UDK 621,3:(53+54+621 +66)(05)(497.1 )=00 YU ISSN 0352-9045 Strokovno društvo za mikroelektroniko elektronske sestavne dele in materiale m Časopis za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale Časopis za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove i materijale Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials INFORMACIJE MIDEM, LETNIK 20, ST. 2(54), LJUBLJANA, JUNIJ 1990 ' * "»«V'1 >A UÍ • * • • . INFORMACIJE MIDEM 2 ° 1990 INFORMACIJE MIDEM LETNIK 20, ŠT. 2(54), LJUBLJANA, JUNIJ 1990 INFORMACIJE MIDEM GODINA 20, BR. 2(54), LJUBLJANA, JUN 1990 INFORMACIJE MIDEM VOLUME 20, NO. 2(54), LJUBLJANA, JUNE 1990 Izdaja trimesečno (marec, junij, september, december) Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Izdajatromjesečno (mart, jun, septembar, decembar) Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove i materiale. Published quarterly (march, june, september, december) by Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials -MIDEM. Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Editor in Chief Tehnični urednik Tehnički urednik Executive Editor Uredniški odbor Redakcioni odbor Editorial Board Časopisni svet Izdavački savet Publishing Council Naslov uredništva Adresa redakcije Headquarters Iztok Šorli, dipl. ing. MIKROIKS, Ljubljana Janko Čolnar mag. Rudi Babič, dipl, ing. Tehniška fakulteta Maribor Dr. Rudi Ročak, dipl. ing., MIKROIKS, Ljubljana mag. Milan Slokan, dipl. ing., MIDEM, Ljubljana Zlatko Bele, dipl. ing., MIKROIKS, Ljubljana Miroslav Turina, dipl. ing., Rade Končar, Zagreb Jože Jekovec, dipl. ing., Iskra ZORIN, Ljubljana Prof. dr. Leo Budin, dipl. ing., Elektrotehnički fakultet, Zagreb Prof. dr. Dimitrije Čajkovski, dipl. ing., PMF, Sarajevo Prof. dr. Georgij Dimirovski, dipl. ing., Elektrotehnički fakultet, Skopje Prof. dr. Jože Furlan, dipl. ing. - Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Franc Jan, dipl. ing. - Iskra-HIPOT, Šentjernej Prof. dr. Drago Kolar, dipl. ing.v- Institut Jošef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing., Rudi Čajavec, Banja Luka Prof. dr. Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. - Elektronski fakultet, Niš Prof. dr. Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. - Elektrotehnički fakultet, Beograd Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana telefon (061)316-886 Letna naročnina za delovne organizacije znaša 560,00 din, za zasebne naročnike 280,00 din, cena posamezne številke 70,00 din. Člani in sponzorji MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno. Godišnja predplata za radne organizacije iznosi 560,00 din, za privatne naručioce 280,00 din, cijena pojedinog broja je 70,00 din. Članovi i sponzori MIDEM primaju Informacije MIDEM besplatno. Annual Subscrlption Rate is US$ 40 for companies and US$ 20 for individuals, separate issue is US$ 6. MIDEM members and Society sponsors receive Informacije MIDEM for free. Znanstveni svet za tehnične vede I je podal pozitivno mnenje o časopisu kot znanstveno strokovni reviji za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Izdajo revije sofinancirajo Republiški komite za raziskovalno dejavnost in tehnologijo in sponzorji društva. Znanstveno-strokovne prispevke objavljene v Informacijah MIDEM zajemamo v domačo bazo podatkov - ISKRA SAIDC-el, kakor tudi v tujo bazo podatkov - INSPEC. Po mnenju Republiškega komiteja za informiranje št. 23 z dne 27. 9. 1988 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Mišljenjem Republičkog komiteta za informiranje br. 23 od 27. 9. 1988 publikacija je oslobodena plačanja poreza na promet. Oblikovanje besedila in tisk BIRO M, Ljubljana Oblikovanje stavka i štampa Printed by Naklada 1000 izvodov Tiraž 1000 primjeraka Circulation 1000 issues UDK 621,3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana. R.Ročak: Sedaj moramo v svet in s svetom 60 R.Ročak: It is Time to go in the World with the World ZNANSTVENO STROKOVNI PRISPEVKI PROFESSIONAL SCIENTIFIC PAPERS Monika Jenko: Študij pojavov na površinah kovin pri vakuumskem mehkem spajkanju z metodo AES 61 Monika Jenko: AES Studies of Surface Phenomena at Fluxless Vacuum Soldering PetarStojanovski: Osjetljivost i točnost tranzistorskog temperaturnog senzora uz konstantnu koiektorsku struju 66 PetarStojanovski: Sensitivity and Accuracy of the Transistor Temperature Sensor under a Constant Collector Current M. Kramberger, M. Mičovič: Numerični model delovanja diode 69 M. Kramberger, M. Mičovič: Numerical Model of Diode Operation V. Gradišnik, S. Amon: 1D modeliranje prehodnih pojavov v PN strukturah 80 V. Gradišnik, S. Amon: 1D Modeling of Transient Behavior in PN structures M.KIanjšek: Tankoplastni silicijevi oksidi, I.Splošne lastnosti 83 M.KIanjšek: Silicon Oxide Films, I.General Properties Z.Bele: GALi - Generične logične mreže, I.del 87 Z.Bele: GALs - Generic Array Logic, Part I. MlroslavTurina: Elektronika u devedesetim 92 Miroslav Turina: Electronics in Nineties KONFERENCE, POSVETOVANJA, SEMINARJI, POROČILA ' CONFERENCES, COLLOQUYUMS, SEMINARS, REPORTS Darja Uvodič; MIEL90 18.Jugoslovansko posvetovanje o mikroelektroniki 98 Darja Uvodič: M1EL90 18lh Yugoslav Conference on Microelectronics Mirko Vujatovič: MIPRO 90 u Opatiji 99 Mirko Vujatovič: MIPRO 90 in Opatija Monika Jenko: XI.Jugoslovanski vakuumski kongres 100 Monika Jenko: XI.Yugoslav Vacuum Congress PREDSTAVLJAMO DO Z NASLOVNICE REPRESENT OF COMPANY FROM FRONT PAGE Vladimir Pantovič: El Istraživačko razvojni institut - IRI, Beograd 101 Vladimir Pantovič: El Research and Development Institute - IRI, Belgrade ČLANI MIDEM MIDEM MEMBERS Seznam članov društva MIDEM 102 List of MIDEM Members VESTI, OBVESTILA NEWS, INFORMATIONS Prikaz doktorske disertacije F. Smoleta 113 Represent of F. Smole's Doctor Thesis Poziv za sodelovanje na 41. posvetu o metalurgiji in kovinskih gradivih 115 Call for Contributions for 41 .Conference on Metallurgy and Metal Materials KOLEDAR PRIREDITEV 115 CALENDAR OF EVENTS JUGOSLOVANSKI TERMINOLOŠKI STANDARDI 119 YUGOSLAVTERMINOLOGICAL STANDARDS Slika na naslovnici: El Istraživačko razvojni Institut- IRI Front page : El Research and Development Institute - IRI VSltlNA CONTENT SEDAJ MORAMO V SVET IN S SVETOM "Dugo smo mislili da nam za rad i nije potrebna posebna pamet. I nismo pametno radili! Više ne možemo raditi kao da smo rekli zbogom pameti! Jer nam se pamet raziče po svetu! A kome je pamet u svetu, puna je ludosti sopstvena kučai" Tako je napisal književnik Milovan Vitezovič v besedilu posvečenem začetku realizacije znanstveno-tehnološkega parka v Beogradu. Pred letom dni so v Beogradu začeli graditi znanstveno- tehnološki park "ZVEZDARA", na istoimenskem griču, vsega 2,5 km od centra mesta v zeleni oazi površine več kot 200 hektarjev. Sam park bo velik 21 hektarjev s skupno 40 znanstveno- raziskovalnimi enotami, skupne bruto površine stotisoč kvadratnih metrov. Ob znanstvenih institucijah so predvideni tudi hotel, banka, pošta, restavracije in športno rekreativni tereni. Citirajmo še direktorja instituta "Mihajlo Pupin" dr. Drago ljuba Miličeviča: "Najznačajnija odlika NTP "Zvezdara" jeste mogučnost da u fizičkoj bližini rade istpvremeno razvojni punktovi instituta, fakulteta i pri v rede, ne napuštajuči svoje matične sredine. Time je omogučena sinhronizacija istraživačkih projekata i komercijalnih odnosa medu učesnicima, neop-terečena "integracionim", odnosno "dezintegracionim" procesima. NTP "Zvezdara" je otvoren koncept za sve istraživačke i proizvodne organizacije, koje imaju djelatnost u informacionim tehnologijama. Posebna pažnja se posvečuje formiranju manjih zajedničkih firmi sa strani m partnerima, koje bi u Park donele nove tehnološke prodore, neophodne za kreiranje savremenih proizvoda." Upajmo, da v Srbiji ne bodo ukinili proizvodnje polprevodnikov v Nišu in se zgledovali po Sloveniji. Kaj drugega kot norost je lahko definitivna likvidacija ne samo podjetja, temveč tudi dejavnosti proizvodnje mikroelektronskih vezij v Sloveniji? Predsednik društva M i DEM 60 UDK 621.3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 20(1990)1, Ljubljana ŠTUDIJ POJAVOV NA POVRŠINAH KOVIN PRI VAKUUMSKEM MEHKEM SPAJKANJU Z METODO AES Monika Jenko KLJUČNE BESEDE: vakuumsko mehko spajkanje, tanke plasti, oksidne plasti, indij, InžO, oksidacija indija, disociacija, redukcija, taline kovin, eksperimenti, Augerjeva spektroskopija, vakuumska tehnologija. POVZETEK: Za študij fizikalno kemijskih pojavov na površinah kovin, ki sodelujejo v procesu omakanja pri vakuumskem mehkem spajkanju brez talila smo razvili novo raziskovalno metodo, ki temelji na sprektroskopiji Augerjevih elektronov raztaljenih kovin. Raziskali smo začetne faze oksidacije na površini trdnega in raztaljenega indija v temperaturnem področju 298K3 v zelo tanki plasti po enačbi Ing03 (S) + 4ln(L)#3ln20 (G) v temperaturnem področju 430K3 (S) + 4ln(L)^3ln20(G) smo postavili izraz za izračun ravnotežnega parnega tlaka p(ln20), izraženega v mbar log p(ln20)=(~12536/T)+12,75. AES STUDIES OF SURFACE PHENOMENA AT FLUXLESS VACUUM SOLDERING KEY WORDS: fluxless vacuum soldering, thin films, oxide films, indium, in20, indium oxidation, dissociation, reduction, liquid metals, experiments, Auger spectroscopy, vacuum technology. ABSTRACT: A new sensitive investigation method based on Auger Electron Spectroscopy for studies of surface phenomena on liquid indium solder has been developed. An Auger Spectrometer is adapted to study the following phenomena: - surface oxidation of crystalline and liquid indium in the temperature range from 298K to 523K in a vacuum at constant oxygene pressure of 5 x 10~5 mbar with oxygen time exposure up to 100 minutes; - isothermal dissociation of ImCh thin film on liquid indium surface described by reaction: In203 (c) + 4ln(L)#:3ln20(g) at the temperatures of 633K,675K, 750K and 820K in a vacuum below 1 x 10"9 mbar. The equation for In20 equilibrium vapour pressure calculation: log p(ln20) = (-12536/T) + 12,75 was obtained from thermodynamic functions for bulk materials and from equilibrium of the afore cited reaction. 1. UVOD Vakuumsko mehko spajkanje z indijem ali z njegovimi zlitinami brez talila, sodi med vrhunske vakuumske tehnologije, ki jo obvladajo le redki proizvajalci specialnih elektronk v zahodnem svetu(1,2). Na Inštitutu za elektroniko in vakuumsko tehniko smo to tehnologijo razvili za hermetično inkapsulacijo slikovnih ojačevalnikov z bližinskim prenosom slike(3,4). Pri specialnih elektronkah, fotocelicah, fotopomnoževalkah, slikovnih ojačevalnikih in drugih elektronkah, majhna razdalja med fotokatodo in anodo ali medfotokatodo in mikroka-nalno pomnoževalko (pod 1 mm) ne dopušča klasičnega nanašanja fotokatode in hermetične inkapsulacije s črpalnim pecljem. Možen je le postopek črpanja elektronk brez peclja in hermetična inkapsulacija s tekočo spajko brez talila v ultravisokem vakuumu UVV. Pri tej tehniki spajkanja moramo zagotoviti skrajno čiste površine spojnih ploskev, ki so potrebne za potekanje fizikalno kemijskih reakcij pri omočenju. Mesta na katerih ne pride do omočenja so vakuumsko netesna. Prve preiskave modelnih vzorcev z metodo AES so potrdile domnevo, da se na raztaljenem indiju tvori tanka plast nečistoč predvsem ln203 in C, ki prepreči omo-čenje(3'4,6). Za študij pojavov na površini raztaljenega indija smo razvili novo občutljivo raziskovalno metodo, ki temelji na spektroskopiji Augerjevih elektronov raztaljenih kovin(6,7). Z omenjeno metodo smo raziskali nastajanje in odstranjevanje zelo tankih oksidnih plasti In203 na površini raztaljenega indija. Preiskave površin raztaljenih kovin s spektroskopijo Augerjevih elektronov so predstavljale za nas in v svetu novo področje uporabe metode AES<7). 2. EKSPERIMENTALNO DELO Vrha Augerjevih elektronov trdnega in raztaljenega indija sta po obliki, intenziteti vrhov in energiji Augerjevih elektronov v področju natančnosti meritve enaka, analitično pomembna pa je razlika med vrhovi Augerjevih elektronov kovinskega indija (402 eV, 408 eV) in indi-jevega oksida (399 eV, 405 eV)(8|9), slika 1. Študij oksidacijskih in redukcijskih procesov na površini raztaljenega indija je potekal v spektrometru Augerjevih 61 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 61 -65 M. JenKO. Študij pojavov na površinah kovin pri vakuumskem mehkem spajkanju z metodo AES Energija elektronov, E (eV) Slika 1: Vrha Augerjevih elektronov čistega kovinskega indija (402 eV) in oksida /«203 (399 eV, 405 eV), posneta pri enakih pogojih, elektronov Physical Electronics, SAM 545A, s cilindričnim analizatorjem CMA. Augerjeve elektrone smo vzbujali s statičnim curkom elektronov 3 keV/1jiA, premera 45 |j.m, pri vpadnem kotu 30°. Ionsko jedkanje z Ar+ ioni je potekalo pri tlaku Ar 7,3 x 10"5 mbar, energija je bila 1 keV ali 3 keV, emisijski tok 15 mA, premer ionskega curka okrog 2mm, vpadni kot ionskega curka je bil47° in emisijski tok merjen pri vpadnem kotu 47° je bil 1,8 x10"8 A. Spektrometer smo dodatno opremili z nosilcem vzorca, ki je bil hkrati uporovno greta pečica, opremljena s termočlenom; izvorom za naparevanje indija v vakuumski posodi; kremenovo mikrotehtnico za določanje debeline tanke plasti indija med depozicijo; kvadru polnim masnim spektrometrom za analizo preostale atmosfere; UVV kovinskim ventilom za vpuščanje kisika v vakuumsko komoro in izvorom za kisik, dobljen s kemično reakcijo. Vsi priključki za ogrevanje vzorca, za ozemljitev vzorca in za termočlen so bili izvedeni tako, da so dopuščali premikanje krožnika manipulator-ja, gledano s smeri analizatorja - CMA - za ±90° (7), slika 2. Slika 2: Spektrometer Augerjevih elektronov preurejen za preiskave pojavov na površini tekočih kovin. 1-vzorec: indij naparjen na Mo substratu; Mo substrat je hkrati tudi uporovno greta pečica, 2-termočlen Fe-CuNe, 3-nosiiec vzorca, 4-gibljivi priključki, 5-togi priključki, 6-izvor In za naparevanje v vakuumski posodi spektrometra, 7-izvor O2, Ni-cevka napolnjena z MnOi, 8-vrtljivi standardni nosilec vzorcev spektrometra Augerjevih elektronov, 9-prirobnica manipulatorja, 10-cilindrični zrcalni analizator (CMA), 11-ionska puška, 12-masni spektrometer, 13-provodnica, 14-kremenov kristal, 15-ventil za vpust Oz. Vzorec, tanko plast indija, debeline 1,5 do 2 |am smo naparevali v vakuumski posodi Augerjevega spektrometra na očiščen, prežarjen Mo trak dimenzij 30mm x 3mm x 0,3mm. Tanko oksidno plast ln2C>3 smo dobili z izpostavo površine čistega indija kisiku pri tlaku 5 x 1CT5 mbar v temperaturnem področju 298K 3,5 nm se vrh Augerjevih elektronov ln2C>3 ne spreminja več, ker postane debelina plasti večja od izstopne globine Augerjevih elektronov. Za določanje debeline oksidnih plasti d > 3,5 nm uporabimo profilno AES analizo. Začetne faze oksidacije na površini čistega indija smo študirali pri temperaturi 298K, pri temperaturi tik pod tališčem indija 420K in na površini čistega raztaljenega indija pri temperaturi 523K. Rezultati so grafično prikazani na sliki 3. Slika 3: Kinetika rasti oksidne plasti na površini trdnega In pri temperaturi 298 K, pri temperaturi tik pod tališčem In 420 K in na površini raztaljenega In Pri višjih temperaturah se tvorijo hlapni oksidi po enačbi (2): ln203(S) + 4ln(L)^3ln20(G) (2) Rast oksidne plasti ln2C>3 je identična z oksidacijo indija v temperaturnem področju, v katerem ne nastajajo hlapni oksidi. Čim začne ln2C>3 po enačbi(2) izparevati, debelina oksidne plasti preneha biti merilo oksidacije. 3.2. Disociacija tankih plasti In203 V drugem delu naših raziskav smo študirali odstranjevanje tankih oksidnih plasti ln2C>3 s površine raztaljenega indija. Reakcijo med tanko oksidno plastjo ln2C>3 in raztaljenim indijem, ki poteka po enačbi (2) smo imenovali disociacija. Raziskali smo jo pri konstantnih temperaturah 633K, 675K, 750K in 820K v vakuumu <1 x 10"9 mbar. Rezultati so prikazani na sliki 4. 0,8 0,6 C o 0,2 °0 10 v 20 30 Čas (min) Slika 4: izotermna disociacija tanke oksidne plasti inzOi, na raztaljenem indiju pri temperaturi 633 K, 675 K, 750 K in 820 K. Pri segrevanju na temperaturah T>633K poteka proces odstranjevanja tankih oksidnih plasti ln2C>3 z odparevan-jem hlapnih oksidov po enačbi(2) z zaznavno hitrostjo. Pri temperaturi 820K pa je proces že tako hiter, da zmanjševanja oksidne plasti do čiste kovine z metodo AES ni mogoče spremljati. Pod temperaturo 633K je možno le mehansko odstranjevanje prosto plavajočih delov tanke oksidne In203 plasti s površine raztaljenega In. Tanko oksidno ln2C>3 plast lahko ob izpolnjevanju posebnih pogojev'7' odstranimo s površine raztaljenega indija tudi z ionskim jedkanjem. 63 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 61 -65 M. Jenko: Študij pojavov na površinah kovin pri _ vakuumskem mehkem spajkanju z metodo AES Disociacija Iri203, oz. izparevanje ln20 je ključni proces vakuumskega mehkega spajkanja brez talila in je pomembna tudi v metalurgiji pri pridobivanju indija, pri transportnih reakcijah za pridobivanje monokristalov In203, pri izdelavi ITO plasti itd. Zato je bilo v zadnjih 15 letih posvečeno procesu(2) veliko raziskav. Za ravnotežni parni tlak indijevega suboksida p(lri20) = f(T) so literaturni podatki zelo različni (14-23). Nekatere smo prikazali na sliki 5. t(°c) tjoo HOO tO» MM 700 600 YK> «» X« l/T (K) X 10* Slika 5: Izmerjene in izračunane vrednosti za parni tlak p(lri20) različnih avtorjev. Za parni tlak In20, izražen v mbar, smo iz ravnotežja enačbe'1' in z uporabo termodinamičnih funkcij za masivni material (tabela 1) postavili izraz: log p(ln20) = (-12536/T) + 12,75. (3) Tabela 1: Vrednosti termodinamičnih funkcij uporabljenih za izračun p(ln20) Termodinamične funkcije Vrednosti Literatura AHial (In, L, 429, 6K)/kJmor1 3,6 18 AH0 (In 0, S, 298K)/kJmol"1 -928,34 17 AH0 (In 0, G, 298K)/kJmol'1 -65,69 19 S tal (In, L, 429,6K)/JK mol"1 7,93 18 S° (In, S, 298K)/JK mor1 58,16 18 s° (In 0, S, 298K)/JK mor1 114,22 18 s° (In 0, G, 298KJ/JK mol"1 373,32 n O povprečje vrednosti (17, 20, 21, 23) Vrednosti p(ln20), dobljene z enačbo(3) so grafično prikazane s premico 5 na sliki 5. 