MINIMOS uporablja vhodno datoteko z ukazi in podatki, rezultate simulacij pa dobi uporabnik v obliki izhodne datoteke. Seveda so tudi tu grafične prezentacije najprimernejše za analizo in optimizacijo rezultatov. Grafični paket MOSPLOT C233ustrezno prikaže rezultate simulacij s programom MINIMOS.
Enodimenzionalne porazdelitve primesi v področju kanala tranzistorja podamo lahko tudi preko ustrezno formatira-nih datotek, ki jih generirajo procesni simulatorji, na primer SUPREM II. Sicer pa ima program vgrajen preprost enodimenzionalni procesni simulator ionske implan-tacije in difuzije v inertni atmosferi. Le-ta uporablja analitične izraze za izračun koncentracije primesi v simulirani strukturi tranzistorja MOS v področjih izvora, ponora in kanala.
Program MINIMOS uporablja metodo končnih diferenc z neenakomerno mrežo (od 25 x 25 vozlišč do 60 x 60 voz-
lišč na simulirani strukturi), ki se avtomatsko prilagaja porazdelitvi primesi in potencialom. Slika 3 prikazuje o-snovni pravokotni model tranzistorja MOS, ki ga uporablja program MINIMOS. Na sliki štiri pa so prikazani rezultati simulacije odvisnosti pragovne napetosti od doze implantacije za tranzistor MOS z dolžino kanala 1.5^um, širino kanala 20 ^ura, debelino oksida nad kanalom 30 nm in koncentracijo primesi v substratu 1E15 cm-3. V našem primeru uporabljamo zadnjo verzijo programa MINIMOS 3.0.
VRATA V///////////////A
IZVOR K/////AV/J
OKSID
PONOR V///////A
POLPREVODNIK
X/////////////////////////////777Á
Slika 3: MINIMOS - Osnovna geometrija tranzistorja MOS
205
o a m
c «j
c >
0
01 m ti a
O.I	O.J	0.5	0.7
doza x 1E12 cm~2
1
Slika 4: MINIMOS - Simulacija odvisnosti pragovne napetosti od doze implantacije
3.2	BAMBI
Program BAMBI (Basic Analyzer of MOS and Bipolar Devices) je bil razvit na dunajski Visoki tehniški šoli in je primeren za simulacijo poljubno oblikovane polprevodniške strukture z več dielektriki£24J. Program sam uravnava časovni korak pri transientni analizi in uporablja metodo "končnih škatelj", ki je optimizirana izpeljanka dvodimenzionalne metode končnih diferenc £25j .
Programski paket BAMBI uporablja običajni trodelni pristop, saj je sestavljen iz vhodnega procesorja, numerične-ga procesorja in izhodnega procesorja. Slednji pripravi tudi ustrezne datoteke za grafični postprocesor (na primer MOSPLOT).
Uporabnik lahko preko zunanjih datotek (v obliki fortran-skih podprogramov) definira porazdelitve primesi, gibljivosti nosilcev naboja, hitrost generacijc/rekombinacije in intrinzično število.
Izhod programa so numerične vrednosti spremenljivk v mrežnih točkah strukture ter vrednosti tokov na priključnih sponkah simulirane polprevodniške strukture.
3.3	HALVFEM
Program HALVFEM je bil razvit na Kraljevi tehniški viso-
ki šoli v Stockholmu na Švedskem in je namenjen analizi polprevodniških struktur, ki jih definira uporabnik C 28'3.
Poissonova enačba in kontinuitetni enačbi nosilcev naboja se rešujejo numerično v dveh prostorskih dimenzijah in niso omejene na silicij kot polprevodnik ali na pravokotno geometrijo simuliranega področja. Tudi ta programski paket je razdeljen na vhodni procesor, numerični del in post-procesor, ki ga uporabljamo za prikaz rezultatov. Kot sem že omenil, je taka razdelitev značilna tudi za druge programske pakete, saj omogoča dovolj optimalno izkoriščenost računalniške strojne opreme in primeren prikaz rezultatov, ki jih potrebuje razvijalec/uporabnik.
Slika 5 prikazuje modula programa HALVFEM, povezave med njimi ter vhodne in izhodne podatke. Uporabnik s pomočjo modula MATP definira geometrijo polprevodniškega elementa, mrežo trikotnih končnih elementov ter potrebne snovne in modelne parametre. Enodimenzionalne porazdelitve primesi podamo lahko tudi preko ustrezno for-matiranih datotek, ki jih generirajo procesni simulatorji, na primer SUPREM 11 za primer elementov na osnovi silicija.
Modul FEMA na osnovi podatkov, ki jih pripravi modul MATP ter na osnovi robnih in začetnih pogojev (napetosti na sponkah), ki jih poda uporabnik, reši osnovne polpre-
206
vodniške enačbe. Izhodni rezultati modula so vrednosti potenciala in obeh kvazi-Fermijevih potencialov (za elektrone in vrzeli) v mrežnih točkah. Slika 7 prikazuje primer mreže končnih elementov v primeru simulacije tranzistorja MOS. Sam paket omogoča tudi transientno analizo, kar smo uporabili pri študiju tiristorskega pojava v strukturah CMOS.Kot sem že omenil, služijo izhodni podatki iz programa SUPREM 11 za generiranje dvodimenzionalnih porazdelitev primesi v primeru simulacij na siliciju.
Modul IPP služi za izpis in izris rezultatov. Program je sklopljen tudi s simulatorjem električnih vezij SPICE (verzija 2G.5). Rezultate simulacij lahko tako prikažemo kot kvazi-tridimenzionalne porazdelitve računanih količin
nad strukturo, kot dvodimenzionalne porazdelitve potenciala in drugih količin v strukturi, kot enodimenzionalne poteke računanih količin v želenem preseku dvodimenzionalne strukture ali pa kot poteke tokov in nabojev na sponkah strukture v odvisnosti od napetosti na njih.
Programski paket je bil uspešno uporabljen za vrsto primerov optimizacije različnih polprevodniških struktur FETL18, 29, 30J, ki so bile realizirane tudi eksperimentalno tako na siliciju kakor tudi na galijevem arzenidu.
Slika 6 prikazuje izhod programskega modula IPP za primer prikaza poteka ekvipotencialnih črt v tranzistorju MOS s kratkim kanalom .
START
3E
STOP
INPUT: GEOMETRIJA, SNOVNI PARAMETRI	-	MATP
		O
OUTPUT'		
KARAKTERISTIKE I-1CV)		FEMA
		
OUTPUT' 2D IN 3D PORAZDELITVE KOLIČIN	-	IPP
DISKOVNE DATOTEKE
Dl SKCVNE DATOTEKE
Slika 5: HALVFEM - shema modulov programa in povezav
207
X C /cm 3
Slika 6: HALVFEM - Potek ekvipotencialnih črt v tranzistorju MOS: Lm» 1 um , Ves = 5 V, Vgs = 2.5 V.
					m\^				
		-.—-J							
		1						_____	
	——				MZ			-—	___—'j
							^—^		^——
					Kvjnp^				
									
					SI/				
			\	1M	it/				
				m	ii/				
			\	B	M/				
		\	X , \	1	«I/				
			i; \	%	m	/			
		\ \	\ \	i	m	v	/		
	\	X X \ \i	\	i	m	v	/		
Slika 7: HALVFEM - Primer mreže končnih elementov pri simulaciji tranzistorja MOS
3.4 V LSI C AP
Programski sistem VLSI CAP je bil razvit na dunajski Visoki tehniški šoli in podpira analizo kapacitivnosti povezav in spojev v zelo obsežnih integriranih vezjih £27 j. Tudi tu rešujemo Poissonovo enačbo v sistemu polprevod-
nikov, izolatorjev in prevodnikov (kontaktov) ob znani porazdelitvi primesi v polprevodniku.
Dvodimenzionalno področje, ki predstavlja presek pol-prevodniške strukture, je poligon, ki ga prvi programski modul MESHCP avtomatsko pretvori v mrežo trikotnih končnih elementov, ki imajo bikvadratne baži-one funkcije.
Naslednji modul, VLS1CP, izračuna porazdelitev potenciala, energijo ter površinsko oziroma prostorsko gostoto naboja. Mreža trikotnih končnih elementov se pri tem avtomatsko gosti, kar omogoča enakomerno porazdelitev diskretizacijskih napak po simuliranem področju. To praktično pomeni gostitev mreže v področjih velikih gradientov računanih spremenljivk.
Kakor smo vajeni že pri ostalih simulacijskih programih, vodi postprocesor, v tem primeru modul POSTOP, do končnega rezultata. Rešitev linearnega sistema oblike: 2 -a	—i
U • C = 2 • W nam da neznani vektor koeficientov kapacitivnosti C na osnovi vektorja energije W in potencialne matrike U.
Slika 8 prikazuje preprost model polprevodniške strukture, kjer imamo tri kontakte, polprevodnik in dva dielek-trika.
208
Slika 8: VLSICAP - primer preseka simulirane polprevod-niške strukture
CONDITIO»-* 4.546465E-01
COEFFICIENTS OF CAPACITANCE (F/M)
Omenjeni programi so bili implementirani na centralnem računalniku Iskre DO Mikroelektronika DEC VAX 11/780 z operacijskim sistemom VMS 4.3. Slika 10 prikazuje shemo celotnega računalniškega sistema. Sani računalnik jo o|>i ' niljen z enoto za hitre operacije s plavajočo vejico (FP-\) in ima 6 MB centralnega pomnilnika ter 1,4 GB kapacitete na diskih. Ker je računalnik s svojo specifično grafično periferno opremo in 7 delovnimi postajami namenjen predvsem distribuiranemu načrtovanju uporabniških vezij v Iskri, so vsi omenjeni programi prirejeni za paketno obdelavo izven konic obremenitve centralne procesorske enote. Tak način dela je priporočljiv za programe HALVFEM, MINIMOS, BAMBI , PROMIS in VLSICAP, medtem ko je možno programa SUPREM in SAMPLE uporabljati interaktivno. Računalniško omrežje v Iskri ter načrtovana povezava med centralnim računalnikom Iskre DO Mikroelektronika in Univerzitetnim računskim centrom v Ljubljani bodo omogočili večje izkoriščanje si-mulacijskega paketa v raziskovalne in pedagoške namene.
Program SUPREM II (pa tudi verziji I in III) uporablja numerično metodo končnih diferenc \ eni dimenziji za reševanje nelinearne difuzijske enačbe. Posebnih numerič-nih problemov tudi v tem primeru ni, saj je število mrežnih točk pri enodimenzionalni diskretizaciji majhno, u-rejenost lineariziranega sistema pa omogoča hitro pot do rezultatov.
C 1 2 = 4,3197E-11 C 1 3 = 7. 1802E-11 C 2 3 --■ 9 .61(>3E-1 2
Slika 9: VLSICAP - koeficienti kapacitivnosti za primer na sliki 8.
4. RAČUNALNIŠKA STROJNA OPREMA
Prav dostopnost in večia zmogljivost računalniške strojne opreme je znatno pripomogla k razširjenosti računalniške programske opreme za področje simulacije polpre-vodni.sk ih procesov in elementov. Kot smo videli iz kratkega opisa strukture programov, uporabljajo le-ti različne numerične metode pri diskretizaciji zadanega fizikalnega problema.
Program SAMPLE (verzija 1.2) ne zahteva posebnih metod numerične anali/e pri izračunu parametrov osvetljevanja oziroma razvijanja fotopolinic i,>v, tako da lahko program uporabljamo za interaktivno delo.
Program MINIMOS uporablja neenakomerno mrežo končnih diferenc v dveh dimenzijah. Kot Lak je program primeren za delo v paketni obdelavi na sistemih s pospeše-valnikom operacij s plavajočo vejico.
Program BAMBI (l.O) (predvsem njegov numerični del) zahteva že več računalniškega časa in ga je smiselno izvajati v paketnem načinu. Program HALVFEM (7.5) je od vseh opisanih programov najzahtevnejši glede računalniškega casn. Uporabnik sam pa lahko optimizira mrežo elementov in s tem velikost nelinearni-ga sistema. Seveda lahko uporabimo, na primer pri simulaciji tokov na sponkah tranzistorja MOS redkejšo mrežo, ne da bi bistveno
20')
vplivali na točnost rezultatov. Pri študiju gostote toka v samem tranzistorju MOS ali pa pri analizi preboje, pa u-porabimo gostejšo mrežo v področju pričakovanih večjih gradientov računanih '-.oličin.
Program PROMIS je moč izvajati interaktivno (ob majhni porabi računalniškega časa) za večino primerov procesne
simulacije1. Zahtevnejše primere izvajamo v paketnem načinu.
Program VI.SICAP )e že po zasnovi primeren za paketno obdelavo, saj je tudi tu numerični del zasnovan na metodi končnih elementov. Kot tak je po porabi računalniškega časa primerljiv s programom PROMIS.
Procesor 711 Versatec
PLOTEIJ Versotee
LP26 Sistemski printer
o
Tračna enota TEU 77
	DZ
	11x4
UNI8US	DZ
	32
	DMF
	32
—d S.
v_A iiispfc
v T220 DUply TELEVIDEO Display 1600 SIDS Display
TEK Grafični ny
Moden
LA 100 ppera,teraka Konzola
LSI 11
! VAX li/xx:
A:
.j------
CPU VAX 11/780
--Cm
kn
VT 220
Moina priključitev
drugega sistemskega printerja
STAR COUPLER

BSC 50
RA 81 Disk
LA IZ
Servisna konzola
RA 81 Disk
■RA 81 Disk
Slika 10: Računalniški sistem
5. SKLEP
Članek prikazuje uporabo programske opreme za simulacijo polprevodniških procesov in elementov v razvojnem industrijskem okolju. Opisani programski paketi in povezave med njimi omogočajo razvojnim inženirjem hitro in kvalitetno delo pri razvoju novih tehnoloških procesov ter pri optimizaciji posameznih polprevodniških struktur.
Iskre DO Mikroelektronika
Implementacija programov na zmogljivem mini-računal-niku nudi možnost širokega in hitrega izkoriščanja programov in analize simulacij. Podani primeri kažejo, da večina programske opreme zadošča trenutnemu tehnološkemu stanju v Iskri. Vsekakor pa tehnološki razvoj na področju izdelave zelo obsežnih uporabniških integriranih vezij narekuje tudi nekatere posodobitve na področju, ki je opisan v tem članku.
6. /4. H VALA
Veliko rezultatov, prikazanih v tem čla-ku, je lahko nastalo le na osnovi mojega dolgoletnega sodelovanja z raziskovalnimi skupinami v ZDA, v Avstriji in na Švedskem.
Prof. R. Duttcn s Stanfordske univerze v Kaliforniji je o-mogcril razširjeno uporabo programa SUPREM II .
Stalni stiki s skupino prof. S. Selberherrja na dunajski tehniški visoki šoli so omogočili izkoriščanje programov MINI MOS, BAMBI, PROM1S in VLSICAP ter grafičnega post) rocesorjn MOSPLOT.
Dr. T. Arnborg (RIFA. Stockholm, Švedska) me prijazno oskrbuje z novimi verzijami programa HALVFEM.
Programski inženirji Iskra DO Mikroelektronika so poskrbeli za primerno računalniško strojno okolje, v katerem učinkovito uporabljamo prikazano programsko opremo.
