Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale .Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale ELEKTRONSKI FAKULTET NIS LJUBLJANA, SEPTEMBER 1987, LETNIK-GODINA 17, ŠTEVILKA-BROJ 43 PROFIL ARSENA POSLE JONSKE IMPLANTACIJE (E = 150 keV, D = 1016ctrT2) I REDIFUZIJE (t = 15 min, T = 1000° C) m ^ i?->K INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelek-troniko, elektronske sestavne dele in materiale Glavni in odgovorni urednik Glavni i odgovorni urednik Tehnični urednik Tehnički urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Člani izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Tajnik-sekretar Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Tajnik-sekretar Podpredsednik Naslov uredništva Adresa redakcije Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tipkanje besedila: Metka Vidmar Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 1000 izvodov Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelek-troniku, elektronske sastavne delove i materijale Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM bes-platno Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2. 2. 1979 publikacija je oslobodena pla-čanja poreza na promet. Prepis teksta: Metka Vidmar Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 1000 komada Mag Milan Slokan, dipl. ing. Janko Čolnar Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Alojzij Keber, dipl. ing. Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodniki, Trbovlje Mr Željko Butkovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. —• VTI, Beograd Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl. ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra IEZE, Ljubljana Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl. ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. — Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886, (061) 329-955 VSEBINA - SADRŽAJ Rudi Ročak: MOŽE LI SE JUGOSLA VENSKA MIKROELEKTRONIKA UKLJUČITI U EUROPSKA ZBIVANJA? 136 G. Lippert, M. Procop, W. Borchardt, L. Spies DC - SPUTTERING FROM MOSAIC - TARGETS 137 N„ Stojadinovič, S. Mijalkovič, D. Pantič: MODELIRANJE PROCESA I KOMPONENATA INTEGRISANIH KOLA NA ELEKTRONSKOM FAKULTETU U NIŠU 142 Z. Krivokapič: INTEGRIRANA MOČNOSTNA VEZJA MOS 151 M. Pejovič, D. Zlatanovič, Dj. Bošan: SISTEMI ZA PROCESE U PLAZMI 159 Z . Janevski, Z . A leksievski, M. Popovič: ND : YAG LASER ZA ISPISIVANJE OZNAKA 164 Xinoslav Stojadinovič: IZVESTA J O REZULTATIMA NA UČNOISTRA ŽIVA ČKOG RADA U OBLASTI POUZDANOSTI POLUPROVODNIČKIH KOMPONENATA ZA PERIOD 1983-1986 G. 166 Marjana Kobe: TRŽENJE PROFESIONALNIH ELEMENTOV 174 Igor Pompe: FAKTOR KAKOVOSTI V VODENJU 179 Danica Purg: MODERNE TEHNOLOGIJE POTREBUJEJO TUDI MODERNO ŠOLANE VODJE - MANAGERJE 182 Stojan Ristič: PRIKAZ DOKTORSKE DISERTACIJE "MAGNETODARLINGTON - NOVA KLASA SENZORA MAGNETNIH POLJA" 185 Miroslav Turina: VESTI 187 Pavle Tepina: STROKOVNI POTOVANJI 192 ODMEVI 196 JUGOSLOVANSKI TEHNOLOŠKI STANDARDI 198 136 MOŽE LI SE JUGOSLAVENSKA MIKROELEKTRONIKA UKLJUČITI U EUROPSKA ZBIVANJA? U razgovor ima o jugoslavenskoj mikroelektronici često mogu čuti: "Pa, što mi možemo u toj visokoj tehnologiji napraviti? Najbolje bi bilo, da kupujemo čipove u inostranstvu. Mi nemarno nikakvih mogučnosti, ni u pogledu kvalitete, ni u ekonomičnosti proizvodnje mikroelektroničkih sklopova." Nevjeroj atno je, koliko ljudi koji to tvrde imaju pravo, a i koliko u svom mišljenju greše. A upravo je nevjerojatna činjenica da više od devedeset pošto osoba od kojih sam takvo mišljenje čuo, ili ih se citira, o izradi mikroelektroničkih sklopova pojma nemaju a u jugoslavensku poluvodičku tvornicu nikada ni zakoračili nisu. Zašto imaju pravo? Zato jer se njihovim utjecajima i stavovima potpo-maže neprestrukturiranje jugoslavenske privrede, jer su ozbiljna kočni-ca potrebnog energičnog i arnbicioznog pristupa, koji je potreban u modemom svijetu a pogotovo u mikroelektronici. Zašto griješe? Zato jer govore napamet ne poznavajuči činjenice. Čak za Evropom zaostala, jugoslavenska mikroelektronika uključuje se na europsko tržište. Tako je naprimjer samo jedna od poluvodičkih tvornica u Jugoslaviji svoj prošlogodišnji izvoz čipova od 434.000 US? premašila u prvom po-lugodištu ovog ljeta na 544.000 US? sa istovremenim uvozom repromate-rijala od 586.000 US0 . 80 % količinske proizvodnje ostvareno je u izvozu na konvertibilna tržišta. Stručno društvo MIDEM takodjer se uključilo u medjunarodna stručna i naučna zbivanja. Odlični, priznati stručnjaci svjetski poznatih firmi dolaze na našu konferenciju MIEL, a u europskom časopisu društva ISHM - Europe "HYBRID CIRCUITS" u januarskom broju ove godine iza-šao je osvrt na prošlogodišnje savjetovanje o sastavnim dijelovima SD, čiju fotokopiju reproduciramo u ovom broju. Imamo li mogučnosti uključiti se u europska zbivanja? Onoliko, koliko si to kao cilj postavimo! dr. Rudolf Ročak 137 DC — SPUTTERING FROM MOSAIC — TARGETS V. Lippert, M. Procop, W. Bore Hardt, L. Spies Naslednji referat je g. G. Lippert imel na letošnjem posvetovanju MIEL '87 v Banja Luki in ga objavljc ker ni bil natisnjen v zborniku. jamo, - The target is even sure not identically reflected in the layer. - Moreover the process parameters effect this reflection. 2. Experiments 1. Introduction - Refrantory metal silicides have broadly been used as materials for gates and their interconnection in very-large-scale integrated devices. - Deposition and treatment conditions of silicides have a great impact on their mechanical and electrical properties . - Among the deposition techniques electron beam coeva= poration, co-sputtering and chemical vapour deposition are the most siutable. - Preveting the particles from moving the one-wafer processes is prefered. - Concluding from this deposition of mixed layers requires the use of only one target. - Due to the known impurity problems of hot pressed targets it is useful to develop a target consisting of pieces of pure metal and silicon. - The various materials on this target with their different properties interacted during the sputtering process. uif+i mosot KJor^at fig 1 The molybdenum-silicon layers were deposited onto oxidized silicon waters. It was performed by a commercial magnetron source and a mosaic-target. In the present configuration the substrate was moved closely above the target during the deposition. The composition of the deposited layers was determined by Rutherford backscattering. 138 The resistivity and homogeneity were measured by the linear van de Pauw method. The films were analysed by X-ray and Reflection high energy electron diffraction. The impurity level was determined by Auger electron spectroscopy. - The various symbols represent absolute difference in the resistivity relative to that of the centre of the wafer . - The deposited layers showed excellent vertical homogeneity as determined by A ES depth profiling - It's seen in the fig. 3. In some cases AES spectra were recorded at high resolution to investigate energy shifts and changes in peak shapes. S r> ai Ci SAMPLE 9M2 SI92EV 3. Results and Discussion - By sampling the resistivity across the wafer we found a weak increase of up to 10 % towards the periphery . - RBS showed that the moral-to-silicon-ratio remained constant across the wafer. - Therefore the variation in the resistivity was the consequence of a decrease only in the layer thickness. The figure 2 represents an isoresistivity topograph for the as deposited film on a 3-inch wafer. idius mm 50 /,0 30 20 10 0 -10 -20 -30 -40 -5 0 ¡mear van der Pauw-method number 8M63 + + ++ + ■P ' # \ ++ +l X4 **Y\ \ V V ■> # \ -oV + + + \ # i4 /'<, j ' » ,W/ -/r w. f f t s\ \ * __L„i_L__i__1_ I . I . I i I i I Rho-centre 208/jQcm (as-deposited! 4 0-3% * =40% O O O Ci C3 t/l ^ O*) Ovj I I I I I O O O O O t>> nt lr> radius in mm Uj en W MO 186FV S S 03EV Ç 272 fV 0 1000 3 0 00 SPUTTERING TIME (S) fig. 3 - Layers were deposited from four different targets under otherwise identical conditions. - The metal-to-silicon ratio is plotted against the target area ratio in fig. 4. ? CO o or fc M CO 2: Uj § Í2 w 0,5 W 3fi TA Ñ0 ET AfíEA RATIO S h MO fi.g. 4 The layer composition depends almost linearly on the target composition. fig. 2 - This composition was studied also as a function of the 139 argon pressure and the substrate bias voltage and it revealed the possibility of compositional control to within 20 %. - The argon pressure during sputtering has the strongest influence on the layer composition. - This can be explained in the following way. - The gas discharge in the dc-magnetron is also influenced by the electron emission of the target. - Owing to the higher electron emission of molybdenum in comparison with that of silicon, the plasma density above the metal is higher. • Above the lines separating adjacent molybdenum and silicon target pieces transport processes in the plasma equalize the different plasma density and lead to a transition region. ■ Therefore the sputtering rate above the silicon side of separating line will be increased while that above the molybdenum side will be decreased in comparison with those of the regions far from the separating lines. pand, resulting in the observed increase in silicon sputtering and decrease in molybdenum sputtering. - The influence of a negative bias during sputtering on the layer composition can be explained by the impingement of argon ions on the film surface. - The argon ions cause are preferential sputtering of the silicon atoms. - Therefore the films will be enriched in molybdenum. - Argon ions also become imbedded in the layer, leading to the observed cracked regions. - The detection of argon in the RBS-spectrum of the cracked region indicates the inclusion of argon under such sputter conditions. - Impurity levels in the as-deposited films were determined using AES. - Typical concentrations ranged between 1 and 2 % for carbon and 0,5 and 1 % for oxygen. - This can also be seen in the fig. 6. - For higher working pressure the transition regions ex- S AMPLE 6M279 Si IN I HE SUBSTRATE I AR 200 —I— 300 CHANNELS fig. 5 MO ¿00 I 500 1000 sp^ti.r.^j-t;^, u) fig. 6 In some cases the concentration of impurities was lower than the AES detection limit - it's aproximatly 0,1 %. 140 - The composition range investigated all deposited layers were mainly amorphous. - In the X-ray diffraction spectra the weak and broadened Mo (110) reflection at 40,6 degree appears indicating the exsistence of very small molybdenum crystallites. fig. 7 - The higher the ratio of molybdenum to silicon the higher is the peak around the angle of 40,6, the Bragg -angle of Mo (110), also observed by Murarka and co-workers/1/. - On the right-hand side of the figure the integrated intensity of the reflection is shown as a function of the ratio of molybdenum to silicon. - The position of the peak is independent of the composition . - For this reason we attriburc it to molybdenum even for the silicon-rich layers. - The integrated intensity represents a measure for the increasing amount of molybdenum crystallites. - RHEED patterns obtained on successive etching of the asdeposited layers all indicated the amorphous character . - Although no well-defined stochiometrie silicide compound is indicated in the X-ray spectra of the as-deposited layers, the AES spectra reveal a strong electronic interaction between the silicon and molybdenum atoms. KINl llC e NERGV <£ V) fig. 8 - To obtain some informations about the cemical nature of the layers, the Si LVV and Mo MNN Auger transition were recorded at high energy resolution. - They are shown in fig. 8 together with the spectra of the pure elements . -As can be seen the Silicon LVV transition in the differentiated spectrum is broadened from 3,8 eV at half the peak for pure silicon to 6,1 - eV for the Mo-Si-layers and is shifted by 0,6 ± 0,2 eV towards lower energies. - The Mo MNN transitions are shifted towards higher energies. - Broadening or splitting of the Si LVV transition in silicides has been observed by numerous researchers 141 and is attributed to the hybridization of Si p and me- - Therefore we can colclude that silicide-like com- t al d electrons. pound is formed between neighbouring atoms in the - The agreement between the shape of the Si LVV peak as-deposited amorphous layers. in spectra and the spectrum of a polycrystalline MoSi2 sample points to the occurence of p-d hyb- ridization even in the amorphous state. REFERENCES - X-ray photoelectron spectroscopy measurments for /1/ S.P. Murarka el. al.: Appl. Phys. 51 (1980) 5380- amorphous palladium silicid (by Riley and co-workers 5385 /2/ lead also to this conclusion. /2/ J. D. Riley et. al.:: Phys. Rev. B 20 (1979) 776-783 G. Lippert Institut für Halbleiterphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR, Frankfurt (Oder), GDR M. Procop Zentralinstitut für Elektronenphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR, 1199 Berlin, GDR W. Borchardt Institut für Halbleinerphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR, Frankfurt (Oder), GDR L. Spies Technische Hochschule Ilmenau, GDR 142 MODELIRANJE PROCESA I KOMPONENATA INTEGRISANIH KOLA NA ELEKTRONSKOM FAKULTETU U NIŠU N. Stojadinovič, S. Mijalkovič, D. Pantič 1. Uvod Razvoj savremenih integrisanih kola, pračen stalnim srazmernim smanjivanjem dimenzija komponenata i usavršavanjem tehnologije, danas je več nezamisliv bez numeričkog modeliranja procesa i komponenata po-moču računara. Pre svega, testiranje i optimizacija novih tehnologija pomoču računara su vremenski i fi-nansijski znatno ekonomičniji u odnosu na eksperimentalno podešavanje tehnoloških parametara. Pored toga, koriščenjem mogučnosti višedimenzionalnog modeliranja u neposrednom smo kontaktu sa nizom prostorskih raspodela različitih fizičkih veličina po za-premini komponenata, što nam pomaže u efikasnom detektovanju patoloških ponašanja komponenata čiji se uzroci eksperimentalno najčešče ne mogu odrediti. Pri projektovanju integrisanih kola od posebne je važnosti poznavanje uzročno-posledične veze izmedju parametara bazičnih tehnoloških procesa i električnih karakteristika komponenata. Modeliranjem procesa i komponenata pomoču računara lako ostvarujemo tu vezu čime se otvara mogučnost i za povezivanje komplet-nog softverskog lanca za projektovanje integrisanih kola u kome se poznavanjem tehnološkog niza za pro-izvodnju integrisanih kola dobijaju njegove električne karakteristike. Na Elektronslcom fakultetu u Nišu pri Katedri za mi-kroelektroniku i elektronske komponente več par go- dina uspešno radi grupa za modeliranje procesa i komponenata integrisanih kola. U ovom radu ukratko su opisani metodologija i pristup modeliranju procesa i komponenata na Elektronskom fakultetu kao i neki od karakterističnih rezultata. 2. Konfiguracija sistema za modeliranje procesa i komponenata Svaki sistem za modeliranje procesa i komponenata integrisanih kola uslovno čine tri osnovne softverske celine. To je najpre niz nezavisnih programa orijen-tisanih samo na modeliranje procesa ili na modeliranje komponenata koje možemo nazvati i osnovnim programima sistema. Ovi programi najčešče mogu da rade autonomno pri čemu ulaznu informaciju dobijaju preko jednostavnih za koriščenje ulaznih jezika. Zatim je tu niz pomočnih programa koji prvenstveno služe za povezivanje osnovnih programa sistema omogučavajuči da jedni programi koriste rezultate drugih programa. Osnovna karakteristika pomočnih programa je jednostavnost i kratak programski kod. Zadnju, ali zato ne i manje važnu grupu programa čine programi za grafičko prikazivanje dobijenih rezultata. Grupa za modeliranje procesa i komponenata na E-lektronskom fakultetu je imajuči u vidu potrebe Elektronske industrije u Nišu i njihovu orijentaciju na razvoj i proizvodnju CMOS integrisanih kola konfi-gurisala sistem za modeliranje procesa i komponena-ta koji odgovara CMOS tehnologiji mada to ne isklju-čuje mogucnost modeliranja procesa i komponenata integrisanih kola izvedenih drugim tehnologijama. Na si. 1 prikazana je blok šema sistema za modeliranje procesa i komponenata koja se koristi na Elektronskom fakultetu u Nišu. SI. 1 Blok šema sir,tema za modeliranje procesa i komponenata na Klektvonskom fakultetu u Nisu 143 kupovini komercijalnih programa za modeliranje. S obzirom na obim i složenost ovih programa njihov razvoj predstavlja veoma kompleksan zadatak skopčan sa nizom problema u oblasti izbora fizičkih modela i nu-meričke analize. Zbog toga, kupovini komercijalnih programa treba pribeči u svakom slučaju kada je cena potrebnih ljudskih, vremenskih i materijalnih resursa potrebnih za razvoj programa sličnih karakteristika mnogo veča od cene komercijalnog programa. S druge strane, razvoj novih programa je sasvim opravdan u slučaju kada nam on pruža znatno veče mogucnosti u postupku modeliranja u odnosu na komercijalne programe ili kada se program razvija u cilju analize novih numeričkih pristupa modeliranju. Za modeliranje procesa se u sistemu sa si. 1 koriste osnovni programi SUPREM II (l) i MUSIC (2) kao i pomočni program GENMOS (3). Modeliranje komponenata zasniva se uglavnom na programu MINIMOS (4) kada je modeliranje MOS tranzistora u pitanju i na programu BAMBI (5) za ostale komponente. Pomočni program SLIM (9) služi za povezivanje programa SUPREM II i MINIMOS, dok je za povezivanje celog ovog sistema sa programima za električnu simulaciju integrisanih kola predvidjeno koriščenje programa za ek-strakciju parametara analitickih modela. Programi medjusobno komuniciraju pomoču fajlova binarnog tipa pri čemu se željeni medjurezultati skladiste u grafičkoj bazi podataka sistema. Posebno važnu ulogu u sistemu za modeliranje imaju programi za grafičko prikazivanje rezultata. Ovi rezultati koji se nalaze u grafičkoj bazi podataka su najčešče jednodimenzionalne ili dvodimenzionalne raspodele fizičkih veličina zadate u obliku vektora Treba istači da je rad grupe z,a modeliranje usmeren u dva osnovna pravca razvoja. Najpre, to je upoznava-nje i koriščenje več gotovih u svetu prihvačenih programa za modeliranje procesa i komponenata, kao i njihovo medjusobno povezivanje. Pri tome se posebna pažnja posvečuje praktičnim problemima primene novih programa. S druge strane, radi sena razvoju novih programa koji kompletiraju sistem za modeliranje ili čine zamenu nekih od komercijalnih programa. Na ovom mestu zgodno je reči nešto o često kritikovanoj ili matrica sa velikim brojem elemenata. Direktno koriščenje i karakterizacija ovakvih podataka je veoma otežana. Zbog toga su u sistem uključeni programi CPLOT, BIRD i ISO (3 , 6) za prikaziva-nje jednodimenzionalnih raspodela fizičkih veličina, aksionometrijsko prikazivanje dvodimenzionalnih raspodela i prikazivanje rezultata metodom izo-linija, respektivno. Elementi matrica i vektora rezultata koji se grafički prikazuju mogu biti uniformno ili neuniformno rasporedjeni u prostoru. Svi programi za grafičko prikazivanje dobijenih rezultata kao i programi SLIM, GENMOS i MUSIC razvijeni su na Elektronskom fakultetu u Nišu, na računaru Honeywell DPS 6/92. Razvoj programa za ekstrakciju parametara analitičkih modela je još uvek u toku. 3. Praktični aspekti modeliranja procesa U sistemu za modeliranje procesa i komponenata in-tegrisanih kola kao osnovni program za modeliranje procesa koristi se program SUPREM II. Radi se o dobro poznatom i veoma popularnom programu za jedno -dimenzionalno modeliranje procesa u tehnološkom nizu za proizvodnju integrisanih kola. Veoma