2 1986 LJUBLJANA, JUNIJ-JUN 1986, LETNIK-GODINA 16, STEVILKA-BROJ 38 INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelek-troniko, elektronske sestavne dele in materiale Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelek-troniku, elektronske sastavne delove i materijale Glavni, odgovorni in tehnični urednik Glavni, odgovorni i tehničkl urednik Alojzij Keber, dipl. ing. Uredniški odbor. Redakcioni odbor Člani 'izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Tajnik-sekretar Podpredsednik Podpredsednik Predsednik Tajnik-sekretar Podpredsednik Mag Milan Slokan, dipl. ing. Miroslav Turina, dipl. ing. Mag Stanko Šolar, dipl. ing. Dr Rudi Ročak, dipl. ing. Pavle Tepina, dipl. ing. Mr Vlada Arandelovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Mr Mladen Arbanas, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl. ing. — Iskra-Polprevodniki, Trbovlje Mr Željko Butkovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasmlnka Čupurdija, dipl. ing. — Rade Končar-ETI, Zagreb Mr Miroslav Damjanovič, dipl. ing. — VTI, Beograd Prof dr Tomislav Dekov, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. — Mipro, Rijeka Prof dr Jože Furlan, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr Miroslav Gojo, dipl. ing. — RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Jan, dipl. ing. — Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr Slavoljub Jovanovič, dipl. ing. — Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof dr Drago Kolar, dipl. ing. — Institut Jožef Štefan, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl. ing. — Rudi Čajavec, Banja Luka Mag Milan Mekinda, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Mr Vladimir Pantovič, dipl. ing. — Ei-IRI, Zemun Ljutica Pešič, dipl. ing. — Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl. ing. — Iskra IEZE, Ljubljana Dr Rudi Ročak, dipl. ing. — Iskra-Mikroelektronika, Ljubljana Dr Alenka Rožaj-Brvar, dipl. ing. — Iskra-Center za elektrooptiko, Ljubljana Pavle Tepina, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Dimitrije Tjapkin, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof dr Lojze Trontelj, dipl. ing. — Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mag Stanko Šolar, dipl. ing. — Iskra-Avtoelektrika, Nova Gorica Mag Milan Slokan, dipl. ing. — Ljubljana Prof dr Ninoslav Stojadinovič, dipl. ing. —■ Elektronski fakultet, Niš Prof dr Sedat Širbegovič, dipl. ing. — Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Mr Srebrenka Ursič, dipl. ing.— Rade Končar-ETI, Zagreb Naslov uredništva Uredništvo Informacije MIDEM Adresa redakcije Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 LJUBLJANA telefon (061) 316-886, (061) 329-955 Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brez- Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM bes-plačno platno Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS številka 4210-56/79 z dne 2. 2. 1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Tipkanje besedila: Metka Vidmar Tisk: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisk ovojnice: Kočevski tisk, Kočevje Naklada: 1000 izvodov Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2. 2. 1979 publikacija je oslobodena pla-čanja poreza na promet. Prepis teksta: Metka Vidmar Tisak: Partizanska knjiga, Ljubljana Tisak omota: Kočevski tisk, Kočevje Tiraž: 1000 komada VSEBINA - S A D R 2 A J INFORMACIJA JE KOMUNIKACIJA Alojzij Keber POTREBNO J'E DA SE ŠIRE - NA JUGOSLOVENSKOM NIVOU OBEZBEDI DONOŠENJE ZAJEDNIČKIH 1 STRAŽI VAČ KI H I RAZVOJNIH PROGRAMA U OBLASTI ELEKTRONIKE 53 Miroslav Gojo XIV JUGOSLAVENSKO SAVJETOVANJE O MIKROELEKTRONICI MIEL 86 58 Pavle Tepina LETNA SKUPŠČINA SSESD IN IZREDNA SKUPŠČINA DRUŠTVA MIDEM 60 Dimitrije Tjapkin PREGLED RADA KOMISIJE SD NA XXX KONFERENC I JI ETAN-a 61 Mihajlo Filiferovič IZ VESTA J O MIPRO 86 61 Milan Slokan PODELITEV KIDRIČEVE NAGRADE ZA ŽIVLJENJSKO DELO PROF DR EVGENU KANSKEMU 68 Stanko Šolar ŠESTDESETOGODIŠNJICA NAŠIH DUGOGODIŠNJIH AKTIVNIH Č1.ANOVA 70 STATUT STRUČNOG DRUŠTVA ZA MIKROELEKTRONIKU, ELEKTRONIČKE SASTAVNE DIJELOVE I MATERI JALE 71 Miroslav Turina INTERVJU S PREDS JEDNI KO M ZAJEDNICE ZA MEDJUSOBNU PLAtfSKU I POSLOVNU SURADNJU PROIZVODJAČA POLUVODIČKIH ELEMENATA 77 Ninoslav Stojadinovič IZVEŠTAJ O REZULTATI MA ZNANSTVENOISTRAŽI VAČKOG RADA U OBLASTI TEHNOLOŠKIH PROCESA IZRADE I FIZIČKE ELEKTRONIKE MOS LSI INTEGRISANIH KOLA ZA PERIOD 1981. - 1985. GODI NE 79 Borut Lenardič REGULACIJA INDUKTIVNOSTI PRI FERITNIH JEDRIH 86 Mirko Prosenc VPLIV RADIOAKTIVNEGA SEVANJA NA POLPREVODNIŠKO P-N STRUKTURO 91 Stanko Šolar MINIATURNI ODJEMNIK TLAKA IN NJEGOVA TEMPERATURNA KOMPENZACIJA 94 Ki m Gauen NAČRTOVANJE VEZIJ S TMOS MOČNOSTNIMI MOSFET TRANZISTORJI 97 Varužan Kevorkijan, Milan Slokan, Ratko Krčmar ZAKLJUČCI OKRUGLOG STOLA "RAZVOJ I PROIZVODNJA DOMAČIH MATERIJALA ZA ELEKTRONIKU" 106 Miroslav Kovačič PROBLEMATIKA MATERI JALA U ELEKTRONSKOJ INDUSTRIJI 108 Bojan Tot MIKROPROVODNICI 109 Miroslav Turina INFORMACIJE IZ SVIJETA I ZEMLJE 111 Štefan Dolhar POZIV ZA SODELOVANJE NA I. JUGOSLOVANSKEM POSVETOVANJU O DOMAČI OPREMI ZA PROIZVODNJO ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV IN ZA MIKROELEKTRONIKO i14 Strokovne informacije o proizvodih s področja elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike in materialov - DEBELOP LASTNA UPOROVNA VEZJA Z DVOSTRANSKIMI (DIL) PRIKLJUČKI 115 - - NOVOSTI SA TRŽIŠTA TRI MERA I MREŽA 116 - NOVI CMOS D/A KONVERTORI 117 - TELEVIZIJSKI SPREJEMNIKI V ZNAMENJU VLSI TEHNIKE 118 INFORMACIJA JE KOMUNIKACIJA Na naslovni strani neke pravkar izdane revije sem pred dnevi v knjižnici že od daleč zapazil gornji, z mastnimi črkami natiskan naslov. Čeprav danes vsi in na vseh nivojih pogosto govorimo o takšnih in drugačnih informacijah, o njihovem zbiranju, obdelovanju in ukrepanju na osnovi zbranih podatkov, vendarle ugotavljamo, da vse prevečkrat prihaja do napačnih strokovnih in poslovnih odločitev ravno zaradi pomanjkljivih informacij. Ljudje potem običajno komentirajo, kako ta ali oni delavec, tehnik, inženir, komercialist in direktor nimajo ustreznega znanja. V to, ali imajo znanje ali ga nimajo, se ne bi spuščal. Upam pa si trditi na osnovi številnih razgovorov s strokovnjaki širom naše domovine, da le ti največkrat nimajo ustreznih informacij. Če na primer inženir uporabnik iz Ljubljane ne ve, da se določen elektronski element proizvaja prav v Ljubljani, kako naj ve, kaj se dogaja in proizvaja v sosednjih,bratskih republikah? Ravno na področju mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov za elektroniko, kjer je tehnološki razvoj najhitrejši, se bi morale z največjo možno hitrostjo pretakati tudi informacije. Gradimo nove komunikacijske sisteme vseh mogočih zvrsti, trdimo, da se želimo vključevati v mednarodne projekte, želimo biti prisotni povsod, kjer se dogaja kaj pomembnega, cesto pa pozabljamo, da bi ljudi naučili najbolj preprostih osnov učinkovitega in kvalitetnega posrednega in neposrednega komuniciranja. Kako zelo hudo, močno težko je včasih prepričati našega člana, sicer strokovnjaka, da bi napisal kaj o tem, kaj dela, o svojih uspehih in neuspehih, problemih, predvidevanjih, predlogih in načrtih. Ali ne zna pisati? To ne verjamem, ker sicer ne bi končal dolgega šolanja. Ali je preveč zaposlen? Tudi to gotovo ni razlog. Ali se ne čuti dovolj sposobnega? Ni verjeti, ker je sicer dokaj bister in samozavesten. Skoraj gotovo tiči za tem nekaj drugega. Ta strokovnjak, za katerega vemo, da je sposoben, je toliko bister, da se zaveda, da za to svoje delo ni stimuliran. Dokler v organizacijah združenega dela ne bodo spoznali, da se bo njihov delavec pravzaprav najbolj temeljito poglobil v celovito obravnavo problema šele takrat, ko ga bo moral nekomu predstaviti v pisani obliki in ga za to delo tudi stimulirali, do takrat bo pretok informacij med našimi člani in vso strokovno publiko na področju elektronike v Jugoslaviji pač zavisel od ozkega kroga zanesenjakov, ki pa zmorejo narediti le toliko, kot lahko prečitate v pričujoči številki Informacije MIDEM. Pa brez zamere in lep pozdrav! Urednik 53 POTREBNO JE DA SE SIRE - NA JUGOSLOVENSKOM NIVOU OBE2BEDI DONOŠENJE ZAJEDNlCKIH ISTRA2IVAČKIH I RAZVOJNIH PROGRAMA U OBLASTI ELEKTRONIKE Alojzij Keber Gornji naslov je nekoliko dolg , ali pa je videti predolg zato, ker tako ali tako že lep čas poznamo njegovo deklarativno vsebino, ki je sestavni del številnih strokovnih razgovorov, sestankov in javnih nastopov na posvetovanjih, konferencah in ostalih manifestacijah strokovnjakov iz krogov elektronike v Jugoslaviji. Pa vendar smo mnenja, da je potrebno ponovno izdvojiti to misel iz izrečenih ocen, pohval, kritik, predvidevanj in predlogov, ki so jih govorniki posredovali strokovni publiki ob priliki otvoritve 14. jugoslovanskega posvetovanja o mikroelektroniki 14.5.1986 v Beogradu. Menimo, da je prav, da imajo naši člani priliko prečitati tudi nekaj o tem , kako gledajo na mikroelek-troniko, elektronske sestavne dele in materiale oziroma celotno elektroniko v Jugoslaviji tisti, ki imajo možnosti, da sodelujejo pri oblikovanju njene strategije. Oceno, ali so pri izvajanju sklepov svojega gledanja in strokovnih načrtov močni ali nemočni, prepuščam bralcem. V imenu Izvršnega sveta Skupščine SR Srbije je navzoče pozdravil Dr. DUŠAN JOVANOVIČ: "Dozvolite da u ime Izvršnog veča Skupštine SR Srbije pozdravim sve učesnike XIV jugoslovenskog savetovanja o mikroelekt.ronici i da zaželim što uspešniji rad ovom zna-čajnom naučnom skupu. Nema sumnje da če trodnevno savetovanje o mikroelektro-nici izazvati značajnu pažnju stručne i naučne javnosti naše zemlje i šire. Sama činjenica da če na ovom savetova-nju biti podneto 111 radova, od čega više radova stranih autora, govori o vrlo visokom renomeu ovog skupa, interesu naučnih i stručnih radnika da svojim prisustvom f svojim radovima i učeščem u diskusiji po njima daju što potpuniji doprinos rasvetljavanju mnogih pitanja koja se danas postavljaju u vezi sa daljim razvojem mikroelektro-nike. Sadržaj savetovanja je tako postavljen da može dati* odgovore na mnoga pitanja u vezi sa razvojem mikroelektroni-ke koja se danas objektivno postavljaju. Na to posebno u-kazuje činjenica da če na ovom savetovanju biti podneti radovi iz različitih tematskih oblasti razvoja mikroelek-tronike i njene pri mene. Pored radova o dosadašnjoj aktivnosti i dostignučfma u razvoju mikroelektronfke u Jugo- slaviji, od posebnog su značaja radovi koji se bave dosti-gnučima u ovoj oblasti u svetu i stepenom i pravcima da-ljih istraživanja i razvoja u narednom periodu. Svi učesni ci savetovanja biče nesumnjivo u mogučnosti da se detalj-nije upoznaju sa dosadašnjim naporima i rezultatima rada od poslednjeg jugoslovenskog savetovanja do danas, na čemu su značajno radili brojni zainteresovan! subjekti nauč-no-istraživačke organizacije, fakulteti, proizvodne i drug organizacije. Posebna je vrednost ovog savetovanja što če biti u prilici da sasluša više desetina radova iz pojedinih tematskih o-blasti razvoja mikroelektronike. U okviru toga značajno je napomenuti da če, pored monolitnih integralnih i hibrid nih integralnih kola, ove godine prvi put na savetovanju biti predmet razmatranja dve nove oblasti: Poluprovodnička optoelektronika na kojoj se več intenzivno radi desetak go-dina u Jugoslaviji i nova futurološka oblast - molekularna elektronika u kojoj praktičan rad tek predstoji. Nema sumnje da je današnje savetovanje dobro došlo, posebno što je na početku novog planskog perioda, kada je neophodno da se potpunije razsvetle 1 razrade pravci razvoja mikroelektronike u okviru celokupnog razvoja elektronike u Jugoslaviji. Imajuči u vidu razvoj elektronike za buduči privredni razvoj u celini, u SR Srbiji u okviru rada na strategiji te-hnološkog razvoja zemlje, posebno se radilo na pripremi strategije razvoja elektronike do 2000. godine. Ova strategija je rezultat zajedničkog rada večeg broja stručnjaka iz naučnih instituta, fakulteta i organizacija udruženog rada čija je osnovna privredna delatnost elektronika. Dozvolite, da u vezi sa ovim skrenem vašu pažnju na neka značajna pitanja iz ovog domena. Prvo, razvoj elektronike u našoj zemlji u odnosu na raz-vijene zemlje, pa i u odnosu na neke istočno-evropske zemlje, u evidentnom jo zaostajanju. Drugo, elektronika predstavlja najdinamičniju oblast razvoja u narednom periodu njen razvoj predstavlja u naučno-tehničkom smislu najprogresivniju industriju sa najširim implikacijama na društveno-ekonomski razvoj svake zem- 54 Ije. Shvatajuči veliki značaj dinamičnog razvoja elektronike na ukupni razvoj, največi deo razvijenih zemalja je celovito razradio dugoročnu politiku u ovoj oblasti. U SAD i Japanu, kao vodečim zemljama u ovoj oblasti se, na primer, ulažu velika sredstva, u čemu velikim delom učest-vuju i državne institucije, vrši se velika koncentracija na-učnih i stručnih kadrova na programima u oblasti elektronike. ¿emlje evropske zajednice takodje vrlo organizovano rade na sustizanju SAD i Japana u ovoj oblasti koncentraci-jom naučnih potencijala i zajedničkim finansiranjem ključnih objekata, objedinjenim na primer, kao što je poznato u okviru projekta Eureka. Takvu logiku slede i zemlje članice SEV-a što je nedavno potvrdjeno donošenjem zajedničkog kornpleksnog naučno-' istraživačkog programa do 2000. goaine, u kome je oblast elektronike dobila prioritetno mesto. Očigledno je, dakle, da iz svih ovih razloga ne možemo ostati po strani, na periferiji tehnoloških zbivanja u ovoj oblasti, jer bi to značilo naše višestruku nazadovanje sa ogromnim ekonomskim posledicama. Razvoj elektronske industrije če nesumnjivo imati veliki uticaj na prestruktuiranje u celini, i to ne samo u oblasti proizvodnje elektronskih komponenata, računara, elektronskih proizvoda široke potrošnje, nego i u mnogobroj-nim industrijskim granama, kao što su, na primer, vaz-duhoplovna i automobilska industrija, mašinogradnja, he-mijska industrija, rudarstvo, elektroprivreda, i u mnogim društvenim delatnostima itd. Drugim rečima, naša izvozno orijentisana privreda nači če se pred periodom u pogledu daljeg rasta izvoza, gde če svaki važniji industrijski proizvod zahtevati takav sistem proizvodnje koji se neče moči odvijati bez koriščenja elektronike, a samim tim i obezbedjenja odgovaraju-čeg mesta u konkurenciji sa proizvodima iz drugih zemalja, dobijenih na najsavremenijim tehničko-tehnološkim osnovama. U uslovima ubrzanog naučno-tehnološkog razvoja, u kojem se upravo nalazimo, dalje zaostajanje u o-blasti elektronike učinilo bi našu zemlju u celini trajno in-teriornom i sa krupnim posledicama. U strategiji se posebno naglašava da smo došli do granice ispod koje se ni po koju cenu ne može ič{ jer bi to značilo gubljenje razvojnih šansi u oblasti elektronike, i to na dužu stažu. Ocenjuje se, da je narednih pet godina odlučujuči period za tak- ve razvojne zahvate, koji če ozbiljnije promeniti stanje u ovoj oblasti. Pri odmeravanju osnovnih strateških opredeljenja imalo se u vidu postoječe stanje u oblasti razvoja elektronike, i njeno izuzetno mesto i značaj u budučem razvoju u svet-skim razmerama i u okviru jugoslovenskog privrednog razvoja. Osnovna opredeljenja treba da budu u funkciji po-dizanja proizvodnih snaga na viši stepen, što bi se postig-lo ubrzanim razvojem osnovnih oblasti elektronike: mlkro-elektronike, računarske tehnike, telekomunikacija, industrijske elektronike i elektronike široke potrošnje. Drugim rečima, osnovno težište je na zaustavljanju i smanjivanju zaostajanja u razvoju elektronike u odnosu na razvijene zemlje, kako bi se postiglo ubrzanim razvojem ove oblasti narednih desetak godina. Prema tome, smanjivanje tehnološke zavisnosti i zaostajanja za razvijenim zemljama predstavlja glavni cilj dugoročne razvojne strategije elektronike. Razume se, ovakav razvoj pretpostavlja maksimalno oslanjanje na sopstvene snage svuda gde je to mo-guče i racionalno, kao i na selektivan uvoz strane tehnologije i na njeno dalje unapredjivanje, ali u skladu sa je-dinstvenom strategijom tehnološkog razvoja zemlje. U strategiji se posebno naglašava brži razvoj novih proizvoda, zasnovanih pre svega na maksimalnom koriščenju sop-stvenih naučnih i istraživačko-razvojnih potencijala, povečanjem izvoza proizvoda, usluga i znanja, razvoj doma-čeg tržišta u oblasti elektronike itd. Razvoj elektronike u narednom periodu, prema ovoj strategiji, treba pre svega da dodje do izražaja u medjuzavis-nim oblastima elektronike, kao što su mikroelektronika i elektronski sastavni delovi, računarska tehnika, telekomunikacije industrijska elektronika i elektronika široke potrošnje. U sklopu razvoja elektronike u celini posebno mesto ima mikroelektronika, kao baza razvoja elektronike u celini. Razvojem mikroelektronike obezbediče se najkritičniji tehnološki osnov za razvoj elektronike u celini, razvijače se segment industrije koji če biti u stanju da na dugoročnoj osnovi obezbedi znatan deo proizvodnje za izvoz uključuju-či izvoz i na najkonkurentnija tržišta. U razvoju ovog segmenta elektronike polazi se od kriterijuma koji uvažava-ju visok nivo tehnologije, svetske standarde kvaliteta, proizvode velikih serija itd. U razvoju elektronike u narednom periodu, nesumnjivo če period do 1990. godíne biti odlučujuci, rekao bih, kritfčki period za sudbinu elektronike u celoj zemlji, posebno u našoj Republicf. Ocito je da če tehnološki razvoj u svetu biti još brži i spektakularniji, kako u oblasti elektronike tako i u mnogim drugim oblastima, a naročito u onima koje se oslanjaju na elektroniku. U proteklom periodu pokazalo se kao tačno da su industrije koje su se orijentisale na visoke tehnologije, postigle brži porast proizvodnje produktivnosti, i izvoza, a samim tim i prestruktuiranje proizvoda i uklapanje u savremenu medjunarodnu podelu rada. Te činjenice nesumnjivo da po-stavljaju pred sve nas brojne izvoze koje moramo usmeriti u pravcima koji če obezbediti da se bitno menja sadaš-nje u ovoj oblasti. Zbog toga se realno nameče pitanje korenite izmene filozofije razvoja u ovoj oblasti, koja stav-Ija ovu delatnost u najprioritetnije oblasti razvoja, u ko-joj treba koncentrisati istraživačko-razvojni rad na ključnim zajedničkim programima i usmeriti značajna sredstva društvene reprodukcije. U strategiji razvoja elektronike bliže je sagledan moguči razvoj u periodu 1986-1990. godine. Ciljevi toga razvoja su bliže definisani u svim segmentjma razvoja elektronike. To je učinjeno u Društvenom planu za pomenuti period, kao i u Društvenom dogovoru o razvoju elektronike za isti period. U njemu su detaljnije razradjeni ciljevi i zada-ci razvoja kao i uslovi koje treba obezbediti da se oni os-tvare. Nesumnjivo da če dinamični razvoj koji se predvi-dja za ovaj period (stopa rasta proizvodnje treba da bude oko 12 % a izvoz oko 15 %) treba da bude prva stepenica u ostvarivanju dugoročnog cilja - smanjivanja tehnološkog zaostajanja u odnosu na razvijene zemlje i stvaranje uslo-va za još dinamični ji razvoj u narednoj etapi razvoja. Metí juti m, više nego ikada do sada moraju da budu stvoreni pravi uslovi za takav razvoj. Pri tome mislim na nekoliko osnovnih celina tih uslova, bez kojih objektivno neče biti učinjen odlučujuci korak u razvoju. 1. Potrebno je da se šire - na jugoslovenskom nivou obez-bedi donošenje zajedničkih istraživačkih i razvojnih programa u oblasti elektronike. U strategiji tehnološkog razvoja zemlje več su naznačeni takvi programi u oblasti mi-kroelektronike, telekomunikacije, računarskoj tehnici i robotike. Na usaglašavanju programa u mikroelektronici mnogo je učinjeno. Potrebno je da se okončaju poslovi u vezi sa konkretizacijom ovih programa u drugim oblicima elektronike, pre svega, kada je reč o njihovim učesnici- ma i nosiocima i njihovim pravima i obavezama u njihovoj realizaciji. U sklopu razrade tih programa nameče se pitanje podele rada i specijalizacije, kao i koncentracija na-učno-stručnih potencijala na ključnim razvojnim pitanji™ ma. Značajno je da se aktivno pripreme i uključe naučne institucije, radne organizacije, fakulteti i druge zaintere-sovane institucije u ovom izuzetno važnom poslu. 2. Od posebnog je značaja materijalna podrška naučno-is-traživačkim i proizvodnim programima razvoja u oblasti elektronike. Za realizaciju ovih programa za narednih 5 godina potrebna su vrlo velika ulaganja za rekonstrukciju postoječih i Izgradnju novih kapaciteta i za istraživački na-učno-istraživački rad. Izuzetno značajnu ulogu u tome treba da Imaju organizacije koje se bave proizvodnjom ili koriste proizvod elektronike, pre svega veliki tehnički i drugi sistem kao što su PTT, JNA, elektroprivreda, JRT, JŽ, SDK, banke i drugi. Medjutim, treba posebno nagla-siti da potpuno naglašavanje strateških ciljeva razvoja u ovoj oblasti neče biti moguče bez pune pravne društvene; podrške programima naučno-istraživačkog razvoja rada i programima razvoja. Ta podrška morala bi se ostvariti usmeravanjem sredstava, prikupljenim za nauku kao i sredstva prikupljenih putem udruživanja za pojedine razvojne namene u skladu sa opredeljenjima iz Društvenog plana, uključujuči pri tome i razne druge sistemske olak-šice (poreske, carinske, kreditne i druge olakšice). 3. Bitan uslov za realizaciju strateških opredeljenja u oblasti elektronike odnosi se na iznalaženje povoljnijih oblika organizovanja udruženog rada i naučno-lstraživačkih organizacija, njihova veča povezanost i integrisanost u zemlji u celini. Rascepkanost i usitnjenost, odsustvo za-jedničkog rada zasnovanog na podeli rada i specijalizaciji kako u naučno-istraživačkom radu tako i u oblasti proizvodnje, ne mogu da budu nikakva garancija za bilo kakav pomak u elektronici u narednom periodu. Zato ovo pitanje više no ikad zahteva svestranu razradu, u skladu sa strateškim opredeljenjima o razvoju elektronike. 