4. ZAKLJUČEK Za študij pojavov na površini raztaljenega indija smo razvili novo raziskovalno metodo, ki temelji na spektroskopiji Augerjevih elektronov raztaljenih kovin. Metoda omogoča študij kinetike rasti oksidne plasti ln2C>3 na raztaljenem indiju. Pri izbrani geometrijski legi vzorca v spektrometru smo zasledovali kinetiko rasti oksidne plasti ln2C>3 do debeline 3,5 nm, kolikor znaša efektivna izstopna globina Augerjevih elektronov za ln2C>3. Rast oksidne plasti ln2C>3 je identična z oksidacijo indija v temperaturnem področju, v katerem ne nastajajo hlapni oksidi. Čim začne ln20 odhlapevati po enačbi12', debelina oksidne plasti preneha biti merilo oksidacije. Za parni tlak In20, izražen v mbar, smo iz ravnotežja enačbe(2) in z uporabo termodinamičnih funkcij za masivni material postavili izraz(3). Izparevanje ln20 smo zasledovali z metodo AES z indirektnimi meritvami. Rezultati meritev kažejo, da postavljeni izraz za p(lnžO) velja za izparevanje In20 v ultravisokem vakuumu v temperaturnem področju 633K 300K Ug(T) = 1,20595 - 2,7325 . 10"4T., (4b) Pokretljivost nosioca može se aproksimirati izra- zonr M-: cn (5) gdje su C i r| parametri koji ovise o koncentraciji prim-jesa, a ne i o temperaturi. Iz relacija(1), (2), (3), (5) i uvodenjem kratica: 7=4-7! (6) AkCE B-- Nb (7) za odredivanje napona baza-emiter može se dobiti slijedeči izraz: Ube= Ug(T) + ± TlnT (8) Jednadžbom (8) data je temperaturna ovisnost napona baza-emiter bipolarnih tranzistora. Ako su ispunjene več spomenute pretpostavke i ako se zanemare efekti usljed uvedenih aproksimacija, parametri Biysutemperaturno neovisne konstante, koje ovise o tehnološkom profilu i geometriji zadanog tranzistora. Ako je kolektorska struja konstantna, a to je pretpostavka u ovom radu, onda napon baza-emiter ovisi samo o temperaturi. Parametarri odreduje se na temelju tamperaturne ovis-nosti pokretljivosti nosioca. Tako na primjer, pomoču krivulja u (1 ,str. 39,41) i (2,str. 859) za tranzistore stan-dardnog profila primjesa u bazi može se dobiti približna vrijednost tj = 1,6 odnosno y = 2,4, koju čemo koristiti u nastavku ovog rada. Parametar B može se dobiti i eksperimentalnim putem mjerenjem temperaturne ovisnosti napona baza-emiter i koriščernjem izraza(8). Medutim, za odredivanje temperaturne ovisnosti Ube nije neophodno znati i kolektor-sku struju i parametar B, nego je dovoljno da se zna samo njihov omjer Ic/B. Ako sa lco označimo jačinu kolektorske struje kod koje je Ube = 0,6V za temperaturu T = 300K, onda pomoču izraza (8) dobija se slijedeča vrijednost omjera lCo/B = 1,388 . 10 -3 Ako se jačina kolektorske struje promjeni od lco na vrijednost lc, napon baza-emiter promjenit če se za vrijednost AUbe, koju možemo odrediti pomoču (8). A Ube = — Tin (lc/lco) (9) Na si. 1. prikazana je temperaturna ovisnost napona baza-emiter za tri vrijednosti kolektorske struje: lco, 10lco i lco/10. Ube (V) 1.2 1.0 0.6 0.4 02 I I I ! I - \\J0lco \V\J_C0 \V\MTco" ! i i i i 200 300 /f00 T(K) Slika 1: Ovisnost Ube = i (T) uz /c kao parametar 3. OSJETLJIVOST SENZORA Osjetljivost senzora S, odredena je strminom karakteristike Ube = f(T) : dUbe dT (10) a negativni predznak je uzet zbog toga što napon Ube opada sa temperaturam. Iz jednačbe (8) dobija se: dUg(T) dT | In (/c/s) + Y|(//7r+ 1) (11) Ako se promjeni jačina kolektorske struje od vrijednosti lco na vrijednost iCl strmina če se promjeniti za neku vrijednost AS, koju možemo dobiti pomoču relacije'11': AS = ^ In (Jc/lco) H (12) Na si. 2 prikazana je ovisnost osjetljivosti senzora o temperaturi za tri konstantne vrijednosti kolektorske struje: lco, 10lco i lco/10. Vidimo da osjetljivost senzora ovisi o temperaturi i o jačini kolektorske struje. Za kolektorsku struju jačine lco ona se povečava od 2,12 mV/C kod T = -50°C, na 2,30 mV/C kod T = 150°C. Povečanje kolektorske struje uzrokuje smanjenje osjetljivosti senzora. Tako na primjer, ako se kolektorska struja poveča deset puta, osjetljivost se smanjuje za 0,20 mV/°C. 4. TOČNOST SENZORA Pogreška temperaturnog senzora, koja je mjerilo točnosti, je rezultat nelinearnosti karakteristike Ube = f(T). Ova nelinearnost je rezultat nelinearnosti prvog i trečeg pri-brojnika na desnoj strani izraza (8). Prvi član, Ug(T), je nelinearan za temperature niže od 300K, a treči je nelinear-an u čitavom temperaturnom području zbog faktora TlnT. 67 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 66-68 P. Stojanovski: Osjetljivost i točnost tranzistorskog _temperaturnog senzora uz konstantnu koloktorsku struju S imV/'°C) 1 1 0.1lco 2.5 - ___._ 24 P lco 2.3 - ____ 2.2 - 2.1 - 10lco _ 2.0 - 1.9 I 1 i i -50 0 50 100 T(°C) Slika 2: Osjetljivost senzora uz /c kao parametar Pogreška sezora odreduje se na temelju odstupanja karakteristike Ube = f(T) od pravca: U bT (13) Parametri a i b pravca (13) ovise o načinu podešavanja senzora. Ako se podešavanje vrši u dvije točke t.j. na temperaturama Ti i T2, onda se ovi parametri odreduju iz uvjeta: U(Ti) = Ube(Ti) i U(T2) = IMT2), i dobijaju se slijedeči izrazi: b = T2Ube (7"i) - TiUbe(T2) Tz- 7i Ube(T2)- Ube (T1) 72- 7"i (14) (15) Za jačinu kolektorske struje lco i ako se podešavanje vrši na granicama temperaturnog područja koje se analizira u ovom radu: Ti = 223,15K i T2 = 423,15K, dobijaju se siijedeče vrijednosti: a = 1,265V i b = -2,230.10"3V/°C. Apsolutna pogreška senzora odreduje se pomoču izraza: Ube - U AT-- (16) Ako se kolektorska struja promjeni od vrijednosti lCo na vrijednost lc, promjenit če se i apsolutna pogreška senzora za neku vrijednost A ( A T). Pomoču izraza: (8), (13), (14), (15) i (16) možemo dobiti promjenu apsolutne pogreške senzora: A(A7) = A7(/c) - AT (lco) - -ln(/ - elektrostatski potencial N(Z) - porazdelitev ioniziranih nečistoč = Nb(Z)~Nb(Z) Nb- koncentracija Ioniziranih donorjev Na - koncentracija ioniziranih akceptorjev Odvisnost gostote električnega toka vrzeli in elektronov od oblike elektrostatskega potenciala in gradienta koncentracij elektronov ter vrzeli podajata enačbi: jp = -q (Dp + ^p P & f§ ) jn=q{Dn Sn (Z) 6 Z s O ISn n (Z) Y^ ï Dn - difuzijski koeficient elektronov Dp - difuzijski koeficient vrzeli |ip - gibljivost vrzeli (in - gibljivost elektronov Fermi - Diracova kvantna porazdelitvena funkcija opisuje energijsko porazdelitev elektronov in vrzeli. Kot dober približek pri sobni temperaturi in srednji gostoti vzamemo Bolfzmanovo porazdelitveno funkcijo. V in-trinsičnem siliciju je podana lega elektronskega potenciala O prek zveze: Ec (Z) - Ev (Z) kr 2 ' In Nv ~N~c Ec - minimalna energija elektronov v prevodnem pasu Ev - maksimalna energija vrzeli v valenčnem pasu Nv - efektivna gostota stanj v prevodnem pasu Nc - efektivna gostota stanj v valenčnem pasu |j.i - kemijski potencial v intrinsičnem siliciju Ravnovesno koncentracijo prostih vrzeli in elektronov podajata enačbi: n(Z)- n/ exp |i + <70 kT f P(Z) = n, exp ( v M.+ <7 O kT ¡j. - kemijski potencial (Fermijev nivo) ni - koncentracija elektronov in vrzeli v intrinsičnem siliciju 69 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 69-79 M. Krambergar.M. Mičovič: numerični model delovanja diode Difuzijski koeficient elektronov povezuje z gibljivostjo enačba: Dn ^Ep — £c^ kT F-V-,2 V. £p - e c kT fVz in F-1/2 sta Fermijeva integrala O S- Vt Vri Vd Vd = -rr vgrajena napetost na p-n spoju Vt Va Va Va = -yj_ priključena napetost Dokler je koncentracija prostih elektronov mnogo višja kot Nc je dobra aproksimacija Einsteinova zveza: Dn - \±n kT q podobno velja tudi za vrzeli n kT Celotna gostota električnega toka ji je enaka ji = jp+jn Ker smo se omejili na stationarne pojave lahko zapišemo kontinuitetno enačbo kar: ŠiL. d Z' 0 Upoštevanje generacij in rekombinacije nam da še kon-tinuitetni enačbi za gostoti tokov vrzeli in elektronov: djp _ dZ -qG djn dZ qG G - generacijsko - rekombinacijska hitrost, ki je zaradi zakona o delovanju mas v stationarnih pogojih enaka za vrzeli in elektrone. V ravnovesju velja še p (z) . n (z) = ni2 qVT Fermijev nivo E = E = električna poljska jakost N N = n,p G N nj n_ ni P ni jr,jp,jn J T, J p, Jn Jt- U-- GL2d_ Do ni ri n -1-1 -1 Dn Dn, Dp yn ,Jp Jn = Uo jrLd q D0 ni Fizikalne količine, ki nastopajo v zapisanih enačbah najprej zapišemo v brezdimenzijski obliki. Vpeljemo nor-malizacijske faktorje: * Debyeva dolžina v intrinsičnem Si, Ld, ki podaja povprečno prosto pot nosilcev električnega toka. ¿0=^^=3,34-10"5 um cf ni kT _? * termična napetost l/T= — = 2,59 ■ 10 ^ l/ _-j A O * ni, ki znaša pri sobni temperaturi 1,45 • 10 cm J * difuzijski koeficient D0 = 1 cm2/sek. * kapacitivnost plasti s širino Ld Co = ^ = 3,1.1r Robna pogoja za popravek sta 8 \|/ (0) = 0 in 5 \|/ (L) = 0 Diferencialno enačbo prevedemo v diferenčno obliko. Računski interval razdelimo na intervale enake dolžine. Dobimo sistem linearnih enačb, ki ima tridiagonalno obliko. Rešimo ga z metodo Gaussove eliminacije. DIFERENCIALNA KAPACITETA Na p-n spoju je vgrajena plast z visokim električnim poljem, ki lahko doseže jakost 10"6V/cm ter se prostorsko razširja tudi 200 |im. Izmerimo lahko kapacitivnost take plasti, ki se spreminja s pritisnjeno napetostjo in je seveda odvisna od detaljne strukture diode. Diferencialna kapaciteta C je definirana kot kvocient naboja, ki steče v diodo in spremembe napetosti, ki tak tok povzroči. Upoštevati je potrebno le tok elektronov, saj je dotok vrzeli zaradi zahteve po električni nevtralnosti približno enak: J (n (x)v - n(x)v+dv) ■ dx °~dV~A dV OPIS PARAMETROV MODELA a) Koncentracije ioniziranih nečistoč Koncentacija ioniziranih donorjev je: 1 Nci= A/d(1 ,1 Eo- Ef 1 + — e g kT g - degeneracijski faktor osnovnega stanja je enak 2 Ed - lega donorskega nivoja v prepovedanem pasu primeru fosforja je !d+ (Nd = 1.1017cm3 V| Nd+ (Nd = 1.10lD/cmJ) = 0,999 . 10lb/cmJ in Nd+ (Nd = 1 . 1018/cm3) = 0,86 . 1018/cm3 Koncentracija ioniziranih akceptorjev Ni pa je: Na 1 +ge Ea-EF kT g - deganeracija osnovnega stanja je enaka 4 Ea - lega akceptorskega nivoja v prepovedanem pasu V primeru bora je: Na+ (Na = 1 . 1016/cm3) = 0,993 . 1016/cm3 in Na+ (Na = 1 . 1018/cm ) = 0,93 . 1018/cm3 Na metalurškem p-n spoju je koncentracija nosilcev električnega toka enaka n,. V izračunu upoštevamo popolno ionizacijo donorskih in akceptorskih nečistoč, kar je zadovoljiva aproksimacija pri modeliranih koncentracijah dopiranja. b) Gibljivost V modelu je uporabljena empirična odvisnost gibljivosti od koncentracije nečistoč pri sobni temperaturi (ref. 6): M-/1 max ~ [In min [in — [in min + 1 + fNd+Nax orientirane ploščice silicija n tipa, preddo-pirane s tremi različnimi koncentracijami fosforja, debele 250 jim. Difuzija je potekala 22 ur na temperaturi 1250°C v mešanici dušika in kisika. Kot izvor dopanta smo uporabili spin-on silica filma bora in fosforja. Kontakti na ploščici so bili standardni breztokovno nanešeni sintrani nikljevi kontakti. Na plast niklja je bila breztokovno na-nešena še plast zlata. Rezina je bila procesirana do izdelanih diodnih skeletov po standardni tehnologiji za izdelavo 2A diod v Iskri Polprevodniki Trbovlje. Meritve so bile opravljene na neinkapsuliranih skeletih. Diodna tabletka je bila kvadratne oblike z dolžino stranice 2 mm. Tako dobimo poenostavljeno generacijsko rekombina-cijsko hitrost G: G = pn - m' (n + p+2 m)x Na strukturi p+nn+ lahko izmerimo preklopni čas trr (ref. 8), v katerem preide dioda iz stanja prehoda v stanje zapore električnega toka. Najprej poganjamo skozi diodo tok 10 mA v prevodni smeri. Pri takem toku je vbrizganje nosilcev električnega toka v bazo iz p+ in n+ plasti veliko (reda velikosti 1017/cm3). Koncentracija vrzeli je eneka koncentraciji elektronov. (glej slike 14, 15, 16.) Za tem preklopimo električni tok v zaporno smer. Koncentracija nosilcev električnega toka se manjša z rekom-binacijami in črpanjem s pomočjo vsiljenega zapornega toka, dokler ne doseže ravnovesne porazdelitve v zapornem stanju. Generacijsko rekombinacijski člen še nadalje poenostavimo tako, da privzamemo p=n ter Tn = Tp = TO Dogajanje v bazi opiše enačba: dQ Q . dt to Rešitev ima obliko: Odvisnost koncentracije dopanta od koordinate prečno na rezino je bila za vse primere izmerjena z metodo spreading resistance na klinu zbrušenim pod kotom 2°. Primer porazdelitve dopanta je prikazan na sliki 4. I*. . Xel I .0E+02 3 t.3E+034 1 .0E+02 3 l .OE + 021 200 250 [ttm] . • iz»ar}«n difuziji profil in» - »mUIkm onbliiek difuzijskn» ptofil» Slika 4 P-n spoj se nahaja na globini okoli 60 jim. V modelu je porazdelitev dopanta aproksimirana z Gaussovo funkcijo, ki se v področju električno aktivnih koncentracij dobro ujema z izmerjeno: 72 M. Krambergar, M. Mičovič: numerični model delovanja diode_Informacije MIDEM 20(1 990)2, str. 69-79 Na (x) =Na0e ( (La X) ) Xja X2 Nd (x) = Ndoe (-j) xfd 1. N= 1 ■ 1014/cm3, trr- 8,7(isec., Ubr= 1560^ 2. A/= 1 • 1015/cm3 , xrr= 4,3|isec., Ubr= 260V Izmerjeni parametri na diodnih čipih: 1. N= 1 ■ 1C d= 250|im 2. N= 1 • 1C C/=250|J./77 3. A/= 1 • 1016/cm3 , 2,8|asec., Ubr= 106V d = 200\im Ubr - napetost plaznega naboja, izmerjena pri zapornem toku 10 ^ A N - koncentracija s fosforjem preddopirane baze d - debelina rezine silicija nostota toka [A mm"2] 1 . BEL—00 t 1.0E-002 1.0E-003 1.0E-00« CRT* !ZRACl"N"*NO O 1ZME.RJCN0 Slika 25 0. 3B 0.52 0. 66 Priključena napetost {V] 3 Koncenlr»ei.n preddopirinj« 10" n' Na slikah 23, 24 in 25 je prikazana odvisnost gostote toka v prevodni smeri od priključene napetosti za vse tri primere. S polno črto je podana odvisnost izračuna z modelom, izmerjene vrednosti so podane s točkami. Na slikah 17,18 in 19 je prikazana porazdelitev gostote noboja v zaporni smeri za vse tri primere. Na slikah so zapisane napetosti preboja posamezne diode, izračunane z modelom. Gostota toka (A mm ] i . 0E-002 1.0E-003 1.0E-005 ČRTA IZKAČl^AKO O IZMEf.JEHO Slika 23 0.2 4 0.30 0.52 0.6S Priključena napetost (V] Diodi I Koncentracija preddopirin;* 10 a* (As m"3] A 50 0 r—7-1-s -50 .......- - J 00 - 150 -2 00 -250 -300 -350 -400 -450 -500 -550 -600 — 6 S 0 -700 50 l 00 150 200 2 5 0 t«m) Diod« I Konccnlract Slika 17 Gostota toka (A mrn J ČRTA IZRAČL'KAN'0 O OIEIUCVO Slika 24 0.36 0.52 0.66 Priključena napetost (V) •d« Konccnincij» preddopiftnja |o j cij* prcddopjrtnji !0 Slika 18 73 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 69-79 M. Krambergar, M. Mičovič: numerični model delovanja diode GOSTOTA NABOJA lAs i eee ?se see sse -2se -sae -1 eee -12se -isee -1 75E -aeee 3.0 6.0 s.0 12.B is. {«m) Diod» i KoncoMrastj» prcddopir»«* Gostota kapacitete 1.0E-005 1 .0E-006 1 .0E-00? 1.0E-009 1.0E-003 1 .0E-010 1.0E-012 O o o o O IZRACTNAK0 ^ ¡ZMERJENO 0 . 1 S 0.32 0. «tB { Priključena napetost [V] Diod» 3 kor ci/t preddopirinj« I0' Slika 19 Gostota kapacitete modeliranih primerov je podana na slikah 20, 21, 22. Gostota kapacitete 1 .0E-005 iF mm"2] 1 .0E-00S 1 .SE-00? i.ee-009 t.0E—009 1 .0E-0l0 i t.0E-01J 1 .0E-012 O iZP.ACVSASO O IZMERJENO Slika 20 Gostota kapacitete 1.0E-005 [F mm"2j l.BE-BBG t.0E-00? I .0E-009 1.0E-0l0 1.0E-012 Priključena napetost [V] Dioda I Koncenw«ei/i prcddopirinj* 10 o o o o «b O o © o o O IZRAČVSANO O l-MERJf.NO 3.IS 0.32 0.40 0.S4 Priključena napetost [V] Dioda konuantr.ctj* pr.ddopinnji )0 m Slika 22 DISKUSIJA I (U) karakteristika v prevodni smeri Največja sprememba električnega potenciala je na metalurškem p-n spoju. Pri višanju prevodne napetosti se le-ta počasi manjša in pri določeni mejni napetosti Um v električnem smislu izgine, saj ga preplavijo gibljivi nosilci električnega toka, katerih koncentracija postane enaka koncentraciji dopiranja baze. Na slikah 5, 6 in 7 so podane porazdelitve električnega potenciala v prevodni smeri diode za vse tri modelirane primere. Slika 5 IVJ -0 10 -0 20 X - - \ v» - 0,8 V -0 30 L V—-- -0 40 \ \ \ \ N. v« - 0.6 V -0 S0 l \ \ \ \ X. v* - 03 V -0 60 l \ \ \ \ N. v» - 0.4 V -0 ? 0 \V\ v-.ojv -0 80 \ \ v. - 0.2 V -0 30 - 1 10 VJI—• 50 100 prcddopirtnp 10 Slika 16 74 M. Krambergar, M. Mičovič: numerični modei delovanja diode Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 69-79 POTENCIAL [V] 3. se s. se 50 100 150 200 [um] GOSTOTA NABOJA 30. E ÍAs m 25 . e 15.0 10.0 5 . 0 -15.0 -20.0 -25 . 0 -30. 0 -35.0 -40.0 3.0 6.e 9.0 12.0 15. í«m] Diod« ? Konctnlf»ci>i prtddoptnnjt 10 Diod» I koncsntr«cij» preddopir«nj» ¡o' n Slika 6 POTENCIAL [V] [V] -0.10 -0 . 20 -0.30 •v v« - o,s v -0. 50 -0 . 60 V V - 11,6 V V« - (1,5 V -0.70 \ V, - 0.3 V -0 . 90 v\ ----v. - o.: \ - 1 . 00 \ -1.10 Slika 9 160 200 [níTl] i preddopiran>t 10 Slika 7 Ker so spremembe potenciala pri majhnih prevodnih napetostih omejene na bližino metalurškega p-n spoja je na slikah 8, 9 in 10 podana odvisnost električnega potenciala v okolici p-n spoja v povečanem merilu. GOSTOTA NABOJA [As m"3) ' Slika 10 [um] Mejna napetost je pri primeru 1 enaka 0,4 V, v primeru 2 je Um = 0,52 V in primeru 3 Um = 0,60 V, kar kaže na dobro korelacijo med razliko Fermijevih nivojev v p-n spoju in mejno napetostjo. K električnem toku skozi diodo prispevajo pri prevodnih napetostih manjših kot Um v glavnem rekombinacije elektronov in vrzeli v področju električnega polja na p-n stiku, pri višjih napetostih pa difundirajo manjšinski nosilci izven področja p-n spoja ter tako modulirajo električno prevodnost posebno v šibkeje dopirani bazi. Rekombinacije potekajo znotraj celotne baze, pri napetosti okoli 0,8 V pa začno potekati rekombinacije tudi v delih močno dopiranih p+ in n+ plasti. > preddopir»nj» JO Slika 15 Na slikah 14,15 in 16 so prikazane porazdelitve gostote vbrizganih nosilcev za vse tri primere v odvisnosti od pritisnjene napetosti. 75 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 69-79 M. Krambergar, M. Mičovič: numerični model delovanja diode Porazdelitev gostot vbrizganih nosilcev polna črta An, prekinjena črta Ap NRPETOST 0.3 V NRPETOST 0.4 V NRPETOST 0.5 V NRPETOST 0.S V ?0 3 Dioda 1 Koncentracija preddopiranja 10 m Slika 16 76 M. Krambergar, M. Mičovič: numerični modei delovanja diode_Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 69-79 Porazdelitev gostot vbrizganih nosilcev polna črta An, prekinjena črta Ap 1.2E+020 9 .0E+019 S.0E+019 3.0E+019 0.0E+000 2.0E+020 l.5E+020 1.0E+020 5.0E+019 0.0E+000 0 50 100 150 200 250 NHPETOST 0.3 V 0 50 100 150 200 250 NRPETOST 0.4 V l/imi 3.0E+020 2.0E+020 1.0E+020 0.0E+000 1.5E+021 1 .2 £ + 02 9.0E+020 6.0E+020 3.0E+020 0.0E+000 i. 0 50 100 150 200 250 NRPETOST 0.5 V 0 50 100 150 200 250 iUml NRPETOST 0.B V B.0E+021 G.0E+021 4.0E + 021 2.0E + 02 t 0.0E+000 4.0E+022 2.0E+022 0. 