. LITERATURA
1.	S. M. Sze Editor, VLSI Technology, McGraw-Hill, New York, 1983
2.	W. Fichtner et al. , The Impact of Supercomputers on IC Technology Development and Design, Proceedings of I EE, Vol. 72, No. 1, str. 96-112, 1984
3.	W.L. Engl, Editor, Process and Device Modeling, North-Holland, Amsterdam, 1986
4.	K.M. Cham, S.-Y. Oh, J.L. Moll, Computer-aided design in VLSI device development, IEEE J. of Solid-State Circuits, Vol. SC-20, str. 495-500, 1985
5.	W. Juengling et al. , Simulation of Critical IC Fabrication Processes Using Advanced Physical and Numerical Methods, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-32, No. 2, str. 156-167, 1985
6.	J. Lorenz et al. , COMPCSITE - A complete modeling program of silicon technology, IEEE Trans, on Electron Devices, Vol. ED-32, str. 1977-1986, 1985
7.	F. Runovc et al. , Računalniško podprto načrtovanje proizvodnje in elementov integriranih vezij, Poročilo razvojne naloge 2/84, SOZD Iskra, Ljubljana, marec 1985
8.	D.A. Antoniadis et al. , SUPREM I — A program for IC process modeling and simulation, Standford Electronics Laboratories, Stanford University Technical Report No. 5019-1, maj 1977
9. D.A. Antoniadis et al. , SUPREM 11 — A program for /C process modeling and simulation, Stanford Electro nics Laboratories, Stanford University Technical Report No. 5019-2, junij 1978
10.	C.P. Ilo and S.E. Hansen, SUPREM III — A program for integrated circuit process modeling and simulation, Stanford Electronics Laboratories, Stanford University Technical Report No. SEL 83-001, julij 1933
11.	P. Pichler et al. , Simulation of critical IC-fabrica-tion steps, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-32 No. 10, str. 1940-1953, 1985
12.	R.W. Dutton, Modeling of the silicon integrated-cir-cuit design and manufacturing process, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-30, No. 9, str. 968-986, 1983
13.	A. Vodopivec, Diplomsko delo, Fakulteta za elektro-tehniko, Ljubljana, 1984
14.	W.G. Oldham et al. , A General Simulator for VLSI Lithography and etching Processes: Part I - Application to Projection Lithography, IEEE Transaction on Electron Devices, ED-26, No. 4, str. 717-722, 1979
15.	M.P.C. Watts, Analytical model of positive resist development applied to linewidth control in optical lithography, J. Vac. Sei. Technol., Vol. B 3 (l), str. 434-440, 1985
16.	A.C. Neureuther, Process Modeling and Topography Design, Proceedings of IEEE, Vol 71, No. 1, str. 121-128, 1983
17.	F. Runovc and T. Jutraz, Characterization of mask aligners by a photoresist process simulator, sprejet referat za MIEL'86, Beograd
18.	F. Runovc, Doktorska disertacija, Fakulteta za elek-trotehniko, Ljubljana, Jugoslavija, 1982
19.	C.R. Ratferty et al., Iterative methods in semiconductor device simulation, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-32, str. 2018-2027. 1985
20.	S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconduc tor Devices, Springer-Verlag, Wien, 1984
21.	P.A. Markowich, The Stationary Semiconductor Device Eguations , Springer-Verlag , Wien, 1986
22.	S. Selberherr, Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren, Dissertation, Technische Univer-sitaet Wien, Dunaj, januar 1981
23.	C . Heinze et al. , MOSPLOT - A software package for the graphical presentation of MINI MOS results, Technical University Vienna, Department for Applied and Numerical Mathematics, Dunaj, 1985
24.	A.F. Franz and G.A. Franz, BAMBI 1.0 - Basic analyzer of MOS and bipolar devices, Technische Univer-sitaet Wien, marec 1985
25.	A. Franz et al. , Firite Boxes - A Generalization of the Finite-Difference Mathod Suitable for Semiconductor Device Simulation, IEEE Trans. Electron Devices , Vol. ED-30, No. 9, str. 1070-1082, 1983
26.	P. Pichler, PROMIS 1.0, Technische Universitaet Wien, Austria, 1985
27.	F. Straker, VLSICAP VI.3 User's Guide, Technische
211
Universitaet Wien, Austria, april, 1986
28.	T. Arnborg, Two-dimensional analysis of semic onductor structures using the finite element method, Report TRITA-TDE-8201, Department of Applied Electronics, Royal Institute of Technology, Stockholm, feb-ruar 1982
29.	F. Runovc , T. Arnborg, K. Bjoerqvist., Experimental behaviour and two-dimensional simulations of MOS transistors in weak inversion region, Int. J. Electronics, Vol. 51, No. 3, str. 221-224. 1981
30. F. Runovc, Continous model for the gate-induced charge in short- channel MOSFETs, Electronics Letters, Vol. 17, No. 18, str. 636-638, 1981
Avtorjev naslov: d<x . dr. Franc Runovc
Iskra - DO Mikroelektronika Stegne 15 d 61000 LJUBLJANA
POKRETLJIVOST ELEKTRONA U PLAZMI ARGONA N. V. Novakovič, S. M. Stojilkovič
SADRŽAJ - U ovom radu je analizirana pokretljivost elektrona u plazmi argona različitog stepena jonizacije, zasnovana na korigovanoj vrednosti Debye-evog radijusa elektrostatičkog ekraniranja. Plazma je tretirana slabo ne-idealnom. Analiza je izvršena u temperaturskom intervalu od 2000 do 20 000 K za različite pritiske, jednake ili manje od normalnog atmosferskog pritiska.
ABSTRACT - In this paper electron mobility in argon plasmas of various degrees of thermal ionization are evaluated with the aid of a revised definition of the Debye radius permitting to treat these plasmas formally as weakly non-ideal. The analysis is carried out for temperatures ranging from 2 000 to 20 000 K and for various initial pressures, equal to or smaller than the normal atmospheric pressure.
1. UVOD
Primena niskotemperaturne plazme za dobijanje jakih izvora zračenja uslovila je veliko interesovanje za eksperimentalno, i teorijsko-numeričko ispitivanje višekompo-
nentnih sistema u plazmi, a posebno u inertnim gasovima. Stoga su transportne osobino inertnih gasova u večini tehnoloških procesa od izuzetnog značaja i stalni su predmet proučavanja u fizici plazme. Eksperimentalni i teorijski podaci o transportnim koeficijentima se veoma razlikuju iz dvojakih razloga: nepouzdanost eksperimenta i nedo-statak korektnog teorijskog modela. Zato su činjeni i još uvek se čine mnogobrojni pokušaji da se problem neslaga-nja rezultata sagleda kompleksnije i pronadju odgovaraju-ča rešenja.
Najčešče primenjivani model za teorijsko-numeričko ispitivanje višekomponentnih plazmenih sistema je poznati model lokalne termodinamičke ravnoteže 1.1, 23. Verova-tno zato, sto je vezan sa konkretnim karakterom samih je-dnačina konstanata ravnoteže koje operišu neposredno sa koncentracijama komponenata ravnotežnog sastava.
Definitivno je, medjutim , konstatovano da postoji pojava neidealnosti u plazmi argona dobijenoj impulsnim pražnje-njem f 3S . Ova pojava stvara izvesna ograničenja u pogledu primenljivosti pristupa za odredjivanje transportnih karakteristika, bar u večini slučajeva.
212
Ovaj rad sadrži neke rezultate o transportnim osobinama plazme argona, koji su dobijeni numeričkitn postupkom. Analiza je izvršena za temperatursko područje od 2 000 do 20 000 K za različite pritfske. Posebno je istaknut uticaj izbora preseka elastičnog rasejanja elektrona na atomi-ma argona kao i problem neidealnosti plazme argona.
2. POKRETLJIVOSTI ELEKTRONA I DEBYE-EV RADI JU S
PLAZME
Ravnotežni sastav plazme je odredjen na osnovu jednačina kojima se izražava elektroneutralnost plazme, održanje broja teških čestica i zakon dejstva masa za procese prve, druge i trece jonizacije argona. Da bi se mogle koristiti korigovane formule Saha, neophodno je što precizni je poznavanje Debye-ovog radijusa plazme, jer kao mera neidealnosti može da posluži broj čestica u Debye-evoj sferi £3 j
Nr
4 it 3
T "erD
(2.4)
Pokretljivost elektrona u plazmi intermedijarnog stepena jonizacije u čistom argonu zavisi od koncentracija konsti-tuenata plazme i njihovih srednjih kolizionih učestanosti i računata je po formuli 4 3
v
4 ne 1 j. __d_ _
3m n dvU (v) e e o
f°°(v)dv,
(2.1)
gde je f (v) Maxwell-ova funkcija raspodele po brzinama, atr (v) je koliziona učestanost elektrona brzine v sa elektronima, atomima i jonima, tj.
v (v)
2trEniQei (v) v, i
(2.2)
gde su Qej(v) odgovarajuči efikasni preseči, zavisni od brzine elektrona.
Elektron-jonska i elektron-elektronska koliziona učestanost (tj. odgovarajuči preseči) zavise od Coulomb-ove interakcije elektrona sa jonima plazmeC53, a elektron-atomska koliziona učestanost zavisi od koncentracije neu-trala i preseka elastičnog rasejanja elektrona na atomima. Stvarna zavisnost elektron-atomskih sudarnih preseka od brzine kod argona je kao i kod ostalih inertnih gasova slo-žena, izmedju ostalog i zbog izraženog Ramsauer-ovog minimuma. Ovom prilikom je za odredjivanje preseka ko-riščena poluempirijska formula oblika £6 "J
Q (v) = Aexp(-Bv2)+C(v2)dexp(-Fv2),	(2.3)
ea
gde je n^ koncentracija elektrona, a r^ radijus elektro-statičkog ekraniranja u plazmi. On se obično izračunava po formuli f.83
E kT
o
"D " ne(1+zeff)'
(2.5)
i zavisi od temperature i koncentracije konstituenata plazme. Na rastojanjima reda veličine r^ može se smatrati da je "oblak" u potpunosti ekranirao polje centralnog jona. Stoga, iako su Coulomb-ove sile dugog dometa, svaka na-elektrisana čestica plazme interaguje samo sa onim na-elektrisanim česticama koje se nalaze u Debye-evoj sferi opisanoj oko naelektrisane čestice. Teorija elektrostatič-kog ekraniranja je strogo primenljiva kada je broj naelek-trisanih čestica u sferi Debye-evog radijusa mnogo veči od jedinicer.33 . U cilju ispitivanja pouzdanosti informacija o slaboj neidealnosti plazme, nameče se problem de-taljnije analize Debye-Hückel-ove teorije, odnosno odredji-vanja radijusa elektrostatičkog ekraniranja.
Zbog obimnosti matematičke procedure u izvodjenju izraza za Debye-ev radijus elektrostatičkog ekraniranja, ov-de je dat samo konačan izrazC9j
4it (£QkT)'
D 4it (EQkT) 3/2te2ne (l+zeff) 11/2+e4z*f fneQ'
(2.6)
gde su koeficijenti A, B, C, F i d numerički odredjeni iz
zahteva najboljeg slaganja sa podacima iz eksperimentalno
nih merenja. Shodno tome, nadjeno je A=8.05-10 , B-7.79-10"11, C=2.81-10-12, d-1.74, F=3.87-10~13 za
jednu grupu eksperimentalnih merenja 6 i A=2.00-10 B=7.10-10~10, C=4.40-10" drugu grupu podatakaL73.
-20
-10	-12	-13
B=7.10-10 , C=4.40-10 , d-1.50, F=4.27-10 za
gde je
Q = 1. 352 + 2 In (r^/r^ ,
(2.7)
a r. radijus jona. Na osnovu izraza (2.6) može se odre-
^	H
djivati ne samo NQ, več i ostali parametri neidealnosti, izmedju ostalog i Coulombov logaritam za analizu interakcije medju naelektrisanim česticama.
213
3. ANALIZA REZULTATA
Grafik zavisnosti pokretljivosti elektrona od temperature
4
dat je na slici 1 za pocetne pritiske p=2.67-10 Pa,
4	5
p=4.01-10 Pa i p=l.01 • 10 Pa. Pokretljivost elektrona
opada sa porastom temperature zbog povečanja koncentracije naelektrisanih čestica u plazmi. Ona ima največe vrednosti za najniže pritiske (oko 200 torr-a), a za pritisak p=1.01-105 Pa najniže vrednosti. Sa slike se takodje vidi da pritisak argona, koji je uzet kao početni, ne utiče bitno na pokretljivost elektrona u onoj meri u kojoj se to oče-kuje. Sniženjem pritiska se, na osnovu izračunatih vrednosti , ne može očekivati linearno povečanje provodnosti elektrona, a naročito do pritiska p=4.01-10' Pa. Tako, na primer, na temperaturi od 10 000 K odnos pokretljivosti na
4	5
pritiscima p=2.67.10 Paip=1.01-10 Pa iznosi 2.9 , a
4	5
na pritisku p=2.67-10 Pa i pritisku p=4.01 • 10 Pa je čak
1.3. Medjutim, na temperaturama iznad 10 000 K preo-
vladjuju elektron-jonski i elektron-elektronski sudari,
bez obzira na vrednosti odabranog pritiska, što se vidi
na slici 1. Procesi rasejanja jona na atomima i jon-jon-
ski sudari nisu uzeti u obzir.
Sl.l Zavisnost pokretljivosti elektrona od temperature na razli-čitim pritiscima
Od velikog značaja za odredjivanje pokretljivosti elektrona u plazmi inertnih gasova (naročito argona zbog veče energije jonizacije) je uticaj preseka elastičnog rasejanja elektrona na atomima. Stoga je, u svim numeričkim po-stupcima ovakve vrste, veoma važan izbor vrednosti preseka elektron-atomskih sudara. Dva primera izračunatih
vrednosti /.a pokretljivost elektrona na temperaturama od 2 000 do 20 000 K za dva granična pritiska su data na slici 2,
SI.2 Zavisnost pokretljivosti elektrona od temperature za različite preseke rasejavanja elektrona na atomima argona (a i o - C6J, a i i A - C73)
pri čemu su koriščene eksperimentalno dobijene vrednosti za preseke različitih autora[16, 7 ju poluempi-rijskoj formuli (2.3). Ovi primeri očigledno pokazuju koliko je važno da se ispita uticaj preseka elektron-atomskih sudara, dobijenih iz više različitih eksperimentalnih merenja, pa nakon toga bi moglo i smelo da se govori koliko su pouzdani teorijsko-numerički podaci o transportnim osobinama plazme argona i o smislu njihovog pore-djenja sa eksperimentalnim merenjima.
Broj čestica u Debye-evoj sferi N^ i N* dat je u Tabeli 1 i ukazuje da se korigovanom vrednišču Debye-evog radi-jusa dobijaju veoma zadovoljavajuča rešenja. Shodno to-me, popravke ovakve vrste za plazmu argona predstavlja-ju veču mogučnost primene teorije slabe neidealnosti plazme argona na različitim pritiscima.
Jedan od kriterijuma za primenu Maxwell-ove funkcije raspodele elektrona po brzinama se definiše na osnovu odnosa kolizionih učestanosti elektrona sa teškim čestica-ma u plazmi i elektron-elektronske učestanostiElOT
k ^ vee
(k=l,2,...,4),
(3.1)
gde je m^ masa elektrona, a m^ masa teških čestica u plazmi. Dobijene vrednosti za £ (Tabela l) pokazuju da je opravdano primemenjena Maxwell-ova funkcija raspo-
214
Tabela 1 Broj čestica u Debye-evoj sferi i kriterijum primeriljivosti Maxwell~ove funkcije raspodele (p=2. 67- 104 Pa)
t, k	nd	%	6-10 5
2 000	951	987	28. 60
4 000	673	682	6. 34
6 000	369	378	4. 32
8 000	75	84	3. 38
10 000	31	38	3. 16
12 000	17	24	3.14
14 000	12	19	3. 02
16 000	9	16	2. 87
18 000	8	14	2.63
20 000	7	14	2.58
dele elektrona po brzinama prilikom izračunavanja po-kretljivosti elektrona, a tirne i ostalih transportnih koe-ficijenata. Ovaj uslov je teže zadovoljiti u opisanoj plazmi, jer su teške čestice atoma i joni argona.
4. ZAKLJUČAK
Izračunate vrednosti pokretljivosti elektrona i ostalih pratečih parametara koji karakterišu plazmu argona na nižim pritiscima od normalnog pritiska i na temperaturama od 2 000 do 20 000 K mogu korisno da posluže prilikom izbora i analize podataka u eksperimentalnim uslovima. Ovim pristupom u numeričkoj analizi plazme (i plazme uopšte) dobija se obilje podataka, od kojih svaki na svoj način može da doprinese rešavanju prisutnih problema u fizici plazme. Izmedju ostalog, u ovom radu se ukazuje na vel.iku ulogu. atoma u plazmi argona intermedijarnog stepena jonizacije i stoga se elektron-atomski sudari ni-kako ne smeju zanemariti. Ovo znači da je neophodno is-
pitati u svakom slučaju ponaosob mogučnosti i načine izbora preseka elastičnog rasejanja elektrona na atom ima. Vredna pažnje je i činjenica da se korigovanom vredno-šču Debye-evog radijusa mogu na zadovoljavajuči način fxnneriti g ranice pri meni jivosti teorije slabe neidealno-sti za mnoge plazmene sisteme prilikom odredjivanja lokalnih parametara plazme.