4. U svim dosadašnjim konstatacijama naglašeno je da je u zemlji koncentrisan značajan naučno-stručni kadrovski potencijal i da je spreman da prihvata značajne razvojne zadatke u oblasti elektronike. To je očigledno nesporno, aH je takva konstatacija nedovoljna garancija za korenitu promenu stanja u oblasti razvoja elektronike u narednom razvojnom periodu. I u strategiji tehnoloških razvoja izuzetno se naglašava da je za krupne razvojne 56 zahvate u elektronfci za narednih pet godina neophodno u-činiti i odlučujuči korak u obezbedjenju novih kadrova, kao i osposobljavanje odnosno specijalizaciju i dalje usa-vršavanje postoječih kadrova u institutima, na fakulteti-ma i u proizvodnim organizacijama udruženog rada. Biče, stoga, neophodno da se na fakultetima i u institutima u narednih pet godina stvore potrebni uslovi, kako bi se obez-bedio kadrovski potencfjal koji bf mogao da nastavlja i preuzima dalji razvoj elektronike u našim uslovima. Ova opredeljenja se u narednom periodu moraju ubrzano razraditi, kako ovo pitanje ne bi na duži rok bio ograniča-vajučf faktor dinamičnog razvoja elektronike, i pored jasnih opredeljenja u ovoj oblasti. U osvrtu koji sam učinio povodom razmatranja strategije razvoja elektronike do 2000 godine ukazao sam samo na neka pitanja iz ove oblasti. Postoji potreba za širim razmatranjem mnogih, pre sve-ga, tehničko-tehnoloških pitanja u ovoj oblasti. O tome če posebno biti reči tokom savetovanja. Nadam se da če i ovogodišnje jugoslovensko savetovanje dati poseban doprinos daljem razvoju elektronike, posebno mikroelektronike u narednom periodu. Na kraju dozvolite da još jednom pozdravim sve učesnike ovog savetovanja i zaželim da rad ovog skupa bude što us-pešniji." Sledil je pozdrav pokrovitelja posvetovanja, predsednika Poslovodnega odbora SOUR Ei in člana Predsedništva SR Srbije LJUBI ŠE IGIČA, dipl. ing.: "Ovo je četrnaesti put da se vrhunski stručnjaci naše i strane mikroelektronike sastaju, izmenjuju iskustva i me-djusobno se upoznaju sa rezultatima rada, u jednoj izvan-redno značajnoj i važnoj oblasti elektronike, u mikroelek-tronic i. Čast mi je što mogu da vas pozdravim , i da vam poželim uspeh u radu savetovanja. Činim to sa posebnim zadovoljstvom u svoje ime, u ime Elektronske industrije i drugih organizacija koje su preuzele pokroviteljstvo nad ovim naučnim skupom, i finansijski, stručno i moralno ga po-mogle. Tu pored Elektronske industrije, pre svega, mislim na Srpsku akademiju nauka,"Lolu Ribara", Institut "Pupin", Institut za hemiju, tehnologiju i metalurgiju, Elektrotehnički fakultet iz Beograda i druge. Pozdravljam predstavnike federacije, F;epublike Srbije i Beograda i zahvaljujem na podršci koja se generalno pru-ža razvoju elektronike, a posebno rastu i programskoj di~ versifikaciji mikroelektronike. Ta podrška i finansijska pomoč su za sve nas pouzdan dokaz da pošteno i dobro ra-dimo jedan društveno značajan i tehnički opravdan posao. Razvijamo i snažimo oblast koja predstavlja najznačajniju komponentu razvoja elektronike, njen temelj i njenu dušu. Posebno pozdravljam Jugoslovenski savez za ETAN, pio-nira razvoja naše elektronike i prvog vesnika nove ere -ere elektronike i u našoj zemlji. Takodje mi. je prijatna dužnost da pozdravim Stručnu sekciju za elektronske sa-stavne delove, mikroelektroniku i specijalne materijale pri ETAN-u, nosioca razvoja baznih tehnologija i proizvodnje komponenti u elektronici i velikog borca za naučnote-hničku i proizvodnu saradnju u našoj zemlji i sa inostra-nim partnerima. Izuzetno i toplo pozdravljam predstavnike naše armije, našeg velikog poslovnog partnera i kupca, ali i aktivnog učesnika u donošenju naših planova i programa razvoja, i značajnog faktora u procesu proizvodnog objedinjavanja i integracije naše elektronike i posebno mikroelektronike. Drago mi je što su ovde predstavnici PTT, Elektroprivre-de, železnice, banaka i spoljne trgovine. Sve su to naši veliki i značajni partneri. Zahvaljujem im što su ovde, a posebno im zahvaljujem na razumevanju za naš rad i za strpljivost sa kojom primaju i uspehe i neuspehe domače elektronike. Zahvaljujem im i. na stručnoj pomoči u reša-vanju zajedničkih, njihovih i naših problema i zadataka. Pohvaljujem ekipe koje su organizovale ovo savetovanje. Imam utisak da je to dobro i korektno uradjeno i da je još jednom prikazano tradicionalno gostoprimstvo i otvorenost našeg grada i naše zemlje. Stranim gostima i učesnicima savetovanja želim prijatan boravak u Beogradu i u Jugoslaviji i zahvaljujem im na pomoči kroz učestvovanje na savetovanju, i na spremnosti da zajedno sa našim stručnjacima pomognu razvoj i rast tako značajne oblasti kakva je mikroelektronika. Savetovanje o mikroelektronici, iako je več postalo tradicija, održava se u vreme kada se kod nas u zemlji poklanja posebna pažnja razvoju elektronike. 57 Stotinak referata i priloga koji su podneti na savetovanju ubedljivo govore da se u mikroelektronici dost.a radi u Jugoslaviji i da ima dobrih rezultata. Korisno je da se sve više uspostavlja i medjunarodna naučna saradnja. Petna-estak stranih referata su značajan doprinos kvalitetu sa-vetovanja. Mene posebno raduje da medju stranim autori-raa ima naših stručnjaka, koji su se afirmisali u inostran-stvu i došli da nam pomognu svojim prilozima. Obuhvaceno je dosta oblasti. Ima najviše radova koji ob-radjuju pitanja i probleme materijala i tehnologije u mikroelektronici. Dugoročno gledano to je svakako najvažni-ja oblast rada za čije rezultate smo posebno zainteresova-ni. Značajno je da se sve više prijavijuju radovi iz oblasti projektovanja integrisanih kola, projektovanja i tehnologije hibridnih kola i senzore fizičkih, električnih i magnet-skih veličina, kao i prvi radovi vezani za optoelektroniku i molekularnu elektroniku. Ove dve poslednje oblasti najavi juju i naše pripreme za ulazak u elektroniku 21. veka. To je veoma, veoma blizu i inora se ozboljno pripremati i kadrovski i po opremljenosti. Te oblasti unose još jednu revoluciju u naša shvatanja o razvoju elektronike i o kre-tanjima savremene mikroelektronike. Mislim da naše škole, posebno naši fakulteti treba ovo da imaju u vidu kod pravljenja svojih nastavnih i naučnih programa a i kod definisanja broja studenata po pojedinim oblastima. Mi več danas osečamo ozbiljan nedostatak mladih elektro-ničara i multidisciplinarno odgojenih stručnjaka koji mo-gu cla pokrivaju nove naučnoistraživačke i proizvodne oblasti savremene elektroniko. Svi mi danas živimo i radimo u vremenu čija je osnovna karakteristika veoma brz i dinamičan tehnološki razvoj. Taj žestoki tempo tehnološkog razvoja je največim delom uslovljen dometima i rezultatima koje pruža elektronika. Danas se nivo razvijenosti nacionalnih ekonomija meri i vrednuje nivoom razvijenosti elektronike i veličinom i značajem njenog prodora u druge grane i oblasti čovekove delatnosti. Izuzetno visoka godišnja stopa rasta vrednosti proizvodnje u elektronici je učinila da je elektronika, danas najve-ča i najznačajnija proizvodna oblast u najrazvijenijim zemljama. Ostavila je za sobom automobilsku industriju, čelik, a poslednjih par godina i naročito u periodu 85/86 i posleclnjeg takmaca, industriju nafte. Mikroelektronika u našoj zemlji ima dugu tradiciju. Glavni centri su Beograd, Zagreb, Ljubljana i Niš. Mislim na centre u razvojnom i proizvoclnom pogledu. Armija je dosta uključena u podelu programa i podelu rada u mikroe- lektronici i pomogla je da ima znatno manje programskih preklapanja nego u drugim oblastima elektronike. Karakteristika dosadašnjeg razvoja mikroelektronike je bila vezanost za programe široke potrošnje. Proizvodnja je pretežno obuhvatala diskretne i integrisane komponente za primenu u proizvodnji radio i TV aparata, i niza drugih članova iz te familije proizvoda. Očigledno je da današnja filozofija razvoja gleda na ovo, imajuči u vidu brz razvoj profesionalne elektronike. Današnja mikroelektronika je, i sve više treba da bude, proizvodnja integrisanih kola, srednjeg, visokog i vrlo viso-kog stepena integracije. Čip otpornici i mreže, čip kon-denzatori i čip induktivnost, hibridna kola i drugi elementi za površinsku montažu, uz odgovarajuču tehnologiju, su budučnost današnje mikroelektronike. Optoelektronika i njeni elementi unose nova shvatanja u telekomunikacije i prenos signala, u vojnu elektroniku i medicinsku opremu. U svetu se smatra da neposredno predstoji prodor optoelektronike u komutacije i u račun-sku tehnologiju. Slična revolucija se, nešto kasnije, oče-kuje i od bioelektronike. U zemlji su ogromna ulaganja u opremu, kadar i znanje vezane za mikroelektroniku. To je izuzetno značajna oblast rada i moramo se truditi da sredstva koja ulažemo optimiziramo, po osnovnom kriterijumu, dobiti što više novih proizvoda i doneti maksimalnu korist privredi, za ista u-ložena sredstva. Ovo nas tera da i dalje radimo na dogo-vornoj osnovi, da više nego do sada sedamo za zajednički sto i razgovaramo o podeli programa, podeli proizvodnje, zajedničkom razvoju i boljem koriščenju opreme, kao i o specijalizaciji. To rade mnogo veče i mnogo bogatije zemlje. Za njih je to imperativ razvoja, a mislim da treba da bude i za nas u Jugoslaviji. Još jednom vam želim da ovo Savetovanje uspe i da bude korisno za sve nas, a naročito za dalji razvoj elektronske industrije Jugoslavije." V imenu organizatorja posvetovanja Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale je prisotne pozdravil še njegov predsednik Dr RUDI RO~ ČAK, BEDRUDIN TROKIČ, dipl.ing. pa jih je povabil v i-menu lokalnega organizatorja MIEL 87, da se drugo leto prav tako polnoštevilno udeležijo posvetovanja v Banja Luki. Za objavo pripravil: Alojzij Keber, dipl.ing. M I DE M Titova 50, 61000 LJUBLJANA 58 XIV. JUGOSLAVENSKO SAVJETOVANJE O MIKROELEKTRONICI MIEL '86 Miroslav Gojo XIV jugoslavensko savjetovanje o mikroelektronici MIEL održano je u Beogradu, od 14. do 16. svibnja 1986. godine. To naše tradicionalno Savjetovanje okupilo je oko 130 sudi-onika iz Jugoslavije i inozemstva. Na Savjetovanju je bilo predstavljeno oko 80 referata iz Jugoslavije i inozemstva, te pet uvodnih predavanja. EI RO Istraživačko-razvojni institut "BETA" Institut "Mihajlo Pupin" a svojom materijalnom pomoči kao sponzori bili su: EI OOUR Fabrika Pupin EI OOUR Fabrika VF uredjaja EI OOUR Fabrika Avala Otvaranje MIEL '86 u hotelu Jugoslavija (Koto: A. Reber) Proces internacionalizacije MIEL-a kao da je malo izgubio dah, naime, ove godine smo imali manji broj inozemnih sudionika nego prošlih godina. Uprkos poslanim referati-ma, dobar dio autora iz zemalja istočne Evrope nije sudje-lovao u radu Savjetovanja. EI OOUR Fabrika ferita EI OZT VF keramika Gevgelija Institut za primenjenu fiziku Institut HTMI Republička zajednica za nauku SR Srbije Predsjedništvo otvaranja MIEL '86 (Foto: A. Reber) Glavni organizator Savjetovanja bio je, kao i obično, Stružno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne di-jelove i materijale, MIDEM. Lokalna organizacija bila je povjerena: Zahvaljujuci njihovoj materijalnoj pomoči bilo je omoguče-no i održavanje XIV MIEL-a. Lokalni organizacijski odbor koji je uspješno organizirao 59 nesmetano odvijanje Savjetovanja sa svim popratnim manifestacijama sačinjavali su: V. Pantovič - predsjednik Lj. Pešič - potpredsjednik A. Nešič, R. Cirič, Z. Djuric, A. Neškovič, D. Tjapkin, L. Lukič - članovi Recenziju svih prispjelih radova napravio je Recenzijski odbor u sastavu: D. Tjapkin, Z. Djuric, V. Cvekič, N. Gošovič, A. Nešič, S. Rundič, Dj. Koruga, D. Uskokovič, M. Tomič, N. Stojadinovič, F. Runovc, S. Ursič i R. Kr-čmar. F.L. Carter, Clallengers of Molecular Electronics No medjutim, zadnja dva predavanja otkazana su u posljed-nji tren, buduči da su autori obolili. Umjesto prof. F.L. Cartera uvodno predavanje o molekularnoj elektronici odr-žao je Dj. Korugc a tema samog predavanja pobudila je veliki interes najviše zbog nepoznavanja problematike. Ostali radovi bili su svrstani u sekcije prema svom sadr-žaju i tematici ko ju su obradjivali. Te sekcije su bile: Izložba elektronskih sastavnih delova (Foto: A. Keber) i materiala na MIEL '86 Zbornik radova za tisak su pripremili P. Tepina i M. Go-jo. Takodjer moram naglasiti da je ovogodišnji Zbornik radova izašao u tri knjige, najviše zahvaljujuči kasno poslanim referatima. Za ovogodišnje Savjetovanje bile su predvidjene slijedeče glavne teme: - optoelektronika - senzori - pasivni elementi na bazi površinskih valova - novi poluvodički materijali - integrirani sklopovi na bazi GaAs - mikrovalni hibridi - molekularna elektronika Bilo je predvidjeno da se održi šest uvodnih predavanja: Z. Djuric, Poluprovodnička optoelektronika A. Nešič, Savremene tendencije u razvoju mikrotalasnih integralnih kola M. Hribšek, Elementi sa površinskim akustičkim talasi-ma i njihova primena P. Nikolič , Novi poluprovodnički materijali P. Jespers, Trends in Mb Dram's and Peripherical Circuitry Hibridi Projektiranje monolitnih sklopova Materijali Površinski elementi Molekularna elektronika Tehnologija monolitnih sklopova Mikrovalni elementi U okviru Savjetovanja održan je i okrugli stol na temu: "Razvoj i proizvodnja domačih materijala za elektroniku" koji je organizirala Komisija za materijale MIDEM-a. Na okruglom stolu okupilo se oko 80 sudionika, te u vrlo ži-voj i plodonosnoj diskusiji razmotrilo mogučnosti domače proizvodnje materijala za elektroniku. U radu okruglog stola sudjelovali su kako proizvodjači i potencijalni proiz-vodjači, tako i potrošači materijala u elektronici. Zaključeno je da se ponovno organizira ovakav okrugli stol opet za vrijeme održavanja slijedečeg MIEL-a u Banja Luci. Takodjer je za vrijeme Savjetovanja postavljena veoma li-jepo aranžirana izložba domačih proizvodjača elektronike. Na okupu su se našli Iskra, RIZ, EI , HTM I, Institut Mihaj- 60 lo Pupin, Rudi Čajavec, i drugi. Ta izložba doprinjela jo dri se u|x)znamo s novim programima i razvojem u doma-čoj elektronskoj industriji, a ujedno je davala bolji ugo-djaj u prostorima gdje se održavalo Savjetovanje. Za uspješno odvijanje Savjetovanja posebno treba istači i zahvaliti se lokalnom organizacijskom odboru, radnim ljudima EI RO I straživačko-razvojni institut "Beta" i Instituta "Mihajlo Pupin", ko ji su svojim rndom na samom ■Savjetovanju tome doprinjeli. Adresa autora: Mr Miroslav Gojo MI DEM Titova 50, 61000 LJUBLJANA LETNA SKUPŠČINA SSESD IN IZREDNA SKUPŠČINA DRUŠTVA MIDEM Pavle Tepina Ob posvetovanju MIEL-86 v Beogradu je bila v četrtek, 15. maja 1986 ob 15.00 uri Ustna skupščina Sekciji1 za < — lektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale1 pri Jugoslovanski zvezi za ETAN in izredna skupščina Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Ker ob 15.00 uri ni bilo sklepčnosti, je predsednik sekcije Rudi ROČAK odprl skupščino ob 15.30 uri in predložil naslednji DNEVNI RED: 1. Izvolitev predsedstva 2. Izvolitev zapisnikarja in overovateljev zapisnika 3. Poročilo predsednika z diskusijo 4. Blagajniško poročilo in poročilo nadzornega odbora 5. Razrešnica odbora SSESD 6. Razno Ad 1. V predsedništvo so bili izvoljeni: - Ratko KRČ MAR - Vlado PANTOVIČ - Rudi ROČAK Ad 2. Za zapisnikarja je bil izvoljen: Pavle TEPINA Za overovatelje zapisnika sta bila izvoljena: - Ervin PIRTOVŠEK - Milan SLOKAN Ad 3. Predsednik je podal poročilo. nega odbora Marjan Šef nista mogla prisostvovati skupščini, je predsednik Rudi ROČAK prebral pismeno blagajniško poročilo in poročilo nadzornega odbora. Ad 5. Soglasno je bila dana razrešnica odbora SSESD. Ad 6. Milan SLOKAN je predlagal, da v Informacijah MIDEM objavimo zgodovino SSESD-a. Predsednik Rudi ROČAK se je zahvalil vsem sodelujočim, posebej pa še častnemu predsedniku SSESD Janezu DOBEI-CU in Milanu SLOKANU. Takoj nato se je pričela izredna skupščina Strokovnega društva MIDEM. Predsednik Rudi ROČAK je poročni, da je bilo društvo registrirano 28. aprila 1986. Statut društva, ki je sicer na zahtevo SNZnekoliko spremenjen, bo objavljen v Informacije MIDEM. Predsedstvo ETAN-a je podprlo in verificiralo sklep ustanovne skupščine MIDEM-a, da MIDEM nadaljuje in širi dejavnost nekdanje SSESD. ETAN bo v bodoče vse svoje aktivnosti s področja dejavnosti MIDEM pričel izvajati in koordinirati preko le-tega. Vendar se s tem ne omejuje delovanje drugih strokovnih sekcij ETAN-a, predvsem v pogledu negovanja mikroelektronike. Čeprav je društvo registrirano v Ljubljani, je področje njegovega delovanja vsa Jugoslavija. Vsi člani dosedanje sekcije SSESD avtomatično postanejo člani Strokovnega društva MIDEM. Ad 4. Ker tako blagajnik Drago Škrbinc kakor tudi član nadzor- Predsednik je podal sestav IO MIDEM: Predsednik: Rudi ROČAK Podpredsednik: Ratko KRCMAR, Vladimir PANTOVIC in Milan SLOKAN Tajnika : Član, zadolžen za finance : Člani sekretariata: Pavle TEPINA in Miroslav GO JO Alenka ROZAJ-BRVAR Jasminka ČUPURDIJA, Miroslav DAMJANOVI Č, Mihajlo FILIFEROVIČ, Franc JAN, Ervin PIRTOVŠEK, Stanko ŠOLAR, Ninoslav STOJADI NOVIC Ob koncu je Rudi ROCAK objavil, da bo naslednje posvetovanje MIEL 87 v Banja Luki, se zahvalil vsem za sodelovanje in zaključil skupščino. Zapisal: Pavle Tepina, dipl.ing. MI DEM Titova 50, 61000 LJUBLJANA PREGLED RADA KOMISIJE SD NA XXX. KONFERENCIJI ETAN-a Dimitrije Tjapkin Na XXX (jubilarnoj) Konferenciji ETAN-a, koja je održa-na od 2. do 6. juna 1986 u Herceg-Novom i na kojoj je bilo prezentirano preko 350 referata i saopštenja, problematika elektronskih sastavnih delova i materijala bila je za-stupljena na 4 sednice. Prva i druga sednica (SD1 i SD2, 3.6.1986.) bila je posvečena poluprovodničkim komponentama, fizičkoj elektroni-ci poluprovodnika i integrisanim kolima. Referisano je 11 radova. Posebno zanimljivi i značajni radovi su bili, kako iz realizacije - o integrisanim pokazivačkim jedinicama i o karakteristikama memorijskih tranzistora, tako i iz primenjene teorije - o kvantnim efektima i o dvodimenzi-onom modelovanju poluprovodničkih struktura. Treča sednica (SD3, 5.6. 1986) je imala radove iz fizič-ke elektronike gasova - ukupno 6 radova. Večina radova se odnosi na praznjenje i proboj i posebno su se isticali radovi o transportnim procesima i pražnjenju - proboju i probojnom naponu. Poslednja sednica (SD4, 5.6.1986) je bila rezervisana za saopštavanje rezultata istraživanja i razvoja iz oblasti je-dinki kristala kvarca, što je bilo smešteno u posebnu sed-nicu jer je problematika od interesa i za komisiju za tele- komunikacije. Posebno zanimljiv je bio razvojni rad iz kvarcnih senzora. Ukupno je izloženo 4 rada. Kao najbolji rad u komisiji za sastavne delove proglašen je rad: MODULACIJA APSORPCIJE ELEKTRIČNIM POLJEM U POLUPROVODNIČKIM MIKROSTRUKTURAMA NA BAZI KVANTNIH JAMA autora: Z. Ikonič, V. Milanovič, D. Tjapkin iz Elektrotehničkog fakulteta u Beogradu. Isti rad nagradjen je i novčanom nagradom ko ju dodeljuje Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale. Posečenost sednice je bila uobičajna. Isto važi i za broj diskutanata, s tim što je nivo i kvalitet diskusija bio nešto iznad dosadašnjih. Stručno-naučni nivo je takodje viši od ranije. Medjutim odredjene teškoče čini nerazgraničenost problematike sa komisijom za fizičku hemiju materijala, tako da se neki radovi koji bi spadali u SD, ne referišu u ovoj komisiji. Takodje se zapaža i mali broj radova iz lasera i optoelek-tronih naprava, o čemu se u večini slučajeva referiše na "ETAN-u u pomorstvu". Adresa autora: Prof dr Dimitrije Tjapkin Elektrotehnički fakultet 11000 BEOGRAD IZVEŠTAJ O MIPRO '86 Mihajlo Filoferovič Objavi ju jemo izveštaj o radu i djelovanju Organizacijskog odbora te postignutim rezultatima IX Jugoslovenskog seminara o primjeni mikroprocesora, V Jugoslavenskog sa- vetovanja o novim generacijama računala "MIPRO '86" o-držanih u Kongresnom centru "Adriatic" hotela u Opatiji od 12 - 15 svibnja 1986. godine. 62 MIPRO '86 imao je 1. POKROVITELJE: Privredna komora Jugoslavije Privredna komora SR Hrvatske Privredna komora Rijeka SI Z za tehničku kulturu Rijeka 2. ORGANI ZATORE: Sekcija ETAN-a u sastavu DSEIT - Rijeka SOUR "Rade Končar" Zagreb RO PTT - Rijeka Centar za radničko stvaralaštvo - RAST YU Rijeke 3. SUPOKROVITELJE: RO ELEKTROLU X Rijeka OOUR ELEKTROPRENOS Opatija RO ELEKTROPRIVREDA Rijeka RO ELEKTROPRI MORJE Rijeka RO METALKA Zagreb RO PEI PROJEKT Rijeka POŠTANSKA ŠTEDIONICA Zagreb PRIVREDNA KOMORA ZAGREB PTT Ljubljana PTT Slovenije PTT Zagreb RIJEČKA BANKA, Osnovna banka Rijeka DO TEGRAD Ljubljana ZJ PTT Beograd Študij elektrotehnike Rijeka SOUR ŽELJEZARA SISAK 4. SUORGANIZATORE: RO ATM Zagreb DIATU Rijeka RO DIGITRON Buje DRUŠTVO KIBERNETIČARA Rijeka SOUR ET, RO RAČUNARI Niš SOUR ENERGO1NVEST, RO IRCA Sarajevo HERMES Ljubljana, Zastopstvo tujih firm in notranja trgovina RO I VAŠIM Ivanic Grad SOUR IVO LOLA RIBAR Beograd RO NI KOLA TESLA Zagreb SOUR RUDI ČAJAVEC, OOUR MI KROELEKTRONIKA -Banja Luka SOUR RUDI ČAJAVEC , OOUR TU Banja Luka TEHNIČAR, OOUR ZA RAČUNALA TERA Zagreb SOUR ŽEIJEZARA SISAK, OOUR KOKSARA Bakar 1 * Aktivnosti u fazi pripreme i z a v rJ ;[ejn e o d r ž a vanja manifest a c i j e M I P R O_' 8 6 U sklopu organizacije MIPRO '86 održan je velik broj sa-stanaka i dogovora: - 4 sjednice Organizacijskog odbora MIPRO '86 - 7 sjednica Sekretarijata - 2 sjednice Znanstvenog savjeta - 4 sjednice Programske komisije Znanstvenog savjeta - 3 sjednice Radne grupe za izradu završnog izvještaja o študiji "Stanje i razvoj mikroelektronike u SFRJ" - 4 sjednice Radne grupe za izradu završnog izvještaja o študiji "Stanje i razvoj elektronike u zajednici opcine. Rijeka". U ,toku priprema za MIPRO '86, održani su razgovori s predstavnicima mnogih radnih organizacija, institucija DPZ i to: - na savcznom nivou: PRIVREDNA KOMORA JUGOSLAVIJE, "ETAN" JUGOSLAVIJE, "ETAN" U POMORSTVU, SIV, KOMITET ZA INDU-STRIJU, ENERGETIKU, RUDARSTVO I ZANATSTVO JUGOSLAVIJE, veliki sistemi u SFRJ (ZJ PTT, ELEKTROPRIVREDA, SSNO, YUGELi ŽTP) - iz Hrvatske: "RADE KONČAR" - Zagreb, "NIKOLA TESLA" - Zagreb, ETF - Zagreb, PRIVREDNA KOMORA SRH - Zagreb, "DIGITRON" - Buje, SOUR Željezara - Sisak, "PRVOMAJSKA" - Raša, "IN'DA" - Labin, "ULJANIK" - Pula, "BI"-Split, RIZ - Zagreb, "TERA" - Zagreb, "SELK" - Kutina, "INFO-SISTEM" - Zagreb, "ATM" - Zagreb, PRIVREDNA KOMORA RIJEKE - Rijeka, "3. MAJ" - Rijeka, - iz Srbije: ETF - Beograd, "M. PUPIN" - Beograd, "EI" - Niš, "IVO LOLA RIBAR" - Beograd, ETF - Niš, MAŠINSKI FAKULTET - Beograd, PRIVREDNA KOMORA VOJVODINE, PRIVREDNA KOMORA SRBIJE i PTT Beograd. - iz Slovenije: "ISICRA-DELTA" - Ljubljana, "I SKRA-MI KROELEKTRONI -KA" - Ljubljana, "ISKRA-AUTOMATIKA" Ljubljana, "ISKRA-KiBERNETIKA" Ljubljana, ETF - Ljubljana, INSTITUT "J. SWAN" - Ljubljana, ELEKTROTEHNIŠKA ZVEZA SLOVENIJE, GOSPODARSKA ZBORNICA SLOVENIJE, GOSPODARSKO RAZSTAVIŠČE, HERMES - Ljubljana, TEGRAD - Ljubljana, PTT Slovenije i PTT Ljubljana. 