0E-V000 0 50 100 150 200 250 NRPETOST 0.? V t-1-,-1-1-C>H-H 0 50 100 150 200 250 \jjl„ NRPETOST 0.8 V Dioda 2 Koncentracija preddopiranja 1021 m"3 Slika 15 77 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 69-79 M. Krambergar, M. Mičovič: numerični model delovanja diode Im 4.0E+020 2.0E + 02 0 0.0E+000 Porazdelitev gostot vbrizganih nosilcev polna črta An, prekinjena črta Ap (m"J| B.0E+020 6.0E+020 -I-1-1--1-(■ 4.0E+020 2.0E+020 0.0E+000 0 40 0 0 120 160 200 NRPETOST 0.3 V l/im) Im'3) 8 . 0E + 020 e.0E+020 4.0E+020 2.0E+020 0.0E+000 0 40 80 120 160 200 (/im) NRPETOST 0.4 V [m"Ji 2.0E+021 1.5E+021 1.0E+021 5.0E+0H0 0.0E+000 0 40 80 120 16 0 200 NAPETOST 0.5 V (m '] (/im) 0 40 80 120 16 0 200 NRPETOST 0.6 V !/im) 1.0E+022 5.0E+021 0.0E+000 G.0E + 02 2 4.0E+022 2.0E+022 0.0E+000 0 40 60 120 160 200 NRPETOST 0.7 V I/¿m I Dioda 3 Koncentracija preddopiranja 10 m 0 40 80 120 160 200 NRPETOST 0.8 V 22 „-3 Slika 16 78 M. Krambergar, M. Mičovič: numerični model delovanja diode < Informacije MIDEM 20(1 990)2, str. 69-79 Gostoti tokov vrzeli in elektronov nista povsem simetrični zaradi različnih gibljivosti le-teh. Pri mejni napetosti je gostota električnega toka primera 1 enaka ji = 1OuA/mm2, v primeru 2 je ¡2 = 100uA/mm2 in primeru 3 je j3 = 300jaA/mm2. Ujemanje modelnega izračunaz izmerjenimi vrednostmi je odlično za prevodne napetosti nad Um. Pri nižjih napetostih se gostota električnega toka v vseh treh opisanih primerih približuje 100mA/mm2 in postanejo razlike med modelom in eksperimentom velike. Pojasnimo si to lahko s prevajanjem električnega toka po površini diode, ki je določeno s tehnologijo obdelave in pasivacije odprtega p-n spoja ter neodvisno od detaljne strukture diode. Koncentracija manjšinskih nosilcev v bazi močno narašča s prilisnjeno napetostjo v prevodni smeri in deseže pri Ui = 0,8 V že red velikosti 1017/cm3. Opisani model, ki ne upošteva Augerjevih rekombinacij, začne zato najprej slabše konvengirati pa tudi ujemanje z meritvijo je slabše. Pri Uf > 1 V, ko so koncentracije vbrizganih nosilcev v bazi višje od 1018/cm3 in začne prevladovati Augerjev rekombinacijski člen nad Schock-ley-Reed-Hallovim pa model celo divergirá. I (U) karakteristika v zaporni smeri Višanje napetosti v zaporni smeri povzroči večanje električne poljske jakosti na p-n spoju in širjenje področja z močnim električnim poljem. Širi se predvsem v bazo, ki je šibkeje dopirana, saj mora biti količina naboja na n-strani enaka kot na p strani spoja, p- stran pa je močno dopirana. Električna poljska jakost narašča dokler ríe doseže najvišje možne vrednosti, ki je določena z energijo nosilcev električnega toka, ki jo le-ta dobi s pospeševanjem med dvema trkoma in mora biti enaka ali večja od ionizacijske energije silicijevega atoma. Takrat se sproži plast nosilcev in tok v zaporni smeri trenutno močno naraste, kar imenujemo plazni preboj. Električna poljska jakost, ki je potrebna za preboj v siliciju je okrog 1.105V/cm pri šibkeje dopiranih bazah in narašča z dopiranjem. Za izračun prebojne napetosti p-n spoja se uporabljata dve analitični aproksimaciji za obliko porazdelitve do-panta v p* plasti. a) Aproksimacija ostrega spoja Prebojno napetost v odvisnosti od koncentracije dopir-ania baze podaja empirična zveza Ubr = 5,34.1013 N V (ref. 5) Preddopiranje baze prebojna napetost iz aproksimacije prebojna napetost iz modela izmerjena prebojna napetost 1.1014,'cm3 Ubr = 1689 V 1500 V 1560 V 1.101W UBR = 300 V 255 V 260 V 1.1016/cm3 Ubr = 53,4 V 105 V 106 V Iz tabele je razvidno, da velja aproksimacija ostrega spoja dobro še zadopiranje baze 1,1015/cm3, za dopir-anje 1,1016/cm3 pa ne več. b) Aproksimacija linearno nagnjenega spoja Prebojno napetost v odvisnosti od nagiba profila dopan-ta podaja empirična zveza Ubr = 9,17.109 a0A V (ref. 5) a - gradient koncentracije dopanta na p-n spoju. Aproksimacija je smiselna le v primeru z dopiranjem baze 1.1016/cm3. Iz diagrama profila dopanta je ocenjen a = 3,23.1019/cm4, iz tega izračunana probojna napetost pa je Ubr = 144 V. Prebojna napetost izračunana z modelom da Ubr = 105 V, dejansko izmerjena prebojna napetost pa je 106 V. Napetost preboja v silicijevih diodah lahko dobro opišemo pri bazni koncentraciji dopanta manjši kot 1.1015/cm z aproksimacijo ostrega spoja, pri baznih koncentracijah nad 1.1016/cm3 pa z aproksimacijo nagnjenega spoja. Točne vrednosti lahko dobimo le s pomočjo numeričnega modela. Kapacitivnost v prevodni smeri Kapacitivnost v prevodni smeri je pri majhnih napetostih konstantna in enaka kapacitivnosti pri U=0. Ko začno zaradi vsiljenega električnega toka elektroni in vrzeli preplavljati bazo pa kapacitivnost močno naraste, saj merimo kapacitivnost diode kot celote. Skladišče naboja postane baza, zato je kapacitivnost v tem delu močno odvisna od širine baza. REFERENCE 1. W. Shockley, W. T. Read, Rhys. Rev. volume 87, no. 5, (1952) 835-842 2 H. K. Gummel, IEEE Trans on Elec devices, oct 10 (1964) 455-465 3. A. De Mari, Solid-State Electronics Vol. 11 1968 33-58 4. Diplomsko deio Miroslav Mičovič (1989) 5. S. M. Sze, Psysics of Semiconductor Devices (1981) 6 Properties of silicon• Inspcc the institution of electrical engineers Emis data reviews series No 4 (1988) 7, W, Schockley, Bell System Tech, J . 28, (1949) 435 8 M. Derdouri, P. Leturcq, A. Menoz-Yagüe, IEEE Trans in Elec deviced, vol, ED-27, No 11 (1980) 2097-2101 Miroslav Mičovič, dipl ing. Laboratorio T.A.S.C. Padricciano 99 Trieste, Italia mag. Miran Kramberger, dipl. ing. ISKRA Polprevodniki p.o. Gabersko 12, 61420 Trbovlje Prispelo: 05. 05. 1990 Sprejeto: 20. 05. 1990 79 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana_UDK 621.3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 1D MODELIRANJE PREHODNIH POJAVOV V PN STRUKTURAH Vera Gradišnik, Slavko Amon KLJUČNE BESEDE: polprevodniški elementi, pn diode, pn struktura, fizikalni modeli, enodimenzionalno modeliranje, numerične metode, prehodni pojavi. VSEBINA: V delu so opisani fizikalni modeli in numerična metoda, ki so uporabljeni v enodimenzionalnem programu za modeliranje prehodnih pojavov v PN strukturah. Podani so numerični rezultati simulacije pojava N+P diode pri preklopu stopnice napetosti od 0,1V do -0,1 V, dobljeni z reševanjem parcialnih diferencialnih enačb, ki temeljijo na Boltzmannovi statistiki. 1D MODELING OF TRANSIENT BEHAVIOR IN PN STRUCTURES KEY WORDS: semiconductor components, pn diode, pn structure, physical models, one dimensional modelling, numerical methods, transients ABSTRACT: The physical models and numerical method used in one-dimensional program for transient behavior modeling in PN structures has been described. The edposed numerical results of the transient behavior simulation of N+P diode in switching conditions from 0,1V to -0,1V bias have been achieved by solving the partial differential equation which are based on Boltzmann statistics. 1,UVOD Računalniško modeliranje je postalo nujen element v načrtovanju in analizi polprevodniških elementov. Enostavni analitični modeli nam dajejo samo omejene informacije in točnost za razumevanje in optimizacijo polprevodniških struktur. Z računalniškim modelom lahko dobimo vpogled v vpliv fizikalnih in geometrijskih parametrov na dogajanja v sami strukturi in na zunanjih priključkih. V svetu se že nekaj let skupine raziskovalcev ukvarjajo z razvojem računalniških programov za modeliranje polprevodniških elementov tudi v treh dimenzijah. Na Fakulteti za elektrotehniko in računalništvo v Ljubljani v Laboratoriju za nelinearne elemente je bil razvit program za reševanje časovno oddvisnih polprevodniških enačb v eni dimenziji. Program je napisan v programskem jeziku FORTRAN 77 in izvajanje poteka na računalniku VAX 8800. 2. FIZIKALNI MODELI Prehodne pojave v polprevodniških strukturah opisujejo osnovne enačbe: Poissonova eliptična diferencialna enačba div(egradv) = q (n-p-C) (1) kontinuitetni parabolični diferencialni enačbi za elektrone in vrzeli 8n 51 1 d/V Jn - R (2) 8p 5/ 1 div J p - R kjer so gostote tokov elektronov in vrzeli Jn = -qn|ingradV + qDngradn Jp = -qpupgradV - qDpgradp in enačba za celotni tok 5 E Jt = Jn + Jp + 51 (3) (4) (5) (6) Pri tem so koncentracije elektronov in vrzeli funkcije potenciala n = rij exp ( kT a (On - V) p= n,exp i—^f—) (7) (8) in C=Nb-NA (9) razlika ioniziranih donorskih in akceptorskih primesi. Omenjene enačbe temeljijo na Boltzmannovi statistiki. Z Boltzmannovo statistiko brez modifikacije, oz. vpeljave efektivne intrinsične koncentracije n,e je možno reševati samo primere s srednje dopiranimi strukturami. Pri močno dopiranih strukturah, ko se pojavlja efekt oženja prepovedanega pasu, kar ima za posledico povečanje koncentracije prostih nosilcev naboja, Boltz-mannova statistika ni več uporabna in je nujna vpeljava 80 V. Gradišnik, S. Amon: 1D modeliranje prehodnih pojavov v Informacije MJDEM 20(1990)2, str. 80-82 pn strukturah___ Fermi-Diracove statistike. Numerično gledano je takrat tudi sklopljenost med Poissonovo enačbo in kontinuitet-nimi enačbami večja in je nujno reševati celotni ti. sklo-pljeni sistem enačb naenkrat'4'. Reševanje nesklo-pljenega sistema enačb ima lahko za posledico konver-genčne probleme. Razen tega na stabilnost in konver-gentnost vplivajo izbrani fizikalni modeli za mobilnosti, življenske čase ter rekombinacije in generacije prostih nosilcev naboja. V literaturi(1,2) je omenjeno, kar kažejo tudi naši rezultati simulacije z lastnim programom, da naslednji fizikalni modeli ne povzročajo omenjenih problemov. Model mobilnosti elektronov in vrzeli Vplive kristalne mreže in ioniziranih primesi na mobilnosti nosilcev naboja opisuje Caughey-Thomasov izraz, podan v (2): L min M - M-L/ min M n,p h n,p m = n + -CL--— ^ n,p ^ n,p H , , C/ ,«„ (10) nref' On,p kjer je Cl vsota produktov vseh ioniziranih primesi in njihovega valenčnega stanja: CI = £ I Z/1 Ci /= 1 (11) Ostale parametre lahko vnesemo glede na eksperimentalne rezultate, podane v literaturi. Model rekombinacij in generacij elektronov In vrzeli Generacije in rekombinacije elektronov in vrzeli so modelirane s Shockley-Read- Hallovim izrazom: R- pn~ nf p(n+ m) + n{p + p i) (12) kjer so življenski časi nosilcev: T no t n'- t p: 1 + Np+ Na t pO 1 + Np+ Na hip1 (13) (14) pri tem so pri modeliranju vzete naslednje vrednosti: X no= 1.10~7S Xpo= 1.10~7s M?f=5,0- 101fW3 hfp1 ~ 5,0 • 1016cm"3 V uporabljenem modelu so rekombinacijski centri enakomerno razporejeni po polprevodniku, z energijskim nivojem na sredini prepovedanega pasu. 3. ROBNI POGOJI Predpostavimo, da je napetostno krmiljen ohmskl kontakt idealno prevoden. S tem zanemarimo padec napetosti na samem kontaktu. Takrat so Dirichletovi robni pogoji'1"3' za elektrostatični potencial: V(t) = Vd +Vappi (16) kjer je Vd vgrajeni difuzijski potencial in Vappi zunanja priključena napetost. Na ohmskem kontaktu predpostavimo termično ravnovesje in nevtralnost prostorskega naboja: n p - nf = 0 n-pC= 0 (17) (18) iz česar izhajajo Dirichletovi robni pogoji za elektrone in vrzeli. 4. NUMERICNA METODA Preden začnemo z numeričnim reševanjem polprevod-niških enačb, moramo diskretizirati strukturo polprevod-niškega elementa v prostoru in času. Definicijsko območje je razdeljeno na M subintervalov ali segmentov. Širina posameznega segmenta je h, = x,+i - x,. Med posameznimi segmenti so vozlišča oštevilčena od 0 do M. Vrednosti potenciala, koncentracij elektronov in vrzeli določimo v vsakem vozlišču, medtem ko električno poljsko jakost, gostote tokov in difuzijske konstante računamo v sredini posameznega segmenta, oz. na notranji mreži, ki ima N vozlišč. Časovno definicijsko območje razdelimo na potrebno število subintervalov s konstantnim korakom dm - tm + 1 - tm, kjer je m indeks posameznega časovnega nivoja. V vsaki točki definicijskega območja xim je rešitev aproksimirana z zahtevano natančnostjo. Z metodo končnih diferenc, ko parcialne odvode po koordinati x nadomestimo s centralnimi diferencami, parcialne diferencialne enačbe prevedemo v diferenčne algebraične enačbe. Z uvrstitvijo enačb (4) in (5) v en. (2) in (3) in ob predpostavki, da je odvod potenciala 8V/8x = konst. znotraj segmenta, dobimo sistem treh enačb s tremi neznankami v vsaki točki definicijskega območja. Časovni odvod je izražen s končnimi diferencami v smeri nazaj, t. i. backward Euler metoda. Dokler velja Boltzmannova statistika in dokler je sklopljenost med enačbami majhna, lahko vsako nelinearno enačbo lineariziramo z Newtonovo metodo'4'. Na ta način dobimo tri sisteme enačb z M+1 naznankami. Posamezna Jacobijeva tridiagonalna matrika vsebuje analitične odvode posameznih enačb glede na spremenljivke V, n, p. Enačba vozlišča k vsebuje vrednosti vozlišča k-1 in k+1. Rezultirajoča matrika je tridiagonalna. Vsak sistem enačb ima sedaj obliko: A x = b (19) 81 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 80-82 V. Gradišnik, S. Amon: 1 D modeliranje prehodnih pojavov v _pn strukturah Matrično enačbo (19) rešimo z LU dekompozicijo. Na koncu vsake Newtonove iteracije poiščemo največji popravek in ugotovimo, ali so zadovoljeni konvergenčni pogoji. Kojedoseženapredpisanatočnost, preidemo na računanje novega časovnega koraka s spremenjenimi robnimi pogoji. Računanje se konča po vnaprej predpisanem številu časovnih korakov. 5. ANALIZA PREHODNEGA POJAVA PN DIODE Z opisanim programom je bila opravljena analiza prehodnega pojava N+P diode. Struktura je bila dolga 5(.im, 0.8 Slika 1: Preklop N+P diode od 0.1 V do -0.11/ a) potencial vzdolž strukture b) koncentracija elektronov in c) koncentracija vrzeli v času t = 0, 0.05, 0.1, 0.3, 0.5 in 1 ns globina spoja 0,5|a.m, površinska koncentracija donor-skih primesi 1.1016 cm'3 in koncentracija akceptorskih primesi 5.1014 cm'3 Slika 1 prikazuje diodo po preklopu stopnice napetosti v 50 ps od 0,1 V prevodne do -0,1 V zaporne napetosti. Prikazani so krajevni poteki potenciala, koncentracij elektronov in vrzeli v različnih časih. Začetne spremembe v poteku koncentracij minorskih nosilcev v skladu s spremembami potenciala kažejo na fazo kopičenja naboja. Na sliki 2 je prikazan časovni potek gostote toka j(t) od trenutka, ko je na diodi zaporna napetost - 0,1 V. 2 . 0 E + 3 -j(t) [A/c«2 ] 2.5E - 2 0.05 0.2 0,4 U . 6 t ( n s ) 0 . 8 Slika 2: Gostota toka po preklopu N*'P diode od 0,1 V do -0.1 V v odvisnosti od časa 6. ZAKLJUČEK Numerično modeliranje polprevodnikih elementov omogoča hitrejše in točnejše reševanje polprevodnikih enačb. V predstavljenem delu je prikazan samostojno izdelan računalniški program za enodimenzionalno analizo prehodnih pojavov v PN diodah. Prikazani so rezultati modeliranja pri preklopu N+P diode, izračunani s predstavljenim programom. Literatura (1.) M. S. Mock' Analysis of Mathematical Models ol Semiconductor Devices, Boole Press, Dublin. 1983. (2.) S Selberherr Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Springer- Verlag Wien. Now York, 1984 (3.) B. S Polsky and J S Rimshans. Half-implicit difference scheme for numerical simulation of transient processes in semiconductor devices, Solid- State Electronics Vol, 29, No 3. pp 321 -328, 1986. (4.) C S. Rafferty, M R. Pinto, R W Dutton Iterative Methods in Semiconductor Devices Simulation, IEEE Trans on Electr. Dev Vol. ED - 32, No, 10., October 1985. Mag. Vera Gradišnik *, dipl. ing. Dr. Slavko Amon, dipl. ing. Fakulteta za elektrotehniko in računalništvo Tržaška 25, 61000 Ljubljana * Trenutno: Maršala Tita 46, 51410 Opatija Prispelo: 25.04.1990 Sprejeto: 30.05. 1990 82 UDK 621.3:(53+54+621 +66), ISSN 0352-9045 Informacije MIDEM 20(1990)3, Ljubljana TANKOPLASTNI SILICIJEVI OKSIDI I. SPLOŠNE LASTNOSTI Marta Klanjšek Gunde KLJUČNE BESEDE: tanke plasti, silicijevi oksidi, termična oksidacija, termično popuščanje, formiranje oksidov, struktura plasti, fizikalne lastnosti, kemijske lastnosti, nečistoče POVZETEK: Primerjava naravnih in umetno tvorjenih oblik silicijevih oksidov kaže sistematske razlike med lastnostmi amorfnih in kristalnih oblik. Posebej zanimive so tiste lastnosti, ki jih je mogoče povezati z atomskim razmerjem O/Si. SILICON OXIDE FILMS I. GENERAL PROPERTIES KEY WORDS: thin films, silicon oxides, thermal oxidation, thermal annealing, oxide formation, film structure, physical properties, chemical properties, impurities ABSTRACT: The comparison of natural and artificial silicon oxides shows systematical differences in general properties of amorphous and crystalline forms. The properties of ammorphous oxides related to oxygen/silicone athomic ratio are of most interest. 1. UVOD Tanke plasti anorganskih stekel uporabljamo v različnih vejah moderne tehnologije. Tako so v polprevodniški industiji praktično nepogrešljive za difuzijsko maskir-anje, izolacijo in površinsko pasivacijo ter kot dielektrični material v različnih mikroelektronskih napravah. Pogosto se pojavljajo kot sestavni del interferenčnih skladov za fototermično ali pa fotoelektrično pretvorbo sončnega sevanja. V optičnih sistemih imajo funkcijo zaščitne plasti, lahko pa služijo tudi kot antirefleksni nanos. Poznavanje njihovih lastnosti je prineslo tudi velik napredek v astrofiziki pri raziskavah medzvezdnega prahu. Med najbolj razširjenimi predstavniki anorganskih stekel so silicijev oksid, silicijev nitrid in razna mešana (večkom-ponentna) stekla kot silicijev oksinitrid, fosfosilikatno steklo (PSG), borosllikatno steklo (BSG), aluminosilikat-no steklo, borofosfosilikatno steklo (BPSG), boroalumi-nosilikatno steklo, cinkborosilikatno steklo in podobno. Osnovna sestavina vseh je silicij, nepogrešljiva dodatka sta bodisi kisik ali pa dušik, ostale primesi pa še dodatno spremenijo lastnosti materiala. Silicijev oksid je najenostavnejša oblika stekla in tudi sestavni del večine mešanih stekel. Zato predstavlja študij njegovih lastnosti osnovo za razumevanje lastnosti celotne skupine materialov. Splošne lastnosti silicijevih oksidov so v literaturi sorazmerno dobro poznane. Za uvod v analizo tankih plasti silicijevih oksidov na rezinah monokristalnega silicija sem zbrala nekaj podatkov iz literature. 