korektan fizičko-hemijski model svakog od standardnih procesa čine ovaj program veoma podesnim za modeliranje u svim onim oblastima u kojima se mogu zanemariti lateralni efekti. Pri praktičnom koriščenju programa SUPREM II suo-čeni smo sa sledečim problemima: (3): - izbor iednodimenzionalnog domena modeliranja od- 144 nosno preseka upravnog na površinu poluprevodnicke pločice, - izbor numeričkih parametara mreže u cilju sma-njivanja greške diskretizacije, - kalibracija modela. Pri izboru jednodimenzionalnog domena modeliranja treba poštovati pravilo da su lateralne dimenzije mo-deliranih slojeva mnogo veče od dimenzija slojeva me-reno upravno na površinu pločice. Pri koriščenju programa SUPREM nije dovoljno samo poznavanje karakteristika tehnološkog niza koji modeliramo več je potrebno voditi računa i o numeričkoj tačnosti dobijenih rezultata. Tu se pre svega misli na lcontrolu greške diskretizacije izborom parametra mreže konačnih razlika. Domen modeliranja je u programu suprem podeljen u tri oblasti: oblast oksida, oblast silicijuma sa finijom gustinom tačaka u mreži i oblast silicijuma sa dvostruko redjom raspodelom tačaka. Treba uvek težiti da se pri modeliranju procesi sa največim gradijentom koncentracije primeša odvijaju u prvoj oblasti silicijuma. Ocenu greške diskretizacije možemo izvršiti kao što je predloženo u radu (3). Konačno, koristeči mogučnosti ulaznog jezika programa SUPREM II potrebno je pre prelaska na modeliranje nove tehnologije integrisanih kola izvršiti korekciju odredjenih parametara modela procesa koristeči što je više moguče eksperimentalno izmere-ne veličine. Na si. 2. i si. 3 prikazani su profili primeša u oblastima sorsa (drejna) i kanala n-kanalnog QMOS tran-zistora (9) odredjeni programom SUPREM II, a grafički prikazani programom CPLOT. O 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Y (um) SI. 2. Profil primeša n-kanalnog QMOS tranzistora u oblasti sorsa (drejna) Povečana koncentracija primeša u oblasti kanala ovog tranzistora (si. 3) posledica je dodatne implantacije u oblasti kanala za podešavanje napona praga. Jednodimenzionalno modeliranje procesa uopšteno govoreči ima dva osnovna nedostatka: jednodimenzionalni profili primeša nisu pogodni za direktno povezivanje sa programima za modeliranje komponenata jer ovi 145 programi uglavnom kao polaznu informaciju koriste dvodimenzionalne profile primeša i pored toga jednodimenzionalni profili su netačni za VLSI procese kod lcojih se ni u kom slučaju ne mogu zanemariti lateralni efekti. Kada se govori o dvodimenzionalnim profilima za potrebe modeliranja komponenata treba istači da se u praksi najčešče pribegava jednostavnoj analitičkoj transformaciji jednodimenzionalnim modeliranjem procesa dobijenih profila primeša ili se profil primeša kompletno zadaje analitički. Na ovaj način se sman-juje ukupno vreme simulacije i izbegavaju problemi nekompatibilnosti simulatora procesa i komponenata. Za generisanje dvodimenzionalnih profila primeša MOS tranzistora CMOS integriranih kola na osnovu jedno-dimenzionalnih profila primeša u oblastima sorsa (drejna) i kanala n-kanalnog i p-kanalnog MOS tranzistora dobijenih programom SUPREM II napravljen je pomočni program GENMOS. U ovom programu dvodimenzionalni profil primeša se dobija superpozicijom ana-litički ekstrapoliranih profila pojedinih primeša koriščenjem linearne interpolacije (3). Ovako dobi jeni profili primeša pogodni su za koriščenje u programu BAMBI. ro 10" ,17 * * 10' E O 10 —I---f— 0.5 1.0 Y (um) 1.5 2.0 2.5 SI. 3 Profil primeša n-kanalnog QM0S tvanzistora u oblasti kanala Program MINIMOS, takodje sadrži analitički generator dvodimenzionalnih profila primeša MOS tranzistora s tom razlikom što se vrši superpozicija celokupnih profila primeša u oblasti sorsa (drejna) i kanala da bi se na kraju od dobijenog profila oduzela dvostruka koncentracija primeša u substratu. Medjutim, na ovaj način ne dobijaju se korektne raspodele primeša u slučaju kada je substrat MOS tranzistora neuniforman (P-well kod NMOS tranzistora). Pored toga, splajn interpolacija koja se koristi umesto linearne može da dovede do pojave dvostrukih P-N spojeva neželjenih u programu za modeliranje komponenata (3). Modeliranje procesa savremenih VLSI integrisanih kola nemoguce je bez dvodimenzionalnog modeliranja procesa. Na sadašnjem nivou razvoja dvodimenzionalnog modeliranja procesa se, za razliku od jednodimen-zionalnog modeliranja kod koga se pažnja posvečuje fizičko-hemijskim modelima procesa, akcenat stavlja na razvoj što efikasnijeg numeričkog pristupa u smislu povečanja tačnosti i skračenja vremena trajanja simulacije (7). U tom smislu su na Elektronskom fa-kultetu započeta istraživanja na polju primene nelinearne MULTIGRID metode za reševanje nelinearne di-fuzione jednačine primeša u poluprovodniku. Osnovni motivi za primenu MULTIGRID metode su ubrzavanje numeričkog algoritma rešavanja, jednostavan programski kod, kao i mogučnost uniformisanja greške dis-kretizacije koriščenjem samo lokalnih uniformnih mreža (2). Na bazi ovih istraživanja več je razvijena prva ver- Sl. 4. Profil primeša arsena nakon procesa jonske im-plantacije (D = 1016 cm"2, ti = 150 keV) zija programa MUSIC (Multigrid Simulator of IC Processes). Program trenutno raspolaže mogučnošcu modeliranja procesa implantacije i difuzije u neutralnom ambijentu. Za modeliranje procesa jonske implantacije koristi se dvodimenzionalna simetrična Gauss-ova raspodela (8). Na si. 4 prikazan je profil primeša ar- 16 sena nakon procesa jonske implantacije sa dozom 10 _2 cm i energijom 150 keV. Profil primeša koji se do-bija nakon 15 minutnog odžarivanja na temperaturi od 1000°C u neutralnom ambijentu prikazan je na si. 5. SI. 5. Profil primeša arsena nakon 15-minutnog odžarivanja na 1000 C u neutralnom ambijentu Na si. 5. se može uočiti veoma strmi profil primeša kao i zaravnjenje profila koji su karakteristični za di-fuziju arsena. Difuzija arsena je odabrana kao primer u-pravo zbog jako nelinearnog koeficijenta difuzije arsena što otežava numerički pristup. Za rešavanje ovog problema iskoriščeno je 5 nivoa mreža sa 4 x 5 odnosno 49 x 64 tačaka na najgrubljoj i najfinijoj mreži, respektivno. Program MUSIC, osim što efikasno rešava difuzionu jednačinu u svakom vre- menskom koraku, raspolaže i sa automatskim genera-torom narednih vremenskih koraka. Parametri procesa koji se modeliraju zadaju se pomocu jednostavnog ulaz-nog jezika. 4. Praktični aspekti modeliranja komponenata Iako su gotovo svi komercijalni programi za modeliranje komponenata po prirodi dvodimenzionalni simula-tori, treba naglasiti da se i kod njih uvek traži kompromis izmed ju izbora domena modeliranja, parame-tara fizičkih modela transporta nosilaca i numeričkog pristupa. Tako je u programima sa jednostavnim do-menima pravouganog oblika (MINIMOS) i robustnim numeričkim pristupom više pažnje posvečeno modelima pokretljivosti i rekombinacije, mogučnostima kalibra-cije modela od strane korisnika i što tačnijem od-redjivanju profila primeša u poluprovodniku na počet-ku simulacije. Programi sa složenijim numeričkim pristupom (BAMBI) se više isticu mogučnosti izbora proizvoljnjog domena modeliranja i efikasnošču numeričkog pristupa a manje izborom modela i profila primeša. Za potrebe modeliranja MOS tranzistora u sistemu se koristi program MINIMOS. Ovaj program karakteriše veoma jednostavan i kompaktan ulazni jezik, velike mogučnosti u pogledu izbora parametara modela (pokret-ljivost, rekombinacija, površinska stanja itd.) , rela--tivno mali zahtevi za memorijskim prostorom, velika brzina rada i standardni programski jezik. U programu MINIMOS se osnovne jednačine poluprovodnika: Poiss-on-ova jednačina, jednačine kontinuiteta i transportne jednačine (4) rešavaju Gummel-ovim iterativnim po-stupkom. Pri tome se uvode sledeče pretpostavke: 147 dielektrične konstante oksida i poluprovodnika su konstante, sve primese su jonizovane, zanemareni su e-fekti jakog dopiranja i raspodela temperature u celoj komponenti je homogena. Navedene pretpostavke znatno olakšavaju rešavanje sistema jednačina, a tačnost rezultata dobijenih u procesu modeliranja je zadovolja-vajuča za največi broj MOS tranzistora. Bez obzira na univerzalni karakter programskog jezika FORTRAN 77 koji je koriščen u programu MINIMOS, pri instalaciji ovog programa na računar Honeywell DPS 6/92 sa 16-bitnim procesorom, izvršen je odred-jen broj izmena u programu. One se pre svega odnose na ograničavanje maksimalnih i minimalnih vrednosti realnih brojeva u toku izračunavanja kao i na ograničavanje dužine zapisa podataka u pomočne fajlove operativne memorije. Cena uvodjenja ovih neophodnih modifikacija je neznatno povečan broj potrebnih iteracija za konvergenciju Gummel-ovog iterativnog postupka (9). Simulator tehnoloških procesa koji je ugradjen u program MINIMOS, s jedne strane, kompletira program omogučavajuči brzo i autonomno generisanje profila primeša potrebnih za dalja izračunavanja dok s druge strane, zbog svoje jednostavnosti ograničava skup ulaznih tehnoloških parametara i često daje netačne profile primeša. Zbog toga su autori programa predvideli mogučnost zadavanja profila primeša dobijenih eksperimentalno ili jednodimenzionalnim modeliranjem procesa pomoču posebnog ulaznog fajla. Za pripremu ulaznog fajla programa MINIMOS u specifičnom zahte-vanom formatu na osnovu izlaznih fajlova programa SUPREM II napravljen je program SLIM (Suprem Linked with Minlmos). 148 SI. 6 - Profil primeša n-kanalnog QMOS tranzistora SI. 7 Raspodela potencijala n-kanalnog QMOS tranzistora (V = 2 V, V = 4 V) i mreža konačnih raz-(jb Do lika korišcena u programu MINOMOS Pri tom se izbor parametara eliptičke rotacije jedno-dimenzionalnog profila primeša bira tako da konačna dužina kanala odgovara eksperimentalno odredjenoj dužini kanala. Na si. 6 prikazan je profil primeša n-kanalnog QMOS tranzistora generisan za potrebe programa MINIMOS koriščenjem rezultata programa SU-PREM II (si. 2 i si. 3) i programa SLIM, grafički prikazan programom BIRD. Primečeno je da rezultati programa MINIMOS jako za-vise od parametara tehnoloških procesa i izbora modela u programu SUPREM zbog čega posebnu pažnju treba posvetiti kalibraciji modela kojim SUPREM ras-polaže. Na si. 7 prikazana je tipična raspodela potencijala n-kanalnog QMOS tranzistora sa raspodelom primeša prikazanoj na si. 6 dobi jena koriščenjem programa MINIMOS, grafički prikazana programom ISO, za napone 2 i = 4 V. Na istoj slici prikazana je i mreža konačnih razlika u ovom konkretnom primeru. Oči-gledan je neuniformni karakter ove mreže. U prak-tičnoj primeni programa informacija o gustini linija mreže može kvalitativno da bude pokazatelj ispravne konvergencije numeričkog algoritma u MINIMOS-u. Naime, gušču raspodelu mreže treba očekivati na me-stima velikih gradijenata raspodela koncentracija nosi-laca i potencijala, pre svega u bližini P-N spojeva. Ukoliko ovo nije ispunjeno rezultati MINIMOS-a ne moraju biti korektni. Programom MINIMOS omogučava automatsko generisa-nje izlaznih karakteristika MOS tranzistora, pri čemu korisnik bira korak povečanja apsolutne vrednosti na-pona na gejtu, drejnu i substratu. Na si. 8 prikazana je izlazna karakteristika MOS tranzistora dobijen a programom MINIMOS sa profilom primeša sa si. 6 O 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 SI. 8 - Izlazna karakteristika n-kanalnog QMOS tranzistor aiMINIMOS eksperiment kao i eksperimental no odredjena izlazna karakteristika. Selekcija radnih tačaka za odredjivanje izlazne karakteristike može značajno da utiče na tačnost kompletne simulacije izlazne karakteristike. Ukoliko je razlika napona izmedju sukcesivnih radnih tačaka suviše velika može se desiti da se neadekvatnim izmenama mreže umanji brzina konvergenci je. U praksi se pokazalo da je izbor promena napona na gejtu i drejnu od 1 V i promena napona na substratu od 2 V u jednom koraku zadovoljavajuči kompromis izmedju tačnosti i vremena simulacije. 5. Zaključak U ovom radu opisana je konfiguracija sistema za modeliranje procesa i komponenata integrisanih kola na Elektronskom fakultetu u Nišu kao i praktični aspek-ti modeliranja procesa i komponenata pomoču ovog sistema. Ovaj sistem za modeliranje procesa i komponenata integrisanih kola osim poznatih komercijal-nih programa kao što su SUPREM i MINIMOS čini i niz programa razvijenih na Elektronskom fakultetu. To su programi: MUSIC za dvodimenzionalno modeliranje tehnoloških procesa, GENMOS za generisanje dvodimenzionalnih raspodela primeša MOS tranzistora CMOS integrisanih kola, SLIM za povezivanje programa SUPREM-a i MINIMOS-a i programa CPLOT, BIRD i ISO za grafičko prikazivanje rezultata modeliranja. U daljem radu posebna pažnja biče posvečena daljem razvoju programa MUSIC u cilju povečanja efikas-nosti i numeričkog modeliranja procesa difuzije u oksidacionim uslovima. K>red toga radiče se na daljem proširivanju i povečanju efikasnosti sistema za modeliranje procesa i komponenata integrisanih kola. Literatura: (1) D.A. Antoniadis, S. Hansem, R.W. Dutton, "SUPREM II a Program for IC Process Modeling and Simulation", Stanford Tehnical Report No. 5019-2, (1978). (2) S. Mijnlkovič, N. Stojadinovič, "Multigrid Method: An Efficient Numerical Tool in VLSI Process Modeling", Proc. of First International on Computer System and Application, COMPEURO '87, pp. 508-509, Hamburg, May 1987. (3) S. Mijalkovič, Z. Nikolič, D. P antič, D. Ra-divojevič, A. Živič, N. Stojadinovič, "Praktični aspekti modeliranja tehnologije integrisanih kola programom SUPREM II," Zbornik radova XXII Jugoslovenskog simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima, p.p. 231-236, otočec na Krki, Septembar (1986). 150 (4) S. Selberherr, A. Schtitz, H.W. Potzl, "MINIMOS-a Two-Dimensional MOS Transistor Analyzer", IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-27, pp. 1540-1550, (1980). (5) A.F. Franz, G.A. Franz, S. Selberherr, C.. Ringho-fer, P. Markowich, "Finite Boxes a Generalization of the Finite Difference Method Suitable for Semiconductor Device Simulation", IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-30, pp. 1070-1083, September (1983). (6) S. Mitrovic, "Jednostavan metod izo-linija za gra-ficko prikazivanje rezultata modeliranja procesa i komponenata integrisanih kola" , Zbornik radova X. Jugoslovenskog simpozijuma o primeni mikroproceso-ra, MIPRO '87, pp. 73-78, Opatija, Maj (1987). (7) P. Pichler, W. Jilngling, S. Selberherr, E. Guerrero, H. Potzl, "Simulation of Critical IC-Fabrica-tion Steps", IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-32, pp. 1940-1953, October (1985). (8) H. Runge, "Distribution of Implanted Ions under Arbitrarily Mask Edges", Phys. Stat. Sol. (a), vol. 39, pp. 595-599, (1977). (9) D. Pantič, S. Mijalkovič, N. Jankovič, N. Stojadi-novic, "Praktični aspekti modeliranja ('MOS integrisanih kola programom MINIMOS", Zbornik radova XV Jugoslovenskog simpozijuma o mikroelektronici, Banja Luka, Maj (1987). Autori: Prof. dr. Ninoslav Stojadinovič Slobodan Mijalkovič, dipl. ing. Dragan Pantič, dipl. ing. Elektronski fakultet u Nišu Beogradska 14 18000 Niš 151 INTEGRIRANA MOČNOSTNA VEZJA MOS Zoran Krivokapič 1. UVOD Nova dognanja v mikroelektroniki so omogočila tudi novo vrsto integriranih vezij - električna vezja. Za razliko od elektronskih vezij nimamo več opravka z napajalnimi napetostmi 5 V in tokovi v mikroamperskem območju. Električna vezja imajo opravka z napajalnimi napetostmi iz električnega omrežja ter s tokovi v ainperskem območju. Razvoj električnih vezij poteka v dveh fazah. V prvi se združijo diskretne močnostne komponente (MOS, bipolarne, tiristorji, triaki) s kontrolno logiko v hibridnem vezju. V drugi fazi pa se celotna funkcija integrira v monolit. Razvoj električnega vezja ne poteka obvezno v teh dveh fazah. Najpogosteje ga pogojujejo problemi pri zapiranju monolitnih vezij ter seveda cena vezja. Razvoj tehnologij za monolitna električna vezja je pri vodilnih svetovnih fir-irjaia (GE-PCA, 5iliconix, IR, Motorola in Ixys v ZDA, SGS in Siemens v Evropi ter Hitachi in Toshiba na Japonskem) že tako daleč, da ne govorijo več o možnosti izdelave, temveč le o tem, koliko bi tako vezje stalo. Ker gre pri električnih vezjih predvsem za takšna, ki so cenovno zelo občutljiva, je v tem problemu treba poiskati odgovor, zakaj električna vezja še niso množično prisotna, saj nihče ne zanika njihove prednosti pri prihrankih na velikosti in teži končnih izdelkov ter mnogo večje zanesljivosti delovanja takšnih vezij. letalih). Na drugi strani pa predstavlja avtomobilska industrija cenovno najbolj zahtevne kupce. Drugo cenovno kritično področje so izdelki za široko potrošnjo (gospodinjski aparati, zabavna elektronika, varčevanje z električno energijo). Visokonapetostna vezja se uporabljajo v telekomunikacijah, v robotiki se močnostna vezja uporabljajo skupaj z integriranimi senzorji. Močnostna vezja bodo omogočila enotabletne izvedbe napajalnikov ter realizacijo programabilnih elektromotorjev. V Tabeli I. imamo prikazana področja uporabe močnost- ..(1) mh vezij Uporaba Zahteve krmilniki plazemskih prikazalnikov 150-200 V krmilniki elektroluminiscenčnih prikazalnikov telekomunikacije napetostni regulatorji zaščitna vezja nastavljivi napajalniki ultrazvočna spektroskopija avtomobilska elektronika TV vezja krmiljenje motorjev 250-300 V 500 V celotno območje celotno območje 300-1000 V 200 V 100 V, 20 A 1000-1500 V 400-800 V, 10-80 A Tabela I: Uporaba močnostnih in visokonapetostnih vezij. 2. UPORABA MOČNOSTNIH VEZIJ Prvo področje uporabe sta letalska in avtomobilska industrija. Pri obeh gre za uporabo enožičnega električnega omrežja ter za multipleksirano distribucijo kontrolnih funkcij. Prav tako gre pri obeh za sistem, ki ga centralno nadzira računalnik. Prednosti močnostnih vezij so v večji stopnji zanesljivosti in prihrankih na teži (predvsem pri 3. MOČNOSTNE KOMPONENTE Močnostne MOS strukture postajajo danes vse pomembnejše. S pomočjo postopkov, značilnih za tehnologije VLSI, je uspelo precej zmanjšati površino silicija, ki je potrebna za določeno tokovno zmogljivost. S tem so postali tran-sistorji MOSFET tudi cenovno konkurenčni bipolarnim tran-sistorjem. Velikost osnovne celice se je v zadnjih petih letih zmanjšala za trikrat (na 17^,um). Tako so danes lah- 152 ko konkurenčni le tisti proizvajalci, ki imajo stopnjo integracije 1.2 milijona celic na kvadratno inčo (to ustreza kompleksnosti 256 k DRAM). Letošnji izdelki se bodo približali že dvema milijonoma, tako da proizvodnja močnostnih transistorjev MOSFET vedno bolj spominja na proizvodnjo 1 M DRAM. Ne mislim se zadrževati pri standardnih DMOS strukturah, tako lateralnih kot vertikalnih, temveč bom predstavil le nekaj novejših struktur. 3.1. UMOS Prav postopki, si so značilni za pomnilniška vezja, so o-mogočili izdelavo transistorjev z dosedaj najnižjo speci-fično vhodno upornostjo (1.2 milem ). Gre predvsem za tehniko jaškov, ki služijo kot krmilne elektrode (pri DRAM za kondenzatorje). Na Sliki 1 imamo prikazano strukturo UMOS^ . Slika 1: UMOS struktura v preseku. Velikost celice je 6^um, kar znaša trikratno zmanjšanje v primerjavi s standardnimi DMOS strukturami. Če na hitro opišem postopek procesiranja, najprej z im-plantacijo bora skozi tanki plasti silicijevega oksida in ni-trida naredimo 1. 