63 - H Bosne i Hercegovino: SOUR ENERGOINVEST - Sarajevo (RO IRCA i HO i RIS), SOUR "RUDI ČAJAVEC" - Banja Luka (OOUR MIKROELEK-TRONIKA i OOUR TU), ETF - Sarajevo, ETF - Banja Luka i UNIS - Sarajevo. - iz Makedonije: ETF - Skopje i METALSKI ZAVODI "TITO" - Skopje. - iz Črne Gore: ETF - Ti tog rad i PRI VREDNA KOMORA ČRNE GORE. Sastanci na medjunarodnom nivou: - Delegacija mikroelektronike DDR-a - Delegacija Zajednice PTT-a Madjarske - Predstavnici firmi iz SAD-a: HEWLETT PACKARD, MOTOROLA, INTEL, COMPUTERVISION, MELLON UNN - ALTHOS COMPUTER, GMD - SRNJ - OLIVETTI , MAEL - ITALIJA - Predstavnici HITACHI - ŠVICARSKA - TSKTRONIK, SCHLUMBERGER - AUSTRIJA 2. O sadržaju manifestacije MIPRO '86 Ovogoclišnji MIPRO sastojao se od četiri grupe aktivnosti: programa seminara, programa savjetovanja, programa demonstracije opreme iz područja mikroelektronike i za-jedničkih manifestacija. Cilj programa seminara je bio stručna obuka uz rad. Vodilo se računa da seminari pruže neophodne informacije stručnom i tehničkom kadru koji se tek uvodi u ovu speci-fičnu problematiku i onom profilu profesionalaca kojima je potrebna nadgradnja materije u njihovim područjima djelovanja. Održana su dva uvodna i jedan napredni seminar (poglavlje 3). U programu savjetovanja održana su tri savjetovanja, dva tradicionalna i jedno koje je imalo za cilj da prati nove pravce razvoja u području kojim se bavi MIPRO. Savjetovanja o mikroračunalima u procesnom upravljanju je imalo za cilj da okupi autore radova iz primjene mikro-računala u energetic i, industriji, horizontalnom i verti-kalnom transportu, infrastrukturnim objektim a, brodo— gradnji, maloj automatizaciji i sličnom. Drugo savjetovanje o mikroprocesorima u telekomunikacijama okupilo je značajan broj stručnjaka koji se bave mikroprocesorima i mikroračunaiinia u proizvodnji ele-menata, te izgradnji, održavanju i upravljanju telekomunikacijskim mrežama. Oba su savjetovanja pobudila veliki interes, okupila zna» čajan broj učesnika i omogučila da se ostvari cilj - a to je razmjena iskustava i znanja stečenih u domačoj praksi (detalji u poglavlju 4). A) UČESNICI PO REPUBLIKAMA I POKRAJINAMA 5 £ H INA R I S A V J E T 0 V A NJA SVEUKUPNO % USM UST NSP UKUP. PU TE NG UKUP. BEGIJA RIJEKE 24 S 25 54 31 28 24 83 137 16,9 DSTALA HRVATSKA 36 10 39 85 57 46 27 132 217 27,6 UKUPNO SR HRVATSKA 60 15 64 139 88 76 SI 215 354 44,5 UŽA SRBIJA 1? 8 28 S3 32 Za 20 72 125 15,6 SAP KOSOVO 6 0 2 8 1 6 1 8 16 2,0 SAP VOJVODINA 9 0 4 13 4 2 2 8 21 2,7 UKUPNO SR SRBIJA 32 8 34 74 37 28 23 88 162 21,5 SR SLOVENIJA 29 4 41 74 42 28 38 lo8 162 23,3 SR BiH 14 3 18 35 19 4 4 27 62 8,3 SR ČRNA GORA I 1 4 6 4 2 1 7 13 1,7 SR MAKEOONIJA 3 1 3 7 3 2 1 6 13 1,7 UKUPNO; 139 32 164 335 193 140 118 451 786 100,0 Savjetovanje o novim generacijama računala je po prvi put održano ove godine. Ocjena je bila Znanstvenog savjeta i Organizacijskog odbora MIPRO-a da je potrebno učiniti od-redjene društvene napore koji če omogučiti razmjenu iskustava i znanja domačih stručnjaka i inozemnih provjere-nih poznavalaca područja koje se može nazvati nove generacije računala. Naime, to je područje u razvoju u koje se mogu relativno ravnopravno u ovoj početnoj fazi, uklju-čiti i domači razvojni potencijali u jednoj od formi medju-narodne suradnje u zajedničkim projektima. Bitan predu-vjet za to jest kvalitetna i ažurna dobava informacija iz sredine koje su u to m području vodeče u svijetu. Ovo savjetovanje je u potpunosti ispunilo planirana očeki-vanja. Uspostavljeni su kvalitetni kontakti s institucijama i osobama na čiju če se angažiranost moči povečati značaj i kvalitet ove djelatnosti (detalj u poglavlju 5). Program demonstracije mikroelektroničke opreme je opisan u poglavlju 6. Zajedničke manifestacije su bile plenarne teme i pozvana izlaganja, a tretirale su pitanja od šireg interesa slušača (poglavlje 7). Na kraju su dati priloži koji opisuju strukturu učesnika MIPRO '86 i to: po republikama i pokrajinama, po grani 64 privrede, po naobrazbi i po funkciji. Iz ovih tabela se dade zaključiti da MIPRO okuplja impozantan broj strtio-njaka iz cijele zemlje, i da je struktura takva da čini onaj značajan potencijal kadra za razvoj i budučnost zemlje. 3. P r o ¡j r a ru__s c ni i ¡1a t* a 3.1. USM - Uvodni seminar - "Osnovi rada i programiranja mikroračunala" Voditelj i koordinator seminar a: Prof. dr STANKO TURK - ETF Zagreb ■ Predavači: Prof. dr STANKO TURK Prof. dr PETAR BILJANOVIČ Prof. dr LEO BUD IN Prof. dr PETER ŠUITEL Osnovne teme: ETF Zagreb ETF - Zagreb ETF - Zagreb FZE - Ljubljana - Elektroničke tehnologije za mikroračunala: polu-vodičke tehnike, hibridne tehnike, familije mikro-elektroničkih sklopova: optoelektroničke tehnike. - Osnovni pojmovi, načela organizacije i arhitektura mikroračunala. 8) UČE5NICI PO GRANI PRIVREDE r—- S : M 1 N A R I S A V J E T 0 V A N J A SVEUKUP. % USM UST MSP UKUP, PU TE NG. UKUPN0 ELEKTROINDUSTRIJA 57 9 33 105 51 35 27 114 219 27,8 ELEKTROPRIV/REOA 29 3 24 56 22 11 12 45 101 12,9 METALOPflERADJIV. 13 7 23 43 19 9 17 45 88 11,2 PRERAOA NAFTE 4 - 1 5 8 2 1 11 16 2,0 PROJEKTNI RIRO - 2 5 6 3 2 11 16 2,0 INSTITUTI 2 16 20 18 4 10 32 52 6,6 FAKULTETI 6 5 21 32 20 11 19 50 82 10,4 AOMINISTRACIJA 2 - 3 5 4 2 2 a 13 1,7 RTV d 1 5 10 9 11 6 26 36 4,6 TELEKOMUNIKACIJE 3 12 IS 12 28 7 47 62 7,9 JNA 3 5 12 10 9 6 25 37 4,7 SRED. JAV. INFORM, 4 2 4 10 7 6 5 18 28 3,6 OSTALI a 0 < 17 7 li 4 19 36 4,6 U K IJ P NO: 139 32 164 335 193 140 lis 451 785 100,0 - Osnovi programiranja - Glavni sastavni dijelovi i njihova upotreba. Laboratorij: - Programiranje osnovnih funkcija jednog rnikropro-eesora, prijem vanjskih mjernih i drugih podataka, upravljanje poslom vanjskog elektroničkog sklopa. 3.2. UST - uvodni seminar - "Oblikovanje, projektiranje i primjena M OS i CMOS mikroelektroničkih sklopova " Voditelj i koordinator seminara: Prof. dr PETAR BILJANOVIČ - ETF - Zagreb Predavači: Prof. dr PETAR BILJANOVIČ - ETF - Zagreb Prof. dr LOJZE TRONTELJ - FZE - Ljubljana Prof. dr. VANČO LITOVSKI - ETF - Niš Doc. dr NINOSLAV STOJADINOVIC - ETF - Niš Mr ŽELJKO BUTKOVIČ - ETF - Zagreb MI ODRA G R. MILIČEVIČ, dipl.ing. - EI - Niš Osnovne teme: Uvod. Planarna tehnologija na siliciju - tehnološki proces i simulacija. Komponente MOS i CMOS mikroelektroničkih sklopova. Principi monolitne integracije i projektiranje MOS i CMOS sklopova. Po-stupci automatizacije. 3.3. NSP - Napredni seminar - "Primjena mikroračunala za nadzor i upravljanje tehničkih sistema i procesa Voditelj i koordinator seminara: Prof. dr LEO BUDIN Predavači: Prof. dr LEO BUDIN Prof. dr BRUNO STIGLIC Prof. dr PETER ŠUHEL ETF - Zagreb - ETF - Zagreb - ISKRA-AUTOMATI-K A - Ljubljana - FZE - Ljubljana Osnovne teme: - Osnovne značajke upotrebe mikroračunala u uprav-ljačkim napravama - Sklopovska gradnja i programska podrška mikroračunala u upravljačkim napravama - Algoritmi za ostvarivanje različitih funkcija upravljanja pomoču mikroračunala. 3.4. Uvodni seminar USM je odslušalo 139, uvodni UST 32, a napredni seminar NSP 164 slušača. Struktura slušača je prikazana u tabelama u prilozima 1, 2 i 4. 4. Program s a v j e t o v a n j a 4.1. PU - Jugoslovensko savjetovanje o mikroračunalima u procesnom upravljanju Voditelj i koordinator savjetovanja: Dipl.ing. PREDRAG VRANIČ - SOUR "RADE KON- ČAR", Zagreb Savjetovanje je bilo podijeljeno u pozvane i prijavlje- 65 ne referate. U bloku pozvanih referata ove su godino svoja dostignuca izložili grupa autora iz El-a. Blok prijavljenih referata je bio svrstan u tri grupe. 4.1.1. Pozvani referati EI - Niš, RO RAČUN ARI Autori i referati: Mr BRANISLAV MILADINOVIČ, dipl.ing. - Mogučnosti koristenja mikroračunskih sistema u obrazovanju Jovan Ristič , dipl.ing. - Postupak kod izrade softwera za mikroprocesore C) UČESNICI PO NAOBRAZBI ELEXTR TELEK. AUTOM. STROJ GRAOJ. OSTALI UKUPNO % AKADEMIK 1 - - - - - 1 0,13 DR NAUKE 17 - 12 4 4 37 4,7 MAGISTAR 32 11 19 5 - 2 69 8,8 DIPL. ING 146 92 90 38 a ■> 381 48,57 ING. 46 21 17 11 6 3 106 13,4 SREONJft NAOBRAZ 57 39 36 0 - 7 147 18,7 ŠTUDENTI 9 . - 2 6 2 " 19 2,4 OSTALI 7 2 2 3 3 9 26 3,3 UKUPNO: 317 165 17B 75 19 32 766 100,0 Siniško Količ, dipl. ing. MIODRAG KRSTI Č, dipl. ing., Mr. Srboljub Draganovic - Realizacija ručnog terminala RT-1 na bazi pri-mene mikroprocesora CDP - 1802 Stojan Gospodinov, dipl. ing. Zoran Todorovič, dipl.ing. - Organizacija karakter generatora matričnih štampača sa kvalitetnom štampom Dr Rade Petrovič, Miroslav Ivkovič, dipl.ing. - Realizacija modela na bazi domačeg čipa GEM-21 1.1.2. Prijavljeni referati: su bili razvrstani u tri grupe, po komisijama i to: - Komisija za sklopovsku gradju i programsku po-dršku u uredjajima i sistemima baziranim na primjeni mikroprocesora (27 referata), - Komisija za mikroprocesorske uredjaje u sisteme u procesnim primjenama (25 referata), - Komisija za analizu modeliranja i verifikacije primjenom računarskih sistema (9 referata). Savjetovanju je prisustvovalo 193 učesnika» Podaci o strukturi učesnika mogu se nači u tabelama u prilozima 1, 2 i 4. 4.2. TE - Jugoslavensko savjetovanig_jj_^primjMi£jTnkro^ procesora u telekomunikacijama Voditelj i koordinator savjetovanja: dr. CARIC ANTON RO "NIKOLA TESLA" Zagreb I ovo savjetovanje je bilo podijeljeno u pozvane i prijavljene referate. U bloku pozvanih referata ove godine su svoje radove iznijeli grupa autora iz Zagreba, te autor iz EI - Niš. 4.2.1. Pozvani referati I. Lovrak, M. Kunštič, S. Rajilič, A. Caric -"Nikola Tesla" - Zagreb, ETF - Zagreb - Digitalna mreža integriranih službi i visoke telekomunikacijske tehnologije Stanko Arandjelovic, dipl.ing. RO EI - Računari Niš - Poštanski elektronski šalterski terminal PEST-1 4.2.2. Prijavljeni referati Prijavljeni referati su bili svrstani u 12 grupa, bez podje-le po komisijama , a ukupno je bilo 48 referata. Savjetovanju je prisustvovalo 140 učesnika. Podaci o strukturi u~ česnika mogu se nači u tabelama u prilozima 1, 2 i 4. 4.3. NG - Jugoslavensko savjetovanje o novim generacijama računala Voditelj i koordinator Savjetovanja: Dr VRSALOVIČ DALIBOR ETF - Zagreb Osnovni cilj ovoga savjetovanja je ostvaren, a to je bilo okupljanje domačih i stranih znanstvenika i proizvodjača iz područja arhitekture računala, paralelnih sistema, pomagala i sličnih tema iz domene novih generacija računala. Ovime se željelo ostvariti jednu od začrtanih aktivnosti manifestacija MIPRO, a to je stalno pračenje novih, aktualnih pravaca razvoja mikroelektroničke tehnologije. Savjetovanje je sadržavalo pozvane i prijavljene referate. U grupi pozvanih referata dostignuca su iznijeli eminent-ni gosti iz USA, SRNJ i Italije, te naši poznati znanstvenici koji se bave ovim područjem. 66 4.3.1. Pozvani r.-•<>■!;,iti Prof, Daniel Siewiorek, Carnegie - Mellon Univ. -USA - New Computer Architectures Dr Heinz Muhlenbein, GMO - BRD - Rationale and Concepts for the Suprenum Supercomputer Architecture Doc. dr Dalibor Vrsalovic, ETF - Zagreb - Pomagala za projektiranje paralelnih sistema Prof. dr Ivan BRATKO, Mr Matjaž Gams, Institut ''Jožef Stefan" Ljubljana - Aplikacija umetne inteligence v inžinerstvu Prof. Francesko Gregoretti, Politechnico di Torino - Italy - Instrumentation for supercomputers Mr. Peter Brajak, Institut "Jožef Stefan" Ljubljana - Paralelno procesiranje arhitekture devedesetih godina 4.3.2. Prijavljeni referati su bili razvrstani u tri grupe i to: I grupa: ARHITEKTURE ZA PARALELNO PROCE- SIRANJE (5 referata) II grupa: METODE I ALATI ZA PROIZVODNJU PROGRAMSKE PODRŠKE (4 referata) III grupa: PRI M JENA (5 referata) Savjetovanju je prisustvovalo 118 učesnika. Podaci o strukturi učesnika mogu se nači u tabelama u prilozima 1, 2 i 4. 5. Program demonstracije opreme za primjenu mikroelek-troničke tehnologije - I risov program 8 i 16 bitnih personalnih računala 5. SOUR "RUDI ČAJAVEC" - Banja Luka RO Profesionalna elektronika OOUR Mikroelektro-nika - Hibridna mikroelektronska kola i komponente proizvodnje "Rudi Čajavec" 6. SOUR "RUDI ČAJAVEC" RO Profesionalna elektronika, OOUR TU - Eprom programer - Blokovi upravljanja za radio uredjaje □) UČESNICI PO RUKOVOOEČIM POLOŽAJIMA SEMINARI SAVJETGVANJA SVEUKUPN0 i USU UST NSP UKUP. PU TE NG UKUPN0 RUK0V00I0CI RAZV 7 5 8 20 14 11 6 31 51 6 5 RUKOVOO. 00RŽAV. 12 4 6 22 11 9 3 23 45 5 7 RUK0V00. SLUŽBE 8 3 7 18 12 ? 4 23 41 5 2 RUKOVOO, ODJELA 11 2 14 27 5 10 7 22 49 6 ,3 DIREKTOR S 1 9 15 6 4 5 15 30 3 a PROJEKTANTI 23 - 33 56 32 9 13 54 110 14 0 TEHN0L0ZI 28 a 20 56 24 26 13 63 119 15 1 ISTRAŽIVAČI 11 - 8 19 16 12 10 38 57 7 2 PR0FES0RI 4 3 5 12 9 2 6 17 29 3 ? ASISTENTI 3 - - 3 11 4 6 21 24 3 1 STRANI SURAONICI - - - - 9 9 12 30 30 3 8 STRUONI SURAONICI 9 - 14 23 17 S 14 36 59 7 5 SISTEM ING, 11 3 29 43 10 19 10 39 82 10 5 PREOST. SREO. JAV. INF. 4 2 4 10 7 6 5 18 28 3 G OSTALI 3 1 7 11 10 7 4 21 32 4 1 U K U P N 0: 139 32 164 335 193 140 118 451 786 100 0 - Radio uredjaj 810-MS - Radio uredjaj RUP-22A - Infosistem - Test oprema - Minikron 7. RO "DIGITRON" - Buje - Vaga za dijalizu 8. RO TEHNIČAR OOUR za računala Tera - Zagreb - Tera 159 - Tera 160 - Tera 161 9. RO "NIKOLA TESLA" - Zagreb - Telefonska centrala sa procesorskim upravljanjem proizvodnje "Nikoia Tesla" 10. ATM - Zagreb RO za automatizaciju i tehniku mjerenja u industriji - Mikroprocesorski uredjaj i za mjerenje toplin-ske energije 5.1. Domači izlagač.i: 1. RO "RADE KONČAR" - Zagreb Industrijska elektronika - Mikroračunarski distribuirani sustav "Končar" PRO-MASTER 2. SOUR EI - Niš OOUR - RAČUNARI - Ručni terminal mini - Razvojni sistem CRS-III - PEKOM-64 3. SOUR E.NERGOI NVEST - Sarajevo RO Institut za automatiku i računske nauke IRCA - Digitalno proširenje regulacionog sistema SUPS 400-lokalni nadzorno-upravljački nivo 4. SOUR ENERGOI NVEST - Sarajevo RO I RIS 67 11. SOUR "IVO LOLA RIBAR" - Beograd RO "LOLA " RAČUNARI - LOLA 8 - industrijska verzija - LPA 512 ~ prog ram abilni automat 12. RO I VASI M - I vanic Grad Kemijska i elektronička industrija, OOUR Elektronika - Mikroračunalo "IVELZ-3" - Mikroračunalo "IVEL ULTRA" 13. INDA - Labin - Programabilni kontrolor PLC - 100 - Kaširane fotografije .2. Strani izlagači: 1. HERMES - HEWLETT PACKARD - Ljubljana - Razvojni sistem 6400 S sa računarom 9000/500 (UNIX multiuser) - SW za disign logičkih kola sa računarom 9000/300 - SW za design mehanskih elemenata sa 9000/300 računarom 2. HITACHI - JAPAN Europa Zürich - Literatura Hitachi 3. RO PEI PROJEKT - Rijeka u suradnji s SCHLUMBERGER MESSGERATE - Beč i VAUST - Beč - Prezentacija programa elektroničkih instrume-nata - Elektroničke tehnologije 4. ALTHOS - München - Literatura Althos - Mikroprocesorski sistem 856 X - Kolor logički analizator 1241 - Portabl osciloskop 2400 . Z a j e d n i č k a manifestacija 6.1. Za sve učesnike 6.1.1. I PLENARNA TEMA Prof. dr. Branko Souček, PMF - Zagreb Nove generacije računala 6.1.2. II PLENARNA TEMA John Baarns, COMPUTERVISION - SAD From CAD/CAM towards CM 6.1.3. ZAVRŠNI IZVJEŠTAJ Prof. dr Petar Biljanovic, ETF - Zagreb Završni izvještaj o študiji "Stanje i razvoj mi-kroelektronike u SFRJ" Božidar Zoričic, dipl.ing. MIPRO - Rijeka Završni izvještaj o Študiji "Stanje i razvoj elektronike u ZO Rijeka" 6.2. Za učesnike savjetovanja PU , TE i NG 6.2.1. POZVANA IZLAGANJA - DDR VEB mikroelektronik "KARL MARX" Erfurt - DDR Wolfgang Wagner, dipl.ing. - Razvojni modul za 8-bitni jednočipni mikrora-čunar Dr Kapel - Moderni bipolarni ugradni elementi Dipl.ing. Voltel - Konektori za vodiče svijetlosti Reinhardt Plecher - Racionalna primjena energije sa uredjajem za kontrolu i regulaciju energije 6.2.2. POZVANA IZLAGANJA - HITACHI JAPAN Mr. W. Knorr, J. Pintaske - Designing today with tomorrov's technology 6.2.3. POZVANA IZLAGANJA - OZ CROATIA Zagreb Mr. Ivica Novak, Mr Ivan Pigac - Preventiva šteta na elektronskim računarima za vrijeme korištenja - Osiguranje rnikroprocesora i mikroprocesorskih sustava. Pripremio za objavu: Mihajlo Filiferovic MIPRO Trg P. Togliattija 4/1 , 51000 Rijeka 68 PODELITEV KIDRIČEVE NAGRADE ZA ŽIVLJENJSKO DELO PROF. DR. EVGENU KANSKEMU Milan Slokan Kidričeve nagrade so v SR Sloveniji najvišje priznanje znanstvenim delavcem. Med letošnjimi petimi prejemniki za vsa znanstvena področja je tudi prof. dr. Evgen Kansky, ki je nagrado prejel za življenjsko delo na področju vakuumske tehnologije in materialov ter tehnologij tankih plasti. Ta počastitev soupada tudi s šestedesetletnico njegovega rojstva. Zato nam je v izredno zadovoljstvo, da lahko prof. Kanskemu kot članu SSOSD oziroma SSESD od ustanovitve (Foto: A. Keber) Prof. dr. Evgen Kansky (desni) v pogovoru s podpredsednikom SSESD na ustanovitvi MIDEM 29.1.1986 v Klubu poslancev v Ljubljani ob tej priliki iskreno čestitamo ter si dovoljujemo, da vsaj na kratko osvetlimo njegovo osebnost ter dosežke njegovega več kot 35 letnega znanstvenega, razvojnega, izobraževalnega ter društveno-organizacijskega dela. Njegovo delo je sicer dobro znano v okviru organizacij ETAN-a v vakuumskih društvih ter v krogih jugoslovanske in slovenske elektronike, v nekaterih ustanovah JLA, pa tudi v mednarodni strokovni javnosti, vendar menimo, da je prejeto priznanje primerna prilika, da opišemo delovanje prof. Kanskega. Rojen je bil 3.7.1926 v Ljubljani. Po vojni se je vpisal na kemijski oddelek univerze v Ljubljani. Že kmalu po vpisu je bil pomožni asistent pri prof. Guzelju in prof. Brčiču, leta 1948 pa se je že kot študent vključil tudi v mlado sku- pino razvijalcev elektronskih sestavnih delov in materialov v kemijskem laboratoriju Inštituta za elektrozveze v Ljubljani. Od tam je leta 1950 na povabilo prof. Dušana Lasi-ča prešel na elektrotehniško fakulteto, kjer je kmalu nastal Institut za elektroniko in avtomatiko, današnji Institut za elektroniko in vakuumsko tehniko. Tam je sodeloval pri organizaciji našega prvega visokovakuumskega laboratorija ter se prjčel ukvarjati s tehnologijo izdelave elektronk, posebej z oksidnimi katodami za termično emisijo elektronov. Od leta 1952 do 1955 je razvil razne tipe vakuumskih in plinskih fotocelic s Sb-Cs in Ag.O-Cs fotoka-todami in razvoj prenesel v redno proizvodnjo domače industrije. V takratnih časih je bilo znanje o fotoemisiji takih fotokatod še dokaj pomanjkljivo, saj je to mejno področje elektronike, fizike in kemije. Takrat tudi še nismo i-meli dovolj izkušenj o zelo tankih polprevodniških plasteh in kemijskih reakcijah v trdni fazi, povezanih z eksperimentiranjem v vakuumu in ultravakuumu. Zato se je za doktorsko disertacijo lotil študija fizikalno-kemijskih 1-5 spojin in fotokatod tipa Cs^ Sb ter jo je branil leta 1961. V tem obdobju je razvil tudi nove merskoanalitske metode (na primer fotoelektrična analiza) ter sam in s sodelavci izvedel niz raziskav, ki so prispevale k razumevanju mehanizmov sinteznih reakcij, karakterizaciji fotoemisijskih snovi in uvajanju novih fotokatod in so temeljna dela s tega področja. Ob tem so bili razviti tudi novi merilni instrumenti, ki omogočajo zanesljivo vodenje reakcij v tankih plasteh (plamenski fotometer vrhunske zmogljivosti za analizo Cs). Ob delu na disertaciji pa se je posvečal tudi razvoju konkretnih izdelkov, na primer 11-stopenjske fotopomnoževalke za scintilacijske števce za Zvezno komisijo za nuklearno energijo. Po disertaciji je pritegnila njegovo pozornost tehnološka problematika spojev steklo-ko-vina in keramika-kovina. Njeno obvladanje je pripomoglo do laboratorijske proizvodnje ohišij za polprevodniške diode in podnožij za tranzistorje. Slednje področje je prof. Kanskega že vodilo k širšemu obvladanju vakuumskih materialov, materialov za elektroniko ter spajanju materialov (varjenje, spajkanje) ter nato k širši uporabi vakuumskih tehnologij, predvsem tankoplastnih, namenjenih proizvodnji elektronskih sestavnih delov. Kot eden prvih Jugoslovanov je v svojem delu uveljavljal v naših prilikah načela, ki jih uporablja v svetu tako imenovana "znanstvena indu strija". Tako so nastale laboratorijske in poskusne proizvodnje novih tankoplastnih komponent v samem Inštitutu 69 za elektroniko in vakuumsko tehniko, kot tudi nove proizvodnje v Iskri, Elektronski industriji, v zamejski slovenski tovarni MI POT v Italiji in drugje. Vse to delo je zahtevalo izredno energijo in vztrajnost, pripeljalo pa je prof. Kanskega do dobrih in grenkih izkušenj v pionirstvu raziskav in razvoja profesionalnih elektronskih sestavnih delov v naših prilikah. V zadnjih letih je bil prof. Kansky nosilec velikega razvoj-no-raziskovalnega projekta s področja optoelektronike za posebne namene, obenem pa še vedno dela na materialih, analitskih metodah in vakuumski problematiki površin, faznih mej, spojnih ploskev ter tankih plasti za elektronske sestavne dele. Kot je razvidno iz naštetega, bi boljši opis strokovnega dela prof. Kanskega zahteval mnogo več prostora in poglovi-tve, saj je s sodelavci razvil vse do izdelavne tehnologije na desetine specialnih elektronskih izdelkov, obvladal celo vrsto specialnih tehnologij, raziskal in analitsko preiskoval vrsto vakuumskih materialov ter pri tem uvajal nove metode, obenem pa bil pobudnik timskega dela v inštitutu ter z industrijo in s tem mentor in vzor več generacij mladih strokovnjakov. Njegova komunikativna narava in znanstveni dosežki so mu odprli pot ter stike z vrsto raziskovalnih inštitucij in s programi, ki so tekli tako v zahodni kot vzhodni Evropi. Rezultati dela in izkušnje prof. Kanskega so bili objavljeni v preko 80 publikacijah v domači in svetovni literaturi, tudi v znanih knjižnih izdajah na primer Academic Pressa iz Londona. Še pomembneje za nas je dejstvo, da so rezultati njegovega dela vtkani v našo elektronsko industrijo, v najzahtevnejše izdelke, pomembne za našo obrambo in da je pridobljeno znanje vedno na voljo vsakemu, ki želi nasveta in njegovega strokovnega sodelovanja. Tudi na naših prireditvah je s svojo skupino stalen aktivni udeleženec. Pomembno je