2. SESTAVA IN STRUKTURA V naravi je silicijev oksid povečini razširjen v obliki dioksida v kristalizirani (na primer kremen, kristobalit, tridimit, koezit) pa tudi v amorfni obliki (opal). Silicijevi oksidi, tvorjeni v laboratoriju, kondenzirajo v amorfne plasti, ki so geometrijsko in kemijsko neurejene. Označujemo jih s formulo SiOx. Razmerje med številom silicijevih in kisikovih atomov (x) se giblje med 0 (amorfni silicij) in 2 (silicijev dioksid). Striktno'se le oblika SiOž imenuje steklo (vitreous silica, fused silica, glass). Čeprav so plasti amorfne, v njih obstaja urejenost kratkega dosega. To urejenost vsebuje tetraeder, ki je osnovni gradnik strukture silicijevih oksidov. Zastopanost kisikovih atomov na račun silicijevih po ogljiščih te-traedrov odloča o atomskem razmerju O/Si. V literaturi se pojavljata dva modela za popis vezi v SiOx, model mešanice (mixture model) in statistični model (random bonding model)1. Po modelu mešanice so vse oblike SiOx sestavljene iz različno uteženih sestavnih delov Si in Si02. V strukturi sta tako zastopani le dve vrsti tetraedrov: Si-(Si4) in Si-(04). V statističnem modelu je možnih pet različnih tatraedrov: Si-(Siy04-y), y = 0,1,2,3,4. V tabeli I vidimo porazdelitev tipov tetraedrov za dve izbrani atomski razmerji O/Si. Raziskave kažejo nesporno prednost statističnega modela pred modelom mešanice.1,2 Poljubna kompozicija SiOx ni enostavna mešanica amorfnega silicija in silicijevega dioksida, ampak gre za statistično mešanico Si-Si in Si-0 vezi na atomski skali. 83 Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 83-86 TABELA I Zastopanost tetraedrov v Si01.5 in SiO po modelu mešanice (mixture model - m.m.) in po statističnem modelu (random bonding model - r.b.m.)1. Si01.5 SiO tetraeder m.m. r.b.m, m.m. r.b.m. Si-(04) 0.7500 0.3164 0.5000 0.0625 Si-(Si03) - 0.4219 - 0.2500 Si-(Si202) - 0.2109 - 0.3750 Si-(Si30) - 0.0469 - 0.2500 Si-(Si4) 0.2500 0.0039 0.5000 0.0625 Končna stuktura oksidne plasti se formira s povezovanjem tetraedrov v mrežo. Kot primer dobro služi struktura silicijevega dioksida.3 Sestavljajo ga tetraedri Si-(04), medsebojno povezani prek skupnih ogljišč. V kristalni obliki Si02 so vsi kisiki povezovalni, v amorfni pa nekateri med njimi stojijo prosto. Čim večje je razmerje med številom povezovalnih in prostih (nepovezanih) kisikov, tem boljša je trdnost (kohezivnost) plasti. Z večanjem števila nepovezanih kisikov postaja struktura vedno bolj odprta, hkrati pa se manjša tudi gostota plasti. Tako imajo amorfni oksidi v splošnem manjšo gostoto kot njihove kristalne oblike. Odprta struktura omogoča tudi veliko verjetnost za vdor nečistoč. Tako poznamo med-mrežne (intersticialne) in mrežne (substitucijske) nečistoče. Na medmrežna stanja se vrivajo predvsem oksidi kalija, natrija, barija in svinca. Kovinski ion odda svoj kisik mreži - namesto prvotno povezovalnega kisika tako nastaneta dva nepovezovalna kisika. Poroznost strukture se močno poveča. Kovinski oksidi sami ne tvorijo steklaste strukture ("network modifiers"). Substitucijske nečistoče se vežejo neposredno v mrežo in v tetraedrih izpodrivajo silicij. Nečistoče tega tipa so same na sebi sposobne tvoriti steklasto strukturo ("network formers"). Najpomembnejša kandidata sta iona B3+ in P5+. Drugo število prostih elektronov v spremenjenem tetraedru povzroči spremembo števila povezovalnih kisikov - spremembo v jakosti mreže. Substitucijske nečistoče tako močno spremenijo lastnosti oksida, da že pri zelo majhnih vsebnostih govorimo o mešanih steklih (npr. PSG, BSG, BPSG, ...). Zelo pogosta nečistoča v silicijevih oksidih je voda. Vnos je mogoč bodisi neposredno iz atmosfere, bodisi med procesom depozicije. Vodna para se kombinira s povezovalnim kisikom in formira stabilno nepovezovalno hidroksilno skupino (OH-). Shematski prikaz strukture silicijevega dioksida prikazuje slika 1. M. Klanjšek Gunde: Tankoplastni silicijevi oksidi: _I. splošne lastnosti O bridging oxygen © nonbrldging oxygen • silicon network modifier © hidroxyl group H network former Slika 1: Shematski prikaz strukture silicijevega dioksida3 3. PRIPRAVA IN NEKATERE LASTNOSTI Natančnega opisa tehnik priprave v tem prispevku ne bomo obravnavali, omejimo se le na informativni pregled. Veliko (in nenehno naraščajoče) število različnih načinov priprave delimo v dve veliki skupini3,4: (1) rast plasti zaradi interakcije zgornjih plasti substrata z delci, ki v obliki pare zapolnjujejo njegovo okolico in (2) formiranje tanke plasti, kjer ne pride do spremembe v substratu. V prvo skupino sodi termična oksidacija substrata in različni difuzijski procesi, v drugo pa nalaganje plasti na substratu zaradi : (a) kemijskih reakcij ustreznih substanc v plinski fazi (CVD, chemical vapor deposition) in (b) delcev, ki so fizično ločeni od izvora, formirani v plin in preneseni prek področja z zmanjšanim tlakom do substrata, kjer poteče kondenzacija (PVD, physical vapor deposition). Lastnosti tankoplastnih silicijevih oksidov so v prvi vrsti odvisne od njihove priprave. Oksidi, nastali s termično oksidacijo so po kemijskih in fizikalnih lastnostih zelo podobni vlečenemu steklu.4 Proces poteče na monokristalu silicija običajno do konca in nastanejo oksidi tipa Si02. Plast oksida, najbližja substratu, ima visoko vsebnost koezita, to je kristali-ničnega polimorfa Si02. Na povečano urejenost vpliva silicijev substrat - rast je podobna epitaksialni. Končno stanje oksida je rezultat strukturne preureditve v smeri pravokotno na plast.5 V tem iščemo vzroke za sicer majhne razlike med lastnostmi termičnega oksida in vlečenega stekla. Formirani oksidi (nanešeni s katero izmed tehnik druge glavne skupine) imajo lahko katerokoli kompozicijo med Si in Si02. Gre za mešanice na atomski skali, ki imajo povečini slabo določeno stehiometrijo in niso v termodi-namskem ravnovesju. Glavni faktor, ki vpliva na primanjkljaj kisika je temperatura substrata. Nekatere splošne lastnosti je mogoče povezati z atomskim razmerjem O/Si. V prvi vrsti so to gostota, lomni količnik, prosojnost oksida za vidno in ultravijoličasto svetlobo ter jedkalna hitrost. 84 M. Klanjšek Gunde: Tankoplastni silicijevi oksidi: I. splošne lastnosti_ Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 83-86 Gostota je ena izmed osnovnih fizikalnih lastnosti snovi in je posledica njene dejanske strukture. Večja gostota je povezana z gostejšo strukturo. Pri silicijevih oksidih je možno zelo veliko strukturnih variacij. Kristalne oblike imajo zaprto strukturo in se med seboj razlikujejo po kristalni simetriji. Najgostejši kristal silicijevega,dioksida je stihovit, visokotlačna modifikacija, ki odstopa tudi od sicer skupnega gradbenega principa silicijevih oksidov. Osnovni gradniki strukture stihovita so Si-06 oktaedri, gostota pa je skoraj dvakrat večja od gostote ostalih njegovih kristalnih polimorfov. Gostota naravne amorfne oblike silicijevega dioksida (opal) je manjša od gostote kristalnih oblik. Podatki o gostoti tankoplastnih silicijevih oksidov so v literaturi zelo redki. Vendar drži, da so njihove gostote manjše od gostot kristalnih oblik. V tabeli II je zbranih nekaj literaturnih podatkov. TABELA II. Gostote nekaterih oblik silicijevih oksidov pri dani temperaturi T - literaturni podatki. Kjer temperatura k tabeli ni navedena, v literaturi ni posebej specificirana. opis oksida gostota (g/cm3) T(°C) lit. stishowite 4,287410.0026 * (6) a-quarz 2.6483+0.0001 25 (6) quarz 2.66 (7) a-kristobalite 2.3344+0.0030 25 (6) coesite 2.9110 25 (6) a-tridimite 2.3 (7) dioxide, opal (amorphous) 2.17-2.20 (6) fused silica 2.2 25 (7) pyrex glass 2.32 25 (7) monoxide 2.13 (6) silica, fused transparent 2.21 (6) silica, translucent 2.07 (6) thermally grown Si02 2.22 22 (8) CVD SiOx as deposited 2.0310.05 22 (9) * x-Ray density Razmerje hitrosti elektromagnetnega valovanja v vakuumu in v snovi je lomni količnik snovi. Splošno vzeto je njegova vrednost spektralno odvisna. Pri tehničnih aplikacijah se običajno navaja vrednost lomnega količnika v delu spektra, ki je frekvenčno dosti više od absorbcij na atomskem in molekularnem nivoju. Za die-lektrične nanose običajno navajajo bližnje infrardeče območje (500-1500 nm). Tu je imaginarni del optične konstante teh materialov manjši od 10"6, realni del pa se le malo spreminja.10,11 Splošno velja, da je večji lomni količnik v tem delu spektra povezan z manjšim atomskim razmerjem O/Si. Lomni količnik oksidov s sicer enako stehiometrijo pa je lahko kljub temu različen. Razlog je poroznost plasti, ki zmanjša lomni količnik. Literaturni podatki za nekatere silicijeve okside so podani v tabeli TABELA ili. Literaturni podatki za lomne količnike silicijevih oksidov. Valovne dolžine (v nm) so podane v oklepajih. lit lomni količnik (val. dolžina) Si amorfni silicij (12) 4.36 (563.6) 4.22 (629.5) 3.57 K, (1127) SiO nekristaliničen (13) 1.994 (563.6) 1.969 (619.9) 1.87 (1000) Si02 steklo (glass) (14) 1.46008 (546.07) 1.45671 (643.8) 1.44888 (1128.7) Si02 termični oksid (4) 1.462 (546.1) Si02 rf sputtering (4) 1.467-1.479 (546.1) Si©2 fused quarz (11) 1.4573 (632.8) 1.4475 (1277.5) Si02 HIPOX (term .oksid) (11) 1.4580 (632.8) 1.4481 (1277.5) Si02 p-glass 0 % P (11) 1.4484 (632.8) 1.4385 (1277.5) SiOž okensko steklo (15) 1.526 (540) 1.522 (630) 1.510 (1300) Prosojnost oksida za vidno in ultravijolično svetlobo je povezana z atomskim razmerjem O/Si. Položaj absorbcijske meje se z večanjem tega razmerja pomika proti manjšim valovnim dolžinam (večjim frekvencam). Skrajni meji pomika sta absorbcijska meja amorfnega silicija ha eni in silicijevega dioksida na drugi strani. Tako amorfni silicij absorbira svetlobo celotnega ultravijoličnega in vidnega področja, absorbcijska meja pa pade v bližnje infrardeče področje. Silicijev dioksid pa je prepusten čez vidno in še daleč v ultravijolično področje, kjer absorbcijski koeficient hitro naraste. Absorbcijske meje oksidov SiOx z 0 na siliciju. Takvi supstrati su po performansama daleko ispred svih do sada korištenih. Oni omogučuju vrlo veliku gustoču pakovanja. Nema problema s brojem priključaka na čipu. Svaki čip koji je moguče proizvesti, bez obzira na broj priključaka na njemu, može se montirati na silicijsku pločicu. Obzirom na to da se veliki broj funkcija nekog sistema obavlja izmedu čipova na pločici vanjski broj priključaka ne mora biti velik i kontaktiranje pločice s ostalim dijelovima uredaja može se obaviti pomoču standardnih konektora. Za očekivati je da če se u budučnosti standardizirati veličine siiicijskih supstrata na na primjer 5X7 cm. Na takvu silicijsku pločicu čipovi če se stavljati "Flip-tab" tehnikom. Pločica če se pakovati u neko kučište, koje se zatim može klasičnom tehnologi-jom montirati na štampanu pločicu. MCM na silicijskim pločicama neče predstavljati kraj razvoja tehnike pakovanja u elektronici. Več su na pomolu trodimenzionalni moduli kod kojih če se moduli na silicijskim pločicama veličine 5X5 cm montirati vertikalno na nosivu pločicu, takoder od silicija, što če omogučiti za red veličine gušče pakovanje od dvodimenzionalnih modula. Još postoji veliki broj tehničkih problema koje treba rješiti prije nego spomenute tehnike pakovanja udu u široku primjenu, ali je jasno da če buduče proiz- vodnje elektroničkih modula izgledati sasvim drugačije od današnjih. Kao zanimljivost, ali i kao važan podatak, može se spomenuti da se za proizvodnju modula na silicijskim supstratima mogu uspješno koristiti zastarjeli proizvodni pogoni za proizvodnju poluvodičkih elemena-ta. Danas, kada neki proizvodači elektroničkih uredaja još razmišljaju da li primjeniti SMT s diskretnim čip elemen-tima, prikazani pravci razvoja tehnologije površinske montaže mogu ličiti na naučnu fantastiku. ELEKTRONIČKI ELEMENTI Promjene koje se dogadaju u tehnologiji izrade elektroničkih uredaja jednim su dijelom omogučene pojavom novih elektroničkih elemenata, dok su drugim dijelom upravo te promjene izazvale potrebu razvoja novih elektroničkih elemenata. Svakako najvidljiviji trend, širom svijeta, biti če, več započeti prelaz od klasičnih elemenata (4) na SMD (5). Moglo bi se navesti nekoliko tehni-čko tehnoloških razloga za napuštanje klasičnih elemenata, ali glavni razlog ipak je financijski. Korisnici elemenata žele uštediti, odnosno više zaraditi. Cijene SMD još nisu niže od cijena klasičnih elemenata, ali je opravdano očekivati da če postati niže. Medutim več se i sada postižu niže cijene sklopova s SMD nego s klasičnim elementima. SMD su manji, pa zahtjevaju manju površinu štampanih pločica. Rukovanje, transportni troškovi, skladišni prostor, sve to je pogodnije s SMD. Kao u mnogo čemu Japan prednjači u upotrebi SMD. U ovome času više od 50% od ukupno utrošenih pasivnih elemenata u Japanu su SMD. U SAD i Evropi postoci su mnogo niži, ali prognoze ukazuju na to da če industrija SAD dostiči 50% za pet godina, a Evropa nešto kasnije. Trend je takav, da proizvodači sklopova i uredaja koji još ne koriste TPM(6) i SMD moraju to početi čim prije. Neki mali proizvodači elektroničkih sklopova, pa čak i srednji teško prelaze na TPM. Za prelaz s klasične tehnologije na TPM potrebna su neka nova znanja i ne sasvim malena investicijska sredstva. Moguče rješenje za ovakve slučajeve je kooperacija s radionicama specijali-ziranim za izradu sklopova u TPM. S pasivnim elementima, osim promjene oblika t.j. prelaza od klasičnih elemenata na SMD, dogadaju se i druge suštinske promjene počešče nedovoljno zapažene i za-sjenjene brzim promjenama koje se zbivaju medu monolitnim integriranim sklopovima.Otpornik, uz kondenzator (2) Tape-automated bonding (3) Multi-Chip Moduls (4) Pod nazivom klasični elemenat u članku se podrazumjeva elektronički elemenat s žičanim, okruglim ili plosnatim izvodima koji strše van rijela elemanta. (5) SMD označava takav elektronički elemenat kod kojega se priključci (izvodi) leme na štampanu pločicu na istoj strani gdje se nalazi tijelo elementa. (6) TPM označava tehnologiju površinske montaže 95 Informacije M1DEM 20(1990)2, str. 92-97 M. Turina: Elektronika u devedesetim i indukcioni svitak najstariji elektronički elemenat, kao da je ispao iz interesnog područja projektanata sklopova i sistema. Ta zaboga, što bi razmišljalo o otporniku? Ipak ima zašto. Ne baveči se svakodnevno nekom tehničkom oblašču skloni smo na nju gledati onako kako smo učili u školi. To posebno važi za otpornike, koji izgledaju tako jednos-tavno da se ne vidi što bi kod njih još bilo moguče mijenjati. Nije tako, jer prisjetimo se samo ne tako dav-nog vremena kada se otpornik s tolerancijom od 2% smatrao jako preciznim, a 5% je bila vrlo prihvatljiva tolerancija. Razvoj je omogučio da če ubuduče kod film otpornika tolerancija 1% biti standard. Suvremena tehnologija omogučuje izradu kvalitetnijih otpornika po nižim cijenama. Drugi primjer; otpornici malo večih snaga. Precizan otpornik za snage iznad 2 W bio je ranije skupi žicom motani. Danas se proizvode jeftiniji slojni otpornici velike stabilnosti malih tolerancija, za snage do 10 W, a može se očekivati, da če snage iči i naviše. Valja očekivati da če se dimenzije otpornika i dalje smanjivati. Recimo pojavit če se otpornici od 1/4 W s dimenzijom sada karakterističnom za 1/8 W. Čip otpornici za SMT takoder če se još smanjivati do dimenzija pri kojima če javiti poteškoče manipuliranja takvim ot-pornicima. Ova če poteškoča biti ublažena sve širom primjenom otporničkih mreža. To nas dovodi do jedne sasvim nove pojave, do ASR (7). Ne samo da če se otporničke mreže izradivati prema posebnoj narudžbi, nego če se tako naručivati i pojedi-načni otpornici. Več danas je moguče izradivati otpornike s željenim koeficijentom temperaturne promjene otpora, da bi se na primjer u nekoj RC kombinaciji kompenzirao koeficijent temperaturne promjene kapaciteta. Postoji mogučnost izrade RC kombinacija od jednog elementa, gdje otpornik igra ulogu jedne elektrode kondenzatora. Za nadati se je da če firme proiz-vodači otpornika ovakve i slične mogučnosti reklamirati više nego do sada, jer su projektanti sklopova nedovolj-no upoznati s mogučnostima koje pruža savremena tehnologija. Još veče promjene očekuju nas kod" drugih pasivnih elemenata. Ne tako davno, svaki inženjer s malo večim radnim stažom sječa se vremena kada je, kod aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora standardna tolerancija bila -20%/+50%. Danas se normalno proizvode tantalovi elektroliti s tolerancijom +/-5%, a na poseban zahtjev i s tolerancijom +1-2%. Uskoro se mogu očekivati i uže tolerancije. Elektrolitički kondenzatori moči če se upo-trebljavati u vremenskim članovima i u oblikovanju im-pulsa, a ne samo u filtriranju napona napajanja. Više (7) ASR je skračenica za aplikativno specifični otpornik kapaciteta, odnosno više elektriciteta (CxV), u manje prostora druga je važna osobina tantalovih elektrolitskih kondenzatora. Mogučnost rada elektrolitskih kondenzatora na frekvencijama do 1 MHz i u proširenom tempera-turnom opsegu otvara nova područja njihove primjene. Zaokružimo sliku spominjuči stabilnost i nižu cijenu u odnosu na produkt CxV i dobiti čemo nešto sasvim drugo od nekada uobičajene predstave o elektrolitskom kondenzatoru. Noviteta ima i kod keramičkih čip kondenzatora. Na tržištu več postoje monolitni čip kondenzatori kod kojih je moguče podešavati kapacitet. ELEMENTI SNAGE Osnovno obilježje u području elemenata snage bit če integracija elemenata za pobudu i upravljanje i elementa snage na jednome čipu ili u jednome kučištu. Ovo če potaknuti široku primjenu ASICa u području snage, što bi trebalo biti druga karakteristika elemenata snage devedesetih godina. Treča karakteristika, koja se, istina, više odnosi na sisteme nego na elemente, ali se odnosi i na elemente, ako snažni ASIC smatramo elementom, jeste digitalno upravljanje, koje če odnijeti prevagu nad ranije češčim analognim upravljanjem. U usko tehno-loškom pogledu može se očekivati još šira primjena MOS-FET tranzistora i tranzistora napravljenih kombi-nacijom bipolarnnih i unipolarnih dijelova. Spomenuta obilježja bilo bi teško analizirati odvojeno jedno od drugoga, jer je njihova medusobna ispreplete-nost višestruka. Ne treba smesti s uma utjecaj ostalih tehničkih područja, kao što su mikroelektronika i teorija digitalnog upravljanja na razvoj novih elemenata energetske elektronike. Napredak u razvoju i proizvodnji mikrokontrolera omogučio je razvoj kompaktnih i relativno jeftinih sistema digitalnog upravljanja, jednostavnijih i jeftinijih od sistema analognog upravljanja. Medutim prednosti koje nudi digitalno upravljanje mogle su doči do pravoga izražaja tek pojavom "Smart-power" kom-ponenata, koje u suštini predstavljaju energetsku kom-ponentu, električki ventil, upravljanu logičkim signalima. Smart-power sadrži sva bitna obilježja suvremenog elementa snage. To je integrirani sklop kod kojega su na jednome čipu, ili u jednome kučištu, ako se radi o hibridnome integriranom