LITERATURA
1	Bokova N.A., Ivasenko N.F., Teplophys.Vys.Temp. 13(1975) 241.
2	Haris L.P., J. Appl. Phys., 34 (1963) 2958.
3	Kaklyugin A.S. , Norman G.E. , Teplophys. Vys. Temp., 11 (1973) 238.
4	Huxley L.G.H. , Crompton R.V. , The Diffusion and Drift of Electrons in Gases. John Wiley and Sons, New York, 1982.
6	Vukovič S. M., Tenzor elektroprovodnosti plazme internih gasova intermedijalnog stepena jonizacije. Mag- rad, Beograd, 1971.
7	Havashi M., Recommbination Values of Transport Cross Section for Elastic Collision. Ngova, 1979.
8	Griem H.R., Plasma Spectroscopy. McGraw-Hill, New York, 1964.
9	Milic B.S. , Novakovič N.V. , Stojilkovič S.M. , Transport Properties and Weak Non-idealiti in Xenon and Argon Plasmas of Intermediate Degree of Ionization (pripremljen za štampu).
10 Mitchner M. , Kruger Ch.H. , Partially Ionised Gases. John Wiley et Sons, New York, 1973.
215
RF PLAZMA KAO TEHNIKA ZA NAGRIZANJE MATER IJ AL A U MIKROELEKTRONICI
B. Jelenkovič, S. Radovanov, Z. Petrovič
UVOD
Reaktivno jonsko nagrizanje (RJN) i plazma nagrizanje (PN) su takozvane suve tehnike koje se danas široko kori-ste za nagrizanje Si i SiO^ ali i drugih poluprovodničkih materijala i metala koji se primenjuju u mikroelektronici (Tabela l). RF plazma je našla ovu primenu zbog moguč-nosti nagrizanja poluprovodnika na nižoj temperaturi i zbog preciznog i reproduktivnog dobijanja ^um slika sa kontrolom pravca nagrizanja u odnosu na bočne ivice za-štitnih maski. PJN i PN se dopunjuju u ispunjavanju najva-žnijih zahteva kod nagrizanja poluprovodnika: selektivnosti i anizotropije. Potpuno izotropno nagrizanje je problem koji sprečava razvoj električnih kola vrlo visokog stepena integracije (VLSI). Taj problem se rešava primenom RJN.
Tabela 1: Relativne brzine nagrizanja materijala u mikroelektronici pomoču CF -t- 4 % O plazme 1
SiN	100
Si (111)	690
Si (poli)	990
Sio2	40
w	100
Mo	100
Ti	100
Ta	100
1. FIZIKA RF PLAZME ZA NAGRIZANJE
Do nagrizanja dolazi kada reaktivne čestice iz plazme u reakciji sa filmom poluprovodnika stvaraju isparljive sup-stancije koje se zatim uklanjaju iz reaktora. U slučaju ga-sa koji se najviše koristi, CF^, jer je netoksičan ne koro-zivan i omogučava uniformno nagrizanje, proces se odvija kroz stvaranje atoma F kao aktivne čestice u nagriza-
nju, zatim kroz reakciju sa Si i formiranje isparljivog SiF^ koji se ispumpava iz vakuum sistema.
Neke osobine elektrodnog RF praznjenja omogučile su nje-govu primenu za nagrizanje. Kao posledica velike pokret-ljivosti elektrona RF tinjavo praznjenje uspostavlja se na manjim gustinama gasa (l torr). Tinjavi deo praznjenja karakterišu onda visoke naravnotežne vrednosti redukova-nog električnog polja E/n (> 1000 Td, 1 Td=10_21Vm2)£:2j.
Energijska raspodela elektrona pomera se ka večim vred-nostima energije u odnosu na tinjavo DC praznjenje. Povečava se brzina odvijanja neelastičnih procesa preko ko-jih se stvaraju aktivne čestice za nagrizanje.
Druga osobina od interesa koja je posledica veče pokret-ljivosti elektrona od jona u RF električnom polju je samo-polarizacija elektroda u odnosu na potencijal plazme tin-javog dela praznjenja. Kada se elektroda kapacitivno spre-gne sa RF generatorom onda se ona polariše negativno u odnosu na plazmu£31'. Postajanje jednosmernog polja u elektrodnoj oblasti ubrzava pozitivne jone iz plazme prema ploči fiksiranoj za elektrodu. To ima povoljno dejstvo jer omogučava anizotropiju kod nagrizanja i menja brzinu nagrizanja.
Nagrizanje materijala u RF praznjenju odvija se kroz nekoliko procesa koji sukcesivno teku. 1) Proces u tinjavom delu pražnjenja koji uključuje jonizaciju odnosno elektron-sku multiplikaciju kao i stvaranje aktivnih čestica iz inert-nog gasa ubačenog u sistem sa RF praznjenjem. Aktivne čestice mogu da budu atomi, radikali, pozitivni i negativni joni i pobud jeni molekuli. 2) Proces transporta jona i aktivnih čestica prema poluprovodničkoj ploči pri čemu je za transport jona značajno postojanje električnog polja u elektrodnoj oblasti. 3) Proces adsorpcije aktivnih čestica, njihova reakcija sa materijalom površine; i desorpcija pro-dukata.
216
U ovom momentu rezultati primene ove tehnike idu ispred razumevanja pomenutih fundamentalnih procesa kroz koje se odvija nagrizanje. Njihovo poznavanje je medjutim ne-ophodno da bi se izvršila potpuna karakterizacija plazme i dalja optimizacija nagrizanja. Tako imamo dva snažna razloga koji motivišu veliki broj fizičara u svetu da se ba-ve problemima ove plazme: dosta nerazjašnjenih procesa i velika materijalna ulaganja industrije poluprovodnika.
2. RF PLAZ MA UREDJAJ
RF plazma reaktor sa paralelnim elektrodama kakav se cesto koristi za nagrizanje, šematski je prikazan na SI. 1. Zbog razlike potencijala napajane i uzernljene elektrode u odnosu na potencijal plazme postoje i razlike u nagriza-nju zavisno na kojoj je elektrodi ploča. Ukoliko je ona na napajanoj elektrodi (kao na slici 1. ) onda je to RJN. U
vakuum pumpa
Slika 1: Šematski prikaz RF plazma uredjaja za nagrizanje
slučaju ploče na uzemljenoj elektrodi u čijoj oblasti je vrednost električnog polja manja nego u oblasti ispred napajane elektrode, dobija se drugačiji vid nagrizanja,to je PN.
Uloga jona u RJN nije sasvim jasna. Ne radi se o fizič-kom raspršivanju več verovatno o nekoj vrsti obrade površine pri čemu joni čiste površinu od nataloženih nevola-
tilnih jedinjenja ili polimera ili prirodnog oksidaC4jotva~ rajuči pri tom nova mesta na površini Si za F-Si reakcije.
Materijal za vakuum komoru je nerdjajuči čelik a metal se obično koristi i kao nosač ploče jer je dobar rezervoar toplote. Metal mora da bude čist da bi se sprečila kontaminacija poluprovodnika usled raspršivanja metala nosača. Pritisak gasa (ili smese gasova) u reaktoru je parametar koji bitno utiče na osobine nagrizanja. Vrednost pritiska je izmedju 20 - 200 mtorra za RJN a 2 - 5 puta je veči kod PN. Drugi važan parametar je veličina potencijala samo-polariz.acije elektrode koji obično iznosi nekoliko stotina volti za napajanu elektrodu. Brzina nagrizanja se može meriti laserskom interferometrijom.
3. OSOBINE NAGRIZANJA
U procesu nagrizanja potrebno je da istovremeno bude is-punjeno nekoliko zahteva: selektivnost, anozotropija i velika brzina.
Selektivnost pri nagrizanju znači da je brzina nagrizanja jednog materijala dovoljno drugačija od brzine nagrizanja drugog. U mikroelektronici to može da znači da brzina sa kojom se nagriza polikristalni Sj za MOSFET mora da bude veča od brzine nagrizanja fotorezista koji služi kao maska i SiO^ koji je podloga. Nekad je zahtev obrnut i potrebno je SiO^ selektivno nagrizati u odnosu na masku i Sj podlogu kao u slučaju odredjivanja izolacione oblasti izmedju tranzistorskih elemenata i otvaranja kontakta gej-ta. Dva načina nagrizanja koja se vrše RF plazmom raz-likuju se prema brzini kojom se vrši nagrizanje različi-tih materijala. PN ima malu brzinu nagrizanja SiO^ koja raste sa energijom upadnih jona da bi za uslove pritiska i snage RF generatora kod RJN brzina nagrizanja SiO^ bila veča od brzine kojom se nagriza Si. Selektivnost zatim može da se menja (i kontroliše) dodavanjem nekih gasova u odgovarajučem postotku osnovnoiri gasu. Jedan od gasova koji se dodaje CF^ da bi se povečala brzina nagrizanja Si je O^. Sa 10 % O^ u plazmi brzina se povečava do 10 putaf 6j . Kiseonik uklanja ugljenik formirajuči CO ili C02 i smanjuje rekombinaciju kojom se na površini ponovo stvara CF^. Još od ranije je poznatof. 7,1/da brzina nagrizanja SiO^ u odnosu na brzinu nagrizanja Si raste sa porastom koncentracije H najverovatnije preko veziva-
217
Šema eksperimentalnog uredjaja za nagrizanje plazmom
nja atoma F u HF (slika 2,). Jer F je aktivna čestica u nagrizanju Si dok se SiC>2 nagriza preko CF*.
rsj E e	6.00 r
	500}-
•<	4 00p
.a 6 300- N	
	200 -
O C	K» -
N
L«
JD
20 30 40 proc«nat Hj u Cf^
Slika 2: Brzina nagrizanja Si i SiO^ u CH4-H2 9asu kao
funkcija koncentracije H,
Anizotropija kod nagrizanja znači da postoji preferentan pravac duž koga se vrši nagrizanje. U mikroelektronici to obično znači da se u odnosu na površinu ploče brže odvija nagrizanje u vertikalnom nego u bočnom pravcu. Za VLSI gde je debljina poluprovodničkog filma reda veličine bočnih dimenzija izotropno nagrizanje kod PN nije odgovara-juče jer može da dodje i do gubitka željene slike (slika 3.).
(a)
(b)
Slika 3: Sematski prikaz poprečnog preseka profila pri nagrizanju: a) izotropno, b) anizotropno
218
Anizotropija nagrizanja može da bude visoko usmerena sa zanemarljivim bočnim nagrizanjem kao kod jonskog ras-pršivanja ili delimično usmereno kao kod RJN. Pokazalo se kod VLSI da je najkorisnija anizotropija RJN koja spada izmedju dva ekstrema dobijena raspršivanjem i PN i koja, što je posebna prednost plazma reaktora može da se kontroliše na načina kako je to opisano.
4. ZAKLJUČEK
RF plazma je našla široku primenu za nagrizanje materi-jala u složenim, savremenim tehnologijama izrade inte-grisanih kola. Za rešavanje problema kod VLSI RJN da-nas nema alternativu. Fizički procesi koji se odvijaju u RF plazmi i koji dovode do nagrizanja nisu dovoljno ispita-ni. U Institutu za fiziku radimo na razvoju eksperimen-talnog uredjaja sa RF plazmom kojim nameravamo ne samo da vršimo nagrizanje materijala različitim gasovima i smešama gasova več i da odredjujemo fizičke veličine za naelektrisane čestice u neravnotežnim uslovima ovog pražnjenja. Kroz poznavanje fundamentalnih procesa mo-
gu se onda planirati parametri pražnjenja i time postiči selektivnost i brzinu nagrizanja.
LITERATURA
1.	R.G. Poulsen, J . Vac .Sci.Techn. 19, 226 (1977).
2.	L.E. Kline, IEEE, Trans.Pl.Science, 14 , 145 (1986)
3.	U.S. Butler and S.S. Kino Phys. Fluids 6_, 1346 (1963)
4.	J.W. Coburn and H.F. Winters
J.Vac.Sei. Technol. 16_, 391 (1979)
5.	L.M. Ephart u ref. 3
6.	H.F. Winters, J.W. Coburn and E. Kay, J. Appl. Phys. 48, 4973 (1977)
7.	Y. Horiireand and M. Shibagaki, Suppl. Jpn. J.Appl. Phys. 15_, 13 (1976).
Adresa autora: B. Jelenkovič S. Radovanov Dr Zoran Petrovič
Institut za fiziku Maksima Gorkog 118
P.O.Box 57 11080 ZEMUN
Cenjenim bralcem in avtorjem prispevkov se opravičujemo za neljubo zamudo pri izidu današnje številke »Informacije Midem«, do katere je prišlo iz tehničnih razlogov.
Uredništvo
219
MEMBRANSKE TASTATURE
ilona Lutz, Vladimir Pantovič
Membranske tastature prvi put su se pojavile krajem se-damdesetih godina na tržištu S.A.D. Nagli rast prirnena ovih tastatura na račun klasičnih bio je prouzrokovan znatno nižim cenama. U toku sve masovnije primene, i dugo-trajnim radom proizvodjača postignuta je osim niske cene i visoka pouzdanost membranskih tastatura.
Membranske tastature namenjene su za niskonaponska kola. Nazivaju ih još i dodirnim folijskim tastaturama. Mo-gu biti izradjeni u vidu sendviča, sastavljen isključivo od folijskih materijala ili kombinacijom folijskih materijala i štampane ploče odnosno drugim kombinacijama. Sastoji se od grafičke folije, gornje i donje kontaktne folije, di-stanc folije i nosača. Provodna šara odnosno kontaktne površine se formiraju sito štampom pasti plemenitih metala na poliesterskoj, kontaktnoj foliji. Distanc folija je obezbedjena otvorima, i služi za razdvajanje gornje i donje kontaktne folije.
Grafička folija može biti poliesterska ili polikarbonatna, na kojoj su takodje sito štampom otisnute najvažnije informacije sa širokim mogučnostima funkcionalnih, estetskih i ergonomskih zahteva.
Aktiviranje se vrši laganim pritiskom na polje označeno kao taster pri čemu se kroz otvor distanc folije dolazi do spajanja gornje i donje kontaktne površine. Ostvarenje kontakta može biti pračeno svetlosnim ili zvučnim signalom. Po prestanku dejstva pritiska na "taster" kontakti se razdvajaju usled fleksibilnosti poliesterske folije. Kod kvalitetno izradjenih tastatura moguče je ostvariti više miliona električnih kontakta, bez oštečenja membranske tastature.
Danas ove vrste tastature se tretiraju kao ugradni elementi i idu u korak sa savremenom elektronikom. Praktično nalaze široko polje primene u celokupnoj elektronskoj in-
dustriji i ostalim granama tehnike, kao što su:
-	merna i regulaciona oprema
-	telekomunikacije
-	kompjuterska industrija
-	mašinogradnja
-	precizna instrumentalna oprema
-	aparati za domačinstvo
-	birotehnika
-	industrija igračaka
Oprema sa membranskim tastaturama nedvosmisleno spa-daju u klasu funkcionalno pouzdanih i savremeno dizajnira-nih uredjaja. Svakim danom primena ovih tastatura u na-šoj zemlji ima sve širu primenu.
Prednosti membranskih tastatura sa aspekta konstrukcije, dizajna, ekonomičnosti i drugih pogodnosti su sledeče:
-	ušteda u prostoru
-	kompaktna frontalna površina
-	vodo otpornost i otpornost na prašinu
-	otpornost na razne hemikalije
-	higijensko i estetski lako održljiv
-	visoka funkcionalna pouzdanost
-	dug radni vek
-	laka montaža i demontaža
-	neograničena sloboda u izboru boja i dizajna
-	povoljna cena i u malim serijama.
Najznačajnije karakteristike membranskih tastatura kod različitih proizvodjača su:
Napon prekldanja AC/DC max od 30 do 50V, min od 1
do 2V
Struja prekidanja AC/DC max od 25mA do 100mA Otpornost kontakata	od 2 Ohma do 200 Ohma
Radna sila prekidanja	od 0,3N do 5N
Radni vek sa opterečenjem od 10^ do 5.10^ ciklusa Radna temperatura	min -40°C do -25°C odnosno
max od +85°C do +100°C
220
Kapacitet tipke	20 pF
Hod tipke	od 0,1 mm do 0,3 mm
Vreme treperenja	od 1 ms do max 10 ms
Ukupna debljina tastature od 0,8 mm do 5 mm
9
Izolacioni otpor	min 10 Ohma
Zaštita od EMI i
praznjenje od ESE	primenjuju samo vrhunski
proizvodjači
Prema raspoloživim podacima u 1982 godini vrednost proizvodnje membranskih tastatura u Evropi iznosila je samo 7-8 miliona dolara. Do 1985 godine vrednost proizvodnje ovih tastatura se višestruko uvečavala. Procenjuje se da če na ovom tržištu do 1990 godine postiči ušteda usled zamene klasičnih tastatura sa membranskim u iznosu od oko 800 - 900 miliona dolara.