tudi pedagoško delo prof. Kanskega, ki je bilo plodno ne samo v Sloveniji na univerzah v Ljubljani in Mariboru, temveč tudi v Beogradu, Nišu, Sarajevu, pa tudi v okviru dopolnilnega izobraževanja v vakuumskih društvih. Na fakulteti za naravoslovje in tehnologijo univerze v Ljubljani je E. Kansky redni profesor za kemijo in analizo tankih plasti. Posebna zasluga prof. Kanskega je njegova aktivnost za vključevanje tematike vakuumskih tehnologij in materialoznanstva v programe rednega in podiplomskega študija na naše fakultete. Široka dejavnost prof. Kanskega pa ni samo raziskovalna in pedagoška, temveč širše društveno organizacijska. Že leta 1958 je bil predsednik sekcije za vakuumsko tehniko pri Elektrotehniški zvezi Slovenije, leta 1960 je bil pobudnik Jugoslovanskega komiteja za vakuumsko tehniko. Kot jugoslovanski predstavnik je bil že leta 1962 izvoljen za člana izvršnega odbora mednarodne unije za vakuumske znanosti in tehniko (IUVSTA) ter je ostal v odboru do leta 1977, sedaj pa je član njenega odbora za tanke plasti. Tudi v SSESD je bil nekaj let član izvršilnega odbora ter je bil letos izvoljen za zaslužnega člana MIDEM-a. Prav tako mu je Zveza strojnih in elektrotehniških inženirjev in tehnikov Jugoslavije (SMEITJ) že leta 1971 podelila naslov zaslužnega člana. Priznanja, ki jih je prof. Kansky prejel za strokovne in organizacijske dosežke, so številna, od strokovnih naj o-menim vsaj šest nagrad Sklada Borisa Kidriča za izume in tehnične izboljšave v teku petnajstih let od 1967 do 1982. Značilnost osebnosti prof. Kanskega je v širini in globini njegovega delovanja kot znanstvenik, inženir, organizator, društveni delavec in pedagog. To delovanje ima svoj izvor v elementarnih človeških vrlinah: temeljitosti, uporni delavnosti, odprtosti in idealizmu, s katerimi je reševal izredno zahtevne naloge tudi v težkih pogojih in prilikah. V našem društvu ga poznamo kot kolego, ki kljub drugim zadolžitvam, če je le mogoče, pomaga pri društveno-stro-kovnem delu in organizaciji naših prireditev. Morda zmoremo le ljudje iz njegove stroke in delovnih področij dovolj visoko ceniti njegovo življenjsko delo, saj poznamo težave, ki jih je moral premagovati. Zato mu ob najvišjem priznanju, ki ga lahko dobi znanstvenik na Slovenskem, in ob njegovem življenjskem jubileju tem bolj upravičeno izrekamo v imenu naših članov, njegovih kolegov in prijateljev iskrene čestitke z željo, da bi pri dobrem zdravju še naprej aktivno deloval v stroki in v društveni dejavnosti v korist naše družbe, naše industrije in novih generacij, ki se napajajo iz njegovega znanja in dela. Ne nazadnje smo tudi prepričani, da je visoko priznanje prof. Kanskemu hkrati tudi neke vrste družbeno priznanje domačim dosežkom na področjih vakuumske tehnike, elektronskih sestavnih delov, mikroelektronike, optoelektronike in materialov za elektroniko, ki smo jih pričeli osvajati v novi Jugoslaviji praktično iz nič. Napisal: Mag. Milan Slokan MI DEM Titova 50, 61000 LJUBLJANA 70 ŠESTDESETOGODIŠNJICA NAŠIH DUGOGODIŠNJIH AKTIVNIH ČLANOVA Stanko Solar Prof. dr. DIMITRIJE TJAPKIN Rodjen 1926. godine u Peci, gde je završio gimnaziju. Diplomirao je 1950. godine na Elektrotehničkom fakultetu u Beogradu - Odsek za telekomunikacije, gde je za docenta izabran 1958. godine, a 19-71. godine za redovnog profesora. vu, a stalni organizator Komisije SD na godišnjim konfe-rencijama ETAN-a. Član je izvršnog odbora društva MIDEM. Za svoj stručni i društveni rad, imenovani je dobio mnoga priznanja od kojih se navode izbor za zaslužnog člana SSESD 1982. godine i orden rada sa crvenom zastavom 1983. godine. Redovni je član Naučnog društva SR Srbije. Dr. DJORDJE BOSAN Rodjen je 18. juna 1926. godine u Senti, S.A.P. Vojvodina. Gimnaziju je završio u Novom Sadu 1948. godine i študije fizike na Prirodno-matematičkom fakultetu u Beogradu završio je 1952. Na Beogradskom univerzitetu (i drugim) uveo je i konci-pirao nastavu iz oblasti Fizičke elektronike poluprovodni-ka i jedan je od pionira oblasti elektronskih sastavnih de-lova kod nas. Jedan je od osnivača Laboratorije za elektro-tehnologiju i osnivač Laboratorije za poluprovodnike na ETF-u u Beogradu, kao i nekih laboratorija na Elektronskom fakultetu u Nišu. Od 1955. godine učestvuje u istraživanjima u oblasti polu-provodnika (Grupa za poluprovodnike pri Elektrotehničkom i Tehnološkom fakultetu u Beogradu). Kao rezultat ovog rada je dobijanje Sedmojulske nagrade SR Srbije za 1963. godinu za rad na tehnologiji poluprovodnika i za uspešnu realizaciju procesa njihove proizvodnje u našoj zemlji. U neposrednom naučnom radu - autor je ili koautor stotinak naučnih radova objavljenih u zemlji i inostranstvu; autor je 6 univerzitetskih udžbenika iz oblasti fizičke elektronike i iz oblasti sastavnih delova. Od osnivanja ETAN-a i SSOSD-a, učestvuje u radu ovih organizacija. Bio je potpredsednik SSOSD-a u prvom sasta- Od početka 1983. godine radi u Elektronskoj industriji u Nišu, u oblasti fizike i tehnologije elektronskih sastavnih delova i materiala, a posebno na elektronskim cevima sa praznjenjem u gasovima, poluprovodničkim sastavnim de-lovima i materijalima i finomehaničko-električnim pre-tvaračima. Znatan deo delatnosti se odnosi i na konstruk-ciju i realizaciju procesne opreme, naročito u oblasti vakuumske tehnike i na odgovarajuči inženjering. U Zavodima RR (kasnije Ei) organizovao je laboratoriju za razvoj i izradu gasnih cevi i detektora jonizujučih čes-tica, Fabriku za proizvodnju poluprovodničkih elemenata i materijala. Najznačajniji rezultat njegovih radova u naučnom pogledu je otkriče egzistencije dugoživečih metastabilnih stanja u 71 gasovhria pod pritiskom od 1 do 1000 mbar i mogučnosti njihovog transporta kroz cevovode. Do kraja 1968. godine bio je direktor Fabrike poluprovod-nika Ei, a od tada pa do kraja .1972. godine direktor razvoja Grupacije fabrika Ei za proizvodnju sastavnih delova elektronskih uredjaja. Od početka 1973. do 1975. godine bio je na dužnosti zame-nika direktora Istraživačko-razvojnog instituta Ei, kao ru-kovodilac dela Instituta u Njšu. V ime Stručnog društva MIDEM želi uspeha i u budučnos.ti puno stručnih Od 1975. godine na stalnom je radu na Elektronskom fakul-tetu u Nišu, radeči uz to u Elektronskoj industriji na istra-živačko-razvojnim projektima na komponentama za speci-jalnu namenu i na drugim poslovima saradnje fakulteta i Ei. Dr Djordje Bošan je objavio oko 100 radova od kojih je zna-tan broj objavljen u vodecim stranim naučnim časopisima. Za objavu pripremio: Mag Stanko Šolar MIDEM Titova 50, 61000 LJUBLJANA mo našim dragim jubilantima sreče, zdravlja, aktivnosti kod našeg zajedničkog rada u MIDEM. STATUT STBUCNOG DRUŠTVA ZA MIKROELEKTRONIKU, ELEKTRONICKE SASTAVNE DIJELOVE I MATERIJALE i_ 0pce odredbe Član 1 strucn0 društvo za mikroelektroniku, elektronicke sastavne dijelove i materijALE (midem) udružuje stručnjake s područja istraživanja razvoja i proizvodnje mikroelektroničkih i ostalih elektroničkih sastavnih dijelova i materijala. Djeluje na području grada Ljubljane. Član 2 Djelatnost društva MIDEM je zasnovana na ustavnim načelima i načelima samoupravnog socijalizma, te na programskim usmjerenjima SSRN Slovenije. MIDEM u SSRN svoje interese usladjuje sa interesima ostalih društvenih činilaca, te se sporazumijeva i dogovara o društvenim akcijama, suradjuje kod prihvačanja političkih smjernica, stavova i zaključaka. Na vlastitu inicijativu ili na inicijativu organizacija SSRN dogovara se o svim aktualnim pitanjima, posebno o vlastitoj programskoj osnovi, kadrovskoj politici, medjunarodnoj suradnji, izdavačkoj djelatnosti, politici financijaranja i ostalom. Član 3 Društvo MIDEM produžava djelatnost stručne sekcije ETAN-a za elektroničke sastavne dijelove, mikroelektroniku i materijale i samoupravno je udrženo u savez ETAN. Društvo MIDEM je član Elektrotehniške zveze Slovenije. Društvo MIDEM može biti i član drugih stružnih saveza u zemlji i inozemstvu pod uvjetom da djelatnost inozemne društvene organizacije nije u suprotnosti s interesima Jugoslavije, te da je u skladu s Društvenim dogovorom o uskladjivanju medjunarodne suradnje društvenih organizacija i društava. Član i) Društvo MIDEM je pravna osoba. Sjedište društva je u Ljubljani. Član 5 Djelatnost MIDEM je javna. Članovi društva imaju pravo uvida u zapisnike svih sjednica organa društva, mogu prisustvovati sjednicama organa društva. Sjednicarna mogu prisustvovati takodjer i predstavnici javnih glasila. 0 svojim aktivnostima članstvo se obavještava preko glasila Društva i ostalih sredstava javnog obavještavanja. Za osiguranje javnosti djelovanja odgovoran je predajednik MIDEM. Član 6 Društvo MIDEM ima žig okruglog oblika sa tekstom na obodu : Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale, a u sredini: Ljubljana. 72 - razvija medju članovima metode drugarskog, timskog rada i svijest samoupravljanja. iii Članstvo Član 15 Društvo MIDEM zastupa i predstavlja predsjednik ili , u njegovoj odsutnosti, jedan od potpredsjednika. Za Izvršni odbor potpisuju predsjednik i tajnik ( u odsutnosti predsjednika jedan od potpredsjednika ). Dokumente u vezi sa finimi nosi ovanjem potpisuje predsjednik i član Izvršnog odbora zadužen za financije. iiciljevi i zadaci Član 8 Cij.j stručnog društva MIDEM je udruživanje, informiranje i stručno usavršavanje stručnjaka sa područja istraživanja, razvoja, proizvodnje i upotrebe mikroelektroničkih monolitnih i hibridnih sklopova, diskretnih poluvodičkih elemenata, pasivnih elektroničkih dijelova, elektronskih cijevi, senzora, sunčanih eelija, baterija, štampanih pločica, elektrornehaničkih elemenata, kabeia , optoelektroničkih elemenata i drugih sastavnih dijelova za elektroniku i materijala koji su potrebni za izradu navedenih elektroničkih elemenata i mikroelektroničkih sklopova. Društvo za ispunjavanje svoje uloge ima slijedeče ciljeve i zadatke : - prati moderna svjetska dostignuča sa područja svog djelovanja i prenosi informacije svojim članovima , te tirne posredno organizacijama udruženog rada potpomaže interdisciplinarnu znanstvno-stručnu djelatnost i metodologiju rješavanja stručnih problema - na području svoje djelatnosti suradnjuje kod stvaranja javnog struonog mišljenja o tehnološkim i privrednim problemima - potpomaže i organizira različite oblike stručnog usavršavanja- svojih članova - organizira stručna i znanstvena savjetovanja sa sudjelovanjem domačih i inozemnih stručnjaka - potpomaže i organizira izdavačku djelatnost u skladu sa važečim propisima s tog područja surad juje sa organizacijama udruženog rada kod rješavanja pojedinih problema struke suradjuje sa društveno-političkim i interesnim zajednicama u odredjivanju programa istraživanja, razvoja i proizvodnje s DOdručja svog djelovanja - suradjuje pri oblikovanju stručne terminologije sa srodnim društvima suradjuje na problematici standardizacije sa kvalificiranim ustanovama - gaji svijest o kvaliteti proizvodnje i proizvoda sa područja djelovanja svojih članova -■organizira komisije za pojedina područja djelovanja - organizira stručne sekcije po potrebi Član 9 Član stručnog društva MIDEM može biti svaki državljanin sfrj koji radi na području djelatnosti društva, a priznaje mu se najmanje srednja stručna sprema. Član može biti i svaki študent koji je upisan na neki tehnički ili prirodoslovno-matematički fakultet sveučilišta u sfrj, ili srodnu visokoškolsku ustanovu. Član može biti takodjer i strani državljanin s pravom boravka, odnosno sa stalnom dozvolom boravka u sfrj, ako ispunjava spomenute stručne uvjete. Član 10 0 primanju novih članova u društvo MIDEM odlučuje Izvršni odbor na osnovu prijavnice. 0 primanju članova u društvo mora Izvršni odbor odluoiti na prvoj svojoj slijedečoj sjednici i o zaključku obavijestiti člana u roku od 15 dana. Eventualne pritužbe na odluke Izvršnog odbora rješava Skupština. Član 11 Počasne članove Društva imjnuje Skupština MIDEM na osnovu prijedloga Izvršnog odbora. Član 12 Uvjeti za dodjelu naziva počasnog, odnosno zaslužnog člana su naznačeni u posebnom pravilniku Saveza inženjera i tehničara Jugoslavije - SITJ. Član 13 Prava članova su : - da biraju i da budu birani u organe Društva - da sudjeluju u svim akcijama Društva da raspravljaju o djelovanju organa Društva i predlažu mjere za poboljšanje njihovog djelovanja - da sudjeluju na sjednicama organa Društva - da imaju uvid u sve dokumente Društva. Član 14 Dužnosti članova su : - da djeluju u skladu s ovira Statutom - da aktivno sudjeluju u ostvarivanju ciljeva i zadataka Društva - da drugarski i stručno suradjuju - da redovno plačaju članarinu. 73 Član 15 Članstvo u Društvu prestaje : - istupanjem na vlastiti pismeni zahtjev - brisanjem sa spiska članova zbog neplačanja članarine jednu godinu i pored pismene opomene - isključenjem zbog grube povrede Statuta ( odlučuje Disciplinski sud ) ' - prestankom djelovanja društva - smrču. IV ORGANI Član 16 Organi Stručnog društva za mikroelektorniku, elektroničke sastavne dijelove i materijale MIDEM su : 1 - Skupština 2 - Izvršni odbor - 10 3 - Odbor samoupravne društvene kontrole - OSDK 4 - Drugarsko vi ječe - DV 5 - Disciplinski sud ( DS ) 6 - kao pomočni organ 10 osniva Sekretarijat Član 17 Mandatno razdoblje svih organa i funkcija je tri godine sa mogučnošču ponovnog izbora za samo još jedno uza-stopno mandatno razdoblje. 1. Skupština Član 18 Skupština je najviši organ društva, kojeg čine svi članovi društva. Skupština može biti redovna ili izvanredna. Redovna Skupština je svake godine i. saziva je 10. Izbori za nove organe su svaku treču godinu. Član 19 Izvanrednu skupštinu može sazvati 10 na svoju inicijativu, na zahtjev OSDK ili na zahtjev 1/3 članova. Član 20 Dnevni red izvanredne skupštine može sadržavati samo pitanja zbog kojih je sazvana. Član 21 Skupština zaključuje punovaljano ako je prisutno više od polovine članova . Ako u sazvano vrijeme skupština nema kvoruma, pričeka se pola sata, nakon' čega se pruvovaljano zaključuje ako je prisutna barem 1/3 članova. Član 22 Skupštinu otvara predsjednik društva i vodi je do izbora radnog predsjedništva, kojeg biraju članovi. Skupština bira zapisnioara, dva ovjeritelja zapisnika, tri člana Komisije za zaključke i po tri člana Kandidacione i Izborne komisije, kao i druga radna tijela. Skupština posluje po posebnom poslovniku. Član 23 Izbori i glasanja su u načelu tajni, osim ako skupština ne odredi drugačije. 0 prestanku djelovanja društva, glasanje je samo tajno, a potrebno je da za zaključak glasa 2/3 svih članova. Član 2k Skupština ima slijedeče zadatke : a - prihvaea, mijenja i dopunjuje Statut b - imenuje počasne članove c - odlučuje o konačnom isključenju članova č - daje smjernice i potvrdjuje program 10 d - odobrava izvještaje 10 i OSDK e - razmatra i odobrava financijski izvještaj i prihvaoa završni račun f - bira i razrješava predsjednika Društva, članove 10, Odbora SDK, Drugarskog viječa i Disciplinskog suda g - prihvača program rada h - rješava pritužbe na odluke 10 i Disciplinskog suda i - ovlaščuje 10 da vrši funkciju delegacije j - zaključuje o prestanku djelovanja i udruživanju Društva k - odredjuje članarinu. Član 25 Zaključci Skupštine su obavezni za sve članove. 0 radu Skupštine sastavlja se zapisnik kojeg potpisuju predsjednik radnog ■ predsjedništva, zapisničar i dva ovjerovitelja. Član 26 Predsjednik zastupa Društvo i odgovoran je za djelovanje Društva. - Saziva sjednice Izvršnog odbora i Sekretarijata, te ispunjava zadatke odredjene ovim Statutom. - Predsjednik po isteku mandata može biti ponovo biran za samo još jedno uzastopno mandatno razdoblje. 74 2. Izvršni odbor Član 15 10 je organ društva MIDEM i broji 29 članova biranih na skupštini. 10 predsjedava predsjednik društva, ko ji saziva 10 najmanje tri puta godišnje. Dnevni red mora biti saopčen Darern TJ dana pri je sjednioe Odbora. Svaki član Odbora ima pravo da najkasnije 7 dana po priraitku dnevnog reda predloži dopunu. 10 pravovaljano zaključuje ako glasa za zaključak barem polovica članova ili dvotrečinska večina prisutnih članova. Član 23 Izvršni odbor za svoj rad odgovara Skupštini. Član 29 Izvršni odbor ima slijedece zadatke i prava : - brine se za izvršavanje zaključaka skupštine - priprema program rada za trogodišnje razdoblje, kojeg daje skupštini na usvajanje - izvještava skupštinu o radu Društva - priprema financijski plan i završni račun o godišnjem poslovanju - predlaže skupštini nabavku i prodaju imovine Društva - priprema pravilnike, imenovanje predsjednika komisija i sekcija, te koordinira njihov stručni rad - tumaci statut - saziva redovnu i.li izvanrednu skupštinu u skladu sa statutom - potvrdjuje godišnji stručni program i daje smjernice za aktivnosti na pojedinim područjima djelovanja - odlučuje o članstvu u društvu MIDEM - briše sa spiska članstva članove koji nisu platili članarinu - obzirom na potrebe djelovanja društva može osnovati sekcije kao radna tijela potvrdjuje organizacijske i stručne odbore manifestacija - kontrolira djelovanje stružnih službi - odobrava honorare i ostale tekuče finanoijske poslove - bira i razrješava potpredsjednike i sekretare društva, te člana zaduženog za financije - bira članove sekretarijata. potvrdjuje redakcijski odbor i glavnog urednika glasila društva ( Informacije ) potvrdjuje zaključke sekretarijata i godišnje izvještaje sekretarijata delegira svoje članove u organe samoupravnih interesnih zajednica, ustanova, asocijaoija udruženog rada itd. Sekretari jat Član 30 Za uspješno izvodjenje tekucih poslova izmedju sjednica Izvršnog odbora, Izvršni odbora bira sekretarijat u sastavu : predsjednik društva, trojica potpredsjednika, dva tajnika, član odgovoran za finanoije, te osam članova. Član 31 Sjednice sekretarijata saziva predsjednik, sa ovlaštenjem potpredsjednici. Sjednice se sazivaju po potrebi. Sekretarijat može biti, prema potrebi, proširen sa predsjednicima komisija. Član 32 Sekretarijat rješava sva tekuča pitanja s područja djelovanja društva u okviru odredbi i smjernica Izvršnog odbora i odgovara Izvršnom odboru. Član 33 ■Sskretari jat donosi zaključke sa večinom glasova članova sekretarijata ili sa dvotreoinskom vecinom prisutnih članova. Sekretarijat pripret*« ■> nredlaže : - predlaže imenovanje počasnih članova - priprema pravilnike - predlaže komisije - predlaže sekcije i predsjednike sekcija - predlaže organizacijske i stručne odbore manifestacija - predlaže urednički odbor i glavnog urednika glasila midem~a - prdlaže honorare i ostale tekuče.financijske poslove - priprema godišnji izvještaj, kojeg potvrdjuje Izvršni odbor. 11 Odbor samoupravne društvene kontrole - PSDK Član 3t Odbor samoupravne društvene kontrole -OSDK bira ština.Sastavljen je'od 5 članova, koji iz svoje sredine biraju predsjednika. Član 35 OSDK nadzire cjelokupno djelovanje S tručnog društva za 75 mikroelektroniku, elektroničke sastavke dijelove i materijale, te ispunjavanje zaključaka organa Društva, ispunjavanje samoupravnih prava, zakonskih propisa i odredaba, kontrolira financijsko poslovanje i pravilnost rada. OSDK izvještava S;kupštinu, kojoj je odgovoran, te predlaže davanje razrješniee organima Društva. 0 pregledu godišnjeg završnog računa izvještava i Izvršni odbor. Zaključci OSDK su važeči ukoliko su prihvačeni večinom glasova svih članova. Članovi OSDK iraaju na svira sjednicama organa društva savjetodavno pravo i o svim su sjednicama unaprijed obaviješteni. Članovi OSDK ne smiju biti članovi Izvršnog odbora ili Sekretarijata. 5 - Drugarsko viječe Član 36 Drugarsko viječe razrješava sporove medju članovima. Drugarsko viječe od tri člana bira S.kupština. Izmedju sebe biraju predsjednika. Viječe ima sekretara, ko ji ni je član vi ječa. 0 svom radu viječe vodi zapisnik. Zakl.iučci vi.ieos niora.iu biti jednoglasni. U slučaju da se ne postigne jednoglasnost zaključak donosi Skupština. Pritužbe na zaključke vi ječa rješava .Skupština <, ■Zaključci 3J < merjene računar 0 FL P6 1 SG 2'30 „ — _ —• ™ / // / / / / / /V JO zasuki rog. v Slika 6. : Primerjava izmerjene in izračunane regulacijske krivulje za jedro FL 26 16G 250 zamaknjeno proti središču zunanjega do 0,05 mm, kar povzroča nihanje debeline cevk. 4. POJAV OSCILACIJ Pri meritvah regulacijskih krivulj lahko predvsem pri jedrih z višjo permeabilnostjo in debelejših regulacijskih cevkah opazimo oscilacije, ki se ponavljajo pri vsakem polnem zasuku regulacijskega vijaka (glej sliko 7). Oscilacije so izrazitejše pri nižjih vrednostih A faktorja in L večjem zunanjem premeru cevk. Iz teh lastnosti lahko sklepamo, da so posledica spreminjanja srednje razdalje r med cevko in steno jedra pri polnem zasuku cevke v čepu. 91 Oscilacije povzročata dva vzroka. Prvi je spreminjanje razdalje c^r zaradi nepravilne oblike cevke (izbokline, vboklino ali nihanje debeline stene) in luknje v čepu, drugi pa opletanje regulacijskega vijaka pri privijanju zaradi 24 j 18 12 \ 4 6 I FL 26 160 2'jO j // / / /A / ^ "/K* ~ Ä w \s V \ / / / / / V V J 0 2 4 6 8 10 zasuki regulacijskega v. Slika 7. : Regulacijska krivulja z oscilacijami izmerjena na jedru FL 26 16G 400 z regulacijsko cevko 6G 81 ekscentrične namestitve matice, različno velikih in močnih ušesc pri glavi vijaka ali zamaknjenih polovic jedra. 