sklopu, objedinjeni upravljački i izvršni elementi. Upravljanje je u principu digitalno, a izvršni elemenat je najčešče kombinirani unipolarno bipolarni tranzistor ili čisti MOS-FET tranzistor. Digitalno upravljanje snažnim elementom je dvostruko efikasnije od analognog. Ono takoderomogučuje sman-jenje veličine i težine cijeloga uredaja, što je povoljno s gledišta cijene. Mnoštvo je primjera koji ukazuju na prednosti primjene digitalnog upravljanja. Ne radi se samo o elektromotornim pogonima gdje je ta prednost 96 M. Turina: Elektronika u devedesetim Informacije MIDEM 20(1990)2, str. 92-97 lako uočiva, nego i o nekim jednostavnijim sistemima, kao što su recimo izvori za napajanje ili sistemi za pobudu relea i drugih svitaka. Klasični izvori napajanja, za elektroničke uredaje, koji se sastoje od transforma-tora ispravljača i linearnog regulatora uspješno se zam-jenjuju impulsnim, digitalno upravljanim, regulatorima, koji se mogu uključiti direktno na mrežu bez posredstva transformatora. U različitim oblastima elektronike, a naročito u industrijskoj elektronici, još uvijek se koristi mnoštvo relea. Digitalnim upravljanjem pobudom relea, tako da se aktiviranje relea obavlja jednom strujom, a pridržavanje drugom, slabijom, mogu se ostvariii znatne uštede električne energije. lako su smart-power elementi danas realnost njihov razvoj još nije završen. Neki tehnički problemi još nisu optimalno rješeni. Nije jednostavno u proizvodnji jedno-ga istoga čipa primjenjivati različite tehnologije; za diskretne elemente i za integrirane sklopove, za unipolarne i bipolarne elemente. Dodatni problem je napajanje. Upravljački dijelovi čipa napajaju se niskim naponom, a izvršni elementi visokim. Korisniku elementa bilo bi ugodno da se elemenat napaja samo jednim naponom, a i to je moguče. U Americi gdje je niskonaponska mreža 120 V pojavili su se visokonaponski smart-power integrirani sklopovi koji se napajaju direktno iz mreže. Visokonaponski integrirani sklopovi mogli bi napraviti veliki prodor u područje današnje elektromehanike i omogučiti primjenu elektronike u novim područjima. Premda smart-power sklopovi sami po sebi več pred-stavljaju ASICe, jer im je primjena jako usmjerena, u nadolazečem razdoblju sve više če se razvijati i koristiti pravi ASICi namijenjeni jednome korisniku i jednoj prim-jeni. UMJESTO ZAKLJUČKA U članku su spomenuti samo neki moguči pravci i tren-dovi kretanja razvoja elektronike u svijetu. Prikaz je napravljen prvenstveno s gledišta elektroničke tehnologije. O mogučim pravcima razvoja elektronike moglo bi se pisati, i to bi bilo vrlo zanimljivo, i s gledišta primjene. Medutim odabrani pristup ¡zlaganju nije slučajan, jer mislim i vjerujem, da nije perspektivna i da neče duže opstati ni mala ni velika elektronička proizvodnja, koja če zanemarivati tehnologiju. Historija razvoja elektroničke proizvodnje u našoj zemlji i u svim ostalim zemljama to potvrduje. LITERATURA: 1. Dave Bursky: Digital ICs in the 1990: Wast On-Chip Resources, Electronic Design January 11,1990. 2. Alan Heckman: Designing ASICs: Be Prepared For Changes, Electronic Design January 11,1990. 3. Milton L. Buschbom: ASIC Design Decisions Demand Broader Perspective, Electronic Design January 11,1990. 4.Reed Bowlby: IC Packaging Must Undergo a Facelit to Meet User Needs, Electronic Design January 11, 1990. 5. Tom McKelvy: Resistors Can Offer Creative Solutions to Design Problems, Electronic Design January 11, 1990. 6. Jim Stichweh: ASIC And FET Innovations Will Dominate Powwr-Device Technology, Electronic Design January 11, 1990. 7. Art Fury: Digital Technology Will Govern Power Control In The 1990s, Electronic Design January 11, 1990. 8. Ed Souza: Surface Mounting Will Sweep Leaded Components From Market, Electronic Design January 11, 1990. 9. Donald J. Maclntyre Jr, George E. Danz: GESmart(TM) Module Simplifies Motor Drive Design, General Electric Company Miroslav Turina, dipl. ing. "Rade Koncar" - Elektrotehnicki institut Bastijanova bb 41000 Zagreb Prispelo: 15. 05. 1990 Sprejeto:30. 05. 1990 97 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana KONFERENCE - POSVETOVANJA - SEMINARJI MIEL-90 18. JUGOSLOVANSKO POSVETOVANJE O MIKROELEKTRONIKI Darja Uvodič 18. jugoslovansko posvetovanje o mikroelektroniki se je odvijalo v prostorih Iskre na Trgu revolucije v Ljubljani v obdobju od 14. do 16. maja 1990 pod pokroviteljstvom naslednjih organizacij: * Iskra Holding d.d., Ljubljana * Iskra, Tovarna polprevodnikov, Trbovlje * Iskra, HIPOT, Šentjernej * Iskra, Center za elektrooptiko, Ljubljana * Fakulteta za elektrotehniko in računalništvo, Ljubljana * Elektronski fakultet, Niš * JAT, Jugoslovanski Aerotransport Hkrati je to bila 25. obletnica konference MIEL v naši deželi, ki predstavlja forum za predstavitev najnovejših dosežkov na področju mikroelektronike, polprevodniške in hibridne tehnike pri nas in v svetu. Organizator je bil MIDEM - strokovno društvo za rnikro-elektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Na konferenci je sodelovalo 81 strokovnjakov, od tega 28 iz inozemstva s 77 prispevki. Prispevki so bili razdeljeni v naslednje skupine: * aplikacije * modeliranje elementov in tehnologij * fizika trde snovi * hibridne in monolitne tehnologije ter * preskušanje integriranih vezij. V teku tridnevnega posvetovanja sta potekali po dve vzporedni sekciji. Programski odbor se ni odločil za poster sekcije kot lansko leto. Posebna izdaja Microelectronics Journala (založniška družba Elsevier) bo, podobno kot lansko leto, predstavila povabljena predavanja na tem posvetovanju, ki so jih podali eminentni strokovnjaki iz zgoraj navedenih področij. Naj jih na kratko predstavimo: James D. Plummer, Stanford University, USA, je v svojem prispevku: "Process Modeling" predstavil dognanja raziskav na področju računalniških orodij za simulacijo integriranih vezij in procesa njihove izdelave. Predstavil je programe PISCES, MINIMOS in SUPREM, ki so se že precej uveljavili, hkrati pa opozoril na še vedno prisotni precejšni razkorak med teorijo in prakso, oz. instituti in proizvodnjo. B. Markusiak in A. Jakubowski, Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Technical University of Warsaw, Poljska, sta v svojem predavanju : "Very Thin Oxides in VLSI Technology: Properties and Devices Implications" obravnavala razvoj tankih plasti v tehnologiji MOS/VLSI in njihove prednosti pred debelejšimi plastmi v pogledu performance in zanesljivosti MOS vezij. J. Trontelj in L. Trontelj s Fakultete za elektrotehniko in računalništvo, Ljubljana, sta s svojim prispevkom: "Analog and Digital ASIC Design" prikazala sedanji in bodoči razvoj mešane analogne in digitalne tehnologije izdelave ASIC vezij. Opisala sta problematiko metodologije načrtovanja v povezavi s programskimi orodji. Andrzej J. Strojwas, Department of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburg, USA, je v svojem predavanju "Design for Manu-facturability and Yield" obdelal temo, ki je v praksi zelo pomembna. Gre namreč za pristop k načrtovanju VLSI vezij, pri katerem je glavni cilj proizvodnja čipov z visokim izplenom. K. F. Galloway in R. D. Schrimpt, Electrical and Computer Engineering Department, University of Arizona, USA, sta v predavanju z naslovom: "MOS Devices Degradation Due to Total-dose Ionizing Radiation in the Natural pace Environment: A Review" podala pregled degradacijskih procesov na MOS vezjih, ki nastanejo zaradi radiacijskih vplivov naravnega okolja in, ki lahko zelo spremenijo lastnosti teh izdelkov. Marko Horvat in Jože Gašperič z Inštituta Jožef Stefan, Univerza E. Kardelja v Ljubljani sta podala prispevek z naslovom "Thin and Thick Superconducting Films Based on the Y-Ba-Cu-0 and Bi-Sr-Ca- Cu-0 Systems". V njem sta opisala nanos tankih in debelih plasti omenjenih superprevodnih keramik na različne substrate, medsebojni vpliv substratov in plasti in karakterizacije teh plasti z Ramansko spektroskopijo. Medtem, ko je lanskoletna konferenca v Nišu predstavljala precejšen kvaliteten premik konferenc MIEL v smeri internacionalizacije in približevanju svetovni strokovni javnosti, moramo na žalost ugotoviti, da je bila letošnja, 98 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana kjub velikim naporom organizatorjev in precej dobre volje s strani udeležencev, dejanski korak v nazaj. Seveda, pri sedanjem položaju stroke in posebno tega področja, v naši gospodarski, predvsem pa politični situaciji v Jugoslaviji, to tucli ni presenetljivo. Ena izmed kritičnih zaključnih ugotovitev tega posvetovanja je tudi bila, da se stanje in nivo strokovnih in znanstvenih dosežkov in prispevkov vse bolj približuje tistemu, ki ga kaže nerazviti vzhod, kar pomeni, da se vse bolj pogrezamo v temo realnega socializma in njenih pogojev dela in gospodarjenja. Zelo važno je dejstvo, da smo letošnjo konferenco uspeli izpeljati, kljub komaj zdržnim pogojem. Treba je namreč opozoriti vso našo ožjo in širšo javnost na katastrofalne posledice, ki nas čakajo, če bomo še dolgo šli naprej v smeri razvoja zadnjih let, posebno najnovejše preteklosti. Narod, ki načrtno opusti vse naprednejše tehnologije, vključno visoke tehnologije, se zavestno spusti na nivo odvisnosti od razvitih, t.j. na nivo podrejenih. Ali bomo v bodoče gojili samo še drobno gospodarstvo, obrtništvo, turizem in industrije tipa elektromehanike ali kemijsko predelovanje s katastrofalnimi posledicami za okolje? Naj opozorimo na dejstvo, da imamo pri nas zakladnice znanja, posebno tehničnega, ki ga je treba izkoristiti, da bi vsi bolje živeli. Darja Uvodič, dipl. ing. MIDEM Titova 50 61000 Ljubljana Ml PRO '00 m on p NEMA tMsV' rv <. 1 i\ Cfpjf\ 7 A M/ROPU Mikrc^lckir )h"i , In w* nji , > tiok je u sv i jet u ona visokofii' ; 1 > Mirko Vujatovi»': U Opatiji je od 20. do 25. maja održan 13. jugoslavenski stručno-znanstveni skup s medunarodnim učeščem MIPRO '90, koji je svoju glavnu temu na početku za sva četiri savjetovanja posvetio "Novoj tehnoioškoj politici u jugoslavenskoj reformi i Evropi - 1992." Govoreči o toj temi, koja je bila i podloga diskusiji za okruglim stolom, prof. dr. Vladimir Paar iz Zagreba upozorio je da za ulazak u zajedničko evropskotržište nemaopčih ¡trajnih recepta za sve prilike i sva vremena naprosto zato što je razvoj i višeznačan i dinamičan. Moramo se osloboditi kompleksa zemlje u razvoju i prihvatiti u svirn djelatnos-tima i aktivnostima evropske, što znači i svjetske kriterije ocjenjivanja uspešnosti uz promjenu kompletnog dosa-dašnjeg načina mišljenja i prakse. Moramo se odreči mišljenja da možemo živjeti u nekoj posebnoj "kockici" i formirati neka posebna pravila igre, a ne možemo ih ni Evropi diktirati, več to moramo od nje prihvatiti. Sva ograničenja inicijativa i kreativnosti treba ukinuti, a regulirati standarde, atestiranja i druga mjerila kvalitete proizvoda u skladu sa Evropom. Kod nas je još uvijek uglavnom obrnuto, naglasio je prof. Paar sugerirajuči da ne izmišljamo ono što več postoji, da, na primjer, ne pravimo reforme školstva kad valja samo preslikati škol-stvo Evrope i samo ga malo prilagoditi vlastitim prilikama. Da bismo se bolje pripremili i da bismo bolje upoz-nali Evropp poručio je "čitajmo i javno popularizirajmo" "Bijelu knjigu EZ" (a to je kodeks ekonomskog ponašanja u EZ), omogučimo da poruke "Bijele knjige" dodju do svakog poduzeča, privatnog poduzetnika i do svakog našeg radnika. Paar se zapravo zauzeo za što brže osposobljavanje svih subjekata za što izravnije (uz pomoč informatike i učenjem stranih jezika dakako) komuniciranje sa partnerima u Evropi uz što manje paradržavnih i ostalih posrednika. Sudjelujuči u raspravi za okruglim stolom dr. Rudi Ročak je rekao da su se ostvarile njegove prognoze izrečene ovdje na MIPRO-u prije dvije-tri godine da če autarkičnost sveukupnog razvoja u Jugoslaviji pa tako i mikroelektronike u njoj dovesti do propasti mikroelektronike i visokih tehnologija zasnovanih na njoj. Da se radilo o razvojnom apsurdu i bezumlju Ročak je rekao da dok kod nas mikroelektronika propada ona je u svijetu visokoprofitabiina. Za ilustraciju naveo je podatak da se u svijetu godišnje proda samo poluvodiča u vrijednosti od 73 milijarde dolara. Fleksibilnost razvojne politike i politike prestrukturiranja ilustrirao je prim-jerom austrijske tvrtke Voest-Alpina koja veliki novac u laže u razvoj proizvodnje silicija. Inače, ovogodišnji MIPRO unio je u svoju programsku lepezu još dva i imao je ukupno pet seminara jačajuči tako jednu od svojih temeljnih zadača - permanentno obrazovanje. Naime, organizirani su ovi seminari: Gradnja i programiranje 8-bitovnog mikroračunala; Aplikacijski specifični integrirani sklopovi - ASIC; Primjena mikroračunala u vodenju tehničkih sistema; Primjena neuralnih i paralelnih računala i Mikroračunala u elektro-privredi. MIPRO '90 imao je i ove godine tri svoja savjetovanja; o novim generacijama računala, o mikroračunalima u sistemima procesnog upravljanja, o mikroračunalima u telekomunikacijama, ali i četvrto savjetovanje za struč-no-poslovodne kadrove iz elektroprivrede. Dakle, za elektroprivredu Jugoslavije na MIPRO '90 organizirani 99 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana su i seminar i savjetovanje pa su učesnici iz ove priv-redne grane bili najbrojniji na MIPRO '90. Kad je o učesnicima riječ valja reči da ih je bilo blizu 650, ali i još stotinjak studenata i srednješkolaca odgovarajučih usm-jerenja iz Rljeke kojima je pružena prilika da upoznaju svijet mikroelektronike. Za vrijeme MIPRO '90 u Opatiji su se sastajali predsjed-nici poslovodnih odbora svih republičkih i pokrajinskih elektroprivreda, te JUGEL-a kao i članovi Koordina-cijskog odbora koji su se dogovarali strategiju tehničko-tehnološke integracije elektroenergetskog sistema u Jugoslaviji. Osim seminara, savjetovanja, okruglog stola na MIPRO '90 bila je organizirana i skromna izložba mikroelektronike i elektronike na kojoj se prvi put u znatnoj mjeri pojavljuju privatni poduzetnici (privatne tvrtke), kojih če u buduče biti sve više i što daje novi predznak razvoju mikroelektronike i elektronike. Na MIPRO '90 bile su organizirane i stručno-komerci-jalne prezentacije pa se tako učesnicima ovog stručno-znanstvenog skupa, dakle probranoj publici, predstavila i jedna od vodečih svjetskih tvrtki - Honeywell. I na kraju, organizatori MIPRO '90 publicirali su u osam zbornika sve radove prezentirane na seminarima, sav-jetovanjima i u plenarnom radu. Mirko V u jato vič Dr. Zdravka Kučiča 41 51000 Rijeka XI.JUGOSLOVANSKI VAKUUMSKI KONGRES Monika Jenko XI. jugoslovanski vakumski Kongres je potekal od 17. do 20. aprila v prostorih hotela Špik v Gozd Martuljku v jubilejnem letu 1990, ko jugoslovanski vakuumisti prazn-jujemo 30. letnico delovanja Zveze društev za vakuumsko tehniko Jugoslavije - JUVAK. Organizacijo kongresa je na 10. skupščini Zveze društev za vakuumsko tehniko Jugoslavije, julija 1986 v Beogradu prevzelo Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije. Soorganizatorja sta bila Inštitut za elektroniko in vakuumsko tehniko Ljubljana in SŽ-Metalurški inštitut iz Ljubljane. Xl.jugoslovanskega vakuumskega kongresa se je udeležilo 130 vakuumistov, od tega je bilo 82 aktivnih udeležencev. Kongres so pozdravili in zaželeli vsem udeležencem uspešno delo predstavniki organizatorjev, soorganizatorjev in slovenske vlade. V znanstvenem delu kongresa so bila obravnavana naslednja področja: * vakuumski elementi, sistemi, proizvodnja in merjenje vakuuma, * vakuumske tanke plasti, * površine trdnih snovi in preiskovalne metode, * vakuumska metalurgija, * materiali za elektroniko. Uvodna predavanja k posameznim področjem so imeli ugledni znanstveniki iz Velike Britanije, Švice, Zvezne republike Nemčije, Češkoslovaške, Poljske in Jugoslavije. Znanstveni odbor kongresa je na osnovi prispelih povzetkov izbral 22 prispevkov, ki so bili predstavljeni v obliki 20 minutnih predavanj in 60 prispevkov, ki so bili predstavljeni v poster sekciji. Analiza predstavljenih del kaže, da so v Jugoslaviji doživele največji razcvet vakuumske tanke plasti, njihova zastopanost s 27 prispevki je najštevilnejša. Letošnjega kongresa so se prvič udeležili slovenski metalurgi, ki se ukvarjajo z vakuumsko metalurgijo, tako je bilo s tega področja kar 17 prispevkov. V povezavi s sodobnimi vakuumskimi tehnologijami je karakterizacija materiala in poznavanje fizikalno-kemij-skih procesov na površinah nujno potrebna, kar se kaže tudi v 14 prispevkih s področja površine trdnih snovi in preiskovalnih metod. Področje materiali za elektroniko je bilo žal predstavljeno s samo 7 prispevki. Zaskrbljujoče je dejstvo, da v primerjavi s prejšnimi kongresi število prispevkov s področja vakuumskih elementov, sistemov, proizvodnje in merjenja vakuuma upada. Letos jih je bilo le 17. Raziskovalcev in razvojnikov s področja prehrambene in farmacevtske industrije, vakuumskega pakiranja in liofilizacije nam žal ni uspelo pritegniti. Problematika proizvodnje in uporabe vakuumske opreme v Jugoslaviji je bila obravnavana za okroglo mizo. Zanimanje predstavnikov s posameznih inštitutov in delovnih organizacij za to problematiko je bilo veliko, debate so bile dolgotrajne, kakšni bodo rezultati dogovorov pa bo pokazal čas. Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije je ob pomoči IEVT, SŽ-MI in Republiškega komiteja za raziskovalno dejavnost in tehnologijo založilo Zbornik predavanj, oz. Bilten JUVAK 24, ki so ga prejeli vsi udeleženci kongresa. Nekaj izvodov je še na razpolago. Interesenti jih lahko dobijo po ceni 300,00 din v pisarni DVT Slovenije, Teslova 30, Ljubljana, telefon 267-341. 