5^um globoko področje p . S pomočjo anizotropnega reaktivnega ionskega jedkanja (RIE) naredimo v, s CVD oksidom zaščiteno rezino, 4.5^um globoke in 3^um široke jaške. Sledi najbolj kritičen korale - rast oksida krmilne elektrode(debelega 0.2^um), ki mora biti enakomerno debel v vsem jašku, kar je vse prej kot lahko doseči. Nato nanesemo 0.8^,um debelo plast polikristali-ničnega silicija, ki ga dopiramo s fosforjem. S tem smo dobili krmilno elektrodo. Jašek napolnimo z nedopiranim polsilicijem , ki služi kot izolator. Planarizacijo rezine naredimo z anizotropnim RIE jedkanjem, nakar polsilicij v jašku oksidiramo, da dobimo plast izolatorja, ki bo krmilno elektrodo ščitil pred izvorom. Sledita odstranjevanje silicijevega nitrida, ki je ščitil področje p pred prejšnjo oksidacijo, ter implantacija fosforja za 0.7^um globoko področje n+, ki služi za kontakt izvorov. Površino rezine še prekrijemo s kovino in izdelali smo strukturo UMOS s Slike 1. 3.2. RMOSFET Na prvi pogled zelo podobna struktura kot UMOS omogoča izdelavo izvrstnih polprevodniških relejev in sinhronizi- ranih usmernikov. Na Sliki 2 imamo prikazano primerjali vo med strukturama A! AI PS ri*~_—-- Drain ——_ (a) (b) Slika 2: Primerjava strukture RMOSFET (na desni) z UMOS. RMOSFET se uporablja za nizkonapetostne močnostne tran-sistorje. Globoki jaški, ki sežejo skozi epitaksialno n plast v substrat, zmanjšajo serijsko upornost epitaksialne plasti zaradi plasti nakopičenih elektronov ob stenah jaška Drugače se postopek za izdelavo RMOSFET ne razlikuje mnogo od prej opisanega. 3.3. IGT Pri bipolarnem transistorju injekcija manjšinskih nosilcev omogoča zmanjšanje upornosti pri toku v prevodni smeri, zaradi česar že relativno majhna površina vezja omogoča velike tokovne zmogljivosti. Na drugi strani pa potrebuje bipolarni transistor velike tokove pri izklopu. MOSFET krmilimo z majhnimi tokovi, vendar narašča vhodna upornost s prebojno napetostjo s potenco 2.5, kar bistveno o-mejuje uporabnost MOSFET pri višjih napetostih. Rešitev se ponuja v obliki bipolarnega transistorja, ki ga krmili MOSFET, ter je stara pet let. Neodvisno so novo struktu- 153 ro odkrili pri GE, imenovali so jo IGT, ter pri RCA (COMFET). Na Sliki 3 vidimo prerez strukture IGT, ki se od običajnega vertikalnega transistorja DMOS razlikuje le po tem , da je pri IGT substrat tipa p+. Oglejmo si delovanje IGT s Slike 3. Dokler imamo na ko-lektorju negativno napetost glede na emitor, ne teče nikakršen tok, ker je spoj J3 zaporno polariziran. Ko postane ta napetost pozitivna (krmilna elektroda je kratko sklenjena z emitorjem), postane spoj J2 zaporno polariziran. Če sedaj pritisnemo še zadosti veliko pozitivno napetost na krmilno elektrodo, da invertiramo področje p pod krmilno elektrodo, omogočimo tok elektronov iz področja n+ v epitaksialno plast n . Sedaj je spoj J3 prevodno polariziran, zaradi česar pride do injekcije vrzeli iz substrata p+ v plast n . Z večanjem napetosti na kolektorju se povečuje koncentracija vrzeli v področju n , dokler ne preseže dopiranja plasti n . Struktura IGT omogoča velike tokove, dokler napetost na krmilni elektrodi omogoča tok elektro-+ nov iz n v n . GATE EMITTER o COLLECTOR Slika 3: Prerez strukture IGT^. Če hočemo izklopiti IGT, moramo krmilno elektrodo kratko skleniti z emitorjem. Sedaj nimamo več invertirane plasti pod krmilno elektrodo in prekine se tok elektronov iz n+ v n . Seveda prisotnost manjšinskih nosilcev v plasti n upočasni čas izklopa. Združevanje karakteristik bipolarnega in MOSFET transistorja omogoča izvedbo vezja, ki je površinsko precej manjše od transistorja MOSFET pri isti tokovni zmogljivosti, saj za IGT velja, da je vhodna upornost sorazmerna s prebojno napetostjo s potenco 1.4 . Res je, da se prednosti IGT pokažejo šele pri višjih napetostih (od 500 do 1000 V). Komercialno dosegljivi IGT zmorejo do 80 A (6) toka ter se uporabljajo za krmiljenje elektromotorjev Pri vodilnih svetovnih firmah pa so v razvoju že strukture IGT, ki bodo krmilile do 4 MW moči. Pričakujejo, da bodo komercialno dosegljive v začetku naslednjega desetletja, saj bo treba rešiti probleme montaže, ki je sedaj ome- 2 jena s toplotno disipacijo 100 W/cm . Prav tako se bo dvignilo tudi napetostno območje, saj Toshiba že izdeluje IGT s prebojnimi napetostmi do 1800V s pomočjo nove metode priprave substratov - DSB (direkt- (7) nega stika silicijevih rezin) Večina IGT je narejena v kanalu n. IGT v kanalu p imajo sicer boljše prevodne karakteristike zaradi daljših življenjskih časov nosilcev naboja v bipolarnem npn transis-torju, vendar postane zaradi tega IGT mnogo bolj ranljiv na tiristorski pojav. Prav tako je težje pasivirati silicijevo rezino, ki ima površino tipa p zaradi pozitivnega površinskega naboja. Za zmanjšanje površinskih električnih polj je potrebno podvojiti število obročev v zaključitveni strukturi, kar poveča površino vezja. 3.4. LIGT Za lateralne močnostne strukture je nasploh značilno, da za večje tokovne zmogljivosti porabijo preveč silicijeve površine. Zaradi tega bi bilo zelo nespametno narediti la-teralni IGT za uporabo kot diskretni element. Za integracijo v močnostno vezje pa je LIGT mnogo bolj primeren od vertikalnega IGT^9'10^. Na Sliki 4 imamo prikazane (9) različne načine izdelave LIGT Na sliki 4a) imamo prikazano strukturo LIGT, pri čemer epitaksialna plast p zmanjša kolektorsko upornost ter poveča tok skozi vertikalno pnp strukturo. Na Sliki 4b) ima-+ + mo globoko p difuzijo, ki je kratko sklenjena z n hkrati pa sega v substrat. Z njeno pomočjo zmanjšamo upornost - + področja p . Hkrati lahko to globoko difuzijo p uporabimo tudi za izolacijo s pomočjo spojev, o čemer bomo govorili v naslednjem delu. Na Sliki 4c) imamo pod področjem p pokopano difuzijo pH, da omogočimo nizkouporov- y////////A TŽ 154 cathode anödeo (a) ? y gate Phn J, Ù^P/////^ j i ^P~BASE ^ N- DRfFT rw cathodeo (b) P+ SUBSTRATE o gate p* anöde o IN Ci VgUFFi P— SUBSTRATE cathodeo ogate anodeo Slika 4: Tri različne verzije lateralnega IGT. no pot za vrzeli v katodni kontakt. Na ta način najbolje preprečimo nastanek tiristorskega pojava, vendar to zmanjša tokovno gostoto, prav tako pa mora biti področje n pod krmilno elektrodo narejeno s pomočjo epitaksije, kar ni bilo potrebno v prejšnjih dveh primerih. 4. IZOLACIJA MOČNOSTNIH KOMPONENT NA VEZJU Logične in analogne komponente lahko integriramo z različnimi močnostnimi komponentami. Da močnostne komponente ne bi motile nizkonapetostnih, jih moramo izolirati. To lahko dosežemo na tri načine: s pomočjo samo- izolacije, izolacije s pomočjo spojev ali dielektrične izo-(11) lac.ije . Prav tako ni vseeno, kakšne močnostne komponente integriramo. Ločimo močnostna integrirana vezja in (12) visokonapetostna vezja . Prva so nemenjena predvsem avtomobilski elektroniki in pri njih integriramo vertikalne DMOS strukture z logičnimi in analognimi komponentami. Pri teh vezjih ni možno uporabiti metode samoizolacije, druga slabost je v tem , da lahko integriramo le eno močnostno komponento oziroma več, če imajo skupni ponor, ki se nahaja na hrbtni strani rezine. Visokonapetostna vezja so namenjena za krmiljenje prikazalnikov, elektromotorjev, za napajalnike in telekomunikacijska vezja. Pri njih se uporabljajo vsi trije načini izolacije. Močnostne komponente so izdelane v lateralni tehnologiji. 4.1. Samoizolacija Ta tehnika izkorišča zaporno polariziranost spoja difuzij izvora in ponora ter področja p . Pri tem je nujno potrebno, da je ponor lateralnega močnostnega dela obdan popolnoma z izvorom, kar se lepo vidi na Sliki 7. Najbolj množična uporaba te vrste izolacije je za krmilnike prikazalnikov. Dosežene prebojne napetosti so do 1000V. Ker mora biti pri lateralnih strukturah za velike prebojne napetosti razdalja med izvorom in ponorom že zelo velika (50^um ali več), je nujno potrebno, da dosežemo optimalno prebojno napetost (drugače bi morali to razdaljo še povečati). Za dosego optimalnih prebojnih napetosti uporabljamo princip RESURF. Osnovna ideja je v tem , da na visokoupo— rovni substrat nanesemo tanko plast obratnega tipa. Če je celotnega naboja v tej plasti preveč (mejna vrednost je 12 2 1.2x10 /cm ) , ne moremo doseči popolnoma osiromašene zgornje plasti ter bo prišlo do preboja na površini. Pod mejno vrednostjo pa do takšnega preboja ne pride. 4.2. Izolacija s pomočjo spojev Pri tem načinu za izolacijo uporabimo zaporno polariziran spoj med epitaksialno plastjo in substratom. Glede debeline epitaksialne plasti imamo dve možnosti. Za vertikalne močnostne strukture uporabljamo debele epitaksialne plasti, da dosežemo visoke tokovne zmogljivosti visokonapetostnih transistorjev. Pri tem pa močno poslabšamo delovanje nizkonapetostnega dela. Za lateralne močnostne strukture uporabljamo tanke epitaksialne plasti hkrati pa uporabimo tudi princip RESURF. Omenili smo že, da pri močnostnih integriranih vezjih ni možno integrirati vertikalnih struktur, ki imajo ponor na različnih potencialih. Na Sliki 8 imamo prikazano strukturo vertikalnega močnostnega transistorja, ki ima ponor na sprednji strani. Takšna vertikalna struktura zahteva globoko pokopano difuzijo obratnega tipa, kot je substrat, in debelo epitaksialno plast. Globoka difuzija p+ na desni strani Slike 8 omogoča izolacijo s pomočjo spoja med močnostnimi komponentami. Ker je sedaj kontakt za ponor na sprednji strani, se površina transistorja močno poveča. 155 Slika 6: Primer integriranega močnostnega vezja z analognimi komponentami. (Last firme Siliconix, Inc.). Če uporabimo pravi vertikalni transistor s ponorom na hrbtni strani, rabimo pri izolaciji s pomočjo spojev vsaj dve epitaksialni plasti. Izolacijo dosežemo na sledeči način. Najprej difundiramo difuzijske vložke n+ skozi epitaksial-no plast p . Nato zrastemo epitaksialno plast n , v kate- ri bomo naredili tako močnostni kot nizkonapetostni del, ki ju ločimo z difuzijami p+ . Pri tem je treba pristati na določene kompromise. Upornost epitaksialne plasti n mora biti takšna, da še omogoča realizacijo nizkonapetostnih komponent, medtem ko debelina plasti ne sme biti prevelika, ker drugače ne moremo narediti dovolj globoke difuzije p+. S tem pa smo takoj omejeni pri pre- 156 Slika 7: Primer visokonapetostnega vezja s pomočjo samo-izolacije. Lepo se vidi, kako je ponor popolnoma obdan s krmilno elektrodo in izvorom. (Last firme Siliconix, Inc.). bojni napetosti vertikalnega transistorja. Če hočemo doseči boljše rezultate (pravo debelino epitaksialne plasti za določeno prebojno napetost in primerno upornost epitaksialne plasti za nizkonapetostni del), moramo narediti več kot dve epitaksiji. Slika 8: Prerez vertikalnega močnostnega transistorja, , , . . . „ • (13) ki je primeren za integracijo na vezju Vse to močno podraži procesiranje in nekdo bi se že lahko vprašal, kje je meja, ko se takšna integracija sploh 157 še splača. Vendar pa velika tokovna zmogljivost, bistveno manjša površina ter manjša prehodna upornost za določene izdelke opravičijo tako zapleten tehnološki postopek. Pri Motoroli so razvili postopek, ki omogoča bistveno (14) enostavnejšo integracijo . Primerjava obeh postopkov je prikazana na Sliki 9, nizkonapetostni vertikalni» del močnostna nizkonapetostni močnostna nizkonapetostni del struktura del Slika 9: Običajna izolacija s pomočjo spojev za vertikalni DMOS z dvema epitaksialnima plastema in difuzijo p+ je prikazana zgoraj. Spodaj je prikazana nova izolacijska tehnika. nostnemu transistorju. Rezino na koncu še spoliramo. 4.3. Dielektrična izolacija Izolacija, pri kateri so posamezni deli vezja med seboj ločeni s plastjo dielektrika, je daleč najboljša, saj preprečuje tiristirski pojav, preprečuje parazitne kapacitiv-nosti, poleg tega je tudi površina silicija, ki jo zaseda izolacija, bistveno manjša. Žal pa so stroški za takšne dielektrično izolirane rezine zelo veliki. Postopek za dielektrično izolacijo je prikazan (11) na Sliki 10 . Na silicijevi rezini najprej naredimo ok-sidni vzorec, ki bo maskiral rezino pri jedkanju z mokrim jedkalom, katerega jedkalna hitrost je odvisna od krista-lografske orientacije. Maskirni oksid nato odstranimo ter rezino dopiramo z n+. Sledita oksidacija ter epitaksialna rast polikristaliničnega silicija (debelega več kot 500 ^um), Nato rezino močno stanjšamo na nekaj deset mikrometrov ter spoliramo hrbtno stran. Če rezino sedaj obrnemo, imamo pripravljen substrat za dielektrično izolirana vezja. Sam postopek pridobivanja substrata je zelo drag. Takšna izolacija ima poleg izredno visoke cene še eno pomanjkljivost. Substrat iz polikristaliničnega silicija ima (15) slabšo toplotno prevodnost od kristaliničnega silicija Poleg tega je treba paziti pri visokotemperaturnih postopkih, da ne pride do ukrivljanja rezin. Visoka cena substrata ter slabša toplotna disipacija sta vzrok, da je dielektrična izolacija primerna predvsem za nizkonapetostna vezja, ki so izredno občutljiva na motnje, nimajo pa prehudih tokovnih zahtev. Takšna so predvsem telekomunikacijska vezja. Pri tej novi tehniki difuzijski vložki niso več potrebni. Prav tako lahko določimo debelino in upornost epitaksial-ne plasti za vsak del vezja posebej. Substrat tipa n+ najprej mokro pojedkamo na tistem delu, kjer se bo kasneje nahajal nizkonapetostni del. Nato sledi epitaksija plasti n , ki ima pravo upornost ter debelino za vertikalne strukture. Potem zrastemo epitaksialno plast p, ki služi za izolacijo s pomočjo spoja. Tretja epitaksija plasti n je namenjena nizkonapetostnemu delu. Da dobimo strukturo s Slike 9, moramo na primerni višini mehansko odstraniti silicij na področju, ki je namenjeno vertikalnemu moč- OXIOAttOH, PHOTOMASK, ITCH v-oiioovi itch, BirruH B+ OXIDATION, POLVCAVSTAIMC DEPOSITION amm. up ano poiisrt ommhai susstaate Slika 10: Postopek pridobivanja dielektrično izoliranega substrata. REFERENCE 1) A.R. Hartman, zbornik IEEE Power Semiconductor Devices Workshop, 1980, str. 11 2) H.R. Chang et al, zbornik I EDM 1986, str. 642 3) D. Ueda et al, zbornik I ED M 1986, str. 638 4) B.J. Baliga: Modern Power Devices, J. Wiley, 1987 5) B.J. Baliga, zbornik I EDM 1986, str. 102 6) F.. Goodenough, Electronic Design, julij 1986 7) A. Nakagawa et al, zbornik I EDM 1986, str. 122 8) M.F. Chang et al, zbornik I EDM 1984, str. 278 9) A.L. Robinson et al, zbornik I ED M 1985, str. 744 10) D.N. Pattanayak et al, IEEE-ED, ED-33, dec. 1986, str. 1956 11) H.W. Becke, zbornik I EDM 1985, str. 724 12) B.J. Baliga, IEEE-ED, ED-33, str. 1936, dec. 1986 13) A.W. Ludikluize, IEEE-ED, ED-33, str. 1986, dec. 1986 14) J.L. Sutor et al, zbornik I EDM 1986, str. 214 15) H. Ohashi et al, zbornik I EDM 1986, str. 210 Zoran Krivokapic ISKRA - Mikroelektronika 159 SISTEMI ZA PROCESE U PLAZMI M. Pejovič, D. Zlatanovič, Dj. Bošan Sadržaj: U radu se u kratkim črtama razmatra prednost nagrizanja plazmom u odnosu na "makro" he-mijsko nagrizanje kao i vrste plazma hemijskog nagrizanja. Takodje se razmatraju tipovi sistema za nagrizanje plazmom i glavne karakteristike koje mora-ju da ispunjavaju ovi sistemi. Ova razmatranja su neophodna kako bi se prišlo realizaciji sopstvenog sistema koji bi služio prvenstveno za nagrizanje SiO^ u Si. Uz neophodne adaptacije sistem bi mo-gao da posluži i za deponovanje odgovarajucih materi jala na podlogu. 1. Uvod Jedan od osnovnih pravaca mikroelektronike je osvajanje masovne proizvodnje integrisanih kola (IK) sa stepenom integracije večim od 10^ elemenata na či-pu i sa submikronskim dimenzijama (do 0,2 m) večine elemenata (1,2). Za dobijanje ovakvih elemenata potrebno je razviti tehnologije dobijanja i obrade tankih filmova u okviru kojih su i procesi u plazmi. Ovi procesi omogučavaju dobijanje tankih filmova visokog kvaliteta na temperaturama nižim od 500°C. Pošto tehnologije za proizvodnju IK zahtevaju veoma tanke filmove (čak i ispod 0,3^m) njihovo nagrizanje je moguče vršiti jedino plazmom. Do kog su se stepena procesi u plazmi razvili ilustruje si. 1 na kojoj su prikazane vrste procesa deponovanja i na- grizanja. U savremenim tehnologijama izrade LSI, VLSI i ULSI-IK ovi procesi su danas gotovo potpuno potisli " mokre'" hemijske postupke, a kada su u pitanju termički procesi ozbiljno konkurišu SVD u LPCVD procesima, pa čak i procesi ma termičke oksidacije silicijuma, kada su u pitanju super tanki oksidni filmovi (ispod 25 jum). Medjutim, plazma procesi još uvek nisu dovoljno proučeni sa gledišta mikroprocesa u plazmi i interakcije plazme i čvrste površine. Sto se tiče primene plazme u izradi IK u Jugoslaviji, zaostajanje za razvijenim zemljama u svetu je znatno. Pri nagrizanju tankih filmova osim velike vrednosti koeficijenata anizotropije potrebno je obezbediti: veliku selektivnost, minimalnu zaprljanost površine supstrata, visoku reproduktivnost, bezbednost osob-lja koje radi na ovim procesima, minimalnu zagadje-nost okoline i slično. Sem toga potrebno je obezbediti takvo nagrizanje koje če minimalno uticati na deg-radaciju svojstava i dimenzija rezistnih maski, kao i na elektrofizičke parametre strukture koje treba da se dobi je. Ove zahteve ne može da ispuni klasično makro nagrizanje (WCE), jer je to izotropan proces, tj. vrši se podjednako u svlm pravcima. Ove zahteve uglavnom ispunjava vakuumsko-plazmeno nagrizanje (VPE). Zbog toga se danas iVCE proces u proizvodnji IK sve više zamenjuje VPE procesom (3,4). 2. Vrste VPE procesa VPE procesi koriste energetske i hemijski aktivne če-stice koje se obrazuju u plazmi nastaloj električnim praznjenjem na niskim pritiscima. U zavisnosti od fizičko-hemijskih mehanizama dejstva sa površinom materijala postoje tri osnovna oblika VPE procesa (si. 1) (3,5,6,7). a) Jonsko nagrizanje (IE) kod kojeg se površinski sloj materijala odstranjuje fizičkim rasprašivanjem. SI. 1. - Vrste procesa u plazmi. SI. 2. - Klasifikacija procesa vakuumsko-plazmenog nagrizanja Rasprašivanje se najčešče vrši energetskim jonima inertnih gasova koji hemijski ne reaguju sa površinom materijala. b) Hemijsko nagrizanje (PCE) kod kojeg se površinski sloj materijala odstranjuje samo hemijskom re-akcijom izmedju hemijski aktivnih čestica (slobodni atomi i radikali) i atoma površinskog sloja materijala koji se nagriza. c) Jonsko-hemijsko ili reaktivno jonsko nagrizanje (RIE), kod koga se površinski sloj materijala odstranjuje kako pri fizičkom rasprašivanju energetskim jonima, tako i hemijskim reakcijama izmedju hemijski aktivnih čestica i atoma površinskog sloja. U proizvodnji IK ne može se primeniti jedan od VPE procesa kao univerzalni. Njihova primena zavisi od zahtevanog stepena anizotropije, selektivnosti, rezo-lucije itd., a taj stepen može da se menja pri iz-radi jednog integrisanog kola. Težnja je danas ka onom tipu reaktora gde je moguč relativno jednostavan prelaz sa RIE na PCE i obrnuto dve plazma tehnike sa največom primenom. 3. Sistemi za VPE procese Danas se uglavnom koriste dva tipa sistema za nagrizanje. Tu su cilindrični i planarni sistem. Cilindrični sistem nije pogodan za anizotropna na-grizanja materijala kao i za selektivno nagrizanje SiO^ na Si podloži. Zbog čega se ne može koristiti u mnogim procesima tehnologije IK gde je potre-ban visok stepen rezalucije. Znatno pogodniji od cilindričnog je planarni sistem. Sematski prikaz ovog sistema dat je na si. 3 (4, 6, 161 8). Kod ovog sistema pločice su smeštene na elektrodi u obliku ravne ploče koja je uzemljena ili vezana za RF generator. Ako se pločice nalaze na po-tencijalu RF elektrode, onda se takav sistem naziva diodnim sa katodnom vezom, a ako su pločice na uzemljenoj elektrodi (anodi), onda je to diodni sistem sa anodnom vezom. U diodnom sistemu sa anodnom vezom materijal se podvrgava dejstvu jona manje energije nego u sistemu sa katodnom vezom. On se češče koristi jer daje manja oštečenja na plo-čicama. U planarnim sistemina vrši se nagrizanje pločica samo sa jedne strane. Uz pogodnu kombinaciju parame-tara procesa (RF-snage, protoka gasa i pritiska) po-stiže se žel jena uniformnost nagrizanja. Hladjenje elektrode vrši se pomoču protočnog fluida (najčešče je to voda). U planarnim sistemima moguče je vršiti nagrizanje sa velikim stepenom anizotropije. Ovi sistemi služe za dobijanje elemenata submikronskih dimenzija gde je potreban visok stepen rezolucije (ispod 3 jura). U njima se najčešče vrši nagrizanje Si, SiO^, kao i večine metala (9). 