5. ZAKLJUČKI a) Primerjava rezultatov meritev in računa nam pove, da so regulacijske krivulje, izračunane na osnovi modela, dober približek in jih lahko uporabljamo kot vodilo pri načrtovanju in izbiri regulacijskih sklopov. Dovolj natančno nam podajajo največje stopnje regulacije, razen pri jedrih z visokimi A faktorji, pri katerih je dose-žena stopnja regulacije višja. b) Rezultati računa nam kažejo, da je naša zasnova regulacijskih sklopov dobra, saj zagotavlja primerno regulacijo induktivnosti za veliko večino jeder in A faktor-jev. Analiza nam omogoča, da pri regulacijskih sklopih, ki ne ustrezajo popolnoma, izvedemo potrebne popravke (sprememba zunanjega premera ali dolžine regulacijske cevke). c) Oscilacije pri regulaciji lahko odpravimo tako, da preprečimo vzroke zanje. Zagotoviti moramo boljšo kvaliteto cevk (obodno brušenje), natančno in centrično vstavljanje matic ter kvalitetno brizganje vijakov. Pri sestavljanju jedra moramo paziti, da sta središči lukenj obeh polovičk jedra poravnani. Literatura: /1/ "Magnetna jedra za induktorje in transformatorje"; IEC publikacija 367-la, Ženeva, 1971 /2/ E.C. Snelling : Soft Ferrites, Illife, London, 1969 Avtorjev naslov: Borut Lenardič , dipl.ing. Institut Jožef Štefan Jamova 39, 61000 LJUBLJANA VPLIV RADIOAKTIVNEGA SEVANJA NA POLPREVODNISKO P-N STRUKTURO Mirko Proseno 1. UVOD Zadnje čase se širša javnost intenzivneje zanima za vpliv radioaktivnega sevanja na človeka. Takoj po odkritju radioaktivnega sevanja, so se fiziki že zanimali za vpliv sevanja na trdo snov. Podobno se je zgodilo ob odkritju polprevodnikov. V pedesetih letih, ko so polprevodniki že bili na svojem velikem pohodu, so strokovnjaki že gledali vpliv radioaktivnega sevanja na p-n strukturo. Kasneje z razvojem reaktorske tehnike, vesoljskih poletov itd. je to zanimanje še raslo. Elektronski sistemi morajo delovati v vesolju, blizu jedrskih reaktorjev, blizu izotopov ali blizu pospeševalnikov. Vojaški strokovnjaki pa so seveda računali tudi na jedrske eksplozije. V pričujočem članku si bomo ogledali mehanizem in vrste poškodb povzročenih z radioaktivnim sevanjem, posledico teh poškodb in vpliv teh poškodb na p-n strukturo. Poudarek bo dan na poškodbe, povzročene s hitrimi nevtroni, relaksacijo teh poškodb in koristno uporabo pri izdelavi elementov s kratkim preklopnim časom (fast recovery devices). 2. MEHANIZEM POŠKODB Radioaktivno sevanje povzroči v polprevodniku: - spremembe v kristalni strukturi - transmutacijo elementov in tvorbo izotopov - nastanek ionov 92 Ogledali si bomo le prvo posledico. Za tvorbo defektov v kristalni strukturi se največkrat uporabljajo hitri elektroni, £"žarki in hitri nevtroni. Visoko-energetski elektroni (^2 MeV) povzročajo mrežne defekte, kot so premiki atomov iz ravnovesne lege. Pri tem nastanejo instersticialni atomi, praznine, pari intersticial-ni atom - praznina, dvojne praznine vezane za atom kisika, fosforja ali kakega drugega dopanta. tnje se ne nahaja več v valenčnem ali prevodnem pasu, ampak se le-ta pojavi v prepovedanem energijskem pasu. Motnja z energijskim nivojem blizu sredine prepovedanega energijskega pasu ali z več energijskimi nivoji blizu sredine prepovedanega energijskega pasu predstavlja re~ kombinacijski center. Slika 2 prikazuje položaje energijskih nivojev v prepovedanem energijskem pasu za dopanta Au in Pt ter za defekte povzročene s hitrimi elektroni. °00000°00 °0°000000 o°o o o°o o o o o o o o o o o o oo ŽgŠ tr °000°0000 ouo°ououo Q Normalni atom 0 I nt«ryticialni atom -Pot primarnega delca Pot primarnega izbitega o°o° °§ogogogogogog o o°o° O O O w™. v^. ~ w o°o° w 0°0000000° °00000000000°0 ogog °o°o °o°o °ogo ogo ligi o°o° o°o° o°o° o°o° Slika 1.: Instersticialni atomi z večkratnimi prazninami v skupku Podobno "razdejanje" je posledica obsevanja z gama žarki. Gama žarki preko Comptonovega sipanja izbijajo elektrone, ki nadalje izbijajo atome iz kristalne rešetke. Prodornost gama žarkov pa je dosti večja kot prodornost e~ lektronov. Če obstreljujemo polprevodnik s hitrimi nevtroni, nastanejo poškodbe bolj kompliciranih oblik. Nevtron se pri prehodu skozi kristal elastično sipa na jedrih. Nadaljnje poškodbe v kristalu povzroči jedro primarno izbitega atoma. Sprememba energije pri trku hitrega nevtrona s kinetično energijo 1 MeV je tolikšna, da primarno izbito jedro izbije v okolico 500 X. nekaj sto atomov. Tako primarno izbita jedra nadaljujejo izbijanje ostalih atomov. V tem primeru se skoraj vsak atom na poti primarno izbitega jedra premakne iz svojega mesta v kristalni rešet- ki in ustvari se področje velikega nereda. Lokalna gosto-18 —3 ta defektov je okrog 10 cm . Shematično je tako po dročje prikazano na sliki 1. Opisani defekti v kristalni rešetki pomenijo motnje periodičnosti potenciala kristalne rešetke. Energijski nivo mo- Ec El ' 0,5i eV DOMINANT TČuieV " 0,32eV |pt I Pt ti 0,i2eV 10,2 3 eV DOMINANT •■BSMTMnt "Pt 11 0,35 cV Pt I f 0,26eV i 0,27 eV ZLATO PLATINUM ELECTRONI Slika 2. : Položaj energijskih nivojev Če leži energijski nivo difundiranega elementa alt poškodbe blizu sredine prepovedanega energijskega pasu, pomeni, da deluje atom elementa ali poškodba kot rekombina-cijski center. Torej je v tako poškodovanem kristalu življenjska doba nosilcev naboja krajša. V rekombinacijskem centru se namreč rekombinirajo elektroni in vrzeli. Življenjsko dobo manjšinskih nosilcev naboja v obsevanem materialu opišemo z empirično zvezo. 1 T K0 Kjer je življenjska doba manjšinskih nosilcev naboja v neobsevanem materialu, 0 je fluks hitrih nevtronov, K pa konstanta poškodbe. Pri hitrih diodah želimo imeti preklopni čas, ki je v direktni zvezi z življenjsko dobo nosilcev naboja, kontroliran. Tako lahko z radiacijskimi poškodbami uravnavamo preklopni čas diode. 3. RELAKSACIJA POŠKODB Defekti in skupki defektov, ki so sicer pri sobni temperaturi stabilni, postanejo nestabilni pri povišani temperaturi. Višja je temperatura, manj defektov je stabilnih, tako da se pri dovolj visoki temperaturi vse radiacijske poškodbe anihilirajo. Ta temperatura je odvisna od lastnosti polprevodnika, od primesi v polprevodniku, od prejete doze, 93 vrste in energije vpadnih delcev oziroma kvantov sevanja, ter se giblje od 200°C do 700°C . Slika 3 prikazuje odvisnost preklopnega časa od fluksa hitrih nevtronov (3.MeV). Slika 5 prikazuje temperaturno odvisnost preklopnega časa diode. Dioda je bila obsevana s fluksorn 10"1'3 nevtro-2 nov/cm . Vidimo, da lahko z dovolj natančno temperaturo napuščanja dobimo dokaj natančno preklopni čas. Trr [10-9S] 200 100 0 2 3«r ioK "i cirii J Slika 3.: Odvisnost preklopnega časa od fluksa hitrih nevtronov Iz sliko se vidi, da je samo z obsevanjem s hitrimi nevtroni težko kontrolirati preklopni ras, saj je zahtevani preklopni čas ravno v področju z največjim nagibom. Rešitev je v tem , da diodo obsevamo z večjimi dozami in da I A Čas napuščanja 0,5 ure a 1012 nev./cm2 o 10" ncv./cm2 300 ¿00 500 600 700 T L °C 3 Slika 'I.: Temperaturna odvisnost preklopnega časa od fluksa nevtronov preklopni čas uravnavamo z napuščanjem. Slika '1 prikazuje temperaturno odvisnost preklopnega časa za dva fluksa nevtronov. Trr (P s) ' 0 čas obsevanja 5min. čas napuščanja 0,5 ure 370 390 M0 ¿30 450 470 490 510 T(°C) Slika 5. : Temperaturna odvisnost preklopnega časa diode tOOOpA Temperaturna odvisnost zapornega toka pri napetosti Ur . 500V 100 IOjjA 01 20 80 100 120 140 160 — T t°C] Slika 6. : Temperaturna odvisnost zapornih tokov od vrste rekombinacijskih centrov 94 4. PRAKTIČNA UPORABA Ponavadi se za krajšanje življenjske dobe manjšinskih nosilcev naboja uporablja difuzija zlata, platine ali tudi drugih elementov, ki imajo energijske nivoje blizu sredine prepovedanega energijskega pasu. Pomanjkljivost difuzije težkih metalov je, da se le-ti med difuzijo nalagajo na kristalne defekte, poleg tega pa jih difundirani sloji na površini getrajo. Zaradi tega dobimo precejšen raztros preklopnega časa. Hitri nevtroni imajo povprečno prosto pot v siliciju 7 cm in so nevtralni glede elektrostatičnega potenciala. Torej imamo porazdelitev življenjske dobe manjšinskih nosilcev naboja v elementu in od elementa do elementa enakomernejšo. Od položaja energijskega nivoja rekombinacijskega centra v prepovedanem energijskem pasu je odvisna tudi povezava med puščanjem diode (Ig) pri določeni napetosti in med temperaturo okolice. Kakšni so zaporni tokovi pri diodah z različnimi vrstami rekombinacijskih centrov, vidimo na sliki 6. Tu vidimo, da imajo diode dopirane z zlatom kot rekombinacijskim centrom za velikostni razred večje zaporne tokove, kot diode dopirane s platino in diode z rekombinacijskimi centri povzročenimi z hitrimi nevtroni. Vidimo, da so glede zapornih tokov diode s platino kot rekombinacijskim centrom najboljše, z zlatom pa najslabše. Glede prevodnega padca diode je obratno. Hitri nevtroni narede veliko razdejanje v kristalni rešetki, toda kljub temu so zaporni tokovi razmeroma majhni. ZAKLJUČEK Dokazali smo, da se da nevarno radioaktivno sevanje koristno uporabiti tudi v polprevodniški tehnologiji. Diode, na katerih smo merili odvisnost preklopnega časa od fluksa nevtronov in temperature napuščanja, so imele bazo n tipa upornosti 40®. cm, globino stika 80 uA in širino baze 70^um. Preklopni čas smo merili pri pogojih I = 10 mA, I = 10 mA. Diodni čipi so bili obsevani v mo-r K krem kanalu jedrskega reaktorja TRIGA v Podgorici. Dobre strani uvajanja rekombinacijskih centrov z obstreljevanjem s hitrimi nevtroni so bile že opisane, slaba stran je ta, da lahko postane element po obsevanju nekoliko aktiven in je potrebno paziti, kaj poleg Si, P in B še obsevamo, da ne bi dobili kakšnih dolgoživih izotopov. Defekti povzročeni z obstreljevanjem s hitrimi nevtroni so razmeroma razsežni, kljub temu je zaporni tok diode manjši kot pri difuziji zlata. Manjše defekte dobimo z obsevanjem z gama žarki ali s hitrimi elektroni, o tem pa kdaj drugič. LITERATURA 1. H. Lourence, R.M. Warner, Bell System Tech. J. Vol. 39, 1960, pp 389 - 404 2. B.Y. Boliga, E. Sun, IEEE ED - 24-, 685 (1977) 3. P.S. Kireev, Fizika poluprovodnikov, Moskva "Višaja škola" (1975) 4. V.A.J. von Lint, T.M. Flanagen, R.E. Leadon, J.A. Naber, V.C. Ragers "Mechanism Of Radiation Efect in Electronic Materials" John Wiley 1980 5. B. Henderson "Defects in Crystaline Solids" 6. Vilfan Igor raziskovalna naloga "Vpliv nevtronskega obsevanja na življenjsko dobo nosilcev naboja v polprevodniški strukturi" Trbovlje 1982 Avtorjev naslov: Mirko Prosenc ISKRA - Elementi TOZD Polprevodniki Gabersko 12, 61420 Trbovlje MINIATURNI ODJEMNIK TLAKA IN NJEGOVA TEMPERATURNA KOMPENZACIJA Stanko Solar Dva osnovna tipa odjemnikov tlaka se proizvajata danes na osnovi polprevodniške tehnologije. Prvi tip uporablja membrano iz silicija z monolitnimi razsteznimi trakci i-zoliraninri od podlage to je od P-N spoja (slika l). Temperaturna odvisnost odjemnika je v glavnem odvisna od razteznostnega faktorja silicijevega kristala, ki je -0,22 %/°C (slika 2) . Temperaturna odvisnost je pogojena z na- činom vgradnje tabletke, na primer z lotanjem vakuumske komore ali ohišja tabletke na osnovno podlago. Navedena vrednost temperaturne odvisnosti se lahko spremeni za + 0,05 %/ C. Pri uporabi odjemnika v širšem temperaturnem območju, še posebno nad 100 °C, je priporočljivo izvesti temperaturno kompenzacijo. 95 Enak zaključek velja tudi za drugo vrsto odjemnikov, ki ne uporabljajo silicijeve membrane. Tu uporabljajo za membrano baker-berilij debeline 0,3 mm (slika 3). Površina je izolirana s 3^um plastjo silicijevega dioksida pridobljenega iz parne faze pri nizki temperaturi. Raztez- difuzijski upori Slika 1. : Monolitna izvedba odjemnika tlaka na Si nanjim vezjem kompenziramo nastale temperaturne spremembe. To zahteva programiran s specifičnimi parametri pomnilnik v odjemniku, kar zagotavlja enostavno zamenjavo. Slika 3. : Tankoplastni odjemnik tlaka nostni upori so naparjeni iz polikristaliničnega germanija ali silicija. Prednost polikristaliničnega silicija je v manjši temperaturni odvisnosti, ki jo lahko celo izničimo (slika 4). Polikristalinični silicij ne moremo deponirati pri nizki temperaturi brez posledice laserske rekristalizaci-je, medtem ko je možno nanašati germanij še pod 300°C. 2. Na odjemnik dogradimo dodatne pasivne gradnike, ki so lasersko doravnani. Na žalost tak poseg zmanjšuje občutljivost odjemnika. 3. Uporabimo krmiljen napetostno-frekvenčni pretvornik, kjer zunanji regulator čita parametre odjemnika, shra- %/°C 10'3 10~2 10 Specifična upornost Si [ohmcm] %/°C 0.02 0.01 0 ■0.01 \ \ c: =e> N < 30 . 20 10 10™ 10* 10 -dopirna doza (cm'31 Slika 2. : Razteznostni faktor in njegova temperaturna odvisnost Uporaba germanija zahteva posebno temperaturno kompenzacijo, toda nudi boljšo občutljivost. Temperaturna odvisnost občutljivosti je v razredu -0,15 %/°C. Tudi tu je temperaturna odvisnost znatno povzročena od namestitve membrane. Ob pravilni namestitvi je okoli 0 in lahko doseže tudi + 0,04 %/°C . Več metod je uporabljivih za odpravo neželenih temperaturnih sprememb: 1. V tlačni odjemnik vgradimo še temperaturni in z zu- Slika 4.: Razteznostni koeficient in njegova temperaturna odvisnost polikristaliničnih uporov dopiranih z borom. Majhna temperaturna odvisnost je pogojena tudi z elastičnimi lastnostmi baker-berili-jeve membrane njene v pomnilniku, ki krmilijo napetostno-frekvenčni pretvornik. (Podobno kot 1.). 4. Merimo mostično upornost, ki je tudi temperaturno odvisna in to temperaturno odvisnost kompenziramo z zunanjim analognim alt digitalnim vezjem. (Podobno kot 2.) . 96 5. V odjemnik vgradimo posebno lasersko doravnano integrirano vezje, ki vsebuje temperaturno odvisne elemente. Zadnja rešitev je tehnološko najprimernejša in uporabljiva za razne vrste tlačnih odjemnikov, ne potrebuje posebnih zunanjih vezij in omogoča ojačenje res šibkih signalov brez motilnih vplivov. Glavni problem je v gradnji pri- na zaščita sta vključeni v načrtovanje. Rezultat laserskega doravnavanja za silicij žal ne more biti nanešen pri nizkih temperaturah brez dodatne laserske rekristalizaci-je, kot je to možno pri depoziciji germanija in temperaturi pod 300°C. Ker je temperaturna kompenzacija pri obeh materialih skoraj nujna za boljše točnosti, ima germanij veliko prednosti pred silicijem. Temperaturna odvisnost občutljivosti je v razredu 0,15 %/°C. Temperaturna odvis- Slika 5.: Shema odjemnika tlaka merjalnika z vgrajenimi temperaturno odvisnimi tanko-plastnimi upori. Tankoplastni upori morajo imeti temperaturni koeficient 0,4 %/°C. Paziti moramo na lastno segrevanje, ki ne sme vplivati na rezultat odjemanja. Integrirano vezje v glavnem zavisi od ostrine laserskega snopa ob doravnavanju. Potreben je poseben laserski doravnal-nik z ostrino snopa manjšo od 5 .um. Shema vezja tlačne- nost nastavitvenega začetnega stanja je v veliki meri odvisna od dotika membrane. Je okoli nič, lahko pa doseže + 0,04 %/°C. V preteklosti so raziskovali več možnih pristopov temperaturne kompenzacije z namenom doseči čim boljše točnosti odjemnikov v širokem temperaturnem območju. A u/U [Vol x-izračunana karakteristika - e-izmerjena karakteristika X e K® 0.5 1 p lbar] Slika 5. : Izračunana in izmerjena karakteristika odjemnika z a = 0,97 mm in h = 21 mikrom ga odjemnika je podana na sliki o. velikost integriranega vezja, ki vsebuje šest primerjalnikov, izhodno stopnjo in 2 tankoplastne upore, je 2 x 4 mm . Nadnapetostna in tokov- a =0.97 mm h = 21fjm e U =3V * I =1.5mA 80 Tl"C] Slika 7. : Temperaturna odvisnost odjemnika tlaka 1. V odjemnik tlaka vgradimo še temperaturni odjemnik in izvedemo temperaturno kompenzacijo z zunanjim vezjem. Ta pristop zahteva programiran pomnilnik s specifičnimi parametri, kar omogoča enostavno zamenjavo odjemnika. 2. Na odjemnik tlaka dogradimo pasivne komponente, ki jih lasersko doravnavamo. Na žalost ta postopek zmanjšuje občutljivost. 97 3. Uporabimo reguliran napetostno-frekvenčni pretvornik, kjer zunanje vezje čita parametre odjemnika sprevlje-ne v notranjem bralnem pomnilniku in vrši korekcijo napetostno frekvenčnega pretvornika. (Glej točko 1.). 4. Merimo upornost mostička v odvisnosti od temperature in jo kompenziramo z zunanjim analognim ali digitalnim vezjem (glej točko 2.). 5. V odjemnik tlaka vgradimo lasersko doravnano integrirano vezje, ki vsebuje temperaturno spremenljive ele-m ente. me vse bolj pojavljajo tudi potrebe po odjemnikih tlaka (avtomobilska industrija, avtomatsko-regulacijska tehnika, medicina, robotika, varnostni sistemi ...) kljub zaostajanju razvojno-raziskovalne aktivnosti tega področja, smo tehnološko sposobni izdelovati odjemnike tlaka na različnih podlagah z membranami iz keramike, stekla ali silicija. Med dostopnimi in že uveljavljenimi tehnologijami ločimo - debeloplastne odjemnike tlaka na Al^O kerarr>ič- ni podlagi - tankoplastne odjemnike tlaka na keramiki ali ste- klu - odjemnike tlaka na siliciju. Na Fakulteti za elektrotehniko v Ljubljani je bil razvit tehnološki postopek izdelave silicijevega piezoresistivnega odjemnika tlaka ter obdelana teoretična podlaga njegovega delovanja. Po svojih lastnostih se odjemnik lahko meri s podobnimi uvoženimi izdelki tako po velikosti in linearnosti odziva kot tudi po temperaturnem vedenju ( sliki 6 in 7). Za temperaturno območje od - 30°C do 120°C so v prednosti odjemniki tlaka na siliciju z integriranimi polikri-staliničnimi upori skupaj z merilnim ojačevalnikom v eni izmed MOS tehnologij. Ti odjemniki bi lahko bili uporabljivi za profesionalne namene in široko potrošnjo. Po G. Kowalski, Valvo RHW priredil: Mag Stanko Solar ISKRA - Avtoelektrika Začasni naslov: ISKRA - Mikroelektronika Stegne 15 d, 61000 Ljubljana Za najugodnejšo rešitev se je pokazal zadnji pristop, ki ga je možno uporabiti za razne vrste odjemnikov, ne zahteva posebnih prilagodilnih vmesnikov in ima že vključen ojačevalnik v sam merilni mostiček tlaka. Temu načinu so v svetu posvetili največ časa, zaradi svoje neobčutljivosti na zunanje okolje. V prvih rešitvah so integrirali skupaj z bipolarnim operacijskim ojačevalnikom temperaturno odvisne tankoplastne upore. Tankoplastni upori morajo i-meti razmeroma visok temperaturni koeficient 0,4 %/ C. Paziti moramo še na lastno segrevanje, ki naj ne bi dodatno vplivalo na točnost odjemanja. Laserski žarek za do-ravnavanje naj bo fokusiran na premer 5^,um. Sistem za doravnavanje naj ima avtomatsko kontrolo postavljanja, fokusiranja in globine. Shema integriranega odjemnika tlaka (slika 5) vsebuje šest operacijskih ojačevalnikov, izhodno stopnjo, tankoplastne temperaturno odvisne upore, tokovno zaščito in nivojsko stikalo. Odstopanja lasersko doravnanega odjemnika je znotraj 1 % v širokem temperaturnem območju (25 C do 125 C). V domačem prostoru se z naraščajočim uvajanjem elektronike in mikroelektronike v merilno regulacijske siste- NACRTOVANJE VEZIJ S TMOS MOČNOSTNIMI MOSFET TRANZISTORJI Kim Gauen Prispevek jc prevod uporabniškega sestavka "Application Note AN-913", ki ga je posredovala za objavo Elektroteh-na TOZD Elzas iz Ljubljane. Pojav vertikalnega tokovnega krmiljenja pri MOS poljskih tranzistorjih je omogočil prednosti načrtovanja, ki so dobro poznane načrtovalcem integriranih vezij in vezij za male signale, uveljaviti tudi na področju močnostnega krmiljenja. Razlogi za to, da so bili planarni MOSFET tranzistorji nepraktični za močnostno krmiljenje, so: visoka prevodna upornost, velika dolžina kanala, vsi priključki na vrhu čipa, velika površina čipa s spremljajočimi velikimi kapacitivnostmi. Vse te neugodnosti so pri novem tranzistorju i z 1 >o 1 j š a ne. 98 Za krmiljenje vertikalnega toka so bili razviti različni procesi z imeni kot so: VMOS, UMOS, DMOS, itd. Večina dobaviteljev, ki uporabljajo komercialna imena HEX-FET (oznaka firme International Rectifier), MOSPOWER (oznaka firme Siliconic) , SIPMOS (oznaka firme Siemens), itd. , uporabljajo DMOS proces za svoje produkte. Motorola je razvila za svoje MOSFET tranzistorje proces, ki se imenuje TMOS. To je poboljšan dvojni difuzijski proces (vertikalni DMOS) , ki ima nizko prevodno upornost, ima odlično izrabo čipa in omogoča izdelavo tranzistorjev s prebojno napetostjo preko 1000 V. Da bi olajšali razpoznavo Motorolinih elementov, bomo na kratko razložili Motorolin način označevanja. Oznaka MTM pomeni kovinsko TO-204 (prej TO-3) ohišje. Oznaka MTP pomeni plastično TO-220 AB ohišje in oznaka MTH plastično TO-218 AC ohišje (ostala ohišja bodo kmalu na razpolago). Naslednja številka, ki je ena izmed dveh cifer, označuje vrednost toka. Oznaka, ki sledi, to je N ali P, označuje polariteto kanala. Končno, zadnji dve ali včasih zadnje tri cifre podajajo vrednost napetosti deljeno z deset. Na primer: MTM 4N 45 je 4A, 450 V, N- kanalni tranzistor v kovinskem TO-204 ohišju. TMOS struktura celice, ki jo vidimo na sliki l,je ponovlje- 1. PRIMERJAVA BIPOLARNIH IN MOČNOSTNIH MOSFET TRANZISTORJEV Source Metallization N-Channel Drain Current- Insulating Oxide. 81O2 N-Epi Layer N+ Substrata Drain Metallization Slika 1: Presek TMOS celice na na osnovnem čipu nekaj tisoč krat, da s tem zmanjšamo prevodno upornost in povečamo zmožnost krmiljenja toka. Na sliki vidimo, da tok teče v smeri vertikalnih puščic iz ponora, nato skozi kratko razdaljo horizontalno k izvoru. Od tod izhaja oznaka "T"MOS za Motorolin proces. Kratek opis TMOS procesa in strukture bo pomagal načrtovalcu razumeti električne parametre elementa. N-kanalni izboljšani TMOS proces se pričenja z N - epitaksialno plastjo, ki raste na N+ substratu. P plasti so difundirane v N plasti in nato so N območja difundirana znotraj P območja. Nato zraste SiO^ plast, ki omogoči izolacijo vrat in plast polikristalnega silicija, ki je dopiran s fosforjem, se deponira v obliki vrat. Končno se nanese metalizacija za vrata in izvor, ki služi za električni kontakt. To uporabniško navodilo je namenjeno tako tistim, ki poznajo, kot tudi onim , ki ne poznajo načrtovanje z Motoro-linimi TMOS močnostnimi MOSFET tranzistorji. Za tiste, ki stvar poznajo, bo prav gotovo zanimiva primerjava, za tiste pa, ki zadeve ne poznajo(bo ta članek pokazal, kako relativno enostavno se da uporabiti MOSFET elemente. Pogled na sliki 2 in 3 pokaže, da imata bipolarni NPN in N- kanalni TiMOSFET nekatere zelo osnovne podobnosti. Oba izvajata približno enake funkcije. (Sliki 2 in 3 bomo podrobneje komentirali pozneje). Najbolj opazna razlika je ta, da so vrata MOSFET tranzistorja napetostno krmiljena, medtem ko je baza bipolarnega tranzistorja krmiljena tokovno. Sicer so simboli, ki označujejo napetost, tok, itd. elementa sorodni,kot podaja tabela 1. 