100 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana V času kongresa je bila organizirana razstava, kjer so razstavljalci vakuumske opreme predstavili svojo dejavnost z manjšimi eksponati in prospektnim materialom. Sodelovale so svetovno znane tvrdke Balzers, Leybold, Varian, Comef-Riber,Plazmaund VakuumTechnik, Uni-export-VG,IEVT, Mikroiks-Mipot ter Elvak. V mali dvorani hotela Špik se je v času razstave gnetlo obiskovalcev, ki so se želeli pogovoriti o najnovejših dosežkih znanih svetovnih proizvajalcev in domačih raz-stavljalcev s področja vakuumske opreme in vakuumskih tehnologij. V spomin na priznanega strokovnjaka, neumornega učitelja in častnega člana JUVAK prof. dr. Evgena Kanske-ga je bila na XI. jugoslovanskem vakuumskem kongresu prvič podeljena Kanskyjeva nagrada. Posebna komisija je za najboljši prispevek ocenila dve na kongresu predstavljeni deli. Kanskyjevo nagrado za leto 1990 si tako delita: Hrvoje Zore, Inštitut Rudjer Boškovič, Zagreb za delo: "Efekt optičke bistabilnosti u tankim slojevima cink selenida i cink sulfida" in Peter Panjan Inštitut Jožef Štefan Ljubljana za delo: "Karakterizacija TiN in ZrN tankih plasti". Častni člani Zveze društev za vakuumsko tehniko Jugoslavije - JUVAK so postali: na predlog DVT Slovenije prof. dr. Jože Gasperič IJS Ljubljana ter na predlog DVT Srbije prof. dr. Milan Kurepa in prof. dr. Branka Cobič. Častnim članom bodo vročene spominske plakete na XII. jugoslovanskem vakuumskem kongresu, ki ga bo organiziralo Društvo za vakuumsko tehniko Hrvatske leta 1993. Dr.Monika Jenko Metalurški inštitut Lepi pot 11 61000 Ljubljana PREDSTAVLJAMO DO Z NASLOVNICE El ISTRAŽIVAČKO RAZVOJNI INSTITUT - IRS BEOGRAD Ei Istraživačko razvojni institut-Beograd, skračeni naziv IRI, je preduzeče sa potpunom odgovornošču. Nosilac je naučno-istraživačke i razvojne funkcije u sistemu Elektronske industrije i šire. Programska orientacija Instituta se največim delom poklapa sa programskom orijentacijom sistema Ei. S obzirom na široku lepezu programa koji se realizuje u Ei, a u nedostatku kadrov-skog potencijala, finansijskih sredstava, skupe opreme i drugo, veliki deo programa se realizuje u okviru fab-ričkih razvoja ili drugih instituta. I pored toga, IRI je jedan od glavnih nosilaca razvojne funkcije u sistemu Ei i Republike Srbije za: telekomunikacije, specijalne ma-terijale, elektronske komponente, elektronske i druge tehnologije, kvalitet, pouzdanost i drugo. U okviru IRI obraduju se programske oblasti: TELEKOMUNIKACIJE: komutacioni sistemi za javnu telefonsku mrežu, multipleksni sistemi digitalnog prenosa, sistemi prenosa po optičkim kablovima, radio sistemi na bazi proširenog spektra, modemi, sistemi za elektronska dejstva i protiv dejstva, digitalni terminali specifičnih namena, digitalne integrisane mreže sa integralnim službama, sistemi za nadzor, radarski sistemi, tele-komunikacioni sistemi za funkcionalne mreže i dr. SPECIJALNI MATERIJALI: srebrne paste za elektronske komponente, srebrne paste za grejače stakla auto-mobila, srebrni provodni premazi za tantal kondenza-tore, ugljenoslojne potenciometre, membranske tasta-ture, zatim paste za hibridnu tehnologiju, lemne paste, paladium i srebro-paladium paste za višeslojne kera- mičke kondenzatore i dr. Osvojeni su polimerni materiali za elektroniku, provodni premazi za zaštitu od statičkih elektriciteta, elektromagnetnih, magnetnih talasa i dr. MIKROELEKTRONIKA: diskretne minijaturne pasivne komponente, pasivna hibridna mikrokola, aktivna hibridna mikrokola i dr. KERAMIČKI PROIZVODI ZA SPECIFIČNU NAMENU: feroelektrične i feromagnetne komponente, piezokera-mički pretvarači i senzori, zatim specifični proizvodi na bazi AI2O3 i dr. SPECIFIČNE ELEKTRONSKE TEHNOLOGIJE: membranske tastature, štampane ploče, površinska montaža i dr. KVALITET I POUZDANOST: ispitivanje i atestiranje komponenata i uredaja, karakterizacija i kontrola kvaliteta materijala, ispitivanje pouzdanosti i dr. PROJEKTOVANI SU POGONI I REALIZOVANIINŽEN-JERINZI: pogon za proizvodnju srebrne paste u VF keramici Oevdelija, pogon za proizvodnju paladijum paste u TIR Bor, pogon za proizvodnju štampanih ploča u Elind Valjevo i dr. Razvijeno je i pušteno u proizvodnju oko 60 elektronskih sistema i uredaja.Razvijeno je i osvojeno više desetina vrsta materiala, elektronskih komponenata i sklopova. Izradeno je više od stotinu naučnoistraživačkih projeka- 101 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana ta, študija i elaborata. Realizovan je veliki broj tehničkih rešerija, tehnoloških postupaka, inovacija procesa i dr. IRI ima oko 260 saradnika, od čaga su 6 doktora nauka, 15 magistara i 160 inženjera. IRI je dobio najviša društvena priznanja od Republike Srbije, grada Beograda i grada Zemuna, za ostvarene rezultate istraživačkog i razvojnog rada. Mr. Vladimir Pantovič, dipl.ing. El - IRI Batajnički put 23 11080 Zemun ČLANI MIDEM SEZNAM ČLANOV DRUŠTVA MIDEM V tretji številki letnika 1989 Informacij MIDEM smo predstavili društvo MIDEM in njegovo dejavnost. To predstavitev dopolnjujemo tokrat s seznamom vseh aktivnih članov. To se nam je zdelo potrebno predvsem iz dveh razlogov: * v letošnjem letu smo opravili revizijo članstva tako, da kronični neplačniki članarine niso več člani društva Priimek in ime Št ADAM ANTON 622 ADAMČIČ BOGDAN 609 ADEMOVIČ DIJANA 529 AHMETSPAHIČ SAID 514 AJLEC BOJAN 13 ALEKSIČ OBRAD 14 ALEŠ RASTKO 492 ALIČ JANEZ 536 AMBROŽ DANILO 15 AMBROŽ MARKO 515 AMON SLAVKO 17 ANDJELKOVSKIŽIVKO 18 ANTEŠEVIČ STOJANKA 19 ANTONČIČ MAGDA 21 ARANOELOVIČ VLADA 22 ARDJELANTIBOR 612 BABIČ RUDI 24 BAJD TADEJ 26 BAJIČ MILORAD 27 BALOŠ AUREL 28 BANKO MARTIN 30 BANOVECANDREJ 31 * prosimo, da člani pregledate točnost podatkov in jih dopolnite, oz. nam javite spremembe. Vsi tisti, ki se želite včlaniti v društvo, ali pa samo sporočiti spremembo, prosimo, pošljite prijavnico na naslov : Pavla Suhadolnik MIKROIKS d. o. o. Titova 36a, 61000 Ljubljana tel. (061) 319 170 fax. (061)316 666 Kraj firme TITOVO VELENJE JULON LJUBLJANA ENERGOINVESTIRIS RUDI ČAJAVEC PE LJUBLJANA SARAJEVO BANJA LUKA INSTITUT BEZBEDNOSTI BEOGRAD ELEKTROKOVINA LJUBLJANA FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO RADIO TELEVIZIJA SKOPJE KUČIŠTA I UVODNICI ISKRA HIPOT El MIKROELEKTRONIKA NIŠRO FORUM NOVI SAD TEHNIŠKA FAKULTETA MARIBOR VTO FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET El ISTRAŽIVAČKO RAZVOJNI INSTITUT ATM ZAGREB IEVT MARIBOR LJUBLJANA SKOPJE TESLIČ ŠENTJERNEJ NIŠ NOVI SAD MARIBOR LJUBLJANA BANJA LUKA ZEMUN ZAGREB LJUBLJANA 102 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in ime Št Firma Kraj firme BASTJANIČ BORIS 565 RADE KONČAR ETI ZAGREB BEGOVIČ HERMINA 34 DIS BORJA OOUR KUČISTA I... TESLIČ BELAVIČ DARKO 36 ISKRA HIPOT, INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA BELE ZLATKO 493 MIKROIKS LJUBLJANA BENDA JOSIP 37 RUDI ČAJAVEC PE BANJA LUKA BENDEKOVIČ ZDRAVKO 38 RIZ TVORNICA POLUVODIČA ZAGREB BERAVS FRANC 39 ISKRA TOVARNA POLPREVODNIKOV TRBOVLJE BERGANT STANE 40 ISKRA TELEMATIKA KRANJ BERNIK SLAVKO 567 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA BESENIČARSPOMENKA 517 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA BEŠTERJANEZ 516 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA BILJANOVIČ PETAR 43 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET ZAGREB BIZJAK IGOR 44 IEVT LJUBLJANA BIZJAK MARTIN 45 BJELOTOMIČ DUŠKO 558 PATENT IETPU OSIJEK BOŽIČ GORAN 499 RADE KONČAR - ETI ZAGREB BOŽIČ VINKO 51 BOGATAJ BRANKO 46 TOVARNA ELEKTROTERMIČNIH APARATOV CERKNO BOGOJEVIČ MIHAIL 530 EXCELLON EUROPAGMBH! BOJC FRANC 47 ISKRA ELEKTROZVEZE TTS LJUBLJANA BOKAN NATAŠA 533 RUDI ČAJAVEC RO PE MIKROELEKTR. BANJA LUKA BOLTUŽIČ MILIVOJ 548 RADE KONČAR ETI ZAGREB BORAS MILAN 48 NIKOLA TESLA ZAGREB BOŠAN DOROE 49 ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ NIŠ BRATOVIČ SADETA 607 ENERGOINVEST RO CIRM SARAJEVO SARAJEVO BRICELJ BOGDAN 55 ŽELEZARNA JESENICE - REMONT. JESENICE BRKIČ IVAN 645 RADE KONČAR KUTINA BRKOVIČ VUKMAN 56 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET TITOGRAD BRUMECZMAGO 619 BIROSTROJ MARIBOR MARIBOR BUCDRAGO 621 ISKRA DELTA, LJUBLJANA TITOVO VELENJE BUDINLEO 57 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET ZAGREB BURAZIN TOMISLAV 60 ISKRA KIBERNETIKA TOZD INSTRUM. PODNART BUTKOVIČ ŽELJKO 61 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET ZAGREB CERGOLJ MIRJAM 65 ISKRA IEZE KERAMIKA RAZVOJ LJUBLJANA CERNETIČ JOSIPINA 66 ISKRA TOZD ELEKTROLITI LJUBLJANA CEROVAC KREŠIMIR 67 RO RADE KONČAR INDUSTRIJSKA ELE. ZAGREB COKANALEŠ 70 ISKRA IEZE TOZD MAGNETI LJUBLJANA COLARIČ JOŽE 71 ISKRA IEZE HIPOT ŠENTJERNEJ ŠENTJERNEJ CVETKOVIČ BRANKO 512 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA CVETKOVIČ MIROSLAVA 78 El RO ISTRAŽIVAČKO RAZVOJNI INS. ZEMUN POLJE CVOK STJEPAN 79 RADE KONČAR RO ELEKTRONIKA ZAGREB DŽEKOV TOMISLAV 103 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET SKOPJE SKOPJE DAMJANOVIČ MIROSLAV 539 VOJNOTEHNIČKI INSTITUT BEOGRAD DAMNJANOVIČ DRAGAN 80 INDUSTRIJA SINTETIČKOG FILAMENTA PRIZREN DAMNJANOVIČ SVETLANA 81 SOZD ELEKTROKOVINA MARIBOR DAVINIČGORDANA 603 RO El MIKROELEKTRONIKA NIŠ NIŠ 103 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in ime Št Firma Kraj firme DELAČ ANTONIJA 84 RIZ TPV ZAGREB DESPOTOVSKI LAZAR 85 RUDNICII ZELJEZARNICA SKOPJE DEVETAK MIRAN 86 ELEKTROKOVINA DO ELEKTRONIKA MARIBOR DIMIROVSKIGEORGI 87 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET SKOPJE DIMITRIJEVIČ MILJENK 576 RIZ-RO PROFESIONALNA ELEKTRONIKA ZAGREB DJURIC ZORAN 90 INSTITUT ZA HEMIJO TEHNOLOGIJU BEOGRAD DOBEIC JANEZ 1 UPOK.PROF.NA PE LJUBLJANA DOGSATOMAŽ 94 TEHNIŠKA FAKULTETA MARIBOR MARIBOR DOKIC BRANKO 95 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BANJA LUKA DRAGOSAVIC LJUBICA 98 RIZ OOUR IETA ZAGREB ZAGREB DUKANOVIC ZIVKO 100 RO BORJA OOUR KUČIŠTA I UVODNICI SLATINA KOD TESLIČA OOKIČ MILIVOJE 89 VOJNOTEHNICKI INSTITUT BEOGRAD BEOGRAD DORDJEVIČ SLOBODAN 531 EIROMIKROELEKTRONIKA NIŠ ČIRIC RADMILA 69 ELEKTRONSKA INDUSTRIJA FABRIKA ZEMUN ČUPURDIJA JASMINKA 76 SOUR RADE KONČAR OOUR ELEKTROTE ZAGREB ČADEZ IVO 63 DO UNIS TOS LJUBLJANA LJUBLJANA ČAJKOVSKI DIMITRIJE 551 PRIRODNO-MATEMATIČKI FAKULTET SARAJEVO ČAVČIČ DUNJA 64 SOUR RIZ RO KOMEL TVORNICA POL ZAGREB ČEŠNOVARANDREJ 68 ISKRA ELEMENTI TOZD FERITI LJUBLJANA ČRNESTJEPAN 544 RADE KONČAR ETI ZAGREB ČUK FRANC 74 ISKRA ELEKTROZVEZE LJUBLJANA ČUKELJ ZLATKO 75 SOUR RADE KONČAR ZAGREB ČUROVIČ MILIC 77 ISKRA IEZE TOZD FERITI LJUBLJANA EISENHUT VILI 105 SOZD ELEKTROKOVINA MARIBOR ERŽEN BOŽIDAR 106 PTT PODJETJE LJUBLJANA LJUBLJANA FALESKINI RADO 107 ISKRA SOZD LJUBLJANA FELDIN MARTA 641 ISKRA KIBERNETIKA KRANJ FERINA SLAVKO 108 TEHNOLOŠKI FAKULTET U ZAGREBU ZAGREB FERMIŠEK BOJAN 109 SOZD ELEKTROKOVINA MARIBOR FLAM DRAGUTIN 110 NIKOLA TESLA ISTRAŽIVANJE I RAZVOJ ZAGREB FURLANJOŽE 111 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA GABRIJELČIČ DUŠAN 112 TSC BRANKO BRELIH NOVA GORICA GALEKOVIČBRANIMIR 113 NIKOLA TESLA ZAGREB GANZA DEAN 575 SOURRADEKONČAR ZAGREB GARDAŠEVIČ VOJIN 114 ISKRA IEZE TOZD KERAMIKA LJUBLJANA GAVRILOVIČ ALEKSANDR 116 GERIČ DRAGUTIN 519 RIZ KOMEL TVORNICA POLUVODIČA ZAGREB GERIČ IVAN 118 ISKRA DO IEZE, DELOVNA SKUPNOST LJUBLJANA GESSNER MARIJAN 119 RIZ TVORNICA POLUVODIČA ZAGREB GJURANIČ MILAN 120 SOUR MK ŽELJEZARA SISAK SISAK GLINŠEK FRANC 122 ISKRA ELEMENTI TOZD IE KOSTANJEVICA NA KRKI GLOŽINIČ IVAN 123 ŠKOLSKICENTAR ZDR. KADR. VARAŽDIN GNIDOVEC DUŠAN 124 METALURŠKI INSTITUT LJUBLJANA LJUBLJANA GNJATOVIČ ZORICA 584 EIROIRI OOUR BETA ZEMUN GOBENŠEK 651 ISKRA ELEMENTI KOSTANJEVICA NA KRKI GODEC DANIEL 125 ELEKTRONIKA GODEC MARIBOR 104 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in ime Št Firma Kraj firme GOJO MIROSLAV 513 RIZ TVORNICA POLUVODIČA ZAGREB GOLJEVŠČGK LILIJANA 510 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA GOLUBIČSTJEPAN 126 NIKOLA TESLA ZAGREB GORIŠEK ALOJZ 557 ISKRA FERITI LJUBLJANA GORIŠEK MARJAN 127 ISKRA ELEMENTI KOSTANJEVICA OB KRKI GORJANC NEVENKA 128 GOŠOVIČ NADA 129 SOUR RUDI ČAJAVEC BANJA LUKA GRADIŠNIK VERA 580 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA GRGIČ BERISLAV 131 TVORNICE ELEKTROTEHNIČNIH PROIZVODA ZAGREB GRGURIČ KATA 592 SOUR DURO DAKOVIC, RO MARSONI SLAVONSKI BROD GRILC DANIEL 132 RTV LJUBLJANA RADIO LJUBLJANA GRUBIČ FRANCI 133 ISKRA ELEMENTI KOSTANJEVICA NA KRKI GRUJIČ BILJANA 134 RUDI ČAJAVEC RO PE BANJA LUKA GRUMANDREJ 135 .ČGP DELO LJUBLJANA GRUNDLERDARKO 136 SELK KUTINA KUTINA GUBENŠEKANTON 137 ISKRA INDUSTRIJSKA ELEKTRONIKA KOSTANJEVICA NA KRKI HABAŠ PREDRAG 498 HADŽIOMEROVIČ DAVOR 138 SOUR RUDI ČAJAVEC RO PE OOUR PT BANJA LUKA HIRŠMAN MATJAŽ 142 HOLCJANEZ 554 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA HORVAT BOGOMIR 143 TEHNIŠKA FAKULTETA MARIBOR MARIBOR HORVAT DEAN 646 HORVAT MIRAN 566 SSC PTUJ PTUJ HOZIČ FIKRET 144 RUDI ČAJAVEC, OOUR RRT BANJA LUKA HOZJAN ŠTEFAN 632 TEHNIŠKA FAKULTETA MARIBOR HRIBERNIK BOŽO 145 TEHNIŠKA FAKULTETA MARIBOR HRIBŠEK MARIJA 146 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BEOGRAD HROVATMARKO 523 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA HUMIČ DAMIR 613 RO PTT PROMETA KARLOVAC KARLOVAC HUSAR IVAN 147 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET ZAGREB ZAGREB ILIČ ŽIVORAD 534 EIROVEP NIŠ ILIČ NENAD 605 ENERGOINVEST RO CIRM SARAJEVO SARAJEVO INJAC RANKO 151 SOUR RUDI ČAJAVEC OOUR TELEKOM. BANJA LUKA IRMANČNIK LIDIJA 152 IEVT LJUBLJANA ISAILOVIČ VLADISLAV 153 SOUR El SEKTOR ZA PROGRAM I RAZVOJ BEOGRAD IVANČIČ VLASTIMIR 552 ETI-RADEKONČAR ZAGREB IVANČIČ IVAN 508 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA JAKOPOVIČ ŽELJKO 626 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, ZAVOD ZAGREB JAKUPOVIČ NIHAD 610 RO BORJA TESLIČ, OOUR KUCISTA TESLIČ JAMAKOSMANOVIČ MUHAM 608 ENERGOINVEST RO CIRM SARAJEVO SARAJEVO JAMNIK PAVEL 535 ISKRA KIBERNETIKA KRANJ JAN FRANC 2 ISKRA ELEMENTI TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ JANEVVANČO 157 RADIO TELEVIZIJA SKOPJE SKOPJE JANUŠKO DJERDJ 611 PIK BEČEJ, OOUR BRATSTVO JEDINSTVO GRADIŠTE JANČAR RUDI 156 IEVT LJUBLJANA JAPELJ JANEZ 521 ISKRA IEZE TOZD FERITI LJUBLJANA 105 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek In ime Št Firma Kraj firme JAZBEC HERMAN 159 SOZD ELKOM MARIBOR MARIBOR JENKO BOJAN 161 IEVT LJUBLJANA JENKO DRAGO 606 ISKRA TELEMATIKA KRANJ JERIČ STANE 162 RTV-TV KOPER CAPODISTRIA KOPER J EVNIK ŠTEFAN 164 ISKRA IEZE TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ JEVTIČ MILAN 165 INSTITUT ZA FIZIKU ZEMUN JOSIFOVIČOLIVERA 167 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BANJA LUKA JOVANOVIČ DRAGAN 168 El IR INSTITUT OOUR BETA ZEMUN JOVANOVIČ VESNA 169 El RO IRIOOUR BETA ZEMUN JOVIN JELENA 652 FTN INSTITUT ZA ENERGETIKU NOVI SAD JOVIČ VESNA 171 INSTITUT ZA HEMIJSKU TEHNOLOGIJU BEOGRAD JUNGIC SLAVICA 172 SOUR RUDI ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA JURCAN MIRNA 173 JURJEVEC DANIEL 559 PRIVREDNA KOMORA JUGOSLAVIJE BEOGRAD KADIČ AZRA 174 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BANJALUKA KANDUŠER ALENKA 594 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA KAPUN MATJAŽ 623 ISKRA DELTA LJUBLJANA KARAMARKOVIČJUGOSLA 604 ROO El MIKROELEKTONIKA NIŠ NIŠ KEBER ALOJZ 3 ISKRA ELEMENTI LJUBLJANA KERSMANC SLAVKO 509 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA KETTE BORIS 176 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET ZAGREB KEVORKIJAN VARUŽAN 177 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA KIT FRANC 178 TAM MARIBOR DSK INŽENIRING MARIBOR KIČEVIČ DUŠAN 555 INSTITUT ZA MATERIJALE-BORIS KIDRIČ BEOGRAD KLANJŠEKGUNDE MARTA 648 KEMIJSKI INSTITUT BORIS KIDRIČ LJUBLJANA KLANČNIK STANE 616 OSI CELJE KLOBČAR JOŽE 180 ISKRA TOZD KEKO ŽUŽEMBERK KNEZ DANIEL 181 GORENJETGO TITOVO VELENJE KNOLL MILENA 183 ISKRA IEZE TOZD UPORI ŠENTJERNEJ KOŽELJ MATJAŽ 206 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA KOBE MARJANCA 184 ISKRA DO ELEKTROZVEZE LJUBLJANA KOBE MILOŠ • 185 UPOKOJENEC KODRIČ DARKO 186 ISKRA IEZE TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ KOJADINOVIČ ZORAN 187 RO ZAVODICRVENAZASTAVA KRAGUJEVAC KOLAR DRAGO 568 INSTITUT JOŽE ŠTEFAN LJUBLJANA KOLLER LIDIJA 188 IEVT LJUBLJANA KOLONIČ FETAH 625 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET ZAGREB KOMLJENOVIČ MILAN 190 SOUR RUDI ČAJAVEC ROTU BANJA LUKA KONDATONE 191 ISKRA IEZE TOZD KERAMIČNIH KOND. ŽUŽEMBERK KOPANJA DRAGOJLO 192 SOUR R.ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA KOPLAN FRANC 193 ISKRA IEZE FERITI LJUBLJANA KORUGA DJURO 541 CENTAR ZA MOLEKULARNE MAŠINE BEOGRAD KORUGA VLADO 194 RUDI ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA KOS DARJA 195 ISKRA HIPOT ŠENTJERNEJ KOSEC MARIJA 197 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA KOVAČIČ ZDENKO 624 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET ZAGREB ZAGREB 106 Informacije MIDEM 20(19.90)2, Ljubljana Priimek in ime Št Firma Kraj firme KOVAČIČ IZTOK 572 FAGG VTOZD ZA GRADBENIŠTVO IN GEOD. LJUBLJANA KOZINA LOTAR 207 BIRO Q LJUBLJANA KOZINC ALOJZ 208 LISCA PE INES SEVNICA KOŠAK NUŠA 196 ISKRA IEZETOZD UPORI ŠENTJERNEJ KRAJNC JOŽE 209 SOZDELEKTROKOVINA MARIBOR KRAJNC MARJETA 210 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA KRANJC JOŽE 211 ISKRA ELEMENTI TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ KRASNA JOŽE 212 ISKRA IEZETOZD HIPOT ŠENTJERNEJ KREGAR VLASTA 214 KRENBRANE 215 KRIŽAJ DEJAN 581 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA KRIŽAK VLADIMIR 522 INDUSTRIJA SINTETIČKIH FILAMENA PRIZREN KRIVOKAPIČ ZORAN 216 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA KRČMAR RATKO 213 RUDI ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA KUNOVAC DRAGANA 220 INSTITUT ZA HEMIJ. TEHNOLOGIJU BEOGRAD KUSIČ KARMEN 222 NIKOLA TESLA ZAGREB KUZMA CIGOJ RATIMIR 633 KUZMIN JELKO 223 ISKRA IEZETOZD UPORI ŠENTJERNEJ LATINOVIČ TIHOMIR 225 SOUR RUDI ČAJAVEC RO PE OOUR TU BANJA LUKA LAVRENČIČ BORUT 226 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA LEINERMILJENKO 647 LEKOVIČ DANICA 227 VOJNOTEHNIČKI INSTITUT VTI BEOGRAD LEKOVIČNADA 228 El RO IR INSTITUT OOUR BETA ZEMUN LENARDIČ BORUT 229 ISKRA CENTER ZA ELEKTROOPTIKO LJUBLJANA LEONARDIS SAVO 230 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA LILfČ SLADJANKA 634 LIMPELMETA 5 ISKRA ELEMENTI TOZD FERITI LJUBLJANA LIPOGLAVŠEK CVETKA 564 LIPOVAC PETAR 232 RUDI ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA LIPOVŠEK MARJAN 505 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA LITOVSKI VANČO 233 ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ LIVADA BRANKO 234 VOJNOTEHNIČKI INSTITUT BEOGRAD LJUBIC DUBRAVKA 577 RIZ-RO IETA ZAGREB ZAGREB LORENCIN MIODRAG 235 PEDAGOŠKI FAKULTET RIJEKA LUŽAR RADKO 240 ISKRA IEZETOZD UPORI ŠENTJERNEJ LUGOVIČ MITRA 574 VISOKE VOJNOTEHNIČKE ŠKOLE ZAGREB LUKEZIČ MARINO 236 RO DIGITRON BUJE BUJE LUKIČ LAZAR 237 ELEKTRONSKA INDUDSTRIJA RO IR I ZEMUN LUKOVIČ MILOLJUB 643 INSTITUT BEZBEDNOSTI BEOGRAD LUZMA ŠTEFAN 502 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA LUŠTEK PETER 238 ISKRA ELEMENTI TOZD IE KOSTANJEVICA NAKRK MACANKOVIČ BOJANA 241 El ELEKTRONSKA INDUSTRIJA O UR A ZEMUN POLJE MAIER ZVONKA 244 ISKRA COMMERCE LJUBLJANA MALEŠEVIČJOVAN 246 ISKRA DELTA LJUBLJANA MALEŠEVIČ PREDRAG 247 RUDI ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA MALIC BARBARA 593 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA 107 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in ime Št Firma Kraj firme MANDIČ MILAN 571 ISKRA ZMAJ LJUBLJANA MANSOORALI 249 ISKRA TOZD TU PRŽAN LJUBLJANA MARINC MARTIN 500 ISKRA ELEMENTI TOZD SEM LJUBLJANA MARINKOVIČVELIBOR 497 MONTANISTIKA FNT UNIVERZA LJUBLJANA MARJANOVIČ MILKA 251 RUDI ČAJAVEC PROF. ELEK. BANJA LUKA MARKOV JANI 253 OUR TVIT NONCA KAMSOVA TITOV VELES MARKOVIČ OLGA 254 ELEKTRONSKA INDUSTRIJA RO TELEK. ZEMUN MARŠ LEPOSAVA 255 EIROIR INSTITUT OOUR BETA ZEMUN POLJE MATIJEVIČ BRANKO 256 DALKOM LJUBLJANA MAČEK MARIJAN 242 MIKROIKS d.o.o LJUBLJANA MEDIČ MIODRAG 259 INSTITUT MIHAJLO PUPIN BEOGRAD MEDLE JOŽE 260 ISKRA TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ MEDVED BRANKO 261 BIROSTROJ MARIBOR MARIBOR MEHAK SAŠA 590 SREDNJA ELEKTROTEHNIŠKA ŠOLA MEKINDA MILAN 6 MELINČEK VLADIMIR 614 ISKRA, INDUSTRIJA KONDENZATORJEV SEMIČ MENCL BORISLAV 262 SOUR RIZ RO AUTOMACIJA ZAGREB MESTNIK BRIGITA 263 SOUR RIZ RO KOMEL ZAGREB METLJAK DRAGO 264 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TNE LJUBLJANA MIKAC STJEPAN 601 VARTILEN RJINZENJERING VARAŽDIN MIKLAVČIČ BOGO 266 ISKRA IEZE TOZD FERITI LJUBLJANA MILATOVIČ IVAN 490 ISKRA MIKROELEKTRONIKA V LIKVID. LJUBLJANA MILIC BRANISLAV 268 INSTITUT MIHAJLO PUPIN BEOGRAD MILIC KATA 537 RIZIETA ZAGREB MILIC ŠTRKALJ OGNJEN 269 MILIČEVIČ MIODRAG 270 EIOOURPP NIŠ MILJKOVIČ ŽIVOJIN 271 ELEKTRONSKA INDUSTRIJA NIŠ NIŠ MILOVANOVIČ DRAGIŠA 272 ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ MILOVANOVIČ RAJKO 273 ETFSARAJEVO SARAJEVO MILČIČ ZORAN 267 SOUR RIZ RADIOINDUSTRIJA ZAGREB MIRJANIČ DRAGOLJUB 274 TEHNOLOŠKI FAKULTET BANJA LUKA MIRČEVSKISLOBODAN 598 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET SKOPJE SKOPJE MLADENOVIČLJUBIŠA 277 El NIŠ FABRIKA POLUPROVODNIKA NIŠ MOZETIČ VOJKO 279 TITAN KAMNIK TO 3 KAMNIK MUŽEVIČ MARIJAN 282 ATM ZAGREB MUMINOVIČ DJENENA 583 SOUR ENERGOINVESTRO IRCE SARAJEVO LUKAVICA MURKO JEROVŠEK MELIT 496 INSTITUT ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA MURČEHAJIČ MUHAREM 280 ISKRA ŠENTJERNEJ TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ MUŠTRASREČKO 281 RIZ KOMEL ZAGREB NADIŽAR BRANISLAV 283 NAVINŠEK BORIS 524 INSTITUT JOŽEF STEFAN LJUBLJANA NEŠKOVIČALEKSA 286 RO INSTITUT MIHAJLO PUPIN ELEKT. BEOGRAD NIKOLIC ZORAN 287 El NIŠ, ROEI HONEYWELL-BULL NIŠ NIŠIČ SUMEDIN 630 UNIS TESLA TVORNICA AKUMULATORA BRČKO NOVAK BRANKO 620 TGA KIDRIČEVO KIDRIČEVO NOVAK FRANC 511 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA 108 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in Ime Št Firma Kraj firme NOVAK JANEZ 503 ISRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA NOVAK JURICA 289 SOUR RADE KONČAR OOUR ELEKTROT. ZAGREB NOVAK MATJAŽ 291 IZOLIRKA LJUBLJANA NOVAK MILENA 636 NOVŠAK ALBIN 494 IZOLIRKA RADOVLJICA OBLAK JOŽE 294 ISKRA IEZEOOUR DSSS LJUBLJANA OBRADOVIČGORAN 649 RIZ-TPV ZAGREB OBROVNIK VITJAN 589 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA OGRIN TOMAŽ 295 ISKRA INDUSTRIJA BATERIJ ZMAJ LJUBLJANA PAHOR DAVID 507 ISKRA AVTOMATIKA TOZD TELA LJUBLJANA PANTIČ DRAGAN 296 ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ NIŠ PANTOVIČ VLADIMIR 297 El RO ISTRUŽIVAČKO RAZVOJNI INS. ZEMUN POLJE PARADIS DUBRAVKO 298 RORIZ KOMEL ZAGREB PAVLIN BOŽIDAR 300 ISKRA IEZE TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ PAŠALIČ HARIS 299 METALURŠKI INSTUTUT HASAN BRKIC ZENICA PEHANI BENO 304 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA PEJOVIČ VERICA 306 El INSTITUT OOUR BETA ZEMUN POLJE PERMANJANEZ 310 INSTITUT ZA ELEKTRONIKO IN VAKU. LJUBLJANA PETERCA FRANC 312 ISKRA AVTOMATIKA LJUBLJANA PETKOVIČ DRAGAN 313 El NIŠ FABRIKA POLUPROVODNIKA NIŠ PETRINEC MARIJA 315 SOUR RIZ RO KOMEL ZAGREB PETRIČ MARKO 595 INSTITUT JOŽEF STEFAN, LJUBLJANA LJUBLJANA PETROVIČ MIODRAG 317 INSTITUT ZA HEMIJ. TEHNOLOGIJU BEOGRAD PEŠIČ LJUTICA 311 INSTITUT M.PUPIN BEOGRAD PEČUR DRAGO 302 NIKOLA TESLA OOUR ISTRAŽIVANJE PHYSICOS CHRISTODOUL 320 INSTITUT JOŽEF STEFAN LJUBLJANA PINTAR AURELIA 321 ISKRA IEZE TOZD POLPREVODNIKI LJUBLJANA PINTERIČ FRANC 322 ISKRA DO ELEKTROZVEZE TOZD TEI LJUBLJANA PIRC MARIJA 323 ISKRA ZORIN TOZD STANDARDIZACIJA LJUBLJANA PIRC SLAVKO 324 ISKRA IEZE TOZD UPORI ŠENTJERNEJ PIRKOVIČ JOŽE 325 ISKRA ELEMENTI HIPOT ŠENTJERNEJ PIRKOVIČ MARJAN 326 ISKRA IEZE TOZD UPORI ŠENTJERNEJ PIRTOVŠEK ERVIN 327 ISKRA ELEMENTI LJUBLJANA PIVAC BRANKO 328 INSTITUT RUOER BOŠKOVIČOOUR I ZAGREB PIVK MARJAN 329 ISKRA TOZD ELEKTROLITI LJUBLJANA PODNAR PETER 330 ISKRA TELEMATIKA TOZD RR KRANJ POLAK JOŽE 332 ISKRA DELTA KRANJ POLOVINA RADMILA 333 El ROIRI OOUR BETA ZEMUN POLUTNIK MATEVŽ 562 POLUTNIK MATJAŽ 334 ISKRA IEZE TOZD POLPREVODNIKI TRBOVLJE POLZELNIK IVAN 335 ISKRA IEZE TOZD KERAMIČNI KON. ŽUŽEMBERK POMPE IGOR 336 ISKRA IEZE LJUBLJANA POTOČAR JOŽICA 341 ISKRA IEZE TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ PRAJDIČ GRETA 549 RADE KONČAR ETI ZAGREB PRAŠTALO RADOJKA 343 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BANJA LUKA PREGELJ ANDREJ 344 IEVT LJUBLJANA 109 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in ime Št Firma Kraj firme PRERADOVIČ ZAGORKA 345 ELEKTRONSKA INDUSTRIJA ZEMUN PROKIČ MIODRAG 346 ELEKTRONSKA INDUSTRIJA NIŠ PUCELJ JOŽE 347 ISKRA ELEMENTI TOZDHIPOT ŠENTJERNEJ PURGARIČ BRANISLAV 348 NIKOLA TESLA ZAGREB ZAGREB PUST SREČKO 349 ISKRA IEZETOZD ELEKTROLITI MOKRONOG RADIVOJEVIČ JADRANKA 350 ISKRA IEZETOZD KERAMIKA LJUBLJANA RADIČ VLATKA 579 RIZ ROTVORNICA POLUVODIČA ZAGREB RADOVIČSNEŽANA 352 ROEIPP NIŠ RAJIČSLOBODAN 353 ISKRA BANKA LJUBLJANA RAKIČ SNJEŽANA 532 GIMNAZIJA BANJA LUKA RATKOVIČ MILICA 354. SOUR RIZ RO KOMEL ZAGREB REGODA RATKO 356 SOUR RUDI ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA REMŠKAR MAJDA 640 ISKRA KIBERNETIKA KRANJ REČNIK ANDREJ 355 BIROSTROJ MARIBOR MARIBOR RIHNOVSKI BORIVOJ 560 RADE KONČAR-INDUSTRIJSKA ELEKTR. ZAGREB RISTIČ MOMČILO 360 CENTAR ZA MULTIDISCIPLINARNE ST. BEOGRAD ROŽAJBRVARALENKA 363 ISKRA CENTER ZA ELEKTROOPTIKO LJUBLJANA ROSELJ JANKO 631 ISKRA, TOVARNA KERAMIČNIH KONDENZ. ŽUŽEMBERK ROZINA NACE 618 ISKRA ELEMENTI, SEM LJUBLJANA ROZMAN IRENA 365 ISKRE IEZE TOZDHIPOT ŠENTJERNEJ ROČAK DUBRAVKA 525 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA ROČAK RUDOLF 7 MIKROIKS d.o.o. LJUBLJANA RUDELDRAGO 366 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA RUHEKANTON 367 SOUR RIZ ZAGREB ZAGREB RUNDIČ SLA VOJKA 368 TOC BEOGRAD BEOGRAD SALETA VINKO 599 DR.NIKOLA MILJANIČ RATAR, INDUS. LIPIK SAMARDŽIČ NATALIJA 371 ELEKTRONSKA INDUSTRIJA AVALA ZEMUN POLJE SANTO MARINA 373 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA SARAJČIČ RANKO 374 NIKOLA TESLA OOUR ISTRAŽIVANJE ZAGREB SARČEVIČ SLOBODANKA 375 SOUR RUDI ČAJAVEC ROPE BANJA LUKA SAVKOVIČ STEVANOVIČ 377 TEHNOLOŠKO METALURŠKI FAKULTET BEOGRAD SEJAD SALAM 380 ISKRA AVTOELEKTRIKA TOVARNA ŽAR. LJUBLJANA SELAR IVAN 381 SOZD ELEKTROKOVINA DO ELEKTRONIKA MARIBOR SENČAR DAMJAN 573 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA SETRAJČIČ JOVAN 383 PRIRODNO MATEMATIČKI FAKULTET NOVI SAD SEVER VINKO 384 ISKRA IEZE LJUBLJANA SIBINOSKI LATKO 585 El ROIRI OOUR BETA ZEMUN SILJANOSKI VLADO 386 ENERGOINVEST -11. OKTOMVRI PRILEP SIMON FRANCI 387 SINOVČEVIČ RENATA 390 RIZ OOUR TVORNICA POLUVODIČA ZAGREB SIVEC VILJEM 588 ISKRA ELEKTROZVEZE, LJUBLJANA LJUBLJANA SLADIC ANTON 495 SLOKAN MILAN 9 UPOKOJENEC SMOLE FRANC 528 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA SNEDIČ SILVA 642 ISKRA KIBERNETIKA KRANJ SOFTIČ FERID 397 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BANJA LUKA 110 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in Ime Št Firma Kraj firme ŠOLAR MITJA 398 TEHNIŠKA FAKULTETA MARIBOR VTO MARIBOR ŠOLAR STANISLAV 8 ISKRA AVTOELEKTRIKA LJUBLJANA SOLIČ DRAGUTIN 399 RADE KONČAR OOUR INEM ZAGREB SOLJAČIČ VINKA 400 ISKRA AVTOMATIKA RAZVOJNI INST. LJUBLJANA SPORIŠ DAMIR 600 RIZ-IETA ZAGREB STAMENKOVIČ ZORAN 582 RO EI-MIKROELEKTRONIKA NIŠ NIŠ STANKOVIČ GORDANA 407 INSTITUT ZA HEMIJ. TEHNOLOGIJU BEOGRAD STANKOVIČ TODOR 408 El FABRIKA RENTGEN APARATA NIŠ STANOJEVIČ SNEŽANA 409 El IRI OOUR BETA ZEMUN POLJE STEFANOVIČ LJUBINKA 410 RO El PP NIŠ NIŠ STEGEL IZTOK 411 ISKRA ELEKTROZVEZE LJUBLJANA STIGLIC BRUNO 414 STIPANČIČ MLADEN 628 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BANJA LUKA STOJADINOVIČ NINOSLA 415 ELEKTRONSKI FAKULTET NIŠ NIŠ STOJANOVIČ BILJANA 417 VOJNOTEHNIČKI INSTITUT BEOGRAD STOJANOVIČ VLADIMIR 419 El NIŠ OOUR RENDGEN APARATI NIŠ STOJANOVSKI PETAR 422 TEHNICKI FAKULTET BITOLA STRIŽAKNENAD 423 RIZ ROIETA ZAGREB STRLE DRAGO 615 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA STUBIČAR MIRKO 644 SUHADOLNIK ALOJZ 569 FAKULTETA ZA STROJNIŠTVO LJUBLJANA SUHADOLNIK PAVLA 650 MIKROIKS d.o.o. LJUBLJANA SULČIČ SLAVKO 501 MI POT spa DEVINCINA SUVOROV DANILO 617 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA TANJGA PETAR 431 RO DALMACIJA DUGI RAT DUGIRAT TEPINA PAVLE 10 ELEKTROTEHNIŠKA ZVEZA SLOVENIJE LJUBLJANA TJAPKIN DIMITRIJE 433 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BEOGRAD TKALČEC EMILIJA 543 TEHNOLOŠKI FAKULTET SVEUČILIŠTA ZAGREB TODOROVIČ DRAGAN 563 INSTITUT BEZBEDNOSTI BEOGRAD TODOROVIČ DUŠAN 434 ELEKTRONSKA INDUSTRIJA RO EI-TV TOMAZIN VIKTOR 435 ISKRA TELEMATIKA TOZD RR KRANJ TOMIČ MILICA 436 El RO ISTRAIŽVAČKO RAZVOJNI INS. ZEMUN POLJE BEOGRAD TORIČ HAŠIM 437 TOSIČ BRATISLAV 438 PRIRODNO MATEMATIČKI FAKULTET NOVI SAD TRIFUNOVIČ GORDANA 439 INSTITUT MIHAJLO PUPIN BEOGRAD TROKIČ BEDRUDIN 441 SOUR RUDI ČAJAVEC RO PE BANJA LUKA TRONTELJ JANEZ 442 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA TRONTELJ LOJZE 443 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA TRONTELJ MARIJA 444 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA TRTANJ DARKO 445 SLAVONSKA BANKA OSIJEK OSIJEK TRUBELJA MLADEN 602 SOUR ENERGOINVEST-ROCIRM SARAJEVO TURATO ŠKVORC TEA 578 RADE KONČAR, INEM-AZI ZAGREB TURINA MIROSLAV 447 RADE KONČAR- ETI ZAGREB TUŠEKTADIČ LJERKA 448 RADIOINDUSTRIJA OOUR IETA ZAGREB UNKJOŽE 561 ISKRA AVTOMATIKA LJUBLJANA URSIČ SREBRENKA 491 111 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek In ime Št Firma Kraj firme UVODIČ DARJA MARTINA 450 ISKRA IEZE LJUBLJANA VACIČ ZORAN 629 EI-MIKROELEKTRONIKA NIŠ VALANTIČ BOJAN 451 ISKRA TELEMATIKA KRANJ VALENIČ ANICA 635 VALENČIČ BRANE 452 IEZE TOZD FERITI LJUBLJANA VALENČIČ VITOŠ 454 ISKRA IEZE OOUR SKUPNE SLUŽBE LJUBLJANA VARDJAN VITO 455 IEVT LJUBLJANA VENGAR SREČO 456 ISKRA ITEE TOZD TEL BLEJSKA DOBRAVA VEREŠVESIČ DRAGICA 457 RIZ RO KOMEL TVORNICA POLUVODIČA ZAGREB VETERJORG 458 VIDOSAVLJEVIČ OLIVER 553 EI-IRI BETA ZEMUN POLJE VIŠINSKI GORDANA 461 ISKRA IEZE TOZD HIPOT LJUBLJANA VODOPIVEC MARIO 462 SAVEZNI ZAVOD ZA MJERE I DRAGOC. SARAJEVO VOJNOVIČ BOŽIDAR 463 INSTUTUT RUDER BOŠKOVIČ ZAGREB VRTAČNIK DANILO 538 ISKRA IEZE POLPREVODNIKI TRBOVLJE VUK DAMIR 466 SOURRIZRO KOMEL ZAGREB VUKELIČ MILAN 469 RIZ KOMEL TVORNICA POLUVODIČA ZAGREB VUKOJEVIČ DRAGAN 470 TERMOELEKTRARNE NIKOLA TESLA OBRENOVAC VUKSANLJUŠTINAGORD 471 El ROT OOUR FABRIKA VE UREDAJA ZEMUN VUČENOVIČ DRAGAN 465 NIKOLA TESLA ZAGREB ZADRAVEC JURICA 473 ISKRA AVTOMATIKA TOZD Rl LJUBLJANA ZAJKOSKI PERE 474 ENERGOINVEST -11. OKTOMVRI PRILEP ZALAR ANTON 475 IEVT LJUBLJANA ŽEMLJIC ZOLTAN 478 ISKRA IEZE TOZD SKUPNE SLUŽBE LJUBLJANA ZORKORUDI 484 ISKRA ELEKTROMEHANIKA KRANJ ZORMANSAŠO 485 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN LJUBLJANA ZUPAN MOJCA 486 ISKRA TELEMATIKA KRANJ ZUPANČIČ JURE 488 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO LJUBLJANA ŠAJFAR IVAN 370 NIKOLA TESLA OOUR ISTRAIŽVANJA ZAGREB ŠEF MARJAN 378 ZASEB.OBRTNA DEJAVNOST ELEKTROM. LJUBLJANA ŠEGOTA ERAZMO 379 RTV CENTAR RIJEKA RIJEKA ŠIFRAR MARKO 596 FNT FIZIKA LJUBLJANA ŠIRBEGOVIČ SEDAT 391 ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET BANJA LUKA ŠKRBINC DRAGO 394 ISKRA CENTER ZA ELEKTROOPTIKO LJUBLJANA ŠLAMBERGERN 639 ISKRA ELEMENTI, INDUSTRIJSKA EL. KOSTANJEVICA NA KRKI ŠOBA STOJAN 396 ISKRA IEZE TOZD HIPOT ŠENTJERNEJ ŠORLI IZTOK 401 MIKROIKS d.o.o. LJUBLJANA ŠOSTAREC IVAN 402 VIŠA TEHNIČKA ŠKOLA SUBOTICA ŠPRAH VILIJEM 597 METALNA MARIBOR ŠROL TATJANA 403 ZAVOD SR SLOVENIJE ZA VARSTVO LJUBLJANA ŠTADLERZMAGO 586 ISKRA ELEMENTI TOZD KEKO LJUBLJANA ŠTANDEKER CVETO 405 SREDNJA ŠOLA LEKTROTEHNIŠKE MARIBOR ŠTEGLIC MAKS 412 ISKRA CENTER ZA ELEKTROOPTIKO LJUBLJANA ŠTEMBERGER RADO 413 ISKRA ELEMENTI TOZD IE KOSTANJEVICA NA KRKI ŠTULARANTON 424 ISKRA INSTRUMENTI OTOČE PODNART ŠTULIČ MLADEN 425 RADE KONČAR OOUR ELEKTROTEHNIČKI. ZAGREB 112 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Priimek in ime Št Firma Kraj firme ŠULEK DRAGO 556 GORENJE POINT TITOVO VELENJE ŠUNDE VIKTOR 545 RADE KONČAR ETI ZAGREB ŠUŠTARŠIČ BORIVOJ 427 METALURŠKI INSTITUT LJUBLJANA ŠVAJCER ANICA 428 TVORNICA ELEKTROTEHNIČNIH PROIZV. ZAGREB ŠVAJGER ANA 542 ISKRA CEO LJUBLJANA ŠVEDEKTOMISIAV 546 RADE KONČAR OOUR ETI ZAGREB ŽABKAR ANTON 472 INSTITUT JOŽEF STEFAN LJUBLJANA ŽAKBRUNO 550 RADE KONČAR ETI ZAGREB ŽELEZNIKAR ANDREJ 637 ISKRA FERITI LJUBLJANA ŽELJEZNJAKŽELJKO 477 RADE KONČAR ZAGREB ŽIVANOV LJILJANA 479 FAKULTET TEHNIČKIH NAUKA NOVI SAD ŽIVANOV MILOŠ 480 NAFTA GAS SPECIJALNI RADOVI NOVI SAD ŽIVIČ ZORAN 481 ŽNIDARŠIČ ANDREJ 638 ISKRA FERITI LJUBLJANA ŽUPIČ JOSIP 489 ISKRA TOVARNA POLPREVODNIKOV TRBOVLJE VESTI, OBVESTILA Fakulteta za elektrotehniko in računalništvo PRIKAZ DOKTORSKE DIZERTACIJE Dr. Franc Smole: Analiza amorfne silicijeve sončne celice z vključitvijo izboljšanega modela lokaliziranih stanj v mobilnostni reži V doktorski disertaciji je Franc Smole razvil računalniško podprto obravnavo nehomogeno dopiranih struktur iz amorfnega silicija, ki jo je uporabil pri študiju notranjih dogajanj v amorfnem siliciju in pri analizi električnih in osnovno - geometrijskih lastnosti osvetljenih amorfnih silicijevih sončnih celic. Uporabljeni model gostote lokaliziranih stanj v mobilnostni reži amorfnega silicija je brez poenostavitev in upošteva raznovrstne prispevke zaradi neurejene notranje zgradbe, vključno tudi vplive koreliranih nivojev bingljajočih vezi. Pri obravnavi večplastnih amorfnih silicijevih struktur je dana možnost upoštevanja zveznih prehodov koncentracij primesi med posameznimi plastmi. Razvito obravnavo je avtor uporabil za analizo notranjih fizikalno-osnovnih lastnosti ter zunanjih električnih karakteristik osvetljenih p-i-n sončnih celic iz amorfnega silicija. Hkrati pa je pojasnil učinke raznih snovno- geometrijskih parametrov na optoelektronska dogajanja v teh celicah.Prikazal je vpliv strmine p-i prehoda ter dodanih primesi v i-plasti na fotoelektrične lastnosti osvetljene sončne celice. Izračunal je odvisnost lastnosti sončne celice od debeline celice ter učinke odbite svetlobe od zadnje površine na izboljšanje optoelektričnih lastnosti. Razvita računalniška obravnava pa je tudi omogočila analizo obstoječih modelov Staebler-VVron-skega efekta. Mentor: Dr. J. Furlan Fakulteta za elektroniko in računalništvo Tržaška 25 Ljubljana 113 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale - MIDEM pri Jugoslovanski zvezi za ETAN, Ljubljana, Titova 50, telefon (061) 316-886 PRIJAVNICA ZA ČLANE (Izpolnite s tiskanimi črkami in označite ustrezne odgovore) (Ispunite štampanim slovima i označite odgovarajuče odgovore) 1. Priimek in ime Prezime i ime . 2. Datum rojstva Datum rodenja 3. Izobrazba Naobrazba dijak učenik študent student srednja višja viša visoka magisterij doktorat 4. Stroka Struka □ elektrotehnika fizika kemija 5. Naziv podjetja ali ustanove, kjer ste zaposleni Naziv preduzeča ili ustanove u kojoj ste zaposleni metalurgija □ strojništvo strojarstvo ostalo. 6. Področje vaše dejavnosti Područje vaše djelatnosti raziskave istraživanje komerciala komercijala 7. Naslov člana Adresa člana . . razvoj projektiva projektiranje konstrukcija vzdrževanje održavanje kontrola AOP, informatika izobraževanje obrazovanje ostalo. Ulica ..... Poštna številka Poštanski broj Telefon . . . . Kraj Mjesto Naslov podjetja Adresa preduzeča Ulica ..... Poštna številka Poštanski broj Telefon . . . . Kraj Mjesto .Telefax ....................Telex Obvestilo želim prejemati na naslov Obavijesti želim primati na adresu podjetja preduzeča stanovanja stana S svojim podpisom potrjujem, da bom redno plačeval letno članarino. Svojim potpisom potvrdujem da ču uredno plačati godišnju članarinu. Kraj Mjesto Datum . Datum Podpis Potpis 114 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana PRVO OBVESTILO IN VABILO ZA SODELOVANJE NA 41. POSVETU O METALURGIJI IN KOVINSKIH GRADIVIH 41. Posvet o metalurgiji in kovinskih gradivih bo v Portorožu v dneh od 3. do 5. oktobra 1990. Popoldan prvega dne je predviden za prihod in pozdravno srečanje, drugi dan in prvi del tretjega dne za predstavitev govornih in poster prispevkov, drugi del tretjega dne pa za predstavitev in razpravo o programu raziskav za leto 1991. Metalurška industrija je dosegla pomembne uspehe v obvladovanju vplivov svoje proizvodnje na okolje, vendar pa so še nerešeni problemi, ki kvarijo njeno sliko v slovenski javnosti. V drugi polovici tega leta bo potrebno pripraviti okvirni načrt za tisti del raziskav za obdobje 1991-1995, ki bo predložen v financiranje vladi, oz. parlamentu. Razvojne in raziskovalne načrte za srednjeročno obdobje v zvezi z zahtevami po prestrukturiranju pa bodo morala pripraviti tudi podjetja. Posebno pri okolju je potrebno vedno znova predstavljati uspešne rešitve in načrte za sanacijo perečih problemov, da ne bi v javnosti nastajal vtis, da se teh problemov metalurgija ne zaveda, ali pa nima pripravljenih načrtov za njihovo rešitev. Zato je Znanstveni svet Posveta sklenil, da bo težišče posveta na problemih okolja in na načrtovanju raziskav in razvoja metalurgije kot ene od tehničnih ved in podjetij, ki se ukvarjajo s proizvodnjo ali z uporabo kovinskih materialov. Na posvetu bodo prispevki predstavljeni v govorni in v posterski obliki. Po sklepu ZS bodo najvažnejše dosežke iz posterskih del predstavili tudi koordinatorji URP, RP in sklopov v govorni obliki. Pozivamo vse kandidate, ki želijo predstaviti svoja dela na posvetu, da pošljejo Organizacijskemu odboru posveta Metalurški inštitut, 61000 Ljubljana, Lepi pot 11 (z oznako za Posvet Portorož 90) do 4. julija povzetke svojih prispevkov. Za prispevke, ki jih avtorji želijo predstaviti v posterski obliki, je potrebno poslati širši povzetek v obsegu dveh strani, ki bo objavljen v zborniku posveta. Znanstveni svet se je odločil, da bo kotizacija v višini 560,00 din (80 DEM). S to kotizacijo bo mogoče pokriti vse stročke posveta, vključno z izdajo zbornika pri približno 130 udeležencih. Za ZS posveta: Dr. F. Vodopivec Metalurški inštitut Lepi pot 1161000 Ljubljana KOLEDAR PRIREDITEV 1990 JULIJ 24.