4. Postoječa rešenja planarnih sistema u svetu Danas se u svetu proizvode, u pogledu namene tri tipa sistema za nagrizanje plazmom i deponovanje materijala iz plazme, a to su: - laboratorijski, - razvojni , - proizvodni. Laboratorijski tip sistema služi za istraživanja veza- 162 vodeno elektrode SI. 3. - Šema planarnog sistema. na za procese u plazmi (deponovanje materijala katodnim r asprasivanjem, nagrizanje materijala itd.) , kao i za primenu preparata za druge vrste istraživa-nja (na primer primena bioloških preparata za SEM itd.) . Razvojni tip sistema predstavlja prelazno rešenje iz-medju laboratorijskog i proizvodnog tipa. Osnovna namena mu je proucavanje odredjenog procesa sa gledišta njegove primene u proizvodnji, a koristi se i za proizvodnju malih serija. Proizvodni tip sistema ima specijalne namene u proizvodnji. Najčešče se radi o automatizovanom sistemu velikog kapaciteta. Nezavisno od tipa, svaki sistem čine sledeči delovi: - komora za procesiranje - vakuumski sistem - sistem za dovod gasova - izvor snage. Pri konstrukciji sistema posebna pažnja se poklanja izboru materijala za izradu komore, kao i vrsti vakuumskih pumpa. A ko se taj koristi za nagrizanje plazmom koja ne sadrži hlor i brom onda se uzima ne-rdjajuci čelik, aluminijum ili neka njegova legura. A ko je prisutna plazma hemijski inertnog gasa (He, Ar, Kr), azota ili kiseonika onda se kao ma-terijal koristi i kvarc ili pyrex staklo. Ako plazma sadrži hlor, fluor ili brom, onda se za izradu komore i svih delova unutar nje koristi isključivo nerdja-juči čelik. Procesi nagrizanja plazmom vrše se u vakuumu od 0,1 do 133 Pa. PCE procesi se odvijaju u vakuumu od 13 do 133 Pa, a RIE procesi od 0,1 do 1,3 Pa. Prethod- -4 ni vakuum koji mora biti postignut je oko 10 Pa. Kod najjednostavnijih sistema procesni gas se uvodi u komoru kroz elektromagnetnu ili pneumatsku slavi-nu. Kod složenijih sistema postoje merači protoka ga- sa, sa ručnom ili automatskom regulacijom. Svaki sistem ima obavezno liniju za azot, za devakuumiranje komore. Plazma se formira u visokofrekventnom električnom polju, a kao izvor snage se koristi RF generator, čija frekvenci ja iznosi najčešče 13,56 MHz, što ne znači da plazma može da se formira samo pri toj frekven-ciji. Izbor snage izvora se vrši u odnosu na površinu elektrode koja je na RF potencijalu. Maksimalna gu- 2 stina snage u slučaju PCE procesa iznosi 1 W/cm , a 2 u slučaju RIE procesa do 4 W/cm . 5. Zaključak Nagrizanje plazmom je našlo široku primenu u izra-di IK velikog stepena integracije i ako do danas još u dovoljnoj meri nisu proučene sve fizičko-hemij-ske pojave k oje nastaju u gasu i na površinama materijala koji se nagriza. Da bi se pri nagrizanju tankih filmova dobio što veči koeficijent anizotropije, dobra selektivnost, velika rezolucija i druge vrednosti parametara koji su neophodni pri izradi IK danas se koriste uglavnom planarni sistemi. Elektronski fakultet u Nišu i RO Poluprovodnici u Nišu zajedničkim snagama rade na razvoju laboratorijskog sistema za nagrizanje plazmom. Ovaj sistem če služiti prvenstveno za plazmohemijsko i reaktivno jonsko nagrizanje SiO^ in Si, a moči če da se u njemu vrši i nagrizanje drugih materijala koji se koriste u mikroelektronici. Takodje je predvidjeno da se uz relativno brzu i laku adaptaciju, u njemu vrši i proces deponovanja materijala. 6. Literatura (l) B.S. Danilin, V. Yu. Kireev, "Ionnoe travlenije mikrostruktur v proizvedstve SBIS", Mikroelek- tronika, tom 9, Vyp. 4, p. 302, 1980 (2) M. Pejovič, D. Zlatanovič, A. Živkovič i S. Golubovič, "Primena nagrizanja plazmom u proizvodnji integrisanih kola" , Informacija SSESD , str. 64, Ljubljana, 1985. (3) M. Oshima, "Use of mas spectra for end point detection in etching SiO^ films on Si", Japan, J. of Appl. Phys., Vol. 20, no. 7, p. 1255, 1983. (4) R. Stander, " Basics of plasma etching", The Book of basics, MRC, Orangeburg, New York, USA, 1981. (5) C. J. Heslop, "Reactive plasma processing in IC manufacture", Electronic production, p. 43, 1980, (6) S. Matsuo, "Selective etching of Si02 relative to Si by plasma reactive sputter etching", J. Vac. Sci. Tecnol., Vol. 17, p. 587, 1980. (7) P.D. Parry, A.F. Rodde, "Anizotropic plasma etching of semiconductor materials", Solid State Technol., p. 125, 1979. (8) L.M. Ephrath, "The effect of cathode materials on reactive ion etching of silicon and silicon dioxide in CF^ plasmas", (USA), Vol. 7, no. 3, p. 415, 1978. (9) C.J. Mogab, W.R. Harsbarger, "Plasma processes set to etch finer lines with less undercutting", Electronic, p. 117, 1978. M. Pejovič , D. Zlatanovič, D j. Bošan Elektronski fakultet, Niš RO Ei - Poluprovodnici, Niš 164 ND: YAG LASER ZA ISPISIVANJE OZNAKA Z. Janevski, Z. Aleksievski, M. Popovič Primena laserske obrade u mikroelektronici doživljava dinamičan razvoj u poslednje dve decenije. Proizvodnja, kontrola i ispravka fotomaski kao i podešavanje. Obe-ležavanje i popravljanje integrisane komponente več su standardni proizvodni procesi kod kojih se primenjuju "inteligentni" - računarski upravljani laserski sistemi. Imajuči u vidu širok spektar primena jednog laser-skog sistema za ispisivanje - graviranje, kako u mikroelektronici tako i u drugim oblastima, u institutu za fiziku se pristupilo realizaciji jednog takvog ured-jaja. Principska šema sistema za ispisivanje - graviranje LSG - 30 data je na slici 1. Osnovne komponente sistema su sam laser sa pripadajučim elementima, ra-čunar sa pratečom elektronikom i optički blok. Laser O ptički blok Laser je Nd: YAG snage 30 W sa temperaturski kom-penzovanim rezonatorom. Da bi se zadovoljili strogi standardi za kvalitet zapisa potrebno je ostvariti veliku energetsku i temperaturnu stabilnost sistema. Izvor konstantne struje je stabilisan na 0.1 % a temperatura laserske glave se održava na 35 - 0.3 C. Sistemski računar služi za komunikaciju sa operate-rom i preko softverskog protokola vodi proces ispi-sivanja. Procesni računar je projektovan na Motoro-linom "Exorciser" - u na procesoru 68009 u institutu za fiziku. On vrši upravljanje i kontrolu nad svim uredjajima sistema, vodenje optičkih deflekto-ra pri ispisu i autopozicioniranju radnog predmeta. Na slici 2. je prikazan pogled odozgo na optičku klu-pu. Tu vidimo dva laser a, Nd : YAG (6) i He-Ne SI. 1. - Blok šema laserskog sistema za ispisivanje (1) , ko j i su dovedeni u istu osu tako da se može vi-zuelno pratiti i po potrebi manuelno pozicionirati polje ispisa. (4) i (7) su laserska ogledala, (2) sistem za zakretanje zraka a (3) merač snage laser-skog zračenja. Kao prekidač mlaza služi Q prekidač ili galvanski deflektor (5) u sistemima koji ne zahte-vaju veču snagu za graviranje. Teleskop (8) proširuje zrak i smanjuje njegovu divergenciju što omogučava da se ostvari manja tačka u fokusu. X-Y deflektori (9) vrše pomeranje zraka pri ispisu a trosistemsko F-teta sočivo (10) fokusira zrak u ravno polje sa linearnom brzinom prebrisavanja. (11) su detektori povratnog signala kod autopozicioniranja. Optička klu-pa i nosači elemenata su temperaturno stabilisani tako da uz adekvatna konstrukciona rešenja obezbedjuju dugotrajan rad bez potrebe za podešavanjem. 165 Treba napomenuti da se pri projektovanju celokupnog sistema imalo u vidu njegova industrijska primena sa specifičnostima koje ona namece u pogledu pouzdano-sti, jednostavnosti za upotrebu i niske troškove pri o-državanju. Laserski sistem za ispisivanje - graviranje je u osnovi isti kao i sistem za trimovanje električnih kola tako da se več ovaj sistem sa minornim izmenama može koristiti kao laserski trimer kod primena gde zadovo-ljava tačnost od 50 mikrona. Osvajanjem tehnologije izrade laserskog sistema za ispisivanje otvorena je mo-gučnost izrade i drugih laserskih uredjaja za primenu u elektronici i mikroelektronici kao što su ispisivanje poluprovodničkih supstrata za integrisana kola, trimovanje tanko i debeloslojnih kola, ispitivanje le-mova štampanih kola, rekristalizaciju polisilikonskih filmova i dr. SI. 2. - Optički sistem za Nd : YAG i He-Ne laserima Z. Janevski, Z. Aleksievski, M. Popovič Institut za fiziku -Beograd 166 IZVEŠTAJ O REZULTATIMA NAUČNOIZTRAŽIVAČKOG RADA U OBLASTI POUZDANOSTI POLUPROVODNIČKIH KOMPONENATA ZA PERIOD 1983—1986 G. Ninoslav Stojadinovič Z. Nikolič Osnovni cilj istraživanja na tom projektu bio je da se najpre ispitaju pouzdanost i uzroci otkaza poluprovod-ničkih komponenata iz proizvodnog i razvojnog programa RO "Ei - poluprovodnici" u Nišu (CMOS in-tegrisana kola, planarne bipolarne komponente i bipolarne komponente snage) , a da se zatim korektivno deluje na tehnologije izrade ovih poluprovodničkih komponenata u ciliu povečanja njihove pouzdanosti. Na o-snovu ovako postavljenog cilja, program istraživanja na ovom projektu bio je usmeren ka sledečim temama : Fizika i tehnologija Matematičke metode za analizu pouzdanosti Merne metode i testovi za analizu pouzdanosti i uzroka otkaza Pouzdanost i uzroci otkaza Metode za povečanje pouzdanosti Plan istraživanja za protekli period 1983-1986. godi-na u potpunosti je realizovan, a veliki broj rezultata do kojih se pri tome došlo več je publikovan u obliku 30 radova u renomirani m internacionalnim časopisi-ma (Microelectronics and Reliability i Physica Status Solidi), Zborniku sa internacionalne konferencije Re-lectronics-85 i zbornicima sa domačih konferencija (MIEL, ETAN i £D), ili su izloženi u vidu 2 javna predavanja (Univerzitet u Bohumu i Politehnički univer-zitet u Varšavi). Treba istači da je rad dr. Nino-slava Stojadinoviča, pod naslovom "Failure Physics of Integrated Circuits - A Rewiew" publikovan kao glavni rad specijalnog izdanja internacionalnog časopisa Microelectronics and Reliability pod naslovom "EUROPEAN INTEGRATED CIRCUIT RELIABILITY". Ta-kodje, iz ovih istraživanja je proisteklo 10 tema za diplomske radove i 1 tema za magistarski rad saradnika na projektu koji su več uspešno odbranje-ni. Najzad, treba istači da je dr. Ninoslav Stojadinovič bio kao gost urednik internacionalnog časopisa Microelectronics and Reliability pod naslovom "ADVANCES IN MICROELECTRONICS", a bio je i predsedavajuči sednice "RELIABILITY PHYSICS" na Internacionalnoj konferenciji RELECTRONICS-85 koja je održana u Madjarskoj. Spisak svih publikovanih radova biče dat na kraju ovog rezimea, dok ce najvažniji rezultati sadržani u njima biti ukratko opisani u dal jem tekstu. 1. Fizika i tehnologija 1.1. Nesavršenosti CMOS komponenata izazvane plazma procesima 167 Pokazano je da nagrizanje oksida gejta u plazmi kiseonika dovodi do formiranja sledečih nesavršenosti: pozitivnih naelektrisanja u oksidu, razmeštaja atoma kiseonika u rešetki oksida i implantiranih jona kiseonika u oksidu. Gustina ovih nesavršenosti je zanemariva pri snagama sistema za nagrizanje nižim od 0,2 kW, dok pri večim snagama gustina ovih nesavršenosti naglo raste. Pokazano je da proces čiščenja, koji se prime-njuje kao dodatni proces posle foto postupka na aluminijumu u cilju uklanjanja zaostalog silici-juma iz leguie Al-Si nakon hemijskog nagriza-nja aluminijuma, dovodi do formiranja naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim stan-jima. Formiranje ovih naelektrisanja posebno je izraženo ukoliko se proces plazma čiščenja primenjuje pre procesa legiranja aluminijuma. 1.2. Strujno pojačanje bipolarnih tranzistora snage Pokazano je da povečanje odnosa obima i površine emitora bipolarnih tranzistora snage u Darlingtonovoj sprezi dovodi do povečanja strujnog pojačanja , kao i do pomeranja njegove maksimalne vrednosti ka večim kolektorskim strujama. Takodje, pokazano je da strujno pojačanje i otpornost. emitor-baza rastu sa porastom temperature. 1.3. Efekti proboja kod poluprovodničkih komponenata Pokazano je da je najopasniji efekat proboja kod CMOS komponenata proboj parazitnog lateralnog NPN tranzistora koji može da dovede i do aktiviranja parazitne tiristorske strukture. Pokazano je da su kod snažnih dioda, kod kojih se P-N spoj dobija hemijskim oblikovanjem površine (tzv. "meza" spoj), problemi znatno iz-raženiji u slučaju negativnog nagiba P-N spoja, dok se u slučaju pozitivnog P-N spoja postižu znatno bolje električne karakteristike u oblasti proboja. 2. Matematičke metode za analizu pouzdanosti 2.1. Matematičko-fizički model za proračun naelektrisanja kod CMOS komponenata Izvršena je generalizacija i dopuna modela za napon praga CMOS komponenata uključivanjem efekata naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim stanjima u razmatranje. Takodje, predložen je model za zavisnost faktora pojačanja CMOS komponenata od naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim stanjima. Na osnovu ovih modela razradjen je jednostavan matema-tički metod za razdvajanje i proračun naelektrisanja u oksidu gejta i na površinskim stanjima. 2.2. Matematičko-fizički model bipolarnog tranzistora u uslovima termičkog cikliranja Višeslojna struktura bipolarnog tranzistora snage u uslovima termičkog cikliranja modelirana je pomoču termičkog ekvivalentnog kola. Koriščenjem razvijenog modela odredjene su pro-mene temperature u karakterističkim tačkama strukture u toku testa termičkog cikliranja , pri čemu je dobijen znatan pad temperature iduči od peleta ka hladnjaku. 168 3. Merne metode i testovi za analizu pouzdanosti i uzroka otkaza 3.1. Merna metoda za analizu nestabilnosti kod CMOS komponenta Razvijena je jednostavna merna metoda za analizu nestabilnosti CMOS komponenata koja se zasniva na merenju napona praga i faktore po-jačanja na osnovu prenosnih karakteristika CMOS tranzistora. Ova merna metoda znatno nadmašu-je do sada poznate postupke koji se zasnivanju na merenju C-V karakteristika testnih MOS struktura, s obzirom da omogučava i analizu nekih važnih efekata (efekti vrucih nosilaca i efekti zračenja) koji do sada nisu mogli da budu korektno analizirani. 3.2. Kvalifikaeiona ispitivanja poluprovodničkih komponenata Uspospavljen je sistem standardizacije poluprovodničkih komponenata koje se proizvode za vojne namene u koji je ugradjen kompleksan prilaz obez-bedjenju pouzdanosti čije su osnove utvrdjene u vojnom standardu SNO 5441. Napravljen je pregled osnovnih zahteva obezbedjenja pouzdanosti, sa posebnim osvrtom na kvalifikaciju proizvodne linije CMOS komponenata u RO "Ei - Poluprovodni-ci". 3.3. Pri mena elektronske mikroskopije za analizu otkaza poluprovodničkih komponenata Detaljno su izučeni konstrukcija i princip rada elektronskog mikroskopa (SEM), sa posebnim osvrtom na njihova unapredjenja neophodna za analizu otkaza kod savremenih poluprovodničkih komponenata (SEM sa EBIC kontrastom, SEM sa naponskim kontrastom, SEM sa stroboskops-kim naponskim kontrastom i TEM). Na osnovu sopstvenog iskustva i literaturnih podataka napravljen je pregled najvažnijih primena elektronske mikroskopije u analizi i otkaza savremenih poluprovodničkih komponenata. 4. Pouzdanost i uzroci otkaza 4.1. Mehanizmi otkaza poluprovodničkih komponenata Na osnovu višegodišnjeg iskustva u ispitivanju pouzdanosti i uzroka otkaza CMOS komponenata i bipolarnih komponenata snage koje se proizvode u RO "Ei-Poluprovodnici" , kao i podataka iz literature, napravljen je pregled mehanizama otkaza poluprovodničkih komponenata. Pri tome je pokazano da su najopasniji mehanizmi otkaza sa aspekta pouzdanost VLSI komponenata efekti defekata supstrata, proboj tankog oksida gejta, elektromigracija i korozija metalizacije, efekti elektrostatičkog praznjenja i efekti zračenja. Takodje, napravljena je korelacija izmedju mehanizama otkaza i testova pomoču kojih se ovi mogu da otkriju. 4.2. Pouzdanost i uzroci otkaza CMOS komponenata Izvršena je uporedna analiza pouzdanosti i uzroka otkaza 8 tipova CMOS komponenata različitih proizvodjača (Ei-Jugoslavija, SGS-Italija, Moto-rola-SAD i National Semiconductors-SAD). Dobi-jeni rezultati (pokazatelji pouzdanosti, vremenska stabilnost, itd.) pokazuju da nema bilo kak- 169 vog bitnog odstupanja u pouzdanosti CMOS komponenata bilo kog od tih proizvodjača, što potvrdjuje da su CMOS komponente proizvodnje RO "Ei-Polu-provodnici sa aspekta pouzdanosti ravne CMOS komponenata eminentnih svetskiK proizvodjača. Pokazano je da su najčešči uzroci otkaza CMOS komponenata koja se proizvode u RO "Ei-Polu- provodnici" kratki spojevi oksida gejta iznad + P difuzionih oblasti, struje curenja P-N spoje-va, aktiviranje parazitne tiristorske strukture i nestabilnosti napona praga. Nestabilnosti CMOS komponenata U okviru ispitivanja nestabilnosti CMOS komponenata naprezanjem visokotemperaturnim stare-njem sa polarizacijom dobijeno je da pokretni joni u oksidu gejta i dalje predstavljaju važan uzrok nestabilnosti, pri čemu su nestabilnosti izraženije pri negativnoj polarizaciji gejta. S druge strane, negativna polarizacija gejta može da dovede i do povečanja gustina pozitivnog na-elektrisanja na centrima zahvata u oksidu gejta. U okviru ispitivanja nestabilnosti CMOS komponenata naprezanjem jakim poljem u oksidu gejta pokazano je da pri negativnoj polarizaciji gejta dolazi do povečanja gustine pozitivnog naelek-trisanja u oksidu gejta. Takodje, pokazano je da i pri pozitivnoj polarizaciji gejta dolazi do povečanja gustine pozitivnog'naelektrisanja u oksidu gejta, ali je mehanizam generisanja naelektrisanja različtt. Najzad, pokazano je da protok tunelske struje kroz oksid gejta dovodi do povečanja naelektrisanja na površinskim sta-njima, pri čemu su ovi efekti izraženiji pri pozitivnoj polarizaciji gejta. 4.4. Pouzdanost i uzroci otkaza bipolarnih komponenata U okviru ispitivanja pouzdanosti planarnih bipolarnih NPN tranzistora primenom testa viso-kotemperaturnog staranja sa polarizacijom do-bijena je velika promena električnih parame-tara (strujnog pojačanja pri malim strujama, inverzne struje emitor-baza i niskofrekventnog šuma), što je dovelo do postepenih otkaza 80 % testiranih tranzistora. Pri tome su pro-mene električnih parametara naročito izražene kada su kod tranzistora prisutne dislokacije oko planarnih ivica emitora. U okviru ispitivanja pouzdanosti bipolarnih NPN tranzistora snage primenom testa termičkog cikliranja usled efekta termičkog zamora otkazalo je 9 % ispitivanih tranzistora. Pri tome su kod 3 % ispitivanih tranzistora re-gistrovani postepeni otkazi usled promene e-lektričnih parametara (strujnog pojačanja, inverznih struja emitor - bara i kolektor-emitor i pada napon emitor-baza). S druge strane kod 6 % ispitivanih tranzistora registro-vani su iznenadni otkazi usled oštečenja peleta (naprsline peleta, naprsline zaštitnog laka, pojava "vručih" tačaka i sakupljanje lema na peletu). 