EI IR Institut u Beogradu je medju prvim organizacijama u zemlji razvio tehnologiju proizvodnje membranskih tastatura. Paralelno sa razvojem tastatura razvijena je i tehnologija proizvodnje srebrne paste za formiranje pro-vodnih površina na sintetičkim folijama. Za proizvodnju tastatura se skoro isključivo koriste domači materijali.
Razvijena tehnologija je proverena na velikom broju ugra-djenih tastatura u različite vrste uredjaja. Dobijeni su atesti poznatih svetskih i domačih korisnika.
Adresa autora: I Iona Lutz, dipl. ing.
Mr. Vladimir Pantovič
Elektronska industrija RO Istraživačko razvojni institut Batajnički put 23 11080 BEOGRAD - Zemun Polje
DIVERSE CIRCUITS
EXPLOIT MATCHING IN QUAD—TRANSISTOR IC
Art Kapoor, Derek Bowers
Članek je prispeval za objavo Jugomineral iz Zagreba -zastopstvo ameriške firme Precision Monolithics Inc, Santa Clara v Jugoslaviji z izrecno željo, naj bo tiskan v angleškem jeziku.
You can exploit the close parameter matching of the transistors in a guard-transistor array to realize a variety of circuit applications. The low o f f s e t - v o 11 a g e differentials and tight beta matching make the IC suitable for linear circuits, and the low bulk resistance suits the array to logarithmic applications.
The performance of some specialized transistor-based amplifiers relies heavily on good matching of transistor parameters. The MAT-04, a monolithic guard transistor, provides very close matching for such specialized circuits. A voltage-controlled attenuator, a high-speed instrumentation amplifier, and an ac preamplifier are types of circuits that exploit the array's matching characteristics. In addition to close parameter matching, the transistors in the MAT-04 have low bulk resistance, making them suitable for such logarithmic applications as a vector summer, a squaring circuit, and a square-root circuit.
Voltage-controlled attenuation is an appropriate applica-
221
tion for a matched-transistor array. For example, the voltage-controlled attenuator (VCA) shown in Fig 1, wi-dley used in professional-audio circles, is difficult to implement using discre' ? transistors because of distortion induced by mismatched transistor parameters. The close
The VCA's design is based on the amplifying characteristics of a differential transistor pair. Fig 2 shows the classic differential pair. When there's no voltage difference between the input terminals	' currents in both
sides of the differential pair are equal; the differential output voltage is therefore OV. Small changes in V cause an imbalance in the currents flowing through the two sides of the differential pair, and the imbalance results in an amplified differential output. The total stage current (I ) of the differential pair is constant regardless of the input voltage. Matching of the transistors in a differential pair is critical, because device mismatches cause dc errors and upset linearity.
In Fig l's VCA, the input signal modulates the stage current of each differential pair. Op amps IC^ and IC^, in conjunction with transistors Qq and Q, , form voltage-to-
parameter matching of the transistors in the MAT-04 allows the VCA to provide low-distortion attenuation over a wide range of control voltages. You could use the VCA, for example, as a low-distortion gain control in an audio amplifier.
current converters that transform a single-ended input voltage into differential currents that are the stage currents (I and I ) of each differential pair.
A B
The transfer functions for the voltage-to-current converter are = - VjN/R2 and = ViN^R5* Y°U Can USe cost, unmatched transistors for Qj. and Q^, as they're inside the feedback loops of IC^ and IC^; their beta mismatch has minimal effect on the output offset.
If all the bases of the MAT-04 in Fig 1 are at ground potential, the stage currents of each differential pair spilt equally between both transistors. The MAT-04's output comes from one side of each differential pair (from the collectors of Q^ and Qg)- Unity-gain op amp IC^ converts this output to a single-ended signal. Assuming the bases of the MAT-04 are at ground potential, the gain of the overall circuit is
Fig 1: This voltage-controlled attenuator uses a dc voltage to provide distortion-free attenuation over a 60.dB dynamic range. The circuit works by modulating the normally balanced stage currents in a differential transistor pair. The attenuator easily meets high-fidelity standards for distortion, bandwidth, and noise level.
222
V 1 OUT = ~	ryiN\	
V IM	-R5 -	


and, because VVVV V^/V^-I.
When you apply a positive control voltege to the VGA, most of the differential pairs'stage currents are diverted to transistors Q^ and Q^, and the net result is an increase in circuit gain. When you apply a negative control voltage, however, most of the pairs'stage currents are diverted to transistors Q and Q^, and the result is a reduction in the circuit's gain.
	V	
		
		Van I-0
Va 0-K		
	f	
	i V	
Fig 2: In this classic differential pair, the total stage current (I) splits equally between the two transistors. The vol-tage-controlled attenuator of Fig 1 does its job by producing an imbalance in the currents in the left and right sides of the pair.
g -20
1 -30
									
									
									
									
									
		/							
	r								
CONTROL VOLTAGE (V DC)
Fig 3: A 1000:1 gain reduction results
when you change the control voltage from IV to -3V in the circuit shown in Fig 1. The circuit's maximum gain of 2 occurs when you apply IV. The gain drops to about -50 dB when the control voltage is -3 V.
The (theoretically) ideal transfer function for the voltage-controlled attenuator is
V
OUT
'in
1 + exp
r
¡-v
14
CONTROL R„ „ +R„ „ 13 14
■1 ♦
J ^ J
where
k = Boltzmann's constants!. 38X I0"23J/°I<
T = temperature in K
19
q= electron charge = 1. 602X10 coul.
You can see from the transfer function that the maximum gain of the circuit is 2 (or 6 dB). Fig 3 shows the increase in attenuation as the control voltage becomes more negative. The VGA accepts a 3V rms input and easily accommodates the full 20-Hz to 20-kHz audio bandwidth, as shown in Fig 4. Distortion is typically less than 0.03 %, and the noise level is at least 110 dB below the maximum output.
....... TTTT;
CONTROL VOLTAGE-OV
CONTROL VOLTAGE--W
100 1000 10.000 FREQUENCY (Hi)
Fig 4: Frequency response is independent
of gain in the voltage-controlled attenuator of Fig 1. Moreover, the bandwidth of the attenuator easily meets the standards of high-fidelity systems.
To ensure the best performance, resistors R^ through R„, in Fig 2's circuit should be metal-film units that spec a 1% tolerance. Because small amounts of reverse bias can be present on C^ when the control voltage is positive, you should use a nonpolarized tantalum capacitor for C .
22:!
If you need a low-noise, high-speed instrumentation amplifier for use in high-precision transducer and professional-audio applications, consider the circuit shown in Fig. 5. The circuit uses an OP-17 high-speed op amp, preceded by an input amplifier that comprises a MAT-02 matched-transistor pair, a MAT-04 quad-transistor array, and associated circuitry. The configuration of the MAT-04, known as a "linearized cross quad," acts as a voltage-to-current converter that provides feedback to the input stage.
TABLE 1—
INSTRUMENTATION-AMPLIFIER SPECS
PARAMETER	GAIN	PERFORMANCE
INPUWWFefWEO fKKSE-VOUWie OEMSfTY .	1000 100 to	95 fMvftT 3J5fMvFS*
BANDWIDTH	500 100 10	400 kHz 1 MHz 1 2 MHz
SLEW RATE	• » •	
COMMON-MODE REJECTION	1000	130 dß
■JXtKimWN - . . • ; aoHiTOMWii-	too	...V-'OM*1-
SETTLING TIME	1000	10„SEC
		
Fig 5: Very low noise and high speed are the hallmarks of this instrumentation amplifier. The circuit uses the MAT-04 quad-transistor array in a linearized cross-quad configuration. The array serves as a voltage-to-current converter that provides feedback to the input stage.
The OP-17 serves as an overall nulling amplifier to complete the feedback loop. Resistor pairs	anc* R3~®4 form voltage dividers that attenuate the output-voltage swing (attenuation is necessary because the cross-quad arrangement has a limited input range). Zener diode D^ sets the bias point for the input stage. Because of the zener diode's soft-knee characteristic, the effective zener voltage is about 3.3V at low currents. The 3.3V bias results in a bias current of 530^uA per side for the input stage.
The resistors in the instrumentation amplifier are largely responsible for controlling the circuit's gain. For the resistor values shown in Fig 5, the instrumentation amplifier's gain	is 33i000/Rq- Table 1 summarizes the performance of the amplifier. Fig 6a shows the input-referred spot noise over a 0- to 25-kHz bandwidth; the noise is flat at a level of approximately 1.2 nV/-V Hz. Fig 6b shows the low-frequency noise spectrum. A notable feature of this spectrum is the low (2-Hz) 1/f noise corner. In applications using low-output, low-impedance transdu-
224
Fig 6: Low noise and a low noise corner grace the instrumentation amplifier of Fig 5. Input-referred spot noise (a) is about 1.2 nV/ \j Hz. The noise corner (b) occurs at approximately 2 Hz.
Fig 7: Low-noise ac amplification is the virtue of this ac-coupled amplifer. The circuit achieves its low noise figure by using three transistors of a MAT-04 connected in parallel, thereby reducing thermal noise generated by the transistors' base spreading resistance.
cers (for example, strain gauges), amplifiers must exhibit low voltage noise in order to maintain a good signal-to-noise ratio. It's the low voltage noise of 1.2 nV/Mi Hz that makes Fig 5's instrumentation amplifier suitable for use in many low-impedance transducer applications.
In certain applications (for example, audio preamplifica-tion), dc-signal coupling is of no importance, but a low noise figure is essential. The ac-coupled preamplifier shown in Fig 7 exhibits an input-referred noise-voltage den-
sity of only 900 pV/"\TTTz at a gain of 200. The amplifier's
low noise results from the use of a single-ended input stage that incorporates three transistors of a MAT-04 connected in parallel. This parallel-device technique lowers the transistors'effective base spreading resistance, thereby reducing thermal noise from this source by a factor of "fîT.
Tight matching of the three parallel transistors is a critical requirement. If the matching is poor, one transistor
225
will steal most of the stage current, effectively removing the other two transistors from the circuit. In such a current-monopolizing situation, the noise reduction normally achieved by connecting the transistors in parallel would be lost. Note, by the way, that the circuit minimizes Schottky (shot) noise by using a relatively high stage current: 2mA.
10« 10,000 100.000 1.000.000 Fflf QUEHCY (Hi)
Fig 8: Easily meeting professional-audio
requirements, the ac preamplifier of Fig 7 has a bandwidth greater than 100 kHz. This frequency-response plot is valid for the amplifier at a closed-loop gain of 200.
If Kit I •.12 uV'*H*
ssitels
,<i : ft
at 2 mA. Overall feedback for the preamplifier comes from resistors R_, and Rg. The following equation describes the circuit's gain:
Voyr = R. + 50
vIN 5 a
The component values shown in Fig 7 yield a preamplifier with a gain of 200. You might need to change compensation components R^ and C^ for other values of gain. The circuit's open-loop gain is greater than 10,000,000. Fig 8 illustrates the large bandwidth of the preamplifier, and Fig 9 shows the broadband noise spectrum (0 to 25 kHz). The spectrum is flat throughout the frequency band, and the noise, as noted, is approximately 900 pV/^Hz'. The preamplifier's distortion, with an output of 10V p-p at 10kHz, is less than 0.035%.
The circuits described thus far have very linear input/output transfer functions. Another application area in which precisely matched transistors are powerful tools is in the generation of nonlinear functions. These applications depend upon the transistor's logarithmic property, which the following equation expresses:
V.
i
where V,.
BE
VTln
JC
T
kT/q
I = saturation current (approximately 10 k = Boltzmann's constant = 1.38X10~~23J/°K
T
q
temperature in °R
19
electron charge = 1.602X10 coul.
■ il---
Fig 9: Low noise and a flat noise spectrum are two welcome attributes of the ac preamplifier shown in Fig 7. This photo shows the noise spectrum from 0 to 25 kHz; the noise is approximately 900 pV/-\fTTz.
The fourth transistor of the MAT-04, Q , serves to bias the input stage. The OP-27 op amp forces the voltage drops across and R2 to be equal, and it sets the bias current
Logarithmic circuits are virtually impossible to implement by using unmatched transistors because they require stringent thermal and parameter matching to maintain accuracy (see box, "Quads fill log and linear roles"). Moreover, general-purpose transistors and arrays exhibit poor logarithmic conformity. The result is degraded accuracy in nonlinear circuits.
The circuit shown in Fig 10 is a vector summer that exploits the MAT-04's close logarithmic conformity. The circuit adds and subtracts logarithmically scaled inputs to generate the transfer function
V
= k V . ~ + V r
'OUT " V ' A where k is a circuit-dependent scale factor.
226
Cl '00 pf
Fig 10: Close conformity to a logarithmic characteristic on the part of the MAT-04's transistors makes this vector summer work. The circuit adds the log-scaled inputs to generate the square root of the sum of the squares of the inputs.
The circuit consists of two log amplifiers, each of which uses two transistors and an op amp. The voltage across transistors Q^ and Q2 is equal to the voltage across Q^ and the base-emitter voltage of Q^. The following equation expresses the result of summing the voltages in this loop:
VT1ln
I.
I I + VT2ln
-SI J
I,
S2
■ VT3ln
I
S3
+ VT4ln
OUT
S4
Because all the transistors are precisely matched and at the same temperature, the Ig and V^ terms cancel:
21nl = lnl + lnl _ = ln(l . I_). 1 A O	AO
OUT
= R
^¡iVA
2		.....2T
	+	
		R„
-		. 3
In the circuit of Fig 10, R = R3 and R2 = R^ -yZ, so
iT
" OUT
2 2 VA +VB
Using a value of R / ~f2 produces a scale factor of 1/ IpT; you can thus apply 10V to both inputs simultaneously without incurring the danger that V will exceed the output range of op amp IC^. The built-in protection diodes in the MAT-04 allow you to apply negative input voltages without damaging the MAT-04. Under this condition, the output voltage is 0V.
Eliminating the log terms on both sides yields the expres-2
sion I " = I I_. A similar analysis for transistors Q ,
2
Q , Q and Q produces the expression I = I_I„. Sum-5 6	7	2 B O
ming the currents at the emitter of Q^ gives an output current of I + If you solve these equations for I and
I,,, you obtain the expression
2 2 I _	l/
O I
r ■ i~

Op amp IC^ forms a current-to-voltage converter that produces an output voltage equal to IqR2' so substituting for Iq, I and in the above equation leads to
You should mount the two MAT-04 arrays close to each other in the circuit. The close mounting reduces errors that could arise through temperature differences between the two matched quad transistors. Partitioning the two MAT-04 units as shown in Fig 10 minimizes errors atri-butable to inherent mismatches and temperature differences between the two matched quad transistors. The accuracy of the vector summer is better than 0.5 % over the input range of 10 mY to 10V.
You can exploit the MAT-04's logarithmic conformity in other nonlinear circuits. Consider, for example, the squ-
227
c.
Rt 3»
Fig 11: You can generate accurate squares and square roots with these nonlinear circuits. The squaring circuit (a) specs 0.5% max accuracy for inputs of 100 mV to 10V. The square-root circuit (b) offers 0.1% accuracy for the same input range.
aring and square-root circuits in Figs 11a and lib, respectively. These circuits work in a fashion similar to the mode of operation of the vector summer. For example, summing the voltage loop for the squaring circuit across
transistors C^, Q2, Q3,and Q4 yields
V^n
IN
SI
+ VT2ln
IN
S2
- VT3ln
I ,
LS3j
+ VT4ln
REF
S4
Once again, all the transistors are precisely matched and at the same temperature, so the I and V^ terms cancel, giving
21nIIN = lnI0+lnIREF = ln(I0IREF).
This equation simplifies to I = I 2/1 . Op amp IC
O 1JN KEr	2
forms a current-to-voltage converter that produces an output voltage equal to r2*0UT" in the above equation yields
put voltage equal to r2I0UT' Substituting Vin//Rj for ^pj
1Ï
" V.