10 9.0 8.0 7.0 6.0 6.0 .4.0, 3.0 2.0 1.0 0 4.0 8.0 12 16 Vos DRAIN-S0URCE VOLTAGE (V0LTS) Slika 2: I - V prenosna karakteristika tranzistorja MTP 8 N 15 Če primerjamo tehnologijo obeh elementov, vidimo, da je bipolarni tranzistor element z manjšinjskimi nosilci (luknje v NPN tranzistorjih), MOSFET tranzistor pa je element z večinskimi nosilci (elektroni v N- kanalnem FET-u). Vrsta nosilca določa množino naboja, ki ga je potrebno prenesti na vrata ali na bazo, da element odpremo. To dejstvo razloži dve glavni razliki karakteristik obeh elementov. Ker je potrebno prinesti manj naboja na vrata, če želimo element odpreti, sta časa odpiranja in zapiranja MOSFET tranzistorja mnogo krajša. Relativno kratke zakasnitve, 99 časi vzpona in padca MOSFET tranzistorjev nastopajo v glavnem zaradi polnjenja in praznjenja parazitnih kapaci-tivnosti. Časi skladiščenja, ki nastopajo v zvezi z minor-skimi nosilci pri bipolarnih tranzistorjih, pri močnostnih MOSFET ne nastopajo. Način, kako naboj vodimo na bazo bipolarnega tranzistorja, se odraža v več nosilcih toka in nižjem padcu napetosti kolektor-emitor. Zaradi tega je napetost zasičenja bipolarnega tranzistorja običajno nižja kot napetost prevajanja MOSFET pri enaki velikosti čipa. Seveda so lahko nizkonapetostni MOSFET tranzistorji z nizko prevajalno upornostjo izjema pri tem pravilu (prevajalna upornost rDg(on) Je upornost med ponorom in izvorom , ko je MOSFET popolnoma odprt). 10 £ 9.0 < 8.0 z 7.0 Ui £ 6.0 3 5.0 e 4.0 O H 3.0 | 0 4.0 8.0 12 16 VCg, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE da optimizira lastnosti in prakti- vgs> 10» / / / ✓ 'j 100° c . 25°c tj Ti -55° 0 4.0 8 0 12 16 20 in, orain cuflrent (amps) Slika 7: Sprememba r , s v odvisnosti DS(on) od toka ponora in temperature 10 100 200 v0s. obainto-source voltagfc (volts) Slika 9: FBSOA tranzistorja MTM 5N 20 spremembe napetosti vrat (g = dl^/dV.^.) in se spremi- is D OS nja s pogoji delovanja in temperature, kot vidimo na sliki 8. Vrednost g podana v Motorolinih podatkih je določena za aktivni del V g - prenosne karakteristike, kjer sprememba V_„ ne vpliva bistveno na g, . Tipična vred-lio Is nost transkonduktance je določena pri polovičnem podanem toku ponora in pri V^g = 15V. vDs = 15 v TC = 25°C Curve Falls as Device Enters Ohmic Region <5 / (Vqs Dependent) 4 0 60 6.0 70 8.0 9.0 10 11 12 VGS. GATE T0-S0URCE VOLTAGE (VOLTS) Slika 8: Transkonduktanca za male signale v odvisnosti od V za tranzistor MTP 8N 10 GS Za tiste načrtovalce, ki želijo preklapljati močnostne MOSFET tranzistorje iz zapornega v prevodno stanje in o-bratno, je transkonduktanca cesto nepotreben parameter. Kadar tranzistor popolnoma prevaja, deluje v ohmskem področju, kjer je napetost vrat visoka. V tem območju sprememba že tako visoke napetosti vrat prispeva malo k povečanju toka ponora. Zaradi tega je g skoraj nič. čnost. Zelena je nizka napetost praga, da lahko MOSFET tranzistor krmilimo z nizkonapetostnimi CMOS in TTL vezji. Nizka napetost tudi pospeši preklopijanje, ker je potrebno dovesti manj toka parazitni kapacitivnosti. Toda zaradi prenizke napetosti lahko motnje prožijo tranzistor ali ima načrtovalec težave zaradi toka puščanja iz predhodnih stopenj. Tudi prva fronta napetosti na ponoru se lahko prenese na vrata preko parazitne kapacitivnosti vrata - ponor in povzroči odprtje tranzistorja, ki ima nizko ^Qg^^)- 3.5. Področje varnega delovanja V proizvajalčevih podatkih za TMOS tranzistorje so podana tri različna področja varnega delovanja. Da zagotovimo zenesljivo delovanje čez dolgo obdobje, morajo močnostni MOSFET tranzistorji delovati isključno znotraj predpisanih SOA krivulj. Dodatno k področju varnega delovanja v prevodni smeri (Forward Biased Safe Operating Are-as-FBSOA; cesto imenujemo to kar SOA) je podana stikalna SOA (SSOA) in reverzno polarizirana SOA (RBSOA). FBSOA krivulja določa maksimalne napetosti in tokovne ponore, ki jih lahko tranzistor varno prevaja, kadar je odprt oziroma se odpira. Od treh ali morda štirih omejitev, ki jih narekujejo meje FBSOA krivulje, je najbolj upoštevanja vredna maksimalna vrednost napetosti med ponorom in izvorom, ki jo označuje meja D na sliki 9. Če to vrednost prekoračimo, pa četudi samo trenutno, lahko tranzistor trajno poškodujemo. Zato moramo povzeti ustrezne 103 zaščitne mere, če pričakujemo v napajalni napetosti mo-tilne konice. Druga omejitev, označena z linijo C na sliki 9, je termična omejitev ohišja, ki zavisi od termične upornosti med spojem in ohišjem in od maksimalne dovoljene temperat.u- krivulje, ki je na sliki 9 linija B. Omejitev je določena s premerom bondirne žice, velikosti bondirnega priključka izvora, karakteristik tranzistorja in zopet termične upornosti. Čeravno MOSFET-i kažejo grobo tokovno obremen-Ijivost, ne morejo prevajati več toka kot je predpisano za dano impulzno trajanje. To vključuje prehodne tokove kot Slika 10: Termična krivulja odziva tranzistorja MTM5N20 re spoja. Namen te krivulje je zagotoviti pogoje, da temperatura spoja ne preseže 150°C. Ker se prehodna termična upornost močno znižuje pri kratkih impulznih oblikah toka, se ustrezno poveča sposobnost za prevajanje toka. Na primer 1MTM5N20, ki je namenjen za moči 75 W, lahko troši 1300 W med enojnim lOO^us dolgim impulzom pri temperaturi ohišja 25°C. Slika 10 kaže, da je normalizirana prehodna termična upornost r(t) pri lOO.us okrog je na primer zagonski tok, ki teče pri vključitvi žarnice. Četrta omejitev, linija A na sliki 9, je določena s prevodno upornostjo med ponorom.in izvorom in omejuje tok pri nizkih napetostih med ponorom in izvorom. Z upoštevanjem ohmovega zakona je tok omejen pri prevodni upornosti z uporabljeno napetostjo. Območje ni opisano z linearnimi relacijami, kajti prevodna upornost postopoma narašča z naraščajočim tokom. d 8.0 - 0 40 80 120 160 200 240 VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS) Slika 11: Maksimalno preklopno področje varnega delovanja za tranzistor MTM 5N 20 * IMlHHHIIl ■¡B ^^^^^^lilllilliill Slika 12: V prehod zaradi induktivnega bremena 0,057, kar se odraža z najslabšo možno prehodno termi- čno upornostjo 0,095 C/W. Od TJC TJC = ROJC PD' kjer je Tt/ , - T„ = 150 - 25 C je lahko izgubna moč ■H m ax) C J okrog 1300 W, brez da bi prekoračili predpisano tempera- turo spoja 150 C. Maksimalni dovoljeni tok ponora je tudi časovno oziroma impulzno pogojen, kar predstavlja tretjo omejitev FBSOA RBSOA krivulja določa vršno napetost ponora in tokovne omejitve med izklopom induktivnega bremena. Induktivno breme se uporablja zato, ker povzroča največji stres pri izklopu, vendar mora biti premoščeno z diodo, da nekontrolirana inducirana napetost ob izklopu ne bi prebila MOSFET tranzistorja. Da za močnostne MOSFET tranzistorje ne rabimo zniževati parametre za RBSOA, sta obe področji delovanja: vklop in izklop omejeni z maksimal- 104 nirn impulznim tokom ponora in maksimalno napeto- stjo med ponorom in izvorom, V g. V proizvajalčevih podatkih za TMOS tranzistorje sta ti dve omejitvi za vklop in izklop skombinirani v eno krivuljo - preklopno področje varnega delovanja (Switching Safe Operating Area - SSOA). ž Slika 13: V^g prehodi s pripenjalno » diodo SSOA tranzistorja MTM5N20 na sliki 11 je uporabna za vklopne in izklopne naprave s časi vzpona in padca manjšimi od ene mikrosekunde. 4. ZAŠČITA MOČNOSTNIH MOSFET TRANZISTORJEV 4.1. Zaščita ponora razitnih induktivnosti priključkov in navitja. Njabolj enostavno tranzistor zaščitimo z diodo, ki jo paralelno vežemo induktivnemu bremenu. S tem načinom pripnemo večino napetostnega prehoda, ne pa vsega. V še preseže zaradi vseh vplivov prevajalne karakteristike diode, induktivnosti diodnih priključkov in parazitnih serijskih induktivnosti, kot kaže slika 13. Ce je serijska upornost bremena majhna v primerjavi z njeno induktivnostjo, enostavno diodno pripetje omogoča, da tok lahko kroži skozi tokokrog breme-dioda dobršen čas potem, ko se je MOSFET tranzistor izklopil. Če ta tok ni sprejemljiv, lahko vežemo zaporedno z diodo upor, kar seveda poveča napetost, ki se pojavi na ponoru. &03 ns/div FIGURE 16a Najbolj splošen vzrok odpovedi pri močnostnih MOSFET-ih je prekoračenje SOA meje. Dobršen del teh odpovedi se odraža v prekoračenju maksimalne napetosti ponor-izvor V(BR)DSS' PrekloPi velikih tokov na breme ali stresane > li I i rt! SrPL " ''lih''' ■ h.;.. .. Slika 14: V^ prehod pripet z Zenerjevo diodo kapacitivnosti lahko povzročijo take prehode napetosti ponora, da prekorači V(BR)Dgg imai° dovolj energije, da uničijo tranzistor, če ta začne plazovito prevajati. Zato ni priporočljivo, da TMOS močnostni FET tranzistorji zaidejo v območje plazovitega prevajanja. Konice napajalne napetosti ponora lahko tudi uničijo močnostni MOSFET. Slika 12 ponazarja FET tranzistor, ki preklaplja induktivno breme v tokokrog, ki nima zaščite proti inducirani napetosti. Inducirana napetost upada zaradi bremena in pa- Clsmp Voltag«. Vc lOpB/div FIGURE 15b Slika 15: V prehod in RC pripenjalna napetost z RC pripenjalnim vezjem Možna je tudi zaščita proge ponor-izvor pred napetostnimi prehodi z Zenerjevo diodo. Ta zgladi nepetostne prehode na napetost prevajanja. Prehode s počasno spremembo dv^g/dt popolnoma pripne, medtem ko lahko hitri prehodi trenutno prekoračijo Zenerjevo prebojno napetost. Te lastnosti vidimo na sliki 14. Jasno je, da je potrebno izbrati takšno Zenerjevo diodo, da zmore odnesti odvečno energijo. Slika 15 kaže RC pripenjalno vezje, ki duši inducirano na- 105 petost, ki je večja kot je potencial na kondenzatorju. Kondenzator absorbira energijo samo v času prehoda in nato prenese to energijo na upor v preostalem času cikla. Vrednost upornosti izračunamo iz moči in želene napetosti, vrednost kapacitivnosti pa nato določimo iz primerjave RC konstante s periodo nihajoče napetosti. Na primer takšno vezje ima naslednje podatke: L = 10 uH I = 3,0A (bremenski tok v trenutku pred izklopom) f = 25 kHz V^ - 60 V (želena pripenjalna napetost) Moč, ki jo pripenjalno vezje lahko absorbira, je: P = 1/2.L.I2.f = 1,125 W Vrednost komponent je: vi R = 3,2 k Naj bo RC = 5,0 s C = 0,055 uF Ker je to splošno in učinkovito vezje, lahko stikalne hitrosti MOSFET tranzistorja povzročijo prehode, ki so prehitri, da bi jih lahko zmanjšali s to metodo. Če inducirana napetost doseže svoj vrh med, recimo, prvimi 50 ns, je učinkovitost vezja zmanjšana zaradi prevajalne karakteristike pripenjalne diode in kakršnekoli stresane induktivno-sti vezja. V tem primeru moramo biti oprezni in vključiti Zenerjevo napetost s prebojno napetostjo rahlo višjo kot je pripenjalna napetost. Kadar jo vežemo direktno na priključke ponora in izvora, morajo biti njeni priključki dovolj kratki in Zener dioda mora biti dovolj hitra, da ujame večino prehodov. Ker je namen Zenerjeve diode samo znižati začetni vrh napetosti in ne absorbirati celotno e-nergijo, ki je shranjena v induktivnosti, je lahko moč Zenerjeve diode manjša od tiste pri samostojnem pripenjanju napetostnega nivoja. (V Slika 16: VDg prehod z RC dušilnim vezjem Četrti način zaščite močnostnih MOSFET-ov pred velikimi napetostnimi prehodi ponor-izvor je uporaba RC dušilnega vezja, kakršnega kaže slika 16. Čeprav to vezje znižuje vršno vrednost napetost |x>nora, ni toliko učinkovito kot predhodne pripenjalne sheme. Medtem ko pripenjalno vezje troši energijo med prehodom , RC dušilno vezje absor- bira energijo tudi v času, ko tranzistor ni pod stresom. To vezje tudi upočasni vklop zaradi dodatne kapacitivnosti l»nor-izvor , ki jo je potrebno izprazniti. Vseeno je, katero shemo uporabimo, zelo hiter izklop induktivnega bremena lahko povzroči napetostne prehode prvih nekaj ns, ki jih lahko spregledamo, če nimamo širokopasovnega osciloskopa (B.W 200 MHz) za opazovanje oblike V^g. 4.2. Zaščita vrat Vrata MOSFET tranzistorja, ki so električno izolirana od ostalega dela čipa z zelo tanko plastjo SiO^i se lahko poškodujejo, če z močnostnim MOSFET-om nepravilno rokujemo, ali ga nepravilno vgradimo. Če prekoračimo (maksimalno) napetost 20 V vrat - izvor V„_, , , lahko po- GS(max) škodujemo izolacijo vrat in uničimo FET. TMOSFET tranzistorji niso toliko občutljivi kot CMOS vezja na statične spraznitve naboja. Vhodne kapacitivnosti močnostnih MOSFET tranzistorjev so mnogo večje in absorbirajo več energije, predno se nabijejo na prebojno napetost vrat. Če se prične preboj, se nahaja v kapacitivnosti vrata - izvor dovolj energije, ki povzroči perforacijo oksida na vratih. Da se izognemo neželenim poškodbam povzročenim s statično spraznitvijo naboja, moramo uporabiti tu podobne zaščitne mere kot pri MOSFET tranzistorjih za male signale in CMOS vezjih. Kadar tranzistorje transportiramo, moramo uporabiti an-tistatične vrečke ali prevodno gobo. Tisti, ki rokujejo MOSFET tranzistorje, naj nosijo ozemljitvene pasove. Tranzistor primemo za ohišje in ne za priključke. Pri testiranju morajo imeti vsi priključki dober električni kontakt, preden priključimo napetost. Tranzistor prispajka-mo v tiskano vezje z ozemljenim spajkalnikom. Vrata močnostnega MOSFET-a so lahko v nevarnosti tudi l>otem, ko je tranzistor že vstavljen v tiskano vezje. Če se lahko na vratih pojavijo napetostne konice, ki presegajo V_„, , , moramo namestiti 20 V Zener diodo na pri-GS(max) ključka vrata - izvor. Uporabimo lahko tudi upor, da znižamo upornost vrata - izvor in s tem zadušimo napetostne prehode. Ta izvedba pa ima še drugo važno funkcijo. Napetostni prehodi na ponoru se lahko prenesejo preko pa-razitne kapacitivnosti vrata - ponor na vrata. Če sta upornost vrata - izvor in sprememba napetosti na ponoru obe veliki, je lahko signal, ki se prenese na vrata, zadosti velik, da preseže napetost praga in preklopi tranzistor v prevodno stanje. (nadaljevanje; prihodnjič) Iz angleščine prevedel: Alojzij Keber, dipl.ing. MIDEM Titova 50, 61000 LJUBLJANA 106 M AT E RIA LI ZA ELEKTRONIKO lL MATERIJAH ZA ELEKTRONIKO S to številko Informacije MIDEM pričenjamo stalno rubriko o materialih za elektroniko. Nekoliko smo se obotavljali, ali jo naj odpremo ali ne. Prevladalo je mnenje, da če bo Komisija za materiale pri Strokovnem društvu za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale dobro opravljala svojo nalogo, ne bi smelo biti problemov z zagotavljanjem gradiva. Nove aktivnosti te komisije, ki so se pokazale dokaj koristne že na Okrogli mizi o razvoju in proizvodnji domačih materialov za elektroniko ob MIEL 86 v Beogradu, se bodo prav gotovo nadaljevale. S tem pa si upamo zaželeti novi rubriki: "Srečno na pot! " Urednik ZAKLJUČCI OKRUGLOG STOLA "RAZVOJ I PROIZVODNJA DOMAČIH MATERIJALA ZA ELEKTRONIKU" Varužan Kevorkljan, Milan Slokan, Ratko Krčmar Komisija za materijale društva MIDEM je 13. maja u Hotelu Jugoslavija u Beogradu, u okviru XIII MIEL-a, orga-nizovala Okrugli sto na temu: "Razvoj i proizvodnja domačih materijala za elektroniku" kojem je prisustvovalo preko osamdeset stručnjaka iz cele zemlje. Na okruglom stolu je saopšteno petnaest referata i prikazano dvadesetak postera o domačim materijalima za elektroniku i proble-matici substitucije materijala iz uvoza. Kroz višečasovnu diskusiju koja je usledila dotaknuti su mnogi značajni problemi u vezi sa ovom problematikom i iskristalisala su se odredjena gledišta koja čo poslužiti kao osnova za dalje akcije Komisije i njeno neposrednije povezivanje sa ostalim snagama u zemlji koje rade na substituciji uvoznih materijala za elektroniku domačim. Osnovne poruke sa ovog Okruglog stola mogle bi da se for-mulišu u obliku sledečih zaključaka: 1. Okrugli sto je, kao i ranija anketa Komisije pokazao da u našoj zemlji postoje snage i potencijali za razvoj domačih materijala za elektroniku. 2. Na ovome se, medjutim, još uvek ne radi dovoljno or-ganizovano i planski. + Študija o možnostih substitucije uvoznih materialov za elektroniko in elektroindustrijo SFRJ, Ljubljana, maj 1984 3. Imajuči u vidu savezni značaj substitucije uvoznih materijala za elektroniku domačim, neophodno je da i sama akcija bude koordinirana i vodjena sa saveznog nivoa. Zbog toga je zaključeno da se predstavnici Komisije za materijale }>ovežu sa novoformiranim Komitetima za na-učno-tehnički razvoj kako bi se upoznali sa planovima koje na ovom području priprema Savezna vlada. 4. Analizirajuči smernice za dalji rad Komisije za materijale zaključeno je da je potrebno formirati grupo unutar Komisije koje bi se bavile odgovarajučim materijalima (na pr. grupa za poluprovodničke materijale, grupa za ke-ramičke materijale /elektronsku keramiku/, grupa za plemenite metale i si.) sa Koordinatorom na čelu (osoba koja u svojoj radnoj organizaciji neposredno radi na ovoj problematici) čime bi se obezbedilo da akcije ovih grupa budu u skladu sa stvarnim potrebama industrije i privre-de. Istovremeno je zaključeno da bi se u časopisu Informacije MIDEM formirala stalna rubirka za materijale. Komisija za materijale, medjutim, u sadašnjim okolnosti-ma jedino je u stanju da prikuplja informacije o domačim materijalima za elektroniku i potencijalima za dal ju sub-stituciju materijala iz uvoza kao i da medjusobno povezuje zainteresovane organizacije i institucije sa ovog podru-čja. 107 Za akcije širih razmera neophodno je da se Komisija poveže sa odgovarajučim društvenim snagama koje bi Koordinirale akciju substitucije na Saveznom nivou. 5. Na Okruglom stolu bilo je reči i o stvaranju domačih kadrova za materijale (posebno elektronske). Zaključeno je da sadašnji programi visokog i srednjoškolskog obrazo-vanja ni u programskom ni u organizacionom smislu ne mogu stvoriti ni elementarne preduslove za obrazovanje kadrovskog potencijala koji bi omogučio kvalitetniji zao-kret u razvoju i proizvodnji visokokvalitetnih materijala za infrastrukturne tehnologije. w m (Foto: A. Keber) Jedan izmedju brojnih panoa proizvodjača materijala za elektroniku U cilju promene ovog stanja neophodno je otvarati fakultete ili odseke za materijale a izmenama u srednješkolskom obrazovnom sistemu obezbediti podmladak sa širim znanjem, kao osnovom za opredeljenje za študij materijala. Radi ubrzavanja procesa kadrovskog jačanja potrebno je održavati čvršče veze sa istaknutim jugoslovenskim struč-njacima i naučnicima u visokorazvijenom svetu i preduzi-mati akcije za njihovo organizovano vračanje. 6. Ostvarivanje ciljeva u oblasti razvoja i proizvodnje visokokvalitetnih materijala kao baze za nacionalne tehnologije podrazumeva raspolaganje stalnim sredstvima. Ova sredstva se pored ulaganja u rad moraju obezbediti i za opremu, tehnologiju, obrazovni proces, status kadrova, uključivanje u svetske tokove i drugo. Ova sredstva treba da se sastoje iz procenta svih nacionalnih investicija, sredstava ZSN, sredstava minulog rada, učešča u ukup-nom prihodu, sredstava po ugovoru sa korisnicima, sredstava dobijenih oslobadjanjem od društvenih obaveza, sredstava medjunarodne saradnje, sredstava proisteklih iz vertikalne integracije od velikih sistema do materijala na bazi planova razvoja (PTT, železnica, JNA, energetika i drugo). 7. Zadatak stručnih sekcija trebalo bi da sastoji u sledečem : - iniciranje akcija u ovoj oblasti - stručna verifikacija rezultata rada kroz skupove i struč-ne informacije, - afirmacija kadrova - učešče u konceptu realizacije informacionog sistema 8. Za razvoj domačih elektronskih materijala neophodno je ostvariti bolje i organizovanije povezivanje korisnika elektronskih materijala, potencijalnih proizvodjača i is-traživačkih organizacija, o čemu je na Okruglom stolu bilo dosta govora. Oseča se potreba za bržim protokom informacija. Neophodno je razviti i odgovarajuču podelu rada. Na kraju, ocenjujuči rezultate Okruglog stola o materija- lima mislimo da je potrebno, s obzirom na odziv i intere- sovanje koji su bili iznad očekivanja, razmotriti moguč- i nost da Okrugli sto Komisije za materijale preraste u je-dnodnevna savetovanja o materijalima za elektroniku i substituciju uvoznih materijala domačim, koja bi se odr-žavala godišnje i to u različitim krajevima naše zemlje, uz objavljivanje Zbornika svih saopštenih referata i prikazanih postera. Naslovi avtorjev: Mag. Varužan Kevorkijan Institut Jožef Štefan Jamova 39, 61000 LJUBLJANA Mag. Milan Slokan MIDEM Titova 50, 61000 LJUBLJANA Ratko Krčmar, dipl.ing. Rudi Cajavec Brače Pavlica 23a, 78000 Banja Luka 108 PROBLEMATIKA MATERIJALA U ELEKTRONSKOJ INDUSTRIJI Miroslav Kovačič Snabdjevenost materijalima za reprodukciji! se javlja kao bitan činioc koji utiče na poslovanje OOUR-a. Veliki dio materijala korištenih u proizvodnji mikroelektronskih sklo-pova potice iz uvoza. Za uvoz ovih materijala se troše i znatna devizna sredstva a poznato je da se do deviza teš-ko dolazi. Pored toga i procedura oko uvoza je relativno dugačka te je i to razlog više da proizvodne organizacije trpe usled lafentnog nedostatka ovih materijala, te dolazi u pitanje izvršavanje postavljenih planova, rokovi se pro-dužavaju i ne održavaju a cesta je i pojava kampanjskog rada. Sve ovo nabrojano ima i znatnog utjecaja na kvalitet proizvoda. Ovakva situacija a i težnja ka stvaranju sop-stvenih domačih izvora repro-materijala je dovela do us-vajanja tehnologija proizvodnje nekih od repromaterijala. Ovi pozitivni rezultati nisu ni blizu onih sa kojima bi tre-balo da budemo zadovoljni. Otežana situacija sa nabavkom deviznih srodstava takodje ido na ruku tendeiiciji usvaja-nja proizvodnji repromaterijala za elektronsku industriju. Na domačem tržištu se može nači veoma malo materijala potrebnih u proizvodnji elektronskih komponenata. Sem toga kao problem se javlja cesto i nestalnost kvaliteta materijala, a što s pravom implicira zahtjev za uvozom materijala iiarantovanog kvaliteta. Nestalan loš kvalitet nekih od ovih materijala je posljedica nepostojanja standarda o kvalitetu materijala a cesto ukoliko i postoje ovakvi standardi ne pridržavanje istih. Obzirom da radim u OOUR-u Mikroelektronika u Banjaluci osvrnuo bih se na problematiku materijala korištenih u našem OOUR-u. Velika večina materijala korištenih u našem OOUR-u potice iz uvoza. U zadnje vrijeme pojavom domačih materijala vršimo supstituciju uvoznih materijala domačim. Kao primjer naveo bih debeloslojne paste od IRI-a Zemun. Za sada koristimo njihovu Pd/Ag provodnu pas tu sa kojom smo supstituisali uvoznu provodnu pastu. Pošto IRI Zemun radi na razvoju i ostalih osnovnih pasta za debeloslojnu tehnologiju mi smo veoma zainteresovani za koristenje .i drugih pasta kao što su otporničke, izola-cione dielektrične i provodne paste. Kontakti ostvareni izmedju IRI-a i Cajaveca su veoma dobri. Sto se tiče keramičkih supstrata od aluminooksidne keramike a korištenih kao podloga za hibridna mikroelek-tronska kola; tu srno još uvjek na početku. Inicirali smo susret sa Iskrom kao prolzvodjačem aluminooksidnih ma- terijala a u cilju dobijanja podloga za proizvodnju. Tu nismo postigli nekakav pozitivan rezultat koji je bio izazvan objektivnom situacijom da je se taj dio proizvodnje prese-Ijavao u nove proizvodne prostorije. Nadam se da čemo ipak uskoro imati keramike iz Iskre a koje če biti ipak primjenjive za izvjesne aplikacije. Svojevremeno smo ostvarili i kontakt sa fabrikom svječi-ca u TEŠNJU a u cilju ostvarivanja mogučnosti proizvodnje podloga za hibridna kola u Tešnju. I pored toga što su u Tešnju imali preduslove za izradu prototipskih komada kerarničkih podloga, nismo uspjeli da ih zainteresujemo za proizvodnju ovih podloga. Nedostatak želje da se radi i na to m području je vjerovatno uzrokovano sadašnjim uspješ-nim plasmanov postoječe uhodane proizvodnje svječica. Kod nas u Jugoslaviji nemarno proizvodjača materijala korištenih u proizvodnji sito-šablona. Koliko mi je poznato niko još ne proizvodi PVA - emulzije, foto-osjetljive filmov® sa želatinskim nanosom te gaze od nehrdjajučeg če-lika. Istina prema katalogu tvornice sita iz Arilja postoji mogučnost nabavke gaza od nehrdjajučeg čelika i poliestra do finoče od 250 MESH-a, što bi moglo da se koristi u teh-nici debelog filma a i u tehnologiji štampanih veza. Dopu-nom asortimana sita bi se mogao zadovoljiti dobar dio potreba za tom vrstom materijala kod nas. Sto se tiče tankoslojne tehnologije i njenih potreba za re-promaterijalima i tu smo uspjeli da izvršimo djelimičnu supstituciju uvoznih materijala domačim. Kao prvo bih naveo korištenje zlata za naparavanje iz Bora. Za ovaj ma-terijal se zahtjeva stepen čistoča 99,99 %. Ovaj materijal je u proizvodnji pokazao komparativne rezultate za uvoznim materijalima (MRC). Jedina primjedba je bila da pri stapanju šarže EB metodom, dolaz.ilo do prskanja materijala usled prisustva rezidualnih plinova (H ). Pored toga se nije imao i podatak kojeg su tipa nečistoče u preostalih 0,01 %. Pored zlata za naparavanje, postoji mogučnost izrade i drugih materijala za tanke slojeve kao što su na primjer i legure NiCr. U fotolitografiji su iskušani i domači rezisti proizvedeni u Cinkarni Celje. Mada namjena ovih rezista nije za korištenje u fotolitografijskim postupcima tankog sloja več za tiskarske potrebe; postignuti su rezultati koji ohrabruju. 