170 Metode za povečanje pouzdanosti 1. Nova tehnologija izrade CMOS komponenata Predložena je nova struktura NMOS tranzistora kod CMOS komponenata koja obezbedjuje po-boljšanje karakteristika u odnosu na standard-nu strukturu i pojednostavljenje tehnologije u odnosu na strukturu sa produženim drejnom. Pokazano je da primena nove strukture NMOS tranzistora u proizvodnji CMOS komponenata ne dovodi do pojave bilo kakvog novog uzroka otkaza koji bi bio posledica nove strukture i tehnologije njene izrade. Staviše, nova struktura NMOS tranzistora obezbedjuje vremenski najstabilnije karakteristike CM OS komponenata» 2. Nova tehnologija montaže planarnih bipolarnih tranzistora Predložena je i verifikovana nova tehnologija montaže planarnih, bipolarnih tranzistora u kučište TO-39, u kojoj je standardno pozlačeno kučište zamenjeno znatno jeftinijim niklovanim kučištem „ Prirnenom predložene tehnologije u RO "Ei-Polupovodnici" proizvedeni su visokopouzdani tranzistori sa pro-sečnim prinosom oko 85 %, a sve to uz .znatno pojevtinjenje proizvodnje. 3. Optimizacija tehnologije metalizacije polu-provodničkih komponenata Pokazano je da kod homotalcsijalnih tranzistora snage najbolju izdržljivost na sekundarni proboj obezbedjuje motalizacija kolektora pomoču hemijskog niklovanja (Ni) i toplog kalaisanja (Pb/Sn). S druge strane, kod tranzistora snage sa epitak" sijalnom bazom najbolju izdržljivost na sekundarni proboj obezbedjuje metalizacija kolektora pomoču naparavanja legure Ti/Ni. Takodje, dobijeno je da kod ovih tranzistora debljina metalizacije emitora utiče na izdržljivost na sekundarni proboj. Najzad, pokazano je da kod visokonaponskih tranzistora snage legiranje pomoču lemnog diska (Pb/In/Ag) obezbedjuje največu izdržljivost na sekundarni proboj. Pokazano je, da srednje vreme do otkaza Al-metalizacije kod integrisanih kompone -nata usled efekta elektromigracije opada sa smanjenjem širine metalnih linija, sve dok širina metalnih linija ne postane uporedljiva sa veličinom Al-zrna. Takodje, pokazano je da primena Al-metalizacije sa dodatkom 1 °/o Cu i sa TiN slojem kao barijerom dovodi do znatrog povečanja srednjeg vremena do otkaza metalizacije. Spisalc publikovanih radova 1. N.D. Stojadinovic, "Failure Physics of Integrated Circuits - A. Review", Microelectron. Reliab. , Vol. 23, pp. 609-707 (1983). 2. N. Stojadinovič, S. Dimitrijev, S. Mijalkovič, Z. Živič, "Reliability of n-Channel and p-Channel MOSTs in CMOS Integrated Circuits", Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 76, pp. 357-364 (1983). 3. Lj. Ristic, S. Orlovič, Z. Pavlovic, M. Vlajko-vic, "Ispitivanje uticaja metalizacije kolektorske strane tranzistora snage sa epitaksijalnom bazom na sekundarni proboj", Zbornik radova XI Jugo-slovenskog simpozijuma o mikroelektronici, pp. 447-456, Zagreb, April (1983). 4. Z. Pavlovic, Lj. Ristic, S. Orlovič, M. Vlajko-vic, "Uticaj metalizacije kolektora homotaksijal-nih tranzistora snage na sekundarni proboj", Zbornik radova XXVII Jugoslovenske konferencije za ETAN, V sveska, pp. 259-266, Struga, Jun (1983) . 5. L. Ilič, R. Radojkovic, "Zavisnost sekundarnog proboja visokonaponskih tranzistora snage od procesa legiranja na montaži", Zbornik radova XI Jugoslovenskog simpozijuma o mikroelektronici, pp. 437-445, Zagreb, April (1983). 6. Z. Pavlovic, S. Milosavljevič, N. Stojadinovič, "Eksperimentalna analiza strujnog pojačanja tranzistora snage", Zbornik radova XXVII Jugoslovenske konferencije za ETAN, V sveska, pp. 243-249, Struga, Jun (1983). 7. N.D. Stojadinovič, "Effects of Accelerated Temperature Testing on Low-Frequency Noise of Planar NPN Transistors", Microelectron. Reliab., Vol. 23, pp..889-901, (1983). 8. S.D. Ristic, "Sopstvena koncentracija nosilaca na- 171 elektrisanja u jako dopiranom silicijumu", Zbornik radova XXVII Jugoslovenske konferencije za ETAN, V sveska, pp. 211-226, Struga, Jun (1983), 9. N. Stojadinovič, "Advances in Microelectronics", Editoral Preface, Microelectron. Reliab., Vol. 24, pp. 201-203 (1984). 10. Lj. Ristic, Z. Pavlovic, S. Orlovic, L. Ilič, S. Djordjevič, "A Review of Failure Occuring During the Processing of Bipolar Power Transistors", Proc. 12 th Yugoslav Conference on Microelectronics, Vol. 2, pp. D69, D95, Niš, May (1984). 11. Lj. Ristic, Z. Pavlovič, S. Orlovic, S. Djordjevič, M. Vlajkovič, "Ispitivanje uticaja debljine metalizacije emitora na PBR tranzistora snage sa epitaksijalnom bazom", Zbornik radova XXVIII Jugoslovenske konferencije za ETAN, II sveska, pp. 197-204, Jun (1984). 12. N. Stojadinovič, D. Dimitrijevic, S. Pešamovič, "Uticaj ubrzanog temperaturnog testiranja radnog veka na niskofrekventni šum bipolarnih tranzistora" , Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. lo5-lll, Niš, Maj (1984) 13. S. Milosavljevič, D. Dimitrijevic, D. Jankovič, N. Stojadinovič, "Otkazi bipolarnih tranzistora snage usled termičkog zamora", Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 112-121, Niš, Maj (1984) 14. Lj. Ristic, S. Rašič, B. Ilič, "Verifikacija tehnologije montaže planarnih tranzistora u niklovom ku- čištu TO-39", Zbornik radova XXIX Jugoslovenske konferencije za ETAN, X sveska, pp. 23-30, Niš, Jun (1985). 15. Z. Pavlovic, S. Djordjevic, "Strujno pojačanje Darlington tranzistora snage" , Zbornik radova XXI Jugoslovenskog simpozijuma o sastavnim delovima i materijalima, pp. 145-150, Ljubljana, Oktober (1985). 16. R. Loc, M. Golubovic, "Prilaz obezbedjenju ni-voa kvaliteta mikrokola sa primerom iz prakse" , Zbornik radova XIII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, II sveska, pp. 675-682, Ljubljana, Maj (1985). 17. Z. Živič, A. Živič, N. Stojadinovic, "The Effects of Avalanche Hot-Carrier Injection in a New NMOST Structure", Proc. 6 th International Conference on Reliability in Electronics, pp. 458-465, Budapest, August (1985). 18. N. Stojadinovic, S. Dimitrijev, S. Mijalkovič, "Effect of High Field Stresses on Threshold Voltage of CMOS Transistors", Microelectron. Reli-ab., Vol.25, pp. 275-279 (1985). 19. Z. Živič, A. Živič, N. Stojadinovic, "A New CMOS IC Structure and its Characterization", Microelectron. Reliab., Vol. 25, No. 1, pp. 123-146 (1985). 20. S. Dimitrijev, N. Stojadinovic, "Instability Mechanisms of CMOS Integrated Circuits", Zbornik radova XIII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, II sveska, pp. 575-582, Ljubljana, Maj (1985). 172 21. Lj. Ristic, Lj. Nikolič, M. Sušič, N. Stojadinovic, "Zavisnost probojnog napona dioda snage od tehnologije izrade P-N spoja", Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelektroni" ci, I sveska, pp. 263-270, Niš,- Maj (1984). 22. Z. Pavlovic, S. Djordjevic, "Ekvivalentno ter-mičko kolo tranzistora snage u uslovima termič-kog cikliranja" , Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I. sveska, pp. 235-244, Niš, Maj (1984). 23. Z. Živic, A. Živič, "Characteristics of Different N-Channel MOSFET Structures", Proc. 12 th Yugoslav Conference on Microelectronics, pp. 318-327, Niš, May (1984). 24. Z. Živič, "Efekti injekcije vručih nosilaca izaz-vanih lavinskom multiplikacijom kod N-kanalnog MOS tranzistora, izradjenog dvostrukom implan-tacijom N-oblasti" , Zbornik radova XX Jugoslovenskog simpozijuma o sastavnim delovima i materijalima, pp. 21-25, Ljubljana, Oktobar (1984). 25. N. Stojadinovic, S. Dimitrijev, "Efekti eiektro-statičkog praznjenja kod mikroelektronskih kompo-nenata" , Zbornik radova I sprskog simpozijuma iz primenjene elektrostatike , pp. 24. 1-24, 10, Niš, Novembar (1984). 26. N. Stojadinovic, S. Dimitrijev, S. Mijalkovič, "Threshold Voltage Instabilities of CMOS Transistors Induced by Gate Bias Stress", Zbornik radova XII Jugoslovenske konferencije o mikroeltronici, I sveska, pp. 9.4-103, Niš, Maj (1984). 27. H. - U. Schreiber, B. Pešič, Lj. Živkovič, 173 "Investigation of Electromigration Interface Effects in TiN-Al (1% Cu) Metallization", Zbornik radova XIV Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 267-274, Beograd, Maj (1986). 28. B. Pešič, "Otkazi aluminijumske metalizacije usled mehanizma elektromigracije", Zbornik radova XXX Jugoslovenske konferencije za ETAN, X sveska, pp. 39-45, Herceg Novi, Jun (1986). 29. M. Pejovic, S. Golubovič, M. Miljkovič, "Defekti u SiO^ nastali tokom jonskog nagrizanja", Zbornik radova XIV Jugoslovenske konferencije o mikroelektronici, I sveska, pp. 259-266, Beograd, Maj (1986). 30. E. Jelenkovic, "Uticaj plazma čiščenja na stabilnost MOS tranzistora" , Zbornik radova XXII Jugo-slovenskog simpozijuma o sastavnim delovima i materijalima, pp. 123-127, Otočec na Krki, Septem-bar (1986). Spisak održanih predavanja 1. N. Stojadinovi6, "Failure Physics of Integrated Circuits", Elektronik-Kolloqium, Ruhr-Universitat Bochum, Institut filr Elektronik, Bochum, September 1983. 2. Failure Mechanisms of VLSI Integrated Circuits" 1' st Symposium on Diagnostics and Yield, Warsaw University, September 1986. Spisak magistarskih radova 1. S. Dimitrijev, "Nestabilnosti CMOS integrisanih kola s aluminijumskim gejtom", Magistarski rad, Elektronski fakultet, Niš, 1985. Rukovodilac istraživanja: Prof. dr. Ninoslav Stojadino- vič, Z. Nikolič Elektronski fakultet Beogradska 14, 18000 Niš 174 TRŽENJE PROFESIONALNIH ELEMENTOV Marjana Kobe Marjana Kobetova je vodja službe za kakovost v Iskri Commerce v Ljubljani. Na področju kakovosti in zanesljivosti ima dolge in izredno bogate izkušnje, zato so jo med drugim povabili, da je predavala o teh vprašanjih na posebnem seminarju, ki ga je priredila v začetku 1987. leta DO Iskra Elementi. Z dovoljenjem prireditelja seminarja objavljamo besedilo predavanja, ker mislimo, da je tema širše zanimiva za naše bralce. Uvod Končni izdelek naj bo konkurenčen : sodoben, kakovosten, varen, zanesljiv, ekonomičen. Za konkurenčnost je cena vedno bolj sekundarnega pomena, vedno bolj pomembna postaja kakovost. Prenizko postavljena cena vzbuja sum slabe kakovosti. SELITEV Cena =o KONKURENČNOST c> Kvaliteta Kakovosten element je eden od pogojev za kakovost naprave/sistema. Kakovost elementa nastaja v izde-lavnem procesu proizvajalca elementa. Proizvajalec elementov je ČLEN v izdelavni verigi končnega proizvoda. JSL. Dobavitelj materiala —š^*8 Proizvajalec Proizvajalec —> elementov naprave|sistema Odnos med proizvajalcem naprav - odjemalcem in proizvajalcem - dobaviteljem elementov temelji na izbiri - elementa glede na specifikacijo in kakovost - dobavitelja glede na njegovo sposobnost dobavljanja v količinah, kakovosti, rokih in ceni - partnerskem sodelovanju obeh za skupni interes. Komunikacije med proizvajalcema elementov in naprav 1. Trženje elementov širokopotrošnega kakovostnega razreda Proizvajalec elementov Proizvajalec naprav Končna Prodaja kontrola L. r .j i REKLAMACIJA SPECIFIKACIJA --- Nabava Vhodna TPP i kontrola Značilna je "klasična"enostavna povezava med partnerjevima (pretežno) komercialnima službama. 175 2. Trženje elementov profesionalnega kakovostnega razreda Proizvajalec Proizvajalec elementov naprav Prodaja _ J3abava_ _ _ ____ Razvoj Zagotavlj.kakovosti Proizvodnja/plan X Razvoj Zagotavlj.kakovosti Proi zvodnJ a/plan ..... Značilne so "multisegmentne" (večplastne) POSLOVNO-TEHNIČNE povezave. Kaj je danes aktualno v medindustrijskem trženju? Kam vodi trend? Zaradi izrednega porasta zahtev po kakovosti in zanesljivosti naprav in sistemov so se povečale zahteve tudi za elemente. Začetna kakovost elementov, izražena z AQL, se meri že v PPM. Zahteve po zanesljivosti so za nekaj velikostnih razredov večje kot v 70-tih letih. Statistični vzorčni preskusi včasih že izgubljajo smisel (preveliki vzorci: AQL = 0,25 % = 250 PPM je na tehnični in gospodarnostni meji). Kakovost je mogoče obvladati le z načrtno preventivo in krmiljenjem v "absolutno kvaliteto" naravnanega izdelavnega procesa. Pojem "O-defekt" (noben defekt ni dovoljen) se nanaša na zavestno obnašan je .vseh udeležencev v izdelavnem procesu in sploh v vsem poslovnem procesu. Zaradi tehnološke zahtevnosti elementa in opreme za preskušanje njegovih lastnosti proizvajalec naprav ni več v stanju še gospodarno^ pa v zadostni meri kontrolirati material na svojem vhodu. Zaradi večje poslovne učinkovitosti želi poslovati brez zalog, zahteva dobavo repromateriala neposredno na proizvodno li- nijo in v natančno zahtevane m trenutku (just in time delivery) - brez skladišč, brez vhodne kontrole. Vedeti moramo, da ti pogoji povzročajo tudi drugim danes še nepremostljive težave: Razhajanja med meritvami obeh partnerjev so pogosto prevelika (nezadostna ponovljivost in reproduci-bilnost zaradi nezanesljivosti merilne opreme, oko-ljnih vplivov, metodološki nesporazumi glede merjenja in ocenjevanja). Preskušanje zanesljivosti elementov je v pogojih ekstremno visoke zanesljivosti obsežno in drago. Pospeševanje preskusov s povečanimi obremenitvami ima svoje meje. Podatki o zanesljivosti iz uporabe so še vedno omejeni na ozka področja. Veljavnost teoretične ekstrapolacije parametrov zanesljivosti se v splošnem precenjuje. Negotovosti torej še vedno ostajajo: pošiljke brez vsakega defektnega elementa in poljubno visoka zanesljivost so IDEALNI CILJ, ki se mu je mogoče samo asimptotično približevati. Večje približanje temu cilju pa ni odvisno le od proizvajalca elementov in ne le od proizvajalca naprav, ampak od obeh. Koncept PPM in visoka zane- sljivost predpostavljata povezanost dobavitelja in odjemalca elementov v NEPREKINJEN PROCES v sklenjenem regulacijskem krogu kakovosti. To velja tako za aktivnosti , kot za odgovornost. Kot zagotavljanje kakovosti ni naloga izključno posameznega podjetja, ampak partnerske kooperacije, je ta kooperacija potrebna tudi pri uresničevanju še nadaljnjih potreb oz. medsebojno dogovorjenih pogojev o dobavi j an ju elementov neposredno na montažno linijo naprave. Ko je namreč enkrat kakovost dobav že utečena, postanejo eventualno tudi tveganja reducirane vhodne kontrole zadosti majhna. Pravni vidiki kakovostnega jamstva 1. Nivo kakovosti A QL (ter AOQL, LTPD, RQL.„.) V preteklosti splošno veljaven koncept AQL temelji na predpostavki, da je delež defektnih izdelkov v pošiljki neizbežen in zato dopusten ter dogovorjen v pogodbi oz. naročilu« Defektni izdelki se reklamirajo in nadomeščajo, Eventuelno je dogovorjen tudi blagovni ali cenovni rabat „ 2. Nivo kakovosti PPM V sistemu PPM je ocenjevanje parametrov kakovosti elementov zasnovano na dejanskih rezultatih, doseženih v proizvodnem procesu naprave. Zajema vse postopke z elementi, kot pripravo elementov vključno z eventualnim utekanjem in testiranja na nivoju elementov, podsestavov in cele naprave. V oceni pa se upoštevajo samo tisti elementi, ki so že bili uporabljeni v proizvodnji naprave. Koncept PPM je bistveno več kot samo specificiranje dopustnega deleža defektnih elementov na nekem dru- 176 gem nivoju. Bistvo sistema PPM je sporazumna kooperacija obeh partnerjev, da bi dosegla skupno zastavljeni nivo kakovosti v dogovorjenem času. Oba morata biti pripravljena vložiti sredstva za to: proizvajalec elementov za obvladovanje kakovosti v proizvodnem procesu, specifikacije, poskusanje in merjenje, dokumentiranje, sledljivost serij, analizo vrnjenih defektnih. Proizvajalec naprav mora vzpostaviti svoj sistem zbiranja in evidentiranja defektov in okoliščin, v katerih je prišlo do defektov elementov, preverjanja, ali je dejansko defekten element, vzdrževanje identifikacije elementov, dosledno vračanje defektnih elementov njihovemu proizvajalcu itd. Finalista zanima sistem PPM predvsem s stališča zmanjševanja njegovih proizvodnih stroškov (omejevanje potrebnih popravil med proizvodnim procesom, povečevanje zanesljivosti elementov brez predhodnega utekanja in izločanja elementov, manj administrira-nja, skrajšanje časa). Tendenca prenašanja vse večjega dela dejavnosti v zvezi s preskušanjem in potrjevanjem kakovostnih parametrov dobavljenih pošiljk na proizvajalca elementov, zlasti še opuščanje vhodno-kontroine dejavnosti odjemalca, prihaja v konflikt z obligacijskim pravom. Odjemalci poskušajo doseči sporazumno razširitev pravice do reklamiranja skritih napak in še celo povračilo škode kot posledice nezanesljivosti elementov, Razumljivo je, da se želi dobavitelj zavarovati pred pretiranimi zahtevami odjemalca. Sporazumevanje o tehničnih prevzemnih pogojih zahteva zato drugačen odnos med dobaviteljem in odjemalcem, kot se navadno prakticira v prodajni (pa tudi nabavni) dejavnosti. Šele ko gledamo na dobavo 177 proizvoda in na njegovo uporabo kot na sklenjen proces, uvidimo, da odgovornosti partnerjev ne morejo biti enosmerne. Ne samo dobavitelj, ampak tudi uporabnik ima v njem svoje naloge in obveznosti. Pametno je, da se pri sklepanju posla partnerja o tem pismeno dogovorita. Vsebina vzajemnih dejavnosti proizvajalca elementov in proizvajalca naprav Faza osvajanja I. Homologacija: izbor elementa, specifikacija in njena potrditev, preverjanje sposobnosti dobavitelja, preskus in raziskava elementa, preskus elementa v napravi. 2. Preventiva za kakovost: predvideti odkrivanje in od- pravo izvorov defektov pri izdelavi specifikacij in v vseh postopkih izdelave tako elementa kot naprave. 3. Sporazum o kakovosti: partnerja se, sklicujoč se na potrjeno specifikacijo, sporazumeta o bistvenih stvareh v medseboj nem poslovnem odnosu, zlasti: - o medsebojnem vnaprejšnjem informiranju o vsaki nameravani spremembi - informiranju o vseh nastalih spremembah in sodelovanju pri odpravljanju težav zaradi teh. Težave v teku rednega dobavljanja UPORABNIK elementa informira proizvajalca o: - mestu, kjer je bil ugotovljen defekt - svojih ugotovitvah, podprtih z meritvami in statističnimi podatki, o vrsti odpovedi in drugih rezultatih analiz - vrednotenju odpovedi in njenih posledic. PROIZVAJALEC elementa izdela svoja stališča v dveh stopnjah: 1. stopnja vsebuje takojšnje nadomestilo defektnih z neoporečnimi elementi, 2. stopnja obsega detajlno analizo defekta in njegovega izvora. Kateri so primerni ukrepi za naše uspešno prilagajanje? Odnosi med dobaviteljem in odjemalcem v medindus-trijskem trženju lahko temeljijo na konceptu zaupanja ali na konceptu kontrole. RAZVOJ VODI V SMER VEČJEGA ZAUPANJA. Za odnose, ki se gradijo na medsebojnem zaupanju pa je potrebno: 1. točno razumevanje naročnikovih zahtev. 2. Oba partnerja bi morala stremeti k zmanjševanju stroškov za kakovost, NE DA BI JIH EDEN HOTEL NAPRTITI DRUGEMU. 3. Odkrito in redno komuniciranje. 4. Proizvajalec elementa vzpostavi svoj sistem za zagotovitev kakovosti in dovoli odjemalcu vpogled vanj, v ukrepe in rezultate. 5. Defekti, ki se pojavijo pri uporabniku, se skupno analizirajo zaradi lokaliziranja vzrokov in določitve ukrepov pri proizvajalcu ali pri uporabniku za odpravo problemov. 6. Kvalificirano uporabnikovo povratno informiranje o trendu dobaviteljevih kakovostnih parametrov in medsebojno usklajevanje testnih pogojev. PROGRAM ZA IZBOLJŠANJE KAKOVOSTI bi imel npr. naslednje točke: - izboljšanje kulture kakovosti - specifikacije morajo nedvoumno določati proces in organizacijske pristojnosti. Kontrola preverja tako ustreznost specifikacij, kot njihovo upoštevanje - vgrajevanje kakovosti in zanesljivosti v procesu - testiranje rabi potrditvi navedenih podatkov: testni rezultati so na razpolago odjemalcu - enaki kooperantski odnosi tudi z dobavitelji vhodnih surovin. 178 Kakšen je povprečen odstotek zavrnjenih pošiljk na tržiščih razvitega sveta? Za orientacijo navajam naslednjo primerjavo po letošnjih podatkih firme Rohde-Schwarz o doseženi kakovosti nabavljenih komponent njegovih dobaviteljev: Element % zavrnjenih PPM v Želeni pošiljk napravi PPM diode 1,7 750 500 bipol.transis. 1,3 2.300 1.200 Močn. trans. 0,8 5.500 2.500 FET transis. 1,5 7.000 2.500 Kristali 2,5 20.000 8.000 Upori 1,5 70 70 Stikala, releji 5 1.500 1.000 Kondenzat. 