V
OUT
IN
REF L R1
A similar analyr;~ for the square-root circuit yields its transfer function
OUT
V I IN REF
228
In the two circuits of Fig 11, I is a function of the ne-
REr
gative power supply. To maintain accuracy, be sure the negative supply is well stabilized. For applications requiring very high accuracy, you can use a voltage reference to set IREF- An important consideration to keep in mind for the squaring circuit is the fact that a sufficiently large input voltage can force the output to a level higher than
the operating range of the output op amp.
You can adjust R. to scale I,,™» and vou can trim R and 4	KEr	1
R^ to keep the output voltage within the usable range. The accuracy of the square-root circuit after calibration is better than 0.1 °/o over the input-voltage range of 100 mV to 10V. For the same input range, the accuracy of the squaring circuit after calibration is better than 0.5 %.
QUADS FILL LOG AND LINEAR ROLES
Designers of discrete circuits repeatedly run into the problem of component mismatches that compromise circuit performance. It's easy to reduce passive-component mismatching by using components with tighter tolerances, but active components present a more difficult problem. For example, discrete-transistor mismatching of beta and
can be poor even within the same transistor fa-
BE(ON) milies.
Monolithic transistor arrays make an attempt at matching, but these arrays were traditionally designed to save board space rather than provide accurate parameter matching. The MAT-04 quad-transistor array (Fig A) follows in the footsteps of the MAT-01 and -02 matched dual transistors, and it provides very close parameter matching for applications requiring more than two transistors.
Fig A: Close parameter matching and low bulk resistance are the benefits offered by the MAT-04 quad-transistor array. Offset-voltage and beta matching are within 200 ^,uV and 2%, respectively; the bulk resistance is 0.4ffi.
In addition, the transistors are designed for high beta (400 min), 40V min break-down, and 0.4Si.bulk resistance. Note that diodes protect the base-emitter junctions a-gainst reverse-voltage zener break-down, thereby preventing degradation of beta and matching characteristics.
The substrate pins (V ) are internally connected; you should Connor t one ol these pins to the system's negative rail. You must limit current between the two V- pins to 30 mA. In many applications, you can leave the substrate pins unconnected without causing any problems in the circuit.
The accuracy of nonlinear circuits depends on the logarithmic conformity of the transistors in the circuits. Extrinsic resistances and the Early effect produce deviations from the ideal logarithmic transistor relationship. (The Early effect is the dependence of the emitter's characteristics on VCB due to the variation in the collector depletion
width with respect to V .) For small values of V , you Ld	C B
can combine these two effects to form an effective bulk resistance (r ). The transistor's logarithmic relationship dE
VBE = VTln
changes to
VBE - V"
h J

is l+ Vbe-
An obvious way to reduce r -induced error in nonlinear
dE
circuits is to reduce the maximum collector currents. If you do so, however, the op amp's offsets and leakage currents will become a limiting factor at low input levels.
The MAT-04's layout and process techniques ensure that the offset voltage between any two transistors in the device does not exceed 200^,uV, and beta mismatch does not exceed 2 % - valuable attributes for linear-circuit design.
Another way to avoid r„ -indiced errors is to use transis-BE
tors that are specifically designed for low rgg- The MAT-04's r is 0.4 Q., a value that virtually eliminates r -in-
Df'j	DiL
duced error in nonlinear circuits.
229
PREGLED DOMAČIH SIROVINA ZA DIELEKTRIČNU I MAGNETNU KERAMIKU
Varužan Kevorkijan, Milan Slokan, Drago Kolar
UVOD
Na Institutu Jožef Štefan (Odsek za keramiku) u okviru projekta: "Domače oziroma cenejše surovine za elektronsko industrijo" finansiranog od strane Raziskovalne skupnosti Slovenije prikupili smo niz podataka o mogučnosti-ma dobijanja BaTiO^ (za industriju keramičkih kondenza-tora), Fe^Og (za industriju ferita) i polikristalnog silicija (za industriju poluprovodnika) iz domačih sirovina. U ovom prilogu obradjujemo problematiku vezanu za razvoj domačeg BaTiOg (iz Ti02 i BaC03) i Fe^, dok čemo pitanje polikristalnog silicija detaljno razmatrati u jed-nom od sledečih brojeva.
Mogučnosti razvoja domačih sirovina za proizvodnju B a T i O ^
BaTiO^ je materijal koji nalazi široku primenu u elektron-skoj industriji. Izmedju ostalog, glavna je sirovina za proizvodnju keramičkih kondenzatora, nelinearnih (PTC) ot-pornika, piezokeramike itd.
BaTiO^ "electronic grade" najčešče se dobija kalcinaci-jom smeše BaCO^ i TiO^ sto znači da je za substituciju njegovog uvoza neophodno razviti domače izvore ovih sirovina.
Največi potrošači BaTiO^ u našoj zemlji (po podacima iz 1984 godine) su Ei VF keramika (oko 40 - 50 tona godiš-nje) i Iskra Žužemberk - Tovarna keramičnih kondenzatorjev (koja u narednim godinama planira potrošnju i do 80 tona godišnje). Ei VF Keramika jedina u zemlji, za sada, proizvodi BaTiOg "electronic grade" (kalcinacijom smeše BaCO^ i TiO^) medjutim ova je proizvodnja namenjena isključivo potrebama Ei.
Iskra Elementi Žužemberk kupuje izradjenu masu za proizvodnju keramičkih kondenzatora. Medjutim i oni plani-
raju u bližoj budučnosti sopstvenu proizvodnju BaTiOj. Sa-znali smo, da izvesni planovi o proizvodnji BaTiO^ postoje
i u Zorki Sabac		•	
Tabela	1: Hemiski sastav i fizičke karakteristike AC-1		
	RC-8	na osnovu podataka kontrole kvaliteta u	
	Cinkarni Celje		
		AC-1	RC - 8
TiOQ %	(min. )	f>8	98
Sb2°3		od 200 do 350 ppm	od 200 do 350 ppm
sio2		250 ppm	500 ppm
Sn		250 ppm	250 ppm
A12°3		-	2000 - 20 % ppm
P2°5		3000 + 20 °/o ppm	3000 + 20 % ppm
K2°		3000 + 20 % ppm	3000 + 20 % ppm
Fe		30 do 50 ppm	30 do 50 ppm
ZnO		-	10 ppm
Nb2°3		-	2900 ppm
Z °2		300 ppm	1200 ppm
CaO		400 ppm	250 ppm
V O 2 5		10 ppm	3 ppm
Cr2°3		-	1 ppm
so3		1500 ppm	1500 ppm
veličina šestica		0.3 ^iim	0.3 /um /
ostatak	na situ	0.01	0.01
63^um (max) pH
gustina
3.8g/cm3
4.29/cm3
TiO^, koji je pored BaCO^ osnovna sirovina za dobijanje BaTiO^, u našoj zemlji proizvodi Cinkarna Celje. Medjutim, Cinkarna Celje proizvodi pigmentni TiOg' Za upo-trebu u elektronskoj industriji, zbog visoke koncentracije TiOQ zanimljivi su jedino AC-1 i RC-8. Godišnja proizvodnja Ti00 u Cinkarni Celje je oko 22 000 tona, od čega ve-činu izvoze.
230
Tabela 1 prikazuje kemijski sastav i fizičke karakteristike AC - 1 i RC - 8 (na osnovu podataka kontrole kvaliteta u CC) dok je u Tabeli 2 data spektralna analiza istih uzo-raka u VEB Elektronik Gera.
Tabela 2: Analiza uzoraka AC-1 i RC-8 izvršena u VEB Elektronik Gera
	Sadržaj u ppm	
	AC-1	RC-8
CaO	90	940
A12°3	1000	1000
Sio2	120	370
Sb2°3	165	230
Fe2°3	10	10
MgO	45	120
P2°5	3000	3000
Nb2°5	2100	1500
V2°5	100	100
CuO	30	30
Mn304	30	30
Cr2°3 spec .površina (m	100 2/g) 12.9 +0.2	100 6.2 + 0.2
d 50 % (.um) 3 gustina (g/cm )	0.44	0.38
	3.89	nema podatka
modifikacija	07. 5 % anatas	3.5% anatas
	2.5 % rutil	96.5 % rutil
Osnovna razlika izmedju AC-1 i RC-8 je u kristalnoj mo-divikaciji i u sadržaju Al^O^. Oba kvaliteta TiO^ sadrže 200 - 350 ppm S^O^ koji je u principu, štetan za dielek-tričnu keramiku jer prouzrokuje poluprovodničke osobine BaTiOg. Povoljna je okolnost medjutim da Al^O^ koji se takodje dodaje pigmentnom TiO^ maskira poluprovodnička svojstva izazvana prisustvom Sb^O^ što omogucava da se Celjski TiO^ koristi kao sirovina za elektronsku keramiku. Svakako bi bilo bolje, sa stanovišta primene u elektronskim materijalima, kada bi se u Cinkarni u budučno-sti razvio postupak za dobijanje manjih količina TiO0 (do 100 tona godišnje) koji ne bi sadržao Sb^O^-
Oba kvaliteta Celjskog TiOa (AC-1 i RC-8) se več par go-dina uspešno koriste kao sirovina za dobijanje BaTiO^ u fabrici Ei VF Keramika.
Naša istraživanja, sprovedena u laboratorijskim razmerama, takodje su potvrdila da se AC-1 i RC-8 mogu upo-trebljavati kao domače sirovine za proizvodnju kondenza-torske keramike, s tim da je RC-8 sa nešto boljim osobi-nama.
BaCO.^, druga važna sirovina za dobijanje BaTiO^, se u Jugoslaviji trenutno ne proizvodi.
Do 1965 godine je u Zorki Šabac dobijan BaCO sledečeg sastava:
BaCO	89.2 - 93.7 %
BaSO	1.4- 6.0%
ostale komponente 0.26 - 1.06 % ali su tu proizvodnju iz ekonomskih razloga napustili. U vezi sa ovim treba napomenuti da je pre dvadesetak godi-na na Kemijskom institutu Boris Kidrič u Ljubljani bio po narudžbi Iskre razvijen postupak prečiščavanja tehničkog BaCOg, za primenu u industriji Keramičkih kondenzatora. Kao polazna sirovina koriščen je BaCO iz Zorke Šabac, kojeg su naj pre rastapali u HC1 a zatim obarali sa NH^ HCOg i prali vodom. Sarža je iznosila 50 kg.
Kasnije je bio postupak prenešen u Lek Mengeš, uz povečanje proizvodnje na 20 tona godišnje. Umesto Zorkinog BaCOg (kojeg su morali prethodno rastapati u HC1), u Leku su se odlučili za kupovinu luga BaCl^ iz Bugarske, i pomoču NH .jHCO.^ obarali BaCO^- U vreme zamrzava-nja cena Lek je obustavio ovu proizvodnju. Ni Zorka ni Lek kasnije nisu obnavljali proizvodnju BaCO^ tako da ovu važnu hemikaliju danas u Jugoslaviji niko ne proizvodi. U Zorki Sabac OUR Tehničke soli postoje sve tehnološke mogučnosti za obnavljanje proizvodnog procesa oba-ranja BaCOg pomoču NH4HCO iz uvoznog BaCl (ČSSR) ali sama Zorka u ovom trenutku nije za to ekonomski za-interesovana.
S druge strane, u Cinkarni Celje gde več proizvode BaS (iz domačeg BaSO^) kao sirovinu za litopon, imaju u svom srednjoročnom planu osvajanje proizvodnje BaCO^, BaSO^, BaCl^ i Ba(NO ) , 11 k°li£inarna koje bi zadovoljile domače tržište. Polazna sirovina za dobijanje BaCO^ i drugih barijevih soli bio bi zasičen vodeni rastvor BaS kojeg u Cinkarni dobijaju redukcijom barita pomoču koksa i upo-trebljavaju ga za proizvodnju litopona.
231
Baritnu rudu dobijaju iz rudnika Uroševo (BiH). Ruda ima oko 90 - 92 % BaSC>4 i 3 - 4 % SiC>2. U Cinkarni planiraju da če do 1987 godine otvoriti nov pogon za proizvodnji! BnS rastopine. Pri tom bi 70 % od ukupno proizvedene rastopi-ne upotrebljavali za dobijanje litopana, a 30 % kao sirovi-nu za dobijanje barijevih soli. Dogovoreno je da razvoj pilotskog postrojenja za dobijanje BaCO^ preuzme Odsek za kemiju fluora na Institutu Jožef Štefan.
Istovremeno sa postavljanjem pogona za proizvodnji! teh-ničkog BaCO^ (kapaciteta 5000 tona godišnje) u Cinkarni su predvideli i postavljanje manje proizvodne linije (do 100 tona godišnje) za BaCO^ "electronic grade".
Ovaj bi so dobijao iz zasičene vodene rastopine BaS oba-ranjem sa C0o.
Potrebe Jugoslovenskog tržišta za BaCO^ (tehnički i "electronic grade") ilustrovane su u Tabeli 3.
Tabela 3: Pregled največih uvoznika BaCO^ u Jugoslaviji (za 1984. godinu)
	uvoznik	uvoženo iz		količina (t)	
1.	Tov. kemič.izd. Hrastnik	ČSSR,	Italija	680	
2.	Polikem - Ljubljana	DDR, ČSSR		740	
3.	Kemikalija - Zagreb	ČSSR		580	
4.	Gorica - Dugo Selo	DDR		250	
5.	Gramat - Zagreb	DDR		250	
6.	Frita	Italija		235	
7.	Jug o metal	Italija		235	
8.	Boris Kidrič - Pula	GDR, Italija		181,9	
9.	Steklarna - Hrastnik	Italija		121.	,9
10.	GIO - Pula	GDR		104	
11.	Zorka - Sabac	ČSSR		100	
12.	Progres	ČSSR		100	
13.	Commerce - Ljubljana	Italija		100	
14.	Iskra	Italija		99.	,5
15.	Tehnometal - Vardar	Italija	, Japan	70,	18
16.	EI	Italija	, Japan	30.	. 8
17.	TV elektronika - Niš	Italija		20	
OSTALI				465,	6
UKUPNO	4364,5
Za sada je na domačem tržištu BaCO moguče kupiti jedi-
no kao p.a. kemikaliju. U Zorkinoj fabrici p.a. kemikalija proizvode godišnje oko 500 - 1000 kg BaC03 (koristeči kao iiolariui sirovimi BaCi2 kojeg uvoze iz ČSSR). Kemijski sastav Zorkinog BaC03 p.a. naveden je u Tabeli 4.
Tabela 1 : Kemijski sastav BaCO p.a. iz Zorke Šabac
%BaC03(min.)	99
% hlorida ( max)	0.002
% sulfata	0.0005
% ukupni azot (max. )	0.002
% teških metala (max.)	0.001
% Fe (max.)	0.001
% C a (max.)	0.003
Ii Sr (max. )	0.7
% Ba (OH) (max.)	0.15
%HS04(max.)	0.1
%nerast. ostatak u razr. HCl	0.01
U Zorki Sabac smo saznali da su maksimalni kapaciteti proizvodne linije za BaCOg (p.a. ) 7 - 12 tona godišnje što ne zadovoljava domače tržište BaCO^ kvaliteta "electronic grade", Tabela 5.
Tabela 5: Godišnja potrošnja BaCO^ u domačoj industriji keramičkih kondenzatora i ferita (iz 1984. godine)
Ei VF Keramika	oko 20 - 30 tona
Ei Feriti Zemun	oko 30 tona
Iskra Feriti	oko 30 tona
Zaključak
Sakupljeni podaci i dosadašnja preliminarna istraživanja koja smo sproveli na Institutu Jožef Stefan pokazuju da u našoj zemlji postoje svi svi tehnički preduslovi za proiz-vodnju domačeg BaTiO^ "electronic grade". Iako pigmentni TiO^, kojeg proizvodi Cinkarna Celje (tip AC-1 i RC-8), nije "electronic grade" kvaliteta, po svemu sudeči može se uspešno koristiti u industriji keramičkih kondenzatora kao zamena za uvozni (na pr. Muratin) o čemu več postoje izvesna pozit'"na iskustva u fabrici Ei VF Keramika u Gevgeliji. Tamo več par godina umesto TiO^ poznate japonske firme za proizvodnju kondenzatora Murata (od koje su inače kupili licencu) koriste Ti02 (AC-1 i RC-8) iz Cinkarne Celje.