-26.: Mednarodna konferenca o vakuumski rni-kroelektroniki, Bath, Anglija (info. The Institute of Physics, 47 Beigrave Square, London SW1X8QX, UK) 30.- 2.8.: NT - 90, Mednarodna konferenca o tehnologiji ionske impiantacije, Guilford, Ang-lija__ SEPTEMBER 1.-8.: International Summer School on Neuro-computing, Dubrovnik (info. ECPD, Beograd tel. 011-633551) 8.-10.: International workshop on Neurocomput-ing in system control, Dubrovnik (info. ECPD, Beograd tel. 011-633551) 10.-13.: ESSDERC-90, European Solid State Device Research Conference, Nottingham, Anglija 19.-21.: SD-90, Jugoslovanski simpozij o sestavnih delih in materialih, Radenci (info. MIDEM) 24.-27.: Evropska konferenca o galijevem arseni-du, St.Helier,Channel Islands, Anglija 25.-30.: Mednarodna konferenca o epitaksiai-ni rasti kristalov, Budimpešta, Madžarska (info. Hungarian Academy of Sciences, Ujpest 1, p.f. 76, H-1325 Budapest)_ OKTOBER 2.: ISEMEC90, Ljubljana, Ob razstavi Sodobna elektronika, Info. EZS Titova 50 2.-3.: JUTEL90, Ljubljana, Info. EZS Ljubljana Titova 50 4.-5.: Elektronika v prometu, Ljubljana, Info. EZS Titova 50 4.-5.: RZ90, Relejna zaščita, Ljubljana, Info. EZS Titova 50 115 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana NAVODILA AVTORJEM Informacije MIDEM je znanstveno-strokovno-dru-štvena publikacija Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale-MIDEM. Časopis objavlja prispevke domačih in tujih avtorjev, še posebej članov MIDEM, s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki so lahko: izvirni znanstveni članki, predhodna sporočila, pregledni članki, razprave z znanstvenih in strokovnih posvetovanj in strokovni članki. Članki bodo recenzirani. Časopis objavlja tudi novice iz stroke, vesti iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, obvestila o akcijah društva MIDEM in njegovih članov ter druge relevantne prispevke. Strokovni prispevki morajo biti pripravljeni na naslednji način 1. Naslov dela, imena in priimki avtorjev brez titul. 2. Ključne besede in povzetek (največ 250 besed). 3. Naslov dela v angleščini. 4. Ključne besede v angleščini (Keywords) in povzetek v angleščini (Abstract). 5. Uvod, glavni del, zaključek, zahvale, dodatki in literatura. 6. Imena in priimki avtorjev, titule in naslovi delovnih organizacij, v katerih so zaposleni. Ostala splošna navodila 1. Članki morajo biti tipkani na listih A4 formata v vrsticah dolžine 16 cm. Rob na levi strani mora biti širok 3.5-4 cm. 2. V članku je potrebno uporabljati SI sistem enot oz. v oklepaju navesti alternativne enote. 3. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs ali belem papirju. Širina risb naj bo do 7.5 oz. 15 cm. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Risb, tabel in fotografij ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. 4. Delo je lahko napisano in bo objavljeno v kateremkoli jugoslovanskem jeziku v latinici in v angleščini. Uredniški odbor ne bo sprejel strokovnih člankov, ki ne bodo poslani v treh izvodih. Avtorji, ki pripravljajo besedilo v urejevalnikih besedil, lahko pošljejo zapis datoteke na disketi (360 ali 1,2) v formatih ASCII, Wordstar (3.4, 4.0), Wordperfect, word, ker bo besedilo oblikovano v programu Ventura 2.0. Grafične datoteke so lahko v formatu HPL, SLD (AutoCAD), PCX ali IMG/GEM. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. Rokopisov ne vračamo. Rokopise pošljite na naslov Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana UPUTE AUTORIMA Informacije MIDEM je znanstveno-stručno-druš-tvena publikacija Stručnog društva za mikroelek-troniku, elektronske sestavne dijelove i materijale - MIDEM. Časopis objavljuje priloge domačih i stranih autora, naročita članova MIDEM, s podru-čja mikroelektronike, elektronskih sastavnih dije-lova in materijala koji mogu biti: izvorni znanstveni članci, predhodna priopčenja, pregledni članci, ¡zlaganja sa znanstvenih i stručnih skupova i stručni članci. Članci če biti recenzirani. časopis takoder objavljuje novosti iz struke, oba-vijesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, obavijesti o akcijama društva MIDEM i njegovih članova i druge relevantne obavijesti. Stručni članci moraju biti pripremljeni kako slijedi 1. Naslov članka, imena i prezimena autora bez titula. 2. Ključne riječi i sažetak (najviše 250 riječi). 3. Naslov članka na engleskom jeziku. 4. Ključne riječi na engleskom jeziku (3Key VVords) i sažetak na engleskom jeziku (Abstract). 5. Uvod, glavni dio, zaključni dio, zahvale, dodaci i literatura. 6. Imena i prezimena autora, titule i naslovi institucija u kojima su zaposleni. Ostale opšte upute 1. Priloži moraju biti strojno pisani na listovima A4 formata u redovimadužine 16 cm. Na lijevoj strani teksta treba biti rub širok3.5 do 4 cm. 2. U prilogu treba upotrebljavati SI sistem jedinica od. u zagradi navesti alternativne jedinice. 3. Crteže treba izraditi tušem na pausu I bijelom papiru. Širina crteža neka bude do 7.5 odnosno 15 cm. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba imati broj i naziv koji označuje njen sadržaj. Crteže, tabele i fotografije nije potrebno lijepiti u tekst, več ih priložiti odvojeno, a u tekstu samo naznačiti mjesto gdje dolaze. 4. Rad može biti pisan i biti če objavljen na bilo kojem od jugoslavenskih jezika u latinici i na engleskom jeziku. Autori mogu poslati radove na disketama (360 ili 1,2) u formatima tekst procesora ASCII, Wordstar (3.4. i 4.0), word, Wordperfect pošto če biti tekst dalje obraden u Venturi 2.0. Grafičke datoteke mogu biti u formatu HPL, SLD (AutoCAD), PCX ili IMG/GEM. Urednički odbor če odbiti sve radove koji neče biti poslani u tri primjerka. Za sadržaj članaka autori odgovaraju u potpu-nosti. Rukopisi se na vračaju. Rukopise šaljite na adresu: Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehnična zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana INFORMATION FOR CONTRIBUTORS Informacije MIDEM is professional-scientific-social publication of Yugoslav Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials. In the Journal contributions of domestic and foreign authors, especially members of MIDEM, are published covering field of microelectronics, electronic components and materials. These contributions may be: original scientific papers, preliminary communications, reviews, conference papers and professional papers. All manuscripts are subject to reviews. Scientific news, news from the companies, institutes and universities, reports on actions of MIDEM Society and its members as well as other relevant contributions are also welcome. Each contribution should include the following specific components: 1. Title of the paper and authors' names, 2. Key Words and Abstract (not more than 250 words). 3. Introduction, main text, conclusion, acknowledgements, appendix and references. 4. Authors' names, titles and complete company or institution adress. General information 1. Papers should be typed on page format A4 in lines up to 16 cm long. Space on left side of the text should be at least 3.5 to 4 cm long. 2. Authors should use SI units and provide alternative units in parentheses wherever necessary. 3. Illustrations should be in black on white or tracing paper. Their width should be up to 7.5 or 15 cm. Each illustration, table or photograph should be numbered and with legend added. Illustrations, tables and photografphs are not to be placed into the text but added separately. Hower, their position in the text should be clearly marked. 4. Contributions may be written and will be published in any Yugoslav language and in english. Authors may send their files on formatted diskettes (360 or 1,2) in ASCII, Wordstar (3.4 or 4.0), word, wordperfect as text will be formated in Ventura 2.0. Graphics may be in HPL, SLD (AutoCAD), PVX or IMG/GEM formats. Papers will not be accepted unless three copies are received. Authors are fully responsible for the content of the paper. Manuscripts are not returned. Contributions are to be sent to the address: Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana, Yugoslavia 116 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana Informacije M1DEM - Letnik 1990 Spoštovani! Informacije MIDEM je znanstveno strokovno-društvena publikacija Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale-MIDEM. Časopis objavlja prispevke domačih in tujih avtorjev, še posebej članov MIDEM, s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki so lahko: □ izvirni znanstveni članki, strokovni članki, predhodna sporočila, pregledni članki in razprave z znanstvenih in strokovnih posvetovanj. Članki so recenziranl. Časopis objavlja tudi novice iz stroke, vesti iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, obvestila o akcijah društva MIDEM in njegovih članov ter druge relevantne prispevke. Glasilo Informacije MIDEM opravlja funkcijo osrednje znanstvene revije za področje mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov ter pomembno dopolnjuje obsežnejše področje elektronike in elektrotehnike. Glasilo je ustrezno in zanimivo, tako za raziskovalce kot strokovno tehnološke kadre na inštitutih, fakultetah in v tovarnah različnih profilov - inženirje fizike, elektrotehnike, kemije, metalurgije, računalništva in drugih. TEHNIČNI PODATKI O ČASOPISU format: A4 naslovnica: večbarvna s podatki o uredniškem odboru in organih društva zadnja stran: seznam sponzorjev MIDEM obseg: tipično 60 strani jezik: vsi jeziki SFRJ, angleščina pogostnost izhajanja: trimesečno RAZDELITEV VSEBINE - znanstveno strokovni članki: 50% - pregledni članki, prikazi dogodkov, poročila: 33% - ostalo (vesti, obvestila, reklame): 17% V letu 1990 bodo vsi znanstveno strokovni prispevki ustrezno opremljeni (izvlečki v domačem jeziku in angleščini, ključne besede) in recenzirani, revija pa je že vključena v domače in mednarodne zbirke bibliografskih podatkov. V kolikor se boste odločili za naročilo letnika 1990, vas prosimo, da nam vrnete izpolnjeno naročilnico na naslov MIDEM. Glavni in odgovorni urednik Iztok Šorli, dipl. ing. Informacije MIDEM - naročilnica za letnik 1990 Priimek in ime ......................................... Naslov ............................................. Poštna št. in kraj........................................ NEPREKLICNO NAROČAM □ Informacije MIDEM, letnik 1990, cena 560 din. Stroški dostave so vračunani. Plačilo zneska je enkratno po položnici na račun št. 50101-678-74701 za Informacije MIDEM. Datum ....................................Podpis ............ Naročilnico pošljite na naslov: Informacije MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 117 Informacije MIDEM 20(1990)2, Ljubljana informacije MIDEM - Godište 1990 Poštovani! Informacije MIDEM je naučno stručno-društvena publikacija Stručnog društva za mikroelektroniku, elektronske sastavne dijelove i materijale-MIDEM. Časopis objavljuje priloge domačih i stranih autora, naročito članova MIDEM, sa područja mikroelektronike, elektronskih sastavnih dijelova i materijala, koji mogu biti: □ izvorni znanstveni članci, stručni članci, predhodna priopčenja, pregledni članci i ¡zlaganja sa znanstvenih i stručnih skupova. Članci su recenziranl. Časopis takodjer objavljuje novosti iz struke, obavijesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, obavijesti o akcijama društva MIDEM i njegovih članova te druge relevantne obavijesti. Časopis Informacije MIDEM vrši funkciju centralne naučne revije za područje mikroelektronike, elektronskih sastavnih dijelova i materijala te značajno nadopunjuje sire područje elektronike i elektrotehnike. Časopis je primjeran i zanimljiv, kako za istraživače tako i za stručne tehnološke kadrove na institutima, fakultetima i u tvornicama različitih profila - inženjere fizike, elektrotehnike, hemije, metalurgije, računarstva i druge. TEHNIČKI PODACI O ČASOPISU format: A4 naslovna strana: mnogobojna sa podacima o redakcionom odboru i organima društva zadnja strana: spisak sponzora MIDEM opseg: tipično 60 strana jezik: svi jezici SFRJ, engleski čestost izdavanja: tromjesečno PODJELASADRŽAJA: - naučno stručni članci: 50% - pregledni članci, izveštaji: 33% - ostalo (vijesti, obavijesti, reklame): 17% U 1990 godini svi če naučno stručni priloži biti odgovarajuče opremljeni (sažetak u domačem i engleskom jeziku, ključne riječi) i recenzirani, a časopis je več uključen u domače i medunarodne zbire bibliografskih podataka. Ukolikočeteodlučitida naručite godište 1990, molimo vas, da nam vratite ispunjenu narudžbenicu na adresu MIDEM. Glavnii odgovorni urednik Iztok Šorli, dipl. ing. Informacije MIDEM - narudžbenica za godište 1990 Prezime i ime ................................................ Naslov .................................................... Poštanski broj i mjesto............................................ NEOPOZIVO NARUČUJEM □ Informacije MIDEM, godište1990, cijena 560 din. Troškovi isporuke su uračunati. Iznos se plača jednokratno uplatnicom na račun br. na račun št. 50101-678-74701 za Informacije MIDEM. Datum ....................................Potpis.................... Narudžbenicu pošaljite na adresu: Informacije MIDEM, Titova 50, 61000 Ljubljana 118 1 -> 3 4 2.2.3 • kosinusni zakon zračenja; Lambertov zakon emisije • kosinusni zakon zračenja, Lambertov zakon zračenja ® KocnnyceH 3SKOH Ha 3paHeK=eT0, JlaMSepTOB 33KOH Ha 3pawet-beTO • Lambertov zakon • cosine emission law; Lambert's emission law Zakon, ki povezuje vrednost emisijske energije v odvisnosti od kota, ki se nanaša na sevalno ploskev. n Po kosinusovem zakonu je energija, emitirana v določeni smeri, sorazmerna kosinusu kota, ki ga tvori ta smer s pravokotnico na emisijsko ploskev. Emitorji, ki sevajo v soglasju stem zakonom,se imenujejo lambertovski viri. 2.2.4 * Lambertova raspodela • Lambertova raspodjela • JlaMCepioca pacnpe^enSa * Lambertova porazdelitev • Lambertian Porazdelitev sevainosti, ki je enakomerna v vseh smereh opazovanja. 2.2.5 • uniformna Lambertova raspodela • jednoiika Lambertova raspodjela • paMHOMepHa fla.vSeproBa pacnpeae/i6a « enakomerna Lambertova porazdelitev ® uniform Lambertian Lambertova porazdelitev, ki je enakomerna po ploskvi. 2.2.6 • Planckov zakon zračenja • Plankov zakon zračenja • fl/iaHKOB 33KOH Ha 3pawerbeT0 • Planckov zakon sevanja • Planck's law of radiation Osnovni zakon teorije sevanja, ki povezuje emisijo sevanja črnega telesa pri valovni dolžini X z njegovo absolutno temperaturo. 2.2.7 • Ričardsonov zakon • Richardsonov zakon • PlIMapACOHOB 33KOH • Richardsonov zakon • Richardson's law Osnovni zakon termoionske emisije, ki se izvaja iz enačb termodinamične in statistične fizike. Zakon, bolj poznan kot Richardson-Oush-manova enačba, opisuje gostoto toka v A/m2 v odvisnosti od temperature snovi in katode: 1 -> 3 4 J = A - T1 • exp (— 0 q/kt}, kjer je: T — temperatura katode, k - 1,38 • 10" 23 J/K - Boltzmannova konstanta, A — konstanta (A = 1,2 - 106 A/m2 - teoretična vrednost, pride \ pa tudi do odstopkov od te vrednosti), q — naelektrenje elektrona, cj> — delovna funkcija J/C ustrezne katodne snovi. 2.2.8 « Puasonova raspodela • Poissonova raspodjela • riyacOHOoa pacnpeaer.Sa • Poissonova porazdelitev • Poisson distribution Verjetnostna gostota, ki opisuje porazdelitev dogodkov po enotskem intervalu časa, površine ali prostornine. Podana je z obrazcem: mr■e- m P(r,m)- r! kjer sta: m > 0 in r > 0. Porazdelitev dogodkov je s to enačbo opisana točno le pri pogojih da je: 1. Verjetnost (k) pojavljanja r v kateremkoli enotskem intervalu (časa, površine ali prostornine) ni odvisna od števila pojavljanj v kateremkoli drugem intervalu; oo 2. E P (k) = 1, r- 0 ' 3. Pj (k) = mk, OO " 4. S P (k) 0 če gre k -*0 r- 0 2.2.9 • Fermaov princip; princip najkračeg vremena • Fermatov princip; princip najkračeg vremena • OepMaoB npuHunn • Fermatovo načelo • Fermât principle Gibanje svetlobnega žarka od točke do točke, vključno z odbijanjem in lomljenjem, do katerih more priti, in to po poti, ki zahteva najkrajši čas. 2.2.10 • princip održanja energije zračenja • princip održanja energije zračenja • npKHLinn Ha KOH3epBauMja Ha pasnjaHcaia • načelo ohranitve sevalnosti • conservation of radiance Osnovno načelo, ki izraža, da se neodvisno od izgub razmerje med krajevnimi vrednostmi oddaljenosti in kvadratom lomnega količnika vzdržuje v vsakem optičnem sistemu. 3 Optično vlakno I ^ 3 . ..---- 4 3.1 • optičko vlakno; optički talasovod; svetlo-vodno vlakno ® svjetlovodno vlakno • oniHHKO anaKHO • optično vlakno ® optical fibre Optično neprekinjeni dielektrični valovod, ki sestoji iz stržena in iupine. Lomna količnika stržena in lupine sta prilagojena tako, da je omogočen prenos energije elektromagnetnega sevanja. 3.2 • jezgro vlakna * jezgra vlakna • cpuecnna na onntHKOTO B/iaKno * stržen vlakna • fibre core Osrednje področje optičnega vlakna. Lomni količnik stržena mora biti večji kot lomni količnik lupine. 3.3 • optički-omotač vlakna 9 ovojnica svjetlovodnog vlakna ® ofioncKa na onmsKOTo cnaKHO • lupina optičnega vlakna ® optical fibre cladding Del vlakna, ki ima lomni količnik manjši kot lomni količnik stržena vlakna. 3.4 3.4.1 • za§tita vlakna • zaštitna presvfaka vlakna • 3auLiTHTHa oSneKa na oniHHKOTO snaKHO • obloga * coating Zaščitna plast ali plasti , nanesene na lupino, namenjenih izboljšanju mehaničnih in optičnih lastnosti vlakna. • primarna zaštita vlakna • primarna zaštita vlakna • npuMapHa 3aujrura Ha omumcoTO enaKHO ® osnovna obloga • precoating; primary coating Prva zaščitna plast ali plasti, nanesene na vlakno neposredno po vlečenju vlakna. Cenovna obloga vlakna je namenjena v glavnem za to, da vzdržuje mehanične lastnosti vlakna. 3.4.2 8 zaštičeno vlakno ® zažtičeno vlakno • jaiuTHTeHo onTUHKD BnaKHO ® vlakno z oblono * coated fibre Optično vlakno z zaščitno oblogo. Primer kaže slika. I i 3 4 3.4.3 • sloj za odvajanje • ovojnica za odvajanje • 6a