1,6 380 380 Induktivnosti 4,2 730 500 Konektorji 3,5 <¿.50 ¿150 Žarnice 7,5 4.500 500 Logič.IC 0,6 1.600 1.000 Lin. IC 2,6 5.600 4.000 Optič.elem. 4 2.300 1.400 Marjana Kobe, dipl.ing. Iskra Commerce, Trg revolucije 3, Ljubljana 179 FAKTOR KAKOVOSTI V VODENJU Igor Pompe V jugoslovanskih razmerah vprašanje zagotovitve kakovosti izdelkov nasploh pa tudi v proizvodnji elementov za elektroniko, še zdavnaj ni zadovoljivo rešeno. Nekateri veliki proizvajalci, na primer Iskra, poskušajo vpeljati integralni sistem zagotavljanja kakovosti elementov (Iskra IS 9000) vendar je akcija šele na začetku. Zanimivo je, kako gledajo na problematiko kakovosti drugi renomirani proizvajalci elementov za elektroniko v Evropi. Zato sem pripravil povzetek članka Johna E. Herrina, predsednika Welwyn Electronics Limited, Bedlington, Anglija, ki naj bi pokazal, da kakovost ne more biti samo zadolžitev ustreznih služb v podjetju, temveč mora biti osnovna strategija vodstva podjetja. Vodstveni pristop Zagotavljanje kakovosti so v tovarnah elementov pogosto imeli za nujno zlo in neizbežne stroške sistema za zagotavljanje kakovosti kot breme brez koristi. Tako pogostokrat slišimo komentarje, da visoke ravni kakovosti zahtevajo le za vojaške ali vesoljske aplikacije. Pri tem ljudje velikokrat mešajo kakovost in specifikacijo zahtev. Taki pristopi izvirajo iz kratkoročnih finančnih interesov, ko stroške zagotavljanja kakovosti napačno primerjajo z dobičkom. Če dobiček ne preseže 2 % prodajne vrednosti in, če stane zagotavljanje kakovosti 5 % prodajne vrednosti, potem je "bolje" odločiti se za višjo raven dobička in nižje stroške za zago- tavljanje kakovosti. Tak način razmišljanja postaja k sreči vse manj splošen, a ga še vedno srečamo. Vsekakor mora vodstvo upoštevati učinek poslovanja na zadovoljitev potreb kupcev. Če želi izvajati kupec ppm sistem, mora dobavitelj oceniti svoje zmožnosti ustrezanja in stroške ter prednosti tega; dejstvo je, da iz posla, ki ga ne pridobite, ne morete narediti profita, da pa bi si pridobili naročila, morate zadostiti kupcu in ustreči njegovim potrebam. Profesionalci v zagotavljanju kakovosti so pogostokrat sami sebi najhujši sovražniki in dovoljujejo, da jih ostale funkcije v podjetju gledajo > kot zaveznike tistih izven lastne organizacije. Žal se včasih to dogodi in govori se o " mafiji za zagotavljanje kakovosti". Naloga vodstva je, da osvesti ljudi, ki naj zagotavljajo kakovost, da so del tima, da pa osvestijo tudi ostale funkcije, da je skrb za kakovost osnovni pogled v poslu. Zagotavljanje kakovosti torej ni ločena aktivnost, pač pa je komplementarna aktivnost prodaje, marketinga, razvoja, proizvodnje, financ. Pomemben vidik so možnosti za napredovanje osebja za zagotavljanje kakovosti. V naši firmi sta glavni direktor ene izmed branž in eden izmed direktorjev proizvodnje izšla iz dejavnosti za zagotavljanje kakovosti. Branžni direktor še danes zastopa Veliko Britanijo v mednarodnih komisijah za standardizacijo. Prepogosto je mnenje, da je vloga zagotavljanja kakovosti le sortiranje dobro - slabo. Da bi bilo uspešno, mora biti zagotavljanje kakovosti vpleteno v celoten prodajni, proizvodni in distribucijski proces. Ljudje za zagotavljanje kakovosti morajo biti polno vključeni in pooblaščeni v vodstvenem timu. Japonsko okolje Celotno ekonomsko-politično in socialno vzdušje, v katerem dela japonska industrija, je povsem različno od vzdušja v Veliki Britaniji. Zaradi visoke stopnje centralnega planiranja in vpliva finančnih institucij so zveze med dobavitelji elementov in proizvajalci naprav pogostokrat zelo tesne. Ko morajo biti zagotovljene kakovostne ravni, se to pogostokrat zgodi pri povsem določenem dobavitelju in kupec ne bo iskal alternativnega dobavitelja. Kakovost je povezana s ponosom, ponos pa na produkt in organizacijo, kar je pomemben faktor v japonski industrijski družbi. Zaradi osnovnih kulturnih razlik ni smiselno, da bi se v podrobnosti koncentrirali na to, kako Japonci dosežejo zavidljivo visoke ravni kakovosti. Uspešneje bo raziskati, kaj moramo storiti v našem okolju, da bo naša kakovost mednarodno konkurenčna. Velikokrat je omenjena odvisnost med velikoserijsko proizvodnjo in doseganjem visokih ravni kakovosti in nizkim ppm. Težiti moramo k velikim količinam, da bi laže rešili kakovostni problem - biti morajo "velike" glede na produkt in njegovo uporabo. Vi del sem, da japonski proizvajalci elementov zaposlujejo malo ljudi in imajo zelo majhne tržne deleže pri zelo visoki ravni kakovosti. Spekter proizvodov je omejen in število kupcev je majhno, toda zmožnosti 180 za doseganje ppm programa so dobre. Torej za doseganje kvalitetne proizvodnje ni pomembno število zaposlenih,ali finančni obseg nad neko minimalno ravnijo. Večina naših najuglednejših konkurentov so po kakršnikoli definiciji majhne organizacije. Zares, če velikih organizacij ne vodijo tako, da dajo lokalnim vodstvom pravi nadzor, je doseganje večjih izboljšav na področju kakovosti oteženo. Osnova japonskega doseganja kakovosti temelji na privrženosti delu in je podprta s konzultacijami in motivacijami v organizacijah dobaviteljev. Ne varčujejo z napori za skupno delo z uporabniki, da bi u-resničili njihove želje. Vsi, od prvega do zadnjega v organizaciji pa če je majhna, ali velika, imajo takšno privrženost. Kakovost v proizvodnji Dobre komunikacije so predpogoj za kakovostno proizvodnjo in te komunikacije morajo zajeti vse pomembne dele poslovanja. Izguba časa je uvajanje konzultantskih postopkov le v sektorjih za kakovost in krožki kakovosti ne morejo delovati, če ni u-streznega posvetovanja. Na drugi strani pa je relativno lahko vpeljati kakovost tam, kjer delujejo redni posvetovalni mehanizmi. Proizvodni delavci morajo razumeti, zakaj je kakovost pomembna in kateri parametri nanjo vplivajo. Nadzorno osebje, ki bi delovalo kot policaji, le redko zagotovi raven kakovosti ob ustrezni ceni. Presenetljivo je, kako pogostokrat je sistem nagrajevanja v sporu s proizvodnjo v dobri kakovosti. Že smo srečali sisteme nagrajevanja, ki te- meljijo na izvedbi določenega števila operacij na uro, neodvisno od dobrega izdelka. Sistem nagrajevanja in meritev dela morajo biti skrbno pretehtani, da bi dosegli ustrezno kakovost. Sistem bonusov in pritisk na izboljšano produktivnost ne proizvajata slabe kakovosti. Dosežeta lahko občutne napredke v kakovosti, če ju ustrezno načrtujemo. Akcije vodstva Vodstvo naj ukrepa na naslednjih področjih: popraviti mora komunikacije, da zagotovi polno razumevanje o pomembnosti kakovosti. Postaviti mora sistem analize zavrnjenih izdelkov kot bazo za akcije za izboljšanje kakovosti. Oceniti mora odvisnost med vlaganji in kakovostjo. Zagotoviti mora, da zaposleni na vseh ravneh razumejo vsak svojo vlogo za doseganje kakovosti po standardnih specifikacijah, posebnih specifikacijah kupcev in v "sistemu ppm". Tudi"ppm princip" Tudi "ppm filozofija" Trendi v kakovosti v Veliki Britaniji Trenutno opažamo široka in dramatična izboljšanja v prizadevanjih in izvajanju kakovosti britanskih 181 elementov. Večina proizvajalcev elementov je prepričana, da je kakovost življensko pomembna in pod-vzeli so resne korake za izboljšanje kakovostne konkurenčnosti svojih izdelkov. V letu 1970 smo še mnogi menili, da je BS 9000 odgovor na molitve naših kupcev in vse kar smo storili je bilo, da smo jim dovolili biti prepričani, da bi jih bilo dobro uporabljati. Sedaj vemo, da moramo mi kot proizvajalci in prodajalci elementov propagirati ta sistem. Isto velja za ppm sistem. Proizvajalci elementov morajo prepričati kupce, da bo le tesno dolgoročno sodelovanje prineslo želene rezultate. Raste zavest, da imata proizvajalec in kupec skupni interes, ki se najhitreje uresniči ob tesnem medsebojnem in odkritem sodelovanju. Prepričan sem, da smo prebili led in, da bomo priče večjih sadov privrženosti vodstev britanskih organizacij sistemu kakovosti. Igor Pompe , dipl. ing. Iskra Elementi, Ljubljana 182 MODERNE TEHNOLOGIJE POTREBUJEJO TUDI MODERNO ŠOLANE VODJE — MANAGERJE Danica Purg Nastajanje svetovne ekonomije na eni. in vse večja pozornost razvijanju ustvarjalnih kadrov znotraj delovne organizacije na drugi strani, prisiljujeta današnje manager je, da se stalno učijo in prilagajajo spremembam. V hitro spreminjajočem svetu lahko uspešno preživijo le tisti, ki so se pripravljeni ves čas učiti. Specializiranja znanja ne zadoščajo več, saj razvoj na vseh področjih zahteva multidisciplinarno usposabljanje vodilnih kadrov v gospodarstvu. V poslovnih krogih je vse več ljudi, ki se zavedajo, da za kreativno in ino-vativno cielo ni dovolj le dobro delo v poslovnem sistemu, pač pa tudi odprtost delovne organizacije v širše družbeno okolje. Nosilci razvojnih sprememb so ljudje, zato v razvitem svetu vse bolj posvečajo osrednjo pozornost mobilizaciji človeških potencialov, pridobivanju visoko usposobljenih kadrov, spremljanju in načrtovanju njihovega osebnega in poklicnega razvoja. Teamsko delo in učenje ustvarjalnosti (vse bolj poudarjajo, da se je tudi ustvarjalnosti možno naučiti) so znanja, ki jih vodilni delavci vse bolj potrebujejo. V svetu obstaja veliko managerskih šol, ki izobražujejo na različne načine, dokazujejo pa, da je vladam in vodstvom podjetij jasno, kako pomembno je stalno razvijati in usposabljati vodilni kader. Najdaljšo tradicijo ima izobraževanje in usposabljanje vodilnih de- lavcev v ZDA , kjer so razvili največ novih metod izobraževanja, delo slušateljev pa poteka tako, da imajo le malo skupinskega dela in veliko ve č individualnega študija, profesorji le nadzorujejo delo posameznika na seminarju. Evropski način študija temelji na delu majhnih skupin. Podobne metode dela razvijajo tudi šole v vzhodnoevropskih socialističnih deželah, kjer je tovrstno izobraževanje veliko bolj razvito kot v Jugoslaviji. Znano je dejstvo, da je tudi Kitajska v zadnjih letih, ko se je začela odpirati v svet , ob pomoči razvitih dežel, ustanovila devet managerskih šol. Te imajo samosvoj način dela, za katerega je značilna velika usmerjenost k praksi. Slušatelji so le štirinajst dni na seminarju, nato pa postanejo konsultantska skupina direktorju določenega podjetja. Po tem stažu se vrnejo na seminar, kjer ovrednotijo svoje delo, dobijo nekaj novih funkcionalnih znanj in odidejo še na šestmesečni staž v neko podjetje v Evropo. Način dela Centra za usposabljanje vodilnih delavcev na Brdu pri Kranju, ki letos poteka po novem programu, je kombinacija različnih pristopov, še najbolj pa je podoben evropskemu modelu, ki temelji na kombinaciji predavanj, seminarskega dela in samostojnega izobraževanja slušateljev; največji poudarek želimo dati praksi. Sodelujemo s predavatelji, ki so hkrati uspeš- ni direktorji (približno polovica naših predavateljev so ljudje iz prakse). Menimo, da mora izobraževanje kadrov, zlasti mlajših, obetavnih, ki so kandidati za vodilna delovna mesta, potekati bolj sistematično. V Centru pri tem opažamo, da je največ slušateljev seminarjev iz uspešnih delovnih organizacij in tudi njihovi direktorji so naši redni gostje. Kot kaže, uspehi povečujejo željo po znanju, po novih informacijah. Usposabljanje vodilnih delavcev po novem poteka v obliki kratkih, aktualnih seminarjev (poudarek je na izobraževanju vodilnih delavcev tistih delovnih organizacij, ki so strateško pomembne za slovensko gospodarstvo) , za; usposabljanje potencialnih kandidatov za vodilna delovna mesta pa smo pripravili temeljni sedemteden-ski seminar. Na tak seminar sprejmemo največ 25 ljudi, imeti morajo visokošolsko izobrazbo, vsaj tri, leta delovnih izkušenj in ne smejo biti starejši od 35 let. V sedmih tednih (vsak mesec teden dni) damo slušateljem vrsto znanj, ki jih bodo potrebovali pri svojem delu, predavanja potekajo tudi v angleščini in nemščini (prvi tečaj je za nemško, drugi za angleško govoreče slušatelje). Angleški tečaj se pravkar končuje, nemški pa se je začel junija. Vsak udeleženec seminarja pod vodstvom mentorja v času seminarja pripravi seminarsko nalogo, ki jo mora ob koncu zagovarjati; po uspešno opravljenem seminarju bodo slušatelji dobili diplomo o opravljenem študiju iz vodenja poslovnih procesov. Ena tretjina sodelujočih profesorjev v naših programih so znani tuji strokovnjaki. Povezali smo se namreč z najboljšimi managerskimi šolami v Evropi (International management institute v Ženevi, INSEAD v Fontaine-bleauju, Universitâtsseminar der Wirtschaft v KSlnu, 183 Institutom Hernstein na Dunaju, Državnim inštitutom za management v Budimpešti in drugimi. V teh šolah smo izvedeli tudi za njihove strokovnjake za posamezna področja iz podjetij in tako imamo vrsto seminarjev s prikazi modelov uspešnega managementa v razvitem svetu. V prihodnje nameravamo več seminarjev pripraviti tako, da bi del seminarja potekal v Jugoslaviji, del pa v eni od omenjenih šol v tujini. Tako pripravljamo že sklepni del letošnjega sedemteden-skega seminarja iz vodenja poslovnih procesov v prej omenjeni najboljši nemški managerski šoli. Tam bodo dobili predvsem tista znanja, po katerih slovi ta šola, to pa sta marketing in planiranje. Opažamo, da se kljub dejstvu, da v prenovljeni obliki obstajamo šele dobro leto dni, v nekaterih rečeh lahko merimo že z najboljšimi evropskimi šolami. Program je v celoti zelo raznolik, usmerjen v pridobivanje funkcionalnih znanj, hkrati pa temelji na široki teoretski zasnovi. Obrnjen je v sodobnost, imamo najboljše evropske predavatelje, kar nam marsikatera bogatejša šola v Evropi zavida. V programu sedemte-denskega seminarja je možno najti teme, o katerih v evropskih šolah šele govorijo, da bi jih morali vključiti, kot npr. design in njegova vloga, človek v procesu trženja, področje ekologije in varčevanja z energijo, komuniciranje (ki je v celoti zasnovano zelo originalno in naravnano v praktično rabo znanj iz govorništva, nastopanja pred kamero itd.), predavanja za vodilne delavce o zdravem načinu življenja idr. V Centru na Brdu se lahko pohvalimo tudi z organizacijo obštudijske dejavnosti; vsako jutro organiziramo rekreacijo za slušatelje, vsaj enkrat tedensko pa kak zanimiv umetniški večer (prostih večerov ni več, ker delo poteka pozno v noč ). Da bi bralci tega časopisa dobili bolj konkretno informacijo o letošnjem programu (podroben program objavljamo vsak petek v Gospodarskem vestniku), navedimo nekaj seminarjev, ki potekajo na Brdu: Finančno planiranje (dr. Claude Lewy iz Nizozemske), Organizacija lastnega dela (dr. Rosemary Stewart z Oxforda), Izvozno trženje (dr. Helmut Schütte iz Fon-tainebleuja), Kreativnost in proizvodna inovativnost (dr. Herman Hoving iz največjega nizozemskega inštituta, Globalni razvojni trendi (dr. Juan Rada,direktor Mednarodnega inštituta za management v Ženevi ), Motivacija za vodenje (dr. Lutz von Rosenstiel, profesor z univerze v Münchnu) in še veliko drugih. Od seminarjev z domačimi profesorji pa so izjemno 184 zanimivi in najbolj obiskani naslednji: Projektno vodenje (dr. Anton Hauc), Komuniciranje (Radmila Kafol s sodelavci), Industrijsko trženje (dr. Mitja Tavčar s sodelavci) in drugi. V Centru na Brdu se zavedamo, da smo šola v nastajanju in da bo potrebno še veliko dela, da bomo uresničili vse ambicije, ki jih imamo. V ta namen stalno spremljamo potrebe slušateljev in slovenskega združenega dela in s temeljito pripravo programov zagotavljamo kakovostno izobraževanje. Naša želja je, da bi sčasoma postali pravi svetovni center sloven -skim vodilnim delavcem v gospodarstvu in na vseh tistih področjih, ki so za gospodarstvo pomembna. Danica Purg Center za usposabljanje vodilnih delavcev pri GZS , Brdo pri Kranju 185 PRIKAZ DOKTORSKE DISERTACIJE »MAGNETODARLINGTONOVA KLASA SENZORA MAGNETNOG POLJA« Sfojan Risfič Na Elektronskom fakultetu u Nišu, dana 24.4.1987. go-dine, Mr. Ljubiša Ristič, vanredni profesor Elektro-tehničkog fakulteta Univerziteta Alberte u Edmontonu (Kanada), odbranio je doktorsku disertaciju pod naslovom "Magnetodarlington - nova klasa senzora mag-netnog polja". Komisija za odbranu ove disertacije bila je u sastavu: prof. dr. Dimitrije Tjapkin, prof. dr. Branimir Djordjevic, prof .dr. Ninoslav Stojadino-vic, prof. dr. Zoran Djuric i prof. dr. Stojan Ristič. Doktorska disertacija Mr. Ljubiše Rističa otkucana je na 194 strane i sadrži 58 slika (odnosno dijagra-ma i fotografija), 7 tabela, kao i citirane podatke iz 244 bibliografske jedinice. Problemi kojima je posvečena pažnja u ovoj disertaciji vezani su za poluprovodničke senzore magnet -nog polja u širem smislu, a uže, za novi tip senzora magnetnog polja nazvanog magnetodarlington. Razmatranja koja čine uvodni deo podeljena su u dva dela. U prvom delu prikazani su osnovni poj-movi vezani za senzore, sto doprinosi boljem sa-gledavanju čitave problematike, dok je drugi deo strogo posvečen senzorima magnetnog polja, pri čemu su posebno obradjeni Holova čelija, mag-netodioda MAGFET i magnetotranzistor. Pored osnovnih principa rada ovih senzora, prikazana su i različita praktična rešenja vezana za tehnologiju izrade integrisanih kola Posebna pažnja posvečena je prikazu osnovnog principa rada novog senzora magnetnog polja nazvanog magnetodarlington. Pokazana je osnovna struktura koja se sastoji od ulaznih i izlaznih tranzistor a. Izvedeni su analitički izrazi koji pokazuju da je a-psolutna osetljivost ovog senzora veča za faktor strujnog pojačanja izlaznog tranzistora u poredje-nju s a običnim magnet otr anzistor om. Uz to, poka-zano je da su moguče dve varijante ovog senzora -jedna, zasnovana na istorodnim tranzistorima, a druga, zasnovana navezi oba tipa tranzistora. Takodje, istaknuto je da je zbog dobi jene veče apso-lutne osetljivosti ovog senzora, sasvim moguča integracija otpora opterečenja na istom čipu sa tranzistorima. Diskutujuči mogučnosti izrade magnetodarlingtona standardnom tehnologijom integrisanih kola, Mr. Ljubiša Ristič je predložio pet različitih rešenja. Ova diskusija obuhvata obe važeče tehnologije, bi-polarnu i CMOS, a predložena rešenja su zasnovana na poznatim saznanjima za rad magnetotran-zistora i običnog tranzistora. Pri ovome je istaknuto da rešenja na bazi lateralnog magnetotranzi- štora imaju prednost zbog jednostavnosti izrade. TJ isto vreme, istaknuto je da je sa tačke gledišta tehnologije izrade znatno lakše izvodjenje magne-todarlingtona sa istorodnim tranzistorima. Praktično rešenje za magnetodarlington je izvedeno u CMOS tehnologiji. Pri tom je uradjen dizajn kompletno novih struktura, kako za magnetotranzistor u ulaznom stepenu, tako i za lateralni tranzistor u izlaznom stepenu. Zatim jeobavljeno detaljno i nezavisno ispitivanje oba stepena. Posebne odlike nove strukture magnetotranzistora u ulaznom stepenu je-su da je to struktura osetljiva na magnetno polje normalno na površinu čipa i da je dobijena osetljivost tog magnetotranzistora od 11,87 što spada medju največe poznate dobi.jene vrednosti. Značajan rezultat svakako predstavlja i činjenica da je po prvi put poka-zano da sekundarni parametri, kao što je napo .; "ups-trata, takodje igraju značajnu ulogu u odredjivanju relativne osetljivosti. Pokazano je, takodje, da lateralno električno polje predstavlja važnu komponentu pri odredjivanju karakteristika magnetotranzistora. Posebna odlika nove strukture za lateralni tranzistor u izlaznom stepenu jeste da je moguče povečati strujno pojačanje za skoro čitav red veličine promenom lateralnog elek-tričnog polja. Dobi jeni rezultat, predstavlja direktni doprinos za rad elementarnih poluprovodničkih struktura. Eksperimentalni rezultati za magnetodarlington u pot-punosti su pokazali teorijska predvidjanja. Pre svega, apsolutna osetljivost magnetodarlingtona je zaista veča za faktor strujnog pojačanja, u odnosu na magnetotranzistor. Zatim, magnetodarlington može generisati izlazni signal zadovoljavajuče