232
Osnovni problem kod Celjskog TiO^ je relativno visoka	Tabela (	j: Zahtevi	u pogledu kvaliteta Fe O		u industriji
koncentracija (od 200 do 350 ppm) Sb^O^ što može cla ima		ferita			
za posledicu pojavu poluprovodljivosti u sintetiziranom					
BaTiOg. Dodatak A^O^ (kojeg inače ima u Celjskom Ti02)					
izgleda da maskira ova poluprovodnička svojstva što na-		Iskra - IEZE		Feriti	
vodi na misao da bi se detaljnijim ispitivanjem polupro-	Tvrdi feriti			Meki feriti	
					
vodljivost Celjskog Ti02 mogla da srede na minimum.	Si02	max. 0.	7 %	Fe2°3	min. 98.7 %
	Hlor	m ax. 0.	2 %	SiO	max. 0.06%
BaCOg, drugu komponentu neophodnu za sintezu BaTiO^ u				Z Na.O	max. 0.01%
Jugoslaviji trenutno niko ne proizvodi. Uvoz je u 1984.				Z CaO	max. 0.07%
godini iznosio oko 5000 tona (1 milion US£, po tadašnjoj				MgO	max. 0.04%
ceni).				A12°3	max. 0.03%
Na domačem tržištu je na raspolaganju samo ograničena				CuO	max. 0.02%
količina (500 - 1000 kg godišnje) BaCO^, p.a. kojeg (iz				MnO	max. 0.40%
uvoznog) BaCl2 proizvodi Zorka Sabac.				S°3	max. 0.10%
				Hlor	max. 0.20%
Istovremeno, u Cinkarni Celje imaju planove o izgradnji					
fabrike za proizvodnju BaCO^ tehničke i "electronic gra-					
de" kvalitete.			Ei - Feriti Zemun		
BaCOg, p.a. Zorke Sabac ispitan je u fabrici Ei VF Kera-				Tvrdi feriti	Meki feriti
	FS2°3	(%)		99.0	99.0
mika u redovnoj proizvodnji i dao je zadovoljavajuče re-	¿i O sio2	(%)		0.3	0.04
zultate.	A12°3	(%)		0.09	0.08
Ispitivanja na Institutu Jožef Stefan su takodje pokazala	CaO	(%)		0.10	0.04
da se iz Celjskog Ti02 i Zorkinog BaCO^ p.a. može proizvesti BaTiO^ koji odgovara zahtevima proizvodjača ke-	MgO	(%)		0.03	0.03
	MnO	(%)		0.30	0.06
ramičkih kondenzatora.	CuO	(%)		0.04	0.04
	so3	(%)		0.25	0.25
	Cr2°3	(%)		0.03	0.03
Fe O^ za sintezu magnetne keramike	Na20	(%)		0.04	0.04
	K2°	(%)		0.02	0.02
Fe^O^ je osnovna sirovina u industriji ferita koju je doma-	C1	(%)		0.10	0.10
ča industrija na žalost primorana u velikoj meri da uvozi.	vlaga	(%)		0.3	0.3
Mada u Jugoslaviji postoji nekoliko velikih proizvodjača	gubitak žarenjem (1000°C )			0.7	0.7
Fe O , njegov kvalitet samo delimično odgovara zahtevi-	3 nasipna gustina (g/cm )			0.5	0.8-1.0
ma industrije ferita, Tabela 6.
srednja veličina primarne čestice po Fisherju (um) 2
Spec. površina, BET (m /g) oblik čestice fazni sastav skupljanjeX (%)
1.0 3.0 kubni
Fe2°3 20
0.5 4.5 kubni
Fe2°3 20
X Odredjeno sinterovanjem ispresovanog diska 0 26 mm, spec . pritiskom 105 KPa pri 1000°C .
233
Godišnja potrošnja Fe2°3 u dornač°j industriji ferita iznosi (iz 1984 godine)
meki feriti
tvrdi feriti
Ei feriti Iskra feriti
100 - 150 tona 200 - 250 tona
300 tona 300 tona
kom Fe2<-)3 u glavnom posledica slabog održavanja opreme i slabe kontrole procesa, što bi se dalo poboljšati bez velikih investicija.
U Tabeli 7 i 8 je prikazano variranje hemijskih i fizičkih osobina Fe2°3 lz VHVT Unis Banja Luka i Železare Jese-
Trenutno se največa količina sirovine za meke ferite uvozi. Jedan od največih proizvodjača sintetičkog Fe^O^ za meke ferite na zapadu je Bayer, koji oksid železa dobija precipitacijom iz njegovih soli i prodaje ga po ceni 3.0 D M/kg (podatak iz 1984 godine). S druge strane, Ruthner-ov Pe2<->3' primenljiv za obe vrste ferita je jeftiniji i njegova se cena kreče od 0.4 do 0.5 DM/kg.
U Jugoslaviji postoje tri velika proizvodjača Fe^O^ > koJi se može koristiti u elektronskoj industriji. To su: Železa-ra Jesenice i Valjaonice hladno valjane trake (VHVT) Unis Banja Luka, koje koriste Ruthner-ov postupak i Metalurški kombinat Smederevo (MKS) koji upotrebljava postupak po Lurgiju.
Tabela 7: Variranje hemijskih i fizičkih osobina Fe^O^ iz VHVT Unis Banja Luka (na osnovu kontrole kvaliteta u Iskra Feriti).
srednja vrednost
oscilira u granicama
Fe2°3	(%)	98.2	od 97.00 do		98,	.83
MnO 2	(%)	0.65	od	0.95 do	0.	.87
sío2	C/o)	0.06	od	0.00 do	0,	.22
vlaga	C/o)	0.49	od	0.11 do	1,	.28
ost. po žarenju (%)		0.43	od	0.09 do	1.	,08
hlor	C/o)	0.46	od	0.18 do	0.	.97
d (po Fisheru) (^um		) 1.25	od	0.90 do	1.	.4 l
nasip. vol. (ml/100 g) 219/161
Od domačih proizvodjača	samo Železara Jesenice i
VHVT Unis Banja Luka proizvode prah koji se može prime-niti u industriji ferita. U Zelezari Smederevo kao rezultat proizvodnog procesa pri regeneraciji HC1 nastaju pelete Fe^Og, koje je najpre neophodno mlevenjem pretvoriti u mikronski prah. S obzirom da su pelete Fe^O^ veoma tvr-de, mlevenje povečava cenu ovako dobijenog praha . Isto-vremeno se pri tom u FegOg m°gu da unesu i razne štetne primese.
Karakteristike Fe^O^ *z Ze^ezare Jesenice
i VHVT Unis Banja Luka
Fe^O^ iz Zelezare Jesenice moguče je upotrebljavati is-ključivo u recepturama za tvrde ferite, dok je Fe^Og iz VHVT Unis Banja Luka delimično upotrebljiv i u recepturama za meke ferite, uz uslov da je bez hlora.
Oksid iz Jesenica ima promenljiv sastav i najčešče nedo-zvoljeno visok sadržaj SiO^j dok banjalučki Fe^O^ obično ima previše hlora. Promene u sastavu jeseničkog Fe^^g su posledica proizvodne orijentacije, koja obuhvata razli-čite vrste čelika, što naravno dovodi do svakodnevne promene sastava luga, dok je visok sadržaj hlora u banjaluč-
Tabela 8: Variranje hemijskih i fizičkih osobina Fe^O^
iz Zelezare Jesenice (na osnovu kontrole kvaliteta u Iskra Feriti)
srednja vrednost
oscilira u granicama
Fe 0„ 2 3
MnO SiO
(%) (%) C/o)
vlaga (%) ost.po žarenju (%) hlor	(%)
97.3 0.74 0.75 0.38 0.36 0.31 0.9
nasip.vol. (ml/100 g) 170/132
d (po Fisheru) ^um
od	93.3 do 98.3
od	0.63 do 0.86
od	0.4 do 1.07
od	0.09 do 1.18
od	0.11 do 1.25
od	0.13 do 0.57
od	0.68 do 1.21
Ocena primenljivosti peleta Fe^O ^ iz M e -talurškog kombinata Smederevo u industriji ferita
U fabrici Ei Feriti u Zemunu več nekoliko godina ispituju mogučnosti uporabe peleta Fe^O^ iz MKS kao sirovine za proizvodnju ferita. Slična ispitivanja ove sirovine sprove-dena su i u Iskra Feriti.
Dosadašnja ispitivanja dala su sledeče rezultate:
234
1. U fabrici Ei feriti mogli bi da upotrebljavaju Fe2°3 MKS, pod uslovom da su pelete samlevene do mikron-ske granulacije, u 60 % svojih receptura za ferite.
U Iskra Feriti su na osnovu izvršene hemijske analize peleta iz MKS (Tabela 9) utvrdili da bi tu sirovinu mogli da upotrebljavaju pre svega u recepturama za tvrde ferite.
2. Fe^O^ iz MKS je hemijski čistiji od oksida železa, ko-jeg dobijaju postupkom po Ruthner-u u Železari Jesenice i Unis VHVT Banja Luka. To posebno važi za sadržaj SiO^ i hlora. Zato bi bio takav Fe^O^ (naravno, uz rešen problem mlevenja) jedna od najboljih domačih siro-vina za proizvodnju ferita.
Tabela 9: Hemijska analiza peleta Fe O *z MKS!, izvršena u Iskra Feriti, Ljubljana
Fe2°3	(%)	99.00
sio2	(%)	0.18
MnO	(%)	0.52
FeO	(%)	0.11
soli rastvorljive u vodi		0.05
Problem mlevenja peleta F e 2 O g *z MICS
Glavna teškoča, koja sprečava upotrebu peleta Fe^^ u dustriji ferita je njihovo mlevenje, t.j. proizvodnja prahova mikronske i submikronske granulacije. Ni MKS a ni potencijalni korisnici nemaju uredjaje za fino mlevenje, do granulacije koja se zahteva. Fabrika Ei Feriti imala je (u dogovoru sa MKS) u planu nabavku odgovarajučeg mlina, ali su od toga za sada odustali iz više razloga:
(i) u MKS predstavljaju pelete F^^g sekundarnu sirovinu, koju mogu da vrate u proces dobijanja gvoždja. Tvrde da im se za sada ekonomski ne išplati da pelete Fe2Og prodaju po ceni ispod 25 - 30 din/kg (podatak iz oktobra 1985 godine) , što je za industriju ferita neprihvatljivo visoka cena, imajuči u vidu da su, istovremeno, dodatne troškove mlevenja u Ei ocenili na 20 - 30 din/kg. Drukči-je rečeno, to znači, da bi bio kilogram Fe^Og praha dobi-jen mlevenjem, iz peleta, dva do tri puta skupi ji od Fe2°g' koji nastaje Ruthner-ovim postupkom u Železari Jesenice ili u UNIS VHVT Banja Luka. Tako velika razlika u ceni
nije ekvivalentna razlici u kvaliteta, upoštevajuči pri tom da bi se ta sirovina mogla upotrebljavati uglavnom samo za proizvodnju tvrdih ferita (pre svega zbog još uvek sra-zmerno visoke koncentracije SiO^).
(ii) U MKS za sada ne upoštevaju ove činjenice i radije se odlučuju da pelete Fe^O^ kao staro gvoždje vračaju u visoke peči. Zaključujemo da je cena koju zahteva MKS za Fe^Og previsoka. Kao primer ekonomske opravdanosti mlevenja peleta nastalih po Lurgijevem postupku u sirovinu za proizvodnju ferita navedimo podatak, da u Zapadnoj Nemačkoj firma Georg Heller, Limburgerhof šalje pelete Fe^Og iz Lurgijevog postupka (koje kupuje od železare po ceni od 0.08 DM/kg) na mlevenje firmi Mineralmahlwerk Welsch Wesel, nakon čega ih prodaje kao sirovinu za ferite po ceni 0.3 do 0.4 DM/kg, što je na nemačkom trži-štu ekvivalentno ceni Fe^O^ dobijenog Ruthner-ovim postupkom .
Po nalogu razvojne službe Ei Feriti pitanje mlevenja peleta Fe^O^ iz MKS proučavao je Institut za tehnologiju nuklearnih i drugih mineralnih sirovina iz Beograda. U Ei Feriti smo saznali, da za sada ne predvidjaju nikakve dalje eksperimente u tom pravcu. Iako su Ei Feriti nameravali da isprobaju mlevenje večih količina peleta FegO (do 10 tona) u Koceljevu (blizu Valjeva) i Vlaškom Dolu (pri Mla-denovcu) u ml inu za livarski pesak, je u ovom trenutku, pošto je dalja kupovina peleta Fe O	obustavljena,
budučnost tih projekata neizvesna.
Mogučnost dobijanja domačeg sintetičkog Fe2°3
Sintetički Fe^O^ Je najkvalitetnija sirovina za proizvodnju ferita, i nju domača industrija za sada isključivo uvozi.
Medju najpoznatije evropske proizvodjače spada Bayer koji sintetički F^Og prodaje po ceni 2,8 DM/kg (podatak iz avgusta 1985. godine). Uvoz sintetičkog Fe2°g za domaču industriju ferita iznosio je u 1984 godini Ei Feriti	180 tona
Iskra Feriti 130 - 150 tona Zbog svoje visoke cene sintetički oksid železa se upotreb-ljava pre svega u recepturama za proizvodnju mekih ferita.
235
U Cinkarni Celje (TOZD Kemija) su izradili pilotsko po-strojenje za dobijanje sintetičkog Fe O^ 9v°ždja i FeSO . U Cinkarni, FeSO nastaja kao sekundarni proizvod (110 tona na dan) pri proizvodnji TiC^' Pri razvoju i izradi pi-lotskog postrojenja glavni cilj je bio osvajanje proizvodnje pigmentnog Fe^O^ za domaču industriju boja i lakova. Kao tehnološki postupak izabrana je oksidacija gvoždja kiseo-nikom iz vazduha. Pri tom načinu proizvodnje se gvoždje u prisustvu FeSO^ kao elektrolita, oksidira na vazduhu do oksihidrata željene kristalne strukture. U Cinkarni su za ovaj postupak kupili knov-how od švajcarske firme Rohs-toffchemie i na osnovu toga razvili domače pilotsko postro-
jenje kapaciteta 50 kg po šarži.
Rezultati ispitivanja sintetičkog Fe^^ (iz Cinkarne Celje) kao sirovine za proizvodnju ferita.
U fabrici Ei Feriti iz Zemuna su izvršili prva detaljnija ispitivanja uzoraka Fe^^ Cinkarne Celje, kao sirovine za proizvodnju ferita. Osnovni cilj tih ispitivanja je bila ocena mogučnosti zamene uvoznog Bayer-ovog Fe^^ za sintezu mekih ferita, domačim sintetlčkim oksidom železa. Na raspolaganju su bila tri uzorlca praha žutog pigmenta FegO .	SU osnovne fizičko ~ hemijske
osobine date u Tabeli 10.
Tabela 10: Fizičko - hemijske osobine sintetičkog Fi^O (žuti pigment) , na osnovu analiza izvedenih u laboratoriji Cinkarne Celje
UZORAK	CC	"G1	CC-G2	CC	: - G
Fe2°3	86	,5	86,79	86	,12
FeO %	0	,3	0,2	0	,074
so3 o/0	1.	,3	1,6	1	,26
Si02 %	0,	,31	0	0	,08
vlaga %	o.	,03	0	0,	
deo rastvorljiv u vodi %	o.	,06	0,02	0.	,07
gubitak žarenjem na 1000°C °/o	13,	,6	12,3	12,	,11
nerastvorljivi deo %	0,	,001	0,415	1,	,38
PH	5,	2	4,45	5,	,0
gustina kg/dm^	4,	,02	4,17	4,	,03
ostatak na situ 40 ^um	0,	02	0,08	0,	,02
upijanje ulja %	34,	6	37,6	35,	,2
Androsen % veličine čestice 3 ^um	97,	8	94,5	97,	8
Za izradu ferita izabrali su uzorak CC - 6^, upoštevajuči pri tom njegov hemijski sastav, Tabela 10 (CC - G^ ne sadrži SiO^). Uzorak su najpre žarenjem dehidrirali pri čemu je nastao crveni bezvodni pigment (Fe^O^).
CC - G^ su ispitivali u recepturama za mangan - cink fe-.rite (za proizvodnju transformatorskih jezgara), koji mo-raju odgovarati zahtevima kvaliteta po Philips-u 3C8 (ili Ei M 48).
Dobijeni su sledeči rezultati :
1.	izmerena je dva puta manja permeabilnost oz zahtevane (po Philips-u 3C8 zahtev iznosi 200 + 20 %).