109 Uz izvjesnu doraciu bi se ovi rnaterijali mogli koristiti i u fotolitografskim post.u|X"ima obrade tankog filma. Sarad-nja sa naučno-istraživačkim organizacijama je takodje dala rezultata. Na primjer saradnja sa Tehnološkim fakulte-tom u Banjaluci je dovela do toga da je se uspjelo sinteti-zirati sredstvo za nagrizanje zlata inače poznato pod ko-mercijalnim nazivom "Technistrip" kao i da je se uspjelo pronači piit kako povratiti zlato iz otpadnih rastvora kori-štenih za nagrizanje zlata u fotolitografiji tankih slojeva. Pri izradi tankoslojnih komponenata to bi se trebale koristiti hemikalije sa stepenom čistoče "electronic grade". Hemikalije toga stepena čistoče nemarno u domačoj produkciji pa se moraju uvoziti ili se zadovoljiti nižim stepenom čistoče. Potrebe za hemikalijama ovog stepena čistoče su znatne. Inače sto se tiče domače produkcije kemikalija, imamo stepene čistoče tehnički stepen čistoče, puriss, purissi-umum i pa i kemikalije sa stepenom čistoče za primjenu u formaciji. Za potrebe galvanizacija se rade hemijski preparati u nekoliko proizvodjača kao što su na primjer Podnart, Kemika, Laphoma, Zorka, RTB Bor itd. Medjutim , nemarno proizvodjača koji bi imao puni asorti-man ovih preparata a problem predstavlja često i nestalan kvalitet proizvoda, i neredovitost isporuka, što predstavlja jedan od razloga da se pojedini potrošači ovih preparata odluče za uvoz. Za potrebe žičanog spajanja poluvodičkih čipova se ko ris te zlatne i aluminijumske žice dijametra 17,5, 25 i 37^,um i više. U zemlji nemarno proizvodnju ovakvih materijala a postoje realni uslovi da se takva proizvodnja usvoji u zla-tari Majdanpek. I pored dosta uskog asortimana materijala za elektronsku industriju mislim da je jedan od glavnih problema kvalitet materijala. Nepostojan kvalitet i nepostojanje standarda o kvalitetu a takodje i nepridržavanje standarda tamo gdje ih ima izazivaju velike probleme u proizvodnji. Potrebno je stoga posvetiti veliku pažnju standardizaciji kvaliteta materijala jer se bez toga ne može i zamisliti ozbiljnija proizvodnja i rad na postizanju kvaliteta u elektronskoj industriji . iMogučnosti jugoslovenske produkcije materijala za elektronsku industriju su znatne i nedovoljno iskorištene. Naj-češči problem predstavlja finansiranje istraživanja i us-vajanja ovakvih proizvodnji. Može se reči da strategija tehnološkog razvoja se ne može zamisliti bez domačih materijala. To ne znači da se svi rnaterijali pošto poto moraju imati iz domačih resursa. Avtorjev naslov: Miroslav Kovačič Rudi Čajavec - OOUR Mikroelektronika 78000 Banja Luka MIKROPROVODNICI Bojan Tot Pod ovim nazivom podrazumevamo provodnike malih pre- 2 seka vodica i to od 0.01 do 0.75 mm . Konstrukcije ovih provodnika kreču se od jednožilnih sa jednožičnim vodičem, pa do višežilnih pljosnatih (tzv. "flat") i okruglih provodnika sa jednožičanim ili višežičnim vodičima. Vodič provodnika izradjen je od elektrolitičkog bakra klase OFHC , sa prevlakama od kalaja, srebra i nikla. Radne temperature ovih vodiča su u rasponu od 100 do 260°C. Izolacloni rnaterijali izabrani su tako da ispunjavaju sledeče uslove: dobre električne osobine u Sirom temperaturnem području, male dimenzije, visoke vrednosti meha-ničkih karakteristika, otpornost na gorenje i agresivne sredine i sigurnost u radu. Materija! i koji podrazumeva-ju ovakvo ponašanje su: specijalne formulacije PVC-a, PE, fluoropolimeri (FEP, PTFE, Tefzel, PVDF itd.), PA i polimeri koji u svojoj strukturi ne sadrže hlor. Prema nameni, "Mikroprovodnici" se mogu podeliti u nekoliko grupa: 1. Montažne žice i uzice. Izradjuju se u skladu sa stan- dardima MIL-W-76 B, MIL-W-16878 D, VDE 0881 i VDE 0812. Dimenzije vodiča su u opsegu 0.25-0.80 mm (u slu- 2 čaju uzice 0.035-0.75 mm ), izolacija od PVC-a, FEP-a, PTFE-a ili PVCF-a. Preko izolacije moguče je postaviti i PA plast ili odgovarajuču električnu zaštitu. Primenjuju se za ožičenje svih tipova aparata za domačin-stvo i poslovanje, kompjutera, pisača, elektronskih ure-djaja, telefonskih centrala itd. 110 2. Višežilni provodnici. Proizvode se prema standardi- ma VDE 0912, 0814, 0817, 0881, DIN 47100, DIN 47414. 2 Dimenzije vodica su u opsegu od 0.05-0.50 mm . Primeri ju ju se u uredjajima za poslovanje i kompjuterima, za povezivanje elektronskih transformatora, mernih uredja-ja i uredjaja za snimanje, za privremene veze preko ko-nektora ili trajno povezivanje, u avijaciji, mornarici i slično. 3. Specijalni provodnici. Poprečni presek vodiča je u op- 2 segu od 0.14 do 0.56 mm . Kao izolacioni materijali upo-trebljavaju se PE, PP ili PTFE. Koriste se za povezivanje centralnog računara i kompju-terskih perifernih jedinica sa mestima kojima upravijaju, za analogna procesna kola kada se kabelom prenose razli-čite jačine signala, za povezivanje linijskih štampača sa centralnom ili perifernom jedinicom, za povezivanje ele-menata u radio i mernoj tehnici i slično. 4. Pljosnati provodnici. Proizvode se u dve osnovne verzije: jednobojni i bojom kodirani. Vodič je uzica (0.08 2, mm ) ili žica precnika 0.25 mm. Maksimalni broj vodica je 64. Raster kod ovih provodnika je 1.27 mm, 0.635 mm i kod takozvanih "Distantnih flat kablova" 2.5 mm, 3.96 mm i 35.08 mm. Izolacija je izradjena od termički viso-kootpornog PVC-a. Koriste se za unutrašnja ožičenja elektronskih uredjaja i oinogučuju veču strujnu opteretivost i uniforme električne osobine zbog fiksnog rastojanja izmedju vodiča. 5. Np provodnici. Ovde spadaju provodnici za elektroaku-stiku i tonfrekventnu tehniku i signalni provodnici. Zajed-nička karakteristika im je fleksibilan vodič i izolacija od visokokvalitetnog materijala. Koriste se za priključivanje mikrofona, zvučnika, za po-vezivanja u radio i TV študijama itd. U signalnoj i regulacionoj tehnici koriste se za slanje u-pravljačkih impulsa, a koriste se i u procesno-instrumen-talnim kolitna. 6. VF kablovi. Proizvode se u skladu sa standardima V1IL-C-17E i DI N 47250. Prema zahtevima ovih standarda vodič si' izradjujn od golog, kalaisanog ili posrebrenog 2 bakra u presecima od 0.08 do 0.75 mm". Dielektrik je iz-racljen od PE, celularnog PE i PTFE-a. Kablovi se prirnenjuju u prenosu i prijemu signala u avio i brodskim uredjajima, u kadrovskoj tehnici, u kompju-terskim i video sistemima, kablovskoj televiziji i slično. 7. Optjčki kablovi. Proizvode se u dve osnovne izvedbe: takozvane "tight" i "loose" struktura i to kao kablovi sa jednim ili do 12 optičkih vlakana. Moguče su metalne i ne-metalne konstrukcije ovih kablova kao i upotreba multimo-dnih ili monomodnih vlakana. Elementi sekundarne zaštite, armature, nosečih elemenata i plašta izradjuju se po po-stoječim standardima ili prema specifikacijama kupca. Programom razvoj Novkabel je predvideo da na tržište plasira čitav niz specijalnih legura bakra sa posebnom namenom. Proizvodi bi bili u obliku traka širine do 120 mm i debljine od 0,1 - 1 mm. Obuhvatili bi sledeče legure: CuSn2, CuSn4, CuSn6, CuSn8, CuNi9Sn2, CuNi44, CuMnl2Ni, CuNi21Mnl0, CuNi30Mn, CuMn2Al, CuMnl2 NiAl, CuMnl3A118FeNi i druge. Ovaj spektar legura bi se postepeno osvajao do 1990. godine. Legure bi bile radjene za poznatog potrošača. U ovom trenutku postoje mogučno-sti da se pored navedenih legura u obliku traka u vrste i nove legure na bazi bakra. Legure koje ne bi bile namenjene poznatom potrošaču bile bi razvijene do eksperimen-talnog nivoa a razvijale bi se po nalaženju njihove primene. Proizvodnja žice od istih legura je moguča i to u dimenzijama od 0 0,1 mm do 0 2 mm. U obliku žice planira se rad sa legurama bakra sa kadmijumom , bakra sa kalajem, bakra sa srebrom i drugih kombinacija. Postoji ta kod je izrada žica i od legura koje se koriste za proizvodnju traka. Novkabel razvija za svoje potrebe različite metalne pre-vlake preko bakrenih žica. U skoroj budučnosti pored ka-lajisane žice očekuje se niklovana, posrebrena, pozlačena i druge vrste žica u dimenzijama od 0 0,08 do 0 1 mm. Adresa autora: Bojan Tot, dipl. ing. Novosadska fabrika kabela Put novosadskog partizanskog odreda b4 21 000 Novi Sad Ill INFORMACIJE iZ SVIJETA I ZEMLJE Miroslav Turina Evropa Poluvodičko tržište: Očekuje se da če se potražnja na ev-ropskom tržištu poluvodiča udvostručiti tokom pet nared-nih godina. To če izazvati potrebu za dodatnim proizvodnim kapacitetima. Prema izvještaju "Mackintosh International" izgraditi če se 1,5 milijardi dolara novih kapaciteta. Ako se ostvari predvidjena stopa rasta od 16 do 18 % godišnje evropsko tržište integriranih sklopova dostiči če 1990. godine 6,4 milijarde dolara u usporedbi s 3,3 milijarde koliko je iznosilo 1984. godine. Prema izvještaju "Velsh Development Agency" mnoge evropske tvornice poluvodiča radile su 19 84. godine s punim kapacitetom ill blizu toga. I pored porasta vlastite proizvodnje u Evropo če se i dalje uvoziti velike količine poluvodiča. Prema nekim predvidjanjima čak polovicu potreba Evropa če podmirivati uvozom. Jedan drugi izvještaj identificira 48 novih procesnih proizvodnih linija, koje če se instalirati u Evropi do 1988. godine. Nekoliko japanskih poduzeča izgradiče pogone za pro-izvodnju čipova u Evropi. Izgradnja novih kapaciteta pro-uzročiti če povečane zahtjeve za proizvodnom opremom, materijalima i uslugama. GaAs poluvodiči: Predvidja se da če Evropsko tržište GaAs poluvodiča porasti s 378 miliona dolara 1984. godine na 1,5 milijardi dolara 1990. godine, to je brzina rasta iznositi če 20 % godišnje. Tržište GaAs poluvodiča iznosilo je u Evropi 1984. godine 8-9 % od ukupnog poluvodfč-kog tržišta. Očekuje se da če do 1990. taj udio narasti do 11 %. U istome izvještaju ("Frost and Sullivan") navodi se da če potražnja diskretnih GaAs elemenata narasti s 377,3 miliona dolara prodaje u 1984. godini na 962,8 miliona 1990. godine. Potražnja hibridnih sklopova s GaAs elementima rasti če s godišnjom stopom od 16,7 % i od 102 miliona 1984. narasti če na 251 milion 1990. godine. GaAs integrirani sklopovi narasti če s 714 Usuča dolara na 192 miliona dolara. Največa prodaja GaAs elernenata 1984. ostvarena je u Zapadnoj Njemačkoj i iznosila je 88,6 miliona dolara. Predvidja se da če 1990. prodaja doseči 289 miliona dolara. Francuska je drugo tržište po veličini u Zapadnoj Evropi s prodajom od 84 miliona 1984. i očekivanim porastom na 255 miliona dolara 1990. godine. Velika Britanija je treča. a za njom slijede zemlje Beneluksa. Kemikalije za elektroniku: Potražnja kemikalija za štam-pane ploče iznosi ti če 1988. godine u Evropi 263 miliona dolara što je 1,7 puta više nego 1983. Predvidja se da če porast potrošnje kemikalija za poluvodiče biti malo brži od porasta potrošnje kemikalija za štampane ploče. Ta potrošnja iznositi če 1988. 256 miliona dolara što predstavlja porast od 1,73 puta. Ovi podaci su iznijeti u "Frost and Sullivan" izvještaju br. E733. Mikrokompjuteri: Takodjer prema "F and S" izvještaju (E695) očekuje se porast prodaje softvera za mikrokom-pjutere u Zapadnoj Evropi. Prodaja če 1990. doseči 6,87 milijardi dolara što u usporedbi s 1,3 milijarde prodaje ostvarene 1985. iznosi 5,28 puta više. Velika Britanija zauzima približno 26,5 % evropskog tržišta, Zapadna Nje-mačka 20,7 % i Italija 11,2 % Više detalja može se dobiti od Frost and Sullivan Ltd. 104-112 Marylebone La.'London W1M5FU. Velika Britanija. Švicarska Firma ESEC SA (European Semiconductor Equipment Center) povečala je 1985. godine promet za 31 %. Prodaja je širom svijeta iznosila 13,75 miliona dolara. Broj za)X>sle-nih povečan je 1985. 8 % i iznosi ukupno 126 ljudi. Postig-nuti rezultati zasnivaju se na uvodjenju u proizvodnju novih suvremenih proizvoda i na novoj tržišnoj strategiji. Zapadna Evropa u kojoj je zabilježen manji pad proizvodnje poluvodiča nego u SAD i Južnoj Aziji glavno je tržište ESEC-a s 52 % od ukupne prodaje 1985. ESEC je pretežni dobavljač za vodeče poluvodičke firme u Zapadnoj Njemačkoj i Italiji. Specijalnost ESEC-a su potpuno automatizira-ni "die bonders" a mnogo su investirali u sve aspekte au-tomatizacije montaže poluvodiča. SITESA, nova kompanija čiji glavni proizvod su epitaksi-jalni reaktori nastavila je aktivnost ranijeg proizvodjača TIMESA na jugu Švicarske. Firma namjerava udvostručiti proizvodnju ove godine. Poslije samo nekoliko mjeseci aktivnosti narudžbe su dosegle 2 miliona dolara. Ostali pro- 112 izvodi firme su epitaksijalne pločice i grafitni susceptori pokriveni silicij karbidom. Firma takodjer pruža konzal-ting usluge u području epitaksije. Holandija "Advanced Semiconductor Materials International" pri-mio je od holandske vlade pomoč u iznosu od 40 miliona Hfl. za tehnološka istraživanja. Sredstva če se upotrije-biti za razvoj suvremene poluvodičke opreme za proizvod-nju VLSI i novih CMOS komponenata. ESPRIT projekt: PHILIPS kooperira s SIEMENS-om na BICMOS projektu kombinaciji bipolarnih i CMOS tranzis-tora na jednome čipu. Učesnici projekta su i univerziteti u Dablinu i Stuttgardu. 7,a izvodjenje projekta potrebna jo extremno fina geometrija (0,7^um za MOS i l^um za bipolarni elemenat), pa projekat uključuje fundamentalna istraživanja malih struktura i medjusobna djelovanja. Francuska Kompanija "Thomson Semiconducteurs" kupila je za približno 70 miliona dolara majoritet nad cjelokupnom imo-vinom i pravima firme MOSTEK. "Matra-I larris Semiconduc teurs " iz Pariza objavila je sve rnogučnosti i sposobnosti projektiranja na radnoj stanici "Daisy Gatemaster" s svojom 3^urn familijom brzih CMOS logičkih nizova. MHS komplet za projektiranje s logičkim niz.ovima sadrži biblioteku, modele i programe potrebne za potpuni proces projektiranja. Centri za projektiranje smješteni su u Francuskoj, Velikoj Britaniji, Zapadnoj Njemačkoj, Italiji i Skandinaviji. Jugoslavija Rade Končar: U Elektrotehničkom institutu SOUR-a Rade Končar u toku je uvodjonje djelatnosti projektiranja nestandardnih integriranih sklopova. Potreba za projektiranjem nestandardnih integriranih sklopova nametnuta je do-stignutim stupnjem razvoja elektronike u SOUR-u i perspektivama daljeg razvoja. Glavno obilježje razvoja elektronike u Končaru je primjena elektronike u uredjajima i sistemima, koji se proizvode u Končarevim tvornicama. Područjn primjone elektronike brzo se šire. Do sada se elektronika u Končaru koristila pretežno u postrojenjima ili pojedinačnim i maloserijskim uredjajima, a sve više ulazi u serijske proizvode, što če višestruko povečati po-trebu za integriranim sklopovima. Mali motori, prekida- či, mjerenje, zaštita i kučanski aparati su područjn u ko-jima če elektronika igrati sve važniju ulogu. Projektiranjem nestandardnih integriranih sklopova za svoje potrebe ubrzati co se u Končaru razvoj i primjena elektronike i postiči bolja konkurentnost Ivončarevih proizvoda na domačem i posebno inostranim tržištima. U centru za projektiranje vršiti če se projektiranje digitalnih i analognih integriranih sklopova. Ulazni zahtjevi za projektiranje su tehnički zahtjevi i funkcionalna blok shema sklopa. Prva aktivnost koja se obavlja u centru za projektiranje je analiza tehničkih rnogučnosti tehnoekonom-ske opravdanosti integrirane izvedbe sklopa. Ako analiza pokaže pozitivan rezultat pristupa se projektiranju elektri-čke sheme integriranog sklopa, simulaciji i fizičkom projektiranju. Izlaz iz postupka projektiranja je magnetska traka za generator maski. Obzirom na to da se u Končaru neče vršiti proizvodnja integriranih sklopova djelatnosti projektiranja pridruženo je i organiziranje suradnje s organizacijama koje preuzi-maju proizvodnju sklopova projektiranih po narudžbi. Osnovna orijentacija je na suradnju s domačim proizvodja-čima poluvodiča, pa je upravo u toku i/,rada prvih digitalnih CMOS sklopova u ISKRA-Mikroelokl ronici i Ei-Fnbri-ci poluprovodnika. Pitanje proizvodnje analognih sklopova još je otvoreno, jer nijedan domači proizvodjač nema u-veden proces za analogne integrirane sklopove. Djelatnost projektiranja integriranih sklopova u Končaru započela je nedavno, pa se trenutno največi napori ulažu na prikupljanje i obučavanje kadra te nabavku i instalira-nje opreme (hardvera i softvera). ISKRA: Domači proizvodjači hibridnih sklopova mogu na domačem tržištu nabaviti samo mali broj minijaturnih komf>onenata za ugradnju na hibridni sklop. Nedostatak domačih komponenata odgovarajuče izvedbe takodjer ote-žava uvodjenje i primjenu postupka površinske montaže na štampanu ploču. U želji da ublaži nestašicu minijaturnih komponenata i da ispita potrebe ISKRA-Tovarna polprevodnikov, Trbovlje dala je na tržište desetak tipova tranzistora i nekoliko dioda u SOT-23 kučištu. Elementi u SOT-23 kučištu su rezultat kooperacije izmedju ISKRE i firme CEMI iz Varšave. Ovaj poslovni potez ISKRE treba pozdraviti iako je malo neočekivano da ISKRA-Trbovlje kao poznati proizvodjač 113 dioda dolazi na tržište s SOT tranzistorima prije RIZ-Tvornice poluvodiča i Ei-Fabrike poluprovodnika, koji su specijalizirani proizvodjači tranzistora. Elektronska industrija - Niš: Kako se saznaje Ei-Fabrika poluprovodnika narueila je od iirme COMPUTER VISION kompletnu opremu, hardver 1 softver, za projektiranje integriranih sklopova. Oprema je kod isporučfoca spremna, pa se očekuje da če isporuka uskoro uslijediti. Na-bavkom ove opreme Ei-Fabrika poluprovodnika u velikoj mjeri če proširiti mogučnosti projektiranja aplikacijski orijentiranih (custom) integriranih sklopova. Poznato je, da je več ranije Ei-Fabrika poluprovodnika u suradnji s Elektronskim fakultetam u Nišu i Rudi Cajavecom iz Banja Luke razvila logički niz GEM 21. Nadamo se da čemo u jednome od narednih brojeva INFORMACIJA imati priliku pisati opširnije o mogučnostima i planovima projektiranja integriranih sklopova u Nišu. Rudi Čajavec , Banja Luka: U širokom proizvodnom programu SOUR-a Rudi Čajavec elektronika zauzima važno mjesto. Kao proizvodjač elektroničkih uredjaja Čajavec je veliki potrošač sastavnih dijelova za elektroniku i isto-vremeno proizvodjač dijelova za svoje potrebe i za pro-daju van SOUR-a. Čajavec je jedan od najstarijih proiz-vodjača štampanih ploča, a više od 10 godina bavi se i proizvodrijom hibridnih mikroelektroničkih sklopova. Za čitaoce INFORMACIJE MIDEM prenosimo dvije zanim-ljive vijesti iz lista "Čajavec". Obadvije vijesti odnose se na nove proizvode. Novo iz elektronskih prijemnika i uredjaja-uskoro radio magnetofon Kako saznajemo od Ilije Bibiča direktora OOUR-a Primarna proizvodnja, RO EPU u ovoj godini osvaja još jedan novi proizvod - radiomagnetofon. Nosioci ove proizvodnje su OOUR-i PRP i Črno bijela TV. U prvom če se raditi štampana kola, mehaničke i plastične pozicije, dok če u Budžaku raditi elektrodijelove i finalizirati proizvod. Ovo je potpuno novi proizvod za koji su u 1985. godini izvrše- ne sve pripreme, a početkom ove godine otpočela je nultn serija, obavijestio nas je drug Bibič. U njegovu osvajanju pored "Čajaveca" učestvovala je i poslovni partner iz Poljske. Od ove novine mnogo očekuju u "Primarnoj", što je razumljivo, ako so ima u vidu da u ukupnom prihodu OOUR-a PRP u ovoj godini, radiomagnetofon učestvuje sa 18 pošto. Proizvod od koga se dosta očekuje - Mota-lica punom snago m U prostorijama jedne novogradnje u centru Laktaša u eks-ploataciji je prototip uredj^lja za motanje kalemova za e-lektromagnete, nedavno konstruisanog i izradjenog u našo j fabrici Novi proizvod, koji je več u široj javnosti pobudio interes, smješten je ovdje zbog nedostatka prostora u proizvodnoj hali. Glavni njegov autor mašinski inžinjer Željko Petrič, dobitnik najvišeg priznanja SOUR-a Zlatne plakete je kako je stajalo u obrazloženju, kao izuzetan doprinos u razvoju nove motalice, koja predstavlja industrijsku svojinu na-šeg kolektiva i prodor "Čajaveca" u oblast mašinogradnje. Zanimljivo je da je ovo plod rada na otklanjanju uskih grla u proizvodnji: za