veličine uz koriščenje izu-zetno malih vrednosti otpornosti opterečenja, što po-tvrdjuje zaključak o mogučnosti integracije istog za-jedno sa tranzistorima na istom čipu. Najzad, dobijeni rezultati su jasno pokazali da je varijanta magnetodarlingtona sa oba tipa tranzistora mnogo bolje rešenje, buduči da je disipacija u pomenutom slučaju znatno ma-nja. Na kraju, ističe se da pored istraživanja strogo vezanih za magnetodarlington, dobijeni rezultati u ovoj disertaciji su pokrenuli i neka nova pitanja koja nisu strogo vezana na senzore, i mogu biti nezavisno razmatrana. Ovde se u prvom redu misli na lateralni tranzistor u CMOS tehnologiji i dalju optimizaciju strukture u cilju dobijanja večeg strujnog pojačanja. Dr. Stojan Ristic, vanr. prof. Elektronskog fakulteta u Nišu 187 m VESTI • VESTI • VESTI • VESTI • VESTI • VESTI • VESTI • Novosti iz svijeta NOVI ELEMENTI Inženjeri u "Fairchild Semiconductor Corporation" razvili su tokom 1986. g. generaciju snažnih MOS-FET-ova. Koristeči tehnike za proizvodnju integriranih sklopova vrlo visokog stupnja integracije uspjeli su smjestiti više od 400.000 celija na 1 cm2. To je trostruko gušce u odnosu na postojece elemente, odnosno dvostruko u odnosu na one koji su istovremeno razvijani u konku-rentskim firmama, smatrajo u Fairchildu. Novi tranzistori imati ce otpor u zasicenju oko teo-retskog minimuma. U usporedbi s postojecim snažnim MOS-FET tranzistorima, ovi novi tranzistori biti ce brži, imati ce niži otpor u stanju vodjenja i nižu cije-nu. Živi bili pa vidjeli! SKLOPOVI PO NARUDŽBI Rast tržišta za ASIC Prema istraživanjima firme "Integrated Circuit Engineering" iz SAD, svjetsko tržište aplikativno specifičnih integriranih sklopova (ASIC) naraslo je u razdoblju od 1981. do 1986. godine s 675 miliona # na 3 milijarde ¡2. Do 1990. potrošnja če dostiči oko 9 milijardi % go-dišnje, a to je približno toliko koliko je 1986. g. iz-nosilo cjelokupno tržište poluvodiča u SAD. 1985 1986 1987 1988 1989 1990 "Gate arrarrays" 950 1150 1335 1690 1900 2220 "Linear arrays"* 84 120 165 215 290 350 "Standard cell" 235 490 900 1320 1900 2700 "Full custom" 854 1005 1350 1625 2000 2500 "Fuse logic" 235 330 480 635 740 875 Ukupno ASIC 2358 3095 4230 5485 6830 8645 iznosi su u ^6 si Tablica br. 1 * uključeni su i kombinirani linearno-digitalni sklo-povi Svjetsko tržište za ASIC Izvor: ICE - Corp. SVE VEČI INTERES ZA PROIZVODNJU ASIC-a Razumljivo je da porast potražnje ASIC-a pobudjuje interes proizvodjača. Mnoge velike kompanije koje su donedavno gledale sa skepsom na tržište ASIC-a sada se aktivno uključuju svojom ponudom na to tržište. Tako su u proizvodnju logičkih nizova (Gate arrays) prvo mjesto zauzele firme kao sto su "Fujitsu" , "Feranti", "Motorola", "General Electric Semiconductor", "Hitachi", "Siemens" i "Texas Instruments". U novinama i časopisima neprekidno sepojavljuju vi jesti o otvaranju novih pogona. Na primjer "Spraque Electric Company" je u 1986. započela masovnu proizvodnju ASIC-a. U Hudsonu, New Hampshire, u tu svrhu podiglu su objekt od 2700 m2 u kojemu je zaposleno 90 ljudi. Firma "Toshiba Semiconductors" proizvodi familiju CMOS logičkih nizova visokih performansi. Proizvode tri tipa nizova: - TC 156 kompleksnosti 880 do 6000 vratiju i frekvencije do 50 MHz, - TC 176 kompleksnosti 540 do 10.000 vratiju i frekvencije do 100 MHz , - TC 196 kompleksnosti 3200 do 10.000 vratiju i frekvencije do 120 MHz; Sklopovi se proizvode u 3, 2 i 1,5 yum tehnici, a brzine pojedinačnih čelija su 2,5 ns (156), 1,5 ns (176) i 1 ns (196). Toshiba takodjer nudi CMOS sklopove u tehnici standardnih čelija s kompleksnošču 10.000 do 50.000 ekvivalentnih vratiju. Biblioteka čelija je vrlo bogata. Na primjer, serija 23SC ima biblioteku koja s k rži RAM/ROM, periferijske sklopove za CPU i 2900 o-stalih makro čelija. Toshiba ima u Europi nekoliko centara za projektiranje sklopova po narudžbi (Velika Britanija, Z. Njemač= ka, Švedska, Francuska, Italija). Centri su opremljeni CA D terminalima, osobnim računalima i ostalom periferijskom opremom, a preko satelita vezani su s glavnim kompjuterom u Toshibinom projektnom centru u Kawasakiu kraj Tokia. KOMERCIJALNE VIJESTI . Administracija SAD predložila je uvodjenje takse za dobivanje izvoznih dozvola za budžetsku 1988. go~ dinu. Protiv ovoga prijedloga ostro je protestirao 188 William H. Reed, izvršni direktor "Semiconductor and Materials Institute" (SEMI), koji smatra da je to antiizvozna mjera koja ce smanjiti konkurentnost američke poluvodičke industrije na stranim tržištima. Trgovinski deficit SAD u trgovini elektroničkim pro-izvodima povečao se u 1986. godini na 13,1 milijardi dolara što je 49 % više nego godinu dana rani je. Najveci deficit ostvaren je u trgovini s Japanom, (20,4 milijarde dolara). U tablici ispod prikazano je 10 glavnih američkih eksportnih i importnih partnera u trgovini elektroničkim proizvodi ma u 1986. godini: Zemlja Uvoz iz SAD Izvoz iz SAD Japan 2.931 23.777 Kanada 4.044 2.655 V. Britanija 3.249 1.251 Z. Njemačka 2.647 1.772 Meksiko 2.017 2.827 Singapur 1.220 2.942 Koreja (južna) 1.086 3.340 Malezija 1.069 1.445 Francuska 1.609 - Holandija 1.341 - Tajvan - 3.968 Hong -kong - 1.769 (izvozi su u milijonima dolara) EVROPSKO TRŽIŠTE HIBRIDNIH SKLOPOVA Prema "Frost and Sullivan" izvještaju (E-905) evropsko tržište hibridnih sklopova, koje je 1985. go-dine iznosilo 1 milijardu dolara doseči če 1991. go- dine 4,4 milijarde dolara (godišnji rast 28 %). Tržište sklopova s površinski montiranim elementima (SMT) porasti če s 116 miliona dolara 1985. godine na 2,4 milijarde dolara 1991. godine (godišnji rast 64 %). Vijesti iz zemlje KRUŽOCI KVALITETA U našem biltenu br. 2/87 objavljeno je da če se 8. oktobra održati studijski dan CEOK 87 gdje če se raspravljati o japanskom pristupu problematici kvalitete. Koliko nam je poznato do sada se taj pristup u jugo-slavenskoj industriji proizvodi u DO Iskra Mikroelek-tronika. U mjesecu maju ove godine održano je u Iskri interno savjetovanje o dosadašnjem radu kružaka za poboljšavanje kvalitete proizvoda u DO IME. U uvod-nom dijelu savjetovanja dr. R. Ročak govorio je o definiranju problema i pristupa, a L. Kozina o metodi, programu i realizaciji koncepta cjelovitog ovlada-vanja kvalitetom. Smatrajuči temu zanimljivom čitaocima prenosimo obadva spomenuta izlaganja u cijelosti kako su objavljena u "Čip-cip" glasilu DO IME. Opredelitev problema in pristopa Pred kakimi petnajstimi leti , v dobi tranzistorjev, mi je kolega John Cox v SGS - ATESU, kot mlademu raziskovalcu dejal: "Rudi, ti misliš, da delaš tranzistorje; varaš se, tranzistorje delajo dekleta v proizvodnji." V naslednjih letih sem velikokrat lahko ugotovil, kako prav je imel John. Lahko sem ugotovil, 189 kolikokrat nekatere ideje ni bilo mogoče izvesti zaradi zavestnega ali nezavestnega odpora operaterjev. Prav tako pa sem tudi spoznal, koliko je inovacijskega potenciala v "dekletih" , koliko njihovih dobrih idej je ostalo neizkoriščenih , da ne rečem zatrtih. Kako sprostiti, kako izkoristiti notranjo pobudo delavcev? Z množično inovativno dejavnostjo? Ne! Organizacija take dejavnosti v našem okolju je skoraj nemogoča, težave priznavanja ogromne, uvajanje enako težko kot uvajanje tehnoloških sprememb, če ne še težje. Poleg odporov sodelavcev se pojavljajo še odpori tehnoloških struktur. Problem se lahko prevede na naslednje: kako doseči ustvarjalno sodelovanje delavcev med seboj, delavcev s preddelavci, oz. tehnologi? Oglas v Iskrinem časopisu o "Krožkih za izboljšanje proizvodnje" mi je vzbudil radovednost. Na tečaj za pospeševalce krožkov smo poslali trojico: Braneta Krena, Rajka Zajca in Jožeta Ivanška. Po povratku s tečaja so poročali o ideji krožkov, prinesli so prvo literaturo o tem v tovarno. Ustanovili smo dva krožka: enega v montaži CERDIP, enega pa z inženirji, tehnologi v proizvodnji rezin. Skupaj z vodjo proizvodnje rezin Iztokom Sorlijem sem se tudi osebno priključil k delu krožka "3 MIKRONI". Pod vodstvom B. Krena smo imeli nekaj sestankov, preizkusili nekatere metode dela krožkov, vendar je glede na problematiko, ki smo si jo izbrali, bilo delo prepočasno. Izkušnja z metodo pretoka misli pa je bila koristna in poučna. Krožek CERDIP je reševal konkreten primer bondanja, prišel do sklepov in rešitev. Hitro pa smo ugotovili, kje grozi krožkom nevarnost. Strokovni kadri se s predlogom niso strinjali, oz. predlogov niso realizirali. Delo krožka je pričelo zamirati. Na službenem potovanju v ZDA pa mi je prišla v roke knjiga o izkušnjah v Evropi in ZDA o japonskem pristopu h kvaliteti o "Quality circles". Dojel sem, da izboljšati proizvodnjo, uspešno uvajati inovacije, doseči sodelovanje, pomeni doseči novo stopnjo kakovosti. Kakovosti, ki je vpeta v vse dogajanje in delo v nekem podjetju. Nobene možn osti za preživetje nimajo krožki, če le-ti ne postanejo pravilo VSAKE DEJAVNOSTI, z absolutnim razumevanjem in pomočjo upravnih struktur. Sledila sta dva kratka razgovora z glavnim direktorjem M. Mekindo in z našim kolegom L. Kozino s SOZD, velikim zagovornikom ideje o japonskem pristopu h kvaliteti v našem okolju. Hitro smo se zedinili, da je potrebno pristop k uvajanju krožkov generalizirati na celotno tovarno in ga profesionalizirati. Lotar Kozina se je tega posla lotil z veseljem in veliko vnemo. Metoda, program in realizacija koncepta Metoda Celovito obvladovanje kakovosti kot sistem pomeni, da mora organizacija v smislu sprejete politike kakovosti doseči, da so kupci v daljšem časovnem obdobju zadovoljni glede kakovosti proizvodov in storitev in zaupajo dobavitelju do te mere, da kontroliranje opustijo ali le redko izvajajo. 190 Celovito obvladovanje kakovosti temelji na: - usmerjenih akcijah od zgoraj navzdol, - na sodelovanju vseh oddelkov in služb, - na aktivnem sodelovanju vseh zaposlenih; Okvir tega programa pomeni sprejeta politika kakovosti in njena realizacija v posameznih sektorjih, službah in oddelkih. Program Sprejeti program dela je temeljil predvsem na aktivnostih znotraj Mikroelektronike, ob zunanji pomoči in usmerjanju. Program je imel dve glavni težišči, ki naj bi ustvaril osnovo za nadaljnje delo: a. sprejemanje in realizacija politike kakovosti Mikroelektronike, najprej splošne za vso Mikro-elektroniko in potem priprava koncepta za vse sektorje in službe. b. uvajanje krožkov za izboljšanje proizvodnje kot osnovne oblike za motiviranje čim večjega števila delavcev Mikroelektronike in njihovega dejanskega aktivnega sodelovanja za izboljšanje kakovosti proizvodov in storitev. Kot nosilec s strani Mikroelektronike je bil postavljen dr. Rudi Ročak. Realizacija programa Za realizacijo programa smo pripravili ter-minski plan, ki je posamezne aktivnosti določal po mesecih in tednih. Hkrati je določal tudi obseg in dinamiko zunanjega sodelovanja. Realizacija koncepta je vedno temeljila na načelu, da nosilec 191 projekta pripravi koncept, po potrebi organizira izobraževanje in svetuje pri realizaciji, za samo realizacijo posameznih aktivnosti pa poskrbijo delavci Mikroelektro-nike. S tem v zvezi so bile izvedene naslednje aktivnosti: - predstavitev CEOKA vodstvu DO in animacija za sistematično delo pri prenašanju dosežkov od drugod, - formiranje skupin za izvajanje politike kakovosti, animiranje pospeševalcev in vodij krožkov in zagotovitev osnov za delovanje krožkov, - priprava skript in izvedba seminarjev za pospeševalce (lx) in vodje krožkov (2x), - uvajanje in občasno spremljanje delovanja krožkov, - priprava in sprejemanje politike kakovosti ter njeno realizacijo v posameznih sektorjih in službah, - organizacija posvetovanja o delovanju krožkov. Ker je delo potekalo pod dokaj ugodnimi pogoji: - vodstvo DO se je aktivno angažiralo, - vodje in pospeševalci so v večini primerov sprejeli metodo in jo tudi realizirali, - Mikroelektronika je sestavljena povečini iz mladih ljudi, ki so se bili pripravljeni vključevati, zato je bilo mogoče, ob normalnih motnjah kot so angažiranost v lastnem delovnem področju, službena odsotnost , posamezne naloge uspesno končati vec ali manj v roku, ali z največ enomesečno zamudo. Zaradi odsotnosti posameznikov in razširitve delovanja krožkov bi bilo potrebno seminar za vodje v skrajšani obliki še enkrat, torej tretjič ponoviti in pospešiti delovanje krožkov predvsem v tistih oddelkih in službah, ki se doslej niso vključili. Nalogo v celoti pa štejem kot zaključeno in je dala rezultate, ki so v nekaterih primerih večji od pričakovanih in dokaj ugodni za tako kratek cas. Uredil: M. Turina Priznanja Društva MIDEM Na 6. redni seji Sekretariata MIDEM, dne 21.01.1987 je bil sprejet predlog, da se dodeli priznanje za aktivno delo naslednjim članom društva: Jožetu Furlanu, Mioslavu Goji, Nadi Gošovič, Borisu Na-vinšku, Aleksi Neškoviču, Momčilu M. Rističu, Stanislavu Šolarju in Ninoslavu Stojadinoviču. Navedeni predlogi so bili na 2. redni seji IO MIDEM, dne 12.01.1987, potrjeni in sprejeti. Boris Navinšek, Momčilo M. Ristič in Stanislav Šolar bodo priznanja prejeli ob posvetovanju SD-87, vsi ostali pa so prejeli priznanja že na MIEL-u 87. Poleg tega so za dolgoletno moralno in materialno podporo našemu društvu bile predložene za podelitev priznanj naslednje ustanove: Elektronski fakultet Niš Elektrotehnički fakultet Zagreb Fakulteta za elektrotehniko Ljubljana Inštitut Jožef Štefan Pavle Tepina 192 STROKOVNI POTOVANJI Kakor že vedno do sedaj - več let nazaj - je naše društvo poverilo organizacijo strokovnih ekskurzij našemu sponzorju - INEX potovalna agencija. Program strokovnih ekskurzij v Muenchen in Pariz je naslednji: MUENCHEN PRODUKTRONICA 11.11.87 Odhod iz Ljubljane ob 07. zjutraj izpred Vo-šnjakove (Terminal AA) 14. Potovanje skozi ljubeljski predor v smeri Beljaka, nato skozi predor Katschberg, mimo Salzburga v Muenchen. Namestitev v hotelu, nočitev. 2. dan Muenchen - zajtrk, nočitev 12.11.87 Ves dan namenjen ogledu sejma 13.11.87 Muenchen - zajtrk, nočitev Ves dan namenjen ogledu sejma 4. dan Muenchen - zajtrk 14.11.87 Dopoldne prosto, ob 12. povratek proti domu: vožnja mimo Salzburga, skozi predor Katschberg , mimo Beljaka in Ljubelja v Ljubljano. CENA POTOVANJA je po osebi: 237.000.- V CENO JE VRAČUNANO: - avtobusni prevozi na celotni relaciji - gostinske storitve (3 nočitve + zajtrk v središču Muenchna - dvodnevna vstopnica za ogled sejma - predor Katschberg - cestnine - stroški organizacije in vodstva potovanja OPOMBA : Cena je prirejena na dan, dne 21.8.1987, po sedaj veljavnih cenah in sedaj veljavnem deviznem tečaju. V kolikor bi v tej zvezi prišlo do kakršnihkoli sprememb, se temu ustrezno spremeni cena potovanja. PARIZ SALON DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES 16.11. Zbor na letališču PLESO/Zagreb ob 10. Odhod letala ob 11 h 25 na liniji 242 v Pariz. Prihod v Pariz (Orly) - po opravljenih carinskih formalnostih transfer do hotela, namestitev, nočitev . 17.11. PARIZ (zajtrk, nočitev) Ves dan namenjen ogledu sejma. 18.11. PARIZ (zajtrk, nočitev) Ves dan namenjen ogledu sejma. 19.11. PARIZ (zajtrk) Do odhoda prosto. Ob 10 h 30 transfer na letališče Orly, odkoder poleti letalo AF/704 v smeri proti Zagrebu. Prihod na letališče Pleso/Zagreb 14 h 20 popoldne. CENA POTOVANJA PO OSEBI: 345.600.- V ceni je vračunano: letalski prevoz Zagreb-Pariz-Za-greb. Gostinske storitve na bazi prenočišče+zajtrk, transfer iz in na letališče v Parizu, vstopnice za metro (10 kom), vodstvo potovanja ter stroški in organizacija. 193 Dvodnevna vstopnica za ogled sejma N I vračunana v ceno (cca 100 FF in jo bo možno plačati v dinarjih). OB PRIJAVI PREDLOŽITI: - obvezno 1 fotografijo - formular za francosko vizo - francoska viza stane din 8.500.- - potne liste oddati 10 dni pred potovanjem zaradi vizi-ranja. OPOMBA : Cena je prirejena na dan, dne 21.8.1987 po sedaj veljavnih cenah in sedaj veljavnem deviznem tečaju. V kolikor bi v tej zadevi prišlo do kakršnihkoli sprememb, se temu ustrezno spremeni tudi cena potovanja. Želeli bi vas opozoriti, da bi za strokovno ekskurzijo v Muenchen organizirali avtobus z odhodom iz Zagreba, v kolikor bi se prijavilo dovolj interesentov s področja Hrvatske, Bosne in Hercegovine in ev. Srbije. Najmanjše število je 45 udeležencev. Za realizacijo te variante bi nam zelo pomagali, če bi nam vašo udeležbo (z navedenih področij) najavili vsaj do 10. oktobra 1.1. Pavle Tepina interexport ljubuana telefon: 312 995, 327 947,322 581 telex 31279 yu inexta SYSTEMS '87 MUENCHEN ODHOD: 19. oktober 1987 ob 7. iz Ljubljane Titov* 25 POVRATEK: 21. oktober 1987 ob 13. iz Muenchna AVTOBUSNO POTOVANJE - 3 dni CENA POTOVANJA JE: 163.000.- din (najmanj 40 oseb) ^ tozd INEX potovalna agencija travel agency POSLOVALNICA LJUBUANA 61000 LJUBUANA Titova 25 V CENI JE VRAČUNANO: - avtobusni prevoz - gostinske storitve po programu (2 prenočišči z zajtrkom v hotelu B - kat., dvoposteljne sobe TWC) - 1 vstopnica za sejem - stroški organizacije in vodstva potovanja PRIJAVE: do 21. septembra 1987 CENA IZRAČUNANA NA DAN: 22.08.1987 194 interexport uubljana db tozd INEX ^ potovalna agencija travel agency poslovalnica ljubljana 61000 ljubljana Titova 25 telefon: 312 995,327 947,322 581 telex 31279 yu inexta PRODUCTRONIKA - Muenchen Katschberg, mimo Beljaka in Ljubelja v Ljubljano. STROKOVNO DRUŠTVO - za MIKROELEKTRONIKO, ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE in MATERIALE - MIDEM CENA POTOVANJA je po osebi: 237.000.- Ljubljana, prireja v organizaciji INEX POTOVALNE AGEN- V ceno je vračunano: - avtobusni prevoz na celotni relaciji CIJE Ljubljana 4 - dnevno ekskurzijo v Muenchen. - gostinske storitve (3 nočitve PROGRAM POTOVANJA: zajtrk v središču Muenchna 11.11.87 Odhod iz Ljubljane ob 07. uri zjutraj izpred - dvodnevna vstopnica za ogled Vošnjakove (Terminal AA) 14. Potovanje skozi sejma ljubeljski predor v smeri Beljaka, nato skozi - predor Katschberg predor Katschberg, mimo Salzburga v Muenchen. - cestnine Namestitev v hotelu, nočitev. - stroški organizacije in vodstva potovanja. 12.11.87 Muenchen - zajtrk, nočitev OPOMBA : Ves dan namenjen ogledu sejma Cena je prirejena na dan, dne 21.8.1987 po se- 13.11.87 Muenchen - zajtrk, nočitev. daj veljavnih cenah in sedaj veljavnem deviznem Ves dan namenjen ogledu sejma. tečaju. V kolikor bi v tej zvezi prišlo do kakršnihkoli sprememb, se temu ustrezno spremeni cena 14.11.87 Muenchen - zajtrk potovanja. Dopoldne prosto, ob 12. uri povratek pro- PROGRAMI BODO NA VOLJO od 15.09. dalje ti domu: vožnja mimo Salzburga, skozi predor v poslovalnici Inex Ljubljana. NOVO VODS TVO ETAN Dne 13. junija 1987 je bila na Bledu seja Predsed- generalni sekretar: dipl. ing. Marko B. Marinkovič stva Jugoslovanske zveze za ETAN, na kateri so med člani sekretariata: drugim izvolili predsednika in njegovega namestnika Jovan Pavlovič Dragan Uskokovič ter imenovali novega generalnega sekretarja in se- Petar Pravica Milivoj Jelačič kretariat : Tibor Varadi Paja Ciner Aleksandar Marinčič Ahmed Mandžič predsednik ETAN: prof. dr. Georgi M. Dimirovski Vojislav Arandjelovič Pavle Tepina namestnik: dipl. ing. Dušan Hristovič Milic Stojič Kosta Cilimarov 195 interexport ljub l j a n a telefon: 312 995, 327 947, 322 581 telex 31279 yu Inexia ELEKTRONIKA - PARIZ STROKOVNO DRUŠTVO - za MIKROELEKTRONIKO, ELEKTRONSKE SESTAVNE DELE in MATERIALE - M I D E M, prireja v organizaciji INEX PA LJUBLJANA - 4 - dnevno ekskurzijo v PARIZ PROGRAM POTOVANJA: tozdINEX 1. DAN Zbor na letališču PLESO/Zagreb ob 10.00. Odhod letala ob 16.11. 11 h 25 na liniji 242 v Pariz. Prihod v Pariz (Orly) - po opravljenih carinskih formalnostih transfer do hotela, namestitev, nočitev. 