2.	Ukupni gubici (mW/cm^), izmereni na 25°C su 158 -162; zahtev po nMlips-u 3C8 je 110. Napomenimo da stariji zahtev po Philips-u 3C6 iznosi 170.
3.	Curie-va temperatura se kretala od 160 do 170°C; zahtev po Philips-u 3C8 je 200°C.
236
S obzirom da su merenja izvršena na malom broju uzora-ka i u laboratorijskim razmerama, dobijeni rezultati ima-ju samo preliminarnu vrednost.
U fabrici Ei Feriti su napomenuli da je neophodno ponoviti merenja sa večim količinama uzoraka i spremni su da, kada iz Cinkarne dobiju nove uzorke, sprovedu ta istraži-vanja. Dobijene rezultate su ocenili kao ohrabrujuče, ma-da nedovoljne za konačnu ocenu pigmentnog Fe O^ Cinkarne Celje kao sirovine za ferite.
I u fabrici Iskra Feriti bila su izvršena preliminarna is-pitivanja Fe^O^, CC-G^ iz Cinkarne Celje, u receptura-ma za meke ferite. Pri tom su izmereni gubici bili dva do tri puta veči od propisanih.
Zaključak
Sprovedena istraživanja i sakupljeni podaci pokazuju da na domačem tržištu za sada raspolažemo jedino sirovi-nama za proizvodnju tvrdih ferita (Fe^O iz Železare Jesenice i VHVT Unis Banja Luka).
U vezi sa tim potrebno je istači da sastav ove sirovine (SiO^ u	Železare Jesenice i hior u oksidu železa
iz VHVT UNIS Banja Luka) znatno varira od jedne do druge proizvodne šarže što je za industriju ferita veoma ne-povoljno.
U MKS kao sekundarnu sirovinu proizvode pelete Fe2C>3 koje po svom hemijskom sastavu predstavljaju kvalitetnu sirovinu pre svega za tvrde ferite.
Za razliku od Fe2C>3 iz Železare Jesenice i VHVT Unis Banja Luka hemijski sastav ove sirovine je uglavnom konstan-tan.
Glavni problem u vezi peleta Fe C>3 iz MKS je njihovo mle-venje i previsoka cena koja ne odgovara njihovom kvalite-tu. Sirovina dobijena iz tih peleta uglavnom bi se upotre-
bljavala za proizvodnju tvrdih ferita zbog relativno viso-kog sadržaja Si02> Sobzirom da problem mlevenja peleta najverovatnije neče biti rešen na zadovoljavajuči način u bližoj budučnosti (sledečih nekoliko godina, sudeči po to-me kakva je trenutna situacija) pelete F^Og kao star0 gvoždje vračati u visoke peči. Ocenjujemo da bi se mogao problem mlevenja najefikasnije rešiti zajedničkom akci-jom svih zainteresovanih korisnika (Ei, Iskra, Prvi Partizan, itd.), kao i večim zanimanjem odgovornih u Zele-zari Smederevo za bolje i efikasnije iskoriščavanje sirovina, sa kojima raspolažu.
Sintetički oksid železa, dobijen na poluindustrijskom po-strojenju u Cinkarni Celje, je pre svega namenjen industriji boja i lakova, kao pigment. Njegovu upotrebu kao sirovine u recepturama za ferite (gde bi pre svega služio kao zamena Bayer-ovog	za rne'ce fel"ite) je potreb-
no detaljno proučiti.
Prva istraživanja, koja su izvršena u fabrici Ei Feriti, pokazuju da bi se ta sirovina verovatno mogla da koristi u nekim recepturama za ferite, ali svakako ne u svim.
Za konačnu ocenu su potrebna dodatna merenja, sa večom količinom uzorka, kao i kompletna hemijska analiza i pro-učavanje morfologije praha. Istovremeno je potrebno u-tvrditi da li su u Cinkarni spremni (imajuči u vidu njiho-vu proizvodnu orijentaciju), da odgovarajučim promenama procesa, ukoliko je to moguče, utiču na nivo primeša u Fe^O^ (pre svega na sadržaj alkalija, koji je verovatno veči od dopuštenog u industriji ferita) , t.j. da pored pigmentnog Fe^Og razviju postupak za proizvodnju sintetič-kog Fe O , ki zadovoljavao zahteve industrije ferita.
Adresa autora : Mr. Varužan Kevorkijan Mag Milan Slokan Prof.dr Drago Kolar
Institut Jožef Štefan Jamova 39 61000 Ljubljana
237
VIJESTI IZ ZEMLJE
Miroslav Turina
NOVE KNJIGE
Elektrotehničko društvo Zagreb pokrenulo je početkom
1986 godine EDZ biblioteku. Dosada su objavljene slijede-
če publikacije:
1.	Zbirka pitanja i propisa za polaganje stručnog ispita iz elektrotehniške struke.
2.	Suvremeni pristup procesu projektiranja uzemljivača i sustava uzemljenja.
3.	Daljinski nadzor i upravljanje u složenim energetskim sistemima.
4.	Telekomunikacije - infrastruktura informatičkog društva.
5.	Suvremeni sustavi telekomunikacija.
6.	EDZ priručnik 87.
7.	Suvremeni elektromotorni pogoni.
8.	Planiranje, koncepcija i izgradnja tipskih TS 11/35, 20, 10 KV u elektroenergetskom sistemu.
9.	Elektronički glosarij.
10.	Asortiman proizvodnje poluvodičkoih komponenata u SFRJ.
11.	Relejna zaštita u elektroenergetskom sistemu, A. distributivne mreže.
Za čitaoce Informacije MIDEM naročito je zanimljiva knjiga "Asortiman proizvodnje poluvodičkih komponenata u SFRJ". Autori knjige su mg. Srebrenka Ursič, dipl.ing. i Damir Vuk, dipl.ing. Knjiga ima dva dijela.
U prvome, uvodnom, dijelu dato je nekoliko informacija o poslovno tehnološkoj orijentaciji domačih proizvodjača poluvodičkih komponenata i napravljen je osvrt na prekla-panje asortimana kod domačih proizvodjača. Takodjer, u prvome dijelu, opisane su ukratko osnovne poluvodičke
tehnike i sistemi označavanja poluvodičkih komponenata. Data je definicija pouzdanosti, objašnjene klase kvalitete, odredjivanje klasa kvalitete, prikazana je metoda uzorko-vanja i objašnjene su grupe testova za utvrdjivanje klase.
U drugome dijelu knjige predstavljen je asortiman proizvodnje i ponude poluvodičkih komponenata za 1985/86. go-dinu.
Asortiman obuhvača: Silicijske diode, silicijske tiristore, silicijske modularne blokove, silicijske modularne bloko-ve s električki izoliranom metalnom bazom , silicijske is-pravljačke blokove, selenske ispravljačke blokove, silicijske bipolarne tranzistore, germanijslce bipolarne tran-zistore, silicijske MOS tranzistore s efektom polja (MOS FET), silicijske spojne tranzistore s efektom polja (JFET), bipolarne analogne integrirane sklopove, unipolarne digitalne integrirane sklopove SSI/MSI , unipolarne digitalne integrirane sklopove visokog stupnja integracije (LSI), nestandardne integrirane sklopove (CUSTOM DESIGNED IC ili APPLICATION SPECIFIC IC-ASIC), optoelektroni-čke izolatore (PHOTON COUPLERS), LED sijalice, LED pokazivače, sunčane čelije.
Svi podaci o komponentama u knjiži preuzeti su iz kataloga domačih proizvodjača. Prikazani proizvodi rezultat su potpuno ili djelomično usvojene tehnologije. U knjiži nisu navedeni proizvodi koji se sporadi.čno pojavljuju u katalo-zima proizvodjača a potječu iz uvoza unutar različitih poslovnih aranžmana.
Za sve informacije u vezi nabavke ove korisne knjige či-taoci se mogu obratiti na: Elektrotehničko društvo Zagreb, Berislavičeva 6/1, tel. 041/422-939.
PROJEKTIRANJE INTEGRIRANIH SKLOPOVA
Poluvodička tehnologija koja je u mogučnosti proizvesti čip sa milion tranzistora, softver koji omogučuje razvoj
238
kompajlera i baza podataka, a u novije vrijeme i metoda umjetne inteligenc ije, tehnologija izrade hardvera koja nudi radne stanice snage 1-5 MlPSa, potražnja i potrošnja ASIC-a (Application Specific Integrated Circuits) koja če uskoro iznositi 90 % ukupne potrošnje integriranih sklopova u svijetu, sve to je uvjetovalo vrlo intenzivan razvoj pomagala za projektiranje integriranih sklopova pomocu računala i potaknulo je "Sektor za industrijsku elektroniku i automatizaciju" u "Elektrotehničkom institutu Rade Končar" da organizira seminar: "Metodologija projektiranja digitalnih integriranih sklopova". Seminar je održan u Zagrebu u prostorijama "Elektrotehničkog instituta Rade Končar" u vremenu od 3. novembra do 7. novembra. Predavač na seminaru bio je Boris Bastijanič, suradnik ETI-Rade Končar. Osim učesnika iz Rade Konča-ra na seminaru su učestvovali stručnjaci iz Elektronske industrije - Niš, Elektronskog fakulteta u Nišu, SOUR-a Rudi Čajavec iz Banja Luke, Elektrotehničkog fakulteta u Zagrebu, Tvornice poluvodiča RIZ-Zagreb i Vojno tehni-čke akademije iz Zagreba.
Sadržaj seminara baziran je na dvotjednom seminaru NATO naprednog študija održanom u Italiji u ljetu 1986. Na spomenutom seminaru iz Jugoslavije su učestvovali jedan suradnik iz Rade Končara i jedan suradnik iz ISKRE-Mi-kroelektronika.
Zadnjeg dana seminara u Zagrebu održana je rasprava o našim mogučnostima uključivanja u svjetske tokove projektiranja (i proizvodnje) integriranih sklopova. U ras-pravi su došla do izražaja dva oprečna stajališta. Po jed-nima iluzorno je očekivati da u zemlji možemo razvijati složena pomagala za projektiranje kao što su silicijski kompajleri i integrirani sistemi. Po drugima domači razvojni rad na tome području neophodan je i može dati ko-risne rezultate. Sigurno bi čitaocima Informacije MIDEM bilo zanimljivo pročitati na stranicama Informacije MIDEM argumente jedne i druge strane.
IZ LISTOVA RADNIH KOLEKTIVA ČAJAVEC
U broju 283 od oktobra ove godine u listu "Čajavec" objavljena je informacija o suradnji Cajevčevog OOUR In-
ženjering i kompanije TEC iz Tokia. Plodna dvogodišnja suradnja proširena je dogovorom koji uključuje "Čajavec" neposredno u proizvodni lanac ovoga renomiranog proizvod j ač a.
Sto čini proizvodni program suradnje ove dvije organizacije? Prije svega to su elektronske pisače mašine s mi-kroprocesorom (portabl i velike), elektronske vage za supermarkete (od 1 do 15 kg) te trgovačke kase koje u odnosu na standardne varijante elektronskih kasa imaju prednost da u slučaju nestanka električne energije več otkucane podatke zadržavaju u memoriji. Svakako je in-teresantan "Pos sistem", koji omogučuje da se niz kasa u robnoj kuci ili u drugim sličnim okolnostima povežu na kompjuter s ciljem da se prati kompletan novčani tok. Za jugoslavensko tržište atrakciju če predstavljati "Me-eting board" - elektronska tabla za sastanke. Sadržaj sa table automatski se kopira na A4 format i mogu ga, ako žele svi učesnici sastanka odmah dobiti. Pažnju takodjer zavredjuju uredjaji za etiketiranje i printeri za kompju-tere. Riječ je o vrlo atraktivnom programu koji se u su-vremenom svijetu uvelike udomačio, a postepeno zauzi-ma mjesto i na jugoslavenskom tržištu.
ISKRA
U novinama Iskra čitamo Iskra elementi
"Povezovati znanje v okviru raziskovalne enote"
Najpomembnejša strateška naloga v DO Elementi je razvoj in uvajanje novih lastnih tehnologij in izdelkov. S tem naj bi čimprej premagali tržno neučinkovitost, ki je že občutimo na zahodnih trgih. Težišče vsega dela v prihodnje bo vsekakor celovito uveljavl janje raziskovalno-razvojne (RR) dejavnosti, ki naj bi bilo bolj intenzivno kot doslej. V naših temeljnih organizacijah bo treba bolj smotrno začeti organizacijo razvoja, kar bi omogočilo	i
tako boljše obvladovanje obstoječih proizvodnih procesov in s tem višjo kakovost, kot tudi nadaljnje posodabljanje in uvajanje novih tehnoloških dosežkov".
Gornji citat je uvod u razgovor što ga je Suradnik Iskre vodio s Ervinom Pirtovšekom rukovodiocem raziskovalne enote u DO Iskra Elementi. U daljem tekstu prenosimo odgovore na nekoliko pitanja.
239
- Omenili ste kritično maso raziskovalcev, ki naj bi jo dosegli v okviru RE. Kakšno je stanje na področju kadrov?
"Dejstvo je, da so raziskovalci postali zelo iskano "blago". Primanjkuje jih tudi pri nas, saj razen v 2-3 razvojnih oddelkih potrebne kritične mase nimamo. Pri nas zaposlujemo trenutno 196 razvojnikov, od tega jih ima le 32 % visoko izobrazbo. V podobni industriji v svetu je v podobnih proizvodnjah zaposlenih tudi 30 % ljudi z visoko izobrazbo. V naši DO pa se ta številka vrti okoli 5,3 %. Kot sem že omenil, pa so naši raziskovalci v temeljnih organizacijah pretežno obremenjeni s tekočimi posegi v proizvodnji, kar je tudi eden izmed vzrokov za nedosega-nje pravih rezultatov. Z namenom omogočiti najboljše izkoriščanje zmogljivosti v razvojni dejavnosti smo se odločili za projektno vodenje razvojnih nalog in s tem smotrno porazdelitev dela. Raziskovalno delo pa je treba definirati tudi časovno in stroškovno. Projektne naloge naj bi zajele torej celotno inovacijsko verigo.
Na ravni SOZD smo se dogovorili, da je treba za vse večje razvojne projekte pripraviti predštudijo, kjer naj bi bilo začrtano vse, od razvojne faze, prek prenosa razvojnih dosežkov v proizvodnjo, organizacije same proizvodnje do trženja. Predvsem pa bo treba opraviti tržne raziskave in opredeliti investicije v opremo.
Predpogoj vsega je, da se pri RR dejavnosti postavimo na lastne noge, da sprotno izobražujemo obstoječe in pridobivamo nove kadre, vendar pa to ne pomeni, da se ne bomo še naprej povezovali z zunanjimi institucijami. Raziskovalni inštituti bodo za nas tudi v bodoče, kot že doslej, opravljali bazične raziskave, za kar pri nas nimamo pogojev. "
- Kakšni so torej prvi koraki v novem konceptu razvojne dejavnosti?
"Predvsem so to organizacijske spremembe - to pomeni dosledno uveljavljanje projektnega vodenja, kjer naj bi bil največji poudarek na zagotavljanju kakovosti že v samem razvojnem procesu in potem skozi celotno inovacijsko verigo. Pri tem bi omenil potrebo po ustanovitvi skupnega laboratorija za vse naše temeljne organizacije, kjor bi lastno znanje o materialih dvignili na višjo raven, saj je kontrola surovin, preden gredo v proizvodnjo, predpogoj za kakovost končnega izdelka.
Nadalje bi omenil projekt senzorjev. Skušamo pridobiti nov proizvodni program, v katerega bo vloženega več znanja in, ki je na trgu zelo iskan. V ta okvir sodijo med drugimi polprevodniški senzorji, tankoplastni senzorji, piezokeramični senzorji, itd. Vodim predprojekt, ekspertizo , na ravni SOZD, ki nam bo prek tržnih raziskav pokazal, kaj je smiselno razvijati in v kaj je smiselno vlagati.
-	Se pravi, da je projekt senzorjev organizacijsko in razvojno najdlje v smislu projektnega vodenja?
"Ta projekt je financirala SOZD Iskra iz svojih strateških sredstev. Na osnovi tega je prišla pobuda s strani SOZD, da bi bilo potrebno tudi za vse bodoče razvojne programe izdelati podobne predprojekte, na ta način in v tem obsegu, kajti doslej se jo večkrat dogajalo, cla srno se odločali na osnovi občutkov in brez potrebnih analiz. "
-	Kateri bodo nadaljnji projekti, ki se pripravljajo v Elementih?