nabavku novih "deviznih" motalica ni-je bilo sredstava, grupa stručnjaka se okrenula svom znanju i nova u vlastitoj režiji je ugledala svjetlo dana na zadovoljstvo mnogih. Pomoč u obezbedjenju sastavnih dijelova pružile su i neke od članica SOUR-a. Prototip je sada u funkciji prave proizvodnje - kalemova za jedan izvozni artikal. Prema riječima Franje Tesle, rukovodioca Sektora konstrukcije i tehnologije motalica je uvrštena u proizvodni program Fabrike signalnih uredjaja. Do kraja ove godine planirano je da se za vlastite potrebe izradi pet komada, ali i jedan broj za tržište. Toliko, za početak serijske izrade. Prikupio { uredio: Miroslav Turina , dipl.ing. MIDEM, Titova 50 61000 Ljubljana 114 POZIV ZA SODELOVANJE NA I. JUGOSLOVANSKEM POSVETOVANJU O DOMAČI OPREM! ZA PROIZVODNJO ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELOV IN MlKROELEKTRONIKO Štefan Dolhar V zadnjih letih opažamo v jugoslovanski industriji elektronskih sestavnih delov živahno dejavnost konstruiranja in izdelave lastne opreme za proizvodnjo in težnjo za povezovanje z možnimi proizvajalci, zato se je izvršni odbor MIDEM odločil, da v času razstave "Sodobna elektronika" 7. oktobra organizira v Ljubljani enodnevno posvetovanje o jugoslovanskih možnostih izdelave opreme za proizvodnjo elektronskih sestavnih delov in mikroelektro-niko. Poslednjih godina se u jugoslovenskoj industriji elektronskih sastavnih delova oseca živa deiatnost na području konstruisanja i izrade sopstvene opreme za proizvodnji! i želja za povezivanjem sa mogučim proizvodjačima. Izvršni odbor MIDEM-a je zato odi UCIO Clčl u vremenu izložbe "Sodobna elektronika" 7. oktobra o.g. u Ljubljani organi-zuje jednodnevno savetovanje o jugoslovanskim mogučno-stima izrade opreme za proizvodnju elektronskih sastavnih delova i mikroelektroniku. Posvetovanje bo nudilo priliko za srečanje predstavnikov industrije, institutov, fakultet, snovalcev in izdelovalcev opreme, da predstavijo svoje dosežke in izmenjajo izkušnje. Poleg referatov nameravamo organizirati tudi posterje, na katerih bodo izdelovalci prikazali svoje izdelke. Vabimo vas, da se v akcijo vključi tudi vaša OZD, zlasti s primernim referatom ali posterjem o vaših dosežkih. Prosimo, da nam vašo udeležbo sporočite s priloženo prijavnico. Poleg tega vas prosimo, da kratko vsebino referata in naslove posterjev sporočite na naslov: MIDEM c/o Elektrotehniška zveza Slovenije 61000 Ljubljana, Titova 50 Delovni jeziki so vsi jeziki jugoslovanskih narodov. Splošne informacije Organizator Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale -MIDEM Pokrovitelj Iskra - DO Industrija za elemente, Ljubljana Gospodarska zbornica Slovenije - Splošno združenje elektroindustrije Gospodarsko razstavišče, Ljubljana Roki Prijava referatov in posterjev do 20.6.1986 Predaja referatov do 1.9.1986 Predaja posterjev do 6.10.1986 Kotizacija Za člane MIDEM 5.000 din Zaostale 6.000 din Vse os ta i c informacije: MIDEM - Elektrotehniška zveza Slovenije Ljubljana, Titova 50, tel. 061/316 886 Predsednik programsko-organizacijskega odbora: Štefan Dolhar, dipl.ing., l.r. Savetovanje pruža priliku za susret predstavnika industrije, instituta, fakulteta, projektanata i proizvodjača opreme i da predstave svoja dostignuča i za izmenu svojih is-kustava. Pored referata bitče organizovani i posteri, na kojirna če proizvodjači moči da prikažu svoje proizvode. Pozivamo vas da se u akciju uključi i vaša OUR, posebno prigodnim referatom ili posterom o vašim dostignučima. Molimo da nam vaše učešče potvrdite priloženom prijav-nicom na adresu: MIDEM c/o Elektrotehniška zveza Slovenije 61000 Ljubljana, Titova 50 Radni jezici su svi jezici naroda Jugoslavije Opšte informacije Organizator Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale -MIDEM Pokrovitelj Iskra - DO Industrija za elemente, Ljubljana Gospodarska zbornica Slovenije - Splošno združenje elektroindustrije Gospodarsko razstavišče, Ljubljana Rokovi Kotizacija Prijava referata i postera do 20.6.1986 Predaja referata do 1.9.1986 Predaja postera do 6.10.1986 Za članove MIDEM Za ostale 5.000 din 6.000 din Dodatne informacije MIDEM - Elektrotehniška zveza Slovenije Ljubljana, Titova 50, tel.061/316 886 Predsednik programsko-organizacionog odbora: Štefan Dolhar, dipl. ing., s. r. 115 'S, .ra ISKRA - elementi TOZD HI POT 68310 ŠENTJERNEJ Telefoni: (068) 32-104, 32-105 Telex: 35744 YU ISUPOT DEBELOPLASTNA UPOROVNA VEZJA Z DVOSTRANSKIMI (DIL) PRIKLJUČKI Uporovna vezja EDR 1207, -1125 in -1068 se uporabljajo v elektronskih vezjih za obdelavo podatkov. Upori R1/R2 služijo kot priključni upori (terminatorji) k podatkovnim vodilom. Vrednosti R1 /R2 tudi po želji naročnika. —tm-¡¡a- 1 Dimenzije DIL okrova (mm) 8,5 maks f Dl L 14 l =18,8 maks DIL 16 l =22,6 maks 7,6*°^ 9,3 maks EDR 1207 (R1/R2) - G 125 mW na upor pri 70° C 1,6 W na vezje pri 70° C STANDARDNE VREDNOSTI R1/R2 220E/270E 330E/390E 330E/680E 220E/330E 330E/470E 1K5/6K2 EDR 1125 (R1/R2) - G 125 mW na upor pri 70°C 1,8 W na vezje pri 70° C Standardne vrednosti R1/R2 so iste kot za uporovno vezje EDR 1207 EDR 1068 (R1/R2) - G 125 mW na upor pri 70°C 1,8 W na vezje pri 70° C Standardne vrednosti R1 /R2 so iste kot pri uporovnih vezjih EDR 1207 in EDR 1125. Druge vrednosti zavsa tri vezja po naročilu. TEHNIČNI PODATKI Maksimalna delovna napetost za posamezni upor Temperaturni koeficient upornosti Toleranca uporov Klimatska kategorija 100 V-ali PR, kar je manjše + 100.10-S/K ± 2% (G), ± 5% (J) 55/125/56 116 NOVOSTI SA TRZIŠTA TRIMERA I MRE2A BOURNS vam predstavlja dva nova zabrtvljena jednoobrt-na trimera. Upotreba materijala otpornih na visoke temperature čini ove trimere prikladnim za lemljenje valom. Radna temperatura je -65 C do +150 C. Model 3335 ima dimenzije 5.1x5.1x3.8 mm, te je najman-ji danas raspoloživi zabrtvljeni trimer. Otporna vrijednost kreče se od 10 Ohm-a do 500 KOhma, sa standardnom tolerancijom od 10 %. Mogučnost pode-šavanja napona je samo 0.05 %. Model 3325 raspoloživ je za horizontalni i vertikalni način podešavanja. BOURNS specificira značajnu snagu disipaci-je od 0. 5 W na +85 C , sa dimenzijama 6.6x8.9x5. 8 mm . Granica standardnog otpora uključuje vrijednosti od 10 Ohm-a do 1 MOhm, sa standardnom tolerancijom od ¿10%. KERMET TRIMER OD 4 MM, ZA POVRŠINSKU MONTAŽU Sa dimenzijom od 4 mm, BOURNS-ov trimer 3304 jedan je od najmanjih trimera za površinsku montažu. Kompatibi-lan s drugim SMD, taj je 3304 pakovan na vrpcu od 12 mm, za mogučnost automatskog umetanja. Prikladan za primjenu kod male disipacije, ima domet otpornosti od 500R do 1M, toleranciju otpornosti od + 25 %, te koeficijent temperature od +_ 250 ppm C . SMD 3304 raspoloživ je sa unakrsno prorezanom osovinom za automatsko podešavanje. SMD OTPORNE MREŽE BOURNS je kompletirao svoj široki asortiman standardnih otpornih mreža sa tri* verzije za površinsko montiranje: 20 pin DIL SOIC package, 10 pin epoxy chip carrier f 20 pin epoxy chip carrier (P.C.C.). Obadvije komponente, P.C.C. i SOIC imaju standardni domet s obzirom na otpor, od 22 Ohm-a do 2.2 MOhm-a, + 2 % tolerancije otpora (iznad 50 Ohm-a), 100 ppm C TCR (iznad 50 Ohm-a) , te odličan TCR izmedju jednakih vrijednosti. Epoksi kučište "Gold Novolac" jamči superiornu dugoroč-nu stabilnost zbog poboljšane otpornosti na vlagu i odlič-nog kontrastnog označavanja laserom. Meki bakreni vodiči pružaju izvanrednu disipaciju topline, te kompenziraju temperaturni koeficijent širenja materijala na mjestu lem-ljenja. MREŽE PREMA ZAHTJEVIMA KUPACA BOURNS-ove mreže pružaju pogodnosti za dizajn krajnjeg korisnika, omogučavajuči mu fleksibilnost u odnosu na dizajn, u cilju sniženja troškova u odnosu na diskretne komponente srednjeg velikog opsega korištenja. Krugovi korisnika mogu prema zahtjevima povezivati raz-ličite posebne otporne vrijednosti sa varirajučim vrijed-nostima snage, te debeli film fli čip kondenzatora. U gra-nicarna tehnologije debelog filma na raspolaganju su tjes-nije tolerancije otpora i podešavanje koeficijenta temperature. Druga je prednost mogučnost dizajniranja rezistora za različite vrijednosti snage unutar ove mreže. Tražite od BOURNS-a mreže prema vašem dizajnu radi uš-tede prostora i novca u usporedbi sa dislcretnom solucijom. BOURNS-MREŽE ZA EVROPU, IZ EVROPE Uz prokušanu otpornu mrežu MIL-R BOURNS-a Iz Logana, USA, sada je nova tvornica u Corku u Irskoj dostigla pu-nu proizvodnju svih standardnih opsega S.I.L. i D.I.L. BOURNS-ov standardni opseg brojeva dijelova od ukupno 9.000 proizvodi najnovija automatska oprema. Uključiva-nje u kontrolu procesa i izvršenja testova daje inšpekcijski rezultat od 0.1 % AQL. Otporna mreža Cork treba uskoro dobiti kvalifikaciju CECC sa serijama koje spadaju pod 4600X S. I .L. , koja predstavlja prvi potrebni atest modela. Ovo če biti treči atest modela, jer BOURNS, USA več ima MIL-R-83401 S.I.L. status u toku, a s D.I.L. treba uskoro dobiti kvalifikaciju. BOURNS proizvodi i otporne mreže za površinsko montiranje - 20 pin SOIC, i P.C.C. u 10 i 20 pin konfiguracija -druga je prema JEDEC osnovama. Novi proizvodi BOURNS-ove proizvodnje otpornih mreža uključuju komponente sa površinskom montažom , te S.I.L. srednjeg i visokog profila, u pakovanju prilagodjenom zahtjevima za večom snagom. BOURNS se trudi da dokaže da su način proizvodnje, kvaliteta i pouzdanost te proizvodne karakteristike ovih proizvoda najbolji u ovoj industriji. Evropska proizvodnja prilagodjena je potrebama tržišta sa konkurentnim cijenama. Distributori BOURNS-a drže velike zalihe. BOURNS-ove tube pakovanja štfte ove proizvode u tranzitu te olakšavaju uskladištenje i automatsko umetanje. ZA SVE INFORMACIJE IZVOLITE SE OBRATITI NA NAŠU ADRESU ! ILSCA 34/11 41001 ZAGREB ÍZVOZ - UVOZ INOZEMNA ZASTOPSTVA TELEX 21194 48 041-423729 117 NOVI CMOS D/A KONVERTORI Precision Monolithics Inc. A Bourns Company, Santa Clara, California CMOS D/A KONVERTORI OD PMI-A PMI Inc. dobro je poznati profzvodjač visokozahtjevnih bipolarnih komponenata za obradu podataka i prfjenos signala. Sa novora proizvodnjom CMOS PMI je kompletirao svoj proizvodni program. Uz podršku vlastitih eksperata u proizvodnji visokozahtjevnih analognih integrfrajučih krugova PMI je u kratkom vremenu predstavio sedam novih D/A konvertora u CMOS tehnologiji. Mnogi od predstavljenih konvertora nalaze se od ranijo na tržištu. Korisnicl takvih proizvoda sada imaju pouzdanog i jeftinijeg drugog proizvodjača. Buduci vlastiti proizvodi PMI-a dodat če se (»stoječem CMOS programu. Trenutno su dostupni slijedeči 8-, 10-i 12-bitnl D/A konvertori: PM 7524, PM 7528, PM 7533, PM 7541, PM 7545/7645, DAC 8012 i DAC 8408. TEHNOLOGIJA : Pored poznatih prednosti CMOS proizvoda postoji osjetlji-vost. na ESD i "špice" napona. Unatoč pažljivom rasporedu i tehnološkim procesi ma sve su CMOS komponente osjet-ljive. PMI upotrebljava speclffčnu oksidnu izolaciju čipa, te na taj način njegove komponente fiostaju otporne na "latch up". PMI takodjer testira otpornost na ESD do 2000 V, ovfsno o tipu i načinu spajanja. CMOS proizvodi so proizvode "Silicon-Gate" tehnologijom , koja značajno poboljšava dinamičke parametre u uspored-bi sa "Metal-Gate" tehnologijom. REZULTAT: Dokazana tehnologija sa novim pristupom iskusnog proizvodjača. 1.0- I 12-BITNI CMOS D/A KONVERTORI Predstavljajuči CMOS DAC-ove PM-7533 (10 bita) i PM-7541 (12 bi ta) PMI pruža sada pouzdanl dodatni izvor za industrijski standardne komponente. Oba konvertora su TTL/CMOS kompatibilna, unutar napona napajanja +5 do + 15 V i vrlo su fleksibilni zbog direktnog prijenosa podataka (bez latcha). Unaprijedjena i pazljiva konstrukcija čine konvertore otporne na "latch up". Dodatna vanjska zaštita ni.je potreb- na. Nelinearnost, PM 7533 i PM 7541 , manja od + 1./2 LSB preko cijelog temperaturnog područja, i poboljšani temperaturni koeficijent pojačanja rezultat su PMI-ove NiCr-tankoslojne tehnologije. Obadvije komponente su dostupne u dvije električne gradacije u svakom od MIL, IND. i komercijalnog temperaturnog područja. Jeftinije pakovanje u epoksidnom kučištu u-pravo je uključeno u proizvodnju. NOVI 8-BITNI CMOS D/A KONVERTORI SA LATCH-om 8-bitni D/A konvertori još su uvijek popularni zbog niske cijene i lakog povezivanja sa najčešče korištenim rnikro-procesorima (8 bita). PMI je u CMOS proizvodni program uključfo dva nova 8-bitna D/A konvertora. U 20-pinskom kučištu PM 7528 sa-drži dva 8-bitna konvertora sa ulaznim bufferom, registrom za svakf DAC f kontrolnom logikom. Spajanje na naj-popularnije mikroprocesore vrlo je lako. Največe prednosti za korisnike su ušteda prostora i uskladjene karakter!- PM 7525 je 8-bitni DAC sa latchom na ulazu za lakše po-vezivanje. Oba konvertora imaju točnost preko cijolog temperaturnog i naponskog područja (+5 do +15 V) od _+l/8 LSB do ¿'1/2 LSB, ovisno o elektrfčnoj gradaciji. Garantirana je ravnomjernost prenosa u tom području. Greška pojačanja manja je od 1 LSB. Oba su primjenji- va za TTL (V , +5 V) flf CMOS (V, , + 15 V), dd dd NOVI 12-BITNI CMOS D/A KONVERTORI SA LATCH-om PMI je za prodaju pripremio dva daljnja D/A CMOS konvertora - PM 7545 i PM 7645. Oba 12-bitna konvertora fmaju ulazni latch. PM 7545 radi sa naponom od +5 V do +15 V, pružajuči TTL i CMOS kompatibilnost. PM 7645 radi sa V +15V, pri čemu je kompatibilan sa TTL ulaznom logikom. Stvarna prednost ovih DAC -ova je u njihovoj visokoj preciznosti preko temperaturnog i naponskog radnog područja. PMI garantira nelinearnost manju od jf 1/2 LSB, te grešku pojačanja manju od +2 LSB i kompletnu ravnomjernost. Vrijeme konverzije je 1 ,us. Konvertori su pakovani u 20-pinska keramička i plastična kučišta. 12-BITNI CMOS D/A KONVERTORI SA MEMORIJOM Glavna karakteristika ovog zadnjeg proizvoda sa PMI-ove CMOS linije je mogučnost čftanja unazad, što omogučava lako i sigurno samodijagnosticiranje usporedjivanjem podataka. To čini DAC 8012' pogodnfm za prfmjenu u uredja-jima za automatsko testiranje, periferijske jedinice kom-pjutera i druge inteligentne sisteme. Linearnost manja od ±1/2 LSB i greška pojačanja manja od LSB preko temperaturnog i na|»nskog radnog područja u skladu je sa viso-kom preciznosti kakvu zahtjevaju takvi sistemi. I LICA 34/1! TELEX ® 041-42 37 23 118 TELEVIZIJSKI SPREJEMNIKI V ZNAMENJU VLSI TEHNIKE ITT kaže pot v digitalno obdelavo TV signala, s sistemom INTERMETALL digit 2000 Že leta 1981 so pri INTERMETALL izdelali vrsto VLSI vezij v HMOS tehniki (s preko 250 000 transistorskimi funkcijami), ki omogočajo digitalno obdelavo TV signala. Taka vezja lahko nadomeščajo približno 300 pasivnih elementov, bistvo tega koncepta pa je obdelava TV signala s signalnimi procesorji. INTERMETALL, Freiburg - ZRN je po številu izdelanih enot ena od petih vodil nih svetovnih proizvajalcev in nudi naslednje tehnologije: 2,4yum HMOS 2,0^um CIT (Collector Implant Technology) 2,4yum CMOS single metal, single poly 2,4yum CMOS dbl poly 3^um CMOS dbl metal 2^um CMOS dbl metal l,5^um CMOS dbl metal EEPROM Technology Standard Bipolar process Zahtevajte dodatne informacije, ki jih lahko dobite pri ISKRA Commerce - Zastopanje tujih firm Celovška 122, 61000 Ljubljana Tel. 061/551 093, 553 377 Navodila avtorjem Upute autorima Publikacija »Informacije MIDEM« je zainteresirana za prispevke domačih in inozemskih avtorjev — še posebej članov MIDEM — s področja mikro-elektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, ki jih lahko razvrstimo v naslednje kategorije: izvirni znanstveni članki, strokovni članki, pregledni strokovni članki, mnenja in komentarji, strokovne novosti, članki Hz prakse, članki in poročila iz delovnih organizacij, inštitutov in fakultet, članki in poročila o 'akcijah MIDEM, članki in poročila o dejavnostih članov MIDEM. Sponzorji MIDEM lahko brezplačno objavijo v vsaki številki publikacije po eno stran strokovnih informacij o svojih novih proizvodih, medtem ko je prispevek za objavo strokovnih informacij ostalih delovnih organizacij 13000 din za običajno A4 stran in 25000 din za A4 stran, ki vsebuje črno-belo fotografijo. Prispevek mora biti pripravljen tako: a) Imena in priimki avtorjev brez titul b) Naslov dela, ki ne sme biti daljši od 15 besed in mora jasno izražati problematiko prispevka c) Uvod — formulacija problema d) Jedro dela e) Zaključek f) Literatura i) Ime in priimek avtorjev, vključno s titulami in naslovi njihovih delovnih organizacij Rokopis naj bo jasno tipkan v razmaku 1,5 v širini 12 cm (zaradi montaže na A3 formatu in pomanjšave na A4 format) na A4 listih. Obseg rokopisa naj praviloma ne bo večji od 20 s strojem pisanih listov A4, na katerih je širina tipkanja 12 cm. Risbe je potrebno izdelati s tušem na pavs papirju ali belem papirju. Vsaka risba, tabela ali fotografija naj ima številko in podnapis, ki označuje njeno vsebino. Podnapisi za risbe, ki so široke do 12 cm, naj bodo tipkani do širine 12 cm, za risbe, ki so širše, pa širina podnapisa ni omejena. V tekstu je potrebno označiti mesto, kjer jih je potrebno vstaviti. Risbe, tabele in fotografije ni potrebno lepiti med tekst, ampak jih je potrebno ločeno priložiti članku. Delo je lahko pisano v kateremkoli jugoslovanskem jeziku, dela inozemskih avtorjev pa v angleščini ali nemščini. Avtorji so v celoti odgovorni za vsebino objavljenega sestavka. »Informacije MIDEM« izhajajo aprila, junija, septembra in decembra v tekočem letu. Rokopise, prosimo, pošljite mesec dni pred izidom številke na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rokopisov ne vračamo. Publikacija »Informacije MIDEM« zainteresirana je za priloge domačih i inozemskih autora, na-ročlto članova MIDEM. Priloge s područja mi-kroelektronike, elektroničkih sastavnih dijelova i materijala možemo razvrstati u sledeče skupine: izvorni znanstveni članci, stručni članci, prikazi stručnih članaka i drugih stručnih radova, mišljenja i komentari, novosti iz struke, članci i obavijesti iz prakse, članci i obavijesti iz radnih organizacija, instituta i fakulteta, članci i obavijesti o akcijama MIDEM, članci i obavijesti o djeiatnosti članova MIDEM. Sponzori MIDEM mogu besplatno u svakome broju publikacije objaviti po jednu stranu stručnih informacija o svojim novim proizvodima. Ostale radne organizacije plačaju za objavljiva-nje sličnih informacija 13000 din po jednoj obič-noj A4 stranici i 25000 din po A4 stranici sa crno-bijelom fotografijom. Priloži trebaju biti pripremljeni kako slijedi: a) Ime i prezime autora, bez titula b) Naslov ne smije biti duži od 15 riječi i mora jasno ukazati na sadržaj priloga c) Uvod u kojemu se opisuje pristup problemu d) Jezgro rada e) Zaključak f) Korištena literatura i) Imena i prezimena autora s titulama i nazivi-ma institucija u kojima su zaposleni. Rukopis treba biti uredno tipkan na A4 formatu u razmaku redova 1,5 i širini reda 12 cm (zbog montaže na A3 format i presnimavanja). U pravilu, opseg rukopisa ne treba prelaziti 20 tipkanih stranica A4 formata s redovima širine 12 cm. Crteže treba izraditi tušem na pausu ili bijelom papiru. Svaki crtež, tablica ili fotografija treba imati naziv i broj. Za crteže do 12 cm širine naziv ne smije biti širi od 12 cm Za crteže veče širine nije ograničena širina naziva. U tekstu je potrebno označiti mjesto za crteže. Crteže, tablice i fotografije ne treba lijepiti u tekst, več je potrebno priložiti ih članku odvojeno. Rad može biti pisan na bilo kojem od jugosla-venskih jezika. Radovi inozemnih autora trebaju biti na engleskom ili njemačkom jeziku. Autori odgovaraju u potpunosti za sadržaj objav-Ijenog rada. »Informacije MIDEM« izlaze u aprilu, junu, septembru i decembru tekuče godine. Rukopise za slijedeči broj šaljite najmanje mje-sec dana prije izlaska broja na: Uredništvo »Informacije MIDEM« Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50 61000 LJUBLJANA Rukopise ne vračamo. Sponzorji MIDEM Sponzori MIDEM GOSPODARSKA ZBORNICA-SPLOŠNO ZDRUŽENJE ELEKTROINDUSTRIJE SLOVENIJE, Ljubljana RAZISKOVALNA SKUPNOST SLOVENIJE, Ljubljana ISKRA — TOZD TOVARNA TELEVIZIJSKIH SPREJEMNIKOV, Pržan ISKRA — INDUSTRIJA KONDENZATORJEV, Semič ISKRA — INDUSTRIJA BATERIJ ZMAJ, Ljubljana ISKRA — DO MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana ISKRA — IEZE TOZD POLPREVODNIKI, Trbovlje ISKRA — COMMERCE TOZD ZASTOPANJE TUJIH FIRM, Ljubljana ITEO — TEHNOLOŠKO RAZVOJNA INFORMATIKA, Ljubljana RIZ — KOMEL OOUR TVORNICA POLUVODIČA, Zagreb SELK — TVORNICA SATOVA, Kutina ULJANIK, Pula RIZ — KOMEL OOUR ELEMENTI, Zagreb ISKRA — IEZE TOZD SEM, Ljubljana UNIS — RO TVORNICA TELEKOMUNIKACIJSKE OPREME, Mostar ELEKTRONIK— PROIZVODNJA ELEKTRIČKIH UREDAJA, Zagreb ISKRA — AVTOMATIKA, Ljubljana FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, Ljubljana ELEKTRONSKI FAKULTET, NIŠ RADE KONČAR — OOUR ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT, Zagreb ISKRA — IEZE TOZD FERITI, Ljubljana Ei — RO POLUPROVODNICI, Niš ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb RADE KONCAR — ELEKTROTEHNIČKI INSTITUT — Zagreb ISKRA — CENTER ZA ELEKTROOPTIKO, Ljubljana BIROSTROJ, Maribor ISKRA — DELTA, Ljubljana Publikacija Informacije MIDEM izhaja po ustanovitvi Strokovnega društva za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale — MIDEM kot nova oblika publikacije Informacije SSOSD, ki jo je izdajal Zvezni strokovni odbor za elektronske sestavne dele in materiale — SSOSD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od avgusta 1969 do 6. oktobra 1977 in publikacije Informacije SSESD, ki jo je izdajala Strokovna sekcija za elektronske sestavne dele, mikroelektroniko in materiale — SSESD pri Jugoslovanski zvezi za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januarja 1986. Publikacija Informacije MIDEM izlazi posle osnivanja Stručnog društva za mikroelektronlku, elektronske sastavne delove i materljale — MIDEM kao nova forma publikacije Informacije SSOSD koju je izdavao Savezni stručni odbor za elektronske sastavne delove i materijale — SSOSD kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od augusta 1969 do 6. oktobra 1977 i publikacije Informacije SSESD koju je izdavala Stručna sekcija za elektronske sastavne delove, mlkroelektroniku i materijale kod Jugoslavenskog saveza za ETAN od 6. oktobra 1977 do 29. januara 1986.