2. DAN PARIZ (zajtrk, nočitev) 17.11. Ves dan namenjen ogledu sejma. 3. DAN PARIZ (zajtrk, nočitev) 18.11. Ves dan namenjen ogledu sejma. 4. DAN PARIZ (zajtrk) 19.11. Do odhoda prosto. Ob 10 h 30 uri transfer na letališče Orly, odkoder poleti letalo AF/704 v smeri proti Zagrebu. Prihod na letališče Pleso/Zagreb 14 h 20 uri popoldne. potovalna agencija travel agency POSLOVALNICA LJUBLJANA 61000 LJUBLJANA Titova 25 CENA POTOVANJA JE PO OSEBI: 345.600.-V ceni je vračunano: letalski prevoz Zagreb-Pariz-Zagreb. Gostinske storitve na bazi prenočišče + zajtrk; transfer iz in na letališče v Parizu, vstopnice za metro (10 kom), vodstvo potovanja ter stroški in organizacija; Dvodnevna vstopnica za ogled sejma NI vračunana v ceno (cca 100 FF in jo bo možno plačati v dinarjih). OB PRIJAVI PREDLOŽITI - obvezno 1 fotografijo - formular za francosko vizo - francoska viza stane din 8.500 - potne liste oddati 10 dni pred potovanjem radi viziranja. OPOMBA: Cena je prirejena na dan, dne 21.8.1987 po sedaj veljavnih cenah in sedaj veljavnem deviznem tečaju. V kolikor bi v tej zadevi prišlo do kakršnihkoli sprememb, se temu ustrezno spremeni tudi cena ! Vse informacije na telefon: 061 (327-953 - F Štiglic) NOVI ČLANI DRUŠTVA MIDEM Boris Bastijanič Rade Končar ETI Milivoj Boltužic Rade Končar ETI Dimitrije Čajkovski Prirodno matematički fakultet Stjepan Črne Rade Končar ETI D juro Koruga Centar za molekul, mašine Ratimir Kuzma Ciguj Iskra Mikroelektronika Greta Prajdič Viktor Sunde Ana Svajger Tomislav Švedek Emilija Tkalčec Bruno Žak Rade Končar ETI Rade Končar ETI Iskra CEO Rade Končar OOUR ETI Tehnološki fak. sveučilišta Rade Končar ETI 196 • ODMEVI • ODMEVE • ODMEVI • Hybrid Circuits No. ¡2 January ¡987 Conferences Jugoslav Symposium on Electronic Component Development and Materials SD-86, September 10-12, 1986 The venue chosen for this important annual event was Otocek ob Krki, a holiday village in the province of Slovenia half way between Ljubljana and Zagreb. Here, apart from camping and sporting facilities are two hotels, the former originally the Castle dating from the 13th century, and the second chosen to host (his event, the Hotel Garni. There were about 100 attendees mainly from Jugoslavia with guest speakers from Czechoslovakia, Hungary and the UK. The Conference consisted of a relatively small number of spoken presentations but, with 60 poster papers which, due to their close proximity to each other and the bar, caused much lively discussion. The last half day consisted of a discussion forum on Surface Mounting under the control of Franc Jan who also played an important part in organising the event. The conference and lively social evening were sponsored by ISKRA and, in particular, the Hipot facility located at nearby Senternej where Franc Baznik who gave the opening address is managing director. A great many of the papers emanated from the many parts of ISKRA or from the Institut Josef Stefan with whom the company has close links, but other institutes and universities were also well represented. To the visitor from outside Jugoslavia this was a very worthwhile opportunity to appreciate some of the background within which this rerun's ;f!d'jstr> uorks. For example, (he outsider does not realise just how departmentalised the country is, with its very independent provinces and even languages—the conference instructions were in two. There is much research activity and interest in Thin Film technology which so far does not seem to have resulted in a representative amount of production. Interest in much of the physics on the fringe of Microelectronics is very evident and conversation can easily drift into some of the less researched areas. Due to language problems it is impossible to give an accurate report on a:! that was presented during these two and a half days and to give authors' names and addresses would be an impossible task. However, for interest some titles and abstract summaries are given which can be followed up through Hybrid Circuits if need be. This was a happy and informative event and hopefully there will be a chance to meet presenters and visitors from this country at ISHM-Europe 1987 Brian Waterfield Recent Developments of Optoelectronic Components Some receni developments in the field of organic non H.icar optic materials and light sources including some new liquid crystal technologies capable of producing flat computer monitors. Microstructural Effects of Interdiffusion in Thin Film Components A description of the peculiarities of interdiffusion in thin films and Tficrostructura! mod/:ca!ion< in diffusion zones of thin-film couples. The changes are reiaied ¡0 intemetalhc compound formation and to diffusion-induced stresses. Microstructural ChwracUTi.slies of l'Jectroceramics A brief review of currently ava.lablc methods for microstructural characterisation of ceiamic materials, with several examples being given where the magnetic or electrical properties are influenced by porosity, grain size or grain boundaries. Corrosion Problems of Electronic Components Corrosion problems of components, materials and technologies are classified with respect to specific operating conditions. Atmospheric •:orrcsion of metal coatings in various regions of Jugoslavia with different c';:maie< .nsistigaied a* well as the tarnish mechanism of silver and silver aiîONS when used ¿s .ontact materials Dependence of Plasms Silicon Dioxide Deposition Rates on the Thickness of Underlying Electrically Insulating Thermal Oxide insulating films can reduce deposition rates by approximately 25% if both wafers facing each other in susceptor assembly are insulated from it, and approximately !597o if only one is insulated. The Influence of Cleaning Method on the Electrical Stability of Hybrid Circuits The influence of flux residues was tested and the stability of contaminated circuits obtained by accelerated humidity testing compared with circuits cleancd before encapsulation by standard procedures. Auger electronic spectroscopy was used for determining the flux residue. "Buried Resistors" Under Multilayer Dieferttiet Thick film resistors were fabricated under multilayer dielectric layers. The multilayer diclectric materials were based on a mixture of glass and ceramic and crystailisable glass and ceramic. Due to reaction between the resistor and dielectric material during the firing, deviation from nominal sheet resistivity, and increase in TCR values appeared, but results seemed to be reproducible and indicated a possible use of resistors produced in this way. Problems of Electrical Parameters for Contacting Resistance Films A comparison of contacting parameters with three types of resistance films: thin NiCr films on glass substrates, carbon films on plastic substrates, and thick cermct films on A12Oj ceramic substrates. Results of the contact resistance and rotational noise and its dependence on roughness and quality of contacting surfaces and contact pressure were measured, as were indirect and direct mechanisms for making contact. The influence of surface contamination on contact resistance was studied using AES analysis. It was found that the results of photoetched metal foil contact rather than the wire brush were better than 0-2Vo Rn. The Application of TGS Semiconductor Gas Sensor for the Detection of AcetyJenc Results of experiments on sensor behaviour in acetylene were given after a brief review on the physical mechanisms of gas detection and the resistance response to different combustible gases. The permanent influence of acetylene on sensor resistance and its sensitivity were commented upon. The Influence of Overload and Humidity on the Reliance of Different Types of Protected Thick Film Resistors A report on changes found in the resistance of overglazed and organic protected thick film resistors after short time overload and humidity tests. TiN and ZrN Diffusion Barriers in Microelectronics Thin films of titanium and zirconium nitride were reactive sputter deposited in a plasma beam apparatus to provide diffusion barriers. Optimal deposition parameters for stoichiometric compounds were determined as well as the deposition rate, sheet resistivity and the microstructure of deposited films. Vapour Phase Soldering A presentation of the use of vapour phase in attaching SMD components together with some laboratory experience and comparisons with infra-red refiow soldering. Electrical Properties of RF Sputtered NiCr Thin Film Resistors With Cu Contacts Copper contacts evaporated through metal masks were a low cost replacement for expensive contact materials such as gold or palladium normally used for thin film resistor determination. The thermal stabilisation of resistors in inert N2 atmosphere at 320°C was investigated, copper having a considerable tendency to oxidise in air at higher temperatures. As well as the usual clectrical property measurements, contact resistance of the NiCr-Cu contact was also studied using a simple bridge balance technique. The Development of Ferriie Materials for Power Applications A number of ferriie materials for power supplies was studied and suitable magnetic properties were achieved by a number of selective compositions using Mn Zn Fe O and with some improvements in the process. The Influence of Copper Foil Roughness on its Peel Strength with Glass/Epoxy Laminate Three types of copper foil were studied with different matt side roughness and, for each type of copper foil, peel strengths were given both on new material and for material previously subjected to thermal shock. The Improvement of Magnetic Properties of Anisotropic Sr-Ferrites The complete technological procedure of these materials was analysed with the effects of raw materials and calcining, milling, pressing in a magnetic field and firing were examined. By optimising the process, far better magnetic properties have been reached at the pilot production stage. 1987 IEEE MTT-S International Microwave Symposium The above event will be held at the MOM Grand Hotel, Las Vegas, Nevada, on 9-11 June 1987, Papers on topics relating to microwave theory and technology will be presented by specialists in this field. Those interested in obtaining further details should contact Robert Week, US Army, LABCOM, ETD Lab., SLCET-MH-W, Fori Monmouth, NJ07703-S000. 197 PRIPOMBA H TERMINOLOŠKEMU STANDARDU V glasilu Informacije MIDEM se je pričela hvale vredna akcija za oblikovanje strokovne terminologije. Tako je bil v št. 2/87 objavljen prvi del jugoslovanskega standarda, ki določa izraze in definicije za digitalno elektroniko. Kakor je akcija društva v tej smeri pohvalna, pa nikakor ne gre prezreti sila nespretnega poslovenjenja pojma, splošno poznanega s kratico (C)MOS (2.20) in vseh izvedenk iz MOS. V standardu je namreč kratica MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) poslovenjena kot KOVINSKOOKSIDNI POLPREVODNIK. Takoj se postavi vprašanje ali to ne pomeni nekaj povsem drugega kot angleški izraz. Vsak srednješolsko izobražen Slovenec s posluhom za materin jezik bo namreč pod pojmom ko-vinskooksidni polprevodnik razumel snov, kovinski oksid (inO, SnO...), s polprevodniškimi lastnostmi. Kratica MOS pa nasprotno shematično označuje trisloj-no strukturo kovina-oksid-polprevodnik, pri čemer je pri današnjem stanju tehnologije polprevodnik običajno Si, medtem ko je oksid, ali bolje rečeno dielektrik, ki ločuje kovino in polprevodnik Si02. Vidimo torej, da v strukturi ne nastopa nikjer kovinski oksid. Če že po vsej sili torej hočemo posloveniti pojem MOS, kar pa sploh ni potrebno, kot vidimo iz analogije za besede RADAR, LASER, pri katerih tudi nihče več ne sprašuje za pomen posamezne črke v kratičnici, je poprej potrebno vsaj osnovno poznavanje materinega jezika, saj lahko nepravilno slovenjenje privede do hudih nevšečnosti. Naprimer, kako bi pa imenovali hipotetično strukturo MOS na polprevodnem kovinskem oksidu namesto na siliciju? Menda ja ne kovinskooksidni polprevodnik na ko-vinskooksidnem polprevodniku. Naj dodam še nekaj, kar me muči že nekaj let, in to je terminologija, kakršna se pojavlja v naših časopisih in revijah (Delo, ŽIT...). V bolj ali manj poljudnih člankih se vse prepogosto govori naprimer o silikonskih oblatih, namesto o silicijevih rezinah. Seveda pride do tega z mehaničnim slovenjenjem, WAFER-OBLAT in nepoznavanjem slovenske kemijske terminologije, ko se SI(LICON) prevede, namesto v silicij, v SILIKON, kar pa je označba za posebno vrsto plastičnih materialov, ki jo v posebni obliki poznajo predvsem ženske s pomanjkljivimi oblinami. Podobno se zadnje čase zasledi tudi za besedo galijev arsenit, namesto arsenid. Majhna razlika v črki pa pomeni veliko razliko v pomenu, saj pomeni arzenit sol arzenaste kisline, ki ni nikakršen polprevodnik in uspe s takšnim substratom izdelati uporaben izdelek le "strokovnjakom" v DELOVI prilogi, namenjeni prikazu znanosti in tehnologije. Zato predlagam, da društvo začne akcijo širše, da bodo učinki popolnejši, nenavsezadnje pa lahko k akciji pritegne tudi jezikovno razsodišče in ne samo terminološko komisijo. M. Maček Iskra Mikroelektronika V2 3 4 .......................-......,..............1 3 i 2.51 • MOS sa lebdečim gejtom i lavinskom injekci-jom ® MOS s plivajučim zasunom i lavinskom injek- cijom ® MOS co neSaeMKM rejT u ziaBHHCKO HHjeKTupa- H*e, FAMOS-crpyxTypa ® kovinskooksidni polprevodnik s plavojočimi vrati in plazovnim injiciranjem FAMOS ® floating-gate, avalanche--injection, metal-oxide--semiconductor MOS struktura, ki ima zakrita vnta brez zunanjega priključka ali pr ima poleg zakritih vrat tudi navadna vrata z zunanjim pri'e, I2 L-norn-Ka • integrirana injekcijska logika !2 L ® integrated-injeetion logic Izvedba digitalnih vezij, pri katerih je celotno vezje za izvajanje logičnih funkcij izdelano iz transistorjev s posebnim — injekcijskim napajanjem Odlikujeta ga velika paketna gostota in majhna disip?-cijn. Uporablja se za izdelavo digitalnih vezij z integracijo visoke stopnje. 1 2 3 2.60 2.51 5.62 2.63 • izooianarna integrisana injekcijska logika • i^cpianarna integrirana injekcijska logika » M3ornč Hapwa nornKa co MHjeKU.MOHO nanojy-aa.-w:, I3 L-norni niskorazinska logika » nornKa co hmckm HUBoa, LLL-nornKa » nukoaivojska iogika LLL • low level logic Modificirana izvedba digitalnih vezij, katere karakterizirajo majhne spremembe logičnih napetostnih nivojev. Taka vezja imajo nizko mejo motenj. 2.67 2.68 ® CMOS sa lokalnom oksidacijom ® ČMOS s lokalnom okr,idacijom • KOMnneweHTapcH CMOS co JioKanHa OKCufla-,, UKja, CMOS co noKanna OKcuaanvija ® komplementarni kovinskooksidni polprevodnik z lokalnim oksidiranjem LOCMOS • local oxidation complementary mctal-oxide-semiconduc-tor Modificirana CMOS tehnologija, pri kateri so izvedene lokalne oksida-cije z namenom, da se zmanjša površina tabletke in razsipanih kapa-citivnosti, s čimer se poveča paketna gostota in hitrost delovanja. Uporablja se pri izdelavi vezij z integracijo srednje in visoke stopnje. ® lokalna oksidacija silicijuma • lokalna oksidacija silicija © noKanna oxcuAauuja na cvinuuviyM ® lokalno oksidiranje silicija LOCOS ® local oxidation of silicon Bipolarna tehnologija, pri kateri se doseže izolacija z lokalnim oksidiranjem silicija po vsej epitaksijski plasti, kar prispeva k povečanju hitrosti delovanja transistorjev. Uporablja se pri logiki vezij l2 L. Iskra Iskra Avtomatika - avtomatizacijo železniškega prometa - avtomatizacija cestnega prometa - avtomatizacija, daljinsko vodenje in telekomunikacije v energetiki - najava požara in zaščita dostopa - avtomatizacija industrijskih procesov - avtomatizacija in mehanizacija varjenja - krmiljenje obdelovalnih strojev - usmerniški in napajalni sistemi ter naprave - elementi avtomatizacije Iskra Iskra Industrija za avtomatiko 61000 Ljubljana, Stegne 15b Stegne 15b. tel.061 572 331, tele* 31301 yu ¡skesa Kotnikova 6. tel.061312 322, telex 31168 yu iskbs-ra: Iskra mikroe ektroniko POLITIKA KAKOVOSTI ISKRA - MIKROELEKTRONIKA ZA VSAK PROIZVOD ALI STORITEV SE ZAVEZUJEMO, DA BOMO IZPOLNJEVALI ZAHTEVE, KI REŠUJEJO PROBLEME IN ZAHTEVE NAROČNIKOV. Te zahteve bomo izpolnjevali brez izjem, v kolikor nam bodo to dovoljevale razvojne možnosti in tehnološka oprema. PRI VSAKEM OPRAVILU SE BOMO POTRUDILI, DA GA BOMO DOBRO OPRAVILI ŽE PRVIČ. RAVEN KAKOVOSTI Programi zagotavljajo kakovost v IME in s tem posredno morajo tudi vsi v Mikroelektroniki narejeni proizvodi ustrezati mednarodnim zahtevam po MIL STD 883 C. Na tržišče pošiljamo le preizkušene izdelke. Ti izdelki morajo ustrezati tudi tržno sprejemljivi kakovosti, ki jo postavljajo kupci izraženi v FIT ali ppm, pri čemer je maksimalni povprečni FIT 500. Posamezne konkretne Ciljne vrednosti določajo sporazumno Iskra Mikroelektronika in naročniki. OBVLADOVANJE KAKOVOSTI je osnovno določilo tržne politike Mikroelektronike. KAKOVOST-CENA-ROK DOBAVE so osnovni parametri dolgoročne poslovne usmerjenosti. Vse službe sprejemajo v okviru teh načel svoje podrobne programe za obvladovanje kakovosti. Podrobnosti obvladovanja in zagotavljanja kakovosti so zbrane v posebni publikaciji, ki je namenjena poslovnim partnerjem. OMEJITVE Proizvod ali storitev, ki ne odgovarja postavljenim zahtevam, ne sme zapustiti tovarne, če to ni s kupcem posebej in pisno dogovorjeno in označeno na izdelku. VODIKOV PEROKSID H202 30 ut % Kvaliteta: Vsebnost trdnih delcev: SEMI STANDARD C1.STD.9 Razred 0-2 Datum Številka proizvodnje: šarže: Rok uporabe: 6 mesecev Neto: 1 kg BELTRON je brezbarvna tekočina brez vonja. Nevarnost požara pri stiku z gorljivimi snovmi. Povzroča opekline/izjede. Hraniti na hladnem. Polite dele telesa takoj spirajte z veliko količino vode. Pri delu nositi primerno zaščitno obleko in zaščitna očala/ščitnik. NAČIN iN POGOJI SKLADIŠČENJA: Beltron skladiščite v temnih, zračnih, ognjevarnih In hladnih prostorih v originalni embalaži proizvajalca. SPECIFIKACIJA: barva (APHA): 10 max. vsebnost H202: 30,0—32,0 ut % vsebnost prostih kislin: 0,6 ¿¿eq/g max. ostanek po uparevanju: 20 ppm max. vsebnost klorida (CI): 2 ppm max. vsebnost sulfata (S04): 5 ppm max. vsebnost fosfata (P04): 2 ppm max. vsebnost težkih kovin (kot Pb): 0,5 ppm max vsebnost arzena in antimona (kot As): 0,01 ppm max. vsebnost aluminija (Al): I ppm max. vsebnost barija (Ba): 1 ppm max. vsebnost bora (B): 0,05 ppm max. vsebnost kadmija (Cd): 1 ppm max. vsebnost kalcija (Ca): 1 ppm max. vsebnost kroma (Cr): 0,5 ppm max. vsebnost kobalta (Co): 0,5 ppm max. vsebnost bakra (Cu): 0,1 ppm max. vsebnost galija (Ga): 0,5 ppm max. vsebnost germanija (Ge): 1 ppm max. vsebnost zlata (Au): 0,5 ppm max. vsebnost železa (Fe): 0,5 ppm max. vsebnost litija (Li): 1 ppm max. vsebnost magnezija (Mg): 1 ppm max. vsebnost mangana (Mn): 1 ppm max. vsebnost nikla (Ni): 0,1 ppm max. vsebnost kalija (K): 1 ppm max. vsebnost silicija (Si): 1 ppm max. vsebnost srebra (Ag): 0,5 ppm max. vsebnost natrija (Na): 1 ppm max. vsebnost stroncija (Sr): 1 ppm max. vsebnost kositra (Sn): 1 ppm max. vsebnost cinka (Zn): 1 ppm max. STRUP - OTROV belinka tozd per kemija, ljubljana Navodila avtorjem Upute autorima Publikacija »Informacije MIDEM« je zainteresirana za prispevke domačih in inozemskih avtorjev — še posebej članov MIDEM — s področja mikro-elektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki jih lahko razvrstimo v naslednje kategorije: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, pregledni strokovni članki, mnenja in komentarji, strokovne novosti, članki