V pregledu načrtovanih projektov za leto 1986 smo prišli do številke 40. Analizirati bo treba vse pomembnejše obstoječe projekte, jih na novo oceniti in definirati aktivnosti osvajanja. Glede na število kadrov in količino sredstev, ki so na voljo, je seveda treba selekcionirati najpomembnejše.
Omenil bi predvsem projekt avtomatizacije in robotizacije naših pr oizvodnih procesov. To je osnova za kvalitetno uvajanje razvojnih dosežkov v proizvodnjo.
-	Ali bomo opremo, oziroma robote konstruirali doma?
"Delno skušamo opremo razvijati tudi doma, vendar je razvoj v svetu tako hiter, da nam tega v celoti ne dopušča. Morali bomo visoko sposobne robote uvoziti in jih a-plicirati v našo proizvodnjo.
Nakup visokousposobljenega, računalniško krmiljenega robota iz tretje generacijo pomeni lo 30 % vseh stroškov delovne celice. Za npromo delovnega mesta, za pripravo,
za merilno opremo in prilagoditev celotne linije, da bo robot res učinkovit in bo delal tudi 18 ur na dan, pa je potrebno vložiti še 70 °/o domačega znanja in sredstev. Naš
240
cilj je krmiljenje proizvodnih procesov z računalnikom.
Storjeni so bili že določeni premiki, 4 robote že ima naša TOZD Polprevodniki iz Trbovelj pa tudi v TOZD HI POT v Šentjerneju se že dogovarjajo s strokovnjaki z Elektro-fakultete, ki bi nam pomagali robotizirati proizvodni proces za montažo hibridnih vezij. Ni naključje, da sta ti dve temeljni organizaciji v poslovnih rezultatih v vrhu v naši DO. Do spoznanja o neizogibnosti osvajanja avtomatizacije in robotizacije prihajajo tudi v drugih naših tovarnah, vendar je konkretno storjenega še veliko premalo.
Zelo pomemben projekt, ki nas čaka v obdobju 1987 -1992 je površinska montaža elektronskih elementov. Z njim smo kandidirali v ZAMTESU za sredstva UNDP (United Nations Development Program) pri OZN. Ta program je bil izbran kot prvi za avtomatizacijo proizvodnih procesov. Razvili bomo tehnologijo za površinsko montažo, kar je povsem v skladu z najnovejšimi zahtevami in dosežki elektronske industrije v svetu. Na področju hibridnih vezij je tehnologija površinske montaže že razvita, vendar zaenkrat temelji na ročnem delu. V TOZD Upori pa so že razvili MELF upor, ki tudi ustreza zahtevam površinske montaže. Za to tehnologijo naj bi usposobili še polprevod-niške elemente, senzorje, multilayerske kondenzatorje, potenciometre, elektrolite in navite komponente".
Napomena redakcije:
Želja uredničkog odbora Informacije MI DEM je da objav-ljuje čim više aktualnih informacija iz domač.ih radnih
kolektiva proizvodjača i potrošača sastavnih dijelova. Jedan od izvora informacija su listovi radnih kolektiva. Redakcija prima redovno listove: Iskra, Končarevac, Cajavec i RIZ Informator. Pozivamo članove MIDEM-a iz ostalih organizacija i ostale organizacije sponzore društva da da svoje novine ili pojedinačne informacije ša-lju na adresu, Miroslav Turina, Elektrotehnički institut Rade Končar, 41000 Zagreb, Baštijanova ul. bb. Na taj način čemo biti u mogučnosti objavljivati više informacija iz domačih kolektiva.
Jedna vijest iz inozemstva
Toshiba (Tokio), General Electric (USA) i Siemens (S.R. Njemačka) dogovorili su zajednički razvoj biblioteke standardnih čelija za projektiranje integriranih sklopova po narudžbi. Oni če razviti 160 čelija, memorijskih blokova i ostalih makročelija za korištenje u l,5^um i l,2^um CMOS tehnologiji. Biblioteka za l,5^m CMOS tehnologiju biti če na raspolaganju korisnicima do kraja 1986. godi-ne. Biblioteka čelija proširiti če se 1987/88 na kompleks-nije funkcije i makročelije visokih performansi u l,2^,um CMOS tehnologiji. Biblioteka i čelije imati če zajednički komercijalni naziv, da bi se korisnici lakše snalazili. Kompanije če koristiti ista pravila projektiranja i kompa-tibilne tehnologije proizvodnje čipova da bi čim bolje garantirale kvalitet proizvoda i brže snabdjevale kupce, (preuzeto iz Solid State Technology).
VODIKOV PEROKSID H202 30 ut %
Kvaliteta:
SEMI STANDARD C1.STD.9
Datum proizvodnje:
Rok uporabe: 6 mesecev
Vsebnost trdnih delcev: Razred 0-2
Številka šarže:
Neto: 1 kg
BELTRON je brezbarvna tekočina brez vonja. Nevarnost požara pri stiku z gorljivimi snovmi. Povzroča opekline/izjede. Hraniti na hladnem.
Polite dele telesa takoj spirajte z veliko količino vode.
Pri delu nositi primerno zaščitno obleko in zaščitna očala/ščitnik.
NAČIN IN POGOJI SKLADIŠČENJA: Beltron skladiščite v temnih, zračnih, ognjevarnih in hladnih prostorih v originalni embalaži proizvajalca.
SPECIFIKACIJA:
barva (APHA): 10 max. vsebnost H202: 30,0—32,0 ut % vsebnost prostih kislin: 0,6 /¿eq/g max. ostanek po uparevanju: 20 ppm max. vsebnost klorida (CI): 2 ppm max. vsebnost sulfata (S04): 5 ppm max. vsebnost fosfata (P04): 2 ppm max. vsebnost težkih kovin (kot Pb): 0,5 ppm max
vsebnost arzena in antirnona (kot As): 0,01 ppm max. vsebnost aluminija (AI): 1 ppm max. vsebnost barija (Ba): 1 ppm max. vsefenost bora (B): 0,05 ppm max. vsebnost kadmija (Cd): 1 ppm max. vsebnost kalcija (Ca): 1 ppm max. vsebnost kroma (Cr): 0,5 ppm max.
vsebnost kobalta (Co): 0,5 ppm max. vsebnost bakra (Cu): 0,1 ppm max. vsebnost galija (Ga): 0,5 ppm max. vsebnost germanija (Ge): 1 ppm max. vsebnost zlata (Au): 0,5 ppm max. vsebnost železa (Fe): 0,5 ppm max. vsebnost litija (Li): 1 ppm max. vsebnost magnezija (Mg): 1 ppm max. vsebnost mangana (Mn): 1 ppm max. vsebnost nikla (Ni): 0,1 ppm max. vsebnost kalija (K): 1 ppm max. vsebnost silicija (Si): 1 ppm max. vsebnost srebra (Ag): 0,5 ppm max. vsebnost natrija (Na): 1 ppm max. vsebnost stroncija (Sr): 1 ppin max. vsebnost kositra (Sn): 1 ppm max. vsebnost cinka (Zn): 1 ppm max.
h
tozd perkemija, ljubljana
POLITIKA KAKOVOSTI ISKRA - MIKROELEKTRONIKA
ZA VSAK PROIZVOD ALI STORITEV SE ZAVEZUJEMO, DA BOMO IZPOLNJEVALI ZAHTEVE, KI REŠUJEJO PROBLEME IN ZAHTEVE NAROČNIKOV.
Te zahteve bomo izpolnjevali brez izjem, v kolikor nam bodo to dovoljevale razvojne možnosti in tehnološka oprema.
PRI VSAKEM OPRAVILU SE BOMO POTRUDILI, DA GA BOMO DOBRO OPRAVILI ŽE PRVIČ.
RAVEN KAKOVOSTI
Programi zagotavljajo kakovost v IME in s tem posredno morajo tudi vsi v Mikroelektroniki narejeni proizvodi ustrezati mednarodnim zahtevam po MIL STD 883 C. Na tržišče pošiljamo le preizkušene izdelke. Ti izdelki morajo ustrezati tudi tržno sprejemljivi kakovosti, ki jo postavljajo kupci izraženi v FIT ali ppm, pri čemer je maksimalni povprečni FIT 500. Posamezne konkretne ciljne vrednosti določajo sporazumno Iskra Mikroelektronika in naročniki.
OBVLADOVANJE KAKOVOSTI
je osnovno določilo tržne politike Mikroelektronike.
KAKOVOST-CENA-ROK DOBAVE so osnovni parametri dolgoročne poslovne usmerjenosti. Vse službe sprejemajo v okviru teh načel svoje podrobne programe za obvladovanje kakovosti. Podrobnosti obvladovanja in zagotavljanja kakovosti so zbrane v posebni publikaciji, ki je namenjena poslovnim partnerjem.
OMEJITVE
Proizvod ali storitev, ki ne odgovarja postavljenim zahtevam, ne sme zapustiti tovarne, če to ni s kupcem posebej in pisno dogovorjeno in označeno na izdelku.
Navodila avtorjem
Upute autorima
Publikacija »Informacije MIDEM« je zainteresirana za prispevke domačih in inozemskih avtorjev — še posebej članov MIDEM — s področja mikro-elektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki jih lahko razvrstimo v naslednje kategorije: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, pregledni strokovni članki, mnenja in komentarji, strokovne novosti, članki (iz prakse, članki in poročila iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, članki in poročila o akcijah MIDEM, članki in poročila o dejavnostih članov MIDEM. Sponzorji MIDEM lahko brezplačno objavijo v vsaki številki publikacije po eno stran strokovnih informacij o svojih novih proizvodih, medtem ko je prispevek za objavo strokovnih informacij ostalih delovnih organizacij 13000 din za običajno A4 stran in 25000 din za A4 stran, ki vsebuje črno-belo fotografijo. Prispevek mora biti pripravljen tako:
a)	Imena in priimki avtorjev brez titul
b)	Naslov dela, ki ne sme biti daljši od 15 besed in mora jasno izražati problematiko prispevka
c)	Uvod — formulacija problema
d)	Jedro dela
e)	Zaključek
f)	Literatura
i) Ime in priimek avtorjev, vključno s titulami in naslovi njihovih delovnih organizacij Rokopis naj bo jasno tipkan v razmaku 1,5 v širini 12 cm (zaradi montaže na A3 formatu in pomanjšave na A4 format) na A4 listih. Obseg rokopisa naj praviloma ne bo večji od 20 s strojem pisanih listov A4, na katerih je širina tipkanja 12 cm.
Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs papirju ali belem papirju. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Podnapisi za risbe, ki so široke do 12 cm, naj bodo tipkani do širine 12 cm, za risbe, ki so širše, pa širina podnapisa ni omejena. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. Risbe, tabele in fotografije ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. Delo je lahko pisano v kateremkoli jugoslovanskem jeziku, dela inozemskih avtorjev pa v angleščini ali nemščini.
Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka.
»Informacije MIDEM« izhajajo aprila, junija, septembra in decembra v tekočem letu. Rokopise, prosimo, pošljite mesec dni pred izidom številke na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50
61000 LJUBLJANA Rokopisov ne vračamo.
Publikacija »Informacije MIDEM« zainteresirana je za priloge domačih I inozemskih autora, na-ročito članova MIDEM. Priloge s područja mi-kroelektronike, elektroničkih sastavnih dijelova i materijala možemo razvrstati u sledeče skupine: izvorni znanstveni članci, stručni članci, prikazi stručnih članaka i drugih stručnih radova, mišljenja i komentari, novosti iz struke, članci i obavijesti iz prakse, članci i obavijesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, članci i obavijesti o akcijama MIDEM, članci i obavijesti o djelatnosti članova MIDEM.
Sponzori MIDEM mogu besplatno u svakome broju publikacije objaviti po jednu stranu stručnih informacija o svojim novim proizvodima. Ostale radne organizacije plačaju za objavljiva-nje sličnih informacija 13000 din po jednoj obič-noj A4 stranici i 25000 din po A4 stranici sa crno-bijelom fotografijom.
Priloži trebaju biti pripremljeni kako slijedi:
a)	Ime i prezime autora, bez titula
b)	Naslov ne smije biti duži od 15 riječi i mora jasno ukazati na sadržaj priloga
c)	Uvod u kojemu se opisuje pristup problemu
d)	Jezgro rada
e)	Zaključak
f)	Korištena literatura
i) Imena i prezimena autora s titulama i nazivi-ma institucija u kojima su zaposleni.
Rukopis treba biti uredno tipkan na A4 formatu u razmaku redova 1,5 i širini reda 12 cm (zbog montaže na A3 format i presnimavanja). U pravilu, opseg rukopisa ne treba prelaziti 20 tipkanih stranica A4 formata s redovima širine 12 cm.
Crteže treba ¡zračiti tušem na pausu ili bijelom papiru. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba imati naziv i broj. Za crteže do 12 cm širine naziv ne smije biti širi od 12 cm Za crteže veče širine nije ograničena širina naziva. U tekstu je potrebno označiti mjesto za crteže. Crteže, tablice i fotografije ne treba lijepiti u tekst, več je potrebno priložiti ih članku odvojeno.
Rad može biti pisan na bilo kojem od jugosla-venskih jezika. Radovi inozemnih autora trebaju biti na engleskom ili njemačkom jeziku.
Autori odgovaraju u potpunosti za sadržaj objav-Ijenog rada.
»Informacije MIDEM« izlaze u aprilu, junu, septembru i decembru tekuče godine.
Rukopise za slijedeči broj šaljite najmanje mje-sec dana prije izlaska broja na:
Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50
61000 LJUBLJANA Rukopise ne vračamo.
Sponzorji MIDEM Sponzori MIDEM
GOSPODARSKA ZBORNICA — SPLOŠNO ZDRUŽENJE ELEKTROINDUSTRIJE SLOVENIJE, Ljubljana
RAZISKOVALNA SKUPNOST SLOVENIJE, Ljubljana
ISKRA — TOZD TOVARNA TELEVIZIJSKIH SPREJEMNIKOV, Pržan
ISKRA — INDUSTRIJA KONDENZATORJEV, Semič
ISKRA — INDUSTRIJA BATERIJ ZMAJ, Ljubljana
ISKRA — DO MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana
ISKRA — IEZE TOZD POLPREVODNIKI, Trbovlje
ISKRA — COMMERCE TOZD ZASTOPANJE TUJIH FIRM, Ljubljana
ITEO — TEHNOLOŠKO RAZVOJNA INFORMATIKA, Ljubljana
RIZ — KOMEL OOUR TVORNICA POLUVODIČA, Zagreb
SELK — TVORNICA SATOVA, Kutina
ULJANIK — Pula
RIZ — KOMEL OOUR ELEMENTI, Zagreb ISKRA — ELEMENTI, Ljubljana
UNIS — RO TVORNICA TELEKOMUNIKACIJSKE OPREME, Mostar ELEKTRONIK — PROIZVODNJA ELEKTRIČKIH UREDAJA, Zagreb ISKRA — AVTOMATIKA, Ljubljana FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana ELEKTRONSKI FAKULTET, Niš
RADE KONČAR — OOUR ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT, Zagreb
ISKRA — IEZE TOZD FERITI, Ljubljana
Ei — RO POLUPROVODNICI, Niš
ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb
ISKRA — CENTER ZA ELEKTROOPTIKO, Ljubljana
BIROSTROJ, Maribor
ISKRA — DELTA, Ljubljana
INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, Ljubljana
ISKRA — IEZE TOZD HIPOT, Šentjernej
BELINKA — TOZD PERKEMIJA, Ljubljana
GORENJE — DO PROCESNA OPREMA, Titovo Velenje
ISKRA — AVTOELEKTRIKA — TOZD ŽARNICE, Ljubljana
Publikacija Informacije MIDEM izhaja po ustanovitvi Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale — MIDEM kot nova oblika publikacije Informacije SSOSD, ki jo je izdajal Zvezni strokovni odbor za elektronske sestavne dele in materiale — SSOSD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od avgusta 1969 do 6. oktobra 1977 in publikacije Informacije SSESD, ki jo je izdajala Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale — SSESD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januarja 1986.
Publikacija Informacije MIDEM izlazi posle osnivanja Stručnog društva za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale — MIDEM kao nova forma publikacije Informacije SSOSD koju je izdavao Savezni stručni odbor za elektronske sastavne delove i materijale — SSOSD kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od augusta 1969 do 6. oktobra 1977 i publikacije Informacije SSESD koju je izdavala Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mikroelektroniku i materijale kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januara 1986.